Теги → nand
Быстрый переход

Solidigm показала рабочий прототип SSD на PLC NAND

Компания Solidigm — бывшее предприятие Intel по выпуску флеш-памяти, перешедшее в собственность SK Hynix, — на мероприятии Flash Memory Summit 2022 представила работающий прототип SSD на новом типе флеш-памяти — PLC (Penta-Level Cell) NAND. Данная технология флеш-памяти позволяет хранить пять бит информации в ячейке, обеспечивая более высокую плотность чипов памяти.

 Источник изображения: Solidigm

Источник изображения: Solidigm

PLC NAND позволяет хранить больше данных по сравнению со всеми распространёнными вариантами флеш-памяти: QLC (четыре бита на ячейку), TLC (три бита на ячейку), MLC (два бита на ячейку) и SLC (один бит на ячейку). За счёт этого память типа PLC открывает путь к очередному снижению стоимости хранения информации на твердотельных накопителях. В Solidigm считают, что на фоне роста инвестиций в суперкомпьютерные вычисления, расцвета беспроводных сетей 5-го поколения (5G) и повсеместного внедрения ИИ-алгоритмов потребность в более ёмких и одновременно быстрых средствах хранения данных будет расти. В этих условиях технология флеш-памяти PLC, которая по сравнению с QLC NAND позволяет хранить на 25 % больше данных на полупроводниковом кристалле той же площади, может стать подходящим средством масштабирования ёмкости твердотельных накопителей.

Как известно, элементарными единицами измерения информации являются биты, имеющие состояния «нуля» и «единицы», которые в случае SSD записываются в ячейки NAND. Если сравнивать с QLC NAND, технология PLC добавляет ячейкам дополнительные состояния, которые позволяют добавить ещё один бит информации. Так, технология в PLC-памяти используется 32 состояния ячеек, которые охватывают все возможные комбинации из пяти единиц и нулей.

Однако чем больше состояний может принимать ячейка, тем выше нагрузка на саму ячейку, а также на контроллер памяти SSD, который должен эти состояния считывать. Это увеличивает вероятность неправильной записи или чтения, что в свою очередь может привести к повреждению данных. Для компенсации таких рисков на уровне контроллера SSD необходимо использовать более эффективные алгоритмы исправления ошибок. В случае с PLC NAND требования к точности этих алгоритмов вырастают многократно.

 Источник изображения: Wikipedia

Источник изображения: Wikipedia

Увеличение количества возможных состояний ячеек влияет и на ожидаемую продолжительность их жизни. Сокращение ожидаемого срока службы ячеек NAND по мере увеличения плотности хранения данных является одной из причин, по которой твердотельные накопители даже на базе QLC NAND считаются менее надёжными по сравнению с моделями, построенными на TLC NAND.

Но поскольку PLC NAND компании Solidigm основана на технологиях Intel, она использует иную архитектуру ячеек по сравнению с теми видами ячеек, которые применяются прочими производителями чипов памяти NAND. Её флеш-память построена на транзисторах с плавающим затвором, которые, по словам Solidigm, гораздо лучше подходят для увеличения количества хранимых в ячейках битов, нежели повсеместно применяемые ловушки зарядов.

На данный момент неизвестно, когда на рынке появятся первые коммерческие продукты на базе PLC NAND. Ранее Western Digital прогнозировала, что это случится не ранее 2025 года.

По стопам NVIDIA: Micron предупредила акционеров о снижении выручки из-за падения спроса на память

Американская компания Micron Technology Inc. заявила, что объём выручки по итогам текущего квартала может оказаться ниже, чем прогнозировалось ранее. Это заявление сделано на фоне продолжающегося падения спроса на чипы памяти.

 Источник изображений: Micron

Источник изображений: Micron

В официальном заявлении Micron сообщила, что с момента последнего прогноза спрос на динамическую память с произвольным доступом (DRAM) и флеш-память NAND продолжает неуклонно снижаться. Компания ожидает, что сложные условия продолжат сохраняться в течение двух следующих кварталов — как минимум до конца текущего года.

Ещё полтора месяца назад Micron рассчитывала по итогам последующих трёх месяцев получить выручку в размере от $6,8 млрд до $7,6 млрд против $8,6 млрд в предшествующем квартале. Аналитики при этом прогнозировали выручку в районе $7,28 млрд. Но теперь компания предупредила о том, что выручка окажется в районе нижней границы оценки — ближе к $6,8 млрд.

Компания также намерена сократить некоторые расходы в связи со сложившейся ситуацией, отмечая, что объём капитальных расходов в 2023 финансовом году значительно снизится по сравнению с предыдущим годом.

Micron объявила о снижении прогноза по квартальной выручке через день после того, как компания NVIDIA сообщила, что квартальные продажи окажутся значительно ниже ожиданий. Кроме того, на прошлой неделе AMD отчиталась о сокращении объёма продаж графических ускорителей. Что касается Micron, то сегодня она объявила о намерении до конца десятилетия инвестировать $40 млрд в развитие производства памяти на территории США.

Рост спроса на память DRAM будет рекордно низким в 2023 году

По данным агентства TrendForce, в следующем году рост спроса на оперативную память DRAM составит всего 8,3 %, впервые в истории этот показатель опустится ниже 10 %, в то время, как предложение вырастет примерно на 14,1 %. Другими словами, рынок ожидает кризис перепроизводства как минимум в 2023 году и цены могут продолжить своё падение. Несколько иначе обстоит ситуация на рынке NAND-памяти.

 Источник изображения: Samsung

Источник изображения: Samsung

По данным агентства, хотя на рынке всё ещё наблюдается перепроизводство NAND и цены будут падать в первой половине следующего года, рынок NAND имеет некоторый запас «ценовой эластичности» в сравнении с DRAM. Спрос на флеш-память вырастет на 28,9 %, а предложение — приблизительно на 32,1 %.

При этом инфляция продолжит сказываться на потребительских рынках, поэтому первоочередной целью производителей памяти должна стать корректировка запасов. Например, в последние пару лет дефицит компонентов, вызванный пандемией, привёл к росту объёмов заказов на производство, но не особенно активные продажи привели к тому, что запасы ноутбуков расходятся со складов не слишком активно, ослабленный спрос на ноутбуки ожидается и в следующем году.

Предполагается, что доля DDR4 и LPDDR4X в компьютерах продолжит снижаться, а LPDDR5 и DDR5 — увеличиваться. Тем не менее, высокая цена DDR5 отразится на скорости экспансии этого типа памяти — многие предпочтут остаться на DDR4. Что касается NAND в потребительском сегменте, то средняя установленная ёмкость продаваемых потребительских SSD для компьютеров вырастет лишь на 11 % — худший показатель за последние три года. Основной причиной является стремительный рост продаж ноутбуков в последние два года в связи с пандемией, с сопутствующим ростом использования SSD. Впрочем, цены на ноутбуки продолжат расти в соответствии с заданным в последние годы трендом из-за роста стоимости компонентов.

 Источник изображения: TrendForce

Источник изображения: TrendForce

Что касается производства смартфонов, TrendForce выступает с относительно пессимистичным прогнозом, ожидая небольшого роста покупок смартфонов для замены старых моделей и новых покупок в развивающихся регионах. В плане мобильной DRAM-памяти на рынке Android-устройств не ожидается взрывного роста, поскольку в настоящее время в смартфонах уже имеется достаточное количество оперативной памяти для выполнения повседневных операций. Поэтому, с учётом низкой доли продуктов премиум-уровня, производители не горят желанием увеличивать ёмкость памяти, а в iOS высокий уровень оптимизации системы тоже снижает спрос на высокую ёмкость ОЗУ. Плотность установленной памяти, по имеющимся прогнозам, увеличится в 2023 году только на 5 %.

В плане перспектив мобильной NAND, распространение смартфонов поколения 5G постепенно ведёт к увеличению необходимой памяти для обеспечения записи видео с высоким разрешением. В частности, «стандартная» ёмкость памяти в iPhone и моделях на Android премиум-уровня продолжает расти и 256 Гбайт уже часто являются базовым решением. В более бюджетных вариантах объём памяти продолжит расти по мере развития других аппаратных спецификаций. Ожидается, что средняя плотность NAND для мобильных устройств вырастет в 2023 году на 22,1 % — рост будет чуть ниже, чем в текущем году.

YMTC представила архитектуру памяти Xtacking 3.0 — китайская 3D NAND стала ещё быстрее

Сегодня на саммите Flash Memory Summit (FMS) 2022 китайская компания YMTC представила флеш-память X3-9070 3D NAND на основе инновационной архитектуры Xtacking 3.0. Новые китайские чипы 3D NAND смогут обеспечить более высокую скорость работы и эффективность.

 Источник изображения: YMTC

Источник изображения: YMTC

Архитектура Xtacking представлена в 2018 году и с тех пор развилась до третьего поколения. Она предполагает, что на одном отдельном кристалле размещается массив ячеек памяти 3D NAND, а на другом — цепи питания и управления. Массивы и контроллеры можно выпускать с использованием разных техпроцессов, поскольку первые и вторые изготавливаются на разных кремниевых пластинах. Впоследствии управляющая микросхема совмещается с массивами ячеек памяти, и на выходе появляется полнофункциональный чип памяти 3D NAND.

Раздельное производство ячеек и контроллеров позволяет сэкономить место на плоскости кристаллов памяти (выпустить с каждой пластины больше ячеек), а также модернизировать ячейки или контроллеры без привязки к производству одних и других. В настоящий момент реализуется второй сценарий, когда YMTC готовится выпустить более производительную 3D NAND не меняя технологии производства массивов памяти.

Поскольку речь идёт о совершенствовании логики и питания, разработчик не посвятил ни строчки о достижении того или иного рекорда в производстве множества слоёв 3D NAND, как это сделали, например, компании Micron и SK hynix, сообщившие, соответственно, о выпуске 232- и 238-слойной памяти 3D NAND. Вместо этого YMTC сообщила, что производительность новых микросхем с поддержкой архитектуры Xtacking 3.0 достигает скорости ввода-вывода до 2400 МТ/с на контакт. Также заявлена совместимость с интерфейсом ONFI 5.0 и достижение на 50 % большей производительности по сравнению с предыдущим поколением продуктов.

 Пример совмещения контроллера (верхний кристалл) и массива памяти (нижний кристалл). Источник изображения: YMTC

Пример совмещения контроллера Xtacking (верхний кристалл) и массива памяти (нижний кристалл). Источник изображения: YMTC

Кроме того, микросхемы X3-9070 стали самыми высокоплотными флэш-продуктами в истории YMTC, обеспечивая ёмкость хранения 1 Тбит в ультракомпактном моноблоке. Новый контроллер теперь поддерживает 6-плоскостную организацию флеш-ячеек, тогда как до этого поддерживалась 4-плосткостная организация. Поддержка 6 областей ячеек для независимой обработки позволяет расширить параллельные операции и нарастить производительность памяти. В частности, производительность обещает вырасти до 50 % при снижении потребления до 25 %.

Добавим, компания не уточняет, когда новая архитектура появится в её продукции.

SK hynix побила рекорд Micron и представила самую высокую в мире флеш-память — 238-слойную

Компания SK hynix сегодня побила рекорд, недавно установленный компанией Micron. Неделей ранее Micron сообщила о начале поставок самой многослойной в мире памяти 3D NAND — 232-слойных кристаллов. Сегодня вперёд выходит SK hynix, которая сообщила о начале поставок образцов 238-слойной памяти 4D NAND. Новые кристаллы на меньшей площади имеют более высокую плотность записи, меньшее в среднем потребление и повышенную производительность.

 Источник изображения: SK Hynix

Источник изображения: SK hynix

Нетрудно предположить, что компания SK hynix, как и её конкурент компания Micron, получает чипы с более чем 230 слоями благодаря укладке друг на друга 128-слойных кристаллов. В процессе «притирки» часть слоёв теряется или идёт в брак, что не позволяет добиться идеала в виде 256-слойных микросхем 3D NAND, но никто не мешает к нему стремиться. Micron смогла гарантированно производить 232-слойные чипы, а SK hynix добилась чуть лучшего результата — производства 238-слойных чипов. При этом добиться даже такого небольшого преимущества наверняка требовало напряжения всех технологических возможностей компании.

Массовое производство представленных новинок начнётся в первой половине 2023 года. Первыми компания будет выпускать 512-Гбит микросхемы с записью трёх бит в каждую ячейку (TLC). Позже будет налажено производство 1-Тбит чипов 4D NAND. Напомним, 4D NAND — это маркетинговое название обычной памяти 3D NAND с некоторыми улучшениями, такими как перенос логики под массив ячеек (технология PUC) и переход к ячейке с ловушкой заряда вместо использования ячейки с плавающим затвором, что, как минимум, снижает токи утечек.

По словам компании, уменьшение размера кристалла позволило увеличить выпуск чипов с каждой кремниевой пластины на 34 % по сравнению со 176-слойной памятью. Скорость передачи данных при этом выросла на 50 % или до 2,4 Гбит/с, если сравнивать с аналогичной продукцией предыдущего поколения. Объем энергии, потребляемой для считывания данных, снизился на 21 %, что также соответствует обязательствам компании по следованию требованиям «зелёной» повестки.

Первой продукцией с новой памятью станут SSD для персональных компьютеров и ноутбуков. Затем 238-слойная 4D NAND SK hynix попадёт в смартфоны и серверные накопители.

В этом году флеш-памяти NAND исполняется 35 лет — замешанная в этом Kioxia отметит юбилей на FMS 2022

На этой неделе состоится конференция Flash Memory Summit 2022, в рамках которой компания Kioxia, которая образовалась из подразделения Toshiba Memory, вместе со всей отраслью отметит важное событие. Дело в том, что в этом году исполняется 35 лет с момента изобретения флеш-памяти NAND, которая и была разработана инженером Toshiba Memory.

 Источник изображения: techpowerup.com

Источник изображения: techpowerup.com

Изобретателем флеш-памяти является японский профессор Фудзио Масуока (Fujio Masuoka), который начал работать в Toshiba в 1971 году. Оглядываясь на революционную технологию флеш-памяти, которая появилась в 1987 году, Kioxia продолжает смотреть в будущее, представляя инновационные продукты, форм-факторы и решения. В рамках выставки FMS 2022 компания расскажет о своём видении будущего флеш-памяти и её использовании для продвижения и усовершенствовании широкого спектра приложений, включая мобильные продукты, облачные вычисления, центры обработки данных, автомобильную промышленность и др.

Основную презентацию компании под названием «Kioxia: 35 лет флеш-памяти и не только» проведут Скотт Нельсон (Scott Nelson), исполнительный вице-президент и главный директор по маркетингу Kioxia, и Шигео Осима (Shigeo Ohshima), глава подразделения SSD Application Engineering. Презентация будет посвящена 35-й годовщине изобретения флеш-памяти и расскажет о том, каким компания видит будущее этой революционной технологии.

«С изобретением флеш-памяти мы вступили в совершенно новую эру — эру, которая включает в себя мобильность контента, тонкие и лёгкие форм-факторы, высокоплотное, масштабируемое хранение и многое другое. Начиная с самых первых случаев применения в 1990-х годах и заканчивая сегодняшними инновациями, влияние флеш-памяти ощущается повсюду. Проще говоря, флеш-память обогатила жизнь людей и расширила горизонты общества — и многое ещё впереди», — считает Скотт Нельсон.

Kioxia представила память XL-Flash второго поколения для накопителей корпоративного класса

Компания Kioxia сообщила о выпуске второго поколения памяти XL-Flash, в основе которой используется проприетарная технология BiCS FLASH 3D. Компания отмечает, что новое поколение памяти XL-FLASH обладает более высокой плотностью хранения информации, обеспечивает высокий уровень производительности и обладает низкими задержки.

 Источник изображения: Toshiba

Источник изображения: Toshiba

В отличие от перового поколения памяти XL-Flash, где предусматривается хранение только одного бита информации в ячейке (SLC), новое поколение XL-Flash от Kioxia получило функциональность многоуровневых ячеек MLC, где на одну ячейку приходится 2 бита информации.

В новой памяти также увеличено максимальное количество одновременно обслуживаемых блоков, благодаря чему получилось повысить пропускную способность. И ещё новое поколение памяти XL-Flash будет выпускаться в виде 256-гигабитных кристаллов, что двое больше объёма предыдущего поколения памяти XL-Flash.

Память XL-Flash нового поколения как и предыдущего будет применяться в устройствах хранения данных для дата-центров и накопителях корпоративного класса. В перспективе также рассматривается возможность использования памяти в составе CXL-модулей.

США хотят закрыть Китаю доступ к оборудованию для производства передовой флеш-памяти 3D NAND

Основанная в 2016 году китайская компания YMTC не только смогла год назад начать массовые поставки 128-слойной памяти типа 3D NAND своим клиентам, но и успела к настоящему моменту захватить 5 % мирового рынка флеш-памяти. Американская Micron Technology, например, контролирует 11 % рынка, а потому власти США задумываются над введением ограничений, способных сдержать рост китайского конкурента.

 Источник изображения: YMTC

Источник изображения: YMTC

Как отмечает Reuters, с начала этого года объёмы производства флеш-памяти на территории Китая достигли 23 % от мировых, хотя всего два года назад этот показатель не превышал 14 %. Даже американские компании Western Digital и Micron Technology основную часть памяти NAND выпускают за пределами страны, что вызывает определённую обеспокоенность местных властей.

По информации источника, власти США вынашивают идею запрета на экспорт в Китай определённых типов технологического оборудования, позволяющего выпускать современную твердотельную память. «Линию водораздела» предполагается провести по признаку количества слоёв — оборудование, позволяющее выпускать память 3D NAND с более чем 128 слоями, к экспорту в Китай будет запрещено. Речь идёт о продукции американских LAM Research и Applied Materials, но ограничения затронут и деятельность зарубежных производителей памяти на территории Китая. В частности, может пострадать бизнес Samsung Electronics и SK hynix, поскольку в понимании американских чиновников нежелательным является ввоз на территорию КНР оборудования любой из компаний, даже если они управляются штаб-квартирами из дружественных к США стран. Корейской SK hynix, которая некоторое время назад купила предприятие Intel по выпуску памяти типа 3D NAND в китайском Даляне, такие новости явно не понравятся, да и Samsung располагает в КНР крупным предприятием по выпуску твердотельной памяти.

В прошлом квартале YMTC начала рассылать клиентам образцы 192-слойной памяти типа 3D NAND, поэтому ограничения на ввоз технологического оборудования американского происхождения явно ограничат её способность и дальше поддерживать конкурентоспособность на мировом рынке. По слухам, микросхемами памяти YMTC даже успела заинтересоваться компания Apple, которая собиралась снабжать ими свои мобильные устройства.

Собственно, даже принятый на прошлой неделе пакет законов о стимулировании развития американской национальной полупроводниковой отрасли содержит ограничения на взаимодействие с компаниями, ведущими бизнес в КНР. Получателям американских субсидий будет на десять лет запрещено вкладывать средства в расширение и модернизацию производственных мощностей на территории Китая.

Правительство Японии инвестирует $680 млн в производство флеш-памяти Kioxia и Western Digital

Компани Kioxia и Western Digital сообщили, что их совместное предприятие Fab 7 по производству чипов флеш-памяти 3D NAND в японской провинции Йоккаичи получит от правительства Японии субсидии на расширение мощностей в размере 92,9 млрд йен ($680 млн). Решение японского правительства принято в рамках программы по стимулированию роста местного производства полупроводников.

 Источник изображения: Kioxia

Источник изображения: Kioxia

Компания Kioxia начала строительство завода Fab 7 в промышленном комплексе Yokkaichi Operations в конце 2020 года. Несмотря на то, что возведение объекта ещё не завершено, Kioxia и её партнёр Western Digital уже приступили к частичному оснащению фабрики оборудованием для производства 112-слойных и 162-слойных чипов памяти 3D NAND, которое планируется начать осенью этого года. В перспективе на заводе Fab 7 будет выпускаться флеш-память с ещё большим количеством слоёв.

«Мы рады сообщить, что правительство Японии признало важность производства памяти и технологий хранения данных, так как они являются критически важными компонентами в отрасли полупроводников. Вместе с нашим партнёром Kioxia мы рассчитываем на успех нашего совместного предприятия», — прокомментировала глава Western Digital Дэвид Гёкелер (David Goeckeler).

Чипы оперативной памяти DRAM и флеш-памяти NAND действительно являются важными компонентами каждого ПК, сервера, смартфона и практически любого другого электронного устройства, которое сегодня используется людьми, однако производство этих микросхем сопряжено с определёнными финансовыми рисками. Цены на чипы памяти сильно зависят от спроса и предложений на рынке. Именно поэтому данное производство не всегда находило нужную финансовую поддержку со стороны властей тех или иных стран. Последние в свою очередь просто позволяли крупным производителям микросхем памяти, например, Micron и SK hynix, для своего роста поглощать более мелкие компании по выпуску чипов DRAM и NAND.

Правительство Японии решило изменить свой подход в этом вопросе, и не без причины. Производство 3D NAND не является самым прибыльным бизнесом и подвержено циклическим спадам. Однако такие крупные производители памяти 3D NAND, как Kioxia и Western Digital, могут помочь в развитии местного производства полупроводников и создать тысячи новых рабочих мест. Кроме того, появление новой цепочки поставок полупроводников в стране может привлечь и других производили микросхем, став сигналом о комфортной среде для тех, кто ищет варианты для диверсификации своего производства. К таким компаниям относится, например, TSMC, которая последнее время ищет варианты расширения своих мощностей за пределами Тайваня.

SK hynix в этом полугодии рассчитывает столкнуться со снижением спроса на память даже в серверном сегменте

Совместно с Samsung Electronics корейская компания SK hynix контролирует более половины рынка твердотельной памяти, поэтому прогнозы по дальнейшей динамике его развития в её исполнении интересуют многих инвесторов. SK hynix была вынуждена признать, что в следующем году сократит капитальные затраты на 25 % относительно первоначального плана.

 Источник изображения: SK hynix

Источник изображения: SK hynix

Во втором квартале SK hynix увеличила прибыль на 56 %, поскольку спрос на память оставался высоким, а улучшить ситуацию помогло и ослабление корейской национальной валюты. Операционная прибыль компании выросла до $3,2 млрд, превзойдя ожидания аналитиков, а вот выручка достигла лишь $10,5 млрд, не оправдав прогнозов рынка, но при этом увеличившись за год на 34 % и обновив рекорд. В натуральном выражении количество поставленных за квартал микросхем памяти типа DRAM выросло примерно на 10 % в последовательном сравнении, а объёмы отгрузки микросхем памяти типа NAND увеличились сопоставимо.

В своих комментариях относительно динамики спроса на память во втором полугодии SK hynix была очень осторожна, заявив о вероятности снижения покупательской способности не только в сегменте ПК и смартфонов, но и в серверном — пусть и в меньшей степени, чем в первых двух. Свои инвестиционные планы на 2023 год компания будет пересматривать с осторожностью, но уже сейчас SK hynix готова сократить расходы на строительство новых предприятий на четверть относительно первоначального уровня.

Micron начала поставки первых в мире 232-слойных чипов флеш-памяти 3D NAND — 1 Тбит на кристалл

Компания Micron объявила о начале поставок 232-слойных чипов флеш-памяти 3D NAND TLC, обладающих самой высокой плотностью на рынке — объём одного кристалла может достигать 1 Тбит. Помимо значительно выросшей плотности новые 232-слойные чипы флеш-памяти 3D NAND TLC предлагают до двух раз более высокую скорость записи и до 75 % более высокую скорость чтения по сравнению с микросхемами предыдущего поколения.

 Источник изображений: Micron

Источник изображений: Micron

Как показано на изображении ниже, возросшая плотность позволила Micron сократить объём упаковки 232-слойного чипа флеш-памяти 3D NAND TLC на 28 % по сравнению с микросхемами предыдущего поколения. Это может оказаться полезным при производстве, например, тех же смартфонов и карт памяти microSD.

В одной упаковке размером 11,5 × 13,5 мм можно объединить до шестнадцати 232-слойных кристаллов флеш-памяти 3D NAND TLC, получив таким образом чип объёмом 2 Тбайт, который будет в три раза меньше американской почтовой марки. При наиболее плотной компоновке на 1 мм2 можно записать до 14,6 Гбит информации, что на 30–100 % больше, чем у поставляющихся на рынок конкурирующих продуктов. По словам Micron, в одном таком чипе можно сохранить 340 часов видео в формате 4K.

 Предложения Micron и конкурентов. Источник изображения: Tom's Hardware

Предложения Micron и конкурентов. Источник изображения: Tom's Hardware

Как и прежде, Micron использует в новых чипах флеш-памяти свою технологию CMOS under array (CuA), но теперь уже шестого поколения, для повышения плотности за счёт размещения CMOS под массивом ячеек. Компания также применяет конструкцию флэш-памяти с двойным стеком. Это означает, что каждый готовый кристалл состоит из двух 116-слойных кристаллов, соединённых между собой с помощью процесса, который называется последовательной укладкой. Производитель также ссылается на использование новых материалов и процессов для создания отверстий в кристалле с высокой плотностью расположения, что также сказалось на общей плотности микросхем.

Впечатляющая производительность новых флеш-чипов памяти Micron обеспечена новой шестиплоскостной архитектурой, которая впервые применяется для памяти 3D NAND TLC. Плоскость — это область кристалла флеш-памяти, которая независимо отвечает на запросы ввода-вывода, подобно тому, как каждое ядро CPU может выполнять операции параллельно. Чем больше количество плоскостей, тем больше производительность.

В предыдущем поколении флеш-памяти Micron использовалась четырёхплоскостная архитектура. Переход на шестиплоскостную позволил на 50 % (до 2,4 Гбайт/с) увеличить скорость передачи данных по интерфейсу ONFI 5.0, тем самым в целом увеличив пропускную способность кристалла памяти. По словам Micron, на уровне упаковки чипа флеш-памяти это привело к двухкратному повышению производительности в операциях записи и на 75 % увеличило скорость чтения по сравнению с предыдущим поколением, в котором были представлены 176-слойные микросхемы. Правда, это только в теории. На практике всё гораздо сложнее. Ведь это не значит, что в скором времени на рынке появятся твердотельные накопители, вдвое быстрее ныне существующих. Проблема в том, что на производительность SSD также влияют и другие факторы, такие как контроллер памяти и интерфейс. Однако прогресс компании Micron может стимулировать других производителей поднапрячься и разработать компоненты, которые смогут угнаться за новой флеш-памятью американской компании.

По словам Micron, добавление дополнительных плоскостей также положительно сказывается на качестве передачи данных и задержках при операциях записи и чтения, однако производитель пока не публикует более детальные данные на этот счёт. Логика новых 232-слойных чипов флеш-памяти Micron 3D NAND TLC поддерживает новый интерфейс NV-LPPDR4 с пониженным энергопотреблением — затраты энергии на бит уменьшены до 30 % по сравнению с интерфейсом предыдущего поколения. Другими словами, новые чипы обладают более высокой энергоэффективностью. Однако компания опять же не делится какими-то конкретными деталями и примерами.

О надёжности новых флеш-чипов памяти Micron тоже ничего не сообщает. Однако можно ожидать, что новые 232-слойные микросхемы по этому показателю будут соответствовать чипам флеш-памяти предыдущего поколения. Напомним, что показатель надёжности рассчитывается в циклах Program/Erase (P/E) (программирование/стирание). Например, предыдущее поколение памяти TLC от Micron в потребительских накопителях обычно рассчитано на 1–3 тыс. циклов P/E и на 5–10 тыс. циклов для SSD корпоративного класса. На конечный показатель также влияет тип применяемых алгоритмов коррекции ошибок (ECC). Однако от 232-слойных микросхем памяти TLC можно ожидать примерно такого же уровня надёжности.

Компания отмечает, что уже начала поставки новых 232-слойных чипов флеш-памяти 3D NAND TLC OEM-производителям, а также новых твердотельных накопителей Crucial на их основе (модели не уточняются). Micron лишь недавно запустила производство новых микросхем и в течение всего оставшегося 2022 года будет увеличивать объёмы их выпуска.

Рынок флеш-памяти 3D NAND перенасытился — в третьем квартале цены упадут на 8–13 %

Во втором квартале 2022 года произошло перенасыщение рынка флеш-памяти 3D NAND, которое совпало с крайне низкими продажами электроники и соответственно низким спросом на память со стороны производителей смартфонов, телевизоров и ноутбуков. Поэтому в третьем квартале ожидается снижение стоимости флеш-памяти 3D NAND на 8–13 %. В четвёртом квартале может наблюдаться аналогичная картина.

 Источник изображения: SK hynix

Источник изображения: SK hynix

Просевший пользовательский спрос на ноутбуки и ПК привёл к тому, что OEM-производители этих устройств значительно сократили объёмы закупок твердотельных накопителей на третий квартал этого года и пытаются реализовать свои запасы, оставшиеся ещё с первой половины года. С другой стороны, компания YMTC начала выпуск и поставки 176-слойных чипов флеш-памяти 3D NAND QLC, усилив тем самым конкуренцию на рынке. По мнению TrendForce, стоимость твердотельных накопителей для OEM-производителей снизится в третьем квартале на 8–13 %.

Спрос на SSD корпоративного уровня во второй половине 2022 года будет ниже, чем в первой, считают аналитики. Основными причинами этому являются нестабильная экономическая ситуация в мире, а также слабая динамика закупок устройств на третий квартал в Китае, обусловленный не оправдавшим ожиданий спросом на компоненты для серверных платформ нового поколения. Стимулировать продажи поставщики SSD корпоративного уровня рассчитывают за счёт более выгодных предложений. Однако в настоящий момент покупатели не проявляют особого интереса к новым закупкам. Эксперты TrendForce считают, что в третьем квартале цены на эту продукцию снизятся на 5–10 %.

Слабый спрос на хромбуки и телевизоры сократил объём закупок памяти eMMC. Производители устройств стали внимательнее следить за объёмом своих складских запасов компонентов. Производители памяти eMMC в долгосрочной перспективе планируют снижать объёмы поставок этой продукции для поддержания стабильных цен. В ближайшей же перспективе TrendForce прогнозируют снижение цен на память eMMC в третьем квартале на 8–13 %.

 Источник изображения: TrendForce

Источник изображения: TrendForce

Крупная китайская распродажа «618», прошедшая в июле, не оправдала ожиданий и не обеспечила рост спроса на китайские смартфоны. Поэтому спрос на флеш-память UFS не вырос. При этом такая ситуация наблюдается не только среди китайских производителей. Та же южнокорейская компания Samsung считает, что спрос на память UFS в ближайшее время вряд ли увеличится, поэтому компания прогнозирует ослабление этого рынка во второй половине 2022 года. Изначально производители этой памяти не считали, что снижением цен смогут стимулировать рост поставок и поэтому неохотно шли на подобные переговоры. Сейчас же, когда запасы UFS на складах становятся слишком большими, снижение цен выглядит неизбежным. По прогнозам, память UFS подешевеет примерно на 8–13 % в третьем квартале.

Изначально предполагалось, что пиковый сезон продаж, а также снятие ограничительных мер в Китае освежит рынок и приведёт к росту спроса на кремниевые пластины для производства чипов флеш-памяти 3D NAND. Однако спрос на эту продукцию продолжает падать, а запасы производителей — увеличиваться. В конечном итоге и они будут вынуждены снизить цены на свои услуги. По мнению аналитиков, стоимость кремниевых пластин для производства чипов флеш-памяти 3D NAND упадёт в третьем квартале на 15–20 %.

Samsung, SK hynix и Micron заняли 85 % рынка памяти для смартфонов

Компания Strategy Analytics оценила расстановку сил на глобальном рынке чипов памяти для мобильных устройств по итогам первого квартала текущего года. Лидером является южнокорейский гигант Samsung, контролирующий практически половину отрасли.

 Источник изображения: Samsung

Источник изображения: Samsung

По оценкам, суммарный объём поставок оперативной памяти DRAM и флеш-памяти NAND для смартфонов в период с января по март включительно составил в денежном выражении $11,5 млрд.

Приблизительно 46 % от указанной цифры составила выручка Samsung. На втором месте в рейтинге ведущих поставщиков находится SK Hynix с долей в 24 %, а замыкает тройку Micron с 15 %. Таким образом, сообща эти три компании удерживают 85 % мирового рынка.

 Источник изображения: Strategy Analytics

Источник изображения: Strategy Analytics

Продажи памяти NAND за год поднялись на 7 %. В тройку крупнейших поставщиков входят Samsung, SK Hynix и Kioxia с результатом соответственно 39 %, 23 % и 20 %. Доля флеш-чипом ёмкостью 128 Гбайт в общем объёме поставок достигла 45 %.

В то же время в сегменте DRAM по итогам первой четверти 2022-го зафиксирован 7-процентный спад продаж. Здесь лидируют Samsung (52 % в общем объёме выручки), SK Hynix (25 %) и Micron (22 %).

Рынок флеш-памяти NAND в III квартале перенасытится — потребительские SSD слегка подешевеют

Компания TrendForce представила прогноз по глобальному рынку флеш-памяти NAND на третий квартал текущего года. Аналитики полагают, что цены на соответствующую продукцию по сравнению со второй четвертью 2022-го либо не изменятся, либо несколько снизятся.

 Источник изображения: Micron

Источник изображения: Micron

По оценкам TrendForce, в период с июля по сентябрь NAND-отрасль столкнётся с перенасыщением. Связано это с продолжающейся пандемией, высокой инфляцией и сложившейся геополитической ситуацией. На этом фоне, в частности, сократились продажи смартфонов. Кроме того, упал спрос на потребительские ноутбуки и хромбуки, оборудованные твердотельными накопителями.

В этой связи цены на флеш-модули eMMC и UFS, применяемые в сотовых аппаратах, а также на клиентские SSD в следующем квартале снизятся на 3–8 % по сравнению со второй четвертью текущего года. Впрочем, затем производство твердотельных накопителей постепенно вернётся к прежним объёмам. Так, Kioxia и WDC месяц за месяцем наращивают выпуск NAND-памяти.

 Источник изображения: TrendForce

Источник изображения: TrendForce

Что касается корпоративных твердотельных накопителей, то заказы со стороны крупных центров обработки данных остаются стабильными, а объёмы складских запасов не слишком высоки. Эти факторы способствуют устойчивому росту, а поэтому цены в третьем квартале не изменятся.

В целом, подчёркивает TrendForce, стоимость флеш-памяти NAND на мировом рынке в следующей четверти года понизится на 0–5 %.

Забастовка корейских дальнобойщиков начала негативно влиять на деятельность предприятия Samsung в Китае

Рост цен на топливо поставил под сомнение целесообразность осуществления трудовой деятельности водителей грузового транспорта в Южной Корее, поэтому они уже неделю бастуют, требуя повысить уровень оплаты труда. Корейская промышленность уже потеряла более $1,2 млрд в результате забастовки, затронуто и производство микросхем памяти Samsung на территории Китая.

 Источник изображения: Reuters, Byungwook Kim

Источник изображения: Reuters, Byungwook Kim

Как поясняет Reuters, забастовка корейских водителей препятствует ритмичным поставкам изопропилового спирта, который используется для очистки кремниевых пластин, из которых китайское предприятие Samsung изготавливает микросхемы твердотельной памяти. Задержка уже измеряется недельным запасом спирта, что способно вызвать перебои в производстве твердотельной памяти. У компании в китайском Сиане есть две линии по производству микросхем NAND, они обеспечивают до 43 % объёмов выпуска данной продукции Samsung, а в глобальном измерении это соответствует 15 % мирового рынка.

Ранее в этом году деятельность китайского предприятия Samsung была нарушена локдаунами, введёнными местными властями для борьбы с распространением коронавирусной инфекции. Снижение выработки памяти вызвало рост цен. Не исключено, что забастовка водителей в Южной Корее сделает свой негативный вклад в дальнейший рост цен на память, хотя разгоняющаяся инфляция и без того этому способствует.

window-new
Soft
Hard
Тренды 🔥
Новая статья: Hard West 2 — в погоне за дьяволом. Рецензия 9 ч.
Новый трейлер ремейка первой «Готики» посвятили старой шахте и её опасностям 9 ч.
THQ Nordic подтвердила переосмысление Alone in the Dark и анонсировала интерактивный тизер 10 ч.
Sega возлагает на Sonic Frontiers большие надежды и всё ещё не собирается переносить игру 11 ч.
AMD выпустила драйвер Radeon Software: Adrenalin Edition 22.8.1 с поддержкой Marvel’s Spider-Man Remastered 12 ч.
Авторы стратегии Total War: Warhammer III в деталях показали огромную карту из обновления Immortal Empires 13 ч.
Hogwarts Legacy получила точную дата релиза — в этом году игра всё-таки не выйдет 13 ч.
Следующей игрой авторов Owlboy оказалось забытое кооперативное приключение о викингах на батутах Vikings on Trampolines 13 ч.
Супергеройский экшен Marvel’s Spider-Man Remastered наконец приземлился на ПК 14 ч.
Первый сезон MultiVersus стартует 15 августа, но Морти добавят только спустя неделю 16 ч.