Опрос
|
реклама
Быстрый переход
Исследование: полупроводники из оксида галлия работают при температуре ниже, чем в открытом космосе
27.04.2026 [20:53],
Николай Хижняк
Исследователи из KAUST обнаружили, что электронные устройства на основе оксида галлия могут работать при температурах даже ниже, чем в открытом космосе. Эта особенность может быть использована в задачах и средах с экстремальными температурами, таких как квантовые вычисления и исследование космоса. 
Источник изображения: KAUST Компьютерные чипы, сенсоры и другие электронные системы основаны на полупроводниках. Эти материалы имеют энергетическую щель, известную как запрещенная зона, через которую электроны должны перепрыгивать, чтобы проводить электричество. Однако при низких температурах электроны оказываются в ловушке и не могут двигаться. Это явление называется замораживанием. «На практике большинство обычных электронных устройств начинают выходить из строя при температуре ниже 100 К (–173 °C)», — говорит Вишал Ханделвал (Vishal Khandelwal), один из участников нового экспериментального исследования, возглавляемого Сяоханом Ли (Xiaohang Li). Поскольку электроника подвергается воздействию гораздо более низких температур — в космосе или в квантовых компьютерах, работающих при температуре всего 4 К (–269,15 °C), — ей требуются системы терморегулирования, которые увеличивают стоимость, объём и сложность. Команда KAUST давно занимается исследованиями сверхширокозонного полупроводникового бета-оксида галлия (β-Ga2O3), ранее продемонстрировавшего свою устойчивость к радиации и высоким температурам. Благодаря широкой запрещённой зоне устройства на основе оксида галлия испытывают меньшую утечку тока и продолжают работать даже при температуре 500 °C, что значительно превосходит возможности обычных кремниевых схем. Более ранние исследования также показали, что этот материал не подвержен эффекту замораживания, характерному для других полупроводников. Чтобы использовать этот эффект, исследователи создали два устройства на основе бета-оксида галлия с примесью атомов кремния. Эта добавка снабжает устройства электронами, которые обеспечивают протекание тока. Первым устройством оказался полевой транзистор (FinFET) с ребристыми каналами, которые делают его более мощным и стабильным по сравнению с обычными полевыми транзисторами. Второй логический компонент, называемый инвертором (также известный как вентиль NOT), является основным компонентом компьютерных схем. Оба устройства продемонстрировали надежную работу при температуре всего 2 К (–271,15 °C). При такой температуре практически не требуется тепловой энергии, чтобы помочь электронам перейти в зону проводимости оксида галлия. «Вместо этого электроны перескакивают через “примесную зону”, создаваемую атомами кремния, что позволяет устройству проводить ток», — объясняет Ли. Хотя это не первые электронные устройства, работающие при температуре 2 К, это первая демонстрация полупроводника со сверхширокой запрещённой зоной, который используется для создания транзисторов и логических инверторов при таких низких температурах. «С практической точки зрения это позволяет создавать компактные криогенные схемы из одного материала», — говорит Ли. Это потенциально упростит электронику в квантовых компьютерах. «Самые большие перспективы открываются в космосе. Космические зонды сталкиваются с резкими перепадами температур, поэтому устройства на основе материалов, способных работать в диапазоне от нескольких кельвинов до сотен кельвинов, такие как бета-оксид галлия, могут снизить потребность в громоздкой термозащите», — добавляет учёный. Исследователи планируют использовать бета-оксид галлия для создания целого набора других устройств, в том числе радиочастотных транзисторов, фотодетекторов и ячеек памяти. «Мы продемонстрировали основные строительные блоки. Теперь предстоит масштабировать их для создания сложных криогенных чипов и расширить границы производительности в этом сверххолодном режиме», — говорит Ли. Tokyo Electron уволила руководителя из-за слишком тесных связей с китайскими конкурентами
27.04.2026 [12:52],
Алексей Разин
Не самая известная в широких кругах японская компания Tokyo Electron в начале этой неделе поразительно часто замелькала в новостях не только из-за приговора по делу о промышленном шпионаже, который нанёс ущерб TSMC. Её также пришлось избавиться от бывшего руководителя бизнеса в Китае, который оказался связан с местными конкурентами. 
Источник изображения: Tokyo Electron Как поясняет Financial Times, речь идёт о Джей Чэне (Jay Chen), который до прошлого года руководили бизнесом Tokyo Electron в Китае. В феврале прошлого года его сместили с поста вице-президента Tokyo Electron и главы двух китайских представительств этой японской компании, поскольку осенью 2024 года руководству японской компании стало известно о связях Чэня с молодыми китайскими производителями оборудования для производства чипов, которые формально могут считаться прямыми конкурентами Tokyo Electron. До сентября прошлого года Чэнь сохранял за собой должность особого советника китайского подразделения Tokyo Electron, пока срок его контракта не истёк. Материнской компании удалось выяснить, что близкие Чэня имели отношение к инвестиционным структурам, поддерживающим китайских конкурентов Tokyo Electron. В частности, его супруга Такако Охтори (Takako Ohtori) владела пакетом акций компании WST Semiconductor Technology из Сучжоу, которая сперва сотрудничала с японским поставщиком оборудования в сфере его технического обслуживания, но потом начала разрабатывать аналогичное оборудование самостоятельно. Прототипы такого оборудования начали создаваться в 2022 году, оно изначально было ориентировано на способность быстро и без проблем интегрироваться в существующие производственные процессы. WST также специализировалась на реновации подержанного оборудования, которое после модернизации перепродавала в Китае. По данным Tokyo Electron, компания более не сотрудничает с WST. Одновременно сам Джей Чэнь являлся акционером и одним из основателей Britech Semiconductor Equipment, которая также занимается разработкой оборудования, схожего по назначению с продукцией Tokyo Electron. Жена Чэня также владеет пакетом акций указанной китайской компании. Джей Чэнь начинал свою работу в Intel, прежде чем в 1997 году его наняла Tokyo Electron для представления своих интересов в Китае. Участники рынка признают заслуги Чэня в увеличении присутствия оборудования Tokyo Electron в Китае. По словам представителей этой компании, никаких утечек технической информации из-за связей Чэня с китайскими конкурентами не обнаружено. Формально, Tokyo Electron даже не считает WST своим рыночным соперником. Samsung получила первый работоспособный кристалл памяти, выпущенный по технологии тоньше 10 нм
27.04.2026 [07:21],
Алексей Разин
Являясь крупнейшим производителем памяти, южнокорейская Samsung Electronics старается своевременно переходить на использование более современных литографических норм, поскольку это в долгосрочной перспективе позволяет сократить издержки на выпуск памяти. Недавно компания получила первый работоспособный кристалл DRAM, изготовленный по технологии тоньше 10 нм. 
Источник изображения: Samsung Electronics Традиционно литографические нормы в сфере производства микросхем памяти отстают от сферы логических компонентов, поскольку в первом случае передовые технологии просто не требуются и себя не оправдывают. Так или иначе, до недавних пор производители памяти активно осваивали техпроцессы 10-нм класса, которые ранжировались в такой последовательности: 1x, 1y, 1z, 1a, 1b, 1c и 1d (в порядке убывания параметров геометрии). Samsung недавно получила первый работоспособный образец кристалла DRAM, изготовленный по техпроцессу поколения 10a, который открывает эпоху литографических норм тоньше 10 нм в производстве памяти. Линейные размеры в данном случае варьируются в диапазоне от 9,5 до 9,7 нм, как уточняет The Elec. Последующие этапы внедрения данного техпроцесса подразумевают начало его использования при массовом производстве чипов памяти в 2028 году. Три последовательных технологии (10a, 10b и 10c) будут подразумевать использование архитектуры ячеек 4F2 и транзисторов с вертикальным каналом (VCT). В рамках последующей технологии 10d компания собирается перейти на 3D DRAM. Samsung подстраховалась на тот случай, если 10a не получится внедрить в массовом производстве, параллельно разрабатывая альтернативные технологии, но получение работоспособных образцов позволяет надеяться, что основной сценарий сработает. Внедрение 10a влечёт для Samsung риски, связанные с увеличением плотности размещения ячеек памяти. Структура 4F2 подразумевает увеличение количества ячеек на единице площади кристалла на 30–50 %. Одновременно транзисторы с вертикальным каналом (VCT) позволяют разместить конденсатор над транзистором, также увеличивая плотность компоновки элементов на кристалле. Периферийные схемы будут изготавливаться на отдельном кристалле и монтироваться под основной методом гибридного соединения пластин. Изменения в компоновке повлекли и замену химического состава элементов. Вместо кремния Samsung будет изготавливать каналы транзисторов из оксида индия, галлия и цинка (IGZO) для подавления токов утечки и обеспечения более стабильного хранения данных в ячейках памяти более компактной структуры. В выборе материала для слововой линии Samsung рассматривала две альтернативы: нитрид титана и молибден, но второй обладает повышенной коррозионной активностью и требует внедрения нового оборудования, поэтому чаша весов пока не склонилась к какому-то конкретному варианту. Вертикальные каналы в транзисторах, по мнению экспертов, являются первым шагом к созданию 3D DRAM, поэтому Samsung движется к этой технологии эволюционным путём. В то же время, Micron Technology и китайские производители памяти собираются миновать этап 4F2 и VCT, рассчитывая сразу перейти к 3D DRAM. Трёхмерная компоновка, помимо прочего, позволит наладить выпуск памяти с более высокой плотностью без использования сверхжёсткой ультрафиолетовой литографии (EUV), которая требует более дорогого оборудования. Для китайских производителей это вдвойне актуально с учётом отсутствия доступа к такому оборудованию в условиях западных санкций. Корейская SK hynix по примеру Samsung намерена применять 4F2 и VCT, но только в рамках техпроцесса 10b, а не 10a. Война США и Ирана ударила по рынку чипов — возник дефицит сырья для литографии
23.04.2026 [13:48],
Алексей Разин
Влияние военных действий на Ближнем Востоке на азиатскую полупроводниковую промышленность, как выясняется, не ограничивается перебоями с поставками природного газа и гелия. Японские производители и компании в Южной Корее рискуют столкнуться с нехваткой многих химикатов, необходимых для производства чипов. 
Источник изображения: Shin-Etsu Chemical Публикацию на эту тему разместил южнокорейский ресурс The Elec. В Японии крупнейшие в мире поставщики фоторезиста и других расходных материалов, применяемых в производстве чипов, столкнулись с нехваткой растворителей, необходимых для изготовления соответствующих составов. Японские поставщики, в свою очередь, начали информировать клиентов, в число которых входят южнокорейские Samsung Electronics и SK hynix, о возможных перебоях с поставками своей продукции. В дефиците оказались используемые в качестве растворителя метиловый эфир пропиленгликоля, а также пропиленгликоль ацетат монометилового эфира. Они входят в состав фоторезистивных покрытий, антибликовых подложек, наносимых в центрифуге масок и вспомогательных клеящих веществ, которые применяются при производстве той же памяти HBM, например. По словам некоторых представителей отрасли, ситуация напоминает ту, когда человек располагает сухими ингредиентами для приготовления кофе, но не имеет возможности залить их водой. Основными поставщиками упоминаемых растворителей являются японские компании Shin-Etsu Chemical, Tokyo Ohka Kogyo, JSR, Fujifilm и Nissan Chemical Corporation. Дефицит растворителей, в свою очередь, спровоцирован перебоями в поставках лигроина — продукта переработки нефти, который до начала конфликта в Иране на 40 % обеспечивал потребности японской химической промышленности именно через Ближний Восток. Из 12 заводов по переработке лигроина на территории Японии шесть уже были вынуждены сократить объёмы выпуска продукции. Окись пропилена, на основе которой изготавливаются растворители для полупроводниковой промышленности, оказалась в дефиците. Цены на сырьё в Японии практически удвоились по сравнению с началом марта. Получать растворители для своих расходных материалов японские производители теперь попытаются через Южную Корею или Китай. Проблема заключается в том, что изменения в источниках сырья вызовут необходимость повторной сертификации конечной продукции, которая может занять до года времени. Впрочем, южнокорейские поставщики растворителей наверняка воспользуются возникшей ситуацией для извлечения выгоды. В отличие от японских, корейские производители специализированных химикатов меньше зависят от ближневосточного сырья, и могут получать его как в США, так и в Китае. TSMC откладывает High-NA EUV-литографию: представлен техпроцесс A13 и раскрыты планы до конца десятилетия
23.04.2026 [08:38],
Алексей Разин
Откровения контрактных производителей чипов о своих планах на будущее звучат не только на квартальных отчётных конференциях, но и на специализированных отраслевых мероприятиях. TSMC на этой неделе использовала проводимый в США технологический симпозиум для рассказа о своих намерениях освоить к 2029 году новые передовые техпроцессы A13 и A12, приближающие компанию к 1-нм технологии. 
Источник изображений: TSMC О планах TSMC в их актуальном виде поведал ресурс Tom’s Hardware. Одним из главных откровений стало отсутствие у TSMC планов применять оборудование для сверхжёсткой ультрафиолетовой литографии с высоким значением числовой апертуры (High-NA EUV) до 2029 года включительно. На фоне конкурентов в лице Samsung и Intel это выглядит довольно самоуверенным заявлением, особенно с учётом наличия у TSMC предполагаемого прогресса в освоении всё более тонкой геометрии при производстве чипов. В 2028 году TSMC рассчитывает освоить техпроцесс A14, об этом было известно с прошлого года, но теперь компания рассказала о намерениях в 2029 году внедрить два производных варианта этой технологии, который получат обозначения A13 и A12 соответственно. A13 получен из A14 главным образом за счёт оптического сжатия, он обеспечивает увеличение плотности размещения транзисторов на 6 % без необходимости менять инструментарий для проектирования по сравнению с исходным A14. Напомним, в классической терминологии A14 можно считать 1,4-нм техпроцессом, тогда A13 будет уже 1,3-нм технологией. Каждый производитель чипов предлагает свою классификацию технологических норм, их разные числовые обозначения не всегда можно сопоставлять напрямую. Из откровений представителей TSMC стало понятно, что компания взяла курс на более тщательную адаптацию своих техпроцессов под нужды конкретных сегментов рынка. Исторически передовые техпроцессы TSMC первыми брали на вооружение разработчики мобильных процессоров, но теперь эту роль чаще берут на себя разработчики более крупных и сложных чипов для ИИ-ускорителей вроде Nvidia и AMD. Техпроцессы N2, N2P, N2U, A14 и A13, перечисляемые в хронологическом порядке освоения, ориентированы на выпуск чипов для смартфонов и клиентских устройств, поскольку в этом случае важна себестоимость продукции, помимо технических характеристик. Их компания готова улучшать каждый год. Техпроцессы типа A16 и A12 ориентируются на высокопроизводительные вычисления и сегмент ИИ, здесь важнее именно производительность выпускаемых чипов, поэтому в рамках данных технологий TSMC будет использовать более дорогостоящие решения вроде повода питания с обратной стороны кремниевой пластины. Такую категорию техпроцессов TSMC готова обновлять раз в два года.  Структуру транзисторов с окружающим затвором второго поколения (GAA) компания собирается внедрить в рамках технологии A14, а затем использовать и для A13, и для A12. Подвод питания с обратной стороны кремниевой пластины будет предусмотрен только для A12 и A16. Особняком будет стоять раскрытый на этой неделе техпроцесс N2U. По сути, он будет предложен на третий год жизненного цикла семейства технологий N2, позволяя поднять быстродействие на 3–4 %, либо снизить энергопотребление на 8–10 %, при этом увеличив плотность размещения транзисторов на 2–3 %. Совместимость с прежним инструментарием для разработки чипов позволит разработчикам без серьёзного увеличения затрат перейти с N2 на N2U. Новый техпроцесс подойдёт как для рынка смартфонов, так и для высокопроизводительных вычислений. Выпуск чипов с его использованием намечен на 2028 год. Техпроцесс A16 компания TSMC теперь намеревается освоить в 2027 году, хотя ранее рассчитывала сделать это в текущем. A16 будет сочетать первое поколение GAA-транзисторов с подводом питания с обратной стороны кремниевой пластины, а вот A12 уже перейдёт на GAA-транзисторы второго поколения с тем же вариантом подвода питания. Технически, TSMC будет готова к выпуску чипов по технологии A16 к концу этого года, просто серийные продукты для её клиентов перейдут на её использование лишь в следующем году. Появление A16 не отменит освоения N2X — оптимизированного варианта N2P, повышающего производительность транзисторов на 10 % при снижении энергопотребления. A12 станет эволюционным преемником A16, тогда как A13 на этом пути воздержится от использования подвода питания с оборотной стороны кремниевой пластины, но будет базироваться на GAA-транзисторах второго поколения. Все эти техпроцессы не потребуют использования более дорогого оборудования с высоким значением числовой апертуры (High-NA), которые Intel собирается внедрить в ближайшие пару лет для выпуска чипов по своей технологии 14A. Главным доводом против применения такого оборудования в TSMC считают высокую себестоимость. Эта тайваньская компания является крупнейшим контрактным производителем чипов в мире, поэтому для неё важно снижать затраты на выпуск продукции. Землетрясение в Японии магнитудой 7,7 балла больше всего навредило производству химикатов для выпуска чипов
21.04.2026 [08:15],
Алексей Разин
Как и Тайвань, Япония находится в не самой благополучной зоне с точки зрения сейсмической активности, поэтому концентрация определённого типа производств в этой стране формирует серьёзные риски для всей мировой полупроводниковой отрасли. Вчерашнее землетрясение магнитудой 7,7 балла больше всего навредило производству фоторезиста для выпуска чипов. 
Источник изображения: Kioxia К такому предварительному выводу приходит ресурс TrendForce, занявшийся анализом всей доступной на данный момент информации. Вчера в районе пяти вечера по местному времени у северо-восточного побережья острова Хонсю были зарегистрированы толчки магнитудой до 7,7 баллов. Непосредственно на территории Японии максимальная магнитуда достигала 5 баллов в той местности, где расположены предприятия Kioxia, Tokyo Electron, Shin-Etsu Chemical и SUMCO. В районе, где находятся фабрики по производству памяти типа NAND компании Kioxia, магнитуда толчков не превысила 4 баллов. Структурных разрушений они не зафиксировали, но работу пришлось остановить до выяснения возможных последствий землетрясения. Инспекция займёт от одного до трёх дней, но когда производство памяти здесь будет возобновлено в полном объёме, не уточняется. Местные заводы Kioxia обеспечивают от 5 до 8 % мирового объёма выпуска NAND. Разумеется, в Японии большинство предприятий построено с учётом определённого класса сейсмоустойчивости, поэтому здания не страдают от землетрясений столь серьёзно, как это могло бы произойти без принятия соответствующих мер. Тем не менее, подземные толчки нередко приводят к необходимости повторно калибровать оборудование, на это уходят недели. На одном из предприятий Kioxia в Китаками в этом полугодии должно быть налажено массовое производство 218-слойной памяти типа 3D NAND, поэтому недавнее стихийное бедствие могло негативно повлиять на планы этой компании. На острове Хоккайдо магнитуда толчков вчера достигала 4 баллов, здесь расположено строящееся предприятие Rapidus, которое в следующем году должно начать серийный выпуск 2-нм чипов. Последствия землетрясения представителями компании пока никак не обсуждаются публично. Остров Кюсю, где сосредоточены предприятия Sony, Rohm и TSMC (JASM) по производству полупроводниковых компонентов, от землетрясения пострадал минимально, магнитуда толчков ограничилась в этом случае 1 или 2 баллами. Предприятия Tokyo Electron по выпуску литографического оборудования хоть и приостанавливали свою работу для изучения возможного ущерба, по факту его не понесли, и вскоре продолжили производственную деятельность. Shin-Etsu Chemical и SUMCO приостанавливали работу своих предприятий по выпуску кремниевых пластин в Японии, но сегодня начали её возобновлять. Зато в случае с предприятием Shin-Etsu Chemical по производству фоторезиста для обработки кремниевых пластин в Фукусиме ситуация не столь благоприятная. Оно вынуждено было остановить работу, на перенастройку оборудования уйдёт от четырёх до восьми недель. Кроме того, предприятие TOK в Фукусиме, имеющее аналогичный профиль деятельности, тоже сможет возобновить полноценную работу лишь через четыре или шесть недель. Оно при этом отвечает за 25 % мирового объёма производства специального фоторезиста. Нехватка подобных химикатов может только усугубить дефицит чипов, который сейчас наблюдается во многих сегментах рынка. Intel наращивает мощности: закупки оборудования взлетели в полтора раза
20.04.2026 [10:28],
Алексей Разин
Бум искусственного интеллекта на бизнесе Intel сказался вполне традиционным образом — центральных процессоров этой марки перестало хватать на всех желающих. Тем не менее, Intel одновременно заинтересована в привлечении крупных клиентов на контрактное направление, и в совокупности эти два фактора вынудили её с начала текущего года в полтора раза увеличить объёмы закупок оборудования для выпуска чипов. 
Источник изображения: Intel По крайней мере, об этом сообщает TrendForce со ссылкой на тайваньские источники. Среди местных поставщиков компанией Intel в текущих условиях востребована продукция KINIK Company и E&R Engineering. Оборудование последней используется как при обработке кремниевых пластин, так и на этапе тестирования и упаковки чипов. Между ней и Intel сложились тесные производственные связи. Объём заказов профильного оборудования начнёт расти в этом квартале и продолжит свой рост во втором полугодии. Алмазные диски для нарезки кремниевых пластин компания Intel со второй половины прошлого года поставляет KINIK Company. Они отправляются не только в США, где у Intel есть крупные предприятия по выпуску процессоров в Орегоне и Аризоне, но и в Ирландию, и в Израиль. В текущем году объёмы поставок алмазных дисков должны резко увеличиться, по прогнозам тайваньских источников. До конца текущего года, как ожидают некоторые аналитики, Intel определится с именами первых клиентов, для которых она будет выпускать чипы по технологии 14A. Не исключено, что в их числе окажется Apple. Кроме того, Intel недавно официально объявила о намерениях сотрудничать с Tesla и SpaceX в сфере организации производства передовых чипов на территории США. TSMC увеличила прибыль на 58 % до рекордных $18 млрд благодаря ажиотажу вокруг ИИ
16.04.2026 [10:58],
Алексей Разин
Предварительные данные ещё неделю назад позволили узнать, что квартальная выручка TSMC выросла на 35 % до $35,6 млрд. На этой неделе компания опубликовала подробную отчётность, из которой стало известно, что чистая прибыль взлетела на 58 % до рекордных $18 млрд в пересчёте по курсу. Это уже четвёртый квартал подряд, на протяжении которых TSMC получает рекордную прибыль. 
Источник изображений: TSMC Выручка TSMC, её норма прибыли и норма операционной прибыли оказались выше собственных ожиданий компании. При этом в натуральном выражении количество обработанных за квартал кремниевых пластин, отгруженных клиентам, выросло в годовом сравнении на 28,1 %. В долларовом выражении выручка TSMC выросла даже сильнее, чем в национальной валюте Тайваня — на 40,6 % вместо 35,1 %. Норма прибыли увеличилась с 58,8 до 66,2 %. Всё это говорит о том, что цены на услуги и продукцию TSMC растут опережающими темпами, и для бума ИИ с его дефицитом компонентов это уже привычно. Кроме того, TSMC отмечает улучшение структуры затрат и рост степени загрузки собственных предприятий.  TSMC уже давно обеспечивает до трёх четвертей своей выручки оказанием услуг по выпуску чипов с использованием передовых литографических норм — от 3 до 7 нм включительно. В прошлом квартале доля 3-нм продукции в выручке TSMC последовательно опустилась с 28 до 25 %, а вот 5-нм техпроцесс в среднесрочной ретроспективе удерживает позиции, обеспечивая 36 % всей выручки компании. Сдаёт позиции 7-нм техпроцесс, доля которого сократилась до 13 % как последовательно, так и в годовом сравнении, пусть всего и на один процентный пункт в каждом из случаев. Так или иначе, все три поколения передовой литографии в первом квартале обеспечивали 74 % выручки TSMC. Глава компании Си-Си Вэй (C.C. Wei) подчеркнул, что она готова расширять выпуск 3-нм продукции не только на Тайване, но и в США, и в Японии. Через пару лет 3-нм чипы будут выпускаться на всех перечисленных площадках в приличных количествах. Уровнем качества выпускаемых 2-нм чипов руководство TSMC вполне довольно, а к выпуску чипов по технологии A14 (1,4-нм) компания рассчитывает приступить в 2028 году, в полном соответствии с намеченным ранее графиком.  По сегментам рынка лидерство предсказуемо сохраняется за высокопроизводительными вычислениями (HPC), которые обеспечили 61 % всей выручки TSMC против 59 % годом ранее. Смартфоны просели как последовательно, с 32 до 26 %, так и год к году (с 28 %), но это можно объяснить ростом цен на память, который сокращает спрос на смартфоны. Если доля Интернета вещей выросла с 5 до 6 %, то автомобильный сегмент просел с 5 до 4 %. Потребительская электроника хоть и обеспечила лишь 1 % выручки TSMC в минувшем квартале, последовательно увеличила профильную выручку на 28 %. Лидирующий сегмент HPC прибавил в выручке 20 % по сравнению с четвёртым кварталом прошлого года, а вот смартфоны просели на 11 %. Автомобильная электроника тоже сократила свою выручку на 7 %, но Интернет вещей прибавил 12 %. От влияния кризиса на рынке смартфонов TSMC защищена больше конкурентов, поскольку обслуживает преимущественно дорогой сегмент.  В географическом срезе 76 % выручки TSMC приходилось на Северную Америку, но существенных изменений в расстановке сил между макрорегионами на наблюдалось. Азиатско-Тихоокеанский регион удерживал стабильные 9 % выручки TSMC, Китай довольствовался 7 %, а Япония 4 %, как и страны Европы, Ближнего Востока и Африки. Рассуждая о возможной конкуренции со стороны компаний Илона Маска (Elon Musk) или Intel, глава TSMC отметил, что они являются её клиентами, а для строительства современных предприятий по выпуску чипов попросту не существует коротких маршрутов, и на него уходит от двух до трёх лет. В своих лидирующих технологических позициях TSMC очень уверена, но при этом она старается избегать недооценки конкурентов. Капитальные расходы TSMC в первом квартале составили $11,1 млрд, лишь слегка уступив показателю четвёртого квартала прошлого года. В целом по итогам текущего года капитальные затраты могут вырасти на 37 % до диапазона от $52 до $56 млрд. В текущем квартале компания рассчитывает выручить от $39 до $40,2 млрд, это выше предыдущего диапазона, заложенного в прогноз, а также на 32 % больше результата аналогичного периода предыдущего года. Влияния назревающего энергетического кризиса на собственный бизнес TSMC в обозримой перспективе не ожидает, но подчёркивает, что при затяжном характере конфликта может пострадать прибыльность компании. Успехи первого квартала позволили руководству компании поднять прогноз по росту выручки в текущем году до более чем 30 %. Ранее считалось, что рост выручки TSMC в 2026 году окажется ниже этого значения. Высокий спрос на серверные системы вызвал дефицит простейших электронных компонентов
16.04.2026 [07:17],
Алексей Разин
Бум систем искусственного интеллекта вызывает нехватку не только микросхем памяти и GPU, но и вполне обычных электронных компонентов, которые требуются при производстве серверных решений. В таких условиях объёмы поставки серверов в этом году могут вырасти только на 13 % вместо ранее заложенных в прогноз 20 %, как признаются эксперты TrendForce. 
Источник изображения: TSMC Спрос на серверные системы в этом году поставщики не смогут удовлетворить в полной мере, поскольку для их производства в нужном количестве не будет хватать электронных компонентов: не только печатных плат, центральных процессоров или микросхем памяти, но и силовой электроники. Сроки ожидания печатных плат и центральных процессоров по некоторым номенклатурным позициям уже растянулись почти на год. Сроки ожидания контроллеров управления питанием и удалённым управлением также начали увеличиваться. В сегменте ИИ спрос на компоненты подсистем управления питанием (PMIC) оказался выше, чем в случае с серверными системами общего назначения, поскольку к ним предъявляются иные требования по плотности компоновки. Под нужды ИИ-сегмента переориентируются линии производителей силовой электроники, в результате начинает страдать сегмент серверных систем общего назначения. Сроки ожидания PMIC увеличились с 21–26 недель до 35–40 недель. Чипы для подсистем удалённого управления (BMC) хоть и производятся с использованием зрелых техпроцессов, также оказываются в дефиците. Производителям выгоднее выпускать более дорогие компоненты для инфраструктуры систем ИИ, поэтому потребности базового сегмента рынка обслуживаются по остаточному принципу. Сроки ожидания BMC выросли с 11–16 недель до 21–26 недель. Тем не менее, по прогнозам TrendForce, объёмы поставок серверных систем для инфраструктуры ИИ по итогам текущего года вырастут на 28 %, и основанные на чипах узкого назначения (ASIC) решения при определённых условиях смогут превалировать над GPU. Крупные облачные провайдеры в последнее время уделяют много внимания использованию чипов собственной разработки. Поскольку их выпуск и валидация требуют времени, в этом году доля подобных решений вряд ли превысит 27 %, а потому у систем на основе GPU сохраняются некоторые шансы на доминирование. От дефицита компонентов будут в большей мере страдать серверные системы общего назначения, хотя он будет сдерживать и общие темпы роста рынка. В лучшем случае предложение достигнет равновесного состояния со спросом в 2027 году, как считают в TrendForce. Qualcomm не уверена в способности Samsung выпускать для неё 2-нм чипы с нужным качеством
11.04.2026 [06:08],
Алексей Разин
Американская Qualcomm отличается определённой «всеядностью» с точки выбора подрядчиков для выпуска процессоров собственной разработки, поэтому в этом качестве в разное время выступали не только TSMC и Samsung, но и китайская SMIC. По данным корейских СМИ, возможность сотрудничества Qualcomm с Samsung в сфере выпуска 2-нм процессоров оказалась под вопросом из-за проблем с качеством продукции. 
Источник изображения: Samsung Electronics По информации Business Korea, в тактике Qualcomm на производственном направлении наметился очевидный перевес в сторону TSMC, поскольку Samsung Electronics не может обеспечить заданные параметры качества выпускаемой продукции. Следующее поколение процессоров Qualcomm, как ожидается, будет производиться преимущественно TSMC. Не исключено даже, что последняя окажется единственным подрядчиком Qualcomm. Возможность выпуска 2-нм процессоров Qualcomm компанией Samsung обсуждалась с начала этого года. На сотрудничество с южнокорейским подрядчиком возлагались большие надежды, об этом даже публично обмолвилось руководство Qualcomm. В этой сфере компании не сотрудничали с 2022 года, но до 2021 года включительно Samsung принимала участие в выпуске чипов Qualcomm с использованием передовых на тот момент литографических технологий. Причиной нового охлаждения интереса Qualcomm к услугам Samsung по контрактному производству чипов стал низкий уровень выхода годной продукции при использовании 2-нм техпроцесса. По слухам, в прошлом полугодии лишь 20 % чипов, выпускаемых Samsung по 2-нм технологии, были годными для дальнейшего использования. Принято считать, что для массового производства чипов показатель должен превышать 60 %, но в случае с Samsung он сейчас хоть и близок к этому уровню, но не может похвастать стабильностью. При этом TSMC достигла уровня выхода годной 2-нм продукции в диапазоне от 60 до 70 % на стабильной основе. Qualcomm требует от подрядчиков, чтобы уровень выхода годной продукции был не ниже 70 %, поскольку более низкие значения отрицательно сказываются на прибыльности производства. TSMC уже смогла привлечь к своему 2-нм техпроцессу не только Qualcomm, но и AMD, Apple и Nvidia, как отмечают источники. Для Samsung в этом отношении не всё потеряно, по словам экспертов, поскольку если уровень выхода годной продукции в рамках её 2-нм техпроцесса достигнет приемлемых для Qualcomm величин, компании смогут возобновить сотрудничество. В конце концов, Qualcomm всегда старается полагаться на максимальное количество подрядчиков с целью снижения рисков, связанных с перебоями в поставках продукции. Samsung в дальнейшем также предстоит доказать свою технологическую состоятельность и в рамках освоения 1-нм технологий. Intel научилась изготавливать самые тонкие в мире чиплеты на базе нитрида галлия
09.04.2026 [12:55],
Алексей Разин
Нитрид галлия давно используется для производства силовых полупроводниковых компонентов, но для интеграции вычислительных функций соответствующие чипы требовали традиционных кремниевых компонентов. Intel научилась создавать сверхтонкие чиплеты из нитрида галлия, которые можно интегрировать на кремниевые чипы и тем самым сокращать занимаемую компонентом площадь. У этой технологии есть и множество других преимуществ. 
Источник изображений: Intel Результатами разработок на этом направлении специалисты Intel поделились в особом разделе корпоративного сайта. В недрах лабораторий Intel Foundry, как отмечается в материале, были созданы чиплеты из нитрида галлия на кремниевой подложке толщиной всего 19 мкм, причём получены они были из пластины типоразмера 300 мм. Устойчивость нитрида галлия к высоким температурам и силе тока позволяет использовать такое сочетание материалов для создания компонентов, применяемых в центрах обработки данных, а также инфраструктуре связи поколений 5G и 6G. Микросхемы цифрового управления были интегрированы непосредственно на кристалле с использованием единого технологического процесса, что также было сделано впервые в отрасли. Подход позволяет снизить энергетические потери и сэкономить пространство. Технология, как считают в Intel, позволит создавать регуляторы напряжения для ЦОД, которые будут более компактными, более эффективными, при этом располагаться ближе к процессору и снижать потери, возникающие на более длинных маршрутах. В сегменте систем связи компоненты из нитрида галлия уже зарекомендовали себя способностью эффективно работать на частотах свыше 200 ГГц. В оптоволоконных системах связи способность быстро переключать состояние тоже будет востребована, по словам представителей Intel. Традиционные кремниевые транзисторы по мере роста частот склонны выделять больше тепла и терять больше энергии. Транзисторы из нитрида галлия способны более эффективно работать на высоких частотах, спокойно переносить более высокие напряжения, терять меньше энергии и просто переключать состояние с более высокой скоростью. В системах преобразования энергии компоненты из нитрида галлия весьма востребованы. Применение Intel стандартного для отрасли типоразмера пластин 300 мм позволит внедрить работу с нитридом галлия без существенного технологического перевооружения имеющейся инфраструктуры. Кроме того, этот типоразмер пластин позволяет выпускать компоненты в больших масштабах.  Для достижения рекордно малой толщины кремниевой подложки в 19 мкм компания Intel использовала инновационную методику предварительной обработки кремниевого основания при помощи лазера, которая вызывает появление микроскопических трещин, упрощающих последующее шлифование пластины. Специалистам Intel при этом пришлось убедиться, что использование столь тонкого основания не влияет на эксплуатационные характеристики компонентов. Транзисторы с длиной затвора 30 нм продемонстрировали хорошую способность проводить ток с низкими потерями и выдерживать напряжения до 78 В. Радиочастотные характеристики транзисторов тоже были проверены на частотах свыше 300 ГГц, что с запасом превышает потребности систем связи будущих поколений. Компоненты на основе нитрида галлия могут найти применение не только в центрах обработки данных и базовых станциях связи, но и в электромобилях и космических спутниках. Кремниевые компоненты нестабильно ведут себя уже при температуре 150 градусов Цельсия, а нитрид галлия позволяет сместить этот порог заметно выше. При этом снижение потребности в охлаждении компонентов благоприятно сказывается на эксплуатационных расходах, поскольку на охлаждение нужно тратить меньше энергии. Важно, что управляющая логика интегрируется на одном чипе с элементом из нитрида галлия, поскольку до этого они разносились по разным компонентам. Intel испытала данное сочетание материалов на широком спектре полупроводниковых компонентов, подтвердив готовность технологии к использованию в условиях массового производства. Компоненты, изготовленные таким методом, в ходе испытаний показали высокую надёжность и долговечность. Освоенные Intel технологии позволят создавать всё более сложные с компоновочной точки зрения решения. Выход годных чипов по техпроцессу Intel 18A достиг внушительных 65 %
07.04.2026 [14:15],
Алексей Разин
После общения с представителями каналов поставок полупроводниковой продукции в Азии аналитики KeyBanc Capital Markets смогли поделиться весьма интересной информацией о состоянии дел Intel в сфере контрактного производства и упаковки чипов. Например, норма выхода годной продукции по технологии Intel 18A уже достигла 65 %, и это весьма достойный показатель для сложного и рискованного техпроцесса. 
Источник изображения: Intel В январе сообщалось, что данный показатель достиг 60 %. Таким образом, сейчас из выпускаемых по технологии Intel 18A чипов не более 35 % являются бракованными. Этот же источник выражает уверенность, что Intel достались контракты Apple на выпуск процессоров семейства M для MacBook и iPad по фирменной технологии 14A. Кроме того, получившая недавно распространение информация об интересе Google к услугам Intel по упаковке чипов с использованием технологии EMIB-T позволяет предположить, что процессорный гигант на соответствующем контракте сможет выручить от $4 до $5 млрд. Конкурирующая AMD, которая в части производства чипов целиком зависит от подрядчиков типа TSMC и GlobalFoundries, в ближайшие пару лет сможет рассчитывать на увеличение квот под свои заказы, как отмечают представители KeyBanc. Та же TSMC в текущем году увеличит квоту с 70 до 80 тысяч подложек для ИИ-чипов AMD, а в следующем году может и вовсе поднять планку ещё на 70 %. Выручка AMD от реализации GPU для инфраструктуры ИИ может достичь $16,5 млрд вместо ранее упоминавшихся в прогнозе $14,5 млрд. Оба производителя серверных процессоров поднимают цены, по словам аналитиков KeyBanc, и это тоже благоприятно сказывается на их доходах. Японский полупроводниковый стартап Rapidus намерен начать выпуск чипов на Луне
07.04.2026 [12:44],
Алексей Разин
В следующем году основанная в 2022 году консорциумом японских инвесторов компания Rapidus должна наладить выпуск на новом предприятии на острове Хоккайдо передовых 2-нм чипов по заказу своих клиентов. Глава молодой по меркам отрасли компании Ацуёси Коикэ (Atsuyoshi Koike) мечтает наладить производство чипов на Луне, и считает это вполне разумным и реальным. 
Источник изображения: Rapidus Комментарии главы Rapidus приводит издание The Wall Street Journal. В июле этого года Rapidus произвела по 2-нм технологии первый прототип чипа. Освоить передовые литографические нормы ей помогла американская IBM. По словам господина Коикэ, японская полупроводниковая промышленность в определённый период своего развития стала излишне изолированной, и это было большой ошибкой. Желая быстро наверстать упущенное, Rapidus изначально выбрала в качестве технологического донора американскую IBM, отправив японских инженеров на стажировку в штат Нью-Йорк. Коикэ убеждён, что конкурентным преимуществом Rapidus будет способность доводить продукцию клиентов от проекта до серийного выпуска в более сжатые сроки. То, что у всей отрасли обычно требует до 50 дней, Rapidus намеревается проделывать за 15 дней. За скорость клиентам придётся доплачивать — глава компании сравнил подход с тарифной политикой железнодорожных перевозчиков в Японии, которые билеты на скоростные поезда предлагают по более высоким ценам. Rapidus сможет обрабатывать сверхмалые партии чипов — буквально от одной кремниевой пластины. Как только заказы начнут приносить адекватный доход, Rapidus начнёт строить новые предприятия. На них роботы будут работать параллельно с людьми. К сороковым годам этого века глава компании рассчитывает начать выпуск чипов на Луне. Меньшая сила тяжести и наличие вакуума, по словам Коикэ, позволят облегчить выпуск чипов и повысить производительность процесса. TSMC собирается развернуть производство 3-нм чипов в Японии к 2028 году
01.04.2026 [09:26],
Алексей Разин
Ещё в начале февраля стало известно, что TSMC собирается силами своего совместного предприятия JASM наладить на территории Японии выпуск 3-нм чипов. Если выпуск 4-нм чипов компания рассчитывала запустить в этой стране к концу 2027 года, то переход на 3-нм техпроцесс увеличит сроки до 2028 года, если опираться на распространяемую Reuters информацию. 
Источник изображения: TSMC Подобные планы получили подтверждение благодаря поданной TSMC заявке на родном для себя Тайване, поскольку проекты, подразумевающие экспорт чувствительных технологий с острова, требуют согласования с его властями. Выпуск 3-нм чипов в Японии будет налажен на второй фабрике JASM, которая сейчас возводится. После ввода в строй предприятие сможет ежемесячно обрабатывать до 15 000 кремниевых пластин типоразмера 300 мм с 3-нм чипами. Когда в 2024 году TSMC планировала развитие своего производственного кластера в Японии, речь шла о спектре литографических технологий от 40 до 6 нм включительно. По предварительным данным, строительство второй фабрики в Японии потребует до $17 млрд, но официальной информации на этот счёт пока нет. Предполагается, что японские власти покроют часть расходов TSMC субсидиями. В общей сложности, с учётом уже работающего первого предприятия JASM, власти Японии направят на реализацию данного проекта рекордные по меркам страны $7,9 млрд. Японская компания Rapidus намерена наладить выпуск на территории страны не только 2-нм, но и более продвинутых 1,4-нм чипов, поэтому стремление TSMC продвигаться в данном направлении должно учитывать стратегические национальные приоритеты. Следствие по делу о краже 2-нм технологий TSMC закончено — бывший сотрудник может получить 20 лет тюрьмы
31.03.2026 [02:52],
Анжелла Марина
Тайваньский суд назначил на 27 апреля оглашение вердикта по одному из трёх резонансных дел о хищении коммерческой тайны у крупнейшего в мире контрактного производителя чипов TSMC. Дело примечательно тем, что стало первым в истории прецедентом применения «Закона о национальной безопасности» в контексте полупроводникового производства. 
Источник изображения: Gemini В центре судебного разбирательства, как сообщает Tom's Hardware, находится сотрудник TSMC Чэнь Лимин (Chen Li-ming), который работал в отделе управления производительностью и затем перешёл на работу в отдел маркетинга японской фирмы Tokyo Electron Taiwan. По версии обвинения, он организовал несколько операций по промышленному шпионажу. Первое дело, по которому уже готовится к вынесению приговор, рассматривает события, произошедшие около 2023 года, когда будучи сотрудником Tokyo Electron, Лимин якобы убедил двух инженеров TSMC передать ему секретную информацию о передовой технологии 2-нм техпроцесса. Предполагается, что похищенные данные должны были помочь Tokyo Electron стать поставщиком для TSMC. По этому эпизоду Лимину грозит до 14 лет тюремного заключения, а его предполагаемым сообщникам до 9 и 7 лет соответственно. Второе дело, возбужденное в январе, касается эпизода с хищением данных 14-нм технологии и уничтожение доказательств, подтверждающих кражу. Следствие полагает, что Лимин привлёк к этому ещё одного сотрудника TSMC, Чэнь Вэйцзе (Chen Wei-chieh), который фиксировал на камеру закрытые документы. В этом эпизоде также фигурирует менеджер Tokyo Electron по фамилии Лу, который, по данным следствия, знал о происходящем. По этому делу Лимину грозит ещё до семи лет тюрьмы, его сообщнику до девяти лет, а менеджеру Лу до одного года. Судебная практика Тайваня, как предполагает Tom's Hardware в своём материале, предусматривает суммирование сроков по связанным обвинениям с максимальным ограничением в 20 лет лишения свободы. Однако, учитывая беспрецедентный характер первого дела с применением «Закона о национальной безопасности», Чэнь Лимин может столкнуться именно с максимальным наказанием. Что касается компании Tokyo Electron Taiwan, ей грозит штраф в размере 145 млн новых тайваньских долларов (около $4,52 млн) за непринятие достаточных мер для предотвращения незаконных действий. Изначально сумма штрафа составляла 120 млн новых тайваньских долларов, однако она была увеличена на 25 млн после второго предъявленного обвинения. |
© 1997—2026 Электронное периодическое издание "3ДНьюс" | Свидетельство о регистрации СМИ Эл ФС 77-22224
выдано Федеральной Службой по надзору за соблюдением законодательства в сфере массовых коммуникаций и охране культурного наследия
При цитировании документа ссылка на сайт с указанием автора обязательна. Полное заимствование документа является
нарушением
российского и международного законодательства и возможно только с согласия редакции 3DNews.
MWC 2018
2018
Computex
IFA 2018
