Китайские CXMT и YMTC объединились для выпуска импортозамещённой HBM3

Память типа HBM, подразумевающая многослойную компоновку в сочетании со скоростными соединениями, применяется в передовых ускорителях вычислений для ИИ. По этой причине возможность её выпуска обретает для китайских компаний стратегическое значение, ведь получать её из-за пределов страны они не могут по причине санкций. CXMT и YMTC готовы сотрудничать для решения этой проблемы.

Лучший процессор под DDR4 в 2026 году: AM4 против LGA 1700

Выбираем лучшие игровые ноутбуки на российском рынке (вторая половина 2026 года)

Сравнительный тест камер флагманских смартфонов (2026): итоги

Снято в Голливуде? Почему Стэнли Кубрик физически не смог бы подделать лунную походку

Топ-10 смартфонов до 10 тысяч рублей (2026 год)

Компьютер месяца, спецвыпуск: во что дефицит чипов памяти превратил бюджетные игровые ПК и при чем здесь Steam Machine

Источник изображения: SK hynix

Напомним, что у каждой из указанных китайских компаний исторически имелась своя специализация: YMTC выпускала исключительно NAND-память, а CXMT занималась выпуском микросхем DRAM. По данным DigiTimes, на которые ссылается Tom’s Hardware, в свете необходимости импортозамещения в сфере выпуска HBM эти китайские компании готовятся объединить усилия, и в рамках этой инициативы YMTC должна попробовать свои силы в работе с микросхемами DRAM, которые лягут в основу стека HBM.

Правила экспортного контроля США с декабря прошлого года запрещают поставку в Китай не только готовых микросхем HBM, но и оборудования для их производства. Непосредственно CXMT на этом фоне демонстрирует определённый прогресс, поскольку компании удалось освоить выпуск HBM2, а подготовка к производству HBM3 ведётся полным ходом. Как ожидается, китайские производители должны наладить выпуск HBM3 и HBM3E в период с 2026 по 2027 годы. Та же CXMT хоть и отстаёт от южнокорейских производителей, но быстро навёрстывает упущенное.

Опыт YMTC в контексте освоения технологий производства HBM интересен тем, что компания уже давно объединяет кремниевые пластины при выпуске многослойной памяти типа 3D NAND. Актуальность подобных технологий высока и для производства HBM, поскольку ведущие корейские поставщики тоже изучают методы гибридного соединения, позволяющие удержать умеренную высоту стека при увеличении количества слоёв в нём, попутно наращивая пропускную способность и улучшая условия теплоотвода. Специализирующиеся на технологиях упаковки чипов китайские компании тоже не остаются в стороне от подобных инициатив, поэтому движение к освоению выпуска HBM3 становится для местных производителей своего рода «общенациональной идеей».