Затруднения с дальнейшим уменьшением технологических норм производства чипов заставляют создавать интегрированные решения в виде сборки в одном корпусе нескольких кристаллов, часто совершенно разных. Это привело к росту спроса на интерпозеры и другие подложки, которые уже сами выглядят как чипы — с разводкой микронного масштаба и множеством сквозных контактов, а усложнение — это всегда немалые затраты. LG нашла способ сэкономить.

Выбираем лучший игровой ноутбук до 100 000 рублей: сравнительное тестирование 7 интересных моделей

Умные помощники: обзор ИИ-сервисов для обработки изображений. Часть 2, актуализированная

Обзор Infinix GT 50 Pro: геймерский смартфон со встроенной СЖО

Обзор Ryzen 9 9950X3D2: правильный 16-ядерник с 3D-кешем

Репортаж с IEM Cologne Major 2026: Жаб Жабыч, триумф NiKo и главные сенсации мейджора по CS2

Источник изображения: LG PRI

Так, Исследовательский институт производственных технологий LG — LG Production Engineering Research Institute (LG PRI) — выпустил в продажу собственную установку лазерной прямой экспозиции LDI (Laser Direct Imaging). Это литограф для изготовления печатных плат и подложек, причём без использования фотомасок, что резко удешевляет производство продукции. Первые системы поставлены компании LG Innotek и зарубежному производителю печатных плат. Пока речь идёт о небольших объёмах. Ориентировочная цена одной установки составляет около $2 млн.

В отличие от классического фотолитографического сканера с шаговым смещением экспозиции, оборудование LG не требует физической фотомаски. Встроенный мощный лазерный диод создаёт ультрафиолетовое излучение с длиной волны 405 нм, которое направляется на цифровое микрозеркальное устройство (DMD). Миллионы независимо управляемых микрозеркал формируют динамическое изображение схемы и проецируют его на слой фоторезиста. Система позволяет получать проводники и промежутки между ними размером примерно 1,5–3 мкм, чего достаточно для решения большинства задач в производстве.

Главное преимущество технологии проявляется при изготовлении крупных подложек для передовой корпусировки процессоров и памяти HBM. Из-за изгиба или коробления такой подложки рисунок, проецируемый через физическую фотомаску, может смещаться. Система LG, напротив, использует технологию Real-Time Active Compensation (RTAC): оборудование измеряет деформацию заготовки и в реальном времени корректирует форму и положение экспонируемого рисунка. Это позволяет обрабатывать панели размером до 600 × 600 мм, включая печатные платы, кремниевые пластины и стеклянные подложки.

Подчеркнём, что установка не предназначена для формирования нанометровых транзисторов и не является конкурентом EUV-сканеров компании ASML. Её область применения — формирование контактов и соединений на обратных сторонах кремниевых подложек, контактных площадок и микросоединений на интерпозерах. Например, LG рассчитывает применять оборудование для корпусировки типов FoCoS (Fan-Out Chip-on-Substrate) и CoPoS (Chip-on-Panel-on-Substrate). Отказ от фотомасок должен особенно заметно сократить стоимость и сроки при внесении изменений в проекты или выпуске сравнительно небольших серий специализированных или экспериментальных подложек.

По информации тайваньского издания Money UDN, на которое ссылается портал TechPowerUp, компания TSMC достигла нового рубежа в масштабировании крупномасштабного выпуска микросхем по 2-нм техпроцессу. Теперь тайваньский производитель ежемесячно выпускает 20 000 кремниевых пластин согласно своему передовому техпроцессу N2.

Выбираем лучший игровой ноутбук до 100 000 рублей: сравнительное тестирование 7 интересных моделей

Умные помощники: обзор ИИ-сервисов для обработки изображений. Часть 2, актуализированная

Обзор Ryzen 9 9950X3D2: правильный 16-ядерник с 3D-кешем

Обзор Infinix GT 50 Pro: геймерский смартфон со встроенной СЖО

Репортаж с IEM Cologne Major 2026: Жаб Жабыч, триумф NiKo и главные сенсации мейджора по CS2

Источник изображения: TSMC

Выпуск чипов с использованием техпроцесса N2 планируется на пяти заводах TSMC, однако в настоящий момент только один завод работает в режиме серийного производства N2. Речь идёт о Fab 20, на котором был достигнут показатель в 20 000 кремниевых пластин в месяц. TSMC сообщила о выходе на крупномасштабное производство по техпроцессу N2 в четвёртом квартале 2025 года. На сегодняшний день на техпроцесс 2 нм приходится всего 3 % выручки компании, на 3 нм — 30 %, а на 5 нм – 33 %.

Недавно TSMC заявила, количество выпущенных микросхем по техпроцессу N2 в четыре раза превышает количество микросхем, выпущенных по предыдущему передовому техпроцессу 3 нм (N3). Благодаря технологии GAAFET, техпроцесс N2 от TSMC обеспечивает повышение производительности до 15 % при том же уровне энергопотребления или снижение энергопотребления до 30 % при той же частоте. Техпроцесс привлёк четырёхкратное увеличение числа клиентов, занимающихся разработкой микросхем, включая AMD с серверными процессорами EPYC Venice, Apple с чипами A20 Pro для серии iPhone 18 Pro и многих других. Хотя на техпроцесс N2 сейчас приходится лишь малая часть от общего объёма выпуска пластин и незначительный объём выручки компании, всё больше клиентов TSMC им интересуются.

Intel недавно заявила об аналогичных показателях крупносерийного производства кремниевых пластин по её фирменному техпроцессу Intel 18A (близкий аналог N2 от TSMC). Компания вышла на производство около 30 000 пластин в месяц на двух своих площадках — заводе Fab 52 в Финиксе, штат Аризона, и ещё одном предприятии в Хилсборо, штат Орегон. TSMC производит микросхемы по техпроцессу N2 на литографических сканерах класса EUV с низким значением числовой апертуры (low-NA) от ASML, таких как TWINSCAN NXE:3800E. Недавно ASML заявила о планах поднять цены на оборудование для выпуска чипов, чем сильно разозлила TSMC.

Неназванная государственная компания в Шанхае начала массовое производство установок для литографии в глубоком ультрафиолете (DUV) с иммерсионной технологией — первые поставки запланированы уже на этот год. Среди первых клиентов на такие установки называются китайские SMIC, Hua Hong Semiconductor и производитель памяти ChangXin Memory Technologies. Об этом сообщает The Information со ссылкой на два анонимных источника, близких к вопросу.

Репортаж с IEM Cologne Major 2026: Жаб Жабыч, триумф NiKo и главные сенсации мейджора по CS2

Выбираем лучший игровой ноутбук до 100 000 рублей: сравнительное тестирование 7 интересных моделей

Обзор Ryzen 9 9950X3D2: правильный 16-ядерник с 3D-кешем

Обзор Infinix GT 50 Pro: геймерский смартфон со встроенной СЖО

Умные помощники: обзор ИИ-сервисов для обработки изображений. Часть 2, актуализированная

Источник изображения: SMIC

Сообщается, что в 2026 году планируется поставить пять DUV-установок, а в 2027 году — около 20. Все три обозначенные в качестве первых получателей таких установок компании входят в список китайских фирм, которым, согласно законопроекту, рассматриваемому в Конгрессе США, будет запрещено сотрудничество с нидерландской ASML в вопросе поставок передового оборудования для производства микросхем.

Издание The Information не назвало китайского производителя DUV-установок, но источники сообщили, что эта компания переманивает разработчиков технологий DUV из нескольких китайских компаний, одной из которых является государственный стартап Shanghai Yuliangsheng Technology. SMIC тестирует установку для иммерсионной литографии Yuliangsheng с сентября 2025 года. Большинство компонентов в новых системах — отечественного производства, хотя некоторые критически важные детали по-прежнему поставляются из Японии, а задержки у местных поставщиков сдерживают объёмы производства в этом году.

ASML планирует отгрузить около 130 иммерсионных систем в 2026 году, что соответствует показателям 2025 года, сообщил финансовый директор Роджер Дассен (Roger Dassen) аналитикам во время телефонной конференции по итогам июля. Он добавил, что ASML намерена «увеличить объёмы производства на 30 % в 2027 году» для иммерсионной технологии и изучает возможность увеличения объёмов ещё на 30 % в 2028 году. На Китай приходится около 20 % чистой выручки ASML в этом году, в основном за счёт спроса на логические микросхемы массового сегмента. Этот показатель ниже, чем был в 2025 году (33 % выручки).

Иммерсионная технология DUV позволяет создавать элементы полупроводников по 28-нм техпроцессу за один цикл экспозиции и достигать 7 нм за счёт многократного нанесения рисунка, но с увеличением количества ошибок совмещения слоёв и снижением выхода годных изделий. Генеральный директор ASML Кристоф Фуке (Christophe Fouquet) сообщил в рамках той же отчётной конференции, что растущая интенсивность литографии при производстве DRAM частично отражает решение клиентов отказаться от многократного нанесения рисунка в пользу более дешёвой технологии EUV с однократной экспозицией.

Как сообщает Tom's Hardware, независимый анализ, проведённый проектом AI Futures Project в июне, показал, что коммерческое внедрение иммерсионной DUV-литографии в Китае ожидается в середине 2030-х годов. При этом 98,7 % рынка иммерсионной литографии будут приходиться на ASML. Квалификация новых китайских машин для серийного производства может занять много месяцев, а по производительности и качеству сборки они уступают оборудованию ASML. Китайская разработка в области экстремальной ультрафиолетовой литографии (EUV), о рабочем прототипе которой издание Reuters впервые сообщило в декабре, пока ещё далека от практической реализации.

Как отмечают многие профильные СМИ, на минувшей квартальной отчётной конференции руководство Intel сменило риторику относительно перспектив внедрения передового техпроцесса 14A. Теперь оно не сомневается в целесообразности его освоения, и даже стремится начать выпуск серийной продукции с его помощью в 2028 году против первоначально заложенного в планы 2029 года.

Обзор Ryzen 9 9950X3D2: правильный 16-ядерник с 3D-кешем

Выбираем лучший игровой ноутбук до 100 000 рублей: сравнительное тестирование 7 интересных моделей

Умные помощники: обзор ИИ-сервисов для обработки изображений. Часть 2, актуализированная

Обзор Infinix GT 50 Pro: геймерский смартфон со встроенной СЖО

Репортаж с IEM Cologne Major 2026: Жаб Жабыч, триумф NiKo и главные сенсации мейджора по CS2

Источник изображения: Intel

Напомним, что в прошлом году руководство Intel вполне серьёзно говорило о готовности отказаться от освоения техпроцесса 14A в случае отсутствия достаточного количества внешних заказчиков, которым бы он был нужен. На этой неделе генеральный директор компании Лип-Бу Тан (Lip-Bu Tan) заявил: «Я рад наблюдать растущую заинтересованность клиентов в Intel 14A, и всё больше уверен в том, что Intel 14A будет очень конкурентоспособным техпроцессом». На квартальном отчётном мероприятии представители Intel также пояснили, что опытное производство чипов по технологии 14A будет начато уже во второй половине 2027 года, а массовое начнётся в 2028 году.

Глава Intel также отметил, что освоение 14A идёт с опережением первоначального весьма жёсткого графика с точки зрения как плотности размещения транзисторов, так и их быстродействия. Инструментарий разработчиков PDK 0.5 уже готов, а версия 0.9 будет выпущена к октябрю текущего года. Это означает, что клиенты Intel смогут приступить к проектированию своих продуктов, которые планируется выпускать по технологии 14A, уже осенью этого года. Конкурирующая TSMC выпуск чипов по сопоставимой технологии A14 начнёт в 2028 году, но уже в 2029 году освоит техпроцессы A13 и A12. Южнокорейская Samsung техпроцесс SF1.4 начнёт применять в массовом производстве не ранее 2029 года.

Окажутся ли в числе клиентов Intel на направлении техпроцесса 14A компании Tesla и Apple, представители процессорного гиганта комментировать не стали. Правда, Илон Маск (Elon Musk) ранее уже заявлял, что SpaceX и Tesla на своём строящемся совместном предприятии Terafab намерены использовать именно технологию Intel 14A. Более зрелые техпроцессы компания также осваивает довольно успешно. Во втором квартале уровень выхода годной продукции и её объёмы выпуска в рамках технологии Intel 18A превзошли ожидания руководства компании. Лип-Бу Тан добавил, что объёмы выпуска продукции по технологии Intel 18A во втором квартале прирастали каждый месяц, а ещё было запущено опытное производство чипов по более продвинутой технологии Intel 18A-P.

По некоторым оценкам, себестоимость выпуска процессоров семейства Panther Lake с начала года сократилась на 50 % именно благодаря росту уровня качества продукции, производимой по технологии Intel 18A, а до конца года она сократится ещё на 20 %. Улучшение показателей продолжится и в следующем году. По мнению финансового директора Дэвида Зинснера (David Zinsner), прибыльность процессоров Panther Lake из-за этой тенденции окажется выше средней величины по компании.

Ионно-лучевая литография во многом превосходит классическую фотолитографию, включая возможность выпускать чипы с намного меньшими технологически нормами, но серьёзно уступает ей в одном — в скорости производственных операций. Китайцы, если верить свежим новостям, смогли в сотни раз ускорить обработку кремниевых пластин с помощью ионно-лучевой литографии, особенно продвинувшись в сфере фотонных чипов.

Репортаж с IEM Cologne Major 2026: Жаб Жабыч, триумф NiKo и главные сенсации мейджора по CS2

Обзор Infinix GT 50 Pro: геймерский смартфон со встроенной СЖО

Выбираем лучший игровой ноутбук до 100 000 рублей: сравнительное тестирование 7 интересных моделей

Обзор Ryzen 9 9950X3D2: правильный 16-ядерник с 3D-кешем

Умные помощники: обзор ИИ-сервисов для обработки изображений. Часть 2, актуализированная

Источник изображения: ИИ-генерация ChatGPT/3DNews

Так, китайские физики разработали способ масштабного формирования трёхмерных элементов фотонных чипов, который сокращает основной этап их изготовления с нескольких часов до десятков секунд. Метод создан в Институте физики (Institute of Physics) Китайской академии наук (CAS) совместно с Гонконгским университетом (University of Hong Kong) и другими научными организациями. В своей работе, опубликованной в престижном журнале Advanced Materials, авторы продемонстрировали как одновременную обработку 10-см (4-дюймовой) пластины целиком за один проход, так и преобразование изначально плоских наноструктур по всей её поверхности. При этом была обеспечена однородность изгибов более чем для 97 % изготовленных таким образом наноэлементов — это открывает путь к массовому промышленному производству.

Технология получила название «оригами, индуцированное ионным пучком». Сначала методами электронной литографии на мембранах из нитрида кремния были сформированы плоские заготовки, покрытые слоем золота. Затем пластину целиком облучали широким параллельным пучком ионов аргона. Ионы создавали в приповерхностном слое дефекты и внутренние механические напряжения, из-за которых заранее подготовленные элементы синхронно изгибались и превращались в заданные трёхмерные конструкции. В опытах использовались двухслойные элементы с толщиной каждого слоя около 50 нм, а заметное формирование массивов происходило примерно за 20 секунд.

В обычном варианте ионно-лучевой литографии сфокусированный ионный пучок обрабатывает структуры последовательно, практически точка за точкой: даже участок размером около 100 × 100 мкм может потребовать не менее семи минут, а обработка крупных массивов — несколько часов. Китайские учёные использовали широкий пучок, который параллельно воздействовал на все элементы на пластине, поэтому время преобразования уменьшилось более чем в сто раз и почти не зависело от количества одинаковых элементов на пластине. Следует обратить внимание, что речь идёт об ускорении лишь одного из этапов изготовления фотонного чипа, тогда как полный цикл его производства займёт существенно больше времени, чем десятки секунд, требующиеся для выполнения продемонстрированной операции.

Источник изображения: Advanced Materials 2026

Для проверки технологии учёные изготовили два типа устройств. Во-первых, трёхмерную хиральную метаповерхность для задач круговой поляризации света, которая показала круговой дихроизм 0,8 на длине волны 3,41 мкм, то есть очень хорошо различала левую и правую круговую поляризацию света. Во-вторых, была создана изгибаемая плазмонная решётка: при изменении её кривизны резонанс можно было перестраивать более чем на 150 нм в видимой области спектра. Такие структуры потенциально применимы в поляризационных датчиках, спектральных фильтрах, оптических сетях связи и интегрированных фотонных схемах. В дальнейшем учёные оценят промышленную пригодность метода, изучив уровень брака, долговечность схем и себестоимость техпроцессов.

Зеленоградский нанотехнологический центр (ЗНТЦ) создал установку электронно-лучевой литографии (ЭЛЛ) для изготовления фотошаблонов и формирования рисунка на подложках без использования масок по нормам 150 нм, пишет CNews. Об этом стало известно из документов, согласно которым ЗНТЦ ищет перевозчика для доставки «опытного образца установки электронно-лучевой литографии с проектными нормами 150 нм» в рамках ОКР «Прогресс ЭЛЛ 150».

Репортаж с IEM Cologne Major 2026: Жаб Жабыч, триумф NiKo и главные сенсации мейджора по CS2

Умные помощники: обзор ИИ-сервисов для обработки изображений. Часть 2, актуализированная

Обзор Infinix GT 50 Pro: геймерский смартфон со встроенной СЖО

Выбираем лучший игровой ноутбук до 100 000 рублей: сравнительное тестирование 7 интересных моделей

Обзор Ryzen 9 9950X3D2: правильный 16-ядерник с 3D-кешем

Источник изображения: ЗНТЦ

Образец установки ЭЛЛ планируется перевезти «за 2 тыс. км от Зеленограда», рассказали CNews в ЗНТЦ. Там же сообщили, что сейчас два опытных образца системы ЭЛЛ проходят комплексные испытания, которые продлятся около четырёх месяцев. После этого начнутся испытания на точность формирования изображения и другие технологические параметры. Разработка ведётся в рамках госпрограммы «Научно-технологическое развитие Российской Федерации».

Одним из основных применений электронно-лучевой литографии является изготовление фотошаблонов. Фотошаблон представляет собой стеклянную подложку с непрозрачным рисунком будущей микросхемы и используется в фотолитографическом оборудовании для многократного переноса этого рисунка на кремниевые пластины и соответственно массового производства чипов. Кроме того, электронно-лучевая литография позволяет формировать рисунок непосредственно на подложке без использования фотошаблонов — буквально печатать чипы на пластинах.

В случае производства чипов у ЭЛЛ есть как преимущества, так и недостатки. Одним из преимуществ является гибкость: для научных разработок и прототипирования можно быстро менять рисунок без необходимости создавать дорогостоящий фотошаблон. Однако для серийного производства такая система не подходит, поскольку работает слишком медленно. В разговоре с CNews глава одного из микроэлектронных предприятий отметил, что использование такого оборудования логично при мелкосерийном производстве специализированных чипов (для космической или оборонной промышленности), где изготавливать дорогостоящие маски для каждого заказа экономически невыгодно.

Также эксперт отметил, что развитие российской полупроводниковой отрасли сейчас упирается в ряд проблем, среди которых как наиболее острые он выделил отсутствие национальной инженерной школы, способной освоить производство чипов с технологическими нормами менее 65 нм, а также дефицит фоторезистов для технологий тоньше 90 нм. Не менее критичен недостаток компонентной базы, включая прецизионные лазерные интерферометры и системы контроля температуры, необходимые для минимизации эффекта близости.

Специалист также акцентировал внимание на отсутствии национальной программы перепроектирования оборудования, аналогичной той, которую Китай успешно реализует с 2005–2010 годов. По его убеждению, наличие подобной программы способствовало бы сокращению технологического разрыва, позволило бы наладить производство высоконадёжной электроники для ключевых информационных систем и ускорило бы развитие отечественных разработок.

По словам другого опрошенного эксперта, такой литограф пригоден для создания шаблонов для фотолитографических процессов стандартных (зрелых) технологий. Однако он указал на трудности достижения однородности наносимого рисунка по всей поверхности пластины. Реализация этой задачи требует тщательной метрологии и точного управления электронным лучом. Успешное преодоление этих трудностей зависит от наличия электронно-чувствительных резистов, к качеству которых также предъявляются жёсткие требования.

В 2025 году Зеленоградский нанотехнологический центр представил литограф с разрешением 350 нм. Установка была передана компании «Отраслевые решения» (входит в ГК «Элемент»). Генеральный директор ЗНТЦ Анатолий Ковалёв в сентябре того же года отмечал, что создан серьёзный задел, позволяющий перейти к разработке полностью локализованных установок с технологическими нормами 90 нм. Сейчас же ведутся работы над установкой с нормами 130 нм. Отметим, что 130-нм чипы Intel и AMD выпускались ещё в начале 2000-х — например Pentium 4 и Athlon XP.

TSMC, Intel и Samsung Electronics являются ведущими производителями полупроводниковых компонентов с технологической точки зрения, но пока оборудование с высокой числовой апертурой (High-NA) в рамках производства чипов рискнула внедрить только американская Intel. Руководство TSMC ранее уже высказало своё мнение по этому поводу, а Samsung вынуждена медлить с его внедрением по экономическим соображениям.

Репортаж с IEM Cologne Major 2026: Жаб Жабыч, триумф NiKo и главные сенсации мейджора по CS2

Обзор Ryzen 9 9950X3D2: правильный 16-ядерник с 3D-кешем

Выбираем лучший игровой ноутбук до 100 000 рублей: сравнительное тестирование 7 интересных моделей

Умные помощники: обзор ИИ-сервисов для обработки изображений. Часть 2, актуализированная

Обзор Infinix GT 50 Pro: геймерский смартфон со встроенной СЖО

Источник изображения: ASML

Как поясняет издание Chosun Ilbo, на своём предприятии в Хвасоне ещё в прошлом году установила один передовой литографический сканер ASML с высоким значением числовой апертуры (High-NA) для экспериментальных целей, а в прошлом полугодии к нему добавился ещё один. В общей сложности, как предполагается, на их закупку было потрачено более $670 млн. Для компании, чьё контрактное подразделение по производству чипов остаётся убыточным с 2022 года, инициатива по внедрению подобного оборудования в серийном производстве может обернуться дополнительными убытками.

По словам южнокорейских источников, контрактный бизнес Samsung в его нынешнем состоянии мог бы выйти на прибыльность к четвёртому кварталу текущего года, но инвестиции во внедрение High-NA EUV ему точно помешают это сделать. Пока руководство компании предпочитает добиться окупаемости, и только потом принимать решение о сроках запуска серийного производства чипов с использованием данного дорогостоящего оборудования.

Попутно отмечается, что уровень выхода годной продукции при выпуске 2-нм чипов на конвейере Samsung сейчас достигает 55 %, что уже очень близко к принятому в отрасли рубежу в 60 %, который считается приемлемым для серийного производства компонентов. Технически, Samsung могла бы начать использование High-NA EUV уже сейчас, чтобы сократить количество технологических проходов при изготовлении чипов, но это повлекло бы дополнительные расходы, а потому не представляется целесообразным. Контрактное подразделение Samsung сперва хочет не только встать на ноги с точки зрения окупаемости, но и привлечь больше крупных клиентов.

Напомним, конкурирующая Intel уже начала использовать оборудование класса High-NA EUV при изготовлении некоторой части мобильных процессоров Panther Lake с использованием технологии Intel 18A, тогда как TSMC не собирается внедрять его как минимум до 2029 года включительно. Считается, что данное оборудование сможет оправдать себя в рамках техпроцессов тоньше 2 нм, но руководство TSMC с учётом масштабов бизнеса компании намерено максимально долго обходиться без такого оборудования. Техпроцессы A12 и A13 этой компании не потребуют перехода на подобные литографические сканеры, хотя фактически они уже приобретаются TSMC для экспериментальных целей.

Долгое время компания Intel преподносила в качестве важного преимущества переход к подводу питания с обратной стороны кремниевой пластины, но данное изменение может оказаться не столь необратимым. По данным южнокорейских СМИ, в рамках техпроцесса Intel 14A2 компания может предусмотреть подвод питания с обеих сторон кремниевой пластины.

Обзор Ryzen 9 9950X3D2: правильный 16-ядерник с 3D-кешем

Выбираем лучший игровой ноутбук до 100 000 рублей: сравнительное тестирование 7 интересных моделей

Репортаж с IEM Cologne Major 2026: Жаб Жабыч, триумф NiKo и главные сенсации мейджора по CS2

Обзор Infinix GT 50 Pro: геймерский смартфон со встроенной СЖО

Умные помощники: обзор ИИ-сервисов для обработки изображений. Часть 2, актуализированная

Источник изображения: Intel

Как поясняет источник, проблема кроется в масштабировании транзисторных структур в сторону уменьшения. Если в рамках базового техпроцесса 14A для нижнего металлического слоя M0 компания собирается добиться шага между соседними элементами транзисторных структур в 28 нм, то для его дальнейшего сокращения до 21 нм придётся предусмотреть модифицированную версию технологии — 14A2. Её ключевым новшеством станет сочетание подвода питания с обеих сторон пластины, хотя доминирующей стороной останется именно обратная.

Сопротивление на уровне межсоединений при уменьшении шага геометрии до величины менее 21 нм возрастает экспоненциально, как поясняет источник. Инфраструктура межслойных соединений (nTSV), рассчитанная на подвод питания с оборотной стороны кремниевой пластины, не сможет обеспечить необходимых условий для повышения плотности размещения транзисторов. В результате возникнут просадки напряжения, поэтому масштабирование геометрии при сохранении подвода питания только с оборотной стороны пластины становится затруднительным. Intel попытается перераспределить силовую нагрузку в пользу лицевой стороны кремниевой пластины, предусмотрев подвод питания к ней для вспомогательных элементов чипа. Такая гибридная компоновка цепей питания позволит Intel обеспечить более выраженный запас по увеличению мощности и повышению плотности размещения чипов в условиях более агрессивного внедрения новых техпроцессов.

Базовый техпроцесс Intel 14A на уровне опытных образцов будет освоен до конца 2028 года, в массовом производстве он будет внедрён не ранее 2029 года. По всей видимости, версия техпроцесса 14A2 появится ещё позднее. В первом случае компания рассчитывает увеличить плотность размещения транзисторов в 1,3 раза относительно техпроцесса Intel 18A.

В предыдущий раз намерения Samsung освоить выпуск 1,4-нм чипов к 2029 году упоминались в конце января текущего года, но южнокорейские СМИ утверждают, что с тех пор целесообразность реализации данного плана подвергалась сомнению в компании. К настоящему моменту доводы в пользу освоения 1,4-нм техпроцесса к указанному сроку перевесили, и компания начинает активно двигаться в этом направлении.

Умные помощники: обзор ИИ-сервисов для обработки изображений. Часть 2, актуализированная

Репортаж с IEM Cologne Major 2026: Жаб Жабыч, триумф NiKo и главные сенсации мейджора по CS2

Обзор Ryzen 9 9950X3D2: правильный 16-ядерник с 3D-кешем

Выбираем лучший игровой ноутбук до 100 000 рублей: сравнительное тестирование 7 интересных моделей

Обзор Infinix GT 50 Pro: геймерский смартфон со встроенной СЖО

Источник изображения: Samsung Electronics

Samsung Electronics недавно согласовала свои планы по освоению 1,4-нм технологии с поставщиками специализированного оборудования, включая американские Applied Materials и Lam Research. Что характерно, в рамках своего 1,4-нм техпроцесса Samsung собирается использовать для обработки некоторых слоёв полупроводникового чипа оборудование класса High-NA EUV, обладающее высокой числовой апертурой. Оборудование ASML, которое позволяет это сделать, уже установлено на одном из предприятий Samsung Electronics, но его использование пока носит экспериментальный характер.

Напомним, Intel тоже является сторонником активного внедрения High-NA EUV в рамках технологических норм меньше 2 нм, а вот крупнейший контрактный производитель чипов в мире в лице TSMC считает его слишком дорогим, хотя и не исключает использования в какой-то отдалённой перспективе. Первоначально, по данным корейских СМИ, Samsung ориентировалась на 2027 год в качестве срока освоения 1,4-нм техпроцесса, но позже сместила его на два года для более активного расширения гаммы 2-нм техпроцессов. Следующий флагманский мобильный процессор Exynos 2800 компания также планирует выпускать по улучшенной версии 2-нм техпроцесса, а не перспективному 1,4-нм. По 2-нм технологии, как ожидается, Samsung будет выпускать не только собственные мобильные процессоры Exynos 2700, но и ИИ-чипы Tesla AI6.

Конкурирующая TSMC планирует начать массовое производство 1,4-нм чипов во второй половине 2028 года, а опытные образцы продукции предоставит клиентам уже в третьем квартале 2027 года. На данном этапе TSMC не будет применять дорогое оборудование High-NA EUV, в отличие от Samsung, а предпочтёт дождаться для этого как минимум 2029 года. Корпорация Intel свои чипы по технологии 14A в массовых количествах начнёт выпускать не ранее 2029 года, опытные экземпляры появятся годом ранее. Как и Samsung, она рассчитывает использовать High-NA EUV в рамках техпроцесса 14A. Илон Маск (Elon Musk) отмечал недавно, что рассчитывает использовать технологию Intel 14A для выпуска передовых ИИ-чипов SpaceX и Tesla на их строящемся совместном предприятии Terafab. Как ожидается, Apple тоже может стать клиентом Intel по использованию технологии 14A для контрактного выпуска чипов.

Нидерландская компания ASML поставляет свои литографические сканеры большинству производителей чипов, но с 2019 года она блокирует поставки передовых EUV-систем в Китай. Технически, ни один такой сканер не должен был попасть в руки китайских специалистов, но у властей США вдруг появились основания утверждать, что это не так.

Обзор Ryzen 9 9950X3D2: правильный 16-ядерник с 3D-кешем

Выбираем лучший игровой ноутбук до 100 000 рублей: сравнительное тестирование 7 интересных моделей

Обзор Infinix GT 50 Pro: геймерский смартфон со встроенной СЖО

Репортаж с IEM Cologne Major 2026: Жаб Жабыч, триумф NiKo и главные сенсации мейджора по CS2

Умные помощники: обзор ИИ-сервисов для обработки изображений. Часть 2, актуализированная

Источник изображений: ASML

Как отмечает Bloomberg, руководство Министерства торговли США в общении с представителями ASML настаивает, что один экземпляр EUV-сканера этой марки попал в Китай в обход американских экспортных ограничений. ASML хоть и является европейской компанией, вынуждена подчиняться правилам экспортного контроля США, поскольку её оборудование использует технологии и компоненты американского происхождения.

ASML в своё оправдание, помимо отрицания факта поставки EUV-систем в Китай, указывает на ограниченность объёмов выпуска такого оборудования и необходимость постоянно находиться в контакте с её штатными специалистами в процессе эксплуатации. Поставка такого оборудования в Китай не могла пройти незамеченной, а его использование без официального одобрения ASML было бы затруднительным. Какими доказательствами наличия EUV-сканера западного производства в Китае располагает американское правительство, не уточняется.

Источники Bloomberg на условиях анонимности согласились заявить, что американские чиновники имеют основания подозревать ASML в сокрытии информации о поставке EUV-сканера в Китай. Видел ли кто-либо доказательства подобной поставки, источники уточнять отказались. Потенциальные претензии властей США к ASML грозят обострением политических противоречий между президентом Дональдом Трампом (Donald Trump) и Евросоюзом. В свою очередь, в официальных заявлениях ASML продолжает настаивать на своём неукоснительном соблюдении всех требований американского законодательства в части экспортного контроля. Компании уже удалось опровергнуть необоснованные подозрения в поставках санкционного оборудования в Китай в нескольких предыдущих случаях.

Представители нидерландского МИД заверили Bloomberg, что страна остаётся уникальным игроком на мировом рынке полупроводниковой продукции, а потому относится к своей миссии со всей ответственностью в части международных обязательств. Власти Нидерландов со всей строгостью относятся к соблюдению этих правил и вмешиваются во внешнеторговую деятельность в случае необходимости. Министр торговли США Говард Лютник (Howard Lutnick) и генеральный директор ASML Кристоф Фуке (Christophe Fouquet) встречались недавно для переговоров, но затрагивали ли они ситуацию с вероятной поставкой EUV-сканера в Китай, официально не уточняется.

Вопрос всплыл ещё в апреле после аналогичной встречи, как поясняет Bloomberg. Компании ASML пришлось в экстренном порядке готовить документ, призванный убедить американские власти в отсутствии EUV-сканеров её производства на территории Китая. В нём упоминалось, что сейчас по всему миру эксплуатируются 314 систем класса EUV, а ещё 26 выведены из работы, но ни одна из них не находится в Китае. Клиенты, по словам производителя, не могут перемещать её оборудование без участия и согласия специалистов ASML. Кроме того, в случае несанкционированного отключения оборудования от служебной сети компания получит тревожное уведомление.

По данным Bloomberg, американские власти располагают данными о поставках ASML в Китай специализированного оборудования, используемого для транспортировки EUV-сканеров, а также сопутствующих компонентов, которые могут использоваться в составе таких сканеров. Раскрыть доказательства публично власти США пока не готовы. ASML все подобные подозрения отвергает.

При этом американские чиновники считают очевидное ускорение поставок в Китай другого оборудования ASML, которое не попадает под ограничения, одним из доказательств заинтересованности компании в получении дополнительной прибыли в ущерб интересам национальной безопасности США. История последних нескольких лет показала, что Нидерланды и Япония нередко отставали от США в ограничении поставок литографического оборудования в Китай, и местный рынок для соответствующих производителей за пределами США стал весьма крупным источником выручки. Заподозрив китайскую компанию SwaySure в содействии находящейся под санкциями США компании Huawei, американские власти добавили первую в санкционный список в 2024 году. Предполагается, что ASML после этого продолжила предоставлять техническую поддержку SwaySure.

Американский президент Трамп в начале своего второго срока был полон решимости полностью отсечь поставки оборудования ASML в Китай, но позже переговоры с Японией и Нидерландами свелись к попыткам ограничить техническое обслуживание находящегося в Китае оборудования, поставленного из этих стран. Американские законодатели потом выступили с инициативой по дальнейшему сокращению ассортимента литографического оборудования, которое ASML может поставлять в Китай. Эта компания в текущем году всё ещё рассчитывает до 20 % всей выручки получать на китайском рынке, хотя в прошлом эта доля была значительно выше.

При освоении новой литографической технологии годные полупроводниковые кристаллы начинают сходить с конвейера в нужной пропорции не сразу. На первых этапах уровень брака довольно высок, и значительную часть чипов просто приходится выбрасывать. При освоении перспективной технологии 14A компании Intel удалось поднять выход годной продукции до 50 % ещё до начала опытного производства.

Обзор Infinix GT 50 Pro: геймерский смартфон со встроенной СЖО

Умные помощники: обзор ИИ-сервисов для обработки изображений. Часть 2, актуализированная

Выбираем лучший игровой ноутбук до 100 000 рублей: сравнительное тестирование 7 интересных моделей

Репортаж с IEM Cologne Major 2026: Жаб Жабыч, триумф NiKo и главные сенсации мейджора по CS2

Обзор Ryzen 9 9950X3D2: правильный 16-ядерник с 3D-кешем

Источник изображения: Intel

Об этом сообщает TechPowerUp со ссылкой на комментарии аналитиков Morgan Stanley. Напомним, техпроцесс 14A в производственных планах Intel придёт на смену семейству 18A ориентировочно в 2028 году, если говорить об опытном производстве, и не ранее 2029 года, если рассматривать массовый выпуск чипов с его использованием. Если Intel уже сейчас достигла уровня выхода годных чипов в 50 %, то это неплохой показатель для ранней стадии освоения новой технологии. К первому кварталу следующего года уровень брака вообще может опуститься до 10 или 20 %, как рассчитывают эксперты Morgan Stanley. К тому времени компания уже сможет изготавливать первые прототипы реальных чипов с помощью технологии 14A.

Если бы компании пришлось изготавливать кристаллы с вычислительными ядрами для процессоров Panther Lake по новому техпроцессу 14A вместо нынешнего 18A, то при неизменных размерах кристалла около 114 мм² и возросшей плотности размещения транзисторов уровень выхода годной продукции составил бы около 56,45 %. Тестовые чипы, которые Intel будет изготавливать по технологии 14A, будут заметно крупнее, и для них уровень выхода годной продукции составит 40 %. Если вероятность проявления дефектов снизится до 10–20 % для кристалла площадью около 100 мм², то до 80–90 % кристаллов на пластине будут годными для дальнейшего использования по назначению. Впрочем, часть годных кристаллов всё равно не будет достигать необходимых технических характеристик, поэтому на практике уровень брака будет несколько выше.

Сейчас программный инструментарий для разработчиков чипов, которые будут выпускаться по технологии Intel 14A, существует в версии 0.5. Она должна вырасти до 0.9 к осени текущего года, и только тогда эти средства получат клиенты Intel, желающие получать от неё чипы, изготовленные по технологии 14A. В рамках этого техпроцесса Intel будет внедрять использование оборудования ASML, обладающего высоким значением числовой апертуры (High-NA EUV). Она уже располагает наиболее совершенной системой семейства Twinscan EXE:5200B, которая обладает довольно высокой по меркам класса производительностью.

На симпозиуме VLSI в Гонолулу компания Intel призналась, что приступила к опытному производству чипов с использованием новой технологии 18A-P, которая является разновидностью уже знакомой многим 18A. Эксперты считают, что именно техпроцесс 18A-P позволит компании привлечь внешних заказчиков к производству чипов с его использованием.

Обзор Ryzen 9 9950X3D2: правильный 16-ядерник с 3D-кешем

Выбираем лучший игровой ноутбук до 100 000 рублей: сравнительное тестирование 7 интересных моделей

Репортаж с IEM Cologne Major 2026: Жаб Жабыч, триумф NiKo и главные сенсации мейджора по CS2

Умные помощники: обзор ИИ-сервисов для обработки изображений. Часть 2, актуализированная

Обзор Infinix GT 50 Pro: геймерский смартфон со встроенной СЖО

Источник изображения: Intel

По данным Intel, техпроцесс 18A-P способен поднять быстродействие на 9 % или снизить потребление энергии на 18 % по сравнению с 18A. Тепловые характеристики кристаллов, изготавливаемых по технологии 18A-P, улучшены как минимум на 20 %. Глава компании Лип-Бу Тан (Lip-Bu Tan) в мае заявил CNBC, что Intel ожидает во втором полугодии появления нескольких заказчиков у своего контрактного подразделения. Не исключено, что среди них появится и Apple, техпроцесс 18A-P может иметь решающее значение для её привлечения. Кроме того, с учётом ограниченных возможностей TSMC по расширению объёмов услуг, связанных с упаковкой чипов, Intel может быстро привлечь клиентов на данное направление.

На уровне инструментария для разработки 18A-P обеспечивает полную совместимость с 18A, упрощая переход с одного техпроцесса на другой. Как скоро Intel сможет довести уровень выхода годных чипов до приемлемого уровня, станет понятно позже, поскольку в вопросе привлечения сторонних заказчиков к новому техпроцессу этот фактор тоже имеет серьёзное значение.

В этом месяце нидерландская ASML стала самой дорогой европейской компанией, и этот статус даёт ей шанс формировать мнение, к которому могут прислушаться даже власти Европы. Последние руководство ASML призвало не усердствовать с импортозамещением и поменьше вмешиваться в цепочки поставок в полупроводниковой отрасли. Европейская промышленность в этой сфере не так развита, чтобы позволить себе суверенитет.

Обзор Infinix GT 50 Pro: геймерский смартфон со встроенной СЖО

Выбираем лучший игровой ноутбук до 100 000 рублей: сравнительное тестирование 7 интересных моделей

Обзор Ryzen 9 9950X3D2: правильный 16-ядерник с 3D-кешем

Репортаж с IEM Cologne Major 2026: Жаб Жабыч, триумф NiKo и главные сенсации мейджора по CS2

Умные помощники: обзор ИИ-сервисов для обработки изображений. Часть 2, актуализированная

Источник изображения: ASML

Своими комментариями на близкие темы поделился в интервью Financial Times генеральный директор ASML Кристоф Фуке (Christophe Fouquet), занимающий эту должность с позапрошлого года. По его словам, вмешиваться в цепочки поставок можно, только располагая собственными, а у Европы пока с этим есть определённые проблемы. ASML только 1 % выручки получает от реализации продукции европейским клиентам, тогда как примерно 80 % её выручки поступает из Азии. Именно там сосредоточены основные мощности по производству чипов, которым требуется литографическое оборудование ASML.

Власти ЕС недавно выступили с инициативой по усилению регулирования в сфере поставок чипов, наделив себя полномочиями по вмешательству в логистику чипов в условиях экстраординарного характера. Кроме того, власти региона желают укрепить местную полупроводниковую промышленность. Чтобы покупать что-то европейское, нужно им располагать, как пояснил Кристоф Фуке. Для развития местного производства долю регионального выпуска чипов нужно довести хотя бы до 18 % мирового, по его словам — до уровня соотношения ВВП. Кроме того, важно не создавать условий ведения бизнеса, которые вынуждали бы перспективные компании переезжать за пределы Европы.

Сама ASML готова расширять производство оборудования в Европе, она только в этом году увеличит объёмы выпуска передовых EUV-систем в полтора раза. При этом строительство новой фабрики в ЕС требует не менее четырёх лет из-за бюрократии и прочих препон. Попутно нужно готовить квалифицированных работников и наращивать поставки компонентов через партнёров, на это тоже уходит время.

Уже владеющая акциями стартапа Mistral и немецкого производителя оптических систем Zeiss, компания ASML готова и дальше выступать в роли инвестора, покупая активы не только своих поставщиков, но и сторонних компаний. Впрочем, для повышения активности в этой сфере ASML сначала должна укрепить своё финансовое положение, по словам генерального директора.

Корпорация Intel при закупке у ASML передовых литографических сканеров поколения High-NA EUV весьма широко освещала данный процесс в прессе, но тайваньская TSMC продолжает скептически относиться к перспективам использования такого оборудования при массовом производстве чипов. При этом компания экспериментирует с данными сканерами.

Умные помощники: обзор ИИ-сервисов для обработки изображений. Часть 2, актуализированная

Репортаж с IEM Cologne Major 2026: Жаб Жабыч, триумф NiKo и главные сенсации мейджора по CS2

Выбираем лучший игровой ноутбук до 100 000 рублей: сравнительное тестирование 7 интересных моделей

Обзор Infinix GT 50 Pro: геймерский смартфон со встроенной СЖО

Обзор Ryzen 9 9950X3D2: правильный 16-ядерник с 3D-кешем

Источник изображения: ASML

Соответствующие комментарии на ежегодном собрании акционеров сделал председатель совета директоров TSMC Си-Си Вэй (C.C. Wei). В условиях, когда даже производители памяти типа Samsung и SK hynix начали заказывать у ASML сканеры с высоким значением цифровой апертуры (High-NA), видимое равнодушие TSMC к такому оборудованию начало беспокоить акционеров. Глава тайваньской компании признался, что TSMC располагает несколькими литографическими системами класса High-NA EUV, но они пока используются исключительно в исследовательских целях, и у неё нет планов по их внедрению в массовом производстве в обозримом будущем. «Как только расходы снизятся, и мы сможем в полной мере использовать их преимущества, мы внедрим их в производстве», — пояснил позицию TSMC глава компании. Напомним, сейчас одна система ASML такого класса стоит почти $400 млн.

При этом осваивать передовые техпроцессы вплоть до 2029 года TSMC готова без использования High-NA EUV, если опираться на опубликованные ранее данные о её планах. К тому времени компания собирается освоить технологии A13 и A12, вплотную приближающие литографические нормы к 1 нм, и для массового производства чипов с их использованием оборудование High-NA EUV компании не потребуется. Скорее всего, Intel такое оборудование начнёт применять уже в рамках техпроцесса 14A, если он будет освоен в 2027 году. Эксперименты в этой сфере Intel осуществляла и в рамках технологии 18A, но строго в пределах лабораторий, а не массового производства. Конкуренции со стороны Intel и Samsung компания TSMC по-прежнему не боится, по словам Си-Си Вэя.

Любопытно, что на ежегодном собрании акционеров TSMC её глава коснулся и демографической ситуации на Тайване. Он выразил обеспокоенность тем, что при нынешних показателях рождаемости на острове в будущем TSMC будет испытывать нехватку инженеров и технических специалистов. В коллективе самой компании показатели рождаемости в пять раз выше среднего уровня по Тайваню, но дефицит кадров всё равно будет усиливаться с течением времени, по его мнению. Когда капитальные затраты, которые в этом году приблизятся к $56 млрд, выйдут на плато в графике роста, Си-Си Вэй предсказать не берётся — признаков замедления роста спроса на чипы он пока не видит.

В ближайшее время количество выпускаемых по передовой технологии 18A изделий Intel должно увеличиться до трёх разновидностей, поэтому компания имеет некоторое право говорить о допущенных в процессе её освоения ошибках. Финансовый директор Intel признаётся, что в данном случае компания переоценила свои силы и пыталась преуспеть буквально во всём сразу.

Умные помощники: обзор ИИ-сервисов для обработки изображений. Часть 2, актуализированная

Выбираем лучший игровой ноутбук до 100 000 рублей: сравнительное тестирование 7 интересных моделей

Обзор Ryzen 9 9950X3D2: правильный 16-ядерник с 3D-кешем

Репортаж с IEM Cologne Major 2026: Жаб Жабыч, триумф NiKo и главные сенсации мейджора по CS2

Обзор Infinix GT 50 Pro: геймерский смартфон со встроенной СЖО

Источник изображения: Intel

На технологической конференции Bank of America финансовый директор Intel Дэвид Зинснер (David Zinsner) заявил: «Я бы сказал следующим образом — в начале прошлого года я думал, что в освоении 18A имеются две основные проблемы. Во-первых, мы попытались сделать слишком много за раз, и из-за этого всё затянулось. Во-вторых, мы взялись за улучшение сразу двух характеристик одновременно: быстродействия и уровня выхода годной продукции. Это было равнозначно попыткам управлять самолётом в воздухе и одновременно чинить крыло, по сути».

После ухода Патрика Гелсингера (Patrick Gelsinger) с поста генерального директора Intel, как пояснил Зинснер, ему и его коллеге Мишель Джонстон-Холтхаус (Michelle Johnston Holthaus) пришлось последовательно решать проблемы с освоением 18A. Прежде всего, удалось стабилизировать быстродействие получаемых изделий. И только потом началась работа по ежемесячному повышению уровня выхода годных изделий. Во-вторых, как признался Зинснер, после прихода на пост генерального директора Intel Лип-Бу Тана (Lip-Bu Tan) решено было открыть доступ к данным по разработке технологий клиентам и партнёрам компании. Они очень серьёзно помогли в решении возникших проблем, как признаёт Зинснер. При этом компании пришлось переступить через себя и доверить чувствительную информацию сторонним разработчикам, но только после этого прогресс в повышении уровня выхода годной продукции стал наблюдаться на ежемесячной основе.

К концу 2027 года Intel теперь рассчитывает добиться такого уровня брака при выпуске чипов, который позволил бы достичь целевых показателей по прибыльности. В случае с более новой технологией 14A у Intel имеется более агрессивный план по сравнению с 18A, как признался финансовый директор компании. По сути, на сопоставимом этапе освоения 14A обеспечивает более высокое быстродействие и уровень качества по сравнению с 18A. Освоение 14A пойдёт проще ещё и по той причине, что структура транзисторов с окружающим затвором (GAA) и подвод питания с обратной стороны кремниевой пластины были внедрены и отработаны в рамках техпроцесса 18A.

Оценить динамику роста рынка центральных процессоров в свете смещения фокуса на инференс Зинснер не берётся, но иронично отмечает, что сейчас будет продаваться всё, что несёт обозначение CPU. Проблема заключается в недостаточных для удовлетворения спроса объёмах производства процессоров. Как и производители памяти, Intel готова заключать с клиентами больше долгосрочных контрактов. Это позволит снизить риски при расширении мощностей и планировании объёмов продаж.