Micron наладит выпуск кастомизируемой HBM4E в 2027 году при участии TSMC

Читать в полной версии

Американская компания Micron Technology старается не отставать от конкурентов в сфере освоения производства новых типов памяти, и ещё в конце прошлого года заявила, что будет сотрудничать с TSMC при производстве HBM4E, в основе которой будет лежать кастомизируемый кристалл. Недавно руководство Micron пояснило, что выпуск такой памяти будет налажен не ранее 2027 года.

Источник изображения: Micron Technology

Как можно судить по стенограмме выступления представителей Micron Technology на минувшей квартальной отчётной конференции, компания очень гордится тем, что в основе HBM4, которая будет выпускаться в 2026 году, будет лежать базовый кристалл собственного производства, изготавливаемый по технологии КМОП (CMOS). По мнению генерального директора Санджея Мехротры (Sanjay Mehrotra), такое сочетание обеспечит HBM4 производства Micron передовым быстродействием.

«HBM4E в масштабах всей отрасли не является продуктом 2026 года, это будет продукт 2027 года, мы поделимся подробностями о нём позже, и у нас будет как стандартный вариант HBM4E, так и кастомизируемый», — пояснил глава Micron на этой неделе. Ранее он отметил, что при производстве базового кристалла для HBM4E компания будет полагаться на технологические возможности TSMC. Кроме того, появление HBM4E в ассортименте продукции Micron позволит компании поднять норму прибыли, особенно в случае кастомизированной версии.

В ходе своего выступления на квартальной конференции глава Micron пояснил, что TSMC будет выпускать для компании базовые кристаллы не только стандартной, но и кастомизированной версии HBM4E. В последнем случае подразумевается, что функциональность базового кристалла будет определяться конкретным заказчиком, для которого потом Micron и TSMC будут сообща изготавливать HBM4E. Создавать конкурентоспособный продукт данного поколения Micron поможет не только участие TSMC, но и использование собственного техпроцесса класса 1β для выпуска кристаллов DRAM, а также усовершенствованные технологии упаковки памяти.