Micron перепрыгнет через поколение и выпустит 3D NAND с более чем 400 слоями в следующем году — она будет на 50 % быстрее

Micron решила перепрыгнуть через десятое поколение флеш-памяти и готовит сразу 3D NAND G11 — с более чем 400 слоями вместо 276 у нынешней G9. Компания обещает не просто нарастить плотность хранения данных, но и ускорить передачу информации на 50 %, одновременно снизив энергозатраты. Новая память рассчитана в том числе на будущие ИИ-системы, а её массовый выпуск начнётся во второй половине 2027 года.

«Мы занимаем очень прочные позиции благодаря нашей технологии NAND девятого поколения (Gen 9), и это лидерство сохранится в одиннадцатом поколении (Gen 11). Это значительный качественный скачок. Мы оптимизировали эту память — целенаправленно подготовили ее для будущих продуктов в сфере искусственного интеллекта; именно поэтому мы переходим с 9-го сразу на 11-е поколение», — сообщил в ходе вебинара президент и директор по технологиям и продуктам Micron Скотт ДеБур (Scott DeBoer).

Исходя из ранее озвученного показателя плотности записи для G9 (тип TLC) — 21 Гбит/мм² — эксперты ComputerBase оценивают плотность записи данных для G11 примерно в 42 Гбит/мм². Они отмечают, что это лишь оценочное значение. Кроме того, следует учитывать, что чипы типов TLC и QLC нельзя сравнивать напрямую, а Micron не уточнила, о каком типе памяти идёт речь.

В поколении G11 также будет использоваться технология соединения пластин wafer-on-wafer bonding, при которой массив ячеек памяти и схема ввода-вывода (I/O) производятся на отдельных пластинах, а затем соединяются друг с другом. Первой этот подход внедрила компания YMTC, за ней последовали Kioxia, SanDisk и Samsung.

Компания также сообщила, что скорость интерфейса возрастёт на 50 % по сравнению с поколением G9. Учитывая, что для G9 этот показатель составляет 3,6 Гбит/с, для G11 он достигнет примерно 5,4 Гбит/с. Для сравнения: по данным ComputerBase, скорость передачи данных у BiCS10 составляет 4,8 Гбит/с, а для своего поколения V10 Samsung указала показатель 5,6 Гбит/с. Micron также сообщает, что энергозатраты на передачу одного бита данных у поколения G11 будут более чем на четверть ниже, чем у G9.

По заявлению Micron, массовое производство памяти G11 NAND начнётся во второй половине 2027 года. Следовательно, потребительские SSD на её основе появятся ещё позже.

В дорожной карте компании нет упоминания о поколении G12, хотя сообщается об «архитектуре ячеек сверхвысокой плотности» (Ultra Dense cell architecture) и «прорывном материале с высокой подвижностью носителей заряда». Как полагает ComputerBase, это указывает на уменьшение размера ячеек (или шага их размещения) и, вероятно, на замену каналов из поликремния материалом, обеспечивающим более высокую подвижность электронов.