Теги → 3d nand
Быстрый переход

В Китае заработали линии по упаковке и тестированию 3D NAND и DRAM

Три года назад мы стали свидетелями, как китайские компании начали нащупывать путь для доступа к технологиям производства флеш-памяти NAND. Прямой путь ― решить проблему большими деньгами ― ни к чему не привёл. Попытки китайского холдинга Tsinghua Unigroup купить доли в компаниях Micron и SK Hynix были блокированы уже на стадии переговоров, а уже заключённые договоры на покупку 25 % долей трёх тайваньских компаний-упаковщиков были саботированы Кабинетом министров Тайваня. Китайцев это не испугало и, возможно, последствия отказов от совместных предприятий с американцами, корейцами и тайваньскими компаниями будут иметь для всех них куда худшие последствия. Китай пошёл по пути наибольшего сопротивления и сам начал строить заводы по выпуску памяти, параллельно разрабатывая или аккуратно «заимствуя» необходимые для производства технологии.

Как вы наверняка знаете из новостей, этап производства национальной китайской 3D NAND формально можно считать свершившимся фактом. Компания Yangtze Memory Technology (YMTC) начала выпускать определённые объёмы 32-слойной памяти NAND. Для расширения производства строятся ещё два завода ― один в Нанкине, второй в Чэнду. Но все эти предприятия выпускают память только на кремниевых 300-мм пластинах. Нарезкой, упаковкой, тестированием и маркировкой чипов они не занимаются. Эти работы должны делать специализированные компании или линии. Поскольку компании Tsinghua Unigroup отрезали доступ к тайваньским упаковщикам, китайцам пришлось идти другим путём.

Так, в марте 2017 года Tsinghua Unigroup выкупила контрольный пакет акций (48 %) в китайском подразделении ChipMos (Shanghai) тайваньского упаковщика чипов компании ChipMos Technologies. Вырученные за акции деньги в размере $72 млн пошли на расширение производственных мощностей по упаковке и тестированию. Новое оборудование было завезено в апреле 2018 года, а уже к ноябрю оно прошло верификацию на соответствие запросам клиентов. Сообщается, что новая линия будет специализироваться на упаковке памяти 3D NAND, хотя предприятие Unimos Microelectronics (СП было переименовано с ChipMos Shanghai в Unimos Microelectronics летом 2018 года) будет способно упаковывать также чипы и память eMMC, UFS, eMCP, TF, 2D NAND, NOR, DRAM и SRAM.

Также источник сообщает, что Tsinghua Unigroup строит в Сучжоу завод по выпуску SSD корпоративного и клиентского назначения. Но нелишне напомнить, что Tsinghua также заключила соглашение на поставку 3D NAND для выпуска SSD и карт памяти под китайским брендом Longsys и принадлежащим ей бывшим американским брендом Lexar. Как видим, в Китае готовится комплексная база для взращивания национального производства NAND-флеш и всего спектра продукции на основе твердотельной памяти.

Инвестиции в производство NAND будут снижены, но цены на память продолжат падение

В конце декабря ряд аналитиков уже высказались на тему сокращения инвестиций в производство твердотельной памяти NAND. Потребители NAND в виде производителей смартфонов теряют темп развития, что ведёт к снижению спроса и перепроизводству продукции. У производителей памяти образуются угрожающие по объёмам складские запасы нереализованного товара, что, в свою очередь, требует сокращать выпуск NAND-флеш. Не продавать же её за копейки? Кстати, ещё сто лет назад практика уничтожения товара (прежде всего — продовольствия) имела законное хождение.

Но вернёмся к NAND. Аналитики подразделения DRAMeXchange торговой площадки TrendForce опубликовали прогноз, согласно которому производители NAND-флеш будут снижать капитальные затраты на расширение производства NAND в 2019 году. Конкретно это будет выражаться в том, что в пересчёте на ёмкость объёмы поставок памяти NAND в 2019 году вырастут в меньшей степени, чем ожидалось. В 2018 году компании Samsung и SK Hynix уже сократили капитальные затраты на 10 %, но, как видим, это не остановило перепроизводство. В 2019 году этим же приёмом обещают воспользоваться компании Micron и Intel, что снизит суммарные инвестиции в расширение производства NAND в 2019 году до $22 млрд или на 2  % меньше, чем в 2018 году.

Снижение инвестиций в развитие производства NAND означает, что переход на выпуск 92/96-слойной 3D NAND будет замедлен. Практически все производители (кроме SK Hynix) уже массово выпускают 92/96-слойную 3D NAND. К концу 2019 года, тем не менее, свыше 50 % выпускаемой 3D NAND будет оставаться 64/72-слойной, тогда как объём выпуска 92/96-слойной 3D NAND обещает оказаться на уровне 32  %. Это также означает, что в 2019 году увеличение производства NAND в пересчёте на биты вырастет всего на 38 %, хотя в 2018 году рост производства в пересчёте на ёмкость превысил 45 % в год. Это значительно больше, чем можно ожидать в текущем году, что явно не радует нас как потребителей.

Компания Samsung, как считают в DRAMeXchange, увеличит производство памяти в пересчёте на биты на 35 %. Поскольку Samsung удерживает около 30 % мирового рынка NAND, её решение притормозить окажет влияние на весь рынок в целом. Снижение объёмов Samsung следует из двух факторов. Во-первых, компания уменьшает выпуск планарной NAND. Во-вторых, выпуск 92-слойной 3D NAND (Samsung выпускает именно 92-слойную память) требует больших производственных площадей, чем выпуск той же 64-слойной 3D NAND. Это связано с тем, что 92-слойная 3D NAND собирается фактически из двух пластин с 48-слойными кристаллами 3D NAND, тогда как 64-слойную 3D NAND можно выпускать в виде одного монолитного кристалла на одной пластине.

Компании SK Hynix и Toshiba/Western Digital также имеют все шансы снизить объёмы производства 3D NAND. Каждая из них запустила в 2018 году по новому заводу (M15 и, соответственно, Fab 6), но они могут притормозить переход на выпуск 96-слойной памяти. Тем самым аналитики прогнозируют, что ранее запланированный рост выпуска памяти в битах на 50 % и, соответственно, 40 % трансформируется в рост менее 50 % и 35 %.

Что касается компании Micron, то её новый завод в Сингапуре начнёт массово выпускать 3D NAND только после 2020 года. Следовательно, объёмы производства Micron останутся теми же самыми, как в четвёртом квартале 2018 года. Компания Intel продолжит расширять производство на китайском заводе в городе Далянь, но молчит об инвестициях в другие производственные площадки. Суммарный вклад Micron и Intel в рост объёмов производства 3D NAND обещает оказаться в 2019 году на уровне 40  %, хотя этот показатель в 2018 году был на уровне 45 %.

Интересно отметить, что, несмотря на снижение инвестиций, перепроизводство 3D NAND приведёт к резкому — на 20 % — снижению отпускных цен на эту память уже по итогам первого квартала 2019 года. Во втором квартале аналитики ожидают дополнительного снижения цен на 15 % и дальше на 10 % за квартал. Всего в 2019 году по сравнению с 2018 годом отпускные цены на NAND обещают снизиться в два раза.

Серию Crucial BX500 пополнит твердотельный накопитель на 960 Гбайт

Компания Crucial расширила серию твердотельных накопителей BX500, представленных ранее в этом году. Теперь помимо моделей на 120, 240 и 480 Гбайт в данное семейство входит и SSD-накопитель на 960 Гбайт.

Производитель указывает, что представители серии BX500 построены на памяти 3D NAND производства Micron, но не уточняет, какой именно тип этой памяти здесь использован. Тем не менее в данном случае используется память типа TLC с трёхбитовыми ячейками, хотя цена Crucial BX00 и выглядит так, как будто это — накопители, подобные Samsung 860 QVO на базе QLC-памяти.

Как и для всех других версий Crucial BX500, для новинки объёмом 960 Гбайт заявляется скорость последовательного чтения до 540 Мбайт/с и последовательной записи до 500 Мбайт/с. Накопитель выполнен в форм-факторе 2,5 дюйма и имеет толщину 7 мм. Подключается новинка через интерфейс SATA III.

Согласно характеристикам, накопители Crucial BX500 поддерживают использование многошагового алгоритма обеспечения целостности данных, мониторинг температуры, ускорение записи за счёт SLC-кеша, а также у них есть поддержка TRIM, SMART и ECC. К тому же Crucial предоставит пользователям копию Acronis True Image для переноса текущей системы на их новый твердотельный накопитель.

Линейка Crucial BX500 относится к бюджетному сегменту, и производитель оценил новый накопитель на 960 Гбайт в $130.

Новая статья: Обзор SATA SSD-накопителя Samsung 860 QVO: 10 тысяч за терабайт

Данные берутся из публикации Обзор SATA SSD-накопителя Samsung 860 QVO: 10 тысяч за терабайт

Китайская Yangtze Memory сможет продавать 3D NAND под маркой Lexar

Если верить неким инсайдерам, раскрывшим секрет нашим коллегам с DigiTimes, то на днях в Пекине компании Tsinghua Unigroup и Longsys Electronics (Шэньчжэнь) заключили стратегический альянс в области производства продукции на основе NAND-флеш. Компании Tsinghua, как мы знаем, принадлежит дочерняя структура Yangtze Memory Technologies (YMTC) с весьма амбициозными планами по завоеванию рынка 3D NAND. Компания Longsys Electronics, в свою очередь, выпускает карты памяти и SSD-накопители как для внутреннего рынка Китая, так и для продаж за рубежом. Поэтому Longsys прямо заинтересована в поставках чипов 3D NAND.

Важно напомнить, что в сентябре 2017 года компания Longsys выкупила у компании Micron активы и бренд Lexar Media. За годы до Micron и в составе этой компании бренд Lexar стал хорошо известен на развитых рынках, включая рынок розницы в США. Будет забавно узнать, что туда под именем Lexar начнёт поступать абсолютно китайская продукция. В то же время поставщиком Longsys Electronics также обещает оказаться компания Intel и тоже при участии Tsinghua Unigroup. В этом случае Intel будет действовать через другую структуру Tsinghua, а именно через компанию UNIC Memory Technology.

Первое время от компании Yangtze Memory не стоит ждать заметных объёмов 3D NAND. Этот первый в стране национальный разработчик и производитель 3D NAND едва-едва приступил к ограниченным поставкам партий 32-слойной 64-Гбит 3D NAND. Массовое производство 3D NAND на заводах Yangtze Memory стартует только через год с внедрением в производство 64-слойной 128-Гбит памяти. Тем самым прямой эффект от сотрудничества Tsinghua и Longsys начнёт проявляться через год или несколько позже, хотя компания Intel может выиграть от сотрудничества с Longsys прямо сейчас. Её завод в городе Далянь выпускает 64-слойную 512-Гбит 3D NAND в промышленных масштабах.

Образцы китайской 32-слойной 3D NAND (Tsinghua, CCTV13)

Образцы китайской 32-слойной 3D NAND (Tsinghua, CCTV13)

В целом вырисовывается интересная ситуация, когда, с одной стороны, Micron противодействует распространению китайской NAND- и DRAM-продукции, а с другой стороны, продаёт узнаваемый флеш-бренд тем же китайцам.

Китайцы пропустят этап выпуска 96-слойной 3D NAND и сразу перейдут к 128-слойной

Как сообщает тайваньский интернет-ресурс DigiTimes, китайская компания Yangtze Memory Technology (YMTC) приступила к поставкам опытных образцов 64-слойной памяти 3D NAND. Согласно ранним сообщениям, это микросхемы ёмкостью 128 Гбит. К массовому производству 64-слойных чипов NAND компания собирается приступить в четвёртом квартале 2019 года или, если верить свежим сообщениям, в третьем квартале 2019 года.

Ветераны и лидеры отрасли по производству NAND компании Samsung, WD, Toshiba, SK Hynix, Intel и Micron в это время будут переходить к массовому производству 96-слойной памяти 3D NAND. У зарождающейся в Китае отрасли по выпуску 3D NAND не так много технологических возможностей выйти в течение нескольких ближайших лет на уровень старичков, но китайцы постараются. Например, компания YMTC собирается пропустить этап производства 96-слойной памяти и от 64-слойной сразу перейти к производству 128-слойной 3D NAND уже в 2020 году.

«Китайская память» 3D NAND состоит из двух отдельных кристаллов с интерфейсом и массивом памяти (стык в месте «красных» контактов)

«Китайская память» 3D NAND состоит из двух отдельных кристаллов с интерфейсом и массивом памяти (стык в месте «красных» контактов)

При всей сложности производства многослойной памяти 3D NAND с числом слоёв свыше 64 штук у компании Yangtze Memory есть своя разработанная в Китае технология выпуска подобной памяти. Это технология Xtacking, которая позволяет собирать 3D NAND как кубики «Лего», состыковывая отдельно выпущенные кристаллы с управляющей электроникой и массивы NAND. Это наверняка поможет производителю создать технологию стековой компоновки массивов NAND, как это делают западные компании. Память 3D NAND с 96 слоями, напомним, собирается из двух 48-слойных кристаллов 3D NAND. Китайцы точно так же смогут собирать 128-слойную 3D NAND из двух 64-слойных массивов памяти.

96-слойная 3D NAND может быть составлена из двух 48-слойных кристаллов 3D NAND (International Memory Workshop 2018)

96-слойная 3D NAND может быть составлена из двух 48-слойных кристаллов 3D NAND (International Memory Workshop 2018)

В настоящий момент, напомним, компания Yangtze Memory выпускает небольшие коммерческие партии 32-слойной 64-Гбит 3D NAND. Этот вид деятельности не приносит ей прибыли, но позволяет отладить техпроцессы и подготовиться к запуску полномасштабного производства 64-слойной 3D NAND. При выходе на полную мощность первый вошедший в строй завод YMTC будет каждый месяц выпускать до 100 тыс. пластин с 64-слойной памятью 3D NAND, что произойдёт, скорее всего, ближе к середине 2020 года.

SK Hynix успешно создала свою флеш-память «4D NAND»

В августе этого года компания SK Hynix анонсировала выпуск якобы нового типа флеш-памяти под названием «4D NAND». Теперь же сообщается, что производитель успешно создал данный тип памяти и готовится начать его массовое производство.

Сообщается, что компания создала 96-слойные микросхемы памяти «4D NAND» ёмкостью 512 Гбит, то есть 64 Гбайт. При этом площадь микросхемы оказалась на 30 % меньше по сравнению с 72-слойной микросхемой той же ёмкости. Также отмечается возросшая на 25 и 30 % производительность при чтении и записи соответственно.

До конца года компания SK Hynix планирует начать массовое производство данных 92-слойных микросхем ёмкостью 512 Гбит. В следующем же году компания собирается начать производство подобных микросхем объёмом 1 Тбит. Также сообщается о планах по выпуску клиентских твердотельных накопителей объёмом до 1 Тбайт на базе собственных контроллеров SK Hynix.

Технология «4D NAND» по своей сути является скорее немного улучшенной версией уже давно используемой 3D NAND, нежели принципиально новым подходом к созданию твердотельной памяти. Новая память компании SK Hynix будет сочетать две важные особенности. Во-первых, она будет опираться на ячейку с ловушкой заряда (Charge Trap Flash, CTF). Во-вторых, периферийные цепи, управляющие массивом ячеек, будут перенесены под сами ячейки (Periphery Under Cell, PUC).

Однако стоит отметить, что SK Hynix всегда выпускала память 3D NAND с ячейкой с ловушкой заряда, как и большинство других производителей. Что касается переноса управляющей периферии под ячейки, то подобная технология, но под названием (CMOS under the array, CuA), давно используется Intel и Micron. А в скором времени и Samsung начнёт применять технологию CuA при производстве памяти 3D NAND. Так что чего-то действительно инновационного в памяти «4D NAND» от SK Hynix на самом деле нет.

SSD-накопителям предсказали обвал цен на 50 % в следующем году

По информации интернет-издания DigiTimes, ссылающегося на отраслевые источники, цены на применяющуюся в твердотельных накопителях флеш-память NAND в 2019 году могут снизиться на 50 % по отношению к её нынешней стоимости. Ранее сообщалось, что в следующем году цены на SSD могут упасть до $0,08 за 1 Гбайт.

Как отмечает DigiTimes, продолжающееся падение цен с большой долей вероятности связано с расширением поставщиками SSD своих производственных мощностей в целях повышения рентабельности. Ещё одной немаловажной причиной резкого удешевления стоимости хранения гигабайта информации на твердотельных накопителях называется применение 96-слойной памяти 3D NAND.

Ожидается, что массовый выпуск 96-слойной NAND-флеш будет развёрнут в первой половине 2019 года. Большинство производителей обладают ресурсами, достаточными для изготовления 50000–100000 чипов данного типа в месяц, а китайская Yangtze Memory Technology и вовсе заявила о готовности отгружать 150 000 микросхем 96-слойной 3D NAND.

Всего в мире насчитывается 6–7 крупных производителей NAND, готовых использовать новые производственные процессы, говорится в отчёте DigiTimes. Некоторые из них (Samsung, Toshiba Memory / Western Digital, Micron / Intel и SK Hynix) уже представили технологии для массового выпуска 96-слойной флеш-памяти.

А вот чипы памяти DRAM в следующем году, скорее всего, останутся на текущем уровне, говорится в репортаже DigiTimes. Их крупнейшие поставщики — Samsung, SK Hynix и Micron — не планируют значительного увеличения объёмов производства несмотря на ожидающийся рост спроса со стороны изготовителей дата-центров, игровых устройств, устройств IoT и автомобильных систем.

Western Digital представила UFS-накопители для умных автомобильных систем

На днях компания Western Digital вновь расширила ассортимент однокорпусных флеш-накопителей iNAND. Двумя неделями ранее в линейке iNAND она выпустила однокорпусные накопители MC EU321 EFD с интерфейсом UFS 2.1 для широкого спектра применения в мобильных устройствах. Изюминкой новинок стало использование кристаллов 96-слойной памяти 3D NAND. Тем самым Western Digital и её производственный партнёр компания Toshiba Memory одними из первых начали коммерческие поставки 96-слойной памяти, что говорит о достаточной зрелости производства.

Western Digital

Western Digital

Многослойная память нового поколения пошла также на изготовление однокорпусных накопителей iNAND AT EU312 UFS EFD, которые предназначены для использования в развитых автомобильных системах и в городской инфраструктуре. В соответствии с требованиями отрасли память iNAND AT EU312 UFS EFD не только поддерживает коррекцию ошибок ECC, но также отвечает ряду индустриальных стандартов надёжности, включая JEDEC47, ISO26262 и AEC-Q100 Grade 3 и Grade 2. Например, поддержка стандарта AEC-Q100 Grade 2 гарантирует работоспособность памяти в диапазоне температур от –40 °C до +105 °C.

По сравнению с предыдущей продукцией в виде NAND-накопителей автомобильного назначения с интерфейсом eMMC, память iNAND AT EU312 UFS EFD с интерфейсом UFS 2.1 обладает увеличенной в 2,5 раза производительностью. Автомобили «умнеют» — объём собираемых и обрабатываемых автомобильными системами данных непрерывно растёт, что неуклонно и быстро повышает требования к объёму и скорости бортовой флеш-памяти машин. Чипы iNAND AT EU312 UFS EFD на памяти 3D NAND TLC способны записывать информацию на устоявшейся скорости до 550 Мбайт/с и считывать её со скоростью до 800 Мбайт/с. Память iNAND AT EU312 UFS EFD будет доступна в виде корпусов ёмкостью от 16 Гбайт до 256 Гбайт.

Учитывая специфику использования памяти Western Digital iNAND AT EU312 UFS EFD, для OEM-производителей созданы удобные инструменты по изменению микрокода накопителей под различные задачи — машинное зрение, сбор данных, анализ, дополненная реальность или использование в системах автоматической помощи водителю. Также представленная память поддерживает ряд функций самодиагностики, что предотвращает внезапный выход оборудования из строя. Для электроники автомобилей — это не самое последнее требование.

Tsinghua запустила в Китае строительство третьего завода для выпуска 3D NAND

В пятницу глава компании Tsinghua Unigroup Жао Вейгуо (Zhao Weiguo) в присутствии глав местных муниципальных и партийных властей торжественно открыл церемонию начала строительства третьего завода для выпуска в Китае памяти 3D NAND. Новый завод при финансировании Tsinghua будет построен вблизи города Чэнду на площади 4,8 км2. Ожидаемые объёмы инвестиций в течение 5–10 лет составят $24 млрд. Это будет уже третий 300-мм по счёту завод для выпуска 3D NAND, который фактически финансирует Tsinghua.

Первый завод для выпуска 3D NAND при участии Tsinghua начала строить дочерняя компания Yangtze River Storage Technology (YMTC) вблизи города Ухань. Сейчас это предприятие выпускает 32-слойную 3D NAND в ограниченных партиях. Массовый запуск производства ожидается в начале 2019 года. Инвестиции в этот проект также составят около $24 млрд.

В феврале 2017 года Tsinghua приступила к строительству второго 300-мм завода для выпуска 3D NAND, но уже вблизи Нанкина. Первая фаза инвестиций в этот проект составила $10,5 млрд, по завершении которого предприятие ежемесячно сможет выпускать 100 тыс. 300-мм пластин с памятью 3D NAND. Суммарный объём инвестиций во все три проекта приблизился к $70 млрд. Эта цифра сравнима с закупками китайскими компаниями памяти иностранного производства. Так, в 2017 году Китай закупил памяти на $88,6 млрд. Оставлять подобные суммы в стране — это правильное решение.

Высокий уровень брака при выпуске 3D NAND QLC может повлечь рост цен на память

Как сообщают тайваньские источники в лице интернет-ресурса DigiTimes, все ведущие производители флеш-памяти столкнулись с проблемами при переходе на выпуск многослойной памяти с записью четырёх бит в ячейку (QLC). Ранее в этом году компании Samsung, Intel/Micron и Toshiba/WD объявили о завершении разработки памяти 3D NAND QLC и начали опытный или даже серийный выпуск новинок. Среди них память 3D NAND QLC не готова выпускать только компания SK Hynix. Последняя, напомним, в виде образцов начнёт поставлять многослойную QLC 3D NAND только через год.

QLC 3D NAND компании Toshiba

QLC 3D NAND компании Toshiba

Переход на производство памяти с записью четырёх бит в каждую ячейку — это логичный шаг по направлению к снижению стоимости хранения данных на носителях из твердотельной памяти. Переход на 3D NAND QLC должен быть массовым и повсеместным. К сожалению, если верить тайваньским источникам, уровень брака при выпуске 3D NAND QLC превышает 50 %, что не может привести к какому-либо удешевлению стоимости хранения. Более того, сообщается о значительных поступлениях в каналы продаж некондиционных чипов памяти. Вероятно, речь идёт о направлении в каналы продаж микросхем памяти с частично неработающими банками и этой продукцией якобы завалены склады.

По данным DigiTimes, нечто подобное, но в меньшем масштабе происходит с производством 3D NAND TLC. Многослойная память с записью трёх бит в ячейку массово выпускается второй год подряд и уровень выхода годных чипов 3D NAND TLC достаточно высок. В пересчёте на биты память 3D NAND сегодня удерживает свыше 60 % в потоке производства всей новой памяти NAND-флеш. Тем не менее, дальнейшее повышение уровня выхода годных микросхем 3D NAND TLC также может представлять для производителей трудно решаемую проблему. Как итог, рынок 3D NAND в первом полугодии 2019 года может быть подвержен кризису недопоставок, что приведёт к росту цен на флеш-память и продукцию на её основе.

SK Hynix готовится ввести в строй новый завод по выпуску 3D NAND

Череду ввода в строй новых линий по выпуску памяти 3D NAND продолжила южнокорейская компания SK Hynix. Вслед за Toshiba/WD и Intel компания SK Hynix готовится запустить новый завод M15 вблизи города Чхонджу (Cheongju). Торжественное мероприятие по вводу предприятия в строй намечено на 4 октября. Завод начнёт свою работу с выпуска передовой для SK Hynix 72-слойной 3D NAND, но уже в начале 2019 года приступит к выпуску 96-слойной 3D NAND.

Для SK Hynix массовый выпуск 96-слойной флеш-памяти станет долгожданной возможностью закрепить или даже улучшить своё положение на мировом рынке флеш-памяти. Сегодня она занимает пятую строчку в рейтинге крупнейших производителей NAND-флеш. С выпуском 96-слойной продукции SK Hynix сократит технологическое отставание от конкурентов и за счёт нового предприятия увеличит объёмы производства. Одновременно с этим, как легко догадаться, вновь начнёт повышаться градус конкурентной борьбы на рынке NAND.

В замыслах SK Hynix снизить зависимость от памяти типа DRAM. На этом рынке компания давно удерживает второе место. Совсем недавно доход компании на 90 % зависел от выручки от продаж микросхем оперативной памяти. К настоящему дню эта зависимость уменьшается и компания будет стремиться довести соотношение производства DRAM к NAND к такому, как у Samsung: 60/40. Новое производство M15 будет способствовать движению в этом направлении.

В мировых поставках NAND-флеш доля 3D NAND превысила 60 %

Сегодня кажется, что память 3D NAND была вечно, но первая память 3D NAND и накопитель SSD на её основе были анонсированы всего пять лет назад — в августе 2013 года. Первой память 3D NAND начала выпускать компания Samsung, и около года она выпускала 128-Гбит 24-слойные чипы практически себе в убыток. Прибыль пошла после освоения производства 32-слойной памяти. Конкуренты подтянулись после 2015 года и тоже начали массовый выпуск 3D NAND с 32-слойных микросхем.

В настоящий момент в массе выпускается 64/72-слойная 3D NAND (72-слойную память выпускает только компания SK Hynix). Согласно наблюдениям аналитиков, на которых ссылается популярный тайваньский интернет-ресурс DigiTimes, в пересчёте на вновь выпущенные биты 64/72-слойная 3D NAND в мировых поставках NAND-флеш удерживает долю свыше 60 %.

Интересно, компания Samsung Electronics уже не лидирует по показателю проникновения 3D NAND в производство NAND-флеш. В потоке NAND флеш-продукции Samsung доля 3D NAND составляет около 85 %. Компании Toshiba и Western Digital также высоко держат уровень проникновения многослойной памяти — до 75 %. Но дальше всех провела диверсификацию производства компания Micron Technology, которая сократила выпуск планарной NAND до 10 %, а производство 3D NAND расширила до 90 % объёма. Компания SK Hynix находится внизу списка с долей 3D NAND на уровне 60 %.

В 2019 году аналитики ожидают ввода в строй новых линий для выпуска 3D NAND от всех лидеров рынка, а также ждут появления на рынке памяти 3D NAND китайского производителя компании Yangtze Memory Technologies (YMTC). Наращивание объёмов производства и объёмов в пересчёте на биты обещает толкнуть цены на флеш-память вниз, что поспособствует снижению цен на устройства и накопители.

Intel в Даляне запустила вторую очередь линий: цель — 96-слойная 3D NAND

Три года назад компания Intel объявила о планах инвестировать в модернизацию китайского завода Fab 68 в Даляне $5,5 млрд. Компания как чувствовала, что время работы совместного с Micron предприятия IMFT на исходе. Тем самым Intel создала основу для самостоятельного производства достаточных объёмов многослойной памяти 3D NAND и, в перспективе, памяти 3D XPoint. Со следующего года, напомним, Intel и Micron прекращают совместные разработки новых поколений как 3D NAND, так и 3D XPoint. Соответственно, производственные мощности IMFT прекратят обслуживать заказы Intel, и ей придётся рассчитывать только на свои заводы.

Первая фаза объявленной в 2015 году модернизации Fab 68 была завершена в прошлом году. Сегодня 64-слойная память Intel выпускается на линиях Fab 68 первой очереди. Причём этой памяти хватает не только Intel, но и для поставок китайским партнёрам компании для самостоятельной порезки, упаковки и даже маркировки. Вторая очередь линий, как сообщает сайт EXPreview, вошла в строй на днях, и предназначена она для запуска производства 96-слойной памяти 3D NAND.

Fab 68 ()

Fab 68 (EXPreview)

Отметим, компания Intel пока не сообщала о вводе в строй второй очереди линий по производству 3D NAND на заводе в Даляне. Если это соответствует действительности, то данная новость несёт значительный позитивный заряд, который просто необходим на фоне слухов о планах Samsung ограничить производство памяти в 2019 году. На прошлой неделе, например, компании Toshiba и WD сообщили о запуске в строй второй очереди линий на заводе Fab 6 и о завершении ввода в строй этой фабрики.

В общем, не Samsung единым, хотя этой компании принадлежит 37 % рынка NAND-флеш. Компании Toshiba и Western Digital удерживают примерно по 20 % и 15 % соответственно. За ними идут Micron и SK Hynix. Замыкает шестёрку Intel с рыночной долей менее 10 %. Но без завода Fab 68  доля Intel была существенно меньше. Микропроцессорный гигант вряд ли сдвинется с этого места, но закрепился он на нём надёжно.

YMTC начнёт выпускать 64-слойную 3D NAND в четвёртом квартале 2019 года

Как известно, на новом заводе китайской компании Yangtze Memory Technologies (YMTC) производственное оборудование для выпуска разработанной в Китае памяти 3D NAND начали устанавливать в апреле этого года. При выходе на полную мощность завод будет обрабатывать до 100 тыс. 300-мм пластин в месяц. Первая коммерческая продукция с конвейеров предприятия начнёт сходить через месяц или два в виде ограниченных партий 32-слойных микросхем 3D NAND ёмкостью 64 Гбит. Техпроцесс, предположительно, 50 или 55 нм. Устойчивость к износу — не менее 3000 циклов перепрограммирования для каждой ячейки.

Структура памяти 3D NAND компании YMTC на базе технологии Xtacking (YMTC)

Структура памяти 3D NAND компании YMTC на базе технологии Xtacking (YMTC)

На днях исполнительный директор YMTC Саймон Ян (Simon Yang) признался, что производство 32-слойной памяти компания будет вести себе в убыток. Прибыль от выпуска 3D NAND производитель начнёт получать только после начала массового производства 64-слойной 128-Гбит памяти 3D NAND. Произойдёт это не раньше четвёртого квартала 2019 года, когда с конвейеров YMTC начнёт сходить первая коммерческая 64-слойная память.

Награда YMTC на августовском отраслевом саммите FMS 2018

Награда YMTC на августовском отраслевом саммите FMS 2018

Интересно, что производитель первой национальной памяти 3D NAND спешит успокоить конкурентов, заявляя, что YMTC не собирается подрывать устоявшийся рынок памяти, а думает только о получении прибыли. Мол, ничего личного, только бизнес. Все так говорят, пока не станет слишком поздно для реакции конкурентов.

История разработки 3D NAND компаниями XMC и YMTC

История разработки 3D NAND компаниями XMC и YMTC

Надо отдать должное китайцам, от начала создания Yangtze Memory Technologies до запуска производства прошло всего два года. Отметим, YMTC создана не на пустом месте, а на базе компании XMC с достаточно давно работающим 200-мм заводом по производству NOR-флеш. Тем не менее, с 2016 года YMTC смогла построить с нуля новый завод и почти запустила на нём производство памяти 3D NAND, закрепив разработку многочисленными защищёнными в Китае и на мировом уровне патентами. Это, как минимум, достойно уважения.

window-new
Soft
Hard
Тренды 🔥