Сегодня 15 февраля 2026
18+
MWC 2018 2018 Computex IFA 2018
реклама
Новости Hardware

Финны научат производителей 3D NAND выпускать чипы рекордной плотности

Исследователи из Университета Линчепинга (Linköping University) получили патент на технологию улучшенной металлизации отверстий при производстве многослойной памяти, в частности 3D NAND. Благодаря их разработке заполнение отверстий материалом будет происходить равномерно по всей глубине, что также позволит увеличить плотность их расположения и, следовательно, количество ячеек памяти, создаваемых вокруг них в каждом слое чипа..

 Источник изображения: Linköping University

Источник изображения: Linköping University

Актуальность и масштабы проблемы учёные наглядно поясняют на примере самого высокого здания в мире — 828-метрового небоскрёба Бурдж-Халифа в Дубае. Если учесть, что соотношение диаметра отверстия для металлизации у многослойной памяти к его глубине составляет 1:100 (диаметр — 100 нм, глубина — 10 000 нм), то основание Бурдж-Халифа в аналогичном масштабе должно быть всего 8 метров. На практике же оно 191 метр, но сложность задачи понятна — необходимо заполнить чрезвычайно глубокое отверстие равномерно по всей длине, поскольку в каждом месте его контакта с очередным слоем создаётся ячейка памяти, и брак здесь недопустим.

Самым простым способом добиться равномерного заполнения отверстий материалом было снижение температуры в момент его осаждения в паровой фазе, что могло привести к браку. Однако финские учёные предложили другой подход: на этом (начальном) этапе они добавили в среду тяжёлый нейтральный газ ксенон. Сообщается, что результат превзошёл ожидания. Благодаря ксенону не пришлось снижать температуру, а его тяжёлые молекулы помогли равномерно заполнить отверстия материалом до самого их дна. В этом заключается очевидный потенциал для дальнейшего увеличения плотности ячеек памяти.

«Мы пока точно не знаем, как это на самом деле работает. Мы считаем, что газообразный ксенон помогает “проталкивать” молекулы в отверстие. Это был гениальный ход моего аспиранта Аруна Харидаса Чулаккала (Arun Haridas Choolakkal). Он изучил некоторые базовые формулы движения газов и выдвинул гипотезу, что это должно сработать. Вместе мы провели ряд экспериментов, чтобы проверить это, и это действительно сработало», — рассказал руководитель проекта Хенрик Педерсен (Henrik Pedersen).

Разработчики получили патент на своё открытие в Финляндии и продали его одной из местных компаний, которая уже приступила к получению международных патентов.

Источник:

Если вы заметили ошибку — выделите ее мышью и нажмите CTRL+ENTER.
Материалы по теме

window-new
Soft
Hard
Тренды 🔥
Apple оптимизирует код и интерфейс iOS 27 для улучшения автономности устройств 46 мин.
В эвакуационном шутере Marathon не будет системы подбора рейдов из Arc Raiders, разделяющей агрессивных и мирных игроков 4 ч.
Анонсирована Layers of Fear 3 — новая часть серии психологических хорроров о выживших из ума творческих личностях 7 ч.
Новая статья: Code Vein 2 — от отличного к странному. Рецензия 24 ч.
Новая статья: Gamesblender № 763: ремейк God of War, «Джон Уик», новая Silent Hill — анонсы State of Play 14-02 23:31
Хоррор Cronos: The New Dawn от авторов ремейка Silent Hill 2 получил лёгкий режим — для любителей сюжета 14-02 22:09
Голливуд вовсю осваивает ИИ: растёт число школ по кинопроизводству с нейросетями 14-02 19:50
ByteDance представила Doubao 2.0 — самый популярный ИИ-бот Китая стал мощнее и подготовился к «эре агентов» 14-02 15:22
Реклама Anthropic с подтруниванием над OpenAI сработала — аудитория Claude выросла на 11 % 14-02 12:39
Apple рассказала, насколько сильно iOS 26 проникла на iPhone по всему миру 14-02 12:15