Kioxia приступила к поставкам образцов передовой 332-слойной памяти 3D NAND десятого поколения

Японская компания Kioxia на этой неделе сообщила о начале поставок инженерных образцов памяти типа TLC плотностью 1 Тбит, которые выпускаются в 332-слойном исполнении с использованием 10 поколения технологии BiCS Flash. Как отмечается, данная память обеспечивает увеличение плотности хранения данных и быстродействия, а применяться будет главным образом в накопителях серверного класса.

Как и в чипах восьмого поколения, новая память использует технологии CBA и OPS, одновременно предлагая пропускную способность на уровне 4,8 Гбит/с, на треть превышающую возможности памяти восьмого поколения. Плотность хранения информации в удельном выражении увеличена на 59 % благодаря 332-слойной компоновке. Расход энергии на операциях чтения сокращён на 30 %, на операциях записи — на 18 %. В условиях, когда операторы центров обработки данных начинают уделять энергопотреблению всё больше внимания, это важное достижение.

Выпуск передовой 332-слойной памяти Kioxia наладит на своём новом предприятии в префектуре Иватэ, которое было введено в строй в сентябре прошлого года. Новости о выпуске образцов памяти нового поколения способствовали росту курса акций компании на 8,9 % на утренних торгах в Токио. В отличие от тех же Samsung и SK hynix, которые структуру своих поставок могут диверсифицировать за счёт DRAM и HBM, компания Kioxia выпускает только память типа NAND, поэтому ей важно не отставать от более крупных конкурентов в технологическом плане и строго следить за конъюнктурой рынка. В прошлом году Kioxia занимала в сегменте NAND для серверных систем около 10 % мирового рынка, тогда как на долю южнокорейских соперников приходилось по 40 и 30 % в случае с Samsung и SK hynix соответственно. Новейшая продукция Kioxia превосходит память южнокорейских поставщиков по скорости передачи информации, в современных условиях это важное преимущество. В этом году Kioxia удавалось стать крупнейшей японской компанией по величине капитализации на короткое время.