Samsung обогнала Micron и вернула себе второе место на рынке памяти HBM

В третьем квартале этого года Samsung Electronics обошла Micron Technology и вернула себе второе место на рынке высокоскоростной памяти (HBM). После падения на третье место в первом и втором кварталах компания продемонстрировала тенденцию к восстановлению, расширив поставки продуктов HBM3E (5-го поколения).

По данным исследовательской компании Counterpoint Research от 19 декабря, глобальная доля Samsung Electronics на рынке HBM (по выручке) в третьем квартале составила 22 %. По сравнению с предыдущим кварталом рост составил 7 процентных пунктов (с 15 %). За тот же период Micron заняла 21 % рынка, тем самым уступив второе место Samsung Electronics.

SK hynix сохранила первую позицию с долей в 57 %. Хотя она по-прежнему является лидером рынка, её доминирование несколько ослабло по сравнению с предыдущим кварталом, когда её доля составляла 64 %. Согласно оценкам аналитиков, Samsung Electronics заложила основу для восстановления, преодолев негативный фактор сокращения экспорта в Китай и начав полномасштабные поставки продукции HBM3E с третьего квартала.

Samsung также демонстрирует серьёзную конкуренцию на общем рынке DRAM. По доле рынка DRAM в третьем квартале, рассчитанной на основе выручки, SK hynix сохранила первое место с 34 %, в то время как доля Samsung Electronics достигла 33 % (рост на 1 п.п). Разрыв между Samsung и SK hynix составляет всего 1 процентный пункт. В отчёте говорится, что SK hynix сотворила настоящую сенсацию, впервые в истории обогнав Samsung Electronics и заняв первое место по выручке от DRAM в первом квартале этого года. Падение Samsung Electronics на второе место после 33-летнего удержания позиции «полупроводникового императора» с 1992 года стало беспрецедентным событием в истории полупроводниковой промышленности. Micron же заняла третье место с долей рынка в 26 % за тот же отчётный период.

Рынок DRAM в этом квартале в целом вырос на 26 % по сравнению с предыдущим кварталом благодаря рекордному росту цен и увеличению объёмов поставок. Поскольку три ведущих производителя памяти сократили производство устаревшей DRAM, возник дефицит предложения, что привело к росту цен.

Аналитики отрасли ожидают дальнейшего усиления конкуренции за лидерство на рынке HBM4 в следующем году. Samsung Electronics расширяет производственные мощности HBM3E во второй половине года и ускоряет разработку продуктов следующего поколения (HBM4). Ожидается, что SK hynix тоже сосредоточит все усилия на сохранении своего лидерства в сегменте HBM.