Теги → hbm3
Быстрый переход

SK hynix начала массовое производство памяти HBM3 — первым продуктом с ней будут серверные ускорители NVIDIA H100

Компания SK hynix сообщила о начале массового производства памяти HBM3. Первыми коммерческими продуктами с её использованием станут серверные ускорители вычислений NVIDIA H100 на графической архитектуре Hopper.

 Источник изображения: SK hynix

Источник изображения: SK hynix

В SK hynix отмечают, что к массовому производству памяти HBM3 производитель перешёл спустя всего семь месяцев с момента первого официального анонса данного стандарта памяти в октябре прошлого года. Использование памяти HBM3 в коммерческих продуктах позволит значительно увеличить производительность в задачах, связанных с искусственным интеллектом и большими данными.

Компания NVIDIA недавно завершила тестирование образцов памяти SK hynix HBM3. Поставки систем NVIDIA с этим видом памяти начнутся в третьем квартале текущего года. SK hynix увеличит объёмы производства памяти HBM3 в соответствии с запросами NVIDIA.

Память SK hynix HBM3 обеспечивает пропускную способностью до 819 Гбайт/с. Это равносильно передаче 163 фильмов в разрешении 1080p (размер файла 5 Гбайт) каждую секунду.

Представлен стандарт HBM3: стеки до 64 Гбайт со скоростью 819 Гбайт/с и выше

Комитет JEDEC сообщил о публикации обновлённого стандарта памяти с высокой пропускной способностью (HBM) — стали доступны чистовые спецификации стандарта HBM3. Главным изменением по сравнению с HBM прошлого поколения стало увеличение скорости обмена по каждому контакту шины данных с 3,2 Гбит/с до 6,4 Гбит/с. Для высокоёмких вычислений, включая обработку графики, это станет новым прорывом в будущее.

 Источник изображения: SK hynix

Источник изображения: SK hynix

С учётом вдвое возросшей скорости обмена по одному контакту, общая скорость на один модуль памяти HBM3 (на стек) будет достигать 819 Гбайт/с. Более того, это не предел возможностей HBM3. Современные решения сигнальных интерфейсов вполне допускают выйти за рамки 1 Тбайт/с для памяти HBM3. Массовыми такие решения вряд ли станут, но и Samsung, и SK Hynix готовы выпускать память HBM3 со скоростью обмена выше, чем предусмотрено стандартом JEDEC.

Количество каналов памяти также удвоено с 8 до 16, благодаря двум псевдоканалам на каждый канал. Более того, за счёт организации виртуальных каналов общее число каналов работы с памятью может быть увеличено до 32.

На момент публикации стандарта высота стеков HBM3 допускает выпуск памяти из 4, 8 и 12 слоёв. В будущем будет возможно производство модулей HBM3 из 16 слоёв памяти в стеке. На каждый слой допускается кристалл памяти ёмкостью от 8 до 32 Гбит (1–4 Гбайт). Тем самым минимальная ёмкость одного стека HBM3 составит 4 Гбайт, а максимальная — 48 Гбайт (в будущем 64 Гбайт).

Наконец, рабочее напряжение памяти HBM3 снижено до 1,1 В, как и уменьшено сигнальное напряжение на интерфейсе хоста (до 0,4 В). Это означает, что энергоэффективность работы памяти HBM3 будет выше, чем у памяти HBM2 при прочих выгодах, включая в два раза возросшую скорость передачи данных.

«С улучшенными характеристиками производительности и надёжности HBM3 позволит создать новые решения, требующие огромной пропускной способности и ёмкости памяти», — сказал Барри Вагнер (Barry Wagner), директор по техническому маркетингу в NVIDIA и председатель подкомитета JEDEC HBM.

SK hynix представит в феврале память HBM3 с пропускной способностью до 896 Гбайт/с и новые скоростные чипы GDDR6

Южнокорейская компания SK hynix примет участие в ежегодной международной конференции ISSCC 2022, в ходе которой расскажет о последнем обновлении спецификаций разрабатываемой ею памяти HBM3. Кроме того, производитель микросхем памяти собирается поделиться деталями о новых чипах GDDR6 со скоростью 27 Гбит/с.

 Источник изображения: SK hynix

Источник изображения: SK hynix

Детали предстоящего мероприятия пока неизвестны, однако названия сессий подтверждают, о чём планирует рассказать компания. В октябре прошлого года SK hynix представила 12-слойные стеки памяти HBM3 со скоростью до 819 Гбайт/с. В ходе февральской конференции ISSCC 2022 производитель расскажет о новых спецификациях HBM3, обладающей пропускной способностью до 896 Гбайт/с. Повысить пропускную способность помогла технология автоматической калибровки сборки Through Silicon Via (TSV), разработанная с помощью алгоритмов машинного обучения. На данный момент неизвестно, идёт ли речь лишь о прототипе технологии производства или же SK hynix на самом деле собирается массово выпускать подобные чипы памяти.

 Источник изображения: ISSCC

Источник изображения: ISSCC

Память HBM3 от SK hynix в первой версии спецификаций предлагала скорость передачи данных до 5,2 Гбит/с на контакт (665 Гбайт/с для всего модуля памяти). Однако спустя несколько месяцев производитель представил вторую спецификацию с повышенной на 23 %, до 6,4 Гбит/с скоростью передачи на данных на контакт или 819 Гбайт/с на весь стек. В тех чипах, о которых SK hynix расскажет в феврале, скорость передачи повысили до 7 Гбит/с на контакт, то есть на 10 % сверх октябрьских значений.

 Источник изображения: VideoCardz

Источник изображения: VideoCardz

На конференции производитель также расскажет о новых чипах памяти GDDR6 с пропускной способностью 27 Гбит/с, ёмкостью 16 Гбит (2 Гбайт) и новыми технологиями Merged-MUX TX, Optimized WCK Operation и Alternative Data-Bus.

SK hynix показала стеки памяти HBM3 объёмом 24 Гбайт со скоростью до 819 Гбайт/с

На выставке OCP Summit 2021 южнокорейская компания SK hynix продемонстрировала стеки памяти HBM3. Производитель лишь недавно подтвердил разработку модулей памяти HBM3 объёмом 24 Гбайт со скоростью до 819 Гбайт/с на один стек. Эти микросхемы в обозримом будущем планируется использовать вместе с высокопроизводительными GPU.

 Источник изображения: ServeTheHome

Источник изображения: ServeTheHome

Комитет по стандартизации полупроводниковой продукции JEDEC ещё не принял окончательные спецификации памяти HBM3. SK hynix самостоятельно увеличила у неё пропускную способность с изначально заявленных 5,2 Гбит/с до 6,4 Гбит/с на контакт. Однако на данный момент неизвестно, насколько приближены характеристики чипов памяти от южнокорейского производителя к окончательным спецификациям стандарта, которые будут использоваться в массовом производстве графических ускорителей нового поколения.

 Источник изображения: SK hynix

Источник изображения: SK hynix

 Источник изображения: SK hynix

Источник изображения: SK hynix

В составе модулей памяти HBM3 DRAM от SK hynix могут содержаться до 12 кристаллов памяти, уложенных в вертикальный стек с контроллером в самом низу сборки и объединённые 1024-битным интерфейсом. Хотя сам контроллер не изменился ещё со времён стандарта памяти HBM2, увеличенное количество кристаллов памяти в составе одного модуля и повышенная частота работы позволяют добиться скорости передачи данных по интерфейсу в 819 Гбайт/с, что на 78 % больше по сравнению с памятью HBM2E.

Теоретический продукт на основе 12 модулей памяти HBM3 от SK hynix сможет предложить 288 Гбайт общего объёма памяти с максимальной пропускной способностью до 9,8 Тбайт/с.

SK hynix завершила разработку памяти HBM3: модули до 24 Гбайт со скоростью до 819 Гбайт/с

Компания SK hynix объявила о завершении разработки первых в мире модулей скоростной оперативной памяти HBM3 DRAM. Стандарт данной памяти ещё не утверждён, но это не помешало создать продукт, близкий к началу массового производства.

 Источник изображения: SK Hynix

Источник изображения: SK hynix

Модули памяти HBM3 DRAM от SK hynix могут содержать до 12 кристаллов памяти, уложенных в вертикальный стек с контроллером в самом низу сборки. Вероятно, с этим компании помогла сравнительно недавно купленная у Xperi лицензия на технологию чрезвычайно плотного расположения отверстий сквозной металлизации (TSVs). Благодаря этому ёмкость каждого стека HBM3 DRAM SK hynix может достигать 24 Гбайт, хотя компания также будет производить 16-Гбайт модули HBM3. Предыдущие передовые стеки HBM2E компании, напомним, содержали не больше 8 кристаллов памяти. Шаг вперёд более чем заметный.

Производительность новой памяти также существенно увеличилась. Общая скорость передачи данных по интерфейсу достигает 819 Гбайт/с, что на 78 % больше по сравнению с памятью HBM2E. Фактически за каждую секунду по интерфейсу HBM3 прокачиваются 163 фильма в формате FHD (Full HD) по 5 Гбайт каждый. Для игровых видеокарт это было бы пределом мечтаний, но для рабочих ИИ- и ML-нагрузок — это будет обязательное требование.

 Источник изображения: SK Hynix

Источник изображения: SK hynix

Наконец, в новых модулях реализованы механизмы, повышающие надёжность работы памяти. В матрицу встроен код коррекции ошибок, который исправляет битовые ошибки данных. Для высоких скоростей работы и высокой плотности хранения информации — это важнейшее условие работы с заявленными характеристиками. О начале массового производства памяти HBM3 DRAM компания SK hynix пока не сообщила, но это событие не за горами. Индустрия интенсивных вычислений ждёт эту память.

Rambus подняла пропускную способность HBM3 на невиданную высоту — до 1 Тбайт/с и больше

Компания Rambus представила полностью интегрированное решение для подсистем памяти HBM3. Этот стандарт ещё не утверждён комитетом JEDEC, хотя черновик готов и разработчики могут создавать контроллеры. Решение Rambus превзошло самые смелые ожидания, обещая поднять пропускную способность памяти HBM3 более чем в два раза по сравнению с HBM2 — до 1075 Гбайт/с.

 Источник изображения: Rambus

Источник изображения: Rambus

Ранее считалось, что скорость вывода по каждому контакту интерфейса HBM3 будет достигать 6,4 Гбит/с. Стандарт HBM2 обеспечивал обмен со скоростью до 3,2 Гбит/с на каждый контакт шины данных. Решение Rambus обещает увеличить скорость обмена по каждому контакту HBM3 до 8,4 Гбит/с, что более чем в 2,5 раза больше по сравнению с HBM2. Добавим к этому возможность HBM3 поддерживать до 16 микросхем памяти в стеке — тоже в два раза больше, чем в случае HBM2 — и получим на выходе подсистему памяти максимальной ёмкости 64 Гбайт со скоростью 1,075 Тбайт/с.

Предложенное компанией Rambus решение будет воплощено в жизнь довольно нескоро — хорошо, если через год–два. До потребительских видеокарт оно доберётся ещё позже, если вообще в них попадёт. Судьба подобных подсистем памяти — это ускорители для задач ИИ и машинного обучения, а также для обработки больших данных. Тем не менее, Rambus показала достижимые границы технологии HBM, а горизонты могут простираться намного дальше.

Память HBM3 предложит пропускную способность до 655 Гбайт/c на стек, заявила SK Hynix

Память HBM, отличающаяся очень высокой пропускной способностью, так и не завоевала должной популярности на рынке потребительских видеокарт, однако нашла широкое применение в ускорителях вычислений для дата-центров. Следующим поколением памяти HBM станет HBM3. Компания SK Hynix поделилась свежей информацией о своих планах относительно выпуска памяти нового типа, а также некоторыми спецификациями.

 Источник изображения: SK Hynix

Источник изображения: SK Hynix

Комитет JEDEC, отвечающий за стандартизацию оперативной памяти, в том числе HBM, формально пока не утвердил окончательные спецификации стандарта HBM3. Однако SK Hynix, как и некоторые другие производителя памяти, уже занимаются разработкой нового стандарта.

Как пишет Tom's Hardware, ссылающийся на официальный сайт SK Hynix, новый тип памяти «сможет обрабатывать до 655 гигабайт информации в секунду со скоростью ввода-вывода на уровне 5,2 Гбит/с [подразумевается эффективная частота в 5,2 ГГц — прим. ред.]». Для сравнения, выпускаемые сегодня SK Hynix стеки памяти HBM2E обеспечивают пропускную способность на уровне 460 Гбайт/с при эффективной частоте в 3,6 Гбит/с. Разница более чем на 40 %.

Современные устройства, нуждающиеся в памяти с высокой пропускной способностью (к ним относятся, например, высокопроизводительные GPU и FPGA), как правило оснащаются 4–6 стеками памяти типа HBM2E. То есть общая пропускная способность подсистемы памяти при использовании стеков HBM2E может достигать 1,84–2,77 Тбайт/с. В то же время при использовании памяти нового стандарта HBM3 этот показатель можно будет увеличить до 2,66–3,99 Тбайт/с.

SK Hynix не сообщает, когда именно стоит ждать появления продуктов с памятью стандарта HBM3. В начале 2020 года SK Hynix лицензировала у компании Xperi технологию межкристальных соединений 2.5D/3D для пространственной сборки кристаллов в единый стек. Технология DBI Ultra позволяет создать на одном квадратном миллиметре площади от 100 тыс. до 1 млн соединений и объединять в стек до 16 кристаллов, за счёт чего можно будет создавать чипы HBM3 большой ёмкости, а также 2,5D или 3D-решения со встроенной памятью нового стандарта.

Micron представила память HBMnext, преемника HBM2e

В продолжение предыдущей истории, посвящённой анонсу Micron технологии памяти GDDR6X для грядущих видеокарт NVIDIA Ampere, компания также объявила о разработке HBMnext. Эта память обещает принципиальный прирост пропускной способности в будущих видеокартах.

 AMD Fiji — первый ГП, использующий HBM

AMD Fiji — первый ГП, использующий HBM

Возможно, HBMnext — это рабочее название многослойной памяти HBM нового поколения. На данный момент не ясно, является ли HBMnext просто дальнейшим развитием HBM2e или, что более вероятно, речь идёт о действительно следующем поколении, которое до сих пор фигурировало в новостях и слухах под именем HBM3.

Производитель также сообщил, что скорость передачи данных в новых чипах ожидается на уровне 3,2 Гбит/с. Для сравнения: в ускорителе NVIDIA A100 на базе технологии HBM2e используются чипы со скоростью в 2,4 Гбит/с. А в AMD Radeon VII применяется память HBM2 со скоростью передачи данных в 2 Гбит/с.

Micron планирует начать поставки чипов памяти HBMnext, соответствующих стандарту JEDEC, в конце 2022 года. Речь идёт о модулях по 8 Гбайт в 4 слоя или 16 Гбайт в 8 слоёв. Продукты на базе Intel Xe-HP и AMD Arcturus будут выпущены в следующем году, так что они точно не будут использовать память HBMnext.

Анонсирован первый контроллер HBM3: быстрее, выше, сложнее

Компания SmartDV Technologies представила первый контроллер памяти HBM3, который доступен для лицензирования разработчиками различных систем-на-кристалле. Судя по всему, память типа HBM3 сможет предложить вдвое большую пропускную способность по сравнению с HBM2E, а также ёмкость одной микросхемы до 64 Гбайт, чем обеспечит задел на будущее на много лет вперёд.

Первый контроллер HBM3

К настоящему времени, комитет JEDEC утвердил черновой вариант HBM3. Формально, новая спецификация пока не утверждена, но черновая версия 0.7 типично называется Complete Draft (законченным черновиком), поддерживает все возможности стандарта и определяет все электрические характеристики для новой технологии. Как следствие, различные разработчики могут начинать проектировать свои контроллеры и технологии для проверки реализации этих контроллеров. SmartDV Technologies стала первой компанией, представившей контроллер HBM3, который может быть лицензирован разработчиками микросхем. Работоспособность контроллера была подтверждена при помощи программируемых матриц (FPGA). При этом желающие верифицировать корректность работы конечного SoC могут воспользоваться соответствующей верификационной интеллектуальной собственностью Cadence или SmartDV.

Контроллер HBM3 компании SmartDV может быть подключен практически к любым процессорам, использующим как стандартные (AMBA APB/AHB/AXI, VCI, OCP, Avalon, PLB, Tilelink, Wishbone), так и фирменные (проприетарные) внутричиповые соединения. Контроллер поддерживает до 16 портов AXI, интерфейсы DFI 4.0/5.0, 512-разрядную шину данных, коррекцию ошибок (ECC), псевдоканалы, а также иные технологии, знакомые нам по HBM2/HBM2E.

Наличие лицензируемого контроллера HBM3 позволяет разработчикам систем-на-кристалле добавить поддержку этой технологии в SoC, которые появятся на рынке через полтора – два года.

HBM2/HBM2E: До 24 Гбайт, до 410 Гбайт/с

Многослойные микросхемы памяти типа HBM/HBM2 базируются на нескольких устройствах DRAM, соединённых между собой тысячами межблочных соединений TSV (through silicon via), которые устанавливаются на ядро базовой/буферной логики (base/buffer logic die), занимающейся координацией их работы. Каждая микросхема HBM/HBM2 соединяется с контроллером памяти при помощи 1024-разрядной шины (которая в свою очередь делится на восемь 128-разрядных каналов), которая реализована на кремниевой соединительной подложке (silicon interposer).

Подобная архитектура позволяет получить высочайшую пропускную способность памяти. К примеру, микросхема Samsung Flashbolt c восемью устройствами DRAM, 1024-разрядной шиной и скоростью передачи данных 3200 Мтрансферов/с предлагает пропускную способность 410 Гбайт/с, а четыре таких устройства — 1,64 Тбайт/с (для сравнения, пропускная способность памяти у NVIDIA GeForce Titan RTX — 672 Гбайт/с). HBM3 пойдёт дальше.

HBM3: До 64 Гбайт, до 819,2 Гбайт/с

Поскольку стандарт HBM3 до сих пор не опубликован JEDEC, мы можем судить о возможностях нового типа памяти лишь очень поверхностно.

Судя по данным Cadence, разработчики HBM3 поставили задачу увеличить количество устройств памяти в сборке до 16, а скорость передачи данных до 6400 Мтрансферов/с благодаря увеличенному вдвое параметру burst length, до BL=8. Таким образом, передовая микросхема HBM3 сможет предложить ёмкость 64 Гбайт и пропускную способность 819,2 Гбайт/с. Стоит отметить, что контроллер SmartDV HBM3 поддерживает до 1 Гбайт памяти на 128-разрядный канал.

С точки зрения режимов работы, HBM3 не будет сколько-то сильно отличаться от HBM2E, так что внедрение новой памяти не обещает быть сложным.

Цена вопроса?

Как показывает практика HBM2, межблочные соединения TSV крайне сложны в производстве, ядро базовой логики непросто подсоединять к устройствам памяти, а соединительная подложка весьма дорога.

В случае с HBM3 предлагается нарастить количество устройств памяти, что увеличит количество TSV-соединений и усложнит структуры микросхемы. В дополнение ко всему, усложнится и сама базовая логика. При этом, 16 микросхем памяти будут производить немало тепловой энергии, что не упростит охлаждение всей сборки. Как правило, усложнение ведёт к удорожанию, а значит, себестоимость конечных продуктов на базе HBM3 обещает быть выше по сравнению с продукцией на основе HBM2E.

Судя по всему, HBM3 проектировалась в первую очередь для различных специализированных ускорителей и сложных многокристальных систем, которым требуется огромная пропускная способность памяти и себестоимость которых не критична. Увидит ли мир потребительские решения на базе HBM3, покажет лишь время, но вряд ли это произойдёт в обозримом будущем.

Говоря о сроках появления HBM3, стоит помнить, что формально новый стандарт ещё не готов, а целый ряд компаний работает над устройствами, которые будут использовать HBM2E. Как бы там ни было, до массового использования HBM3 ещё довольно далеко.

Rambus выделила контроллеры DDR5 и HBM3 в качестве своих приоритетов

Представители одного из опытнейших разработчиков энергозависимой памяти — компании Rambus — на днях пообщались с инвесторами, рассмотрев как финансовые вопросы, так и планы на будущее. Rambus нередко упоминается в качестве патентного тролля, однако в компании делают акцент на участии в перспективных проектах, таких как разработка контроллеров оперативной памяти DDR5 и многослойной оперативной памяти HBM3. Последняя найдёт своё применение в готовящихся графических и HPC-ускорителях, а DDR5 со временем повсеместно заменит DDR4 — начиная с серверов и заканчивая мобильными устройствами.

Для рядового потребителя сегодня на первом плане скорее стоит вопрос стоимости оперативной памяти, нежели её пропускной способности или других характеристик. Тем не менее разработчики, и в их числе Rambus, продолжают трудиться над соответствующими контроллерами. На сегодняшний день единственным крупным клиентом Rambus является компания AMD, которая использует плод стараний соседей по Саннивейлу — контроллер DDR4 — в процессорах Ryzen.

DDR5 почти наверняка начнёт свой путь с серверного рынка, поэтому Rambus акцентирует внимание потенциальных клиентов на контроллерах DDR5 в составе модулей памяти для серверных платформ. Характерная для этих контроллеров скорость передачи данных ожидается на уровне 4800–6400 МТ/с, техпроцесс выпуска — 7 нм. Последнее обстоятельство, а также планы разработчиков оперативной памяти по выводу на рынок DDR5 только в 2020–21 гг., говорят о том, что производство вышеупомянутых контроллеров Rambus начнётся ещё не скоро.

Эффективная частота модулей DDR5 составит не менее 4800 МГц, пропускная способность — от 38,4 Гбайт/с, максимальный объём, в связи с переходом на более тонкий техпроцесс, вырастет вдвое. Рабочее напряжение, скорее всего, снизится с 1,2 В у DDR4 до 1,1 В у DDR5. Полагаем, что свой путь память DDR пятого поколения начнёт с HPC — серверов для ресурсоёмких вычислений.

Контроллеры памяти Rambus, ассоциированные с HBM3, появятся в эру 7-нм графических процессоров и будут выпускаться по той же технологической норме. Скорость передачи данных у этих контроллеров будет достигать 4000 МТ/с. Сама память HBM3 составит конкуренцию достаточно «взрослой» (к моменту покорения полупроводниковой индустрией 7-нм рубежа) графической памяти GDDR6. В отличие от массовой DDR5, память HBM3 будет больше ориентирована на конкретные проекты и продукты, в которых важна не только пропускная способность, но и компактность исполнения.

 AMD Radeon R9 Nano с памятью HBM

AMD Radeon R9 Nano с памятью HBM

Rambus прогнозирует, что в текущем году её доход от реализации продукции всех видов составит $28 млн, а лицензионные отчисления от более чем 2500 патентов — около $212 млн. Крупнейшими «донорами» компании на сегодняшний день являются Broadcom, IBM, Intel, Micron, Qualcomm, Samsung, SK Hynix и WD.

SK Hynix, Samsung, Micron и многослойная память: планы и характеристики

В последние пару лет полупроводниковая промышленность совершила большой скачок в области технологий производства памяти. Классическая DRAM в том или ином виде с нами уже не один десяток лет, но выход новых устройств, нуждающихся в огромных скоростях передачи данных, вызвал появление на свет совершенно нового типа памяти — HBM. Впервые она была опробована компанией AMD в графическом процессоре Fiji, который стал основой видеокарт Radeon R9 Fury X, Fury и Nano, а также Radeon Pro Duo.

Даже в самой первой инкарнации четыре сборки HBM смогли обеспечить пропускную способность на уровне 512 Гбайт/с, чего сегодня не может даже новейший NVIDIA TITAN X с 384-битной памятью GDDR5X (480 Гбайт/с). Спустя год Samsung удалось в достаточной мере нарастить объёмы производства новой версии многослойной высокоскоростной памяти HBM2, которая нашла своё применение в вычислительных ускорителях NVIDIA Tesla P100. Они уже поставляются на рынок супервычислений и облачных систем начиная со второго квартала текущего года.

Уже становится очевидным, что обычная DRAM хотя и просуществует на рынке достаточно долго, будущее принадлежит многослойной памяти — HBM и другим аналогичным технологиям. К тому же HBM располагается на упаковке рядом с ЦП или ГП и не требует много места, что позволяет сделать системы с её использованием более компактными. Но HBM2 пока новый, дорогой продукт, выпускающийся в недостаточно массовых количествах. Мы знаем, что производство HBM2 Samsung начала в первом квартале этого года, а SK Hynix запаздывает и только собирается начать выпуск своего варианта HBM2 в этом квартале.

На мероприятии Hot Chips 28 обе компании продемонстрировали свои каталоги выпускаемых продуктов и планы на будущее относительно многослойной памяти. Согласно опубликованным слайдам, у HBM2 есть как минимум две альтернативы или ответвления — HBM3 и low cost HBM. Последняя представляет особенный интерес. Эта удешевлённая версия HBM была представлена Samsung как выгодное по цене решение, опережающее HBM1, но несколько уступающее в производительности HBM2. Удешевление достигнуто за счёт уменьшения с 1024 до 512 количества пронизывающих сборку кристаллов TSV — соединений, с помощью которых кристаллы HBM и общаются с внешним миром.

В результате получается память, способная обеспечивать скорость 3 Гбайт/с на контакт и 200 Гбайт/с на сборку против 256 Гбайт/с на сборку у полноценной HBM2. 512-битный интерфейс доступа с двумя или четырьмя сборками означает 1024 или 2048 Мбайт. Samsung утверждает, что она может легко производить такие чипы в массовых количествах и наводнить ими рынок. В то же время, когда HBM2 ещё не успела завоевать рынка, обе компании — Samsung и SK Hynix — уже готовятся к разработке и выпуску следующего поколения многослойной памяти, так называемой xHBM или HBM3. Первое название характерно для Samsung, второе используется SK Hynix.

Характеристики нового стандарта ещё далеки от финализации, но ключевые моменты новой технологии были оглашены. HBM3 обеспечит вдвое более высокую пропускную способность и будет обладать привлекательной ценой. Речь идёт о скоростях порядка 512 Гбайт/с на сборку против 256 Гбайт/с у HBM2. Четыре таких кристалла легко смогут обеспечить пропускную способность на уровне 2 Тбайт/с. Но в работе такие цифры мы увидим нескоро; коллеги с WCCFTech полагают, что речь идёт о видеокартах, которые появятся как минимум после NVIDIA Volta.

Производители памяти продолжают обсуждать такие параметры HBM3, как себестоимость, форм-факторы, энергопотребление и плотность упаковки. Сейчас HBM2 может обеспечить ёмкость до 48 Гбайт, так что с внедрением HBM3 следует ожидать цифр от 64 Гбайт. Но не одной HBM жива индустрия памяти. Как уже было сказано, DRAM ещё долго будет присутствовать на рынке, и компания Micron огласила свои планы в отношении этого типа памяти.

Планируется, что опытные поставки чипов DDR5 DRAM начнутся в 2018 году, а массовое производство таких микросхем (и модулей памяти) развернётся годом позже, в 2019 г. Ключевой особенностью DDR5 в сравнении с DDR4 является вдвое более высокая пропускная способность и напряжение питания, составляющее всего 1,1 вольта. Это означает повышение тактовых частот, а ёмкость будет варьироваться в пределах от 8 до 32 Гбайт. Эквивалентные частоты для DDR5 составят 3200 МГц в начале производства и достигнут значения 6400 МГц по мере того, как выход годных кристаллов будет увеличиваться, а новый стандарт — завоевывать рынок оперативной памяти.

Micron также рассказала о своей альтернативе HBM, многослойной памяти HMC (Hybrid Memory Cube). Компания называет HBM «плохой копией» HMC, поскольку последняя обладает рядом возможностей, недоступных HBM и может состязаться с ней только в пропускной способности. Помимо всего прочего, Micron продолжает активно сотрудничать с Intel в разработке и продвижении энергонезависимой памяти нового поколения 3D XPoint. Подводя итоги, скажем, что ключевыми годами для рынка памяти, основываясь на имеющихся данных, можно назвать 2018-й и 2019-й.

window-new
Soft
Hard
Тренды 🔥
Новая статья: Goat Simulator 3 — козапокалипсис сегодня. Рецензия 9 ч.
Новая статья: Gamesblender № 598: «горящие» GeForce RTX 4090, игровой движок от VK и первый геймплей Warhammer 40,000: Rogue Trader 10 ч.
Энтузиаст установил macOS на Nintendo Wii и попытался запустить Doom — получилось не очень 16 ч.
Скайрим, деньги, два зелья: мать реддитора начала геймерский путь с TES V: Skyrim и основала там доходный бизнес 20 ч.
Режиссёру God of War Ragnarok пришлось сражаться за одноглазую белку 20 ч.
После перехода к Илону Маску Twitter потерял крупных рекламодателей и сотни миллионов долларов дохода 20 ч.
Internet Archive запустил браузерный эмулятор карманных компьютеров Palm из конца 90-х 22 ч.
Доверие бизнеса к российскому софту за два года выросло на 290 %, а к open source — вдвое 22 ч.
Binance выделила $1 миллиард на поддержку криптоиндустрии 26-11 01:24
Новая статья: Mario + Rabbids Sparks of Hope — ушастые спасают галактику. Рецензия 26-11 00:22
Экономически Нидерландам было бы выгоднее потерять рынок литографического оборудования США, а не Китая 2 ч.
SpaceX запустила корабль Dragon к МКС — он доставит 3,5 тонны грузов, включая семена томатов 8 ч.
Дефицит чипов заставил Jaguar Land Rover сократить производство некоторых моделей 19 ч.
Вышел индустриальный ПК SolidRun Bedrock V3000 Basic с двумя портами 10GbE SFP+ и поддержкой 5G 20 ч.
В разгонном блоке новой европейской ракеты-носителя Vega C нашли дефект — его разберут, а первый коммерческий запуск отложат 20 ч.
AirPods Pro 2 всё же не поддерживают lossless-кодеки, но это не помешало Apple улучшить качество звука 20 ч.
Марсианский вертолёт Ingenuity впервые полетел с новой навигационной программой — его научили приземляться среди скал 22 ч.
Илон Маск пообещал выпустить собственный смартфон, если Apple и Google удалят Twitter из магазинов приложений 23 ч.
Orion вышел на ретроградную орбиту Луны и установил рекорд по удалению от Земли для подобных космических кораблей 23 ч.
Xiaomi намерена продавать по 10 млн электромобилей в год 26-11 08:01