Сегодня 22 января 2018
18+
CES 2018
Теги → 3d nand
Быстрый переход

UMC направила иск с просьбой уничтожить производство памяти Micron в Китае

На днях третий в мире по величине контрактный производитель полупроводников тайваньская компания United Microelectronics Corporation (UMC) обвинила американскую компанию Micron в нарушении ряда патентов на производство памяти и продукции на её основе. В нарушении патентов обвинены китайские подразделения Micron в Шанхае и Сиане.

CNA

CNA

Компания UMC утверждает, что Micron нарушила её патентные права в КНР в области производства памяти DDR4, SSD и графических адаптеров. В своём заявлении UMC просит суд заставить ответчика не только остановить производство, использование, импорт и продажу продукции, но даже уничтожить промышленное оборудование и оснастку для выпуска памяти и флеш-памяти. В финансовом выражении Micron должна компенсировать UMC ущерб в размере 270 млн юаней ($42 млн).

Кроме представленной выше информации один абзац в пресс-релизе UMC посвящён воспеванию тяжких усилий компании по разработке новых технологий, которыми для выпуска логики или DRAM хотят воспользоваться нечистые на руку конкуренты. Но корни у этого иска совсем другие и уходят они ох как глубоко.

CNA

thestreet.com

В целом можно сказать, что иск UMC стал ответом на целую серию исков и враждебных юридических действий к ней со стороны компании Micron. Напомним, весной прошлого года Micron с помощью властей Тайваня пресекла переход на работу к китайским производителям памяти порядка сотни бывших своих сотрудников, а также заблокировала работу совместной инженерной группы из специалистов UMC и их китайских коллег, которые разрабатывали технологию производства памяти для внедрения на материковых заводах. В сентябре Micron добилась от прокуратуры Тайваня открытия дел против двух своих бывших сотрудников и одного представителя UMC, обвиняемых в краже коммерческой информации, а в декабре по этому же поводу в США был подан иск уже против компании UMC. Поэтому ответные действия UMC в правовом поле были лишь вопросом времени.

Краткое досье на три китайские компании, которые собираются сыграть на рынке полупроводниковой памяти (TrendForce)

Краткое досье на три китайские компании, которые собираются сыграть на рынке полупроводниковой памяти (TrendForce)

Следует сказать, что в данной ситуации за спиной UMC находится грозный союзник в лице национального плана Китая по укреплению полупроводниковой отрасли в стране и, прежде всего, курс на создание национального производства памяти. На это брошены такие ресурсы, что UMC в противостоянии против Micron будут помогать, как говорится, даже родные стены. Компания UMC разрабатывает технологию производства памяти для одного из трёх будущих лидеров китайского рынка памяти — для компании Fujian Jinhua Integrated Circuit Co (JHICC). Проблема китайцев в отсутствии технологий и в невозможности купить лицензии на выпуск современных версий DRAM и 3D NAND. Разборки с Micron — это один из вариантов защитить местного производителя или вынудить Micron перейти к решению вопросов с лицензированием.

Intel способна взорвать мировой рынок флеш-памяти NAND

Ранее на этой неделе мы сообщали, что компании Intel и Micron меняют отношение к совместной разработке энергонезависимой памяти 3D NAND. Партнёры по совместному предприятию IM Flash Technologies (IMFT) до конца текущего года представят созданную ими 3D NAND третьего поколения (96-слойную), и, после этого, каждая займётся разработкой многослойной NAND самостоятельно. На первый взгляд, компании приняли странное решение, ведь СП IMFT продолжит свою работу. Во всяком случае, в рамках совместного предприятия Intel и Micron продолжат разрабатывать и выпускать память 3D XPoint. Но это только на первый взгляд.

В прошлом Intel неоднократно подчёркивала, что её не интересует соревнование на рынке NAND-флеш. Она выпускает преимущественно корпоративные SSD и не ищет рынков сбыта для микросхем NAND (3D NAND). Подобная политика означает следование предложения за спросом и не предусматривает интенсивного наращивания производства. Более того, в 2012 году Intel продала свою долю в предприятии СП в Сингапуре компании Micron и ограничилась поддержкой одного лишь предприятия в штате Юта. Также в 2015 году она вложила $5 млрд в модернизацию своего 300-мм завода в Китае (в городе Далянь), который раньше выпускал 2D NAND и процессорные чипсеты компании. С мая прошлого года предприятие в Даляне выпускает 64-слойную 3D NAND, которой Intel явно не делится с Micron. Налицо отдаление от Micron, которое, как уверены наши тайваньские коллеги, может зайти очень далеко.

Образцы китайской 3D NAND (Tsinghua, CCTV13)

Образцы китайской 3D NAND (Tsinghua, CCTV13)

По сообщению тайваньского интернет-ресурса DigiTimes со ссылкой на источники среди местных производителей, Intel может лицензировать технологию производства 3D NAND компании Tsinghua Unigroup. По мнению источников, это поможет Intel углубиться в китайский рынок и китайскую экономику. С заводом понятно. Увеличение производства 3D NAND на предприятии в Даляне легко найдёт сбыт на локальном рынке. Но зачем компании Intel нужно помогать китайцам создавать собственное производство 3D NAND, не поясняется. Но этот мотив мы можем объяснить сами.

Завершение начального этапа строительства первого завода Tsinghua Unigroup для выпуска памяти (лето 2017 года)

Завершение начального этапа строительства первого завода Tsinghua Unigroup для выпуска памяти (лето 2017 года)

В сентябре 2014 года компания Intel опубликовала пресс-релиз, в котором сообщила о намерении приобрести порядка 20 % акций тогда ещё малоизвестной нам компании Tsinghua Unigroup. Сделано это было с прицелом на сотрудничество с дочерними компаниями Tsinghua: Spreadtrum Communications и RDA Microelectronics. Из этих инвестиций потом родились SoC Intel SoFIA.

В «чистой комнате» производственного комплекса IMFT (Intel Micron Flash Technologies)

В «чистой комнате» производственного комплекса IMFT (Intel Micron Flash Technologies)

Что само по себе необычно, Intel едва ли не впервые провела транзакцию в юанях, заплатив за акции Tsinghua Unigroup 9 млрд юаней (примерно $1,5 млрд). Тем самым понятно, что успех Tsinghua Unigroup на рынке добавит финансов в копилку Intel. Пятая часть акций — это значительная часть дохода по ним. Компания Intel имеет прямой интерес в росте прибыльности Tsinghua и, соответственно, получит свою часть бонусов после запуска заводов Tsinghua Unigroup по выпуску 3D NAND. Для такого, быть может, не жалко расстаться с Micron и даже лицензировать китайцам технологию производства 3D NAND. Вы не находите? Это взорвёт мировой рынок NAND, но Intel останется в выигрыше в любом случае, чего не скажешь о Samsung, SK Hynix и Micron.

Micron и Intel прекращают совместную разработку памяти 3D NAND

Компании Micron и Intel опубликовали совместный пресс-релиз, в котором сообщили о намерении прекратить совместную разработку многослойной флеш-памяти 3D NAND. В настоящий момент партнёры начинают наращивать производство фирменной 3D NAND второго поколения — это 64-слойные микросхемы. Третье совместно разработанное поколение 3D NAND компании представят в конце 2018 года, а с началом 2019 года перестанут сотрудничать в области разработки новых модификаций 3D NAND. В дальнейшем каждая из компаний будет самостоятельно разрабатывать многослойную NAND-флеш в зависимости от собственных бизнес-потребностей.

В «чистой комнате» производственного комплекса IMFT (Intel Micron Flash Technologies)

В «чистой комнате» производственного комплекса IMFT (Intel Micron Flash Technologies)

При этом партнёры продолжат совместную разработку энергонезависимой памяти 3D XPoint. Очевидно, в этом плане компания Intel продолжает сильно зависеть от компании Micron. Первым выпуск микросхем 3D XPoint начал завод СП Micron и Intel в Штате Юта. В настоящее время это производство выпускает исключительно память 3D XPoint, хотя какие-то объёмы данной памяти выпускают также завод Intel в Китае (в городе Далянь) и завод СП в Сингапуре. Завод в Юте остаётся базовым для выпуска 3D XPoint, и его к ноябрю прошлого года дополнительно расширили. Что касается производства памяти 3D NAND, то год назад компания Intel завершила модернизацию завода в Китае и в скором времени сможет полностью обеспечить себя этими микросхемами памяти самостоятельно.

Необходимо подчеркнуть, что деятельность совместного предприятия партнёров в лице компании IM Flash Technologies не сворачивается. Предприятие IMFT создано в конце 2005 года, и оно продолжит свою работу. С образованием IMFT компания Intel вышла на рынок памяти типа NAND, хотя до этого она владела набором ключевых патентов на технологию работы и производства NAND-флеш, в частности, на технологию производства ячейки MLC. Компания Micron вышла на рынок NAND на год раньше Intel, но до союза с ней не имела какого-то успеха на нём.

Быстро подняться на новом рынке каждой из них помогли заказы Apple на память NAND для плееров iPod nano. Уже на стадии создания СП в ноябре 2005 года партнёры получили от Apple аванс в размере $250 млн. В дальнейшем может так оказаться, что компании Micron придётся платить Intel лицензионные отчисления за использование определённых технологий при производстве памяти NAND.

Китайские производители памяти неизбежно столкнутся с судебными исками

До того, как возникающие на горизонте индустрии китайские производители памяти подобные компании Tsinghua Unigroup столкнутся с лидерами рынка в лице Samsung, SK Hynix и Micron, все они, так или иначе, пройдут через залы судебных заседаний. Аналитики рынка и, в частности, представители компании IC Insights уверены, что китайцам выход на рынок DRAM и NAND будет стоить наиболее серьёзных усилий именно на правовом поприще. Точнее, в области патентного права. Никто не сомневается, что гигантские даже для США деньги на развитие местной промышленности и полупроводниковой индустрии позволят китайским компаниям построить заводы и ввести их в эксплуатацию. Одна только Tsinghua Unigroup потратит на два новых завода порядка $50 млрд примерно за пять лет, а ведь есть и другие!

Завершение начального этапа стрительства первого завода Tsinghua Unigroup для выпуска памяти (лето 2017 года)

Завершение начального этапа строительства первого завода Tsinghua Unigroup для выпуска памяти (лето 2017 года)

Первой в борьбу включилась компания Micron. Две недели назад Micron подала иск в федеральный суд Северной Калифорнии, апеллируя к Закону о защите коммерческой тайны (Defend Trade Secrets Act) и к Закону об инвестировании полученных от рэкета капиталов (Racketeer Influenced and Corrupt Organization Act). Второй закон относится к гражданскому праву, и, в целом, иск Micron носит характер борьбы с промышленным шпионажем, а не с несоблюдением патентного права. Компания Micron обвиняет тайваньскую United Microelectronics Corp (UMC) и китайскую Fujian Jinhua Integrated Circuit Co (JHICC) в воровстве коммерческих секретов и в других неправомочных действиях. Но настоящий праздник на улице законников начнётся тогда, уверены в IC Insights, когда китайские производители памяти начнут продвигать свою продукцию на рынок.

thestreet.com

thestreet.com

Начало поставок образцов или серийной продукции DRAM и NAND китайскими компаниями обещает запустить серию патентных исков против них. Китайские производители это уже проходили. Например, созданная в начале 2000-х годов компания SMIC и её последователь в лице Grace Semiconductor быстро захватили около 13 % мирового рынка контрактных полупроводников. Вскоре последовала серия исков от лидеров рынка. Так, компания TSMC через суды вынудила SMIC умерить аппетиты и продать часть акций. Сегодня SMIC удерживает менее 8 % рынка контрактных чипов и часть дивидендов выплачивает тайваньскому производителю. Нечто подобное, уверены аналитики, произойдёт на рынке памяти, что заставит китайцев оплатить патенты и интегрироваться в мировую структуру данного направления в индустрии.

Динамика годовых каптальных затрат Samsung (данные IC Insights)

Динамика годовых капитальных затрат Samsung (данные IC Insights)

В то же время, следует заметить, что та же компания Samsung не ждёт у моря погоды (не надеется на закон), а делает всё от неё зависящее, чтобы помешать выйти на рынок новичкам. В текущем году Samsung вдвое увеличила капитальные затраты на производство чипов. Это очевидным образом поднимает цену входного билета на рынок DRAM и NAND. О соблюдении закона можно спорить годами, тогда как себестоимость продукции работает здесь и сейчас. Другое дело, что китайцы мало ограниченны в средствах и, что более важно, на них не так давят законы «свободного рынка», как на зарубежных коллег. Впрочем, когда припекло, правительство Южной Кореи спасло SK Hynix без оглядки на какие-то там международные договорённости, просто завалив компанию государственными субсидиями. В Китае с этим ещё проще, так что выбранная компанией Samsung политика может оказаться единственно верной. Хочешь мира — готовься к войне.

Western Digital начинает опытное производство 96-слойной 3D NAND

Как известно, в этом году компании Western Digital и Toshiba — партнёры в трёх совместных предприятиях по разработке и производству памяти NAND — решали крайне важную задачу. Эта задача заключалась в том, продавать или нет подразделение Toshiba по выпуску памяти NAND. Компания Western Digital была против, утверждая, что это нарушает её права как партнёра, а Toshiba была всеми руками за, поскольку это спасало её от потенциального банкротства. Наконец, спор урегулирован. Верх, судя по всему, взяла компания Toshiba. Во всяком случае, со стороны это выглядит именно так. Подразделение Toshiba Memory будет продано, и Western Digital с этим вынуждена согласиться без очевидной выгоды для себя.

Western Digital

Western Digital

Одновременно с анонсом о заключении мирового соглашения с Toshiba компания Western Digital собрала пресс-конференцию, информация на которой вышла за рамки урегулирования спора. В частности, Western Digital рада сообщить, что производство 3D NAND 4-го поколения (партнёры называют её BiCS4) стартует на этой неделе. Следует понимать, что речь идёт об образцах продукции. Анонс BiCS4 состоялся нынешним летом, а массовое производство 3D NAND нового поколения стартует в течение 2018 года. Вероятнее всего, это произойдёт ближе к середине года.

Western Digital

Western Digital

Память BiCS4 будет характеризоваться двумя отличительными особенностями. Во-первых, она будет 96-слойной. Во-вторых, запись данных в ячейки BiCS4 будет как трёхбитовой TLC, так и четырёхбитовой QLC. Судя по всему, со следующего года четырёхбитовая ячейка начнёт массово проникать в SSD, тогда как до этого она преимущественно использовалась для флешек с интерфейсом USB и для карточек памяти. Аналогичные производственные планы также обнародовала компания Samsung. Это приблизит выход 1-Тбит чипов 3D NAND. К счастью, память 3D NAND обладает достаточным объёмом ячейки для надёжного хранения заряда, так что 3D NAND QLC обещает оказаться более устойчивой к износу, чем NAND QLC.

Western Digital

Western Digital

Также в Western Digital подчеркнули сложности по освоению новых поколений 3D NAND. Если обычное снижение масштаба техпроцесса 2D NAND позволяло сэкономить за год от 25 % до 35 % затрат на производство, то переход от 3D NAND одного поколения к другому обещает экономию от 15 % до 25 %. К прежним темпам экономии уже не вернуться, сетуют в Western Digital. Но деваться-то некуда. Более того, в компании идут к производству более передовой памяти семимильными шагами. Так, вместо запланированной доли 64-слойной BiCS3 к концу 2017 года на уровне 75 % доля этой памяти в NAND-продукции Western Digital сегодня превысила 90 %. В  то же время 3D NAND составляет 65 % в потоке всей флеш-продукции компании, так что на долю 2D NAND всё ещё приходится порядка трети производства. В новом году Western Digital обещает ещё сильнее сократить выпуск 2D NAND, но быстро это сделать не получится.

Договор о сотрудничестве Western Digital и Toshiba продлён до 2029 года

Компании Western Digital и Toshiba помирились. Длившийся порядка девяти месяцев спор разрешён к обоюдному согласию. Как сообщает нам официальный пресс-релиз Toshiba, компании заключили глобальное соглашение о завершении всех взаимных судебных и арбитражных споров, а также подписали новые договора об усилении сотрудничества на ниве разработки и производства флеш-памяти.

В частности, Western Digital и теперь уже признанное ею подразделение TMC (Toshiba Memory Corporation) будут совместно инвестировать в достройку и оснащение завода Fab 6 в Йоккаити, включая участие компании в анонсированной в октябре внеплановой закупке промышленного оборудования для этого завода. Это позволит Western Digital получать продукцию с этого предприятия, которая начнёт сходить с конвейеров Fab 6 в новом 2018 году. Ожидается, что это будет передовая 96-слойная 3D NAND (BiCS FLASH). Также Western Digital получает доступ к финансированию строительства ещё одного завода в Японии в префектуре Ивате (Iwate).

Fab 6 (Toshiba)

Fab 6 (Toshiba)

Что касается действующих совместных предприятий Western Digital и Toshiba, то они продолжат работу, и договоры между компаниями перезаключены на сроки до 12 лет. Совместное предприятие Flash Alliance расширила договор о сотрудничестве до 31 декабря 2029 года, СП Flash Forward продлила договор до 31 декабря 2027 года, а третье СП — компания Flash Partners — подписала договор о работе до 31 декабря 2029 года. Теперь продукция Western Digital на основе флеш-памяти вне опасности на десятилетие и дольше.

Со своей стороны компания Western Digital не будет препятствовать в продаже части Toshiba Memory Corporation консорциуму K.K. Pangea во главе с компанией Bain Capital Private Equity и даже согласилась на потенциальную возможность в будущем сделать TMC компанией с публичным размещением капитала (выйти на биржу ценных бумаг с собственными акциями). В связи с этим Western Digital и Toshiba обещают усилить защиту конфиденциальных данных (разработок и технологий) для предотвращения утечек на фоне доступа к бизнесу TMC посторонних компаний.

Macronix представила 3D NAND с рекордной плотностью хранения данных

Со второго по шестое декабря в Сан-Франциско прошла конференция IEDM 2017 (IEEE International Electron Devices Meeting). Среди прочих докладов интересно отметить выступление представителей тайваньской компании Macronix. В своё время Macronix плотно сотрудничала с немецким производителем памяти компанией Qimonda. Вместе они разрабатывали технологии производства флеш-памяти. Задел оказался хорошим. Сейчас, когда имя Qimonda забыто, а компания давно прекратила своё существование, Macronix продолжает самостоятельно разрабатывать теперь уже многослойную флеш-память 3D NAND. Оказалось, что она даже способна удивить.

Сообщается, что Macronix на IEDM 2017 представила 3D NAND с новой высокоплотной структурой SGVC или single-gate vertical channel (вертикальный канал с одним затвором). Все остальные компании выпускают 3D NAND с затворами, которые окружают вертикальный канал со всех сторон — с круговым охватом или gate-all-around (GAA). За счёт использования меньшего по объёму затвора вертикальные каналы в 3D NAND Macronix удалось расположить ближе друг к другу — плотнее. Можно рассчитывать, что себестоимость хранения данных в 3D NAND Macronix будет меньше, чем в случае 3D NAND других производителей.

Относительное сравненние 3D NAND с затворами GAA и SGVC

Относительное сравнение 3D NAND с затворами GAA и SGVC

К сожалению, компания не сообщает о площади опытного кристалла 3D NAND с SGVC-ячейками. Без этого параметра нельзя однозначно утверждать, что память Macronix плотнее той же V-NAND Samsung, хотя поверхностное сравнение говорит о преимуществе разработки тайваньской компании. Судите сами: 128-Гбит память Macronix выполнена в виде 16 слоёв с MLC-ячейкой (два бита в ячейке), а рекорд Samsung — это 512-Гбит 3D NAND TLC, которая состоит из 64 слоёв. Каждый слой памяти Macronix содержит 8 Гбайт данных в двухбитовых ячейках, а каждый слой памяти Samsung хранит те же 8 Гбайт данных, но в трёхбитовых ячейках. Выглядит интересно. Хотелось бы увидеть это в коммерческих продуктах.

Накопитель WD BLUE 3D NAND SATA SSD на 64-слойной технологии 3D NAND будет доступен с ёмкостью до 2 Тбайт

В середине текущего года на международной выставке COMPUTEX Taipei компания Western Digital Corporation представила новый твердотельный накопитель WD BLUE 3D NAND SATA SSD на базе технологии «вертикальной» флеш-памяти — 3D NAND.

Если ещё в мае 2016 года на прилавках магазинов стали появляться только первые SSD модели под торговой маркой WD, то сегодня американская компания уже перехватила пальму первенства в изготовлении SSD с использованием 3D NAND, продолжая наращивать «твердотельные мощности».

Физический размер ячейки достиг своего минимума, планарная NAND-память исчерпала свой потенциал. На смену «плоской» технологии пришло решение в виде вертикальной организации ячеек. На выходе чип получает трёхмерную форму и способен вмещать значительно больше информации на единицу площади, нежели двухмерные кристаллы. Изменение архитектуры позволило снизить влияние соседних ячеек друг на друга и уменьшить риск перетекания заряда из одной ячейки в другую. Первое поколение накопителей имело 24 слоя, второе — 32, а у четвёртого (и последнего на данный момент) 64 слоя. Ресурс перезаписи увеличен.

Основной составляющей стоимости накопителя является флеш-память. WD BLUE 3D NAND принадлежит к бюджетному сегменту и строится на базе TLC-памяти производства SanDisk (3 бита на ячейку памяти). Устройство унаследовало от предыдущей серии WD Blue SSD.NANDXtend технологию NANDXtend с коррекцией ошибок: используется трёхуровневый алгоритм проверки и восстановления данных, работа которого позволяет исправить большее количество ошибок; цифровая обработка сигналов с применением низкоплотностного кода (LDPC) позволяет продлить ресурс TLC-памяти. Алгоритм LCPC реализует двухсторонний (аппаратный и программный) подход к исправлению ошибок в NAND-памяти TLC.

В дополнение к твердотельному накопителю производитель предоставляет возможность установки бесплатного программного обеспечения (для операционной системы Windows) для мониторинга и обслуживания устройства — WD SSD DASHBOARD.

Накопители будут выпускаться в формате 2,5 дюйма толщиной 7 мм и в исполнении M.2 2280. В них используется интерфейс SATA III с обратной совместимостью с пропускной способностью до 6 Гбит/с. Для новой модели доступны SSD объёмом от 250 Гбайт до 2 Тбайт. Срок гарантийного обслуживания — 3 года. Приобрести новинку можно будет, в том числе, в интернет-магазинах партнёров WD.

   

Разработка китайской 3D NAND идёт с опережением графика

Тайваньский интернет-ресурс DigiTimes со ссылкой на индустриальные источники сообщает, что китайская компания Yangtze River Storage Technology (YMTC) справилась с разработкой 32-слойной флеш-памяти 3D NAND раньше запланированного срока. Пусть это произошло всего на два месяца раньше установленного, но это всё равно достижение. Фактически к созданию «национальной» многослойной NAND компания YMTC приступила летом 2016 года, когда была образована в виде СП между компаниями Tsinghua Unigroup и Wuhan Xinxin Semiconductor. И двух лет не прошло, как YMTC выпустила образцы, создала на их основе SSD-накопители и подтвердила заявленные характеристики конечных изделий.

Forbes.com

Forbes.com

В основе разработки китайской 3D NAND лежит SLC-ячейка, запатентованная американо-японской компанией Spansion. Незадолго до создания СП YMTC компания Wuhan Xinxin Semiconductor лицензировала технологию производства NAND-памяти у Spansion и начала с помощью её инженеров проектировать 3D NAND, к процессу создания которой позже присоединилась Tsinghua Unigroup, чему помогла значительным объёмом денег. Вскоре после этого СП начало строить завод для производства 3D NAND в Китае. Первая очередь цехов построена и сейчас принимает промышленное оборудование. Опытное производство на линиях СП YMTC стартует во втором квартале 2018 года с массовым выпуском решений после снижения уровня брака до допустимых пределов (обычно это 5–8 %).

Торжественное завершение первой фазы строительства завода YMTC в Китае

Торжественное завершение первой фазы строительства завода YMTC в Китае

Завершение разработки 32-слойной 3D NAND открывает путь к следующему шагу — к созданию 64-слойной флеш-памяти. Согласно планам, 64-слойная 3D NAND должна быть готова к производству в 2019 году и, по всей видимости, должна попасть в массовое производство в 2020 году. Лидеры отрасли — компании Samsung, SK Hynix и Micron — перешли на массовый выпуск 64-слойной памяти 3D NAND в основном с началом второй половины текущего года. Тем самым китайцы отстанут от них по технологичности на срок порядка двух лет. Если учесть, что многое ими сделано почти что с нуля, то есть чему удивиться, а кому-то — испугаться.

Toshiba решила закупить оборудование для нового завода на год раньше

Одновременно с публикацией квартального отчёта компания Toshiba выпустила пресс-релиз, в котором сообщила о намерении ускорить развёртывание линий на строящемся заводе Fab 6 для выпуска флеш-памяти 3D NAND. Современное промышленное оборудование для обработки кремниевых пластин для процессов депонирования, травления и другого развёртывать и настраивать намного сложнее, чем это было несколько лет назад. В связи с этим в Toshiba приняли решение перенести запланированные на 2018 год инвестиции на текущий финансовый 2017 год. Вместо 400 млрд иен до конца года на закупку оборудования для Fab 6 Toshiba потратит 600 млрд иен, увеличив текущий объём вложений в новый завод примерно на $1,8 млрд в долларовом эквиваленте.

Завод Fab 6 компании Toshiba

Завод Fab 6 компании Toshiba

Часть инвестиций будет вложено в построение внутренней информационной сети для СП Toshiba Memory, которая будет работать независимо от IT-структуры Toshiba. Отчасти это продиктовано требованиями безопасности, тем более что в начале октября якобы была взломана производственная сеть на заводе компании, отчего даже пришлось остановить производственный процесс. С другой стороны, Toshiba Memory территориально остаётся в инфраструктуре Toshiba и при этом прирастает такими участниками, как SK Hynix, Seagate и другими сторонними компаниями, которые намерены приобрести доли в Toshiba Memory. Всё это желательно отсечь от доступа в корпоративную сеть Toshiba.

Отметим, это уже вторая за полгода коррекция планов по инвестициям в строительство и оснащение Fab 6. Перед этим Toshiba дополнительно увеличила финансирование проекта в октябре на 110 млрд иен. Отмечается, что этому поспособствовал резкий рост спроса на твердотельную память и, соответственно, SSD и модули памяти для смартфонов.

Глава компании (Фото Maho Obata)

Глава компании Western Digital Стив Миллиган на конференции в Токио 8 ноября (Фото Maho Obata)

Как и раньше, Toshiba направила предложение о совместном финансировании проекта по обеспечению необходимым завода Fab 6 своему партнёру по СП — компании SanDisk. Официального ответа от SanDisk и её нового хозяина — компании Western Digital — пока нет. В то же время глава компании Western Digital Стив Миллиган (Steve Milligan) на конференции Nikkei Global Management Forum в Токио в эту среду выступил с пространной речью о корпоративной культуре, в которой, в частности, не раз подчеркнул о приверженности партнёрству с Toshiba. «В компаниях должен быть здоровый конфликт», — поделился наблюдениями г-н Миллиган, — «но мы остаёмся верными работе с Toshiba и ищем возможные выходы из сложившейся ситуации».

Развитие 3D NAND может остановиться раньше ожидаемого

Перевод производства планарной памяти NAND-флеш на технологические нормы менее 15 нм считается экономически необоснованным. Поэтому для дальнейшего снижения себестоимости производства памяти NAND-типа была выбрана многослойная структура. Сегодня все ведущие компании на рынке флеш-памяти освоили или подошли к массовому производству 64-слойных чипов 3D NAND. На очереди выпуск 96-слойных микросхем и, в перспективе, со значительно большим числом слоёв. В этом есть свои подводные камни, но в целом число кристаллов на пластине перестало расти, тогда как ёмкость микросхем повышается от уровня к уровню. К сожалению, отмечают специалисты, бесконечно это не может продолжаться и конец развития 3D NAND скорее ближе, чем дальше.

Как отметил основатель и генеральный директор компании BeSang Inc Ли Сан-юн (Sang-Yun Lee), а его компания специализируется на 3D-компоновке чипов, он будет очень удивлён, если кто-то сможет наладить выпуск многослойной 4-Тбит 3D NAND. Компания Samsung, как известно, в следующем году пообещала начать производство 1-Тбит 3D NAND. Детали не сообщаются, но это могут быть 96-слойные микросхемы с записью 4-бит в каждую ячейку (QLC).

Микросхемы с 96 слоями могут представлять собой стек из двух 48-слойных кристаллов 3D NAND, выпуск которых уже хорошо отлажен. Соответственно, 4-Тбит чип 3D NAND может опираться на базовый 64-слойный 512-Гбит кристалл, выпуск которых в ближайший год станет доминирующим. Для производства 4-Тбит кристалла без увеличения посадочной площади потребуются 512 слоёв. Исходя из сегодняшних реалий, которые в обозримом будущем принципиально не изменятся, на обработку одной пластины с 512-слойной 3D NAND потребуется около одного года (от 43 до 53 недель). В этой цепочке на изготовление логики чипа уходит около 5 недель и ещё 5–6 недель на изготовление каждых 64 слоёв (последний процесс умножаем на 8). Иными словами, производство 512-слойных кристаллов в настоящий момент видится экономически нецелесообразным.

Если на обработку каждой пластины с 4-Тбит 3D NAND потребуется год, на обработку пластин с 16-Тбайт чипами уйдёт около четырёх лет ( Sang-Yun Lee, CEO, BeSang Inc)

Если на обработку каждой пластины с 4-Тбит 3D NAND потребуется год, на обработку пластины с 16-Тбайт чипами уйдёт около четырёх лет ( Sang-Yun Lee, CEO, BeSang Inc)

Представленные выше рассуждения намекают, что развитие 3D NAND остановится скорее раньше, чем позже. По мнению специалиста в 3D-упаковке чипов, память 3D NAND не станет тем прорывом, который заставит забыть о жёстких дисках. Фактически себестоимость производства 3D NAND только сейчас подошла к себестоимости производства планарной NAND-флеш (в лице 64-слойной 3D NAND). Дальше 3D NAND станет чуть более дешёвой альтернативой памяти NAND-типа, но и только.

Горизонтальное масштабирование 3D NAND также не принесёт значительного улучшения, поскольку в действие вступят как минимум два негативных фактора. Во-первых, горизонт съедается за счёт отверстий от вертикальных межслойных соединений. Во-вторых, увеличение площади ведёт к экспоненциальному росту уровня брака. У памяти 3D NAND также есть и масса других проблемных мест, поэтому её не следует расценивать как средство, которое на рынке оперативного хранения данных сделает SSD по-настоящему массовым явлением.

Toshiba сверх плана увеличила финансирование на производство 3D NAND

В компании Toshiba в эту среду пересмотрели объёмы запланированного финансирования, направленного на строительство нового завода Fab 6 по производству памяти 3D NAND (BiCS). Напомним, в начале августа компания выделила на закупку оборудования для первой очереди линий для чистой комнаты и на начало строительства цехов второй очереди порядка $1,7 млрд (195 млрд иен). Эти деньги должны быть освоены до середины 2018 года.

Завод Fab 6 компании Toshiba

Завод Fab 6 компании Toshiba

В среду, 11 октября, после утреннего совещания руководства Toshiba сумма инвестиций увеличена на 110 млрд иен (на $978 млн). На эти деньги будет закуплено дополнительное оборудование для чистой комнаты в рамках обеспечения линий первой очереди. Попросту говоря, начальные объёмы производства решено увеличить уже на первом этапе запуска линий в строй, что произойдёт в середине следующего года.

Завод Fab 6 строится на деньги Toshiba, но будет принадлежать подразделению Toshiba Memory, которое почти за $18 млрд решено продать консорциуму под управлением частной инвестиционной компании Bain Capital LP. Из-за разногласий с компанией Western Digital по этому поводу, которая сама хотела приобрести часть Toshiba Memory, вопрос участия в финансировании строительства Fab 6 подразделения SanDisk остаётся нерешённым.

Компания Western Digital настаивает на участии в финансировании, тогда как Toshiba отвечает шаблонно о постоянных провалах переговоров по этому вопросу. В то же время компания не поленилась снова направить в СП с SanDisk очередной запрос об участии в закупке оборудования для Fab 6, ответ на который пока не получен.

Reuters

Reuters

Увеличить мощности по выпуску передовой 3D NAND в компании Toshiba решили по той причине, что ожидают дальнейшего и ускоренного роста рынка твердотельных накопителей. Память 3D NAND в 2018 году в увеличенных объёмах будет затребована производителями смартфонов и серверных SSD. Завод Fab 6, как ожидается, сразу приступит к производству 96-слойной памяти 3D NAND. Без участия в финансировании СП с SanDisk компания Western Digital останется без этой памяти.

У Micron снова украли секреты, и снова они утекли в Китай

Создаётся впечатление, что с защитой интеллектуальной собственности у компании Micron как с рассохшейся бочкой — течёт изо всех щелей. Прошёл всего месяц с момента появления информации об аресте двух бывших сотрудников Micron, которые якобы передали секретную информацию о технологиях производства памяти компании тайваньскому контрактнику UMC, как вновь сообщается о кражах и арестах.

thestreet.com

thestreet.com

По данным издания United Evening News, на которое ссылается авторитетный ресурс Tapei Times, прокуратура Тайваня потребовала ареста пяти бывших сотрудников компании Inotera Memories, которая с декабря прошлого года перешла в полную собственность Micron. В период с сентября по ноябрь 2016 года указанные лица якобы передали своему будущему работодателю в Китае секретную информацию о технологиях производства памяти. Данные передавались в виде фотокопий (фотографических снимков), бумажных ксерокопий, сообщениями по электронной почте и с помощью сервиса коротких сообщений WeChat.

Все подозреваемые оставили работу в компании Inotera Memories ради перехода в профильную компанию на территории Китая. По слухам, в этом им помогла крупнейшая китайская инвестиционная компания ИТ-направленности — Tsinghua Unigroup. Последняя не раз упоминалась в наших новостях с 2015 года и отметилась желанием купить как саму компанию Micron, так и приобрести значительную долю в компании Western Digital. Обе сделки были заблокированы регулирующими органами США. Похоже, в Tsinghua Unigroup нашли другой способ решить проблему технологического голода.

Micron готова дружить с Тайванем, но не с Китаем (директор Micron Марк Дуркан и Президент Тайваня Цай Инвэнь, фото Cheng Ting-Fang)

Micron готова дружить с Тайванем, но не с Китаем (директор Micron Марк Дуркан и Президент Тайваня Цай Инвэнь, фото Cheng Ting-Fang)

Сообщается, что каждому из подозреваемых в краже технологических секретов Micron была начислена втрое большая зарплата, чем они получали в компании Inotera Memories. Речь идёт о сумме в 200 000 новых тайваньских долларов в месяц каждому, что эквивалентно $6576. Как ни крути, а это чрезвычайно весомый аргумент для смены места работы. Многие ли откажутся?

А Китай всё строит

А Китай всё строит

Компания Tsinghua Unigroup и ряд других крупных китайских компаний приступили в конце прошлого года и в этом году к строительству трёх крупных мегафабрик по производству 3D NAND и DRAM. После выхода заводов на полную мощность примерно через пять лет Китай получит доступ к достаточно недорогой национальной оперативной и энергонезависимой памяти. Он больше не будет зависеть от прихотей международного рынка памяти и от западных производителей. Также это гарантированно обрушит международный рынок памяти, о чём руководство компании Micron предупреждает при каждом удобном случае.

Toshiba выбрала покупателя для производства чипов и это не Western Digital

Муки выбора покупателя на полупроводниковое подразделение компании Toshiba подошли к концу. На совете директоров компании был подтверждён сделанный неделей назад выбор. Покупателем подразделения Toshiba Memory (TMC) определён консорциум во главе с частной инвестиционной компанией из США Bain Capital Private Equity. О других участниках консорциума во главе с Bain Capital пока достоверно не известно. Согласно неофициальной информации, доли в TMC достанутся двум японским государственным финансовым институтам (Банку Развития Японии и Innovation Network Corp. of Japan), а также компаниям SK Hynix и Apple.

wsj.com

wsj.com

Сторонними источниками сообщается, что формальным покупателем TMC за сумму в 2 трлн иен ($17,8 млрд) стала дочерняя Bain Capital компания KK Pangea. Сама Toshiba путём покупки акций инвестирует в Pangea 350,5 млрд иен и рассчитывает на прямые дивиденды от будущей деятельности TCM. Также в Pangea инвестируют другие участники консорциума, а остальные средства на покупку TCM компания получит в виде займа. Сделка по продаже подразделения Toshiba должна завершиться в марте 2018 года.

Что касается будущего сотрудничества между Toshiba и SanDisk (подразделением Western Digital), то детали между компаниями подлежат обсуждению. На данном этапе, тем самым, Toshiba как бы отстраняется от Western Digital. Судя по всему, новоявленный партнёр повёл себя не очень корректно, мешая японскому производителю на всех этапах переговоров о привлечении инвестиций.

Reuters/Mike Blake

Reuters/Mike Blake

Вполне ожидаемо, что Western Digital этого так не оставит. В компании подтвердили намерение продвигать оба ранее поданных иска против Toshiba в Международный арбитражный суд. Более того, Western Digital готовит новый иск, в котором просит Суд запретить какие-либо инвестиции в новый строящийся завод Toshiba Fab 6 для выпуска новых поколений памяти 3D NAND (BiCS) без первоочередного участия в них SanDisk. Ранее Toshiba сообщила, что подразделение TCM будет самостоятельно строить завод и покупать для него оборудование. Это означает, что Western Digital не будет иметь прямого доступа к 96-слойной памяти 3D NAND и более совершенной.

Reuters/Kim Kyung-Hoon

Reuters/Kim Kyung-Hoon

На 2018 год, как утверждают в Western Digital, компания обеспечена поставками памяти 3D NAND. Это будет память, которая выпускается на трёх действующих заводах СП Western Digital и Toshiba. Завод Fab 6 войдёт в строй в 2019 году и Western Digital сделает в правовом поле всё от неё зависящее, чтобы получить привилегированный доступ к финансированию этого предприятия. Во всяком случае, она надеется на исковое давление на партнёра.

Новые модульные SSD Intel: коннектор SFF-TA-1002 и готовность к PCIe 5.0

Корпорация Intel на этой неделе представила новый форм-фактор для серверных твердотельных накопителей, который может стать стандартом для SSD будущего. Новый дизайн, называемый ruler (линейка, планка), базируется на разрабатываемой сегодня спецификации Enterprise & Datacenter Storage Form Factor (EDSFF) и предназначен для того, чтобы максимизировать ёмкость серверных накопителей и при этом обеспечить поддержку всех функциональных возможностей SSD корпоративного уровня. Так, Intel обещает, что уже в обозримом будущем мы увидим машины форм-фактора 1U, способные хранить 1 Пбайт данных.

Intel SSD серии DC P4500 в форм-факторе

Intel SSD серии DC P4500 в форм-факторе «линейка»

Для обеспечения совместимости между различными типами устройств хранения данных в ПК и серверах долгие годы твердотельные накопители (solid-state drives, SSDs) основывались на форм-факторах, изначально разработанных для жёстких дисков. Между тем форм-факторы 2,5" и 3,5" не всегда оптимальны для SSD с точки зрения плотности хранения данных, охлаждения и других аспектов. С целью предложить оптимальное конструктивное исполнение SSD для клиентских и некоторых серверных платформ несколько лет назад Intel представила форм-фактор M.2. Хотя накопители в форме модуля имеют много преимуществ, когда речь идет о плотности хранения данных, они не были предназначены для поддержки таких возможностей, как горячее подключение, а их охлаждение является ещё одной проблемой.

SSD в разных конструктивных исполнениях

SSD в разных конструктивных исполнениях

Напротив, форм-фактор, пока именуемый линейкой или планкой, был разработан специально для серверных SSD и адаптирован к требованиям центров обработки данных. По словам Intel, линейный форм-фактор «обеспечивает максимальную ёмкость для сервера с минимальными потребностями в охлаждении и потреблении энергии». Что крайне важно, так это то, что будущий стандарт EDSFF расширяем как с точки зрения производительности интерфейса, так и с точки зрения потребляемой мощности, а также ёмкости и даже физических размеров.

Intel SSD серии DC P4500 в форм-факторе

Intel SSD серии DC P4500 в форм-факторе «линейка»

С технической точки зрения каждая планка SSD представляет собой длинный модуль с возможностью «горячей» замены, который может вмещать десятки микросхем флеш памяти или чипов 3D XPoint и, таким образом, обеспечивает ёмкость и уровни производительности, которые превосходят возможности модулей M.2.

Особенности SSD Intel в форм-факторе

Особенности SSD Intel в форм-факторе «линейка»

Линейные SSD первых поколений будут использовать коннектор SFF-TA-1002 (также известный как Gen-Z), поддерживающий интерфейсы PCI Express 3.1 x4 и x8 с максимальной теоретической пропускной способностью около 3,94 Гбайт/с и 7,88 Гбайт/с в обоих направлениях. Впоследствии, модули EDSFF могут получить интерфейс x16 со скоростью передачи данных 8 ГТрансферов/с, 16 ГТрансферов/с (PCIe Gen 4) или даже 25–32 ГТрансферов/с (PCIe Gen 5) на случай, если отрасли потребуются твердотельные накопители с пропускной способностью примерно в 50–63 Гбайт/с. В Intel говорят, что GenZ разъёмы уже готовы к скоростям PCIe Gen 5, но нет хостов для поддержки такого интерфейса. Впрочем, следует помнить, что мир не ограничивается протоколом PCI Express, а потому SSD c разъёмом смогут работать и с другими протоколами (например, UPI).

Коннектор SFF-TA-1002

Коннектор SFF-TA-1002

Ключевой особенностью нового форм-фактора (а также разрабатываемого стандарта EDSFF) является то, что он был разработан специально для серверных SSD и поэтому предлагает гораздо больше, чем стандарты для ПК. Например, на SSD-модуле EDSFF на базе PCIe 3.1 x4 имеются SMB-контакты для управления NVMe, дополнительные контакты для зарядки конденсаторов защиты от потери мощности отдельно от питания самого накопителя (что позволяет использовать недорогие пассивные объединительные платы без PCIe переключателей). Стандартные накопители EDSFF будут использовать напряжение питания +12 Вольт, при этом Intel ожидает, что наиболее производительные SSD-линейки будут потреблять 50 Ватт и более.

Преимущества нового форм-фактора

Преимущества нового форм-фактора

Серверы и объединительные платы, совместимые с EDSFF и SSD-линейками, будут несовместимы с твердотельными накопителями и жёсткими дисками в традиционных форм-факторах, а также с другими накопителями в ином конструктивном исполнении. Таким образом, в ближайшие годы мы увидим машины, совместимые исключительно с накопителями на основе энергонезависимой памяти. Сам EDSFF еще не оформлен как стандарт, однако рабочая группа по созданию спецификации уже включает в себя Dell, Lenovo, HPE и Samsung как учредителей, а также Micron и Western Digital как участников.

Преимущества нового форм-фактора

Преимущества нового форм-фактора

Стоит отметить, что Intel поставляла SSD в форм-факторе «линеек» на основе планарной MLC NAND флеш-памяти некоторым партнёрам среди крупных производителей серверов, а также владельцам огромных центров обработки данных уже около восьми месяцев. Хотя эти накопители не использовали все преимущества стандарта EDSFF (и будет удивительно, если они будут даже совместимы с окончательной спецификацией), они помогли членам рабочей группы и некоторым другим компаниями подготовиться к будущему. Более того, по результатам испытани некоторые из партнеров Intel даже внесли дополнительные требования к стандарту EDSFF, а другие рассматривают возможность использования форм-фактора для ускорителей на базе GPU и FPGA. Как видно, индустрия испытывает немалый интерес как к SSD в форм-факторе «линеек», так и к стандарту EDSFF вообще.

Intel SSD серии DC P4500 в форм-факторе

Intel SSD серии DC P4500 в форм-факторе «линейка»

Что касается коммерческих твердотельных накопителей-«линеек», то первыми из них станут SSD серии DC P4500 производства Intel, в которых используется память типа 3D NAND и контроллер корпоративного класса. Intel не раскрывает максимальную ёмкость «линейных» DC P4500, но логично предполагать, что она будет значительной. Со временем Intel также планирует представить твердотельные накопители Optane на базе 3D XPoint в том же конструктивном исполнении.