Samsung первой запустила HBM4 в серию — для ускорителей Nvidia Vera Rubin

Не секрет, что в сегменте HBM3E дела у Samsung Electronics с точки зрения сотрудничества с Nvidia шли не очень хорошо. Первая из компаний долго добивалась сертификации своей продукции этого семейства по требованиям Nvidia, но так и не смогла наладить массовые поставки и потеснить SK hynix. Сейчас Samsung заявляет, что смогла опередить конкурентов, начав коммерческие поставки HBM4 своим клиентам.

Как поясняет Bloomberg, имена клиентов при этом не называются, но легко догадаться, что среди них главным является Nvidia. На фоне таких заявлений курс акций Samsung Electronics взлетел сегодня на 7,6 % и обновил исторический максимум. Корейскому гиганту придётся бороться за место в цепочках поставок Nvidia в сегменте HBM4 со всё той же SK hynix, а также американской Micron, которая недавно опровергла слухи о проблемах с сертификации своей продукции для нужд Nvidia.

Все трое поставщиков должны наладить снабжение Nvidia чипами HBM4, поскольку они потребуются при производстве ускорителей поколения Vera Rubin и серверных систем на их основе. Массовые поставки таких систем должны начаться в текущем году, поэтому соответствующая память нужна подрядчикам Nvidia уже сейчас.

Представители SK hynix заявили в октябре прошлого года, что компания начнёт снабжать клиентов микросхемами HBM4 ещё в четвёртом квартале, но о масштабных поставках можно будет говорить только с наступлением 2026 года. По словам представителей Samsung, наладить выпуск HBM4 в коммерческих масштабах удалось благодаря преимуществу над конкурентами в литографических технологиях. Компания использует более передовые техпроцессы (10-нм класса 1c) при выпуске не только самих кристаллов DRAM в стеке HBM4, но и базового кристалла, который производится по 4-нм технологии. В отличие от SK hynix, которая в этой сфере полагается на услуги TSMC, компания Samsung базовые кристаллы может выпускать самостоятельно.

Технический директор Чжэ Хёк Сон (Jaehyuk Song) заявил на этой неделе: «Мы теперь демонстрируем подлинные возможности Samsung в очередной раз. Хотя мы могли не в полной мере демонстрировать Samsung с той стороны, которая отвечает за потребности клиентов в части технологий мирового уровня — на протяжении определённого периода, вы сможете увидеть, как мы вернёмся на прежние позиции».

Из пресс-релиза Samsung следует, что её память типа HBM4 способна достигать скоростей передачи информации до 13 Гбит/с, а в устоявшемся режиме скорость достигает 11,7 Гбайт/с. Уровень выхода годной продукции при выпуске HBM4 достиг стабильных значений, по словам Samsung. Формально, HBM4 способна передавать данные в 1,22 раза быстрее, чем HBM3E, в пересчёте на один контакт. С учётом изменений в компоновке и архитектуре преимущество вырастает до 2,7 раза в пересчёте на один стек памяти. Предельная скорость передачи информации HBM4 достигает 3,3 Тбайт/с.

12-ярусная компоновка позволяет создавать стеки памяти объёмом от 24 до 36 Гбайт. В дальнейшем Samsung рассчитывает предложить и 16-ярусные стеки объёмом до 48 Гбайт. Базовый кристалл HBM4 компания проектировала таким образом, чтобы обеспечить его высокую энергоэффективность. Последний показатель удалось улучшить на 40 % за счёт использования новых способов формирования межслойных соединений и оптимизации компоновки с целью снижения энергопотребления. По сравнению с HBM3E, эффективность теплоотвода удалось улучшить на 30 %, а тепловое сопротивление изменить на 10 %. В целом, Samsung рассчитывает в текущем году в три раза увеличить продажи всех актуальных типов HBM. Во втором полугодии она уже готова начать поставки образцов HBM4E своим клиентам, а в следующем году предложит индивидуализированные варианты такой памяти.