GlobalFoundries получит от Пентагона $117 млн на выпуск 45-нм чипов оборонного значения

Читать в полной версии

В прошлом году компания GlobalFoundries подписала с Министерством обороны США контракт на производство чипов для оборонных и аэрокосмических проектов. Сегодня стороны подписали соглашение на сумму $117 млн, в рамках которого поставки 45-нм продукции GlobalFoundries на подложках SOI начнутся в 2023 году. Выпускать чипы будет завод Fab 8 в штате Нью-Йорк, и эта продукция станет первым оборонным заказом для предприятия.

Исторически на Пентагон работали заводы компании IBM. Компанию GlobalFoundries не подпускали к подобным работам по соображениям секретности, что также не изменилось после перехода двух заводов IBM в руки GlobalFoundries. Три года назад GlobalFoundries в целях оптимизации расходов начала распродавать заводы. В частности, она договорилась передать до конца 2022 года бывший завод IBM Fab 10 компании ON Semiconductor. Следовательно, военные заказы с этого предприятия надо было куда-то перевести и GlobalFoundries начала превращать завод Fab 8 в режимный объект.

Предприятие Fab 8 пока не может похвастаться полным соответствием требованиям секретности, как это было на заводах IBM. Тем не менее, этот завод GlobalFoundries уже работает по правилам таких нормативных документов США, как ITAR (Правила международной торговли оружием) и EAR (Правила экспортного администрирования). Пройдёт время, и Fab 8 получит полный статус секретного производства, как это было в своё время с заводами IBM. Начало работы по контракту с Пентагоном стало первой ласточкой в этой области.

По заказам военных GlobalFoundries будет выпускать чипы на 300-мм пластинах SOI. Это так называемый кремний на изоляторе. Наличие изолирующего слоя под слоем кремния значительно снижает токи утечек и делает чипы максимально энергоэффективными. Кстати, военных не смущает тот факт, что чипы будут выпускаться с использованием 45-нм техпроцесса. Для их целей 3- и 5-нм полупроводники не нужны и даже вредны, поскольку намного чувствительнее к внешним воздействиям.