Теги → микросхемы
Быстрый переход

Качество российских микросхем повысится

В России освоен серийный выпуск ситалловых подложек для микросхем — изделий, которые до сих пор заказывались у иностранных производителей.

Ситалловые подложки предназначены для изготовления плёночных микросхем и изделий электроники. Именно на подложках вытравливаются дорожки микросхемы, поэтому их качество напрямую влияет на срок службы радиоэлектронных изделий.

Как сообщается, массовое производство ситалловых подложек в России организовано холдинговой компанией «РТ-Химкомпозит», которая входит в состав госкорпорации Ростех. В разработке участвовали специалисты ОНПП «Технология».

Утверждается, что по ряду характеристик отечественные изделия превосходят зарубежные аналоги. Это, в частности, касается чистоты рабочей поверхности.

«За счёт согласованности коэффициентов термического расширения изделий и наносимых на неё плёнок, качество отечественных микросхем станет ещё выше», — отмечает Ростех.

В настоящее время подтвержден заказ на выпуск первых 30 тысяч подложек со стороны предприятий из Омска, Пензы и Санкт-Петербурга. При росте спроса объём выпуска может быть увеличен до 100 тысяч ситаловых подложек в год. 

«Микрон» заменит кремнием дорогостоящий арсенид галлия в микросхемах

Российская компания «Микрон», производитель интегральных схем, отрапортовала о достижении, которое, как ожидается, позволит существенно снизить стоимость ряда выпускаемых в нашей стране электронных компонентов.

«Микрон»

«Микрон»

Сообщается, что в прошлом месяце «Микрон» завершил испытания библиотеки сложных функциональных кремниевых СВЧ-компонентов, работающих на частоте до 3 ГГц. Они могут стать альтернативой дорогостоящим изделиям на основе арсенида галлия.

В рамках проделанной работы сформирована библиотека блоков, что позволит разработчикам осуществлять проектирование собственных кремниевых СВЧ-чипов и производить их на «Микроне». Созданные блоки позволят существенно удешевить приёмо-передающие модули и повысить энергоэффективность радиолокационных систем, применяемых в навигации и автоэлектронике.

«Микрон»

«Микрон»

«Рынок уже ждёт эту разработку, так как дорогую арсенид-галлиевую технологию можно заменить на кремний без потери в стойкости, надёжности и качестве, что актуально, например, в локационных системах аэропортов, в судоходстве и автомобилях будущего», — заявляет «Микрон».

Следующим шагом предприятия станет создание чипа, интегрирующего функции приёма-передачи и обработки цифрового сигнала. Это позволит сделать радиотехнические системы более компактными и энергонезависимыми, что востребовано в автомобильных системах помощи водителю и автопилотируемом транспорте. 

«Росэлектроника» внедрит технологию flip-chip в производстве корпусов микросхем

Холдинг «Росэлектроника», входящий в госкорпорацию Ростех, приступил к освоению технологии производства корпусов микросхем с посадкой кристаллов непосредственно на выводы.

Речь идёт о методике flip-chip, или «перевёрнутый кристалл». При использовании этой технологии кристалл устанавливается на выводы, выполненные непосредственно на его контактных площадках.

Методика flip-chip обеспечивает высокую плотность монтажа и очень короткие электрические связи. А это позволяет добиться повышения производительности микросхем и снижения нагрева.

Сообщается, что внедрением технологии flip-chip в производстве корпусов микросхем занимаются специалисты АО «Завод полупроводниковых приборов» в составе холдинга «Росэлектроника». В частности, предприятие уже запустило производство матричных корпусов с количеством выводов 484 (шаг 1 мм), 672 и 1752 (шаг 1,27 мм). Толщина керамических слоёв в изделиях равна 200 мкм, число слоёв — до 30, число межслоевых электрических переходов — до 27 тыс. на один корпус. Ширина токоведущих дорожек составляет от 100 мкм.

Разработанные корпуса относятся к типам BGA (шариковые выводы) и CCGA (столбиковые выводы), которые используются при реализации технологии flip-chip. 

Исследователи из России создали самый тонкий в мире полупроводник с заданными свойствами

Учёные НИТУ «МИСиС», по сообщению газеты «Известия», предложили новый способ создания двумерных полупроводников с заданными свойствами.

Речь идёт о плёнках толщиной всего в одну молекулу. Российские исследователи уже успешно провели эксперимент по контролируемому созданию материала на основе частично окисленного оксида бора.

Технология предусматривает возможность контролируемым способом менять ширину запрещённой зоны. Осуществляется это путём изменения концентрации кислорода.

Запрещённая зона — область значений энергии, которыми не может обладать электрон в идеальном (бездефектном) кристалле. По ширине запрещённой зоны твёрдые вещества — по их электрическим свойствам — условно разделяют на металлы, полупроводники и диэлектрики.

«Нанося разное количество кислорода на разные части нитрида бора, можно управлять его "проводимостью" и как бы рисовать на плёнке нужную микросхему», — пишут «Известия».

Предложенную технологию теоретически можно использовать в таких областях науки и техники, как фотовольтаика, оптоэлектроника, хранение энергии. Учёные уже говорят, что результаты их работы в перспективе могут привести к появлению нанопроцессоров. Такие чипы будут потреблять существенно меньше энергии по сравнению с сегодняшними изделиями. Это приведёт к миниатюризации аккумуляторов и появлению массовой «незаметной» электроники — невесомых кардиостимуляторов, дешёвых очков с дополненной реальностью, телефонов-серёжек и других гаджетов, которые пока сделать либо дорого, либо вообще невозможно. 

Российские учёные предложили замену металлическим проводникам в микросхемах

Специалисты холдинга Росэлектроника, входящего в госкорпорацию Ростех, разработали технологию межкомпонентной оптической связи на основе многослойных полимерных волноводных систем (МПВС). Ожидается, что данное решение в перспективе позволит заменить металлические проводники в микросхемах.

Новая технология обеспечивает ряд преимуществ перед традиционными проводниками. В частности, говорится о высокой помехоустойчивости. Пропускная способность соединений нового типа превышает 5 Гбит/с.

Основой МПВС является симметричный планарный волновод, позволяющий канализировать электромагнитную энергию оптического диапазона. Стабильность характеристик при этом достигается путём выбора материалов, сохраняющих оптические свойства в широком диапазоне допустимых внешних воздействий, таких как температура, влажность, механическое воздействие, давление, воздействие ультрафиолета и т. д.

Предложенное решение допускает применение как в высокоплотных радиоэлектронных модулях монолитного исполнения, так и в печатных платах на основе современных материалов.

Волноводные системы обладают широкими возможностями использования. В качестве возможных областей применения названы радиолокационные комплексы, приборы авионики, высокопроизводительные компьютеры, автомобильная электроника и пр. 

Усовершенствованная система проектирования Conventor SEMulator3D теперь работает с оптроникой

Программный комплекс Conventor SEMulator3D изначально разрабатывался в качестве инструмента проектировщика микромеханических систем (MEMS), но с постепенной адаптацией идеи трёхмерных структур в электронике он стал использоваться различными компаниями-разработчиками для проектирования таких элементов, как транзисторы FinFET с объёмным затвором, структур 3D NAND и даже новых головок для жёстких дисков. На сегодняшний день половина пользователей SEMulator3D используют систему именно для проектирования микроэлектроники.

Фрагмент первого оптико-электронного процессора

Фрагмент первого оптико-электронного процессора

Но, как оказалось, на этом возможности данного комплекса не заканчиваются. Компания-разработчик собирается дополнить своё детище библиотеками, позволяющими проектировать оптронные и смешанные оптико-электронные микроструктуры. Оптроника, к сожалению, пока развивается медленнее, чем хотелось бы, но уже появляются первые примеры гибридных чипов и оптических сопроцессоров, а со временем их будет становиться всё больше и разработчикам потребуется соответствующий инструментарий. Благодаря стараниям сотрудников Conventor такой инструментарий уже появился.

Моделирование оптических элементов в SEMulator3D

Моделирование оптических элементов в SEMulator3D

В настоящее время комплекс Conventor SEMulator3D включает в себя библиотеки, позволяющие проектирование структур с размерностью менее 14 нм, трёхмерных структур микроэлектроники, микромеханических структур, магнитных головок и оптических устройств. Он позволяет полностью эмулировать производственный процесс, а следовательно, и отлавливать и искоренять ошибки в дизайне чипа прежде, чем тот будет запущен в настоящее, не виртуальное производство. Такая возможность позволяет разработчикам микроэлектронных устройств сэкономить немало времени и средств. Сейчас Conventor работает над дальнейшим усовершенствованием системы SEMulator3D, что позволит использовать её для анализа различных сложных случаев и даже оценки выгодности применения фотолитографии на основе экстремального ультрафиолета (EUV).

Первые «ламповые микросхемы» выходят на рынок

Вакуумная электроника переживает не лучшие дни: во всех областях она практически уступила место полупроводниковой, и даже симпатичные вакуумно-люминесцентные индикаторы повсюду заменяются жидкокристаллическими или OLED-панелями. Но последнего слова эта отрасль электроники ещё не сказала; более того, она понемногу продолжает развиваться, поскольку обладает рядом свойств, достижение которых невозможно или затруднено при использовании полупроводниковых технологий. На то, как могут выглядеть вакуумно-электронные устройства в наше время, проливает свет компания Korg, известный производитель электронных музыкальных инструментов.

Габариты корпуса Nutube 6P1 составляют 45 × 16 мм

Габариты корпуса Nutube 6P1 составляют 45 × 16 мм

О разработке вакуумных электронных приборов в форм-факторе обычных микросхем, использующих упаковку DIP, сообщалось ранее (прототипы датируются 2015 годом), но именно сейчас Korg объявила о начале продаж первого коммерческого продукта, созданного с использованием такой технологии. Речь идёт о лампе Nutube 6P1, продажи которой должны начаться 23 сентября по цене 5400 японских иен за корпус (около $53). Довольно дорого, учитывая простую схемотехнику устройства, но вполне обоснованно, если вспомнить, что речь идёт об уникальном чипе, сочетающем в себе лучшие черты вакуумной и полупроводниковой технологий. К примеру, срок службы у новинки составляет 30 тысяч часов, что для обычных радиоламп практически немыслимо.

Схема Nutube 6P1

Схема Nutube 6P1

Если бы Nutube 6P1 не имела окошка в верхней части корпуса, никто и никогда не принял бы этот чип за лампу, но тем не менее, это именно полноценная электронная лампа, выполненная по технологии VFD, а значит, не требующая использования высоких анодных напряжений — достаточно 10 вольт. Схемотехнически это двойной триод с катодом прямого накала и коэффициентом усиления 12, предназначенный для использования в музыкальных инструментах, ламповых усилителях и иных подобных устройствах, требующих характерной «ламповой» окраски звука. Производиться устройство будет японской компанией Noritake, специализирующейся на выпуске VFD-индикаторов. Ждём появления новых, более сложных электровакуумных чипов.

На закупки российской микроэлектроники в течение трёх лет направят 75 млрд рублей

В Зеленограде на новом российском микроэлектронном предприятии «Ангстрем-Т» прошло совещание под председательством премьер-министра РФ Дмитрия Медведева, посвящённое перспективам развития отечественной микроэлектронной продукции.

Медведев отметил, что доля отечественной продукции на российском рынке пока ещё не очень значима — около 20 %. В потребительском и профессиональном сегментах масштабных проектов пока практически нет. По-настоящему конкурентоспособными являются лишь отдельные направления специального сегмента — изделия, которые используются в военной технике. 

Премьер-министр назвал причину этого дисбаланса — проблемы с финансированием НИОКР. Для преодоления отставания разработана государственная программа развития электронной и радиоэлектронной промышленности, рассчитанная до 2025 года. На её реализацию выделено из федерального бюджета более 170 млрд рублей.

Как ожидается, доля радиоэлектронных изделий российского производства на внутреннем рынке вырастет в полтора раза до 36 % к 2025 году, а объём экспорта — почти в 3,5 раза по отношению к 2015 году, то есть на 350 %. Также планируется кардинально — практически в четыре раза — увеличить число высокопроизводительных рабочих мест. 

В мае премьер-министр утвердил план гарантированных закупок российской гражданской микроэлектронной продукции на период с 2016 по 2018 год, согласно которому объём гарантированных закупок российской микроэлектроники может составить более 100 млн изделий на общую сумму порядка 75 млрд рублей. 

Альянс Toshiba и Western Digital преуспел в создании 64-слойной памяти BiCS 3D NAND

Ещё год назад мы сообщали, что компании Toshiba и SanDisk ведут активные исследовательские работы по созданию недорогой многослойной флеш-памяти под названием BiCS (bit cost scalable) 3D NAND и планируют начать её производство в 2016 году. Ныне SanDisk принадлежит одному из крупнейших производителей различных устройств хранения данных, корпорации Western Digital, и является её подразделением, но ранее заключённый альянс сохранил силу, и на днях компании объявили об успешном создании первых в мире 64-слойных чипов флеш-памяти BiCS 3D NAND, способных хранить по три бита в каждой ячейке.

Первые чипы BiCS 3D NAND уже существуют в кремнии

Первые чипы BiCS 3D NAND уже существуют в кремнии

Первые небольшие по объёмам поставки новых микросхем начнутся уже в конце этого года, а в полную силу производство должно развернуться в первой половине следующего, 2017 года. В настоящее время ведётся монтаж производственных линий. В сравнении с традиционной на сегодня 48-слойной флеш-памятью, выпускаемой Samsung, BiCS 3D NAND может предложить в 1,4 раза более плотную упаковку данных. Это позволит создать либо более ёмкие чипы в аналогичном форм-факторе, либо чипы более компактных размеров при неизменной ёмкости. К тому же BiCS 3D NAND имеет меньшую себестоимость производства, а значит, и цена конечных продуктов на базе этой памяти будет ниже. С надёжностью же у этой технологии дела обстоят отлично, как и у других версий 3D NAND.

Устройство и преимущества BiCS 3D NAND

Устройство и преимущества BiCS 3D NAND

Первыми ласточками станут чипы BiCS 3D NAND ёмкостью 256 Гбит, что в пересчёте на более привычные пользователю единицы составляет 32 Гбайт. Иными словами, небольшой флеш-накопитель на базе новой технологии Toshiba и WD будет состоять всего из двух чипов: контроллера и собственно микросхемы BiCS 3D NAND. Именно эта ёмкость пока является основной в планах альянса на 2017 год, но в будущем партнёры по бизнесу рассматривают возможность вывода на рынок аналогичных микросхем ёмкостью 512 Гбит (64 Гбайт). Как видим, предприятие, затеянное SanDisk и Toshiba, увенчалось полным успехом. План был даже перевыполнен: первоначально технология BiCS NAND была 48-слойной. Ждём появления первых устройств на базе новой многослойной памяти.

ISSCC 2016 Preview: передовые чипы памяти и процессоры

Несмотря на то, что конференция International Solid-State Circuits Conference 2016 стартует только в феврале следующего года, уже сейчас можно узнать о некоторых интересных разработках, которые будут там показаны. Это важное для полупроводниковой отрасли событие каждый год посещают несколько тысяч профессиональных разработчиков микросхем.

thememoryguy.com

thememoryguy.com

Традиционно с серией докладов на ISSCC выступит компания Samsung. Она расскажет о своих достижениях в области чипов DRAM и флеш-памяти. Гвоздем программы станет доклад о 128-Мбит встраиваемой SRAM-памяти, выпущенной с использованием 10-нм технологии FinFET. Диаметр ячейки чипа составляет всего 0,04 мкм. Это самые маленькие SRAM-ячейки в отрасли.

thememoryguy.com

thememoryguy.com

Особое внимание Samsung уделит рассказу о 3D-стеке из восьми чипов DRAM, который обеспечит пропускную способность памяти 307 Гбит/с. Для сравнения, на ISSCC 2014 подобное решение характеризовалось пропускной способностью 128 Гбит/с. Конкурент Samsung, компания SK hynix покажет свою версию 3D-стека с пропускной способностью 256 Гбит/с.

Отдельный доклад Samsung посвятит 256-Гбит флеш-чипу с тремя битами на ячейку. Такой высокой ёмкости удалось добиться благодаря объединению на одном полупроводниковом кристалле 48 слоёв ячеек. В этой области опять же у Samsung есть конкуренты. Компания Micron расскажет о своём флеш-чипе ёмкостью 768 Гбит и площадью 179,2 мм2. Это самая высокая плотность записи информации для чипов памяти такого типа. Все подобные разработки нацелены на твёрдотельные накопители.

Особое внимание планирует привлечь MediaTek с докладом о первом в отрасли трёхкластерном 10-ядерном процессоре, который включает три CPU-кластера на основе архитектуры ARMv8a. Кластеры оптимизированы для работы на частотах 1,4, 2,0 и 2,5 ГГц. По сравнению с двухкластерными CPU, третий кластер обеспечивает увеличение общей производительности на 40 %, а также увеличение энергоэффективности на 40 %. Архитектуру с тремя кластерами, как известно, использует чип Helio X20.

Отечественные микросхемы для спутников ГЛОНАСС придут на смену зарубежным решениям

В рамках программы импортозамещения в компании «Информационные спутниковые системы» (ИСС) имени академика М. Ф. Решетнёва» завершены работы по освоению технологии применения российских комплектующих в составе служебной аппаратуры создаваемых на предприятии спутников.

ИСС

ИСС

Речь идёт об аппаратах нового поколения «Глонасс-К2». Предполагается, что в их составе зарубежные электронные компоненты уступят место отечественным аналогам.

В частности, уже проведены испытания микросхем, полученных в рамках опытно-конструкторской работы по замене программируемых логических интегральных схем американской фирмы Actel на компонентную базу российского производства. В ходе тестов было подтверждено, что они соответствуют требуемым техническим характеристикам.

ИСС

ИСС

«Успешно апробирована была опытная партия интегральных схем на основе базовых матричных кристаллов, разработанная решетнёвцами совместно с предприятием "Ангстрем" (г. Зеленоград). Теперь компания Информационные спутниковые системы заключила с зеленоградской фирмой контракт на изготовление ещё пяти типов микросхем. Срок его реализации — конец текущего года», — сообщили в ИСС.

Микросхемы, созданные с использованием отечественной электронной компонентной базы, в первую очередь найдут применение в составе аппаратуры бортового комплекса управления навигационных космических аппаратов. 

Видео дня: самоуничтожающаяся микросхема разработки Xerox PARC

Самоуничтожающиеся чипы на сегодняшний день уже не кажутся чем-то фантастическим, так как работа над созданием подобных микросхем ведётся не первый год, и к этому времени мировой общественности был продемонстрирован образец-прототип с рядом технических ограничений и функциональных особенностей. Тем не менее, концепция создания чипа с надёжным механизмом, который отвечал бы за функцию самоликвидации при получении сигнала, с течением времени или при соответствующих изменениях окружающей среды, по-прежнему находится в стадии формирования и методичного развития. В совершенствовании подобных систем и поиске удовлетворяющего ключевым требованиям алгоритма самоуничтожения заинтересовано, прежде всего, Агентство передовых исследований DARPA при Министерстве обороны США.  

www.computerworld.com.au

www.computerworld.com.au

На этот раз специалисты исследовательской лаборатории PARC при Xerox в рамках инициативы DARPA представили уникальную микросхему, которая, в отличие, скажем, от предложенной учёными Иллинойского университета технологии, практически мгновенно самоуничтожается, эффектно превращаясь в конечном итоге в стеклянную крошку. 

www.computerworld.com.au

www.computerworld.com.au

Детище инженеров Xerox PARC выполнено, как можно догадаться по фото и характерному результату самоуничтожения, из стекла. За основу была взята прозрачная подложка типа Gorilla Glass. Правда, в сравнении с хорошо знакомым всем пользователям мобильных устройств закалённым стеклом производства компании Corning, выбранный Xerox материал для создания микросхемы прошёл дополнительную обработку, вследствие чего стекло в своём нормальном состоянии пребывает в максимальном напряжении. 

www.computerworld.com.au

www.computerworld.com.au

Что касается механизма запуска самоликвидации, то его роль взял на себя крохотный резистор, разместившийся в нижней части конструкции. Защитная система, получив контрольный сигнал, тотчас же активируется — происходит нагрев указанного резистора за счёт пропускания через него тока. При достижении критической для стеклянной подложки температурной отметки последняя в одночасье разрушается, что на практике выглядит следующим образом: 

Получение команды на самоуничтожение предполагается как минимум двумя способами. В первом случае сигнал может передаваться посредством радиосвязи или при срабатывании триггера. А вот альтернативный вариант потребовал использование лазерного луча в качестве внешнего фактора при запуске процедуры самоликвидации. Для этого в микросхему был дополнительно включён фотодиод, который, среагировав на лазер, активировал нагрев резистора. 

Foxconn и SPIL объединяют ресурсы: курс на многокристальные чипы

Компания Hon Hai Precision Industry, известная во всём мире благодаря торговой марке Foxconn, сообщила о решении создать стратегический союз с третьим в мире по величине упаковщиком микросхем — с тайваньской компанией Siliconware Precision Industries (SPIL). Компания SPIL, отметим, по неподтверждённой информации является упаковщиком процессоров для компании Apple. Также SPIL считается субподрядчиком компании TSMC, упаковывая и проверяя продукцию этого крупнейшего в мире чипмейкера. Иначе говоря, Foxconn проникает на рынок по упаковке и тестированию микросхем. Мы ведь все понимаем, что дальше микроэлектроника будет идти по пути интеграции на уровне кристаллов? На это намекают технологии 3D NAND, HBM, сквозных TSVs соединений и других многокристальных упаковок.

Пример упаковки типа SiP

Пример упаковки типа SiP

Союз между Hon Hai Precision и SPIL будет оформлен в виде обмена акций компаний. Хозяин Foxconn получит 840,6 млн акций SPIL и станет владельцем 21,24 % компании. В свою очередь, SPIL получит 359,23 млн акций Hon Hai — это 2,2 % акций Foxconn. Тайваньские источники считают, что тем самым компания SPIL застраховала себя от возможного поглощения со стороны прямого конкурента — компании Advanced Semiconductor Engineering (ASE). Компания ASE якобы планировала приобрести 25 % акций SPIL. С появлением в игре компании Hon Hai Precision данная акция уже под вопросом.

Процессор S1 в часах Apple тоже выполнен в виде SiP-упаковки

Процессор S1 в часах Apple тоже выполнен в виде SiP-упаковки

В официальном пресс-релизе компания Hon Hai Precision сообщает, что партнёры сосредоточат усилия на разработке так называемой технологии упаковки SiP (System-in-Package). Упаковка типа SiP позволяет в одном корпусе микросхемы заключить несколько разноплановых кристаллов — память, центральный процессор или SoC, дискретные контролеры, радиочастотные модули и другое. Со стороны компании SPIL новоиспечённый альянс получит такие технологии многочиповых компоновок, как Embedded Substrate, Panel Size Fan-Out WLCSP и другие. Поясним, речь идёт о горизонтальном размещении нескольких кристаллов на общей подложке — этакий бюджетный вариант для замены упаковки на основе TSVs соединений (пример TSVs — компоновка AMD Fiji с памятью HBM).

images.astronet.ru

images.astronet.ru

Данную новость следует дополнить информацией о другой сделке Foxconn. В январе 2014 года компания приобрела китайского разработчика SoC — компанию Socle Technology. Нетрудно представить, что Foxconn теперь может говорить о собственном кластере по выпуску сложных полупроводников: начиная от разработки и заканчивая упаковкой и тестированием. Можно не сомневаться, что это откроет перед Hon Hai Precision новые горизонты.

Samsung войдёт на рынок памяти HBM в первом квартале 2016 года

Многослойная высокопроизводительная память HBM пока ещё очень молода — она выпускается всего одним производителем, SK Hynix, и пока успела дебютировать лишь в графическом процессоре AMD Fiji, где, впрочем, показала себя очень неплохо, несмотря на то, что речь идёт о первом поколении данной технологии. Но на конференции IDF 2015 компания Samsung заявила о своём намерении присоединиться к освоению столь перспективного сегмента рынка DRAM.

Планов громадье

Планов громадье

Решение мудрое, поскольку потенциал HBM в области скоростных характеристик обеспечивает этому типу памяти большое будущее. Уже в первом варианте, воплощённом в кремнии, такая память показала пропускную способность на уровне 512 Гбайт/с, а ведь речь идёт о новом поколении многослойных чипов HBM. Samsung планирует выпуск первых продуктов на основе новой технологии уже в первом квартале 2016 года. Причём компания не ограничивает себя рамками дискретной графики, а намеревается откусить по куску от рынков высокопроизводительных вычислений (HPC) и сетевых устройств.

Пора думать о том, что заменит DDR4

Пора думать о том, что заменит DDR4

Уже запланирован ряд конфигураций HBM на основе 8-гигабитных компонентов, начиная с чипов начального уровня 2-Hi для недорогих графических карт с 2 Гбайт видеопамяти (256 Гбайт/с) и 4-Hi для более производительной дискретной графики (512 Гбайт/с). Две сборки позволят выпускать видеокарты с 8 Гбайт памяти, а четыре обеспечат 16 Гбайт с пропускной способностью 1 Тбайт/с. Для рынка HPC планируются четырёхчиповые сборки 4-Hi (32 Гбайт, 1 Тбайт/с) и шестичиповые сборки 8-Hi (24/48 Гбайт, 1,5 Тбайт/с). HBM для сетевых устройств на базе чипов 8-Hi должны увидеть свет в 2017 году. А в 2018 компания планирует дальнейшее укрепление своих позиций путём внедрения HBM в различные сферы приложений, помимо уже упомянутых.

HBM: внутреннее устройство сборки

HBM: внутреннее устройство сборки

Надо сказать, что изначальный создатель HBM, компания SK Hynix, как считают некоторые источники, обещала отдать приоритет в области поставок и использования HBM2 компании Advanced Micro Devices, но, как мы знаем, данным типом памяти очень активно интересуется и NVIDIA, намеревающаяся внедрить его в будущие решения на базе архитектуры Pascal. Таким образом, новый производитель многослойной памяти на рынке сыграет одному из графических гигантов лишь на руку, поскольку это позволит избежать гипотетического дефицита чипов HBM.

Intel анонсировала микроконтроллер Quark D1000

Ранее мы сообщали, что корпорация Intel планирует представить новые микроконтроллеры семейства Quark до конца текущего квартала. Так и произошло: компания анонсировала первую из новинок — контроллер Quark D1000 (кодовое название Silver Butte). Данный чип может похвастаться частотой 33 МГц и уровнем энергопотребления, не превышающим 0,05 ватта.

Из того, что известно о новинке: чип Quark D1000 включает в себя одно процессорное ядро x86, способное исполнять 32-битный код (поддержки 64-битности нет). Кеша это ядро не имеет, как и каких-либо технологий мультипоточности, родственных Hyper-Threading. Поддерживаются интерфейсы SPI и I2C, кроме того, чип имеет 24 линии GPIO и 2 контроллера UART.

В семействе Quark есть и куда более мощные решения

В семействе Quark есть и куда более мощные решения

Официальный уровень энергопотребления заявлен на уровне 0,025 ватта, но путём снижения тактовой частоты ядра до 1 МГц он может быть снижен до 0,0016 ватта. Процессор Intel Quark D1000 производится в 40-контактном корпусе типа QFN40 размерами 6 × 6 миллиметров и может работать в диапазоне температур от -40 до +85 градусов Цельсия.

window-new
Soft
Hard
Тренды 🔥