Теги → nand
Быстрый переход

В Китае заработали линии по упаковке и тестированию 3D NAND и DRAM

Три года назад мы стали свидетелями, как китайские компании начали нащупывать путь для доступа к технологиям производства флеш-памяти NAND. Прямой путь ― решить проблему большими деньгами ― ни к чему не привёл. Попытки китайского холдинга Tsinghua Unigroup купить доли в компаниях Micron и SK Hynix были блокированы уже на стадии переговоров, а уже заключённые договоры на покупку 25 % долей трёх тайваньских компаний-упаковщиков были саботированы Кабинетом министров Тайваня. Китайцев это не испугало и, возможно, последствия отказов от совместных предприятий с американцами, корейцами и тайваньскими компаниями будут иметь для всех них куда худшие последствия. Китай пошёл по пути наибольшего сопротивления и сам начал строить заводы по выпуску памяти, параллельно разрабатывая или аккуратно «заимствуя» необходимые для производства технологии.

Как вы наверняка знаете из новостей, этап производства национальной китайской 3D NAND формально можно считать свершившимся фактом. Компания Yangtze Memory Technology (YMTC) начала выпускать определённые объёмы 32-слойной памяти NAND. Для расширения производства строятся ещё два завода ― один в Нанкине, второй в Чэнду. Но все эти предприятия выпускают память только на кремниевых 300-мм пластинах. Нарезкой, упаковкой, тестированием и маркировкой чипов они не занимаются. Эти работы должны делать специализированные компании или линии. Поскольку компании Tsinghua Unigroup отрезали доступ к тайваньским упаковщикам, китайцам пришлось идти другим путём.

Так, в марте 2017 года Tsinghua Unigroup выкупила контрольный пакет акций (48 %) в китайском подразделении ChipMos (Shanghai) тайваньского упаковщика чипов компании ChipMos Technologies. Вырученные за акции деньги в размере $72 млн пошли на расширение производственных мощностей по упаковке и тестированию. Новое оборудование было завезено в апреле 2018 года, а уже к ноябрю оно прошло верификацию на соответствие запросам клиентов. Сообщается, что новая линия будет специализироваться на упаковке памяти 3D NAND, хотя предприятие Unimos Microelectronics (СП было переименовано с ChipMos Shanghai в Unimos Microelectronics летом 2018 года) будет способно упаковывать также чипы и память eMMC, UFS, eMCP, TF, 2D NAND, NOR, DRAM и SRAM.

Также источник сообщает, что Tsinghua Unigroup строит в Сучжоу завод по выпуску SSD корпоративного и клиентского назначения. Но нелишне напомнить, что Tsinghua также заключила соглашение на поставку 3D NAND для выпуска SSD и карт памяти под китайским брендом Longsys и принадлежащим ей бывшим американским брендом Lexar. Как видим, в Китае готовится комплексная база для взращивания национального производства NAND-флеш и всего спектра продукции на основе твердотельной памяти.

Инвестиции в производство NAND будут снижены, но цены на память продолжат падение

В конце декабря ряд аналитиков уже высказались на тему сокращения инвестиций в производство твердотельной памяти NAND. Потребители NAND в виде производителей смартфонов теряют темп развития, что ведёт к снижению спроса и перепроизводству продукции. У производителей памяти образуются угрожающие по объёмам складские запасы нереализованного товара, что, в свою очередь, требует сокращать выпуск NAND-флеш. Не продавать же её за копейки? Кстати, ещё сто лет назад практика уничтожения товара (прежде всего — продовольствия) имела законное хождение.

Но вернёмся к NAND. Аналитики подразделения DRAMeXchange торговой площадки TrendForce опубликовали прогноз, согласно которому производители NAND-флеш будут снижать капитальные затраты на расширение производства NAND в 2019 году. Конкретно это будет выражаться в том, что в пересчёте на ёмкость объёмы поставок памяти NAND в 2019 году вырастут в меньшей степени, чем ожидалось. В 2018 году компании Samsung и SK Hynix уже сократили капитальные затраты на 10 %, но, как видим, это не остановило перепроизводство. В 2019 году этим же приёмом обещают воспользоваться компании Micron и Intel, что снизит суммарные инвестиции в расширение производства NAND в 2019 году до $22 млрд или на 2  % меньше, чем в 2018 году.

Снижение инвестиций в развитие производства NAND означает, что переход на выпуск 92/96-слойной 3D NAND будет замедлен. Практически все производители (кроме SK Hynix) уже массово выпускают 92/96-слойную 3D NAND. К концу 2019 года, тем не менее, свыше 50 % выпускаемой 3D NAND будет оставаться 64/72-слойной, тогда как объём выпуска 92/96-слойной 3D NAND обещает оказаться на уровне 32  %. Это также означает, что в 2019 году увеличение производства NAND в пересчёте на биты вырастет всего на 38 %, хотя в 2018 году рост производства в пересчёте на ёмкость превысил 45 % в год. Это значительно больше, чем можно ожидать в текущем году, что явно не радует нас как потребителей.

Компания Samsung, как считают в DRAMeXchange, увеличит производство памяти в пересчёте на биты на 35 %. Поскольку Samsung удерживает около 30 % мирового рынка NAND, её решение притормозить окажет влияние на весь рынок в целом. Снижение объёмов Samsung следует из двух факторов. Во-первых, компания уменьшает выпуск планарной NAND. Во-вторых, выпуск 92-слойной 3D NAND (Samsung выпускает именно 92-слойную память) требует больших производственных площадей, чем выпуск той же 64-слойной 3D NAND. Это связано с тем, что 92-слойная 3D NAND собирается фактически из двух пластин с 48-слойными кристаллами 3D NAND, тогда как 64-слойную 3D NAND можно выпускать в виде одного монолитного кристалла на одной пластине.

Компании SK Hynix и Toshiba/Western Digital также имеют все шансы снизить объёмы производства 3D NAND. Каждая из них запустила в 2018 году по новому заводу (M15 и, соответственно, Fab 6), но они могут притормозить переход на выпуск 96-слойной памяти. Тем самым аналитики прогнозируют, что ранее запланированный рост выпуска памяти в битах на 50 % и, соответственно, 40 % трансформируется в рост менее 50 % и 35 %.

Что касается компании Micron, то её новый завод в Сингапуре начнёт массово выпускать 3D NAND только после 2020 года. Следовательно, объёмы производства Micron останутся теми же самыми, как в четвёртом квартале 2018 года. Компания Intel продолжит расширять производство на китайском заводе в городе Далянь, но молчит об инвестициях в другие производственные площадки. Суммарный вклад Micron и Intel в рост объёмов производства 3D NAND обещает оказаться в 2019 году на уровне 40  %, хотя этот показатель в 2018 году был на уровне 45 %.

Интересно отметить, что, несмотря на снижение инвестиций, перепроизводство 3D NAND приведёт к резкому — на 20 % — снижению отпускных цен на эту память уже по итогам первого квартала 2019 года. Во втором квартале аналитики ожидают дополнительного снижения цен на 15 % и дальше на 10 % за квартал. Всего в 2019 году по сравнению с 2018 годом отпускные цены на NAND обещают снизиться в два раза.

Серию Crucial BX500 пополнит твердотельный накопитель на 960 Гбайт

Компания Crucial расширила серию твердотельных накопителей BX500, представленных ранее в этом году. Теперь помимо моделей на 120, 240 и 480 Гбайт в данное семейство входит и SSD-накопитель на 960 Гбайт.

Производитель указывает, что представители серии BX500 построены на памяти 3D NAND производства Micron, но не уточняет, какой именно тип этой памяти здесь использован. Тем не менее в данном случае используется память типа TLC с трёхбитовыми ячейками, хотя цена Crucial BX00 и выглядит так, как будто это — накопители, подобные Samsung 860 QVO на базе QLC-памяти.

Как и для всех других версий Crucial BX500, для новинки объёмом 960 Гбайт заявляется скорость последовательного чтения до 540 Мбайт/с и последовательной записи до 500 Мбайт/с. Накопитель выполнен в форм-факторе 2,5 дюйма и имеет толщину 7 мм. Подключается новинка через интерфейс SATA III.

Согласно характеристикам, накопители Crucial BX500 поддерживают использование многошагового алгоритма обеспечения целостности данных, мониторинг температуры, ускорение записи за счёт SLC-кеша, а также у них есть поддержка TRIM, SMART и ECC. К тому же Crucial предоставит пользователям копию Acronis True Image для переноса текущей системы на их новый твердотельный накопитель.

Линейка Crucial BX500 относится к бюджетному сегменту, и производитель оценил новый накопитель на 960 Гбайт в $130.

Toshiba не страшится перепроизводства NAND и не будет продавать Toshiba Memory

Перепроизводство на рынке флеш-памяти NAND уже снизило контрактные цены на эту продукцию на 10 % за прошедший квартал и грозится дальше обрушивать цены на флеш и SSD в течение всего следующего года. В связи с этим и по другим вопросам журналисты Reuters обратились за разъяснением к генеральному директору корпорации Toshiba.

Директор Toshiba Corp Нобуаки Куруматами (Nobuaki Kurumatani, REUTERS/Issei Kato)

Директор Toshiba Corp Нобуаки Куруматами (Nobuaki Kurumatani, REUTERS/Issei Kato)

Как известно, Toshiba не стала целиком избавляться от подразделения Toshiba Memory по производству памяти NAND-флеш (3D NAND). Более того, Toshiba реинвестировала в подразделение, когда получила средства за большую часть активов Toshiba Memory. Сумма сделки с консорциумом Bain Capital, куда вошли компании SK Hynix, Apple, Dell и Seagate составила около $18 млрд. В этой сумме вклад самой Toshiba составил $3,1 млрд, что дало ей возможность получить 40,2 % акций Toshiba Memory. Пока память росла в цене, эта доля приносила хорошие деньги, но не пришло ли время сбрасывать балласт?

По словам директора Toshiba, компания провела удачную сделку и выдержала баланс между сохранённым производством памяти NAND и необходимостью значительно инвестировать в его поддержку. Она избавила себя от заботы самостоятельно тратить огромные средства на расширение производства и заводы и, при этом, продолжает получать дивиденды. В этом много лукавства, но в итоге компания добилась баланса и это хорошо. Она продолжает быть заинтересованной в выпуске качественной продукции в необходимых объёмах и в соответствии с рыночным спросом.

Руководство Toshiba подтвердило, что не намерено продавать часть или всю свою долю в Toshiba Memory. Более того, компания приступила к ранней стадии подготовки к выводу Toshiba Memory на фондовый рынок (IPO). Это, уверены в Toshiba, произойдёт в течение двух или трёх лет. Компания Toshiba Memory станет публичной в тот момент, когда потребует рыночная ситуация и, что интересно, Toshiba призналась, что на это также повлияет ситуация с китайскими чипмейкерами. Пожалуй, это первое публичное заявление Toshiba о растущих опасениях по отношению к зарождающемуся в Китае национальному производству NAND-флеш. На наш взгляд, это самое ценное в данном интервью.

В 2019 году оперативная и флеш-память ощутимо подешевеют

Цены на оперативную память DRAM и флеш-память NAND в наступающем 2019 году будут стремительно снижаться, сообщает авторитетный тайваньский ресурс DigiTimes со ссылкой на отраслевые прогнозы.

Сообщается, что цены на микросхемы как оперативной, так и флеш-памяти будут изменяться таким образом, что уже в первом квартале можно будет зафиксировать их снижение более чем на 10 %. Причём твердотельная память подешевеет сильнее, чем оперативная.

По оценкам экспертов, цены на твердотельную память NAND постепенно снизятся более чем на 15 % уже в течение одного только первого квартала 2019 года. В дальнейшем, то есть во втором квартале, цены продолжат последовательно уменьшаться, правда, пока неизвестно, насколько стремительно.

Что касается микросхем оперативной памяти DRAM, то за весь 2019 год цены на неё, вероятно, упадут на 30–35 %. Обусловлено это будет в первую очередь увеличением предложения. По данным источников, производственные мощности, на которых выпускаются микросхемы оперативной памяти, будут прирастать примерно на 10–15 % в год в течение следующих двух лет.

Кроме того в первом квартале 2019 года поставки продукции с памятью DRAM для серверного сегмента рынка могут оказаться самыми слабыми за почти три года.

Цены на SSD упали за год вдвое, но больше пока не хотят

В последнее время цены на флеш-память NAND перестали снижаться, и даже показали некоторый рост в преддверие нового года, сообщает авторитетный тайваньский ресурс DigiTimes со ссылкой на отраслевые источники.

Однако поводов для беспокойства нет, и уже в начале следующего года цены вернутся к снижению. Способствовать этому по-прежнему будет избыточное предложение, наметившееся на рынке ещё раньше в этом году. Заметим, что благодаря этой ситуации, цены на твердотельные накопители за 2018 год уменьшились примерно в два раза.

Источник указывает на то, что поставщики микросхем твердотельной памяти в последнее время несколько повысили цены. Сами же производители как чипов NAND, так и готовых устройств на их основе, по-прежнему не спешат наращивать поставки продукции. Отмечается, что за последнее время лишь немного выросли цены на флеш-карты, тогда как твердотельные накопители продолжают дешеветь. Цены на память eMMC и eMCP, которая используется в готовых устройствах, например, смартфонах, остаются стабильными.

Ожидается, что в следующем году получится уменьшить переизбыток на рынке флеш-памяти в том числе за счёт смартфонов с большим объёмом встроенной памяти. Ожидается, что в наступающем году производители будут активно оснащаться свои флагманские смартфоны 512 Гбайт встроенной флеш-памяти.

Что касается стоимости твердотельных накопителей, то как и упоминалось выше, она значительно уменьшилась за этот год. На данный момент, цена твердотельного накопителя на 240 Гбайт примерно равно цене жёсткого диска объёмом 1 Тбайт. А уже к концу следующего года по цене терабайтного винчестера можно будет купить SSD объёмом 480/512 Гбайт.

Новая статья: Обзор SATA SSD-накопителя Samsung 860 QVO: 10 тысяч за терабайт

Данные берутся из публикации Обзор SATA SSD-накопителя Samsung 860 QVO: 10 тысяч за терабайт

Рассекречен твердотельный накопитель Samsung на основе QLC-памяти

На сайтах сразу нескольких европейских ретейлеров появилась информация о новых твердотельных (SSD) накопителях Samsung для потребительского рынка — устройствах на основе флеш-памяти QLC NAND.

Напомним, что технология QLC предусматривает хранения четырёх бит информации в одной ячейке. По сравнению с изделиями TLC (три бита в ячейке) плотность хранения данных возрастает на 33 %. А это позволяет снизить удельную стоимость накопителей на единицу ёмкости.

Новые SSD-изделия Samsung объединены в семейство 860 QVO — Quality and Value Optimized SSD. Эти устройства на основе QLC-памяти выполнены в 2,5-дюймовом форм-факторе. Для подключения служит стандартный интерфейс Serial ATA.

Указано, что скорость последовательного чтения достигает 550 Мбайт/с, скорость последовательной записи — 520 Мбайт/с. Показатель IOPS (операций ввода/вывода в секунду) при чтении составляет до 96 000, при записи — до 89 000.

В семейство Samsung 860 QVO войдут модели вместимостью 1 Тбайт, 2 Тбайт и 4 Тбайт. Стоимость накопителей варьируется у различных ретейлеров. Предполагается, что официальная розничная цена составит соответственно 140 евро, 270 евро и 540 евро. Производитель обеспечит новинки трёхлетней гарантией. Начало поставок ожидается в декабре. 

Китайская Yangtze Memory сможет продавать 3D NAND под маркой Lexar

Если верить неким инсайдерам, раскрывшим секрет нашим коллегам с DigiTimes, то на днях в Пекине компании Tsinghua Unigroup и Longsys Electronics (Шэньчжэнь) заключили стратегический альянс в области производства продукции на основе NAND-флеш. Компании Tsinghua, как мы знаем, принадлежит дочерняя структура Yangtze Memory Technologies (YMTC) с весьма амбициозными планами по завоеванию рынка 3D NAND. Компания Longsys Electronics, в свою очередь, выпускает карты памяти и SSD-накопители как для внутреннего рынка Китая, так и для продаж за рубежом. Поэтому Longsys прямо заинтересована в поставках чипов 3D NAND.

Важно напомнить, что в сентябре 2017 года компания Longsys выкупила у компании Micron активы и бренд Lexar Media. За годы до Micron и в составе этой компании бренд Lexar стал хорошо известен на развитых рынках, включая рынок розницы в США. Будет забавно узнать, что туда под именем Lexar начнёт поступать абсолютно китайская продукция. В то же время поставщиком Longsys Electronics также обещает оказаться компания Intel и тоже при участии Tsinghua Unigroup. В этом случае Intel будет действовать через другую структуру Tsinghua, а именно через компанию UNIC Memory Technology.

Первое время от компании Yangtze Memory не стоит ждать заметных объёмов 3D NAND. Этот первый в стране национальный разработчик и производитель 3D NAND едва-едва приступил к ограниченным поставкам партий 32-слойной 64-Гбит 3D NAND. Массовое производство 3D NAND на заводах Yangtze Memory стартует только через год с внедрением в производство 64-слойной 128-Гбит памяти. Тем самым прямой эффект от сотрудничества Tsinghua и Longsys начнёт проявляться через год или несколько позже, хотя компания Intel может выиграть от сотрудничества с Longsys прямо сейчас. Её завод в городе Далянь выпускает 64-слойную 512-Гбит 3D NAND в промышленных масштабах.

Образцы китайской 32-слойной 3D NAND (Tsinghua, CCTV13)

Образцы китайской 32-слойной 3D NAND (Tsinghua, CCTV13)

В целом вырисовывается интересная ситуация, когда, с одной стороны, Micron противодействует распространению китайской NAND- и DRAM-продукции, а с другой стороны, продаёт узнаваемый флеш-бренд тем же китайцам.

Китайцы пропустят этап выпуска 96-слойной 3D NAND и сразу перейдут к 128-слойной

Как сообщает тайваньский интернет-ресурс DigiTimes, китайская компания Yangtze Memory Technology (YMTC) приступила к поставкам опытных образцов 64-слойной памяти 3D NAND. Согласно ранним сообщениям, это микросхемы ёмкостью 128 Гбит. К массовому производству 64-слойных чипов NAND компания собирается приступить в четвёртом квартале 2019 года или, если верить свежим сообщениям, в третьем квартале 2019 года.

Ветераны и лидеры отрасли по производству NAND компании Samsung, WD, Toshiba, SK Hynix, Intel и Micron в это время будут переходить к массовому производству 96-слойной памяти 3D NAND. У зарождающейся в Китае отрасли по выпуску 3D NAND не так много технологических возможностей выйти в течение нескольких ближайших лет на уровень старичков, но китайцы постараются. Например, компания YMTC собирается пропустить этап производства 96-слойной памяти и от 64-слойной сразу перейти к производству 128-слойной 3D NAND уже в 2020 году.

«Китайская память» 3D NAND состоит из двух отдельных кристаллов с интерфейсом и массивом памяти (стык в месте «красных» контактов)

«Китайская память» 3D NAND состоит из двух отдельных кристаллов с интерфейсом и массивом памяти (стык в месте «красных» контактов)

При всей сложности производства многослойной памяти 3D NAND с числом слоёв свыше 64 штук у компании Yangtze Memory есть своя разработанная в Китае технология выпуска подобной памяти. Это технология Xtacking, которая позволяет собирать 3D NAND как кубики «Лего», состыковывая отдельно выпущенные кристаллы с управляющей электроникой и массивы NAND. Это наверняка поможет производителю создать технологию стековой компоновки массивов NAND, как это делают западные компании. Память 3D NAND с 96 слоями, напомним, собирается из двух 48-слойных кристаллов 3D NAND. Китайцы точно так же смогут собирать 128-слойную 3D NAND из двух 64-слойных массивов памяти.

96-слойная 3D NAND может быть составлена из двух 48-слойных кристаллов 3D NAND (International Memory Workshop 2018)

96-слойная 3D NAND может быть составлена из двух 48-слойных кристаллов 3D NAND (International Memory Workshop 2018)

В настоящий момент, напомним, компания Yangtze Memory выпускает небольшие коммерческие партии 32-слойной 64-Гбит 3D NAND. Этот вид деятельности не приносит ей прибыли, но позволяет отладить техпроцессы и подготовиться к запуску полномасштабного производства 64-слойной 3D NAND. При выходе на полную мощность первый вошедший в строй завод YMTC будет каждый месяц выпускать до 100 тыс. пластин с 64-слойной памятью 3D NAND, что произойдёт, скорее всего, ближе к середине 2020 года.

Торговая война США и Китая продолжает обрушивать цены на NAND-флеш

Аналитики DRAMeXchange опубликовали результаты статистики поведения цен на флеш-память в течение октября. По данным, собранными этой торговой площадкой, на которой проводятся электронные торги на поставку памяти DRAM и NAND, в октябре произошло сильнейшее за последние 12 месяцев последовательное (месячное) снижение цен на память типа NAND. Точнее, сильнее всего в октябре упали контрактные (оптовые) цены на чипы и пластины с памятью 3D NAND TLC — на 13–17 %. Это самая массовая на сегодня память NAND, которая находится в производстве.

Столь сильное падение договорных цен на 3D NAND TLC аналитики связывают с прогнозом плохого спроса в первой половине 2019 года на продукцию с использованием NAND (в первую очередь, можно полагать, речь идёт о смартфонах). Поэтому производители и поставщики флеш-памяти спешат снизить цену на продукцию намного раньше, чтобы успеть избавиться от складских запасов.

Складские запасы, кстати, принято распродавать до начала квартальных отчётов, чтобы показать инвесторам и акционерам хорошую картинку, а затоваривание складов — это огромный минус производителю. Тем самым контрактные цены на чипы и пластины с NAND-флеш обычно дешевеют в конце каждого квартала. Так было и в этот раз, но особенность третьего квартала в том, что за ним следует четвёртый квартал и годовая инвентаризация запасов не только у поставщиков, но также у их клиентов, которым по итогам года тоже нельзя показывать раздувшиеся складские запасы. Как результат, поставки (и закупка) флеш-памяти в декабре будут идти ни шатко, ни валко.

Аналитики добавляют, что, несмотря на приближающийся предпраздничный сезон распродаж, октябрьское снижение договорных цен не сможет стимулировать покупателей наращивать складские запасы NAND. По крайней мере, если говорить о краткосрочной перспективе. Так что дополнительного снижения цен на флеш-память можно ждать и в ноябре, и в декабре. Интересно добавить, что контрактные цены на 3D NAND TLC рухнули сильнее, чем на 2D NAND. Это возродило интерес к наращиванию производства планарной NAND, но также повлекло за собой дополнительное падение контрактных цен на 2D NAND на 4–10 %. Рынок не даёт расслабиться и найти производителям лазейку обойти наметившуюся тенденцию.

Что касается продолжающейся торговой войны между США и Китаем, то этот конфликт подогревает и так непростую ситуацию с затовариванием NAND. Например, не оправдали себя ожидания на разрешение компании ZTE возобновить бизнес в США. В третьем квартале это должно было вылиться в сокращении запасов NAND в сетях ODM-производителей телекоммуникационного оборудования. В должной мере этого не произошло и теперь затоваривание негативно скажется на последующих кварталах. Что это даст потребителям? Интересные цены на продукцию, но заставит производителей искать выход из кризисной ситуации, который вряд ли нам понравится.

SK Hynix успешно создала свою флеш-память «4D NAND»

В августе этого года компания SK Hynix анонсировала выпуск якобы нового типа флеш-памяти под названием «4D NAND». Теперь же сообщается, что производитель успешно создал данный тип памяти и готовится начать его массовое производство.

Сообщается, что компания создала 96-слойные микросхемы памяти «4D NAND» ёмкостью 512 Гбит, то есть 64 Гбайт. При этом площадь микросхемы оказалась на 30 % меньше по сравнению с 72-слойной микросхемой той же ёмкости. Также отмечается возросшая на 25 и 30 % производительность при чтении и записи соответственно.

До конца года компания SK Hynix планирует начать массовое производство данных 92-слойных микросхем ёмкостью 512 Гбит. В следующем же году компания собирается начать производство подобных микросхем объёмом 1 Тбит. Также сообщается о планах по выпуску клиентских твердотельных накопителей объёмом до 1 Тбайт на базе собственных контроллеров SK Hynix.

Технология «4D NAND» по своей сути является скорее немного улучшенной версией уже давно используемой 3D NAND, нежели принципиально новым подходом к созданию твердотельной памяти. Новая память компании SK Hynix будет сочетать две важные особенности. Во-первых, она будет опираться на ячейку с ловушкой заряда (Charge Trap Flash, CTF). Во-вторых, периферийные цепи, управляющие массивом ячеек, будут перенесены под сами ячейки (Periphery Under Cell, PUC).

Однако стоит отметить, что SK Hynix всегда выпускала память 3D NAND с ячейкой с ловушкой заряда, как и большинство других производителей. Что касается переноса управляющей периферии под ячейки, то подобная технология, но под названием (CMOS under the array, CuA), давно используется Intel и Micron. А в скором времени и Samsung начнёт применять технологию CuA при производстве памяти 3D NAND. Так что чего-то действительно инновационного в памяти «4D NAND» от SK Hynix на самом деле нет.

Cypress и SK Hynix создали совместное предприятие по производству SLC NAND

Cypress Semiconductor и SK Hynix объявили о создании совместного предприятия, которое займётся выпуском и продажей SLC NAND флеш-памяти Cypress текущего поколения, а также разработкой будущих продуктов. Следствием создания СП станет уход Cypress от производства и продажи NAND-памяти и возможности сконцентрироваться на более прибыльных направлениях деятельности. В свою очередь, SK Hynix получит возможность задействовать устаревшие производственные мощности, а также лояльных клиентов.

Согласно условиям соглашения о совместном предприятии, SK Hynix инвестирует в него $3,6 млн наличными и получит 60 % предприятия, тогда как Cypress вложит $2,4 млн (а также определённое оборудование) и приобретет долю в 40 %. Кроме того, Cypress также «уступит» совместному предприятию до 15 сотрудников, предоставить услуги в области транзита производства и разработки совместному предприятию, а также поспособствует переходу имеющихся клиентов Cypress к СП. При этом до конца января 2021 года компании будут делить прибыль от деятельности совместного предприятия 50 на 50. Срок текущего договора — пять лет. По их прошествии условия участия сторон могут быть пересмотрены, или же SK Hynix выкупит долю Cypress. При этом у SK Hynix есть право приобрести дополнительную долю в 10 % в случае если её поставки превысят 15 000 пластин с памятью в месяц.

SLC NAND память производства Cypress/Spansion

SLC NAND-память производства Cypress/Spansion

Cypress получила бизнес по производству и продаже специализированной NAND и NOR флеш-памяти при покупке Spansion в 2015 году. В конце 2016 года Cypress передала производство микросхем SLC (однобитовой) NAND флеш-памяти ёмкостью 1–16 Гбит компании SK Hynix на условиях «бери или плати» 15 000 пластин с памятью в квартал. Совместное предприятие формально начнёт работу в первом квартале 2019 года, что сделает недействительным договор об аутсорсинге.

SLC NAND флеш-память Cypress ёмкостью 1–16 Гбит в настоящее время применяется для различных приложений в сферах автомобилестроения, коммуникаций, потребительской электроники, промышленного оборудования и других. Продукция сертифицирована под требования AEC-Q100 и может работать при температуре до 105 °C. Подобная память не является массовой, её применяют лишь ряд клиентов Cypress, а потому у данного бизнеса весьма ограниченные возможности роста, вследствие чего в Cypress не видят смысла производить подобные микросхемы на своих производственных мощностях.

Фабрика SK Hynix

Фабрика SK Hynix

Принимая во внимание, что всё больше специализированных систем на кристалле и микроконтроллеров применяют встроенную флеш-память, нетрудно догадаться, что развивать производство памяти едва ли является выгодным предприятием для Cypress, которая заказывает производство продвинутых SoC и MCU у третьих компаний.

SSD-накопителям предсказали обвал цен на 50 % в следующем году

По информации интернет-издания DigiTimes, ссылающегося на отраслевые источники, цены на применяющуюся в твердотельных накопителях флеш-память NAND в 2019 году могут снизиться на 50 % по отношению к её нынешней стоимости. Ранее сообщалось, что в следующем году цены на SSD могут упасть до $0,08 за 1 Гбайт.

Как отмечает DigiTimes, продолжающееся падение цен с большой долей вероятности связано с расширением поставщиками SSD своих производственных мощностей в целях повышения рентабельности. Ещё одной немаловажной причиной резкого удешевления стоимости хранения гигабайта информации на твердотельных накопителях называется применение 96-слойной памяти 3D NAND.

Ожидается, что массовый выпуск 96-слойной NAND-флеш будет развёрнут в первой половине 2019 года. Большинство производителей обладают ресурсами, достаточными для изготовления 50000–100000 чипов данного типа в месяц, а китайская Yangtze Memory Technology и вовсе заявила о готовности отгружать 150 000 микросхем 96-слойной 3D NAND.

Всего в мире насчитывается 6–7 крупных производителей NAND, готовых использовать новые производственные процессы, говорится в отчёте DigiTimes. Некоторые из них (Samsung, Toshiba Memory / Western Digital, Micron / Intel и SK Hynix) уже представили технологии для массового выпуска 96-слойной флеш-памяти.

А вот чипы памяти DRAM в следующем году, скорее всего, останутся на текущем уровне, говорится в репортаже DigiTimes. Их крупнейшие поставщики — Samsung, SK Hynix и Micron — не планируют значительного увеличения объёмов производства несмотря на ожидающийся рост спроса со стороны изготовителей дата-центров, игровых устройств, устройств IoT и автомобильных систем.

SK Hynix продаёт всё больше фирменных SSD

Свой отчёт о работе в третьем квартале календарного 2018 года опубликовала компания SK Hynix. Консолидированная выручка компании за отчётный период составила 11,42 трлн вон ($10 млрд), операционная прибыль достигла значения 6,47 трлн вон ($5,7 млрд), а чистая прибыль равнялась 4,69 трлн вон ($4,1 млрд). Несмотря на стабилизацию цен на микросхемы DRAM и на падение цен на NAND, за квартал выручка и операционная прибыль SK Hynix выросла соответственно на 10 % и на 16 %. Тем самым все три ключевых финансовых показателя компании снова достигли новых рекордов: и выручка, и операционная прибыль, и чистая прибыль.

Поставки памяти DRAM в пересчёте на ёмкость за квартал выросли на 5 %. За это компания благодарит сезонный эффект увеличения спроса на смартфоны, а также стабильно высокий спрос на память серверного назначения. Средняя цена продаж памяти DRAM, тем не менее, выросла всего на 1 %. Увеличение спроса на память, как признаются в SK Hynix, обещает удержать цены на память от резкого снижения как в этом году, так и в следующем.

Поставки памяти NAND за квартал в пересчёте на биты выросли на 19 %, а средняя цена продажи микросхем флеш-памяти уменьшилась на 10 %. Этот негативный для производителя эффект компания компенсировала как наращиванием выпуска более плотной NAND-флеш, так и расширением ассортимента фирменных SSD. В третьем квартале выручка от поставок SSD компании значительно превысила 20 % от выручки всего флеш-бизнеса SK Hynix. Также более 20 % от продаж SSD компания получила на направлении производства твердотельных накопителей корпоративного назначения.

Дальнейшее развитие производства DRAM и NAND компания видит в совершенствовании техпроцессов и в стабильном массовом производстве новинок. В частности, второе поколение техпроцесса класса 10 нм (1Ynm) для выпуска DRAM будет разработано до конца текущего года. До конца года также завершатся разработки 96-слойной 3D NAND.

Что касается заводов, то к концу года завершится ввод в эксплуатацию расширенной «чистой» комнаты на китайском заводе SK Hynix в городе Уси (Wuxi FAB). Массовое производство памяти DRAM на этом предприятии стартует в первой половине 2019 года. Завод M15 FAB в Южной Корее, формальный ввод в эксплуатацию которого состоялся ранее в этом месяце, начнёт поставлять продукцию в виде 3D NAND также в первой половине будущего года.

window-new
Soft
Hard
Тренды 🔥