Сегодня 19 января 2018
18+
CES 2018
Теги → samsung electronics
Быстрый переход

Samsung начинает массовое производство 16-Гбит GDDR6

Компания Samsung Electronics сообщила, что она приступила к массовому производству первой в индустрии 16-Гбит памяти GDDR6. Память GDDR6 обещает оказаться востребованной для выпуска игровых устройств, графических адаптеров, автомобильной электроники, сетевого оборудования и систем с искусственным интеллектом. Компания уверена в «своевременном» выпуске нового типа памяти, которая будет широко востребована индустрией и усилит позиции Samsung в среде производителей всех типов микросхем DRAM.

Для производства чипов GDDR6 компания Samsung использует техпроцесс с нормами класса 10 нм. Судя по косвенным признакам, о которых мы скажем ниже, это может быть техпроцесс с нормами 18 нм, который относится к первому поколению техпроцессов Samsung 10-нм класса. В то же время компания начала выпуск микросхем памяти с использованием второго поколения техпроцесса 10-нм класса. По словам Samsung, продуктивность производства чипов GDDR6 с нормами класса 10 нм выросла на 30 % по сравнению с объёмами производства 8-Гбит чипов GDDR5, выпускаемых с нормами класса 20 нм. Если бы чипы GDDR6 выпускались с использованием техпроцесса второго 10-нм поколения, то выход продукции оказался бы значительно больше.

Также интересно отметить, что память GDDR6, которая пошла в серию, обладает большей пропускной способностью, чем образцы, показанные на CES 2018 и заслужившие награду выставки. Так, на CES 2018 Samsung показала 16-Гбит GDDR6 с пропускной способностью 16 Гбит/с на контакт, а в серию пошла память с ПСП 18 Гбит/с на контакт. Общая пропускная способность 16-Гбит чипа GDDR6, тем самым, достигает 72 Гбайт/с. Это более чем в два раза быстрее, если сравнивать новинку с 8-Гбит GDDR5 со скоростью 8 Гбит/с на контакт.

Микросхемы памяти GDDR6 (Samsung)

Микросхемы памяти GDDR6 (Samsung)

Наконец, память GDDR6 работает при напряжении питания 1,35 В, что на 35 % меньше напряжения питания памяти GDDR5 (1,55 В). Память с низким питанием будет меньше потреблять и, что важно для игровых адаптеров, будет потенциально лучше разгоняться с учётом повышения питания при разгоне.

Samsung подготовила к зимней Олимпиаде 2018 специальную версию Galaxy Note8

Близятся XXIII зимние Олимпийские игры, которые пройдут в Пхёнчхане (Южная Корея) в период с 9 по 25 февраля. Samsung, являющаяся одним из главных спонсоров зимней Олимпиады 2018, подготовила к состязаниям специальную версию Galaxy Note8, которая выйдет ограниченным тиражом.

Для спортсменов и сотрудников Международного олимпийского комитета компания предоставит более 4000 штук смартфонов Galaxy Note8 PyeongChang 2018 Olympic Games Limited Edition.

Специальная версия Galaxy Note8 получила белую тыльную панель с нанесённым логотипом олимпийских игр. Также следует отметить золотистую отделку обода смартфона, кнопок и частей стилуса S Pen.

Эксклюзивный Galaxy Note8 будет поставляться с предустановленными тематическими обоями, посвящёнными зимней Олимпиаде 2018, и приложениями «для того, чтобы помочь культивировать максимальный опыт олимпийских игр». Паралимпийцы тоже получат по экземпляру специальной версии Galaxy Note8. Их смартфоны будут предоставлены в корпусе с логотипом паралимпийских игр.

Это уже второй раз, когда Samsung выступает в роли спонсора на олимпийских играх в Южной Корее. В первый раз это было на Олимпиаде 1988 в Сеуле, когда Samsung являлась локальным спонсором. Затем компания стала всемирным партнёром олимпийских игр в категории «Беспроводное телекоммуникационное оборудование». 

CES 2018: Samsung продемонстрировала гибкие смартфоны на закрытой встрече

Слухи о гибком телефоне Samsung уже давно циркулируют в Сети. Но, по всей видимости, технология только сейчас, наконец, созрела для коммерческого запуска.

Появились сообщения, что на завершившейся на этой неделе выставке CES 2018 компания продемонстрировала производственным партнёрам на закрытой встрече гибкие смартфоны с радиусом кривизны 1 и 5 мм для складывающихся и раскладывающихся конструкций соответственно. Это означает, что смартфоны в обоих форм-факторах можно сгибать как бумагу.

По словам источника, который якобы присутствовал на закрытом показе Samsung, гибкий телефон оснащен 7,3-дюймовым дисплеем на базе технологии OLED. Сообщается, что компания может начать производство устройства в конце этого года. Это вполне согласуется с предыдущими заявлениями Samsung о том, что мы не увидим смартфон со складывающимся дисплеем до 2019 года.

James Martin/CNET

James Martin/CNET

Среди потенциальных конкурентов Samsung в сфере выпуска гибких смартфонов может быть не только Apple, но и Microsoft, чей давно ожидаемый телефон Surface Phone тоже, как ожидается, будет иметь аналогичный сгибаемый дисплей. В отличие от устройства Samsung, телефон Surface Phone может появиться на рынке до конца года. То есть Microsoft может опередить, как Samsung, так и Apple.

Samsung начала выпуск 8-Гбайт памяти HBM2 с наивысшей скоростью обмена

Компания Samsung Electronics сообщила о начале производства второго поколения памяти HBM2 в виде чипов ёмкостью 8 Гбайт (не путать с HBM). Память HBM2 Samsung первого поколения в 8-Гбайт чипах выпускается больше года. Она распространяется под торговой маркой Flarebolt. Чипы HBM2 второго поколения объёмом 8 Гбайт компания Samsung будет распространять под именем Aquabolt. Отличительной особенностью HBM2 Aquabolt от HBM2 Flarebolt станет увеличенная примерно на 50 % скорость обмена данными по каждому контакту.

Чип (стек) Samsung HBM2 Aquabolt (второе покоелние 8-Гбит памяти HBM2)

Чип (стек) Samsung HBM2 Aquabolt (второе поколение 8-Гбит памяти HBM2)

Чипы Samsung HBM2 первого поколения обеспечивали скорость обмена 1,6 Гбит/с на контакт при напряжении питания 1,2 В. При напряжении питания 1,35 В скорость обмена росла до 2 Гбит/с. Микросхемы Samsung HBM2 второго поколения могут похвастаться скоростью обмена на уровне 2,4 Гбит/с на контакт при напряжении питания 1,2 В или 307 Гбайт/с на чип, что в 9,6 раз быстрее скорости обмена с 8-Гбит чипом GDDR5 с производительностью 8 Гбит/с на контакт (32 Гбайт/с). Рост производительности сборок HBM2 с радостью примут производители решений для ИИ, ускорителей вычислений и разработчики графических процессоров.

Изображение GPU AMD Vega с двумя 8-Гбайт чипами Samsung HBM2 первого поколения

Изображение GPU AMD Vega с двумя 8-Гбайт чипами Samsung HBM2 первого поколения

Стек Aquabolt HBM2 8 Гбайт состоит из восьми 8-Гбит кристаллов, соединённых сквозными TSVs-соединениями. В каждом кристалле имеется свыше 5000 сквозных отверстий с металлизацией. Для улучшения отвода тепла от каждого слоя Samsung увеличила в чипах число специальных теплоотводных буферов-прослоек. Это, а также определённые схемотехнические решения позволили снизить расфазировку синхронизирующих импульсов управляющих сигналов и поднять скорость обмена по контакту до заявленной рекордной отметки 2,4 Гбит/с. Дополнительно внизу каждого стека теперь предусмотрено усиленное основание. Это повысит механическую прочность стека, что важно с учётом опасности сколов.

CES 2018: Samsung представила модульный 146-дюймовый MicroLED ТВ

Компания Samsung Electronics представила на выставке Consumer Electronics Show (CES) 2018 в Лас-Вегасе 146-дюймовый модульный телевизор на базе технологии MicroLED, получивший название «The Wall» (стена).

В отличие от OLED, технология MicroLED использует не органические светодиоды, а диоды на основе нитрида галлия, размер которых не превышает 100 мкм, что тоньше человеческого волоса. А в отличие от жидкокристаллических дисплеев, технология MicroLED не требуют подсветки, так как каждый пиксель излучает свет самостоятельно.

Samsung заявила, что телевизоры на базе MicroLED являются энергоэффективными и долговечными. Благодаря модульной конструкции и отсутствию рамок пользователи смогут по желанию корректировать размеры телевизоров и устанавливать их в любом помещении с учётом его размеров.

Южнокорейская компания в настоящее время поставляет модульные LED-панели для использования в бизнесе. Её светодиодные табло можно также увидеть на бейсбольных стадионах.

В ходе CES 2018 компания продемонстрирует новую серию QLED-телевизоров, включая 85-дюймовую модель с поддержкой искусственного интеллекта, который используется для преобразования изображения низкого разрешения в 8К. В ней автоматически корректируется яркость, контраст и размытие видео низкого разрешения с использованием фильтра для преобразования его в высокое разрешение. Для этого процесса используется база данных из миллионов видеороликов, которые были подвергнуты анализу.

Сформировано глобальное исследовательское подразделение Samsung Research

Компания Samsung объявила о создании структуры Samsung Research — глобального подразделения, специалистам которого предстоит заняться исследовательскими работами в самых разных областях.

Сообщается, что новая структура сформирована путём реорганизации центров Software R&D и Digital Media & Communications (DMC) R&D. В общей сложности в состав Samsung Research войдут 22 научно-исследовательских центра Samsung по всему миру. В них трудятся примерно 20 тыс. сотрудников.

Структура Samsung Research станет интегрированной исследовательской организацией для потребительского бизнеса Samsung, а также IT-направления и мобильного сегмента. Среди приоритетных направлений деятельности названы искусственный интеллект, Интернет вещей, новые бизнес-возможности и пр.

Создание структуры Samsung Research стало ещё одной инициативой южнокорейского гиганта по оптимизации бизнеса. В конце октября, напомним, было объявлено о назначении новых генеральных директоров Samsung, которые будут развивать компанию на следующем этапе её роста. Ими стали Ки Нам Ким (Kinam Kim), Хён Cок Ким (Hyunsuk Kim) и Донг Джинг Ко (DJ Koh), возглавившие подразделения Device Solutions, потребительской электроники и мобильных устройств соответственно.

Добавим, что в третьем квартале нынешнего года южнокорейский гигант получил выручку в размере 62 трлн вон, или $55 млрд. Для сравнения: годом ранее доход компании равнялся приблизительно 47,8 трлн вон. Таким образом, рост составил почти 30 %. 

Samsung NW700 Soundbar Sound+: звуковая панель для монтажа на стену

Компания Samsung Electronics подготовила к выпуску звуковую панель NW700 Soundbar Sound+, которая придёт на смену модели MS650 Sound+.

Новинка предназначена для монтажа на стену непосредственно под телевизором. Толщина составляет всего 53,5 мм, что приблизительно на 41 % меньше по сравнению с моделью предыдущего поколения.

Устройство обеспечивает звук высокого качества. Конструкция включает широкодиапазонные излучатели и сабвуфер. Предусмотрены три режима работы — базовый Standard Mode, режим объёмного звучания Surround Mode, а также «умный» режим Smart Mode с автоматической оптимизацией громкости и эффектов.

Реализована фирменная технология Distortion Canceling, которая прогнозирует и устраняет искажения прежде, чем они происходят, обеспечивая более глубокие и более детализированные низкие частоты без использования отдельного сабвуфера.

Отмечается, что в новинке задействованы технологии, разработанные специалистами лаборатории Samsung Audio Lab в Валенсии (Калифорния, США).

Новинка будет демонстрироваться на выставке электроники Consumer Electronics Show (CES) 2018, которая пройдёт в Лас-Вегасе (Невада) с 9 по 12 января. 

На предприятиях Samsung начат массовый выпуск передовых чипов DDR4 DRAM

Компания Samsung Electronics объявила о начале массового производства передовых микрочипов памяти DDR4 (Double-Data-Rate-4) DRAM, обладающих ёмкостью 8 Гбит.

Утверждается, что впервые в отрасли задействована технология 10-нанометрового класса (1y-nm) второго поколения. По сравнению с методикой первого поколения удалось добиться улучшения ключевых показателей.

В частности, новые чипы демонстрируют увеличение быстродействия приблизительно на 10 % по сравнению с изделиями аналогичной ёмкости, выполненными по технологии 10-нанометрового класса первого поколения. Скорость передачи информации повышена с 3200 до 3600 Мбит/с в расчёте на один вывод. В то же время энергетическая эффективность возросла на 15 %.

Улучшения ключевых характеристик удалось добиться за счёт внедрения новых технологий, в частности, проприетарной схемотехники.

Отмечается, что новое достижение поможет Samsung ускорить вывод на рынок чипов памяти следующего поколения. Речь, в частности, идёт об изделиях DDR5, HBM3, LPDDR5 и GDDR6. Для этих решений названа широкая сфера применения: это серверное оборудование, высокопроизводительные системы, суперкомпьютеры, мобильные устройства и графические ускорители. 

Bloomberg: Samsung представит смартфоны Galaxy S9 в феврале

В ноябре сообщалось, что Samsung покажет флагманские смартфоны Galaxy S9 на предстоящей выставке электроники Consumer Electronics Show (CES) 2018 в январе. Однако теперь ресурс Bloomberg распространил информацию, согласно которой анонс новинок состоится не ранее февраля.

Отмечается, что презентация аппаратов Galaxy S9 и Galaxy S9+ намечена на конец календарной зимы. При этом в продажу смартфоны поступят уже в марте.

Если верить имеющимся данным, устройства получат экран Super AMOLED Infinity Display с разрешением  2960 × 1440 пикселей (QHD+). При этом размер дисплея составит 5,65 дюйма у модели Galaxy S9 и 6,2 дюйма у версии Galaxy S9+.

Аппараты будут различаться системой камер. Так, старшей модификации приписывают наличие сдвоенного основного модуля, тогда как младший вариант будет довольствоваться традиционным одиночным блоком.

Известно также, что аппарат Galaxy S9 получит аккумуляторную батарею ёмкостью 3200 мА·ч. У версии Galaxy S9+ ёмкость источника питания будет ещё выше, но точные значения пока не называются.

В зависимости от региона продаж смартфоны будут комплектоваться процессором Qualcomm Snapdragon 845 или Samsung Exynos 9 Series 9810. Объём оперативной памяти составит не менее 4 Гбайт. Операционная система — Android 8.0 Oreo. 

Китайские производители памяти неизбежно столкнутся с судебными исками

До того, как возникающие на горизонте индустрии китайские производители памяти подобные компании Tsinghua Unigroup столкнутся с лидерами рынка в лице Samsung, SK Hynix и Micron, все они, так или иначе, пройдут через залы судебных заседаний. Аналитики рынка и, в частности, представители компании IC Insights уверены, что китайцам выход на рынок DRAM и NAND будет стоить наиболее серьёзных усилий именно на правовом поприще. Точнее, в области патентного права. Никто не сомневается, что гигантские даже для США деньги на развитие местной промышленности и полупроводниковой индустрии позволят китайским компаниям построить заводы и ввести их в эксплуатацию. Одна только Tsinghua Unigroup потратит на два новых завода порядка $50 млрд примерно за пять лет, а ведь есть и другие!

Завершение начального этапа стрительства первого завода Tsinghua Unigroup для выпуска памяти (лето 2017 года)

Завершение начального этапа строительства первого завода Tsinghua Unigroup для выпуска памяти (лето 2017 года)

Первой в борьбу включилась компания Micron. Две недели назад Micron подала иск в федеральный суд Северной Калифорнии, апеллируя к Закону о защите коммерческой тайны (Defend Trade Secrets Act) и к Закону об инвестировании полученных от рэкета капиталов (Racketeer Influenced and Corrupt Organization Act). Второй закон относится к гражданскому праву, и, в целом, иск Micron носит характер борьбы с промышленным шпионажем, а не с несоблюдением патентного права. Компания Micron обвиняет тайваньскую United Microelectronics Corp (UMC) и китайскую Fujian Jinhua Integrated Circuit Co (JHICC) в воровстве коммерческих секретов и в других неправомочных действиях. Но настоящий праздник на улице законников начнётся тогда, уверены в IC Insights, когда китайские производители памяти начнут продвигать свою продукцию на рынок.

thestreet.com

thestreet.com

Начало поставок образцов или серийной продукции DRAM и NAND китайскими компаниями обещает запустить серию патентных исков против них. Китайские производители это уже проходили. Например, созданная в начале 2000-х годов компания SMIC и её последователь в лице Grace Semiconductor быстро захватили около 13 % мирового рынка контрактных полупроводников. Вскоре последовала серия исков от лидеров рынка. Так, компания TSMC через суды вынудила SMIC умерить аппетиты и продать часть акций. Сегодня SMIC удерживает менее 8 % рынка контрактных чипов и часть дивидендов выплачивает тайваньскому производителю. Нечто подобное, уверены аналитики, произойдёт на рынке памяти, что заставит китайцев оплатить патенты и интегрироваться в мировую структуру данного направления в индустрии.

Динамика годовых каптальных затрат Samsung (данные IC Insights)

Динамика годовых капитальных затрат Samsung (данные IC Insights)

В то же время, следует заметить, что та же компания Samsung не ждёт у моря погоды (не надеется на закон), а делает всё от неё зависящее, чтобы помешать выйти на рынок новичкам. В текущем году Samsung вдвое увеличила капитальные затраты на производство чипов. Это очевидным образом поднимает цену входного билета на рынок DRAM и NAND. О соблюдении закона можно спорить годами, тогда как себестоимость продукции работает здесь и сейчас. Другое дело, что китайцы мало ограниченны в средствах и, что более важно, на них не так давят законы «свободного рынка», как на зарубежных коллег. Впрочем, когда припекло, правительство Южной Кореи спасло SK Hynix без оглядки на какие-то там международные договорённости, просто завалив компанию государственными субсидиями. В Китае с этим ещё проще, так что выбранная компанией Samsung политика может оказаться единственно верной. Хочешь мира — готовься к войне.

В Samsung предложен дизайн смартфона с необычным загнутым дисплеем

Samsung патентует множество оригинальных разработок в области мобильных устройств. Информация об одной из них на этой неделе была обнародована на сайте Американского управления по патентам и торговым маркам (USPTO).

Документ носит лаконичное имя «Display device». В нём описывается дизайн мобильного устройства с необычным загнутым дисплеем.

Как можно видеть на иллюстрациях, сопровождающих патент, экран переходит с фронтальной панели гаджета на одну из боковых частей, а далее закрывает приблизительно половину задней стороны аппарата.

Программный интерфейс может охватывать всю площадь поверхности дисплея, что позволит пользователям взаимодействовать с различными его секциями — передней, боковой и задней. Кроме того, полагают наблюдатели, такой экран может вполне использоваться в качестве двух отдельных — например, фронтального и тыльного.

На иллюстрациях также видно, что аппарат имеет довольно широкие рамки в нижней и верхней частях. В этих областях могут располагаться камеры и сенсоры, а также физические органы управления.

О том, когда Samsung рассчитывает воплотить предложенный дизайн «в железе», ничего не сообщается. 

В Samsung начат выпуск первых модулей eUFS ёмкостью 512 Гбайт для смартфонов

Компания Samsung Electronics сообщила о начале массового производства первых в отрасли флеш-модулей eUFS (embedded Universal Flash Storage) вместимостью 512 Гбайт для мобильных устройств следующего поколения.

В составе новых решений применены 64-слойные чипы V-NAND ёмкостью 512 Гбит в количестве восьми штук. Кроме того, в состав модулей входит контроллер. Для максимизации производительности и энергетической эффективности применены новейшие проприетарные технологии Samsung.

Современная конструкция микросхемы 64-слойной памяти 512 Гбит V-NAND и новая технология управления питанием в контроллере eUFS минимизируют неизбежное увеличение энергопотребления при наращивании ёмкости. Кроме того, чип контроллера ускоряет процесс сопоставления, преобразуя адреса логических блоков в адреса физических блоков.

Утверждается, что новые модули обеспечивают возможность последовательного чтения информации со скоростью до 860 Мбайт/с. Последовательная запись данных может осуществляться со скоростью до 255 Мбайт/с.

Что касается показателя IOPS (операций ввода/вывода в секунду), то при произвольном чтении он достигает 42 тыс., при произвольной записи — 40 тыс.  Благодаря высокой скорости произвольной записи памяти eUFS, которая примерно в 400 раз превосходит скорость в 100 операций ввода/вывода в секунду, характерную для традиционных карт microSD, пользователи мобильных устройств могут полноценно пользоваться мультимедийными функциями, например, вести серийную съёмку в высоком разрешении, а также искать файлы и загружать видео в режиме просмотра с двумя приложениями.

Изделия рассчитаны на применение во флагманских смартфонах, фаблетах и планшетах. Ёмкости в 512 Гбайт хватит для хранения обширной коллекции мультимедийных материалов — фильмов, видеоклипов, изображений высокого разрешения и пр. Кроме того, благодаря высокой производительности накопители обеспечат поддержку самых требовательных приложений. 

«Новая память Samsung 512 Гбайт eUFS является наилучшим решением встроенной памяти для смартфонов премиум-класса нового поколения, так как позволяет преодолеть потенциальные ограничения системной производительности, которые могут наблюдаться при использовании карт microSD», — говорит южнокорейский гигант.

Таким образом, можно предположить, что будущие смартфоны Galaxy S9 в топовой конфигурации будут комплектоваться флеш-накопителем вместимостью 512 Гбайт.

Samsung задумалась о выпуске DRAM с использованием сканеров EUV

Как уже широко объявлено, во второй половине следующего года компания Samsung первой в мире начнёт коммерческую эксплуатацию литографического оборудования с проекцией в диапазоне EUV (жёсткое ультрафиолетовое излучение). С помощью EUV-сканеров с длиной волны 13,5 нм Samsung намерена производить чипы с технологическими нормами 7 нм. Безусловно, речь идёт о процессорах, контроллерах и другой сложной логике. Преимуществом данного шага станет то, что сканеры EUV сократят производственный цикл обработки кремниевых пластин. Пока они ещё недостаточно быстрые по сравнению с классическими 193-нм сканерами, но зато они смогут «нарисовать» на пластине один слой чипа за один проход, тогда как 193-нм сканерам на это потребуется не менее четырёх проходов (фотошаблонов).

Воспользоваться преимуществами EUV-проекции компания Samsung также может при производстве памяти типа DRAM. Об этом на днях сообщили анонимные источники, знакомые с планами Samsung. Утверждается, что Samsung задумалась о переводе производства DRAM на EUV-сканеры. С прошлого года Samsung массово выпускает микросхемы оперативной памяти с использованием 193-нм сканеров с нормами 18 нм. Дальнейшее уменьшение масштабов техпроцесса сопряжено с рядом трудностей, среди которых также невозможность простого уменьшения линейных размеров элементов на кристалле. Как и в случае производства логики, для выпуска памяти компании Samsung приходится использовать от двух до четырёх фотошаблонов на каждый рабочий слой чипа DRAM. Переход на EUV-сканеры позволит компании увеличить технологический и производственный отрыв от конкурентов.

Завод 17 Line Samsung (http://english.etnews.com)

Завод 17 Line Samsung (http://english.etnews.com)

Первыми выпускать 7-нм продукцию (и использовать EUV-сканеры) будут действующие заводы Samsung. В частности, завод Line 17 в Хвасоне. На предприятии уже работает одна EUV-установка и готовится поступить ещё одна. Всего Samsung заказала у компании ASML 8 или 9 EUV сканеров. Особенность предприятия Line 17 в том, что оно будет выпускать как память, так и логические схемы, включая и контрактные заказы. Можно предположить, что за слухами о переводе DRAM на линии с EUV-сканерами стоит именно факт универсальности этого предприятия. Как бы там ни было, Samsung окажется потенциально способной начать выпуск памяти с использованием EUV-проекции уже в 2019 году.

В заключение надо сказать, что основная проблема с уменьшением масштаба техпроцесса для выпуска памяти заключается вовсе не в количестве фотошаблонов и длительности циклов обработки. Память DRAM по строению очень простая: каждая её ячейка — это транзистор и конденсатор. Сложность в том, что физический объём конденсатора становится настолько мал, что там уже невозможно хранить достаточно заряда (электронов) для надёжной записи данных. Поэтому использование EUV-сканеров вряд ли поможет компании начать выпуск микросхем памяти по 7-, 5-нм и более тонким техпроцессам. Но наверняка может упростить производство DRAM в диапазоне 15–10 нм.

Samsung начинает производство SoC для Galaxy S9 по технологии 10 нм второго поколения

Samsung Foundry начала массовое производство систем на кристалле (system-on-chip, SoC) по технологии 10 нм второго поколения, которое называют 10LPP (low power plus). Новый технологический процесс позволит разработчикам микросхем снизить энергопотребление или повысить производительность своих продуктов по сравнению с технологией 10 нм первого поколения (10LPE). Судя по всему, первой 10LPP микросхемой станет Exynos 9810, который будет применяться в Samsung Galaxy S9.

Микросхема Samsung

Микросхема Samsung

По сравнению с предшественником, технологический процесс 10LPP обещает увеличить производительность SoC на 10 % (при аналогичной сложности и энергопотреблении) или снизить энергопотребление на 15% (при аналогичной тактовой частоте и сложности). Samsung Foundry не раскрывает, как именно ей удалось улучшить 10LPP по сравнению с 10LPE, но логично предположить, что компании пришлось каким-то образом оптимизировать структуру транзисторов. Технологии 10LPP и 10LPE от Samsung по-прежнему очень схожи в том, что касается правил проектирования и производства, поэтому опыт, полученный с 10LPE, будет применим к 10LPP.

Samsung Foundry (SF) говорит, что SoC, созданные с использованием технологии 10LPP, будут использоваться в устройствах, выпуск которых стартует в начале следующего года. Контрактный производитель полупроводников официально не раскрывает информацию о том, какие именно микросхемы он производит с использованием технологии 10LPP, но поскольку он использует термин «SoC-продукты» во множественном числе, весьма вероятно, что в производстве имеется более одной модели SoC. При этом, компания Samsung уже анонсировала 10LPP микросхему Exynos 9 Series 9810 (CPU-ядра Mangose 3, новый GPU, встроенный модем Gigabit LTE с поддержкой агрегации шести несущих), которая, судя по всему, будет использоваться во флагманских смартфонах Galaxy S9.

В случае, если компания будет придерживаться собственной схемы выпуска новых продуктов, то Galaxy S9 появятся в продаже в первой половине 2018 года и станут одними из первых коммерческих устройств, которые воспользуются преимуществами технологии 10 нм второго поколения. Как правило, Qualcomm начинает применение новейших технологических норм Samsung Foundry одновременно с самим южнокорейским гигантом (в значительной степени потому, что микросхемы Snapdragon используются во флагманских телефонах Galaxy), но до сих пор Qualcomm не делала никаких заявлений относительно 10LPP.

Микросхема Samsung Exynos

Микросхема Samsung Exynos

Следует помнить, что технологические процессы Samsung Foundry LPE используются в основном самой компанией Samsung и очень ограниченным числом партнёров SF (Qualcomm является самым крупным из них), тогда как усовершенствованные техпроцессы LPP применяются значительно большим числом клиентов. Как следствие, начало производства по нормам 10LPP означает расширение использования техпроцессов Samsung Foundry класса «10 нм» как таковых. Для удовлетворения спроса Samsung начнет выпускать 10LPP микросхемы и на своём новейшем производственном комплексе S3 в Хвасоне (Южная Корея).

Внутри производственного комплекса Samsung Foundry

Внутри производственного комплекса Samsung Foundry

Стоит отметить, что эволюция 10-нм технологических процессов не останавливается на 10LPP. В будущем Samsung Foundry планирует внедрить технологию изготовления 10LPU для небольших и экономичных SoC, а также технологический процесс 8LPP для продвинутых систем на кристалле. Samsung не раскрывает подробностей о 10LPU, но для 8LPP компания обещает снижение площади на 10 % (для микросхем аналогичной сложности), а также увеличение производительности на 10 % (при неизменной сложности и энергопотреблении) по сравнению с 10LPP вследствие уменьшения размера транзисторов и других оптимизаций.

«Переход с 10LPE на 10LPP с улучшенной производительностью и более высоким выходом годных чипов на ранней стадии внедрения позволит лучше удовлетворять нужды клиентов», — говорит Райан Ли (Ryan Lee), вице-президент по маркетингу контрактного производства микросхем Samsung Electronics. «Samsung со своей долгой стратегией [улучшения техпроцессов класса] 10 нм продолжит работу над эволюцией этой технологии до 8LPP c целью обеспечения конкурентных преимуществ [SoC наших клиентов] для широкого спектра приложений».

Техпроцесс Samsung с нормами 7 нм привлёк клиентов из США и Китая

Южнокорейское издание The Electronic Times сообщило об успешном проведении переговоров между представителями компании Samsung Electronics и представителями двух неназванных клиентов из США из Китая. На днях Samsung якобы убедила иностранных специалистов воспользоваться фирменным 7-нм техпроцессом компании. Имена клиентов не разглашаются. Один из них считается американским производителем полупроводников, а второй — китайским разработчиком однокристальных схем (SoC).

Завод 17 Line Samsung (http://english.etnews.com)

Завод 17 Line Samsung (http://english.etnews.com)

Ранее мы сообщали, что компания Samsung потеряла заказы Qualcomm на 7-нм продукцию. Также, если верить источнику, Samsung лишилась заказов на выпуск 7-нм решений компании Broadcom. На этапе выпуска 7-нм решений обоих разработчиков будет обслуживать тайваньская компания TSMC. Этому поспособствовали два фактора. Во-первых, TSMC начнёт массовый выпуск 7-нм продукции примерно на шесть кварталов раньше Samsung (в первом либо во втором квартале 2018 года). Во-вторых, для выпуска 7-нм чипов TSMC задействует классические 193-нм сканеры, тогда как Samsung на этапе запуска 7-нм производства будет частично использовать EUV-сканеры с длиной волны 13,5 нм. Последнее значительно усложнит работу проектировщикам, на что готовы решиться далеко не все.

Первый коммерческий сканер ASML для EUV-литографии (NXE:3300B)

Первый коммерческий сканер ASML для EUV-литографии (NXE:3300B)

О сырости инструментов для проектирования 7-нм решений для выпуска на EUV-оборудовании Samsung говорит тот факт, что библиотеки или набор Process Design Kit имеет порядковый номер 0.1. Версия PDK 0.5 будет готова для распространения только к концу декабря. Данное обстоятельство, что показательно, ничуть не смущает компанию Samsung. Она заказала у компании ASML девять EUV-сканеров. Один из них развёрнут на заводе в Хвасоне (Hwasung), один компания получит (установит?) до конца года, а остальные будут получать по мере изготовления.

Завод 17 Line Samsung (http://english.etnews.com)

Завод 17 Line Samsung (http://english.etnews.com)

Завод 17 Line в Хвасоне, как мы сообщали ранее, будет лишь частично выпускать контрактные полупроводники, тогда как большую часть производства компания планирует отдать под выпуск DRAM- и (или) NAND-памяти. И этот завод уже исчерпал возможности по расширению производственных мощностей. Поскольку Samsung рассчитывает довести 7-нм производство до 40–50 000 пластин в месяц, ей понадобятся новые мощности, обеспечить которые может только новый завод. Таковой компания собиралась начать строить вблизи предприятия 17 Line (на месте автомобильной стоянки этого завода). Пока начало строительства перенесено с ноября на декабрь. Компания не решила с местной властью вопросы создания инфраструктуры, утрясти которые планируется 10 декабря.