Intel построила в Аризоне более крупную и лучше оснащённую фабрику, чем TSMC — но есть нюансы

В уходящем году предметом особой гордости Intel стало введение в строй нового предприятия Fab 52 в штате Аризона, на котором сейчас осваивается массовое производство чипов по передовой технологии Intel 18A так называемого «ангстремного» класса. Эта производственная площадка крупнее и оснащена лучше, чем расположенные неподалёку предприятия конкурирующей TSMC.

Сравнивать эти две площадки напрямую не совсем корректно, но представители Tom’s Hardware решили сделать это, опираясь на недавний отчёт CNBC о посещении предприятия Fab 52 корпорации Intel. По крайней мере, производительность этого предприятия превышает совокупные возможности обеих фаз Fab 21 — аризонского комплекса TSMC, который уже выпускает 4-нм чипы с таким же уровнем качества, как на Тайване.

Технология Intel 18A сочетается со структурой транзисторов RibbonFET (GAA) и подводом питания с оборотной стороны печатной платы PowerVia, что позволяет говорить о дополнительном преимуществе применяемых в Аризоне технологий Intel по сравнению с решениями TSMC. Законодательство Тайваня не позволяет компании экспортировать самые передовые технологии за пределы острова, поэтому американские предприятия этого контрактного производителя пока на пару поколений отстают от тайваньских аналогов. Fab 52 компании Intel способна обрабатывать по 40 000 кремниевых пластин в месяц, но пока она не вышла на этот уровень.

Fab 52 также может похвастать наличием передового литографического оборудования ASML. Сканеры с низкой числовой апертурой, ориентированные на работу со сверхжёстким ультрафиолетовым излучением (Low-NA EUV), имеются на предприятии в количестве четырёх штук. Как минимум один из них относится к серии Twinscan NXE:3800E, который позаимствовал у более совершенного семейства сканеров держатель пластин, источник света и более быструю обработку пластин. Это позволяет ему обрабатывать по 220 кремниевых пластин в час при плотности энергии 30 мДж/см². Сканеры семейства Twinscan NXE:3600D при тех же энергозатратах позволяют обрабатывать каждый час до 160 кремниевых пластин. В общей сложности, Fab 52 должна разместить не менее 15 литографических сканеров для работы с EUV.

Предприятие обладает достаточной площадью и для размещения более крупных и совершенных сканеров класса High-NA EUV, но пока сложно предугадать, будут ли они здесь расположены, либо достанутся строящейся Fab 62. Существующая Fab 52 может выпускать вдвое больше чипов, чем Fab 21 компании TSMC, используя более совершенные литографические технологии. Вторая фаза Fab 21 будет рассчитана на выпуск чипов по 3-нм техпроцессу, но она в совокупности с первой всё равно будет обрабатывать не более 40 000 кремниевых пластин в месяц. Это позволит Fab 52 компании Intel сохранить паритет или даже остаться в лидерах по сравнению с американскими предприятиями TSMC.

Пожалуй, главной проблемой для Intel будет оставаться только низкая степень загрузки Fab 52, поскольку выпуск продукции по технологии 18A будет наращиваться очень медленно, с учётом необходимости привлечения сторонних заказов и завоевания доверия будущих клиентов. TSMC использует в США уже отлаженные техпроцессы, поэтому значительно быстрее масштабирует производство чипов.