Ещё в 2019 году компания SK hynix намеревалась начать развитие производственного кластера в Йонъине, но соответствующим планам помешала пандемия, и к идее развития данной площадки по выпуску микросхем памяти она вернулась только весной этого года, подтвердив готовность вложить в проект около $91 млрд до 2046 года. На первом этапе, впрочем, расходы ограничатся $6,8 млрд.

Источник изображения: SK hynix

Соответствующая сумма, как отмечает Reuters, будет потрачена SK hynix на возведение первого из четырёх предприятий, к строительству компания рассчитывает приступить в марте следующего года. По состоянию на март текущего года строительная площадка была готова к дальнейшим работам чуть более чем на треть. Возводимый SK hynix завод по выпуску памяти должен стать крупнейшим в мире. Какой ассортимент продукции он будет выдавать после ввода в эксплуатацию, пока сказать сложно, но из комментариев представителей SK hynix на минувшей квартальной конференции известно, что между типами памяти HBM и DDR перераспределять производственные ресурсы компания может достаточно гибко.

Власти Южной Кореи, которые не очень щедры на субсидии в полупроводниковой сфере, предпочитают участвовать в подобных проектах налоговыми льготами или инфраструктурными работами. В Йонъине они также взялись обеспечить будущее предприятие SK hynix необходимыми энергетическими ресурсами. По планам южнокорейских властей, в текущем году страна сможет экспортировать памяти семейства HBM на сумму более $120 млрд. Компания SK hynix является крупнейшим производителем микросхем этого типа.

Не секрет, что южнокорейская компания SK hynix является лидером рынка памяти типа HBM, контролируя примерно половину сегмента и обгоняя номинально более крупного производителя памяти в лице Samsung. По итогам минувшего квартала операционная прибыль SK hynix выросла до максимального уровня за шесть лет и сменила наблюдавшиеся год назад операционные убытки.

Источник изображения: SK hynix

Выручка SK hynix в прошлом квартале оказалась несколько выше ожиданий аналитиков, она достигла $11,86 млрд в пересчёте по текущему курсу, увеличившись на 124,7 % в годовом сравнении и на 32 % последовательно. Последнюю часть динамики руководство компании объясняет высоким спросом на память типа HBM и сохраняющейся тенденции к росту цен на микросхемы памяти в целом. Непосредственно на направлении HBM компания увеличила выручку более чем на 250 %.

Операционная прибыль компании во втором квартале достигла $3,96 млрд, завершившийся период стал для SK hynix уже третьим подряд кварталом без убытков, которые сохранялись на протяжении основной части прошлого года. Норма операционной прибыли достигла 33 %. Поставки HBM3E компания начала ещё в марте, но 12-ярусные микросхемы этого поколения SK hynix начнёт выпускать лишь в текущем квартале, чтобы к четвёртому наладить их поставки своим клиентам, в числе которых Nvidia наверняка займёт первое место по приоритету. В мае руководство SK hynix уже отмечало, что компания обеспечена заказами на поставку различных типов HBM до конца 2025 года.

По оценкам сторонних аналитиков, HBM к концу текущего года будет формировать до 20 % прибыли SK hynix. Во втором полугодии спрос на микросхемы памяти начнёт подогреваться устройствами, поддерживающими периферийные вычисления в рамках систем искусственного интеллекта — смартфонами и ПК нового поколения, как отмечают представители компании. Они также признают, что увеличение объёмов выпуска HBM вынуждает её сократить объёмы производства обычной DRAM. При этом величина капитальных затрат SK hynix по итогам года окажется выше, чем было заложено в прогноз в начале текущего года. Нехватка мощностей для выпуска DRAM сохранится и в следующем году. Поставлять 12-слойные микросхемы HBM4 компания рассчитывает со второй половины 2025 года. В текущем году более половины всех поставок HBM придётся на HBM3E в натуральном выражении. После публикации квартального отчёта SK hynix столкнулась со снижением курса акций на 6,7 %, но в большей степени это было продиктовано общей коррекцией рынка.

Первая в истории Samsung Electronics массовая забастовка сотрудников не возникла на ровном месте, и недовольство условиями труда копилось годами, как поясняет издание Financial Times со ссылкой на комментарии пожелавших сохранить анонимность специалистов Samsung. У компании накопилось множество проблем, включая отставание от конкурентов в сферах производства памяти HBM и контрактного производства чипов.

Источник изображения: Samsung Electronics

Подобные настроения передаются и инвесторам в те моменты, когда они перестают реагировать на разовые случаи демонстрации Samsung Electronics своей состоятельности как производителя памяти. С начала текущего года акции Samsung выросли в цене только на 7,5 %, тогда как у конкурирующей и более мелкой SK hynix они выросли на 65 %, во многом за счёт интереса к выпуску памяти HBM, в котором она превосходит более крупного соперника.

Напомним, Samsung до сих пор не может сертифицировать свои микросхемы памяти типа HBM3E для использования в ускорителях вычислений Nvidia, которые сейчас очень востребованы рынком. SK hynix неплохо зарабатывает на этой тенденции, в число поставщиков HBM3E для нужд Nvidia вошла и американская компания Micron Technology, а Samsung всё никак не может решить свои сопутствующие проблемы.

Не смогла Samsung и существенно подвинуть TSMC на рынке услуг по контрактному производству чипов. Даже если Samsung удаётся опередить TSMC по срокам освоения той или иной передовой технологии, практические аспекты производства чипов упираются в целый комплекс проблем, которые делают подобное «лидерство» бесполезным. Клиентам нужны не только низкий уровень брака, но и стабильность поставок, а у Samsung с этим то и дело возникают проблемы, как отмечают осведомлённые источники.

В мае на пост руководителя полупроводникового подразделения Samsung Electronics был внезапно для сторонних наблюдателей назначен Чун Юн Хён (Jun Young Hyun), который имеет опыт в разработке не только различных типов памяти, но и аккумуляторов. Это назначение имело своей целью устранение «полупроводникового кризиса» внутри компании и обновление атмосферы, в которой работают сотрудники компании. Последние, по данным Financial Times, не заметили особых перемен после этого назначения.

По словам одного из инженеров компании, внутри царит мрачная атмосфера, поскольку Samsung отстаёт от SK hynix в сегменте HBM, и не может догнать TSMC в сегменте контрактного производства. Многие сотрудники считают, что им платят меньше, чем на аналогичных должностях у конкурентов, а потому подумывают о переходе на работу в другие компании. Моральный дух сотрудников Samsung подрывает и ощущение неопределённости вектора дальнейшего развития компании. В сегменте бытовой техники продажи продукции Samsung тоже падают, и это угнетает сотрудников.

На позапрошлой неделе Samsung сформировала команду по разработке новых поколений HBM, которая объединила специалистов разных подразделений, но аналитики Nomura International считают, что в этой сфере ошибки будут давать о себе знать на протяжении трёх последующих лет. Рост цен на память в целом сейчас будет снабжать компанию достаточными ресурсами для развития и устранения слабых мест в бизнес-стратегии, но при этом важно принимать правильные решения.

Эксперты SemiAnalysis убеждены, что у Samsung имеются проблемы с компетентностью руководства и корпоративной культурой. Серьёзные перемены в обеих сферах могут стать болезненными, но необходимыми мерами по спасению её бизнеса. Однако изменения нужны как можно скорее, иначе компания может безвозвратно утратить свои позиции на рынке.

Компания SK hynix, входящая в холдинг SK Group, объявила о планах инвестировать в производство чипов 103 трлн вон ($74,8 млрд) до 2028 года. Это означает, что холдинг считает это направление решающим для будущего своего бизнеса, пишет Bloomberg.

Источник изображения: SK hynix

Заявлению SK hynix предшествовала ежегодная встреча топ-менеджеров SK Group под руководством главы холдинга Чей Тэ Вона (Chey Tae-won). В течение двух дней топ-менджеры обсуждали основные направления дальнейшего развития холдинга.

В заявлении SK Group указано, что около 80 % суммы инвестиций, или 82 трлн вон ($59,5 млрд), будет направлено на производство памяти HBM. Выпускаемые корейской компанией чипы HBM оптимизированы для использования с ИИ-ускорителями и активно применяются в соответствующих продуктах компании Nvidia. Также SK Telecom и SK Broadband, делая ставку на развёртывание ИИ-технологий, инвестируют 3,4 трлн вон ($2,5 млрд) в модернизацию и развёртывание своих ЦОД.

SK Group планирует получить к 2026 году 80 трлн ($58,1 млрд) вон от операционной деятельности и перестройки бизнеса. Планы также включают обеспечение 30 трлн вон ($21,7 млрд) свободного денежного потока в течение трёх лет, чтобы соотношение долга к собственному капиталу было ниже 100 %.

В заявлении также сообщается о намерении SK Group получить в этом году прибыль, размер которой до уплаты налогов составит 22 трлн вон ($15,9 млрд). Напомним, что в прошлом году холдинг сработал с убытками в 10 трлн вон ($7,2 млрд). В перспективе SK Group намерен увеличить прибыль до 40 трлн вон ($29,0 млрд) в 2026 году.

Следует отметить, что холдинг впервые раскрыл свои планы на период до 2028 года. Ранее SK hynix объявила о ряде инвестиционных планов на этот год, включая выделение $3,87 млрд на строительство современного завода по выпуску микросхем памяти класса HBM и исследовательского центра для продуктов ИИ в Индиане (США).

Компания SK hynix представила NVMe-накопитель PCB01 стандарта PCIe 5.0. Новинка близка по характеристикам к потребительской модели Platinum P51. Производитель говорит, что новинка оптимизирована для задач, связанных с работой ИИ и больших языковых моделей (LLM).

Источник изображения: SK hynix

Для PCB01 заявляется скорость последовательного чтения и записи на уровне 14 и 12 Гбайт/с соответственно. В SSD используется кеш-память SLC, повышающая его производительность при пакетных рабочих нагрузках. Производитель также отмечает, что накопитель на 30 % энергоэффективнее предшественников и при этом обеспечивает вдвое больший показатель пропускной способности.

SK hynix позиционирует этот SSD как решение, оптимизированное для рабочих нагрузок искусственного интеллекта. Заявлено, что PCB01 способен загружать большую языковую модель (LLM) в системную память (DRAM) менее чем за одну секунду, что помогает повысить производительность чат-ботов на базе искусственного интеллекта, работающих локально в хост-системе SSD.

«PCB01 выделяется не только оптимизированной архитектурой для ПК с искусственным интеллектом, этот продукт также получит большое внимание на рынке игровых и высокопроизводительных систем», — уверен Джэ Юн Юн (Jae-Yeun Yunn), глава отдела планирования и внедрения продуктов NAND в SK hynix.

Подробные характеристики SSD компания не сообщает. Отмечается, что в PCB01 используется технология защиты ROT (root of trust), защищающая от внешних кибератак, а также замены записанной информации.

Программа поддержки национальной полупроводниковой промышленности, предложенная властями Южной Кореи, обладает своей спецификой, но в конечном итоге призвана стимулировать развитие отрасли. Первые $19 млрд финансовой поддержки начнут распределяться между участниками корейского рынка в следующем месяце, но основную часть суммы по традиции составят льготные кредиты.

Источник изображения: SK hynix

Напомним, что власти Южной Кореи не особо щедры на безвозвратные субсидии, и они предпочитают предоставлять налоговые льготы или кредиты по сниженной ставки, а непосредственно инвестиции в полупроводниковую отрасль предлагают делать частным компаниям типа тех же Samsung Electronics и SK hynix. По крайней мере, к 2047 году они должны вложить в развитие национальной полупроводниковой промышленности $471 млрд.

Как сообщает Bloomberg, с июля власти страны начнут распределять $19 млрд, предназначенные для поддержки национальной полупроводниковой отрасли. Из этой суммы $12,2 млрд составят кредиты по льготным ставкам, которые соискателям предстоит вернуть государству. Эта часть средств будет доступна участникам программы со следующего месяца. Власти страны также учредят два отдельных фонда на общую сумму $790 млн, которые будут сформированы непосредственно из субсидий, и меньший из них ($216 млн) призван способствовать развитию корейских производителей оборудования и материалов для производства чипов. Участники программы субсидирования также смогут претендовать на получение налоговых льгот на срок не менее трёх лет, и производители оборудования и материалов могут попасть под их действие.

На технологической конференции в марте этого года компания Samsung Electronics заявила, что рассчитывает наладить массовый выпуск трёхмерной DRAM к концу десятилетия. SK hynix, вдохновляемая своими успехами в сфере выпуска HBM, недавно сообщила, что в рамках экспериментального производства 3D DRAM получает 56 % годной продукции.

Источник изображения: SK hynix

Напомним, что используемая в сегменте высокоскоростных вычислений память типа HBM в традиционном толковании имеет компоновку 2.5D, а полноценную трёхмерную компоновку должна предложить память 3D DRAM, разработку которой сейчас ведут все три крупнейших производителя оперативной памяти: Samsung Electronics, SK hynix и Micron Technology.

По информации Business Korea, компания SK hynix на симпозиуме VLSI 2024 на прошлой неделе сообщила о промежуточных успехах в разработке памяти типа 3D DRAM. Пятислойные микросхемы компания уже может выпускать с уровнем выхода годной продукции 56,1 %, что довольно много для ранней стадии выпуска нового типа полупроводниковых изделий. Как отмечается, характеристики опытных образцов 3D DRAM в целом не уступают чипам с традиционной планарной компоновкой.

Само собой, предстоит проделать немалую работу по созданию условий для производства 3D DRAM в массовых количествах. Имеющиеся образцы такой памяти, по словам представителей SK hynix, не отличаются стабильностью с точки зрения быстродействия, а в плане пригодности к массовому производству имеет смысл рассчитывать на создание микросхем памяти с количеством слоёв от 32 до 192 штук.

Стремление азиатских производителей памяти обзавестись предприятиями на территории США вовсе не означает, что исконно американские компании не собираются строить новые заводы за пределами страны. Например, Micron Technology рассматривает возможность организации выпуска передовой памяти HBM в Малайзии, и в следующем году рассчитывает занять до 25 % мирового рынка такой памяти.

По данным TrendForce, на которые ссылается Nikkei Asian Review, подобная доля рынка сейчас принадлежит Micron Technology и в сегменте DRAM в целом. На рынке HBM в этом смысле Micron пока не добилась существенных успехов, поскольку конкурирующим SK hynix и Samsung Electronics принадлежат 50 и 42,4 % этого сегмента соответственно. Таким образом, чтобы занять необходимые 25 % рынка HBM, компании Micron нужно по итогам следующего года увеличить свою долю более чем в три раза.

Micron собирается нарастить не только производственные мощности, но и увеличить количество исследовательских центров и экспериментальных линий, которые помогут компании быстрее выводить на рынок новые разновидности HBM. Помимо экспансии предприятий в родном американском штате Айдахо, компания задумывается о строительстве первого для себя предприятия в Малайзии по обработке кремниевых пластин. Впрочем, тестированием и упаковкой микросхем памяти компания в этой стране уже занимается. Кроме того, её крупнейшее предприятие по производству HBM расположено в центральной части Тайваня, и оно тоже будет расширяться.

Samsung пока не удаётся пройти все этапы сертификации своей памяти HBM3E для её поставок компании Nvidia, а вот Micron свои аналогичные чипы для ускорителей H200 уже поставляет, как и лидирующая на рынке SK hynix. Корейскому гиганту Samsung приходится довольствоваться поставками более зрелых видов HBM для нужд AMD, Google и Amazon. Компания Nvidia является крупнейшим покупателем микросхем HBM, но она приобретает не более 48 % годовой программы выпуска памяти всех трёх мировых производителей, по оценкам Morgan Stanley.

Основные игроки рынка полупроводниковой памяти объявили о планах массового производства GDDR7, являющийся новым стандартом JEDEC для памяти, применяемой с графическими процессорами. Потребители с нетерпением ждут выхода GDDR7, которая обещает резкий скачок производительности графических систем, необходимый для игр и ресурсоёмких приложений.

Источник изображения: anandtech.com

SK hynix продемонстрировала свою линейку продуктов GDDR7 на недавно прошедшей выставке Computex 2024. По заявлению представителей компании, массовое производство запланировано только на первый квартал 2025 года, сообщает ресурс AnandTech. Это делает SK hynix последним из «большой тройки» производителей памяти в плане старта промышленного выпуска чипов нового стандарта.

Конкуренты опережают южнокорейского гиганта. Компания Samsung уже приступила к тестовому производству GDDR7 с целью начать поставки до конца 2024 года. А Micron нацелена не только запустить конвейер в этом году, но и поставить первые партии чипов партнёрам для установки в готовые устройства.

Таким образом, SK hynix рискует отстать от лидеров рынка почти на год. Однако стоит отметить, что при использовании отраслевых стандартов памяти время старта массового производства не так критично. Главное, чтобы чипы поступали партнёрам для тестирования и интеграции в продукты.

На Computex 2024 компания SK hynix продемонстрировала рабочие образцы GDDR7, а также раскрыла планы по выпуску чипов ёмкостью 16 Гбит и 24 Гбит со скоростью передачи данных до 40 Гбит/с. Пока неизвестно, когда будут готовы более производительные, а значит и более дорогостоящие конфигурации. Тем временем Samsung и Micron начнут производство с 16-Гбит со скоростью 32 Гбит/с. Выход на рынок с более быстрыми микросхемами стал бы серьёзным конкурентным преимуществом для SK hynix.

Источник изображения: anandtech.com

В целом рынок ожидает появления GDDR7 с большим интересом. Новый стандарт обещает существенный рост производительности и пропускной способности по сравнению с предшественником. Это позволит создавать более мощные видеокарты и графические процессоры для самых ресурсоёмких приложений, таких как облачный гейминг, метавселенные и промышленная визуализация. Ближайшие год-два станут временем активной конкурентной борьбы за рынок этого многообещающего продукта.

Поскольку китайская полупроводниковая промышленность в своём развитии на определённых этапах была вынуждена полагаться на зарубежные разработки и опыт иностранных сотрудников, скандалы с промышленным шпионажем то и дело всплывают в новостной сфере. Южнокорейский суд теперь обвиняет бывшую сотрудницу SK hynix в передаче коммерческих секретов представителям китайской Huawei.

Источник изображения: SK hynix

Как сообщает Business Korea, перед Окружным судом Сувона предстала уроженка КНР, которая с 2013 года работала в SK hynix с документацией, имеющей отношение к разработке полупроводниковых компонентов, и после перевода в китайское подразделение этой южнокорейской компании отвечала за консультирование корпоративных клиентов. Следствие установило, что перед своим увольнением в июне 2022 года обвиняемая распечатала более 3000 страниц документации SK hynix, имеющей отношение к разработке полупроводниковых компонентов, и передала их представителям Huawei.

Обвиняемую арестовали в Южной Корее в прошлом месяце, к настоящему времени ей уже предъявлены обвинения в части нарушения должностных обязанностей и раскрытия коммерческой тайны в промышленной сфере. Представители SK hynix пока только подтверждают, что утечка информации о методах производства микросхем памяти действительно имела место, но подробностями делиться не спешат, выражая готовность всячески содействовать следствию.

Производство микросхем HBM требует большого количества кремниевых пластин не только по причине большой общей площади кристаллов, но и из-за достаточно высокого уровня брака. Если исторически уровень выхода годных кристаллов при выпуске HBM не превышал 40–60 %, то SK hynix удалось поднять показатель до 80 %.

Источник изображения: SK hynix

Об этом в интервью Financial Times заявил директор по управлению качеством SK hynix Квон Чжэ Сун (Kwon Jae-soon). Одновременно компании удалось сократить длительность производственного цикла HBM3E на 50 %. До сих пор считалось, что уровень выхода годной продукции HBM3E при производстве SK hynix не превышал 60–70 %, но и это считалось весьма приличным показателем. Заявляемый же уровень в 80 % превосходит эти ожидания и демонстрирует успех SK hynix в оптимизации своих производственных процессов.

В 2025 году SK hynix рассчитывает освоить массовое производство памяти HBM4 в 12-ярусном исполнении, её партнёром в этой сфере выступает тайваньская TSMC. Конкурирующая Samsung рассчитывает освоить выпуск памяти этого поколения только в 2026 году. К тому времени SK hynix уже собирается наладить выпуск 16-ярусных стеков HBM4.

Упоминая о планах Samsung наладить поставки 12-ярусных стеков HBM3E в текущем полугодии, представитель SK hynix отметил, что клиентами компании сейчас наиболее востребованы именно 8-ярусные стеки HBM3E, поэтому на их производстве компания и сосредоточена в настоящее время. Сама SK hynix собирается начать поставки 12-ярусных стеков HBM3E в третьем квартале.

После мартовской конференции GTC 2024 в Сети стала часто мелькать фотография со стенда Samsung Electronics с одобрительной резолюцией главы Nvidia рядом с образцами 12-ярусной памяти типа HBM3E. Многие поверили, что это приближает память этой марки к массовому использованию в ускорителях Nvidia, но источники Reuters заверяют, что эта продукция корейской компании до сих пор не устраивает по своим характеристикам потенциального заказчика.

Источник изображения: Samsung Electronics

По крайней мере, апрельский этап сертификационных тестов предоставленные Samsung образцы 8- и 12-ярусной памяти HBM3E, а также более зрелой HBM3 всё равно провалили, поскольку демонстрировали более высокий уровень энергопотребления и тепловыделения, чем нужно Nvidia. Попытки пройти эти тесты Samsung предпринимает с прошлого года, но пока они так и не завершились успехом. Между тем, Samsung собирается начать поставки 12-слойных микросхем HBM3E заказчикам до конца следующего месяца, потенциально опережая лидирующую в этом сегменте SK hynix. В то же время, Micron Technology уже заявила, что её микросхемы HBM3E будут поставляться для нужд Nvidia в этом году. По сути, являясь крупнейшим производителем большинства типов памяти в мире, Samsung до сих пор не может стать поставщиком HBM3 и HBM3E для нужд Nvidia.

Не исключено, что недавняя смена руководства в подразделении Samsung Electronics, отвечающем за выпуск полупроводниковой продукции, как раз является последствием проблем южнокорейской компании с удовлетворением потребностей Nvidia. При этом Samsung начала коммерческие поставки HBM первого поколения ещё в 2015 году, и её нельзя назвать новичком в этом сегменте рынка. Первопроходцем, тем не менее, остаётся SK hynix, которая разработку HBM завершила в 2013 году.

Как добавляет Financial Times со ссылкой на руководителя SK hynix по контролю за качеством Квон Чжэ Суна (Kwon Jae-soon), этот производитель сейчас считает приоритетной задачей наращивать объёмы выпуска 8-слойной памяти HBM3E, как наиболее востребованной клиентами. Компании удалось поднять уровень выхода годной продукции в сегменте HBM3E до солидных 80 %, а время производственного цикла сократить на 50 %. Именно борьба с браком обеспечивает бизнес компании на этом направлении необходимыми финансовыми ресурсами и создаёт основу для дальнейшего успешного развития. HBM4 компания разрабатывает в сотрудничестве с TSMC и рассчитывает выпустить в 2025 году, на год раньше Samsung. С этой точки зрения готовность последней наладить поставки 12-ярусных стеков HBM3E к концу полугодия SK hynix не особо беспокоит.

Южнокорейская компания Samsung Electronics традиционно сильно зависит от производства памяти, но многолетние попытки снизить эту зависимость не помешали ей на этой неделе назначить в качестве руководителя полупроводникового бизнеса Чун Юн Хёна (Jun Young Hyun), который с 2000 года участвовал в разработке DRAM и NAND разных поколений, а также руководил бизнесом компании по выпуску аккумуляторов.

Источник изображения: BusinessWire

На этом посту новый глава полупроводникового подразделения Samsung сменяет Кюн Ки Хёна (Kyung Kye-hyun), который отныне будет руководить исследовательским подразделение Advanced Institute of Technology и курировать перспективные направления бизнеса. Как считается, данные перестановки произошли после того, как крупнейший производитель памяти в мире отстал от своего соперника SK hynix в сфере разработки и производства HBM, весьма востребованной в эпоху систем искусственного интеллекта.

В этом году SK hynix столкнулась с самым быстрым ростом выручки с 2010 года, её акции подорожали с начала текущего года на 36 %. Этой компании удалось стать крупнейшим поставщиком чипов HBM для ускорителей вычислений. SK hynix вынашивает планы по расширению производства HBM, подразумевающие многомиллиардные инвестиции не только на территории Южной Кореи, но и в США. Samsung в текущем году рассчитывает увеличить объёмы поставок HBM минимум в три раза и приступит к массовому производству 12-ярусных стеков HBM3E в текущем квартале. Фондовый рынок на смену руководства профильного подразделения Samsung отреагировал вяло, акции компании потеряли в цене менее 1 %.

Новейшая HBM3E относится к пятому поколению памяти HBM, а ведущий поставщик в лице SK hynix уже сейчас рассматривает возможность вывода на рынок памяти седьмого поколения HBM4E к 2026 году. Это на год быстрее, чем планировалось ранее, а в дальнейшем шаг между выходами поколений HBM будет сокращён с двух лет до одного года.

Источник изображения: SK hynix

По крайней мере, об этом сообщает ресурс The Elec со ссылкой на собственные источники, знакомые с планами компании. Первоначально SK hynix в 2026 году рассчитывала вывести на рынок только шестое поколение памяти (HBM4), а седьмое представить не ранее 2027 года. Теперь выход на рынок HBM4E решено ускорить на год. SK hynix будет выпускать микросхемы HBM4E с использованием техпроцесса 10-нм класса, плотность каждой достигнет 32 Гбит.

Правда, пока у специалистов SK hynix даже нет уверенности, какой высоты будут стеки памяти HBM4E, и какие технологии будут использоваться для формирования вертикальных межслойных соединений. По некоторым данным, HBM4E сможет увеличить скорость передачи информации на 40 % по сравнению c HBM4, а вот от намерений по внедрению гибридных связей при выпуске памяти последнего типа SK hynix вынуждена отказаться, хотя в прошлом году о соответствующих намерениях заявляла.

Конкурирующая Samsung Electronics намеревается освоить массовый выпуск HBM4 в 2026 году, поэтому нельзя исключать, что активность SK hynix на этом направлении заставит корейского гиганта ускориться. Как считают отдельные источники, являясь крупнейшим потребителем памяти HBM, компания Nvidia буквально сталкивает лбами её производителей в надежде получить более выгодные для себя условия закупок.

Выступая на конференции Nvidia GTC 2024 в марте, гендиректор компании Дженсен Хуанг (Jensen Huang) не скрывал своего энтузиазма в отношении чипов памяти HBM — он называл их «технологическим чудом» и неотъемлемой частью революции искусственного интеллекта. Эти чипы Nvidia закупает у корейской SK hynix, но поскольку спрос на ИИ-ускорители продолжает расти, расширяется и список поставщиков. Это вызывает ожесточённую конкуренцию среди производителей чипов памяти за перспективный источник дохода, пишет Nikkei.

Источник изображения: skhynix.com

Явным лидером сегмента HBM является SK hynix, удерживающая более половины мирового рынка, но её стремятся догнать Samsung и Micron, соревнуясь с лидером в технологиях, по цене и другим критериям. Если упростить, HBM — это несколько чипов DRAM (Direct Random-Access Memory), объединённых с помощью технологии 3D-монтажа для увеличения производительности и эффективности. Конкурентоспособность производителей такой памяти определяется не только качеством чипов DRAM, но и передовыми методами их объединения, а это непростая задача, ведь если хотя бы на одном из уровней возникает проблема, в негодность приходит весь продукт. Важнейшей характеристикой при выпуске HBM становится показатель выхода годной продукции.

Три крупнейших игрока рынка памяти делают ставку на HBM, поскольку здесь достигается значительная ценовая надбавка: эта память стоит примерно впятеро дороже DDR5 — самого продвинутого типа DRAM в ПК. По итогам текущего года, считают аналитики, доля HBM на рынке DRAM составит уже 20 % в денежном выражении, а в 2025 году вырастет до 30 %. SK hynix уверена, что сможет сохранить лидерство за счёт своей технологии объединения чипов памяти MR-MUF (Advanced Mass Reflow Molded Underfill). Первый в мире компонент HBM компания разработала ещё десять лет назад для использования в видеоиграх, но востребованным этот тип памяти стал лишь с появлением генеративного ИИ. Последняя версия в этом сегменте — HBM3e, которую Nvidia намеревается внедрить в этом году.

Источник изображения: samsung.com

Доля SK hynix на мировом рынке HBM по итогам 2024 года составит 52 %, считают аналитики Trendforce. Samsung станет второй с показателем 42,4 %, а Micron достанутся лишь 5 % рынка. Для Samsung, привыкшей идти впереди своего меньшего соотечественника, это некоторый повод для беспокойства — сейчас она активно старается наверстать упущенное и намеревается начать поставки чипов HBM3e во II квартале. Это даст ей шанс опередить SK hynix, которая собирается наладить поставки этих чипов Nvidia только в III квартале. В руководстве Samsung сообщили, что вывод HBM3e на рынок идёт без сбоев и в соответствии с графиком клиента. Имя клиента корейский производитель не назвал, но в марте Nvidia сама подтвердила, что тестирует образцы HBM от Samsung.

Но технологическая разница между чипами памяти SK hynix и Samsung всё же существует и сохранится ещё какое-то время. Есть ещё один претендент, на которого стоит обратить внимание. В феврале американская Micron запустила массовое производство чипов HBM3e — они потребляют значительно меньше, чем продукция конкурентов, и также будут использоваться в ускорителях Nvidia H200. Бум ИИ пошёл на пользу Micron, которая вернулась к прибыльности на квартал раньше запланированного срока из-за роста спроса на ИИ-серверы. Недавно компания похвасталась, что уже распродала всю память HBM3e, которую выпустит в 2024 году и распределила значительную часть заказов на 2025 год.

К сегменту HBM присматриваются и другие участники рынка. Powertech, крупнейший в мире поставщик услуг по упаковке и тестированию чипов памяти, считает, что в перспективе HBM будет использоваться даже в ПК и бытовой электронике. В компании Globalwafers, третьем по величине производителе кремниевых пластин в мире, считают, что во второй половине текущего года HBM станет одним из ключевых направлений роста, а в перспективе она вообще изменит отрасль памяти. Но есть и другое мнение: приход Samsung на рынок HBM3e может уже в 2025 году спровоцировать кризис перепроизводства, считает аналитик Kiwoom Securities Пак Ю Ак (Pak Yu-ak).