Samsung на 17 % снизит площадь 2-нм чипов с переносом питания на обратную сторону кристалла

Крупнейшие контрактные производители чипов так или иначе движутся к подводу питания с оборотной стороны кристалла, поскольку она позволяет оптимизировать компоновку чипа и улучшить его характеристики. Samsung Electronics ожидает, что её технология подвода питания к обратной стороне чипа в рамках 2-нм техпроцесса позволит снизить площадь кристалла на 17 %.

Как сообщает TrendForce со ссылкой на южнокорейские СМИ, соответствующие заявления в четверг прозвучали из уст Ли Сун Чэ (Lee Sungjae) — вице-президента подразделения Samsung Foundry PDK Development Team во время его выступления перед партнёрами компании. Помимо сокращения площади кристалла на 17 %, переход к подводу питания с оборотной стороны 2-нм чипов позволит на 8 % увеличить их быстродействие и на 15 % улучшить энергетическую эффективность.

Напомним, что конкурирующая Intel подобную технологию собирается применить в массовом производстве чипов по технологии 20A до конца текущего года, в её исполнении она получила обозначение PowerVia. Тайваньская TSMC подобное решение по имени Super PowerRail внедрит в рамках технологии A16 в 2026 году. При этом первая будет использовать новую структуру транзисторов RibbonFET, а вторая внедрит транзисторы с «нанолистами».

У Samsung последняя технология носит обозначение MBCFET. Второе поколение структуры транзисторов с окружающим затвором (GAA) корейская компания собирается использовать с текущего полугодия, а также применить его в рамках осваиваемого 2-нм техпроцесса позже. Сама по себе технология SF3 поднимает быстродействие чипа на 30 %, на 50 % улучшает его энергетическую эффективность, а также на 35 % сокращает площадь кристалла по сравнению с первым поколением GAA. В сочетании с подводом питания с обратной стороны кристалла (BSPDN), такая структура транзисторов обеспечит дополнительные преимущества.