Опрос
|
реклама
Быстрый переход
Поставщик оптики для ASML согласен, что китайское EUV-оборудование для производства чипов будет готово не ранее чем через 15 лет
03.09.2026 [07:26],
Алексей Разин
Усилия китайских производителей оборудования для выпуска полупроводниковых компонентов по импортозамещению привлекают внимание западных экспертов, и те регулярно дают свою оценку величине отставания китайских разработчиков. Немецкий производитель оптических компонентов Zeiss Group говорит о 15-летнем периоде, который может потребоваться китайским разработчикам для освоения EUV-литографии. 
Источник изображения: ASML Напомним, под EUV подразумевается литографическое оборудование со сверхжёстким ультрафиолетовым излучением, позволяющее выпускать 7-нм и более совершенные чипы. Готовое оборудование западного происхождения такого класса в Китай не поставляется из-за экспортных ограничений США и Нидерландов, поэтому для преодоления технологического барьера китайские производители должны будут разработать собственное оборудование. Директор полупроводникового бизнеса Zeiss Group Франк Ромунд (Frank Rohmund) в интервью телеканалу Bloomberg заявил, что считает разумным предположение о пятнадцатилетнем сроке, который потребуется китайским разработчикам для создания EUV-оборудования. При этом он добавил, что точную оценку уровню их прогресса дать довольно сложно. Напомним, в 15 лет отставание китайских разработчиков EUV-оборудования от западных конкурентов на днях оценили аналитики UBS. Пока нидерландская ASML остаётся единственным в мире производителем литографических сканеров, способных работать со сверхжёстким ультрафиолетовым излучением (EUV), а немецкая Zeiss Group снабжает её оптическими компонентами. Оборудование ASML предыдущего поколения (DUV) в Китай поставляется почти без ограничений, если не считать самых продвинутых моделей, на поставку которых требуется запрашивать экспортные лицензии в США. По словам Ромунда, дальнейшее ужесточение запретов на поставку оборудования класса DUV в Китай не только навредит профильному бизнесу европейских производителей, но и подстегнёт активность китайских в сфере импортозамещения. Китайская промышленность над созданием такого оборудования работает десятилетиями, как утверждает представитель Zeiss Group: «Это вообще не является сюрпризом, и сейчас мы должны убедиться, какими возможностями обладают эти инструменты. Мы всё равно ещё сильно их опережаем». Оптические компоненты Zeiss применяются для производства 80 % чипов, выпускаемых в мире. Китай отстаёт от ASML на 15 лет — и страна вряд ли освоит EUV-литографию раньше 2040 года
02.09.2026 [13:33],
Алексей Разин
С 2019 года нидерландская ASML лишена права поставлять передовое EUV-оборудование для производства чипов в Китай, и она фактически не поставила туда ни одного литографического сканера такого класса, которые позволяют с разумными затратами выпускать 7-нм и более совершенные чипы. Аналитики UBS убеждены, что китайские производители не смогут самостоятельно освоить EUV-технологии до конца следующего десятилетия. 
Источник изображения: ASML Сейчас, по словам экспертов UBS, китайские производители оборудования для производства чипов находятся на том этапе развития, который был присущ ASML в далёком уже 2004 году. При этом активность в сфере разработок и патентного права, проявляемая китайскими производителями, позволяет UBS сделать вывод, что они находятся на том этапе подготовки к массовому производству EUV-оборудования, который ASML отделял от нужного рубежа на 15 лет. Даже если китайским компаниям удастся наладить выпуск EUV-оборудования в отдалённой перспективе, вряд ли оно будет востребовано за пределами самого Китая, как предполагают представители UBS. Этому будут препятствовать как технологическое отставание от ASML, так и возможные регуляторные барьеры. При этом китайским компаниям вполне по плечу освоить массовый выпуск оборудования для погружной литографии с глубоким ультрафиолетовым излучением (DUV immersion lithography) в ближайшие два или пять лет, как считают в UBS. В позапрошлом месяце агентство Reuters сообщило, что одна из китайских компаний уже приступила к производству подобных литографических систем. В этом году их объёмы выпуска достигнут пяти штук, а по итогам следующего приблизятся к двадцати. Прототип EUV-системы китайские разработчики якобы собрали уже в начале прошлого года, по версии Reuters. Правда, с её помощью пока не удалось изготовить ни одного чипа, поскольку установка в её нынешнем виде позволяет только формировать лазерное излучение нужной мощности и с подходящей длиной волны. Клиенты ASML уже используют 10 сканеров High-NA EUV, которые позволяют делать чипы «тоньше» 2 нм
01.09.2026 [16:32],
Алексей Разин
Являясь крупнейшим контрактным производителем чипов в мире, тайваньская компания TSMC довольно консервативно настроена в отношении скорого внедрения оборудования класса High-NA EUV, которое стоит по $400 млн за единицу. В любом случае, уже четыре клиента выпускающей соответствующие сканеры компании ASML эксплуатируют на своих предприятиях и в лабораториях 10 таких литографических систем. 
Источник изображения: ASML Об этом старший вице-президент ASML Грит Стормс (Greet Storms), заведующая направлением данных литографических машин, заявила на конференции Semicon Taiwan 2026, которая на этой неделе проходит на Тайване. По её словам, помимо десяти уже эксплуатируемых литографических EUV-сканеров с высоким значением числовой апертуры (High-NA), в поставке и процессе монтажа находятся ещё три. Пионером внедрения подобного оборудования при производстве процессоров можно считать Intel, поскольку она уже использует его для выполнения части технологических операций при выпуске чипов семейства Panther Lake по технологии Intel 18A. Samsung и SK hynix интересуются возможностью использования такого оборудования при выпуске памяти, поэтому располагают как минимум по одному образцу литографических систем ASML TwinScan EXE:5200B. Как минимум пять поколений литографических норм, применяемых при производстве микросхем памяти DRAM, могут быть внедрены с использованием такого оборудования. Оно упрощает оснастку и сокращает сам производственный цикл, что в условиях высокого спроса на память важно для указанных южнокорейских компаний. По словам представительницы ASML, соответствующее оборудование этой марки уже приняло участие в обработке 1,35 млн кремниевых пластин. Система TwinScan EXE:5200B, например, способна обрабатывать по 135 кремниевых пластин в час, этого уже достаточно для её применения в массовом производстве чипов. К концу десятилетия показатель производительности удастся увеличить до 180 или даже 210 кремниевых пластин в час, но для этого придётся переходить на более совершенные модели оборудования, которые ASML к тому времени предложит клиентам. В этом году TSMC всё же купила несколько литографических сканеров ASML соответствующего класса, хотя пока и планирует использовать их только для лабораторных экспериментов. С учётом масштабов бизнеса этой компании, внедрение такого оборудования в массовом производстве потребует колоссальных затрат, и пока она не готова на них решиться. Intel научилась обходить грабли — 14A осваивается лучше всех техпроцессов компании за десятилетие
28.08.2026 [14:20],
Алексей Разин
Буквально чуть более года назад Intel была не до конца уверена в целесообразности освоения ангстремного техпроцесса 14A, но в прошлом месяце сменила риторику. Теперь компания даже утверждает, что динамика снижения плотности дефектов в случае с Intel 14A превосходит показатели всех техпроцессов, освоенных ею со времён 22-нм технологии. 
Источник изображения: Intel По крайней мере, подобные заявления сделал финансовый директор Intel Дэвид Зинснер (David Zinsner) на недавней технологической конференции Deutsche Bank. Ресурс ComputerBase.de взял на себя труд напомнить, что в своё время 22-нм техпроцесс имел для компании большое значение и был труден в освоении хотя бы из-за внедрения в его рамках структуры транзисторов FinFET. Впрочем, данная веха в истории Intel характеризуется ещё и серьёзными последующими неудачами. Поскольку 10-нм техпроцесс провалился на старте, Intel пришлось всеми силами «продлевать молодость» более зрелому 14-нм техпроцессу. Даже в случае с относительно удачным 22-нм техпроцессом Intel пришлось довести процессоры Ivy Bridge на его основе до степпинга E1, прежде чем они достигли удовлетворительного для поставок на рынок качества. Для сравнения, 32-нм процессоры Lynnfield стартовали на рынке со степпинга B1, а Nehalem и вовсе было достаточно дойти по алфавиту до степпинга C0. Чем «тоньше» технологические нормы производства чипов, тем сложнее они в освоении, и в этом смысле Intel 14A представляет собой сочетание высоких рисков, иначе компания не задумалась бы об отказе от его освоения в прошлом году. Инструментарий для разработчиков чипов, которые хотели бы поручить Intel их производство по технологии 14A, в октябре этого года мигрирует на версию 0.9, которая фактически пригодна для создания первых физических образцов. Опытное производство чипов по технологии Intel 14A компания планирует начать в следующем году, а массовое — только в 2028 году. Как признался Зинснер, компания уже вовсю готовит мощности для освоения массового выпуска таких чипов. Во-первых, этим займётся новая Fab 62 в Аризоне. Во-вторых, под выпуск чипов по технологии 14A будет переоборудована экспериментальная линия в Орегоне, где сейчас производятся чипы по технологии Intel 18A-P. После перевооружения этой линии Intel будет выпускать в Орегоне продукцию по технологии 14A в серийных масштабах. Более того, под выпуск подобных чипов будет выделена первая очередь нового комплекса в штате Огайо, строительство которого компания ранее была вынуждена заморозить. С конца 2027 года клиентам Intel будут доступны и услуги по упаковке чипов с использованием передовой компоновки EMIB-T. Примерно в это же время они смогут рассчитывать и на получение от Intel чипов, выпускаемых по их заказу с применением технологии 14A. TSMC готова запустить ангстремный техпроцесс A16 уже в этом году — его разработка и валидация завершены
21.08.2026 [10:49],
Алексей Разин
Производство 2-нм чипов на конвейере передовых предприятий TSMC на Тайване уже набирает обороты, но она в следующем квартале готова приступить к массовому выпуску полупроводниковых компонентов и по более совершенному техпроцессу A16, который можно в привычных терминах считать 1,6-нм. Разработка и валидация соответствующей технологии уже завершена. 
Источник изображения: TSMC Об этом на текущей неделе сообщило тайваньской издание Liberty Times, как отмечает Chosun Biz. Данный техпроцесс предусматривает важное новшество — подвод питания к оборотной стороне кремниевой пластины, который в терминологии TSMC носит обозначение Super Power Rail (SPR). Сигнальные и силовые электрические цепи при этом разделяются, что позволяет снизить взаимное их влияние, поднять энергетическую эффективность и быстродействие чипов. При этом правила проектирования чипов не особо меняются, что позволяет ускорить разработку новых компонентов. По сравнению с версией техпроцесса N2P, который является самым совершенным на данный момент среди 2-нм в исполнении TSMC, технология A16 обеспечивает прирост производительности на 8–10 % при неизменном энергопотреблении, либо позволяет равном быстродействии сократить энергопотребление на 15–20 %. Плотность размещения транзисторов при этом увеличивается почти на 10 %. Техпроцесс A16 станет первым в арсенале TSMC с подводом питания с обратной стороны чипа. При производстве крупных процессоров, востребованных в сегменте ИИ, данная технология раскроет свои преимущества, поскольку позволит снизить энергопотребление при повышении плотности компоновки элементов на кристалле. Впервые внедрённые в рамках технологий серии N2 транзисторы с окружающим затвором (GAA) также продолжат совершенствоваться в рамках A16. То есть, данное поколение технологических норм TSMC обеспечит прогресс сразу по двум направлениям: в сфере архитектуры транзисторов и силовой разводки соответственно. С точки зрения продолжительности жизненного цикла A16 будет проходным решением, на которое TSMC не делает больших ставок. Более серьёзные надежды возлагаются на более совершенный A14, запуск которого в серийном производстве чипов запланирован на 2028 год. Подвод питания с оборотной стороны кристалла будет предусмотрен и в этом случае. У TSMC сохраняется заметное преимущество по срокам освоения передовых литографических технологий. Samsung Electronics свой SF1.4 начнёт внедрять не ранее 2029 года, сосредоточившись на повышении уровня выхода годных чипов в рамках технологий серии SF2. Корпорация Intel уже предлагает клиентам техпроцесс 18A, но более совершенный 14A начнёт использоваться при массовом производстве не ранее 2028 года. Samsung отложила внедрение High-NA EUV до эпохи 1-нм чипов
11.08.2026 [15:00],
Алексей Разин
Оборудование с высокой числовой апертурой (High-NA) для работы с EUV-излучением, которое сейчас стоит до $400 млн за единицу, должно позволить производителям чипов уменьшить литографические нормы за пределы 2 нм и ускорить обработку кремниевых пластин. По данным южнокорейских СМИ, компания Samsung Electronics внедрит его в массовом производстве не ранее 2030 года, но к тому времени надеется освоить 1-нм техпроцесс. 
Источник изображения: ASML Во время недавней презентации, как отмечает ZDNet, представители Samsung Electronics признались, что использование оборудования High-NA EUV в массовом производстве чипов станет целесообразным не ранее 2030 года, когда компания рассчитывает наладить выпуск 1-нм компонентов. Первоначально компания планировала сделать это в рамках 2-нм и 1,4-нм техпроцессов, но необходимость совершенствования технологий привела к пониманию, что это оборудование будет уместно при выпуске чипов по нормам A10 и ниже. Samsung уже выпускает чипы по 2-нм технологии, а 1,4-нм техпроцесс (SF1.4) будет внедрён в массовое производство в 2029 году. К 2030 году последовательно будут освоены техпроцессы SF1.4+ и A10 (1 нм). Для внедрения оборудования High-NA EUV в условиях массового производства также требуются подходящие оснастка и расходные материалы, а отрасль пока к этому не готова. В любом случае на первых этапах традиционная технология EUV-литографии и более продвинутая High-NA будут вынуждены сосуществовать на одном производстве. Сейчас Samsung располагает уже двумя новейшими литографическими сканерами ASML для работы с High-NA EUV, которые установлены в кампусе компании в южнокорейском Хвасоне. Активное внедрение такого оборудования в массовое производство резко увеличило бы капитальные затраты Samsung, а сейчас компания как раз пытается вывести на безубыточность свой контрактный бизнес, который к тому же нуждается в крупных заказах от новых клиентов. В таких условиях спешить с освоением High-NA EUV нет особого смысла. Зато использование технологии травления кремниевых пластин ALE (Atomic Layer Etching) постепенно набирает обороты. Intel уже начала пробовать применять оборудование класса High-NA EUV при производстве части кристаллов процессоров Panther Lake, выпускаемых по технологии Intel 18A. Компания TSMC не спешит переходить на такое оборудование как минимум до 2029 года, рассчитывая внедрить техпроцессы A12 и A13 без него. Подобный отказ объясняется высокими затратами на закупку этого оборудования. Зато SK hynix уже экспериментирует с High-NA EUV при производстве микросхем памяти, рассчитывая получить преимущество на ранних этапах. Попутно применяются и другие подходы типа фотомасок с фазовым смещением для увеличения разрешающей способности литографического оборудования. По мнению представителей Samsung, выпускать чипы по техпроцессам вплоть до 1,4-нм и 1 нм можно, используя оборудование с числовой апертурой 0,33, как и ранее, а вот переход на апертуру 0,55 станет целесообразным после этого рубежа. Китай разработал ключевой компонент для суверенной EUV-литографии — помог бывший инженер ASML
11.08.2026 [13:11],
Алексей Разин
Литографические сканеры необходимы для производства полупроводниковых компонентов, но их поставки сосредоточены в руках ограниченной группы западных компаний. Китайская полупроводниковая промышленность в попытках догнать Запад вынуждена полагаться на собственные силы в этой сфере, и недавно местным исследователям удалось создать источник лазерного излучения в сверхжёстком ультрафиолетовом диапазоне (EUV). 
Источник изображения: ASML По идее, данный источник позволит китайским компаниям в перспективе создавать литографические сканеры, способные участвовать в процессе производства чипов с технологическими нормами менее 7 нм. До сих пор подобным оборудованием располагали только американские, южнокорейские и японские производители чипов, а поставки его в Китай были запрещены ещё в 2019 году по инициативе властей Нидерландов, где расположена штаб-квартира ведущего поставщика ASML, а позже инициативу поддержали и американские власти. Ресурс Newsbit теперь сообщает, что создать перспективный источник лазерного излучения китайским исследователям помог выходец из той самой ASML по имени Линь Нань (Lin Nan). До этого на уровне экспериментов китайским разработчикам удавалось создать источник лазерного излучения класса EUV с показателем эффективности не более 3,42 %. Это подразумевает, что не более 3,42 % энергии этого источника преобразуется в полезное излучение, пригодное для работы с кремниевыми пластинами. Для экспериментальной установки это вполне приемлемо, но в условиях массового производства такой источник излучения применяться не сможет. Более того, мощность этого источника лежит в пределах от 100 до 150 Вт, по некоторым оценкам, тогда как современные серийные EUV-системы выдают около 600 Вт. ASML даже собирается поднять мощность своих источников излучения до 1000 Вт. Чем выше мощность, тем большее количество чипов можно выпускать в единицу времени. По информации источника, Линь Нань как раз работал в ASML в Нидерландах, специализируясь на разработке таких лазеров. Одного только подходящего источника излучения, однако, не хватит для создания полноценной EUV-системы, пригодной для массового производства чипов. Нужны сложные системы зеркал и прецизионные приводы, не говоря уже о сопутствующем программном обеспечении. По данным Reuters, прототипы EUV-сканеров китайской разработки пока не обладают достаточно качественной оптикой. Работоспособный EUV-сканер китайцам удастся создать не ранее 2028 или даже 2030 года, как считают некоторые источники. Китайская AMEC планирует за пять лет захватить 60 % рынка передового оборудования для выпуска чипов
03.08.2026 [13:29],
Алексей Разин
Технологический процесс изготовления полупроводниковых компонентов подразумевает сотни этапов, и на каждом из них может требоваться своё оборудование и оснастка. Китайские компании в условиях усиления западных сайтов стараются преуспеть в импортозамещении литографического оборудования, и та же AMEC рассчитывает занять не менее 60 % местного рынка передовых систем в этой сфере. 
Источник изображения: AMEC Как поясняет TrendForce со ссылкой на The Paper, чисто технически это сделает китайскую компанию AMEC крупнейшим поставщиком литографического оборудования в мире, поскольку значительная часть чипов выпускается на территории КНР, если не брать в расчёт передовые компоненты, которые производятся на Тайване и в США. По словам руководства AMEC, ради достижения поставленной цели компания готова расширить ассортимент производимого оборудования для выпуска чипов до более чем 100 разновидностей. Среди прочего, к нему будут относиться решения для плазменного травления кремниевых пластин и нанесения тонкоплёночных покрытий. К 2035 году AMEC планирует войти в число мировых лидеров по масштабу производства, конкурентоспособности продукции и степени удовлетворения клиентов. Уже сейчас представители AMEC взаимодействуют более с чем 170 клиентами по всему миру непосредственно на их предприятиях. Парк установленного оборудования AMEC за последние 14 лет ежегодно расширялся более чем на 35 % в год. Выручка компании в удельном выражении на одного сотрудника достигла $650 000. В прошлом году AMEC направила на исследования и разработки 30,2 % своей выручки или $554 млн. Только в этом году компания введёт в строй 600 000 м2 новых площадей в пяти точках на территории Китая. За пять последующих лет эти площади планируется увеличить ещё в полтора раза, ежегодно вводя в строй мощности стоимостью не менее $1 млрд. По итогам прошлого года AMEC поставила клиентам по всему миру более 6800 технологических камер для травления кремниевых пластин. Её доля на мировом рынке оборудования такого типа неуклонно растёт. Она предлагает системы плазменного травления двух основных типов, которые охватывают потребности более чем 20 сегментов рынка. Данное оборудование можно использовать при выпуске чипов по технологиям от 65 до 3 нм. Выручка AMEC в прошлом году выросла на 37 % до $1,8 млрд, чистая прибыль увеличилась на 31 % до $313 млн. Как отмечалось накануне, китайские производители оборудования стараются угнаться за мировыми лидерами, но в сфере литографического сканеров для выпуска чипов первые отстают от вторых на несколько поколений. Кроме того, при имеющихся объёмах выпуска импортозамещённого оборудования в Китае потребности местного рынка придётся покрывать не один год. Тем не менее, определённый прогресс в этой сфере наблюдается, и с учётом успехов китайских производителей в прочих отраслях промышленности, отрицать его сложно. Китайское оборудование класса DUV для производства чипов на несколько поколений отстаёт от нидерландского компании ASML
03.08.2026 [05:02],
Алексей Разин
На прошлой неделе появились слухи о намерениях китайских производителей начать выпуск оборудования для иммерсионной литографии с глубоким ультрафиолетовым излучением (DUV), которое позволяет создавать достаточно продвинутые чипы. По оценкам экспертов, оно всё равно на несколько поколений отстаёт от лучших образцов нидерландской ASML. 
Источник изображения: ASML В понедельник издание The Information сообщило, что некий китайский производитель с государственной поддержкой наладил массовый выпуск такого оборудования. На первых порах объёмы производства будут ограничены: в текущем году выйдут пять экземпляров литографических систем, а в следующем будут выпущены примерно двадцать. Считается, что покупателями такого оборудования станут ведущие китайские производители чипов, включая SMIC, HuaHong Semiconductor и ChangXin Memory Technologies. Сообщалось, что подобное импортозамещение сможет пошатнуть позиции нидерландской ASML на китайском рынке, хотя китайское оборудование класса DUV всё равно уступает западным образцам как по производительности, так и по надёжности. Ко вторнику агентство Reuters раскрыло имя упомянутого китайского производителя — Shanghai Aishengna Electronic Technology Group. Компания была основана в августе 2023 года с уставным капиталом около $1 млн, её соучредителями являются две структуры, связанные с муниципальными властями Шанхая. Штат этого производителя был усилен выходцами из Shanghai Yuliangsheng, которая начала тестировать прототип DUV-сканера в прошлом году, а также более известной в этой сфере Shanghai Micro Electronics Equipment (SMEE). В течение трёх первых торговых сессий на прошлой неделе акции нидерландской ASML потеряли в цене более 13 %, Infineon Technologies подешевела на 15,5 %, и только к четвергу возник отскок после заявлений аналитиков JP Morgan об избыточности реакции рынка на эти слухи. Китайские государственные СМИ не стали подтверждать факт начала выпуска DUV-оборудования в стране, но намекнули, что «западная блокада» потеряла свою эффективность. Они выразили уверенность, что в один прекрасный день соответствующие технологии, которые западные производители скрывали от китайской промышленности, станут основой её повседневной работы. В сентябре прошлого года стало известно о тестировании китайской компанией SMIC оборудования Yuliangsheng DUV-системы для иммерсионной литографии, которая должна позволить наладить выпуск 28-нм чипов с 2027 года. В октябре появились публикации о попытках китайских клиентов ASML обратиться за помощью к этой компании в сборке одной из литографических систем этой марки, которую они изучали по частям с целью возможного копирования. Китайские источники утверждают, что Yuliangsheng, SMEE и Shanghai Aishengna Electronic Technology фактически используют плоды труда одной и той же группы инженеров. В прошлом году SMEE перевела разработку DUV-систем под крыло Yuliangsheng, чтобы сосредоточиться на создании более совершенного оборудования класса EUV. Считается, что китайская система SSX800, над созданием которой работают местные специалисты, примерно сопоставима по характеристикам с ASML Twinscan NXT:1950i, которую нидерландский производитель вывел на рынок ещё в 2008 году с целью выпуска 28-нм чипов. Родственная SSA800 на 70 % обеспечивалась компонентами китайского производства. Важные элементы этой системы типа источников лазерного излучения, зеркал, оптики и управляющего ПО всё равно приходится импортировать. По оценкам западных экспертов, китайское оборудование для выпуска 28-нм чипов всё равно на четыре поколения отстаёт от зарубежного, а потому обладает гораздо более низкой производительностью. Система SSA800 способна обрабатывать 150 кремниевых пластин в час, но уровень выхода годной продукции при этом далёк от целевых 90–95 %. В любом случае, для массового внедрения в производстве чипов данные китайские системы пока «сыроваты» и малочисленны. Samsung отмечает рост спроса на 2-нм и 1,4-нм продукцию, будет расширять профильные мощности
02.08.2026 [08:40],
Алексей Разин
По итогам квартальной отчётной конференции Samsung Electronics стало понятно, что в этом году компания собирается ввести в строй своё первое предприятие по контрактному выпуску передовых чипов в техасском Тейлоре, а также приступить к строительству второго завода по соседству. При этом Samsung отмечает рост спроса на 2-нм и 1,4-нм продукцию, а потому будет наращивать профильные производственные мощности. 
Источник изображения: Samsung Electronics Об этом со ссылкой на комментарии представителей Samsung сообщили на уходящей неделе южнокорейские СМИ. По их словам, темпы расширения мощностей по выпуску передовых чипов сейчас отстают от спроса на соответствующие услуги. Выпускать 2-нм чипы Samsung будет и в Техасе, и она собирается расширять производственные площади, ориентированные на оказание данных услуг. Растёт интерес клиентов и к 1,4-нм техпроцессу в исполнении Samsung, поэтому она рассматривает возможность пропорционального увеличения профильных производственных мощностей. Экспансия при этом будет осуществляться поэтапно и пропорционально наличию спроса, а не с его опережением. В 2026 году, тем временем, Samsung рассчитывает столкнуться с увеличением объёмов заказов на выпуск 2-нм продукции в два раза по сравнению с предыдущим годом. Попутно отмечается, что уровень загрузки производственных линий вырос по всем техпроцессам, а в сегменте технологий тоньше 8 нм наблюдается полная загрузка. Это позволяет не только увеличивать выручку, но и снижать удельные расходы на изготовление одного экземпляра продукции. Передовые техпроцессы должны формировать более половины выручки контрактного подразделения Samsung. Впрочем, у конкурирующей TSMC эта доля превышает 75 %, так что южнокорейскому производителю есть куда стремиться в этом отношении. Во втором полугодии доходность профильного бизнеса Samsung заметно улучшится, в ближайшем будущем он наконец-то должен избавиться от убытков. В этом году более 30 % выручки Samsung Foundry будет формироваться в сегменте ИИ и высокопроизводительных вычислений, тогда как в прошлом году эта доля не превышала 20 %. Зависимость компании от выпуска мобильных чипов снижается, в текущих условиях это благоприятная тенденция. LG научилась выпускать подложки для сверхплотных чипов без фотомасок — это должно резко удешевить производство
29.07.2026 [12:13],
Геннадий Детинич
Затруднения с дальнейшим уменьшением технологических норм производства чипов заставляют создавать интегрированные решения в виде сборки в одном корпусе нескольких кристаллов, часто совершенно разных. Это привело к росту спроса на интерпозеры и другие подложки, которые уже сами выглядят как чипы — с разводкой микронного масштаба и множеством сквозных контактов, а усложнение — это всегда немалые затраты. LG нашла способ сэкономить. 
Источник изображения: LG PRI Так, Исследовательский институт производственных технологий LG — LG Production Engineering Research Institute (LG PRI) — выпустил в продажу собственную установку лазерной прямой экспозиции LDI (Laser Direct Imaging). Это литограф для изготовления печатных плат и подложек, причём без использования фотомасок, что резко удешевляет производство продукции. Первые системы поставлены компании LG Innotek и зарубежному производителю печатных плат. Пока речь идёт о небольших объёмах. Ориентировочная цена одной установки составляет около $2 млн. В отличие от классического фотолитографического сканера с шаговым смещением экспозиции, оборудование LG не требует физической фотомаски. Встроенный мощный лазерный диод создаёт ультрафиолетовое излучение с длиной волны 405 нм, которое направляется на цифровое микрозеркальное устройство (DMD). Миллионы независимо управляемых микрозеркал формируют динамическое изображение схемы и проецируют его на слой фоторезиста. Система позволяет получать проводники и промежутки между ними размером примерно 1,5–3 мкм, чего достаточно для решения большинства задач в производстве. Главное преимущество технологии проявляется при изготовлении крупных подложек для передовой корпусировки процессоров и памяти HBM. Из-за изгиба или коробления такой подложки рисунок, проецируемый через физическую фотомаску, может смещаться. Система LG, напротив, использует технологию Real-Time Active Compensation (RTAC): оборудование измеряет деформацию заготовки и в реальном времени корректирует форму и положение экспонируемого рисунка. Это позволяет обрабатывать панели размером до 600 × 600 мм, включая печатные платы, кремниевые пластины и стеклянные подложки. Подчеркнём, что установка не предназначена для формирования нанометровых транзисторов и не является конкурентом EUV-сканеров компании ASML. Её область применения — формирование контактов и соединений на обратных сторонах кремниевых подложек, контактных площадок и микросоединений на интерпозерах. Например, LG рассчитывает применять оборудование для корпусировки типов FoCoS (Fan-Out Chip-on-Substrate) и CoPoS (Chip-on-Panel-on-Substrate). Отказ от фотомасок должен особенно заметно сократить стоимость и сроки при внесении изменений в проекты или выпуске сравнительно небольших серий специализированных или экспериментальных подложек. TSMC вышла на производство 20 000 кремниевых пластин в месяц согласно 2-нм техпроцессу N2
28.07.2026 [05:08],
Николай Хижняк
По информации тайваньского издания Money UDN, на которое ссылается портал TechPowerUp, компания TSMC достигла нового рубежа в масштабировании крупномасштабного выпуска микросхем по 2-нм техпроцессу. Теперь тайваньский производитель ежемесячно выпускает 20 000 кремниевых пластин согласно своему передовому техпроцессу N2. 
Источник изображения: TSMC Выпуск чипов с использованием техпроцесса N2 планируется на пяти заводах TSMC, однако в настоящий момент только один завод работает в режиме серийного производства N2. Речь идёт о Fab 20, на котором был достигнут показатель в 20 000 кремниевых пластин в месяц. TSMC сообщила о выходе на крупномасштабное производство по техпроцессу N2 в четвёртом квартале 2025 года. На сегодняшний день на техпроцесс 2 нм приходится всего 3 % выручки компании, на 3 нм — 30 %, а на 5 нм – 33 %. Недавно TSMC заявила, количество выпущенных микросхем по техпроцессу N2 в четыре раза превышает количество микросхем, выпущенных по предыдущему передовому техпроцессу 3 нм (N3). Благодаря технологии GAAFET, техпроцесс N2 от TSMC обеспечивает повышение производительности до 15 % при том же уровне энергопотребления или снижение энергопотребления до 30 % при той же частоте. Техпроцесс привлёк четырёхкратное увеличение числа клиентов, занимающихся разработкой микросхем, включая AMD с серверными процессорами EPYC Venice, Apple с чипами A20 Pro для серии iPhone 18 Pro и многих других. Хотя на техпроцесс N2 сейчас приходится лишь малая часть от общего объёма выпуска пластин и незначительный объём выручки компании, всё больше клиентов TSMC им интересуются. Intel недавно заявила об аналогичных показателях крупносерийного производства кремниевых пластин по её фирменному техпроцессу Intel 18A (близкий аналог N2 от TSMC). Компания вышла на производство около 30 000 пластин в месяц на двух своих площадках — заводе Fab 52 в Финиксе, штат Аризона, и ещё одном предприятии в Хилсборо, штат Орегон. TSMC производит микросхемы по техпроцессу N2 на литографических сканерах класса EUV с низким значением числовой апертуры (low-NA) от ASML, таких как TWINSCAN NXE:3800E. Недавно ASML заявила о планах поднять цены на оборудование для выпуска чипов, чем сильно разозлила TSMC. Китай наладил массовое производство собственных машин для выпуска 7-нм чипов — первые DUV-литографы выйдут уже в этом году
28.07.2026 [00:26],
Николай Хижняк
Неназванная государственная компания в Шанхае начала массовое производство установок для литографии в глубоком ультрафиолете (DUV) с иммерсионной технологией — первые поставки запланированы уже на этот год. Среди первых клиентов на такие установки называются китайские SMIC, Hua Hong Semiconductor и производитель памяти ChangXin Memory Technologies. Об этом сообщает The Information со ссылкой на два анонимных источника, близких к вопросу. 
Источник изображения: SMIC Сообщается, что в 2026 году планируется поставить пять DUV-установок, а в 2027 году — около 20. Все три обозначенные в качестве первых получателей таких установок компании входят в список китайских фирм, которым, согласно законопроекту, рассматриваемому в Конгрессе США, будет запрещено сотрудничество с нидерландской ASML в вопросе поставок передового оборудования для производства микросхем. Издание The Information не назвало китайского производителя DUV-установок, но источники сообщили, что эта компания переманивает разработчиков технологий DUV из нескольких китайских компаний, одной из которых является государственный стартап Shanghai Yuliangsheng Technology. SMIC тестирует установку для иммерсионной литографии Yuliangsheng с сентября 2025 года. Большинство компонентов в новых системах — отечественного производства, хотя некоторые критически важные детали по-прежнему поставляются из Японии, а задержки у местных поставщиков сдерживают объёмы производства в этом году. ASML планирует отгрузить около 130 иммерсионных систем в 2026 году, что соответствует показателям 2025 года, сообщил финансовый директор Роджер Дассен (Roger Dassen) аналитикам во время телефонной конференции по итогам июля. Он добавил, что ASML намерена «увеличить объёмы производства на 30 % в 2027 году» для иммерсионной технологии и изучает возможность увеличения объёмов ещё на 30 % в 2028 году. На Китай приходится около 20 % чистой выручки ASML в этом году, в основном за счёт спроса на логические микросхемы массового сегмента. Этот показатель ниже, чем был в 2025 году (33 % выручки). Иммерсионная технология DUV позволяет создавать элементы полупроводников по 28-нм техпроцессу за один цикл экспозиции и достигать 7 нм за счёт многократного нанесения рисунка, но с увеличением количества ошибок совмещения слоёв и снижением выхода годных изделий. Генеральный директор ASML Кристоф Фуке (Christophe Fouquet) сообщил в рамках той же отчётной конференции, что растущая интенсивность литографии при производстве DRAM частично отражает решение клиентов отказаться от многократного нанесения рисунка в пользу более дешёвой технологии EUV с однократной экспозицией. Как сообщает Tom's Hardware, независимый анализ, проведённый проектом AI Futures Project в июне, показал, что коммерческое внедрение иммерсионной DUV-литографии в Китае ожидается в середине 2030-х годов. При этом 98,7 % рынка иммерсионной литографии будут приходиться на ASML. Квалификация новых китайских машин для серийного производства может занять много месяцев, а по производительности и качеству сборки они уступают оборудованию ASML. Китайская разработка в области экстремальной ультрафиолетовой литографии (EUV), о рабочем прототипе которой издание Reuters впервые сообщило в декабре, пока ещё далека от практической реализации. Intel больше не сомневается в ангстремном техпроцессе 14A, и ускорит его освоение на год
24.07.2026 [09:43],
Алексей Разин
Как отмечают многие профильные СМИ, на минувшей квартальной отчётной конференции руководство Intel сменило риторику относительно перспектив внедрения передового техпроцесса 14A. Теперь оно не сомневается в целесообразности его освоения, и даже стремится начать выпуск серийной продукции с его помощью в 2028 году против первоначально заложенного в планы 2029 года. 
Источник изображения: Intel Напомним, что в прошлом году руководство Intel вполне серьёзно говорило о готовности отказаться от освоения техпроцесса 14A в случае отсутствия достаточного количества внешних заказчиков, которым бы он был нужен. На этой неделе генеральный директор компании Лип-Бу Тан (Lip-Bu Tan) заявил: «Я рад наблюдать растущую заинтересованность клиентов в Intel 14A, и всё больше уверен в том, что Intel 14A будет очень конкурентоспособным техпроцессом». На квартальном отчётном мероприятии представители Intel также пояснили, что опытное производство чипов по технологии 14A будет начато уже во второй половине 2027 года, а массовое начнётся в 2028 году. Глава Intel также отметил, что освоение 14A идёт с опережением первоначального весьма жёсткого графика с точки зрения как плотности размещения транзисторов, так и их быстродействия. Инструментарий разработчиков PDK 0.5 уже готов, а версия 0.9 будет выпущена к октябрю текущего года. Это означает, что клиенты Intel смогут приступить к проектированию своих продуктов, которые планируется выпускать по технологии 14A, уже осенью этого года. Конкурирующая TSMC выпуск чипов по сопоставимой технологии A14 начнёт в 2028 году, но уже в 2029 году освоит техпроцессы A13 и A12. Южнокорейская Samsung техпроцесс SF1.4 начнёт применять в массовом производстве не ранее 2029 года. Окажутся ли в числе клиентов Intel на направлении техпроцесса 14A компании Tesla и Apple, представители процессорного гиганта комментировать не стали. Правда, Илон Маск (Elon Musk) ранее уже заявлял, что SpaceX и Tesla на своём строящемся совместном предприятии Terafab намерены использовать именно технологию Intel 14A. Более зрелые техпроцессы компания также осваивает довольно успешно. Во втором квартале уровень выхода годной продукции и её объёмы выпуска в рамках технологии Intel 18A превзошли ожидания руководства компании. Лип-Бу Тан добавил, что объёмы выпуска продукции по технологии Intel 18A во втором квартале прирастали каждый месяц, а ещё было запущено опытное производство чипов по более продвинутой технологии Intel 18A-P. По некоторым оценкам, себестоимость выпуска процессоров семейства Panther Lake с начала года сократилась на 50 % именно благодаря росту уровня качества продукции, производимой по технологии Intel 18A, а до конца года она сократится ещё на 20 %. Улучшение показателей продолжится и в следующем году. По мнению финансового директора Дэвида Зинснера (David Zinsner), прибыльность процессоров Panther Lake из-за этой тенденции окажется выше средней величины по компании. Китайцы в сто раз ускорили производство фотонных чипов методом ионно-лучевой литографии
21.07.2026 [13:02],
Геннадий Детинич
Ионно-лучевая литография во многом превосходит классическую фотолитографию, включая возможность выпускать чипы с намного меньшими технологически нормами, но серьёзно уступает ей в одном — в скорости производственных операций. Китайцы, если верить свежим новостям, смогли в сотни раз ускорить обработку кремниевых пластин с помощью ионно-лучевой литографии, особенно продвинувшись в сфере фотонных чипов. 
Источник изображения: ИИ-генерация ChatGPT/3DNews Так, китайские физики разработали способ масштабного формирования трёхмерных элементов фотонных чипов, который сокращает основной этап их изготовления с нескольких часов до десятков секунд. Метод создан в Институте физики (Institute of Physics) Китайской академии наук (CAS) совместно с Гонконгским университетом (University of Hong Kong) и другими научными организациями. В своей работе, опубликованной в престижном журнале Advanced Materials, авторы продемонстрировали как одновременную обработку 10-см (4-дюймовой) пластины целиком за один проход, так и преобразование изначально плоских наноструктур по всей её поверхности. При этом была обеспечена однородность изгибов более чем для 97 % изготовленных таким образом наноэлементов — это открывает путь к массовому промышленному производству. Технология получила название «оригами, индуцированное ионным пучком». Сначала методами электронной литографии на мембранах из нитрида кремния были сформированы плоские заготовки, покрытые слоем золота. Затем пластину целиком облучали широким параллельным пучком ионов аргона. Ионы создавали в приповерхностном слое дефекты и внутренние механические напряжения, из-за которых заранее подготовленные элементы синхронно изгибались и превращались в заданные трёхмерные конструкции. В опытах использовались двухслойные элементы с толщиной каждого слоя около 50 нм, а заметное формирование массивов происходило примерно за 20 секунд. В обычном варианте ионно-лучевой литографии сфокусированный ионный пучок обрабатывает структуры последовательно, практически точка за точкой: даже участок размером около 100 × 100 мкм может потребовать не менее семи минут, а обработка крупных массивов — несколько часов. Китайские учёные использовали широкий пучок, который параллельно воздействовал на все элементы на пластине, поэтому время преобразования уменьшилось более чем в сто раз и почти не зависело от количества одинаковых элементов на пластине. Следует обратить внимание, что речь идёт об ускорении лишь одного из этапов изготовления фотонного чипа, тогда как полный цикл его производства займёт существенно больше времени, чем десятки секунд, требующиеся для выполнения продемонстрированной операции. 
Источник изображения: Advanced Materials 2026 Для проверки технологии учёные изготовили два типа устройств. Во-первых, трёхмерную хиральную метаповерхность для задач круговой поляризации света, которая показала круговой дихроизм 0,8 на длине волны 3,41 мкм, то есть очень хорошо различала левую и правую круговую поляризацию света. Во-вторых, была создана изгибаемая плазмонная решётка: при изменении её кривизны резонанс можно было перестраивать более чем на 150 нм в видимой области спектра. Такие структуры потенциально применимы в поляризационных датчиках, спектральных фильтрах, оптических сетях связи и интегрированных фотонных схемах. В дальнейшем учёные оценят промышленную пригодность метода, изучив уровень брака, долговечность схем и себестоимость техпроцессов. |
© 1997—2026 Электронное периодическое издание "3ДНьюс" | Свидетельство о регистрации СМИ Эл ФС 77-22224
выдано Федеральной Службой по надзору за соблюдением законодательства в сфере массовых коммуникаций и охране культурного наследия
При цитировании документа ссылка на сайт с указанием автора обязательна. Полное заимствование документа является
нарушением
российского и международного законодательства и возможно только с согласия редакции 3DNews.
MWC 2018
2018
Computex
IFA 2018
