Во время конференции Foundry Direct 2025 компания Intel представила стратегию использования литографии High-NA EUV в рамках будущего техпроцесса 14A. Хотя компания активно продвигает внедрение этой технологии, окончательное решение о её применении в серийном производстве пока не принято. Вместо этого Intel разработала резервный план, предусматривающий использование стандартной литографии Low-NA EUV для техпроцесса 14A. По словам представителей компании, оба варианта не потребуют модификации дизайнов чипов со стороны заказчиков.

Источник изображения: Rubaitul Azad / Unsplash

При этом второй экземпляр установки High-NA EUV — ASML Twinscan NXE:5000 стоимостью около $400 млн — уже установлен на заводе Intel в штате Орегон, но пока не используется в производственной среде из-за продолжающейся стадии разработки. По этой причине компания воздерживается от преждевременного внедрения, минимизируя технологические риски. Исполнительный вице-президент Intel, технический директор по операциям и руководитель подразделения Foundry Technology and Manufacturing доктор Нага Чандрасекаран (Naga Chandrasekaran) подчеркнул, что производственные параметры High-NA соответствуют ожиданиям, и компания внедрит эту технологию тогда, когда сочтёт это целесообразным.

Доктор Чандрасекаран сообщил, что у Intel уже имеются данные по техпроцессам 14A и 18A, демонстрирующие паритет по выходной годности между решениями на базе Low-NA EUV и High-NA EUV. По его словам, компания продолжает техническое совершенствование обоих направлений и обеспечивает наличие альтернативных маршрутов, чтобы выбранное решение минимизировало риски для клиентов и обеспечивало наилучший результат с точки зрения стратегических задач.

Компания планирует использовать High-NA EUV лишь для ограниченного числа слоёв в рамках техпроцесса 14A, а их точное количество не раскрывается. Для остальных уровней будут применяться другие литографические установки, включая Low-NA EUV. По утверждению Intel, использование тройной экспозиции с Low-NA вместо High-NA обеспечивает сопоставимый результат, при этом оба маршрута совместимы по правилам проектирования. Благодаря этому заказчикам не придётся вносить изменения в свои схемы, независимо от выбранной производственной стратегии.

По данным компании, паритет выходной годности между двумя подходами достигнут благодаря достижениям в современных технологиях многократной экспозиции, особенно в области наложения слоёв. На стадии разработки с использованием High-NA было произведено около 30 000 кремниевых пластин. Для достижения необходимой плотности рисунка с использованием Low-NA требуется три последовательные экспозиции и до 40 стадий обработки, в то время как High-NA обеспечивает нужный шаг за одну экспозицию. Таким образом, маршрут с High-NA становится короче и проще. Это также открывает возможность снизить плотность металлических слоёв, что может дать прирост производительности.

Intel не уточнила, основаны ли её сравнительные оценки на результатах экспонирования кристаллов размером с полный ретикул (фотошаблон, который используется в проекционной литографии для формирования изображения микросхемы на поверхности кремниевой пластины). Установки High-NA EUV в текущей конфигурации способны экспонировать только половину ретикула за один проход, поэтому для формирования процессора размером с весь ретикул требуются два прохода с последующим точным совмещением изображений. В тех случаях, когда площадь кристалла не превышает половину ретикула, High-NA позволяет выполнить экспозицию за один проход без необходимости совмещения. В отличие от этого, установки Low-NA EUV способны экспонировать кристалл размером с полный ретикул за один проход.

EUV-литографы компании ASML в качестве основы для источника света используют газовые лазеры CO₂. Они достаточно мощные, но при этом громоздкие и малоэффективные по сравнению с твердотельными лазерами. Твердотельные лазеры, в свою очередь, не отличаются высокой мощностью и непригодны для установки в литографы, хотя имеют колоссальные перспективы в этой области. У Китая также появились свои разработки в этой сфере, и они не хуже, чем у других.

Источник изображения: ИИ-генерация Grok 3/3DNews

Недавно команда из Шанхайского института оптики и точной механики (Shanghai Institute of Optics and Fine Mechanics) Китайской академии наук под руководством Линя Наня (Lin Nan), ранее возглавлявшего отдел технологии источников света в ASML в Нидерландах, опубликовала в китайском научном журнале Lasers работу, посвящённую разработке в Китае твердотельного лазера для источника света EUV-литографа. Тем самым Китай приближается к созданию собственных EUV-литографов для производства самых передовых полупроводников, поскольку США запрещают продавать такое оборудование китайским компаниям.

Конверсионная эффективность газовых лазеров CO₂ составляет около 5 % (в свет превращается лишь 5 % затраченной на его производство электрической энергии). Твердотельные лазеры обещают превзойти этот показатель, а если говорить о габаритах, то сравнение и вовсе не в пользу газовых лазеров: одно дело — работа с газом, другое — компактный «светодиод». Сегодня полупроводниковые твердотельные лазеры широко применяются для сварки и других операций с металлом.

Пока что мощность распространённых твердотельных лазеров сравнительно невелика для целей литографического производства — около 1 Вт, реже до 10 Вт. Газовый лазер способен развивать мощность до 250 Вт. Тем не менее твердотельные лазеры уже сегодня можно использовать в рамках EUV-литографии — например, для проверки EUV-масок на наличие дефектов или для оценки воздействия EUV-излучения на материалы.

В своих экспериментах китайская группа добилась конверсионной эффективности твердотельного лазера с длиной волны 1 мкм на уровне 3,42 %. Это выше, чем у группы учёных Нидерландского центра передовых исследований в области нанолитографии, добившейся в 2019 году 3,2 %, и чем у исследователей из Швейцарского федерального технологического института в Цюрихе (ETH Zurich), достигших 1,8 % в 2021 году.

Впереди остались только американские и японские исследователи: группа из Университета Центральной Флориды (University of Central Florida) в 2007 году показала лазерную установку с эффективностью 4,9 %, а учёные из японского Университета Уцуномия (Utsunomiya University) — с результатом 4,7 %.

Для сравнения, эффективность преобразования коммерчески доступных источников света для EUV-фотолитографии на основе CO₂-лазера составляет около 5,5 %.

В поисках возможностей для производства электронных схем на живых организмах учёные из Датского технического университета (Technical University of Denmark) испытали электронно-лучевую литографию на живых тихоходках — мельчайших организмах со средним размером около 500 мкм. Эта технология создаёт основу для нанесения меток даже на бактерии и открывает путь к созданию датчиков и электронных схем на живой ткани — то есть к настоящему чипированию.

Источник изображения: Nano Letters 2025

«С помощью этой технологии мы не просто создаём микротатуировки на тихоходках, — объясняет инженер-оптик Дин Чжао (Ding Zhao) из Датского технического университета, — мы распространяем эту возможность на различные живые организмы, включая бактерии».

Возможность наносить узоры на крошечные объекты и поверхности является важной частью развития нанотехнологий. Полупроводниковая литография в полной мере отражает стремительный рост опыта и достижений в этой области, но работа с живыми тканями едва ли достигла сколь-либо значимого результата. Пожалуй, опыт с нанесением «электронных» татуировок тихоходкам стал первым заметным шагом на этом пути.

Для маркировки живых тихоходок учёные воспользовались разновидностью электронно-лучевой литографии, известной как ледяная литография. В ней в качестве резиста — защитного покрытия поверхности перед нанесением рисунка схемы — используется вода или органические растворы. Это создаёт буквально плёнку льда на поверхности, которую электронный луч затем пробивает в заданных местах. Так формируется узор, на который впоследствии осаждается рабочий материал.

Для такого эксперимента могли подойти только тихоходки. Эти организмы способны выживать в экстремальных условиях — без воды, воздуха и при крайне низких температурах. В подобных условиях они переходят в состояние криптобиоза, обезвоживаются и могут вернуться к жизни при восстановлении благоприятной среды. В сухом виде тихоходки переносят охлаждение до −272 °C. Учёные ввели их в состояние криптобиоза, нанесли на тело вещество анизол, ставшее ледяной плёнкой, и с помощью электронно-лучевой литографии сформировали на поверхности заданный рисунок. Там, где пучок электронов касался ледяной плёнки, образовывался устойчивый узор.

Минимальный размер элемента, нанесённого на поверхность тихоходок, составил 72 нм. Эксперимент успешно пережили 40 % подопытных особей. Однако это лишь первый шаг. Технология продемонстрировала свою перспективность, и учёные намерены совершенствовать её для работы с другими организмами.

«Мы ожидаем, что интеграция большего количества методов микро- и нанопроизводства с биологически значимыми системами на микро- и наноуровне приведёт к дальнейшему развитию таких областей, как распознавание микроорганизмов, биомиметические устройства и живые микророботы», — пишут учёные в своей работе в журнале Nano Letters.

В Московском физико-техническом институте разработали литограф, предназначенный для создания трёхмерных микроструктур, элементы которых будут иметь размеры 150 нм при разрешении 350 нм.

Источник изображения: Opt Lasers / unsplash.com

Устройство позволит создавать малые механические конструкции или каркасы, на которых смогут выращиваться искусственные биологические органы с заданной геометрией. При выращивании объектов биоинженерии сначала создаётся каркас, на который наносятся клетки, пояснили авторы проекта. Каркас изготавливается из особого биосовместимого полимера — конструкция позволяет выстраивать клетки для оптимального взаимодействия с другими клетками или белками. Ещё одна возможная область применения — создание фильтров для отделения одних клеток от других, например здоровых от больных. Предполагается, что такие приборы будут выпускаться серийно и заменят аналогичное зарубежное, преимущественно немецкое оборудование.

Литограф может способствовать прорыву в фотонике. Традиционно излучатели, приёмники и компоненты фотонных схем производились с использованием разных технологий и материалов; теперь с помощью полимерного оптоволокна всё это можно будет объединить на одном чипе. Прибор способен работать в режиме 3D-принтера, используя ультракороткие лазерные импульсы в видимом диапазоне и оптически прозрачные биосовместимые полимеры. Аппарат также можно применять для создания фазовых масок, проходя через которые свет изменяет свои амплитудно-фазовые характеристики. Это позволит кодировать информацию светом, формировать голограммы и металинзы.

Проект находится на завершающей стадии опытно-конструкторских работ. До конца текущего месяца пройдут его испытания для приёмки, а в августе процесс разработки завершится, и будет принято решение о передаче литографа в серийное производство. Ожидается, что он будет пользоваться спросом у научных центров и компаний, занимающихся фотоникой и биофотоникой. Считается, что он окажется полезным и при создании нейроинтерфейсов.

Бывший гендиректор Intel Пэт Гелсингер (Pat Gelsinger) стал председателем правления компании xLight, которая планирует использовать лазер на свободных электронах (FEL) в качестве источника излучения для литографического оборудования, работающего в диапазоне сверхжёсткого ультрафиолетового излучения (EUV).

Источник изображений: xLight

Возможность использования ускорителя частиц для генерации излучения в литографических машинах обсуждалась давно, но xLight утверждает, что сможет создать такой источник к 2028 году, сохранив совместимость с уже существующим оборудованием. «В рамках моей новой работы в Playground Global я присоединился к xLight в качестве исполнительного председателя правления. Я буду тесно сотрудничать с Николасом Келезом (Nicholas Kelez) и его командой, чтобы создать самые мощные в мире лазеры на свободных электронах, используя технологии ускорителей частиц», — написал Гелсингер в сообщении на LinkedIn.

EUV-литография является передовой технологией производства полупроводниковой продукции, предполагающей использование источника излучения с длиной волны 13,5 нм. В настоящее время только компания ASML производит оборудование для EUV-литографии, в котором используется сложный способ генерации излучения с такой длиной волны. Существуют и другие методы создания источников излучения с чрезвычайно короткой длиной волны для производства чипов, и один из них предполагает использование ускорителя частиц в качестве источника, генерируемого создаваемой лазером плазмой (LPP).

Гелсингер заявил, что xLight использует технологию LPP для создания источника излучения, который обеспечивает в четыре раза большую мощность, чем любые доступные в настоящее время аналоги. EUV-установка Twinscan NXE:3600D компании ASML использует источник LPP мощностью 250 Вт, а установка NXE:3800E — около 300 Вт. ASML также демонстрировала в лабораторных условиях источник излучения мощностью более 500 Вт.

Пока ASML продолжает работать над увеличением мощности источников излучения, Гелсингер утверждает, что у xLight уже есть LPP-источник мощностью более 1000 Вт, который будет готов к коммерческому использованию к 2028 году. Он заявляет, что технология xLight позволит сократить стоимость одной кремниевой пластины примерно на 50 %, а также втрое снизить капитальные и операционные расходы, что станет значительным шагом вперёд в повышении эффективности производства. Технология xLight также потенциально может повлиять на снижение стоимости литографического оборудования на базе FEL.

Отмечается, что xLight не стремится заменить EUV-установки ASML собственными аналогами. Вместо этого стартап работает над LPP-источником, который будет совместим с оборудованием ASML.

Как известно, до конца текущего месяца молодая японская компания Rapidus надеется запустить свою опытную линию по контрактному производству 2-нм чипов на острове Хоккайдо. Глава стартапа надеется, что серийный выпуск чипов будет налажен для крупных клиентов типа Apple, Google, Amazon и Microsoft.

Источник изображения: ASML

Во всяком случае, как пояснил генеральный директор Ацуёси Коикэ (Atsuyoshi Koike), переговоры сейчас ведутся с 40 или 50 потенциальными клиентами, и помимо облачных американских гигантов, в их число входят стартапы, разрабатывающие чипы для систем искусственного интеллекта. Имя одного из них не скрывается — это возглавляемый легендарным Джимом Келлером (Jim Keller) Tenstorrent. Помимо этой компании, у Rapidus подписан меморандум о взаимопонимании с ещё одним стартапом, имя которого не разглашается.

Глава Rapidus был вынужден признать, что современная геополитическая конъюнктура затрудняет приём заказов на выпуск чипов у китайских разработчиков, но она же стимулирует обращаться к услугам японской компании тех, кто опасается чрезмерной зависимости от тайваньской TSMC. Последняя начнёт выпуск 2-нм чипов в текущем году, а у Rapidus первые прототипы будут готовы только к середине июля, после чего массовое производство планируется наладить не ранее 2027 года. При этом руководство Rapidus убеждено, что со временем отставание от TSMC будет сокращаться, и важным преимуществом японского производителя станет малый срок ожидания от момента заказа разработанного чипа до его выпуска. Японский стартап надеется сократить этот срок в два или три раза по сравнению с конкурентами. Для тех же стартапов подобная особенность будет иметь решающее значение, по мнению представителя Rapidus.

Руководство компании осознаёт и важность подготовки к освоению 1,4-нм технологии. В течение двух с половиной или трёх лет после освоения массового производства 2-нм чипов, Rapidus придётся приступить к освоению 1,4-нм технологии. Если этого не будет сделано, компания рискует отстать в конкуренции со всем остальным миром, как дал понять глава производителя.

Крупнейший контрактный производитель чипов на Тайване, компания TSMC, в последние годы прилагает усилия к расширению своего присутствия за пределами острова, извлекая уроки из пандемии и учитывая геополитическую конъюнктуру. Её более мелкий конкурент UMC также замечен в подобной активности — новое предприятие этой компании на днях было запущено в Сингапуре.

Источник изображения: UMC

Это второе предприятие UMC на этой территории, его строительство обошлось компании в $5 млрд, а выпускаться здесь будет передовая по меркам данного производителя 28-нм и 22-нм продукция. Помимо прочего, для сторонних заказчиков предприятие будет выпускать контроллеры дисплеев, микросхемы памяти для умных устройств и телекоммуникационные компоненты. К выпуску опытной продукции на новом предприятии UMC приступит в этом году, но массовое будет запущено не ранее следующего.

Первоначально предприятие должно было начать свою работу в 2024 году, но задержки с монтажом оборудования и ограниченный спрос на дополнительные производственные мощности вынудили компанию задержать ввод нового объекта в строй. Проектная мощность подразумевает ежемесячную обработку 30 000 кремниевых пластин. Не только UMC сталкивается с перекосами в спросе на чипы, выпускаемые с помощью зрелых техпроцессов. TSMC и ASE Technology задерживают расширение профильных мощностей в Японии и Малайзии, мотивируя это низким спросом на автомобильные полупроводниковые компоненты и чипы для сегмента промышленной автоматизации.

Помимо Тайваня и Сингапура, UMC располагает предприятиями в Китае и Японии. Появление новой площадки в Сингапуре будет способствовать диверсификации производства по географическому признаку. В США с 2027 года компания начнёт в сотрудничестве с Intel выпускать 12-нм изделия. В Сингапуре к тому времени может появиться совместное предприятие европейской NXP и тайваньской VIS. В этой стране американская Micron Technology также наладит выпуск передовой памяти типа HBM, поэтому Сингапур весьма востребован в этом смысле, хотя и располагает весьма ограниченной площадью территории. На церемонии открытия нового предприятия UMC присутствовали многие высокопоставленные сингапурские чиновники.

Основанная в 2022 году конгломератом японских промышленников компания Rapidus объявила, что приступила к настройке оборудования на своей экспериментальной линии на острове Хоккайдо, которая к концу месяца позволит ей начать опытное производство первых 2-нм компонентов. По плану, к 2027 году оно должно стать серийным.

Источник изображения: Rapidus

Напомним, что ранее Rapidus получила от ASML первый экземпляр передовой по японским меркам литографической системы, которая и будет использоваться на экспериментальной линии. Основным источником финансирования деятельности Rapidus до сих пор оставались государственные субсидии, которые могут достигнуть рекордной для японской промышленности суммы $11,5 млрд в случае выделения властями страны очередного транша на поддержку компании.

«Было очень трудно разработать 2-нм технологию и ноу-хау для массового производства, — заявил 72-летний генеральный директор Rapidus Ацуёси Коикэ (Atsuyoshi Koike) на пресс-конференции, добавив, — мы будем предпринимать шаг за шагом, чтобы снизить вероятность ошибок и завоевать доверие потребителей». По его словам, предстоит осуществить ещё немало экспериментов, прежде чем компания сможет массово выпускать 2-нм продукцию.

Сегодня Rapidus впервые осуществила экспозицию цифрового проекта на кремниевую пластину с использованием сверхжёсткой ультрафиолетовой литографии (EUV), а первая партия тестовых чипов будет готова ориентировочно к июлю. Компании предстоит привлечь не менее $670 млн на своё развитие у частных компаний, но пока инвесторы не торопятся вкладывать деньги в молодого производителя с амбициозными целями. До недавних пор самой передовой технологией, используемой для производства чипов на территории Японии, оставалась 40-нм, а потому перед местными компаниями стоял непростой вызов сокращения отставания от японских, корейских, американских и европейских конкурентов. Освоив передовую литографию, Rapidus надеется найти свою рыночную нишу за счёт предоставления услуг по быстрому изготовлению небольших партий чипов. Все необходимые подготовительные действия для начала работы опытной линии Rapidus уже предприняла, по словам её руководителя.

Всё внимание общественности традиционно привлечено к усилиям Intel по освоению передовых литографических технологий, а поскольку техпроцесс Intel 3 таковым можно назвать с натяжкой, новости о его географической экспансии отошли на второй план. Тем не менее, к массовому производству чипов по технологии Intel 3 в Ирландии компания приступит в этом году.

Источник изображения: Intel

Напомним, что в ходе недавней модернизации предприятие Fab 34 в ирландском Лейкслипе обрело возможность выпускать продукцию по технологии Intel 4, которая уже подразумевает использование литографии со сверхжёстким ультрафиолетовым излучением (EUV). Кроме того, к модернизации и расширению предприятия в Ирландии Intel привлекала сторонних инвесторов в лице Apollo, которым теперь полагается определённая часть прибыли этой производственной площадки.

Как отмечает eeNews со ссылкой на материалы годового отчёта Intel, в прошлом году массовое производство чипов по технологии Intel 3 было налажено на предприятии в Орегоне, а в текущем году оно будет начато на предприятии в Ирландии. Соотношение производительности к потребляемой энергии в рамках техпроцесса Intel 3 улучшено на 18 % по сравнению с Intel 4. Компания уже выпускает в США компоненты процессоров Xeon 6 Scalable с использованием технологии Intel 3.

Формально, после освоения техпроцесса Intel 3 ирландским предприятием компании, он станет самым передовым предложением в ассортименте возможностей её контрактного подразделения на территории Европы. Позволит ли это привлечь новых клиентов к услугам Intel — вопрос отдельный. В целом, своим контрактным клиентам Intel предлагает технологии Intel 4, Intel 3, Intel 18A, а также 12-нм техпроцесс в сотрудничестве с тайваньской UMC. Заказчикам также доступны 7-нм и 16-нм технологии Intel.

Молодая японская компания Rapidus рассчитывает к 2027 году освоить на территории страны выпуск 2-нм изделий по заказам сторонних клиентов, опираясь на технологическую поддержку IBM. Коммерческий сектор не торопится поддерживать компанию с пустым послужным списком, поэтому японскому правительству приходится выделять всё новые средства на развитие Rapidus.

Источник изображения: Rapidus

Как сообщает Bloomberg, Министерство экономики Японии готовит очередной пакет помощи Rapidus на общую сумму $5,4 млрд, из них примерно 84 % будут направлены на освоение обработки кремниевых пластин, а оставшиеся средства пригодятся для формирования линий по тестированию и упаковке чипов. Если эта часть субсидий будет выделена, то в общей сложности власти Японии передадут на нужды Rapidus около $11,6 млрд.

Первоначально планировалось, что в дальнейшем бремя поддержки передового национального контрактного производителя чипов ляжет на плечи бизнеса, но финансовые учреждения Японии сочли инвестиции в молодую компанию, которая никогда не выпускала чипов, слишком рискованными. Существующие акционеры Rapidus, являющиеся её учредителями, тоже не проявили адекватной инвестиционной активности. Впрочем, компания намеревается подтвердить свою дееспособность запуском пилотной линии по производству 2-нм чипов в следующем месяце, так что успех на этом этапе может позволить Rapidus рассчитывать на новые инвестиции.

На примере китайской полупроводниковой промышленности можно понять, насколько важно наличие собственного оборудования для выпуска чипов в условиях ограниченности доступа к импортному. В России недавно завершились работы по созданию первого отечественного литографа, позволяющего работать с 350-нм технологией.

Источник изображения: ЗНТЦ

Об этом неделю назад сообщил Зеленоградский нанотехнологический центр (ЗНТЦ). Разработанный специалистами центра фотолитограф называется «установкой совмещения и проекционного экспонирования с разрешением 350 нм», он был разработан в сотрудничестве с белорусской компанией ОАО «Планар». Установка была принята государственной комиссией, в настоящее время ведётся её адаптация к применяемым конечными потребителями техпроцессам, заключаются контракты на поставку серийного оборудования. В следующем году планируется завершить работы по созданию российского литографа, позволяющего работать с 130-нм нормами.

«Новая совместная разработка имеет ряд преимуществ: существенно увеличена площадь рабочего поля — 22 × 22 мм по сравнению с предшествующей — 3,2 × 3,2 мм, на ступень больше максимальный диаметр обрабатываемых пластин — 200 мм вместо 150 мм. Кроме того, в мировой практике для производства данных литографов в качестве источника излучения используется ртутная лампа, в российской установке впервые использован твердотельный лазер – более мощный и энергоэффективный, с высокой долговечностью и более узким спектром», — пояснил генеральный директор АО «ЗНТЦ» Анатолий Ковалев.

Стоит отметить, что ведущий мировой производитель литографических систем — нидерландская компания ASML, в своём оборудовании, предназначенном для работы с сопоставимыми технологическими нормами, использовала источники излучения другого типа. Для техпроцессов класса 350 нм применялись ртутные лампы с длиной волны 365 нм, для техпроцессов 250 нм и более прогрессивных применялись источники излучения на базе фторида криптона с длиной волны 248 нм. Наконец, для норм 130 нм и тоньше использовались системы с глубоким ультрафиолетовым излучением (DUV) на основе фторида аргона с длиной волны 193 нм.

Твердотельные лазеры также использовались при производстве полупроводниковых компонентов ранее, но преимущественно во вспомогательных функциях типа анализа качества продукции и поиска дефектов, либо механической обработки кремниевых пластин. Теоретически, твердотельные лазеры могут применяться для экспонирования при производстве чипов по зрелым литографическим нормам от 250 нм и грубее, но та же ASML для этих целей с 90-х годов прошлого века использовала эксимерные источники лазерного излучения на основе фторидов криптона или аргона.

По мировым меркам оборудование для выпуска 350-нм чипов может казаться устаревшим, но соответствующие компоненты ещё способны найти применение в силовой электронике, автомобильной промышленности и оборонной сфере. Скорее всего, ЗНТЦ сделает основной упор на создание и продвижение литографов следующего поколения, которые уже позволят выпускать 130-нм чипы. Теми же «Ангстремом» и «Микроном» они будут востребованы в большей степени, поскольку компании выпускают ассортимент продукции в диапазоне норм от 250 до 90 нм. Поставленные правительством РФ цели подразумевают освоение 28-нм технологии к 2027 году и 14-нм технологии к 2030 году. Пока отечественные производители оборудования отстают от намеченного графика.

Для выпуска чипов по технологиям с нормами менее 2 нм потребуются литографические сканеры нового поколения, обладающие высоким значением числовой апертуры (High-NA) и использующие сверхжёсткое ультрафиолетовое излучение (EUV). Первый образец такого оборудования Samsung Electronics уже получила для установки на флагманском предприятии в Хвасоне.

Источник изображения: Samsung Electronics

Если учесть, что у Intel в Орегоне уже установлено как минимум два таких литографических сканера ASML, и конкурирующая TSMC тоже проявляет осторожный интерес к подобному оборудованию, действия Samsung можно считать своевременными. По данным южнокорейских СМИ, компания получила первый экземпляр сканера ASML TwinScan EXE:5000 для работы с ним на предприятии в Хвасоне в начале этого месяца. Оборудование такого класса понадобится Samsung для экспериментов по выпуску чипов по технологиям тоньше 2 нм.

В четвёртом квартале прошлого года Samsung, по данным TrendForce, занимала 8,1 % мирового рынка услуг по контрактному производству чипов. Буквально за один квартал потери составили один процентный пункт, тогда как TSMC укрепили свои позиции на 2,4 п.п. до 67,1 %. Выручка Samsung при этом сократилась последовательно на 1,4 % до $3,26 млрд. Своевременное освоение передовых техпроцессов позволит Samsung эффективнее удерживать свои рыночные позиции. К 2028 году TSMC рассчитывает внедрить оборудование класса High-NA EUV в массовом производстве чипов, Intel рассчитывает сделать это значительно раньше.

Зеленоградский нанотехнологический центр (ЗНТЦ) и Штаб по развитию микротехнологий Исламской Республики Иран подписали меморандум о сотрудничестве в области микроэлектроники, сообщил «Коммерсантъ». По словам источников издания, сотрудничество касается разработки и производства литографического оборудования, телекоммуникационных мультиплексоров, датчиков для автомобилей и др.

Источник изображения: Vishnu Mohanan

Гендиректор ЗНТЦ Анатолий Ковалёв сообщил, что центр будет выступать в качестве интегратора контрактных производств для дизайн-центров Ирана, где пока нет подобных проектов. О возможных инвестициях пока не говорится. Вместе с тем Ковалёв уточнил, что стоимость производства литографа для выпуска 350-нм чипов составляет около $4,5 млн. Также сотрудничество предполагает обмен компетенциями и специалистами между странами в области микроэлектроники. Изготовленные продукты будут доступны на рынках Ирана и России.

Инициировавший сделку Минпромторг отметил, что соглашение позволит объединить усилия для совместной разработки и производства инновационной продукции, способствуя выходу на новые рынки с отечественными технологиями и товарами.

Представитель национальной программы микроэлектроники Ирана Ним Арджманди заявил в прошлом году, что рынок микрочипов в стране «никем не монополизирован». По данным издания Pars Today, в Иране несколько компаний активно занимаются экспортом кремниевой продукции, а также работают предприятия, специализирующиеся на производстве оборудования, созданные при поддержке иранского Штаба развития нанотехнологий.

Согласно отчёту консалтинговой компании Kept за 2024 год, в 2022 году доля России составляла менее 1 % от глобального рынка микроэлектроники. По прогнозам аналитиков, объём российского рынка может увеличиться к 2030 году в 2,7 раза — до 780 млрд рублей, а при оптимистичном сценарии превысить 1 трлн рублей. По состоянию на 2022 год рынок микроэлектроники «дружественных» России стран оценивался в $227 млрд. Лидирующие позиции среди российских партнёров в этой сфере занимает Китай.

Возможно, для изрядного количества участников полупроводниковой отрасли вчерашнее заявление TSMC о намерениях увеличить свои затраты на строительство предприятий в США ещё на $100 млрд стало сюрпризом, но власти Тайваня были предупреждены об этом решении заранее, и теперь напоминают, что передовые технологии TSMC должны в первую очередь внедряться на острове.

Источник изображения: TSMC

С этой точки зрения, как поясняет The Guardian, обывателей не должны вводить в заблуждение слова генерального директора TSMC Си-Си Вэя (C.C. Wei), произнесённые им в Белом доме накануне. Заключение соглашения о расширении производственной сети TSMC в США, по его словам, обеспечивало условия для «производства самых передовых чипов на территории США». Нюанс здесь кроется в выборе базы для сравнения. TSMC надеется, что станет производителем самых передовых чипов на территории США, но это не значит, что передовые по мировым меркам чипы начнут выпускаться в США и на Тайване одновременно.

Представительница администрации президента Тайваня Карен Ко (Karen Kuo) поспешила заявить, что TSMC «сохранит свои самые передовые техпроцессы для Тайваня». Напомним, местное законодательство ограничивает экспорт подобных технологий, и американское направление не является исключением. Как уже отмечалось ранее, TSMC может организовать на территории США производство 2-нм чипов, но случится это несколько позднее по сравнению с Тайванем. Вчера тайваньские чиновники сочли нужным заявить, что в следующем году производство 2-нм и 1,6-нм чипов в США точно не будет развёрнуто. Предполагается, что к выпуску 2-нм продукции на Тайване TSMC приступит в этом году.

Более того, TSMC пока не удалось согласовать с властями Тайваня новые инвестиции в экономику США. Представители компании накануне дали понять, что распределённые на несколько лет $100 млрд в масштабах бизнеса TSMC не являются такой уж крупной суммой, но законодательство острова всё же требует согласовывать подобные инициативы с властями. Правительство Тайваня также дало понять, что решение TSMC увеличить инвестиции в экономику США никак не связано с вводом повышенных таможенных пошлин со стороны нынешнего американского руководства. Всё это якобы происходит в русле плановой экспансии производства TSMC за пределами Тайваня.

Решение TSMC расширить производственную инфраструктуру на территории США на самом Тайване вызвало волну критики со стороны политической оппозиции. Многие местные деятели начали высказывать опасение, что миграция производства чипов в США снизит заинтересованность данного стратегического партнёра в обеспечении безопасности острова. До сих пор власти Тайваня чувствовали себя под защитой США от претензий со стороны Китая именно благодаря высокой концентрации на острове полупроводниковых производств, в продукции которых США остро нуждались. Министр обороны Тайваня Веллингтон Ку (Wellington Koo) выразил уверенность в готовности США продолжать защищать Тайвань и дальше, но резкие и странные перемены в международной обстановке заставляют чиновника усомниться в правильном восприятии ключевых интересов Дональда Трампа (Donald Trump).

Желая отвлечь аудиторию от слухов о поиске стратегического партнёра в сфере производства чипов, руководство Intel на этой неделе заявило, что успешно использует полученные от ASML литографические системы новейшего поколения для мелкосерийного производства чипов. При помощи технологии High-NA EUV за один квартал компании удалось обработать 30 000 кремниевых пластин.

Источник изображения: Intel

Литографическое оборудование ASML с высоким значением числовой апертуры (High-NA EUV) компания Intel получила ещё в прошлом году, и два экземпляра систем (предположительно, TwinScan EXE:5000) уже настроены на выпуск опытной продукции в достаточных количествах. По словам представителей Intel, новое оборудование позволяет сократить количество технологических этапов при производстве современных чипов и ускорить изготовление передовой продукции. На подготовку к запуску такой технологии у Intel в общей сложности ушло семь лет.

На ранних этапах экспериментов возникали проблемы с надёжностью EUV-систем, но оборудование класса High-NA EUV, по словам ведущего инженера Intel Стива Карсона (Steve Carson), в два раза надёжнее решений предыдущего поколения. Продолжительность производственного цикла сокращается при переходе на оборудование с высокой числовой апертурой. Например, если ранее на обработку кремниевой пластины тратилось три экспозиции и 40 технологических операций, то теперь количество последних удалось сократить менее чем до десяти, а экспозиция требуется всего одна.

Как известно, Intel использовала оборудование класса High-NA EUV в качестве экспериментального при подготовке к выпуску чипов по технологии Intel 18A, но в серийном варианте применять его не будет. Оно должно быть внедрено уже при выпуске чипов по технологии Intel 14A не ранее следующего года. При этом будет использоваться ещё более новое оборудование ASML семейства TwinScan EXE:5200, первые компоненты которого компания должна получить в ближайшие месяцы. Конкурирующая TSMC переход на High-NA EUV осуществит не ранее 2028 года, как ожидают эксперты.