Компания Samsung объявила о расширении стратегического партнерства с американской компанией Advanced Micro Devices (AMD) в области разработки передовой 3-нанометровой технологии производства чипов. Используя более тесные связи с AMD, Samsung стремится обогнать своего главного конкурента, контрактного производителя полупроводников TSMC.

Источник изображения: Samsung

Это партнерство позволит компаниям объединить усилия в разработке инновационных решений для производства чипов следующего поколения, которые будут использоваться в высокопроизводительных вычислительных системах, центрах обработки данных, смартфонах и других электронных устройствах.

Как сообщает корейское новостное издание KED Globall, в рамках соглашения Samsung, крупнейший в мире производитель микросхем памяти, получит доступ к передовым разработкам AMD в области архитектуры чипов, а AMD, который в свою очередь разрабатывает микропроцессоры и графические процессоры, сможет воспользоваться мощностями Samsung по производству чипов с использованием новейшей 3-нм технологии транзисторов Gate-All-Around (GAA).

Данная технология позволяет создавать чипы с рекордной плотностью транзисторов и улучшенными характеристиками производительности. По сравнению с предыдущим поколением 5-нм чипов, 3-нм чипы GAA обеспечивают прирост производительности на 30 %, снижение энергопотребления на 50 % и уменьшение площади чипа на 45 %. В настоящее время Samsung является единственным производителем в мире, который уже запустил 3-нм техпроцесс GAA в коммерческое производство, опередив основного конкурента тайваньскую компанию TSMC.

Расширение сотрудничества с AMD позволит Samsung нарастить свою долю на рынке контрактного производства чипов и сократить отставание от TSMC. Известно, что в настоящее время Samsung контролирует около 17 % этого рынка, а TSMC — более 50 %. В дальнейшем Samsung планирует начать массовый выпуск 2-нм чипов на базе технологии GAA в 2025 году, что позволит ей упрочить лидерство в области полупроводниковых технологий.

Компания Samsung интегрирует функции на базе искусственного интеллекта в свои смарт-часы Galaxy Watch с выпуском для них обновления One UI 6 Watch на базе операционной системы Wear OS 5. Это решение продолжает тенденцию, заданную ранее в этом году для серии смартфонов Galaxy S24, где также акцентировалось внимание на возможностях ИИ.

Источник изображения: Samsung

Как сообщает ресурс 9to5google, в часах Galaxy Watch искусственный интеллект будет использоваться для расширения функций мониторинга здоровья и фитнеса. Компания заявляет, что технология позволит получать более полную картину состояния здоровья. В частности, появятся такие инструменты, как:

• Energy Score для комплексной оценки текущего состояния здоровья на основе данных о пользователе.
• Wellness Tips для персонализированных рекомендаций по улучшению здоровья.
• Workout Routine для создания оптимальных тренировочных планов.
• Race для контроля пробежек или велопоездок.

Все эти возможности будут доступны владельцам Galaxy Watch на базе Wear OS, начиная с обновления One UI 6 Watch, которое основано на недавно анонсированной Google платформе Wear OS 5. Интегрировав эти и другие опции искусственного интеллекта в свои смарт-часы, Samsung намерена значительно расширить их функциональность в области мониторинга здоровья и фитнеса, что позволит Galaxy Watch предоставлять еще более персонализированные и точные рекомендации пользователям, а также мотивировать их на достижение конкретных целей в спорте или фитнесе для улучшении общего самочувствия. По словам Samsung, бета-версия обновления появится уже в июне текущего года.

На уходящей неделе агентство Reuters сообщило, что по состоянию на апрель этого года микросхемы HBM3 и HBM3E производства Samsung Electronics так и не смогли пройти квалификационные тесты Nvidia, и в результате данная продукция корейской марки до сих пор не может использоваться для оснащения ускорителей вычислений американского партнёра. Samsung данную информацию попыталась опровергнуть.

Источник изображения: Samsung Electronics

Сделано это было, если опираться на публикацию Business Korea, в весьма неопределённых формулировках. «Мы в настоящее время тесно работаем с многими компаниями и непрерывно тестируем технологии и производительность продукции. Мы проводим различные тесты, чтобы тщательно подтверждать качество и быстродействие HBM», — гласило заявление представителей Samsung Electronics. Компания подчеркнула, что стремится улучшать качество и надёжность всей продукции, чтобы обеспечить клиентов наилучшими решениями.

Поскольку HBM3E или даже HBM3, а также имя Nvidia в этом контексте непосредственно не упоминались, по заявлениям Samsung сложно сформировать представление об истинном положении дел с сертификацией данных типов памяти для нужд американского клиента. В прошлом месяце Samsung приступила к массовому производству 8-ярусных стеков HBM3E, к производству 12-ярусных она намеревается приступить до конца текущего квартала. «Мы предпринимаем усилия по обеспечению качества и повышения надёжности всех своих продуктов», — отметили представители Samsung Electronics.

После мартовской конференции GTC 2024 в Сети стала часто мелькать фотография со стенда Samsung Electronics с одобрительной резолюцией главы Nvidia рядом с образцами 12-ярусной памяти типа HBM3E. Многие поверили, что это приближает память этой марки к массовому использованию в ускорителях Nvidia, но источники Reuters заверяют, что эта продукция корейской компании до сих пор не устраивает по своим характеристикам потенциального заказчика.

Источник изображения: Samsung Electronics

По крайней мере, апрельский этап сертификационных тестов предоставленные Samsung образцы 8- и 12-ярусной памяти HBM3E, а также более зрелой HBM3 всё равно провалили, поскольку демонстрировали более высокий уровень энергопотребления и тепловыделения, чем нужно Nvidia. Попытки пройти эти тесты Samsung предпринимает с прошлого года, но пока они так и не завершились успехом. Между тем, Samsung собирается начать поставки 12-слойных микросхем HBM3E заказчикам до конца следующего месяца, потенциально опережая лидирующую в этом сегменте SK hynix. В то же время, Micron Technology уже заявила, что её микросхемы HBM3E будут поставляться для нужд Nvidia в этом году. По сути, являясь крупнейшим производителем большинства типов памяти в мире, Samsung до сих пор не может стать поставщиком HBM3 и HBM3E для нужд Nvidia.

Не исключено, что недавняя смена руководства в подразделении Samsung Electronics, отвечающем за выпуск полупроводниковой продукции, как раз является последствием проблем южнокорейской компании с удовлетворением потребностей Nvidia. При этом Samsung начала коммерческие поставки HBM первого поколения ещё в 2015 году, и её нельзя назвать новичком в этом сегменте рынка. Первопроходцем, тем не менее, остаётся SK hynix, которая разработку HBM завершила в 2013 году.

Как добавляет Financial Times со ссылкой на руководителя SK hynix по контролю за качеством Квон Чжэ Суна (Kwon Jae-soon), этот производитель сейчас считает приоритетной задачей наращивать объёмы выпуска 8-слойной памяти HBM3E, как наиболее востребованной клиентами. Компании удалось поднять уровень выхода годной продукции в сегменте HBM3E до солидных 80 %, а время производственного цикла сократить на 50 %. Именно борьба с браком обеспечивает бизнес компании на этом направлении необходимыми финансовыми ресурсами и создаёт основу для дальнейшего успешного развития. HBM4 компания разрабатывает в сотрудничестве с TSMC и рассчитывает выпустить в 2025 году, на год раньше Samsung. С этой точки зрения готовность последней наладить поставки 12-ярусных стеков HBM3E к концу полугодия SK hynix не особо беспокоит.

Отраслевые стандарты и сопутствующие технологии требуют заблаговременной разработки и утверждения, поэтому южнокорейская компания Samsung Electronics и британский разработчик процессорных архитектур Arm уже сейчас объединили усилия по созданию технологии пакетной обработки параллельных данных (SIMD), которая могла бы найти применение в сетях связи 6G.

Источник изображения: Samsung Electronics

Данный проект, как отмечается в пресс-релизе Samsung, будет использовать открытый исходный код, поэтому воспользоваться его результатами смогут все желающие. Цель проекта — усовершенствовать методы пакетной обработки данных в свете предстоящего появления сетей передачи информации 6G и повсеместного внедрения технологий искусственного интеллекта, которые значительно повышают требования к скорости и объёму передачи информации.

По словам представителей Samsung, в развитии сетей связи 6G роль программного обеспечения будет расти. Сотрудничество с Arm является важным революционным шагом в применении параллельной передачи данных. При этом разработчики будут иметь в виду, что обработка информации должна осуществляться с минимально возможными затратами энергии. В свете непрерывного роста аппетитов аппаратных решений, задействованных в работе с искусственным интеллектом, это очень важно.

Южнокорейская компания Samsung Electronics традиционно сильно зависит от производства памяти, но многолетние попытки снизить эту зависимость не помешали ей на этой неделе назначить в качестве руководителя полупроводникового бизнеса Чун Юн Хёна (Jun Young Hyun), который с 2000 года участвовал в разработке DRAM и NAND разных поколений, а также руководил бизнесом компании по выпуску аккумуляторов.

Источник изображения: BusinessWire

На этом посту новый глава полупроводникового подразделения Samsung сменяет Кюн Ки Хёна (Kyung Kye-hyun), который отныне будет руководить исследовательским подразделение Advanced Institute of Technology и курировать перспективные направления бизнеса. Как считается, данные перестановки произошли после того, как крупнейший производитель памяти в мире отстал от своего соперника SK hynix в сфере разработки и производства HBM, весьма востребованной в эпоху систем искусственного интеллекта.

В этом году SK hynix столкнулась с самым быстрым ростом выручки с 2010 года, её акции подорожали с начала текущего года на 36 %. Этой компании удалось стать крупнейшим поставщиком чипов HBM для ускорителей вычислений. SK hynix вынашивает планы по расширению производства HBM, подразумевающие многомиллиардные инвестиции не только на территории Южной Кореи, но и в США. Samsung в текущем году рассчитывает увеличить объёмы поставок HBM минимум в три раза и приступит к массовому производству 12-ярусных стеков HBM3E в текущем квартале. Фондовый рынок на смену руководства профильного подразделения Samsung отреагировал вяло, акции компании потеряли в цене менее 1 %.

Сомневаться в том, что Samsung Electronics сохранит ряд инициатив, связанных со сферой робототехники, почти не приходится, ведь ряды профильных разработчиков пополнят специалисты, ранее работавшие над созданием автопилота на транспорте. Тем не менее, внутри робототехнического бизнеса корейской компании будут проведены важные структурные изменения, как сообщают источники.

Источник изображения: IF Design

По крайней мере, Business Korea сообщает, что Samsung приняла решение распустить подразделение Robot Business Team, которое принимало непосредственное участие в разработке и подготовке к началу массового производства так называемого «носимого робота» Bot Fit, представляющего своего рода часть экзоскелета, закрепляемую на поясе и помогающую приводить в движение ноги человека. Группа разработчиков была впервые выделена в самостоятельную структуру в декабре 2021 года, и сейчас результатом её деятельности можно считать готовность Bot Fit к началу массового производства.

Специалисты, которые принимали участие в создании этого робота, будут либо переведены в подразделения, в которых работали до 2021 года, либо перейдут в состав новой команды, возглавляемой лично техническим директором Samsung Research Чон Кён Хуном (Jeon Kyung-hoon). Он-то и будет консолидировать усилия компании в сфере разработки робототехнических решений. Правда, некоторые источники опасаются, что руководство Samsung предпочтёт вложиться в капитал Rainbow Robotics, увеличив свою долю с нынешних 14,83 до 59,94 %. Не исключено, что Samsung поглотит эту компанию ради усиления своих позиций на рынке робототехники.

Если верить неофициальным данным, компания Apple после десятилетия попыток создать либо автопилот, либо разработать полностью автоматически управляемый электромобиль от соответствующих планов в этом году окончательно отказалась. Её примеру последует и Samsung Electronics, чьи усилия на этом направлении были куда менее публичными.

Источник изображения: Samsung Electronics

Как отмечает Business Korea, в структуре южнокорейского гиганта за соответствующие разработки отвечал Samsung Advanced Institute of Technology — в буквальном переводе, «институт передовых технологий». В этом месяце стало известно, что он исключил разработку систем автономного вождения из числа своих проектов, соответствующие материальные и кадровые ресурсы будут направлены на робототехнику.

В прошлом году испытателям Samsung удалось на прототипе оснащённого автопилотом транспортного средства преодолеть 200 км по дорогам общего пользования без вмешательства человека в процесс управления, но дальнейшее совершенствование подобных систем было признано нецелесообразным. Во-первых, это сложно технически и требует больших усилий. Во-вторых, финансовая отдача от таких инвестиций весьма иллюзорна, тогда как вкладывать серьёзные суммы приходится на протяжении длительного срока. Наконец, у Samsung в этой сфере полно конкурентов, и те же автопроизводители явно имеют более высокую мотивацию преуспеть на данном поприще. Словом, отказ Samsung от соответствующих амбиций был закономерным.

к публикации квартальной отчётности традиционно подходит поэтапно, сначала называя собственный прогноз в этой сфере, затем подводя предварительные итоги квартала, и только потом раскрывая полную отчётность. На третьем этапе этого пути уже можно утверждать, что бизнес Samsung по производству памяти вернулся к прибыльности.

Впрочем, если быть до конца точными, речь идёт о всём бизнесе Device Solutions, который отвечает за выпуск полупроводниковых компонентов для собственных нужд компании и сторонних клиентов. Операционная прибыль на этом направлении по итогам первого квартала достигла $1,38 млрд, тогда как годом ранее наблюдались операционные убытки в размере $3,3 млрд, а в четвёртом квартале прошлого года они достигали $1,58 млрд.

Эксперты считают, что подобной динамике операционной прибыли подразделения DS способствовало не только восстановление спроса на разные виды памяти, но и активный рост потребности в микросхемах HBM, которые нужны для производства ускорителей вычислений. Впрочем, снабжать Nvidia своей памятью типа HBM3E компания Samsung только начинает, поэтому основная динамика на этом направлении ещё впереди. Во втором квартале компания приступит к выпуску не только 12-ярусных стеков HBM3E, но и 128-гигабайтных модулей DDR5 для серверного применения. Полупроводниковое подразделение Samsung, по прогнозам руководства компании, в этом году по операционной прибыли выйдет на уровень 2022 года, что соответствует $7,26 млрд. Прошлый год для компании был очень неудачным из-за падения спроса и цен на микросхемы памяти. Выручка Samsung в полупроводниковом сегменте по итогам первого квартала выросла на 68 % до $16,8 млрд. Непосредственно выручка Samsung от поставок микросхем памяти в прошлом квартале выросла на 96 % до $12,7 млрд.

Как уже отмечалось ранее, совокупная выручка Samsung по итогам первого квартала выросла на 12,81 % в годовом сравнении до $52,3 млрд, а операционная прибыль взлетела на 932,8 % до $4,8 млрд. Обе суммы оказались выше ожиданий аналитиков и собственных прогнозов компании, а операционная прибыль достигла максимальной величины с третьего квартала 2022 года. Росту выручки, по мнению руководства, способствовали успех смартфонов семейства Galaxy S24 и сосредоточенность компании на выпуске более дорогих видов памяти, которые ещё и поднялись в цене. Эксперты Citi считают, что дальнейшее развитие рынка систем искусственного интеллекта подстегнёт спрос на твердотельную память типа NAND, поскольку накопители данных станут узким местом с точки зрения дальнейшего масштабирования производительности. Являясь крупнейшим производителем памяти, Samsung сможет неплохо на этом заработать.

Во втором квартале Samsung ожидает сезонного снижения спроса на смартфоны и память, поскольку анонс новых продуктов сосредоточен в первом и третьем кварталах года, а второй в этом смысле не демонстрирует оживления. Функции искусственного интеллекта Samsung будет прививать не только новым смартфонам, но и уже существующим моделям, во второй половине года компания ожидает роста спроса на мобильные устройства с функциями ИИ. Операционная прибыль Samsung на направлении смартфонов по итогам первого квартала незначительно снизилась в годовом сравнении до $2,54 млрд. Выручка Samsung в сегменте мобильных устройств составила $24,3 млрд. По словам представителей Samsung, более половины покупателей Galaxy S24 выбрали смартфоны флагманской серии именно из-за функций работы с искусственным интеллектом, а 60 % владельцев этих моделей регулярно пользуются этими функциями.

На контрактном направлении освоение 3-нм и 2-нм техпроцессов идёт в соответствии с ожиданиями Samsung. Выпуском 3-нм продукции Samsung занимается с 2022 года, а 2-нм чипы начнёт массового производить в 2025 году. На направлении дисплеев операционная прибыль в первом квартале сократилась в два с лишним раза по сравнению с прошлым годом, до $247 млн. Объёмы поставок микросхем HBM компания в текущем году собирается увеличить более чем в три раза. В структуре поставок данного типа памяти новейшая HBM3E будет составлять две трети к концу текущего года.

Ещё по итогам мартовской конференции GTC 2024, если верить публикации в социальной сети LinkedIn главы американского представительства Samsung Electronics, основатель Nvidia Дженсен Хуанг (Jensen Huang) одобрил использование микросхем памяти типа HBM3E этой корейской марки своими ускорителями вычислений. Теперь стало известно, что их поставки могут начаться до конца текущего полугодия.

Источник изображения: LinkedIn

Новости на эту тему в минувшую пятницу опубликовал южнокорейский ресурс Maeil Business Newspaper. Сейчас, как уточняет источник, микросхемы HBM3E компании Samsung в 8- и 12-ярусном исполнении проходят последние фазы тестирования, и серийные поставки для нужд Nvidia могут начаться уже до конца первого полугодия. Если учесть, что аналитики предрекали начало поставок либо в третьем квартале, либо даже в четвёртом, то подобный сценарий на этом фоне кажется более оптимистичным.

Способность Nvidia использовать 12-слойные стеки памяти типа HBM3E позволит компании увеличить объём памяти своих ускорителей вычислений, по этой причине продукция Samsung должна быть ею востребована. Кроме того, наличие в ассортименте продукции этого поставщика 8-слойных микросхем HBM3E позволит Nvidia претендовать на более привлекательные цены за счёт усиления конкуренции с SK hynix. В целом, во втором полугодии это может привести к снижению цен на микросхемы памяти HBM3E.

Samsung Electronics является одним из четырёх крупнейших производителей чипов, которые получат субсидии в США по «Закону о чипах». Сегодня власти США объявили, что Samsung будет выделено $6,4 млрд безвозвратных субсидий на строительство фабрик в Техасе. Samsung Electronics в рамках достигнутого с Министерством торговли США соглашения обязуется построить с Тейлоре два предприятия по выпуску чипов по 4-нм и 2-нм техпроцессам, а также наладить выпуск в США памяти типа HBM.

Напомним, что у Samsung Electronics с конца прошлого века имеется комплекс предприятий и исследовательские центры в Остине, штат Техас, но все новые инициативы компании по развитию своего присутствия в регионе сосредоточены в соседнем Тейлоре, округ Уильямсон. Именно в этой местности Samsung собирается в ближайшие двадцать лет потратить более $40 млрд своих средств, построив не только два предприятия по выпуску чипов с использованием передовой литографии, но и научно-исследовательский центр, а также линию по тестированию и упаковке чипов с использованием передовых пространственных компоновок. Первое из новых предприятий в Тейлоре уже готово, и оно будет выпускать чипы по 4- и 2-нм техпроцессам. Первую 2-нм продукцию фабрика начнёт выдавать в 2026 году. Второе предприятие также освоит выпуск 4- и 2-нм чипов и должно будет начать работу в 2027 году. Исследовательский центр Samsung начнёт функционировать в Тейлоре в 2027 году. Более 20 поставщиков уже выразили свою готовность сформировать инфраструктуру вокруг новых предприятий Samsung в США.

По итогам уже достигнутых договорённостей, Министерство торговли США распределило между строящими локальные предприятия по выпуску чипов компаниями около $23 млрд из общей суммы $39 млрд, которые направлены на эти цели. Ещё $75 млрд в общей сложности будет предоставлено в виде льготных кредитов, но пока нет информации о том, сможет ли Samsung претендовать на такой вид финансовой помощи.

Напомним, что Intel получила $8,5 млрд безвозвратных субсидий, TSMC смогла претендовать на $6,6 млрд, а Samsung, как выясняется теперь, ограничилась $6,4 млрд. Аналитики ожидают, что американская Micron Technology сможет получить более $5 млрд в виде безвозвратных субсидий, поскольку её планы на ближайшие двадцать лет охватывают активное развитие локальных предприятий в штатах Нью-Йорк и Айдахо.

Помимо новых фабрик в Тейлоре, компания Samsung модернизирует имеющиеся предприятия в техасском Остине, чтобы обеспечить американских заказчиков Samsung выпуском продукции с использованием зрелой литографии и технологии FD-SOI. Среди этих заказчиков, как поясняется в сообщении Министерства торговли США, будут и оборонные структуры страны.

Около $40 млн субсидий будет направлено на подготовку и обучение персонала на американских предприятий Samsung, а всего они смогут создать около 21 500 новых рабочих мест.

Южнокорейский гигант Samsung Electronics при прежнем руководителе и сыне основателя Ли Гон Хи (Lee Kun-hee) ещё мог продвигать инновационные решения, которые позволяли компании обходить многих конкурентов на технологическом уровне, но сейчас, по мнению некоторых сотрудников, техническому прогрессу начинает препятствовать излишняя осторожность руководителей, которые буквально боятся рисковать.

Источник изображения: Samsung Electronics

Всё это, по мнению Nikkei Asian Review, способствует утрате конкурентных позиций компанией Samsung Electronics. В публикации приводится пример с рационализаторским предложением одного из инженеров, которое было призвано повысить уровень выхода годной продукции при производстве чипов. Обратившись с предложением к начальнику прошлой осенью, он получил отказ в его внедрении, поскольку руководство не готово брать на себя риск и делать первый шаг, а новые технологии готов внедрять только в том случае, если уже существуют прецеденты их успешного применения.

В современной корпоративной структуре Samsung Electronics, как отмечает издание, проблемой является и практика заключения контрактов с руководящим составом только на один год. При этом руководителям с более верхнего уровня доводятся целевые показатели деятельности подразделений, которые должны быть достигнуты за год. При такой расстановке приоритетов компания просто сосредотачивается на решении каких-то краткосрочных задач, а долгосрочные исследования в итоге остаются без должного внимания и лишают компанию инновационного развития.

Samsung уже отстаёт от более мелкой SK hynix в сфере разработки памяти семейства HBM, которая сейчас востребована в сегменте систем искусственного интеллекта. Соперничать с конкурентами в сегменте дисплеев ей тоже становится всё сложнее. Наконец, Apple недавно на какое-то время вырвала у Samsung статус крупнейшего производителя смартфонов, хотя корейской компании по итогам февраля удалось добиться реванша. По мнению экспертов, склонность избегать риски нынешним руководством Samsung будет способствовать дальнейшей деградации компании, если ничего не менять в этой сфере. Впрочем, следует помнить, что внук основателя и фактический глава Samsung Ли Джэ Ён (Lee Jae-yong) провёл в тюремном заключении и под следствием несколько лет, на протяжении которых его заместители не решались принимать важные стратегические решения, и эта инерция будет сказываться на бизнесе компании ещё какое-то время даже после того, как Ли Джэ Ён окончательно утвердился в статусе главы компании и освобождён от уголовных обвинений.

Вчерашний пример с демонстрацией TSMC более амбициозных планов по экспансии производства в США показывает, что местные власти готовы предоставлять довольно щедрые субсидии, но при условии опережающего развития зарубежными компаниями своих предприятий по производству чипов в США. По некоторым данным, Samsung сможет претендовать на $6,6 млрд государственной поддержки по «Закону о чипах».

Источник изображения: Samsung Electronics

Церемония в Тейлоре, где Samsung Electronics уже построила первое из нескольких новых предприятий по контрактному выпуску чипов, должна состояться в следующий понедельник, по информации Reuters, но президент Джозеф Байден (Joseph Biden) мероприятие пропустит по политическим соображениям, поскольку ловить что-то в Техасе с его сильными позициями республиканцев с точки зрения предвыборной кампании нечего.

По данным источников, Samsung пришлось пойти на уступки американским властям, и увеличить планируемые капитальные затраты на развитие предприятий в Тейлоре с $17 до $44 млрд. Данные о количестве запланированных к строительству предприятий разнятся. Пару лет назад Samsung обещала потратить до $200 млрд на строительство 11 предприятий в Техасе, но сделать это она собиралась на протяжении двадцати лет. На днях стало известно о готовности Samsung в ближайшие годы построить в Тейлоре три предприятия по контрактному производству чипов. Агентство Reuters ведёт разговор о четырёх объектах, лишь два из которых будут заниматься производством чипов. Ещё один сосредоточится на тестировании и упаковке чипов, а рядом с ним расположится профильный научно-исследовательский центр. Более того, данными объектами в Тейлоре дело не ограничится, ибо Samsung также собирается расширять своё присутствие в США за пределами этого города. Будет ли это обживаемый компанией с 1996 года соседний Остин, не уточняется.

Напомним, что корпорация Intel первой из крупных игроков полупроводникового рынка, если не считать GlobalFoundries, получила гарантии выделения средств по «Закону о чипах». Ей достанутся $8,5 млрд безвозвратных субсидий, $11 млрд льготных кредитов и до $25 млрд в виде налоговых вычетов. Компания TSMC получит $6,6 млрд безвозвратных субсидий и $5 млрд льготных кредитов, но в обмен пообещала увеличить инвестиции в свои американские предприятия с $40 до $65 млрд, а также освоить к 2028 году выпуск 2-нм продукции на одном из предприятий в Аризоне. К 2030 году TSMC должна будет построить в Аризоне своё третье предприятие. Всего «Закон о чипах» подразумевает выделение $52 млрд субсидий, из которых $39 млрд будут предназначаться компаниям, строящим в США предприятия по выпуску чипов, а дополнительные $75 млрд будут распределены в виде льготных кредитов. Получается, что более половины лимита субсидий власти США уже распределили между тремя крупнейшими производителями чипов, а желающих получить поддержку немало и среди производителей микросхем памяти. Micron и SK hynix тоже намерены строить новые предприятия в США.

В позапрошлом году Samsung Electronics начала строить в техасском городе Тейлор новое предприятие стоимостью $17 млрд, которое должно начать выпуск 4-нм продукции по заказам сторонних клиентов либо в конце этого года, либо в следующем. Почувствовав прилив сил, корейский гигант в середине этого месяца собирается объявить о намерениях увеличить бюджет американских строек до $44 млрд с целью появления в Тейлоре ещё двух своих предприятий.

Источник изображения: Samsung Electronics

Об этом сообщает издание The Wall Street Journal со ссылкой на осведомлённые источники. Соответствующее заявление представители Samsung Electronics должны сделать 15 апреля на специальной церемонии в Тейлоре, как отмечает этот ресурс. Сумма в $44 млрд должна охватить все проекты, реализуемые Samsung в окрестностях города в обозримой перспективе. Во-первых, первоначальных $17 млрд на строительство первого предприятия и его оснащение современным оборудованием явно не хватит.

Во-вторых, Samsung готова потратить более $20 млрд на строительство второго предприятия в Тейлоре, которое тоже будет выпускать чипы на контрактной основе. Не исключено, что оно будет использовать более прогрессивный техпроцесс по сравнению с упоминаемым 4-нм. В-третьих, ещё около $4 млрд компания готова потратить на строительство в Тейлоре линии по тестированию и упаковке чипов с использованием сложной пространственной компоновки. Грубо говоря, на такой линии можно будет тестировать и упаковывать память типа HBM, которая нужна для ускорителей вычислений в серверном сегменте. Такой проект открывает перед Samsung перспективы сотрудничества с Nvidia по выпуску памяти для её ускорителей прямо на территории США. Тем более, что у конкурирующей SK hynix подобное предприятие должно будет появиться в штате Индиана ко второй половине 2028 года.

Какая-то часть общего бюджета, по всей видимости, пойдёт и на организацию научно-исследовательской деятельности в этом районе штата Техас. У Samsung с 1996 года действует в соседнем Остине предприятие по выпуску чипов, но оно полагается на более старые техпроцессы. Два года назад корейская компания объявила, что готова за последующие двадцать лет потратить $200 млрд на строительство в Техасе 11 новых предприятий. Подобные масштабы планирования в целом присущи корейскому бизнесу, но важно понимать, что стремительное меняющаяся конъюнктура вносит свои коррективы даже в куда более скромные проекты. Власти США, по предварительным данным, готовы выделить Samsung до $6 млрд субсидий на строительство предприятий на территории страны, поэтому компания заинтересована в демонстрации крупных амбиций ради стимулирования подобных инвестиций.

Опубликованные южнокорейским гигантом Samsung Electronics предварительные итоги первого квартала оказались лучше ожиданий по значению операционной прибыли, которая в годовом сравнении выросла в десять с лишним раз до $4,89 млрд. Выручка выросла только на 11,4 % до $52,5 млрд, оказавшись хуже ожиданий.

Источник изображения: Samsung Electronics

По мнению аналитиков, подобная динамика основных финансовых показателей деятельности Samsung может говорить об улучшении ситуации со складскими запасами флеш-памяти NAND, которую компания производит в больших количествах. По крайней мере, выросшие цены на память позволяют компании оценивать имеющиеся запасы более выгодно. Кроме того, недавнее землетрясение на Тайване даст возможность корейским производителям памяти поднимать цены на свою продукцию более агрессивно, если у тайваньских производителей и Micron возникнут проблемы с работой их предприятий на острове. Samsung должна получить контракты Nvidia на поставку микросхем памяти типа HBM3E для своих ускорителей вычислений, на этот фактор многие аналитики тоже предлагают делать ставку.

Скорее всего, и январский дебют смартфонов семейства Galaxy S24 оказался удачным. Предполагается, что объёмы поставок смартфонов Samsung в целом последовательно выросли на 8 % до 57 млн штук, а средняя цена их реализации поднялась сразу на 30 % до $340 за устройство. Представители Counterpoint Research считают, что спрос на смартфоны семейства Galaxy S24 оказался на 10 % выше, чем в случае с предшественниками.

В последовательном сравнении операционная прибыль Samsung увеличилась более чем в два раза, а выручка выросла на 4,8 %. Полный квартальный отчёт компания опубликует 30 апреля, поэтому подробный анализ результатов её деятельности в первом квартале придётся отложить до конца месяца. На протяжении всего прошлого года полупроводниковый бизнес Samsung оставался убыточным на операционном уровне, во многом из-за динамики цен на микросхемы памяти. Так или иначе, инвесторы особым оптимизмом после оглашения предварительных данных о доходах Samsung в первом квартале не заразились, после начала торгов курс акций компании опустился на 1,4 %.