Претенденты на субсидии США не смогут развивать в Китае производство чипов по технологиям тоньше 28 нм

Важным условием получения производителями чипов субсидий на развитие предприятий в США станет запрет на определённые инвестиции в экономику Китая и других недружественных стран сроком на десять лет. Технологический рубеж пройдёт по литографическим нормам 28 нм — более современные технологии претенденты на американские субсидии на территории КНР развивать не смогут в течение десяти лет.

Соответствующие пояснения к принятому недавно Конгрессом США пакету законов о выделении субсидий в сумме $52 млрд на развитие полупроводниковой отрасли страны сделало агентство Bloomberg. На государственную поддержку смогут претендовать и зарубежные компании, но они в любом случае должны будут отказаться от планов по расширению производства чипов в недружественных странах с использованием технологий «тоньше» 28 нм. Тип выпускаемой продукции особого значения не имеет, поскольку запрет распространяется как на микросхемы памяти, так и на логические микросхемы.

К исключениям отнесена ситуация, когда производитель расширяет производство 28-нм или более зрелых чипов на территории Китая преимущественно для нужд внутреннего рынка или для какой-то из недружественных стран. Если власти США обнаружат, что кто-то из получателей субсидий нарушил эти правила, то им придётся вернуть средства в государственный бюджет в полном объёме.

Основными претендентами на получение субсидий в США остаются компании Intel, TSMC и Samsung Electronics. Последняя располагает в Китае крупным предприятием по производству микросхем памяти, но оно использует более зрелые литографические технологии. Intel своё предприятие по производству памяти в китайском Даляне сейчас передаёт под управление SK hynix, и только TSMC располагает предприятием в Нанкине, которое выпускает как 28-нм чипы, так и более продвинутые 16-нм. Получается, что от предлагаемых властями США ограничений в большей степени пострадает именно TSMC.