Память HBM3E от Samsung провалила тесты Nvidia — она слишком горячая и прожорливая

После мартовской конференции GTC 2024 в Сети стала часто мелькать фотография со стенда Samsung Electronics с одобрительной резолюцией главы Nvidia рядом с образцами 12-ярусной памяти типа HBM3E. Многие поверили, что это приближает память этой марки к массовому использованию в ускорителях Nvidia, но источники Reuters заверяют, что эта продукция корейской компании до сих пор не устраивает по своим характеристикам потенциального заказчика.

Источник изображения: Samsung Electronics

По крайней мере, апрельский этап сертификационных тестов предоставленные Samsung образцы 8- и 12-ярусной памяти HBM3E, а также более зрелой HBM3 всё равно провалили, поскольку демонстрировали более высокий уровень энергопотребления и тепловыделения, чем нужно Nvidia. Попытки пройти эти тесты Samsung предпринимает с прошлого года, но пока они так и не завершились успехом. Между тем, Samsung собирается начать поставки 12-слойных микросхем HBM3E заказчикам до конца следующего месяца, потенциально опережая лидирующую в этом сегменте SK hynix. В то же время, Micron Technology уже заявила, что её микросхемы HBM3E будут поставляться для нужд Nvidia в этом году. По сути, являясь крупнейшим производителем большинства типов памяти в мире, Samsung до сих пор не может стать поставщиком HBM3 и HBM3E для нужд Nvidia.

Не исключено, что недавняя смена руководства в подразделении Samsung Electronics, отвечающем за выпуск полупроводниковой продукции, как раз является последствием проблем южнокорейской компании с удовлетворением потребностей Nvidia. При этом Samsung начала коммерческие поставки HBM первого поколения ещё в 2015 году, и её нельзя назвать новичком в этом сегменте рынка. Первопроходцем, тем не менее, остаётся SK hynix, которая разработку HBM завершила в 2013 году.

Как добавляет Financial Times со ссылкой на руководителя SK hynix по контролю за качеством Квон Чжэ Суна (Kwon Jae-soon), этот производитель сейчас считает приоритетной задачей наращивать объёмы выпуска 8-слойной памяти HBM3E, как наиболее востребованной клиентами. Компании удалось поднять уровень выхода годной продукции в сегменте HBM3E до солидных 80 %, а время производственного цикла сократить на 50 %. Именно борьба с браком обеспечивает бизнес компании на этом направлении необходимыми финансовыми ресурсами и создаёт основу для дальнейшего успешного развития. HBM4 компания разрабатывает в сотрудничестве с TSMC и рассчитывает выпустить в 2025 году, на год раньше Samsung. С этой точки зрения готовность последней наладить поставки 12-ярусных стеков HBM3E к концу полугодия SK hynix не особо беспокоит.