Формально свою историю японская компания Kioxia ведёт с декабря 2017 года, но нынешнее название она получила в октябре 2019 года, а из структуры корпорации Toshiba бизнес по выпуску флеш-памяти выделился в апреле 2017 года. Уже не раз сообщалось, что в текущем году Kioxia намеревается выйти на фондовый рынок, и теперь источники отмечают, что заявка на IPO будет подана в ближайшие дни.

Источник изображения: Kioxia

По крайней мере, такой информацией делится агентство Reuters. Полноценная заявка на публичное размещение акций Kioxia подаст к августу этого года, а к концу октября она рассчитывает выйти на биржу со своими ценными бумагами. В случае возникновения временных препятствий на этом пути сроки размещения могут быть перенесены на декабрь текущего года. Напоминаем, что акции некогда материнской для Kioxia корпорации Toshiba покинули Токийскую фондовую биржу в конце декабря прошлого года, но компания рассчитывает вернуться в котировальный список этой площадки через несколько лет.

Потратившийся на выкуп акций в 2018 году консорциум инвесторов во главе с Bain намеревается вернуть часть инвестиций за счёт размещения акций Kioxia на бирже, а сама японская компания рассчитывает привлечь средства за счёт выпуска дополнительных акций в ходе этих мероприятий. Консультантами по подготовке к IPO выбраны Mitsubishi UFJ Morgan Stanley Securities (MUMSS) и Nomura Securities, как отмечают источники. Официальные представители всех указанных компаний от комментариев отказались, а Kioxia дала понять, что ничего нового по поводу подготовки к IPO сообщить не может. Время для выхода на фондовый рынок подбирается таким образом, чтобы не попасть в период, характеризующийся упадком спроса на твердотельную память типа NAND, которую выпускает Kioxia.

В 2020 году компании уже пришлось воздержаться от планов по выходу на биржу именно из-за неблагоприятной рыночной конъюнктуры. В тот момент Kioxia исходила из условий IPO, соответствующих уровню капитализации более $12,6 млрд. Прошлый квартал Kioxia завершила с операционными убытками, хотя и получила чистую прибыль впервые за шесть предыдущих кварталов. За первые три месяца текущего года цены на память типа NAND в среднем выросли на 20 %.

Подготовка к IPO позволила Kioxia на прошлой неделе рефинансировать часть старых кредитов, поскольку кредиторы вдохновились намерениями компании выйти на биржу до конца года. Переговоры Kioxia о слиянии с давним производственным партнёром Western Digital в прошлом году развалились под давлением SK hynix, которая является номинальным инвестором Kioxia и не заинтересована в появлении нового крупного конкурента на рынке. После этого японский производитель памяти решил выходить на биржу, чтобы привлечь капитал.

Ведущие южнокорейские производители чипов флеш-памяти Samsung Electronics и SK hynix, вместе с японской Kioxia, в настоящее время наращивают производство флэш-памяти NAND, что, вероятно, приведёт к снижению цен на твердотельные накопители. В конце 2022 и начале 2023 года на фоне перепроизводства и падения цен все крупные южнокорейские производители сократили производство примерно на 30 %, а WD и Micron — более чем на 50%.

Источник изображения: unsplash.com

На протяжении последних двух лет твердотельные накопители заметно теряли в стоимости, но затем ощутимо подорожали в связи со снижением производства. Для примера, накопитель WD Black SN850X объёмом 2 Тбайт стартовал во второй половине 2022 года на рынке США с ценой около $280, летом 2023 года подешевел до рекордного, хотя и очень кратковременного минимума в $90, затем подорожал до реалистичных $120 прежде чем остановиться на текущей цене в $148.

В последнее время спрос на память NAND снова начал расти благодаря сокращению производства и растущему спросу от центров обработки данных для искусственного интеллекта. Производители чипов отреагировали на рост спроса, хотя некоторые аналитики считают, что увеличение производства микросхем NAND может быть слишком большим и слишком поспешным.

«За исключением чипов NAND высокой ёмкости, используемых в центрах обработки данных, сложно сказать, что весь рынок NAND восстанавливается. Внезапный всплеск производства, вероятно, приведёт к снижению цен на NAND, которые в последнее время росли», — полагает исследователь Корейского института промышленной экономики и торговли Ким Ян Пэн (Kim Yang-peng).

Спотовые цены на память DRAM и NAND продолжают падать и едва ли в ближайшее время вырастут, считают аналитики TrendForce. Во-первых, у участников рынка всё ещё много запасов. Во-вторых, дополнительное влияние на цены DRAM оказали недавние действия китайского правительства против контрабанды восстановленных компонентов памяти.

Источник изображения: samsung.com

Спотовые цены на рынке DRAM продолжают снижаться, что резко контрастирует с контрактными ценами. Это происходит из-за избыточных запасов на заводах по производству модулей памяти, которые, как правило, закупают микросхемы на спотовом рынке. Снижению цен способствует и слабый спрос на рынке потребительских товаров: производителям готовых устройств не нужно больше памяти, и они на спотовом рынке не закупаются.

Спотовые цены DRAM. Источник изображения: trendforce.com

Ещё одним способствующим снижению цен фактором стала борьба с контрабандой на китайском рынке — дешевеют чипы DRAM, подвергшиеся процедуре реболлинга. Реболлинг — это метод ремонта чипов DRAM посредством замены шариков припоя на нижней стороне чипа, используемых для его соединения с печатной платой. Во многих случаях такие чипы начинают работать снова, но они уже не так надёжны, как новые. С конца мая средняя цена чипа DDR4 1Gx8 2666MT/s снизилась на 2,54 %, а только за последнюю неделю она упала с $1,881 до $1,835.

Спотовые цены NAND. Источник изображения: trendforce.com

Аналогичным образом проседает спотовый рынок NAND — у производителей SSD сформировались достаточные уровни запасов, что препятствует восстановлению спроса, несмотря на снижение цен спотовыми поставщиками. Растёт разрыв между спотовыми и контрактными ценами. И остаётся неопределённость в отношении спроса на пополнение запасов в III квартале 2024 года. Лишь на этой неделе спотовая цена на пластину 512 Гбит 3D TLC NAND снизилась на 0,57 % до $3,309. Из-за слабого спроса рынки DRAM и NAND переживают непростой период с точки зрения ценообразования. И в краткосрочной перспективе аналитики TrendForce восстановления цен не ожидают.

На технологической конференции в Сеуле, по данным PC Watch, компания Kioxia продемонстрировала намерения к 2027 году наладить выпуск микросхем 3D NAND с увеличенным до 1000 штук количеством слоёв. Плотность хранения информации в данном случае вырастет до 100 Гбит/мм². Для сравнения, ещё в 2022 году наличие 238 слоёв у микросхем 3D NAND считалось хорошим результатом.

Источник изображения: Kioxia

При этом в 2014 году память 3D NAND вообще довольствовалась 24 слоями, поэтому за последующие восемь лет их количество увеличилось в десять раз. Если подобные темпы роста (1,33 в год) сохранятся и дальше, то Kioxia рассчитывает на увеличение количества слоёв 3D NAND до 1000 штук к 2027 году. Плотность хранения данных в 3D NAND достигается не только увеличением количества слоёв. Вертикальные и поперечные размеры ячейки памяти также уменьшаются, а количество хранимых в них битов информации увеличивается. Например, QLC предлагает хранить в одной ячейке четыре бита информации, тогда как TLC обеспечивала только три бита на ячейку.

По мере увеличения количества слоёв 3D NAND возникают проблемы с травлением отверстий, необходимых для межслойного соединения чипов друг с другом. Более глубокие каналы обладают более высоким сопротивлением, и для формирования межслойных соединений требуются новые материалы со специфическими свойствами, а также новые методы их обработки. Например, на смену поликристаллическому кремнию приходит монокристаллический. Kioxia также рассчитывает заменять проводники внутри каждого слоя 3D NAND с вольфрамовых на молибденовые для снижения сопротивления и уменьшения задержек.

Производственный партнёр Kioxia в лице корпорации Western Digital попутно говорит о проблеме роста капитальных затрат по мере увеличения количества слоёв в памяти 3D NAND, а также снижении экономической эффективности подобной миграции. Себестоимость производства памяти по мере увеличения количества слоёв снижается всё меньше и меньше. Скорее всего, именно экономические причины вынудят производителей 3D NAND замедлить темпы «гонки за увеличением количества слоёв».

Сейчас Kioxia и Western Digital выпускают память поколения BiCS 8 в 218-слойном исполнении. Поколения BiCS 9 и BiCS 10 обеспечат увеличение количества слоёв до 300 и 400 штук. Американский производитель не хотел бы по экономическим соображениям поддерживать существующие темпы увеличения количества слоёв памяти 3D NAND.

В отличие от оперативной памяти, флеш-память не так востребована в сегменте систем искусственного интеллекта, поэтому соответствующий сегмент рынка дольше восстанавливается от кризиса перепроизводства, вызванного пандемией. Японской компании Kioxia впервые за 20 месяцев удалось воздержаться от сокращения объёмов выпуска памяти типа NAND, а также получить согласие кредиторов на рефинансирование своих долговых обязательств.

Источник изображения: Kioxia

Как сообщает Nikkei Asian Review, на двух предприятиях Kioxia в префектурах Миэ и Иватэ в июне была достигнута 100-процентная загрузка линий по выпуску памяти типа NAND. Улучшение условий ведения бизнеса способствовало росту благосклонности кредиторов Kioxia, которые согласились рефинансировать кредиты на сумму $3,43 млрд, которые подлежали выплате в июне. Была открыта дополнительная линия кредитования на сумму $1,33 млрд. Кроме того, синдикат кредиторов Kioxia поможет компании с покупкой нового оборудования для производства памяти, которое заменит собой устаревшее. Кредиторам удалось получить и подробности о планах Kioxia по выходу на фондовый рынок, что также способствовало смягчению их позиции.

Производство памяти NAND на предприятиях Kioxia сокращалось с октября 2022 года, в отдельных случаях величина сокращений достигала 30 %. Запуск нового предприятия в Китаками был отложен с 2023 до 2025 года как минимум. В прошлом квартале Kioxia впервые за шесть предыдущих кварталов отчиталась о чистой прибыли, которая достигла $654 млн. Спрос на микросхемы памяти, используемые в смартфонах и ПК, достиг своего минимума, а в серверном сегменте он вернулся к росту. По прогнозам TrendForce, в текущем квартале цены на память типа NAND последовательно вырастут на величину от 13 до 18 %. Компания Kioxia в сотрудничестве с Western Digital собирается потратить на развитие производства передовых типов памяти около $4,6 млрд, власти Японии обещают предоставить партнёрам $1,54 млрд в форме субсидий.

Основанная в 2016 году китайская компания YMTC к лету 2022 года получила возможность выпускать весьма продвинутую по мировым меркам 232-слойную память типа 3D NAND, что уже к осени привело к включению её в санкционный список США. Сейчас инициативы по импортозамещению в КНР вызвали рост спроса на продукцию компании, которой пару лет назад предрекали разорение в результате западных санкций.

Источник изображения: YMTC

Об этом сообщает издание South China Morning Post, указывая на рост интереса китайских производителей оборудования к твердотельной памяти YMTC, особенно из числа связанных с оборонной промышленностью заказчиков. К слову, именно предполагаемые связи с ними полтора года назад и стали причиной наложения на YMTC санкций США. Публично компания продолжает утверждать, что никогда напрямую не сотрудничала с производителями продукции оборонного назначения, и ей ничего не известно о случаях применения своей памяти для выпуска подобного оборудования. Более того, продукция YMTC не соответствует требованиям оборонных заказчиков, и никогда под них не адаптировалась.

Так или иначе, производители вычислительной техники для нужд правительственных структур в КНР в последнее время предпочитают выбирать память YMTC. С одной стороны, это в известной степени гарантирует информационную безопасность получаемой продукции по сравнению с импортируемой. С другой стороны, подобные сделки должны поощряться правительством КНР с точки зрения поддержки импортозамещения. Власти страны также стимулируют развитие местной вычислительной инфраструктуры, которая пригодилась бы для работы систем искусственного интеллекта. Твердотельная память в её составе хоть и не занимает первое место по востребованности, всё равно нужна для работы.

Информированные источники поясняют, что возросший спрос на продукцию YMTC вызвал рост цен на микросхемы памяти этой марки в последние месяцы. Фактически, компания сейчас просто не успевает производить память в достаточных для удовлетворения спроса количествах. Связанные с властями КНР заказчики настаивают на закупке памяти отечественного производства, избегая приобретения продукции американской Micron Technology или корейских Samsung Electronics и SK hynix.

В прошлом году связанные с китайским правительством инвесторы вложили в капитал YMTC около $7 млрд, но в условиях западных санкций ей приходится сталкиваться с серьёзными трудностями. Например, обслуживать вышедшее из строя зарубежное оборудование она не имеет возможности. Когда в этом году работа предприятия в Ухане была приостановлена из-за поломки оборудования, компании YMTC пришлось из-за проблем с сервисным обслуживанием одолжить аналогичное на другом китайском предприятии.

В прошлом году Micron и Samsung столкнулись со снижением выручки на китайском рынке. Первая сократила её на 34 % в Китае и на 80 % в Гонконге, а выручка Samsung Electronics на китайском рынке просела на 21 %. В целом, в прошлом году спрос на память NAND на мировом рынке снижался, но в этом появились некоторые признаки его возвращения к росту.

Когда на этой неделе у специалистов iFixit дошли руки до вскрытия смартфона Huawei Pura 70 Pro, достоверно судить о происхождении микросхемы NAND внутри нового смартфона китайской марки они судить не могли, просто предположив, что к её выпуску причастна дочерняя компания HiSilicon. Эксперты TechInsights утверждают, что на самом деле это была специализирующаяся на данном виде продукции YMTC.

Источник изображения: Huawei Technologies

В подобном открытии нет ничего удивительного, учитывая формальное отставание крупнейшего в Китае производителя 3D NAND от своих зарубежных конкурентов от силы на пару ступеней технологического процесса. Тем более, что ещё пару лет назад Apple всерьёз рассматривала память YMTC в качестве твердотельного хранилища своих iPhone, и соответствующим планам помешало только ужесточение американских санкций.

Как поясняет Bloomberg со ссылкой на комментарии экспертов TechInsights, в составе смартфонов Huawei Pura 70 используется память типа 3D NAND производства китайской YMTC, выпущенная уже после 2023 года, поскольку об этом позволяют говорить некоторые технологические усовершенствования. Конечно, такие чипы 3D NAND всё ещё отстают от выпускаемых SK hynix, которая оказалась невольно причастной к оснащению прошлогодних смартфонов Huawei Mate 60 Pro, но вполне соответствуют современным требованиям со стороны производителей мобильных устройств.

Микросхема оперативной памяти DRAM в составе смартфонов Huawei Pura 70 произведена южнокорейской компанией Samsung Electronics, но её нельзя назвать ультрасовременной. Как поясняют представители TechInsights, данный чип по уровню технологического развития соответствует компонентам представленных в начале прошлого года флагманских смартфонов Samsung Galaxy S23+, что для условий сохраняющихся санкций в отношении Huawei не так уж плохо. Когда SK hynix в прошлом году пришлось оправдываться по поводу появления своей памяти NAND в составе Huawei Mate 60, компания заявила, что китайский производитель мог использовать запасы микросхем памяти, созданные ещё в 2020 году до введения специфических санкций США. По прогнозам TechInsights, в этом году Huawei сможет отгрузить на рынок около 10,4 млн смартфонов семейства Pura.

Эксперты iFixit и TechSearch International, как сообщает Reuters, по итогам вскрытия смартфона Huawei Pura 70 Pro обнаружили в его составе не только 7-нм процессор HiSilicon Kirin 9010, но и микросхему памяти NAND, предположительно упакованную подразделением HiSilicon и снабжённую фирменным контроллером.

Источник изображения: Huawei Technologies

Источник напоминает, что прошлогодний флагман Huawei Mate 60 оснащался микросхемами DRAM и NAND производства южнокорейской компании SK hynix, из-за чего той даже пришлось оправдываться, указывая на отсутствие сотрудничества с Huawei на момент выхода новых моделей смартфонов в прошлом году. Эксперты тогда пришли к выводу, что Huawei могла использовать при производстве смартфонов Mate 60 запасы микросхем памяти SK hynix, накопленные до введения ограничений.

Смартфон Pura 70 Pro, по данным авторов исследования, содержит большее количество компонентов китайского происхождения, хотя они не берутся оценить этот показатель количественно. По крайней мере, загадочная терабитная микросхема NAND, которая обнаружена внутри этого смартфона, как считают представители iFixit, могла быть упакована подразделением HiSilicon, которое разрабатывает для Huawei процессоры. Непосредственно кристалл памяти NAND внутри упаковки должен быть произведён сторонней зарубежной компанией, а вот контроллер HiSilicon разработала сама.

С другой стороны, на направлении центральных процессоров HiSilicon прогресса в сфере литографии специалисты iFixit пока не наблюдают, поскольку процессор Kirin 9010 выпускается по той же 7-нм технологии SMIC, что и прошлогодний Kirin 9000S. Это не мешает аналитикам рассчитывать на появление 5-нм процессоров китайского производства уже до конца текущего года.

Эксперты TrendForce до апрельского землетрясения на Тайване ожидали, что по итогам второго квартала контрактные цены на DRAM вырастут на 3–8 %, а флеш-память подорожает на 13–18 %, но актуальная обстановка позволяет им рассчитывать на более заметный рост цен на DRAM и NAND в силу целого ряда факторов.

Источник изображения: SK hynix

В частности, контрактные цены на DRAM по итогам второго квартала теперь могут вырасти на 13–18 %, а в сегменте NAND — на 15–20 %. Если само по себе землетрясение на Тайване способно повлиять на рынок памяти лишь в узких его сегментах, то высокий спрос на HBM и экспансия выпуска микросхем HBM3E влияют на него гораздо сильнее.

По словам специалистов TrendForce, до апрельского землетрясения цены на память DRAM и NAND для смартфонов и ПК росли на протяжении двух или трёх кварталов подряд, и покупатели не были готовы спокойно воспринимать дальнейшее повышение цен, но после землетрясения некоторые производители компьютеров начали перестраховываться и закупать память по существенно возросшим ценам, хотя и не в массовом порядке. К концу апреля контрактные цены на память из-за этого успели вырасти сильнее, чем ожидалось в начале квартала.

Во-вторых, производители памяти стали более агрессивно смещать приоритеты в сторону выпуска HBM, из-за этого мощности под выпуск DRAM других типов и NAND могли сокращаться. Компания Samsung Electronics, например, к концу текущего года рассчитывает задействовать под выпуск стеков HBM3E до 60 % всех мощностей, пригодных для выпуска памяти по техпроцессу «альфа» 10-нм класса. Естественно, возможности по выпуску памяти других типов с использованием этой технологии в результате сократятся — может быть ограничено производство DDR5, например. Покупатели даже начали запасаться памятью заранее, опасаясь предстоящего дефицита в третьем квартале. Представители TrendForce в своих прогнозах исходят из предположения, что во втором квартале память типа HBM займёт не более 4 % структуры поставок производителей.

В сегменте серверных твердотельных накопителей стремление провайдеров облачных услуг добиться более высокой энергетической эффективности в сегменте систем искусственного интеллекта толкает их более активно закупать накопители на основе памяти типа QLC. Поставщики последней в ответ на резкий рост спроса искусственно сдерживают темпы отгрузок, поскольку пока не понимают, как будет складываться конъюнктура рынка дальше, и не желают остаться без адекватных запасов продукции. Сейчас память типа NAND в основном реализуется по цене, обеспечивающей окупаемость производства, но компании не торопятся вкладывать средства в увеличение объёмов выпуска флеш-памяти.

В стороне от этих тенденций, как поясняют представители TrendForce, останется память типа eMMC и UFS, поскольку она ограничится минимальным ростом контрактных цен во втором квартале на 10 %.

В календаре Western Digital уже завершился третий фискальный квартал 2024 года, по его итогам компания смогла увеличить выручку на 23 % до $3,5 млрд в годовом сравнении и на 14 % в последовательном. Компания отметила, что в облачном сегменте выручка последовательно выросла на 45 %, в клиентском на 5 %, а в сегменте потребительской электроники сократилась на 13 %. При этом количество поставленных жёстких дисков уменьшилось на 7 % до 11,7 млн штук по сравнению с прошлым годом.

Источник изображения: Western Digital

Поскольку реструктуризация бизнеса Western Digital не завершена, компания продолжает отчитываться и о поставках твердотельной памяти. В годовом сравнении профильная выручка выросла на 30,5 %, а рост цен на твердотельную память в среднем на 18 % способствовал росту нормы прибыли на этом направлении до 27,4 % против 7,9 % кварталом ранее. При этом в объёмном выражении поставки твердотельной памяти компания сократила на 15 % по сравнению с предыдущим кварталом.

Из всей выручки в сумме $3,5 млрд на облачный сегмент пришлось $1,55 млрд, в клиентском сегменте компания выручила $1,17 млрд, а в сегменте потребительской электроники выручка ограничилась $730 млн. В облачном сегменте выручка выросла на 29 % год к году и увеличилась на 45 % последовательно. В клиентском сегменте она выросла на 5 % последовательно и на 20 % в годовом сравнении. Наконец, направление потребительской электроники продемонстрировало сезонное снижение выручки на 13 % в последовательном сравнении, но в годовом она выросла на 13 %.

В сегменте жёстких дисков поставки выросли последовательно на 41 % в ёмкостном выражении, в натуральном они сократились на 7 % год к году до 11,7 млн штук, но выросли последовательно на 8,3 %. В облачном сегменте количество отгруженных жёстких дисков по сравнению с аналогичным кварталом предыдущего года выросло с 6,3 до 7,3 млн штук, клиентский сегмент просел почти в полтора раза с 3,6 до 2,5 млн жёстких дисков, а в сегменте потребительской электроники количество отгруженных накопителей сократилось с 2,7 до 1,9 млн штук. Средняя цена реализации жёсткого диска выросла с $109 до $147 в годовом сравнении, против $122 в предыдущем квартале. Такой динамике мог способствовать высокий спрос на жёсткие диски в облачном сегменте рынка.

В текущем квартале компания рассчитывает выручить от $3,6 до $3,8 млрд и увеличить норму прибыли с нынешних 29,3 до 31,5 % минимум. Реструктуризация, которая отделит от Western Digital бизнес по производству твердотельной памяти, должна завершиться во втором полугодии. Акции компании после публикации квартального отчёта незначительно снизились в цене, выручка в прошлом квартале превзошла ожидания инвесторов, а прогноз на текущий квартал совпал с их ожиданиями.

Компания Samsung сообщила, что начала массовое производство флеш-памяти 3D V-NAND TLC 9-го поколения ёмкостью 1 Тбит. Новые чипы предлагают повышенную плотность и энергоэффективность по сравнению микросхемами памяти 3D V-NAND TLC 8-го поколения.

Источник изображения: Samsung

Производитель не уточнил количество слоёв, использующихся в составе памяти 3D V-NAND TLC 9-го поколения ёмкостью 1 Тбит, а также техпроцесс, который используется для их производства. Однако Samsung отметила, что благодаря самому компактному в отрасли размеру ячеек битовая плотность чипов 3D V-NAND TLC 9-го поколения была улучшена примерно на 50 % по сравнению с памятью 3D V-NAND TLC предыдущего поколения. Производитель также сообщил, что в новых микросхемах памяти применяется технология предотвращения помех, у ячеек увеличен срок службы, а отказ от фиктивных отверстий в токопроводящих каналах позволил значительно уменьшить планарную площадь ячеек памяти.

Флеш-память 3D V-NAND TLC 9-го поколения оснащена интерфейсом нового поколения Toggle 5.1, который увеличил скорость ввода/вывода данных на 33 % до 3,2 Гбит/с на контакт. Наряду с этим компания сократила энергопотребление на 10 % относительно прошлого поколения.

Во второй половине года Samsung планирует начать производство 3D V-NAND девятого поколения ёмкостью 1 Тбит с ячейками QLC.

Компания TeamGroup представила серию твердотельных накопителей MP44Q M.2 PCIe 4.0 на основе чипов флеш-памяти 3D QLC NAND. В состав серии вошли модели SSD объёмом 1, 2 и 4 Тбайт.

Источник изображений: TeamGroup

Компания не уточняет, какой контроллер используется в новинках. Для модели MP44Q M.2 PCIe 4.0 объёмом 1 Тбайт производитель заявляет скорость последовательного чтения и записи до 7400 и 6200 Мбайт/с. В свою очередь, для версий объёмом 2 и 4 Тбайт указываются показатели до 7400 и 6500 Мбайт/с. Производитель отмечает, что в накопителях используется кеш-память SLC.

За охлаждение компонентов SSD отвечает тонкий графеновый радиатор.

Заявленный ресурс у модели объёмом 1 Тбайт составляет 512 TBW (терабайт перезаписанной информации). Для модели объёмом 2 Тбайт указывается ресурс 1024 TBW, а для версии SSD на 4 Тбайт — 2048 TBW. На все новинки предоставляется пятилетняя гарантия производителя или 1,6 млн часов работы на отказ.

В продаже серия накопителей TeamGroup MP44Q M.2 PCIe 4.0 появится в мае. Об их стоимости производитель не сообщил.

Компания Micron выпустила твердотельные накопители 2500-й серии, в которых впервые используются чипы флеш-памяти QLC NAND с количеством слоёв более 200. При этом новинки быстрее, чем накопители серии Micron 2550 на базе памяти TLC NAND, хотя исторически TLC-памяти быстрее, чем на QLC.

Источник изображений: Micron

Память QLC в одной ячейке способна хранить четыре бита информации, а TLC — три. Таким образом, в случае с памятью QLC контроллеру SSD приходится согласовывать 16 состояний напряжения QLC на ячейку вместо 8 у TLC. Как результат, операции чтения и записи индивидуальных ячеек у памяти QLC медленнее, чем у TLC. Повысить скорость накопителей на базе QLC-памяти можно через программную составляющую SSD-контроллера, а также с помощью кеш-памяти SLC (один бит на ячейку) и параллельного доступа к данным.

В составе серии накопителей Micron 2500 используются 232-слойные чипы флеш-памяти QLC NAND со скоростью ввода-вывода 2400 МТ/с на контакт, что на 50 % больше, чем у 176-слойных QLC-чипов. Они также обладают почти на 30 % большей плотностью по сравнению с 176-слойной QLC-памятью в составе накопителей Micron 2400 и на 31 % больше плотностью по сравнению с 232-слойными чипами флеш-памяти TLC NAND, которые используются в серии SSD Micron 2550.

Накопители Micron 2500 до 24 % быстрее в операциях чтения и до 31 % в операциях записи, чем накопители Micron 2450 на 176-слойных чипах памяти TLC. Ниже представлена сравнительная таблица с моделями SSD от Micron на основе флеш-памяти TLC и QLC.

Источник изображения: Blocks and Files

Для новой серии SSD Micron 2500 заявляется скорость в операциях последовательного чтения и записи до 7,1 Гбайт/с и до 6 Гбайт/с соответственно. Производительность в операциях случайного чтения и записи у новинок составляет до 1 млн IOPS, что практически сопоставимо с показателями серии SSD Micron 3500 на базе 232-слойных чипов памяти TLC NAND. При этом по скорости последовательного чтения новинки оказываются даже быстрее. По словам производителя, серия накопителей 2500 на чипах QLC обеспечила в бенчмарке PC Mark10 результат до 45 % выше по сравнению с тремя конкурентами с памятью TLC.

Накопители Micron 2500 будут выпускаться в трёх форматах NVMe M.2: малом (22 × 30 мм), среднем (22 × 42 мм) и большом (22 × 80 мм). Новинки соответствуют стандарту PCIe 4.0 и используют протокол NVMe 1.4. Для SSD Micron 2500 заявляется используется технология буфера HMB. Другими словами, они не имеют собственного буфера памяти DRAM и используют для этих целей часть системной памяти DRAM.

Новинки будут выпускаться в объёмах 512 Гбайт, 1 и 2 Тбайт. Для младшей модели заявлен ресурс в 200 TBW (терабайт перезаписанной информации), для двух других — 300 и 600 TBW соответственно. На все модели предоставляется пять лет гарантии или 2 млн часов работы на отказ.

Компания Samsung Electronics начнёт массовое производство 290-слойных чипов флеш-памяти 9-го поколения 3D V-NAND уже в этом месяце, пишет южнокорейское издание Hankyung, ссылающееся на индустриальные источники. В следующем году производитель планирует выпустить 430-слойные чипы флеш-памяти NAND.

Источник изображений: Samsung

Чипы Samsung 3D V-NAND 9-го поколения с 290 слоями будут выпускаться с использованием технологии двойного штабелирования, которую Samsung впервые применила в 2020 году при производстве 176-слойных микросхем 3D NAND 7-го поколения. Метод подразумевает создание массива чипов 3D NAND на кремниевых пластин диаметром 300 мм, после чего две такие пластины накладываются друг на друга и спаиваются, а затем нарезаются на отдельные чипы, представляющие собой двойные стеки.

Ранее в полупроводниковой индустрии ходили разговоры, что производство чипов флеш-памяти NAND с количеством слоёв около 300 потребует укладки друг на друга трёх пластин из-за технологических ограничений метода двойного стека. Однако, как сообщается, Samsung усовершенствовала процесс двойного штабелирования и теперь будет использовать его для производства памяти NAND с 290–300 слоями.

Во второй половине следующего года компания собирается перейти к производству 10-го поколения флеш-памяти 3D V-NAND с 430 слоями. Именно здесь начнёт применяться укладка трёх пластин друг на друга, пишет южнокорейское издание, ссылающееся на данные исследовательской фирмы Tech Insights. Как отмечается, производитель собирается пропустить выпуск чипов памяти NAND с более чем 300 слоями и сразу перейти к производству 430-слойных микросхем.

Конкуренты Samsung тоже не сидят без дела. С начала следующего года SK hynix собирается начать массовый выпуск 321-слойных чипов флеш-памяти NAND, но будет для этого «спаивать» три пластины с чипами. Китайский производитель памяти YMTC, который в настоящий момент выпускает 232-слойную память NAND, планирует выйти на производство 300-слойных чипов памяти во второй половине текущего года.

Компания Kioxia планирует перейти к массовому производству чипов флеш-памяти 3D NAND с более чем 1000 слоёв к 2031 году. Об этом, как пишет издание Xtech Nikkei, на лекции в ходе 71-го весеннего собрания Общества прикладной физики в Токийском университете сообщил технический директор Kioxia Хидефуми Миядзима (Hidefumi Miyajima). В рамках своего выступления он затронул вопросы, связанные с техническими проблемами и способами их решения для создания 1000-слойных чипов 3D NAND.

Источник изображения: Kioxia

Увеличение количества активных слоёв в чипах флеш-памяти 3D NAND в настоящее время является лучшим способом повысить плотность записи на такие микросхемы. Все производители памяти 3D NAND стремятся увеличивать количество слоёв в составе чипов с помощью более передовых техпроцессов каждые 1,5–2 года. Каждый переход на новый техпроцесс сопряжён с рядом проблем, поскольку производителям 3D NAND приходится не только увеличивать количество слоев, но также сжимать ячейки NAND как по горизонтали, так и по вертикали. Это требует от производителей использования новых материалов, что является настоящей головной болью для специалистов их научно-исследовательских центров.

На сегодняшний день самыми передовыми чипами флеш-памяти 3D NAND в ассортименте Kioxia являются BiCS 3D NAND 8-го поколения с 218 активными слоями и скоростью передачи данных 3,2 Гбит/с. Они были представлены производителем в марте 2023 года. В этом поколении флеш-памяти представлена новая архитектура CBA (CMOS directly Bonded to Array), предлагающая отдельное производство пластин массива ячеек памяти 3D NAND и пластин CMOS ввода-вывода, а затем их последующее объединение с помощью наиболее подходящих для этих целей технологий. В результате получается продукт с повышенной битовой плотностью и улучшенной скоростью ввода-вывода NAND, на основе которого можно создавать одни из самых лучших твердотельных накопителей на рынке.

Компания Kioxia и её производственный партнёр Western Digital не раскрывают всех подробностей архитектуры CBA. Неизвестно, включают ли CMOS-платы ввода-вывода дополнительные периферийные схемы NAND, такие как страничные буферы, усилители считывания и зарядовые насосы. Однако применение метода раздельного производства ячеек памяти и периферийных схем позволяет производителям использовать для создания того или иного компонента памяти 3D NAND наиболее эффективные технологические процессы.

Следует напомнить, что компания Samsung ещё в 2022 году подтвердила планы начать выпуск 1000-слойной флеш-памяти 3D NAND к 2030 году.