Сегодня 27 апреля 2018
18+
MWC 2018
Теги → 3d nand
Быстрый переход

Intel удваивает усилия по разработке 3D NAND своими силами

Долгие годы компания Intel разрабатывала и выпускала память NAND-флеш и 3D NAND вместе с компанией Micron. Начиная со следующего года каждая из этих компаний займётся самостоятельной разработкой новых версий многослойной памяти. Напомним, в январе Intel сообщила, что до конца года будет завершена разработка «третьего поколения» 3D NAND в виде 96-слойных чипов и в дальнейшем инженерные коллективы её и Micron будут работать раздельно (за исключением разработок, связанных с памятью 3D XPoint).

В «чистой комнате» производственного комплекса IMFT (Intel Micron Flash Technologies)

В «чистой комнате» производственного комплекса IMFT (Intel Micron Flash Technologies)

В принципе, намёк на отдаление от Micron появился ещё в 2015 году, когда Intel приступила к переводу своего китайского завода в городе Далянь с выпуска системной логики и NAND-флеш на производство 3D NAND. Завод модернизирован и приступил к массовому выпуску 64-слойной памяти. Очевидно, в первой половине следующего года это предприятие начнёт выпускать 96-слойную память 3D NAND. И если с производством у компании полный порядок, то инженерный коллектив явно потребует усиления. Как ни крути, инженерная база Micron в США сильна своими специалистами и оборудованием, а через несколько месяцев её двери для Intel будут закрыты.

Как сообщает сайт Motley Fool, Intel активно набирает специалистов для «формирования новой и передовой команды инженеров под руководством Technology and Strategy Office (TSO) с прицелом на значительное снижение затрат [на производство], улучшение продукции и реализацию возможностей оборудования и техпроцессов для будущих поколений производства 3D NAND». Можно предположить, что целевая инженерная группа Intel по разработке 3D NAND разместится вблизи завода в Китае (близость разработчиков и производства часто становится залогом успеха). В любом случае, Intel надо будет компенсировать интеллектуальный разрыв с Micron.

В заключение напомним, что Intel может искать тесной связи с китайскими производителями чипов. Например, циркулирует слух, что NAND-продукцию завода в городе Далянь компания будет реализовывать через местного производителя UNIC Memory Technology. Компания UNIC Memory якобы будет также упаковывать и тестировать чипы Intel 3D NAND. За прошедший год выручка Intel на направлении 3D NAND выросла на 36,6 %. Компания в основном выпускает SSD для ЦОД и серверного рынка. Работа с китайцами может позволить Intel выйти на новые для неё рынки с изделиями по конкурентной цене.

Innotron Memory движется к производству в Китае памяти DDR4

Мы не раз рассказывали, что основу производства «национальной» памяти DRAM и NAND в Китае начали закладывать три компании — это Yangtze Memory Technologies Company (производство 3D NAND), JHICC (производство DRAM) и Innotron Memory (производство DRAM). Для этого все они к уже имеющимся в их распоряжении заводам примерно полтора года назад начали строить новые фабрики с прицелом на обработку значительных объёмов 300-мм пластин. Компания Yangtze Memory, например, планирует ежемесячно обрабатывать до 300 тыс. кремниевых подложек диаметром 300 мм. Это произойдёт лишь к середине следующего десятилетия, но, тем не менее, впечатляет.

Фото со стройки завода компании JHICC (JHICC )

Фото 2017 года со стройки завода компании JHICC (JHICC )

На этой неделе каждая из трёх компаний сообщили об успешном прохождении фазы завоза в новые цеха промышленного оборудования, которое теперь предстоит установить и настроить. Будущий производитель 3D NAND компания Yangtze Memory начала этот процесс 11 апреля и даже получила первый заказ на поставку 32-слойных 64-Гбит чипов 3D NAND. Компания JHICC, о чём мы тоже рассказывали на днях, планирует завершить установку оборудования до июля и обещает уже в сентябре начать опытный выпуск микросхем памяти типа DRAM.

Последней о текущей ситуации на новом заводе доложила компания Innotron Memory. Сообщается, что первая фаза строительства новых цехов завершена в январе этого года. Тогда же начался завоз на предприятие производственного оборудования. Опытное производство на линиях первой очереди стартует в конце 2018 года с планами начать массовый выпуск чипов DDR4 ёмкостью 8 Гбит в 2019 году. В течение следующего года объёмы производства памяти DDR4 на 300-мм подложках планируется довести до 20 тыс. пластин в месяц.

Фото со стройки завода компании JHICC (JHICC )

Фото 2017 года со стройки завода компании Yangtze Memory Technologies (Tsinghua, CCTV13)

Строительство цехов второй очереди компания начнёт в 2020 году. В 2021 году Innotron Memory рассчитывает завершить разработку техпроцесса для выпуска памяти DRAM с технологическими нормами 17 нм. Руководство компании подчёркивает, что намерено самостоятельно разрабатывать техпроцессы и использовать для этого исключительно местное сырьё и производственное оборудование китайских компаний. Компанией Innotron Memory, кстати, руководит бывший генеральный директор компании SMIC Дэвид НК Вон (David NK Wang). В своё время он был председателем компании Huahong NEC и вице-президентом компании Applied Materials, в которой возглавлял азиатское подразделение компании. Это управленец с громадным специфическим опытом, который готов сделать свою работу на отлично.

Оформлен первый коммерческий заказ на «китайскую» 3D NAND

Неделю назад мы рассказывали, что 11 апреля в цеха компании Yangtze Memory Technologies (YMTC) начало поступать первое промышленное оборудование для выпуска «натуральной китайской» многослойной памяти 3D NAND. В ходе торжественного мероприятия по этому поводу глава материнской корпорации Tsinghua Unigroup Жао Вейгуо (Zhao Weiguo) сообщил, что Yangtze Memory заключила первый контракт на поставку памяти 3D NAND. Это будут 32-слойные микросхемы ёмкостью 64 Гбит для выпуска 8-Гбайт карточек памяти SD. На этом хорошие новости заканчиваются. Перемещаемся в реальность.

Образец 32-слойной памяти 3D NAND компании (Tsinghua, CCTV13)

Образец 32-слойной памяти 3D NAND компании Yangtze Memory (Tsinghua, CCTV13)

Ограниченное производство 32-слойной памяти 3D NAND компания Yangtze Memory начнёт только в конце текущего года. Были надежды на более ранний старт — в середине года, но этого не произойдёт (быстро только сказка сказывается). Огорчают также объёмы первого заказа — всего 10 776 микросхем. Это едва ли больше дюжины 300-мм пластин. Китайцы с их необъятными человеческими ресурсами такой заказ могут лобзиками выпилить из цельного куска кремния. Как-то очень скромно для амбициозного плана довести до 2022 года мощность предприятия до 300 тыс. 300-мм пластин в месяц. Что же, Москва тоже не сразу строилась.

Отдельно руководство Yangtze Memory подтвердило планы разработать технологию производства 64-слойных 128-Гбит микросхем 3D NAND. Эти планы компания собирается реализовать в течение 2019 года.

Micron расширяет Fab 10 в Сингапуре: Больше слоёв в 3D NAND!

Корпорация Micron Technology в этом месяце начала строительство третьего модуля производственного комплекса Fab 10 в Сингапуре. Как и имеющиеся Fab 10X и Fab 10N, новая фабрика будет использоваться для выпуска 3D NAND флеш-памяти. Micron подчёркивает, что расширение Fab 10 не призвано увеличить количество выпускаемых пластин с микросхемами памяти, но предназначено в первую очередь для создания плацдарма при производстве новых типов многослойной 3D NAND в будущем.

Micron уже имеет две 300-мм фабрики по производству 3D NAND флеш-памяти в Сингапуре (Fab 10N и Fab 10X), которые были построены ранее в этом десятилетии. Эти комплексы в настоящее время изготавливают львиную долю флеш-памяти компании Micron. Новое здание является третьим модулем Fab 10 и будет располагаться рядом с существующими комплексами. Новая фабрика будет построена на земельном участке площадью 165 тыс. м2 на улице North Coast Drive. Для сравнения, Fab 10N (первый модуль производственного комплекса) была построена на земельном участке площадью 200 тыс. м2, а площадь её «чистой» комнаты превышала 24 тыс. м2. Micron не указывает площадь «чистой» комнаты в новом модуле из соображений конфиденциальности.

В «чистой» комнате производственного комплекса Micron

В «чистой» комнате производственного комплекса Micron

Одна из вещей, которые подчёркивает Micron, заключается в том, что расширение Fab 10 не обязательно означает, что фабрика будет обрабатывать больше пластин. Эволюция 3D NAND — очень сложный процесс (эта тема была затронута в одной из наших заметок в конце 2016 года), но ключевой особенностью, которая позволяет данному типу энергонезависимой памяти увеличивать плотность записи, является увеличение количества слоёв. Как известно, для нанесения слоёв применяют метод химического осаждения из паровой фазы (chemical vapor deposition, CVD) и соответствующее оборудование. Таким образом, по мере роста количества слоев каждая пластина проводит всё больше времени в CVD-машине. Кроме того, больше количество слоёв требует несколько большего времени для травления в них отверстий (etching). Поскольку методики травления имеет известные пределы, для увеличения количества слоёв свыше определённых значений производители NAND будут вынуждены начать применять разные экстравагантные методики вроде string stacking (построение ещё одного массива 3D NAND ячеек поверх имеющегося), что дополнительно увеличивает производственный цикл. Стремясь сохранить количество обрабатываемых пластин по мере увеличения количества слоёв 3D NAND, производители флеш-памяти должны увеличивать количество CVD-машин в чистых комнатах, что требует дополнительного пространства. Таким образом, хотя расширения производственных комплексов могут не отражаться на количестве обрабатываемых пластин, они обеспечивают рост с точки зрения общего объёма выпускаемой памяти в пересчёте на бит.

Fab 10X: первый этап расширения Fab 10. Слайд из презентации Micron 2015 года

Fab 10X: первый этап расширения Fab 10. Слайд из презентации Micron 2015 года

Ожидается, что первая фаза нового модуля Fab 10 будет завершена к лету 2019. Micron планирует получить первые коммерческие пластины, обработанные на новой фабрике, в четвёртом квартале следующего года. Как обычно, наращивание производства в новом комплексе займёт некоторое время, так что можно ожидать, что новая фабрика начнёт вносить значительный вклад в общий объём выпуска 3D NAND компанией Micron где-то в 2020 году.

Производитель не указывает, какой именно тип 3D NAND он планирует изготавливать в новом модуле Fab 10, но с учётом временных рамок можно с высокой долей вероятности утверждать, что эти микросхемы будут иметь более 64 NAND-слоёв.

Производственный комплекс Fab 10 (Micron Semiconductor Asia), вид со спутника, Google Maps

Производственный комплекс Fab 10 (Micron Semiconductor Asia), вид со спутника, Google Maps

Санджей Мехротра (Sanjay Mehrotra), исполнительный директор Micron, сказал, что в дополнение к расширению комплекса Fab 10 компания также расширит свои научно-исследовательские и опытно-конструкторские разработки в Сингапуре. Среди прочего, Micron планирует нанять ученых-материаловедов, инженеров-электриков, ученых-исследователей и т. д.

Хотя Micron не раскрывает производственные мощности нового модуля Fab 10, но говорит, что новый завод потребует от компании набора дополнительного персонала для работы на фабрике и в цепочке поставок. В настоящее время численность работников Micron в Сингапуре составляет 7500 человек. Новый завод и расширение НИОКР потребуют от Micron нанять ещё 1000 человек.

Твердотельный накопитель на базе памяти 3D NAND

Твердотельный накопитель на базе памяти 3D NAND

Yangtze Memory приступила к установке оборудования для выпуска 3D NAND

Пару дней назад на открытии выставки CITE 2018 (China Information Technology Expo) председатель совета директоров корпорации Tsinghua Unigroup Жао Вейгуо (Zhao Weiguo) сообщил, что с 11 апреля на новом предприятии дочерней компании Yangtze Memory Technology специалисты приступили к монтажу производственного оборудования для выпуска 3D NAND. Вскоре после монтажа и настройки линий завод приступит к производству многослойной флеш-памяти 3D NAND. Первой продукцией станет 32-слойная память «64G 3D NAND». Поскольку уточнений нет, будем считать, что Yangtze начнёт выпуск 64-Гбит памяти (выпуск 512 Гбит микросхем для начала производства в Китае выглядит маловероятным).

В образцах китайская 3D NAND уже существует (Tsinghua, CCTV13)

В образцах китайская 3D NAND уже существует (Tsinghua, CCTV13)

Многослойная память 3D NAND, которую начнёт выпускать Yangtze Memory, разработана в Китае. На очереди завершение разработки и запуск в производство 64-слойной памяти, что должно произойти уже в следующем году. У компании достаточно ресурсов, чтобы выдержать как график ввода в строй новых линий, так и для финансирования разработок. В последнем случае создавать «национальную» память 3D NAND компании Yangtze Memory Technology помогает компания Spansion, владеющая обширным пулом необходимых патентов.

Торжественное завершение первой фазы строительства завода YMTC в Китае (август 2017 года)

Торжественное завершение первой фазы строительства завода YMTC в Китае (август 2017 года)

Также на открытии выставки г-н Жао сообщил, что его компания готова в последующие пять лет вложить в расширение производства полупроводников 370 млрд юаней ($58,74 млрд). Всего же за 10 лет Tsinghua Unigroup планирует (и имеет для этого ресурсы) вложить в «китайские» чипы порядка $100 млрд. Выпуском полупроводников, кстати, дело не ограничится. Корпорация развивается по многим направлениям ИТ-деятельности. Например, в первой половине текущего года под эгидой Tsinghua Unigroup будет запущен облачный публичный сервис для бизнеса со стоимостью начальных вложений $1,9 млрд.

В Китае Samsung приступила к строительству второй линии по выпуску 3D NAND

28 марта компания Samsung провела торжественное мероприятие по закладке фундамента для второй производственной линии по выпуску памяти 3D NAND в китайском городе Сиань (Xian). Завод Samsung вблизи Сианя компания начала строить в 2012 году с запуском в коммерческую эксплуатацию в 2014 году. К нынешнему дню предприятие каждый месяц обрабатывает порядка 120 тыс. 300-мм пластин с памятью 3D NAND. Производственные здания занимают площадь 230 тыс. м2, а весь комплекс расположен на 1,14 млн м2, так что Samsung есть куда расширяться.

До 2020 года в строительство второй очереди линий Samsung вложит около 8 трлн вон (примерно $7,47 млрд). Первая коммерческая продукция на второй линии начнёт выходить в следующем году. Проектная мощность второй линии составит 100 тыс. 300-мм подложек в месяц, что доведёт суммарную мощность завода компании в Китае до 220 тыс. 300-мм кремниевых пластин с памятью 3D NAND в каждый месяц.

Для китайской общественности завод Samsung в Сиане играет особую роль. В этом городе родился действующий Президент страны Синь Цзиньпин. Новые инвестиции Samsung в завод станут крупнейшими за время его руководства страной в течение первого и второго сроков правления.

Расширения завода по выпуску памяти 3D NAND позволит компании Samsung оставаться мировым лидером рынка с долей порядка 38 %. В текущем году ожидается рост продаж 3D NAND до пикового уровня в $59,2 млрд. До 2021 года, уверены аналитики компании IHS (подразделения Markit), стоимость мирового рынка памяти 3D NAND каждый год будет превышать $50 млрд. Сегодня память 3D NAND находится в состоянии небольшого превышения спроса над предложением, что стимулирует дальнейший рост цен на неё. Поэтому новые линии Samsung не только помогут компании укрепить положение на рынке, но и поспособствуют стабилизации цен на флеш-память.

Продажа Toshiba Memory может стать жертвой разногласий между США и Китаем

В эту субботу наступает «дедлайн» для закрытия сделки по продаже подразделения Toshiba Memory консорциуму KK Pangea во главе с частной инвестиционной компанией Bain Capital. Согласно подписанному в сентябре соглашению, сделка должна быть закрыта до конца марта 2018 года. Цена вопроса — около $17,8 млрд. Это та сумма, которая должна была помочь Toshiba погасить или реструктуризировать долги и сохранить акции компании в реестре Токийской биржи. Сегодня почти со 100-процентной вероятностью можно утверждать, что в указанный срок сделка не будет закрыта.

reuters.com

reuters.com

За прошедший год для завершения сделки по продаже Toshiba Memory сделано всё возможное и невозможное. Казалось бы, что самым сложным было уговорить не препятствовать продаже подразделения производственного партнёра Toshiba — компанию Western Digital. Последней, напомним, отказано в участии в сделке, что вызвало серию юридических конфликтов между Toshiba и Western Digital. На поверку оказалось, что самыми несговорчивыми оказались антимонопольные органы Китая. Регуляторы США, Европы и Японии почти сразу дали разрешение на продажу Toshiba Memory, а Китай не решил этот вопрос до сих пор и отказывается давать какие-либо комментарии на этот счёт.

reuters.com

reuters.com

По мнению японских источников, на сделку по продаже Toshiba Memory могут влиять нарождающиеся разногласия между США и Китаем. Китай может рассматривать разрешение на сделку в качестве инструмента для решения политико-экономических проблем внутри станы и на международной арене. Во-первых, США муссирует вопрос о введении 25-% пошлин на ряд китайских товаров и на произведённую в Китае электронику. Во-вторых, Поднебесная взялась сверхактивно развивать местную полупроводниковую промышленность и, в частности, производство памяти. Китаю нужны лицензии или гарантия от патентных нападок со стороны мировых лидеров. Это один из вариантов короткого поводка для Toshiba. Кстати, согласно информированным источникам, решение властей Китая будет опираться на выводы компаний Lenovo и Huawei Technologies.

К счастью для японского производителя, осенью после подписания договора с Bain Capital компании удалось привлечь 600 млрд иен ($5,7 млрд). Это освобождает её от необходимости завершить сделку до 31 марта 2018 года. Сроки принятия решения откладываются на июньское собрание акционеров. Этот «сериал» когда-нибудь закончится?

Для совместного выпуска 3D NAND Intel нашла партнёра в Китае

В январе как гром среди ясного неба прозвучало известие, что 96-слойная память 3D NAND станет последней совместной разработкой компаний Intel и Micron. В настоящий момент партнёры завершили разработку 64-слойной памяти 3D NAND и некоторое время назад приступили к массовому производству этой памяти и продуктов на её основе. Разработка 96-слойной 3D NAND завершится к концу текущего года и потом пути-дорожки компаний разойдутся. Во всяком случае, в области производства многослойной NAND-флеш.

В краткосрочной перспективе это решение не будет иметь последствий для бизнеса Intel или Micron, но оно поощряет каждую из них завести новые связи или определить новые пути для развития, наиболее отвечающие веяниям времени. По мнению аналитиков подразделения DRAMeXchange компании TrendForce, компания Intel в какой-то мере определилась как с новым партнёром для совместного выпуска 3D NAND, так и с путями развития бизнеса в этом направлении.

Как сообщают надёжные, но анонимные источники, Intel ведёт переговоры о партнёрстве с китайской компанией UNIC Memory Technology. Интересно отметить, что эта мало кому известная компания в августе прошлого года развернула бурную деятельность и открыла офисы в ряде стран, включая представительства в Гонконге и Сингапуре. Ещё более интересным выглядит от факт, что владельцем UNIC Memory Technology выступает компания Tsinghua Unigroup. Это лидер зарождающегося рынка памяти в Китае и инвестор с деньгами правительства страны. Также около 20 % акций Tsinghua с 2014 года выкуплены компанией Intel, поэтому ниточки в этом клубочке надёжно связаны друг с другом. Потяни за одну, тут же обнаружится другая.

Партнёрство между Intel и UNIC будет проходить по двум линиям. Во-первых, китайцы будут получать с китайского завода Intel в городе Далянь пластины с чипами 3D NAND, резать их на кристаллы, упаковывать в отдельные чипы и тестировать продукцию. Иными словами, выполнять относительно низкоквалифицированные работы по завершающим операциям в производстве микросхем. Во-вторых, UNIC Memory будет заниматься продажами памяти, что для Intel может быть крайне интересно, хотя раньше она не была заинтересована в поставках чипов на сторону. Вероятно, модернизированные в Даляне мощности позволяют компании в избытке получать продукцию и зарабатывать на её поставках. Сообщается, что UNIC будет выпускать UFS, eMMC и «другие» SSD. Кстати, именно эту память может договариваться покупать в Китае компания Apple.

Образцы китайской 32-слойной 3D NAND (Tsinghua, CCTV13)

Образцы китайской 32-слойной 3D NAND (Tsinghua, CCTV13)

Работа с Intel и поток продукции на её основе поможет компании UNIC Memory сделать себе имя на рынке. В дальнейшем, когда другая дочерняя компания Tsinghua Unigroup — Yangtze Memory Technologies Company (YMTC) — научится выпускать 64-слойную и более совершенную 3D NAND, это пригодится для продвижения на международный рынок уже чисто китайской продукции без участия Intel. Пока компания YMTC готовится выпускать 32-слойную 3D NAND, которая ни по каким параметрам не составит конкуренции 64-слойной 3D NAND компании Intel. Но всё равно, если Intel действительно начнёт работать с UNIC, в будущем это положительно скажется на мировом рынке NAND-флеш. Выход на него китайцев поможет сдержать аппетиты монополистов.

Вторая очередь линий Toshiba на заводе Fab 6 начнёт работать в конце 2018 года

Компания Toshiba выпустила пресс-релиз, в котором сообщила о начале закупок необходимого промышленного оборудования для оснащения «чистой комнаты» для второй очереди линий на заводе Fab 6. На эти цели компания выделила 27 млрд иен ($250 млн). На эти деньги будет развёрнута система воздушного кондиционирования и установлено другое вспомогательное оборудование.

Завод Fab 6 компании Toshiba

Завод Fab 6 компании Toshiba

Отметим, на закупку литографических сканеров требуются совсем другие суммы. Один сканер с лазером 193-нм диапазона стоит от $70 до $80 млн. На эти цели Toshiba также недавно выделяла немалые средства (дважды осенью и в обоих случаях внепланово). В ближайшей перспективе спрос на память 3D NAND видится настолько внушительным, что компания вынуждена вкладывать в развитие производства с опережением своего же графика.

Первая очередь производственных корпусов на заводе Fab 6 начала строиться в феврале 2017 года. В августе Toshiba приступила к закупке производственного оборудования для оснащения линий и чистой комнаты первой очереди. Позже к финансированию этого строительства была допущена компания Western Digital. После урегулирования спора о продаже полупроводникового подразделения TMC (Toshiba Memory Corporation) в руки консорциуму K.K. Pangea во главе с компанией Bain Capital Private Equity компании Western Digital было разрешено инвестировать в совместные производства без ограничений вплоть до 2029 года.

Линии первой очереди на Fab 6 в Йоккаити (префектура Миэ) начнут выпускать первую продукцию в середине текущего года. Вторая очередь линий должна начать работу в конце 2018 года. Ожидается, что новые мощности TMC начнут выпуск продукции с 96-слойной памяти 3D NAND (в терминологии Toshiba — BiCS FLASH). Это могут быть как 256-Гбит и 512-Гбит 3D NAND TLC, так и 768-Гбит 3D NAND QLC.

Мир перевернулся: Apple ведёт переговоры о закупках памяти у китайцев

Японское информационное агентство Nikkei опубликовало невероятную новость. Сообщается, что Apple ведёт переговоры о закупках памяти у китайского производителя. Этого самого производителя ещё нет, и появится он не завтра и даже не послезавтра. Во всяком случае, если говорить о масштабах закупок в рамках современных потребностей знаменитой компании из Купертино. Если источник не ошибается, речь может идти о второй половине 2019 года или о периоде после 2020 года. Однако стратегическая направленность вырисовывается довольно любопытная.

Поставлять память типа NAND (3D NAND) компании Apple должна компания Yangtze Memory Technologies. Это дочернее предприятие со значительным капиталом корпорации Tsinghua Unigroup и с долевым участием так называемого Большого Фонда под эгидой правительства Китая. Источник прямо намекает, что Apple могли вынудить планировать работу с Yangtze Memory. Если компания хочет продолжать работать на китайском рынке, она обязана подчиняться местным правилам, которые для зарубежных компаний становятся всё жёстче и жёстче.

Образцы китайской 3D NAND (Tsinghua, CCTV13)

Образцы китайской 3D NAND (Tsinghua, CCTV13)

Может так статься, что закупаемая у китайцев память для смартфонов и планшетов Apple так и не выйдет за пределы страны. В настоящий момент Китай считается для Apple третьим по значимости рынком после США и Европы. За последнюю четверть 2017 года работа в Китае принесла компании порядка 20 % от заявленной квартальной выручки в объёме $88,29 млрд.

Не следует также считать, что китайское — это всегда означает низкое качество. С 2012 года, когда у Apple было 7 китайских поставщиков комплектующих, к 2017 году число китайских поставщиков для сборки устройств Apple увеличилось до 19 компаний. Если Apple решится закупать 3D NAND у китайского производителя, она сможет стимулировать поставщика подтянуть качество этой продукции до требуемого уровня.

Три основные китайские компании, которые собираются выпускать память (TrendForce)

Три основные китайские компании, которые собираются выпускать память (TrendForce)

Первые производственные линии компании Yangtze Memory Technologies начнут выпускать коммерческую продукцию в текущем году. Ею станет 32-слойная 3D NAND. В разработке памяти компании помогал американо-японский производитель NOR-флеш компания Spansion. Для своих нужд Apple закупает порядка 15 % от всей выпускаемой в мире памяти NAND — это 160 млн гигабайт в 2017 году. Такие объёмы поставят на ноги любую промышленность, способную переварить заказы.

Завершение начального этапа строительства первого завода Tsinghua Unigroup для выпуска памяти (лето 2017 года)

Завершение начального этапа строительства первого завода Tsinghua Unigroup для выпуска памяти (лето 2017 года)

В свете слухов о возможном сотрудничестве Apple и Yangtze Memory Technologies, подконтрольной Tsinghua Unigroup, информация о сближении Intel и  Tsinghua Unigroup на поприще лицензирования и производства 3D NAND заиграла новыми красками. Компания Intel, напомним, владеет 20 % акций Tsinghua, которые она за $1,5 млрд приобрела в 2014 году. Тем самым очерчивается сфера общих интересов всех трёх «фигурантов». Если всё окажется правдой, рынок флеш-памяти ждут серьёзные перемены. Через пять лет мы можем его не узнать.

SK Hynix выпускает eSSD на 72-слойных чипах 3D NAND

Финансовые неурядицы Hynix (позднее — SK Hynix) на рубеже десятилетий стали одной из причин, по которой компания с опозданием включилась в борьбу за сколько-нибудь значительную долю рынка NAND флеш-памяти. Тем не менее южнокорейский вендор прилагает все усилия, чтобы упрочить свои позиции. В частности, летом SK Hynix объявила о начале поставок 72-слойной 3D TLC NAND. Дальнейшее «взросление» производственных технологий позволило удвоить объём микросхем для их использования в ёмких SSD-накопителях корпоративного класса (англ. enterprise SSD, eSSD), и теперь SK Hynix готова отгружать заказчикам устройства на основе 512-Гбит 3D NAND. Судя по отсутствию в пресс-релизе компании аббревиатуры, указывающей на количество бит в ячейке, речь как раз идёт о многослойном варианте TLC NAND.

Новая флеш-память нашла применение в eSSD двух форм-факторов — 2,5 дюйма и M.2. Первые получат интерфейс SATA с пропускной способностью 6 Гбит/с, а вторые — PCI Express 3.0. В обоих случаях будут использоваться микроконтроллер и прошивка SK Hynix. Ёмкость 2,5-дюймовых накопителей будет достигать 4 Тбайт, а их собратьев — «более 1 Тбайт» (скорее всего, 1–1,5 Тбайт). Южнокорейский разработчик подчёркивает, что одного четырёхтерабайтного eSSD будет достаточно для записи 200 фильмов в формате Ultra HD.

Показатели быстродействия SATA-накопителей на базе 72-слойной 512-Гбит 3D NAND достаточно скромные. Скорости последовательных чтения и записи не превышают 560 и 515 Мбайт/с соответственно, а количество IOPS составляет не более 98 000 при чтении и 32 000 при записи. Устройства меньшего объёма, использующие интерфейс PCI Express 3.0, характеризуются скоростными показателями 2700/1100 Мбайт/с (чтение/запись) и 230 000/35 000 IOPS.

72-слойная 3D NAND флеш-память SK Hynix для массового потребителя

72-слойная 3D NAND флеш-память SK Hynix для массового потребителя

SK Hynix с энтузиазмом развивает направление eSSD, видя в нём источник высокой прибыли (по сравнению с потребительским сегментом рынка). Оптимистично оценивают перспективы твердотельных накопителей корпоративного класса и аналитики IHS Markit. Согласно их прогнозам, к концу 2021 года объём рынка SSD вырастет с $25,1 млрд до $31,2 млрд, и более половины из этой суммы обеспечит корпоративный сегмент (рост с $13,4 млрд до $17,6 млрд за четыре года).

Статус серийного продукта устройства eSSD на основе 72-слойной 512-Гбит 3D NAND пока не получили: в данный момент осуществляются поставки опытных образцов этих накопителей в пределах США.

Китайский производитель памяти ополчился на Micron

«После ряда слияний и приобретений глобальная индустрия по производству памяти развилась в олигополистический рынок, который международные гиганты собираются контролировать путём намеренного создания технологической блокады и чинят препятствия развитию китайских производителей памяти. Это серьёзно ослабляет принципы рыночной экономики и реализацию национальной стратегии Китая».

Приведенный выше абзац — это дословный перевод из свежего пресс-релиза китайской компании Fujian Jinhua Integrated Circuit Co., Ltd. (JHICC). По сути — это объявление войны лидерам рынка памяти, но, прежде всего, это вызов в ответ на угрозы со стороны американской компании Micron. В пресс-релизе JHICC компания Micron обвиняется в «серьёзном» нарушении ряда патентов китайского производителя. Исковое заявление против Micron подано в Народный суд промежуточной инстанции города Фучжоу. В этот же суд иск против Micron на прошлой неделе подала тайваньская компания United Microelectronics Corporation (UMC). Собственно, обе компании выступили синхронно даже в формулировках требований.

Китайская компания JHICC одна из немногих, кто собирается создать основу национального производства памяти в Китае

Китайская компания JHICC одна из немногих, кто собирается создать основу национального производства памяти в Китае

Как и компания UMC, JHICC требует от Micron не только остановить производство, использование и продажу продуктов, нарушающих её патенты, но также просит обязать американского производителя уничтожить запасы продукции, формы и производственное оборудование, задействованное для выпуска «контрафактной» памяти. Правда, в отличие от UMC компания JHICC обозначает продукцию Micron, которую необходимо уничтожить, — это 2,5-дюймовые SSD накопители линейки Crucial MX300 на памяти 3D NAND и планки памяти DDR4-2133 объёмом 8 Гбайт. Также Micron должна выплатить компании JHICC денежную компенсацию в размере 196 млн юаней ($30 млн).

Май 2017 года. Торжественное открытие строительства завода JHICC по производству памяти (JHICC )

Май 2017 года. Торжественное открытие строительства завода JHICC по производству памяти (JHICC )

Выступление компаний UMC и JHICC против Micron носят ответный характер. В прошлом году Micron вынудил заморозить проект по совместной разработке компаниями UMC и JHICC технологии производства памяти для выпуска на заводах в Китае. Также Micron инициировала судебные разбирательства против сотрудников UMC и против самой компании. Ответные иски UMC и JHICC следует расценивать как намерение китайцев в споре с Micron стоять до конца. И что-то нам подсказывает, что компании Micron придётся уступить.

UMC направила иск с просьбой уничтожить производство памяти Micron в Китае

На днях третий в мире по величине контрактный производитель полупроводников тайваньская компания United Microelectronics Corporation (UMC) обвинила американскую компанию Micron в нарушении ряда патентов на производство памяти и продукции на её основе. В нарушении патентов обвинены китайские подразделения Micron в Шанхае и Сиане.

CNA

CNA

Компания UMC утверждает, что Micron нарушила её патентные права в КНР в области производства памяти DDR4, SSD и графических адаптеров. В своём заявлении UMC просит суд заставить ответчика не только остановить производство, использование, импорт и продажу продукции, но даже уничтожить промышленное оборудование и оснастку для выпуска памяти и флеш-памяти. В финансовом выражении Micron должна компенсировать UMC ущерб в размере 270 млн юаней ($42 млн).

Кроме представленной выше информации один абзац в пресс-релизе UMC посвящён воспеванию тяжких усилий компании по разработке новых технологий, которыми для выпуска логики или DRAM хотят воспользоваться нечистые на руку конкуренты. Но корни у этого иска совсем другие и уходят они ох как глубоко.

CNA

thestreet.com

В целом можно сказать, что иск UMC стал ответом на целую серию исков и враждебных юридических действий к ней со стороны компании Micron. Напомним, весной прошлого года Micron с помощью властей Тайваня пресекла переход на работу к китайским производителям памяти порядка сотни бывших своих сотрудников, а также заблокировала работу совместной инженерной группы из специалистов UMC и их китайских коллег, которые разрабатывали технологию производства памяти для внедрения на материковых заводах. В сентябре Micron добилась от прокуратуры Тайваня открытия дел против двух своих бывших сотрудников и одного представителя UMC, обвиняемых в краже коммерческой информации, а в декабре по этому же поводу в США был подан иск уже против компании UMC. Поэтому ответные действия UMC в правовом поле были лишь вопросом времени.

Краткое досье на три китайские компании, которые собираются сыграть на рынке полупроводниковой памяти (TrendForce)

Краткое досье на три китайские компании, которые собираются сыграть на рынке полупроводниковой памяти (TrendForce)

Следует сказать, что в данной ситуации за спиной UMC находится грозный союзник в лице национального плана Китая по укреплению полупроводниковой отрасли в стране и, прежде всего, курс на создание национального производства памяти. На это брошены такие ресурсы, что UMC в противостоянии против Micron будут помогать, как говорится, даже родные стены. Компания UMC разрабатывает технологию производства памяти для одного из трёх будущих лидеров китайского рынка памяти — для компании Fujian Jinhua Integrated Circuit Co (JHICC). Проблема китайцев в отсутствии технологий и в невозможности купить лицензии на выпуск современных версий DRAM и 3D NAND. Разборки с Micron — это один из вариантов защитить местного производителя или вынудить Micron перейти к решению вопросов с лицензированием.

Intel способна взорвать мировой рынок флеш-памяти NAND

Ранее на этой неделе мы сообщали, что компании Intel и Micron меняют отношение к совместной разработке энергонезависимой памяти 3D NAND. Партнёры по совместному предприятию IM Flash Technologies (IMFT) до конца текущего года представят созданную ими 3D NAND третьего поколения (96-слойную), и, после этого, каждая займётся разработкой многослойной NAND самостоятельно. На первый взгляд, компании приняли странное решение, ведь СП IMFT продолжит свою работу. Во всяком случае, в рамках совместного предприятия Intel и Micron продолжат разрабатывать и выпускать память 3D XPoint. Но это только на первый взгляд.

В прошлом Intel неоднократно подчёркивала, что её не интересует соревнование на рынке NAND-флеш. Она выпускает преимущественно корпоративные SSD и не ищет рынков сбыта для микросхем NAND (3D NAND). Подобная политика означает следование предложения за спросом и не предусматривает интенсивного наращивания производства. Более того, в 2012 году Intel продала свою долю в предприятии СП в Сингапуре компании Micron и ограничилась поддержкой одного лишь предприятия в штате Юта. Также в 2015 году она вложила $5 млрд в модернизацию своего 300-мм завода в Китае (в городе Далянь), который раньше выпускал 2D NAND и процессорные чипсеты компании. С мая прошлого года предприятие в Даляне выпускает 64-слойную 3D NAND, которой Intel явно не делится с Micron. Налицо отдаление от Micron, которое, как уверены наши тайваньские коллеги, может зайти очень далеко.

Образцы китайской 3D NAND (Tsinghua, CCTV13)

Образцы китайской 3D NAND (Tsinghua, CCTV13)

По сообщению тайваньского интернет-ресурса DigiTimes со ссылкой на источники среди местных производителей, Intel может лицензировать технологию производства 3D NAND компании Tsinghua Unigroup. По мнению источников, это поможет Intel углубиться в китайский рынок и китайскую экономику. С заводом понятно. Увеличение производства 3D NAND на предприятии в Даляне легко найдёт сбыт на локальном рынке. Но зачем компании Intel нужно помогать китайцам создавать собственное производство 3D NAND, не поясняется. Но этот мотив мы можем объяснить сами.

Завершение начального этапа строительства первого завода Tsinghua Unigroup для выпуска памяти (лето 2017 года)

Завершение начального этапа строительства первого завода Tsinghua Unigroup для выпуска памяти (лето 2017 года)

В сентябре 2014 года компания Intel опубликовала пресс-релиз, в котором сообщила о намерении приобрести порядка 20 % акций тогда ещё малоизвестной нам компании Tsinghua Unigroup. Сделано это было с прицелом на сотрудничество с дочерними компаниями Tsinghua: Spreadtrum Communications и RDA Microelectronics. Из этих инвестиций потом родились SoC Intel SoFIA.

В «чистой комнате» производственного комплекса IMFT (Intel Micron Flash Technologies)

В «чистой комнате» производственного комплекса IMFT (Intel Micron Flash Technologies)

Что само по себе необычно, Intel едва ли не впервые провела транзакцию в юанях, заплатив за акции Tsinghua Unigroup 9 млрд юаней (примерно $1,5 млрд). Тем самым понятно, что успех Tsinghua Unigroup на рынке добавит финансов в копилку Intel. Пятая часть акций — это значительная часть дохода по ним. Компания Intel имеет прямой интерес в росте прибыльности Tsinghua и, соответственно, получит свою часть бонусов после запуска заводов Tsinghua Unigroup по выпуску 3D NAND. Для такого, быть может, не жалко расстаться с Micron и даже лицензировать китайцам технологию производства 3D NAND. Вы не находите? Это взорвёт мировой рынок NAND, но Intel останется в выигрыше в любом случае, чего не скажешь о Samsung, SK Hynix и Micron.

Micron и Intel прекращают совместную разработку памяти 3D NAND

Компании Micron и Intel опубликовали совместный пресс-релиз, в котором сообщили о намерении прекратить совместную разработку многослойной флеш-памяти 3D NAND. В настоящий момент партнёры начинают наращивать производство фирменной 3D NAND второго поколения — это 64-слойные микросхемы. Третье совместно разработанное поколение 3D NAND компании представят в конце 2018 года, а с началом 2019 года перестанут сотрудничать в области разработки новых модификаций 3D NAND. В дальнейшем каждая из компаний будет самостоятельно разрабатывать многослойную NAND-флеш в зависимости от собственных бизнес-потребностей.

В «чистой комнате» производственного комплекса IMFT (Intel Micron Flash Technologies)

В «чистой комнате» производственного комплекса IMFT (Intel Micron Flash Technologies)

При этом партнёры продолжат совместную разработку энергонезависимой памяти 3D XPoint. Очевидно, в этом плане компания Intel продолжает сильно зависеть от компании Micron. Первым выпуск микросхем 3D XPoint начал завод СП Micron и Intel в Штате Юта. В настоящее время это производство выпускает исключительно память 3D XPoint, хотя какие-то объёмы данной памяти выпускают также завод Intel в Китае (в городе Далянь) и завод СП в Сингапуре. Завод в Юте остаётся базовым для выпуска 3D XPoint, и его к ноябрю прошлого года дополнительно расширили. Что касается производства памяти 3D NAND, то год назад компания Intel завершила модернизацию завода в Китае и в скором времени сможет полностью обеспечить себя этими микросхемами памяти самостоятельно.

Необходимо подчеркнуть, что деятельность совместного предприятия партнёров в лице компании IM Flash Technologies не сворачивается. Предприятие IMFT создано в конце 2005 года, и оно продолжит свою работу. С образованием IMFT компания Intel вышла на рынок памяти типа NAND, хотя до этого она владела набором ключевых патентов на технологию работы и производства NAND-флеш, в частности, на технологию производства ячейки MLC. Компания Micron вышла на рынок NAND на год раньше Intel, но до союза с ней не имела какого-то успеха на нём.

Быстро подняться на новом рынке каждой из них помогли заказы Apple на память NAND для плееров iPod nano. Уже на стадии создания СП в ноябре 2005 года партнёры получили от Apple аванс в размере $250 млн. В дальнейшем может так оказаться, что компании Micron придётся платить Intel лицензионные отчисления за использование определённых технологий при производстве памяти NAND.