В сфере выпуска ускорителей вычислений для инфраструктуры ИИ китайские компании сильно зависят от импорта памяти HBM современных поколений, поскольку в Китае такая продукция пока не производится. Попытки наладить выпуск HBM3 в Китае, тем временем, сталкиваются с новыми проблемами, а потому планы китайских разработчиков ИИ-ускорителей по импортозамещению опять срываются.

Умные помощники: обзор ИИ-сервисов для обработки изображений. Часть 2, актуализированная

Обзор Ryzen 9 9950X3D2: правильный 16-ядерник с 3D-кешем

Выбираем лучший игровой ноутбук до 100 000 рублей: сравнительное тестирование 7 интересных моделей

Репортаж с IEM Cologne Major 2026: Жаб Жабыч, триумф NiKo и главные сенсации мейджора по CS2

Обзор Infinix GT 50 Pro: геймерский смартфон со встроенной СЖО

Источник изображения: Huawei Technologies

Как поясняет ZDNet Korea, до сих пор китайские поставщики ускорителей полагались на сформированные несколько лет назад запасы памяти типа HBM2E, поскольку в условиях санкций они утратили возможность закупать её в нужных количествах. Китайская компания CXMT рассчитывала наладить выпуск HBM3 на территории Поднебесной в первой половине текущего года, но этим планам, судя по комментариям осведомлённых источников, не суждено сбыться.

CXMT является крупнейшим производителем DRAM в Китае, она с некоторых пор находится под санкциями США, а потому не может закупать импортное оборудование, необходимое для выпуска HBM3. Сейчас вся активность CXMT по подготовке к массовому производству такой памяти находится на стадии экспериментов. Оборудования и материалов, к которым может получить доступ CXMT, не хватит для организации массового производства HBM3 в текущем полугодии. Более того, не факт, что выпуск памяти данного типа CXMT сможет в серийных объёмах наладить в текущем году. С другой стороны, для выпуска чипов DRAM в стеке HBM3 китайская компания готова использовать 16-нм техпроцесс, который считается достаточно прогрессивным по китайским меркам.

Американские ускорители Nvidia поколения Hopper получили память HBM3 ещё в 2022 году, её поставляли южнокорейские производители и американская Micron Technology. По всей видимости, если CXMT и удастся наладить серийное производство HBM3 в следующем году, китайская полупроводниковая отрасль отстанет в этой сфере на пять лет. Проблема заключается в том, что Huawei планировала начать использование HBM3 в своих ускорителях Ascend либо в этом году, либо в следующем, а с 2028 года и вовсе перейти на HBM4. Теперь, в условиях санкций и задержкой с освоением выпуска HBM3 в Китае, компании Huawei наверняка придётся пересматривать свои планы.

Данные берутся из публикации Итоги-2025: почему память стала роскошью и что будет дальше

Репортаж с IEM Cologne Major 2026: Жаб Жабыч, триумф NiKo и главные сенсации мейджора по CS2

Выбираем лучший игровой ноутбук до 100 000 рублей: сравнительное тестирование 7 интересных моделей

Обзор Infinix GT 50 Pro: геймерский смартфон со встроенной СЖО

Обзор Ryzen 9 9950X3D2: правильный 16-ядерник с 3D-кешем

Умные помощники: обзор ИИ-сервисов для обработки изображений. Часть 2, актуализированная

Пока одни источники говорят о намерениях китайской YMTC заняться выпуском HBM, другие указывают на наличие проблем в этой сфере у оставшихся участников внутреннего рынка КНР, который пока только готовится к формированию. По крайней мере, CXMT задержится с началом выпуска HBM3, а Huawei на фоне двух других производителей будет выступать в роли догоняющего.

Умные помощники: обзор ИИ-сервисов для обработки изображений. Часть 2, актуализированная

Обзор Ryzen 9 9950X3D2: правильный 16-ядерник с 3D-кешем

Репортаж с IEM Cologne Major 2026: Жаб Жабыч, триумф NiKo и главные сенсации мейджора по CS2

Выбираем лучший игровой ноутбук до 100 000 рублей: сравнительное тестирование 7 интересных моделей

Обзор Infinix GT 50 Pro: геймерский смартфон со встроенной СЖО

Источник изображения: Huawei Technologies

Не секрет, что компания Huawei Technologies с несвойственной ей открытостью в уходящем месяце заявила о готовности уже в следующем году предложить ускорители вычислений семейства Ascend 950PR, которые получат скоростную память собственной разработки. Судить о её технических характеристиках пока не представляется возможным, но аналитики Counterpoint Research уже сообщают, что разрабатываемая силами Huawei память типа HBM ещё далека от состояния зрелости, а её производительность более чем в два раза уступает стандартной HBM зарубежного производства.

В отношении способности CXMT наладить выпуск HBM3 в обещанные сроки у представителей Counterpoint Research тоже имеются определённые сомнения. Поскольку по скоростным характеристикам и уровню тепловыделения такая память ещё далека от целевых показателей, в этом году её поставки вряд ли начнутся. Скорее всего, требующаяся доработка приведёт к тому, что память HBM3 в исполнении китайской компании CXMT на внутреннем рынке страны появится не ранее второй половины следующего года. С массовым выпуском DDR5 у этой компании также наблюдаются схожие проблемы, как отмечалось ранее.

Память типа HBM, подразумевающая многослойную компоновку в сочетании со скоростными соединениями, применяется в передовых ускорителях вычислений для ИИ. По этой причине возможность её выпуска обретает для китайских компаний стратегическое значение, ведь получать её из-за пределов страны они не могут по причине санкций. CXMT и YMTC готовы сотрудничать для решения этой проблемы.

Умные помощники: обзор ИИ-сервисов для обработки изображений. Часть 2, актуализированная

Репортаж с IEM Cologne Major 2026: Жаб Жабыч, триумф NiKo и главные сенсации мейджора по CS2

Обзор Infinix GT 50 Pro: геймерский смартфон со встроенной СЖО

Обзор Ryzen 9 9950X3D2: правильный 16-ядерник с 3D-кешем

Выбираем лучший игровой ноутбук до 100 000 рублей: сравнительное тестирование 7 интересных моделей

Источник изображения: SK hynix

Напомним, что у каждой из указанных китайских компаний исторически имелась своя специализация: YMTC выпускала исключительно NAND-память, а CXMT занималась выпуском микросхем DRAM. По данным DigiTimes, на которые ссылается Tom’s Hardware, в свете необходимости импортозамещения в сфере выпуска HBM эти китайские компании готовятся объединить усилия, и в рамках этой инициативы YMTC должна попробовать свои силы в работе с микросхемами DRAM, которые лягут в основу стека HBM.

Правила экспортного контроля США с декабря прошлого года запрещают поставку в Китай не только готовых микросхем HBM, но и оборудования для их производства. Непосредственно CXMT на этом фоне демонстрирует определённый прогресс, поскольку компании удалось освоить выпуск HBM2, а подготовка к производству HBM3 ведётся полным ходом. Как ожидается, китайские производители должны наладить выпуск HBM3 и HBM3E в период с 2026 по 2027 годы. Та же CXMT хоть и отстаёт от южнокорейских производителей, но быстро навёрстывает упущенное.

Опыт YMTC в контексте освоения технологий производства HBM интересен тем, что компания уже давно объединяет кремниевые пластины при выпуске многослойной памяти типа 3D NAND. Актуальность подобных технологий высока и для производства HBM, поскольку ведущие корейские поставщики тоже изучают методы гибридного соединения, позволяющие удержать умеренную высоту стека при увеличении количества слоёв в нём, попутно наращивая пропускную способность и улучшая условия теплоотвода. Специализирующиеся на технологиях упаковки чипов китайские компании тоже не остаются в стороне от подобных инициатив, поэтому движение к освоению выпуска HBM3 становится для местных производителей своего рода «общенациональной идеей».

Тема соответствия продукции Samsung требованиям Nvidia к микросхемам памяти типов HBM3 и HBM3E не сходит с новостных лент, и новые данные говорят о том, что первый тип памяти уже получил одобрение заказчика, а второй должен сделать это в течение ближайших четырёх месяцев. Впрочем, существует риск, что это долгожданное событие произойдёт уже в 2025 году.

Обзор Infinix GT 50 Pro: геймерский смартфон со встроенной СЖО

Выбираем лучший игровой ноутбук до 100 000 рублей: сравнительное тестирование 7 интересных моделей

Умные помощники: обзор ИИ-сервисов для обработки изображений. Часть 2, актуализированная

Репортаж с IEM Cologne Major 2026: Жаб Жабыч, триумф NiKo и главные сенсации мейджора по CS2

Обзор Ryzen 9 9950X3D2: правильный 16-ядерник с 3D-кешем

Источник изображения: Samsung Electronics

О злоключениях Samsung Electronics в этой сфере с новыми силами рассказывает агентство Bloomberg. По данным информированных источников, Samsung уже получила одобрение Nvidia на использование своих микросхем типа HBM3 в продукции данного разработчика графических процессоров, и первым изделием с таким сочетанием компонентов может стать ускоритель вычислений H20, созданный специально для китайского рынка с учётом действующих американских санкций.

Что касается более современных микросхем памяти HBM3E в исполнении Samsung, то их компания надеется сертифицировать по требованиям Nvidia либо через два, либо через четыре месяца — в зависимости от исполнительской дисциплины задействованных сотрудников и везения. К концу года Samsung хотела бы наладить поставки микросхем HBM3E для нужд Nvidia. Если же всё пойдёт не по плану, то благословенный момент может передвинуться на 2025 год.

Как известно, более мелкая компания SK hynix не только опережает Samsung по темпам вывода на рынок новых видов памяти семейства HBM, но и контролирует более половины мирового рынка таких микросхем. Аналитики Morgan Stanley полагают, что в случае успеха с сертификацией своей памяти под требования Nvidia компания Samsung уже в следующем году займёт не менее 10 % мирового рынка, и это позволит ей заметно нарастить выручку. Эксперты ожидают, что ёмкость мирового рынка HBM с прошлогодних $4 млрд к 2027 году вырастет до $71 млрд. Даже если Samsung немного отстаёт от конкурентов сейчас, имеющиеся в её распоряжении производственные мощности позволят быстро наверстать упущенное и найти себе достойное место на рынке.

Некоторые источники считают, что до сих пор Samsung подводило принятое ранее решение использовать для соединения слоёв памяти в стеке по методу TC-NCF с тепловой компрессией непроводящей плёнки. SK hynix использует другой метод, и её доля на рынке HBM не позволяет сомневаться в его эффективности. При этом Samsung не сомневается в востребованности метода TC-NCF на рынке и не демонстрирует готовности модифицировать технологию объединения слоёв памяти в стеке. И всё же, источники утверждают, что ради получения одобрения от Nvidia южнокорейский гигант пошёл на модификацию технологии выпуска HBM3. Производством памяти этого типа компания занимается со второй половины прошлого года.

HBM3E впервые начала использоваться Nvidia в этом году, причём сейчас она получает эти микросхемы только от SK hynix. В следующем году HBM3E будет пользоваться значительно большим спросом, и SK hynix оперативно удовлетворить потребности рынка просто не сможет, даже если сдержит обещание увеличить объёмы выпуска HBM3E в четыре раза. Micron Technology также успела получить одобрение на использование своих микросхем HBM3E в продукции Nvidia, поэтому на очереди осталась лишь Samsung. Компания прилагает усилия к завершению сертификации как 8-слойных, так и 12-слойных микросхем этого типа по требованиям Nvidia.