Компания SK hynix разработала новый тип мобильной флеш-памяти Zoned UFS (ZUFS) 4.0, предназначенный для ускорения выполнения задач, связанных с работой ИИ-алгоритмов на смартфонах и других мобильных устройствах.

Источник изображения: SK hynix

ZUFS 4.0 — это тип флеш-памяти NAND, которая оптимизирует управление данными на устройствах с технологиями искусственного интеллекта. Достигается это за счёт классификации и хранения данных, связанных с ИИ, в определённых зонах устройства хранения в соответствии с характеристиками смартфона. Такой метод целевого хранения данных, в отличие от обычной флеш-памяти UFS, повышает скорость и эффективность доступа к данным для операционной системы смартфона, а также для приложений искусственного интеллекта.

SK hynix заявляет, что флеш-память ZUFS 4.0 ускоряет запуск приложений на смартфонах до 45 % по сравнению с обычной флеш-памятью UFS. Кроме того, новая технология значительно снижает процесс деградации производительности операций чтения и записи, продлевая жизненный цикл устройства хранения данных на 40 %.

Компания сообщает, что приступила к разработке флеш-памяти ZUFS в 2019 году, предвидя растущий спрос на высокопроизводительные решения хранения данных для искусственного интеллекта на мобильных устройствах.

SK hynix начнёт массовое производство флеш-памяти ZUFS 4.0 в третьем квартале 2024 года.

Южнокорейская SK hynix пока остаётся главным поставщиком микросхем памяти типа HBM для нужд Nvidia, но ей пытаются составить конкуренцию и Samsung Electronics, и Micron Technology. Корейские СМИ сообщают, что Nvidia стимулирует обострение конкуренции между поставщиками HBM, стремясь получить более выгодные для себя цены на их продукцию.

Источник изображения: SK hynix

Напомним, недавно из уст представителей SK hynix прозвучали обещания начать поставки образцов 12-ярусных стеков HBM3E своим клиентам, а в третьем квартале приступить к их массовому производству. Подобная активность в информационном поле, как считают представители Business Korea, связана с действиями компании Nvidia, которая не особо скрывает намерения конкурирующих поставщиков HBM от друг друга, пытаясь обострить соперничество и тем самым добиться более выгодных для себя условий закупки.

Недавний визит председателя совета директоров SK Inc. Чэй Тэ Вона (Chey Tae-won) в США, который в конце апреля встретился с главой и основателем Nvidia Дженсеном Хуангом (Jensen Huang), как принято считать, был связан как раз с этой темой. Конкурирующая Samsung Electronics начать поставки 12-ярусной HBM3E пообещала до конца текущего полугодия, поэтому SK hynix позже пришлось раскрыть свои аналогичные намерения. Не осталась в стороне даже Micron, которая пока способна выпускать только 8-ярусные стеки HBM3E, но от соответствующих заявлений не воздерживается. По словам корейских источников, все эти действия поставщиков HBM могут быть вызваны активностью Nvidia, которая сильнее давит на них как в графике начала поставок новейшей памяти, так и в вопросах цены.

Компания SK hynix в рамках недавней пресс-конференции рассказал о перспективных разработках, среди которых оказался твердотельный накопитель объёмом 300 Тбайт. Новая разработка станет частью более широкого ассортимента продуктов и технологий компаний, предназначенных для дата-центров и ИИ-систем.

Источник изображения: SK hynix

По мнению SK hynix, совокупный мировой объём информации, генерируемой людьми и системами искусственного интеллекта к 2030 году достигнет значения 660 зеттабайт. Этот огромный объём данных необходимо где-то хранить, и в таком деле как раз пригодятся жёсткие диски объёмом 100 Тбайт и твердотельные накопители объёмом 300 Тбайт.

О разрабатываемом SK hynix накопителе объёмом 300 Тбайт практически ничего неизвестно, за исключением того факта, что в ближайшие годы спрос на высокопроизводительные SSD большой ёмкости резко возрастёт. В связи с этим для различных задач потребуются как накопители большой ёмкости, так и высокопроизводительные флеш-массивы.

Как предполагает портал Tom’s Hardware, SK hynix может вести разработку конкурента архитектуре системы хранения данных Samsung PBSSD, которая к настоящему моменту представляет собой флеш-массив объёмом 240 Гбайт, но обладает возможностями масштабирования до систем петабайтного класса. Подобные платформы обладают возможностью изоляции потоков данных при множественном доступе к накопителю, позволяя сохранить для разных нагрузок заданные для них уровни задержки и производительности.

Согласно другому предположению, SK hynix может вести разработку конкурента 3,5-дюймовомым твердотельным носителям ExaDrive от компании Nimbus, которые могут хранить до 100 Тбайт информации. Правда, последние представляются весьма нишевыми продуктами и обладают низкой производительностью. Также разработка южнокорейской компании может представлять собой специализированный SSD в формате карты расширения PCIe. Однако опять же, носитель объёмом 300 Тбайт даже при использовании интерфейса PCIe 6.0 x16, скорее всего, будет обладать весьма низкой производительностью в расчёте на терабайт доступного пространства.

Помимо SSD объёмом 300 Тбайт SK hynix также работает над множеством других продуктов, которые будут полезны для задач по обучению ИИ в масштабах ЦОД (высокопроизводительная память HBM4 и HBM4E, решения Pooled CXL, а также Processing-in-Memory (PIM)), для периферийного оборудования с поддержкой ИИ (память LPDDR6, GDDR7, PIM), а также устройств для локальной работы ИИ (память LPDDR6, GDDR7 и DDR5 высокой ёмкости).

В конце февраля южнокорейская компания SK hynix уже заявляла, что фактически обеспечена заказами на выпуск памяти типа HBM до конца текущего года. Сезон квартальных отчётов заставил компанию поднять ставки, заявив о наличии заказов вплоть до конца 2025 года, попутно пообещав начать поставки новейшей HBM3E в третьем квартале текущего года.

Источник изображения: SK hynix

К массовому производству микросхем HBM3E компания приступит в следующем квартале, как отмечается в свежем заявлении SK hynix. Производитель по-прежнему считает, что объёмы выпуска HBM будут увеличиваться в среднем на 60 % в ближайшие годы. По традиции, собственные инвестиции SK hynix в расширение производства памяти распланированы вплоть до 2046 года, и к этому сроку компания собирается вложить $91 млрд в развитие крупнейшего комплекса по производству памяти в Йонъине. На первом этапе на строительство нового предприятия, которое войдёт в состав нового комплекса, планируется потратить около $14,5 млрд. Ещё $3,87 млрд будет вложено в строительство предприятия по тестированию и упаковке памяти в штате Индиана. Как пояснили на этой неделе представители SK hynix, финансировать эти проекты компания рассчитывает преимущественно за счёт собственных средств, поскольку рассчитывает на пропорциональный рост прибыли.

Ситуация с расширением производства HBM руководству SK hynix нравится тем, что заказы клиентов растут предсказуемо, и это позволяет более чётко планировать строительство новых предприятий. По крайней мере, у компании появляется больше уверенности, что новые линии по выпуску HBM окажутся загружены работой, тогда как традиционный рынок DRAM в целом более непредсказуем с точки зрения колебания спроса и предложения.

Поставки образцов новейшей 12-ярусной памяти типа HBM3E своим клиентам, главным из которых остаётся Nvidia, компания SK hynix начнёт в мае текущего года, а в третьем квартале приступит к её массовому производству. К 2028 году, как считают в SK hynix, доля микросхем памяти для систем искусственного интеллекта, включая HBM и DDR, в стоимостном выражении достигнет 61 % всех поставок продукции этой марки. В прошлом году этот показатель не превышал 5 %, так что нет ничего удивительного в том, что заказами на поставку HBM компания теперь обеспечена вплоть до конца следующего года.

Квартальный отчёт южнокорейской компании SK hynix был интересен тем, что она впервые за пять предыдущих кварталов получила чистую прибыль, а рост выручки превзошёл ожидания аналитиков и составил 144 %. Очевидно, что подобной динамике финансовых показателей компании способствовал высокий спрос на память типа HBM, хотя и в сегменте NAND наблюдались признаки восстановления.

Источник изображения: SK hynix

Выручка SK hynix достигла $9 млрд, что является максимальным значением со второго квартала 2022 года. Операционная прибыль достигла $2,1 млрд, существенно превзойдя ожидания аналитиков и продемонстрировав второй по величине результат за всю историю существования компании. Темпы роста выручки SK hynix в прошлом квартале оказались максимальными с 2010 года.

SK hynix намеревается увеличить капитальные затраты в этом году и нарастить объёмы поставок передовой памяти HBM3E, а также наладить поставки микросхем DDR5 высокой ёмкости для серверного применения. В более традиционных сегментах рынка памяти, по мнению представителей компании, спрос начнёт восстанавливаться во второй половине текущего года.

По прогнозам аналитиков Counterpoint Research, в этом году норма прибыли SK hynix превысит 20 %, а выручка компании достигнет $44,3 млрд. Как ранее отмечали представители SK hynix, в ближайшие годы спрос на память семейства HBM будет расти на 60 % ежегодно. В сотрудничестве с TSMC она рассчитывает начать поставки HBM4 в 2026 году. Помимо новых предприятий в Южной Корее, SK hynix собирается построить предприятие и исследовательский центр в штате Индиана. Компания сейчас ведёт переговоры с рядом клиентов о заключении долгосрочных контрактов на поставку памяти семейства HBM.

Что характерно, содержащий в целом позитивные сигналы квартальный отчёт SK hynix не предотвратил снижения курса акций компании на 3,9 %, поскольку на настроение инвесторов в большей степени повлиял негативный прогноз, прозвучавший из уст представителей Meta✴ Platforms. Акции прочих производителей чипов на азиатских фондовых рынках тоже устремились вниз после открытия торгов утром в четверг.

Один из крупнейших в мире производителей чипов памяти, южнокорейская компания SK Hynix объявила в среду о планах инвестировать 5,3 трлн вон (около $3,86 млрд) в строительство завода по производству памяти DRAM в Южной Корее, пишет агентство Reuters. Компания отметила, что новый производственный объект будет в основном сосредоточен на выпуске микросхем памяти класса HBM.

Источник изображения: SK Hynix

Являющаяся одним из основных партнёров Nvidia, SK Hynix планируют начать строительство завода под названием M15X в конце апреля с тем, чтобы начать массовое производство чипов памяти в ноябре 2025 года.

Согласно прогнозу SK Hynix, рынок HBM будет расти более чем на 60 % в год, при этом спрос на DRAM общего назначения будет постоянно увеличиваться, особенно на чипы большой ёмкости для серверов.

SK Hynix указала в заявлении, что с учётом запланированного постепенного увеличения инвестиций в оборудование общий объём вложений в новый завод в Южной Корее в долгосрочной перспективе составит более 20 трлн вон (около $14,6 млрд).

Напомним, что в прошлом году из-за спада на рынке микросхем SK Hynix сократила годовые инвестиции на 50 % и сообщила в октябре, что их рост в 2024 году будет минимальным. Несмотря на эту позицию, спрос на её чипы памяти HBM, используемые в ИИ-ускорителях, настолько высок, что существующие мощности компании полностью зарезервированы на этот год, и на большую часть следующего года, отмечено в сообщении SK Hynix.

Ещё по итогам мартовской конференции GTC 2024, если верить публикации в социальной сети LinkedIn главы американского представительства Samsung Electronics, основатель Nvidia Дженсен Хуанг (Jensen Huang) одобрил использование микросхем памяти типа HBM3E этой корейской марки своими ускорителями вычислений. Теперь стало известно, что их поставки могут начаться до конца текущего полугодия.

Источник изображения: LinkedIn

Новости на эту тему в минувшую пятницу опубликовал южнокорейский ресурс Maeil Business Newspaper. Сейчас, как уточняет источник, микросхемы HBM3E компании Samsung в 8- и 12-ярусном исполнении проходят последние фазы тестирования, и серийные поставки для нужд Nvidia могут начаться уже до конца первого полугодия. Если учесть, что аналитики предрекали начало поставок либо в третьем квартале, либо даже в четвёртом, то подобный сценарий на этом фоне кажется более оптимистичным.

Способность Nvidia использовать 12-слойные стеки памяти типа HBM3E позволит компании увеличить объём памяти своих ускорителей вычислений, по этой причине продукция Samsung должна быть ею востребована. Кроме того, наличие в ассортименте продукции этого поставщика 8-слойных микросхем HBM3E позволит Nvidia претендовать на более привлекательные цены за счёт усиления конкуренции с SK hynix. В целом, во втором полугодии это может привести к снижению цен на микросхемы памяти HBM3E.

В конце этой рабочей недели южнокорейская компания SK hynix сообщила о подписании меморандума о взаимопонимании с тайваньской компанией TSMC в сфере сотрудничества в рамках производства памяти HBM следующего поколения, коей является HBM4. Корейская компания освоит её массовое производство в 2026 году, и это позволит ей сохранить лидерские позиции на этом рынке.

Источник изображения: SK hynix

По данным TrendForce, в этом году SK hynix сможет сохранить за собой 52,5 % рынка микросхем типа HBM, ещё 42,4 % достанутся Samsung Electronics, а Micron Technology будет довольствоваться оставшимися 5,1 %. В настоящее время SK hynix является крупнейшим поставщиком микросхем HBM3 для нужд Nvidia и собирается в ближайшие месяцы начать поставки более совершенной памяти типа HBM3E. Следующим этапом станет выпуск HBM4, который начнётся ориентировочно в 2026 году, и сейчас SK hynix пытается заручиться поддержкой TSMC в этом вопросе.

Дело в том, что TSMC остаётся единственной компанией, способной упаковывать память HBM и ускорители вычислений Nvidia по методу CoWoS, а потому SK hynix в эволюции своей памяти зависит от тайваньского партнёра. Из выделенных на текущий год капитальных затрат в диапазоне от $28 до $32 млрд компания TSMC намеревается до десяти процентов потратить на расширение мощностей по упаковке чипов и памяти. Именно их нехватка считается одной из причин дефицита ускорителей вычислений Nvidia для систем искусственного интеллекта. В прошлом году на долю HBM приходилось не более 8,4 % выручки в сегменте DRAM, но по итогам текущего эта доля вырастет до 20,1 %.

Ещё в начале февраля появились слухи о готовности южнокорейской компании SK hynix построить в штате Индиана предприятие по выпуску микросхем памяти класса HBM. На этой неделе данные намерения были подтверждены официально: на строительство предприятия SK hynix потратит $3,87 млрд, а работу оно начнёт во второй половине 2028 года.

Источник изображения: SK hynix

Помимо линии по тестированию и упаковке памяти типа HBM адекватного тому времени поколения, американское предприятие SK hynix разместит и профильный исследовательский центр, который сосредоточится на разработке прогрессивных методов упаковки чипов. Представители SK hynix отдельно подчеркнули, что новое предприятие позволит укрепить цепочки поставок, направленные на снабжение рынка США передовыми чипами для ускорения систем искусственного интеллекта.

Теоретически, если к тому времени в Аризоне начнёт функционировать второе предприятие TSMC, которое сможет выпускать 3-нм чипы, то Nvidia сможет получать на территории США как ускорители вычислений собственной разработки, так и память для них, хотя сейчас она в этом отношении сильно зависит от Тайваня и Южной Кореи соответственно, причём конечный этап сборки и тестирования чипов всё равно проходит на Тайване, где компания TSMC располагает линиями по упаковке компонентов с использованием технологии CoWoS.

Расположенный в Индиане Университет Пердью окажется в одном с будущим предприятием SK hynix городе Уэст-Лафейетт, что позволит этому учебному заведению готовить кадры для предприятия южнокорейской компании. Соответствующие договорённости уже достигнуты, а ещё местные власти готовы способствовать развитию необходимой транспортной и инженерной инфраструктуры. Сможет ли SK hynix претендовать на федеральные субсидии по «Закону о чипах» США, пока сказать сложно, ибо выделение средств идёт очень медленно, и ближе к началу очереди уже стоят более крупные проекты других компаний. Предприятие SK hynix в Индиане должно обеспечить работой более тысячи местных жителей.

Главным бенефициаром бума искусственного интеллекта среди публичных компаний полупроводникового сектора принято считать Nvidia, поскольку за предыдущие двенадцать месяцев курс её акций вырос почти в три с половиной раза. Как выясняется, сотрудничающая с ней SK hynix от этой тенденции тоже выиграла, поскольку недавно её капитализация впервые превысила $100 млрд.

Источник изображения: SK hynix

На этом уровне, как отмечает Bloomberg, данный производитель памяти становится второй по величине капитализации компанией в Южной Корее после Samsung Electronics. Последняя всё равно его опережает с большим запасом при величине капитализации более $360 млрд, но динамика роста курса акций Samsung за предыдущие двенадцать месяцев была куда более скромной — около 31 %.

Внимание инвесторов к акциям SK hynix объясняется тем, что компания до сих пор контролирует около 90 % поставок памяти типа HBM3 и HBM3E для нужд Nvidia, которая является лидером рынка ускорителей вычислений для систем искусственного интеллекта. По некоторым данным, продукция Samsung этого класса уже прошла сертификацию Nvidia, и в этом году начнёт использоваться в ускорителях Nvidia, но существенно потеснить продукцию SK hynix в этой сфере более крупному конкуренту удастся не так скоро.

Свежая статистика государственных органов Южной Кореи, на которую ссылается Bloomberg, демонстрирует существенный прирост объёмов производства полупроводниковой продукции на территории этой страны по итогам февраля. В годовом выражении они увеличились на 65,3 %, и это стало максимальным приростом с конца 2009 года. Объёмы поставок чипов выросли на 59 %.

Источник изображения: SK hynix

Вообще, как отмечает Bloomberg, в январе этого года объёмы поставок полупроводниковой продукции южнокорейского производства выросли даже на 62,7 %, поэтому февральская динамика уступала январской, но всё равно осталась впечатляющей. Важно, что объёмы складских запасов продукции сократились на 16,2 %, демонстрируя оживление спроса уже второй месяц подряд своей негативной динамикой. Февральские объёмы производства могли бы вырасти ещё сильнее, если бы не Новый год по лунному календарю, который сократил количество рабочих дней на предприятиях южнокорейских производителей. Существенная часть микросхем памяти Samsung и SK hynix, кстати, производится на территории Китая, где новогодние праздники длятся ещё больше.

Промышленное производство в Южной Корее в целом выросло на 4,8 % вместо ожидаемых 4 %, и в полупроводниковом сегменте февральская статистика тоже оказалась лучше прогнозов. Данные за первые 20 дней марта говорят о том, что экспорт полупроводниковой продукции из Южной Кореи вырос на 46,5 % в годовом сравнении, и если подобная тенденция сохранится, то и март в целом покажет заметный прирост поставок. Аналитики считают, что спрос на память корейского производства в дальнейшем будет подогревать не только бум систем искусственного интеллекта, но и долгожданное восстановление китайской экономики.

Ещё в 2022 году южнокорейская компания SK hynix выразила намерения вложить в локализацию производства памяти в США около $15 млрд. Ппрошедший 2023 год подчеркнул важность доступа крупных клиентов компании к передовой памяти HBM, а потому источники The Wall Street Journal сообщили, что SK hynix собирается потратить $4 млрд на строительство предприятия в штате Индиана.

Источник изображения: SK hynix

Как сообщается, на строительство этой площадки по тестированию и упаковке памяти с использованием передовых технологий планируется направить субсидии, предоставляемые не только федеральными властями США, но и властями штата Индиана. Предприятие должно быть введено в строй с 2028 года, оно обеспечит работой от 800 до 1000 человек. Близость Университета Пердью, который расположен в городе Уэст-Лафейетт, поможет обеспечить предприятие квалифицированными сотрудниками, как считают источники.

Напомним, что SK hynix сейчас является крупнейшим поставщиком памяти класса HBM для нужд компании Nvidia, которая использует её в своих ускорителях для систем искусственного интеллекта, поэтому появление локального предприятия по тестированию и упаковки памяти семейства HBM на территории США в какой-то степени позволит снизить зависимость национальной вычислительной инфраструктуры от азиатских производственных площадок. Проблемой остаётся только необходимость упаковывать и тестировать готовые чипы Nvidia на предприятиях TSMC на Тайване, хотя у этого подрядчика к 2028 году тоже появится пара предприятий в США. Кроме того, подобные услуги развивает и корпорация Intel, но метод упаковки чипов CoWoS остаётся уникальным предложением TSMC, и в этом смысле Nvidia продолжает зависеть от своего тайваньского партнёра.

Завтра в китайской столице начнёт работу Форум по развитию Китая, который в этом году посетит представительная делегация зарубежных бизнесменов. Накануне министр торговли КНР Ван Вэньтао (Wang Wentao) провёл серию встреч с руководителями зарубежных компаний полупроводникового сектора, чтобы заверить их в наличии у китайских властей намерений продолжать плодотворное сотрудничество.

Источник изображения: Apple

Об этих встречах поведали ресурсы Bloomberg и Nikkei Asian Review. С главой Apple Тимом Куком (Tim Cook), который находится в Китае с рабочей поездкой со среды, китайский министр торговли встретился ещё вчера, после чего руководитель американской корпорации заявил, что она продолжит инвестировать не только в торговую сеть на территории страны, но и в развитие цепочек поставок и прикладные исследования.

Попавшая в прошлом году под китайские санкции американская компания Micron Technology не только направила на форум своего генерального директора Санджея Мехротру (Sanjay Mehrotra), но и позволила ему заявить о намерениях увеличить объём инвестиций в китайскую экономику. Китайский министр не обошёл вниманием и главу Qualcomm Криштиано Амона (Cristiano Amon), которого также призвал усилить инвестиции в китайский рынок. Правда, глава американского разработчика мобильных процессоров заявил в ответ, что рассчитывает на формирование властями США и Китая стабильных условий для развития бизнеса.

С главой южнокорейской SK hynix Квак Но Чуном (Kwak Noh-Jung) у китайского министра торговли состоялась беседа на тему возможного расширения бизнеса в КНР, поскольку для этого производителя памяти Китай остаётся не только крупнейшей производственной площадкой, но и важным рынком сбыта продукции. Беседа Ван Вэньтао с председателем совета директоров французского банка BNP Paribas была сосредоточена на посредничестве этой финансовой структуры в налаживании взаимовыгодных отношений между китайским и европейским бизнесом. Министр торговли Китая также провёл встречу в формате круглого стола с представителями зарубежных производителей фармакологической продукции.

В конкурентной гонке, которую подстегнул интерес к использующим память класса HBM ускорителям вычислений, южнокорейские производители не боятся заглядывать в весьма отдалённое будущее и делать долгосрочные инвестиции. SK hynix собирается до 2046 года потратить почти $91 млрд на развитие крупнейшего в мире комплекса по производству памяти, и первое из четырёх предприятий начнёт строить уже в марте следующего года.

Источник изображения: SK hynix

В качестве крупнейшей в мире площадки по выпуску микросхем памяти SK hynix выбрала южнокорейский Йонъин, причём ещё в 2019 году, но дальнейшей реализации планов тогда помешала пандемия, и к обсуждению проекта удалось вернуться только в 2022 году, получив одобрение как на уровне центрального правительства Южной Кореи, так и на уровне муниципалитетов, а также партнёров и поставщиков SK hynix. В прошлом месяце власти распорядились обеспечить строительную площадку необходимыми энергетическими ресурсами.

Первое предприятие, которое в готовом виде будет занимать три этажа, SK hynix начнёт строить в Йонъине в марте следующего года, сейчас площадка готова к строительным работам примерно на 35 %. Данный завод сам по себе станет крупнейшим в мире, а всего в этом районе SK hynix собирается к 2046 году построить ещё три подобных предприятия. В текущем месяце власти Южной Кореи должны представить комплексный план поддержки перспективных отраслей национальной экономики, охватывающий и полупроводниковую промышленность. Уже в этом году, как рассчитывают корейские чиновники, страна сможет экспортировать памяти типа HBM на общую сумму более $120 млрд.

На мероприятии Nvidia GTC 2024 компания Samsung представила чипы GDDR7, но оказалась не единственной с этой новинкой — собственные чипы видеопамяти продемонстрировала и SK hynix, заявив о более продвинутых в сравнении с продукцией конкурента технических характеристиках, обратил внимание ресурс Hardwareluxx.

Источник изображения: hardwareluxx.de

Модули памяти Samsung, предназначенные для игровых видеокарт нового поколения, поддерживают скорость до 32 Гбит/с, но на практике они будут ограничены показателем 28 Гбит/с. Компания SK hynix сделала шаг вперёд и подтвердила разработку модулей, поддерживающих ещё более высокие скорости. Если ранее Samsung говорила о 37 Гбит/с, то SK hynix, как стало известно, готова добиться показателя в 40 Гбит/с — такова установленная компанией целевая производительность для семейства GDDR7.

Кроме того, SK hynix рассказала о планах наладить выпуск чипов объёмом 16 и 24 Гбит — это позволит AMD и Nvidia внедрять новые конфигурации памяти, сохраняя при этом число чипов на борту. Память стандарта GDDR7 дебютирует на видеокартах Nvidia GeForce RTX 50-й серии, которые, как ожидается, выйдут на рынок к концу текущего года. Скорость чипов памяти в этих видеокартах составит 28 Гбит/с, а показатели в 32 Гбит/с и выше, вероятно, будут достигнуты в будущих поколениях. Скорость в 40 Гбит/с едва ли можно будет увидеть в потребительской продукции, но она может быть снижена на 10 %, и это, пожалуй, более реалистичный сценарий.