Samsung разработала первый в мире прототип флеш-чипа 3D NAND с 900 слоями

Крупнейший в мире производитель чипов памяти Samsung разработал первый в мире прототип 900-слойного чипа памяти, сообщает ETNews — проект призван закрепить лидерство корейского технологического гиганта в данном сегменте.

В прототипе использована технология Cell Multi-Bonding (CMB), которая помогла установить две 450-слойные пластины ячеек на одном чипе. Многослойная структура флеш-памяти повышает плотность хранения данных и способствует снижению потребления энергии. Такие конфигурации считаются преимуществом в рабочих нагрузках искусственного интеллекта.

По направлению многослойных чипов NAND мировым лидером считается SK hynix, у которой есть 321-слойные микросхемы. Но Samsung, очевидно, переходит в более сильную позицию: она готовится к массовому выпуску 400-слойных чипов NAND, а на этапе исследований достигла рубежа в 900 слоёв.

Samsung первая в мире ещё в 2013 году выпустила на рынок чипы 3D V-NAND. Поначалу она использовала производственный процесс, предусматривающий сверление и укладку компонентов за один этап. Но по мере увеличения высоты укладки столкнулась с такими проблемами как деформация пластин и смещение слоёв. Их она решила за счёт усовершенствованной конструкции верхнего зажима и технологии коррекции наложения.

Отставание от Samsung и SK hynix быстро сокращает китайская Yangtze Memory Technologies Co. (YMTC) — она уже наладила массовое производство 294-слойных чипов NAND. Этому способствовали значительные госинвестиции и расширенная локализация производственного оборудования. Рост конкуренции побудил Samsung ускорить разработку технологии 900-слойной памяти, чтобы сохранить своё преимущество в долгосрочной перспективе.