Сегодня 20 июля 2024
18+
MWC 2018 2018 Computex IFA 2018
реклама
Теги → 3d nand
Быстрый переход

Китайская YMTC подала в суд на Micron за кражу 11 технологий компьютерной памяти

Американская компания Micron Technology не только стала мишенью китайских санкций, но и подверглась обвинениям со стороны китайского конкурента в лице компании YMTC, выпускающей твердотельную память типа 3D NAND. Этот китайский производитель на днях обвинил Micron в нарушении 11 своих патентов и подал иск в суде американской юрисдикции.

 Источник изображения: Micron Technology

Источник изображения: Micron Technology

Об этом сообщило на этой неделе агентство Bloomberg, сославшись на поданный YMTC в прошлую пятницу иск к американской компании Micron Technology в Федеральном окружном суде Северного округа Калифорнии. В нём Micron обвиняется китайской компанией YMTC в грубом нарушении законных прав этой компании на интеллектуальную собственность, защищаемую 11 патентами.

Этот иск был подан на следующий день после того, как суд в Техасе вынес решение в пользу компании Netlist, обвинявшей Micron в нарушении её прав на интеллектуальную собственность. Теперь Micron должна будет выплатить Netlist материальную компенсацию в размере $445 млн. В какую сумму оценивается ущерб по иску YMTC, не уточняется.

Это уже не первый случай судебного преследования Micron со стороны YMTC, первое дело такого плана начало рассматриваться американскими органами правосудия ещё в ноябре 2023 года. В том иске фигурировали технологии YMTC, имеющие отношение к выпуску и работе микросхем памяти типа 3D NAND. Уже в прошлом году YMTC начала снабжать своих клиентов 232-слойными чипами памяти этого типа, что вполне соответствует уровню технологических возможностей основных мировых конкурентов. Micron с мая прошлого года находится в Китае под санкциями, её продукция не может использоваться в объектах критической информационной инфраструктуры. Теперь китайская компания пытается преследовать американского конкурента на родной для него земле.

Kioxia приступила к массовому производству передовой 218-слойной памяти 3D NAND

Производители твердотельной памяти увеличивают плотность хранения информации как за счёт увеличения количества бит на одну ячейку, так и за счёт увеличения количества слоёв в микросхеме. Kioxia в этом отношении продвинулась до 218 слоёв, начав массовое производство соответствующей памяти 3D NAND на своём предприятии в Японии в этом месяце.

 Источник изображения: Kioxia

Источник изображения: Kioxia

Данную новость опубликовало агентство Nikkei, сообщив о способности Kioxia тем самым увеличить ёмкость микросхем памяти примерно на 50 % и снизить энергопотребление на 30 % по сравнению с существующей продукцией этой марки. Этот же источник сообщает, что помимо спроса со стороны систем искусственного интеллекта, общее оживление рынка твердотельной памяти привело к тому, что в июне степень загрузки предприятий Kioxia вернулась к 100 %. До этого с октября 2022 года компании приходилось планомерно снижать объёмы выпуска памяти из-за перенасыщения рынка, и самые значительные сокращения достигали 30 %.

Компания Kioxia, унаследовавшая бизнес по производству твердотельной памяти от Toshiba Memory Corporation, до конца октября рассчитывает выйти на фондовый рынок. Именно восстановление спроса на 3D NAND подтолкнуло Kioxia к более активным действиям на этом направлении, поскольку благоприятная ситуация на рынке памяти должна привлечь к акциям компании большее количество инвесторов. Впрочем, если в указанные сроки компании не удастся провести IPO, оно может быть отложено до декабря текущего года.

К 2027 году Kioxia рассчитывает увеличить количество слоёв памяти до 1000 штук, но некоторые участники рынка считают, что подобные темпы экспансии не будут экономически себя оправдывать. Недавно компания также объявила о начале поставок микросхем 3D QLC NAND, построенных на кристаллах BiCS восьмого поколения ёмкостью 2 терабита. Одна микросхема такой памяти может хранить до 4 Тбайт информации.

Kioxia к 2027 году рассчитывает увеличить количество слоёв 3D NAND до 1000 штук

На технологической конференции в Сеуле, по данным PC Watch, компания Kioxia продемонстрировала намерения к 2027 году наладить выпуск микросхем 3D NAND с увеличенным до 1000 штук количеством слоёв. Плотность хранения информации в данном случае вырастет до 100 Гбит/мм2. Для сравнения, ещё в 2022 году наличие 238 слоёв у микросхем 3D NAND считалось хорошим результатом.

 Источник изображения: Kioxia

Источник изображения: Kioxia

При этом в 2014 году память 3D NAND вообще довольствовалась 24 слоями, поэтому за последующие восемь лет их количество увеличилось в десять раз. Если подобные темпы роста (1,33 в год) сохранятся и дальше, то Kioxia рассчитывает на увеличение количества слоёв 3D NAND до 1000 штук к 2027 году. Плотность хранения данных в 3D NAND достигается не только увеличением количества слоёв. Вертикальные и поперечные размеры ячейки памяти также уменьшаются, а количество хранимых в них битов информации увеличивается. Например, QLC предлагает хранить в одной ячейке четыре бита информации, тогда как TLC обеспечивала только три бита на ячейку.

По мере увеличения количества слоёв 3D NAND возникают проблемы с травлением отверстий, необходимых для межслойного соединения чипов друг с другом. Более глубокие каналы обладают более высоким сопротивлением, и для формирования межслойных соединений требуются новые материалы со специфическими свойствами, а также новые методы их обработки. Например, на смену поликристаллическому кремнию приходит монокристаллический. Kioxia также рассчитывает заменять проводники внутри каждого слоя 3D NAND с вольфрамовых на молибденовые для снижения сопротивления и уменьшения задержек.

Производственный партнёр Kioxia в лице корпорации Western Digital попутно говорит о проблеме роста капитальных затрат по мере увеличения количества слоёв в памяти 3D NAND, а также снижении экономической эффективности подобной миграции. Себестоимость производства памяти по мере увеличения количества слоёв снижается всё меньше и меньше. Скорее всего, именно экономические причины вынудят производителей 3D NAND замедлить темпы «гонки за увеличением количества слоёв».

Сейчас Kioxia и Western Digital выпускают память поколения BiCS 8 в 218-слойном исполнении. Поколения BiCS 9 и BiCS 10 обеспечат увеличение количества слоёв до 300 и 400 штук. Американский производитель не хотел бы по экономическим соображениям поддерживать существующие темпы увеличения количества слоёв памяти 3D NAND.

Твердотельная память внутри смартфонов Huawei Pura 70 произведена китайской YMTC

Когда на этой неделе у специалистов iFixit дошли руки до вскрытия смартфона Huawei Pura 70 Pro, достоверно судить о происхождении микросхемы NAND внутри нового смартфона китайской марки они судить не могли, просто предположив, что к её выпуску причастна дочерняя компания HiSilicon. Эксперты TechInsights утверждают, что на самом деле это была специализирующаяся на данном виде продукции YMTC.

 Источник изображения: Huawei Technologies

Источник изображения: Huawei Technologies

В подобном открытии нет ничего удивительного, учитывая формальное отставание крупнейшего в Китае производителя 3D NAND от своих зарубежных конкурентов от силы на пару ступеней технологического процесса. Тем более, что ещё пару лет назад Apple всерьёз рассматривала память YMTC в качестве твердотельного хранилища своих iPhone, и соответствующим планам помешало только ужесточение американских санкций.

Как поясняет Bloomberg со ссылкой на комментарии экспертов TechInsights, в составе смартфонов Huawei Pura 70 используется память типа 3D NAND производства китайской YMTC, выпущенная уже после 2023 года, поскольку об этом позволяют говорить некоторые технологические усовершенствования. Конечно, такие чипы 3D NAND всё ещё отстают от выпускаемых SK hynix, которая оказалась невольно причастной к оснащению прошлогодних смартфонов Huawei Mate 60 Pro, но вполне соответствуют современным требованиям со стороны производителей мобильных устройств.

Микросхема оперативной памяти DRAM в составе смартфонов Huawei Pura 70 произведена южнокорейской компанией Samsung Electronics, но её нельзя назвать ультрасовременной. Как поясняют представители TechInsights, данный чип по уровню технологического развития соответствует компонентам представленных в начале прошлого года флагманских смартфонов Samsung Galaxy S23+, что для условий сохраняющихся санкций в отношении Huawei не так уж плохо. Когда SK hynix в прошлом году пришлось оправдываться по поводу появления своей памяти NAND в составе Huawei Mate 60, компания заявила, что китайский производитель мог использовать запасы микросхем памяти, созданные ещё в 2020 году до введения специфических санкций США. По прогнозам TechInsights, в этом году Huawei сможет отгрузить на рынок около 10,4 млн смартфонов семейства Pura.

Samsung начала выпуск TLC 3D V-NAND 9-го поколения с рекордным по скорости интерфейсом

Компания Samsung сообщила, что начала массовое производство флеш-памяти 3D V-NAND TLC 9-го поколения ёмкостью 1 Тбит. Новые чипы предлагают повышенную плотность и энергоэффективность по сравнению микросхемами памяти 3D V-NAND TLC 8-го поколения.

 Источник изображения: Samsung

Источник изображения: Samsung

Производитель не уточнил количество слоёв, использующихся в составе памяти 3D V-NAND TLC 9-го поколения ёмкостью 1 Тбит, а также техпроцесс, который используется для их производства. Однако Samsung отметила, что благодаря самому компактному в отрасли размеру ячеек битовая плотность чипов 3D V-NAND TLC 9-го поколения была улучшена примерно на 50 % по сравнению с памятью 3D V-NAND TLC предыдущего поколения. Производитель также сообщил, что в новых микросхемах памяти применяется технология предотвращения помех, у ячеек увеличен срок службы, а отказ от фиктивных отверстий в токопроводящих каналах позволил значительно уменьшить планарную площадь ячеек памяти.

Флеш-память 3D V-NAND TLC 9-го поколения оснащена интерфейсом нового поколения Toggle 5.1, который увеличил скорость ввода/вывода данных на 33 % до 3,2 Гбит/с на контакт. Наряду с этим компания сократила энергопотребление на 10 % относительно прошлого поколения.

Во второй половине года Samsung планирует начать производство 3D V-NAND девятого поколения ёмкостью 1 Тбит с ячейками QLC.

Samsung начнёт выпускать 290-слойные чипы 3D NAND уже в этом месяце, а 430-слойные — в следующем году

Компания Samsung Electronics начнёт массовое производство 290-слойных чипов флеш-памяти 9-го поколения 3D V-NAND уже в этом месяце, пишет южнокорейское издание Hankyung, ссылающееся на индустриальные источники. В следующем году производитель планирует выпустить 430-слойные чипы флеш-памяти NAND.

 Источник изображений: Samsung

Источник изображений: Samsung

Чипы Samsung 3D V-NAND 9-го поколения с 290 слоями будут выпускаться с использованием технологии двойного штабелирования, которую Samsung впервые применила в 2020 году при производстве 176-слойных микросхем 3D NAND 7-го поколения. Метод подразумевает создание массива чипов 3D NAND на кремниевых пластин диаметром 300 мм, после чего две такие пластины накладываются друг на друга и спаиваются, а затем нарезаются на отдельные чипы, представляющие собой двойные стеки.

Ранее в полупроводниковой индустрии ходили разговоры, что производство чипов флеш-памяти NAND с количеством слоёв около 300 потребует укладки друг на друга трёх пластин из-за технологических ограничений метода двойного стека. Однако, как сообщается, Samsung усовершенствовала процесс двойного штабелирования и теперь будет использовать его для производства памяти NAND с 290–300 слоями.

Во второй половине следующего года компания собирается перейти к производству 10-го поколения флеш-памяти 3D V-NAND с 430 слоями. Именно здесь начнёт применяться укладка трёх пластин друг на друга, пишет южнокорейское издание, ссылающееся на данные исследовательской фирмы Tech Insights. Как отмечается, производитель собирается пропустить выпуск чипов памяти NAND с более чем 300 слоями и сразу перейти к производству 430-слойных микросхем.

Конкуренты Samsung тоже не сидят без дела. С начала следующего года SK hynix собирается начать массовый выпуск 321-слойных чипов флеш-памяти NAND, но будет для этого «спаивать» три пластины с чипами. Китайский производитель памяти YMTC, который в настоящий момент выпускает 232-слойную память NAND, планирует выйти на производство 300-слойных чипов памяти во второй половине текущего года.

Kioxia планирует начать массовое производство 1000-слойных чипов флеш-памяти 3D NAND к 2031 году

Компания Kioxia планирует перейти к массовому производству чипов флеш-памяти 3D NAND с более чем 1000 слоёв к 2031 году. Об этом, как пишет издание Xtech Nikkei, на лекции в ходе 71-го весеннего собрания Общества прикладной физики в Токийском университете сообщил технический директор Kioxia Хидефуми Миядзима (Hidefumi Miyajima). В рамках своего выступления он затронул вопросы, связанные с техническими проблемами и способами их решения для создания 1000-слойных чипов 3D NAND.

 Источник изображения: Kioxia

Источник изображения: Kioxia

Увеличение количества активных слоёв в чипах флеш-памяти 3D NAND в настоящее время является лучшим способом повысить плотность записи на такие микросхемы. Все производители памяти 3D NAND стремятся увеличивать количество слоёв в составе чипов с помощью более передовых техпроцессов каждые 1,5–2 года. Каждый переход на новый техпроцесс сопряжён с рядом проблем, поскольку производителям 3D NAND приходится не только увеличивать количество слоев, но также сжимать ячейки NAND как по горизонтали, так и по вертикали. Это требует от производителей использования новых материалов, что является настоящей головной болью для специалистов их научно-исследовательских центров.

На сегодняшний день самыми передовыми чипами флеш-памяти 3D NAND в ассортименте Kioxia являются BiCS 3D NAND 8-го поколения с 218 активными слоями и скоростью передачи данных 3,2 Гбит/с. Они были представлены производителем в марте 2023 года. В этом поколении флеш-памяти представлена новая архитектура CBA (CMOS directly Bonded to Array), предлагающая отдельное производство пластин массива ячеек памяти 3D NAND и пластин CMOS ввода-вывода, а затем их последующее объединение с помощью наиболее подходящих для этих целей технологий. В результате получается продукт с повышенной битовой плотностью и улучшенной скоростью ввода-вывода NAND, на основе которого можно создавать одни из самых лучших твердотельных накопителей на рынке.

Компания Kioxia и её производственный партнёр Western Digital не раскрывают всех подробностей архитектуры CBA. Неизвестно, включают ли CMOS-платы ввода-вывода дополнительные периферийные схемы NAND, такие как страничные буферы, усилители считывания и зарядовые насосы. Однако применение метода раздельного производства ячеек памяти и периферийных схем позволяет производителям использовать для создания того или иного компонента памяти 3D NAND наиболее эффективные технологические процессы.

Следует напомнить, что компания Samsung ещё в 2022 году подтвердила планы начать выпуск 1000-слойной флеш-памяти 3D NAND к 2030 году.

YMTC увеличила ресурс перезаписи флеш-памяти QLC до уровня старой TLC

Эволюция флеш-памяти с точки зрения плотности хранения информации подразумевает, что чем больше зарядов (бит) хранятся в ячейке, тем ниже эксплуатационный ресурс такой памяти. Китайская компания YMTC не согласна с этим и утверждает, что её микросхемы 3D NAND типа QLC по своей долговечности способны превосходить ячейки памяти типа TLC.

 Источник изображения: YMTC

Источник изображения: YMTC

Память QLC в одной ячейке способна хранить четыре бита информации, а TLC — только три, и исторически считалось, что последняя выигрывает с точки зрения своей долговечности по количеству циклов перезаписи. По информации ресурса ITHome, на которую ссылается Tom’s Hardware, компания YMTC заявляет для своих 128-слойных микросхем X3-6070 типа 3D QLC NAND ресурс в 4000 циклов перезаписи. Это как минимум сопоставимо с ресурсом микросхем TLC, достигаемым за счёт оптимизации на уровне контроллеров и применяемых при производстве памяти материалов.

Изначально было принято считать, что память типа QLC способна переносить от 100 до 1000 циклов перезаписи, но и здесь усилия крупных производителей привели к тому, что этот показатель заметно увеличился. YMTC сочла нужным акцентировать внимание на своих достижениях в этой области, хотя очевидно, что они не столь уж уникальны. Память YMTC данной серии уступает конкурирующим решениям по количеству слоёв, поскольку соперники предлагают 176-слойные и более продвинутые микросхемы QLC.

В составе твердотельного накопителя PC41Q потребительского класса YMTC использует 128-слойную память QLC серии X3-6070, предлагая скорости передачи информации до 5000 Мбайт/с и способность хранить информацию при температуре 30 градусов Цельсия на протяжении не менее чем одного года. Время наработки на отказ составит 2 млн часов. Данные показатели отстают от показателей современных SSD на памяти TLC. Тем не менее, компания YMTC даже готова использовать микросхемы QLC в твердотельных накопителях корпоративного класса, где важна надёжность и долговечность.

Обновлено: стоит отметить, что память TLC демонстрировала ресурс в 3000 циклов перезаписи ещё в 2018 году, а к настоящему моменту производители смогли добиться от неё значительно более высокой выносливости, вплоть до 10 тыс. циклов перезаписи.

YMTC назвала новейшие американские санкции совершенно безосновательными

Недавнее включение китайской компании YMTC в так называемый список 1260H американским военным ведомством определённо создаст крупнейшему производителю твердотельной памяти в КНР определённые трудности, но свою причастность к поддержке китайской армии он всячески отрицает и считает шаги американской стороны несправедливыми и безосновательными.

 Источник изображения: YMTC

Источник изображения: YMTC

Как отметило издание South China Morning Post, представители YMTC не только опровергли любую причастность компании к выполнению оборонных заказов в Китае, но и заявили о своей готовности вести переговоры с Вашингтоном об исключении этого производителя памяти из злополучного списка 1260H. Для самой компании появление её имени в данном перечне стало полнейшим сюрпризом, и в YMTC подчёркивают, что её продукция не годится для применения в оборонной сфере в принципе. Никто из клиентов YMTC никогда не декларировал использование памяти этой марки для создания техники оборонного назначения.

Более того, YMTC подчёркивает, что является частной компанией без каких-либо связей с оборонным ведомством КНР, и все обвинения в наличии угрозы с её стороны для американской национальной безопасности считает беспочвенными. Включение в список 1260H, как поясняет источник, потенциально грозит YMTC не только отказом американских клиентов от сотрудничества в оборонной сфере, но и блокировкой финансовых операций за пределами Китая со стороны профильных органов власти США.

С декабря 2022 года YMTC находится под санкциями США, касающимися экспорта из страны технологий и оборудования для производства памяти. В условиях таких ограничений компании пришлось активнее приобретать оборудование китайского производства. Скорее всего, поводом для новых санкций со стороны США стали крупные инвестиции в капитал YMTC, якобы полученные от поддерживаемых государством фондов в Китае.

Южнокорейская полупроводниковая отрасль разрывается между Китаем и США в условиях санкций

Южнокорейские производители памяти, которые сообща контролируют 60 % мирового рынка, в условиях нарастающего противостояния США и Китая, оказались буквально между двух огней. С одной стороны, им удалось добиться послаблений от властей США для развития своего бизнеса в Китае. С другой стороны, Китай является крупнейшим внешнеторговым партнёром Южной Кореи, а полупроводниковая отрасль остаётся важнейшей частью национальной экономики.

 Источник изображения: SK hynix

Источник изображения: SK hynix

Как поясняет South China Morning Post, дипломатические усилия южнокорейских властей привели к тому, что южнокорейские компании Samsung Electronics и SK hynix получили право поставлять в Китай оборудование для производства памяти в обход общепринятых экспортных ограничений со стороны США. При этом, как долго будут действовать подобные послабления, сказать сложно, но американская экономика в сохранении такого положения дел тоже заинтересована, поскольку Южная Корея выпускает почти 60 % микросхем памяти DRAM и NAND, реализуемой на мировом рынке.

Отказавшись от намерений самостоятельно выпускать флеш-память, корпорация Intel в конце 2021 года продала своё предприятие в китайском Даляне южнокорейской компании SK hynix за $9 млрд. На следующий год американские власти начали ограничивать инвестиции производителей памяти в китайскую экономику, но представители SK hynix заявляют, что у них по-прежнему нет намерений избавляться от китайского предприятия.

Предприятие SK hynix в Даляне в условиях американских санкций могло бы стать для компании обузой, и развитие соответствующей площадки пока идёт с пробуксовкой. Корейские инвесторы уже построили корпус нового предприятия рядом с существующим, но пока не торопятся оснащать его необходимым оборудованием. Расплачиваться за эту покупку SK hynix предстоит до следующего года включительно, а на фасаде предприятия до сих пор красуется логотип Intel. По мнению аналитиков, SK hynix старается избегать резких движений в год президентских выборов в США, поскольку смена политической конъюнктуры может помешать компании развивать свой бизнес на территории КНР.

Ситуация породила слухи о намерениях SK hynix продать предприятие в Даляне, но руководство компании в прошлом году в очередной раз опровергло эту информацию: «Мы вообще не рассматриваем возможность продажи своих предприятий в Даляне. SK hynix продолжит свою деятельность в Китае, одновременно соблюдая законы в тех юрисдикциях, в которых ведёт бизнес, и делая свой вклад в развитие полупроводниковой отрасли в целом» . Важно отметить, что корейские производители памяти сильно зависят от американских поставщиков оборудования для выпуска своей продукции, поэтому пренебрегать интересами американских партнёров они не могут ещё и по этой причине.

Международный валютный фонд уже предупредил, что Южная Корея может сильнее прочих государств Азиатско-Тихоокеанского региона пострадать в результате так называемой торговой войны между США и КНР, выражающейся в постоянном расширении взаимных ограничений на оборот капитала и товаров между двумя этими странами. Компаниям Samsung Electronics и SK hynix даже пришлось повысить расходы на лоббирование своих интересов как внутри Южной Кореи, так и на уровне правительственных структур США. Как можно судить по предоставленным компаниям льготам на работу в Китае, пока эти усилия приносят свои плоды, но что произойдёт после ноябрьских выборов президента США, никто с уверенностью сказать не может.

Для самой Южной Кореи китайский рынок остаётся крупнейшим с точки зрения товарооборота, но США занимают второе место, а также обеспечивают безопасность самого азиатского государства, поэтому местным политикам приходится соблюдать шаткий баланс интересов. Непосредственно SK hynix, которая является вторым по величине производителем памяти в мире, 27 % своей выручки получает именно на китайском рынке.

При этом сторонние эксперты отмечают, что корейские компании стали наращивать экспорт продукции в США весьма активно, и это направление поставок впервые более чем за двадцать лет затмило по своим оборотам китайское к началу текущего года. Если конфронтация между США и КНР продолжит усиливаться, корейским производителям придётся в определённых условиях делать непростой выбор.

Флеш-память NAND продолжит дорожать, чтобы производители вернулись к прибыльности — ещё как минимум на 40–50 %

В последние месяцы цены на флеш-память NAND росли после затяжного падения, но эксперты TrendForce поясняют, что текущий уровень ещё далёк от того, который обеспечит участникам рынка возврат к прибыльности. В результате в ближайшее время поставщики флеш-памяти будут вынуждены поднять цены как минимум на 40 %, чтобы уйти от убытков.

 Источник изображения: Samsung Electronics

Источник изображения: Samsung Electronics

Если же рассчитывать на получение прибыли, то производителям памяти нужно будет поднять цены на 50 % или даже выше, как убеждены представители TrendForce. По итогам прошлого квартала южнокорейская компания Samsung Electronics занимала первое место на рынке памяти типа NAND в показателях выручки с долей 31,4 %. На втором месте располагалась SK Group, в состав которой входят SK hynix и Solidigm (бывший бизнес Intel), с долей 20,2 %. Замыкает тройку лидеров американская Western Digital с долей рынка 16,9 %, а её партнёр Kioxia, с которой в этом году не состоялась сделка по объединению, довольствуется четвёртым местом и 14,5 % рынка.

 Источник изображения: TrendForce

Источник изображения: TrendForce

Крупные игроки рынка продолжают сокращать объёмы производства памяти типа NAND, поскольку этот вид продукции обеспечивает меньшую прибыль по сравнению с DRAM. Та же Samsung, например, с сентября текущего года сократила объёмы выпуска микросхем типа NAND на 50 % от максимально возможных. Предпочтение сейчас отдаётся выпуску 128-слойной памяти типа 3D NAND. В целом на рынке твердотельной памяти в некоторых сегментах уже наблюдается дефицит продукции, и это позволяет участникам двигать цены вверх. При этом точка окупаемости ещё не достигнута, и для её достижения поставщики микросхем NAND должны повысить цены ещё минимум на 40 %. В ближайшие кварталы цены будут только расти, как резюмируют специалисты TrendForce.

Китайская YMTC подала в суд на Micron Technology за кражу технологий памяти 3D NAND

Китайские производители чипов или оборудования для их производства периодически становятся подозреваемыми в делах о промышленном шпионаже, но существуют и противоположные по схеме взаимодействия прецеденты. Недавно китайская компания YMTC обвинила американского производителя памяти Micron Technology в нарушении восьми своих патентов.

 Источник изображения: Micron Technology

Источник изображения: Micron Technology

Как сообщает Reuters, девятого ноября YMTC подала иск в Федеральный окружной суд Северного округа Калифорнии, обвинив в нарушении прав на использование интеллектуальной собственности Micron Technology и её подразделение по работе с потребительскими продуктами Micron Consumer Product Group. Какие именно технологии Micron, по мнению YMTC, незаконно у неё позаимствовала, не уточняется, но американская компания обвиняется истцом в использовании интеллектуальной собственности YMTC для конкуренции с этой компанией и укрепления своих позиций на рынке.

Представители YMTC в комментариях Reuters подтвердили существование такого иска, заодно пояснив, что он имеет отношение к патентам компании, описывающим технологии разработки, изготовления и функционирования памяти типа 3D NAND. Напомним, что китайская YMTC с лета начала снабжать своих клиентов 232-слойной памятью типа 3D NAND, вплотную приблизившись к технологическим возможностям зарубежных конкурентов, а в показателях плотности хранения информации даже превзойдя их. Представители YMTC выразили надежду, что иск будет рассмотрен органами правосудия США в сжатые сроки.

Напомним, что с мая текущего года продукция Micron Technology, в соответствии с решением китайских властей, не может использоваться на объектах критически важной информационной инфраструктуры КНР. При этом сама компания Micron не отказывается от намерений вложить $603 млн в расширение китайских мощностей по тестированию и упаковке памяти. От выпуска чипов типа DRAM на территории КНР она отказалась в прошлом году, хотя до этого китайский рынок обеспечивал до половины всей выручки Micron. В прошлом году эта доля не превысила 16 %. В 2018 году Micron обвинила в хищении своей интеллектуальной собственности китайскую компанию Fujian Jinhua, так что взаимоотношения с местными производителями у неё уже давно не самые благоприятные.

Samsung начнёт массовое производство 300-слойной 3D NAND в следующем году

Президент и глава подразделения памяти Samsung Electronics Юнг-Бэ Ли (Jung-Bae Lee) сообщил в своём блоге, что в начале 2024 года компания начнёт массовое производство памяти 3D NAND 9-го поколения с более чем 300 слоями. Это позволяет ожидать появления до конца 2024 года новых и более ёмких SSD Samsung, плотность записи у которых будет оставаться самой высокой в отрасли.

 Источник изображения: Samsung

Источник изображения: Samsung

Интересно отметить, что первой о намерении преодолеть рубеж в 300 слоёв в составе памяти 3D NAND сообщила компания SK Hynix. В августе этого года на мероприятии Flash Memory Summit (FMS) 2023 она показала образец 321-слойной 3D NAND. Компания Samsung не раскрывает детали о своей разработке, но обещает, что это будет самая многослойная память в индустрии. Она даже может быть с меньшим чему у SK Hynix количеством слоёв, ведь свою передовую память конкурент Samsung начнёт выпускать лишь к середине 2025 года.

Ещё одним различием 300-слойной памяти Samsung и SK Hynix станет их компоновка. Если SK Hynix намерена выпускать 321-слойные чипы в виде стека из трёх установленных друг на друга блоков, то Samsung обещает запустить в производство двухстековые структуры. Каждый из блоков изготавливается на кремниевой подложке в собственном цикле и после порезки из них монтируются готовые чипы в виде стековых конструкций. Очевидно, что двухстековые структуры Samsung будут проще, надёжнее и, возможно, дешевле трёхстековых структур SK Hynix. Но есть нюанс: в каждом блоке памяти Samsung будет больше слоёв, что делает их сложнее и дороже в изготовлении.

Также глава подразделения памяти Samsung сообщил, что специалисты компании работают над повышением производительности будущей памяти, а не только над увеличением её ёмкости. Прогресс не стоит на месте, и в совокупности с новым интерфейсом PCIe 5.0 мы можем достаточно скоро увидеть в продаже более совершенные SSD Samsung.

Samsung организует в Китае выпуск 236-слойной флеш-памяти 3D NAND

С 2014 года компания Samsung Electronics развивает свою производственную площадку в китайском городе Сиань, и в настоящее время она обеспечивает до 40 % объёмов выпуска микросхем памяти типа 3D NAND этой марки, но лишь в 128-слойном исполнении. Послабления в сфере экспортного контроля США позволят Samsung в следующем году наладить в Китае выпуск более современных 236-слойных микросхем.

 Источник изображения: Samsung Electronics

Источник изображения: Samsung Electronics

Перед этим компании предстоит до конца текущего года поставить на предприятие в Сиане необходимое для производства такой памяти технологическое оборудование, и в данном контексте снятие экспортных ограничений со стороны США на бессрочной основе пришлось весьма кстати, хотя подобными послаблениями компания уже пользовалась с октября прошлого года, но первично только в рамках двенадцатимесячного периода. Теперь же в политике властей США появилось больше ясности, и Samsung может приступить к программе модернизации своей китайской производственной площадки, которая является крупнейшей в мире по выпуску памяти типа 3D NAND.

Выпуск 128-слойной памяти в дальнейшем будет не так выгоден, и возникший на рынке избыток микросхем этого поколения Samsung сейчас может использовать для модернизации предприятия в Китае без ущерба для объёмов поставок. Тем более, что сам по себе переход от выпуска памяти шестого поколения (128 слоёв) к восьмому (236 слоёв) снижает производительность предприятия примерно на 30 % из-за возросшей продолжительности производственного цикла. В любом случае, из-за перепроизводства памяти китайское предприятие Samsung сейчас всё равно загружено примерно на 20 % от своих номинальных возможностей.

Переход на выпуск более современной 236-слойной памяти позволит Samsung в конечном итоге снизить себестоимость продукции и сохранить конкурентоспособность бизнеса в глобальных масштабах. Компания является крупнейшим производителем памяти в мире, для неё важно своевременно проводить модернизацию предприятий для поддержания этого статуса, и текущие правила экспортного контроля США ей в этом не препятствуют.

Tokyo Electron разработала оборудование для выпуска 400-слойной флеш-памяти 3D NAND

Для производства памяти типа 3D NAND, подразумевающей использование пространственной компоновки с вертикальными соединениями между слоями в чипах, требуется специальное оборудование, и до сих пор рынок полностью контролировала американская компания Lam Research. Японской Tokyo Electron удалось разработать более производительный метод выпуска таких микросхем, который позволит увеличить количество слоёв памяти до 400 штук.

 Источник изображения: Tokyo Electron

Источник изображения: Tokyo Electron

Как поясняет Nikkei Asian Review, в июне этого года компания Tokyo Electron представила свой метод травления отверстий для формирования вертикальных межсоединений в чипах памяти 3D NAND. Выпуск специализированного оборудования позволит Tokyo Electron бросить вызов американской Lam Research, а её клиентам предоставит возможность повысить производительность линий по выпуску памяти данного типа. По крайней мере, новый подход к травлению отверстий позволяет повысить производительность в два с половиной раза по сравнению с существующим.

Более того, разработанная японской компанией технология оказывает меньше пагубного воздействия на окружающую среду. По прогнозам Tokyo Electron, через два или три года клиенты компании смогут начать выпуск памяти типа 3D NAND с 400 слоями. Сегмент оборудования для травления отверстий в слоях микросхем 3D NAND сейчас является крупнейшим на рынке оборудования для травления кремниевых пластин. По прогнозам японского поставщика, ёмкость этого сегмента к 2027 году увеличится в четыре раза до $2 млрд по сравнению с текущим годом.

В прошлом фискальном году Tokyo Electron продала оборудования для травления на сумму не более $3,9 млрд, что соответствует примерно четверти её совокупной выручки. С помощью новой технологии компания рассчитывает как минимум удвоить профильную выручку. На рынке систем травления в полупроводниковой отрасли, чьи обороты в прошлом году достигли $20 млрд, компания Tokyo Electron довольствовалась вторым местом и долей в 25 %, тогда как лидером оставалась американская Lam Research, контролирующая половину сегмента. За последние пять лет Tokyo Electron на 77 % увеличила расходы на исследования и разработки, поэтому создание новой технологии травления отверстий в чипах 3D NAND стало закономерным итогом такой инвестиционной политики. В этом году компания рассчитывает потратить на исследования и разработки рекордные $1,34 млрд, даже несмотря на ожидаемое снижение прибыли. Компания уже использует искусственный интеллект для разработки новых материалов, применяемых в производстве. К 2025 году производители памяти начнут активно вкладываться в модернизацию своих предприятий, и Tokyo Electron на этом этапе получить возможность укрепить свои рыночные позиции.


window-new
Soft
Hard
Тренды 🔥
Chrome будет спрашивать у пользователей, зачем они скачивают подозрительные файлы 6 ч.
Вчерашний глобальный сбой Windows не затронул Россию 6 ч.
Proton выпустила ИИ-помощника для электронной почты, который работает на компьютере пользователя 7 ч.
С калькулятором точно надёжнее: Бирмингему грозит счёт на £12 млн за ручной аудит финансов после провального внедрения ERP Oracle Fusion 10 ч.
OpenAI повысит безопасность своих ИИ-моделей с помощью «иерархии инструкций» 14 ч.
«Решает проблемы с пугающей скоростью»: новый геймплейный ролик Warhammer 40,000: Space Marine 2 показал в действии разрушительный тяжёлый болтер 20 ч.
Новая статья: Concord — нормально, но не нужно. Предварительный обзор 20 ч.
AMD выпустила драйвер с поддержкой Zenless Zone Zero и Kunitsu-Gami: Path of the Goddess 20 ч.
Глобальный сбой Windows породил волну дезинформации и фейков 20 ч.
Вышел первый трейлер киберпанкового экшена .45 Parabellum Bloodhound, вдохновлённого Parasite Eve — игроки в восторге 21 ч.