Опрос
|
реклама
Быстрый переход
Звериный оскал дефицита: темпы удорожания DDR4-памяти превысили 5 % в неделю
17.09.2025 [16:11],
Алексей Разин
Готовность крупных поставщиков свернуть производство микросхем DDR4 уже давно толкает цены вверх, воодушевляя более мелких конкурентов занять освобождающуюся рыночную нишу и хорошенько заработать. За минувшие семь дней цены на отдельные виды микросхем DDR4 на рынке моментальных сделок успели вырасти более чем на 5 %, как отмечает TrendForce. 
Источник изображения: Samsung Electronics По информации источника, рост цен на чипы DDR4 даже привёл к некоторому снижению объёмов продаж на рынке спотовых сделок, поскольку покупатели пока не успели адаптироваться к новой реальности и не спешат расставаться с деньгами. При этом дефицит DDR4 сохраняется, что и толкает цены вверх. Средняя цена микросхем DDR4 ходовых типов за последние семь дней на рынке моментальных сделок выросла на 6,26 %. 
Источник изображения: TrendForce В случае с твердотельной памятью динамика цен за период тоже была положительной, но не так явно выраженной — средний прирост в сегменте TLC ограничился 0,53 %. Быстрее всего дорожала память типа QLC, спрос на которую начинает подогревать серверный сегмент в условиях сохраняющегося бума систем искусственного интеллекта. Её стоимость на рынке срочных контрактов начинает расти, что передаётся и рынку моментальных сделок. SanDisk нагнетает: дефицит флеш-памяти продлится как минимум до 2026 года, и SSD будут дорожать
17.09.2025 [13:50],
Анжелла Марина
Генеральный директор SanDisk Дэвид Геккелер (David Goeckeler) заявил, что мировой рынок чипов NAND-памяти столкнётся с дефицитом вплоть до 2026 года. Такой прогноз был озвучен на недавно прошедшей конференции Goldman Sachs Communacopia + Technology Conference. 
Источник изображений: SanDisk Причиной нехватки поставок, как пишет TrendForce, стал взрывной рост спроса со стороны центров обработки данных, которые переходят от обучения искусственного интеллекта (ИИ) к инференсу — процессу применения уже обученной модели к новым, ранее не встречавшимся данным для получения выводов и результатов, что требует огромных объёмов памяти. Эта тенденция уже спровоцировала волну повышения цен всеми крупными игроками рынка, включая SanDisk, Micron и Western Digital. Геккелер подчеркнул, что компания видит в дата-центрах основной драйвер роста и придерживается стратегии сбалансированного подхода к расширению мощностей, чтобы контролировать соответствие спроса и предложения. Он отметил, что не ожидает стабилизации рынка до 2026 года, и условия дефицита, вероятно, сохранятся на протяжении всего этого периода. Согласно информации от TechPowerUp, SanDisk уже повысил цены на 10 % для всех каналов сбыта и потребительских продуктов (изменения касаются заказов, сделанных после 5 сентября). Компания объяснила это ростом спроса со стороны ИИ-приложений, дата-центров и мобильных устройств. Главный финансовый директор SanDisk Луис Висосо (Luis Visoso) сообщил, что компания видит дальнейшие возможности для повышения цен в сегменте клиентских устройств, дата-центров и облачных решений, поскольку условия по ценам и объёмам согласовываются ежеквартально с каждым клиентом индивидуально. Параллельно SanDisk активно ускоряет переход на новые производственные технологии. Ожидается, что в этом году доля памяти BICS 8 в портфеле компании увеличится с текущих значений до 40–50% к концу финансового года. При этом компания ускорила дорожную карту: после перехода с BICS 5 на BICS 6 для QLC-памяти теперь планируется полное развёртывание BICS 8 в течение ближайших нескольких лет. Ранее в этом году SanDisk раскрыла информацию о разработке технологии High Bandwidth Flash (HBF) и подписании меморандума о взаимопонимании с южнокорейской SK hynix для совместного определения спецификаций. Как поясняет Sisa Journal, если HBM увеличивает пропускную способность за счёт стекирования чипов DRAM, то HBF достигает резкого роста параллельных операций ввода-вывода путём стекирования массивов 3D NAND. На той же конференции в Goldman Sachs компания сообщила, что HBF будет готова к внедрению к концу 2026 года, а полноценные системы, включая контроллеры и ASIC, поступят в продажу в начале 2027 года. Первое поколение HBF будет использовать 16-слойную структуру памяти, обеспечивая до 512 Гбайт на один стек при пропускной способности, сопоставимой с HBM, и ёмкости, превышающей её в 8–16 раз. Производители флеш-памяти готовятся резко задрать цены — грядёт подорожание SSD
15.09.2025 [13:54],
Алексей Разин
Наибольшую выгоду от бума ИИ до сих пор получали преимущественно производители ускорителей вычислений и компонентов для них, включая поставщиков памяти типа HBM, а вот прочая отрасль по выпуску памяти оставалась в стороне от этих тенденций. В следующем году всё может измениться, как считают участники рынка, — многие из них уже начали готовиться к резкому росту цен. 
Источник изображения: Micron Technology О настроениях поставщиков памяти и их ближайших партнёров поведало тайваньское издание DigiTimes. Компания SanDisk в этой сфере, как отмечается, выступила в роли инициатора неприятных для покупателей изменений, объявив о повышении цен на NAND на 10 %. Компания Micron Technology, как отмечают источники, на этой неделе перестала раскрывать цены на DRAM и NAND своим клиентам, желающим заключить контракты на поставку такой продукции. По некоторым оценкам, Micron готовится повысить цены на твердотельную память сразу на 30 % уже по итогам четвёртого квартала текущего года. Некоторые производители твердотельных накопителей ожидают, что цены вырастут на 10 или 15 %. Micron в этой сфере, как предполагается, пока «прощупывает почву». В следующем году, по мнению экспертов, облачные гиганты начнут остро нуждаться в твердотельных накопителях большой ёмкости — в силу сохранения так называемого бума систем искусственного интеллекта. Потребительский рынок сам по себе дополнительной потребности в твердотельных накопителях испытывать не должен, но концентрация производителей на удовлетворении спроса в серверном сегменте неизбежно приведёт к повышению цен на всём рынке. В этом году до 30 % всех проданных SSD могут оказаться в серверных системах. Больше всего вырастет спрос на QLC NAND, поскольку этот тип памяти позволяет создавать наиболее доступные твердотельные накопители большой ёмкости, востребованные в инфраструктуре ИИ. Во второй половине следующего года на рынке может образоваться дефицит флеш-памяти NAND. Разработчик контроллеров для SSD — тайваньская компания Phison Electronics, по данным DigiTimes, пока также перестала информировать клиентов о ценах на свою продукцию, ожидая соответствующих сигналов от поставщиков твердотельной памяти. В четвёртом квартале начнут формироваться новые долгосрочные контракты на поставку микросхем NAND и DRAM, поэтому цены скоро вырастут достаточно серьёзно, если производители будут уверены, что столкнутся с дефицитом в следующем году. Оперативная память DRAM также может подорожать по сопоставимым причинам. По крайней мере, всё та же Micron Technology перестала предоставлять клиентам информацию и о текущих ценах на DDR4, DDR5, LPDDR4 и LPDDR5. Не исключено, что в ближайшие месяцы цены вырастут на 10 %, а по некоторым позициям типа памяти для автомобильной электроники будет наблюдаться рост на все 70 %. Собственно говоря, дефицит DDR4 из-за снятия этой памяти с производства крупными поставщиками уже подогревает цены, и дорожать начала даже DDR5. SK hynix начала массовое производство флеш-памяти ZUFS 4.1 для смартфонов с ИИ
11.09.2025 [21:27],
Анжелла Марина
Компания SK hynix объявила о начале поставок мобильной NAND-памяти ZUFS 4.1, которая значительно повышает производительность по сравнению со стандартными накопителями UFS, сокращая время запуска приложений на 45 %. Технология оптимизирована для устройств с искусственным интеллектом (ИИ) и обработки больших объёмов данных. 
Источник изображения: SK hynix ZUFS 4.1, или Zoned UFS, представляет собой расширенную спецификацию стандарта UFS, в которой применяется технология зонированного хранения, когда данные распределяются по разным зонам в зависимости от их типа и частоты использования. По сообщению компании, в июне завершён процесс сертификации продукта в тесном сотрудничестве с клиентами, а уже в июле запущено массовое производство и поставки клиентам. При интеграции в смартфон технология ZUFS 4.1 перекладывает часть работы по управлению данными на ОС, которая стремится перезаписывать данные в пределах выделенных для них зон последовательно, минимизируя необходимость в «сборке мусора» и снижая «коэффициент усиления записи». Благодаря этому смартфон сохраняет высокую скорость даже после длительного использования. По словам SK hynix, это позволяет сократить время запуска обычных приложений на 45 %, а приложений на основе ИИ — на 47 %. Эти характеристики делают ZUFS 4.1 оптимальным решением для современной мобильной среды, где критически важна обработка данных на устройстве и работа встроенных ИИ-моделей. Кроме того, по сравнению с версией 4.0, представленной в мае 2024 года, в ZUFS 4.1 значительно улучшены механизмы обработки ошибок: система теперь точнее выявляет их и чётко сообщает центральному процессору, какие действия требуются для исправления. По словам Джастин Кима (Justin Kim), президента и руководителя направления ИИ-инфраструктуры SK hynix, ZUFS 4.1 является первым продуктом, разработанным и запущенным в массовое производство для оптимизации операционной системы Android и устройств хранения данных. В перспективе область его применения будет расширяться. При этом компания намерена и впредь своевременно поставлять NAND-продукты, отвечающие запросам клиентов, одновременно укрепляя партнёрство с глобальными компаниями для усиления своих позиций в секторе памяти для искусственного интеллекта. Kioxia вместе с Nvidia разрабатывают PCIe 7.0 SSD в 100 раз быстрее нынешних — его представят в 2027 году
11.09.2025 [17:43],
Сергей Сурабекянц
Японская Kioxia в партнёрстве с Nvidia планирует к 2027 году вывести на рынок твердотельные накопители с почти 100-кратным увеличением производительности по сравнению с текущими моделями. Эти SSD будут в первую очередь предназначены для серверов с ИИ и призваны частично компенсировать недостаток HBM на борту графических процессоров. По прогнозам Kioxia, к 2029 году почти половина спроса на флеш-память будет связана с ИИ. 
Источник изображения: Kioxia Главный инженер Kioxia по применению SSD Коити Фукуда (Koichi Fukuda) сообщил, что в настоящее время компания занята разработкой SSD, отвечающего требованиям и запросам Nvidia. Главным их отличием станет возможность прямого обмена данными между графическим процессором и твердотельным накопителем, минуя центральный процессор. Поставки тестовых образцов должны начаться во второй половине 2026 года. Предполагается, что новые SSD повысят производительность случайного чтения почти в 100 раз — примерно до 100 миллионов операций ввода-вывода в секунду (IOPS), что значительно ускорит обработку данных на графических процессорах. Тем не менее, в идеале Nvidia хотела бы получить накопители с производительностью 200 млн IOPS. Инженеры Kioxia планируют достичь такой скорости с помощью массива из двух SSD-накопителей. Ожидается, что накопители будут поддерживать PCIe 7.0 — стандарт интерфейса SSD следующего поколения. Другие перспективные продукты на базе памяти NAND, включая Nearline SSD, также могут получить признание по мере сокращения поставок жёстких дисков в конце 2026 – начале 2027 года, в то время как флеш-память с высокой пропускной способностью (HBF) может помочь устранить узкие места в памяти кластеров ИИ. Аналитики отмечают тенденцию к увеличению инвестиций в память NAND после почти двухлетнего перерыва. Этому способствует растущий спрос на технологии вывода данных для ИИ и потребность в высокоскоростных хранилищах большой ёмкости с произвольным доступом ввода-вывода. Эксперты полагают, что к 2029 году на долю памяти NAND, предназначенной для ИИ, будет приходиться 34 % (около $29 млрд) мирового рынка флеш-памяти. Растущий спрос на NAND может в 2026 году привести к её дефициту в размере 2 %. Если сбудутся прогнозы о перехвате твердотельными накопителями 5-процентной доли рынка у жёстких дисков, общий дефицит NAND может возрасти до 8 %. SK hynix серьёзно приблизилась к Samsung по величине выручки на рынке NAND во втором квартале
31.08.2025 [09:07],
Алексей Разин
Годами позиции Samsung Electronics на рынке твердотельной памяти казались незыблемыми. Компания долгое время удерживала статус крупнейшего поставщика полупроводниковой продукции в мире, уступая его Intel только в периоды снижения цен на память. Теперь отставание от Samsung в сегменте NAND в денежном выражении резко сокращает SK Group, которая свою долю рынка всего за квартал нарастила с 16,6 до 21,1 %. 
Источник изображения: Samsung Electronics Об этом сообщает TrendForce, не забывая отметить, что Samsung по-прежнему контролирует 32,9 % рынка NAND в денежном выражении, и по сравнению с первым кварталом (31,9 %) её позиции не особо ослабли. В SK Group с этой точки зрения входит отчётность самой SK hynix и компании Solidigm, которая унаследовала от Intel предприятия по производству флеш-памяти. Если Samsung по итогам второго квартала последовательно увеличила выручку от реализации NAND на 23,8 % до $5,2 млрд, то SK Group прибавила сразу 52,5 % до $3,3 млрд. Соответственно, это позволило SK Group увеличить свою долю рынка в денежном выражении с 16,6 до 21,1 % всего за три месяца. Во многом это произошло благодаря активным продажам SSD в серверном сегменте. Примечательно, что для всего рынка NAND второй квартал характеризовался снижением средней цены реализации, которое сопровождалось сокращением объёмов выпуска памяти ради приведения баланса спроса и предложения в более равновесное состояние. На рынке США и Китая спрос также стимулировался государственной политикой. Пять крупнейших мировых поставщиков NAND по итогам второго квартала смогли зарегистрировать последовательный рост выручки на 22 % до $14,67 млрд. 
Источник изображения: TrendForce В третьем квартале спрос на NAND должен стабилизироваться, поскольку эффект «тарифов Трампа» в США себя исчерпает, а субсидии в Китае начнут снижаться. Средние цены реализации могут вырасти, а спрос останется относительно низким, поэтому темпы дальнейшего роста выручки в отрасли останутся сдержанными. На третьем месте располагается Kioxia с ростом выручки на 11,4 % и долей рынка 13,5 %, которая за второй квартал успела сократиться. Micron на четвёртом месте отстаёт по выручке совсем немного, но её рост ограничился 3,7 %, а доля рынка очень близка к позиции Kioxia со значением 13,3 %. Этого американского производителя подвело снижение средних цен реализации NAND. Зато в натуральном выражении объёмы поставок выросли сильнее, чем ожидалось. Компания смогла достичь максимальных значений своей доли на рынке клиентских и серверных SSD. На пятом месте располагается SanDisk с ростом выручки на 12,2 % до $1,9 млрд и долей в 12 %. Степень загрузки конвейера на совместном предприятии с Kioxia пока далека от оптимальной, а слабое присутствие в сегменте серверных SSD вынуждает этого производителя отставать от конкурентов на фоне бума систем ИИ. Сообща пятёрка крупнейших производителей NAND контролирует 91,3 % выручки на этом рынке. Первую в мире 321-слойную флеш-память 3D QLC NAND начала массово выпускать SK hynix
25.08.2025 [09:55],
Алексей Разин
В сфере производства памяти типа 3D NAND индикатором прогресса остаётся увеличение количества слоёв, и южнокорейская компания SK hynix недавно заявила о завершении разработки и начале серийного выпуска 321-слойных чипов QLC в 2-терабитном исполнении. Это первый в мире случай использования более чем 300 слоёв при выпуске микросхем памяти типа QLC. На рынок новые чипы выйдут в следующем полугодии. 
Источник изображения: SK hynix Как отмечает SK hynix, ёмкость новых чипов в два раза превышает имеющиеся аналоги. Увеличив количество рабочих плоскостей в составе ячеек с 4 до 6, компания надеется не только обеспечить рост быстродействия на операциях чтения, но и обеспечить длительное сохранение заявленных на старте показателей скорости в процессе эксплуатации. Скорости передачи информации по сравнению с изделиями предыдущего поколения удвоились, скорость записи выросла на величину до 56 %, скорость чтения на величину до 18 %. Энергоэффективность на операциях записи увеличилась более чем на 23 %, что позволяет рекомендовать новую 321-слойную память для использования в системах с искусственным интеллектом, где энергопотребление является серьёзным сдерживающим развитие инфраструктуры фактором. При этом SK hynix в первую очередь начнёт поставлять 321-слойные чипы QLC для производства накопителей для ПК, и только потом они пропишутся в серверном сегменте и смартфонах. В одной упаковке могут объединяться 32 кристалла NAND, поэтому данная память с лучшей стороны проявит себя на рынке серверных накопителей. На рынке соответствующая память появится в первой половине следующего года. Ажиотаж вокруг DDR4 и DDR5 стал утихать — спотовые цены на оперативную память немного спали
20.08.2025 [12:54],
Алексей Разин
Третий квартал, согласно прогнозам экспертов TrendForce, должен характеризоваться ростом контрактных цен на оперативную память (DRAM). Тем не менее, на рынке моментальных сделок сейчас наблюдается некоторое снижение цен на чипы DDR4 и DDR5 определённого ассортимента. Рынок NAND при этом не демонстрирует заметных изменений. 
Источник изображения: Samsung Electronics Специалисты TrendForce проанализировали ситуацию на рынке микросхем памяти в период с 13 по 19 августа, и пришли к выводу, что в сфере моментальных сделок по DRAM объёмы продаж пошли на спад, тогда как ещё недавно спрос подогревали опасения по поводу скорого прекращения выпуска DDR4 крупнейшими производителями. Сейчас ажиотаж в той или иной мере улёгся, и цены на отдельные позиции DDR4 и DDR5 по сравнению с первой половиной месяца снизились более чем на 1 %. Примечательно, что спотовые цены на DDR3 за это время выросли на 3,43 %, поэтому ситуация не была однородной. В случае с DDR4 и DDR5 некоторое охлаждение спроса пока не привело к существенному снижению цен. По мнению представителей TrendForce, в ближайшие недели цены на DDR4 останутся достаточно стабильными, тогда как цены на DDR5 будут медленно снижаться на рынке моментальных сделок. На рынке NAND наблюдается некоторая стабилизация цен при сохранении достаточно слабого спроса и существенной неопределённости по поводу дальнейшей динамики сегмента. Участники рынка в большинстве своём заняли выжидательную позицию. На рынке моментальных сделок стоимость 512-гигабитных пластин с памятью типа TLC в начале этой недели последовательно снизилась на 0,36 % до $2,8 за чип. Во втором квартале после обретения независимости SanDisk показала рост выручки и прибыли
15.08.2025 [11:13],
Алексей Разин
Отделение от Western Digital, как можно помнить, принесло SanDisk вместе с независимостью и убыток в размере $103 млн, который был вызван переоценкой так называемой деловой репутации (goodwill). Во втором квартале на финансовые результаты деятельности SanDisk этот фактор уже не влиял, и она выступила более удачно с точки зрения динамики выручки и прибыли.  В частности, совокупная выручка компании во втором квартале выросла на 8 % в годовом сравнении до $1,9 млрд, а последовательно она увеличилась на 12 %. Операционные расходы хоть и выросли на несколько процентов до $402 млн, сильно навредить норме прибыли не смогли, и так последовательно выросла на 3,7 процентных пункта до 26,4 %. Впрочем, за год до этого данный показатель достигал более приличных 36,4 %, так что простор для улучшения есть. Операционная прибыль компании в прошлом квартале, который стал заключительным в 2025 фискальном году, сократилась год к году на 61 % до $100 млн, но выросла в пятьдесят раз последовательно.  Структура выручки SanDisk такова, что компания более чем на половину зависит от клиентского сегмента, где она в минувшем квартале выручила $1,1 млрд, однако на этом направлении выручка выросла последовательно сразу на 19 %. Этому во многом способствовала подготовка рынка ПК к завершению поддержки Windows 10 и сопутствующий рост спроса. Впрочем, рынок смартфонов и рост популярности ПК с поддержкой локального ускорения ИИ тоже сделали свой вклад в положительную динамику выручки. В сегменте потребительской электроники выручка последовательно увеличилась на 2 % до $585 млн. Наконец, в облачном сегменте выручка компании последовательно выросла на 8 % до $213 млн, но доля этого направления в натуральном выражении достигла 12 %, поэтому значение серверного сегмента для бизнеса компании продолжит расти в ближайшее время. Тем более, что серверные системы с ускорителями Nvidia GB300 в своём составе, например, оснащаются твердотельными накопителями SanDisk. В целом по компании средняя цена реализации продукции увеличилась по итогам прошлого квартала примерно на 5 %, таким же оказался и прирост объёмов поставок в ёмкостном выражении. SanDisk представила первый в мире SSD ёмкостью 256 Тбайт
05.08.2025 [18:37],
Павел Котов
SanDisk представила первый в мире твердотельный накопитель ёмкостью 256 Тбайт и его младшую версию на 128 Тбайт. Новый SSD построен на корпоративной платформе UltraQLC, ориентированной на сценарии, в которых особенно важны высокая ёмкость, производительность и надёжность. 
Источник изображения: SanDisk Накопитель выполнен в форм-факторе U.2, располагает многоядерным контроллером и построен на чипах памяти BiCS8 3D QLC NAND ёмкостью 2 Тбит. Одной из ключевых особенностей накопителей UltraQLC является технология Direct Write QLC, благодаря которой данные записываются непосредственно в память QLC, минуя буфер псевдо-SLC (pSLC). Это обеспечивает надёжную запись на случай отключения питания и снижает задержку. Заявлена также функция динамического регулирования частоты (Dynamic Frequency Scaling — DFS), которая повышает производительность на 10 % при любом заданном уровне мощности. Однако более подробную информацию о ней SanDisk пока не раскрыла — возможно, подразумевается оптимизация частоты контроллера и скорости интерфейса в зависимости от нагрузки. Наконец, присутствует профиль Data Retention, который помогает сократить число циклов обновления данных на 33 %. Это способствует росту надёжности, отказоустойчивости и энергоэффективности накопителя. SSD адресован облачным провайдерам — гиперскейлерам. Отсутствие pSLC-кеширования является как сильной, так и слабой стороной SSD-накопителя — всё зависит от сценариев его использования. Буфер pSLC, представляющий собой область QLC-памяти, работающей в режиме SLC, обеспечивает SSD скорость отклика в районе от 200 до 300 мкс. Однако при заполнении буфера этот показатель резко возрастает до диапазона от 800 до 1200 мкс. Другими словами, с наличием буфера такой накопитель способен предложить высокую производительность при коротких всплесках, но это преимущество исчезает при записи больших объёмов данных. В отсутствие буфера и прямой записи в память QLC накопитель ведёт себя стабильнее. В SanDisk могут повысить скорость записи другими методами, такими как наличие большого DRAM-буфера, умная адресация, многослойная и многокристальная параллельная запись и избыточное резервирование. Новые твердотельные накопители SanDisk объёмами 128 и 256 Тбайт поступят в продажу в первой половине 2026 года. Напомним, что в прошлом месяце компания Kioxia представила первый в мире SSD ёмкостью 245 Тбайт. «Продажи HBM от Samsung достигли дна»: SK hynix стала крупнейшим производителем памяти в мире
31.07.2025 [14:29],
Анжелла Марина
SK hynix впервые обошла Samsung Electronics по объёму выручки от производства памяти, став крупнейшим в мире поставщиком, сообщает Bloomberg. Это произошло на фоне роста спроса на компоненты для систем искусственного интеллекта, где позиции SK hynix оказались более сильными. 
Источник изображения: SK hynix Выручка Samsung от продаж компьютерной памяти, включая DRAM и NAND, за период с апреля по июнь составила 21,2 триллиона вон (около $15,2 млрд), что ниже, чем 21,8 триллиона вон, зафиксированных у SK hynix неделей ранее. Основной вклад в успех компании, базирующейся в Ичхоне (Южная Корея) внесла высокопроизводительная память HBM (High-Bandwidth Memory), используемая в ИИ-чипах. По данным аналитической компании Counterpoint Research, доля SK hynix на рынке HBM достигла 62 %, в то время как Samsung контролирует лишь 17 % этого сегмента и до сих пор не получила одобрения от Nvidia на поставку своей самой передовой версии HBM. 
Источник изображения: Bloomberg МС Хван (MS Hwang), директор по исследованиям в Counterpoint, отметил, что траектории роста двух южнокорейских производителей начали расходиться в первой половине 2024 года на фоне повышенного спроса на продукцию Nvidia и связанную с ней память HBM. Он также указал, что падение продаж HBM у Samsung, вероятно, замедлилось. «Новость заключается в том, что продажи HBM-памяти Samsung, похоже, достигли своего дна», — сказал Хван. Для справки: HBM — это технология вертикального объединения нескольких слоёв DRAM, обеспечивающая высокую пропускную способность. Сегодня HBM рассматривается как критически важная составляющая для производительности современных компьютеров и серверов. Цены на DDR4 стабилизировались, а флеш-память NAND приготовилась дорожать
30.07.2025 [11:55],
Алексей Разин
Специализирующиеся на анализе тенденций рынка памяти эксперты TrendForce отметили, что после периода роста цены на DDR4 на рынке моментальных сделок немного стабилизировались, к началу текущей недели они по ряду позиций либо выросли на десятые доли процента, либо сопоставимо снизились. В случае с DDR5 наблюдался рост, а покупатели NAND начали готовиться к росту цен заблаговременно. 
Источник изображения: Micron Technology Как отмечает источник, 16-битные микросхемы памяти демонстрирую более выраженную поддержку по цене по сравнению с 8-битными, если говорить о номенклатуре изделий для рынка ПК. Впрочем, DDR4 сейчас всё ещё пользуется более высоким спросом по сравнению с DDR5, поскольку покупателям не даёт покоя мысль о прекращении производства данных микросхем крупнейшими игроками рынка. Цены на DDR5 на рынке моментальных сделок немного снижаются. В частности, полученные из выведенных из эксплуатации модулей чипы DDR5 на этой неделе подешевели с $1,6 до $1,53. Это указывает на то, что контрактные цены в будущем могут снизиться. Усреднённая цена ходовых чипов DRAM на рынке моментальных сделок снизилась на пару процентов до $5,118 за штуку. Если говорить о ценах на NAND, то стоимость микросхемы типа TLC в 512-гигабитном исполнении выросла на этой неделе на 0,63 % до $2,717. Некоторые покупатели начали поднимать котировки на приобретение NAND по собственной инициативе, поскольку заранее узнали о намерениях поставщиков поднять цены в третьем квартале. Цены на чипы SLC выросли на величину около процента, чипы MLC на рынке моментальных сделок выросли на 0,32 или 0,86 %, в зависимости от ёмкости. Micron выпустила первую в мире флеш-память SLC NAND для космических ЦОД — она не боится радиации, вакуума и мороза
23.07.2025 [17:47],
Геннадий Детинич
Компания Micron сообщила о выпуске первых в индустрии 256-гигабитных чипов SLC NAND для работы в условиях космоса. Эти микросхемы устойчивы к радиации, низким температурам и вакууму. Подобную память никто в мире больше не производит. По крайней мере, в промышленных масштабах. Новые чипы имеют высочайшую в своём классе плотность и позже будут дополнены «космическими» чипами памяти NAND, NOR и DRAM. 
Источник изображений: Micron Как справедливо отмечают в Micron, космическая экономика стремительно растет, чему способствует быстрый рост числа коммерческих и государственных миссий. Параллельно по мере развития вычислительной техники и искусственного интеллекта растет спрос на высокопроизводительные технологии обработки данных, способные работать непосредственно на орбите. Это поможет преобразовать космические операции: датчики космического корабля смогут анализировать данные, обнаруживать аномалии и принимать решения автономно, снижая зависимость от наземных систем и экономя на трафике для связи с Землёй. «Поскольку мы расширяем границы вычислительной техники в космосе, для хранения и обработки данных необходима радиационно-устойчивая память Micron, — сказал Крис Бакстер (Kris Baxter), вице-президент и корпоративный генеральный менеджер подразделения Micron по встраиваемым устройствам и автомобилестроению. — По мере расширения операций с искусственным интеллектом в космосе — от автономной навигации до анализа в режиме реального времени — Micron уделяет всё большее внимание предоставлению решений, обеспечивающих устойчивость и интеллект, необходимые для аэрокосмических миссий следующего поколения». Для подтверждения соответствия новой памяти требованиям аэрокосмической отрасли, представленные Micron чипы были испытаны по протоколам NASA PEM-INST-001 Level 2 flow и военному стандарту США MIL-STD-883 TM1019 condition D. В первом случае была проведена годичная проверка компонентов, включая циклирование при экстремальных температурах, 590 часов проверок дефектов и динамическую проверку надёжности для обеспечения возможности космических полетов. Военный стандарт проверял память Micron на устойчивость к дозам ионизирующего излучения. Стандарт измеряет совокупное количество гамма-излучения, которое изделие может поглощать и оставаться функциональным в стандартных условиях эксплуатации на орбите. Это измерение является критически важным для определения жизненного цикла памяти.  Наконец, «космическая» NAND-память Micron прошла испытание на воздействие единичного события (SEE), что соответствует стандартам ASTM F1192 Американского общества по испытаниям и материалам и спецификациям JESD57 Совета по разработке электронных устройств (JEDEC). Тестирование SEE оценивает воздействие высокоэнергетических частиц на полупроводники и подтверждает, что компоненты могут безопасно и надёжно работать в суровых радиационных условиях, снижая риск сбоя миссии. Расширение линейки чипов памяти SLC NAND и поставка иных видов памяти, включая оперативную, произойдёт в следующем году и в дальнейшем портфель этой продукции продолжит расширяться, чтобы удовлетворить любой спрос. YMTC запустит первую линию по выпуску флеш-памяти исключительно на китайском оборудовании
22.07.2025 [08:00],
Алексей Разин
С конца 2022 года китайская компания YMTC находится под санкциями США, что затрудняет её доступ к зарубежному оборудованию для производства памяти типа NAND, национальным лидером в котором она является. По данным DigiTimes, это не мешает китайскому производителю строить планы по захвату 15 % мирового рынка к концу следующего года. 
Источник изображения: YMTC Как поясняет Tom’s Hardware со ссылкой на публикацию DigiTimes, по состоянию на конец 2024 года YMTC должна была контролировать около 8 % мировых объёмов производства NAND, обрабатывая по 130 000 кремниевых пластин ежемесячно. Даже в условиях ограниченного доступа к оборудованию зарубежного производства, YMTC по-прежнему рассчитывает увеличить ежемесячный объём обрабатываемых пластин до 150 000 штук. Уже сейчас YMTC способна выпускать память 3D NAND типа TLC с 232-слойной компоновкой, при этом технически соответствующие микросхемы имеют 294 слоя. Подобные возможности достигаются объединением двух чипов, содержащих 150 и 144 слоя соответственно. В дальнейшем YMTC может перешагнуть через барьер в 300 слоёв, но для этого придётся перейти на сращивание трёх кристаллов памяти. YMTC продолжает наращивать свои производственные мощности более агрессивно, чем большинство игроков рынка 3D NAND. Американские санкции с конца 2022 года запрещают поставлять в Китай оборудование, пригодное для изготовления чипов 3D NAND с количеством слоёв более 128 штук, поэтому YMTC приходится объединять несколько кристаллов для достижения нужных показателей. Что характерно, компания прилагает усилия к переходу на оборудование китайского производства, и во второй половине текущего года запустит первую опытную линию, которая не использует импортное оборудование для выпуска 3D NAND. По оценкам Morgan Stanley, сейчас YMTC до 45 % своих потребностей в оборудовании покрывает за счёт продукции китайских поставщиков, и это самый высокий показатель в стране. Прочие китайские производители чипов полагаются на отечественное оборудование в пределах от 15 до 27 % своей потребности. Эта компания пока не в силах покрыть все потребности китайского рынка в данном типе памяти, но по итогам текущего года она рассчитывает занять до 30 % местного рынка. Чтобы к концу 2026 года захватить 15 % мирового рынка, YMTC нужно будет удвоить объёмы выпуска памяти от текущего уровня. Считается, что после выхода на обработку более 200 000 кремниевых пластин в месяц эта компания сможет оказывать влияние на мировые цены в этом сегменте рынка памяти. При этом отказаться от импортного оборудования в сжатые сроки YMTC всё равно не сможет. Флеш-память подорожает на 8–13 % в текущем квартале и потянет за собой цены на SSD
09.07.2025 [16:20],
Алексей Селиванов
По прогнозам аналитиков TrendForce, контрактные цены на флеш-память NAND во второй половине 2025 года вырастут на 5–10 %. При этом из-за слабого спроса на смартфоны подорожание микросхем памяти eMMC и UFS будет менее выраженным. 
Источник изображения: Unsplash Исследования TrendForce показывают, что рынок NAND-памяти значительно выровнялся после сокращения производства и распродажи избыточных складских запасов в первой половине 2025 года. Поставщики перенаправили мощности на более маржинальные продукты. С точки зрения спроса на память NAND ключевую роль в первом полугодии сыграли наращивание корпоративных инвестиций в ИИ и массовые отгрузки новых чипов Nvidia Blackwell — твердотельные накопители используется в каждом сервере, так что рост их поставок обеспечивает спрос на память NAND. И вряд ли ситуация изменится в ближайшей перспективе, так что корпоративные SSD продолжат пользоваться спросом и подорожают на 5–10 % в третьем квартале.  Что касается клиентских SSD, то в третьем квартале 2025 года это направление переживет сильный рост спроса, поскольку производители захотят восполнить запасы после того, как в первой половине года распродали компьютеры лучше, чем ожидалось. Рост спроса на ПК обусловлен несколькими факторами, в том числе окончанием поддержки Windows 10, ростом спроса на системы с новыми процессорами, и растущим интересом к моноблочным ПК в Китае. Прогнозируется, что контрактные цены на клиентские SSD вырастут на 3–8 %. Что касается рынка памяти для мобильных устройств, включая смартфоны, носимые устройства и планшеты, то здесь из-за вялого спроса на сами гаджеты ожидается также невысокий спрос на память eMMC и UFS, так что несмотря на сокращение производства её подорожание в третьем квартале удержится в пределах 0–5 %. В TrendForce отметили, что поставщики сокращают объёмы выпуска NAND-чипов, отдавая предпочтение более маржинальным решениям. В итоге цены на цельные кремниевые пластины с отпечатанными на них чипами памяти в третьем квартале могут подняться на 8–13 %. |
© 1997—2025 Электронное периодическое издание "3ДНьюс" | Свидетельство о регистрации СМИ Эл ФС 77-22224
выдано Федеральной Службой по надзору за соблюдением законодательства в сфере массовых коммуникаций и охране культурного наследия
При цитировании документа ссылка на сайт с указанием автора обязательна. Полное заимствование документа является
нарушением
российского и международного законодательства и возможно только с согласия редакции 3DNews.
MWC 2018
2018
Computex
IFA 2018
