Intel задумалась о подводе питания с обеих сторон кристалла для техпроцесса Intel 14A2

Долгое время компания Intel преподносила в качестве важного преимущества переход к подводу питания с обратной стороны кремниевой пластины, но данное изменение может оказаться не столь необратимым. По данным южнокорейских СМИ, в рамках техпроцесса Intel 14A2 компания может предусмотреть подвод питания с обеих сторон кремниевой пластины.

Как поясняет источник, проблема кроется в масштабировании транзисторных структур в сторону уменьшения. Если в рамках базового техпроцесса 14A для нижнего металлического слоя M0 компания собирается добиться шага между соседними элементами транзисторных структур в 28 нм, то для его дальнейшего сокращения до 21 нм придётся предусмотреть модифицированную версию технологии — 14A2. Её ключевым новшеством станет сочетание подвода питания с обеих сторон пластины, хотя доминирующей стороной останется именно обратная.

Сопротивление на уровне межсоединений при уменьшении шага геометрии до величины менее 21 нм возрастает экспоненциально, как поясняет источник. Инфраструктура межслойных соединений (nTSV), рассчитанная на подвод питания с оборотной стороны кремниевой пластины, не сможет обеспечить необходимых условий для повышения плотности размещения транзисторов. В результате возникнут просадки напряжения, поэтому масштабирование геометрии при сохранении подвода питания только с оборотной стороны пластины становится затруднительным. Intel попытается перераспределить силовую нагрузку в пользу лицевой стороны кремниевой пластины, предусмотрев подвод питания к ней для вспомогательных элементов чипа. Такая гибридная компоновка цепей питания позволит Intel обеспечить более выраженный запас по увеличению мощности и повышению плотности размещения чипов в условиях более агрессивного внедрения новых техпроцессов.

Базовый техпроцесс Intel 14A на уровне опытных образцов будет освоен до конца 2028 года, в массовом производстве он будет внедрён не ранее 2029 года. По всей видимости, версия техпроцесса 14A2 появится ещё позднее. В первом случае компания рассчитывает увеличить плотность размещения транзисторов в 1,3 раза относительно техпроцесса Intel 18A.