Сегодня 24 июля 2026
18+
MWC 2018 2018 Computex IFA 2018
реклама
Новости Hardware

Финны научат производителей 3D NAND выпускать чипы рекордной плотности

Исследователи из Университета Линчепинга (Linköping University) получили патент на технологию улучшенной металлизации отверстий при производстве многослойной памяти, в частности 3D NAND. Благодаря их разработке заполнение отверстий материалом будет происходить равномерно по всей глубине, что также позволит увеличить плотность их расположения и, следовательно, количество ячеек памяти, создаваемых вокруг них в каждом слое чипа..

 Источник изображения: Linköping University

Источник изображения: Linköping University

Актуальность и масштабы проблемы учёные наглядно поясняют на примере самого высокого здания в мире — 828-метрового небоскрёба Бурдж-Халифа в Дубае. Если учесть, что соотношение диаметра отверстия для металлизации у многослойной памяти к его глубине составляет 1:100 (диаметр — 100 нм, глубина — 10 000 нм), то основание Бурдж-Халифа в аналогичном масштабе должно быть всего 8 метров. На практике же оно 191 метр, но сложность задачи понятна — необходимо заполнить чрезвычайно глубокое отверстие равномерно по всей длине, поскольку в каждом месте его контакта с очередным слоем создаётся ячейка памяти, и брак здесь недопустим.

Самым простым способом добиться равномерного заполнения отверстий материалом было снижение температуры в момент его осаждения в паровой фазе, что могло привести к браку. Однако финские учёные предложили другой подход: на этом (начальном) этапе они добавили в среду тяжёлый нейтральный газ ксенон. Сообщается, что результат превзошёл ожидания. Благодаря ксенону не пришлось снижать температуру, а его тяжёлые молекулы помогли равномерно заполнить отверстия материалом до самого их дна. В этом заключается очевидный потенциал для дальнейшего увеличения плотности ячеек памяти.

«Мы пока точно не знаем, как это на самом деле работает. Мы считаем, что газообразный ксенон помогает “проталкивать” молекулы в отверстие. Это был гениальный ход моего аспиранта Аруна Харидаса Чулаккала (Arun Haridas Choolakkal). Он изучил некоторые базовые формулы движения газов и выдвинул гипотезу, что это должно сработать. Вместе мы провели ряд экспериментов, чтобы проверить это, и это действительно сработало», — рассказал руководитель проекта Хенрик Педерсен (Henrik Pedersen).

Разработчики получили патент на своё открытие в Финляндии и продали его одной из местных компаний, которая уже приступила к получению международных патентов.

Источник:

Если вы заметили ошибку — выделите ее мышью и нажмите CTRL+ENTER.
Материалы по теме

window-new
Soft
Hard
Тренды 🔥
Раскрыты подробности нечаянной атаки вышедших из-под контроля ИИ-агентов OpenAI на Hugging Face 15 мин.
Перспективный стелс-экшен Thick as Thieves от студии создателя Deus Ex и System Shock перестанет получать новый контент, но есть и хорошая новость 31 мин.
«Непостижимая загадка»: даже бывший босс PlayStation не понимает, почему Sony до сих пор не выпустила Bloodborne на PC и PS5 58 мин.
Настоящий клад: Assassin’s Creed Black Flag Resynced превзошла годовые ожидания Ubisoft за две недели 2 ч.
Россияне массово пробуют альтернативы Telegram и Max — активнее всего растёт аудитория турецкого BiP 3 ч.
«Вы храбро сражались»: многообещающий шутер про гладиаторов далёкого будущего Ncore отменён 3 ч.
Ярость, любовь и битва за будущее мутантов: Sony показала насыщенный сюжетный трейлер Marvel’s Wolverine 4 ч.
Новый троян Dolphin X умеет выбирать самых выгодных жертв с помощью ИИ 7 ч.
Google: ИИ ещё очень далёк от замены людей — пользователи доверяют ему лишь 21 % рабочих задач 12 ч.
Runway представила Media Router — сервис сам подберёт самый выгодный ИИ для генерации контента 13 ч.