Теги → 3d nand
Быстрый переход

Китайская YMTC начала рассылать образцы 192-слойных чипов флеш-памяти 3D NAND

Компания Yangtze Memory Technologies (YMTC), являющаяся крупнейшим китайским производителем чипов флеш-памяти 3D NAND, сообщила, что уже начала рассылать клиентам образцы новых 192-слойных чипов флеш-памяти 3D NAND. Полноценный релиз данных микросхем может состояться к концу текущего года, сообщает издание DigiTimes.

 Источник изображения: YMTC

Источник изображения: YMTC

В настоящий момент YMTC массово производит 128-слойные чипы флеш-памяти 3D NAND, составляющие достойную конкуренцию корейским, японским и американским производителям. Эксперты хвалят китайские микросхемы за высокую плотность и пропускную способность, которые компании удалось добиться при переходе на новую архитектуру Xtacking 2.0.

Архитектура Xtacking является собственной разработкой YMTC. На её базе производились 64-слойные чипы NAND. В прошлом году китайский производитель перешёл на использование технологии Xtacking 2.0, что предоставило целый ряд преимуществ для семейства 128-слойных продуктов.

Издание DigiTimes сообщает, что YMTC преодолела все трудности, связанные с массовым производством 128-слойной памяти типа 3D NAND и наладила её выпуск. Компания увеличила до 100 тыс. объёмы месячной обработки кремниевых пластин. Инсайдеры утверждают, что памятью NAND от компании YMTC заинтересовались даже в Apple, которая рассмотрит возможность их использования в своих продуктах.

Китайский производитель поставил перед собой цель к концу 2023 года завоевать 7–8 % мирового рынка производства памяти NAND. В объёмах это означает обработку 200 тыс. кремниевых пластин в месяц.

Western Digital рассказала о работе над 162-слойной флеш-памятью BiCS6 и планах создать память из более чем 200 слоёв

На этой неделе компания Western Digital рассказала о планах развития памяти 3D NAND на ближайшие годы. Помимо прочего компания отметила, что вместе со своим партнёром японской компанией Kioxia она разрабатывает 162-слойные чипы флеш-памяти с ячейкой уменьшенной площади и флеш-память повышенной производительности с более чем 200 слоями.

 Источник изображения: Western Digital

Источник изображения: Western Digital

Память 3D NAND нового поколения BiCS6 появится ближе к концу текущего года. Это будут на первый взгляд не самые передовые по количеству вертикальных слоёв чипы — всего 162 слоя, что на фоне только что представленных Micron 232-слойных чипов 3D NAND выглядит довольно скромно. Тем не менее, ёмкость у решений WD и Micron одинаковая — 128 Гбайт (1 Тбит). А площадь BiCS6 и вовсе составит максимально компактные в отрасли 68 мм2. Добиться этого компания смогла за счёт заметного снижения физических размеров ячеек памяти, в чём помогло использование нового материала в их структуре.

Добавим, память BiCS6 будет хранить четыре бита в каждой ячейке (QLC). Снижение физического объёма ячейки с сочетанием записи четырёх бит в каждую из них должно привести к снижению числа циклов перезаписи, но WD пока не раскрывает это значение. В то же время скорость работы памяти BiCS6 обещает оказаться на 60 % выше, чем в случае современных решений, что позволит использовать её как для выпуска массовых накопителей, так и ёмких SSD серверного назначения. Повышение плотности также должно снизить себестоимость производства, что важно для всех.

 Источник изображения: Western Digital

Источник изображения: Western Digital

Не менее интересно выглядит ещё одна новая разработка — память BiCS+ с более чем 200 слоями. Утверждается, что она разрабатывается с нуля преимущественно для SSD серверного назначения. Память BiCS+ появится к 2024 году и обеспечит по сравнению с памятью BiCS6 прирост бит на каждую пластину до 55 %, как и рост скорости до 60 %. Также на 15 % вырастет скорость записи, что для флеш-памяти типа NAND не менее важно, чем всё остальное.

 Источник изображения: Western Digital

Источник изображения: Western Digital

В перспективе компания WD как и остальные производители 3D NAND стремится к 500 и более слоям 3D NAND. Выпускать такую память можно только с помощью комбинации множества технологий, включая вертикальную «склейку» кристаллов памяти. Не теряет компания надежду выпустить память с записью пяти бит в каждую ячейку (PLC), но это не менее трудно, чем выпустить 3D NAND с 500 слоями, что отдаляет время её появления.

Micron анонсировала разработку первой в мире 232-слойной флеш-памяти 3D NAND — 128 Гбайт в одном чипе

Американская компания Micron анонсировала разработку первых в отрасли чипов флеш-памяти 3D NAND, состоящих из 232 слоёв. Массовый выпуск новинки на основе ячеек TLC начнётся в конце 2022 года. Появление первых продуктов на новой памяти ожидается в 2023 году. Возросшая плотность записи обещает снижение энергопотребления, рост скорости и уменьшение себестоимости, что будет конвертировано либо в прибыль Micron, либо в снижение цен на SSD.

 Источник изображения: Micron

Источник изображения: Micron

Чтобы добиться рекордного числа слоёв Micron воспользовалась испытанным ранее способом — она разместила один кристалл 3D NAND поверх другого, соединив их электрически и поместив на общее основание (подложку и контроллер). В процессе сращивания кристаллов часть слоёв была неизбежно потеряна, поэтому из двух 128-слойных кристаллов вышел не 256-слойный чип 3D NAND, а 232-слойный, что тоже неплохо.

Также следует отметить, что 256-слойную 3D NAND компания Samsung представила ещё в 2020 году, но массовое производство таких чипов не запустила. Поэтому предыдущими рекордсменами можно считать 176-слойные микросхемы флеш-памяти, выпуск которых и Micron, и Samsung начали во второй половине 2021 года. Также необходимо вспомнить о китайской компании YMTC, в арсенале которой вот-вот должна появиться 192-слойная 3D NAND.

Другим преимуществом новинки Micron можно считать перемещение управляющей электроники под кристалл с массивом ячеек. Это технология CMOS under array (CuA), которой в той или иной степени сегодня владеют все производители 3D NAND. Подобное позволяет уменьшить площадь кристалла памяти и на каждую пластину поместить ещё больше микросхем.

Компания Micron не раскрывает детальных спецификаций 232-слойных чипов. Известно, что ёмкость микросхем составляет 1 Тбит (128 Гбайт) и в целом они стали быстрее, что обещает появление ещё более производительных твердотельных накопителей.

Предложен относительно простой способ многократно увеличить плотность памяти 3D NAND

Технология производства флеш-памяти 3D NAND почти добралась к 200-м слоям на каждый чип. За счёт вертикальной компоновки удалось совместить высокую плотность записи, множество циклов перезаписи, малые размеры кристалла и доступную стоимость флеш-памяти. Число слоёв 3D NAND можно повысить ещё до пяти раз, но рано или поздно технология упрётся в барьер. Это снова заставит уменьшать размеры ячеек памяти со всеми вытекающими проблемами, но выход есть.

 Источник изображения: IMEC

Источник изображения: IMEC

Напомним, до перехода на техпроцессы производства флеш-памяти NAND 10-нм класса память выпускалась в виде горизонтальных массивов (планарная память). Но с переходом к 20–15-нм нормам производства объём ячейки снизился настолько, что количества электронов в объёме материала ячейки банально стало мало для надёжного удержания заряда. Как следствие, число циклов стирания снизилось до нескольких десятков, а также ухудшились другие электрические характеристики памяти.

В этот период на выручку пришла память 3D NAND. Планарную ячейку со всеми её структурами развернули из горизонтального положения и ориентировали в вертикальное. Тем самым была сохранена площадь кристалла на пластине (читай — себестоимость), а ёмкость памяти можно было наращивать за счёт новых слоёв до 24, 32, 64, 128, 176 и больше, как в последних передовых чипах 3D NAND. За счёт перехода на вертикальное расположение ячеек их размеры значительно увеличились — до 30–50 нм — с шагом между ячейками до 140 нм. Этого с головой хватило для повышения устойчивости к износу без жертв для дальнейшего наращивания плотности записи.

Но в будущем, при переходе к производству 3D NAND с 500 и большим числом слоёв технологические трудности будут нарастать, считают специалисты бельгийского центра IMEC. Поэтому есть смысл уменьшить размеры уже вертикально расположенных ячеек памяти, чтобы повысить плотность памяти 3D NAND без наращивания числа слоёв. Сделать это можно за счёт разделения вертикальных каналов памяти надвое и одновременно за счёт перехода от круглого профиля канала к прямоугольному (вытянутому или, иначе, траншейному).

В современной памяти 3D NAND затвор охватывает кольцевой вертикальный канал со всех сторон. Переход к прямоугольному каналу позволит разделить затвор на два независимых и, следовательно, создаст в слое вокруг канала уже две отдельные ячейки. Прямоугольная (траншейная) форма канала обеспечит условия, чтобы объём ячейки при этом сильно не пострадал. Электрические характеристики памяти несколько ухудшатся, но незначительно, а плотность записи резко возрастёт без значительного усложнения технологии производства.

 Источник изображения: Macronix

Относительное сравнение 3D NAND с затворами GAA и SGVC. Источник изображения: Macronix

Нечто подобное в своё время предлагала тайваньская компания Macronix. Как и IMEC она разделила вертикальные каналы на две независимые структуры, каждая из которых работала со своими ячейками. Вероятно за эту разработку позже компания Toshiba выплатила Macronix компенсацию.

В IMEC считают, что переход на траншейную форму ячеек в памяти 3D NAND позволит сократить шаг между ячейками до 30 нм с нынешних 140 нм. Это тот запас, который позволит не жертвовать объёмом каждой вертикальной ячейки в случае их разделения на две в каждом слое. И это же позволит до двух раз увеличить плотность записи без увеличения числа вертикальных слоёв в памяти 3D NAND.

Apple рассмотрит возможность использования памяти YMTC китайского производства

В 2016 году китайская компания YMTC при поддержке материнского холдинга Tsinghua Unigroup начала вкладывать серьёзные средства в развитие отечественного производства микросхем твердотельной памяти типа 3D NAND, и к настоящему времени ей в технологическом плане удалось приблизиться на расстояние одного поколения к мировым лидерам. Важной вехой в продвижении продукции YMTC может стать её использование компанией Apple.

 Источник изображения: YMTC

Источник изображения: YMTC

Первоначально YMTC свою флеш-память поставляла на внутренний рынок КНР, где она использовалась для производства персональных ПК и твердотельных накопителей, не говоря уже о мобильных устройствах. В прошлом году было освоено производство 128-слойной памяти типа QLC 3D NAND, в этом отношении «китайский новичок» не так уж сильно отстаёт от мировых лидеров.

Агентство Bloomberg со ссылкой на свои источники сообщило, что Apple обеспокоилось поисками альтернативных поставщиков твердотельной памяти для своих электронных устройств после того, как производственные дефекты в феврале поставили под сомнение способность Kioxia поставить в текущем периоде запланированное количество микросхем памяти. Сейчас Apple и её подрядчики уже используют память производства той же Kioxia, а также Micron Technology и Samsung Electronics. Считается, что потери от происшествия на производстве Kioxia смогут восполнить корейские поставщики, но Apple данная ситуация подтолкнула к изучению возможности сотрудничества с китайской YMTC.

Во всяком случае, использование памяти YMTC снижает логистические риски, создаваемые пандемией, поскольку предприятия по сборке iPhone и производству памяти этой марки расположены в Китае, трансграничные поставки для реализации этой схемы не требуются. Кроме того, память YMTC может оказаться дешевле зарубежных аналогов, а для Apple в условиях роста стоимости многих компонентов важен каждый цент экономии.

Впрочем, пока возможность такого сотрудничества может ограничиваться политическими соображениями, особенно учитывая близость холдинга Tsinghua Unigroup к альма-матер действующего главы китайского правительства Си Цзиньпина. Путь памяти YMTC в перечень закупаемых Apple компонентов не будет коротким и быстрым — тому же поставщику дисплеев BOE Technology пришлось несколько лет доказывать свою надёжность. Эксперты считают, что память YMTC может прописаться не только в iPhone SE, но и в будущих моделях более высокого уровня типа iPhone 14, но доля китайской памяти в общей производственной программе смартфонов Apple вряд ли превысит 5 %. Как поясняют источники, финансовые проблемы Tsinghua Unigroup на деятельности дочерней YMTC пока никак не сказываются.

Kioxia полностью восстановила производство памяти в Японии после инцидента с загрязнением материалов

В конце января японская компания Kioxia Holdings столкнулась с загрязнением материалов на двух предприятиях, которые одновременно обслуживают и нужды Western Digital. Лишь к минувшей среде удалось вернуть объёмы производства памяти типа 3D NAND к нормальному уровню. Ожидается, что потери в результате инцидента будут измеряться 6,5 Эбайт (6,5 млн Тбайт) флеш-памяти.

 Источник изображения: Kioxia, Nikkei Asian Review

Источник изображения: Kioxia, Nikkei Asian Review

Пока устранялись последствия инцидента, Kioxia и Western Digital продолжали снабжать клиентов твердотельной памятью из имеющихся запасов, но провал в поставках неизбежно возникнет позже. По оценкам TrendForce, во втором квартале это будет способствовать росту цен на мировом рынке твердотельной памяти на 5–10 %. Компании Kioxia и Western Digital в 2020 году сообща контролировали примерно треть этого рынка, поэтому влияния инцидента на цены будет сложно избежать.

После ЧП и закрытия заводов Western Digital уже пересмотрела свои прогнозы по выручке и прибыли за текущем квартале. Теперь Western Digital рассчитывает получить около $4,2–4,4 млрд, тогда как прежний прогноз составлял $4,45–4,65 млрд. Квартальная прибыль сократится на 6 % или на $250 млн.

Прогнозы не включают предполагаемые затраты на восстановление повреждённых кристаллов NAND в размере 250–270 миллионов долларов — компании уже вложили средства в необходимые материалы и производственные процессы. Восстановление как можно большего количества повреждённых NAND кажется более разумным и экономичным шагом, даже если это приведёт к дополнительным расходам.

Напомним, что прочие производители твердотельной памяти тоже подвергались воздействию негативных факторов на протяжении последних месяцев. Например, компания Samsung Electronics в конце прошлого года была вынуждена сократить объёмы поставок памяти из-за остановки производства на предприятии в китайском Сиане, где местные власти ограничили перемещения жителей после вспышки коронавирусной инфекции.

Передовую 128-слойную китайскую NAND назвали всадником апокалипсиса на мировом рынке флеш-памяти

В невообразимо короткие сроки китайская компания YMTC подготовила и запустила производство первых конкурентоспособных китайских полупроводников в области флеш-памяти NAND — 128-слойных 512-Гбит микросхем 3D NAND TLC. Это настоящий шедевр, превосходящий все современные аналоги Samsung, SK Hynix, Micron и Intel. Быстрое наращивание производства китайской NAND навсегда изменит мировой рынок флеш-памяти и это время не за горами.

Массовые поставки новых чипов YMTC начала летом этого года с опозданием примерно на три квартала. По данным отраслевых источников, уровень выхода годных чипов остаётся очень низким — менее 50 %. Для сравнения, уровень брака при выпуске 64-слойной 3D NAND TLC у китайцев находится на уровне 15 %, что не дотягивает до идеального диапазона 5–8 %, но очень и очень неплохо для абсолютного новичка. Напомним, летом 2016 года первый 300-мм завод YMTC представлял собой только котлован под фундамент.

Высокий уровень брака при производстве 128-слойных чипов NAND компания YMTC компенсирует значительными объёмами производства, которые к настоящему времени достигают 80 тыс. 300-мм пластин в месяц. К концу года объёмы будут повышены до 100 тыс. 300-мм пластин в месяц и, очевидно, будет снижен уровень брака. В зависимости от темпов наращивания выпуска и по причине совершенствования производства вклад YMTC в мировой рынок NAND-флеш может составить от 4 % до 8 %. Аналитики Semianalysis, к примеру, считают наиболее вероятным последний вариант или рядом с ним.

Доля в 8% может показаться небольшой, но производство флеш-памяти крайне инерционно, как и инерционен рынок (спрос). Если Китай вдруг окажется с неожиданно большим предложением NAND и даже полностью закроет потребности внутреннего рынка, для мировых производителей флеш-чипов настанет «зима памяти». Чтобы выжить в новых условиях производителям придётся консолидироваться и менять подходы в работе. Например, вполне может произойти слияние компаний Kioxia и Western Digital. Кстати, Intel уже ушла от ответственности, договорившись продать флеш-бизнес компании SK Hynix.

Ещё одним звоночком для рынка NAND должно стать то, что производители промышленного оборудования для выпуска флеш-памяти переносят центр тяжести на Китай с Южной Кореи. В частности, компания Lam Research больше доходов теперь получает от Китая, а не из Южной Кореи. Подчеркнём, два безусловных лидера рынка NAND компании Samsung и SK Hynix больше не вкладывают в закупку оборудования так много, чтобы называться лидерами по развитию мощностей. Теперь эту миссию взял на себя Китай.

Пару слов о технологичности 128-слойной 3D NAND YMTC. Известные «потрошители» чипов — компания TechInsights — вскрыли китайскую флеш-память и выяснили, что она полностью отвечает заявленным характеристикам и заметно превосходит аналоги. В частности, битовая плотность чипа составляет 8,47 Гбит/мм2, что выше, чем у Samsung 128L 512 Гбит (6,91 Гбит/мм2). Иными словами, китайцы выпустили самую плотную для 128-слойных структур флеш-память.

Более того, они выпускают технологически более сложную память, поскольку используют при производстве «склеивание» двух пластин — совмещение массива ячеек NAND и управляющей логики. Это несколько дороже производства логики и массивов NAND на одной подложке, но позволяет быстро переходить на всё более ёмкие массивы. Это стало одним из факторов, позволивших YMTC выйти на рынок с конкурентоспособным продуктом.

Наконец, финансовые проблемы материнской компании YMTC — холдинга Tsinghua Unigroup — могут волновать только биржевых спекулянтов. Власти Китая не дадут обанкротиться компании, которая формирует фундамент национальной безопасности КНР. Поэтому YMTC до конца следующего года введёт в строй ещё один завод с мощностью 100 тыс. 300-мм подложек в месяц и достроит ещё два таких производства. Пройдёт ещё 10 лет, и Китай выйдет на уровень производства Samsung и SK Hynix. Для них и остальных жизнь уже не будет прежней.

Китайская YMTC начала массовые поставки 128-слойной 3D NAND локальным производителям SSD

Ещё в конце июня тайваньские СМИ сообщали, что китайская компания YMTC не успеет выйти на нужные объёмы массового производства 128-слойной памяти типа 3D NAND к концу года из-за проблем с покупкой технологического оборудования, но на днях стало известно, что массовые поставки подобной продукции на внутренний рынок КНР всё же начались.

 Источник изображения: DigiTimes

Источник изображения: DigiTimes

Расположенная в печально прославившемся на весь мир Ухане компания Yangtze Memory Technologies (YMTC) объявила о намерениях начать массовый выпуск 128-слойной памяти типа 3D NAND к концу 2020 года ещё прошлой весной, когда SK hynix и Micron Technology ещё не приступали к массовым поставкам 176-слойной памяти. Японская компания Kioxia позже заявила о разработке 162-слойной памяти 3D NAND в сотрудничестве с Western Digital, и только Samsung Electronics из-за своей ориентации на монолитную компоновку медлила с увеличением количества слоёв собственной твердотельной памяти.

Другими словами, начало выпуска китайской компанией YMTC твердотельной памяти с 128 слоями позволяло основанному лишь в 2016 году производителю уверенно дышать западным конкурентам в затылок. Как сообщило в конце прошлой недели издание Global Times, компании YMTC всё-таки удалось наладить массовое производство 128-слойной памяти типа 3D NAND. Твердотельные накопители марки Asgard, выпускаемые в Китае, уже перешли на использование 128-слойной памяти отечественного производства. Ранние образцы таких накопителей показали способность передавать информацию на операциях чтения со скоростью 7500 Мбайт/с и 5500 Мбайт/с — на операциях записи. Для китайских производителей памяти это очень важная веха в попытке обеспечить внутренний рынок современными технологиями и изделиями.

План китайской YMTC по запуску массового производства 128-слойной 3D NAND оказался сорван

Компания Yangtze Memory Technologies (YMTC) претендует не только на статус национального лидера в производстве твердотельной памяти типа 3D NAND, но и на серьёзную долю на мировом рынке. Как отмечают источники, пока реализации амбиций в соответствии с намеченным планом мешает задержка в освоении массового производства 128-слойных микросхем 3D NAND.

 Источник изображения: YMTC

Источник изображения: YMTC

Впервые об этом сообщило издание DigiTimes, а развивать тему взялись представители сайта Tom’s Hardware. Первоначально YMTC планировала к концу текущего года освоить выпуск до 100 тысяч кремниевых пластин с микросхемами 128-слойной памяти 3D NAND, но теперь становится ясно, что низкий уровень выхода годной продукции вынудит производителя сместить данный рубеж на 2022 год.

Как сообщается, в проблемах YMTC отчасти виноваты и американские санкции, запрещающие китайскому производителю получать современное литографическое оборудование в достаточных количествах для масштабирования производства памяти. Как только проблемы удастся решить, YMTC рассчитывает довести объёмы выпуска современной 128-слойной памяти типа 3D NAND до 300 тысяч кремниевых пластин в месяц. Основными потребителями памяти YMTC являются китайские производители смартфонов и твердотельных накопителей.

Для Kioxia лучшей альтернативой является публичное размещение акций, а не продажа активов

Появившиеся вчера слухи о намерениях Western Digital или Micron купить активы конкурирующей Kioxia могли бы считаться первоапрельским розыгрышем, если бы не рост курса акций двух первых компаний на 6,9 и 4,8 % соответственно, и акций Toshiba — на 4,6 %. Источники Bloomberg утверждают, однако, что Kioxia рассчитывает на IPO, а не продажу активов.

 Источник изображения: Getty Images

Источник изображения: Getty Images

Для действующих акционеров, включая Toshiba и Bain Capital, выход Kioxia на публичное размещение акций, который откладывался с момента обретения самостоятельности в 2018 году, является лучшим способом увеличить капитал и поддержать инвесторов. В этом убеждены опрошенные Bloomberg источники, знакомые с ситуацией. По оценкам независимых экспертов, сейчас Kioxia могла бы претендовать на величину капитализации в $36 млрд — это вдвое больше, чем в 2018 году. Представители компании не стали комментировать слухи, но подтвердили решимость Kioxia найти подходящее время для публичного размещения акций.

Для продажи активов ситуация на рынке далека от благоприятной, как считают эксперты. Kioxia является вторым по величине производителем твердотельной памяти с долей рынка 18,8 %. Лидером остаётся Samsung Electronics (33,7 %), Western Digital Corporation довольствуется третьим местом с 14,4 % рынка по версии Omdia, а Micron Technology при куда большей собственной капитализации ограничивается четвёртым местом и 11,3 % рынка. Обе последние компании — американские, и сделка подобного масштаба, которая создала бы способного соперничать с Samsung гиганта, неизбежно бы натолкнулась на противодействие антимонопольных органов, особенно китайских, которые недавно уже воспрепятствовали покупке японской Kokusai Electric американским производителем оборудования Applied Materials.

Конечно, участники сделки за счёт консолидации могли бы оптимизировать свои расходы, но количество игроков рынка сократилось бы с пяти до четырёх, и соблазнов для злоупотребления рыночными позициями стало бы больше. Этот фактор наверняка учитывали бы и антимонопольные органы других стран при согласовании сделки. Источники Bloomberg, тем не менее, не стали ставить крест на идее продажи активов Kioxia, ибо акционеры компании вроде той же Bain Capital могут рассматривать альтернативу грядущему IPO.

Противником сделки могла бы также выступить SK hynix, которая остаётся акционером Kioxia, а потому не заинтересована в передаче активов японского производителя в руки конкурентов. Эта корейская компания недавно договорилась с Intel о покупке бизнеса последней по производству памяти 3D NAND в Китае, чтобы лучше защитить себя от экспансии китайских конкурентов.

Американские регуляторы одобрили покупку SK Hynix китайского предприятия Intel

Комитет по иностранным инвестициям США одобрил сделку SK Hynix по покупке китайского предприятия Intel, специализирующегося на производстве твердотельной памяти. Соответствующая договорённость была достигнута ещё при прежнем генеральном директоре Роберте Своне (Robert Swan), после завершения сделки она позволит Intel выручить $9 млрд.

 Источник изображения: Bloomberg

Источник изображения: Bloomberg

Федеральная комиссия по торговле США тоже одобрила грядущую сделку, теперь южнокорейской компании SK Hynix предстоит получить одобрение компетентных органов в других заинтересованных странах, включая Великобританию и Китай. Для корейского производителя памяти сделка станет возможностью занять второе место в мире после Samsung и увеличить отрыв от китайских конкурентов.

Контроль над предприятием Intel в Даляне корейская компания получит только к концу текущего года. Первая фаза сделки подразумевает выплату $7 млрд, а оставшиеся $2 млрд необходимо будет заплатить к марту 2025 года. По данным TrendForce на четвёртый квартал 2020 года, Samsung контролировала 32,9 % рынка твердотельной памяти, SK Hynix довольствовалась 11,6 %, а доля Intel не превышала 8,6 %. Очевидно, что сделка с Intel позволит SK Hynix увеличить свою долю до 20 %. Корейский производитель рассчитывает в последующие за сделкой пять лет увеличить выручку от реализации твердотельной памяти в три с лишним раза. Половину суммы SK Hynix выплатит наличными, оставшиеся средства будут привлечены на долговом рынке.

Kioxia и Western Digital представили 162-слойную память 3D NAND

Японская компания Kioxia (бывшая Toshiba Memory) и её партнёр Western Digital вошли в клуб производителей 170-слойной флеш-памяти 3D NAND. Подобную память в виде опытных партий уже начали выпускать компании Micron Technology и SK Hynix. Увеличение числа слоёв более чем на треть снизит себестоимость хранения данных, что сделает SSD-накопители ещё более популярной продукцией.

 Завод Kioxia по производству памяти 3D NAND в Японии

Завод Kioxia по производству памяти 3D NAND в Японии

Правда, Kioxia не уточняет, когда начнёт выпускать новую память, которую она причисляет к фирменной флеш-памяти шестого поколения. Если верить сторонним источникам, это произойдёт в следующем году. Надо сказать, что компания и так чрезмерно загружена финансовыми обязательствами, чтобы начинать перестройку линий. Вскоре она начнёт строить новый завод для производства 3D NAND и лишних денег, вероятно, у неё нет.

Что касается новой разработки, то она представляет собой 162-слойную структуру 3D NAND. Это чуть меньше, чем в случае с 176-слойной 3D NAND Micron и 176-слойной 3D NAND SK Hynix. В то же время Kioxia утверждает, что она смогла на 10 % увеличить плотность размещения ячеек памяти в горизонтальной плотности, что вместе с увеличением слоёв со 112 до 162 в совокупности позволило уменьшить размер кристалла на 40 % по сравнению с памятью предыдущего поколения. Тем самым с каждой 300-мм пластины будет выходить на 70 % больше бит, чем в предыдущем поколении, а это прямой путь к снижению стоимости хранения данных.

Другим важным новшеством при производстве 162-слойной флеш-памяти 3D NAND стало размещение управляющих цепей (контроллера) под массивом памяти. Это не только уменьшило площадь чипа, но также увеличило производительность памяти. В Kioxia сообщают, что скорость работы выросла почти в 2,4 раза, как и на 10 % снизились задержки в режиме чтения. Вместе это на 66 % увеличило производительность операций ввода-вывода. Тем самым новая память стала не только дешевле и плотнее, но также существенно нарастила скорость работы, что можно только приветствовать.

Китайская YMTC хочет запустить опытное производство 192-слойной 3D NAND в середине этого года, раньше чем Samsung и Micron

Основанная в 2016 году китайская компания Yangtze Memory Technologies (YMTC) готова опередить Samsung и Micron на технологическом уровне, начав опытное производство 192-слойной памяти типа 3D NAND во втором полугодии. В то же время она осилит ежемесячный выпуск 100 тысяч кремниевых пластин в месяц, претендуя на 7 % мирового объёма.

 Источник изображения: AP

Источник изображения: AP

О наполеоновских планах молодой китайской компании YMTC в очередной раз сообщает издание Nikkei Asian Review. Её предприятие расположено в печально известном Ухане, но оно не прекращало работу даже в разгар эпидемии COVID-19 весной прошлого года, а ко второй половине текущего планирует удвоить объёмы выпуска кремниевых пластин до 100 тысяч штук в месяц. Лидер рынка в лице Samsung Electronics производит 480 тысяч кремниевых пластин, а крупнейший американский производитель — Micron Technology, выпускает ежемесячно 180 тысяч кремниевых пластин.

На рубеже обработки сотни тысяч кремниевых пластин в месяц YMTC может претендовать на 7 % мирового объёма производства микросхем памяти типа 3D NAND. Этим амбиции китайского производителя не ограничиваются. В июне прошлого года началось строительство второй фазы предприятия в Ухане, которая после ввода в строй позволит увеличить объёмы выпуска кремниевых пластин до 200 тысяч штук в месяц.

Следует учитывать, что Samsung и Micron только осваивают выпуск памяти с 176-слойной компоновкой, серийно она не поставляется, но YMTC уже рассчитывает обогнать именитых конкурентов, предложив клиентам 192-слойную память. Китайская компания освоила массовый выпуск 128-слойных микросхем 3D NAND в конце прошлого года, а её разработка была завершена в апреле того же года. У экспертов есть вопросы к качеству подобной продукции, поскольку уровень выхода годных изделий среди 128-слойной 3D NAND на конвейере YMTC не превышает 70 %. И всё же, сложно отрицать рвение китайской компании как в освоении новых технологий, так и в расширении производства.

Проблем ведущему китайскому производителю твердотельной памяти могут добавить как финансовые трудности материнского холдинга Tsinghua Unigroup, так и вероятные американские санкции, если доступ к зарубежному литографическому оборудованию для YMTC будет закрыт. Китайские власти заинтересованы в поддержке ведущего национального производителя, поэтому многое в его успехе будет зависеть от внешней политики США при новом президенте.

Новая статья: Итоги 2020 года: SSD-накопители

Данные берутся из публикации Итоги 2020 года: SSD-накопители

Kioxia построит ещё один завод по производству 3D NAND, чтобы удовлетворять огромный спрос

Прошло всего чуть больше месяца после того, как компания Kioxia (бывшая Toshiba Memory) объявила о планах построить новый завод по выпуску памяти 3D NAND в комплексе Иоккаити, а японцы спешат анонсировать ещё одну стройку! Сегодня компания сообщила, что начинает готовиться к строительству ещё одной фабрики в составе комплекса Китаками на севере страны. Спрос на флеш-память растёт быстрее производства. Надо успевать.

 Фабрика K1

Фабрика K1

Ранее мы сообщали, что завод K1 в Китаками в префектуре Иватэ, строительство которого стартовало в 2018 году, в первом квартале этого года начал выдавать первые коммерческие партии флеш-памяти. Сегодня Kioxia доложила, что для дальнейшего увеличения производства собственной 3D-флэш-памяти BiCS FLASH она построит завод K2. Цеха будут возведены на прилегающей к заводу K1 территории площадью 136 тыс. м2.

Подготовительные работы на территории будущего завода начнутся весной 2021 года и завершатся к весне 2022 года. Очевидно, корпуса будут возведены год спустя, а к концу 2023 года завод K2 сможет начать работу. Но компания пока не раскрывает ни инвестиционных планов в новое предприятие, ни его ожидаемых мощностей. Также следует ожидать, что строительство завода K2 будет вестись в партнёрстве с компанией Western Digital, как это происходило раньше. К слову, завод K1 работает на благо обеих компаний как часть совместного предприятия.

 «Чистая» комната на фабрике Kioxia и Western Digital

«Чистая» комната на фабрике Kioxia и Western Digital

В Kioxia отмечают, что спрос на память растёт в геометрической прогрессии, особенно на новых направлениях в автомобилях, 5G и машинном обучении. Поэтому сколько памяти ни выпускай, она всегда будет востребована.

window-new
Soft
Hard
Тренды 🔥
Microsoft отключила русскоязычную версию блога Xbox Wire 13 ч.
В Dying Light 2 появилась неофициальная поддержка масштабирования AMD FSR 2.0 17 ч.
EA раскритиковали за попытку пошутить над людьми, которым «нравятся только одиночные игры» 17 ч.
Windows 11 становится всё популярнее среди геймеров — в Steam эта ОС заняла более 20 % в июле 19 ч.
Новая статья: Neon White — неожиданный кандидат на «Игру года». Рецензия 03-07 00:22
Новая статья: Gamesblender № 577: цена прокачки в Diablo Immortal, Overwatch 2 вместо первой части и поиски виновных в багах Cyberpunk 2077 02-07 23:44
Meta закроет свой неудавшийся криптопроект Novi в сентябре 02-07 17:02
У витрины инди-игр itch.io появился клон — W3itch.io: его создатели признались в воровстве чужого кода 02-07 16:04
Первые подробности кампании Бакалавра в «Мор. Утопия»: без выживания и открытого мира, но с путешествием во времени 02-07 15:52
Крупнейший эмитент стейблкоинов Tether сократил долю коммерческих бумаг в резерве 02-07 14:56