В настоящий момент рынок флеш-памяти (NAND) страдает от избыточного предложения, что приводит к снижению цен и финансовым затруднениям поставщиков. Тем не менее аналитическая компания TrendForce ожидает значительного улучшения баланса спроса и предложения во второй половине года. Ключевыми факторами, по мнению TrendForce, являются сокращение производства микросхем NAND, снижение складских запасов в секторе смартфонов и растущий спрос, вызванный развитием ИИ.

Источник изображения: unsplash.com

Производители флеш-памяти за последние два года осознали серьёзное влияние избыточного предложения на отрасль, особенно с учётом того, что годовые темпы роста спроса на флеш-память были пересмотрены с 30 % до 10–15 %. В результате они были вынуждены скорректировать свои производственные стратегии, чтобы смягчить столь длительное снижение цен.

На рубеже 2025 года производители NAND приняли более решительные меры по сокращению производства, которые призваны оперативно снизить рыночный дисбаланс и заложить основу для восстановления цен. Кроме того, продолжающаяся политика субсидирования замены смартфонов в Китае эффективно стимулирует их продажи и ускоряет истощение запасов памяти NAND.

Источник изображения: TrendForce

Nvidia намерена нарастить поставки своей продукции серии Blackwell во второй половине года, что значительно увеличит спрос на корпоративные SSD. Кроме того, достижения DeepSeek в снижении затрат на развёртывание серверов ИИ позволят предприятиям малого и среднего бизнеса активнее интегрировать ИИ, повышая свою конкурентоспособность. Ожидается, что SSD-накопители ёмкостью более 30 Тбайт станут предпочтительным решением для хранения данных благодаря их высокой производительности и низкой совокупной стоимости владения.

Дополнительно появление ПК и рабочих станций с поддержкой ИИ будет способствовать более широкой интеграции искусственного интеллекта в повседневные приложения, что потенциально приведёт к долгосрочному росту ёмкости клиентских SSD для ПК. Снижение требований к вычислительной мощности, вероятно, ускорит проникновение на рынок бюджетных смартфонов с поддержкой ИИ, что дополнительно оживит спрос на флеш-память.

Когда технология памяти 3D NAND находилась на заре своего развития, слоёв в кристаллах было значительно меньше, а отверстия металлизации были толще. Сегодня число слоёв перевалило за 200 и обещает подняться до 400 и более. Это сильно снижает скорость обработки пластин с памятью, поскольку травление отверстий металлизации на всю глубину разбухшего кристалла сильно тормозит процесс производства чипов и не позволяет снизить их себестоимость. Учёные из США попытались помочь с этим и добились результата.

Источник изображения: ИИ-генерация DALL·E/3DNews

Отчасти проблему длительного времени травления кремниевых подложек на большую глубину производители 3D NAND решают «склеиванием» друг с другом кристаллов с меньшим числом слоёв, получая в итоге условно монолитный чип с сотнями слоёв. Но это также требует дополнительного времени и ресурсов на каждый отдельный техпроцесс, что выливается в немалые затраты, а они становятся дополнительным слогаемым в себестоимости чипов памяти.

Исследователи из Lam Research, Университета Колорадо в Боулдере (CU) и Принстонской лаборатории физики плазмы (PPPL) для оптимизации процесса травления разработали новый подход. Для протравливания отверстий они использовали криогенную плазму с фтористым водородом. В ходе экспериментов скорость травления увеличилась более чем в два раза: с 310 нм/мин при старом методе до 640 нм/мин при новом подходе. Они также обнаружили, что протравленные отверстия стали аккуратнее.

В ходе дальнейших экспериментов с добавками в плазму при травлении также были испытаны другие «присадки», в частности трифторид фосфора и фторсиликат аммония и другие. С некоторыми ингредиентами скорость травления возрастала ещё больше, что обещает привести к новым достижениям. Команда ученых подробно изложила свои выводы в исследовании, опубликованном в журнале Journal of Vacuum Science & Technology.

Пока ещё слишком рано говорить о том, приведёт ли это к удешевлению или повышению плотности чипов NAND для потребителей. Необходимо доказать коммерческую жизнеспособность технологии и возможность её масштабирования для массового производства. Даже если производители внедрят этот процесс, нет никакой гарантии, что потребители ощутят какую-либо экономию собственных средств на соответствующие покупки.

Пресс-релиз, предваряющий проведение компанией Western Digital мероприятия для инвесторов на этой неделе, начинался с заявления о намерениях завершить реструктуризацию по отделению NAND-бизнеса к 21 февраля текущего года. Процесс должен был завершиться ещё в прошлом году, но возникла задержка.

Источник изображения: Sandisk

Напомним, о своём решении разделить бизнес по выпуску жёстких магнитных дисков и твердотельной памяти Western Digital заявила ещё 30 октября 2023 года, и первоначально считалось, что реструктуризация завершится во второй половине 2024 года. Тем не менее, в ноябре прошлого года обязанности по технической поддержке твердотельной продукции марок Western Digital, HGST и G-Technology перешли к SanDisk. Данная компания была поглощена Western Digital в 2016 году, но теперь их пути снова должны разойтись.

У руля независимой SanDisk встанет нынешний генеральный директор Western Digital Дэвид Геклер (David Goeckeler), тогда как «классический» бизнес компании продолжит развиваться под управлением нынешнего исполнительного вице-президента по глобальным операциям Ирвинга Тана (Irving Tan). В декабре SanDisk представила новый логотип и определила новую форму написания своего наименования — «Sandisk». Судя по всему, в этом месяце будут улажены последние формальности, необходимые для окончательного разделения Western Digital.

SanDisk скоро обретёт независимость от Western Digital, и у неё большие планы на будущее. Компания, в частности, намеревается заняться развитием технологии HBF (High Bandwidth Flash), которая обеспечит ускорители искусственного интеллекта значительно бо́льшим объёмом памяти, чем позволяет применяемая сегодня HBM (High Bandwidth Memory).

Источник изображений: SanDisk

Идея может показаться абсурдной, потому что флеш-память NAND традиционно значительно медленнее, чем DRAM, которая лежит в основе HBM. HBF призвана решить эту проблему и стать оптимальным решением при задачах, связанных с запуском уже обученных моделей (инференсом), а не обучением нейросетей. Со сменой поколений HBM увеличивается и доступный объём памяти — сегодня ускорители от AMD и Nvidia предлагают по 192 Гбайт. SanDisk уверяет, что HBF поможет увеличить этот показатель в восемь, а то и в 16 раз при сопоставимой цене.

Компания предлагает два сценария в сравнении с традиционной конфигурацией с восемью стеками HBM общим объёмом 192 Гбайт. Первый вариант — шесть чипов HBF и два HBM. В этом случае общий объём памяти вырастает до 3120 Гбайт или около 3 Тбайт. Во втором сценарии рассматривается полная замена HBM на HBF, что даст ускорителю 4096 Гбайт (4 Тбайт) памяти. В такой объём можно целиком поместить большую языковую модель Frontier с 1,8 трлн параметров и размером 3,6 Тбайт. В приведённых примерах ёмкость одного стека HBM принята за 24 Гбайт, а HBF — 512 Гбайт (более чем в 21 раз выше), потому что у флеш-памяти NAND более высокая плотность.

На схеме HBF кристаллы флеш-памяти NAND устанавливаются друг на друга и размещаются над логическим кристаллом. Стек HBF, как и HBM, устанавливается на интерпозере рядом с графическим, центральным или тензорным процессором в зависимости от того, где требуется память; интерфейс потребует лишь «незначительных изменений протокола». Главное, что HBF, по версии SanDisk, предлагает ту же пропускную способность, что и HBM.

В традиционном варианте NAND действительно приближается к DRAM по пропускной способности, но отчаянно проигрывает по времени доступа. Эту проблему в SanDisk решили специальной архитектурой NAND, поделив компонент на несколько областей с бо́льшим количеством линий данных, что означает ускорение доступа и более высокую производительность.

Архитектуру HBF разработали в компании в прошлом году под «влиянием крупных игроков в области ИИ». Далее будет сформирован технический консультативный совет, в который войдут партнёры компании и лидеры отрасли; затем появится открытый стандарт. В 2019 году японские учёные предложили концепцию HBN (High Bandwidth NAND), и не исключено, что у HBF есть с ней нечто общее. SanDisk тем временем уже подготовила «дорожную карту», в которой описываются новые поколения памяти этого типа — увеличиваться будут и ёмкость, и производительность.

Вся активность предыдущих трёх лет, направленная на ограничение властями США доступа китайских производителей памяти к передовым технологиям их производства, в итоге привела к сохранению конкуренции со стороны китайских компаний. Во всяком случае, по неофициальным данным южнокорейская Samsung вынуждена увеличивать количество слоёв выпускаемой в Китае памяти 3D NAND до 286 штук, чтобы не отставать от китайской компании YMTC.

Источник изображения: Samsung Electronics

Как известно, китайская компания YMTC недавно освоила массовое производство памяти типа 3D NAND, которая по своей компоновке эквивалентна 294-слойной. У южнокорейской компании Samsung Electronics в китайском Сиане расположено крупнейшее предприятие по производству твердотельной памяти, оно обеспечивает до 40 % объёмов выпуска продукции данной марки. Первоначально Samsung рассчитывала модернизировать мощности данного предприятия в Китае, чтобы перейти от выпуска 128-слойной памяти к 236-слойной, но теперь рассчитывает продвинуться сразу на шаг дальше, и освоить выпуск 286-слойной памяти. Тем самым, будет условно достигнут теоретический паритет с китайской YMTC.

В принципе, за пределами Китая Samsung готова выпускать и более современную память. На передовом южнокорейском предприятии в Пхёнтхэке она намерена наладить серийный выпуск 400-слойной памяти 3D NAND уже в следующем полугодии. В Сиане к тому времени планируется наладить выпуск от 2000 до 5000 кремниевых пластин с 286-слойной памятью 3D NAND в месяц. Договорённости с властями США позволяют Samsung выпускать на территории Китая микросхемы памяти с количеством слоёв более 200 штук, но та же YMTC в этом случае попадает под экспортные ограничения, не имея доступа к соответствующим технологиям и оборудованию.

Примечательно, что намеченная модернизация технологий производства памяти всё равно вынуждает Samsung снижать объёмы выпуска NAND. В первом квартале ежемесячный объём производства компания сократит на четверть до 420 000 чипов NAND. В целом спрос на рынке твердотельной памяти оставляет желать лучшего, но более современные и ёмкие чипы будут востребованы в специфических сегментах рынка типа систем искусственного интеллекта.

Исследователи из Университета Линчепинга (Linköping University) получили патент на технологию улучшенной металлизации отверстий при производстве многослойной памяти, в частности 3D NAND. Благодаря их разработке заполнение отверстий материалом будет происходить равномерно по всей глубине, что также позволит увеличить плотность их расположения и, следовательно, количество ячеек памяти, создаваемых вокруг них в каждом слое чипа..

Источник изображения: Linköping University

Актуальность и масштабы проблемы учёные наглядно поясняют на примере самого высокого здания в мире — 828-метрового небоскрёба Бурдж-Халифа в Дубае. Если учесть, что соотношение диаметра отверстия для металлизации у многослойной памяти к его глубине составляет 1:100 (диаметр — 100 нм, глубина — 10 000 нм), то основание Бурдж-Халифа в аналогичном масштабе должно быть всего 8 метров. На практике же оно 191 метр, но сложность задачи понятна — необходимо заполнить чрезвычайно глубокое отверстие равномерно по всей длине, поскольку в каждом месте его контакта с очередным слоем создаётся ячейка памяти, и брак здесь недопустим.

Самым простым способом добиться равномерного заполнения отверстий материалом было снижение температуры в момент его осаждения в паровой фазе, что могло привести к браку. Однако финские учёные предложили другой подход: на этом (начальном) этапе они добавили в среду тяжёлый нейтральный газ ксенон. Сообщается, что результат превзошёл ожидания. Благодаря ксенону не пришлось снижать температуру, а его тяжёлые молекулы помогли равномерно заполнить отверстия материалом до самого их дна. В этом заключается очевидный потенциал для дальнейшего увеличения плотности ячеек памяти.

«Мы пока точно не знаем, как это на самом деле работает. Мы считаем, что газообразный ксенон помогает “проталкивать” молекулы в отверстие. Это был гениальный ход моего аспиранта Аруна Харидаса Чулаккала (Arun Haridas Choolakkal). Он изучил некоторые базовые формулы движения газов и выдвинул гипотезу, что это должно сработать. Вместе мы провели ряд экспериментов, чтобы проверить это, и это действительно сработало», — рассказал руководитель проекта Хенрик Педерсен (Henrik Pedersen).

Разработчики получили патент на своё открытие в Финляндии и продали его одной из местных компаний, которая уже приступила к получению международных патентов.

Компания YMTC развивалась семимильными шагами, пока американские власти не захотели замедлить этот прогресс, введя санкции против полупроводникового сектора Китая в целом. Как отмечают эксперты TechInsights, даже в условиях санкций YMTC продолжила совершенствовать технологии производства памяти 3D NAND, и недавно освоила дизайн микросхем, предусматривающий наличие около 270 активных слоёв.

Источник изображения: YMTC

Как поясняет South China Morning Post со ссылкой на отчёт канадской компании TechInsights, которая специализируется на «разоблачении» китайских производителей чипов, в составе твердотельного накопителя ZhiTai TiPro9000 её специалистам удалось обнаружить новые микросхемы 3D NAND высокой плотности, использующие двухъярусную компоновку слоёв. Первый ярус содержит 150 затворов, второй 144 затвора, что в итоге обеспечивает наличие 294 затворов. При этом две кремниевые пластины сращиваются для обеспечения подобной компоновки.

Ранее YMTC могла размещать на одном ярусе не более 180 затворов, новый подход увеличивает их количество на 114 штук. Более того, такие микросхемы памяти позволяют обеспечить плотность хранения информации более 20 Гбит на квадратный миллиметр, чего не может предложить ни одна другая память из существующих на рынке. Если ранее пределом для YMTC был выпуск 160-слойных микросхем памяти 3D NAND, то теперь количество слоёв увеличивается до 270 штук. Технология компоновки Xtacking 4.0 позволила компании добиться прогресса в характеристиках памяти в условиях ограничений со стороны западных поставщиков оборудования.

Аналитики TrendForce ко второй половине января оказались готовы делать прогнозы относительно динамики рынка флеш-памяти в текущем году. По их мнению, сегмент продолжит испытывать давление из-за низкого спроса и перепроизводства. Крупнейшие игроки рынка на этом фоне начнут сокращать объёмы выпуска продукции и создадут благоприятные для дальнейшей консолидации условия.

Источник изображения: Samsung Electronics

Технически, данные меры будут выражаться в снижении уровня загрузки имеющихся производственных линий и отсрочке перехода на более современные техпроцессы. Спрос на новые смартфоны и ноутбуки не так высок, а в корпоративном сегменте также наблюдается охлаждение спроса на твердотельные накопители. Во-вторых, цены на микросхемы NAND снижаются с третьего квартала прошлого года, и поставщики придерживаются пессимистичных взглядов на их динамику в первой половине 2025 года. Низкие цены, сохраняющиеся на рынке, сокращают прибыль производителей, вынуждая их уменьшать объёмы выпуска продукции.

Добавляют проблем глобальному рынку и активность китайских производителей памяти, которые стремительно наращивают объёмы выпуска продукции на фоне национальной политики импортозамещения. Продукция китайских производителей NAND оказывается дешевле зарубежной, это также сбивает цены на глобальном рынке.

Многие производители флеш-памяти мирового масштаба готовятся снижать объёмы выпуска продукции. Micron соответствующее решение уже приняла, Kioxia и Western Digital (SanDisk) вот-вот последуют её примеру. Долго сопротивлявшаяся снижению объёмов выпуска Samsung под нажимом китайских конкурентов также будет вынуждена пойти на соответствующий шаг в текущем году. SK hynix и родственная компания Solidigm неплохо противостояли кризисным явлениям в прошлом году за счёт корпоративного сегмента, но в этом им тоже придётся пересмотреть производственные планы.

Эксперты TrendForce считают, что подобные явления будут увеличивать риски ухода с рынка определённых поставщиков. Ради выживания производителям NAND придётся осваивать более выгодные технологии выпуска памяти и дифференцировать продуктовую линейку, пытаясь найти специфические ниши с меньшим уровнем конкуренции.

Рынок памяти подвержен цикличным колебаниям цен, которые определяют политику производителей. Крупнейшим из них остаётся южнокорейская Samsung Electronics, а её крупнейшей базой по производству микросхем памяти NAND является предприятие в китайском Сиане. Из-за неблагоприятной конъюнктуры рынка оно в этом году вынуждено будет сократить объёмы выпуска флеш-памяти примерно на 15 %.

Источник изображения: Samsung Electronics

Об этом сообщают южнокорейские СМИ, знакомые с планами компании. На рынке NAND, как уточняют они, в этом году назревает очередной кризис перепроизводства, поэтому цены на соответствующие микросхемы будут падать. Чтобы не увеличивать убытки, Samsung предпочитает сократить объёмы выпуска NAND. Если в прошлом году компания выпускала в месяц на предприятии в Сиане около 200 000 кремниевых пластин с чипами NAND, то в этом объёмы выпуска могут быть снижены до 170 000 штук в месяц. Более того, предприятия Samsung в корейском Хвасоне также сократят объёмы выпуска NAND.

До этого в подобных условиях Samsung приходилось снижать объёмы выпуска памяти в 2023 году, причём почти двукратно. После нормализации ситуации с ценами на микросхемы NAND, компания увеличила объёмы её выпуска до 450 000 кремниевых пластин в месяц, если учитывать все имеющиеся у неё площадки. В четвёртом квартале прошлого года наметилась было тенденция роста цен на твердотельные накопители серверного класса на волне бума ИИ на величину до 5 %, но в текущем квартале они должны пропорционально снизиться, как считают аналитики TrendForce.

Интересно, что SK hynix в таких условиях готовится нарастить объёмы выпуска NAND. Если учесть, что Samsung предпочтёт сокращать объёмы поставок памяти, то у более мелкого конкурента появится возможность укрепить свои рыночные позиции, пусть и в ущерб прибыльности. Высокие доходы в сфере поставок HBM позволяют SK hynix пойти на риск в сегменте NAND.

Стало известно о готовящемся докладе инженеров компании Samsung на конференции IEEE International Solid-State Circuits Conference 2025. Это произойдёт 19 февраля. Специалисты расскажут о будущей 400-слойной памяти 3D NAND, которой пока нет ни у одного производителя в мире.

Источник изображения: blocksandfiles.com

Согласно данным о документе, у будущей памяти Samsung число рабочих слоёв будет более 400. Кристаллы с отдельными наборами слоёв будут стыковаться друг с другом в процессе производства (технология WF-Bonding или подложка к подложке), что позволяет упростить выпуск многослойных микросхем памяти.

Сегодня память с наибольшим количеством слоёв производят массово или в виде образцов компании SK Hynix (321 слой), Samsung (286), Micron (276), Western Digital и Kioxia (218) и SK Hynix Solidigm (192). При этом Western Digital, Kioxia и YMTC разрабатывают 300-слойную память, которую представят в наступающем году. Основная борьба за первенство разгорелась между SK Hynix и Samsung, которые готовы штурмовать рубежи памяти с 400 слоями и более.

Ожидаемый к представлению 400-слойный чип Samsung будет объёмом 1 Тбит с плотностью 28 Гбит/мм². В каждую ячейку будут записываться по три бита данных. Заявленная скорость обмена по каждому контакту будет достигать 5,6 Гбит/с, что на 75 % больше, если сравнивать с актуальными чипами памяти Samsung 9-го поколения (400-слойная память будет относиться к 10-му поколению V-NAND Samsung). Очевидно, что такая память подойдёт как для изготовления SSD с шиной PCIe 5.0, так и PCIe 6.0.

Более плотная память Samsung может подтолкнуть производителей к выпуску SSD объёмом 256 Тбайт и даже 512 Тбайт. Возможно это будет через год или через два. Подождём февральского доклада и более чётких позиций руководства Samsung в отношении производства новой памяти.

Китайский крупнейший производитель флеш-памяти YMTC теперь обрабатывает от 400 000 до 500 000 пластин в год для выпуска передовой памяти NAND, причем все на отечественных пластинах. Причём ранее китайская компания покупала японские кремниевые пластины в больших количествах, но её потеря в качестве клиента стала для японской Sumco существенной проблемой.

Источник изображений: Sumco

В прошлом году компания YMTC со своей архитектурой флэш-памяти Xtacking 4.0 3D NAND стала первой компанией, которой удалось достичь количества слоев в 3D NAND в более чем две сотни. Продукт компании, X4-9070, 232-слойная TLC 3D NAND, использует несколько кремниевых пластин, что увеличивает потребление этого сырья — по прогнозам, YMTC потребляет уже около 500 000 пластин в год. Это может показаться большим объёмом, но для сравнения мировой лидер в сфере NAND, компания Samsung, способна обрабатывать до 2 млн пластин в квартал, то есть в 16 раз больше.

И тем не менее, достижение YMTC — огромный успех для китайского импортозамещения, и в то же время сильный удар для компаний, которые раньше поставляли китайским фирмам сырье. Как поясняет ресурс ComputerBase.de, тревожные сигналы руководство японской компании Sumco, являющейся одним из крупнейших поставщиков кремниевых пластин в мире, посылало ещё две недели назад, когда отчитывалось о результатах очередного фискального квартала. По оценкам представителей Sumco, китайская полупроводниковая промышленность сейчас способна выпускать до 1 млн кремниевых пластин в год, и половина этого количества уходит на нужды китайского производителя памяти типа 3D NAND — компании YMTC. Ранее последняя была клиентом Sumco, но по мере усиления санкций против Китая утратила доступ к зарубежному сырью, а потому перешла на закупку китайского.

На графике поставок кремниевых пластин из презентации Sumco видно, как в 2023 году просели объёмы поставок продукции на мировой рынок, и данную динамику как раз можно объяснить усилением санкций США против Китая осенью 2022 года, к которым японские производители были вынуждены присоединиться. Производство памяти типа 3D NAND требует большого количества кремниевых пластин, поскольку микросхемы имеют многослойную компоновку. В случае с самой передовой продукцией YMTC количество слоёв превышает 230 штук. Сможет ли спрос на продукцию Sumco восстановиться до прежних уровней, руководство японской компании не уверено, а потому уже в следующем году собирается задуматься о сокращении капитальных затрат и отсрочке введения в строй новых производственных линий.

Впрочем, есть сфера деятельности, которую антикитайские санкции не затронули. Речь идёт о поставках кремниевых пластин для выпуска чипов по передовым техпроцессам с нормами от 5 до 2 нм включительно. В отдельных сегментах рынка японские Sumco и Shin-Etsu Chemical контролируют почти 100 % рынка кремниевых пластин на этом направлении. Попутно будет расти спрос на кремниевые пластины, применяемые при выпуске памяти типа HBM. В этой сфере Sumco рассчитывает на среднегодовые темпы роста спроса на 36 % на протяжении последующих трёх лет.

Возвращаясь к YMTC хотелось бы добавить, что хотя компания использует кремний китайского производства, она по-прежнему полагается на иностранные инструменты, фоторезисты и прекурсоры. Есть некоторые признаки того, что YMTC разрабатывает собственные инструменты; это план более широкой стратегии китайской полупроводниковой промышленности, направленной на развитие каждого этапа процесса производства полупроводников. Huawei также занимается разработкой EUV-сканеров, и YMTC может помочь, ведь тоже нуждается в новых инструментах.

По мере роста цен на флеш-память её производители воспряли духом и начали рассказывать о дальнейших планах по совершенствованию технологий её выпуска. SK hynix на этой неделе сообщила, что приступает к массовому производству первой в мире 321-слойной памяти 3D NAND (сама компания называет её 4D NAND), которую начнёт поставлять клиентам в следующем полугодии.

Источник изображения: SK hynix

Являясь лидером в сегменте HBM, востребованной ускорителями вычислений для ИИ, компания SK hynix теперь претендует на статус «поставщика полного цикла» памяти для систем искусственного интеллекта. Она напоминает, что в июне прошлого года стала первым в мире поставщиком 238-слойной памяти NAND, а теперь за счёт применения передовых технологий монтажа стеков внутри микросхемы первой преодолела рубеж в 300 слоёв. Терабитные микросхемы 321-слойной памяти 3D NAND её клиенты начнут получать в первой половине 2025 года.

Прогресс в увеличении количества слоёв памяти был достигнут за счёт совершенствования технологии создания вертикальных каналов и применения материала с большей механической стабильностью. При этом 321-слойная память была разработана на той же платформе, что и 238-слойная. Переход на выпуск нового поколения при этом повысит производительность производства на 59 % с минимальными рисками.

Кроме того, новое поколение памяти повышает скорость передачи информации на 12 % и повышает скорость чтения на 13 %, при этом энергетическая эффективность данных операций увеличивается более чем на 10 %. Такие микросхемы станут хорошей основой для современных скоростных твердотельных накопителей, применяемых в системах искусственного интеллекта.

Немалая часть микросхем памяти Samsung и SK hynix выпускается на территории Китая, и профильное оборудование требует обновления и замены. Как отмечает издание Chosun Daily, компания Samsung готовится продать выведенное из эксплуатации оборудование для выпуска памяти типа 3D NAND со своего китайского предприятия на внутреннем рынке.

Источник изображения: Samsung Electronics

Предполагается, Samsung попытается найти новых владельцев для своего бывшего в употреблении оборудования для выпуска 100-слойной памяти типа 3D NAND. Наиболее вероятными кандидатами на покупку являются китайские производители памяти, но до сих пор Samsung и SK hynix предпочитали продавать оборудование через посредников, избегая прямых сделок с китайскими компаниями. Samsung собирается переводить своё предприятие в китайском Сиане на выпуск 200-слойной памяти.

По правилам экспортного контроля в США, которые вступили в силу в октябре 2022 года, поставки в Китай оборудования для выпуска памяти 3D NAND с более чем 128 слоями запрещены. Samsung и SK hynix смогли выбить для себя освобождение от этих ограничений на неопределённый срок. Однако, реализация бывшего в употреблении оборудования на территории Китая представляет для корейских компаний определённый риск даже в случае с техникой, предназначенной для выпуска памяти по более старым нормам. Сама Samsung намеревается к 2026 году наладить выпуск 400-слойной памяти типа 3D NAND. Удастся ли компании найти в Китае покупателей для своего старого оборудования без ущерба для взаимоотношений с американскими чиновниками, станет понятно в следующем году, когда вопрос об избавлении от этого оборудования обретёт высокую актуальность.

Выручка Western Digital в минувшем квартале, который был для компании первым в наступившем 2025 фискальном году, увеличилась на 49 % до $4,1 млрд, а рост чистой прибыли на 26 % до $481 млн превзошёл ожидания инвесторов. Более того, в последовательном сравнении чистая прибыль компании выросла более чем в 17 раз.

Источник изображения: Western Digital

Важно понимать, что этот поставщик сильно зависит от сегмента флеш-памяти, поскольку именно поставки твердотельных накопителей на 46 % определяли его выручку в минувшем квартале. При этом нельзя утверждать, что состояние рынка твердотельной памяти ухудшало отчётность компании. Фактически, норма прибыли на флеш-направлении бизнеса WD даже превысила показатель в сегменте HDD, составив 38,9 против 38,1 %. Общая норма прибыли компании выросла на 2,2 пункта последовательно до 38,5 %, а годовой прирост вообще измерялся 34,4 процентных пункта.

В сегменте твердотельных накопителей валовые объёмы поставок в ёмкостном выражении последовательно выросли на 14 %, а средняя стоимость накопителя в пересчёте на 1 Гбайт выросла на 4 или 6 %, в зависимости от метода подсчёта. В сегменте жёстких дисков объёмы поставок в ёмкостном выражении увеличились на 14 % в последовательном сравнении, а средняя стоимость накопителя составила $164. Выручка от реализации жёстких дисков в годовом сравнении увеличилась на 85 %, тогда как в твердотельном сегменте она выросла только на 21 %.

В своём отчёте Western Digital охотнее оперирует показателями трёх сегментов рынка с точки зрения специфики конечного применения своей продукции: облачного, клиентского и потребительского. На облачный сегмент пришлось более половины всей выручки ($2,2 млрд), он в годовом сравнении увеличил выручку в 2,5 раза. Клиентский прибавил только 5,4 % до $1,2 млрд, а выручка в сегменте потребительской электроники вообще сократилась в годовом сравнении с $731 до $678 млн. Облачный сегмент также продемонстрировал последовательный рост выручки на 17 %, тогда как два других демонстрировали условную стабильность.

В отличие от основного конкурента, Western Digital продолжает публиковать статистику по количеству отгруженных жёстких дисков. В облачном сегменте она смогла нарастить их в годовом сравнении с 5,3 до 9 млн штук, клиентский сектор просел с 2,6 до 2,3 млн жёстких дисков, в сегменте потребительской электроники поставки тоже сократились с 2,5 до 2,1 млн штук. Другими словами, общий рост объёмов поставок HDD с 10,4 до 13,2 млн изделий обусловлен исключительно спросом на жёсткие диски со стороны облачных клиентов.

В текущем фискальном квартале Western Digital рассчитывает выручить от $4,2 до $4,4 млрд, сохранить норму прибыли в диапазоне от 36,5 до 38,5 %. Удельный доход на одну акцию должен составить от $1,75 до $2,05, что по центру диапазона чуть ниже упоминаемых аналитиками $1,93. Успехи компании на рынке облачных систем способствовали росту курса акций на 9,36 % после закрытия основной торговой сессии.

Сезонный спрос на продукты на основе флеш-памяти NAND во второй половине 2024 года оказался слабее ожидаемого, что привело к снижению контрактных цен на пластины с такими чипами в III квартале. Эта тенденция к снижению, как ожидается, усилится, и в IV квартале снижение цен составит более 10 %, сообщает аналитическая компания TrendForce.

Источник изображения: samsung.com

Единственным сегментом, в котором, вероятно, будет наблюдаться скромный рост цен, являются корпоративные твердотельные накопители — в IV квартале прогнозируется рост контрактных цен на 0–5 %. В отношении UFS и SSD для ПК заказчики будут применять более осторожные стратегии закупок, так как продажи конечной продукции будут слабее, чем ожидалось ранее. В результате общие контрактные цены на память NAND снизятся на 3–8 %.

Несмотря на то, что производители активно развёртывают продажи ПК с искусственным интеллектом, из-за инфляции и небольшого объёма практических инноваций в области ИИ потребители не станут спешить с покупкой новых компьютеров. Несколько крупных производителей в III квартале вернулись к полной загрузке мощностей, а другие нарастили производство за счёт модернизации процессов, но стабильного спроса в серверном сегменте недостаточно, чтобы поддерживать рост цен с учётом вялого потребительского рынка. Дополнительным сдерживающим фактором являются расширяющийся разрыв между ценами на спотовом рынке, ценами каналов поставок и контрактными ценами у OEM-производителей. В результате контрактные цены на потребительские SSD для ПК в IV квартале снизятся на 5–10 %.

Источник изображения: trendforce.com

Производители смартфонов и ноутбуков стали придерживаться стратегии сокращения запасов, что привело к более консервативным заказам на память NAND. Но поставщики продолжили наращивать производство, что привело к избыточному предложению. Рынок смартфонов в III квартале не показал признаков восстановления, так как многие производители исчерпали запасы eMMC и сопротивлялись повышению цен, что привело к ограниченному числу контрактов. Новый импульс на рынок eMMC привнесли новые модели ряда китайских брендов, но все они, вероятно, постараются избежать формирования избыточных запасов. В III квартале наблюдалось продолжительное ценовое противостояние между поставщиками и покупателями — у поставщиков выросли запасы на рынке модулей и на спотовом рынке, что склонило чашу весов в пользу покупателей. В итоге контрактные цены на eMMC снизятся на 8–13 %.

На рынке памяти UFS, которая используется преимущественно в премиальных и флагманских смартфонах, ситуация аналогична положению на рынке eMMC. Из-за слабой динамики экономики смартфоны стали менять не раз в два года, как было раньше, а раз в три года, и прорыва на рынке, который мог бы переломить ситуацию, не случилось. В результате контрактные цены на UFS в IV квартале также снизятся на 8–13 %.

Розничный спрос на клиентские SSD, карты памяти и USB-накопители остаётся скромным с начала 2024 года. Интерес потребителей не смогли всколыхнуть сезонные распродажи в преддверии окончания школьных каникул и праздников в Европе и США; из-за экономического спада в Китае ожидается ослабление спроса и во время торгового фестиваля 11 ноября — эти факторы, вероятно, и дальше усугубят падение спроса на пластины NAND в IV квартале. У производителей модулей по-прежнему остаются избыточные запасы, и поставщики вынуждены были переключиться на стратегию снижения цен, чтобы сохранить работоспособность. В результате контрактные цены на пластины NAND могут снизиться на 10–15 % в IV квартале, предупреждают в TrendForce, и если рыночные условия ухудшатся ещё больше, возможно более серьёзное снижение.