Данные берутся из публикации NAND/DRAM, почему стоим? или Микросхемы памяти у предела миниатюризации

Японский производитель микросхем 3D NAND Kioxia предложил своему инвестору, компании SK Hynix, производственные линии в Японии для выпуска памяти, надеясь тем самым изменить его мнение о слиянии с Western Digital, чтобы возобновить переговоры по этому поводу, сообщил в пятницу ресурс Reuters со ссылкой на информационное агентство Jiji.

Источник изображения: Kioxia

Как сообщается, переговоры между Kioxia и Western Digital, проходившие в прошлом году, зашли в тупик из-за несогласия SK Hynix, опасающейся появления крупного конгломерата на рынке энергонезависимой памяти, с которым ей было бы сложно конкурировать. Kioxia надеется добиться одобрения сделки со стороны SK Hynix в обмен на предоставление ей возможности производить чипы на японских заводах, управляемых совместно Kioxia и Western Digital, пишет Jiji.

Реализация этого предложения позволила бы SK Hynix значительно увеличить объёмы производства памяти 3D NAND, не инвестируя в расширение своих мощностей или создание новых линий. Финансовая сторона возможной сделки между Kioxia и Western Digital пока неизвестна. И на данный момент ни одна из сторон не подтвердила существования такого предложения.

Источник изображения: TrendForce

Согласно данным аналитиков TrendForce за III квартал 2023 года, в случае объединения Kioxia и Western Digital образовавшийся конгломерат будет контролировать примерно треть (31,4 %) мирового рынка 3D NAND по выручке. Это значительно выше доли SK Hynix (20,2 %) и сопоставимо с долей Samsung (31,4 %). Вместе с тем, если даже часть производственных мощностей Kioxia перейдёт к SK Hynix, новая компания, скорее всего, всё же будет крупнее южнокорейского производителя памяти, что объясняет, почему он всё равно будет считать это слияние серьёзной угрозой.

Недавнее включение китайской компании YMTC в так называемый список 1260H американским военным ведомством определённо создаст крупнейшему производителю твердотельной памяти в КНР определённые трудности, но свою причастность к поддержке китайской армии он всячески отрицает и считает шаги американской стороны несправедливыми и безосновательными.

Источник изображения: YMTC

Как отметило издание South China Morning Post, представители YMTC не только опровергли любую причастность компании к выполнению оборонных заказов в Китае, но и заявили о своей готовности вести переговоры с Вашингтоном об исключении этого производителя памяти из злополучного списка 1260H. Для самой компании появление её имени в данном перечне стало полнейшим сюрпризом, и в YMTC подчёркивают, что её продукция не годится для применения в оборонной сфере в принципе. Никто из клиентов YMTC никогда не декларировал использование памяти этой марки для создания техники оборонного назначения.

Более того, YMTC подчёркивает, что является частной компанией без каких-либо связей с оборонным ведомством КНР, и все обвинения в наличии угрозы с её стороны для американской национальной безопасности считает беспочвенными. Включение в список 1260H, как поясняет источник, потенциально грозит YMTC не только отказом американских клиентов от сотрудничества в оборонной сфере, но и блокировкой финансовых операций за пределами Китая со стороны профильных органов власти США.

С декабря 2022 года YMTC находится под санкциями США, касающимися экспорта из страны технологий и оборудования для производства памяти. В условиях таких ограничений компании пришлось активнее приобретать оборудование китайского производства. Скорее всего, поводом для новых санкций со стороны США стали крупные инвестиции в капитал YMTC, якобы полученные от поддерживаемых государством фондов в Китае.

Помимо рассказа о чипах памяти GDDR7 со скоростью 37 Гбит/с на контакт компания Samsung Electronics на конференции 2024 IEEE-SSCC в феврале также раскроет подробности и о других инновационных продуктах в области разработки микросхем памяти. Например, компания расскажет о будущих 280-слойных чипах флеш-памяти 3D QLC NAND объёмом 1 Тбит. В перспективе они будут использоваться в потребительских твердотельных накопителях и смартфонах.

Источник изображения: TechPowerUp

Указанные чипы флеш-памяти Samsung предложат плотность 28,5 Гбит/мм² и скорость 3,2 Гбайт/с. Для сравнения, текущие самые быстрые чипы флеш-памяти 3D NAND, использующиеся в самых передовых NVMe-накопителях, обеспечивают скорость передачи данных до 2,4 Гбайт/с.

Samsung также расскажет на мероприятии о новом поколении чипов памяти DDR5 стандарта DDR5-8000 с ёмкостью 32 Гбит (4 Гбайт). В этих микросхемах используется симметричная мозаичная архитектура ячеек памяти. Сами чипы будут производиться с использованием 5-го поколения техпроцесса Samsung 10-нм класса.

На основе таких микросхем производители модулей оперативной памяти смогут в перспективе выпускать одноранговые планки памяти DDR5-8000 объём 32 и 48 Гбайт или двухранговые модули памяти объёмом 64 или 96 Гбайт.

Южнокорейские производители памяти, которые сообща контролируют 60 % мирового рынка, в условиях нарастающего противостояния США и Китая, оказались буквально между двух огней. С одной стороны, им удалось добиться послаблений от властей США для развития своего бизнеса в Китае. С другой стороны, Китай является крупнейшим внешнеторговым партнёром Южной Кореи, а полупроводниковая отрасль остаётся важнейшей частью национальной экономики.

Источник изображения: SK hynix

Как поясняет South China Morning Post, дипломатические усилия южнокорейских властей привели к тому, что южнокорейские компании Samsung Electronics и SK hynix получили право поставлять в Китай оборудование для производства памяти в обход общепринятых экспортных ограничений со стороны США. При этом, как долго будут действовать подобные послабления, сказать сложно, но американская экономика в сохранении такого положения дел тоже заинтересована, поскольку Южная Корея выпускает почти 60 % микросхем памяти DRAM и NAND, реализуемой на мировом рынке.

Отказавшись от намерений самостоятельно выпускать флеш-память, корпорация Intel в конце 2021 года продала своё предприятие в китайском Даляне южнокорейской компании SK hynix за $9 млрд. На следующий год американские власти начали ограничивать инвестиции производителей памяти в китайскую экономику, но представители SK hynix заявляют, что у них по-прежнему нет намерений избавляться от китайского предприятия.

Предприятие SK hynix в Даляне в условиях американских санкций могло бы стать для компании обузой, и развитие соответствующей площадки пока идёт с пробуксовкой. Корейские инвесторы уже построили корпус нового предприятия рядом с существующим, но пока не торопятся оснащать его необходимым оборудованием. Расплачиваться за эту покупку SK hynix предстоит до следующего года включительно, а на фасаде предприятия до сих пор красуется логотип Intel. По мнению аналитиков, SK hynix старается избегать резких движений в год президентских выборов в США, поскольку смена политической конъюнктуры может помешать компании развивать свой бизнес на территории КНР.

Ситуация породила слухи о намерениях SK hynix продать предприятие в Даляне, но руководство компании в прошлом году в очередной раз опровергло эту информацию: «Мы вообще не рассматриваем возможность продажи своих предприятий в Даляне. SK hynix продолжит свою деятельность в Китае, одновременно соблюдая законы в тех юрисдикциях, в которых ведёт бизнес, и делая свой вклад в развитие полупроводниковой отрасли в целом» . Важно отметить, что корейские производители памяти сильно зависят от американских поставщиков оборудования для выпуска своей продукции, поэтому пренебрегать интересами американских партнёров они не могут ещё и по этой причине.

Международный валютный фонд уже предупредил, что Южная Корея может сильнее прочих государств Азиатско-Тихоокеанского региона пострадать в результате так называемой торговой войны между США и КНР, выражающейся в постоянном расширении взаимных ограничений на оборот капитала и товаров между двумя этими странами. Компаниям Samsung Electronics и SK hynix даже пришлось повысить расходы на лоббирование своих интересов как внутри Южной Кореи, так и на уровне правительственных структур США. Как можно судить по предоставленным компаниям льготам на работу в Китае, пока эти усилия приносят свои плоды, но что произойдёт после ноябрьских выборов президента США, никто с уверенностью сказать не может.

Для самой Южной Кореи китайский рынок остаётся крупнейшим с точки зрения товарооборота, но США занимают второе место, а также обеспечивают безопасность самого азиатского государства, поэтому местным политикам приходится соблюдать шаткий баланс интересов. Непосредственно SK hynix, которая является вторым по величине производителем памяти в мире, 27 % своей выручки получает именно на китайском рынке.

При этом сторонние эксперты отмечают, что корейские компании стали наращивать экспорт продукции в США весьма активно, и это направление поставок впервые более чем за двадцать лет затмило по своим оборотам китайское к началу текущего года. Если конфронтация между США и КНР продолжит усиливаться, корейским производителям придётся в определённых условиях делать непростой выбор.

Падение контрактных цен на DRAM, начавшееся ещё в четвёртом квартале 2021 года, удалось окончательно остановить лишь в четвёртой четверти 2023 года. Также в третьем квартале 2023 года удалось начать восстановление сегмента NAND, который демонстрировал спад четыре квартала подряд. И если производители сумеют удержать эффективный контроль над уровнем загрузки своих мощностей, восходящий тренд удастся сохранить, уверены аналитики TrendForce.

Источник изображения: samsung.com

Сезон роста откроется уже в текущем, первом квартале 2024 года, говорят аналитики TrendForce, подтверждая свои первоначальные прогнозы: рост цен на DRAM на 13–18 % и подорожание NAND на 18–23 % квартал к кварталу. Несмотря на в целом консервативный прогноз спроса во II квартале 2024 года, поставщики чипов памяти начали повышать коэффициенты загрузки мощностей уже в III квартале 2023 года. Ожидается, что покупатели NAND досрочно завершат пополнение запасов в I квартале 2024 года. Всё это уже привело к более умеренному росту цен в квартальном исчислении — на 3–8 % для DRAM и NAND в прогнозе на II квартал 2024 года.

Источник изображения: trendforce.com

III квартал 2024 года ознаменуется традиционным пиковым сезоном, когда североамериканские клиенты начнут энергичнее пополнять запасы ключевых компонентов. Контрактные цены на DRAM и NAND продолжат рост, который составит 8–13 %, но лишь при условии, что загрузка мощностей будет поддерживаться ниже 100 %. На рынке DRAM дальнейшему увеличению средней цены продажи (ASP) будут способствовать растущие темпы проникновения DDR5 и HBM.

Продолжение общего роста цен ожидается и в IV квартале 2024 года, опять же, если сохранится эффективная стратегия контроля производства. Рост цен квартал к кварталу составит 8–13 % — снова за счёт DDR5 и HBM, хотя по DDR5 к этому моменту не исключается и снижение показателей. Другими словами, рост контрактных цен в сегменте DRAM в 2024 году отражает изменения в ассортименте продукции, а не общий рост по всем чипам DRAM. Контрактные цены на NAND в IV квартале 2024 года вырастут на 0–5 % по сравнению с предыдущим кварталом.

После затяжного периода, характеризовавшегося излишками микросхем памяти типа NAND на рынке, производители стараются привести предложение и спрос в состояние равновесия. По оценкам экспертов TrendForce, уже в этом квартале контрактные цены на флеш-память вырастут на 15–20 %, при этом клиенты увеличат объёмы закупок.

Источник изображения: SK hynix

Ситуация с политикой производителей в первом квартале будет неоднородной, как считает источник, но некоторые из них начнут наращивать объёмы выпуска продукции. Если спрос при этом не вырастет пропорционально для компенсации увеличенного предложения, то цены на твердотельную память могут опуститься во второй половине текущего года.

В сегменте клиентских твердотельных накопителей цены в прошлом квартале выросли на 13–18 %, а в этом квартале они прибавят ещё 15–20 %, поскольку производители ПК будут их активно закупать, особенно в сегменте ноутбуков. Сейчас на этом рынке активно происходит распространение накопителей с интерфейсом PCI Express 4.0, производители заключают с клиентами крупные контракты.

В корпоративном сегменте спрос со стороны американских провайдеров облачных услуг на твердотельные накопители пока не начал расти, но зато соответствующее поведение демонстрируют их китайские конкуренты, а также независимые производители серверного оборудования. Корпоративные клиенты стараются закупить запас твердотельных накопителей, пока цены не выросли ещё сильнее. Если в прошлом квартале они увеличились на 10–15 %, то в этом могут вырасти на 18–23 %.

В сегменте так называемых хромбуков и смартфонов спрос на твердотельную память тоже стабилизируется. Производители активно поднимают цены, а в сегменте накопителей типа eMMC начальной ёмкости возник заметный дефицит. По всей номенклатуре таких накопителей в первом квартале контрактные цены могут вырасти на 18–23 %, хотя в прошлом квартале всё ограничилось повышением цен на 10–15 %.

Источник изображения: TrendForce

В сегменте UFS запасы продукции на стороне клиентов, выпускающих смартфоны, достигли критически низких значений, особенно если речь идёт о решениях поколения UFS 4.0. Производители смартфонов начали увеличивать объёмы закупок соответствующей памяти. Рост цен на кремниевые пластины в конце прошлого года усугубил желание производителей памяти быстрее отбить возросшие расходы, что сказывается на росте цен. На некоторые виды продукции в сегменте UFS цены выросли на 30 %, а в целом по первому кварталу представители прогнозируют их рост на 18–23 %, в основном за счёт рынка смартфонов.

Кремниевые пластины с памятью типа NAND в текущем квартале в среднем подорожают на 8–13 %, поскольку ситуация с неопределённостью динамики спроса не позволяет поставщикам в полной мере получить выгоду от роста отпускных цен. В среднем контрактные цены на микросхемы NAND в текущем квартале вырастут на 15–20 %, как считают аналитики TrendForce, тогда как в прошлом квартале они увеличились на 13–18 %.

На этой неделе южнокорейский гигант Samsung Electronics отчитается о предварительных итогах прошлого квартала, но даже такие значения для инвесторов станут важным индикатором состояния всего рынка полупроводниковых компонентов, поскольку эта компания является его крупнейшим участником. Прибыль Samsung должна сократиться на 14 %, что соответствует минимальному снижению за шесть предыдущих кварталов.

Источник изображения: Samsung Electronics

Даже отрицательная динамика прибыли, по словам South China Morning Post, в этом случае станет хорошим сигналом для участников рынка и инвесторов, поскольку прибыль крупнейшего производителя памяти по крайней мере замедлит темпы снижения до минимального за полтора года значения. Консенсус 30 аналитиков гласит, что в прошлом квартале операционная прибыль Samsung наверняка сократилась на 35 % до $2,82 млрд в годовом сравнении. Последний раз компания отчитывалась о росте квартальной прибыли в годовом сравнении во втором квартале 2022 года.

Полупроводниковый бизнес Samsung, как ожидается, в прошлом квартале ограничил свои операционные убытки суммой около $912 млн, что в три с лишним раза меньше, чем наблюдалось во втором и третьем кварталах прошлого года. Цены на память типов DRAM и NAND в четвёртом квартале начали расти, и это во многом способствовало улучшению динамики финансовых показателей деятельности Samsung. По оценкам TrendForce, в мобильном сегменте цены на DRAM в прошлом квартале выросли на 18–23 %, а цены на память типа NAND в мобильном сегменте могли увеличиться на 10–15 %. С первого полугодия Samsung неоднократно сокращала объёмы производства памяти, чтобы стимулировать рост цен. В прошлом квартале она также более активно распродавала запасы продукции по сравнению с конкурентами. Как ожидают эксперты, в сегменте DRAM компания Samsung уже должна была выйти на безубыточность в прошлом квартале.

В мобильном сегменте операционная прибыль Samsung могла в прошлом квартале достичь $1,9 млрд, отрицательное влияние на неё могли оказать снижающиеся объёмы продаж флагманских моделей смартфонов с гибким дисплеем. Каждая из двух моделей сократила объёмы реализации на 1 млн штук по сравнению с третьим кварталом, как считают аналитики.

В последние месяцы цены на флеш-память NAND росли после затяжного падения, но эксперты TrendForce поясняют, что текущий уровень ещё далёк от того, который обеспечит участникам рынка возврат к прибыльности. В результате в ближайшее время поставщики флеш-памяти будут вынуждены поднять цены как минимум на 40 %, чтобы уйти от убытков.

Источник изображения: Samsung Electronics

Если же рассчитывать на получение прибыли, то производителям памяти нужно будет поднять цены на 50 % или даже выше, как убеждены представители TrendForce. По итогам прошлого квартала южнокорейская компания Samsung Electronics занимала первое место на рынке памяти типа NAND в показателях выручки с долей 31,4 %. На втором месте располагалась SK Group, в состав которой входят SK hynix и Solidigm (бывший бизнес Intel), с долей 20,2 %. Замыкает тройку лидеров американская Western Digital с долей рынка 16,9 %, а её партнёр Kioxia, с которой в этом году не состоялась сделка по объединению, довольствуется четвёртым местом и 14,5 % рынка.

Источник изображения: TrendForce

Крупные игроки рынка продолжают сокращать объёмы производства памяти типа NAND, поскольку этот вид продукции обеспечивает меньшую прибыль по сравнению с DRAM. Та же Samsung, например, с сентября текущего года сократила объёмы выпуска микросхем типа NAND на 50 % от максимально возможных. Предпочтение сейчас отдаётся выпуску 128-слойной памяти типа 3D NAND. В целом на рынке твердотельной памяти в некоторых сегментах уже наблюдается дефицит продукции, и это позволяет участникам двигать цены вверх. При этом точка окупаемости ещё не достигнута, и для её достижения поставщики микросхем NAND должны повысить цены ещё минимум на 40 %. В ближайшие кварталы цены будут только расти, как резюмируют специалисты TrendForce.

В календаре Micron Technology тридцатого ноября завершился первый квартал фискального 2024 года, и говоря о показателях второго квартала, руководство сформировало благоприятный прогноз, который превзошёл ожидания аналитиков. Результаты минувшего квартала тоже оказались лучше прогнозных значений.

Источник изображения: Micron Technology

Выручка Micron в минувшем квартале выросла на 16 % до $4,73 млрд против ожидавшихся $4,54 млрд. Чистые убытки за период составили $1,05 млрд или $1,23 млрд, в зависимости от методики расчёта. Операционные расходы удалось немного сократить по сравнению с аналогичным периодом предыдущего фискального года, до $1,093 млрд. Норма операционных убытков составила 23,9 %, операционные убытки достигли $1,128 млрд. Выручка от реализации памяти типа DRAM достигла $3,4 млрд или 73 % от совокупной. Профильная выручка последовательно выросла на 24 %, объёмы поставок в натуральном выражении выросли более чем на 20 %, а средняя цена реализации выросла на несколько процентов. На долю NAND пришлись $1,2 млрд или 26 % общей выручки, на этом направлении выручка выросла на 2 % последовательно, а средняя цена реализации увеличилась на 20 %. С точки зрения сегментов рынка самым активно растущим оказался мобильный, он увеличил свою часть выручки Micron на 97 % до $1,3 млрд.

По словам генерального директора Micron Санджея Мехротры (Sanjay Mehrotra), в прошедшем квартале компания добилась успехов не только за счёт повышения операционной дисциплины, но благодаря более высоким ценам на память по сравнению с ожидавшимися. В 2024 году, как он заявил, фундаментальные показатели деятельности компании будут улучшаться на протяжении всего периода, а ёмкость рынка по итогам 2025 календарного года достигнет рекордного значения. Особая ставка делается на продвижение памяти типа HBM в свете высокого спроса на системы искусственного интеллекта. Компания уже распродала всю память типа HBM, которую способна будет выпустить в 2024 году. В одноимённом фискальном периоде реализация HBM принесёт Micron сотни миллионов долларов выручки, по словам руководства. С технической точки зрения память этого типа является самым сложным видом продукции Micron, но и самым прибыльным. В минувшем фискальном квартале Micron уже отгрузила первым клиентам образцы микросхем типа HBM3E, которые обеспечивают на 10 % более высокое быстродействие и на 30 % сниженное энергопотребление по сравнению с конкурирующими предложениями этого типа.

О сотрудничестве с NVIDIA в этой сфере в презентации Micron было сказано отдельно. Сейчас память типа HBM3E производства Micron проходит последние этапы квалификационных испытаний, что позволит соответствующим микросхемам использоваться при производстве ускорителей NVIDIA GH200 и H200. Кроме того, микросхемы памяти Micron типа LPDDR5X уже используются в сочетании с процессорами NVIDIA Grace. Массовое производство HBM3E компания собирается начать в следующем календарном квартале.

В текущем фискальном квартале Micron рассчитывает выручить от $5,1 до $5,5 млрд, что выше ожидавшихся аналитиками $4,99 млрд. Убытки в пересчёте на одну акцию ограничатся диапазоном от 21 до 35 центов, тогда как аналитики прогнозировали до 62 центов убытков на одну акцию компании. После закрытия торгов акции Micron Technology выросли в цене на 4,8 %, хотя в ходе основной торговой сессии потеряли 4,2 %.

Глава Micron пояснил, что с точки зрения динамики цен 2024 год станет для отрасли по производству микросхем памяти периодом перехода к росту, но наращивать объёмы выпуска продукции компания будет осторожно. Сегмент ПК в 2024 календарном году вырастет на 2–5 %, как считает руководство Micron, сегмент смартфонов тоже демонстрирует признаки восстановления, но в 2024 году вырастет незначительно. В любом случае, в этих сегментах рынка покупатели хотя бы избавились от излишков памяти, как пояснил Мехротра. На ценах это сказывается благоприятным для производителей образом. С точки зрения баланса спроса и предложения на микросхемы памяти следующий год обеспечит возвращение к историческим уровням, как считает руководство компании. Предложение, во всяком случае, нормализуется уже в первой половине следующего года. В начале наступающего года DDR5 начнёт доминировать над DDR4 в структуре поставок продукции Micron. Для производства микросхемы HBM эквивалентной ёмкости требуется в два раза больше кремниевых пластин, чем для DDR5.

Распространение во второй половине следующего календарного года ПК с функцией ускорения работы систем искусственного интеллекта, по мнению представителей Micron, позволит увеличить среднее содержание оперативной памяти на один ПК на величину от 4 до 8 Гбайт, попутно увеличится и средняя ёмкость используемых твердотельных накопителей. В сегменте смартфонов прирост объёма оперативной памяти в силу появления такого фактора будет примерно таким же.

По итогам текущего года спрос на DRAM должен вырасти на 8–9 %, в сегменте твердотельной памяти он достигнет 19–19 %. В последующие годы спрос на DRAM будет измеряться 18–19 % в год, а на направлении NAND он достигнет 21–23 %. В 2024 году спрос на DRAM приблизится к этим показателям, а вот на рынке NAND темпы роста окажутся ниже. На протяжении 2024 года компания собирается удерживать поставки на уровне ниже потребностей рынка, чтобы способствовать реализации сохраняющихся складских запасов продукции.

TrendForce прогнозирует значительный сезонный рост цен в пределах 18–23 % на мобильную оперативной память (DRAM) и флеш-память (eMMC и UFS) в первом квартале 2024 года. Панические настроения среди клиентов, вызванные этим ростом, могут привести к дальнейшему повышению цен на рынке памяти, который контролируют несколько крупных игроков.

Источник изображения: unsplash.com

TrendForce отмечает, что рынок смартфонов часто является ранним индикатором экономического спада, поскольку покупатели и продавцы постоянно корректируют свои запасы в цепочке поставок. Тем не менее, поскольку запасы достигают минимального уровня, а последствия сокращения производства сохраняются, начинается устойчивый рост цен на память для смартфонов.

Наблюдения за рынком и прогноз на первый квартал 2024 года указывают на устойчивое планирование производства китайскими производителями смартфонов. Явный рост цен на память заставляет покупателей активно увеличивать свои закупочные усилия, поскольку они стремятся установить безопасный и конкурентоспособный уровень запасов.

Источник изображения: TrendForce

В целом, в первом квартале 2024 года цены на память, скорее всего, вырастут выше, чем в других секторах. Ожидается, что эта эскалация, вызванная устойчивым спросом со стороны клиентов и медленным расширением операций со стороны производителей, увеличит разрыв между спросом и предложением. Аналитики уверены, что цены на память станут ведущим фактором этой восходящей тенденции.

В третьем квартале 2023 года на рынке флеш-памяти NAND произошли кардинальные изменения, вызванные преимущественно волевым решением Samsung о сокращении производства. Вслед за корейским гигантом на эту меру пошли и другие лидеры рынка, а клиенты в ожидании сокращения предложения переключились на агрессивную стратегию закупок. Поставки чипов памяти в пересчёте на совокупный объём (в битовом выражении) увеличились на 3 % по сравнению с прошлым кварталом, а общая выручка выросла на 2,9 % до $9,229 млрд, подсчитали аналитики TrendForce.

Источник изображения: samsung.com

Samsung, несмотря на слабый спрос в серверном сегменте, смогла восстановить позитивные показатели за счёт сегмента потребительской электроники, который пошёл в рост, — в основном благодаря чипам высокой ёмкости для ПК и смартфонов. В III квартале Samsung вышла из кризиса за счёт тенденции среди клиентов к пополнению стратегических запасов, а также за счёт смещения операционного фокуса в сторону максимизации прибыли — компания сократила производство. В битовом выражении объёмы отгрузок уменьшились на 1–3 %, средняя цена продажи (ASP) увеличилась на те же 1–3 %, а выручка компании в сегменте NAND составила $2,9 млрд.

Источник изображения: trendforce.com

Kioxia удалось в III квартале поднять ASP на 3 % за счёт восстановления контрактных цен на пластины и переходу производителей ноутбуков к стратегическому накоплению запасов. Мощным негативным фактором оказалась задержка заказов от американских производителей смартфонов — отгрузки в битовом выражении рухнули на 10–15 %, в результате чего выручка компании в сегменте NAND упала на 8,6 % в квартальном исчислении до $1,34 млрд.

В Micron ситуация прямо противоположная, но результат тот же: производитель сохранил стабильные заказы в секторах ПК и мобильных устройств, а клиенты сегмента корпоративных SSD переключились на пополнение запасов. Компания удержала поставки в битовом выражении на уровне II квартала, но ASP снизилась на 15 % — в результате выручка просела на 5,2 % до $1,15 млрд. В IV квартале прогнозируется восстановление контрактных цен, что позволит Micron нарастить выручку на 20 %.

SK Group (SK hynix и Solidigm) и WDC (Western Digital Corporation) оседлали волну восстановления спроса на бытовую электронику. Факторами роста SK Group стали продукты высокой ёмкости для ПК и смартфонов — это обеспечило устойчивый рост поставок в битовом выражении и квартальный рост на 11,9 % до $1,86 млрд. Финансовые показатели WDC за III квартал превзошли прогноз за счёт сегментов ПК, мобильных устройств и игрового оборудования: выручка выросла на 13 % в квартальном выражении до $1,556 млрд.

Стоимость чипов оперативной памяти DRAM и флеш-памяти NAND на спотовом рынке существенно выросла. Такая динамика указывает на то, что усилия индустрии, направленные на борьбу с избыточным предложением чипов на рынке, наконец начали приносить плоды.

Источник изображения: Samsung

С точки зрения производителей памяти DRAM и NAND наблюдавшаяся в последнее время в отрасли ситуация, связанная с избытком чрезвычайно дешёвой продукции, является настоящим кризисом. Такое положение дел привело к резкому падению прибыли производителей, а также породило беспокойство о возможном банкротстве всей отрасли. При этом поддержание более высоких цен помогло некоторым компаниям, таким как Samsung и Micron, чувствовать себя более уверенно.

Данные аналитиков DRAMeXchange указывают на то, что спотовые цены на DRAM и NAND растут последние несколько месяцев. Стоимость чипов снижалась в 2022 году и начале 2023 года, но в июле-августе она достигла низшей точки, и с тех пор постепенно увеличивается. Хотя цена чипов DRAM и NAND пока не вернулась к значениям, которые фиксировались в начале года, за последние месяцы она существенно подросла. К примеру, два чипа памяти DDR4 ёмкостью 8 Гбит сейчас стоят на 10 % больше, чем в августе. При этом стоимость чипов NAND на 512 Гбит выросла почти в два раза с июля, а на 256 Гбит — на 55 % за тот же временной отрезок.

Причина, по которой цены на чипы памяти опустились так низко, в первую очередь заключается в замедлении мировой экономики после пандемии коронавируса. На этом фоне произошло снижение спроса, поскольку потребители сокращали расходы, что и стало причиной возникновения переизбытка чипов, повлекшего снижение цен. Наиболее тяжёлым был третий квартал 2022 года, по итогам которого глобальный доход от продаж чипов DRAM и NAND сократился на 30 % и 24 % соответственно.

Спотовые цены на чипы DRAM и NAND в 2023 году. Источник изображения: tomshardware.com

Для производителей это повлекло серьёзные последствия: прибыль Samsung в первом квартал 2023 года практически сошла на нет, тогда как Micron потеряла более $2 млрд. Вполне естественно, что эти компании значительно сократили производство чипов памяти, и теперь этот шаг начал оказывать существенное воздействие на предложение, благодаря чему стоимость чипов памяти снова растёт.

Некоторые результаты сложившейся в индустрии ситуации можно увидеть уже сейчас. В начале этого года стоимость твердотельных накопителей ёмкостью 1 Тбайт, оснащённых интерфейсом PCIe 4.0, упала до $35-$40. Уже сейчас в продаже будет непросто найти модель стоимостью хотя бы $50. Отмечается, что пока не наблюдается аналогичного повышения цен на оперативную память. Предположительно, это связано с тем, что цена на неё выросла не так сильно, но в будущем это может измениться.

Источники сообщают, что компания YMTC, крупнейший китайский производитель флеш-памяти 3D NAND, тайно готовит к выпуску память на архитектуре нового поколения — Xtacking 4.0. Производитель ограничен санкциями со стороны США и не может просто взять и выпустить более ёмкую память, но за счёт улучшения архитектуры способен обеспечить, к примеру, прорыв по производительности 3D NAND.

Источник изображения: YMTC

Представленная в 2018 году архитектура и концепция Xtacking предполагает, что интерфейс и контроллер 3D NAND для каждой микросхемы флеш-памяти производятся отдельно от массива ячеек памяти. Это позволяет производить логику и ячейки в разных техпроцессах, а также экономит площадь кристалла — логика просто «пристёгивается» снизу к массиву. Тем самым оптимизация архитектуры и работы контроллера дают возможность раз за разом улучшать характеристики памяти, ничего не меняя в производстве самих массивов — а оно самое сложное в этих процессах.

Сегодня санкции со стороны США и союзников ограничивают поставки в Китай литографического оборудования для выпуска массивов памяти с более чем 128 слоями. Проще говоря, у YMTC пока нет возможности улучшать характеристики 3D NAND за счёт увеличения числа слоёв в каждом кристалле. Это же ограничивает производительность микросхем памяти. Но если изменить архитектуру и логику работы контроллера, то даже в таком виде память можно ускорить, например, за счёт наращивания параллелизма, заставив контроллер разбить имеющийся массив ячеек на большее количество параллельно работающих областей.

На данный момент нет информации о возможностях архитектуры Xtacking 4.0. Известно только, что с её использованием компания YMTC будет выпускать 128- (X4-9060 3D TLC NAND) и 232-слойную (X4-9070 3D TLC NAND) флеш-память нового поколения. Со временем семейство может быть расширено. Технически производитель выпускает на пластинах 64- и 116-слойные кристаллы, которые при сборке укладывает друг на друга (и на контроллер). Оборудование для выпуска таких кристаллов не попадает под однозначный запрет (при условии выдачи экспортной лицензии со стороны Минюста США). Тем самым китайская 3D NAND память становится лучше на каждом новом этапе даже несмотря на достаточно жёсткие санкционные ограничения.

Китайские производители чипов или оборудования для их производства периодически становятся подозреваемыми в делах о промышленном шпионаже, но существуют и противоположные по схеме взаимодействия прецеденты. Недавно китайская компания YMTC обвинила американского производителя памяти Micron Technology в нарушении восьми своих патентов.

Источник изображения: Micron Technology

Как сообщает Reuters, девятого ноября YMTC подала иск в Федеральный окружной суд Северного округа Калифорнии, обвинив в нарушении прав на использование интеллектуальной собственности Micron Technology и её подразделение по работе с потребительскими продуктами Micron Consumer Product Group. Какие именно технологии Micron, по мнению YMTC, незаконно у неё позаимствовала, не уточняется, но американская компания обвиняется истцом в использовании интеллектуальной собственности YMTC для конкуренции с этой компанией и укрепления своих позиций на рынке.

Представители YMTC в комментариях Reuters подтвердили существование такого иска, заодно пояснив, что он имеет отношение к патентам компании, описывающим технологии разработки, изготовления и функционирования памяти типа 3D NAND. Напомним, что китайская YMTC с лета начала снабжать своих клиентов 232-слойной памятью типа 3D NAND, вплотную приблизившись к технологическим возможностям зарубежных конкурентов, а в показателях плотности хранения информации даже превзойдя их. Представители YMTC выразили надежду, что иск будет рассмотрен органами правосудия США в сжатые сроки.

Напомним, что с мая текущего года продукция Micron Technology, в соответствии с решением китайских властей, не может использоваться на объектах критически важной информационной инфраструктуры КНР. При этом сама компания Micron не отказывается от намерений вложить $603 млн в расширение китайских мощностей по тестированию и упаковке памяти. От выпуска чипов типа DRAM на территории КНР она отказалась в прошлом году, хотя до этого китайский рынок обеспечивал до половины всей выручки Micron. В прошлом году эта доля не превысила 16 %. В 2018 году Micron обвинила в хищении своей интеллектуальной собственности китайскую компанию Fujian Jinhua, так что взаимоотношения с местными производителями у неё уже давно не самые благоприятные.