Сегодня 24 июня 2025
18+
MWC 2018 2018 Computex IFA 2018
реклама
Новости Hardware

Финны научат производителей 3D NAND выпускать чипы рекордной плотности

Исследователи из Университета Линчепинга (Linköping University) получили патент на технологию улучшенной металлизации отверстий при производстве многослойной памяти, в частности 3D NAND. Благодаря их разработке заполнение отверстий материалом будет происходить равномерно по всей глубине, что также позволит увеличить плотность их расположения и, следовательно, количество ячеек памяти, создаваемых вокруг них в каждом слое чипа..

 Источник изображения: Linköping University

Источник изображения: Linköping University

Актуальность и масштабы проблемы учёные наглядно поясняют на примере самого высокого здания в мире — 828-метрового небоскрёба Бурдж-Халифа в Дубае. Если учесть, что соотношение диаметра отверстия для металлизации у многослойной памяти к его глубине составляет 1:100 (диаметр — 100 нм, глубина — 10 000 нм), то основание Бурдж-Халифа в аналогичном масштабе должно быть всего 8 метров. На практике же оно 191 метр, но сложность задачи понятна — необходимо заполнить чрезвычайно глубокое отверстие равномерно по всей длине, поскольку в каждом месте его контакта с очередным слоем создаётся ячейка памяти, и брак здесь недопустим.

Самым простым способом добиться равномерного заполнения отверстий материалом было снижение температуры в момент его осаждения в паровой фазе, что могло привести к браку. Однако финские учёные предложили другой подход: на этом (начальном) этапе они добавили в среду тяжёлый нейтральный газ ксенон. Сообщается, что результат превзошёл ожидания. Благодаря ксенону не пришлось снижать температуру, а его тяжёлые молекулы помогли равномерно заполнить отверстия материалом до самого их дна. В этом заключается очевидный потенциал для дальнейшего увеличения плотности ячеек памяти.

«Мы пока точно не знаем, как это на самом деле работает. Мы считаем, что газообразный ксенон помогает “проталкивать” молекулы в отверстие. Это был гениальный ход моего аспиранта Аруна Харидаса Чулаккала (Arun Haridas Choolakkal). Он изучил некоторые базовые формулы движения газов и выдвинул гипотезу, что это должно сработать. Вместе мы провели ряд экспериментов, чтобы проверить это, и это действительно сработало», — рассказал руководитель проекта Хенрик Педерсен (Henrik Pedersen).

Разработчики получили патент на своё открытие в Финляндии и продали его одной из местных компаний, которая уже приступила к получению международных патентов.

Источник:

Если вы заметили ошибку — выделите ее мышью и нажмите CTRL+ENTER.
Материалы по теме

window-new
Soft
Hard
Тренды 🔥
Конгресс США запретил сотрудникам пользоваться высокорискованным WhatsApp 8 ч.
«Продолжаем держать курс на крутые обновления»: создатели «Мира танков» и «Мира кораблей» нацелены обжаловать решение суда 8 ч.
Одна платформа, чтоб править всеми: в библиотеку Xbox на ПК скоро можно будет добавить игры из Steam, Battle.net и «других ведущих магазинов» 9 ч.
Точки восстановления в Windows 11 теперь живут всего 60 дней 10 ч.
Фольклорный хоррор «Лихо одноглазое» от создателей «Чёрной книги» получил дату выхода в Steam и новый трейлер 10 ч.
Календарь релизов — 23 – 29 июня: Death Stranding 2 и System Shock 2: 25th Anniversary Remaster 12 ч.
Dune: Awakening установила рекорд по скорости продаж для Funcom — более 800 тысяч смертей от Шаи-Хулуда и другие достижения игроков 12 ч.
Broadcom представила VMware Cloud Foundation 9 — основу основ для современного частного облака 16 ч.
Разработчики российского MMO-шутера Pioner раскрыли, как будут улучшать игру по итогам тестирования в Steam 18 ч.
В России появилась киберспортивная команда Team Yandex по Dota 2, но планы «Яндекса» куда шире 19 ч.