Стало известно о готовящемся докладе инженеров компании Samsung на конференции IEEE International Solid-State Circuits Conference 2025. Это произойдёт 19 февраля. Специалисты расскажут о будущей 400-слойной памяти 3D NAND, которой пока нет ни у одного производителя в мире.

Источник изображения: blocksandfiles.com

Согласно данным о документе, у будущей памяти Samsung число рабочих слоёв будет более 400. Кристаллы с отдельными наборами слоёв будут стыковаться друг с другом в процессе производства (технология WF-Bonding или подложка к подложке), что позволяет упростить выпуск многослойных микросхем памяти.

Сегодня память с наибольшим количеством слоёв производят массово или в виде образцов компании SK Hynix (321 слой), Samsung (286), Micron (276), Western Digital и Kioxia (218) и SK Hynix Solidigm (192). При этом Western Digital, Kioxia и YMTC разрабатывают 300-слойную память, которую представят в наступающем году. Основная борьба за первенство разгорелась между SK Hynix и Samsung, которые готовы штурмовать рубежи памяти с 400 слоями и более.

Ожидаемый к представлению 400-слойный чип Samsung будет объёмом 1 Тбит с плотностью 28 Гбит/мм². В каждую ячейку будут записываться по три бита данных. Заявленная скорость обмена по каждому контакту будет достигать 5,6 Гбит/с, что на 75 % больше, если сравнивать с актуальными чипами памяти Samsung 9-го поколения (400-слойная память будет относиться к 10-му поколению V-NAND Samsung). Очевидно, что такая память подойдёт как для изготовления SSD с шиной PCIe 5.0, так и PCIe 6.0.

Более плотная память Samsung может подтолкнуть производителей к выпуску SSD объёмом 256 Тбайт и даже 512 Тбайт. Возможно это будет через год или через два. Подождём февральского доклада и более чётких позиций руководства Samsung в отношении производства новой памяти.

Китайский крупнейший производитель флеш-памяти YMTC теперь обрабатывает от 400 000 до 500 000 пластин в год для выпуска передовой памяти NAND, причем все на отечественных пластинах. Причём ранее китайская компания покупала японские кремниевые пластины в больших количествах, но её потеря в качестве клиента стала для японской Sumco существенной проблемой.

Источник изображений: Sumco

В прошлом году компания YMTC со своей архитектурой флэш-памяти Xtacking 4.0 3D NAND стала первой компанией, которой удалось достичь количества слоев в 3D NAND в более чем две сотни. Продукт компании, X4-9070, 232-слойная TLC 3D NAND, использует несколько кремниевых пластин, что увеличивает потребление этого сырья — по прогнозам, YMTC потребляет уже около 500 000 пластин в год. Это может показаться большим объёмом, но для сравнения мировой лидер в сфере NAND, компания Samsung, способна обрабатывать до 2 млн пластин в квартал, то есть в 16 раз больше.

И тем не менее, достижение YMTC — огромный успех для китайского импортозамещения, и в то же время сильный удар для компаний, которые раньше поставляли китайским фирмам сырье. Как поясняет ресурс ComputerBase.de, тревожные сигналы руководство японской компании Sumco, являющейся одним из крупнейших поставщиков кремниевых пластин в мире, посылало ещё две недели назад, когда отчитывалось о результатах очередного фискального квартала. По оценкам представителей Sumco, китайская полупроводниковая промышленность сейчас способна выпускать до 1 млн кремниевых пластин в год, и половина этого количества уходит на нужды китайского производителя памяти типа 3D NAND — компании YMTC. Ранее последняя была клиентом Sumco, но по мере усиления санкций против Китая утратила доступ к зарубежному сырью, а потому перешла на закупку китайского.

На графике поставок кремниевых пластин из презентации Sumco видно, как в 2023 году просели объёмы поставок продукции на мировой рынок, и данную динамику как раз можно объяснить усилением санкций США против Китая осенью 2022 года, к которым японские производители были вынуждены присоединиться. Производство памяти типа 3D NAND требует большого количества кремниевых пластин, поскольку микросхемы имеют многослойную компоновку. В случае с самой передовой продукцией YMTC количество слоёв превышает 230 штук. Сможет ли спрос на продукцию Sumco восстановиться до прежних уровней, руководство японской компании не уверено, а потому уже в следующем году собирается задуматься о сокращении капитальных затрат и отсрочке введения в строй новых производственных линий.

Впрочем, есть сфера деятельности, которую антикитайские санкции не затронули. Речь идёт о поставках кремниевых пластин для выпуска чипов по передовым техпроцессам с нормами от 5 до 2 нм включительно. В отдельных сегментах рынка японские Sumco и Shin-Etsu Chemical контролируют почти 100 % рынка кремниевых пластин на этом направлении. Попутно будет расти спрос на кремниевые пластины, применяемые при выпуске памяти типа HBM. В этой сфере Sumco рассчитывает на среднегодовые темпы роста спроса на 36 % на протяжении последующих трёх лет.

Возвращаясь к YMTC хотелось бы добавить, что хотя компания использует кремний китайского производства, она по-прежнему полагается на иностранные инструменты, фоторезисты и прекурсоры. Есть некоторые признаки того, что YMTC разрабатывает собственные инструменты; это план более широкой стратегии китайской полупроводниковой промышленности, направленной на развитие каждого этапа процесса производства полупроводников. Huawei также занимается разработкой EUV-сканеров, и YMTC может помочь, ведь тоже нуждается в новых инструментах.

По мере роста цен на флеш-память её производители воспряли духом и начали рассказывать о дальнейших планах по совершенствованию технологий её выпуска. SK hynix на этой неделе сообщила, что приступает к массовому производству первой в мире 321-слойной памяти 3D NAND (сама компания называет её 4D NAND), которую начнёт поставлять клиентам в следующем полугодии.

Источник изображения: SK hynix

Являясь лидером в сегменте HBM, востребованной ускорителями вычислений для ИИ, компания SK hynix теперь претендует на статус «поставщика полного цикла» памяти для систем искусственного интеллекта. Она напоминает, что в июне прошлого года стала первым в мире поставщиком 238-слойной памяти NAND, а теперь за счёт применения передовых технологий монтажа стеков внутри микросхемы первой преодолела рубеж в 300 слоёв. Терабитные микросхемы 321-слойной памяти 3D NAND её клиенты начнут получать в первой половине 2025 года.

Прогресс в увеличении количества слоёв памяти был достигнут за счёт совершенствования технологии создания вертикальных каналов и применения материала с большей механической стабильностью. При этом 321-слойная память была разработана на той же платформе, что и 238-слойная. Переход на выпуск нового поколения при этом повысит производительность производства на 59 % с минимальными рисками.

Кроме того, новое поколение памяти повышает скорость передачи информации на 12 % и повышает скорость чтения на 13 %, при этом энергетическая эффективность данных операций увеличивается более чем на 10 %. Такие микросхемы станут хорошей основой для современных скоростных твердотельных накопителей, применяемых в системах искусственного интеллекта.

Немалая часть микросхем памяти Samsung и SK hynix выпускается на территории Китая, и профильное оборудование требует обновления и замены. Как отмечает издание Chosun Daily, компания Samsung готовится продать выведенное из эксплуатации оборудование для выпуска памяти типа 3D NAND со своего китайского предприятия на внутреннем рынке.

Источник изображения: Samsung Electronics

Предполагается, Samsung попытается найти новых владельцев для своего бывшего в употреблении оборудования для выпуска 100-слойной памяти типа 3D NAND. Наиболее вероятными кандидатами на покупку являются китайские производители памяти, но до сих пор Samsung и SK hynix предпочитали продавать оборудование через посредников, избегая прямых сделок с китайскими компаниями. Samsung собирается переводить своё предприятие в китайском Сиане на выпуск 200-слойной памяти.

По правилам экспортного контроля в США, которые вступили в силу в октябре 2022 года, поставки в Китай оборудования для выпуска памяти 3D NAND с более чем 128 слоями запрещены. Samsung и SK hynix смогли выбить для себя освобождение от этих ограничений на неопределённый срок. Однако, реализация бывшего в употреблении оборудования на территории Китая представляет для корейских компаний определённый риск даже в случае с техникой, предназначенной для выпуска памяти по более старым нормам. Сама Samsung намеревается к 2026 году наладить выпуск 400-слойной памяти типа 3D NAND. Удастся ли компании найти в Китае покупателей для своего старого оборудования без ущерба для взаимоотношений с американскими чиновниками, станет понятно в следующем году, когда вопрос об избавлении от этого оборудования обретёт высокую актуальность.

Выручка Western Digital в минувшем квартале, который был для компании первым в наступившем 2025 фискальном году, увеличилась на 49 % до $4,1 млрд, а рост чистой прибыли на 26 % до $481 млн превзошёл ожидания инвесторов. Более того, в последовательном сравнении чистая прибыль компании выросла более чем в 17 раз.

Источник изображения: Western Digital

Важно понимать, что этот поставщик сильно зависит от сегмента флеш-памяти, поскольку именно поставки твердотельных накопителей на 46 % определяли его выручку в минувшем квартале. При этом нельзя утверждать, что состояние рынка твердотельной памяти ухудшало отчётность компании. Фактически, норма прибыли на флеш-направлении бизнеса WD даже превысила показатель в сегменте HDD, составив 38,9 против 38,1 %. Общая норма прибыли компании выросла на 2,2 пункта последовательно до 38,5 %, а годовой прирост вообще измерялся 34,4 процентных пункта.

В сегменте твердотельных накопителей валовые объёмы поставок в ёмкостном выражении последовательно выросли на 14 %, а средняя стоимость накопителя в пересчёте на 1 Гбайт выросла на 4 или 6 %, в зависимости от метода подсчёта. В сегменте жёстких дисков объёмы поставок в ёмкостном выражении увеличились на 14 % в последовательном сравнении, а средняя стоимость накопителя составила $164. Выручка от реализации жёстких дисков в годовом сравнении увеличилась на 85 %, тогда как в твердотельном сегменте она выросла только на 21 %.

В своём отчёте Western Digital охотнее оперирует показателями трёх сегментов рынка с точки зрения специфики конечного применения своей продукции: облачного, клиентского и потребительского. На облачный сегмент пришлось более половины всей выручки ($2,2 млрд), он в годовом сравнении увеличил выручку в 2,5 раза. Клиентский прибавил только 5,4 % до $1,2 млрд, а выручка в сегменте потребительской электроники вообще сократилась в годовом сравнении с $731 до $678 млн. Облачный сегмент также продемонстрировал последовательный рост выручки на 17 %, тогда как два других демонстрировали условную стабильность.

В отличие от основного конкурента, Western Digital продолжает публиковать статистику по количеству отгруженных жёстких дисков. В облачном сегменте она смогла нарастить их в годовом сравнении с 5,3 до 9 млн штук, клиентский сектор просел с 2,6 до 2,3 млн жёстких дисков, в сегменте потребительской электроники поставки тоже сократились с 2,5 до 2,1 млн штук. Другими словами, общий рост объёмов поставок HDD с 10,4 до 13,2 млн изделий обусловлен исключительно спросом на жёсткие диски со стороны облачных клиентов.

В текущем фискальном квартале Western Digital рассчитывает выручить от $4,2 до $4,4 млрд, сохранить норму прибыли в диапазоне от 36,5 до 38,5 %. Удельный доход на одну акцию должен составить от $1,75 до $2,05, что по центру диапазона чуть ниже упоминаемых аналитиками $1,93. Успехи компании на рынке облачных систем способствовали росту курса акций на 9,36 % после закрытия основной торговой сессии.

Сезонный спрос на продукты на основе флеш-памяти NAND во второй половине 2024 года оказался слабее ожидаемого, что привело к снижению контрактных цен на пластины с такими чипами в III квартале. Эта тенденция к снижению, как ожидается, усилится, и в IV квартале снижение цен составит более 10 %, сообщает аналитическая компания TrendForce.

Источник изображения: samsung.com

Единственным сегментом, в котором, вероятно, будет наблюдаться скромный рост цен, являются корпоративные твердотельные накопители — в IV квартале прогнозируется рост контрактных цен на 0–5 %. В отношении UFS и SSD для ПК заказчики будут применять более осторожные стратегии закупок, так как продажи конечной продукции будут слабее, чем ожидалось ранее. В результате общие контрактные цены на память NAND снизятся на 3–8 %.

Несмотря на то, что производители активно развёртывают продажи ПК с искусственным интеллектом, из-за инфляции и небольшого объёма практических инноваций в области ИИ потребители не станут спешить с покупкой новых компьютеров. Несколько крупных производителей в III квартале вернулись к полной загрузке мощностей, а другие нарастили производство за счёт модернизации процессов, но стабильного спроса в серверном сегменте недостаточно, чтобы поддерживать рост цен с учётом вялого потребительского рынка. Дополнительным сдерживающим фактором являются расширяющийся разрыв между ценами на спотовом рынке, ценами каналов поставок и контрактными ценами у OEM-производителей. В результате контрактные цены на потребительские SSD для ПК в IV квартале снизятся на 5–10 %.

Источник изображения: trendforce.com

Производители смартфонов и ноутбуков стали придерживаться стратегии сокращения запасов, что привело к более консервативным заказам на память NAND. Но поставщики продолжили наращивать производство, что привело к избыточному предложению. Рынок смартфонов в III квартале не показал признаков восстановления, так как многие производители исчерпали запасы eMMC и сопротивлялись повышению цен, что привело к ограниченному числу контрактов. Новый импульс на рынок eMMC привнесли новые модели ряда китайских брендов, но все они, вероятно, постараются избежать формирования избыточных запасов. В III квартале наблюдалось продолжительное ценовое противостояние между поставщиками и покупателями — у поставщиков выросли запасы на рынке модулей и на спотовом рынке, что склонило чашу весов в пользу покупателей. В итоге контрактные цены на eMMC снизятся на 8–13 %.

На рынке памяти UFS, которая используется преимущественно в премиальных и флагманских смартфонах, ситуация аналогична положению на рынке eMMC. Из-за слабой динамики экономики смартфоны стали менять не раз в два года, как было раньше, а раз в три года, и прорыва на рынке, который мог бы переломить ситуацию, не случилось. В результате контрактные цены на UFS в IV квартале также снизятся на 8–13 %.

Розничный спрос на клиентские SSD, карты памяти и USB-накопители остаётся скромным с начала 2024 года. Интерес потребителей не смогли всколыхнуть сезонные распродажи в преддверии окончания школьных каникул и праздников в Европе и США; из-за экономического спада в Китае ожидается ослабление спроса и во время торгового фестиваля 11 ноября — эти факторы, вероятно, и дальше усугубят падение спроса на пластины NAND в IV квартале. У производителей модулей по-прежнему остаются избыточные запасы, и поставщики вынуждены были переключиться на стратегию снижения цен, чтобы сохранить работоспособность. В результате контрактные цены на пластины NAND могут снизиться на 10–15 % в IV квартале, предупреждают в TrendForce, и если рыночные условия ухудшатся ещё больше, возможно более серьёзное снижение.

В этом месяце должно было состояться первичное размещение на бирже акций компании Kioxia, унаследовавшей бизнес Toshiba по производству флеш-памяти. От данного мероприятия действующие акционеры Kioxia решили отказаться, поскольку инвесторы оценили её активы максимум в $5,4 млрд, тогда как Bain Capital рассчитывала на $10 млрд как минимум.

Источник изображения: Kioxia

Об этом в минувшие выходные сообщило агентство Reuters, поясняющее причины отказа Kioxia от выхода на публичный фондовый рынок в октябре текущего года. Следует также помнить, что в 2018 году консорциум инвесторов во главе с Bain Capital за активы Toshiba Memory Corporation заплатил $13,4 млрд, поэтому даже оптимистичный для действующих акционеров сценарий IPO подразумевал бы фиксирование убытков по этой сделке.

Оценка активов Kioxia в $5,4 млрд отображает, насколько инвесторы обеспокоены нынешним положением дел на рынке памяти типа NAND. Представитель некоего хедж-фонда, на которого ссылается Reuters, пояснил, что хотя в текущих условиях IPO компании Kioxia представляется нецелесообразным, ситуация может измениться к лучшему к концу фискального года, который завершится в марте 2025-го.

Бум систем искусственного интеллекта на рынке NAND отразился в меньшей степени, поскольку наметившийся было рост цен на память сменился стабилизацией. Лишь в следующем году необходимость увеличения ёмкости накопителей в клиентских устройствах в связи с распространением систем ИИ вызовет рост цен на память данного типа, как считают аналитики Omdia. Компания Kioxia остаётся третьим по величине выручки производителем твердотельной памяти в мире с долей 13,8 %.

Контрактные цены на DRAM и NAND за сентябрь показали значительное снижение — виной всему стал низкий спрос на ПК и прочую потребительскую электронику. Об этом сообщил корейский ресурс The Elec.

Источник изображения: samsung.com

Цены на чипы DDR4 8Gb 1Gx8 в сентябре 2024 года упали на 17,07 % и остановились на отметке $1,7, обратили внимание аналитики компании DRAMeXchange. С октября прошлого года цены на DRAM после затяжного пике демонстрировали стабильный рост, но уже в августе этого года впервые показали снижение — тогда оно составило 2,38 %.

Одним только сегментом DRAM обвал цен на память не ограничился. За тот же период времени цены на чипы 128Gb 16Gx8 MLC также показали заметное снижение — оно составило 11,44 %. У производителей ПК по-прежнему фиксируется высокий уровень запасов, а значит, спрос на их продукцию до сих пор не восстановился, указывает владеющая DRAMeXchange компания TrendForce. В III квартале 2024 года поставки ПК выросли на 4,4 %, и это ниже прогноза аналитиков. При этом в запасах числится преимущественно память DDR4, а не более новая DDR5.

Компания Western Digital, наиболее известная как производитель устройств хранения данных, объявила о разделении своих веб-сайтов. Теперь WD.com будет посвящён жёстким дискам, а SanDisk.com — продуктам на основе флеш-памяти, включая SSD. Годом ранее было объявлено о разделении бизнеса: Western Digital и SanDisk будут функционировать как независимые компании, каждая со своим ассортиментом.

Источник изображения: Western Digital

Разделение коснулось и линеек продуктов, и служб поддержки, пишет издание Tom's Hardware. На WD.com теперь можно найти все модели HDD, включая устройства под брендами Western Digital и G-Technology. SanDisk.com, в свою очередь, раскрывает весь спектр продуктов на базе 3D NAND флеш-памяти, начиная с карт памяти и USB-накопителей и заканчивая SSD корпоративного уровня, даже если они в настоящее время продаются под маркой WD.

«На сегодняшний день у нас работают два специализированных веб-сайта: WesternDigital.com для всех продуктов HDD и SanDisk.com для всех продуктов флеш-памяти, включая SSD, карты памяти, USB-накопители и многое другое», — говорится в заявлении Western Digital. Службы поддержки также разделены. Western Digital будет оказывать поддержку для дисков HDD, а SanDisk — для продуктов на базе NAND.

О планах по разделению бизнеса Western Digital объявила около года назад. Одна компания сфокусируется на производстве HDD, а другая на продуктах, связанных с 3D NAND, включая собственно производство флеш-памяти. Официальное разделение Western Digital должно завершиться во второй половине 2024 года, предположительно в течение следующих нескольких недель.

Отмечается, что с момента объявления о разделении в октябре 2023 года Western Digital добилась значительного прогресса. Были созданы юридические лица в 18 странах и подготовлены необходимые финансовые структуры, о чём компания сообщила в марте. Подача документов в регулирующие органы также близится к завершению. После окончания всей процедуры обе компании будут функционировать как два независимых акционерных общества.

Новую компанию (SanDisk), ориентированную на NAND, возглавит Дэвид Геккелер (David Goeckeler), действующий генеральный директор Western Digital. А Ирвинг Тан (Irving Tan), в настоящее время исполнительный вице-президент по глобальным операциям, станет генеральным директором уже независимой компании Western Digital, производящей HDD. Решение о разделении бизнеса было принято в связи с трудностями в управлении из-за разной направленности продуктов и замедлением роста на высококонкурентном рынке.

Фискальный квартал и год в целом в календаре Micron Technology завершились 29 августа, поэтому их итоги компания подвела лишь на этой неделе. Выручка за последний квартал минувшего фискального года выросла на 93 % до $7,75 млрд, годовая выручка выросла на 62 % до $25,11 млрд, но в текущем квартале она достигнет $8,7 млрд, превысив ожидания аналитиков. Акции производителя памяти на этом фоне выросли почти на 15 %.

Источник изображений: Micron Technology

Американская Micron Technology пока является наименее крупным игроком рынка памяти типа HBM, поскольку она по занимаемой доле рынка уступает как лидирующей SK hynix, так и южнокорейскому гиганту Samsung Electronics, который занимает первое место в мире по объёмам поставок всех типов памяти в совокупности. Это не мешает Micron заявлять, что она уже поставляет образцы 12-слойных стеков HBM3E объёмом 36 Гбайт, лишь чуть-чуть уступая по темпам технологического развития SK hynix. Последняя, напомним, уже приступила к их массовому производству. Micron намеревается сделать это в начале следующего календарного года.

Росту курса акций Micron способствовали и результаты прошлого квартала, которые превзошли ожидания аналитиков. По словам представителей компании, тенденция к росту спроса на микросхемы памяти наметилась и в сегменте ПК, а также смартфонов. Внедрение в этих устройствах функций локального ускорения работы систем искусственного интеллекта подразумевает увеличение потребности в объёме памяти, поэтому спрос на продукцию Micron будет расти, как считает компания. Объёмы поставок ПК по итогам текущего календарного года вырастут на несколько процентов, по мнению руководства компании. В следующем году рост рынка ПК ускорится, во многом из-за выхода Windows 12 и завершения поддержки Windows 10. Если в среднем ПК содержал 12 Гбайт оперативной памяти в прошлом году, то по мере распространения функции ИИ минимальным объёмом станут 16 Гбайт ОЗУ, а в среднем и верхнем ценовых диапазонов нормой станет наличие 32 и 64 Гбайт оперативной памяти соответственно.

Сильны конкурентные позиции Micron и в сегменте серверной памяти, как отмечает руководство. Высокий спрос на HBM заставил Micron распределить все квоты на её производство не только на текущий, но и на следующий год. В сегменте смартфонов объёмы поставок по итогам 2024 календарного года, по мнению Micron, вырастут на величину до 5 %, и продолжат рост в 2025 году. Если в прошлом году флагманские смартфоны в среднем оснащались 8 Гбайт памяти, то в следующем норма вырастет до 12 или 16 Гбайт.

Текущий фискальный квартал Micron рассчитывает завершить с рекордной выручкой в размере от $8,5 до $8,9 млрд. При этом норма прибыли компании достигнет 39,5 %. В минувшем квартале норма прибыли не превышала 35,3 %, но за год до этого она вообще была отрицательной. Аналитики в среднем рассчитывали на $8,28 млрд выручки и 37,7 % нормы прибыли в своих прогнозах на текущий фискальный квартал, поэтому акции компании и подскочили в цене после публикации отчётности. В наступившем фискальном году Micron рассчитывает получить многомиллиардную выручку в трёх категориях: HBM, оперативная память большой ёмкости и твердотельная память серверного назначения. В прошлом фискальном году Micron увеличила долю памяти серверного класса в общей выручки до рекордного уровня.

В прошлом квартале Micron достигла рекордной выручки в сегменте NAND и твердотельных накопителей. По итогам всего минувшего фискального года компания достигла рекордной выручки на серверном и автомобильном направлениях. В следующем календарном году Micron надеется приступить к массовому производству микросхем DRAM с использованием EUV-технологии класса 1γ, опытное уже осуществляется.

Компания продвигается в строительстве нового предприятия в Айдахо и ожидает получить разрешение властей на строительство предприятия в штате Нью-Йорк. В Индии возводится предприятие по тестированию и упаковке микросхем памяти, а китайское предприятие Micron такого профиля расширяется даже в условиях обоюдных санкций со стороны США и Китая. Приобретённое Micron предприятие Innolux по производству ЖК-панелей на Тайване будет переоборудовано под тестирование и сборку микросхем памяти DRAM.

Поставки HBM принесли в минувшем фискальном году сотни миллионов долларов выручки, как пояснили представители компании. В 2025 году ёмкость рынка HBM достигнет $25 млрд против $4 млрд двумя годами ранее, как ожидают в Micron, и доля данной компании на рынке HBM должна сравняться с её позициями на рынке DRAM в целом.

Спрос на DRAM по итогам текущего календарного года, как считают в Micron, вырастет на величину до 19 %, на память типа NAND — в районе 15 %, а в следующем году оба сегмента будут демонстрировать рост объёмов реализации памяти в среднем на 15 %. Цены на память в 2025 году будут расти из-за ограниченности производственных мощностей по сравнению с уровнем спроса.

Капитальные расходы Micron в минувшем фискальном году достигли $8,1 млрд, в наступившем они будут гораздо выше, достигая 35 % прогнозируемой выручки. В основном это будет вызвано необходимостью наращивать выпуск HBM и строить новые предприятия в США, которые будут субсидироваться властями по «Закону о чипах».

В прошедшем фискальном квартале выручка Micron на 69 % определялась реализацией микросхем типа DRAM. Профильная выручка компании выросла на 93 % в годовом сравнении и достигла $5,3 млрд. По итогам всего фискального года поставки DRAM увеличили профильную выручку Micron на 60 % до $17,6 млрд, это соответствует 70 % всей выручки компании за период.

В принципе, выручка от реализации NAND в четвёртом фискальном квартале не отставала по своей динамике от сегмента DRAM, увеличившись на 96 % до $2,4 млрд, но на этот тип продукции пришлось не более 31 % всей выручки Micron. Более того, в сегменте NAND компания в прошлом квартале получила рекордную выручку. По итогам года в целом профильная выручка выросла на 72 % до $7,2 млрд, но эта сумма соответствует только 29 % всей выручки компании.

Срез выручки четвёртого фискального квартала по направлениям деятельности выглядит таким образом: вычислительные и сетевые решения, охватывающие серверный сегмент, прибавили последовательно 17 % до $3 млрд, мобильное подразделение в силу сезонных явлений прибавило в выручке на 18 % последовательно до $1,9 млрд. В сегменте систем хранения данных рост выручки почти на четверть последовательно до $1,7 млрд был вызван спросом на твердотельные накопители серверного назначения, в этой сфере был установлен новый рекорд по выручке. Строго говоря, выручка от реализации NAND по итогам всего фискального года тоже была рекордной для Micron. Наконец, в сегменте встраиваемых решений выручка Micron сократилась на 9 % в последовательном сравнении до $1,2 млрд.

Данные берутся из публикации Плесните терабит в квадратный миллиметр

Спустя всего 4 месяца после запуска TLC V-NAND 9-го поколения, Samsung объявил о начале массового производства аналогичной памяти типа QLC, предлагая рынку более широкую линейку передовых решений для хранения данных. Новая память обеспечивает оптимальную производительность для самых различных сфер применения, в том числе для задач искусственного интеллекта (ИИ).

Источник изображения: Samsung Electronics

Компания Samsung Electronics объявила о начале массового производства 9-го поколения вертикальной NAND-памяти (V-NAND) с четырьмя битами на ячейку (Quad Level Cell, QLC) ёмкостью 1 Тбит. «Успешный запуск массового производства QLC V-NAND 9-го поколения всего через четыре месяца после TLC-версии позволяет нам предложить полную линейку передовых SSD-решений, отвечающих потребностям эпохи искусственного интеллекта», — сказал Сон Хой Хур (SungHoi Hur), исполнительный вице-президент и руководитель подразделения флеш-памяти и технологий Samsung.

Samsung планирует расширить применение QLC V-NAND 9-го поколения, начиная с фирменных потребительских продуктов и заканчивая мобильной универсальной флеш-памятью (UFS), SSD для клиентских ПК и серверов, включая решения для поставщиков облачных сервисов. Новое поколение памяти отличается рядом технологических возможностей, лучше сказать — прорывов. Так, Channel Hole Etching (технология травления каналов) от Samsung позволила добиться максимального количества слоёв в отрасли с двухуровневой структурой. При этом, используя опыт, накопленный при разработке трёхуровневой структуры ячеек (TLC) V-NAND 9-го поколения, специалисты Samsung оптимизировали площадь ячеек и периферийных схем, достигнув ведущей в отрасли плотности битов, которая примерно на 86 % выше, чем у QLC V-NAND предыдущего поколения.

Помимо высокой плотности, QLC V-NAND девятого поколения отличается повышенной производительностью и надёжностью благодаря также технологиям Designed Mold, Predictive Program и Low-Power Design. Технология Designed Mold регулирует расстояние между Word Lines (WL) для обеспечения однородности и оптимизации характеристик ячеек во всех слоях. Технология Predictive Program прогнозирует и контролирует изменения состояния ячеек, чтобы минимизировать ненужные действия. В результате Samsung удалось удвоить скорость записи и повысить скорость ввода/вывода данных на 60 %, а энергопотребление снизить при чтении и записи данных примерно на 30 % и 50 % соответственно благодаря использованию Low-Power Design.

Эксперты TrendForce пришли к выводу, что в сложных макроэкономических условиях оживление спроса на рынке памяти постоянно спотыкается о новые препятствия, и наметившаяся было тенденция к росту цен к четвёртому кварталу во многом нивелируется. По крайней мере, в сегменте DRAM контрактные цены вырастут от силы на 3–8 %, а в сегменте NAND они даже опустятся на величину до 5 %.

Источник изображения: Intel

Производители модулей памяти DRAM, как отмечает источник, активно наращивают свои складские запасы необходимых для работы компонентов с третьего квартала прошлого года. В итоге ко второму кварталу текущего года «глубина» складских запасов выросла до 11–17 недель. Спрос на конечных рынках электронных устройств не восстанавливается такими темпами, как ожидалось. Запасы смартфонов в Китае превысили норму, а существующие модели ноутбуков клиенты покупать не торопятся, ожидая выхода новых систем на базе процессоров с функцией ускорения ИИ. Всё это приводит к сокращению спроса на подобные устройства.

Розничные поставки флеш-памяти NAND во втором квартале сократились в годовом сравнении на 40 %, и подобная динамика не позволяет участникам рынка надеяться на восстановление спроса во втором полугодии. В розничном сегменте на спрос негативно влияют высокая инфляция и высокие процентные ставки. Рост цен на микросхемы памяти при этом оказывает давление на норму прибыли производителей модулей памяти, а низкий спрос в рознице мешает повышать отпускные цены.

Смартфоны и ПК с функцией ускорения ИИ, по мнению представителей TrendForce, существенно на спрос в сегменте микросхем памяти повлиять в четвёртом квартале не смогут. Контрактные цены на DRAM в итоге не смогут заметно вырасти: в текущем квартале они поднимутся на 8–13 %, а в четвёртом увеличатся только на 3–8 %. Зато у памяти HBM проблем со спросом нет, и контрактные цены на данный вид продукции смогут прибавлять по 10–15 % ежеквартально. Цены на NAND вырастут в текущем квартале на 5–10 %, прежде чем упасть на 5 % в четвёртом. В 2025 году, по мнению экспертов, рост цен на DRAM будет стимулироваться в основном спросом на HBM, под выпуск которой перераспределяется всё больше мощностей. Из-за этого обычной DRAM выпускается меньше, и цены на неё растут.

Связанные с производством флеш-памяти активы бывшей Toshiba Memory Corporation с 2018 года принадлежат консорциуму инвесторов во главе с Bain Capital, и соответствующую деятельность производитель NAND продолжает под вывеской Kioxia. Теперь эта японская компания подала заявку на IPO, которое должно состояться в октябре текущего года и оценить её бизнес в $10,3 млрд.

Источник изображения: Kioxia

Как уточняет Bloomberg, планируется непосредственно выручить на этом мероприятии не более $500 млн, но и этой суммы будет достаточно, чтобы признать данное IPO крупнейшим в Японии не только за этот год, но и со времён выхода на биржу корпорации SoftBank в 2018 году. Капитализация Kioxia по итогам IPO может быть оценена в $10,3 млрд, и период для привлечения средств инвесторов компания считает удачным, поскольку спрос на твердотельную память начал расти, во многом благодаря потребности в скоростных и ёмких накопителях для систем искусственного интеллекта.

Консорциум инвесторов, в который входит не только Bain Capital, но и конкурирующая SK hynix, сейчас контролирует 56 % акций Kioxia, но после размещения он намерен сократить свою долю. Оставшиеся 41 % по-прежнему контролирует некогда материнская корпорация Toshiba, которая сама недавно пережила процедуру приватизации и делистинга с Токийской фондовой биржи. Этот акционер также планирует сократить свою долю в капитале Kioxia после выхода последней на IPO, как сообщает Nikkei. К слову, в 2018 году лежащие в основе Kioxia активы Toshiba Memory Corporation инвесторы выкупили за $18 млрд, поэтому при капитализации первой на уровне $10,3 млрд они вряд ли смогут вернуть свои инвестиции лишь за счёт продажи акций.

Цены на твердотельные накопители корпоративного назначения в последнее время выросли на 80 %, поскольку они оказались востребованы в системах искусственного интеллекта. Компания SK hynix и её подразделение Solidigm, сформированное на основе бывшего китайского предприятия Intel, собираются увеличить объёмы выпуска памяти 3D NAND для твердотельных накопителей корпоративного назначения.

Источник изображения: SK hynix

Компании готовы отдать приоритет производству памяти типа QLC 3D NAND, на основе которой будут изготавливаться твердотельные накопители большой ёмкости для корпоративных систем. По данным отраслевых источников, на которые ссылается The Chosun Daily, компания SK hynix начала постепенно наращивать объёмы обработки кремниевых пластин на своём предприятии M15 в Чхонджу, чтобы к концу года повысить производительность линий на 10 %. Высокий спрос на корпоративные SSD позволил компании Solidigm завершить второй квартал без убытков, и теперь она рассчитывает увеличить объёмы производства твердотельной памяти на 5 % к началу следующего года.

Потребность систем искусственного интеллекта в скоростных накопителях большой ёмкости обусловлена тем, что они в своей работе создают «точки отката», которые позволяют вернуться к определённому состоянию в случае каких-то сбоев в работе. Кроме того, системам искусственного интеллекта свойственно обрабатывать большие объёмы данных, поэтому спрос на SSD с их стороны растёт. По прогнозам TrendForce, в ближайшие несколько лет спрос на SSD будет ежегодно расти в среднем на 60 % именно благодаря развитию систем ИИ.

Память типа QLC 3D NAND оптимальна для использования в твердотельных накопителях большой ёмкости в составе систем ИИ, поскольку в каждой ячейке может храниться по четыре бита данных, и это позволяет добиться высокой плотности хранения информации при низких энергозатратах. Накопители большой ёмкости на основе QLC 3D NAND сейчас выпускают только Samsung Electronics и Solidigm, причём последняя считается лидером в сегменте накопителей объёмом 60 Тбайт. Её контролеры также не имеют особых проблем с точки зрения совместимости с серверной инфраструктурой. SK hynix в следующем году планирует выпустить QLC-накопители объёмом 64 Тбайт и 128 Тбайт соответственно. Компания рассчитывает войти в число лидеров сегмента и в следующем году будет получать до половины выручки от реализации NAND именно от продукции, продающейся в корпоративном сегменте.