К концу года SK hynix намерена начать массовое производство 375-слойной памяти 3D NAND

Прогресс в технологиях производства твердотельной памяти важен, поскольку он позволяет увеличивать плотность хранения информации. Южнокорейская SK hynix, как сообщает The Elec, к концу текущего года планирует начать массовое производство передовой 375-слойной памяти типа 3D NAND.

Верификация соответствующих технологий компанией уже завершена, началась подготовка к их масштабированию в условиях массового производства. Для освоения выпуска 375-слойной 3D NAND этот производитель не собирается строить новое предприятие, вместо этого модернизации будут подвергнуты имеющиеся на территории комплекса M15 в Чхонджу производственные линии, которые сейчас используются для изготовления памяти 3D NAND с 176, 238 и 321 слоями соответственно.

В планах SK hynix память с 375 слоями фигурировала, как относящаяся к 400-слойному классу. Количество слоёв по мере приближения к моменту фактической реализации планов было сокращено из-за производственных сложностей, которые неизбежно возникают в этой сфере по мере увеличения количества слоёв в микросхемах памяти. Тем не менее, в дальнейшем SK hynix рассчитывает увеличить количество слоёв до 480 и 604 штук соответственно.

Одним из новшеств при производстве 375-слойной памяти станет использование молибденовой плёнки вместо вольфрамовой в электродах металлических затворов. По мере увеличения слоёв возрастает электрическое сопротивление вольфрама, что замедляет передачу сигнала. В подобных условиях молибден демонстрирует более низкое сопротивление, позволяя ускорить передачу сигнала и поднять скорость записи и удаления данных. При нанесении вольфрамового покрытия, к тому же, требуется вспомогательный слой, который увеличивает толщину структуры, тогда как молибден позволяет обойтись без этого и увеличить плотность чипа.

Использование молибдена представляет определённые технологические трудности, поскольку в твёрдой форме он существует в качестве сырья при комнатной температуре, а наносить его придётся при нагреве. Конкурирующая Samsung Electronics на использование молибдена перешла ещё в апреле 2024 года при выпуске 286-слойной памяти 3D NAND. Во второй половине текущего года Samsung планирует начать массовый выпуск памяти с более чем 400 слоями. Молибден при этом будет использоваться более активно, чем предусматривалось изначально.

Samsung для нанесения молибдена отдаёт предпочтение оборудованию американской Lam Research, а SK hynix собирается применять оборудование японской Tokyo Electron. В первом случае за один подход обрабатывается только одна кремниевая пластина, а японское оборудование позволяет в специальной печи обрабатывать по 100 пластин одновременно. Оно не только более компактное и дешёвое, но позволяет более экономично расходовать молибден. Поставлять сырьё для нужд SK hynix планируют компании Air Liquide, Entegris и Merck KGaA, в числе корейских кандидатов фигурирует SK Specialty.

Спрос на молибден в этой сфере будет увеличиваться. SK hynix на первых порах планирует потреблять до 4 тонн сырья в год, тогда как Samsung только в этом году потребуются 10 тонн молибдена. В следующем году потребность второй из компаний увеличится до 25 тонн, а к 2030 году достигнет 80 тонн. Производителям 3D NAND выгоднее наращивать производство более дорогой и ёмкой памяти, чем просто расширять мощности, стратегия SK hynix в этой сфере соответствует данному принципу.