Санкции США в действии: китайская HBM2 появится с отставанием на 7 лет как минимум

В сфере производства памяти класса HBM лидируют южнокорейские компании SK hynix и Samsung Electronics, которые сообща контролируют примерно 96 % этого рынка, причём первая серьёзно опережает вторую в сегменте передовой HBM3E. Китайская компания CXMT пытается наладить самостоятельный выпуск HBM2, но американские санкции мешают ей сделать это, а потому серийное производство китайской памяти такого типа будет освоено не ранее 2025 года.

Так считают аналитики, на прогноз которых ссылается издание South China Morning Post. Эксперты TechInsights поясняют, что используемая китайскими разработчиками ускорителей вычислений память класса HBM поступает от южнокорейских SK hynix и Samsung Electronics, поскольку находящаяся под санкциями в Китае американская Micron Technology в этой цепочке поставок участвовать не может.

Деятельность китайской CXMT по разработке методов производства HBM привлекла внимание американских регуляторов, поэтому санкции против этой компании усиливаются, и ей становится всё сложнее следовать намеченной цели. Попытки приступить к производству HBM флагманом китайской промышленности предпринимаются с 2023 года, но они преимущественно ограничены экспериментальной стадией и регистрацией необходимых для организации производства патентов. По словам представителей Morgan Stanley, компания CXMT сотрудничает с одним из китайских игроков рынка услуг по упаковке и тестированию чипов, что совершенно закономерно.

В совокупности, обе китайские компании с 2022 года оформили около 100 патентных заявок, связанных с технологиями производства памяти типа HBM. По мнению аналитиков TechInsights, компания CXMT сможет наладить серийный выпуск HBM2 не ранее 2025 года, причём уровень выхода годной продукции не превысит 30 %, а потому подобная память останется не только дефицитной, но и очень дорогой. CXMT в условиях санкций имеет доступ только к оборудованию, позволяющему работать с 17-нм и 18-нм техпроцессами, тогда как зарубежные конкуренты уже шагнули в диапазон ниже 10 нм. При этом CXMT уже способна контролировать 11 % мировых мощностей по выпуску памяти типа DRAM, за последние пару лет она увеличила объёмы её выпуска почти в четыре раза.

Заслужившая право считаться лидером рынка южнокорейская SK hynix свою память типа HBM2 представила в 2018 году, а чип HBM первого поколения она выпустила первой в мире в 2013 году. Два месяца назад компания запустила массовое производство 12-слойной HBM3E, которая является самой продвинутой в отрасли на данный момент. В следующем году такая память станет самой распространённой в сегменте актуальных ускорителей вычислений. Китайские производители в этом смысле отстают от неё минимум на два поколения продукции, даже если рассуждать об их возможностях чисто теоретически.