Intel при поддержке SoftBank готова начать выпуск альтернативы памяти HBM к 2029 году

При всей своей востребованности, память типа HBM не является идеальной, поскольку остаётся дорогой и прожорливой, а ещё из-за наращивания объёмов её производства страдает выпуск классической DRAM. Компании SoftBank и Intel намерены наладить серийное производство памяти нового типа ZAM к 2029 году.

Непосредственно на стороне SoftBank за разработку Z-Angle Memory (ZAM) будет отвечать дочерняя компания Saimemory, она же будет отвечать за продажи готовой продукции, а Intel поделится технологиями производства и упаковки данной памяти. Само по себе обозначение Z-Angle говорит о намерениях разработчиков нарастить высоту памяти по координате Z. По сути, она по примеру HBM будет представлять собой стек из нескольких ярусов микросхем, но будет использовать более прогрессивные методы упаковки и более эффективную архитектуру.

Теоретически, это должно позволить увеличить удельную ёмкость стека памяти ZAM в два или три раза относительно HBM, при этом вдвое сократить энергопотребление, а себестоимость производства удержать либо на том же уровне, либо снизить на 40 %. По предварительным данным, Intel готова предложить для производства ZAM технологию упаковки памяти NGDB, которая повысит энергетическую эффективность относительно HBM. Помимо базового кристалла, в стеке существующих прототипов имеются восемь ярусов DRAM. В производстве память типа ZAM будет проще HBM, поэтому масштабировать объёмы её выпуска удастся достаточно быстро. Прототипы таких микросхем будут продемонстрированы партнёрами до конца марта 2028 года. В течение последующих 12 месяцев должно быть развёрнуто массовое производство нового типа памяти. С японской стороны в проекте также участвует компания Fujitsu.