TSMC не хочет заниматься памятью, даже если просит Nvidia — компания ответила на слухи о выпуске DRAM

Ранее появилась информация, что TSMC по просьбе Nvidia изучает возможность наладить производство памяти типа 3D DRAM. Интерес к этой технологии возник на фоне роста спроса на оборудование для систем искусственного интеллекта, что привело к мировому дефициту и росту цен на DRAM. Реализация проекта помогла бы TSMC открыть новое направление бизнеса и существенно укрепить своё положение в цепочке поставок для отрасли ИИ. Но в компании подчеркнули, что специализируются исключительно на производстве логических чипов и намерены придерживаться этой стратегии, то есть, по сути, опровергли эту информацию.

«Хотим подчеркнуть, что TSMC всегда фокусируется на своём основном виде деятельности — контрактном производстве интегральных схем. Наша миссия — в долгосрочной перспективе оставаться надёжным технологическим партнёром и поставщиком производственных мощностей для мировой отрасли логических микросхем», — заявили в компании ресурсу Tom's Hardware. Ранее издание The Information со ссылкой на два источника сообщило, что в ответ на запрос Nvidia, своего крупнейшего клиента, TSMC всё же начала подготовку к производству 3D DRAM. Курирует новый проект, предположительно, Сюй Го-цинь (Hsu Kuo-chin) — вице-президент TSMC, отвечающий за передовые технологии упаковки, который ранее возглавлял тайваньское подразделение Micron.

На мировом рынке обозначился повсеместный дефицит чипов памяти — она превратилась из рядового товара в стратегически важный ресурс, от наличия которого зависит, способна ли та или иная компания поставлять свою продукцию конечным потребителям. TSMC тесно сотрудничает с производителями DRAM и интегрирует кристаллы памяти в «системы в корпусе» (SiP), но у неё нет ни опыта, ни производственных мощностей для выпуска самой DRAM, не говоря уже о более сложной технологии 3D DRAM. От серийного выпуска последней сейчас далеки даже ведущие производители памяти, и реализация подобной стратегии не смогла бы решить проблему дефицита памяти как минимум в ближайшие пять лет.

В отличие от традиционной DRAM, где ячейки памяти располагаются в одной плоскости, 3D DRAM предполагает их размещение на нескольких уровнях по вертикали, что позволяет увеличить ёмкость в расчёте на одну кремниевую пластину. Собственные разработки в области 3D DRAM сейчас ведут все три мировых лидера рынка памяти: Micron, Samsung и SK hynix. Стратегия Micron в области DRAM, в частности, предполагает развёртывание ещё как минимум четырёх поколений планарных техпроцессов, прежде чем начать выпуск 3D DRAM.

TSMC обладает лучшими в отрасли технологиями производства логических чипов, но выпуск DRAM потребует совершенно новых производственных процессов, и их пришлось бы разрабатывать с нуля, если бы компания действительно решила наладить производство памяти для своих клиентов. Создание 3D DRAM требует принципиально иных методов изготовления: требуется сформировать несколько слоёв ячеек памяти, обеспечив контроль над дефектами и приемлемый уровень выхода годных изделий. Не располагая конкурентоспособной технологией изготовления планарных DRAM, разработать технологический процесс 3D DRAM практически невозможно, а у TSMC такой технологии нет.

Компания могла бы приобрести небольшого производителя памяти, обладающего собственными производственными мощностями, и открыть реальный путь к выпуску передовой DRAM, не разрабатывая решений с нуля. Но у небольших компаний, как правило, отсутствуют передовые техпроцессы для массового производства DRAM, так что TSMC всё равно пришлось бы вложить миллиарды долларов и потратить годы на исследования и разработку для создания современной технологии производства такой памяти.

Выход в сегмент DRAM был бы сопряжён для TSMC со значительными рисками. Из-за дефицита памяти производители начинают наращивать выпуск, что в итоге приводит к избытку предложения, падению цен и снижению прибыльности. Это может осложнить и отношения компании с партнёрами — в частности, со SK hynix, для которой TSMC выпускает логические кристаллы для памяти HBM.

Наконец, это грозит возникновением вопросов у регулирующих органов: компания уже занимает доминирующее положение в области производства логических чипов и передовой упаковки. Регуляторы могут инициировать проверку, не позволит ли TSMC вертикальная интеграция с производством памяти отдавать предпочтение собственной продукции в ущерб не располагающим такой вертикальной интеграцией конкурентам. С другой стороны, этот шаг мог бы усилить конкуренцию в сегменте DRAM, где сейчас доминируют всего три компании.

В действительности TSMC не обязана производить DRAM, чтобы заработать на спросе на передовую память — ей хватило бы производства сложной логики для HBM, интеграции памяти с процессорами с помощью гибридного соединения SoIC, разработки индивидуальных решений с такими партнёрами, как GUC, и признанными производителями DRAM. TSMC вполне способна расширить своё присутствие на рынке передовой памяти, не вкладывая миллиардов в разработку конкурентоспособных технологий выпуска DRAM или десятков миллиардов — в создание дополнительных производств.