Теги → 3d nand
Быстрый переход

Micron представила скоростные SSD PCIe 4.0 на основе 176-слойных чипов флеш-памяти TLC 3D NAND

Компания Micron представила новые серии твердотельных NVMe-накопителей, которые построены с использованием 176-слойных чипов флеш-памяти TLC 3D NAND. Серия Micron 3400 представлена высокоскоростными моделями в форм-факторе M.2 2280. Серия Micron 2450 в свою очередь состоит из более доступных решений в полноразмерном форм-факторе M.2 2280, среднем M.2 2242, а также компактном M.2 2230.

Для всех новинок заявлена поддержка интерфейса PCIe 4.0 и соответствие протоколу NVMe 1.4. Накопители Micron 2450 представлены моделями объёмом от 256 Гбайт до 1 Тбайт. В состав серии Micron 3400 в свою очередь входят модели объёмом от 512 Гбайт до 2 Тбайт.

Производитель пока не делится подробными деталями о новинках. В то же время компания сообщает, что уровень пропускной способности при операциях чтения у новых накопителей в два раза выше, а записи — на 85 % выше, чем у предыдущего поколения накопителей Micron 2300. Последние предлагают скорость чтения 3300 Мбайт/с и скорость записи 1400-2700 Мбайт/с, а также производительность до 500 тыс. IOPS.

Micron также указывает, что модели Micron 3400 позиционируются для использования в составе систем, где требуется очень высокая производительность. Новинки данной серии смогут отлично себя показать в задачах, связанных с 3D-рендерингом в реальном времени, дизайне, анимации и играх. Модели Micron 2400 в свою очередь, как нельзя лучше подойдут для повседневных задач.

Также отмечается, что благодаря повышенной энергоэффективности  представленные новинки соответствуют требованиям стандарта Intel Project Athena для ноутбуков, а также стандартам AMD PSPP (PCIE Speed Power Policy) и требованиям режима Modern Standby (современный режим ожидания) Microsoft Windows.

Для Kioxia лучшей альтернативой является публичное размещение акций, а не продажа активов

Появившиеся вчера слухи о намерениях Western Digital или Micron купить активы конкурирующей Kioxia могли бы считаться первоапрельским розыгрышем, если бы не рост курса акций двух первых компаний на 6,9 и 4,8 % соответственно, и акций Toshiba — на 4,6 %. Источники Bloomberg утверждают, однако, что Kioxia рассчитывает на IPO, а не продажу активов.

Источник изображения: Getty Images

Источник изображения: Getty Images

Для действующих акционеров, включая Toshiba и Bain Capital, выход Kioxia на публичное размещение акций, который откладывался с момента обретения самостоятельности в 2018 году, является лучшим способом увеличить капитал и поддержать инвесторов. В этом убеждены опрошенные Bloomberg источники, знакомые с ситуацией. По оценкам независимых экспертов, сейчас Kioxia могла бы претендовать на величину капитализации в $36 млрд — это вдвое больше, чем в 2018 году. Представители компании не стали комментировать слухи, но подтвердили решимость Kioxia найти подходящее время для публичного размещения акций.

Для продажи активов ситуация на рынке далека от благоприятной, как считают эксперты. Kioxia является вторым по величине производителем твердотельной памяти с долей рынка 18,8 %. Лидером остаётся Samsung Electronics (33,7 %), Western Digital Corporation довольствуется третьим местом с 14,4 % рынка по версии Omdia, а Micron Technology при куда большей собственной капитализации ограничивается четвёртым местом и 11,3 % рынка. Обе последние компании — американские, и сделка подобного масштаба, которая создала бы способного соперничать с Samsung гиганта, неизбежно бы натолкнулась на противодействие антимонопольных органов, особенно китайских, которые недавно уже воспрепятствовали покупке японской Kokusai Electric американским производителем оборудования Applied Materials.

Конечно, участники сделки за счёт консолидации могли бы оптимизировать свои расходы, но количество игроков рынка сократилось бы с пяти до четырёх, и соблазнов для злоупотребления рыночными позициями стало бы больше. Этот фактор наверняка учитывали бы и антимонопольные органы других стран при согласовании сделки. Источники Bloomberg, тем не менее, не стали ставить крест на идее продажи активов Kioxia, ибо акционеры компании вроде той же Bain Capital могут рассматривать альтернативу грядущему IPO.

Противником сделки могла бы также выступить SK hynix, которая остаётся акционером Kioxia, а потому не заинтересована в передаче активов японского производителя в руки конкурентов. Эта корейская компания недавно договорилась с Intel о покупке бизнеса последней по производству памяти 3D NAND в Китае, чтобы лучше защитить себя от экспансии китайских конкурентов.

Американские регуляторы одобрили покупку SK Hynix китайского предприятия Intel

Комитет по иностранным инвестициям США одобрил сделку SK Hynix по покупке китайского предприятия Intel, специализирующегося на производстве твердотельной памяти. Соответствующая договорённость была достигнута ещё при прежнем генеральном директоре Роберте Своне (Robert Swan), после завершения сделки она позволит Intel выручить $9 млрд.

Источник изображения: Bloomberg

Источник изображения: Bloomberg

Федеральная комиссия по торговле США тоже одобрила грядущую сделку, теперь южнокорейской компании SK Hynix предстоит получить одобрение компетентных органов в других заинтересованных странах, включая Великобританию и Китай. Для корейского производителя памяти сделка станет возможностью занять второе место в мире после Samsung и увеличить отрыв от китайских конкурентов.

Контроль над предприятием Intel в Даляне корейская компания получит только к концу текущего года. Первая фаза сделки подразумевает выплату $7 млрд, а оставшиеся $2 млрд необходимо будет заплатить к марту 2025 года. По данным TrendForce на четвёртый квартал 2020 года, Samsung контролировала 32,9 % рынка твердотельной памяти, SK Hynix довольствовалась 11,6 %, а доля Intel не превышала 8,6 %. Очевидно, что сделка с Intel позволит SK Hynix увеличить свою долю до 20 %. Корейский производитель рассчитывает в последующие за сделкой пять лет увеличить выручку от реализации твердотельной памяти в три с лишним раза. Половину суммы SK Hynix выплатит наличными, оставшиеся средства будут привлечены на долговом рынке.

Kioxia и Western Digital представили 162-слойную память 3D NAND

Японская компания Kioxia (бывшая Toshiba Memory) и её партнёр Western Digital вошли в клуб производителей 170-слойной флеш-памяти 3D NAND. Подобную память в виде опытных партий уже начали выпускать компании Micron Technology и SK Hynix. Увеличение числа слоёв более чем на треть снизит себестоимость хранения данных, что сделает SSD-накопители ещё более популярной продукцией.

Завод Kioxia по производству памяти 3D NAND в Японии

Завод Kioxia по производству памяти 3D NAND в Японии

Правда, Kioxia не уточняет, когда начнёт выпускать новую память, которую она причисляет к фирменной флеш-памяти шестого поколения. Если верить сторонним источникам, это произойдёт в следующем году. Надо сказать, что компания и так чрезмерно загружена финансовыми обязательствами, чтобы начинать перестройку линий. Вскоре она начнёт строить новый завод для производства 3D NAND и лишних денег, вероятно, у неё нет.

Что касается новой разработки, то она представляет собой 162-слойную структуру 3D NAND. Это чуть меньше, чем в случае с 176-слойной 3D NAND Micron и 176-слойной 3D NAND SK Hynix. В то же время Kioxia утверждает, что она смогла на 10 % увеличить плотность размещения ячеек памяти в горизонтальной плотности, что вместе с увеличением слоёв со 112 до 162 в совокупности позволило уменьшить размер кристалла на 40 % по сравнению с памятью предыдущего поколения. Тем самым с каждой 300-мм пластины будет выходить на 70 % больше бит, чем в предыдущем поколении, а это прямой путь к снижению стоимости хранения данных.

Другим важным новшеством при производстве 162-слойной флеш-памяти 3D NAND стало размещение управляющих цепей (контроллера) под массивом памяти. Это не только уменьшило площадь чипа, но также увеличило производительность памяти. В Kioxia сообщают, что скорость работы выросла почти в 2,4 раза, как и на 10 % снизились задержки в режиме чтения. Вместе это на 66 % увеличило производительность операций ввода-вывода. Тем самым новая память стала не только дешевле и плотнее, но также существенно нарастила скорость работы, что можно только приветствовать.

Китайская YMTC хочет запустить опытное производство 192-слойной 3D NAND в середине этого года, раньше чем Samsung и Micron

Основанная в 2016 году китайская компания Yangtze Memory Technologies (YMTC) готова опередить Samsung и Micron на технологическом уровне, начав опытное производство 192-слойной памяти типа 3D NAND во втором полугодии. В то же время она осилит ежемесячный выпуск 100 тысяч кремниевых пластин в месяц, претендуя на 7 % мирового объёма.

Источник изображения: AP

Источник изображения: AP

О наполеоновских планах молодой китайской компании YMTC в очередной раз сообщает издание Nikkei Asian Review. Её предприятие расположено в печально известном Ухане, но оно не прекращало работу даже в разгар эпидемии COVID-19 весной прошлого года, а ко второй половине текущего планирует удвоить объёмы выпуска кремниевых пластин до 100 тысяч штук в месяц. Лидер рынка в лице Samsung Electronics производит 480 тысяч кремниевых пластин, а крупнейший американский производитель — Micron Technology, выпускает ежемесячно 180 тысяч кремниевых пластин.

На рубеже обработки сотни тысяч кремниевых пластин в месяц YMTC может претендовать на 7 % мирового объёма производства микросхем памяти типа 3D NAND. Этим амбиции китайского производителя не ограничиваются. В июне прошлого года началось строительство второй фазы предприятия в Ухане, которая после ввода в строй позволит увеличить объёмы выпуска кремниевых пластин до 200 тысяч штук в месяц.

Следует учитывать, что Samsung и Micron только осваивают выпуск памяти с 176-слойной компоновкой, серийно она не поставляется, но YMTC уже рассчитывает обогнать именитых конкурентов, предложив клиентам 192-слойную память. Китайская компания освоила массовый выпуск 128-слойных микросхем 3D NAND в конце прошлого года, а её разработка была завершена в апреле того же года. У экспертов есть вопросы к качеству подобной продукции, поскольку уровень выхода годных изделий среди 128-слойной 3D NAND на конвейере YMTC не превышает 70 %. И всё же, сложно отрицать рвение китайской компании как в освоении новых технологий, так и в расширении производства.

Проблем ведущему китайскому производителю твердотельной памяти могут добавить как финансовые трудности материнского холдинга Tsinghua Unigroup, так и вероятные американские санкции, если доступ к зарубежному литографическому оборудованию для YMTC будет закрыт. Китайские власти заинтересованы в поддержке ведущего национального производителя, поэтому многое в его успехе будет зависеть от внешней политики США при новом президенте.

Новая статья: Итоги 2020 года: SSD-накопители

Данные берутся из публикации Итоги 2020 года: SSD-накопители

Kioxia построит ещё один завод по производству 3D NAND, чтобы удовлетворять огромный спрос

Прошло всего чуть больше месяца после того, как компания Kioxia (бывшая Toshiba Memory) объявила о планах построить новый завод по выпуску памяти 3D NAND в комплексе Иоккаити, а японцы спешат анонсировать ещё одну стройку! Сегодня компания сообщила, что начинает готовиться к строительству ещё одной фабрики в составе комплекса Китаками на севере страны. Спрос на флеш-память растёт быстрее производства. Надо успевать.

Фабрика K1

Фабрика K1

Ранее мы сообщали, что завод K1 в Китаками в префектуре Иватэ, строительство которого стартовало в 2018 году, в первом квартале этого года начал выдавать первые коммерческие партии флеш-памяти. Сегодня Kioxia доложила, что для дальнейшего увеличения производства собственной 3D-флэш-памяти BiCS FLASH она построит завод K2. Цеха будут возведены на прилегающей к заводу K1 территории площадью 136 тыс. м2.

Подготовительные работы на территории будущего завода начнутся весной 2021 года и завершатся к весне 2022 года. Очевидно, корпуса будут возведены год спустя, а к концу 2023 года завод K2 сможет начать работу. Но компания пока не раскрывает ни инвестиционных планов в новое предприятие, ни его ожидаемых мощностей. Также следует ожидать, что строительство завода K2 будет вестись в партнёрстве с компанией Western Digital, как это происходило раньше. К слову, завод K1 работает на благо обеих компаний как часть совместного предприятия.

«Чистая» комната на фабрике Kioxia и Western Digital

«Чистая» комната на фабрике Kioxia и Western Digital

В Kioxia отмечают, что спрос на память растёт в геометрической прогрессии, особенно на новых направлениях в автомобилях, 5G и машинном обучении. Поэтому сколько памяти ни выпускай, она всегда будет востребована.

SK Hynix выпустила тестовые образцы 176-слойной TLC 4D NAND. Это самая многослойная флеш-память в мире

Корейская компания SK Hynix использует термин «4D NAND» осознанно, но предупреждает, что он призван отражать компоновочные преимущества по сравнению с 3D NAND. В третьем поколении такая память стала 176-слойной, и разработчики контроллеров уже получили образцы 512-гигабитных чипов. Массовое производство памяти 4D NAND нового поколения начнётся в середине следующего года.

Источник изображения: SK Hynix

Источник изображения: SK Hynix

Как поясняет производитель, микросхемы TLC нового поколения сочетают технологию затвора с ловушкой заряда и компоновку с размещением периферийных цепей под массивом ячеек памяти. Впервые представленная в 2018 году в 96-слойном варианте, эта память в третьем поколении предлагает 176 слоёв. По словам SK Hynix, такая память обеспечивает самый высокий выход микросхем с одной кремниевой пластины, повышая удельную эффективность производства на 35 % по сравнению с памятью предыдущего поколения. Себестоимость производства памяти тоже снижается, что обеспечивает корейской компании преимущество по сравнению с конкурентами.

Источник изображения: SK Hynix

Источник изображения: SK Hynix

Новая память обеспечивает прирост скорости передачи информации на операциях чтения на 20 %. В середине следующего года начнётся массовое производство 176-слойных чипов памяти типа TLC 4D NAND для мобильных устройств, предельная скорость чтения у них вырастет на 70 %, записи — на 35 %. В дальнейшем подобные микросхемы памяти найдут применение в твердотельных накопителях потребительского и корпоративного классов. Следующая цель SK Hynix — выпуск терабитных микросхем TLC 4D NAND с 176-слойной компоновкой.

Компания Micron Technology в прошлом месяце сообщила о завершении разработки и начале поставок первых в мире 176-слойных микросхем памяти типа 3D NAND, поэтому можно не сомневаться, что SK Hynix столкнётся с конкуренцией с её стороны.

Samsung готова начать производство передовой 256-слойной флеш-памяти 3D NAND, но о массовом выпуске говорить ещё рано

В понедельник на встрече с инвесторами старший вице-президент Samsung Хан Цзинь-Ман (Han Jin-man) сообщил, что компания технически способна выпускать 256-слойную память 3D NAND. Компания уже наладила выпуск 128-слойных однокристальных чипов памяти. Для выпуска 256-слойных микросхем необходимо соединить два 128-слойных кристалла в единый чип. Быстро и эффективно.

Схематическое представление структуры 3D NAND

Схематическое представление структуры 3D NAND

По словам Samsung, компания обладает самыми передовыми технологиями для выпуска многослойной памяти 3D NAND. Двухстековые сборки 3D NAND — как компания называет два состыкованных вместе кристалла многослойной памяти — у неё самые совершенные. В то же время Samsung призывает не зацикливаться на максимальном количестве слоёв 3D NAND. Для каждого применения найдётся свой оптимум, считают в компании.

«Фактическое количество слоёв в чипе может меняться в зависимости от потребностей клиентов и рыночных условий, — сказал Хан. — Дело не в том, сколько их можно сложить, а в том, какое количество слоёв является наиболее оптимальным для рынка на данный момент».

Но не стоит расценивать это заявление как желание Samsung манипулировать предложением и спросом. Всё прозаичнее. При состыковке двух кристаллов на границах соединений всегда будут дефекты, не говоря уже о сложности без дефектов протравить кремниевую пластину на глубину 128 слоёв. Поэтому ни компания, ни кто другой пока не знают, на какое количество слоёв Samsung выйдет при массовом производстве двухстековых «256-слойных» микросхем 3D NAND. Простая арифметика в данном случае не работает и служит простым ориентиром. К слову, у компании были и, возможно, остаются проблемы с высоким уровнем брака при производстве 160-слойных 3D NAND.

Схематическое изображение двухстековых сборок 3D NAND. Источник изображения: Yonhap

Схематическое изображение двухстековых сборок 3D NAND. Источник изображения: Yonhap

Что можно с уверенностью сказать, Samsung остаётся лидером производства флеш-памяти и будет во главе этого производства очень и очень долго, если не всегда. И переход на выпуск 256-слойной памяти она наверняка осуществит первой в мире, и ещё сильнее упрочит своё положение на рынке.

Micron начала поставки первых в мире 176-слойных чипов флеш-памяти 3D NAND

Компания Micron Technology объявила о начале массовых поставок первых в мире микрочипов флеш-памяти 3D NAND, использующих 176-слойную архитектуру. Изделия лягут в основу новейших твердотельных накопителей, ориентированных в том числе на потребительский рынок.

По сравнению с решениями Micron предыдущего поколения новинки обеспечивают значительное увеличение плотности хранения информации. При этом задержки в режимах чтения и записи уменьшились более чем на 35 %.

При использовании спецификации Open NAND Flash Interface (ONFI) производительность достигает 1600 млн пересылок в секунду (MT/s). Это на треть (33 %) больше по сравнению с 96- и 128-слойными чипами флеш-памяти 3D NAND производства Micron, которые демонстрируют результат до 1200 MT/s.

Организация массового производства 176-слойный изделий приведёт к появлению более компактных флеш-накопителей для самых разных сфер применения. Среди них называются мобильные устройства, автономные системы, автомобильные информационно-развлекательные комплексы, а также клиентские накопители и устройства хранения для центров обработки данных.

Чипы изготавливаются на сингапурском предприятии Micron Technology. Большое количество новых продуктов на основе этой памяти будет представлено в течение следующего года. 

Из-за производства GDDR6X у Micron упала прибыль

Снижение курса акций Micron Technology после публикации квартального отчёта было отчасти вызвано не самым оптимистичным прогнозом на текущий трёхмесячный период, который в календаре компании завершится в начале декабря. Производство памяти типа GDDR6X пока ограничивает норму прибыли Micron, равно и как миграция на новую технологию производства 3D NAND.

Источник изображения: Micron Technology

Источник изображения: Micron Technology

В этом году Micron обещала освоить выпуск 128-слойной памяти типа 3D NAND с замещающим затвором в ячейке, но массовое распространение получит только следующее поколение этой памяти, которое будет выпускаться в 2021 календарном году. На минувшей квартальной конференции финансовый директор компании Дэвид Цинснер (David Zinsner) пояснил, что первая половина фискального 2021 года, который уже начался, будет характеризоваться снижением нормы прибыли. Например, в текущем фискальном квартале она не превысит 28,5 %, хотя в предыдущем достигала 34,9 %.

Источник изображения: Micron Technology

Источник изображения: Micron Technology

По словам представителей Micron Technology, давление на этот показатель будут оказывать два основных фактора. В сегменте твердотельной памяти переход на второе поколение микросхем 3D NAND с замещающим затвором ещё не начался, а поставляемая для нужд NVIDIA память типа GDDR6X пока ещё дорога в производстве, как и многие продукты на начальном этапе жизненного цикла. Ожидается, что показатели прибыльности Micron улучшатся ко второй половине 2021 фискального года, то есть, не ранее марта–апреля. Этому будет способствовать не только снижение затрат, но и улучшение рыночных условий, как добавил финансовый директор компании.

Оперативная и флеш-память подорожают в следующем году из-за повышенного спроса

Текущий год на рынке памяти пройдёт под знаком пандемии, но для производителей он в целом будет благоприятным, чем неудачным. В следующем году на рынок начнут влиять игровые консоли, экспансия сетей 5G, переход на использование EUV-литографии и новых компоновок в сегменте 3D NAND. Эксперты считают, что спрос будет опережать предложение, а потому цены на память вырастут.

Источник изображения: Business Korea

Источник изображения: Business Korea

Специалисты Shinhan Investment Corp. поделились своим представлением о тенденциях, которые будут определять развитие рынка памяти в 2021 и 2022 годах. Прежде всего, они рассчитывают, что фактор пандемии будет исключён из числа определяющих, а рынок памяти вступит в очередной продолжительный цикл роста. В сегменте оперативной памяти будет осуществляться переход на DDR5, поскольку серверные платформы Intel и AMD должны будут реализовать поддержку этого типа памяти.

Средняя цена реализации модулей памяти объёмом 32 Гбайт для серверного применения вряд ли опустится ниже $100, как считают авторы прогноза, поэтому в следующем году цены начнут расти. В сегменте смартфонов спрос на оперативную память хоть и начал расти, делает это он не так активно, как ожидалось. Во всяком случае, ресурс DigiTimes со ссылкой на тайваньские источники сообщает о возможной коррекции складских запасов в четвёртом квартале.

В следующем году подогревать спрос на микросхемы памяти будут не только смартфоны с поддержкой 5G, но и игровые консоли. Производителям придётся заняться технологическим перевооружением в связи с переходом на литографию со сверхжёстким ультрафиолетовым излучением (EUV), это на какое-то время ограничит объёмы выпуска, что будет способствовать росту цен на память. Курс акций компаний, занятых выпуском памяти, тоже будет расти, поскольку для их финансовых показателей условия сложатся благоприятные.

SK Hynix выпустила первые в мире NVMe SSD-накопители на основе 128-слойной памяти 3D NAND TLC

В течение последних лет все основные производители флеш-памяти NAND соревновались между собой в создании самых многослойных чипов памяти. Похоже, компании SK Hynix надоело просто производить микросхемы, и она решила попробовать свои силы на рынке потребительских SSD-накопителей. В прошлом году вышли 2,5-дюймовые SATA SSD серии Gold P31. А теперь SK Hynix были представлены первые в мире NVMe SSD на базе 128-слойных микросхем 3D NAND TLC в рамках той же серии.

Устройства выполнены в формате M.2, оснащены интерфейсом PCI Express 3.0 x4 и предлагаются в версиях объёмом 500 Гбайт и 1 Тбайт. В основе накопителей используются контроллеры SK Hynix собственной разработки, компанию которым составляет небольшой буфер из памяти стандарта LPDDR4-4266. Заявленные производителем значения скорости последовательного чтения и записи новинок серии Gold P31 достигают 3500 и 3200 Мбайт/с соответственно.

Показатели произвольного чтения и записи находятся на уровне 570 и 600 тыс. IOPS соответственно. Разумеется, при выходе за пределы SLC-кеша данные значения окажутся ниже, однако такое поведение характерно для всех SSD-накопителей на базе TLC-памяти.

По словам SK Hynix, новинки готовы предложить уровень качества аналогичный моделям Samsung 970 Evo, но при этом по более привлекательной стоимости. На устройства производитель даёт пятилетнюю гарантию, в течение которых терабайтная модель Gold P31 выдержит запись не менее 750 Тбайт информации.

Накопители SK Hynix Gold P31 уже поступили в продажу. Например, в онлайн-магазине Amazon модель на 500 Гбайт предлагается за $75, а  версия объёмом 1 Тбайт оценивается в $135. Для сравнения, сейчас по скидке модель Samsung 970 Evo объёмом 500 Гбайт предлагается там же за $90 (при изначальных $100), а версия на 1 Тбайт, также по скидке, продаётся за $190 (при изначальных $250). 

Укладка ячеек памяти в несколько слоёв друг на друга позволяет производителям флеш-памяти NAND создавать более ёмкие чипы в рамках той же площади, что в конечном итоге не только снижает стоимость их производства, но также и розничную цену продуктов на их основе для конечного потребителя. Выпуск первых в мире потребительских продуктов на базе 128-слойных чипов памяти NAND компанией SK Hynix определённо отразится на ценообразовании аналогичных решений в будущем. В данный момент компания Samsung работает над 160-слойными чипами памяти NAND, Intel занимается разработкой 144-слойной памяти, а китайская YMTC — 128-слойной. Но ни один из этих производителей пока не представил свои готовые продукты на потребительском рынке.

Их не догонят: Yangtze Memory раскрыла производительность 128-слойной 3D NAND QLC

Анонс 13 апреля этого года разработанной в Китае 128-слойной флеш-памяти 3D NAND QLC стал громом среди ясного неба. Китайский производитель, которого четыре года назад не было даже в проекте, сообщил о подготовке к производству самой передовой в мире энергонезависимой памяти типа NAND. Массовое производство новой памяти стартует в четвёртом квартале текущего года. Утверждается, что по совокупности характеристик в мире аналогов этой памяти нет.

Сегодня на выставке China Electronic Information Expo представители компании Yangtze Memory (YMTC) раскрыли данные о производительности 1,33-Тбит чипа 3D NAND QLC. Заявлено, что скорость работы на операциях чтения и записи в обоих случаях достигает 1,6 Гбит/с. Компания не сообщает о конфигурации чипа, но это не отменяет того факта, что скоростные характеристики разработки выглядят одними из лучших в индустрии для памяти 3D NAND.

Кроме того, из известных на сегодня образцов передовой NAND-памяти, подготовленных к производству, 128-слойный 1,33-Тбит чип YMTC с записью четырёх бит данных в каждую ячейку (QLC) представляется самым плотным в мире решением для хранения данных на единицу площади.

Сложив одно и другое, можно поверить, что китайским разработчикам удалось если не перегнать мировых лидеров в разработке и производстве 3D NAND, то, как минимум, выступить наравне с ними. По крайней мере, по технологическому совершенству образцов продукции. Но самое главное, что китайцы быстро выходят на массовый выпуск SSD на основе разработанной в стране продукции. И пока ещё не попавшая в массовое производство 128-слойная 1,33-Тбит 3D NAND QLC обещает начать распространяться так же быстро, как и 64-слойная 3D NAND TLC, массовый выпуск которой стартовал менее года назад.

Вышедшие меньше года назад SSD-накопители Intel 665p скоро будут сняты с производства

Рынок твердотельных накопителей — это один из тех сегментов, где технический прогресс решительно сметает со своего пути всё устаревшее. Доказательством может служить принятое Intel решение свернуть поставки накопителей серии 665p всего лишь через несколько месяцев после их формального дебюта.

Источник изображения: NewEgg

Источник изображения: NewEgg

В ноябре прошлого года Intel представила твердотельные накопители серии 665p, также известные под условным обозначением Neptune Harbor Refresh. Они сочетали контроллер Silicon Motion SM2263 с поддержкой NVMe и микросхемы 3D NAND типа QLC собственного производства, насчитывающие 96 слоёв. От предшественников серии Intel 660p, таким образом, они отличались незначительно.

Источник изображения: Intel

Источник изображения: Intel

Уведомление в специальном разделе сайта Intel сообщает, что накопители семейства 665p уже попали под действие программы прекращения поставок. Заказать их можно будет до 31 января следующего года, последняя партия будет отгружена 30 апреля того же года.

Причины, заставившие Intel так скоро проститься с накопителями данной серии, не уточняются, но они наверняка имеют отношение к оптимизации ассортимента производимой памяти. Intel наращивает объёмы выпуска 144-слойной памяти типа QLC, поэтому место на конвейере нужно очистить от менее выгодных устаревших микросхем. В следующем году Intel переведёт на использование 144-слойной памяти весь ассортимент своих твердотельных накопителей.

window-new
Soft
Hard
Тренды 🔥
Новая статья: Телефонный блокпост: обзор приложений для защиты от мошеннических и спам-звонков 2 мин.
Spotify запустил Greenroom — платформу для голосового общения в стиле Clubhouse 8 мин.
Слитая Windows 11 оказалась хуже по производительности, чем Windows 10 9 мин.
Facebook создала инструмент для распознавания дипфейков, позволяющий вычислить автора подделки 15 мин.
Amazon стала блокировать FLoC, альтернативу файлам Cookie от Google 55 мин.
Бета-версия Dr.Web Enterprise Security Suite 13.0 дополнилась функцией защиты виртуальных сред 57 мин.
Разработчики TikTok откроют доступ к своему мощному алгоритму рекомендаций сторонним компаниям 2 ч.
ПК-версия Cyberpunk 2077 получила «самую большую скидку» в своей истории — в GOG на покупке игры можно сэкономить 33 % 2 ч.
В Steam начался фестиваль «Играм быть» с более чем 700 демоверсиями 3 ч.
Искусственный интеллект поможет администраторам групп в Facebook предупреждать конфликты в комментариях 4 ч.
General Motors увеличила инвестиции в электромобили на ближайшие годы до $35 млрд 3 ч.
Представлены смартфоны Honor 50, 50 Pro и 50 SE — продвинутые камеры, нефлагманские процессоры и сервисы Google 3 ч.
Google завтра откроет свой первый розничный магазин — он расположится в штаб-квартире компании в Нью-Йорке 5 ч.
Lenovo обновила ноутбуки ThinkPad P15 и P17 новыми чипами Intel и профессиональными видеокартами NVIDIA RTX 6 ч.
Lenovo представила док-станцию с Thunderbolt 4 и удалённым управлением Intel AMT за $420 7 ч.
Lenovo представила большой профессиональный монитор ThinkVision P34w-20 по цене $900 7 ч.
Apple хотела выпустить Apple Watch 5 в чёрном керамическом корпусе, но передумала 7 ч.
Lenovo представила ThinkPad P1 Gen 4 — тонкую рабочую станцию с мощной начинкой и ценой от $2099 7 ч.
Видеокарта Radeon RX 6900 Liquid Cooled с повышенным TDP и частотами скоро появится в готовых ПК 8 ч.
Dell’Oro Group: Huawei остаётся бессменным лидером рынка телеком-оборудования 8 ч.