MWC 2018
2018
Computex
IFA 2018
Ещё при президенте Байдене власти США пытались ограничить способность южнокорейских производителей памяти модернизировать и расширять свои предприятия на территории Китая, которые выдают основной объём продукции для мирового рынка. Тем не менее, Samsung и SK hynix умудрились сохранить доступ к американскому оборудованию для выпуска памяти, одновременно вкладываясь в модернизацию производства в Китае.
Источник изображения: Samsung Electronics
По крайней мере, как отмечает Business Korea, в прошлом году Samsung Electronics на модернизацию своего предприятия в китайском Сиане потратила $344 млн, что на 67,5 % больше затрат предыдущего года. Данное предприятие является единственной зарубежной площадкой Samsung по выпуску микросхем памяти NAND, причём оно обеспечивает до 40 % объёмов производства продукции для мирового рынка. Надо сказать, что инвестиции в китайский завод Samsung не были регулярными, после вложения $464 млн в 2019 году она на протяжении четырёх лет не подпитывала его существенными финансовыми ресурсами. В 2024 году компания направила на поддержку предприятия $184 млн, а в прошлом году увеличила сумму сразу на 67,5 %.
Конкурирующая SK hynix в свои китайские предприятия по итогам прошлого года вложила более $663 млн, поскольку в Уси она располагает заводом по производству DRAM, а в Даляне ей от Intel досталась фабрика по производству 3D NAND. Первая из площадок в прошлом году удостоилась удвоенных инвестиций в размере $190 млн, а вторая получила $293 млн, что в полтора раза больше инвестиций 2024 года. Впервые с 2022 года, когда SK hynix купила у Intel предприятие в Даляне, этой компании пришлось вкладывать в свою китайскую производственную базу более $660 млн. В южнокорейской национальной валюте данная сумма составляет психологически важное значение в 1 трлн вон. В условиях бума ИИ память стала дефицитным товаром, поэтому доминирующие на рынке южнокорейские компании активно наращивают её выпуск.
Samsung собирается наладить выпуск в Китае более прогрессивной 236-слойной памяти 3D NAND вместо прежней 128-слойной. Если учесть, что у себя на родине Samsung в этом году собирается наладить выпуск 400-слойной памяти, то отстающая на пару шагов 236-слойная вполне может прописаться в Китае с учётом политики сдерживания технологического развития этой страны. Предприятие SK hynix по производству DRAM в Уси также перейдёт с третьего на четвёртое поколение 10-нм техпроцесса (1a), это позволит выгодно производить здесь микросхемы DDR5. Данное предприятие в Китае обеспечивает более 30 % объёмов выпуска DRAM компании в мировом масштабе.
Источник:
