В рамках 2-нм техпроцесса Samsung увеличит количество EUV-слоёв на 30 %

Производители полупроводниковых компонентов используют так называемую EUV-литографию лишь на определённых этапах технологического процесса, их количество от поколения к поколению возрастает. Так, если Samsung при производстве 3-нм чипов ограничивалась 20 слоями с EUV, то после перехода на 2-нм техпроцесс их количество вырастет на 30 %.

Об этом со ссылкой на собственные источники на прошлой неделе сообщило южнокорейское издание The Elec. Другими словами, в рамках 2-нм технологии Samsung будет применять литографию со сверхжёстким ультрафиолетовым излучением для обработки примерно 27 слоёв. Для сравнения, TSMC при производстве чипов по техпроцессу N3 обрабатывает с помощью EUV-литографии 25 слоёв. По данным корейских источников, после перехода в 2027 году на выпуск 1,4-нм чипов компания Samsung рассчитывает обрабатывать по методу EUV более 30 слоёв.

Соответственно, все эти планы подразумевают, что Samsung потребуется больше литографических сканеров, а также сопутствующей оснастки, рассчитанной на работу с EUV-литографией. Крупнейший поставщик такого оборудования, нидерландская ASML, намеревается за ближайшие два года отгрузить клиентам около 70 соответствующих сканеров, каждый из которых стоит более $100 млн. Потребность производителей чипов в капитальных затратах вырастет после перехода на оборудование с высоким значением числовой апертуры (High-NA), поскольку соответствующий сканер будет обходиться в $300 млн. Наиболее активным покупателем этих сканеров станет Intel, а вот TSMC не торопится внедрять данную технологию именно из экономических соображений.