Теги → 3d nand
Быстрый переход

Micron Technology начала поставлять клиентам образцы памяти типа HBM

В календаре Micron фискальный квартал завершился 28 мая, компания рассказала на отчётном мероприятии, какие технологические вехи преодолела в разгар пандемии. Образцы памяти класса HBM начали поступать к клиентам, производство оперативной памяти перешло на техпроцесс 1z нм, стартовали поставки 128-слойной NAND с замещающим затвором.

Источник изображения: Micron Technology

Источник изображения: Micron Technology

Долгое время Micron Technology со стороны наблюдала за выпуском памяти типа HBM корейскими конкурентами, но теперь и она перешла от разработки памяти данного класса к поставкам образцов клиентам. Подчёркивается, что HBM в исполнении Micron способна составить конкуренцию передовым продуктам, присутствующим на рынке, поэтому чисто технически наверняка уместно говорить о микросхемах типа HBM2 или даже HBM2e. Имена клиентов, получающих образцы этой памяти, Micron не называет, но подчёркивает, что с её помощью будут создаваться решения для систем искусственного интеллекта.

В сфере производства оперативной памяти Micron удалось технологически продвинуться до литографии ступени 1z нм. Фактически, это соответствует примерно 13-нм техпроцессу изготовления, и он является самым продвинутым в сегменте DRAM. Пока клиенты получают только образцы соответствующих микросхем, но Micron говорит о переводе на техпроцессы 1z и 1y нм до половины всего объёма выпускаемой DRAM. В следующем фискальном году, который наступит у Micron этой календарной осенью, компания рассчитывает начать выпуск памяти по техпроцессу 1α нм. Уже начались поставки микросхем DDR5, изготавливаемых по технологии 1z нм.

Источник изображения: Micron Technology

Источник изображения: Micron Technology

В минувшем квартале было налажено массовое производство 128-слойной памяти NAND с замещающим затвором, о которой компания рассказывала ещё в сентябре прошлого года. Клиенты уже получают соответствующие микросхемы. Отмечается хороший прогресс в сфере освоения выпуска памяти NAND с замещающим затвором второго поколения, которая в будущем займёт заметную часть ассортимента продукции Micron. Подобная память первого поколения к концу текущего календарного года тоже существенно увеличит свою долю в производственной программе компании.

Память 3D NAND с четырьмя битами на ячейку (QLC) теперь занимает более 10 % всего объёма выпускаемой твердотельной памяти Micron. Это способствует снижению производственных затрат, но в компании отдаёт себе отчёт в том, что память типа TLC ещё долго будет доминировать на рынке. Накопители на базе памяти типа QLC уже поставляются на потребительский рынок. В серверном сегменте они планомерно вытесняют жёсткие диски со скоростью вращения шпинделя 10 000 об/мин.

Накопители Micron с интерфейсом NVMe расширяют свой ассортимент, они уже предлагаются в потребительском секторе. В мае были представлены твердотельные накопители потребительского класса на базе памяти TLC и QLC соответственно. Оба типа накопителей используют 96-слойную память 3D NAND.

Китайский производитель памяти YMTC: успех без международной кооперации невозможен

Основанная в 2016 году китайская компания Yangtze Memory (YMTC) планирует к концу текущего года освоить выпуск 128-слойной памяти типа 3D NAND, но её представители призывают не перегибать с восторгами по поводу самодостаточности этого амбициозного игрока на мировом рынке памяти. Без международной кооперации добиться прогресса не сможет ни один производитель.

Источник изображения: Reuters

Источник изображения: Reuters

На мероприятии SEMICON China технический директор YMTC Чен Вэйхуа (Cheng Weihua) напомнил, что во второй половине года компания намеревается выйти на розничный рынок с широким спектром твердотельных накопителей на базе памяти собственного производства. Персональные компьютеры, серверные системы, смартфоны, планшеты, телевизионные приставки и разного рода потребительская электроника — применение накопителей на основе памяти YMTC будет практически повсеместным.

Сообщается, что при производстве твердотельных накопителей компания будет сотрудничать с известными разработчиками контроллеров: Silicon Motion, Phison Electronics и Marvell. Чен Вэйхуа заявил: «Я не думаю, что тенденция к международной кооперации обратима. Ни одна компания или страна мира не может изготавливать всё самостоятельно, не опираясь на глобальную кооперацию». Свои интересы в области защиты интеллектуальной собственности YMTC всегда выводила на первый план. В результате, она накопила более 2000 патентов, а количество лицензированных у зарубежных партнёров технологий определяется 1600 контрактами.

YMTC приходится действовать осторожно в современных геополитических условиях, поскольку она зависит от американских поставщиков литографического оборудования. На прошлой неделе YMTC начала строительство новых производственных корпусов в Ухане. Со временем компания сможет выпускать ежемесячно до 300 тысяч кремниевых пластин с микросхемами памяти — сейчас эта величина соответствует 23 % мировых объёмов.

Пока же ей к концу 2021 года предстоит довести объёмы производства до 80 тысяч кремниевых пластин в месяц. Находясь в эпицентре вспышки коронавируса в Китае, компания YMTC продолжала непрерывную работу, поскольку этому способствовали как низкая концентрация персонала на производстве, так и высокая степень автоматизации процессов.

Китайская YMTC в три раза увеличит объёмы производства 3D NAND на заводе в Ухане

Из Уханя могут поступать не только плохие новости. Компания Yangtze Memory на днях приступила к строительству второй очереди цехов по выпуску памяти 3D NAND. Тем самым проектная мощность завода YMTC вблизи штаб-квартиры компании достигнет 300 тыс. 300-мм кремниевых пластин в месяц. Мощность действующих цехов первой очереди составит 100 тыс. пластин в месяц, что будет сделано к концу текущего года.

В центре разработки компании YMTC (Reuters)

В центре разработки компании YMTC (Reuters)

Утроение объёмов производства на заводской базе YMTC в Ухане выведет китайского производителя в мировые лидеры рынка памяти NAND. При этом необходимо помнить, что компания строит ещё два завода для выпуска 3D NAND: один вблизи Нанкина, а второй вблизи Чэнду.

Информации по этим двум заводам практически нет. Оба этих завода по завершению всех запланированных фаз строительства и установки оборудования должны ежемесячно выпускать по 300 тыс. 300-мм подложек с микросхемами NAND. Объём финансирования каждого из них достигает $24 млрд. К концу текущего десятилетия компания YMTC ежемесячно будет обрабатывать до одного миллиона 300-мм пластин с памятью 3D NAND. Неудивительно, что Toshiba решила быстро покинуть этот рынок, хотя была первооткрывателем памяти NAND.

По выводу первой очереди цехов YMTC в Ухане на запланированную мощность 100 тыс. 300-мм пластин в месяц, что, как мы указали выше, произойдёт в конце текущего года, доля компании на мировом рынке NAND достигнет 5 %. Если YMTC реализует все задуманные планы, к концу десятилетия её доля на рынке будет превышать 30–40 %.

Помешать этому может политика санкций со стороны Запада. Чтобы смягчить влияние подобного сценария компания YMTC вкладывает деньги в китайских производителей промышленного оборудования. Например, YMTC имеет значительные доли в местных компаниях Advanced Micro-Fabrication Equipment и NAURA Technology Group. Это не стопроцентная защита, но движение в единственном беспроигрышном направлении ― в инвестиции в локальную экономику.

Samsung нацелилась на снижение уровня брака при производстве 160-слойной 3D NAND

В апреле случилось немыслимое: китайцы заявили о разработке и о готовности выпускать самую плотную в индустрии флеш-память ― 128-слойные 1,33-Тбит чипы QLC 3D NAND. В ответ на это Samsung начала ускоренно доводить до ума техпроцессы по выпуску 160-слойной 3D NAND, но пока опытный выпуск таких чипов сильно страдает от высокого уровня брака. Решить проблему с браком призвана специальная группа компании, о создании которой сообщают источники.

Схематическое представление структуры 3D NAND

Схематическое представление структуры 3D NAND

Как сообщает сайт SamMobile, в Samsung создана группа из лучших специалистов, которая будет снижать уровень брака при производстве 160-слойных чипов 3D NAND. Около года назад компания успешно внедрила выпуск 128-слойных микросхем. Причём сделала она это максимально удобным способом ― сумев организовать обработку пластин в едином цикле. Проще говоря, кристаллы обрабатываются на всю 128-слойную глубину, а не собираются из двух или трёх кристаллов с меньшим числом слоёв.

В то же время необходимо подчеркнуть, что изготовление 128-слойных 3D NAND за «один проход» обходится компании всего на 30 % дешевле, чем за два прохода (чем сборка из двух кристаллов). Это происходит по той причине, что время «бурения» отверстий на 128-слойную глубину в два раза больше, чем проделывание отверстий на глубину 96 слоёв.

Нетрудно представить, что удвоение времени на обработку каждой пластины снижает производительность и увеличивает себестоимость продукции. Спецгруппа специалистов Samsung будет решать также эту проблему, хотя сам по себе переход с выпуска 128-слойных микросхем на 160-слойные увеличивает продуктивность производства на 20 % с каждой пластины (вероятно, в пересчёте на суммарную ёмкость микросхем с каждой пластины).

Обычно Samsung рассказывает о своих новых достижениях в области производства 3D NAND в начале августа в ходе саммита Flash Memory. До этого события остаётся совсем мало времени и представляется маловероятным, что к его началу компания успеет наладить массовое производство 160-слойной 3D NAND. Но к концу года или в течение осени это вполне может произойти. В любом случае, уже в следующем году нас будут ждать SSD на 160-слойной 3D NAND, а стоимость хранения одного гигабайта данных на твердотельных накопителях станет ещё немного меньше.

Macronix начнёт серийное производство высокоплотной 48-слойной 3D NAND в третьем квартале

Через месяц–другой клуб производителей флеш-памяти 3D NAND пополнится ещё одной компанией ― тайваньским производителем Macronix International. В интервью сайту DigiTimes глава Macronix заявил, что в третьем квартале клиентам компании начнутся поставки опытных партий 48-слойной 3D NAND. Тогда же стартует массовое производство этой продукции. О самом интересном источник умалчивает. Технология Macronix значительно отличается от всех существующих.

Этот тайваньский разработчик и производитель флеш-продукции собирается выпускать 3D NAND по своей собственной технологии, которая минимум на треть плотнее с точки зрения размещения ячеек памяти, чем актуальные технологии производства 3D NAND всех остальных компаний. Остаётся интригой, насколько меньше будет площадь кристалла у 3D NAND памяти Macronix или насколько больше будет объём памяти её кристаллов.

Технология 3D NAND Macronix с высокоплотной структурой SGVC или single-gate vertical channel (вертикальный канал с одним затвором) предполагает разделение каждой круговой ячейки в вертикальном стеке на две независимые ячейки памяти. На основе лицензии на эту технологию компания Kioxia (ранее она называлась Toshiba Memory) в прошлом году начала разрабатывать память Twin BiCS Flash. Если Macronix сдержит своё обещание вскоре начать поставки образцов 48-слойной 3D NAND, подробно об этой памяти мы услышим на августовском саммите разработчиков флеш-памяти.

Сравнение «классической» 3D NAND с круговыми затворами GAA и памяти Macronix с «раздвоенными» вертикальными каналами SGVC

Сравнение «классической» 3D NAND с круговыми затворами GAA и памяти Macronix с «раздвоенными» вертикальными каналами SGVC

Ещё более плотную память 3D NAND с 96 слоями компания Macronix может начать выпускать в стадии тестового производства ближе к концу текущего года. Руководство компании огорчает лишь то, что пандемия коронавируса и американо-китайские трения могут подорвать рынок флеш-памяти. И оборудование, и сырьё, и программы, которые задействованы для производства флеш-памяти ― всё так или иначе принадлежит американским компаниям, поэтому избежать ограничений будет практически невозможно.

Тем не менее, в следующем году компания Macronix продолжит разрабатывать более совершенную 3D NAND, в частности 192-слойную и будет расширять выпуск многослойной флеш-памяти.

К 2022 году Macronix освоит выпуск 192-слойной памяти 3D NAND

Ещё в декабре прошлого года тайваньская компания Macronix International заявила, что начнёт поставки первой памяти типа 3D NAND собственной разработки в конце 2020 года. Речь шла о 96-слойных микросхемах, которые в текущем году будут слабо влиять на выручку компании. Удвоить количество слоёв Macronix сможет в 2022 году.

Источник изображения: eeNews

Источник изображения: eeNews

Издание DigiTimes со ссылкой на председателя совета директоров Macronix Миня У (Miin Wu) сообщает, что доля выручки, генерируемой поставками памяти типа 3D NAND, заметно увеличится только ко второй половине 2021 года. В текущем году поставки 96-слойной памяти 3D NAND существенного влияния на финансовые показатели тайваньского производителя не окажут. В ближайшее время память этого типа будет применяться ограниченно, поэтому конкуренции с ведущими игроками рынка удастся избежать. Компания разрабатывает и 192-слойную память 3D NAND, которая начнёт выпускаться серийно не ранее 2022 года.

Macronix попутно начал выпускать по 19-нм технологии память типа SLC NAND со второй половины прошлого года. Она находит применение не только в телевизионных приставках и другой потребительской электронике, но и в автомобильном секторе. В апреле выручка Macronix International выросла до $114,6 млн, на 64,4 % год к году. За четыре первых месяца текущего года удалось заработать на 58,3 % больше, чем за аналогичный период прошлого года.

Intel переведёт все актуальные SSD на 144-слойную память 3D NAND в следующем году

Для Intel производство твердотельной памяти продолжает оставаться важным, хотя и далёким от высокой доходности видом деятельности. На специальном брифинге представители компании пояснили, что поставки накопителей на основе 144-слойной памяти типа 3D NAND начнутся в этом году, а в следующем она распространится на весь актуальный ассортимент SSD.

Источник изображения: Intel

Источник изображения: Intel

Если сравнивать прогресс Intel в сфере увеличения плотности хранения данных в памяти типа 3D NAND, то к аутсайдерам её отнести нельзя, хотя и шаги в наращивании количества слоёв компания делает достаточно крупные. Рубеж в сотню слоёв основные конкуренты Intel перешагнули либо в прошлом году, либо в начале этого, но компания рассчитывает перепрыгнуть с 96 на 144 слоя в текущем году, опередив соперников на какое-то время. Поставки накопителей серии Keystone Harbor на основе 144-слойной памяти типа 3D NAND должны начаться в текущем году, а в следующем весь ассортимент SSD данной марки перейдёт на 144-слойную память.

По словам представителей Intel, на которые ссылается ресурс Blocks & Files, поставки твердотельных накопителей марки на основе памяти типа QLC уже перевалили за отметку в десять миллионов экземпляров. Разработка памяти типа PLC (Penta-level cell), которая позволит разместить в одной ячейке пять бит информации, до сих пор продолжается.

Источник изображения: Intel

Источник изображения: Intel

Накопители серии Optane поколения Alder Stream в однопортовом варианте появятся в этом году, в следующем они перейдут на двухпортовое исполнение. Семейство Alder Stream будет использовать память типа 3D XPoint нового поколения с четырьмя слоями вместо нынешних двух. Это позволить удвоить предельную ёмкость таких накопителей. Если учесть, что сейчас потолок ёмкости достигает полутора терабайт, то Alder Stream позволит поднять его до трёх терабайт. Данное семейство накопителей получит новый контроллер с поддержкой PCI Express 4.0.

Разработку новых поколений памяти типа 3D XPoint продолжает лаборатория при предприятии в Нью-Мексико, поставки памяти текущего поколения продолжает осуществлять Micron в рамках существующего контракта, но в дальнейшем её производство будет налажено на собственных предприятиях Intel. Их специализация в рамках этой миграции пока не определена.

Накопители семейства Intel Optane набирают популярность среди клиентов компании. Восемьдесят пять процентов проводящих тесты накопителей Intel клиентов в дальнейшем закупают Optane для своих серийных систем. Если говорить о памяти типа Optane DC, то её используют двести компаний из списка Fortune 500, как минимум. Модули памяти Optane DC второго поколения под условным обозначением Barlow Pass будут представлены до конца текущего года. На июнь намечено мероприятие Intel, на котором будут представлены новинки из сегмента твердотельной памяти.

Phison объявила о поддержке флеш-памяти Yangtze Memory всеми контроллерами

Известный тайваньский разработчик популярных контроллеров для флеш-памяти Phison Electronics сообщил, что все его актуальные и новейшие контроллеры поддерживают чипы памяти китайской компании Yangtze Memory Technologies (YMTC). Компании Phison и Yangtze Memory сотрудничают с 2016 года, когда последняя была только создана.

Контроллеры Phison были проверены на совместимость с первыми 32-слойными чипами 3D NAND YMTC и прошли комплексную проверку на совместимость с сегодняшней массовой продукцией этого китайского производителя в лице 64-слойной памяти 3D NAND. Более того, Phison создала рабочую группу для проектирования контроллеров, совместимых с будущей 128-слойной памятью YMTC.

Также в производстве находятся совместимые с китайской 3D NAND контроллеры Phison PS5012 (для PCIe SSD), PS3112 (для SATA SSD), PS8318 (для UFS-накопителей), PS8229 (для модулей eMMC) и даже контроллеры PS8229 для уникальных карт памяти NM Card (NanoMemory Card), предложенных компанией Huawei. Наконец, контроллеры Phison обеспечат выпуск карт памяти SD и USB-накопителей на 64-слойной флеш-памяти YMTC.

В компании Phison отмечают, что хотя YMTC является новичком на рынке микросхем флеш-памяти, она доказала качество своей продукции и право выйти на рынок в составе тех или иных систем хранения данных. Это позволяет Phison рассчитывать на дальнейшее углубление отношений с китайским производителем 3D NAND и, тем самым, обещает расширить базу клиентов.

Совместную деятельность на рынке устройств для хранения данных компании Phison и YMTC начнут с устройств потребительского уровня и постепенно дойдут до выпуска решений для промышленного, корпоративного и серверного рынков и других высокопроизводительных решений. Фактически мы видим шаг в сторону легализации памяти YMTC на рынках за пределами Китая. Пока китайская компания даже не может мечтать о завоевании зарубежных рынков ― у неё не такие большие объёмы производства, но двигаться в эту сторону она намерена.

Ещё одна совместная фабрика Western Digital и Kioxia начала производство 3D NAND

Корпорация Western Digital сообщила, что фабрика K1 около города Китаками (префектура Иватэ, Япония) начала свою работу в прошедшем квартале и уже поставила первую партию микросхем 3D NAND. Данный производственный комплекс будет крупнейшей фабрикой под управлением Kioxia и Western Digital и увеличит глобальное производство энергонезависимой памяти, что может сказаться на её цене.

Фабрика K1

Фабрика K1

Согласно условиям соглашения между двумя партнёрами, Western Digital профинансировала 50 % первоначальных затрат на K1, а также 50 % стоимости установленного производственного оборудования. В общей сложности, затраты компании составили примерно $660 млн, что включает в себя инвестиции в оборудование, переезд сотрудников и затраты на старт массового производства. Кроме того, на Western Digital лягут расходы на амортизацию здания, которые составят ещё $360 млн.

"Чистая" комната на фабрике Kioxia и Western Digital

Как обычно в случае с фабриками, совместно принадлежащими Kioxia и Western Digital, новая K1 формально принадлежит отдельному совместному предприятию (в данном случае, Flash Forward Ltd. или FFL), которое продаёт обработанные подложки с микросхемами памяти своим совладельцам по себестоимости. При этом, последние должны владеть определённой долей в компании. Если же эта доля по каким-то причинам опускается ниже назначенного значения, партнёр в любом случае обязуется нести постоянные расходы на функционирование фабрики.

Производственный комплекс K1, чьё строительство завершилось в прошлом году, станет крупнейшей фабрикой Kioxia и Western Digital. Несмотря на то, что здание K1 было построено в один этап, оно будет экипироваться производственным оборудованием в четыре этапа, в зависимости от спроса на 3D NAND. Установка оборудования для первой линии производства была начата в июне 2019 года и успешно завершилась.

"Чистая" комната на фабрике Kioxia и Western Digital

Как и планировалось, Western Digital начала использование первой фазы K1 в начале этого года для производства 96-слойной 3D NAND флеш-памяти. Затраты на использование фабрики в прошедшем квартале составили $62 млн, а в текущем составят $65 млн, что косвенно указывает на то, что производственный комплекс обрабатывает кремниевые пластины и готов начать массовое производство в ближайшее время.

«В первом квартале мы начали поставки продукции, изготовленной на фабрике K1», ­— сказал Роберт Юлау (Robert Eulau), финансовый директор Western Digital, в беседе с аналитиками и инвесторами.

Фабрики Kioxia и Western Digital

Фабрики Kioxia и Western Digital. Иллюстрация AnandTech

По планам Kioxia, K1 станет крупнейшей фабрикой, совместно используемой Kioxia и Western Digital. Две компании уже управляют пятью производственными комплексами: Fab 2, Fab 5 и Fab 6 используются для создания 3D NAND, тогда как Fab 3 и Fab 4 изготавливают специализированные типы памяти.

Ни Western Digital, ни Kioxia не раскрывают производственных возможностей своих фабрик в цифрах, но введение в строй нового комплекса вне всяких сомнений увеличит глобальные объёмы выпуска памяти 3D NAND. Это произойдёт на фоне увеличившейся в первом квартале цены на энергонезависимую память и экономической неопределённости. Как именно начало работы K1 повлияет на цены памяти 3D NAND, покажет лишь время, но существуют немалый шанс того, цены могут опуститься ниже комфортного для производителей уровня. Это вряд ли серьёзно повлияет на стоимость устройств вроде смартфонов и ноутбуков, но может сказаться на ценах твердотельных накопителей.

Samsung Electronics смогла увеличить валовой объём производства памяти без расширения мощностей

Прошедший 2019 год не был самым простым для производителей памяти, поскольку они сильно потеряли в выручке, поэтому сложности текущего года их не испугают. Производители памяти заранее решили ограничить количество обрабатываемых кремниевых пластин, но растущий спрос они готовы удовлетворять за счёт увеличения плотности размещения транзисторов.

Источник изображения: TechCrunch

Источник изображения: TechCrunch

Поскольку так называемый «закон Мура», предписывающий регулярное увеличение количества размещаемых на одном квадратном миллиметре площади транзисторов, пока ещё действует, производители памяти готовы его использовать себе во благо. Как отмечает издание Business Korea, в прошлом году Samsung Electronics сохранила количество закупаемых кремниевых пластин на уровне 2018 года, но при этом валовой объём выпуска продукции в пересчёте на единицы объёма для хранения данных вырос на 39 %. Этого удалось добиться за счёт внедрения пространственных компоновок и перехода на более прогрессивные литографические технологии.

Если говорить о микросхемах оперативной памяти, то Samsung продолжает мигрировать с техпроцесса 10-нм класса первого поколения на третье поколение того же техпроцесса. Условно говоря, к 10-нм классу относятся все ступени литографии от 19 нм до 10 нм. Переход от одного поколения техпроцесса к другому позволяет получать с кремниевой пластины фиксированной площади на 20–30 % больше микросхем памяти. Ну а переход от первого поколения 10-нм техпроцесса к четвёртому, которое уже подразумевает использование литографии со сверхжёстким ультрафиолетовым излучением (EUV), позволяет удвоить выход микросхем с единицы площади кремниевой пластины.

Твердотельная память Samsung типа 3D NAND перешла на 128-слойную компоновку ещё в конце прошлого года, корейский гигант опередил всех конкурентов. Более того, в исполнении Samsung стеки памяти с количеством слоёв до 200 штук могут быть монолитными, тогда как конкуренты за рубежом ста слоёв начинают использовать составные стеки, что увеличивает затраты на изготовление памяти. Компания уже приступила к разработке 160-слойной памяти типа 3D NAND. В текущем году она рассчитывает увеличить валовой объём выпуска твердотельной памяти на 30 %, довольствуясь имеющимися производственными мощностями.

Коронавирус откроет новые возможности перед китайским производителем флеш-памяти

В прошлом году средняя цена реализации твердотельной памяти сократилась на 46 %, что заставило многих производителей сократить капитальные расходы и заморозить планы по расширению мощностей. Вспышка коронавируса подогрела спрос, который теперь не так просто удовлетворить. Эти условия позволят китайским игрокам рынка 3D NAND проявить себя.

Источник изображения: YMTC

Источник изображения: YMTC

Соображениями на этот счёт делятся специалисты аналитического агентства TrendForce. Недавнюю новость о готовности китайской компании Yangtze Memory Technology Corporation (YMTC) начать поставки 128-слойной памяти типа 3D NAND эксперты считают значимой для этого производителя. Если взглянуть на производственные программы других участников рынка, то массовый выпуск 128-слойных микросхем 3D NAND сейчас освоили только Samsung и SK Hynix. Компании Kioxia, Intel и Micron сделают это только во втором полугодии. К концу года YMTC сможет выступать на равных с отраслевыми гигантами, хотя ранее она выступала в роли догоняющей.

Источник изображения: TrendForce

Источник изображения: TrendForce

Как отмечают эксперты TrendForce, у YMTC в этой ситуации есть важное преимущество: она не обременена «наследием прошлых лет», когда падение цен на память вынудило производителей сократить объёмы производства. Напротив, в течение двенадцати месяцев в строй будет введено предприятие YMTC в Чэнду, а к существующему предприятию в Ухане присоединятся два дополнительных. В то время как конкуренты будут застигнуты врасплох последствиями коронавируса, YMTC сможет нарастить объёмы выпуска твердотельной памяти, и уже в следующем году начнёт оказывать влияние на мировой уровень цен — ожидаемо, в сторону их снижения.

Samsung ускоряет разработку 160-слойной памяти 3D NAND

На этой неделе китайская компания YMTC сообщила о разработке 128-слойной флеш-памяти 3D NAND рекордного объёма. Китайцы пропустят этап производства 96-слойной памяти и в конце года сразу начнут выпускать 128-слойную память. Тем самым они выйдут на уровень лидеров отрасли, что равноценно размахиванию красной тряпкой перед глазами быка. И «быки» отреагировали как положено.

Южнокорейский сайт ETNews сегодня сообщил, что компания Samsung ускорила разработку 160-слойной 3D NAND (или V-NAND, как называют в компании многослойную флеш-память). У Samsung это называется стратегия «суперзазора» или игра на упреждение, что должно помочь южнокорейским технологическим лидерам оставаться впереди конкурентов. Поскольку успешность Samsung лежит в основе южнокорейской экономики, это вопрос процветания целой нации, поэтому в компании серьёзно относятся к своей работе.

Память со 100+ слоями Samsung представила в августе прошлого года. Можно считать, что компания уже третий квартал подряд выпускает условно 128-слойную память (точное число слоёв доподлинно остаётся неизвестным). Следующей на сцене должна появиться память Samsung с 160 или даже с большим числом слоёв. Она будет относиться к 7-му поколению памяти V-NAND. По слухам, компания добилась значительного прогресса в деле её разработки. Есть мнение, что Samsung первой покорит рубеж в 160 слоёв, как это произошло со всеми предыдущими поколениями памяти 3D NAND.

Yangtze Memory по-прежнему планирует выпустить 128-слойную 3D NAND в текущем году

В эпицентр вспышки коронавируса SARS-CoV-2 в китайском Ухане попал китайский разработчик и производитель памяти 3D NAND компания Yangtze Memory (YMTC). Сегодня власти Уханя официально объявили о полном снятии режима карантина с города. Но за 70 с чем-то дней изоляции работа компании и центра разработок была нарушена. Руководство YMTC этого не скрывает, однако, планы начать в этом году производство 128-слойной 3D NAND остаются в силе.

300-мм пластина с 64-слойными чипами 3D NAND 256 Гбит TLC (YMTC)

300-мм пластина с 64-слойными чипами 3D NAND 256 Гбит TLC (YMTC)

По данным китайских источников, генеральный директор YMTC Ян Шайнин (Yang Shining) сообщил, что разработка технологии производства 128-слойных чипов 3D NAND пострадала в краткосрочной перспективе. К настоящему дню все подразделения компании вернулись к работе и среднесрочных, а также долгосрочных последствий от вспышки коронавируса не предвидится. Следовательно, выпуск 128-слойных чипов начнётся в соответствии с предыдущими планами на 2020 год.

Компания Yangtze Memory основана менее четырёх лет назад (в июле 2016 года). На её плечи легла ответственность начать выпуск отечественной китайской памяти 3D NAND. В октябре 2017 года, опираясь на международный опыт и собственные разработки, YMTC выпустила первую в стране память 3D NAND (32-слойную). К массовому выпуску 64-слойной памяти 3D NAND компания приступила в сентябре 2019 года. Выпуск 96-слойной памяти решено пропустить. Поэтому в этом году с конвейеров YMTC должны начать сходить 128-слойные микросхемы 3D NAND.

В компании сообщают о заключении договоров на поставки 3D NAND с многими производителями твердотельных накопителей и различных устройств. Преимущественно это китайские компании с материка, хотя среди клиентов YMTC есть и компании с Тайваня.

Micron до лета начнёт массовый выпуск 128-слойной 3D NAND с новой архитектурой

В прошлом году пути-дорожки компаний Intel и Micron окончательно разошлись. Каждая из них приступила к самостоятельной разработке как памяти 3D XPoint, так и многослойной флеш-памяти 3D NAND. Что там с памятью 3D XPoint, пока не ясно, но с проектированием 3D NAND секретов нет. Intel осталась на старой архитектуре ячейки с плавающим затвором, а Micron перешла на ячейку с ловушкой заряда.

В ходе последней отчётной квартальной конференции глава Micron Санджей Мехротра (Sanjay Mehrotra) сообщил, что память 3D NAND на новой архитектуре ячейки компания начнёт выпускать в текущем квартале с получением первой выручки от этого в следующем квартале. Добавим, это будут 128-слойные микросхемы. Тем самым Micron не только перейдёт на новую архитектуру ячеек, но также войдёт в клуб производителей 3D NAND с числом активных слоёв свыше 100. Вне этого «клуба» останется только Intel.

Ячейка флеш-памяти с ловушкой заряда или charge-trapping flash (CTF) в разы компактнее по сравнению с ячейкой с плавающим затвором. Это означает, что плотность записи у CTF-памяти много больше, чем у памяти на FG-ячейке. Рост плотности записи означает снижение себестоимости и выпуск более ёмких кристаллов памяти, что можно только приветствовать. И Samsung, и SK Hynix давно выпускают память на ячейке с ловушкой заряда. С условно отсталой технологией FG-ячейки осталась только компания Intel. Но она начинает терять интерес к производству флеш-памяти и может вовсе прикрыть это направление. Зачем же ей инвестиции в новые технологии? Вопрос риторический.

Продукты Micron на 128-слойной памяти 3D NAND начнут появляться этим летом. Сегодня нельзя сказать, какие модели SSD или какие флеш-накопители первыми примерят на себя новую память компании. Производителю ещё предстоит пройти путь от выпуска опытных партий до массового производства со всеми вытекающими проблемами. Надеемся, Micron с честью выдержит это испытание.

Intel уже выпустила 10 миллионов накопителей на базе QLC 3D NAND

Пока бушуют «эпидемиологические страсти» вокруг китайского производства, компания Intel решила сообщить о выпуске 10-миллионного накопителя на базе памяти типа QLC 3D NAND на китайском предприятии в Даляне. Поставки памяти этого типа начались в конце 2018 года.

Источник изображения: Intel

Источник изображения: Intel

Преодоление данного рубежа в Intel считают явным доказательством того, что память типа QLC 3D NAND утвердилась в качестве массовой основы для твердотельных накопителей различного назначения. В настоящее время этим микросхемы Intel применяет для производства накопителей серий 660p и 665p, а также гибридных решений Optane H10, сочетающих QLC 3D NAND и память типа 3D XPoint.

Выпускаемая сейчас Intel память типа QLC 3D NAND имеет 64-слойную или 96-слойную структуру. Последняя была освоена в условиях массового производства только в прошлом году, но в этом году Intel рассчитывает начать выпуск 144-слойной памяти типа QLC 3D NAND. Она позволит дополнительно увеличить плотность хранения информации. На основе памяти типа QLC 3D NAND выпускаются твердотельные накопители как серверного, так и клиентского класса.

window-new
Soft
Hard
Тренды 🔥