Опрос
|
реклама
Быстрый переход
Tesla поручит Samsung выпуск чипов AI5 сразу по нескольким причинам
25.10.2025 [06:43],
Алексей Разин
Отчитываясь о результатах минувшего квартала на этой неделе, глава Tesla Илон Маск (Elon Musk) признался, что его компания поручит выпуск чипов AI5 собственной разработки не только компании TSMC, но и конкурирующей Samsung Electronics. Выбор последней в этом контексте обусловлен сразу несколькими причинами, как считает The Chosun Daily. 
Источник изображения: Samsung Electronics Напомним, изначально Tesla планировала доверить Samsung выпуск чипов AI6, которые на одно поколение опережают AI5, для этого компании уже заключили контракт на $16,5 млрд. До недавних пор считалось, что AI5 будет выпускать именно TSMC, но на днях Маск признался, что заказы будут распределены между нею и Samsung. Последняя занимается выпуском и AI4, поэтому сотрудничество с Tesla для неё не является диковинкой, но весь вопрос заключался в том, сможет ли качество литографических технологий Samsung нового поколения удовлетворить запросы Tesla. Следует напомнить, что с освоением 3-нм технологии у Samsung дела шли не очень хорошо. Формально начав выпуск серийных 3-нм чипов примерно на полгода раньше TSMC, компания Samsung в дальнейшем не смогла привлечь к нему значительного количества клиентов, и даже процессоры Samsung Exynos 2500 не смогли прижиться в смартфонах этой марки и были заменены на изделия Qualcomm именно из-за проблем с качеством собственных 3-нм чипов. Переход на 2-нм техпроцесс для Samsung в этом смысле был важен с точки зрения возвращения доверия клиентов. Контракт с Tesla, для которой Samsung будет выпускать 2-нм чипы, в значительной степени выступает сигналом для возвращения клиентов к контрактному подразделению корейского производителя чипов. По слухам, сейчас уровень выхода годной продукции по 2-нм технологии Samsung достигает 55–60 %, к концу года компания надеется поднять его до 70 %. Вторая причина, по которой Tesla могла заключить с Samsung контракт и на выпуск чипов AI5, помимо AI6, порождена соображениями о необходимости забронировать производственные мощности в условиях их нарастающего дефицита у востребованных в отрасли подрядчиков типа TSMC. Как подчеркнул Маск, Tesla намерена создать условия, при которой чипы AI5 «будут поставляться в избытке». В сегменте услуг по выпуску 2-нм чипов именно TSMC и Samsung остаются главными игроками рынка, поскольку Intel свои возможности в этой сфере пока не развила до необходимого уровня. Кроме того, по неофициальной информации, осознавая уникальность своего положения и растущий спрос на услуги, TSMC начала задирать цены. По некоторым данным, её кремниевые пластины с 2-нм чипами могут оказаться на 50 % дороже компонентов предыдущего поколения. Samsung в этих условиях может оттянуть часть клиентов TSMC на себя, если предложит приемлемое качество продукции и вменяемые цены. Во втором квартале, по данным TrendForce, на рынке контрактных услуг по выпуску чипов Samsung довольствовалась долей 7,3 % против 70,2 % у TSMC. Когда-то их разделяло не более двадцати процентных пунктов, и Samsung наверняка заинтересована в сокращении существующей разницы. Samsung постепенно расширяет экосистему клиентов в рамках 2-нм технологии. Под неё уже оптимизированы процессоры с архитектурой Arm Neoverse V3. Она также будет использоваться для выпуска чипов для южнокорейского ИИ-стартапа DeepX, клиентами Samsung на этом направлении станут разработчик компонентов для автопилота Ambarella и японская PFN. Наконец, Samsung намерена активно использовать 2-нм мобильные процессоры Exynos 2600 собственной разработки, первые образцы которых показывают обнадёживающие результаты с точки зрения производительности. Galaxy S26 может оказаться быстрее iPhone 17 Pro и любого Android-флагмана на Snapdragon 8 Elite Gen 5
21.10.2025 [12:29],
Алексей Разин
Южнокорейские источники не отличаются стабильностью в сообщениях о сроках начала массового производства 2-нм мобильных процессоров Samsung Exynos 2600, но зато они поэтапно добывают новую информацию о них. По свежим данным, этот процессор Samsung способен в тестах превосходить по быстродействию не только Apple A19 Pro, но и Qualcomm Snapdragon 8 Elite Gen 5. 
Источник изображения: Samsung Members Ресурс Business Korea на этой неделе выяснил, что массовое производство 2-нм мобильных процессоров Exynos 2600 по 2-нм технологии компания Samsung начнёт не в этом, а в следующем месяце. Как и предполагалось, впервые за четыре года флагманское семейство смартфонов Samsung Galaxy S получит процессоры собственной разработки, в данном случае речь идёт об устройствах семейства Galaxy S26 и процессорах Exynos 2600. Эти смартфоны дебютируют в начале следующего года, так что время у Samsung для наращивания объёмов выпуска Exynos 2600 ещё есть. Уже сейчас уровень выхода годной продукции на линии по производству 2-нм процессоров этой серии достигает 85 % от целевого показателя, как поясняет источник. Результаты собственных испытаний Exynos 2600, проведённых представителями Samsung Electronics, позволяют говорить о более чем шестикратном превосходстве по быстродействию нейронного блока (NPU) по сравнению с Apple A19 Pro. Это важно для работы с большими языковыми моделями и искусственным интеллектом в целом. В многоядерных тестах процессор Exynos 2600 оказывается на 15 % быстрее основного соперника, а графическая подсистема в некоторых случаях вырывается вперёд на 75 %. При воспроизведении мультимедийного контента Netflix и в некоторых играх изделие Samsung оказывается быстрее не только Apple A19 Pro, но и представленного в прошлом месяце Qualcomm Snapdragon 8 Elite Gen 5. Если процессор Exynos 2600 будет востребован на рынке, это позволит попутно поднять популярность услуг Samsung по контрактному производству чипов, поскольку такой компонент будет выступать в роли «живой рекламы» 2-нм техпроцесса Samsung. Компания уже заключила контракты на выпуск передовых чипов с Tesla и DeepX, а на фоне успеха Exynos 2600 к ним могут примкнуть и другие клиенты. Samsung рассчитывает обеспечить скорость передачи информации с помощью HBM4E до 13 Гбит/с
19.10.2025 [07:19],
Алексей Разин
Память типа HBM4E считается седьмым поколением соответствующей технологии, подразумевающей формирование стека из нескольких ярусов DRAM. В 2027 году Samsung Electronics намеревается наладить массовое производство HBM4E, обеспечив с её помощью увеличение скорости передачи информации в два с половиной раза относительно нынешней HBM3E. 
Источник изображения: Samsung Electronics Как поясняет Business Korea со ссылкой на выступление представителей Samsung на OCP Global Summit 2025 в Калифорнии, компания рассчитывает поднять скорость передачи информации с помощью HBM4E до 13 Гбит/с на контакт. Если учесть, что HBM4E будет оснащаться 2048 контактами, результирующее быстродействие может достичь 3,25 Тбайт/с. При этом энергетическая эффективность HBM4E окажется в два с лишним раза выше, чем у HBM3E. В январе текущего года Samsung рассчитывала увеличить пропускную способность HBM4E до 10 Гбит/с на контакт, поэтому прирост до 13 Гбит/с можно считать довольно серьёзным. Во многом такое изменение было спровоцировано Nvidia, которая запросила у своих потенциальных поставщиков памяти для ускорителей семейства Rubin увеличить пропускную способность HBM4 с 8 до 10 Гбит/с. Samsung и SK hynix решили поднять планку до 11 Гбит/с, Micron была вынуждена поступить аналогичным образом. Соответственно, из-за такого роста пропускной способности HBM4 производителям придётся пересмотреть и характеристики потенциально более быстрой HBM4E, что Samsung формально и сделала. Важно, что результирующая пропускная способность такой памяти впервые в истории превысит 3 Тбайт/с. Попутно Samsung рассказала о характеристиках LPDDR6, которая была стандартизована JEDEC в июле текущего года. Компания планирует улучшить энергетическую эффективность на 20 % по сравнению с LPDDR5X, а пропускную способность поднять до 114,1 Гбайт/с. В сфере контрактного производства Samsung намеревается освоить массовый выпуск 2-нм продукции до конца этого года. Клиентом Samsung на этом направлении стал южнокорейский разработчик ускорителей ИИ — компания Rebellions. Соответствующие 2-нм процессоры смогут достигать частот от 3,5 до 4,0 ГГц. Это несколько выше, чем у выпускаемых TSMC по 4-нм технологии процессоров Nvidia Grace с архитектурой Arm, которые работают на частоте 3,44 ГГц. Samsung получит первый литограф ASML для техпроцессов тоньше 2 нм до конца текущего года
16.10.2025 [13:40],
Алексей Разин
При предыдущем генеральном директоре Патрике Гелсингере (Patrick Gelsinger) компания Intel успела стать основным покупателем передовых литографических сканеров ASML с высоким значением числовой апертуры (High-NA EUV). Компания Samsung намерена купить две такие системы у ASML в ближайшее время, первая будет приобретена до конца текущего года. 
Источник изображения: ASML Об этом сообщило южнокорейское издание The Korea Economic Daily. До конца текущего года Samsung должна получить от ASML передовой литографический сканер Twinscan EXE:5200B, который может применяться для экспериментов с литографией, подразумевающей использование оборудования с высокой числовой апертурой. В серийном производстве подобные сканеры позволят создавать чипы с литографическими нормами менее 2 нм. TSMC по примеру Intel испытывает такое оборудование на уровне экспериментов, а SK hynix в прошлом месяце установила его с целью дальнейшего использования в массовом производстве чипов. Samsung собирается применять данный литографический сканер уже при производстве 2-нм чипов на контрактном направлении. В частности, это оборудование может пригодиться Samsung при выпуске собственных мобильных процессоров Exynos серии 2600 и процессоров Tesla для систем искусственного интеллекта нового поколения. Кроме того, Samsung надеется с помощью такого оборудования в 2027 году наладить выпуск памяти типа DRAM с новой структурой транзисторов VCT с вертикальными каналами. Такая память будет сочетать высокое быстродействие с низким энергопотреблением, как считается. Samsung на покупку двух литографических систем серии Twinscan EXE:5200B планирует потратить около $773 млн. Новое оборудование позволит создавать чипы с размерами элементов в 1,7 раза меньше, чем существующие EUV-системы. Если TSMC собирается применять такое оборудование в рамках 1,4-нм техпроцесса в серийном производстве, то Intel планирует внедрить его при выпуске конкурирующих чипов по технологии 14A. Если, конечно, она вообще решится её осваивать, ведь для этого ей придётся найти приличное количество клиентов, чтобы окупить затраты на внедрение. Массовое производство чипов по технологии Intel 14A будет развёрнуто не ранее 2028 года. Квартальная прибыль Samsung выросла почти на треть до максимального за три года уровня
14.10.2025 [04:53],
Алексей Разин
Подготовка к публикации полного квартального отчёта Samsung Electronics идёт полным ходом, само событие намечено на конец октября, а пока компания подвела промежуточные итоги минувшего периода, обнародовав величину операционной прибыли и выручки за третий квартал. Первый показатель в годовом сравнении вырос почти на треть и достиг максимального значения за три с лишним года. 
Источник изображения: Samsung Electronics Операционная прибыль Samsung Electronics в прошлом квартале увеличилась на 31,8 % до $8,5 млрд по сравнению с аналогичным периодом предыдущего года. Последовательный рост операционной прибыли составил 158,6 %. Выручка увеличилась на 8,7 % до $6,3 млрд в годовом сравнении и на 15,3 % последовательно. Операционная прибыль Samsung в минувшем квартале оказалась выше ожиданий аналитиков ($7 млрд). Они также предположили, что последовательно компании удалось увеличить объёмы поставок HBM на 70 или 80 %, а потери на направлении контрактного производства чипов оказались ниже ожидаемых. Аналитики Counterpoint Research предположили, что Samsung уже могла восстановить лидерство по выручке в сегменте памяти, но не за счёт HBM, как это ранее сделала SK hynix, а благодаря росту цен и спроса на более традиционные типы памяти. По данным TrendForce, в третьем квартале цены на DRAM выросли на 171,8 %. Если Samsung удастся нарастить объёмы поставок HBM4, то компания вполне сможет претендовать на возвращение себе статуса мирового лидера на рынке памяти. Впрочем, даже уверенного роста прибыли хватило для того, чтобы курс акций Samsung на торгах в Сеуле вырос на 3,1 %. Суд присяжных признал вину Samsung в нарушении патентов, обязав её выплатить $446 млн
11.10.2025 [08:34],
Алексей Разин
Американская компания Collision Communications ещё в 2023 году обвинила южнокорейскую Samsung Electronics в нарушении собственных патентов, связанных со стандартами связи 4G, 5G и Wi-Fi. Недавно суд присяжных в Техасе признал Samsung виновной в нарушении четырёх патентов истца и обязал её выплатить $445,5 млн материального ущерба в пользу Collision. 
Источник изображения: Samsung Electronics В прошлом месяце Samsung удалось достичь соглашения с компанией Headwater, которая ранее выдвигала претензии в нарушении корейским гигантом собственных патентов в сфере оптимизации методов передачи информации в беспроводных сетях. В результате досудебного взаимодействия сторонам удалось уладить этот конфликт, после чего истец отозвал свои претензии к Samsung. В случае с иском Collision суд присяжных признал, что ноутбуки, смартфоны и другие устройства Samsung с поддержкой беспроводных сетей нарушают четыре патента истца. Samsung ранее отвергала подобные обвинения и утверждала, что патенты Collision не имеют силы. Истец в своём иске утверждал, что защищаемая интеллектуальная собственность была создана по итогам исследований оборонной корпорации BAE Systems, но последняя в судебное разбирательство вовлечена не была. Дженсен Хуанг отправил в Samsung гарантийное письмо — в компании не верят, что Nvidia захочет закупать её HBM3E
09.10.2025 [12:00],
Алексей Разин
В конце сентября стало известно, что после неоднократных попыток удовлетворить требования Nvidia к закупаемой памяти типа HBM3E, южнокорейская Samsung Electronics всё же добилась своего, и получила право снабжать ею данного заказчика. Теперь южнокорейские СМИ сообщают, что соответствующие намерения Nvidia подкрепила письменно в обращении к фактическому руководителю Samsung Ли Чжэ Ёну (Lee Jae-yong). 
Источник изображения: Nvidia Издание News1 Korea сообщает, что недавно основатель и руководитель Nvidia Дженсен Хуанг (Jensen Huang) направил председателю совета директоров Samsung Electronics письмо с заверениями о готовности на регулярной основе закупать у этого поставщика 12-ярусные микросхемы HBM3E для использования в составе ускорителей семейства GB300. По данным источника, попытки Samsung встроиться в цепочку поставок Nvidia с конкретным типом памяти длились около года и семи месяцев. Ещё в марте прошлого года Дженсен Хуанг оставил свой автограф с одобрением на символической пластине с чипом HBM3E производства Samsung, но фактически предлагаемая этой компанией продукция не могла удовлетворить требования Nvidia вплоть до прошлого месяца. Где-то в начале текущего года Samsung предложила Nvidia заметно переработанные чипы HBM3E, после чего процесс сертификации встал на путь к успеху. Впрочем, конкуренты Samsung в этой сфере оказались далеко впереди, поскольку SK hynix начала снабжать Nvidia своими 12-ярусными чипами ещё в сентябре прошлого года, а в феврале текущего к ней присоединилась американская Micron Technology. С точки зрения планов Nvidia, память типа HBM3E приближается к излёту своего жизненного цикла, поэтому много заработать на поставках своих микросхем этого типа Samsung не успеет. Зато Samsung уже предлагает своим клиентам образцы HBM4, и с их сертификацией она может добиться большего успеха, чем с HBM3E. Попутно стало известно, что Samsung закупила у Nvidia около 50 000 ускорителей вычислений. Предполагается, что они понадобятся для развития как собственных решений компании в сфере ИИ, так и реализации совместного проекта с OpenAI по строительству специализированного вычислительного центра на территории Южной Кореи. Samsung представит гарнитуру смешанной реальности на Android XR уже в этом месяце
03.10.2025 [20:06],
Анжелла Марина
Компания Samsung может представить свой первый шлем смешанной реальности (XR) под управлением Android XR уже в ближайшие две недели. Согласно сообщению 9to5Google со ссылкой на южнокорейское издание ChosunBiz, устройство, известное под кодовым названием Project Moohan, может выйти 22 октября.  Вес и подробные характеристики XR-гарнитуры пока не раскрываются. Однако Ро Тхэ Мун (Roh Tae-Moon), исполняющий обязанности главы подразделения Device eXperience (DX) компании Samsung Electronics, подчеркнул, что среди сильных сторон Project Moohan являются «вес и удобство ношения, а голосовое управление обеспечивает улучшенный пользовательский опыт». Также сообщается, что анонс может состояться на неделю раньше, а предзаказы на устройство откроются 15 октября. Что касается цены, то ожидается, что шлем Samsung будет дешевле Apple Vision Pro — как минимум $1800, при этом без больших целей по количеству отгружаемых единиц. Для сравнения: гарнитура Vision Pro, выпущенная в прошлом году, стоила $3500 (около 288 тысяч рублей), весила около 600 граммов и смогла занять лишь 2 % глобального рынка виртуальной реальности в четвёртом квартале прошлого года, так и не сумев завоевать признание рынка. Китайская CXMT освоила 18-нм DRAM с помощью украденных у Samsung секретов, утверждает следствие
03.10.2025 [13:45],
Алексей Разин
В Южной Корее обосновались два крупнейших производителя микросхем памяти — Samsung Electronics и SK hynix, поэтому нет ничего удивительного в стремлении местных властей тщательно оберегать их технологические секреты. Недавно обвинения были выдвинуты трём задержанным, которых следствие подозревает в промышленном шпионаже в пользу CXMT. 
Источник изображения: Samsung Electronics Напомним, китайская CXMT является крупнейшим в Поднебесной производителем памяти типа DRAM, и недавно она освоила 18-нм технологию выпуска соответствующих микросхем. Она не является передовой по меркам мировой отрасли, но для Китая с его внешними ограничениями в технологической сфере это заметный и желанный прогресс. Южнокорейские органы правосудия считают, что трое задержанных ими граждан действовали в интересах CXMT, пытаясь похитить данные, составляющие коммерческую тайну Samsung Electronics. Среди задержанных в Южной Корее по этому делу оказались бывший сотрудник Samsung Electronics по фамилии Ян, занимавший руководящую должность, а также двое его предполагаемых сообщников из числа бывших исследователей по фамилии Син и Квон. Они обвиняются в передаче китайской CXMT коммерческих секретов Samsung, которые помогли первой из компаний освоить выпуск микросхем DRAM по 18-нм технологии. Более того, ситуация усугубляется переходом обвиняемых на работу из Samsung в CXMT с последующим активным сотрудничеством. Это уже не первый случай выявления подобных утечек. Ранее южнокорейскими правоохранителями были задержаны бывший глава одного из департаментов Samsung Ким и бывший исследователь Чон, которые участвовали на более ранней стадии освоения CXMT технологий 10-нм класса. Следствие считает, что все они действовали сообща, передавая CXMT необходимые для освоения 18-нм технологии данные, составляющие коммерческую тайну Samsung. Они также занимались реверсивным инжинирингом продукции Samsung в лабораториях CXMT, чтобы адаптировать разработки первой из компаний к применению в условиях китайского производителя. Задержанные, по данным следствия, за свою работу получали в пять раз более высокую зарплату в CXMT на протяжении нескольких лет, чем могли бы рассчитывать в Samsung. Следствием подозревается ещё один сотрудник Samsung Electronics, который передавал перешедшим на работу в CXMT бывшим коллегам нужную информацию. Он объявлен в международный розыск. Потенциальный ущерб от утечек Samsung оценивает в $3,6 млрд упущенной выручки по итогам прошлого года. В будущем он увеличится в несколько раз. OpenAI объединится с Samsung и SK hynix, чтобы удовлетворить потребность в памяти для ИИ-мегапроекта Stargate
01.10.2025 [18:08],
Сергей Сурабекянц
Компания OpenAI сообщила, что заключила «стратегическое партнёрство» с южнокорейскими Samsung и SK hynix ради поставки передовых компьютерных чипов, необходимых для реализация масштабного проекта Stargate. OpenAI планирует ежемесячно получать от обеих компаний в сумме 900 000 полупроводниковых пластин с микросхемами памяти. 
Источник изображения: Samsung Samsung и SK hynix заявили, что будут масштабировать своё производство, чтобы удовлетворить растущий спрос OpenAI на чипы памяти, необходимые для работы требовательных к вычислительным ресурсам моделей искусственного интеллекта. OpenAI также ведёт переговоры с обеими компаниями об открытии двух центров обработки данных для ИИ в Южной Корее. Это партнёрство является последним в серии стратегических шагов OpenAI, направленных на обеспечение вычислительных мощностей, электроэнергии и финансирования для своих проектов в области ИИ. В прошлом месяце компания Nvidia заявила, что инвестирует до $100 млрд в компанию по мере её масштабирования. Samsung сообщила, что рассматривает возможность создания плавучих центров обработки данных, которые, по её словам, позволят сократить расходы и снизить выбросы углерода. Память HBM3E от Samsung наконец пробилась в ИИ-ускорители Nvidia — акций первой взлетели до годового максимума
22.09.2025 [09:45],
Алексей Разин
Принято считать, что Samsung долгое время не могла наладить выпуск микросхем HBM3E, которые устраивали бы по своим параметрам компанию Nvidia, но в конце прошлой недели слухи в очередной раз присвоили ей победу в этой сфере. На этом фоне курс акций Samsung Electronics поднялся более чем на 5 % и достиг годового максимума. 
Источник изображения: Samsung Electronics По крайней мере, со значений августа 2024 года курс акций Samsung Electronics на этих новостях вырос до максимальной отметки, как поясняет Bloomberg. Прохождение сертификации 12-ярусных микросхем HBM3E по критериям Nvidia означает, что Samsung скоро приступит к их массовым поставкам для нужд первой из компаний и сократит своё отставание в этой сфере от SK hynix, которая остаётся лидером сегмента. При этом официальные представители Samsung от комментариев предсказуемо воздержались, поскольку компания не обсуждает публично характер своих взаимоотношений с клиентами, и наверняка не хотела бы напоминать общественности о наличии у неё специфических проблем в недавнем прошлом. 
Источник изображения: Bloomberg Надо сказать, что с начала текущего месяца акции Samsung и так выросли в цене на 20 %, поскольку инвесторы прислушались к прогнозам аналитиков, предрекающих повышение цен на чипы HBM в следующем году из-за формирующегося дефицита. Инвестиционные фонды только в этом месяце купили акций Samsung на общую сумму более $2 млрд. По оценкам Citigroup, этому производителю потребовалось 19 месяцев и множество попыток, чтобы наладить выпуск чипов HBM3E, удовлетворяющих требованиям Nvidia. Официальные заявления на эту тему могут прозвучать в конце текущего месяца или начале следующего, как считают они. Следует учитывать, что даже в случае подтверждения очередных слухов Samsung не успеет начать поставки своей HBM3E для нужд Nvidia в значительных объёмах в этом году, а потому любое движение курсов акций южнокорейской компании вверх является своего рода «авансом доверия». Кроме того, успех с HBM3E может предопределить более быстрый прогресс Samsung с одобрением поставок своей памяти HBM4 для нужд Nvidia. Samsung наконец-то удалось сделать чипы HBM3E, которые устроили Nvidia
20.09.2025 [15:16],
Анжелла Марина
Samsung Electronics прошла квалификационные тесты Nvidia и сможет поставлять ей 12-слойные чипы памяти HBM3E, став третьим поставщиком после SK Hynix и Micron. Южнокорейская компания не только устранила причины предыдущих провалов в тестировании, но и продемонстрировала опережающие показатели скорости для HBM4, усилив конкуренцию на рынке высокопроизводительной памяти. В то же время Micron Technology столкнулась с трудностями при разработке следующего поколения памяти HBM4. 
Источник изображения: Samsung Samsung Electronics недавно прошла квалификационные тесты Nvidia на свои 12-слойные чипы HBM3E пятого поколения после нескольких неудачных попыток, но, несмотря на это, в ближайшее время компания будет поставлять чипы в ограниченном объёме и останется третьим по значимости поставщиком после SK Hynix и Micron, сообщает Investing.com. Одновременно, уже в этом месяце, Samsung планирует отправить Nvidia крупные партии образцов нового стандарта HBM4 для получения ранней квалификации. Компания уже прошла квалификацию у AMD и поставила этому производителю 12-слойные чипы HBM3E. Это событие происходит на фоне обострения конкуренции в сегменте памяти HBM4. В частности, Nvidia запросила у поставщиков достижения скорости передачи данных для HBM4 свыше 10 Гбит/с, что значительно выше текущего отраслевого стандарта в 8 Гбит/с. По данным отчётов, Samsung продемонстрировала скорость в 11 Гбит/с, превзойдя показатели SK Hynix в 10 Гбит/с, в то время как Micron пока вообще не справляется с выполнением этих требований. Аналитик из крупной американской банковской и финансовой холдинговой компании Wells Fargo Эндрю Роча (Andrew Rocha) указал, что данный сдвиг вероятно приведёт к удешевлению HBM, особенно если Samsung начнёт снижать стоимость продукции для завоевания доли рынка. Одновременно Сандeп Дешпанде (Sandeep Deshpande) из JPMorgan расценил пройденную Samsung квалификацию как позитивное событие для производителей полупроводникового оборудования, в частности для ASML в Европе, поскольку это возвращает одного из лидеров рынка памяти в конкурентную гонку HBM после длительного отставания от SK Hynix и Micron. Он отметил, что у Samsung имеются свободные площади в чистых помещениях, что позволяет быстро устанавливать оборудование и наращивать производственные мощности. Samsung расширяет производственные мощности в надежде на будущие заказы на HBM4
12.09.2025 [11:52],
Алексей Разин
Известно, что лидером рынка HBM остаётся формально более мелкая компания SK hynix, которая на этой неделе объявила о завершении разработки HBM4, но Samsung Electronics всё ещё тешит себя надеждами наверстать упущенное на этапе производства HBM4. Для этого она уже сейчас приступила к строительству нового предприятия в Южной Корее, которое в случае необходимости позволит ей быстро нарастить объёмы выпуска HBM4.  Как отмечает Business Korea, в конце прошлой недели на площадке P5 производственного кластера в Пхёнтхэке была замечена повышенная активность строительных рабочих. Они перемещали стальные конструкции и проходили инструктаж по промышленной безопасности, что может говорить о подготовке к началу полномасштабного строительства нового производственного корпуса. Изначально он должен был появиться здесь ещё в прошлом году, но Samsung притормозила строительство, сославшись на неблагоприятные условия на рынке полупроводниковой продукции. Ожидается, что фундамент корпуса P5 будет заложен в следующем месяце. Давно известно, что Samsung пытается пройти сертификацию Nvidia со своей HBM3E, но до сих пор смогла добиться только разрешения на поставки такой памяти для ускорителей ограниченного ассортимента, предназначающихся для китайского рынка. Новая попытка получить сертификат соответствия на HBM3E компания Samsung должна предпринять в этом месяце. Кроме того, пусть и с отставанием от SK hynix примерно на три месяца, Samsung надеется наладить поставки HBM4 для своих клиентов, среди которых жаждет увидеть Nvidia. Последняя намеревается завершить сертификационные тесты HBM4 к концу первого квартала следующего года, чтобы во второй половине того же года представить ускорители вычислений Rubin, использующие память данного типа. SK hynix наверняка окажется первым поставщиком HBM4 для нужд Nvidia, но Samsung надеется получить сертификат соответствия следующей и быстро наладить поставки HBM4 в требуемых количествах. Выпуск памяти нового поколения Samsung рассчитывает запустить до конца этого года. С этой точки зрения возведение нового предприятия в Южной Корее является манёвром на упреждение. Samsung рассчитывает, что сможет загрузить его мощности заказами на выпуск HBM4. Кроме того, одна из пустующих линий на соседнем P4 будет переоборудована под выпуск кристаллов DRAM для стеков HBM4 по передовому техпроцессу 10-нм класса. Скоро Samsung приступит к поставкам образцов HBM4 своим клиентам, чтобы те смогли оценить качество такой памяти. К первому кварталу следующего года расширение производственного кластера Samsung в Пхёнтхэке как раз должно завершиться. Samsung: трёхстворчатый складной смартфон Galaxy Z TriFold выйдет до конца года
09.09.2025 [13:17],
Алексей Разин
До сих пор о сроках выхода складного смартфона Samsung с тремя секциями и двумя шарнирами было известно лишь на уровне слухов, но Ро Тхэ Мун (Roh Tae-moon) — президент подразделения компании Device eXperience, на выставке IFA 2025 в Берлине признался, что дебют устройства состоится до конца текущего года, а его разработка уже находится на финальных стадиях. 
Источник изображения: Samsung Electronics При этом основная часть выступления представителя Samsung Electronics была посвящена другим вопросам. Он заявил, что устройства дополненной реальности компания будет выводить на рынок, когда тот достигнет определённой зрелости. Функции ИИ постепенно будут распространяться на всё более доступные по цене устройства марки, а к 2030 году Samsung надеется внедрить ИИ в 90 % своих направлений деятельности. В текущем году функции ИИ появятся на более чем 400 млн поставленных устройств семейства Galaxy, по словам руководителя продуктового направления бизнеса Samsung. С момента дебюта Galaxy S24 в прошлом году подобные функции уже нашли применение на 200 млн устройств данной марки. ИИ будет применяться в бытовой технике и телевизорах Samsung, помимо прочего. Samsung планирует заняться и направлением робототехники. В развитии больших языковых моделей Samsung сочетает как собственные разработки (Gauss), так и использование партнёрских решений. В этом контексте Google будет не единственным партнёром Samsung, как отмечает представитель компании. Если вернуться к теме складного смартфона Galaxy Z TriFold, то объёмы выпуска инновационной для Samsung модели, по мнению некоторых южнокорейских источников, будут в текущем году ограничены примерно 50 000 экземпляров. Этого должно хватить для насыщения как домашнего рынка Южной Кореи, так и китайского. Дебютная модель в этом классе будет своего рода «пробой пера», поэтому Samsung пока не рассчитывает на большой охват рынка. В основе устройства будет лежать процессор Qualcomm Snapdragon 8 Elite, а систему камер оно унаследует от Galaxy Z Fold 7. Как отмечалось недавно, компоновка секций корпуса Galaxy Z TriFold будет такой, что часть с внешним дисплеем окажется в центре, а не с краю, как у большинства конкурентов. Учитывая, что Huawei свою новейшую трёхсекционную модель Mate XTs представила недавно, а Apple представит двухсекционный iPhone во второй половине следующего года, у Samsung формируется довольно ограниченное «окно возможностей» для своих действий в этой сфере. По прогнозам TrendForce, после выхода на рынок первого складного смартфона Apple доля таких устройств на мировом рынке по итогам 2027 года вырастет до 3 % с нынешних 1,6 %. Huawei при этом будет занимать лидирующие позиции в Китае, а на мировом рынке смартфонов складного типа закрепится на втором месте с долей 34,3 % по итогам текущего года. Лидером останется Samsung с долей 35,4 %, но её позиции существенно ослабнут по сравнению с прошлогодними 45,2 %. США заставят Samsung и SK hynix ежегодно подавать заявки на поставку оборудования в Китай
08.09.2025 [12:17],
Алексей Разин
Как и в случае с TSMC, экспортные лицензии Samsung и SK hynix, дающие компаниям право поставлять в Китай оборудование для своих предприятий по производству памяти, истекут 31 декабря 2025 года. По некоторым данным, власти США предложили южнокорейским производителям на ежегодной основе продлевать профильные лицензии и конкретно оговаривать свои планы на соответствующий период. 
Источник изображения: Samsung Electronics Напомним, что после введения экспортных ограничений администрацией Байдена в 2022 году компаниям Samsung и SK hynix удалось получить сперва временную лицензию, а потом и бессрочную, которая позволила им поставлять необходимое для обслуживания и модернизации своих китайских предприятий оборудование без согласования каждой индивидуальной партии. В прошлом месяце действующие власти США заявили, что подобный порядок поставок оборудования перестанет работать с января следующего года. Как отмечает Bloomberg, власти США обратились к Samsung Electronics и SK hynix с предложением перейти на ежегодное получение экспортных лицензий при одновременном согласовании конкретных планов поставок, в которых фигурировали бы количество и номенклатура ввозимого в Китай оборудования и материалов. Американские чиновники дали понять, что намерены создать условия, при которых предприятия Samsung и SK hynix в Китае смогут продолжить работать в текущих масштабах производства и на существующем технологическом уровне, но им не будет дозволено наращивать объёмы выпуска продукции или модернизировать сопутствующие технологии. Для корейских производителей подобный план определённо лучше полного запрета на поставки оборудования в Китай, но он не учитывает непредвиденных обстоятельств, возникающих при необходимости срочного ремонта или замены оборудования в результате поломки. Samsung и SK hynix на территории Китая выпускают от 30 до 40 % своей памяти, но в масштабах мирового рынка влияние данных площадок на глобальные объёмы поставок не так велико. Например, китайское предприятие SK hynix обеспечивает менее 10 % объёмов производства DRAM в мире, в случае с NAND всё ограничивается несколькими процентами, а доля китайского предприятия Samsung на мировом рынке NAND также не превышает 10 %. |
© 1997—2025 Электронное периодическое издание "3ДНьюс" | Свидетельство о регистрации СМИ Эл ФС 77-22224
выдано Федеральной Службой по надзору за соблюдением законодательства в сфере массовых коммуникаций и охране культурного наследия
При цитировании документа ссылка на сайт с указанием автора обязательна. Полное заимствование документа является
нарушением
российского и международного законодательства и возможно только с согласия редакции 3DNews.
MWC 2018
2018
Computex
IFA 2018
