Теги → nand
Быстрый переход

Цены на оперативную и флеш-память перестанут расти через месяц

Цены на контрактном рынке памяти в мае по сравнению с предыдущим месяцем практически не изменились, сообщает издание Business Korea со ссылкой на аналитиков из DRAMeXchange. В то же время специалисты прогнозируют 11-процентный рост цен на память DRAM по итогу второго квартала.

По мнению аналитиков, в третьем квартале рост цен на память по отношению к первой четверти года замедлится, поскольку рынок перенасытится предложениями, а спрос на чипы в секторе дата-центров начнёт снижаться.

Контрактная стоимость модулей памяти 8 Гбайт в мае составила $28,5 (+1 % в месячном выражении), цена на серверные модули DRAM DDR4 объёмом 32 Гбайт осталась на прежнем уровне и составила $143,2. К слову, стоимость 64-гигабитных чипов NAND MLC тоже не изменилась и составила $3,2. Поскольку контракты на память носят квартальный характер, колебания цен в мае были не очень заметны. Аналитики отмечают, что в настоящий момент наблюдается увеличение объёмов поставок памяти DRAM.

По оценкам экспертов, у OEM-производителей осталось запасов DRAM-памяти для ПК на 8–10 недель. В апреле этот показатель к отчётному периоду составлял 6–8 недель. В третьем квартале из-за перенасыщения рынка рост цен на память замедлится и останется на прежнем уровне.

Samsung Electronics планирует увеличить объёмы производства памяти DRAM на 1-й и 2-й линиях завода в городе Пхёнтэк (Pyeongtaek) до 30 тысяч пластин в месяц. В то же время компания сократила производство памяти 10-нм класса первого поколения (1Xnm) менее чем до 40 % от общего объёма, увеличив при этом производство памяти второго (1Ynm) и третьего (1Znm) поколений. Ожидается, что доля производства памяти 1Znm от общего объёма к концу 2020 года составит 10 %.

SK Hynix увеличила объёмы производства на своём китайском заводе C2F в Уси до 30 тысяч пластин в месяц. Объёмы производства 10-нм памяти второго поколения (1Ynm) прогнозируются на уровне 30 % от общего к концу года. В третьем квартале прогнозируется нормализация процесса производства 10-нм памяти третьего поколения памяти (1Znm) у Micron.

Аналитики не прогнозируют серьёзного роста объёмов производства флеш-памяти NAND. По итогу третьего квартала ожидается сохранение контрактной стоимости этих чипов. Объёмы поставок, вероятнее всего, также не увеличатся. Аналитики считают, что запасов этого вида памяти осталось всего на две недели, а складские запасы 2D NAND-памяти компаний Samsung и SK Hynix в последнее время в основном только сокращались. Для сохранения прибыльности увеличивать объёмы производства новой памяти NAND в 2020 году SK Hynix не планирует. Что касается Western Digital и Kioxia, то для обеспечения спроса на рынке SSD компании сосредоточились на производстве 96-слойной памяти (она дешевле в производстве), оставив объёмы выпуска 112-слойной памяти на их совместном заводе K1 без изменений.

Вместо увеличения объёмов выпуска в первом квартале года Micron сосредоточилась на переходе на новый техпроцесс производства. Intel также не планирует увеличивать объёмы производства памяти NAND в 2020 году. Вместо этого она собирается перейти на 96-слойный техпроцесс и увеличить на рынке долю своей QLC-продукции. Также во втором квартале Intel собирается наладить производство тестовых образцов 144-слойной памяти.

Из-за перехода на удалённый режим работы из-за пандемии коронавируса и как следствие возросший спрос на облачные сервисы в первом квартале 2020 увеличились вложения в развитие дата-центров, отмечают аналитики. Так, цены на серверную DRAM-память во втором квартале года выросли на 20 % в месячном выражении. В то же время прогнозируется, что по результату второго квартала будет наблюдаться снижение объемов инвестиций в данный сегмент рынка. В сторону снижения уже высказались, например, главы Google и Intel.

Спрос на память в мобильном сегменте (в том числе и на рынке смартфонов) в первом квартале показывал очень медленный рост. Аналитики считают, что по итогам второго картина станет намного лучше. Частично решив проблемы с COVID-19, китайское правительство с помощью местных компаний активными темпами проводит развёртывание инфраструктуры беспроводных сетей 5G. К настоящему моменту компания Huawei в Китае уже установила 200 тысяч базовых станций 5G. К концу второго квартала планируется установка ещё 600 тысяч станций.

Эксперты также оптимистично оценивают продажи будущей серии смартфонов iPhone 12, которую, как ожидается, Apple должна начать продавать в сентябре. По их мнению, объёмы продаж будут выше, чем у серии iPhone 11. Прогноз DRAMeXchange говорит в пользу 68 млн проданных устройств, что будет соответствовать 11-процентному росту в годовом выражении по сравнению с прошлогодними моделями iPhone 11. Оценка продаж основана на предполагаемой стоимости и изменениях в дизайне по сравнению с прошлыми моделями. Также положительными факторами выступают приписываемые устройствам экраны с частотой обновления 120 Гц и датчик LiDAR. По данным экспертов, производитель компонентов для смартфонов iPhone компания TSMC недавно получила дополнительный заказ от Apple.

Таким образом, считают аналитики, рост спроса в мобильном сегменте сможет компенсировать замедление спроса в секторе дата-центов во втором квартале этого года.

Рост спроса на память типа V-NAND подтолкнул Samsung к строительству нового предприятия

На первом этапе пандемии нового коронавируса производители памяти оптимистично заявляли о росте спроса на компоненты для ноутбуков и серверов при падении спроса на память для смартфонов. Компания Samsung Electronics в это сложное время решилась на расширение производственных линий по выпуску твердотельной памяти типа V-NAND.

Источник изображения: Samsung Electronics

Источник изображения: Samsung Electronics

На территории технологического парка в южнокорейском городе Пхёнтхэк уже расположены самые крупные в мире линии по производству твердотельной памяти. В мае компания начала строительство новых корпусов, которые будут введены в строй во второй половине 2021 года, чтобы начать снабжать клиентов передовой памятью типа V-NAND. Корейский гигант уже полтора года сохраняет статус мирового лидера по производству твердотельной памяти типа NAND.

Новая производственная линия поможет удовлетворить спрос на твердотельную память для персональных компьютеров и серверных систем, а также смартфонов с поддержкой сетей 5G и сопутствующих устройств. Samsung не указывает объём необходимых инвестиций, но сторонние эксперты утверждают, что он превысит $5,7 млрд. Ранее компания объявила о расширении производства памяти в китайском Сиане, новая линия будет введена в строй в первой половине следующего года. По данным южнокорейских властей, в мае выручка от экспорта полупроводниковых изделий из страны выросла на 7,1 % в годовом сравнении. Повышение спроса на микросхемы памяти сопровождалось ростом цен.

Macronix начнёт серийное производство высокоплотной 48-слойной 3D NAND в третьем квартале

Через месяц–другой клуб производителей флеш-памяти 3D NAND пополнится ещё одной компанией ― тайваньским производителем Macronix International. В интервью сайту DigiTimes глава Macronix заявил, что в третьем квартале клиентам компании начнутся поставки опытных партий 48-слойной 3D NAND. Тогда же стартует массовое производство этой продукции. О самом интересном источник умалчивает. Технология Macronix значительно отличается от всех существующих.

Этот тайваньский разработчик и производитель флеш-продукции собирается выпускать 3D NAND по своей собственной технологии, которая минимум на треть плотнее с точки зрения размещения ячеек памяти, чем актуальные технологии производства 3D NAND всех остальных компаний. Остаётся интригой, насколько меньше будет площадь кристалла у 3D NAND памяти Macronix или насколько больше будет объём памяти её кристаллов.

Технология 3D NAND Macronix с высокоплотной структурой SGVC или single-gate vertical channel (вертикальный канал с одним затвором) предполагает разделение каждой круговой ячейки в вертикальном стеке на две независимые ячейки памяти. На основе лицензии на эту технологию компания Kioxia (ранее она называлась Toshiba Memory) в прошлом году начала разрабатывать память Twin BiCS Flash. Если Macronix сдержит своё обещание вскоре начать поставки образцов 48-слойной 3D NAND, подробно об этой памяти мы услышим на августовском саммите разработчиков флеш-памяти.

Сравнение «классической» 3D NAND с круговыми затворами GAA и памяти Macronix с «раздвоенными» вертикальными каналами SGVC

Сравнение «классической» 3D NAND с круговыми затворами GAA и памяти Macronix с «раздвоенными» вертикальными каналами SGVC

Ещё более плотную память 3D NAND с 96 слоями компания Macronix может начать выпускать в стадии тестового производства ближе к концу текущего года. Руководство компании огорчает лишь то, что пандемия коронавируса и американо-китайские трения могут подорвать рынок флеш-памяти. И оборудование, и сырьё, и программы, которые задействованы для производства флеш-памяти ― всё так или иначе принадлежит американским компаниям, поэтому избежать ограничений будет практически невозможно.

Тем не менее, в следующем году компания Macronix продолжит разрабатывать более совершенную 3D NAND, в частности 192-слойную и будет расширять выпуск многослойной флеш-памяти.

Micron: флагманские 5G-смартфоны будут сочетать 16 Гбайт ОЗУ с накопителем на 1 Тбайт

Для производителей памяти предстоящая экспансия сетей 5G и соответствующих смартфонов станет возможностью увеличить продажи собственной продукции. Возросшая пропускная способность сетей и повышающееся разрешение камер смартфонов поднимут требования к объёму набортной памяти. Micron ожидает, что прирост окажется двукратным.

Источник изображения: Micron Technology

Источник изображения: Micron Technology

Как отмечают аналитики Needham в своих комментариях, за три последних года выручка от реализации памяти для смартфонов в среднем по рынку увеличилась на 30 %, но Micron удалось добиться удвоения профильной выручки. По прогнозам Micron, в 2021 году будет продано 450 млн смартфонов с поддержкой 5G, а требования к объёму памяти этих устройств позволят увеличить объёмы реализации продукции данной компании.

Флагманские модели 5G-смартфонов будут оснащаться камерами, способными делать фотографии с разрешением 100 мегапикселей и снимать видео в разрешении 8K. По игровому быстродействию они приблизятся к настольным компьютерам. Таким устройствам потребуется до 16 Гбайт оперативной памяти и до 1 Тбайт твердотельной. Модели смартфонов среднего уровня будут сочетать не менее 6 Гбайт ОЗУ и 64 Гбайт памяти типа NAND.

Центры обработки данных тоже потребуют увеличения объёмов производства памяти, поэтому в ближайшие годы Micron рассчитывает на ежегодный прирост потребности в оперативной памяти на 15 %, в твердотельной — на 30 %. Стабильный рост спроса будет способствовать и большей предсказуемости цен на рынке памяти. Представители Needham считают, что курс акций Micron Technology в перспективе вырастет на 40 %, сейчас он приблизился к $46.

Вице-президент Samsung открыл новую китайскую фабрику по производству 3D NAND

Новое предприятие по производству твердотельной памяти в Китае компания Samsung Electronics запустила ещё в марте, когда в стране бушевал коронавирус. Вице-президент Samsung только сейчас смог принять участие в церемонии открытия предприятия, но этот шаг тоже стал символичным на фоне обострения конфликта США и КНР.

Источник изображения: Samsung Electronics

Источник изображения: Samsung Electronics

Ли Джэ Ён (Lee Jae-yong) провёл на предприятии в Сиане три дня, посетил производственные линии и встретился с представителями местных властей. По словам вице-президента Samsung Electronics, «будущего нет, если цепляться за прошлое или почивать на лаврах. Мы должны быть готовы к грядущим большим переменам, чтобы сформировать новые точки роста. Нельзя терять время».

Китай стал единственным регионом, в развитие производства на территории которого Samsung в последние несколько месяцев вкладывала средства. Выпущенные на предприятии в Сиане микросхемы памяти типа NAND компания будет продавать клиентам как в США, так и в Китае. Эти микросхемы найдут применение как в серверных системах Amazon, Google и Apple, так и в мобильных устройствах последней из марок.

Санкции США против Huawei способны оказать не самое однозначное влияние на бизнес Samsung. С одной стороны, они позволят корейской компании потеснить китайского конкурента в сегменте смартфонов. С другой стороны, Samsung может потерять ту часть выручки от реализации памяти, которая приходилась на закупки Huawei. Прямого запрета на реализацию памяти этому клиенту новые американские правила не формируют, но если из-за нехватки процессоров продажи смартфонов Huawei пойдут вниз, то Samsung тоже пострадает.

Представители Huawei ранее заявляли, что в случае введения санкций на покупку собственных процессоров у TSMC компания сможет обратиться за помощью к Samsung, которая тоже оказывает услуги по контрактному производству полупроводниковых изделий. Вступившие в силу ограничения со стороны США, однако, ставят под сомнение реализацию этого плана без серьёзных последствий для корейской стороны. Опять же, на рынке смартфонов Samsung и Huawei конкурируют, поэтому специфика их взаимоотношений не предусматривает простых решений для сложившейся проблемы.

Micron представила доступные потребительские SSD-накопители на памяти TLC и QLC

Компания Micron представила две новые серии твердотельных накопителей формата M.2 с интерфейсом PCIe 3.0 x4: Micron 2210 и Micron 2300. Новинки позиционируются в качестве доступных устройств хранения данных для потребительских ноутбуков и настольных ПК.

Представители более доступной серии Micron 2210 построены на микросхемах памяти 3D QLC NAND, которая предполагает хранение четырёх бит информации в одной ячейке. Данные новинки, по мнению производителя, представляют собой полноценную альтернативу привычным жёстким дискам за счёт сочетания невысокой цены и довольно большой ёмкости.

В серии Micron 2210 представлены модели объёмом 512 Гбайт, 1 и 2 Тбайт. Для всех заявлена скорость последовательного чтения до 2200 Мбайт/с. Скорость записи у наименее ёмкой модели составляет 1070 Мбайт/с, а у двух других — 1800 Мбайт/с. В операциях со случайным доступом к данным производительность может достигать 265 и 320 тыс. IOPS для чтения и записи соответственно.

В свою очередь накопители Micron 2300 построены на 96-слойных чипах памяти 3D TLC NAND, которая хранит три бита в одной ячейке. Эти накопители предназначены для более производительных систем, ориентированных на интенсивную работу с данными, в том числе САПР, обработку графики и видео.

В серии Micron 2300 предлагается четыре модели, ёмкостью 256 и 512 Гбайт, а также 1 и 2 Тбайт. Здесь скорость последовательного чтения достигает 3300 Мбайт/с. Скорость записи модели на 256 Гбайт составляет 1400 Мбайт/с, а у трёх более ёмких — 2700 Мбайт/с. Производительность в операциях со случайным доступом достигает 430 и 500 тыс. IOPS для чтения и записи соответственно.

Стоимость твердотельных накопителей Micron 2210 и 2300 пока что не уточняется, равно как и сроки их выхода на рынок.

К 2022 году Macronix освоит выпуск 192-слойной памяти 3D NAND

Ещё в декабре прошлого года тайваньская компания Macronix International заявила, что начнёт поставки первой памяти типа 3D NAND собственной разработки в конце 2020 года. Речь шла о 96-слойных микросхемах, которые в текущем году будут слабо влиять на выручку компании. Удвоить количество слоёв Macronix сможет в 2022 году.

Источник изображения: eeNews

Источник изображения: eeNews

Издание DigiTimes со ссылкой на председателя совета директоров Macronix Миня У (Miin Wu) сообщает, что доля выручки, генерируемой поставками памяти типа 3D NAND, заметно увеличится только ко второй половине 2021 года. В текущем году поставки 96-слойной памяти 3D NAND существенного влияния на финансовые показатели тайваньского производителя не окажут. В ближайшее время память этого типа будет применяться ограниченно, поэтому конкуренции с ведущими игроками рынка удастся избежать. Компания разрабатывает и 192-слойную память 3D NAND, которая начнёт выпускаться серийно не ранее 2022 года.

Macronix попутно начал выпускать по 19-нм технологии память типа SLC NAND со второй половины прошлого года. Она находит применение не только в телевизионных приставках и другой потребительской электронике, но и в автомобильном секторе. В апреле выручка Macronix International выросла до $114,6 млн, на 64,4 % год к году. За четыре первых месяца текущего года удалось заработать на 58,3 % больше, чем за аналогичный период прошлого года.

Intel переведёт все актуальные SSD на 144-слойную память 3D NAND в следующем году

Для Intel производство твердотельной памяти продолжает оставаться важным, хотя и далёким от высокой доходности видом деятельности. На специальном брифинге представители компании пояснили, что поставки накопителей на основе 144-слойной памяти типа 3D NAND начнутся в этом году, а в следующем она распространится на весь актуальный ассортимент SSD.

Источник изображения: Intel

Источник изображения: Intel

Если сравнивать прогресс Intel в сфере увеличения плотности хранения данных в памяти типа 3D NAND, то к аутсайдерам её отнести нельзя, хотя и шаги в наращивании количества слоёв компания делает достаточно крупные. Рубеж в сотню слоёв основные конкуренты Intel перешагнули либо в прошлом году, либо в начале этого, но компания рассчитывает перепрыгнуть с 96 на 144 слоя в текущем году, опередив соперников на какое-то время. Поставки накопителей серии Keystone Harbor на основе 144-слойной памяти типа 3D NAND должны начаться в текущем году, а в следующем весь ассортимент SSD данной марки перейдёт на 144-слойную память.

По словам представителей Intel, на которые ссылается ресурс Blocks & Files, поставки твердотельных накопителей марки на основе памяти типа QLC уже перевалили за отметку в десять миллионов экземпляров. Разработка памяти типа PLC (Penta-level cell), которая позволит разместить в одной ячейке пять бит информации, до сих пор продолжается.

Источник изображения: Intel

Источник изображения: Intel

Накопители серии Optane поколения Alder Stream в однопортовом варианте появятся в этом году, в следующем они перейдут на двухпортовое исполнение. Семейство Alder Stream будет использовать память типа 3D XPoint нового поколения с четырьмя слоями вместо нынешних двух. Это позволить удвоить предельную ёмкость таких накопителей. Если учесть, что сейчас потолок ёмкости достигает полутора терабайт, то Alder Stream позволит поднять его до трёх терабайт. Данное семейство накопителей получит новый контроллер с поддержкой PCI Express 4.0.

Разработку новых поколений памяти типа 3D XPoint продолжает лаборатория при предприятии в Нью-Мексико, поставки памяти текущего поколения продолжает осуществлять Micron в рамках существующего контракта, но в дальнейшем её производство будет налажено на собственных предприятиях Intel. Их специализация в рамках этой миграции пока не определена.

Накопители семейства Intel Optane набирают популярность среди клиентов компании. Восемьдесят пять процентов проводящих тесты накопителей Intel клиентов в дальнейшем закупают Optane для своих серийных систем. Если говорить о памяти типа Optane DC, то её используют двести компаний из списка Fortune 500, как минимум. Модули памяти Optane DC второго поколения под условным обозначением Barlow Pass будут представлены до конца текущего года. На июнь намечено мероприятие Intel, на котором будут представлены новинки из сегмента твердотельной памяти.

Phison объявила о поддержке флеш-памяти Yangtze Memory всеми контроллерами

Известный тайваньский разработчик популярных контроллеров для флеш-памяти Phison Electronics сообщил, что все его актуальные и новейшие контроллеры поддерживают чипы памяти китайской компании Yangtze Memory Technologies (YMTC). Компании Phison и Yangtze Memory сотрудничают с 2016 года, когда последняя была только создана.

Контроллеры Phison были проверены на совместимость с первыми 32-слойными чипами 3D NAND YMTC и прошли комплексную проверку на совместимость с сегодняшней массовой продукцией этого китайского производителя в лице 64-слойной памяти 3D NAND. Более того, Phison создала рабочую группу для проектирования контроллеров, совместимых с будущей 128-слойной памятью YMTC.

Также в производстве находятся совместимые с китайской 3D NAND контроллеры Phison PS5012 (для PCIe SSD), PS3112 (для SATA SSD), PS8318 (для UFS-накопителей), PS8229 (для модулей eMMC) и даже контроллеры PS8229 для уникальных карт памяти NM Card (NanoMemory Card), предложенных компанией Huawei. Наконец, контроллеры Phison обеспечат выпуск карт памяти SD и USB-накопителей на 64-слойной флеш-памяти YMTC.

В компании Phison отмечают, что хотя YMTC является новичком на рынке микросхем флеш-памяти, она доказала качество своей продукции и право выйти на рынок в составе тех или иных систем хранения данных. Это позволяет Phison рассчитывать на дальнейшее углубление отношений с китайским производителем 3D NAND и, тем самым, обещает расширить базу клиентов.

Совместную деятельность на рынке устройств для хранения данных компании Phison и YMTC начнут с устройств потребительского уровня и постепенно дойдут до выпуска решений для промышленного, корпоративного и серверного рынков и других высокопроизводительных решений. Фактически мы видим шаг в сторону легализации памяти YMTC на рынках за пределами Китая. Пока китайская компания даже не может мечтать о завоевании зарубежных рынков ― у неё не такие большие объёмы производства, но двигаться в эту сторону она намерена.

Ещё одна совместная фабрика Western Digital и Kioxia начала производство 3D NAND

Корпорация Western Digital сообщила, что фабрика K1 около города Китаками (префектура Иватэ, Япония) начала свою работу в прошедшем квартале и уже поставила первую партию микросхем 3D NAND. Данный производственный комплекс будет крупнейшей фабрикой под управлением Kioxia и Western Digital и увеличит глобальное производство энергонезависимой памяти, что может сказаться на её цене.

Фабрика K1

Фабрика K1

Согласно условиям соглашения между двумя партнёрами, Western Digital профинансировала 50 % первоначальных затрат на K1, а также 50 % стоимости установленного производственного оборудования. В общей сложности, затраты компании составили примерно $660 млн, что включает в себя инвестиции в оборудование, переезд сотрудников и затраты на старт массового производства. Кроме того, на Western Digital лягут расходы на амортизацию здания, которые составят ещё $360 млн.

"Чистая" комната на фабрике Kioxia и Western Digital

Как обычно в случае с фабриками, совместно принадлежащими Kioxia и Western Digital, новая K1 формально принадлежит отдельному совместному предприятию (в данном случае, Flash Forward Ltd. или FFL), которое продаёт обработанные подложки с микросхемами памяти своим совладельцам по себестоимости. При этом, последние должны владеть определённой долей в компании. Если же эта доля по каким-то причинам опускается ниже назначенного значения, партнёр в любом случае обязуется нести постоянные расходы на функционирование фабрики.

Производственный комплекс K1, чьё строительство завершилось в прошлом году, станет крупнейшей фабрикой Kioxia и Western Digital. Несмотря на то, что здание K1 было построено в один этап, оно будет экипироваться производственным оборудованием в четыре этапа, в зависимости от спроса на 3D NAND. Установка оборудования для первой линии производства была начата в июне 2019 года и успешно завершилась.

"Чистая" комната на фабрике Kioxia и Western Digital

Как и планировалось, Western Digital начала использование первой фазы K1 в начале этого года для производства 96-слойной 3D NAND флеш-памяти. Затраты на использование фабрики в прошедшем квартале составили $62 млн, а в текущем составят $65 млн, что косвенно указывает на то, что производственный комплекс обрабатывает кремниевые пластины и готов начать массовое производство в ближайшее время.

«В первом квартале мы начали поставки продукции, изготовленной на фабрике K1», ­— сказал Роберт Юлау (Robert Eulau), финансовый директор Western Digital, в беседе с аналитиками и инвесторами.

Фабрики Kioxia и Western Digital

Фабрики Kioxia и Western Digital. Иллюстрация AnandTech

По планам Kioxia, K1 станет крупнейшей фабрикой, совместно используемой Kioxia и Western Digital. Две компании уже управляют пятью производственными комплексами: Fab 2, Fab 5 и Fab 6 используются для создания 3D NAND, тогда как Fab 3 и Fab 4 изготавливают специализированные типы памяти.

Ни Western Digital, ни Kioxia не раскрывают производственных возможностей своих фабрик в цифрах, но введение в строй нового комплекса вне всяких сомнений увеличит глобальные объёмы выпуска памяти 3D NAND. Это произойдёт на фоне увеличившейся в первом квартале цены на энергонезависимую память и экономической неопределённости. Как именно начало работы K1 повлияет на цены памяти 3D NAND, покажет лишь время, но существуют немалый шанс того, цены могут опуститься ниже комфортного для производителей уровня. Это вряд ли серьёзно повлияет на стоимость устройств вроде смартфонов и ноутбуков, но может сказаться на ценах твердотельных накопителей.

Рынкам DRAM и NAND предрекли стагнацию: низкие цены на память и SSD?

Выручка производителей оперативной памяти типа DRAM и энергонезависимой памяти типа NAND в этом и следующем году не достигнет рекордных уровней 2018 года, говорится в новом докладе компании IC Insights. Согласно данным аналитиков, на доходы изготовителей DRAM и NAND повлияет как перепроизводство памяти, так и низкий спрос, вызванный пандемией вируса SARS-CoV-2.

Микросхемы 3D NAND и SSD производства SK Hynix

Микросхемы 3D NAND и SSD производства SK Hynix

Поскольку оперативная и энергонезависимая память являются, по сути, сырьём, цены на DRAM и NAND зависят главным образом от баланса спроса и предложения. Спрос и цена на память росли в 2017–2018 годах, что увеличило выручку производителей DRAM и NAND c $79,4 млрд в 2016 до $129,9 млрд в 2017 году, и до $163,3 млрд в 2018 году. По мере увеличения производства DRAM, а также повышения ёмкости микросхем типа 3D NAND, цены на память существенно упали в 2019 году, до исторических минимумов в пересчёте на гигабайт. Как следствие, выручка производителей оперативной и энергонезависимой памяти в прошлом году снизилась до $110,4 млрд, или на 32 %.

Выручка производителей DRAM и NAND c 2012 года. Источник: IC Insights

Выручка производителей DRAM и NAND c 2012 года. Источник: IC Insights

Весь прошлый год производители памяти пытались сократить выпуск DRAM и 3D NAND, что отчасти помогло стабилизировать цены. До того, как пандемия нового короновируса оказала существенное влияние на мировую экономику, IC Insights прогнозировали рост выручки производителей памяти на 14 % по сравнению с прошлым годом. Однако, пандемия вируса SARS-CoV-2, глобальный карантин, сложности с производством, закрытие розничных магазинов и экономический спад заставили аналитиков изменить прогноз. Сейчас в IC Insights считают, что доход производителей DRAM и NAND останется на уровне 2019 года. При этом, DRAM-бизнес принесёт 53 % доходов производителей, а NAND-бизнес принесёт 45 % выручки. Лишь 2 % выручки изготовителей придутся на другие типы памяти.

Выручка производителей DRAM и NAND в 2020 году. Источник: IC Insights

Выручка производителей DRAM и NAND в 2020 году. Источник: IC Insights

Аналитики считают, что уже в следующем году спрос на память и/или её цена вырастут, что увеличит выручку производителей памяти на 21 %, до $133,1 млрд. Годом позже доход этих компаний может вырасти ещё на 29 %, до рекордных $171 млрд.

Модуль и микросхемы памяти Samsung Electronics

Модуль и микросхемы памяти Samsung Electronics

Будучи очень волатильными, рынки оперативной и энергонезависимой памяти как нельзя лучше отражают текущие ожидания для всего рынка ПК, серверов, смартфонов и других типов компьютеров. Судя по всему, прогнозы аналитиков в отношении спроса на указанные устройства в этом году весьма пессимистичны, но ожидания на последующие периоды куда радужней. Впрочем, учитывая тот факт, что мало кто обладает достоверными данными о грядущем экономическом кризисе и его влиянии на рынок IT, прогноз IC Insights может быть пересмотрен ещё не раз.

Модули памяти Corsair

Модули памяти Corsair

Полупроводниковый бизнес Samsung полон здоровья и богат планами

От продаж полупроводников в первом квартале Samsung выручила 17,64 трлн вон ($14,45 млрд) и получила операционную прибыль в размере 3,99 трлн вон ($3,27 млрд). Постоянные инвестиции в инфраструктуру 5G, рост спроса со стороны облачных приложений, связанных с удаленной работой и онлайн-обучением, обеспечили компании спрос на серверную память и память для ПК.

Использование потоковых сервисов и количество онлайн-покупок во время карантина выросло, а это вызывает рост спроса на услуги центров обработки данных и на память DRAM. Для серверов компания предлагает модули памяти высокой плотности, что помогло компенсировать снизившийся спрос на память для смартфонов. Что касается спроса на память для ПК, то ему помог переход пользователей на виртуальное общение и, как следствие, возросший интерес к домашним компьютерам.

Спросу на память NAND компании помог устойчивый курс на увеличение флеш-ёмкостей в смартфонах. В частности, смартфоны стали комплектоваться флеш-модулями объёмом свыше 128 Гбайт. Это обеспечило в первом квартале стабильный спрос на чипы флеш-памяти компании. Центры по обработке данных добавили к этому спрос на SSD серверного уровня, к чему подталкивает распространение «объёмных» цифровых материалов.

Во втором квартале для памяти DRAM на серверном направлении сюрпризов не ожидается. Спрос должен оставаться высоким (удалённая работа и прочее). Но на мобильном направлении может образоваться провал. Поэтому Samsung будет ориентироваться на серверный рынок и мигрировать на новые технологии производства памяти.

Что касается NAND, то здесь всё ещё лучше. Серверы требуют всё больше и больше SSD, поэтому Samsung сосредоточится на выпуске флеш-накопителей высокой плотности (свыше 2 Тбайт) и продолжит миграцию на выпуск 3D NAND 5-го поколения (96-слойной).

Во втором полугодии, несмотря на самую главную неопределённость в отношении спроса на память ― спрос на мобильные устройства, Samsung ожидает благоприятных условий для данного направления. Потребность в более быстром и надёжном облачном сервисе будет способствовать хорошим продажам серверной памяти и памяти для ПК. Как ожидают в компании, в среднесрочной и долгосрочной перспективе распространение облачных услуг будет ускоряться, и это обещает хорошо поддержать производителей памяти. Со своей стороны, Samsung сосредоточится на ускорении перехода к выпуску DRAM 1Z нм (третье поколение 10-нм класса) и 3D NAND 6-го поколения (128-слойной).

Слабый спрос на смартфоны не помешал подразделению Samsung по выпуску БИС (LSI) нарастить выручку. Возросшим спросом пользовались процессоры для смартфонов 5G и датчики изображения со сверхвысоким разрешением для флагманских моделей. Во втором квартале эффект новизны уйдёт, и интерес снизится, а пандемия к этому добавит своего негатива. В противовес этому компания сосредоточится на поставке датчиков изображения с рекордными разрешениями и SoC для смартфонов 5G. Скоро каждый получит по персональному микроскопу. Все станем вирусологами-натуралистами.

Прогноз на второе полугодие для подразделения по выпуску LSI-продукции умеренно благоприятный. Несмотря на «коронавирусную» неопределённость, спрос на датчики изображения премиального класса ожидается стабильным, как и спрос на SoC поколения 5G.

Бизнес компании по контрактному выпуску полупроводников ослабел по вине снижения спроса на HPC-чипы со стороны китайских клиентов. В ответ на это во втором квартале Samsung намерена расширить лидерство в области использования полупроводниковой EUV-литографии и, в частности, обещая начать массовый выпуск 5-нм продукции.

Во втором полугодии samsung намерена расширить производство 5-нм решений и обещает ещё сильнее сосредоточиться на разработке 3-нм техпроцесса. Также Samsung собирается выйти за рамки мобильных решений (SoC и других чипов) и включить в ассортимент выпуск по контракту потребительских и вычислительных решений. Жаль, что тут пока что нет подробностей, ведь Samsung приписывают намерение выпускать процессоры и графику как для NVIDIA, так и для Intel и AMD.

Samsung Electronics смогла увеличить валовой объём производства памяти без расширения мощностей

Прошедший 2019 год не был самым простым для производителей памяти, поскольку они сильно потеряли в выручке, поэтому сложности текущего года их не испугают. Производители памяти заранее решили ограничить количество обрабатываемых кремниевых пластин, но растущий спрос они готовы удовлетворять за счёт увеличения плотности размещения транзисторов.

Источник изображения: TechCrunch

Источник изображения: TechCrunch

Поскольку так называемый «закон Мура», предписывающий регулярное увеличение количества размещаемых на одном квадратном миллиметре площади транзисторов, пока ещё действует, производители памяти готовы его использовать себе во благо. Как отмечает издание Business Korea, в прошлом году Samsung Electronics сохранила количество закупаемых кремниевых пластин на уровне 2018 года, но при этом валовой объём выпуска продукции в пересчёте на единицы объёма для хранения данных вырос на 39 %. Этого удалось добиться за счёт внедрения пространственных компоновок и перехода на более прогрессивные литографические технологии.

Если говорить о микросхемах оперативной памяти, то Samsung продолжает мигрировать с техпроцесса 10-нм класса первого поколения на третье поколение того же техпроцесса. Условно говоря, к 10-нм классу относятся все ступени литографии от 19 нм до 10 нм. Переход от одного поколения техпроцесса к другому позволяет получать с кремниевой пластины фиксированной площади на 20–30 % больше микросхем памяти. Ну а переход от первого поколения 10-нм техпроцесса к четвёртому, которое уже подразумевает использование литографии со сверхжёстким ультрафиолетовым излучением (EUV), позволяет удвоить выход микросхем с единицы площади кремниевой пластины.

Твердотельная память Samsung типа 3D NAND перешла на 128-слойную компоновку ещё в конце прошлого года, корейский гигант опередил всех конкурентов. Более того, в исполнении Samsung стеки памяти с количеством слоёв до 200 штук могут быть монолитными, тогда как конкуренты за рубежом ста слоёв начинают использовать составные стеки, что увеличивает затраты на изготовление памяти. Компания уже приступила к разработке 160-слойной памяти типа 3D NAND. В текущем году она рассчитывает увеличить валовой объём выпуска твердотельной памяти на 30 %, довольствуясь имеющимися производственными мощностями.

В продукции Lexar будет использоваться китайская флеш-память производства YMTC

Китайская компания Yangtze Memory Technologies Co. (YMTC) заключила соглашение о поставке микросхем NAND с популярной маркой флеш-накопителей Lexar, специализирующейся на SSD, картах памяти и USB-накопителях. Что ещё более важно, Lexar пользуется заметной популярностью на рынках западных стран. Это — большой успех для китайского производителя.

В 2017 году Micron Technology продала марку Lexar китайскому конгломерату электроники Longsys. Первым продуктом YMTC, который будет массово поставляться Lexar, будут представленные недавно чипы со 128-слойной флеш-памятью 3D QLC NAND объёмом 512 Гбит. Они будут применяться в семействе карт памяти Lexar формата nCard, которое будет включать модели на 64, 128 и 256 Гбайт со скоростями чтения и записи соответственно 90 и 70 Мбайт/с.

По словам представителя Lexar Цзяна Болонга (Jiang Bolong) уже в первой половине 2021 года может быть налажено производство карт памяти Jiang Bolong объёмом в 1 Тбайт (в них будет применяться стек из 16 чипов). Впервые карты nCard были представлены компанией Lexar 2 марта текущего года — они используют протокол eMMC 5.1 и на 45 % меньше по габаритам, чем microSD.

Вообще же 128-слойные чипы YMTC, считающиеся едва ли не самыми ёмкими и быстрыми в отрасли, представлены моделями: 1,33 Тбит 3D QLC X2-6070 и 512 Гбит 3D TLC X2-9060 — все они используют архитектуру Xtacking 2.0 и способны достигать скоростей передачи до 1,6 Гбит/с при питании 1,2 В.

Коронавирус откроет новые возможности перед китайским производителем флеш-памяти

В прошлом году средняя цена реализации твердотельной памяти сократилась на 46 %, что заставило многих производителей сократить капитальные расходы и заморозить планы по расширению мощностей. Вспышка коронавируса подогрела спрос, который теперь не так просто удовлетворить. Эти условия позволят китайским игрокам рынка 3D NAND проявить себя.

Источник изображения: YMTC

Источник изображения: YMTC

Соображениями на этот счёт делятся специалисты аналитического агентства TrendForce. Недавнюю новость о готовности китайской компании Yangtze Memory Technology Corporation (YMTC) начать поставки 128-слойной памяти типа 3D NAND эксперты считают значимой для этого производителя. Если взглянуть на производственные программы других участников рынка, то массовый выпуск 128-слойных микросхем 3D NAND сейчас освоили только Samsung и SK Hynix. Компании Kioxia, Intel и Micron сделают это только во втором полугодии. К концу года YMTC сможет выступать на равных с отраслевыми гигантами, хотя ранее она выступала в роли догоняющей.

Источник изображения: TrendForce

Источник изображения: TrendForce

Как отмечают эксперты TrendForce, у YMTC в этой ситуации есть важное преимущество: она не обременена «наследием прошлых лет», когда падение цен на память вынудило производителей сократить объёмы производства. Напротив, в течение двенадцати месяцев в строй будет введено предприятие YMTC в Чэнду, а к существующему предприятию в Ухане присоединятся два дополнительных. В то время как конкуренты будут застигнуты врасплох последствиями коронавируса, YMTC сможет нарастить объёмы выпуска твердотельной памяти, и уже в следующем году начнёт оказывать влияние на мировой уровень цен — ожидаемо, в сторону их снижения.

window-new
Soft
Hard
Тренды 🔥