SK hynix представила первые в мире стеки памяти HBM3E ёмкостью 48 Гбайт из 16 кристаллов — это новый рекорд для архитектуры 16-Hi. На SK AI Summit 2024 в Сеуле генеральный директор компании Квак Но Чун (Kwak Noh-Jung) объявил о стратегии SK hynix, направленной на превращение компании в поставщика полного ассортимента решений на базе памяти DRAM и NAND для ИИ.

Источник изображений: SK hynix

Квак Но-Чжун отметил, что роль памяти за последние десятилетия претерпела значительные изменения: от хранения данных на персональных компьютерах (ПК) и смартфонах до поддержки функционирования облачных сервисов и социальных сетей. В будущем, с развитием ИИ, память будет играть ещё более важную роль, способствуя созданию новых форм взаимодействия и творчества для пользователей. Концепция «Креативной памяти», разработанная SK hynix, строится на применении полупроводников нового поколения, обеспечивающих мощные вычислительные возможности, необходимые для выполнения сложных задач.

SK hynix активно стремится к инновациям, создавая уникальные решения, не имеющие аналогов. В качестве основы выбраны продукты категории Beyond Best, отличающиеся высокой конкурентоспособностью и оптимальными инновациями, ориентированными на потребности ИИ-систем. В начале следующего года компания планирует представить тестовые образцы памяти HBM3E объёмом 48 Гбайт, подчёркивая свою готовность к внедрению передовых достижений в области памяти для ИИ.

HBM3E с архитектурой 16-Hi обеспечивает повышение производительности до 18 % в процессах обучения ИИ-моделей и до 32 % — при обработке данных по сравнению с решениями на основе 12-Hi, заявляет SK hynix. С ростом спроса на ИИ-ускорители для обработки данных это решение поможет SK hynix упрочить своё положение на рынке памяти для ИИ. Для массового производства 16-слойной HBM3E будет использована усовершенствованная технология Advanced MR-MUF, ранее успешно применявшаяся для 12-Hi решений.

Кроме HBM3E, SK hynix разрабатывает решения для других секторов, включая модули LPCAMM2 для ПК и дата-центров, а также энергоэффективную память LPDDR5 и LPDDR6, выполненную по техпроцессу 1c.

Компания также планирует интегрировать логику в базовый кристалл в памяти HBM4, что станет возможным благодаря партнёрству с одним из ведущих производителей логических полупроводников. Это позволит SK hynix разрабатывать кастомизированные HBM-решения, адаптированные к специфическим запросам клиентов по объёму, пропускной способности и функциональным характеристикам.

Память HBM3E обеспечивает скорость передачи данных на контакт 9,2 Гбит/с, что даёт пропускную способность выше 1,2 Тбайт/с

В ответ на растущие потребности ИИ-систем в увеличении объёма памяти SK hynix разрабатывает решения на основе CXL-сетей, которые обеспечат интеграцию различных типов памяти в массивы высокой ёмкости. Параллельно компания разрабатывает eSSD с ультравысокой ёмкостью, что позволит эффективно хранить большие объёмы данных на ограниченном пространстве и с оптимальным энергопотреблением.

Стремясь преодолеть так называемый «барьер памяти», SK hynix разрабатывает технологии с встроенными вычислительными возможностями. Такие решения, как Processing near Memory (PNM), Processing in Memory (PIM) и Computational Storage, позволят обрабатывать колоссальные объёмы данных, минимизируя задержки и увеличивая пропускную способность. Эти инновации откроют новые перспективы для ИИ-систем нового поколения, позволяя выполнять ресурсоёмкие задачи с минимальными задержками.

Инвесторы, по всей видимости, закрыли глаза на снижение операционной прибыли Samsung в полупроводниковом сегменте последовательно на 40 %, как только услышали заявление руководства о намерениях начать продажи передовой HBM3E в четвёртом квартале. Акции южнокорейского гиганта выросли в цене на 3,6 %, хотя общие итоги предыдущего квартала к этому не особо располагали.

Источник изображения: Samsung Electronics

Прежде всего, как отмечает Bloomberg, исполнительный вице-президент Samsung Electronics Чжэ Чжу Ким (Jaejune Kim), отвечающий за выпуск памяти, признался в наличии существенного прогресса в сертификации микросхем HBM3E новейшего поколения с крупным клиентом, в которым легко угадывается Nvidia. По его словам, Samsung собирается начать поставки передовых микросхем HBM3E в текущем квартале.

До этого, напомним, у Samsung регулярно возникали трудности с получением подобного сертификата, хотя руководство Nvidia свою заинтересованность в использовании HBM3E производства Samsung демонстрировало ещё весной текущего года. Впрочем, пока нельзя оценить, насколько массовыми будут поставки 12-ярусных микросхем памяти типа HBM3E производства Samsung в текущем квартале, если речь идёт именно о них. Так или иначе, курс акций конкурирующей SK hynix, которая контролирует половину рынка, снизился сегодня на 4,6 %.

Напомним, что операционная прибыль Samsung в полупроводниковом сегменте по итогам третьего квартала не только последовательно сократилась на 40 %, но и не оправдала ожидания аналитиков. SK hynix в прошлом квартале получила рекордную операционную прибыль, пообещав начать поставки своих 12-ярусных микросхем HBM3E в текущем квартале. Samsung же готова наращивать выпуск HBM3E в ущерб прочим типам памяти, она также сделала это направление приоритетным для капитальных затрат. Рассчитывая потратить на эти нужды $35 млрд в текущем году, Samsung собирается наладить выпуск HBM4 во второй половине следующего года.

В сегменте контрактного производства чипов, как отмечает Samsung, размер капитальных расходов в этом году уменьшится по сравнению с предыдущим, но компания всё равно намеревается обновлять свои производственные линии, специализирующиеся на зрелой литографии. Нарастить собственную выручку в контрактном сегменте компания рассчитывает за счёт улучшения уровня выхода годной продукции по передовым техпроцессам. Мировой рынок подобных услуг в денежном выражении в следующем году вырастет на двузначное количество процентов, по мнению руководства Samsung.

Сегмент смартфонов в текущем квартале последовательно вырастет, спрос на старшие модели будет этому способствовать, но основная конкуренция будет наблюдаться в среднем ценовом диапазоне. Из-за этого могут измениться как объёмы поставок устройств, так и их средняя цена реализации.

Занимая второе место в мировом рейтинге производителей памяти в целом, южнокорейская SK hynix остаётся крупнейшим поставщиком востребованных ускорителями вычислений микросхем памяти типа HBM. Благоприятная конъюнктура позволила компании по итогам третьего квартала обновить рекорды как по выручке, так и по прибыли.

Источник изображения: SK hynix

Выручка SK hynix в третьем квартале выросла в годовом сравнении на 94 % до $12,7 млрд в пересчёте по курсу, а операционная прибыль превзошла ожидания аналитиков, достигнув уровня в $5,08 млрд против убытков в размере $1,3 млрд годом ранее. Помимо поставок HBM, компания выигрывает на фоне бума систем искусственного интеллекта за счёт поставок твердотельных накопителей в серверном сегменте. В минувшем квартале серверное направление обеспечило более 60 % выручки в сегменте NAND.

В натуральном выражении объёмы поставок микросхем семейства HBM выросли более чем на 70 % последовательно и более чем в три раза по сравнению с аналогичным периодом прошлого года. Даже после такого бурного роста SK hynix не стесняется заявить, что рассчитывает на сохранение тенденции и в следующем году. Сегменты DRAM и NAND в следующем году вырастут на 15–19 % в денежном выражении, как считают представители производителя.

Кроме того, спрос на память в сегменте ПК и смартфонов тоже начнёт расти, поскольку потребители начнут интересоваться новыми моделями устройств с функциями локального ускорения работы систем искусственного интеллекта. Представители компании считают, что отрасль по производству памяти почти миновала кризисную фазу и теперь готова к восстановлению спроса. В текущем квартале SK hynix начнёт поставлять 12-ярусные стеки памяти типа HBM3E. В ближайшей перспективе это поможет ей увеличить долю доходов от реализации HBM с 30 до 40 % совокупной выручки. К поставкам микросхем HBM4 компания намеревается приступить во второй половине следующего года. Руководство SK hynix убеждено, что о снижении спроса на HBM в сегменте ИИ говорить преждевременно.

Лидируя на мировом рынке как поставщик памяти в целом, южнокорейская компания Samsung Electronics страдает от конкуренции с SK hynix в быстро растущем сегменте HBM, поскольку до сих пор не может наладить поставки новейших микросхем HBM3E для нужд Nvidia. По некоторым данным, Samsung потребуется внести изменения в дизайн этих чипов, на что уйдёт до шести месяцев времени.

Источник изображения: Samsung Electronics

По информации ZDNet, у Samsung возникли проблемы с производством не только базового чипа для стеков памяти HBM3E, но и самих микросхем DRAM, его формирующих. Дело в том, что компания изначально замахнулась на использование технологии 1α с несколькими слоями, обрабатываемыми с использованием EUV-литографии. В конечном итоге это должно было сделать микросхемы памяти более дешёвыми, но Samsung не удалось добиться стабильного уровня качества при их производстве. Micron и SK hynix предпочитают придерживаться более зрелого техпроцесса 1β, причём последняя ограничивается единственным слоем кристалла, который обрабатывается с использованием EUV. В случае с Samsung их количество достигает пяти, и это создаёт проблемы при производстве.

Сейчас Samsung, как отмечается, обсуждает возможность изменения дизайна своих микросхем DRAM, которые формируют стек HBM3E, ради повышения уровня выхода годной продукции. Если эти изменения в процесс производства решено будет внести, то на их внедрение может уйти до шести месяцев, и тогда Samsung сможет приступить к поставкам HBM3E, соответствующей требованиям Nvidia, не ранее второго квартала следующего года. Источники попутно сообщают, что представители Nvidia посетили предприятие Samsung, где выпускаются 8-слойные стеки HBM3E, и по результатам проверки выяснилось, что они уступают по уровню быстродействия до 10 % аналогичным по характеристикам изделиям SK hynix и Micron.

Официальные органы статистики Южной Кореи уже подвели итоги сентября, которые показали, что уже второй месяц подряд цены на DRAM растут не так быстро, как в предыдущие периоды. Аналогичная тенденция ещё сильнее выражена в сегменте NAND. Возможно, это указывает на снижение спроса на микросхемы памяти в связи с близящимся насыщением рынка.

Источник изображения: Samsung Electronics

Для Южной Кореи экспорт микросхем памяти является важнейшим драйвером национальной экономики. В этой стране выпускает основную часть своей памяти лидирующая на мировом рынке компания Samsung Electronics. Уступающая ей по общей структуре ассортимента продукции SK hynix контролирует более половины мирового рынка HBM и продолжает укреплять свои позиции. Это самый динамично растущий сегмент рынка памяти, что объясняется бумом систем искусственного интеллекта, для которых и нужны соответствующие микросхемы. Южная Корея остаётся крупнейшим экспортёром микросхем памяти.

HBM относится к категории DRAM, в сентябре цены на микросхемы данного класса выросли год к году на 55,4 %, что ниже августовских 57,3 %. Конечно, о падении цен говорить вообще не приходится, но они по крайней мере начинают расти более медленными темпами. В сегменте NAND августовские 126,5 % прироста сменились в сентябре ростом цен на 117,4 %. Память данного типа менее востребована в системах искусственного интеллекта, поэтому спрос на неё может подогреваться преимущественно в потребительском сегменте и той части серверного, которая ориентирована на скоростной обмен данными.

К концу октября SK hynix и Samsung Electronics объявят об итогах работы за III квартал и, как ожидается, SK Hynix может превзойти Samsung Electronics по объёму операционной прибыли от производства полупроводников, пишет KoreaTimes.

Источник изображения: SK hynix

Согласно консенсус-прогнозу аналитиков, операционная прибыль SK Hynix в III квартале вырастет до 6,76 трлн вон (около $5 млрд), а выручка составит около 17,99 трлн вон (около $13,3 млрд). Если прогнозы оправдаются, компания может достичь рекордно высокого уровня квартальной операционной прибыли, несмотря на негативные перспективы мирового рынка чипов памяти.

Как ожидают аналитики, у Samsung Electronics операционная прибыль в III квартале составит 10,77 трлн вон ($7,96 млрд), а операционная прибыль его подразделения Device Solutions (DS) упадет до 5,2 – 6,3 трлн вон ($3,85 – $4,66 млрд). Samsung Electronics не раскрывает в прогнозе подробности по каждому бизнес-подразделению. По оценкам экспертов, на DS приходится более 50 % всей операционной прибыли южнокорейского технологического гиганта.

Это означает, что SK hynix может превзойти Samsung Electronics по величине прибыли от производства чипов на 400 млрд – 1,5 трлн вон, что станет ударом по сложившейся репутации Samsung как крупнейшей в мире компании по производству микросхем памяти. Эксперты не исключают, что SK hynix может обогнать Samsung и по показателю операционной прибыли за год.

Повышение прибыльности SK hynix связывают с ростом выпуска чипов HBM, которые она поставляет NVIDIA, являясь её крупнейшим поставщиком.

Аналитик SK Securities Хан Донг-хи (Han Dong-hee) отметил, что растущий выпуск восьмислойной HBM3e приведёт к заметному росту средней цены продажи чипов памяти SK Hynix. По его прогнозу, доля продаж HBM в выручке компании от производства DRAM превысит 30 %. HBM примерно в 3–5 раз дороже обычных продуктов DRAM, что обеспечивает более высокую прибыльность для SK hynix.

Недавно SK hynix начала массовое производство 12-слойных чипов HBM3e. В отчёте за II квартал SK hynix заявила в июле, что «ожидает 300-процентного или более высокого роста своего бизнеса HBM в этом году».

Samsung Electronics тоже производит чипы HBM3e, но, как сообщается, NVIDIA всё ещё тестирует её продукцию. Согласно данным TrendForce, в 2023 году SK hynix лидировала на мировом рынке HBM с долей 53 %, за ней следовала Samsung (38 %).

Статистика за август, опубликованная официальными органами Южной Кореи, свидетельствует об ускорении сокращения складских запасов полупроводниковой продукции. Они оказались на 42,6 % меньше, чем годом ранее. Если учесть, что в июле разница составляла 34,3 %, то можно говорить об ускорении опустошения складов.

Источник изображения: Samsung Electronics

При этом по итогам августа объёмы производства чипов выросли только на 10,3%, тогда как объёмы поставок увеличились на 16,1 %. По сути, на протяжении основной части третьего квартала наблюдался рост спроса на полупроводниковую продукцию южнокорейского происхождения. Если учесть, что основную её часть составляют чипы памяти, а внутри этого сегмента сейчас наиболее востребована HBM, можно говорить о сохранении высокого спроса на компоненты для систем искусственного интеллекта.

Крупнейшим поставщиком HBM остаётся SK hynix, более крупная в глобальном масштабе Samsung Electronics довольствуется вторым местом. На этой неделе выйдет сентябрьская статистика по экспорту товаров из Южной Кореи, включая полупроводниковые изделия. С мая темпы роста экспорта на полупроводниковом направлении снижаются, вызывая опасения по поводу сохранения дальнейшего бума. По итогам августа валовой объём выпуска промышленных товаров в Южной Корее вырос в годовом сравнении на 3,8% против ожидаемых 1,9 %.

Накануне южнокорейская компания SK hynix в официальном пресс-релизе сообщила, что приступила к массовому производству памяти типа HBM3E с 12-слойных стеках ёмкостью по 36 Гбайт. Это не только самая современная память такого типа, но и самая ёмкая из ныне выпускаемых. Клиенты SK hynix получат эту память к концу текущего года.

Источник изображения: SK hynix

Нетрудно догадаться, что среди этих клиентов будет Nvidia, поскольку SK hynix остаётся главным поставщиком HBM различных поколений для этого разработчика графических процессоров и ускорителей вычислений. До сих пор, как отмечается в пресс-релизе южнокорейской компании, предельный объём в 24 Гбайта обеспечивался 8-слойным стеком HBM3E. Чипы DRAM, формирующие стек, компании удалось сделать на 40 % более тонкими, что в итоге позволило увеличить ёмкость стека на 50 % по сравнению с 8-слойным вариантом. SK hynix приступила к поставкам 8-слойных стеков HBM3E в марте этого года, поэтому соответствующий прогресс был ею достигнут всего за шесть месяцев.

С 2013 года SK hynix поставляет полный спектр микросхем семейства HBM. Скорость передачи информации в 12-слойном стеке HBM3E достигает 9,6 Гбит/с. Увеличение количества слоёв в стеке при одновременном уменьшении толщины каждого слоя сочетается с улучшением свойств теплопроводности на 10 % по сравнению с памятью предыдущего поколения. На утренних торгах в Сеуле котировки акций SK hynix выросли на 8,3 % после заявления о начале производства самой современной памяти семейства HBM. Всего с начала года акции компании укрепились в цене более чем на 25 %. Такой динамике способствовал и благоприятный прогноз по выручке на текущий квартал от конкурирующего производителя памяти Micron Technology.

Южнокорейская полупроводниковая промышленность имеет огромное значение для национальной экономики, и при этом продолжает демонстрировать растущую зависимость от поставок сырья из Китая, как показало опубликованное на этой неделе исследование Экспортно-импортного банка Кореи.

По крайней мере, данные 2022 года показывают, что зависимость Южной Кореи от Китая по поставкам кремния выросла с 68,8 до 75,4 %, по редкоземельным металлам с 59,6 до 61,7 %, по вольфраму с 68,2 до 68,6 %, по германию с 56,9 до 74,3 %, а по галлию и индию с 26,5 до 46,7 %. Имеются примеры снижения зависимости: применяемый при производстве плавиковой кислоты плавиковый шпат с точки зрения импорта из Китая в Южную Корею по итогам 2022 года сократил свой удельный вес с 49,9 до 47,5 %. Вся полупроводниковая промышленность Южной Кореи сильно зависит от импортируемого сырья, и на китайском направлении это выражено сильнее всего.

При этом в последние годы южнокорейские производители памяти не торопятся выводить свои предприятия из Китая, поскольку в ходе переговоров с властями США им удалось добиться некоторых послаблений. Соответственно, Samsung Electronics на своём предприятии в китайском Сиане выпускала по итогам 2022 года около 36 % всей памяти NAND, а в прошлом году увеличила её долю до 37 %. Китайское предприятие SK hynix в Уси обеспечивало в 2021 году 49 % всего выпуска микросхем DRAM, но в прошлом году долю удалось сократить до 42 %, хотя в этом она всё равно останется выше 40 %. Впрочем, запрет на инвестиции в китайские предприятия заметно сократил поток капитала из Южной Корее, как отмечается в отчёте.

Эксперты также поясняют, что для эффективного снижения зависимости южнокорейской промышленности от Китая необходимо внедрять информационные системы, которые позволяли бы оперативно отслеживать изменения, а также лучше координировать национальную промышленную политику с интересами страны в сфере безопасности.

Южнокорейская компания SK hynix, второй по величине производитель микросхем памяти в мире, начнёт массовый выпуск 12-слойных стеков высокоскоростной памяти HBM3E к концу текущего месяца. Об этом пишет издание Reuters со ссылкой на заявление одного из руководителей высшего звена производителя.

Источник изображения: SK hynix

Заявление о скором старте массового производства памяти HBM3E сделал Джастин Ким (Justin Kim), президент и глава подразделения SK hynix для ИИ-инфраструктуры, выступая на отраслевом форуме Semicon Taiwan в Тайбэе.

SK hynix ещё в июле раскрыла планы по поставкам чипов памяти HBM нового поколения (12-слойных HBM3E). Производитель сообщил, что массовые поставки таких чипов запланированы на четвёртый квартал этого года, а памяти HBM4 начнутся со второй половины 2025 года.

Память с высокой пропускной способностью (HBM) — это один из типов динамической памяти с произвольным доступом (DRAM). Стандарт был впервые представлен в 2013 году. Для экономии места и снижения энергопотребления эти чипы памяти состоят из нескольких кристаллов, наложенных друг на друга. Основное применение таких стеков памяти сегодня — специализированные графические ускорители для работы с алгоритмами искусственного интеллекта (ИИ). Использование памяти с высокой пропускной способностью позволяет обрабатывать огромные объёмы данных, необходимых для обучения моделей ИИ.

В мае генеральный директор SK hynix Квак Но Чун (Kwak Noh-Jung) заявил, что компания набрала заказов на производство памяти HBM на весь 2024 год и почти закрыла весь 2025 год.

Помимо SK hynix ключевыми поставщиками памяти HBM являются компании Micron и Samsung Electronics. SK hynix является основным поставщиком чипов HBM для Nvidia. В конце марта производитель поставил образцы памяти HBM3E одному из своих клиентов, однако в SK hynix отказались уточнять, кому именно.

Крупные технологические компании в 2024 году увеличили инвестиции в искусственный интеллект, благодаря чему операционная маржа Samsung и SK hynix, как ожидают аналитики, превысит 40 %. Два корейских производителя решили расширить сегмент DRAM — благодаря интенсивному росту ИИ он обещает превзойти остальное полупроводниковое производство.

Источник изображения: skhynix.com

Samsung построит производственную линию PH3 для DRAM и других компонентов на заводе в Пхёнтхэке в провинции Кёнгидо и приостановит строительство чистой комнаты для контрактного полупроводникового производства, узнало издание Korea Electronic Daily. На заводе будут выпускаться чипы DRAM для памяти HBM, которая станет устанавливаться на ИИ-ускорители AMD. Капитальные затраты Samsung на DRAM за исключением расходов на строительство зданий по итогам 2024 года вырастут на 9,2 % и достигнут $9,5 млрд — это рекордный показатель с 2020 года. А в 2025 году они, как ожидается, увеличатся ещё сильнее и достигнут $12 млрд.

SK hynix в минувшем году была вынуждена сократить производство, а теперь готова более чем утроить расходы на сектор DRAM: в 2023 году они были $2,3 млрд, а в 2024 году могут достичь $7,1 млрд. Глобальный рынок чипов памяти растёт: отрасль, которая включает в себя DRAM и NAND, в этом году готова продемонстрировать почти двухкратный рост до $175 млрд — для сравнения, рынок полупроводникового производства, на котором доминирует TSMC, остановится на $120,3 млрд. В 2025 году рынок чипов памяти превысит отметку в $200 млрд, из которых на DRAM придутся $162 млрд.

Источник изображения: samsung.com

Samsung и SK hynix намереваются вложить миллиарды долларов в разработку продуктов нового поколения, включая технологию обработки данных в памяти (Processing In Memory — PIM) и интерфейс CXL (Computer Express Link). В начале года SK hynix получила заманчивое предложение от производителя ИИ-ускорителей, который попросил корейскую компанию построить выделенную линию по производству чипов памяти и обещал внести авансовый платёж более чем в 500 млрд вон ($372,41 млн). Но SK hynix была вынуждена отклонить это предложение, поскольку уже обязалась поставить продукцию на 1 трлн вон ($744,81 млн) для Nvidia — мирового лидера в сегменте ИИ-ускорителей.

В этом году 13 крупнейших технологических компаний США и Китая, в том числе Google и Alibaba Group, намереваются вложить в центры обработки данных ИИ $226,2 млрд, и это на 33,7 % больше, чем в 2023 году. В 2025 году этот показатель вырастет дополнительно на 13,4 % до $256,6 млрд. Значительная часть этого бюджета, вероятно, будет потрачена на ИИ-ускорители, а значит, спрос на DRAM ещё останется высоким. Цены на память HBM, на которую приходятся 26 % ёмкости DRAM у Samsung и 28 % — у SK hynix, по состоянию на конец 2025 года будут в пять или шесть раз выше, чем на DDR5, что увеличит прибыльность обеих компаний. Рентабельность операционной прибыли Samsung и SK hynix составит более 40 %.

Компания SK hynix объявила о разработке первого в отрасли чипа DDR5 ёмкостью 16 Гбит, который будет выпускаться по технологическому процессу 1c — это самое передовое, шестое поколение технологии производства 10-нм класса.

Источник изображения: news.skhynix.com

Со сменой поколений технологий 10-нм класса конструкция компонентов DRAM усложняется, а плотность памяти растёт — теперь SK hynix сообщила, что ей первой на рынке удалось преодолеть технологические ограничения и обозначить переход на производственные нормы нового поколения. Новая технология 1c обещает повышение производительности и ценовой конкурентоспособности. Будучи реализованной для DDR5, она в перспективе будет адаптирована и для других продуктов, в том числе HBM, LPDDR6 и GDDR7. «Мы продолжим работать над закреплением лидерства в области DRAM и позиции самого надёжного поставщика решений памяти для ИИ», — заявил глава отдела разработки DRAM Ким Чжонхван (Kim Jonghwan).

Массовое производство чипов DDR5 с использованием технологии 1c будет готово к запуску в течение года, а уже в 2025-м SK hynix намеревается начать массовые поставки этой продукции. Компания внедрила новые материалы при работе оборудования со сверхжёстким ультрафиолетовым излучением (EUV) и добилась повышения производительности на 30 %, изменив конструкционное исполнение компонентов.

Чипы DDR5 нового поколения 1c будут работать на скорости до 8 Гбит/с — на 11 % быстрее компонентов предыдущего, а их энергоэффективность удалось повысить более чем на 9 %. Развёртывание памяти нового образца в центрах обработки данных поможет предприятиям снизить расходы на электроэнергию на 30 %, подсчитали в SK hynix — это важно, потому что в эпоху активного использования оборудования для систем искусственного интеллекта потребление энергии преимущественно растёт.

Лидеры по производству микросхем памяти Samsung Electronics и SK hynix отмечают, что Китай значительно увеличил импорт южнокорейских чипов в первой половине 2024 года. Продажи Samsung Electronics в Китае выросли на 82 процента, а SK Hynix — на 122 процента. Причём 96 % выручки в Китае SK hynix обеспечили именно микросхемы памяти. Продажи Samsung в Китае более диверсифицированы и, в дополнение к микросхемам, охватывают смартфоны и бытовую технику.

Источник изображения: unsplash.com

Выручка от поставок в Китай чипов Samsung в первом полугодии 2024 года составила 32,35 трлн вон ($24,1 млрд), что на 82 % выше, чем аналогичный результат предыдущего года. На Китай пришлось около 31 % региональной выручки Samsung в размере 104,9 трлн вон, что на 28 % больше, чем за тот же период годом ранее.

SK Hynix также сообщила о росте продаж в Китае, при этом выручка от китайских клиентов выросла до 8,6 трлн вон ($6,4 млрд), что на 122 % выше результата за аналогичный период предыдущего года. Поставки в Китай принесли компании 30 % от 28,8 трлн вон ($21,49 млрд) общего дохода за первое полугодие. На фоне массированных поставок в Китай складские запасы SK Hynix во втором квартале сократились до самого низкого уровня за последние семь лет.

Рост продаж отмечается на фоне ожиданий ужесточения санкций США в отношении высокотехнологичной полупроводниковой продукции. Аналитики предполагают, что китайские импортёры вынуждены увеличивать складские запасы в преддверии обнародования новых ограничений. Особенно возросла активность закупок чипов, используемых в системах ИИ, таких как высокоскоростная память стандарта HBM (high-bandwidth memory).

На фоне бума генеративного ИИ китайским технологическим гигантам, таким как Huawei и Baidu, требуется всё больше полупроводниковой продукции, включая микросхемы памяти, центральные процессоры и графические процессоры. В октябре 2023 года ужесточение экспортных ограничений США остановило поставку в Китай и ряд других стран интегральных схем с более чем 50 миллиардами транзисторов. Однако память HBM пока не подпадает под эти ограничения, если продаётся как отдельный компонент.

Ещё одним фактором роста продаж стало восстановление цен, последовавшее за прошлогодним сокращением производства ведущими игроками полупроводникового рынка на фоне вялого спроса.

По данным TrendForce, выручка Samsung и SK Hynix от поставок DRAM во втором квартале составила 43 % и 35 % мирового рынка соответственно. При этом SK Hynix контролирует более 50 % рынка памяти HBM.

Южнокорейская компания SK hynix является крупнейшим поставщиком памяти типа HBM, по размеру чистой прибыли она среди соотечественников уже уступает только Samsung Electronics, а потому заинтересована в сохранении технологического лидерства в этой сфере. Представители SK hynix недавно признались, что компания намерена увеличить производительность HBM в 30 раз от текущего уровня.

Источник изображения: SK hynix

Соответствующее заявление, как отмечает Business Korea, сделал на этой неделе вице-президент компании Рю Сон Су (Ryu Seong-su), выступавший на отраслевом форуме в южнокорейской столице. SK hynix собирается разработать память семейства HBM, которая по уровню быстродействия смогла бы превзойти существующие образцы в 30 раз. «Мы собираемся разрабатывать продукты, которые будут быстрее нынешней HBM в 20 или 30 раз, концентрируясь на выводе на рынок дифференцированных продуктов», — пояснил Рю Сон Су.

Компании, входящие в так называемую «великолепную семёрку» (Apple, Microsoft, Alphabet (Google), Amazon, Nvidia, Meta✴ Platforms и Tesla), часто обращаются к SK hynix с просьбой адаптировать поставляемую память HBM под их нужды. Чтобы удовлетворить эти запросы, SK hynix требуется огромное количество инженерных ресурсов, по словам представителя компании, но она собирается развиваться в этом направлении. Уже в рамках семейства HBM4 этот производитель намеревается предлагать клиентам адаптированные под их потребности варианты памяти. При этом SK hynix стремится к самостоятельному формированию отраслевых стандартов в данной сфере, а не следовать предложенным другими компаниями решениям. Кастомизация памяти станет существенным фактором, меняющим ход развития всей полупроводниковой отрасли, как считают в SK hynix.

Цены на твердотельные накопители корпоративного назначения в последнее время выросли на 80 %, поскольку они оказались востребованы в системах искусственного интеллекта. Компания SK hynix и её подразделение Solidigm, сформированное на основе бывшего китайского предприятия Intel, собираются увеличить объёмы выпуска памяти 3D NAND для твердотельных накопителей корпоративного назначения.

Источник изображения: SK hynix

Компании готовы отдать приоритет производству памяти типа QLC 3D NAND, на основе которой будут изготавливаться твердотельные накопители большой ёмкости для корпоративных систем. По данным отраслевых источников, на которые ссылается The Chosun Daily, компания SK hynix начала постепенно наращивать объёмы обработки кремниевых пластин на своём предприятии M15 в Чхонджу, чтобы к концу года повысить производительность линий на 10 %. Высокий спрос на корпоративные SSD позволил компании Solidigm завершить второй квартал без убытков, и теперь она рассчитывает увеличить объёмы производства твердотельной памяти на 5 % к началу следующего года.

Потребность систем искусственного интеллекта в скоростных накопителях большой ёмкости обусловлена тем, что они в своей работе создают «точки отката», которые позволяют вернуться к определённому состоянию в случае каких-то сбоев в работе. Кроме того, системам искусственного интеллекта свойственно обрабатывать большие объёмы данных, поэтому спрос на SSD с их стороны растёт. По прогнозам TrendForce, в ближайшие несколько лет спрос на SSD будет ежегодно расти в среднем на 60 % именно благодаря развитию систем ИИ.

Память типа QLC 3D NAND оптимальна для использования в твердотельных накопителях большой ёмкости в составе систем ИИ, поскольку в каждой ячейке может храниться по четыре бита данных, и это позволяет добиться высокой плотности хранения информации при низких энергозатратах. Накопители большой ёмкости на основе QLC 3D NAND сейчас выпускают только Samsung Electronics и Solidigm, причём последняя считается лидером в сегменте накопителей объёмом 60 Тбайт. Её контролеры также не имеют особых проблем с точки зрения совместимости с серверной инфраструктурой. SK hynix в следующем году планирует выпустить QLC-накопители объёмом 64 Тбайт и 128 Тбайт соответственно. Компания рассчитывает войти в число лидеров сегмента и в следующем году будет получать до половины выручки от реализации NAND именно от продукции, продающейся в корпоративном сегменте.