Согласно исследованиям TrendForce, в третьем квартале 2023 года произошёл значительный подъём рынка оперативной памяти DRAM: общая выручка выросла до 13,48 миллиардов долларов. Это соответствует 18-процентному росту относительно предыдущего квартала.

Источник изображения: pixabay.com

Значительный рост выручки объясняется постепенным восстановлением спроса, что побуждает производителей активизировать закупки. В перспективе четвёртого квартала поставщики DRAM твёрдо намерены повышать цены, так как ожидается, что контрактные цены на чипы памяти вырастут примерно на 13–18 %. Вместе с тем, восстановление спроса будет не таким ярким, как в предыдущие пиковые сезоны. В целом, несмотря на спрос для поддержания запасов, закупки в серверном сегменте остаются ограниченными из-за высокого уровня запасов с прошлых кварталов, что предполагает ограниченный рост поставок DRAM в четвёртом квартале.

Следует отметить, что три основных производителя оперативной памяти отметили рост выручки в третьем квартале. Выручка Samsung выросла на 15,9 % до 5,25 миллиардов долларов США благодаря стабильному спросу на чипы большой ёмкости, который стимулируется развитием систем искусственного интеллекта и выходом на рынок чипов DDR5, выполненных по нормам 1α. SK hynix продемонстрировала самый заметный рост среди производителей, достигнув величины в 34,4 % при объёмах продаж в 4,626 миллиардов долларов США. Компания при этом значительно сократила разрыв в доле рынка с Samsung до менее чем 5 %. Выручка Micron выросла примерно на 4,2 % до 3,075 миллиардов долларов, несмотря на небольшое снижение ASP (Average Selling Price — средняя цена продажи), чему способствовал рост спроса и объёмов поставок.

Samsung, вместе с тем, форсировала сокращение производства к концу третьего квартала, в основном нацелившись на продукты DDR4 с одновременным увеличением уровней запасов. По прогнозам, в четвёртом квартале сокращение производства может усилиться до 30 %, что приведёт к снижению объёма выпускаемых пластин памяти. При этом, рассчитывая на постепенное восстановление спроса, Samsung планирует увеличить объёмы выпуска чипов памяти не раньше второго квартала 2024-го года. SK hynix выиграла на росте поставок памяти HBM и DDR5, и ожидает небольшого увеличения объёмов производства пластин к концу текущего года, а в следующем году — стабильного ежеквартального роста в соответствии с растущим проникновением DDR5 на рынок.

Micron, ранее сократившая производство, в настоящее время поддерживает относительно здоровый уровень запасов. В четвёртом квартале 2023-го года компания уже начала увеличивать объёмы выпуска пластин, в первую очередь уделяя особое внимание передовому техпроцессу 1β. По некоторым оценкам, объём обработки кремниевых пластин в 2024-м году продолжит незначительно расти, при этом основное внимание будет уделяться переходу на более современные производственные процессы.

В то же время, на Тайване поставки компании Nanya выросли до 17–19 % благодаря заказам от клиентов рынка персональных компьютеров и динамикой спотового рынка. Однако низкий спрос на основные продукты компании — память DDR3 и DDR4, — а также снижение цен ограничили рост выручки, которая в итоге составила скромные 244 миллиона долларов США. Агрессивная ценовая стратегия компании Winbond, направленная на расширение бизнеса по выпуску DDR3 и освоение новых производственных мощностей, способствовала росту отгрузок и увеличению выручки компании в третьем квартале до 112 миллионов долларов США.

Источник изображения: TrendForce

PSMC (Powerchip Semiconductor Manufacturing Corporation) рассчитывает свою выручку в основном от потребительских продуктов DRAM, за исключением, собственно, услуг фотолитографического производства пластин. Благодаря росту спотовых цен, наблюдалось небольшое увеличение спроса, что привело к росту квартальной выручки от DRAM на 4,4 %. Однако, если учесть доходы от фотолитографического производства чипов, то в этом квартале следует констатировать снижение на 5,5 %.

Компания G.Skill представила комплекты модулей оперативной памяти R-DIMM DDR5 Zeta R5 Neo, которые сертифицированы для использования с новейшими высокопроизводительными процессорами AMD Ryzen Threadripper 7000 и Ryzen Threadripper PRO 7000 на материнских платах с чипсетом AMD TRX50. Новинки поддерживают разгон.

Источник изображений: G.Skill

Память G.Skill Zeta R5 Neo R-DIMM DDR5 доступна в комплектах из четырёх модулей DDR5-6400 объёмом по 16 или 32 Гбайт каждый. Таким образом, общий объём комплектов составляет 64 и 128 Гбайт.

Для обоих наборов модулей оперативной памяти Zeta R5 Neo R-DIMM DDR5-6400 заявляются тайминги CL32-39-39-102 и рабочее напряжение 1,4 В. Новинки поддерживают профили разгона AMD EXPO.

Следует добавить, что указанные модули ОЗУ уже активно используются различными оверклокерами для установки рекордов разгона процессоров Ryzen Threadripper PRO 7000.

О стоимости модулей ОЗУ Zeta R5 Neo R-DIMM DDR5-6400 производитель не сообщил, однако добавил, что в продаже они появятся в этом месяце.

Компания TeamGroup представила двухканальные комплекты модулей оперативной памяти T-Force Vulcan ECO DDR5 общим объёмом 32 Гбайт (2 × 16 Гбайт). Как заявляет производитель, это первые на рынке модули ОЗУ, оснащённые радиаторами из алюминия, полученного из вторичного сырья.

Источник изображений: TeamGroup

TeamGroup поясняет, что для каждых 10 тыс. радиаторов T-Force Vulcan ECO DDR5, изготовленных из переработанного алюминия, выбросы углекислого газа сокращаются на 73 % или примерно на 1665 кг по сравнению с применением нового алюминия. Это эквивалентно углеродному следу, который оставляют 550 тыс. салфеток для рук, 310 тыс. пластиковых трубочек, 30 тыс. пластиковых пакетов и 10 тыс. ПЭТ-бутылок. Сами модули при этом поставляются в экоупаковке, что ещё больше способствует сокращению материальных и электронных отходов.

Оперативная память TeamGroup T-Force Vulcan ECO DDR5 предлагается в вариантах DDR5-5600 и DDR5-6000. Для первого заявляются тайминги CL40 и рабочее напряжение в 1,2 В. Модули DDR5-6000 будут выпускаться в версиях с таймингами CL30 и рабочим напряжением 1,35 В, а также CL38 и рабочим напряжением 1,25 В.

Модули ОЗУ T-Force Vulcan ECO DDR5 поддерживают профили разгона Intel XMP 3.0 и AMD EXPO. Новинки оснащены низкопрофильными радиаторами охлаждения без подсветки. Размеры модулей составляют 32,7 × 140 × 7,5 мм. Производитель предоставляет для них пожизненную гарантию.

В продаже модули ОЗУ T-Force Vulcan ECO DDR5 от TeamGroup появятся в середине декабря. О стоимости новинок компания не уточняет.

Компания Thermaltake представила модули оперативной памяти Toughram XG RGB D5 с эффективной частотой 7600 и 8000 МГц. Они будут предлагаться в виде двухканальных комплектов общим объёмом 32 Гбайт (2 × 16 Гбайт). Производитель ориентирует новинки на использование с процессорами Intel Core 14-го поколения (Raptor Lake Refresh) и заявляет для них поддержку профилей разгона Intel XMP 3.0.

Источник изображений: Thermaltake

Для модулей памяти Toughram XG RGB D5 DDR5-8000 производитель заявляет тайминги CL38-48-48-128 и работу при напряжении 1,5 В. В свою очередь, для комплекта памяти Toughram XG RGB D5 DDR5-7600 заявляются тайминги CL38-48-48-84 и рабочее напряжение 1,45 В.

Модули ОЗУ Toughram XG RGB D5 оснащены радиаторами охлаждения, выполненными в бело-сером и чёрно-сером цветах и разделёнными на две части, одна из которых имеет сетчатый узор.

В верхней части предусмотрена многоцветная адресуемая подсветка на основе 16 ярких светодиодов. Она совместима с программным обеспечением TT RGB Plus и NeonMaker Light Editing. Контролировать эффекты и синхронизировать цвета можно с подсветкой других компонентов ПК.

На модули оперативной памяти Thermaltake Toughram XG RGB D5 предоставляется пожизненная гарантия.

Компания Micron представила модули регистровой оперативной памяти (RDIMM) для серверов ёмкостью 128 Гбайт, способные работать со скоростью до 8000 МТ/с. В их составе используются 32-гигабитные монолитные чипы DDR5, производящиеся с использованием технологического процесса 1β (1-бета), являющегося самым продвинутым у производителя. Массовое производство этих модулей ОЗУ начнётся в следующем году. Ещё компания поделилась планами на будущее.

Источник изображений: Micron

По словам компании, задействованная технология для производства 32-гигабитных монолитных кристаллов памяти DDR5 обеспечивает ряд преимуществ перед конкурирующей технологией 3DS TSV (Through-Silicon Via). Так, для новых чипов заявлены повышение битовой плотности более чем на 45 %, увеличение энергоэффективности до 24 %, снижение задержек до 16 % и повышение эффективности в задачах обучения ИИ до 28 %. Отказ от 3DS TSV позволил Micron лучше оптимизировать буферы ввода данных и критические схемы ввода-вывода, а также уменьшить ёмкость выводов на линиях данных.

Micron в прошлом удваивала плотность монолитных кристаллов памяти примерно каждые три года. С дальнейшим развитием технологий производитель планирует перейти к выпуску 48-гигабитных и 64-гигабитных монолитных кристаллов памяти, которые откроют перспективу создания модулей ОЗУ объёмом 1 Тбайт.

В дополнение к анонсу модулей памяти RDMIMM DDR5-8000 на 32-гигабитных чипах памяти на техпроцессе 1β, компания также опубликовала обновлённые планы по выпуску будущих продуктов. С середины 2024 года планируется начать массовое производство 16-гигабитных и 24-гигабитных чипов памяти GDDR7 со скоростью передачи данных 32 ГТ/с (гигатрансферов в секунду).

С 2024 года компания также планирует начать выпуск памяти RDIMM, MCRDIMM и решений CXL ёмкостью 128–256 Гбайт, а в 2026 году — объёмом более 256 Гбайт. С 2026 года производитель также начнёт выпуск энергоэффективных модулей памяти LPCAMM2 объёмом до 192 Гбайт и скоростью до 9600 МТ/с. Кроме того, планируется выпуск памяти HBM4 и HBM4E. Это новое поколение высокопроизводительной памяти должно обеспечить полосу пропускания от 1,5 Тбайт/с до более чем 2 Тбайт/с на стек при ёмкости от 36 до 64 Гбайт.

В линейке комплектующих бренда Mastero появилась оперативная память DDR4 для ПК. Компания предлагает планки объёмом 8 и 16 Гбайт, а также комплекты на 16 (2×8) и 32 Гбайт (2×16). Модули рассчитаны на рабочую частоту 3200 МГц и укомплектованы штатными радиаторами, что позволяет использовать их в игровых компьютерах и производительных рабочих станциях.

Источник изображений: e2e4

Память Mastero производится по контракту на технологической площадке в Китае. На модули действует гарантия 10 лет, что сравнимо с гарантийным сроком от мировых брендов.

В ОЗУ используются чипы A-класса Hynix и Micron с нулевым процентом брака. Встроенный XMP-профиль при активации позволяет автоматически установить рабочую частоту 3200 МГц и тайминги 16-20-20-38. Память Mastero обладает хорошим разгонным потенциалом и стабильностью, что проверено в обзоре комплекта памяти Mastero DDR4 16 Гбайт (2×8 Гбайт).

Mastero предлагает одиночные модули ОЗУ и комплекты:

• Память DDR4 DIMM 8 Гбайт, 3200 МГц Mastero (MS-OP-8G-3200-CL16). Цена — 2300 руб.
• Память DDR4 DIMM 16 Гбайт, 3200 МГц Mastero (MS-OP-16G-3200-CL16). Цена — 3600 руб.
• Комплект памяти DDR4 DIMM 16 Гбайт (2 × 8 Гбайт), 3200 МГц Mastero (MS-OP-16G-3200-CL16-K2). Цена — 4300 руб.
• Комплект памяти DDR4 DIMM 32 Гбайт (2 × 16 Гбайт), 3200 МГц Mastero (MS-OP-32G-3200-CL16-K2). Цена — 7400 руб.
  

Модули памяти Mastero оснащены радиаторами чёрного матового цвета с серебристыми вставками. Радиаторы улучшают охлаждение электронных компонентов и придают сборке стильный вид.

На Российском рынке Mastero представлен в категориях: системные блоки, комплектующие для ПК и периферия. Бренд предлагает продукты для широкого круга пользователей и для узких специалистов: инженеров, архитекторов, видеографов, дизайнеров. Техническую поддержку в России предоставляет официальный дистрибьютор — компания е2е4.

Компания Essencore, которой принадлежит торговая марка Klevv, сообщила о расширении своего ассортимента модулей оперативной памяти DDR5 двуканальными комплектами ОЗУ серий CRAS V RGB, CRAS XR5 RGB и BOLT V общим объёмом 48 и 64 Гбайт.

Источник изображений: Klevv

Двухканальные комплекты памяти CRAS V RGB DDR5 объёмом 48 и 64 Гбайт предлагают скорость от 6000 до 8000 МТ/с, имеют тайминги CL30-36-36-76 (DDR5-6000), CL32-38-38-78 (DDR5-6400), CL34-44-44-84 (DDR5-7200), CL36-46-46-86 (DDR5-7400) и CL38-48-48-128 (DDR5-8000). Модули ОЗУ обладают рабочим напряжением от 1,35 до 1,45 В. Память Klevv CRAS V RGB DDR5 оснащена радиаторами охлаждения с RGB-подсветкой. Высота модулей составляет 44 мм.

Двухканальные комплекты CRAS XR5 RGB DDR5 объёмом 48 и 64 Гбайт также предлагают скорость от 6000 до 8000 МТ/с. Для них заявляются тайминги CL40-40-40-76 и CL32-38-38-78 (DDR5-6000); CL40-42-42-78 и CL32-38-38-78 (DDR5-6200); CL36-46-46-82 (DDR5-7000), CL 36-46-46-84 (DDR5-7200) и CL38-48-48-128 (DDR5-8000). Для данных комплектов ОЗУ указывается рабочее напряжение от 1,3 до 1,55 В. Модули памяти CRAS XR5 RGB DDR5 оснащены алюминиевыми радиаторами охлаждения с RGB-подсветкой и имеют высоту 42,5 мм.

Двухканальные комплекты BOLT V DDR5 объёмом 48 и 64 Гбайт предлагают скорость от 6000 до 6800 МТ/с. Они обладают таймингами CL30-36-36-76 (DDR5-6000), CL32-38-38-78 (DDR5-6400) и CL34-40-40-80 (DDR5-6800). Для всех указанных модулей заявляется рабочее напряжение 1,35 В. Новинки оснащены низкопрофильными радиаторами охлаждения без RGB-подсветки. Высота модулей составляет 34 мм.

Все представленные модули памяти Klevv имеют поддержку профилей разгона AMD EXPO и Intel XMP 3.0. На все модули ОЗУ предоставляется пожизненная гарантия производителя.

Компания Biostar представила модули оперативной памяти RGB DDR5 GAMING X объёмом 16 Гбайт, обладающие скоростью 6400 МГц. Производитель решил выпускать их в виде одинарных планок, а не в виде двухканальных комплектов.

Источник изображений: Biostar

Производитель заявляет, что в модулях ОЗУ RGB DDR5 GAMING X используются «отборные чипы памяти, проверенные на совместимость и надёжность».

Для модулей памяти RGB DDR5 GAMING X со скоростью 6400 МГц заявляются тайминги CL32-39-39-80 и рабочее напряжение 1,4 В. Планки поддерживают профили разгона Intel XMP 3.0 и AMD EXPO.

Новинки оснащены радиатором охлаждения с RGB-подсветкой, управлять которой предлагается с помощью фирменной утилиты Vivid LED DJ. Подсветку можно синхронизировать с остальными компонентами системы.

О стоимости представленной памяти производитель не сообщил.

Компания Micron сообщила, что приступила к поставкам образцов энергоэффективной оперативной памяти LPDDR5X-9600, производящейся с использованием её самого передового технологического процесса 1β (1-бета).

Источник изображения: Micron

В Micron отмечают, что оперативная память LPDDR5X на техпроцессе 1β предлагает скорость до 9,6 Гбит/с на контакт (LPDDR5X-9600). Пропускная способность памяти более чем на 12 % выше, чем у LPDDR5X-8533 (8,533 Гбит/с на контакт).

Компания также сообщает, что оперативная память LPDDR5X на техпроцессе 1β почти на 30 % энергоэффективнее чипов памяти LPDDR5X на техпроцессе 1α. Micron будет выпускать память LPDDR5X на техпроцессе 1β микросхемами объёмом до 16 Гбайт.

Источник изображения: SK hynix

В свою очередь южнокорейская SK hynix будет поставлять микросхемы памяти LPDDR5T-9600 («T» от «Turbo») объёмом 16 Гбайт, которые работают с напряжением VDD от 1,01 до 1,12 и VDDQ 0,5 В. Для сравнения, максимальное напряжение VDD для памяти LPDDR5X, согласно спецификациям, составляет 1,1 В. Таким образом память LPDDR5T немного выходит за эти рамки.

Микросхемы памяти Micron LPDDR5X-9600 и SK hynix LPDDR5T-9600 совместимы с новейшими флагманскими процессорами Qualcomm Snapdragon 8 Gen 3 с поддержкой генеративного ИИ и будут применяться в смартфонах на их основе. Micron уже приступила к поставкам чипов LPDDR5X-9600 объёмом 16 Гбайт с пиковой пропускной способностью 76,8 Гбайт/с. SK Hynix рассказала, что её микросхемы прошли проверку компанией Qualcomm, поэтому южнокорейский производитель, вероятно, начнёт поставки этих чипов в ближайшее время.

Специалисты по безопасности из Швейцарии обнаружили новую разновидность атаки на оперативную память DRAM, от которой сегодня нет защиты. Новая атака пока не реализована в виде эксплоита и ещё не использовалась злоумышленниками, но производители памяти должны срочно искать защиту, иначе будет поздно.

Источник изображения: Pixabay

Исследователи из Швейцарской высшей технической школы Цюриха (ETH Zürich) во главе с профессором Онуром Мутлу (Onur Mutlu) изучали так называемые атаки ошибок чтения в процессе воздействия на модули оперативной памяти DRAM. На данные в ячейках могут влиять как естественные причины, например, попадание высокоэнергетических космических частиц, так и специально организованное воздействие. И если с природными явлениями можно смириться и научиться им противодействовать, используя коды коррекции ошибок, то злонамеренному воздействию противостоять намного сложнее.

Впервые научно о возможности целевого и непрямого изменения данных в ячейках памяти исследователи рассказали в 2015 году. Атака получила название RowHammer. Как следует из названия, серия запросов как молоточком долбила по определённой строке в банке памяти, и это вызывало изменение данных в ячейках, находящихся по соседству.

Механизм атаки базировался на том, что определённые ячейки памяти перегружались запросами настолько, что вызванные этими операциями токи утечек меняли заряды в физически расположенных рядом ячейках. Тем самым, например, можно было атаковать защищённые области памяти, не обращаясь к ней напрямую. Позже было показано, как с помощью атаки RowHammer можно похищать 2048-битные RSA-ключи из защищённой области.

Производители приняли меры, которые помогли защититься от атак типа RowHammer. В частности, у памяти поколения DDR4 есть своеобразный счётчик числа обращений к одной строке — технология Target Row Refresh или TRR, которая при превышении определённого порога перезаписывает ячейки в соседних строках на случай, если в какой-то из ячеек произошло искажение бита. И хотя в 2021 году появился вариант атаки RowHammer, который преодолевает защиту TRR, в целом, этот механизм защищает от широкого спектра подобных атак.

Новый вид атак RowPress ставит крест на всех предыдущих методах защиты от злонамеренного изменения данных в ячейках памяти DRAM. Он использует совсем другой принцип и поэтому опасен. Вместо длительных серий активации строки-агрессора, как это делает RowHammer, атака RowPress просто держит строку открытой дольше определённого времени. Но результат тот же — строка-жертва, на которую никак напрямую не воздействуют, меняет состояния ячеек памяти на нужное злоумышленнику.

Исследователи подчёркивают, что на основе RowPress пока нет готовых рецептов для атаки. Однако потенциальная возможность изменения данных в ячейках DRAM с её помощью открывает окно возможностей, в которое рано или поздно проникнет нарушитель.

Главная беда в том, что атака RowPress менее затратная, чем RowHammer. Для её проведения — для изменения данных в строках-жертвах — необходимо в 10–100 раз меньше активаций, чем в случае использования RowHammer. Такую атаку намного сложнее обнаружить. Для противодействия ей, считают исследователи, понадобятся свои схемотехнические решения и это снизит среднюю производительность DRAM как минимум на 2 % и намного сильнее для ряда приложений.

Готовы ли производители пойти на такие жертвы? Компания Samsung ответила, что изучает возможность защиты модулей памяти DDR4 от нового вида атаки. Компании Micron и SK Hynix на момент написания новости комментарии не предоставили.

Исследователи проанализировали 164 современных модуля компьютерной памяти и убедились, что все они в той или иной мере подвержены уязвимости RowPress. Это совершенно новый механизм воздействия на память, который в сочетании с атакой RowHammer расширяет список и диапазон опасностей. В комбинации RowPress и RowHammer обещают оказаться очень и очень опасными. Также выяснилось, что чем выше температура чипов DRAM, тем легче проходит атака RowPress. Наконец, атака RowPress тем легче, чем более тонкие техпроцессы использовались для производства модулей памяти.

Теоретически защититься от RowPress можно простым сокращением разрешённого времени открытия строки. Исследователи показали, что это время не должно превышать 30 мс. Если строка остаётся открытой дольше этого времени, то происходит, как минимум, одно переключение бита. Производители памяти должны опытным путём найти оптимальную длительность открытия строки, чтобы это не сильно снижало производительность DRAM и не давало бы шансов на проведение атаки RowPress.

Компания ASUS в обновлённых материнских платах на чипсете Intel Z790 предлагает новый способ разгона оперативной памяти DDR5, получивший название DIMM Flex. Он призван не только повышать производительность памяти, но и увеличивать стабильность работы разогнанных модулей ОЗУ.

Источник изображений: ASUS

Есть два основных метода разгона оперативной памяти. Через повышение частоты её работы улучшаются скорости чтения и записи ОЗУ. Через настройку таймингов снижается задержка в её работе. Проблема современных комплектов DDR5 заключается в том, что под нагрузкой они сильно нагреваются, что не только ограничивает потенциал их дополнительного разгона, но и снижает заложенные в них показатели производительности. Внутренние тесты ASUS показали, что по мере нагрева оперативной памяти DDR5 под нагрузкой её быстродействие может упасть более чем на 22 %.

DIMM Flex призвана решить проблему, описанную выше. Для этого на определённых моделях своих обновлённых Z790-плат ASUS установила рядом со слотами DIMM температурный датчик. Данные с датчика обрабатываются специальным контроллером на плате, после чего направляются CPU, давая последнему команду изменить частоту ОЗУ. Формально речь идёт о динамической смене частоты работы оперативной памяти с учётом нагрузки, температуры, а также некоторых других параметров. При этом, судя по всему, информация о температуре с внутреннего контроллера PMIC на самих модулях памяти не учитывается.

Компания объясняет, что в зависимости от игры, выбранного разрешения экрана, а также игровых настроек, DIMM Flex может существенно повысить частоту кадров. Например, в игре Metro Exodus, запущенной в разрешении 1440p, с настройками качества «Экстрим» и с включённой функцией DIMM Flex прибавка FPS составила 17,59 % по сравнению настройками ОЗУ по умолчанию. Новая функция DIMM Flex обеспечила преимущество в производительности даже на фоне оптимизированного профиля разгона памяти XMP. Последний повысил быстродействие в указанной игре лишь на 1,35 % по сравнению со стандартными настройками памяти. В Counter-Strike: Global Offensive в разрешении 4K профиль XMP смог повысить FPS на 5,26 %, а DIMM Flex увеличил FPS на 10,53 %.

Активация DIMM Flex производится в пункте меню Ai Tweaker в BIOS материнской платы. После активации DIMM Flex функция AI Overclock Tuner автоматически переключит профиль разгона памяти на значение XMP Tweaked — наиболее подходящее для DIMM Flex. При использовании модулей памяти без поддержки XMP можно выбрать профиль AEMP II или DIMM Flex во вкладке Ai Tweaker.

После этого можно оставить все настройки по умолчанию или вручную установить ограничения по температурам и таймингам. DIMM Flex предлагает три уровня настроек на основе изменяемых контрольных точек температуры, что позволяет использовать экстремальные настройки производительности при низких температурах, менее агрессивные настройки при некотором нагреве ОЗУ, а также ещё менее производительные настройки при достижении порогового значения температуры памяти. Настройки Level 1 соответствуют тем, которые были установлены в корневом меню настройки DRAM (базовые или XMP профиль). Для уровней 2 и 3 можно выбрать значения второстепенных таймингов, чтобы настроить производительность ОЗУ в соответствии со сценариями использования.

Компания опубликовала список материнских плат, а также модулей ОЗУ, которые поддерживают DIMM Flex. С ним можно ознакомиться на сайте производителя. В основном речь идёт о платах серии ROG и модулях ОЗУ с поддержкой частоты от 6800 МГц и выше. К сожалению, ASUS в своём анонсе не уточняет, будет ли технология DIMM Flex работать только с процессорами Core 14-го поколения (Raptor Lake Refresh), либо её можно использовать также с 13-м (Raptor Lake) и 12-м (Alder Lake) поколениями чипов Intel.

Тайваньская компания TeamGroup представила модули оперативной памяти T-Force XTREEM DDR5. Новинки будут предлагаться в виде двухканальных комплектов общим объёмом 32 Гбайт (два модуля по 16 Гбайт) и 48 Гбайт (два модуля по 24 Гбайт) со скоростью 7600 МТ/с (тайминги CL36), 8000 МТ/с (CL38) и 8200 МТ/с (CL38).

Источник изображений: TeamGroup

Рабочее напряжение модулей оперативной памяти TeamGroup T-Force XTREEM DDR5 составляет 1,4 или 1,45 В. Производитель отмечает, что для новой серии ОЗУ была разработана и запатентована новая методика тестирования и проверки чипов памяти, что и помогло добиться таких высоких скоростных характеристик.

Модули памяти TeamGroup T-Force XTREEM DDR5 ориентированы на геймеров, энтузиастов и любителей разгона. Новинки поддерживают профили разгона Intel XMP 3.0 и AMD EXPO.

Память TeamGroup T-Force XTREEM DDR5 оснащена радиаторами охлаждения из алюминиевого сплава толщиной 2 мм. Радиаторы прошли пескоструйную обработку и имеют анодированное покрытие, устойчивое к внешнему воздействию различных сред. Для более плотного контакта радиаторов с чипами используется специальный теплопроводящий силикон. Размеры модулей ОЗУ составляют 134,5 × 8,2 × 48,8 мм.

В продаже модули памяти TeamGroup T-Force XTREEM DDR5 появятся в конце октября. О стоимости новинок производитель не сообщил.

Компания Corsair выпустила премиальные комплекты оперативной памяти Dominator Titanium DDR5 со скоростью до 8000 МГц. Интересной особенностью новинок является возможность изменить их внешний вид при помощи замены верхней части радиаторов.

Источник изображений: Corsair

В верхней части радиаторов модулей памяти Corsair Dominator Titanium DDR5 находится панель, которую можно снять и заменить на другую — свою или купленную у Corsair. При этом подсветка ARGB останется, кроме тех случаев, когда верхняя часть полностью непрозрачная. Для управления подсветкой есть фирменное программное обеспечение Corsair iCUE.

Corsair будет предлагать модули ОЗУ Dominator Titanium DDR5 как с поддержкой профилей разгона Intel XMP 3.0, так и с поддержкой профилей AMD EXPO. Выглядят планки практически одинаково, поэтому следует более внимательно изучить комплект при покупке. Также можно обратить внимание на цвет модулей. Планки с поддержкой XMP 3.0 будут доступны в чёрном или белом вариантах, а модули с поддержкой AMD EXPO — только с серыми радиаторами.

Компания Corsair предлагает память Dominator Titanium DDR5 в виде двухканальных комплектов общим объёмом 32 (2×16), 48 (2×24), 64 (2×32) и 96 (2×48) Гбайт. В виде четырёхканальных комплектов память будет предлагаться модулями объёмом по 16, 24 и 48 Гбайт. То есть, общий объём комплектов в этом случае составит до 192 Гбайт. Скорость модулей варьируются от DDR5-6000 до DDR5-8000, а рабочее напряжение — от 1,35 до 1,45 В.

Corsair также выпустит специальные комплекты памяти First Edition. Всего 500 пар для каждой модели. Они будут доступны в виде двухканальных наборов на 32 (2×16), 48 (2×24) и 64 (2×32) Гбайт и предложат скорости DDR5-6000, DDR5-6600 и DDR5-7200. Независимо от объёма и скорости все они работают с напряжением 1,4 В.

Варианты First Edition поставляются с дополнительными аксессуарами в виде фирменной отвёртки Corsair, а также сменных планок радиаторов. Указанные комплекты будут доступны только через официальный онлайн-магазин Corsair.

На момент написания данной заметки не все модули памяти Dominator Titanium DDR5 были доступны в онлайн-магазине производителя. Комплект DDR5-6000 с таймингами CL30 объёмом 32 Гбайт (2×16 Гбайт) и комплект DDR5-7200 того же объёма с таймингами CL32 компания оценила в $174,99 и $234,99 соответственно. В свою очередь двухканальный комплект DDR5-6000 с таймингами CL30 на 64 Гбайт (2×32 Гбайт) производитель оценил в $314,99.

Компания TeamGroup представила память T-Create Master DDR5 OC R-DIMM с возможностями разгона, разработанную специально для рабочих станций и серверных систем.

Источник изображений: TeamGroup

Произведенная память T-Create Master DDR5 OC R-DIMM адаптирована под требования рабочих станций с материнскими платами Intel W790. Производитель готов предложить модули ОЗУ DDR5-6000, DDR5-6400 и DDR5-6800. Планки можно использовать с материнскими платами рабочих станций для достижения максимальной ёмкости 384 Гбайт.

Память T-Create Master DDR5 OC R-DIMM имеет встроенную стандартную функцию ECC, которая автоматически распознаёт и исправляет спонтанно возникшие изменения битов памяти.

Модули памяти оснащаются алюминиевыми радиаторами охлаждения, снижающими рабочую температуру чипов памяти DDR5 на 10,6 градуса Цельсия, а силовых компонентов PMIC — почти на 14 градусов Цельсия.

TeamGroup собирается выпускать комплекты памяти DDR5-6800 из четырёх модулей по 16 Гбайт и DDR5-6800 из восьми модулей по 16 Гбайт. Их производство начнётся в октябре 2023 года.

Компания Patriot Memory сообщила о расширении своего ассортимента высокоскоростных модулей оперативной памяти, представив новинки в серии Viper Xtreme 5 DDR5. Производитель выпустил двухканальные комплекты ОЗУ общим объёмов 32 Гбайт (2 × 16 Гбайт) и 48 Гбайт (2 × 24 Гбайт). Изначально они были анонсированы на выставке CES 2023 в начале этого года.

Источник изображений: Patriot Memory

Новинки предлагают скорости передачи данных 7600 и 8200 МТ/с. Они работают с таймингами CL38-48-48-84 при напряжении 1,45 В и поддерживают профили разгона Intel XMP 3.0.

Модули ОЗУ Viper Xtreme 5 DDR5 оснащены радиаторами с RGB-подсветкой, для которой заявляется поддержка самых популярных утилит для управления подсветкой, включая Gigabyte RGB Fusion 2.0, MSI Mystic Light Sync, ASUS Aura Sync и ASRock Polychrome Sync. В продаже также будут доступны варианты без RGB-подсветки.

Производитель отмечает, что новые комплекты памяти ОЗУ Viper Xtreme 5 DDR5-7600 и DDR5-8200 общим объёмом 32 и 48 Гбайт появятся в продаже в этом месяце.