В этом месяце должно было состояться первичное размещение на бирже акций компании Kioxia, унаследовавшей бизнес Toshiba по производству флеш-памяти. От данного мероприятия действующие акционеры Kioxia решили отказаться, поскольку инвесторы оценили её активы максимум в $5,4 млрд, тогда как Bain Capital рассчитывала на $10 млрд как минимум.

Источник изображения: Kioxia

Об этом в минувшие выходные сообщило агентство Reuters, поясняющее причины отказа Kioxia от выхода на публичный фондовый рынок в октябре текущего года. Следует также помнить, что в 2018 году консорциум инвесторов во главе с Bain Capital за активы Toshiba Memory Corporation заплатил $13,4 млрд, поэтому даже оптимистичный для действующих акционеров сценарий IPO подразумевал бы фиксирование убытков по этой сделке.

Оценка активов Kioxia в $5,4 млрд отображает, насколько инвесторы обеспокоены нынешним положением дел на рынке памяти типа NAND. Представитель некоего хедж-фонда, на которого ссылается Reuters, пояснил, что хотя в текущих условиях IPO компании Kioxia представляется нецелесообразным, ситуация может измениться к лучшему к концу фискального года, который завершится в марте 2025-го.

Бум систем искусственного интеллекта на рынке NAND отразился в меньшей степени, поскольку наметившийся было рост цен на память сменился стабилизацией. Лишь в следующем году необходимость увеличения ёмкости накопителей в клиентских устройствах в связи с распространением систем ИИ вызовет рост цен на память данного типа, как считают аналитики Omdia. Компания Kioxia остаётся третьим по величине выручки производителем твердотельной памяти в мире с долей 13,8 %.

Контрактные цены на DRAM и NAND за сентябрь показали значительное снижение — виной всему стал низкий спрос на ПК и прочую потребительскую электронику. Об этом сообщил корейский ресурс The Elec.

Источник изображения: samsung.com

Цены на чипы DDR4 8Gb 1Gx8 в сентябре 2024 года упали на 17,07 % и остановились на отметке $1,7, обратили внимание аналитики компании DRAMeXchange. С октября прошлого года цены на DRAM после затяжного пике демонстрировали стабильный рост, но уже в августе этого года впервые показали снижение — тогда оно составило 2,38 %.

Одним только сегментом DRAM обвал цен на память не ограничился. За тот же период времени цены на чипы 128Gb 16Gx8 MLC также показали заметное снижение — оно составило 11,44 %. У производителей ПК по-прежнему фиксируется высокий уровень запасов, а значит, спрос на их продукцию до сих пор не восстановился, указывает владеющая DRAMeXchange компания TrendForce. В III квартале 2024 года поставки ПК выросли на 4,4 %, и это ниже прогноза аналитиков. При этом в запасах числится преимущественно память DDR4, а не более новая DDR5.

Компания Western Digital, наиболее известная как производитель устройств хранения данных, объявила о разделении своих веб-сайтов. Теперь WD.com будет посвящён жёстким дискам, а SanDisk.com — продуктам на основе флеш-памяти, включая SSD. Годом ранее было объявлено о разделении бизнеса: Western Digital и SanDisk будут функционировать как независимые компании, каждая со своим ассортиментом.

Источник изображения: Western Digital

Разделение коснулось и линеек продуктов, и служб поддержки, пишет издание Tom's Hardware. На WD.com теперь можно найти все модели HDD, включая устройства под брендами Western Digital и G-Technology. SanDisk.com, в свою очередь, раскрывает весь спектр продуктов на базе 3D NAND флеш-памяти, начиная с карт памяти и USB-накопителей и заканчивая SSD корпоративного уровня, даже если они в настоящее время продаются под маркой WD.

«На сегодняшний день у нас работают два специализированных веб-сайта: WesternDigital.com для всех продуктов HDD и SanDisk.com для всех продуктов флеш-памяти, включая SSD, карты памяти, USB-накопители и многое другое», — говорится в заявлении Western Digital. Службы поддержки также разделены. Western Digital будет оказывать поддержку для дисков HDD, а SanDisk — для продуктов на базе NAND.

О планах по разделению бизнеса Western Digital объявила около года назад. Одна компания сфокусируется на производстве HDD, а другая на продуктах, связанных с 3D NAND, включая собственно производство флеш-памяти. Официальное разделение Western Digital должно завершиться во второй половине 2024 года, предположительно в течение следующих нескольких недель.

Отмечается, что с момента объявления о разделении в октябре 2023 года Western Digital добилась значительного прогресса. Были созданы юридические лица в 18 странах и подготовлены необходимые финансовые структуры, о чём компания сообщила в марте. Подача документов в регулирующие органы также близится к завершению. После окончания всей процедуры обе компании будут функционировать как два независимых акционерных общества.

Новую компанию (SanDisk), ориентированную на NAND, возглавит Дэвид Геккелер (David Goeckeler), действующий генеральный директор Western Digital. А Ирвинг Тан (Irving Tan), в настоящее время исполнительный вице-президент по глобальным операциям, станет генеральным директором уже независимой компании Western Digital, производящей HDD. Решение о разделении бизнеса было принято в связи с трудностями в управлении из-за разной направленности продуктов и замедлением роста на высококонкурентном рынке.

Фискальный квартал и год в целом в календаре Micron Technology завершились 29 августа, поэтому их итоги компания подвела лишь на этой неделе. Выручка за последний квартал минувшего фискального года выросла на 93 % до $7,75 млрд, годовая выручка выросла на 62 % до $25,11 млрд, но в текущем квартале она достигнет $8,7 млрд, превысив ожидания аналитиков. Акции производителя памяти на этом фоне выросли почти на 15 %.

Источник изображений: Micron Technology

Американская Micron Technology пока является наименее крупным игроком рынка памяти типа HBM, поскольку она по занимаемой доле рынка уступает как лидирующей SK hynix, так и южнокорейскому гиганту Samsung Electronics, который занимает первое место в мире по объёмам поставок всех типов памяти в совокупности. Это не мешает Micron заявлять, что она уже поставляет образцы 12-слойных стеков HBM3E объёмом 36 Гбайт, лишь чуть-чуть уступая по темпам технологического развития SK hynix. Последняя, напомним, уже приступила к их массовому производству. Micron намеревается сделать это в начале следующего календарного года.

Росту курса акций Micron способствовали и результаты прошлого квартала, которые превзошли ожидания аналитиков. По словам представителей компании, тенденция к росту спроса на микросхемы памяти наметилась и в сегменте ПК, а также смартфонов. Внедрение в этих устройствах функций локального ускорения работы систем искусственного интеллекта подразумевает увеличение потребности в объёме памяти, поэтому спрос на продукцию Micron будет расти, как считает компания. Объёмы поставок ПК по итогам текущего календарного года вырастут на несколько процентов, по мнению руководства компании. В следующем году рост рынка ПК ускорится, во многом из-за выхода Windows 12 и завершения поддержки Windows 10. Если в среднем ПК содержал 12 Гбайт оперативной памяти в прошлом году, то по мере распространения функции ИИ минимальным объёмом станут 16 Гбайт ОЗУ, а в среднем и верхнем ценовых диапазонов нормой станет наличие 32 и 64 Гбайт оперативной памяти соответственно.

Сильны конкурентные позиции Micron и в сегменте серверной памяти, как отмечает руководство. Высокий спрос на HBM заставил Micron распределить все квоты на её производство не только на текущий, но и на следующий год. В сегменте смартфонов объёмы поставок по итогам 2024 календарного года, по мнению Micron, вырастут на величину до 5 %, и продолжат рост в 2025 году. Если в прошлом году флагманские смартфоны в среднем оснащались 8 Гбайт памяти, то в следующем норма вырастет до 12 или 16 Гбайт.

Текущий фискальный квартал Micron рассчитывает завершить с рекордной выручкой в размере от $8,5 до $8,9 млрд. При этом норма прибыли компании достигнет 39,5 %. В минувшем квартале норма прибыли не превышала 35,3 %, но за год до этого она вообще была отрицательной. Аналитики в среднем рассчитывали на $8,28 млрд выручки и 37,7 % нормы прибыли в своих прогнозах на текущий фискальный квартал, поэтому акции компании и подскочили в цене после публикации отчётности. В наступившем фискальном году Micron рассчитывает получить многомиллиардную выручку в трёх категориях: HBM, оперативная память большой ёмкости и твердотельная память серверного назначения. В прошлом фискальном году Micron увеличила долю памяти серверного класса в общей выручки до рекордного уровня.

В прошлом квартале Micron достигла рекордной выручки в сегменте NAND и твердотельных накопителей. По итогам всего минувшего фискального года компания достигла рекордной выручки на серверном и автомобильном направлениях. В следующем календарном году Micron надеется приступить к массовому производству микросхем DRAM с использованием EUV-технологии класса 1γ, опытное уже осуществляется.

Компания продвигается в строительстве нового предприятия в Айдахо и ожидает получить разрешение властей на строительство предприятия в штате Нью-Йорк. В Индии возводится предприятие по тестированию и упаковке микросхем памяти, а китайское предприятие Micron такого профиля расширяется даже в условиях обоюдных санкций со стороны США и Китая. Приобретённое Micron предприятие Innolux по производству ЖК-панелей на Тайване будет переоборудовано под тестирование и сборку микросхем памяти DRAM.

Поставки HBM принесли в минувшем фискальном году сотни миллионов долларов выручки, как пояснили представители компании. В 2025 году ёмкость рынка HBM достигнет $25 млрд против $4 млрд двумя годами ранее, как ожидают в Micron, и доля данной компании на рынке HBM должна сравняться с её позициями на рынке DRAM в целом.

Спрос на DRAM по итогам текущего календарного года, как считают в Micron, вырастет на величину до 19 %, на память типа NAND — в районе 15 %, а в следующем году оба сегмента будут демонстрировать рост объёмов реализации памяти в среднем на 15 %. Цены на память в 2025 году будут расти из-за ограниченности производственных мощностей по сравнению с уровнем спроса.

Капитальные расходы Micron в минувшем фискальном году достигли $8,1 млрд, в наступившем они будут гораздо выше, достигая 35 % прогнозируемой выручки. В основном это будет вызвано необходимостью наращивать выпуск HBM и строить новые предприятия в США, которые будут субсидироваться властями по «Закону о чипах».

В прошедшем фискальном квартале выручка Micron на 69 % определялась реализацией микросхем типа DRAM. Профильная выручка компании выросла на 93 % в годовом сравнении и достигла $5,3 млрд. По итогам всего фискального года поставки DRAM увеличили профильную выручку Micron на 60 % до $17,6 млрд, это соответствует 70 % всей выручки компании за период.

В принципе, выручка от реализации NAND в четвёртом фискальном квартале не отставала по своей динамике от сегмента DRAM, увеличившись на 96 % до $2,4 млрд, но на этот тип продукции пришлось не более 31 % всей выручки Micron. Более того, в сегменте NAND компания в прошлом квартале получила рекордную выручку. По итогам года в целом профильная выручка выросла на 72 % до $7,2 млрд, но эта сумма соответствует только 29 % всей выручки компании.

Срез выручки четвёртого фискального квартала по направлениям деятельности выглядит таким образом: вычислительные и сетевые решения, охватывающие серверный сегмент, прибавили последовательно 17 % до $3 млрд, мобильное подразделение в силу сезонных явлений прибавило в выручке на 18 % последовательно до $1,9 млрд. В сегменте систем хранения данных рост выручки почти на четверть последовательно до $1,7 млрд был вызван спросом на твердотельные накопители серверного назначения, в этой сфере был установлен новый рекорд по выручке. Строго говоря, выручка от реализации NAND по итогам всего фискального года тоже была рекордной для Micron. Наконец, в сегменте встраиваемых решений выручка Micron сократилась на 9 % в последовательном сравнении до $1,2 млрд.

Данные берутся из публикации Плесните терабит в квадратный миллиметр

Спустя всего 4 месяца после запуска TLC V-NAND 9-го поколения, Samsung объявил о начале массового производства аналогичной памяти типа QLC, предлагая рынку более широкую линейку передовых решений для хранения данных. Новая память обеспечивает оптимальную производительность для самых различных сфер применения, в том числе для задач искусственного интеллекта (ИИ).

Источник изображения: Samsung Electronics

Компания Samsung Electronics объявила о начале массового производства 9-го поколения вертикальной NAND-памяти (V-NAND) с четырьмя битами на ячейку (Quad Level Cell, QLC) ёмкостью 1 Тбит. «Успешный запуск массового производства QLC V-NAND 9-го поколения всего через четыре месяца после TLC-версии позволяет нам предложить полную линейку передовых SSD-решений, отвечающих потребностям эпохи искусственного интеллекта», — сказал Сон Хой Хур (SungHoi Hur), исполнительный вице-президент и руководитель подразделения флеш-памяти и технологий Samsung.

Samsung планирует расширить применение QLC V-NAND 9-го поколения, начиная с фирменных потребительских продуктов и заканчивая мобильной универсальной флеш-памятью (UFS), SSD для клиентских ПК и серверов, включая решения для поставщиков облачных сервисов. Новое поколение памяти отличается рядом технологических возможностей, лучше сказать — прорывов. Так, Channel Hole Etching (технология травления каналов) от Samsung позволила добиться максимального количества слоёв в отрасли с двухуровневой структурой. При этом, используя опыт, накопленный при разработке трёхуровневой структуры ячеек (TLC) V-NAND 9-го поколения, специалисты Samsung оптимизировали площадь ячеек и периферийных схем, достигнув ведущей в отрасли плотности битов, которая примерно на 86 % выше, чем у QLC V-NAND предыдущего поколения.

Помимо высокой плотности, QLC V-NAND девятого поколения отличается повышенной производительностью и надёжностью благодаря также технологиям Designed Mold, Predictive Program и Low-Power Design. Технология Designed Mold регулирует расстояние между Word Lines (WL) для обеспечения однородности и оптимизации характеристик ячеек во всех слоях. Технология Predictive Program прогнозирует и контролирует изменения состояния ячеек, чтобы минимизировать ненужные действия. В результате Samsung удалось удвоить скорость записи и повысить скорость ввода/вывода данных на 60 %, а энергопотребление снизить при чтении и записи данных примерно на 30 % и 50 % соответственно благодаря использованию Low-Power Design.

Эксперты TrendForce пришли к выводу, что в сложных макроэкономических условиях оживление спроса на рынке памяти постоянно спотыкается о новые препятствия, и наметившаяся было тенденция к росту цен к четвёртому кварталу во многом нивелируется. По крайней мере, в сегменте DRAM контрактные цены вырастут от силы на 3–8 %, а в сегменте NAND они даже опустятся на величину до 5 %.

Источник изображения: Intel

Производители модулей памяти DRAM, как отмечает источник, активно наращивают свои складские запасы необходимых для работы компонентов с третьего квартала прошлого года. В итоге ко второму кварталу текущего года «глубина» складских запасов выросла до 11–17 недель. Спрос на конечных рынках электронных устройств не восстанавливается такими темпами, как ожидалось. Запасы смартфонов в Китае превысили норму, а существующие модели ноутбуков клиенты покупать не торопятся, ожидая выхода новых систем на базе процессоров с функцией ускорения ИИ. Всё это приводит к сокращению спроса на подобные устройства.

Розничные поставки флеш-памяти NAND во втором квартале сократились в годовом сравнении на 40 %, и подобная динамика не позволяет участникам рынка надеяться на восстановление спроса во втором полугодии. В розничном сегменте на спрос негативно влияют высокая инфляция и высокие процентные ставки. Рост цен на микросхемы памяти при этом оказывает давление на норму прибыли производителей модулей памяти, а низкий спрос в рознице мешает повышать отпускные цены.

Смартфоны и ПК с функцией ускорения ИИ, по мнению представителей TrendForce, существенно на спрос в сегменте микросхем памяти повлиять в четвёртом квартале не смогут. Контрактные цены на DRAM в итоге не смогут заметно вырасти: в текущем квартале они поднимутся на 8–13 %, а в четвёртом увеличатся только на 3–8 %. Зато у памяти HBM проблем со спросом нет, и контрактные цены на данный вид продукции смогут прибавлять по 10–15 % ежеквартально. Цены на NAND вырастут в текущем квартале на 5–10 %, прежде чем упасть на 5 % в четвёртом. В 2025 году, по мнению экспертов, рост цен на DRAM будет стимулироваться в основном спросом на HBM, под выпуск которой перераспределяется всё больше мощностей. Из-за этого обычной DRAM выпускается меньше, и цены на неё растут.

Связанные с производством флеш-памяти активы бывшей Toshiba Memory Corporation с 2018 года принадлежат консорциуму инвесторов во главе с Bain Capital, и соответствующую деятельность производитель NAND продолжает под вывеской Kioxia. Теперь эта японская компания подала заявку на IPO, которое должно состояться в октябре текущего года и оценить её бизнес в $10,3 млрд.

Источник изображения: Kioxia

Как уточняет Bloomberg, планируется непосредственно выручить на этом мероприятии не более $500 млн, но и этой суммы будет достаточно, чтобы признать данное IPO крупнейшим в Японии не только за этот год, но и со времён выхода на биржу корпорации SoftBank в 2018 году. Капитализация Kioxia по итогам IPO может быть оценена в $10,3 млрд, и период для привлечения средств инвесторов компания считает удачным, поскольку спрос на твердотельную память начал расти, во многом благодаря потребности в скоростных и ёмких накопителях для систем искусственного интеллекта.

Консорциум инвесторов, в который входит не только Bain Capital, но и конкурирующая SK hynix, сейчас контролирует 56 % акций Kioxia, но после размещения он намерен сократить свою долю. Оставшиеся 41 % по-прежнему контролирует некогда материнская корпорация Toshiba, которая сама недавно пережила процедуру приватизации и делистинга с Токийской фондовой биржи. Этот акционер также планирует сократить свою долю в капитале Kioxia после выхода последней на IPO, как сообщает Nikkei. К слову, в 2018 году лежащие в основе Kioxia активы Toshiba Memory Corporation инвесторы выкупили за $18 млрд, поэтому при капитализации первой на уровне $10,3 млрд они вряд ли смогут вернуть свои инвестиции лишь за счёт продажи акций.

Цены на твердотельные накопители корпоративного назначения в последнее время выросли на 80 %, поскольку они оказались востребованы в системах искусственного интеллекта. Компания SK hynix и её подразделение Solidigm, сформированное на основе бывшего китайского предприятия Intel, собираются увеличить объёмы выпуска памяти 3D NAND для твердотельных накопителей корпоративного назначения.

Источник изображения: SK hynix

Компании готовы отдать приоритет производству памяти типа QLC 3D NAND, на основе которой будут изготавливаться твердотельные накопители большой ёмкости для корпоративных систем. По данным отраслевых источников, на которые ссылается The Chosun Daily, компания SK hynix начала постепенно наращивать объёмы обработки кремниевых пластин на своём предприятии M15 в Чхонджу, чтобы к концу года повысить производительность линий на 10 %. Высокий спрос на корпоративные SSD позволил компании Solidigm завершить второй квартал без убытков, и теперь она рассчитывает увеличить объёмы производства твердотельной памяти на 5 % к началу следующего года.

Потребность систем искусственного интеллекта в скоростных накопителях большой ёмкости обусловлена тем, что они в своей работе создают «точки отката», которые позволяют вернуться к определённому состоянию в случае каких-то сбоев в работе. Кроме того, системам искусственного интеллекта свойственно обрабатывать большие объёмы данных, поэтому спрос на SSD с их стороны растёт. По прогнозам TrendForce, в ближайшие несколько лет спрос на SSD будет ежегодно расти в среднем на 60 % именно благодаря развитию систем ИИ.

Память типа QLC 3D NAND оптимальна для использования в твердотельных накопителях большой ёмкости в составе систем ИИ, поскольку в каждой ячейке может храниться по четыре бита данных, и это позволяет добиться высокой плотности хранения информации при низких энергозатратах. Накопители большой ёмкости на основе QLC 3D NAND сейчас выпускают только Samsung Electronics и Solidigm, причём последняя считается лидером в сегменте накопителей объёмом 60 Тбайт. Её контролеры также не имеют особых проблем с точки зрения совместимости с серверной инфраструктурой. SK hynix в следующем году планирует выпустить QLC-накопители объёмом 64 Тбайт и 128 Тбайт соответственно. Компания рассчитывает войти в число лидеров сегмента и в следующем году будет получать до половины выручки от реализации NAND именно от продукции, продающейся в корпоративном сегменте.

Компания Micron представила 276-слойные чипы флеш-памяти 3D TLC NAND девятого поколения (Micron G9 NAND), а также серию твердотельных накопителей Micron 2650 стандарта PCIe 4.0 на их основе. Последние будут выпускаться в форматах M.2 2230, 2242 и 2280, предлагая объёмы 256 и 512 Гбайт, а также 1 Тбайт.

Источник изображений: Micron

По словам Micron, запросы её клиентов стали основной причиной разработки новых чипов флеш-памяти. Цель состояла в том, чтобы создать 1-Тбит кристалл, который поместится в упаковку BGA размером 11,5 × 13,5 мм, при этом будет обладать пропускной способностью 3,6 Гбит/с и иметь на 44 % более высокую битовую плотностью по сравнению с её решениями предыдущих поколений.

Источник изображения: Blocks and Files

Micron заявляет, что новые накопители на базе её 276-слойных чипов флеш-памяти со скоростью 3,6 Гбит/с на канал обеспечивают лучшую производительность в классе. Micron G9 NAND обладает до 99 % более высокой пропускной способностью записи и на 88 % более высокой пропускной способностью чтения на кристалл, чем доступные в настоящее время конкурирующие решения NAND от SK hynix, Solidigm, Kioxia, Western Digital и Samsung. Кроме того, плотность Micron G9 NAND до 73 % выше, а их размер на 28 % меньше, чем решения конкурентов.

Для накопителя Micron 2650 объёмом 256 Гбайт компания заявляет скорость последовательного чтения на уровне 5000 Мбайт/с и последовательной записи в 2500 Мбайт/с, а также производительность в операциях случайного чтения и записи на уровне 370 тыс. и 500 IOPS. Для модели объёмом 512 Гбайт указываются скорости последовательного чтения и записи на уровне 7000 и 4800 Мбайт/с и производительность в случайных операциях чтения и записи на уровне 740 тыс. и 1 млн IOPS. Для версии SSD объёмом 1 Тбайт заявлены скорости последовательного чтения и записи соответственно на уровне 7000 и 6000 Мбайт/с, а также производительность в операциях случайного чтения и записи на уровне 1 млн IOPS.

По словам Micron, её новинки обеспечивают до 38 % более высокую производительность в тесте PCMark 10, в среднем на 36 % более высокую пропускную способность и на 40 % быстрее обращаются к данным.

Компания отмечает, что новые чипы 276-слойные чипы флеш-памяти 3D TLC NAND уже доступны в накопителях Micron 2650 для OEM-партнёров, а также проходят тестирование для потребительских SSD и продуктов её собственного бренда Crucial.

В следующем году должна закрыться вторая часть сделки SK hynix по покупке у Intel бизнеса по производству твердотельной памяти, который преимущественно строился вокруг предприятия по выпуску 3D NAND в китайском Даляне. По слухам, новые владельцы бизнеса рассматривают возможность вывода компании Solidigm на американский фондовый рынок.

Источник изображения: Solidigm

Как напоминает ресурс Blocks & Files, первая часть объявленной в октябре 2020 сделки подразумевала продажу SK hynix за $7 млрд предприятия Intel в Даляне, на котором выпускались микросхемы памяти 3D NAND и твердотельные накопители на их основе. Второй этап сделки подразумевал передачу в 2025 году интеллектуальной собственности и штата разработчиков Intel в Даляне, а также занятого на производстве в этом городе бывшего персонала американской компании. За это SK hynix должна в следующем году выплатить Intel ещё $2 млрд. Профильный бизнес, доставшийся корейским инвесторам от Intel, уже некоторое время работает под названием Solidigm. В прошлом квартале, по данным корейских СМИ, данная компания впервые получила прибыль после 12 подряд убыточных кварталов.

Как известно, сама SK hynix намеревается вкладывать серьёзные средства в развитие производственного кластера в южнокорейском Йонъине. Строительство первого предприятия по выпуску памяти на этой площадке стартует в марте 2025 года и завершится в мае 2027 года, оно потребует $6,8 млрд инвестиций. Соответственно, закрытие сделки с Intel вынудит SK hynix в следующем году потратить ещё $2 млрд на выплату продавцу. По слухам, SK hynix размышляет о возможном выходе Solidigm на IPO в США, чтобы за счёт привлечённых средств инвесторов сократить собственные капитальные затраты. Представители SK hynix эти слухи прокомментировали скупо: «Solidigm рассматривает различные стратегии роста, но никаких решений пока не принято».

Аналитики Wedbush считают, что восстановление финансовых потоков Solidigm делает структурное обособление этой компании от SK hynix более вероятным. Успех затеи с IPO, по их мнению, будет во многом зависеть от структуры разделения активов, включая технологические планы развития. В настоящий момент предприятие в Даляне, которое досталось Solidigm от Intel, рассчитывает освоить выпуск памяти 3D NAND не более чем с 196 слоями, что нельзя назвать передовым технологическим показателем.

Согласно последнему отчёту аналитической компании TrendForce, глобальная выручка от продаж компьютерной памяти DRAM и NAND в 2024 году вырастут на 75 % и 77 % соответственно. Этот рост будет обусловлен несколькими факторами, включая увеличение спроса и популярности высокопроизводительной памяти HBM.

Источник изображения: Micron

Кроме того, ожидается, что продажи в этих сферах будут продолжать расти и в 2025 году. При этом DRAM вырастет на 51 %, а NAND — на 29 %, достигнув рекордных показателей. Рост будут стимулировать увеличение капитальных расходов и повышенный спрос на первичные сырьевые материалы для Upstream-производства, такие как кремниевые пластины и химические вещества, одновременно увеличив ценовое давление на покупателей памяти.

По оценкам TrendForce, благодаря увеличению средних цен на DRAM на 53 % в 2024 году выручка от продаж DRAM достигнет 90,7 млрд долларов США в 2024 году, что на 75 % больше по сравнению с предыдущим годом. В следующем году средняя цена вырастет ещё на 35 %, а выручка достинет 136,5 млрд долларов США, что на 51 % больше по сравнению с 2024 годом. Ожидается также, что в 2024 году на долю HBM придётся 5 % от общего объёма поставок DRAM и 20 % от выручки.

Источник изображения: TrendForce

Кроме того, популярность таких типов памяти, как DDR5 и LPDDR5/5X, также будет способствовать увеличению средней цены на рынке. Ожидается, что к 2025 году доля DDR5 на рынке серверной памяти достигнет 60-65 %, а LPDDR5/5X займёт 60 % рынка мобильных устройств.

В сегменте флеш-памяти NAND рост будет стимулироваться внедрением 3D QLC — технологии, которая позволяет хранить больше данных на одном чипе. По прогнозам, в 2024 году на долю QLC будет приходиться 20 % от общего объёма поставок NAND, а в 2025 году этот показатель должен увеличится. При этом внедрение QLC на смартфонах и серверах станет ключевым фактором роста этого сегмента.

Источник изображения: TrendForce

Ситуация повлияет и на рынок, и на потребителей. Рекордная выручка позволит производителям памяти увеличить инвестиции в исследования и разработки, а также расширить производство. Прогнозируется рост капитальных затрат в индустрии DRAM и NAND на 25 % и 10 % соответственно в 2025 году.

Однако рост цен на память неизбежно приведёт к удорожанию электроники для конечных потребителей. При этом производителям электроники будет сложно переложить все расходы на покупателей, что может привести к снижению прибыли и, не исключено, что к снижению спроса.

Американская компания Micron Technology не только стала мишенью китайских санкций, но и подверглась обвинениям со стороны китайского конкурента в лице компании YMTC, выпускающей твердотельную память типа 3D NAND. Этот китайский производитель на днях обвинил Micron в нарушении 11 своих патентов и подал иск в суде американской юрисдикции.

Источник изображения: Micron Technology

Об этом сообщило на этой неделе агентство Bloomberg, сославшись на поданный YMTC в прошлую пятницу иск к американской компании Micron Technology в Федеральном окружном суде Северного округа Калифорнии. В нём Micron обвиняется китайской компанией YMTC в грубом нарушении законных прав этой компании на интеллектуальную собственность, защищаемую 11 патентами.

Этот иск был подан на следующий день после того, как суд в Техасе вынес решение в пользу компании Netlist, обвинявшей Micron в нарушении её прав на интеллектуальную собственность. Теперь Micron должна будет выплатить Netlist материальную компенсацию в размере $445 млн. В какую сумму оценивается ущерб по иску YMTC, не уточняется.

Это уже не первый случай судебного преследования Micron со стороны YMTC, первое дело такого плана начало рассматриваться американскими органами правосудия ещё в ноябре 2023 года. В том иске фигурировали технологии YMTC, имеющие отношение к выпуску и работе микросхем памяти типа 3D NAND. Уже в прошлом году YMTC начала снабжать своих клиентов 232-слойными чипами памяти этого типа, что вполне соответствует уровню технологических возможностей основных мировых конкурентов. Micron с мая прошлого года находится в Китае под санкциями, её продукция не может использоваться в объектах критической информационной инфраструктуры. Теперь китайская компания пытается преследовать американского конкурента на родной для него земле.

Производители твердотельной памяти увеличивают плотность хранения информации как за счёт увеличения количества бит на одну ячейку, так и за счёт увеличения количества слоёв в микросхеме. Kioxia в этом отношении продвинулась до 218 слоёв, начав массовое производство соответствующей памяти 3D NAND на своём предприятии в Японии в этом месяце.

Источник изображения: Kioxia

Данную новость опубликовало агентство Nikkei, сообщив о способности Kioxia тем самым увеличить ёмкость микросхем памяти примерно на 50 % и снизить энергопотребление на 30 % по сравнению с существующей продукцией этой марки. Этот же источник сообщает, что помимо спроса со стороны систем искусственного интеллекта, общее оживление рынка твердотельной памяти привело к тому, что в июне степень загрузки предприятий Kioxia вернулась к 100 %. До этого с октября 2022 года компании приходилось планомерно снижать объёмы выпуска памяти из-за перенасыщения рынка, и самые значительные сокращения достигали 30 %.

Компания Kioxia, унаследовавшая бизнес по производству твердотельной памяти от Toshiba Memory Corporation, до конца октября рассчитывает выйти на фондовый рынок. Именно восстановление спроса на 3D NAND подтолкнуло Kioxia к более активным действиям на этом направлении, поскольку благоприятная ситуация на рынке памяти должна привлечь к акциям компании большее количество инвесторов. Впрочем, если в указанные сроки компании не удастся провести IPO, оно может быть отложено до декабря текущего года.

К 2027 году Kioxia рассчитывает увеличить количество слоёв памяти до 1000 штук, но некоторые участники рынка считают, что подобные темпы экспансии не будут экономически себя оправдывать. Недавно компания также объявила о начале поставок микросхем 3D QLC NAND, построенных на кристаллах BiCS восьмого поколения ёмкостью 2 терабита. Одна микросхема такой памяти может хранить до 4 Тбайт информации.

Kioxia объявила о начале поставок образцов чипов памяти 3D QLC NAND, построенных на 2-терабитных кристаллах BiCS 8-го поколения. Производитель уверяет, что эти кристаллы предлагают самую высокую ёмкость в отрасли, способствуя росту в различных прикладных сегментах, включая ИИ.

Источник изображения: kioxia.com

Технология BiCS, так в Kioxia называют чипы 3D NAND, помогла Kioxia добиться вертикального и горизонтального масштабирования кристаллов памяти, подчеркнул производитель. Также в новинках использовано решение CBA (CMOS direct Bonded to Array), которое помогло поднять скорость интерфейса до 3,6 Гбит/с.

Представленные микросхемы на 2-Тбит кристаллах с четырёхбитовыми ячейками (QLC) предлагает плотность хранения информации в 2,3 раза выше, а эффективность записи — на 70 % выше по сравнению с актуальными компонентами пятого поколения от Kioxia. Образец микросхемы имеет габариты 11,5 × 13,5 × 1,5 мм — в её корпусе уместились 16 кристаллов, обеспечив суммарную ёмкость в 4 Тбайт.

В дополнение к памяти QLC на кристаллах объёмом 2 Тбит Kioxia представила обновлённый вариант QLC-кристаллов на 1 Тбит: по сравнению с первым, который «оптимизирован по ёмкости», второй «оптимизирован по скорости» — он предлагает увеличенную на 30 % скорость последовательной записи и сниженную на 15 % задержку при чтении. Обновлённые кристаллы QLC на 1 Тбит будут использоваться в высокопроизводительной продукции, включая потребительские SSD и накопители для мобильных устройств.