Тема соответствия продукции Samsung требованиям Nvidia к микросхемам памяти типов HBM3 и HBM3E не сходит с новостных лент, и новые данные говорят о том, что первый тип памяти уже получил одобрение заказчика, а второй должен сделать это в течение ближайших четырёх месяцев. Впрочем, существует риск, что это долгожданное событие произойдёт уже в 2025 году.

Источник изображения: Samsung Electronics

О злоключениях Samsung Electronics в этой сфере с новыми силами рассказывает агентство Bloomberg. По данным информированных источников, Samsung уже получила одобрение Nvidia на использование своих микросхем типа HBM3 в продукции данного разработчика графических процессоров, и первым изделием с таким сочетанием компонентов может стать ускоритель вычислений H20, созданный специально для китайского рынка с учётом действующих американских санкций.

Что касается более современных микросхем памяти HBM3E в исполнении Samsung, то их компания надеется сертифицировать по требованиям Nvidia либо через два, либо через четыре месяца — в зависимости от исполнительской дисциплины задействованных сотрудников и везения. К концу года Samsung хотела бы наладить поставки микросхем HBM3E для нужд Nvidia. Если же всё пойдёт не по плану, то благословенный момент может передвинуться на 2025 год.

Как известно, более мелкая компания SK hynix не только опережает Samsung по темпам вывода на рынок новых видов памяти семейства HBM, но и контролирует более половины мирового рынка таких микросхем. Аналитики Morgan Stanley полагают, что в случае успеха с сертификацией своей памяти под требования Nvidia компания Samsung уже в следующем году займёт не менее 10 % мирового рынка, и это позволит ей заметно нарастить выручку. Эксперты ожидают, что ёмкость мирового рынка HBM с прошлогодних $4 млрд к 2027 году вырастет до $71 млрд. Даже если Samsung немного отстаёт от конкурентов сейчас, имеющиеся в её распоряжении производственные мощности позволят быстро наверстать упущенное и найти себе достойное место на рынке.

Некоторые источники считают, что до сих пор Samsung подводило принятое ранее решение использовать для соединения слоёв памяти в стеке по методу TC-NCF с тепловой компрессией непроводящей плёнки. SK hynix использует другой метод, и её доля на рынке HBM не позволяет сомневаться в его эффективности. При этом Samsung не сомневается в востребованности метода TC-NCF на рынке и не демонстрирует готовности модифицировать технологию объединения слоёв памяти в стеке. И всё же, источники утверждают, что ради получения одобрения от Nvidia южнокорейский гигант пошёл на модификацию технологии выпуска HBM3. Производством памяти этого типа компания занимается со второй половины прошлого года.

HBM3E впервые начала использоваться Nvidia в этом году, причём сейчас она получает эти микросхемы только от SK hynix. В следующем году HBM3E будет пользоваться значительно большим спросом, и SK hynix оперативно удовлетворить потребности рынка просто не сможет, даже если сдержит обещание увеличить объёмы выпуска HBM3E в четыре раза. Micron Technology также успела получить одобрение на использование своих микросхем HBM3E в продукции Nvidia, поэтому на очереди осталась лишь Samsung. Компания прилагает усилия к завершению сертификации как 8-слойных, так и 12-слойных микросхем этого типа по требованиям Nvidia.

История с попытками Samsung наладить поставки своей памяти HBM3E для нужд Nvidia уходит своими корнями в первый квартал этого года, поскольку в СМИ начала курсировать фотография со стенда корейского производителя, где рядом с 12-ярусным чипом HBM3E данной марки фигурировал автограф основателя Nvidia. Тем не менее, микросхемы типа HBM3 она начнёт получать от Samsung не ранее августа.

Источник изображения: Samsung Electronics

Об этом сообщает агентство Reuters со ссылкой на свои источники, добавляя, что пока Nvidia якобы одобрила чипы HBM3 производства Samsung для использования только в составе ускорителей H20 для китайского рынка, которые не являются массовой продукцией в масштабах мировых поставок. Значит ли это, что памяти HBM3 производства Samsung, не говоря уже о HBM3E, потребуется дополнительное время для сертификации под использование в других продуктах Nvidia, понять сложно. Отмечается, что для выпуска H20 корейский поставщик начнёт снабжать Nvidia микросхемами HBM3 в августе текущего года.

В конце весны возникали слухи, что память HBM3E производства Samsung не может пройти сертификацию под требования Nvidia из-за своего высокого энергопотребления, но корейский производитель в дальнейшем выступил с опровержением этой информации. В начале июня глава Nvidia заявил, что память HBM3E марки Samsung требует доработки. Являясь крупнейшим производителем микросхем памяти в целом, Samsung сильно отстаёт от более мелких конкурентов в сегменте HBM. В результате SK hynix способна претендовать на половину этого рынка, тогда как американская Micron Technology свои микросхемы HBM3E тоже сертифицировала под требования Nvidia и сотрудничает с этой компанией. Samsung в этом смысле оказалась в числе отстающих. SK hynix своими микросхемами HBM3 компанию Nvidia снабжает с июня 2022 года, в марте этого она приступила к поставкам HBM3E для нужд этого американского клиента.

На уходящей неделе агентство Reuters сообщило, что по состоянию на апрель этого года микросхемы HBM3 и HBM3E производства Samsung Electronics так и не смогли пройти квалификационные тесты Nvidia, и в результате данная продукция корейской марки до сих пор не может использоваться для оснащения ускорителей вычислений американского партнёра. Samsung данную информацию попыталась опровергнуть.

Источник изображения: Samsung Electronics

Сделано это было, если опираться на публикацию Business Korea, в весьма неопределённых формулировках. «Мы в настоящее время тесно работаем с многими компаниями и непрерывно тестируем технологии и производительность продукции. Мы проводим различные тесты, чтобы тщательно подтверждать качество и быстродействие HBM», — гласило заявление представителей Samsung Electronics. Компания подчеркнула, что стремится улучшать качество и надёжность всей продукции, чтобы обеспечить клиентов наилучшими решениями.

Поскольку HBM3E или даже HBM3, а также имя Nvidia в этом контексте непосредственно не упоминались, по заявлениям Samsung сложно сформировать представление об истинном положении дел с сертификацией данных типов памяти для нужд американского клиента. В прошлом месяце Samsung приступила к массовому производству 8-ярусных стеков HBM3E, к производству 12-ярусных она намеревается приступить до конца текущего квартала. «Мы предпринимаем усилия по обеспечению качества и повышения надёжности всех своих продуктов», — отметили представители Samsung Electronics.

До сих пор перспективы сотрудничества Nvidia и Samsung в сфере использования памяти типа HBM3 или HBM3E в основном обсуждались на уровне слухов, но основатель первой из них, Дженсен Хуанг (Jensen Huang), на недавней пресс-конференции подчеркнул, что Nvidia готова сотрудничать как с SK hynix, так и с Samsung, и сейчас проводит сертификацию памяти последней.

Источник изображения: Samsung Electronics

По данным Nikkei Asian Review, Дженсен Хуанг пояснил, что HBM является очень сложным в производстве видом памяти, но её ценность высока. По его словам, Nvidia тратит много денег на закупку HBM. «Samsung является очень, очень хорошей компанией», — высказался основатель Nvidia. Микросхемы класса HBM этой марки, по его словам, Nvidia уже подвергает сертификации, и в будущем начнёт их использовать. До этого SK hynix была основным поставщиком современных типов памяти HBM для нужд Nvidia, как уже не раз отмечалось.

Назвав микросхемы HBM «технологическим чудом», глава Nvidia пояснил, что они позволяют улучшить энергоэффективность центров обработки данных, потребляя меньше электроэнергии в удельном выражении по сравнению с классической DRAM. Представители SK hynix подтвердили, что микросхемы HBM3E этой марки будут использоваться при оснащении ускорителей вычислений Nvidia семейства Blackwell. Производство HBM3E компания SK hynix уже освоила, и к поставкам профильных изделий приступит в ближайшее время.

«Есть невероятный потенциал модернизации для Samsung и SK hynix», — заявил глава Nvidia. Обе компании будут расти синхронно с бизнесом самой Nvidia, по его словам. Сотрудничеством с Samsung и SK hynix Дженсен Хуанг очень дорожит, как он признался на пресс-конференции.

Доминирующее положение SK hynix на рынке памяти HBM не даёт покоя Samsung Electronics, которая в целом является крупнейшим производителем микросхем памяти. По некоторым данным, Samsung готова последовать примеру конкурента, переняв у него одну из технологий, применяемых при упаковке микросхем HBM3 и HBM3E, чтобы добиться благосклонности Nvidia и увеличить объёмы поставок своей продукции для нужд этого клиента.

Источник изображения: SK hynix

Как сообщает Reuters, в текущем году SK hynix будет контролировать более 80 % поставок памяти класса HBM3 и HBM3E для нужд Nvidia, и это с учётом способности Micron наладить поставки своих микросхем HBM3E для ускорителей Nvidia H200 заставляет Samsung Electronics сильно нервничать. Как и SK hynix, компания Samsung уже способна создавать 12-слойные стеки HBM3E, но первая с 2021 года применяет технологию массовой оплавки с частичным заполнением формы (MUF) для создания изолирующих слоёв между кристаллами памяти в стеке, тогда как Samsung до сих пор полагалась на использование термокомпрессионной непроводящей плёнки (NCF), обеспечивающей худшие условия теплоотвода.

Кроме того, на конвейере SK hynix уровень выхода годных чипов HBM3 колеблется в пределах 60–70 %, как считают некоторые эксперты, а у Samsung он едва достигает 10–20 %, поэтому последняя заинтересована в улучшении технологии производства микросхем памяти этого типа. Для этого она собирается перейти на использование метода MUF для изоляции кристаллов памяти в стеке, пусть и постепенно. Компания закупает необходимое оборудование и расходные материалы, но к массовому выпуску памяти по технологии MUF будет готова только к следующему году. Предполагается, что сейчас и на протяжении некоторого времени в дальнейшем Samsung будет комбинировать на своих предприятиях технологии NCF и MUF. По крайней мере, официально Samsung считает технологию NCF оптимальным решением для выпуска чипов памяти HBM3E.

Как отмечают аналитики TrendForce, память типа HBM3 для нужд Nvidia компания Samsung поставляет с конца прошлого года, но в текущем квартале ей удалось стать поставщиком данных микросхем для ускорителей AMD Instinct MI300, поэтому дальнейшая экспансия бизнеса Samsung в этой сфере не будет зависеть исключительно от Nvidia. В текущем году также ожидается планомерное увеличение рыночной доли памяти типа HBM3E, в этом случае Samsung свою продукцию такого типа сертифицирует к концу текущего квартала, почти догнав основных конкурентов в лице SK hynix и Micron. Последняя свои микросхемы HBM3E начнёт поставлять Nvidia как раз в конце этого квартала, лишь слегка опередив Samsung. Корейский гигант сможет значительно укрепить свои позиции в сегменте HBM3E к концу этого года, как считают представители TrendForce.

Пока SK hynix удаётся удерживать статус основного поставщика микросхем HBM3 для компании NVIDIA, которая оснащает ею свои востребованные на рынке ускорители вычислений. Несмотря на планы SK hynix в текущем году удвоить объёмы выпуска памяти HBM, вся производственная программа на 2024 год уже распродана, как признаёт руководство компании.

Источник изображения: SK hynix

Соответствующие заявления сделал на страницах ресурса Korea IT Times вице-президент SK hynix по продажам и маркетингу Ким Ги Тхэ (Kim Ki-Tae). По его словам, компания была пионером в производстве HBM, предвидев развитие тех сегментов рынка, которые нуждаются в скоростной памяти, но и в этом году она сделает всё возможное для защиты своих лидирующих позиций. Разработка, выпуск и продажи HBM теперь курируются в составе SK hynix специальным подразделением, работу которого курирует как раз Ким Ги Тхэ. По его словам, спросом в текущем году будет пользоваться не только HBM3E, но и оперативная память типов DDR5 и LPDDR5T.

Все производственные квоты на выпуск HBM компания уже распродала до конца текущего года, и уже сейчас готовится к выполнению заказов в 2025 году, рассчитывая сохранить за собой лидирующие позиции на рынке и в следующем году. По прогнозам аналитиков, операционная прибыль SK hynix в этом году достигнет $7,5 млрд. На фоне прошлогодней выручки в размере $24,5 млрд это будет весьма достойным результатом, особенно с учётом необходимости нести расходы на кратное увеличение объёмов выпуска памяти типа HBM.

Квартальная отчётность SK hynix показала, что за предыдущие три месяца эта южнокорейская компания в пять с лишним раз увеличила объёмы выпуска памяти типа HBM, которая в своих различных разновидностях востребована в сегменте ускорителей вычислений для систем искусственного интеллекта. В текущем году SK hynix собирается увеличить объёмы производства HBM как минимум в два раза.

Источник изображения: SK hynix

Об этом руководство SK hynix, как сообщает Business Korea, заявило после объявления итогов четвёртого квартала. В текущем году компания планирует более чем в два раза увеличить объёмы производства микросхем типа HBM по сравнению с прошлым годом. По оценкам аналитиков, по итогам текущего года операционная прибыль превысит $7,5 млрд, во многом благодаря высокому спросу на ускорители вычислений, которые используют память типа HBM. Если учесть, что за весь прошлый год компания выручила $24,5 млрд, то операционная прибыль в размере более $7,5 млрд в текущем году стала бы весьма достойным результатом. Прошлый квартал SK hynix впервые за четыре предыдущих периода завершила с операционной прибылью, но её величина не превысила $259 млн.

Руководство SK hynix убеждено, что бум систем искусственного интеллекта позволит рынку памяти вырасти сильнее, чем это случилось в 2018 году. В текущем году рынок памяти точно будет расти, как убеждены представители компании. Ещё в прошлом квартале некоторые клиенты SK hynix начали увеличивать объёмы заказов, ожидая дальнейшего роста цен на память и рассчитывая приобрести их на более привлекательных условиях сейчас. Характерно, что в сегменте ПК и смартфонов спрос на память тоже начал расти. Уже в текущем полугодии спрос и предложение на рынке DRAM достигнут равновесия, по мнению руководства SK hynix, а на рынке NAND данное состояние будет достигнуто во втором полугодии.

Рекорд по операционной прибыли SK hynix установила в 2018 году, получив более $15 млрд за период. Ожидается, что в текущем году компания получит операционную прибыль в размере $7,5 млрд, а по итогам следующего она увеличится до $11,2 млрд. В предвкушении подобной динамики SK hynix и собирается увеличить объёмы выпуска памяти типа HBM более чем в два раза в текущем году. Конкурирующая Samsung Electronics, к слову, намерена сделать примерно то же самое.

В прошлом месяце SK hynix удалось стать второй по капитализации компанией из Южной Кореи, во многом благодаря высокому спросу на память типа HBM3, которой она снабжает ускорители вычислений NVIDIA для систем искусственного интеллекта. Данный фактор также способствовал завершению компанией SK hynix прошлого квартала с операционной прибылью впервые более чем за год.

Источник изображения: SK hynix

Как известно, прошлый год был для рынка памяти в целом очень тяжёлым, но сегмент HBM выделялся на этом фоне весьма выгодной для производителей конъюнктурой. Micron и Samsung стремятся получить место в цепочке поставщиков памяти типа HBM для нужд NVIDIA, но пока SK hynix в нём присутствовала единолично, она неплохо зарабатывала. Четыре предшествующих квартала для компании были убыточными, но в прошлом она получила операционную прибыль в размере $259 млн, но это всё равно не уберегло компанию от чистых убытков в размере $1 млрд. Выручка SK hynix в годовом сравнении по итогам четвёртого квартала выросла на 47 % до $8,5 млрд. По итогам всего года выручка компании достигла $24,5 млрд. Тем не менее, в прошлом квартале норма прибыли была отрицательной (-12 %), а по итогам всего года она достигала -28 %. Чистые убытки SK hynix по итогам года составили $6,84 млрд.

В прошлом квартале SK hynix смогла увеличить поставки DDR5 более чем в четыре раза, а поставки HBM3 выросли в пять с лишним раз. В текущем году компания рассчитывает приступить к массовому производству HBM3E и продолжить разработку памяти типа HBM4. Пока NVIDIA сохраняет за собой доминирующее положение в сегменте ускорителей вычислений, SK hynix сможет до конца текущего полугодия пользоваться своим преимуществом на этом рынке. В серверном сегменте будут наращиваться поставки DDR5, а мобильный сегмент воспользуется памятью типа LPDDR5 этой марки. Первому также будут предназначены модули памяти типа MCRDIMM повышенной ёмкости, а в мобильном сегменте будет внедряться формфактор LPCAMM2. Выпуск микросхем типа DDR5 и LPDDR5 по технологиям 10-нм класса будет налажен на китайском предприятии SK hynix в Уси.

В сегменте NAND, в котором восстановление идёт очень медленно, SK hynix собирается сосредоточиться на накопителях премиального класса. В текущем году приоритетом для компании станет стабильность и ограничение роста капитальных затрат, хотя на приоритетных направлениях развития экономить не планируется. Цены на флеш-память уже начали расти в прошлом квартале, а ситуация со складскими запасами должна нормализоваться в следующем полугодии. В случае с памятью DRAM нормализация будет достигнута в первой половине текущего года. Если стратегически важные направления бизнеса будут подкрепляться растущими капитальными затратами, то выпуск устаревающей продукции будет сокращаться. Спрос на DRAM и NAND в текущем году, по мнению представителей SK hynix, вырастет на 15–19 %.

Аналитики TrendForce уже предрекали, что в натуральном выражении поставки памяти типа HBM вырастут более чем вдвое в текущем году. В свою очередь, представители Gartner ориентируются на денежный оборот этого сегмента рынка, и считают, что он удвоится в следующем году. Это будет означать, что выручка производителей памяти типа HBM вырастет с 2 до 4,98 млрд долларов — почти в два с половиной раза, если сравнивать с уровнем прошлого года.

Источник изображения: AMD

Данный прогноз опубликовало тайваньское издание Business Times со ссылкой на данные Gartner. Уже в этом году на рынке появятся ускорители вычислений, использующие память типа HBM3e: компания NVIDIA представит H200 и B100, а компания AMD выведет на рынок ускорители Instinct MI300X. Поставщики памяти типа HBM3e уже готовы начать снабжать ею своих клиентов со второго квартала текущего года.

Бурное развитие рынка и хорошая прибыль помогут Samsung Electronics и Micron Technology отыграть часть позиций в сегменте HBM у компании SK hynix, которая на правах старожила занимает доминирующее положение. Расширение конкуренции будет способствовать не только наращиванию объёмов поставок, но и снижению цен.

Тайваньские производители в изготовлении HBM пока готовы участвовать опосредованно, хотя та же Nanya и имеет опыт выпуска такой памяти. Поставщик оборудования Licheng собирается наладить выпуск решений для тестирования и упаковки стеков памяти типа HBM, уже к концу текущего года соответствующее оборудование начнёт производиться. Компания Creative сотрудничает с TSMC и SK hynix с целью применения интерфейса GLink-2.5D, разработанного ею, при производстве микросхем памяти типа HBM3 в упаковке CoWoS. Интересуются сопутствующими технологиями и более мелкие компании.

До сих пор единственным поставщиком микросхем HBM3 для нужд NVIDIA оставалась южнокорейская компания SK hynix, но в случае с HBM3e конкурирующая Micron Technology начала снабжать NVIDIA образцами своей продукции к концу июля, поэтому борьба за место на рынке в этом сегменте памяти будет ожесточённой. К 2026 году на рынок будет готова выйти память типа HBM4, которая годом позднее увеличит количество слоёв с 12 до 16 штук.

Источник изображения: SK hynix

Ближайшая перспектива в эволюции памяти типа HBM3e, как поясняет TrendForce — это выход 8-слойных микросхем, которые к первому кварталу следующего года должны пройти сертификацию NVIDIA и прочих клиентов, а затем перейти в фазу серийного производства. Micron Technology в этой сфере слегка опережает SK hynix, предоставив свои образцы для тестирования на пару недель раньше, а вот Samsung успела сделать это только к началу октября. Память типа HBM3e способна обеспечить скорость передачи информации от 8 до 9,2 Гбит/с, восьмислойные микросхемы объёмом 24 Гбайт будут выпускаться по техпроцессам класса 1-альфа (Samsung) или 1-бета (SK hynix и Micron). Их серийное производство к середине следующего года наладят все три компании, но две последних рассчитывают это сделать к началу второго квартала.

Во многом этот график будет определять ритмичность выхода новых ускорителей вычислений NVIDIA. В следующем году компания наладит поставки ускорителей H200 с шестью микросхемами HBM3e, до конца того же года выйдут ускорители B100 уже с восемью микросхемами HBM3e. Попутно будут выпускаться гибридные решения с центральными процессорами с Arm-совместимой архитектурой, именуемые GH200 и GB200.

Источник изображения: TrendForce

Конкурирующая компания AMD, по данным TrendForce, в 2024 году сосредоточится на использовании памяти типа HBM3 в семействе ускорителей Instinct MI300, а переход на HBM3e прибережёт для более поздних Instinct MI350. Тестирование памяти на совместимость в этом случае начнётся во второй половине 2024 года, а фактические поставки микросхем HBM3e для AMD стартуют не ранее первого квартала 2025 года.

Представленные во второй половине прошлого года ускорители Intel Habana Gaudi 2 ограничиваются использованием шести стеков HBM2e, преемники серии Gaudi 3 к середине следующего года увеличат количество стеков до 8 штук, но останутся верны использованию микросхем HBM2e.

Память типа HBM4 будет представлена только в 2026 году, она предложит использование 12-нм подложки, которая будет изготавливаться контрактными производителями. Количество слоёв в одном стеке памяти будет варьироваться между 12 и 16 штуками, причём микросхемы последнего типа появятся на рынке не ранее 2027 года. Впрочем, Samsung Electronics демонстрирует намерения представить HBM4 уже в 2025 году, наверстав упущенное по сравнению с предыдущими поколениями микросхем памяти этого класса.

В ближайшие годы сформируется и тренд на индивидуализацию дизайна решений с использованием памяти типа HBM. В частности, некоторые разработчики рассматривают возможность интеграции чипов такой памяти непосредственно на кристаллы с вычислительными ядрами. По крайней мере, NVIDIA подобные намерения уже приписываются, и именно в отношении микросхем типа HBM4.

Преобладание негативных тенденций в финансовой отчётности Samsung, сильно зависящей от состояния рынка памяти, не помешало инвесторам найти поводы для оптимизма. По крайней мере, операционная прибыль компании в прошлом квартале превзошла ожидания аналитиков, в два раза они ошиблись и с прогнозом по степени снижения чистой прибыли.

Источник изображения: Samsung Electronics

Как поясняет Bloomberg, аналитики в среднем ожидали получения компанией Samsung Electronics чистой прибыли в $1,86 млрд по итогам минувшего квартала, но фактически она достигла $4,1 млрд, хотя при этом и снизилась на 40 % в годовом сравнении. В прошлом квартале чистая прибыль компании сокращалась на 86 %, поэтому снижение темпов падения показателя можно считать определённым успехом.

Операционная прибыль сократилась за год на 77,6 % до $1,8 млрд, но всё равно оказалась выше ожиданий рынка. Зато в последовательном сравнении операционная прибыль компании выросла на 262,6 %. Совокупная выручка Samsung в прошлом квартале приблизилась к $50 млрд, лишь чуть-чуть не оправдав прогнозов аналитиков. В годовом сравнении выручка компании упала на 12,2 %. Собственные прогнозы по выручке и операционной прибыли, которые были названы в текущем месяце, Samsung Electronics даже слегка превзошла.

В текущем квартале уверенности Samsung в дальнейшем улучшении ситуации на рынке памяти добавляют стабилизация спроса и снижение темпов инфляции, а также выход новых продуктов в исполнении её клиентов, особенно в сегменте ПК и смартфонов. Помимо выхода новинок, спрос на память в этом квартале должны подогревать системы искусственного интеллекта.

Располагая самыми крупными производственными мощностями в мире, Samsung рассчитывает заработать на увеличении объёмов выпуска памяти типа HBM3 и HBM3E, которая сейчас востребована в сегменте систем искусственного интеллекта. По прогнозам сторонних аналитиков, в текущем квартале Samsung всё же будет допущена к поставкам памяти типа HBM3 для нужд компании NVIDIA, тогда как до этого потребности последней тщетно пыталась удовлетворить лишь SK hynix. С середины следующего года, по некоторым оценкам, Samsung начнёт снабжать памятью типа HBM3P ускорители вычислений следующего поколения. В четвёртом квартале, как ожидает Samsung, цены на память будут расти, а спрос на неё будет восстанавливаться ещё быстрее, чем в предыдущем. По мнению руководства корейской компании, отрасль достигла дна, и спрос на память начинает восстанавливаться в сегменте ПК и смартфонов. При этом в текущем году придётся и дальше сокращать объёмы выпуска памяти, но это в большей степени относится к микросхемам типа NAND. Помимо HBM3, компания будет увеличивать объёмы производства памяти типа DDR5.

На полупроводниковом направлении Samsung последовательно сократила операционные убытки с 3,26 до 2,8 млрд долларов. Начало выпуска смартфонов Apple iPhone 15, как предполагается, существенно увеличило доходы Samsung в сегменте панелей для экранов мобильных устройств.

Прибыль Samsung от реализации мобильных устройств выросла до $2,4 млрд, но по сравнению с прошлым годом изменилась незначительно. Особой популярностью пользовались флагманские модели серии Galaxy S23 и складные смартфоны марки. В мобильном сегменте спрос должен стабилизироваться в следующем году, по прогнозам руководства Samsung, объёмы поставок вырастут на двузначное количество процентов.

В текущем году Samsung увеличит капитальные расходы незначительно, до $39,7 млрд, но и эта сумма будет для компании рекордной. Из них примерно $35,1 млрд будут предназначены полупроводниковому сектору бизнеса. Приоритет будет отдан наращиванию производства микросхем памяти с высокой плотностью типа той же HBM3. В следующем году профильные производственные мощности планируется увеличить в два с половиной раза, как минимум. Представители Samsung на отчётном мероприятии выразили надежду, что NVIDIA не будет в дальнейшем полагаться на единственного поставщика памяти типа HBM3, коим остаётся конкурирующая SK hynix. После публикации отчётности акции Samsung начали было расти в цене, но потом упали на 0,3 %.

Компания Samsung приступила к поставкам опытных образцов микросхем высокопроизводительной памяти HBM3E пятого поколения с кодовым названием Shinebolt, сообщает южнокорейское издание Business Korea. На фоне продолжающегося роста спроса на высокопроизводительное аппаратное обеспечение для задач, связанных с искусственным интеллектом, данный вид памяти становится более актуальным по сравнению с обычной DRAM.

Источник изображения: Wccftech

По словам производителя, новые чипы памяти HBM3E предлагают возросшую примерно на 50 % пропускную способность по сравнению с решениями Samsung предыдущего поколения. Опытные образцы Samsung обладают восьмиярусной компоновкой из 24-гигабитных микросхем. Сообщается, что производитель также завершает разработку 12-ярусных чипов памяти HBM3E ёмкостью 36 Гбайт.

Первые тесты показывают, что память Samsung HBM3E с кодовым именем Shinebolt обеспечивает пропускную способность на уровне 1,228 Тбайт/с, что выше показателя тех же чипов HBM3E от компании SK hynix, являющейся лидером в данной области.

Для производства памяти HBM компания Samsung последовательно применяет метод с использованием термокомпрессионной непроводящей пленки (TC-NCF). В свою очередь SK hynix для производства своих микросхем памяти HBM использует более передовой подход Advanced Mass Reflow Molded Underfill (MR-MUF), представляющий собой метод объединения нескольких чипов памяти на одной подложке посредством спайки.

По данным Business Korea, Samsung также продолжает исследовать более передовые процессы сборки стеков памяти HBM с использованием гибридной спайки.

Южнокорейской компании SK hynix придётся отстаивать титул производителя самой быстрой в мире памяти типа HBM3E, поскольку этим летом компания Micron Technology объявила о разработке аналогичных микросхем со скоростью передачи информации более 1,2 Тбайт/с. Как поясняют представители американского производителя, образцы HBM3E этой марки сейчас проходят тестирование силами клиентов, а выручку от поставок серийных микросхем компания начнёт получать в следующем году.

Источник изображения: Micron Technology

По имеющимся данным, память типа HBM3E в исполнении Micron обладает восьмиярусной компоновкой и объёмом 24 Гбайт на стек, при этом она выпускается по технологии 1β и обладает выдающимися показателями энергоэффективности. Во всяком случае, при том уровне быстродействия, что предлагает эта память в исполнении Micron, по словам представителей компании, она настолько экономичнее предложений конкурентов, что некоторые из получивших образцы клиентов просто не верят полученным ими результатам тестирования. Коммерческие поставки этих микросхем Micron начнёт в следующем году, а сейчас проводит процедуру сертификации этой продукции на соответствие требованиям NVIDIA.

Если учесть, что память типа HBM (обобщённо) марки Samsung должна получить доступ к производственной инфраструктуре NVIDIA в этом году, то в следующем её поставщиками станут все три крупнейших производителя, включая Micron и SK hynix. Последняя в этом смысле является «старожилом» сегмента, но высокий спрос на ускорители NVIDIA явно обеспечит рынком сбыта продукцию конкурентов SK hynix. Едва выйдя на рынок памяти типа HBM3E, компания Micron уже в следующем году ожидает выручить от её реализации несколько сотен миллионов долларов США. Динамичное развитие этого сегмента рынка позволит Micron компенсировать слабый спрос на других направлениях. В следующем году компания вложит серьёзные средства в создание производственных линий по выпуску и упаковке микросхем HBM3E. Объёмы выпуска начнут наращиваться в начале следующего календарного года, и к концу августа выручка от реализации HBM3E уже достигнет значимых величин — тех самых сотен миллионов долларов США, по всей видимости.

Обнаруженная в составе новейшего смартфона работающей под санкциями США компании Huawei память марки SK hynix появилась там против воли самого южнокорейского производителя, но данный факт сам по себе прервал рост курса акций компании, которые укрепились в цене с начала года на 60 % из-за увлечения инвесторов идеями повсеместного распространения технологий искусственного интеллекта.

Источник изображения: SK hynix

Как известно, до недавних пор SK hynix оставалась единственным поставщиком памяти типа HBM3 для ускорителей вычислений NVIDIA, спрос на которые, по данным руководства TSMC, в этом году вырос в три раза. Инвесторы справедливо рассуждали, что и SK hynix что-нибудь да перепадёт с хлебосольного стола NVIDIA. Недавно стало известно, что в ряды поставщиков HBM3 для нужд последней из компаний с октября попадёт и Samsung Electronics.

Тем не менее, коррекцию курса акций SK hynix вызвал именно скандал со смартфоном Huawei Mate 60 Pro, внутри которого обнаружилась память этой корейской марки, хотя подобное сотрудничество между производителями было запрещено правилами экспортного контроля США ещё с 2019 года. Официально SK hynix заявляет, что полностью подчиняется требованиям законодательства США, и Huawei своей памятью снабжать перестала сразу же, как только возникли соответствующие ограничения.

С прошлого четверга, как поясняет Bloomberg, акции SK hynix потеряли в цене 6 %, поскольку скандал с Huawei немного насторожил инвесторов. Ситуацию усугубили намерения китайских властей запретить использование Apple iPhone чиновниками и сотрудниками компаний с государственным участием. Спросу на новые смартфоны Apple это навредит, и поставки памяти SK hynix для нужд этого производителя смартфонов тоже сократятся. В следующем месяце корейский производитель памяти должен отчитаться о результатах квартала, и некоторые эксперты ожидают, что они окажутся хуже прогнозов.

В предыдущем квартале выручка SK hynix сократилась в годовом сравнении в два раза, компания уже три квартала подряд получает операционные убытки. Сейчас предпосылок для заметного улучшения спроса на микросхемы памяти на рынке попросту нет. Всё это подтолкнуло инвесторов, которые до этого вкладывались в акции SK hynix, зафиксировать прибыль.

Принято считать, что при производстве новейших ускорителей вычислений NVIDIA до сих пор использовались микросхемы памяти типа HBM3 южнокорейской компании SK hynix, но подобную память давно предлагает своим клиентам и конкурирующая Samsung Electronics. По данным корейских СМИ, её продукция прошла одобрение NVIDIA в этом контексте только недавно, а потому будет использоваться последней с октября этого года.

Источник изображения: Samsung Electronics

Как поясняет Bloomberg, на этих новостях акции Samsung Electronics выросли в цене на 6 % — максимально с января 2021 года. Представители Citigroup заявили, что после включения Samsung в пул поставщиков HBM3 для нужд NVIDIA эта компания может стать лидером в этом сегменте рынка. По сути, Samsung остаётся крупнейшим поставщиком памяти, просто в сегменте HBM3 её пока что опережала SK hynix. Свои силы в производстве HBM3 также пробует американская Micron Technology, но пока она может претендовать от силы на 10 % рынка, как считают аналитики TrendForce.

Samsung со следующего квартала начнёт снабжать NVIDIA своими микросхемами HBM3, и это пойдёт на пользу и самой NVIDIA, поскольку иметь двух поставщиков всегда выгоднее и надёжнее, чем одного. Корейские СМИ месяц назад также сообщали, что Samsung будет заниматься упаковкой чипов для NVIDIA, снижая зависимость последней от услуг TSMC. Разработчик востребованных рынком ускорителей вычислений не может в полной мере удовлетворить спрос на них в этом году, во многом из-за ограниченных возможностей TSMC по упаковке чипов. Последняя хоть и планирует удвоить их к концу следующего года, использование услуг её конкурентов позволило бы NVIDIA решить проблему быстрее.