SK hynix представила первые в мире 12-слойные стеки памяти HBM3 объёмом 24 Гбайт

Компания SK hynix представила первые в индустрии стеки высокоскоростной памяти HBM3, состоящие из 12 микросхем. Они обладают объёмом 24 Гбайт. Производитель отмечает, что уже начал рассылать образцы новых стеков своим партнёрам для тестов.

Источник изображений: SK hynix

«Компания разработала новые 24-гигабайтные чипы памяти HBM3, ёмкость которых на 50 % больше, чем у предыдущего продукта, чьи массовые поставки начались в июне прошлого года. Мы сможем начать поставки новых чипов памяти во второй половине текущего года и будем готовы обеспечить спрос на высокоскоростную память на фоне роста популярности технологий специальных чат-ботов на базе ИИ», — говорится в пресс-релизе производителя.

Для производства 12-слойных стеков памяти HBM3 объёмом 24 Гбайт компания SK hynix применяет технологию Advanced Mass Reflow Molded Underfill, представляющую собой метод объединения нескольких чипов памяти на одной подложке посредством спайки, а также технологию сквозных соединений Through Silicon Via (TSV). Она позволяет сократить толщину одного стека памяти на 40 % и в итоге получить чип такой же высоты, как и у 16-гигабайтных стеков HBM3.

SK hynix представила первое поколение высокоскоростной памяти HBM в 2013 году. Эти микросхемы памяти чаще всего используются в системах для высокопроизводительных вычислений (HPC). Новейший стандарт памяти HBM3 считается наиболее оптимальным решением для быстрой обработки больших объёмов данных и поэтому пользуется высоким спросом со стороны ведущих технологических компаний.

Оценка производительности новых 12-слойных стеков высокоскоростной памяти HBM3 объёмом 24 Гбайт продолжается. В то же время компания отмечает, что заинтересованные в новом продукте клиенты уже получили его образцы.