Сегодня 28 сентября 2025
18+
MWC 2018 2018 Computex IFA 2018
реклама
Новости Hardware

Intel наметила два пути производства 14-ангстремных чипов — с High-NA и запасной с Low-NA

Во время конференции Foundry Direct 2025 компания Intel представила стратегию использования литографии High-NA EUV в рамках будущего техпроцесса 14A. Хотя компания активно продвигает внедрение этой технологии, окончательное решение о её применении в серийном производстве пока не принято. Вместо этого Intel разработала резервный план, предусматривающий использование стандартной литографии Low-NA EUV для техпроцесса 14A. По словам представителей компании, оба варианта не потребуют модификации дизайнов чипов со стороны заказчиков.

 Источник изображения: Rubaitul Azad / Unsplash

Источник изображения: Rubaitul Azad / Unsplash

При этом второй экземпляр установки High-NA EUV — ASML Twinscan NXE:5000 стоимостью около $400 млн — уже установлен на заводе Intel в штате Орегон, но пока не используется в производственной среде из-за продолжающейся стадии разработки. По этой причине компания воздерживается от преждевременного внедрения, минимизируя технологические риски. Исполнительный вице-президент Intel, технический директор по операциям и руководитель подразделения Foundry Technology and Manufacturing доктор Нага Чандрасекаран (Naga Chandrasekaran) подчеркнул, что производственные параметры High-NA соответствуют ожиданиям, и компания внедрит эту технологию тогда, когда сочтёт это целесообразным.

Доктор Чандрасекаран сообщил, что у Intel уже имеются данные по техпроцессам 14A и 18A, демонстрирующие паритет по выходной годности между решениями на базе Low-NA EUV и High-NA EUV. По его словам, компания продолжает техническое совершенствование обоих направлений и обеспечивает наличие альтернативных маршрутов, чтобы выбранное решение минимизировало риски для клиентов и обеспечивало наилучший результат с точки зрения стратегических задач.

Компания планирует использовать High-NA EUV лишь для ограниченного числа слоёв в рамках техпроцесса 14A, а их точное количество не раскрывается. Для остальных уровней будут применяться другие литографические установки, включая Low-NA EUV. По утверждению Intel, использование тройной экспозиции с Low-NA вместо High-NA обеспечивает сопоставимый результат, при этом оба маршрута совместимы по правилам проектирования. Благодаря этому заказчикам не придётся вносить изменения в свои схемы, независимо от выбранной производственной стратегии.

По данным компании, паритет выходной годности между двумя подходами достигнут благодаря достижениям в современных технологиях многократной экспозиции, особенно в области наложения слоёв. На стадии разработки с использованием High-NA было произведено около 30 000 кремниевых пластин. Для достижения необходимой плотности рисунка с использованием Low-NA требуется три последовательные экспозиции и до 40 стадий обработки, в то время как High-NA обеспечивает нужный шаг за одну экспозицию. Таким образом, маршрут с High-NA становится короче и проще. Это также открывает возможность снизить плотность металлических слоёв, что может дать прирост производительности.

Intel не уточнила, основаны ли её сравнительные оценки на результатах экспонирования кристаллов размером с полный ретикул (фотошаблон, который используется в проекционной литографии для формирования изображения микросхемы на поверхности кремниевой пластины). Установки High-NA EUV в текущей конфигурации способны экспонировать только половину ретикула за один проход, поэтому для формирования процессора размером с весь ретикул требуются два прохода с последующим точным совмещением изображений. В тех случаях, когда площадь кристалла не превышает половину ретикула, High-NA позволяет выполнить экспозицию за один проход без необходимости совмещения. В отличие от этого, установки Low-NA EUV способны экспонировать кристалл размером с полный ретикул за один проход.

Источник:

Если вы заметили ошибку — выделите ее мышью и нажмите CTRL+ENTER.
Материалы по теме

window-new
Soft
Hard
Тренды 🔥
Новая статья: Dying Light: The Beast — свобода или клетка? Рецензия 4 ч.
Asus признала подтормаживания геймерских ноутбуков ROG и пообещала скоро всё исправить 10 ч.
Российская платформа для разработки GitFlic дополнилась интеграцией с системами управления проектами 12 ч.
«Фотографии» в Windows 11 научатся автоматически сортировать изображения и распознавать надписи не только на английском 13 ч.
В смартфонах OnePlus обнаружена дыра в безопасности — любое приложение может читать все SMS без разрешения 14 ч.
«Бро постит ИИ-бурду у себя в приложении»: Meta запустила платформу Vibes для коротких ИИ-видео 14 ч.
YouTube Music превратили в подобие радио с ИИ-ведущими, которые «расширят музыкальные горизонты» 16 ч.
Сайт и бренд закрывшегося известного магазина «Плеер.ру» сдадут в аренду — не дешевле 500 тыс. рублей в месяц 17 ч.
Сделка с TikTok оставляет дыру в нацбезопасности США — роль Oracle раскритиковали 19 ч.
Apple разработала аналог ChatGPT — приложение Veritas для iPhone, но никому его не показывает 22 ч.
Oracle взяла на себя ещё $18 млрд долга для расширения бизнеса и строительства ИИ-инфраструктуры 4 ч.
Учёные нашли у Земли седьмую «ложную Луну» — квазиспутник 2025 PN7 7 ч.
Horizon Fuel Cell представила 3-МВт модуль с водородными топливными элементами для замены дизель-генераторов 11 ч.
Чип с «сосудами»: Microsoft и Corintis вытравили микроканалы для СЖО прямо в кремнии 12 ч.
Учёные запустили самую большую и детальную симуляцию Вселенной — она поможет в поиске тёмных материи и энергии 12 ч.
Майнинговая компания Iren увеличила мощность ИИ-облака, закупив тысячи ускорителей NVIDIA и AMD за $674 млн 12 ч.
Samsung уронила цены на выпуск 2-нм чипов — на треть дешевле TSMC 14 ч.
Трамп собрался привязать пошлины на импортную электронику к числу чипов в ней 20 ч.
Пентагон может называть производителя дронов DJI китайской военной компанией, постановил суд 21 ч.
Google создала и показала в деле ИИ, который заставляет роботов сначала думать, а потом делать 27-09 01:10