SK hynix представила первые в мире 12-слойные стеки памяти HBM3 объёмом 24 Гбайт

Компания SK hynix представила первые в индустрии стеки высокоскоростной памяти HBM3, состоящие из 12 микросхем. Они обладают объёмом 24 Гбайт. Производитель отмечает, что уже начал рассылать образцы новых стеков своим партнёрам для тестов.

«Компания разработала новые 24-гигабайтные чипы памяти HBM3, ёмкость которых на 50 % больше, чем у предыдущего продукта, чьи массовые поставки начались в июне прошлого года. Мы сможем начать поставки новых чипов памяти во второй половине текущего года и будем готовы обеспечить спрос на высокоскоростную память на фоне роста популярности технологий специальных чат-ботов на базе ИИ», — говорится в пресс-релизе производителя.

Для производства 12-слойных стеков памяти HBM3 объёмом 24 Гбайт компания SK hynix применяет технологию Advanced Mass Reflow Molded Underfill, представляющую собой метод объединения нескольких чипов памяти на одной подложке посредством спайки, а также технологию сквозных соединений Through Silicon Via (TSV). Она позволяет сократить толщину одного стека памяти на 40 % и в итоге получить чип такой же высоты, как и у 16-гигабайтных стеков HBM3.

SK hynix представила первое поколение высокоскоростной памяти HBM в 2013 году. Эти микросхемы памяти чаще всего используются в системах для высокопроизводительных вычислений (HPC). Новейший стандарт памяти HBM3 считается наиболее оптимальным решением для быстрой обработки больших объёмов данных и поэтому пользуется высоким спросом со стороны ведущих технологических компаний.

Оценка производительности новых 12-слойных стеков высокоскоростной памяти HBM3 объёмом 24 Гбайт продолжается. В то же время компания отмечает, что заинтересованные в новом продукте клиенты уже получили его образцы.