Сегодня 19 марта 2024
18+
MWC 2018 2018 Computex IFA 2018
реклама
Теги → nand
Быстрый переход

WD создала SSD на памяти QLC, которые оказались быстрее SSD на базе TLC

Western Digital представила твердотельные накопители PC SN5000S на базе чипов флеш-памяти QLC, которые демонстрируют более высокую производительность по показателям скорости чтения и записи, чем предшественники на базе заведомо более скоростной памяти TLC.

 Источник изображений: Western Digital

Источник изображений: Western Digital

PC SN5000S — новейшая серия потребительских твердотельных накопителей объёмом до 2 Тбайт, выпускающихся компанией в полноразмерном формате M.2 2280 и компактном формате M.2 2230. Серия пришла на замену накопителям PC SN740, предлагающимся в тех же объёмах и разъёмах.

Модель Western Digital PC SN5000S объёмом 2 Тбайт с памятью QLC по скорости записи до 16,5 %, а по скорости чтения до 15,5 % быстрее по сравнению с моделью SN740 того же объёма, но с памятью TLC. Модель SN740 объёмом 1 Тбайт по-прежнему чуть быстрее по записи, чем SN5000S, но по скорости чтения отстаёт от новинки на 14,3 %. Преимуществом накопителя SN5000S объёмом 2 Тбайт над предшественником также является на 100 TBW (терабайт перезаписанной информации) более высокий запас ресурса работы. Однако ресурс нового SSD объёмом 1 Тбайт на 100 TBW ниже (300 TBW против 400 TBW у SN740 того же объёма). Недостатком новой серии SSD также можно считать чуть более высокий показатель энергопотребления.

 Источник изображения: Tom's Hardware

Источник изображения: Tom's Hardware

Как правило, накопители на базе флеш-памяти NAND QLC отстают от SSD на базе других типов флеш-памяти. Объясняется это тем, что память QLC хранит четыре бита информации в одной ячейке, что сказывается на итоговой производительности не в лучшую сторону. Напомним, что флеш-память SLC хранит один бит информации на ячейку, MLC-память — два бита информации, а TLC — три бита. Чем меньше битов хранится в ячейке, тем она быстрее и долговечнее. Хотя возможность хранения большего количества битов на ячейку увеличивает плотность памяти, необходимость чтения и записи большего количества битов приводит к снижению производительности и в целом повышает износ памяти NAND.

Для улучшения производительности накопителей на базе памяти QLC и других многоразрядных типов памяти NAND существует несколько способов. Пожалуй, самым очевидным является использование кеш-памяти SLC в составе накопителя. Хотя QLC, как уже говорилось выше, хранит четыре бита информации в ячейке, накопителю при наличии кеш-памяти SLC необязательно заполнять все четыре бита информации при записи. SSD будут работать гораздо лучше, если обозначить часть ячеек памяти в качестве псевдо-SLC. Правда, для этого занимаются пустые ячейки, что в конечном итоге сокращает доступный объём самого SSD.

Несмотря на недостатки памяти QLC и других многоразрядных типов флеш-памяти NAND некоторые производители, например, Samsung, заинтересованы в дальнейшем развитии этой технологии. Так как обычным потребителям не всегда нужна лучшая производительность и надёжность, а при выборе SSD предпочтение чаще отдаётся исходя из цены и объёма накопителя, модели SSD на базе памяти QLC обычно являются наиболее экономичным выбором покупателя. В свою очередь, накопители на памяти SLC с низкой плотностью лучше подходят для серверов, где высокая производительность и надёжность оказываются гораздо полезнее.

Поставщики флеш-памяти NAND вернулись к наращиванию производства

Благодаря эффективному сокращению производства в прошлом году цены на компьютерную память начали расти, и рынок стал демонстрировать признаки восстановления. С точки зрения динамики рынка и коррекции спроса сегмент NAND как одного из двух направлений компонентов памяти переживает новый виток изменений, уверены аналитики TrendForce.

 Источник изображения: samsung.com

Источник изображения: samsung.com

С III квартала 2023 года цены на чипы NAND пошли в рост — аналитики уверены, что в 2024 году при условии консервативных перспектив рыночного спроса динамика цен на чипы будет зависеть от загрузки мощностей у производителей. Гендиректор производителя контроллеров памяти Silicon Motion Уоллес Коу (Wallace C. Kou) заявил, что цены на память NAND на II квартал уже установились, и их рост составит 20 %; некоторые поставщики вышли на прибыльность в I квартале, а большинство достигнет этого результата после II квартала. Глава другого производителя контроллеров Phison Пуа Кхейн Сенг (Pua Khein Seng) опасается, что дальнейшее повышение цен на SSD способно существенно снизить спрос на рынке: если цены слишком высокие, спрос снова может начать колебаться. Он предлагает производителям чипов NAND прекратить сокращать производство и начать удовлетворять спрос вместо того, чтобы поднимать цены за счёт низкого предложения и высокого спроса.

Расположенный в китайском Сиане завод Samsung по производству чипов NAND во второй половине 2023 года снизил свою производительность до 20–30 %, а к настоящему моменту восстановил её примерно до 70 %. Этот завод — единственное расположенное за пределами Кореи предприятие Samsung по выпуску чипов памяти. Его мощность составляет 200 тыс. 300-мм пластин в месяц или 40 % от общего объёма NAND у Samsung. Компания планирует модернизировать этот завод для выпуска 236-слойных чипов NAND и начать масштабное расширение — необходимое оборудование здесь начнёт развёртываться уже в этом году. Kioxia недавно заявила, что пересмотрит план сокращения производства флеш-памяти, реализуемый с 2022 года, и начнёт наращивать выпуск. Уже в марте компания намеревается загрузить мощности примерно на 90 % — точный показатель будет зависеть от спроса.

 Крупнейшие производители NAND в IV квартале 2023 года. Источник изображения: samsung.com

Крупнейшие производители NAND в IV квартале 2023 года. Источник изображения: samsung.com

Аналитики уверены, что за I квартал 2024 года контрактные цены на чипы NAND вырастут на 20–25 %. Общий прогноз спроса на II квартал остаётся консервативным, тем более, что некоторые клиенты уже начали пополнять свои запасы в I квартале — в итоге рост цен во II квартале составит 10–15 %.

На рынке NAND доминируют пять крупнейших производителей, но львиная доля принадлежит Samsung (36,6 % в IV квартале 2023 года) и SK hynix (21,6 %). За ними следуют Western Digital (14,5 %), Kioxia (12,6 %) и Micron (9,9 %). Western Digital планирует осуществить слияние с Kioxia ещё с 2021 года, но две компании по разным причинам ещё не смогли реализовать этот план — стороны, вероятно, возобновят переговоры в конце апреля. Если они договорятся, то новая объединённая компания будет контролировать более 30 % рынка NAND, что существенно изменит его ландшафт. Недавно Western Digital сообщила, что намеревается отделить бизнес по производству флеш-памяти, а под своим старым наименованием она будет выпускать только жёсткие диски.

По итогам IV квартала 2023 выручка всей отрасли NAND составила $11,49 млрд, что на 24,5 % больше, чем кварталом ранее. Несмотря на значительное увеличение уровня запасов в цепочке поставок и продолжающийся рост цен, клиенты продолжат увеличивать объёмы заказов во избежание возникновения дефицита поставок и роста затрат. Таким образом, несмотря на традиционное межсезонье, аналитики TrendForce прогнозируют, что за I квартал рост выручки по отрасли составит 20 %, а контрактные цены на чипы NAND в среднем поднимутся на 25 %.

Мировые продажи NAND выросли на четверть за прошлый квартал и скоро прибавят ещё 20 %

Выручка всей мировой индустрии производства флеш-памяти NAND по итогам IV квартала 2023 года продемонстрировала рост на 24,5 % по сравнению с предыдущим кварталом и достигла $11,49 млрд. Благодаря рекламным акциям спрос на продукцию в конце года стабилизировался, а на рынке компонентов увеличилось число заказов.

 Источник изображения: samsung.com

Источник изображения: samsung.com

В I квартале 2024 года, несмотря на традиционно слабые сезонные показатели, ожидается дальнейший рост выручки в сегменте чипов NAND на 20 %, уверяют аналитики TrendForce. Чтобы избежать дефицита поставок и связанного с ним роста затрат, клиенты увеличивают объёмы заказов, а цены на продукцию продолжают расти. Контрактные цены на чипы NAND, как ожидается, в среднем поднимутся на 25 %.

Лидером сегмента чипов NAND осталась Samsung в первую очередь из-за резкого роста спроса на серверы, ноутбуки и смартфоны. Корейский производитель выполнил клиентские заказы не в полной мере, но нарастил поставки в битах на 35 % кварта к кварталу, а средняя цена продажи (ASP) увеличилась на 12 % — в результате выручка компании по сегменту достигла $4,2 млрд, и это рост на 44,8 % по сравнению с предыдущим кварталом. SK Group (SK hynix и Solidigm) добилась роста выручки на 33,1 % до $2,48 млрд.

 Источник изображения: trendforce.com

Источник изображения: trendforce.com

Объёмы поставок Western Digital снизились на 2 %, но ASP увеличилась на 10 %, в результате чего доход подразделения по производству NAND вырос на 7 % до $1,67 млрд. На розничном рынке SSD отметился значительный рост поставок, из-за которого уровень запасов сократился до четырёхлетнего минимума. Kioxia помогли заказы клиентов в сегментах ПК и смартфонов — выручка увеличилась на 8 % до $1,44 млрд в IV квартале.

После проблем, связанных с избытком предложения в 2023 году, цены в IV квартале выросли почти на 10 %. Чтобы повысить прибыльность, Micron на 10 % сократила поставки в битах, и выручка в сравнении с предыдущим кварталом уменьшилась на 1,1 % до $1,14 млрд. В этом году американская компания ожидает роста спроса на память NAND на 15–20 %, подчёркивая необходимость постоянного контроля мощностей для достижения баланса между спросом и предложением для поддержания прибыльности в отрасли.

Micron представила самые компактные микросхемы флеш-памяти UFS 4.0 для смартфонов

Компания Micron представила на выставке MWC 2024 самые компактные микросхемы флеш-памяти стандарта UFS 4.0, предназначенные для смартфонов, планшетов и других мобильных устройств. Размеры упаковки чипа составляет всего 9 × 13 мм. Они будут выпускаться в объёмах до 1 Тбайт и предложат скорости последовательного чтения и записи до 4300 и 4000 Мбайт/с соответственно.

 Источник изображений: Micron

Источник изображений: Micron

Новые микросхемы памяти Micron UFS 4.0 построены на базе 232-слойных чипов 3D TLC NAND. Сокращение размеров микросхем компания объясняет потребностью производителей смартфонов и других мобильных устройств в оснащении своих продуктов более крупными батареями. Новые микросхемы памяти стандарта UFS 4.0 от компании Micron являются результатом совместных усилий специалистов компании из лабораторий в США, Китае и Южной Корее.

Площадь новых микросхем сократилась на 20 % по сравнению с чипами UFS производителя, выпущенных в июне прошлого года. Компания заявляет, что сокращение размера микросхем также привело к снижению их энергопотребления, но без потери в общей производительности. В новых чипах памяти Micron используется новая проприетарная технология HPM (High-Performance Mode), которая оптимизирует производительность памяти при интенсивном использовании смартфона и повышает её скорость работы на 25 %.

Micron сообщила, что уже начала поставки образцов памяти UFS 4.0 OEM-производителям устройств. Компания предлагает микросхемы ёмкостью 256 и 512 Гбайт, а также объёмом 1 Тбайт.

Samsung вдвое сократила производство флеш-памяти NAND даже на фоне роста цен

Цены на твердотельную память растут с октября, и в декабре прошлого года они последовательно увеличились на 8,87 %, прервав многомесячный тренд падения. Тем не менее, крупнейший производитель памяти в лице Samsung Electronics считает нужным продолжать сокращение объёмов выпуска NAND ради дальнейшей стабилизации ситуации на рынке.

 Источник изображения: Samsung Electronics

Источник изображения: Samsung Electronics

Об этом сообщило южнокорейское издание The Chosun Daily со ссылкой на представителей полупроводниковой отрасли. Профильные мощности Samsung по выпуску памяти типа NAND сейчас загружены лишь на 50 %, и компания не считает нужным прекращать сокращение объёмов выпуска такой продукции в текущих условиях. По словам представителей Samsung, взятый на снижение объёмов производства флеш-памяти курс пока остаётся неизменным.

Как поясняют эксперты, проблема заключается в сохраняющейся высокой концентрации владельцев серверных систем на приобретении компонентов, которые нужны для повышения производительности систем искусственного интеллекта. К ним в первую очередь относятся память типа HBM и DDR, ускорители вычислений и центральные процессоры. Накопители как таковые для модернизации серверного парка сейчас закупаются по остаточному принципу. Многие компании даже предпочитают в этом случае отказаться от твердотельных накопителей в пользу более медленных, но более вместительных жёстких дисков на магнитных пластинах.

Новая статья: NAND/DRAM, почему стоим? или Микросхемы памяти у предела миниатюризации

Данные берутся из публикации NAND/DRAM, почему стоим? или Микросхемы памяти у предела миниатюризации

Kioxia предложила SK Hynix дать доступ к своим японским заводам, чтобы провернуть сделку с Western Digital

Японский производитель микросхем 3D NAND Kioxia предложил своему инвестору, компании SK Hynix, производственные линии в Японии для выпуска памяти, надеясь тем самым изменить его мнение о слиянии с Western Digital, чтобы возобновить переговоры по этому поводу, сообщил в пятницу ресурс Reuters со ссылкой на информационное агентство Jiji.

 Источник изображения: Kioxia

Источник изображения: Kioxia

Как сообщается, переговоры между Kioxia и Western Digital, проходившие в прошлом году, зашли в тупик из-за несогласия SK Hynix, опасающейся появления крупного конгломерата на рынке энергонезависимой памяти, с которым ей было бы сложно конкурировать. Kioxia надеется добиться одобрения сделки со стороны SK Hynix в обмен на предоставление ей возможности производить чипы на японских заводах, управляемых совместно Kioxia и Western Digital, пишет Jiji.

Реализация этого предложения позволила бы SK Hynix значительно увеличить объёмы производства памяти 3D NAND, не инвестируя в расширение своих мощностей или создание новых линий. Финансовая сторона возможной сделки между Kioxia и Western Digital пока неизвестна. И на данный момент ни одна из сторон не подтвердила существования такого предложения.

 Источник изображения: TrendForce

Источник изображения: TrendForce

Согласно данным аналитиков TrendForce за III квартал 2023 года, в случае объединения Kioxia и Western Digital образовавшийся конгломерат будет контролировать примерно треть (31,4 %) мирового рынка 3D NAND по выручке. Это значительно выше доли SK Hynix (20,2 %) и сопоставимо с долей Samsung (31,4 %). Вместе с тем, если даже часть производственных мощностей Kioxia перейдёт к SK Hynix, новая компания, скорее всего, всё же будет крупнее южнокорейского производителя памяти, что объясняет, почему он всё равно будет считать это слияние серьёзной угрозой.

YMTC назвала новейшие американские санкции совершенно безосновательными

Недавнее включение китайской компании YMTC в так называемый список 1260H американским военным ведомством определённо создаст крупнейшему производителю твердотельной памяти в КНР определённые трудности, но свою причастность к поддержке китайской армии он всячески отрицает и считает шаги американской стороны несправедливыми и безосновательными.

 Источник изображения: YMTC

Источник изображения: YMTC

Как отметило издание South China Morning Post, представители YMTC не только опровергли любую причастность компании к выполнению оборонных заказов в Китае, но и заявили о своей готовности вести переговоры с Вашингтоном об исключении этого производителя памяти из злополучного списка 1260H. Для самой компании появление её имени в данном перечне стало полнейшим сюрпризом, и в YMTC подчёркивают, что её продукция не годится для применения в оборонной сфере в принципе. Никто из клиентов YMTC никогда не декларировал использование памяти этой марки для создания техники оборонного назначения.

Более того, YMTC подчёркивает, что является частной компанией без каких-либо связей с оборонным ведомством КНР, и все обвинения в наличии угрозы с её стороны для американской национальной безопасности считает беспочвенными. Включение в список 1260H, как поясняет источник, потенциально грозит YMTC не только отказом американских клиентов от сотрудничества в оборонной сфере, но и блокировкой финансовых операций за пределами Китая со стороны профильных органов власти США.

С декабря 2022 года YMTC находится под санкциями США, касающимися экспорта из страны технологий и оборудования для производства памяти. В условиях таких ограничений компании пришлось активнее приобретать оборудование китайского производства. Скорее всего, поводом для новых санкций со стороны США стали крупные инвестиции в капитал YMTC, якобы полученные от поддерживаемых государством фондов в Китае.

Samsung расскажет в феврале о 280-слойной флеш-памяти 3D QLC NAND и 32-гигабитных чипах DDR5-8000

Помимо рассказа о чипах памяти GDDR7 со скоростью 37 Гбит/с на контакт компания Samsung Electronics на конференции 2024 IEEE-SSCC в феврале также раскроет подробности и о других инновационных продуктах в области разработки микросхем памяти. Например, компания расскажет о будущих 280-слойных чипах флеш-памяти 3D QLC NAND объёмом 1 Тбит. В перспективе они будут использоваться в потребительских твердотельных накопителях и смартфонах.

 Источник изображения: TechPowerUp

Источник изображения: TechPowerUp

Указанные чипы флеш-памяти Samsung предложат плотность 28,5 Гбит/мм2 и скорость 3,2 Гбайт/с. Для сравнения, текущие самые быстрые чипы флеш-памяти 3D NAND, использующиеся в самых передовых NVMe-накопителях, обеспечивают скорость передачи данных до 2,4 Гбайт/с.

Samsung также расскажет на мероприятии о новом поколении чипов памяти DDR5 стандарта DDR5-8000 с ёмкостью 32 Гбит (4 Гбайт). В этих микросхемах используется симметричная мозаичная архитектура ячеек памяти. Сами чипы будут производиться с использованием 5-го поколения техпроцесса Samsung 10-нм класса.

На основе таких микросхем производители модулей оперативной памяти смогут в перспективе выпускать одноранговые планки памяти DDR5-8000 объём 32 и 48 Гбайт или двухранговые модули памяти объёмом 64 или 96 Гбайт.

Южнокорейская полупроводниковая отрасль разрывается между Китаем и США в условиях санкций

Южнокорейские производители памяти, которые сообща контролируют 60 % мирового рынка, в условиях нарастающего противостояния США и Китая, оказались буквально между двух огней. С одной стороны, им удалось добиться послаблений от властей США для развития своего бизнеса в Китае. С другой стороны, Китай является крупнейшим внешнеторговым партнёром Южной Кореи, а полупроводниковая отрасль остаётся важнейшей частью национальной экономики.

 Источник изображения: SK hynix

Источник изображения: SK hynix

Как поясняет South China Morning Post, дипломатические усилия южнокорейских властей привели к тому, что южнокорейские компании Samsung Electronics и SK hynix получили право поставлять в Китай оборудование для производства памяти в обход общепринятых экспортных ограничений со стороны США. При этом, как долго будут действовать подобные послабления, сказать сложно, но американская экономика в сохранении такого положения дел тоже заинтересована, поскольку Южная Корея выпускает почти 60 % микросхем памяти DRAM и NAND, реализуемой на мировом рынке.

Отказавшись от намерений самостоятельно выпускать флеш-память, корпорация Intel в конце 2021 года продала своё предприятие в китайском Даляне южнокорейской компании SK hynix за $9 млрд. На следующий год американские власти начали ограничивать инвестиции производителей памяти в китайскую экономику, но представители SK hynix заявляют, что у них по-прежнему нет намерений избавляться от китайского предприятия.

Предприятие SK hynix в Даляне в условиях американских санкций могло бы стать для компании обузой, и развитие соответствующей площадки пока идёт с пробуксовкой. Корейские инвесторы уже построили корпус нового предприятия рядом с существующим, но пока не торопятся оснащать его необходимым оборудованием. Расплачиваться за эту покупку SK hynix предстоит до следующего года включительно, а на фасаде предприятия до сих пор красуется логотип Intel. По мнению аналитиков, SK hynix старается избегать резких движений в год президентских выборов в США, поскольку смена политической конъюнктуры может помешать компании развивать свой бизнес на территории КНР.

Ситуация породила слухи о намерениях SK hynix продать предприятие в Даляне, но руководство компании в прошлом году в очередной раз опровергло эту информацию: «Мы вообще не рассматриваем возможность продажи своих предприятий в Даляне. SK hynix продолжит свою деятельность в Китае, одновременно соблюдая законы в тех юрисдикциях, в которых ведёт бизнес, и делая свой вклад в развитие полупроводниковой отрасли в целом» . Важно отметить, что корейские производители памяти сильно зависят от американских поставщиков оборудования для выпуска своей продукции, поэтому пренебрегать интересами американских партнёров они не могут ещё и по этой причине.

Международный валютный фонд уже предупредил, что Южная Корея может сильнее прочих государств Азиатско-Тихоокеанского региона пострадать в результате так называемой торговой войны между США и КНР, выражающейся в постоянном расширении взаимных ограничений на оборот капитала и товаров между двумя этими странами. Компаниям Samsung Electronics и SK hynix даже пришлось повысить расходы на лоббирование своих интересов как внутри Южной Кореи, так и на уровне правительственных структур США. Как можно судить по предоставленным компаниям льготам на работу в Китае, пока эти усилия приносят свои плоды, но что произойдёт после ноябрьских выборов президента США, никто с уверенностью сказать не может.

Для самой Южной Кореи китайский рынок остаётся крупнейшим с точки зрения товарооборота, но США занимают второе место, а также обеспечивают безопасность самого азиатского государства, поэтому местным политикам приходится соблюдать шаткий баланс интересов. Непосредственно SK hynix, которая является вторым по величине производителем памяти в мире, 27 % своей выручки получает именно на китайском рынке.

При этом сторонние эксперты отмечают, что корейские компании стали наращивать экспорт продукции в США весьма активно, и это направление поставок впервые более чем за двадцать лет затмило по своим оборотам китайское к началу текущего года. Если конфронтация между США и КНР продолжит усиливаться, корейским производителям придётся в определённых условиях делать непростой выбор.

Цены на DRAM и NAND будут расти весь год, но поставщикам нужно жёстко контролировать объёмы производства

Падение контрактных цен на DRAM, начавшееся ещё в четвёртом квартале 2021 года, удалось окончательно остановить лишь в четвёртой четверти 2023 года. Также в третьем квартале 2023 года удалось начать восстановление сегмента NAND, который демонстрировал спад четыре квартала подряд. И если производители сумеют удержать эффективный контроль над уровнем загрузки своих мощностей, восходящий тренд удастся сохранить, уверены аналитики TrendForce.

 Источник изображения: samsung.com

Источник изображения: samsung.com

Сезон роста откроется уже в текущем, первом квартале 2024 года, говорят аналитики TrendForce, подтверждая свои первоначальные прогнозы: рост цен на DRAM на 13–18 % и подорожание NAND на 18–23 % квартал к кварталу. Несмотря на в целом консервативный прогноз спроса во II квартале 2024 года, поставщики чипов памяти начали повышать коэффициенты загрузки мощностей уже в III квартале 2023 года. Ожидается, что покупатели NAND досрочно завершат пополнение запасов в I квартале 2024 года. Всё это уже привело к более умеренному росту цен в квартальном исчислении — на 3–8 % для DRAM и NAND в прогнозе на II квартал 2024 года.

 Источник изображения: trendforce.com

Источник изображения: trendforce.com

III квартал 2024 года ознаменуется традиционным пиковым сезоном, когда североамериканские клиенты начнут энергичнее пополнять запасы ключевых компонентов. Контрактные цены на DRAM и NAND продолжат рост, который составит 8–13 %, но лишь при условии, что загрузка мощностей будет поддерживаться ниже 100 %. На рынке DRAM дальнейшему увеличению средней цены продажи (ASP) будут способствовать растущие темпы проникновения DDR5 и HBM.

Продолжение общего роста цен ожидается и в IV квартале 2024 года, опять же, если сохранится эффективная стратегия контроля производства. Рост цен квартал к кварталу составит 8–13 % — снова за счёт DDR5 и HBM, хотя по DDR5 к этому моменту не исключается и снижение показателей. Другими словами, рост контрактных цен в сегменте DRAM в 2024 году отражает изменения в ассортименте продукции, а не общий рост по всем чипам DRAM. Контрактные цены на NAND в IV квартале 2024 года вырастут на 0–5 % по сравнению с предыдущим кварталом.

SSD продолжат дорожать: цены на флеш-память вырастут на 15–20 % до конца марта

После затяжного периода, характеризовавшегося излишками микросхем памяти типа NAND на рынке, производители стараются привести предложение и спрос в состояние равновесия. По оценкам экспертов TrendForce, уже в этом квартале контрактные цены на флеш-память вырастут на 15–20 %, при этом клиенты увеличат объёмы закупок.

 Источник изображения: SK hynix

Источник изображения: SK hynix

Ситуация с политикой производителей в первом квартале будет неоднородной, как считает источник, но некоторые из них начнут наращивать объёмы выпуска продукции. Если спрос при этом не вырастет пропорционально для компенсации увеличенного предложения, то цены на твердотельную память могут опуститься во второй половине текущего года.

В сегменте клиентских твердотельных накопителей цены в прошлом квартале выросли на 13–18 %, а в этом квартале они прибавят ещё 15–20 %, поскольку производители ПК будут их активно закупать, особенно в сегменте ноутбуков. Сейчас на этом рынке активно происходит распространение накопителей с интерфейсом PCI Express 4.0, производители заключают с клиентами крупные контракты.

В корпоративном сегменте спрос со стороны американских провайдеров облачных услуг на твердотельные накопители пока не начал расти, но зато соответствующее поведение демонстрируют их китайские конкуренты, а также независимые производители серверного оборудования. Корпоративные клиенты стараются закупить запас твердотельных накопителей, пока цены не выросли ещё сильнее. Если в прошлом квартале они увеличились на 10–15 %, то в этом могут вырасти на 18–23 %.

В сегменте так называемых хромбуков и смартфонов спрос на твердотельную память тоже стабилизируется. Производители активно поднимают цены, а в сегменте накопителей типа eMMC начальной ёмкости возник заметный дефицит. По всей номенклатуре таких накопителей в первом квартале контрактные цены могут вырасти на 18–23 %, хотя в прошлом квартале всё ограничилось повышением цен на 10–15 %.

 Источник изображения: TrendForce

Источник изображения: TrendForce

В сегменте UFS запасы продукции на стороне клиентов, выпускающих смартфоны, достигли критически низких значений, особенно если речь идёт о решениях поколения UFS 4.0. Производители смартфонов начали увеличивать объёмы закупок соответствующей памяти. Рост цен на кремниевые пластины в конце прошлого года усугубил желание производителей памяти быстрее отбить возросшие расходы, что сказывается на росте цен. На некоторые виды продукции в сегменте UFS цены выросли на 30 %, а в целом по первому кварталу представители прогнозируют их рост на 18–23 %, в основном за счёт рынка смартфонов.

Кремниевые пластины с памятью типа NAND в текущем квартале в среднем подорожают на 8–13 %, поскольку ситуация с неопределённостью динамики спроса не позволяет поставщикам в полной мере получить выгоду от роста отпускных цен. В среднем контрактные цены на микросхемы NAND в текущем квартале вырастут на 15–20 %, как считают аналитики TrendForce, тогда как в прошлом квартале они увеличились на 13–18 %.

Падение прибыли Samsung в прошлом квартале должно было стать минимальным за полтора года

На этой неделе южнокорейский гигант Samsung Electronics отчитается о предварительных итогах прошлого квартала, но даже такие значения для инвесторов станут важным индикатором состояния всего рынка полупроводниковых компонентов, поскольку эта компания является его крупнейшим участником. Прибыль Samsung должна сократиться на 14 %, что соответствует минимальному снижению за шесть предыдущих кварталов.

 Источник изображения: Samsung Electronics

Источник изображения: Samsung Electronics

Даже отрицательная динамика прибыли, по словам South China Morning Post, в этом случае станет хорошим сигналом для участников рынка и инвесторов, поскольку прибыль крупнейшего производителя памяти по крайней мере замедлит темпы снижения до минимального за полтора года значения. Консенсус 30 аналитиков гласит, что в прошлом квартале операционная прибыль Samsung наверняка сократилась на 35 % до $2,82 млрд в годовом сравнении. Последний раз компания отчитывалась о росте квартальной прибыли в годовом сравнении во втором квартале 2022 года.

Полупроводниковый бизнес Samsung, как ожидается, в прошлом квартале ограничил свои операционные убытки суммой около $912 млн, что в три с лишним раза меньше, чем наблюдалось во втором и третьем кварталах прошлого года. Цены на память типов DRAM и NAND в четвёртом квартале начали расти, и это во многом способствовало улучшению динамики финансовых показателей деятельности Samsung. По оценкам TrendForce, в мобильном сегменте цены на DRAM в прошлом квартале выросли на 18–23 %, а цены на память типа NAND в мобильном сегменте могли увеличиться на 10–15 %. С первого полугодия Samsung неоднократно сокращала объёмы производства памяти, чтобы стимулировать рост цен. В прошлом квартале она также более активно распродавала запасы продукции по сравнению с конкурентами. Как ожидают эксперты, в сегменте DRAM компания Samsung уже должна была выйти на безубыточность в прошлом квартале.

В мобильном сегменте операционная прибыль Samsung могла в прошлом квартале достичь $1,9 млрд, отрицательное влияние на неё могли оказать снижающиеся объёмы продаж флагманских моделей смартфонов с гибким дисплеем. Каждая из двух моделей сократила объёмы реализации на 1 млн штук по сравнению с третьим кварталом, как считают аналитики.

Флеш-память NAND продолжит дорожать, чтобы производители вернулись к прибыльности — ещё как минимум на 40–50 %

В последние месяцы цены на флеш-память NAND росли после затяжного падения, но эксперты TrendForce поясняют, что текущий уровень ещё далёк от того, который обеспечит участникам рынка возврат к прибыльности. В результате в ближайшее время поставщики флеш-памяти будут вынуждены поднять цены как минимум на 40 %, чтобы уйти от убытков.

 Источник изображения: Samsung Electronics

Источник изображения: Samsung Electronics

Если же рассчитывать на получение прибыли, то производителям памяти нужно будет поднять цены на 50 % или даже выше, как убеждены представители TrendForce. По итогам прошлого квартала южнокорейская компания Samsung Electronics занимала первое место на рынке памяти типа NAND в показателях выручки с долей 31,4 %. На втором месте располагалась SK Group, в состав которой входят SK hynix и Solidigm (бывший бизнес Intel), с долей 20,2 %. Замыкает тройку лидеров американская Western Digital с долей рынка 16,9 %, а её партнёр Kioxia, с которой в этом году не состоялась сделка по объединению, довольствуется четвёртым местом и 14,5 % рынка.

 Источник изображения: TrendForce

Источник изображения: TrendForce

Крупные игроки рынка продолжают сокращать объёмы производства памяти типа NAND, поскольку этот вид продукции обеспечивает меньшую прибыль по сравнению с DRAM. Та же Samsung, например, с сентября текущего года сократила объёмы выпуска микросхем типа NAND на 50 % от максимально возможных. Предпочтение сейчас отдаётся выпуску 128-слойной памяти типа 3D NAND. В целом на рынке твердотельной памяти в некоторых сегментах уже наблюдается дефицит продукции, и это позволяет участникам двигать цены вверх. При этом точка окупаемости ещё не достигнута, и для её достижения поставщики микросхем NAND должны повысить цены ещё минимум на 40 %. В ближайшие кварталы цены будут только расти, как резюмируют специалисты TrendForce.

Рост спроса на память в серверном сегменте позволил Micron улучшить финансовый прогноз

В календаре Micron Technology тридцатого ноября завершился первый квартал фискального 2024 года, и говоря о показателях второго квартала, руководство сформировало благоприятный прогноз, который превзошёл ожидания аналитиков. Результаты минувшего квартала тоже оказались лучше прогнозных значений.

 Источник изображения: Micron Technology

Источник изображения: Micron Technology

Выручка Micron в минувшем квартале выросла на 16 % до $4,73 млрд против ожидавшихся $4,54 млрд. Чистые убытки за период составили $1,05 млрд или $1,23 млрд, в зависимости от методики расчёта. Операционные расходы удалось немного сократить по сравнению с аналогичным периодом предыдущего фискального года, до $1,093 млрд. Норма операционных убытков составила 23,9 %, операционные убытки достигли $1,128 млрд. Выручка от реализации памяти типа DRAM достигла $3,4 млрд или 73 % от совокупной. Профильная выручка последовательно выросла на 24 %, объёмы поставок в натуральном выражении выросли более чем на 20 %, а средняя цена реализации выросла на несколько процентов. На долю NAND пришлись $1,2 млрд или 26 % общей выручки, на этом направлении выручка выросла на 2 % последовательно, а средняя цена реализации увеличилась на 20 %. С точки зрения сегментов рынка самым активно растущим оказался мобильный, он увеличил свою часть выручки Micron на 97 % до $1,3 млрд.

По словам генерального директора Micron Санджея Мехротры (Sanjay Mehrotra), в прошедшем квартале компания добилась успехов не только за счёт повышения операционной дисциплины, но благодаря более высоким ценам на память по сравнению с ожидавшимися. В 2024 году, как он заявил, фундаментальные показатели деятельности компании будут улучшаться на протяжении всего периода, а ёмкость рынка по итогам 2025 календарного года достигнет рекордного значения. Особая ставка делается на продвижение памяти типа HBM в свете высокого спроса на системы искусственного интеллекта. Компания уже распродала всю память типа HBM, которую способна будет выпустить в 2024 году. В одноимённом фискальном периоде реализация HBM принесёт Micron сотни миллионов долларов выручки, по словам руководства. С технической точки зрения память этого типа является самым сложным видом продукции Micron, но и самым прибыльным. В минувшем фискальном квартале Micron уже отгрузила первым клиентам образцы микросхем типа HBM3E, которые обеспечивают на 10 % более высокое быстродействие и на 30 % сниженное энергопотребление по сравнению с конкурирующими предложениями этого типа.

О сотрудничестве с NVIDIA в этой сфере в презентации Micron было сказано отдельно. Сейчас память типа HBM3E производства Micron проходит последние этапы квалификационных испытаний, что позволит соответствующим микросхемам использоваться при производстве ускорителей NVIDIA GH200 и H200. Кроме того, микросхемы памяти Micron типа LPDDR5X уже используются в сочетании с процессорами NVIDIA Grace. Массовое производство HBM3E компания собирается начать в следующем календарном квартале.

В текущем фискальном квартале Micron рассчитывает выручить от $5,1 до $5,5 млрд, что выше ожидавшихся аналитиками $4,99 млрд. Убытки в пересчёте на одну акцию ограничатся диапазоном от 21 до 35 центов, тогда как аналитики прогнозировали до 62 центов убытков на одну акцию компании. После закрытия торгов акции Micron Technology выросли в цене на 4,8 %, хотя в ходе основной торговой сессии потеряли 4,2 %.

Глава Micron пояснил, что с точки зрения динамики цен 2024 год станет для отрасли по производству микросхем памяти периодом перехода к росту, но наращивать объёмы выпуска продукции компания будет осторожно. Сегмент ПК в 2024 календарном году вырастет на 2–5 %, как считает руководство Micron, сегмент смартфонов тоже демонстрирует признаки восстановления, но в 2024 году вырастет незначительно. В любом случае, в этих сегментах рынка покупатели хотя бы избавились от излишков памяти, как пояснил Мехротра. На ценах это сказывается благоприятным для производителей образом. С точки зрения баланса спроса и предложения на микросхемы памяти следующий год обеспечит возвращение к историческим уровням, как считает руководство компании. Предложение, во всяком случае, нормализуется уже в первой половине следующего года. В начале наступающего года DDR5 начнёт доминировать над DDR4 в структуре поставок продукции Micron. Для производства микросхемы HBM эквивалентной ёмкости требуется в два раза больше кремниевых пластин, чем для DDR5.

Распространение во второй половине следующего календарного года ПК с функцией ускорения работы систем искусственного интеллекта, по мнению представителей Micron, позволит увеличить среднее содержание оперативной памяти на один ПК на величину от 4 до 8 Гбайт, попутно увеличится и средняя ёмкость используемых твердотельных накопителей. В сегменте смартфонов прирост объёма оперативной памяти в силу появления такого фактора будет примерно таким же.

По итогам текущего года спрос на DRAM должен вырасти на 8–9 %, в сегменте твердотельной памяти он достигнет 19–19 %. В последующие годы спрос на DRAM будет измеряться 18–19 % в год, а на направлении NAND он достигнет 21–23 %. В 2024 году спрос на DRAM приблизится к этим показателям, а вот на рынке NAND темпы роста окажутся ниже. На протяжении 2024 года компания собирается удерживать поставки на уровне ниже потребностей рынка, чтобы способствовать реализации сохраняющихся складских запасов продукции.


window-new
Soft
Hard
Тренды 🔥
На смену Family Sharing в Steam придут «Семейные группы» с общей библиотекой, контролем за детьми и привязкой к региону 9 мин.
Nvidia запустила Quantum Cloud — облачный симулятор квантового компьютера для исследований 29 мин.
Telegram выгодно для себя привлёк $330 млн через продажу облигаций 32 мин.
Более 500 российских программистов приняли участие в совместном хакатоне Хоум Банка и «Сколково» 2 ч.
Всё своё ношу с собой: Nvidia представила контейнеры NIM для быстрого развёртывания оптимизированных ИИ-моделей 8 ч.
Nvidia AI Enterprise 5.0 предложит ИИ-микросервисы, которые ускорят развёртывание ИИ 9 ч.
NVIDIA запустила облачную платформу Quantum Cloud для квантово-классического моделирования 10 ч.
NVIDIA и Siemens внедрят генеративный ИИ в промышленное проектирование и производство 10 ч.
SAP и NVIDIA ускорят внедрение генеративного ИИ в корпоративные приложения 11 ч.
Microsoft проведёт в мае презентацию, которая положит начало году ИИ-компьютеров 11 ч.
Смарт-часы Xiaomi Watch S3 и Redmi Watch 4 для любителей активного образа жизни и ТВ-приставка Mi Box S 2 Gen для развлечений 44 мин.
SK hynix запустила массовое производство стеков памяти HBM3E — первой её получит Nvidia 2 ч.
Смартфоны Redmi Note 13 и 13 Pro+ 5G, планшет Xiaomi Pad 6 расширят возможности для работы и развлечений 3 ч.
Зарубежные поставщики Intel и TSMC не спешат строить свои предприятия в Аризоне 3 ч.
Nvidia и Synopsys внедрили искусственный интеллект в сфере литографической подготовки производства чипов 4 ч.
NVIDIA представила облачную платформу для исследований в сфере 6G 10 ч.
Ускорители NVIDIA H100 лягут в основу японского суперкомпьютера ABCI-Q для квантовых вычислений 11 ч.
NVIDIA показала цифрового двойника нового дата-центра с ИИ-ускорителями Blackwell 11 ч.
NVIDIA B200, GB200 и GB200 NVL72 — новые ускорители на базе архитектуры Blackwell 11 ч.
Новая статья: Система жидкостного охлаждения MSI MAG CoreLiquid E240: альтернатива суперкулеру? 12 ч.