Samsung представит на CES 2026 первые образцы LPDDR6 с пропускной способностью 10,7 Гбит/с на контакт

Samsung пообещала представить на выставке CES 2026 образцы оперативной памяти LPDDR6, которая дебютирует в серийной продукции год спустя. Чипы нового образца станут производиться по техпроцессу 12 нм и обеспечат скорость передачи данных до 10,7 Гбит/с на контакт. Память следующего поколения будет использоваться в мобильных устройствах, высоконагруженных периферийных системах и в задачах искусственного интеллекта.

Организация JEDEC описывает LPDDR6 в стандарте JESD209-6. Память нового образца отличает архитектура с двумя подканалами на кристалл — по 12 линий передачи данных на каждый. У каждого подканала реализован свой набор командных и адресных сигналов. Такая конфигурация позволяет сохранять гранулярность в 32 байта при высокой эффективной пропускной способности канала. Поддерживается гибкая длина пакетов данных от 32 до 64 байтов.

Важнейшим достоинством LPDDR6 является повышенная на 21 % энергоэффективность — при сопоставимых скоростях память нового образца работает при более низком напряжении, чем LPDDR5. Она располагает двумя независимыми источниками питания VDD2, поддерживает динамическое изменение напряжения и частоты (DVFS), а также режим динамической эффективности, позволяющий ограничиваться одним подканалом при небольшой нагрузке.

Предусматриваются несколько средств обеспечения безопасности. Имеются счётчик активации строк — он предотвращает утечку заряда в соседних ячейках при частых обращениях; поддерживает защищённые области с ограниченным доступом; имеет встроенную систему коррекции ошибок (ECC) прямо на кристалле; а ещё систему контроля чётности (CA Parity), защиту каналов связи и встроенную систему самопроверки памяти (MBIST).

О том, какие семейства процессоров будут поддерживать память нового поколения, говорить ещё рано — Intel и AMD о ней пока не упоминали.