Опрос
|
реклама
Быстрый переход
GeIL анонсировала модули DDR5, которые работают со скоростью 8000 МТ/с без разгона
07.05.2026 [21:51],
Николай Хижняк
Компания GeIL представила модули памяти Spear V DDR5, способные работать на скорости 8000 МТ/с без необходимости использования профилей разгона Intel XMP или AMD EXPO. Производитель также показал модули памяти Aquarius Diamond RGB, оснащённые алюминиевым радиатором с RGB-подсветкой и пластиковыми накладrами в виде бриллиантов. 
Источник изображений: GeIL Модули памяти GeIL со скоростью 8000 МТ/с соответствуют стандарту JEDEC. Компания собирается показать новинки на выставке Computex 2026. Производитель отмечает, что указанные модули ОЗУ не требуют использования профилей разгона XMP и EXPO, а также ручных настроек в BIOS на поддерживаемых платформах.   Для новинок компания заявляет тайминги CL64-64-64-128 и рабочее напряжение 1,10 В. Это ставит их в отдельную категорию по сравнению с большинством других модулей памяти DDR5-8000, которые обычно полагаются на профили разгона и более высокое рабочее напряжение для заявленной скорости работы.  GeIL отмечает, что новые модули памяти оптимизированы для настольных процессоров Intel Core Ultra 200. Тестирование ОЗУ проводилось на материнских платах с чипсетами Intel Z890 и B860, в сочетании с процессорами Core Ultra 5 245KF и Core Ultra 7 265K.  Стоит добавить, что на днях компания TeamGroup представила свои модули ОЗУ DDR5-8000 Elite и Elite Plus, также не требующие разгона. Они тоже работают при напряжении 1,1 В в рамках спецификаций JEDEC, но предлагают более низкие задержки CL56-56-56-128. 
Источник изображений: TeamGroup  GeIL не озвучила ни стоимость, ни ёмкость, ни сроки поступления своих новинок в продажу. Она также не уточнила, относятся ли данные модули ОЗУ к стандартам UDIMM или CUDIMM. Apple урезает семейство Mac: мощные версии исчезают из-за нехватки памяти
06.05.2026 [15:04],
Николай Хижняк
Компания Apple убрала из своего онлайн-магазина ещё больше конфигураций настольных компьютеров Mac в связи с продолжающимся глобальным дефицитом памяти. Модели Mac mini с 32 и 64 Гбайт оперативной памяти больше недоступны для покупки, как и Mac Studio M3 Ultra с 256 Гбайт оперативной памяти. 
Источник изображения: Apple Mac Studio M3 Ultra теперь доступен только в конфигурации с 96 Гбайт оперативной памяти, более дорогие варианты исчезли из ассортимента. Сроки доставки моделей Mac Studio M3 и Mac Studio M4 Max составляют от 9 до 10 недель. Что касается Mac mini, то модель с процессором M4 Pro теперь имеет максимальный объём оперативной памяти 48 Гбайт. Покупатели больше не могут выбрать вариант с 64 Гбайт ОЗУ. Стандартный Mac mini M4 можно приобрести только с 16 или 24 Гбайт оперативной памяти, версия с 32 Гбайт памяти больше недоступна. На прошлой неделе Apple сняла с производства Mac mini с SSD объёмом 256 Гбайт, оставив в качестве базового варианта модель с 512 Гбайт. Это фактически повысило цену Mac mini с $599 до $799. Apple также прекратила принимать заказы на некоторые модели Mac Studio и Mac mini с большим объёмом оперативной памяти в марте и апреле. Генеральный директор Apple Тим Кук (Tim Cook) недавно заявил, что Mac mini и Mac Studio будет трудно достать в ближайшие месяцы. «Мы считаем, что в будущем Mac mini и Mac Studio могут потребоваться несколько месяцев, чтобы достичь баланса спроса и предложения», — сказал Кук. По словам Кука, Apple недооценила спрос на Mac mini и Mac Studio со стороны клиентов, которым нужен ПК для локального запуска инструментов искусственного интеллекта и агентных систем. Он также отметил, что Apple ожидает значительного повышения стоимости памяти в ближайшие месяцы, поэтому, вероятно, компания экономит запасы, сокращая количество доступных вариантов конфигураций. «Шринкфляция» добралась до гаджетов — в 2026 году они не только дорожают, но и получают меньше памяти
06.05.2026 [12:06],
Владимир Мироненко
Рост цен на оперативную память вынуждает компании выбирать между повышением цен на свои устройства и ухудшением характеристик. Некоторые взяли на вооружение оба варианта, пишет Gizmodo. Как ожидают аналитики ресурса, в 2026 году всё оборудование — от смартфонов и компонентов ПК до игровых консолей — не только подорожает, но и ухудшится. 
Источник изображения: @mysticleaks / Telegram Ситуация похожа на «шринкфляцию» продуктов питания, когда производители, сохраняя цену коробки с хлопьями, уменьшают их вес в упаковке. Например, по данным инсайдера Mystic Leaks, предстоящая линейка смартфонов Pixel 11 не будет особо отличаться от предшественников, хотя Pixel 11 Pro XL может получить новый набор датчиков камеры. В то же время, Pixel 11 Pro Fold может получить 12 Гбайт оперативной памяти, что на 4 Гбайт меньше, чем у предыдущей модели Pixel 10 Pro Fold. Также смартфоны Pixel нового поколения могут лишиться своей востребованной функции термометра, получив вместо неё крошечный массив RGB-светодиодов, похожий на Glyph Matrix у Nothing Phone (3). Уже сейчас последняя модель среднего класса от Google — Pixel 10a — не предлагает заметных улучшений по сравнению с Pixel 9a за ту же цену в $500. Новый ноутбук компании Framework, уже несколько раз повышавшей цены на свою продукцию из-за роста стоимости памяти, Framework 13 Pro — один из самых дорогих на сегодняшний день, во многом из-за роста цен на оперативную память LPDDR5X и твердотельные накопители M.2. Также в нём используется видеокарта Nvidia GeForce RTX 5070 с 12 Гбайт видеопамяти, которая стоит на $500 дороже, чем предыдущая версия с 8 Гбайт видеопамяти. В свою очередь, Motorola решила повысить цены и уменьшить объём памяти в своих устройствах. Складной смартфон Motorola Razr 2026 года выпуска стоит $800 по сравнению с $700 за модель 2025 года. Теперь базовая модель оснащена 128 Гбайт встроенной памяти вместо 256 Гбайт у предшественника. Razr+ 2026 года оснащён тем же чипом Qualcomm Snapdragon 8S Gen 3, что и модель 2025 года выпуска. Хотя Motorola увеличила ёмкость аккумулятора Razr+ с 4000 до 4500 мА·ч, по сути он почти не отличается от предшественника, лишь получив 50-мегапиксельную широкоугольную камеру вместо телеобъектива. Даже Apple приходится приспосабливаться к изменениям на рынке. На прошлой неделе она прекратила выпуск Mac mini начального уровня 2024 года выпуска с 256 Гбайт памяти стоимостью $600. Теперь Mac mini стоит как минимум $800, но предлагает 512 Гбайт памяти. 4 или 32 Гбайт: Microsoft запуталась в собственных рекомендациях по оперативной памяти для Windows 11
06.05.2026 [10:20],
Дмитрий Федоров
Microsoft удалила со своего сайта документ, в котором называла 32 Гбайт оперативной памяти апгрейдом «без забот» для игр на Windows 11, а 16 Гбайт — базовым уровнем. Текст, вероятно написанный нейросетью, вызвал недовольство геймеров и противоречил официальным системным требованиям самой Microsoft, где минимумом по-прежнему указаны 4 Гбайт. Компания также убрала февральский документ, позиционирующий ПК с Copilot+ как готовое игровое решение. 
Источник изображения: ChatGPT Документ техподдержки Gaming features: What the best Windows PC gaming systems have in common появился в первую неделю апреля в справочном разделе Learning Center на сайте Microsoft. В нём компания сообщала, что 16 Гбайт оперативной памяти подходят «для большинства игроков» как «отправная точка», а переход на 32 Гбайт «помогает, если параллельно с играми запущены Discord, браузеры или стриминговые приложения». Геймерам публикация не понравилась. К тому же она создавала путаницу: в официальных системных требованиях Windows 11 минимумом по-прежнему считается 4 Гбайт оперативной памяти, а недорогие ПК в магазинах обычно идут с 8 Гбайт. Параллельно Microsoft активно продвигает ПК с маркировкой Copilot+ — собственный стандарт для компьютеров со встроенным ИИ-чипом. Такая машина обязана иметь как минимум 16 Гбайт оперативки. Возможно, именно это противоречие и подтолкнуло Microsoft к действиям: в выходные она тихо убрала документ, перенаправила его адрес на главную страницу Learning Center и закрыла страницу для индексации в Wayback Machine — сервисе Internet Archive с копиями старых веб-страниц. 
Источник изображения: windowslatest.com В феврале издание Windows Latest уже находило в Learning Center похожую публикацию. Microsoft писала, что «16 Гбайт хватит для большинства игр», а «32 Гбайт идеальны для серьёзных игроков, запускающих самые требовательные игры или использующих тяжёлые моды». Тех, кто не хочет «головной боли с подбором комплектующих», компания отсылала к ПК с Copilot+, которые, по её словам, «поставляются с новейшими процессорами, видеокартами и системой охлаждения, настроенной для игр». Этот документ Microsoft тоже удалила и вычистила из Learning Center все упоминания ПК с Copilot+ для игр. Решение объяснимо. Маркировка Copilot+ сама по себе не делает компьютер игровым. Компьютер может получить такой статус при наличии ИИ-чипа, но большинство машин с Copilot+ для игр не оптимизированы. Флагманская платформа Copilot+ построена на чипе Snapdragon X2 Elite Extreme, который не способен запускать большинство игр без слоя эмуляции. Прямая связка Copilot+ с играми вводила в заблуждение — особенно тех покупателей, которые могли решить, что любой компьютер с такой маркировкой собран для серьёзного гейминга. 
Источник изображения: intel.com, microsoft.com Microsoft пообещала улучшить управление оперативной памятью в Windows 11 — система действительно расходует её неэкономно, во многом из-за приложений на Electron и WebView2, которые доминируют в магазине Windows. Сатья Наделла (Satya Nadella) подтвердил, что компания хочет оптимизировать Windows для устройств с малым объёмом памяти и вернуть расположение пользователей. Сейчас Microsoft тестирует ускоренный запуск приложений, оптимизацию панели задач и меню «Пуск», исправления надёжности «Проводника» и ряд других изменений, призванных умерить аппетит Windows 11 к оперативной памяти. Adata выпустила память с «бесконечным зеркалом» — XPG Novakey RGB DDR5 объёмом до 32 Гбайт и скоростью до 6400 МТ/с
05.05.2026 [16:42],
Николай Хижняк
Игровой бренд XPG компании Adata представил серию модулей оперативной памяти Novakey RGB DDR5. В неё вошли комплекты ОЗУ общим объёмом до 32 Гбайт, работающие со скоростью до 6400 МТ/с. Ключевой особенностью новинок является дизайн радиатора с эффектом «бесконечного зеркала». 
Источник изображений: Adata Модули ОЗУ Novakey RGB DDR5 выделяются дизайном. Планки оснащены радиаторами с зеркальными поверхностями, которые благодаря подсветке ARGB создают эффект «бесконечного зеркала». Производитель утверждает, что первым на рынке применил подобный дизайн. В пресс-релизе также отмечается, что радиаторы модулей ОЗУ XPG Novakey RGB DDR5 на 50 % состоят из переработанного алюминия, а доля переработанного пластика в них составляет 85 %.  Память XPG Novakey RGB DDR5 будет предлагаться как в виде отдельных модулей ёмкостью 16 и 32 Гбайт, так и в виде двухканальных комплектов общей ёмкости 16 и 32 Гбайт. Для новинок производитель заявляет низкие задержки CL30 и поддержку профилей разгона Intel XMP 3.0 и AMD EXPO.  Стоимость представленных модулей ОЗУ компания не сообщила, но новинки уже должны были поступить в продажу. Samsung, SK hynix и Micron начали разрабатывать DDR6 — первые модули ожидаются в продаже в 2028–2029 годах
05.05.2026 [00:39],
Николай Хижняк
Ведущие производители памяти начали «предварительную разработку» памяти нового поколения DDR6, сообщает южнокорейское издание The Elec. Утверждается, что Samsung, SK hynix и Micron уже обратились к поставщикам подложек с просьбой подготовить проекты, хотя стандарт JEDEC для памяти DDR6 ещё не утверждён. 
Источник изображения: VideoCardz В отчёте говорится, что поставщики работают с неполными проектными данными, в том числе с предварительной информацией о толщине памяти, структуре подложки и разводке. Цель состоит в том, чтобы подготовить тестовые образцы до того, как DDR6 будет запущена в массовое производство. «Компании, производящие память, и производители подложек обычно приступают к совместной разработке более чем за два года до выхода продукта на рынок. Предварительная разработка DDR6 началась недавно», — сообщил The Elec представитель одной из компаний, производящих подложки. Ожидается, что DDR6 обеспечит значительное увеличение скорости по сравнению с DDR5. Согласно ранее опубликованной дорожной карте JEDEC, скорость DDR6 может достигать 17,6 Гбит/с, что примерно в два раза превышает верхний предел для DDR5. Такой прирост обусловлен новой архитектурой DDR6 с четырьмя 24-битными подканалами, которая требует совершенно новых подходов к обеспечению целостности сигнала. Для сравнения, в DDR5 используются два 32-битных подканала. В прошлом году сообщалось, что крупнейшие производители памяти, о которых говорилось выше, уже вышли из стадии разработки прототипов и приступили к циклам тестирования. Тогда же прогнозировалось, что выпуск памяти DDR6 состоится в 2027 году. Однако это может относиться только к этапу тестирования для прямых заказчиков, поскольку коммерческое внедрение памяти DDR6 на массовый рынок, согласно The Elec, ожидается в 2028–2029 годах. В прошлом году доля памяти DDR5 в новых серверах составила около 80 %, а в этом году ожидается рост до 90 %, при этом от более старой памяти DDR4 производители решили отказаться. Это освободит место для новых стандартов и позволит использовать производственные мощности для выпуска модулей DDR6. Что-то на богатом: Microsoft назвала оптимальный объём оперативки для игрового ПК с Windows 11
01.05.2026 [17:53],
Павел Котов
Microsoft дала ответ на вопрос о том, какого объёма оперативной памяти достаточно для запуска игр в 2026 году. Потребуется минимум 16 Гбайт, но для комфортной работы лучше обеспечить себе 32 Гбайт памяти — особенно если параллельно с игрой запускать Discord, браузер или ПО для стриминга. 
Источник изображения: microsoft.com Компания не утверждает, что объём в 16 Гбайт устарел, но характеризует его как отправную точку — и 32 Гбайт больше не позиционируются как запас для энтузиастов. А рекомендованный объём памяти для работы самой Windows уже составляет 8 Гбайт. Такие показатели в Microsoft связали не с особенностями самих игр, а с работой сопутствующего ПО. «Перейти на 32 Гбайт памяти полезно, если вы пользуетесь Discord, браузерами или стриминговыми инструментами одновременно с играми», — говорится на странице поддержки Microsoft. Профессиональные геймеры говорят об этом уже не первый год, но во время дефицита памяти и высоких цен на неё это воспринимается несколько болезненно. Типичная игровая конфигурация включает работающий в фоновом режиме Discord, браузер с несколькими открытыми вкладками, приложение для запуска игр, такое как Steam, Epic Games или Xbox, а также некоторые службы, которые в Windows просто не отключаются. Ситуация усугубляется тем, что некоторые приложения теперь разрабатываются на движке Chromium, который активно потребляет память даже в режиме ожидания. Не щадят ресурсы памяти, наконец, и сами AAA-игры с текстурами высокого разрешения, модами и открытыми мирами — да, можно обойтись и 16 Гбайт, но тогда останется меньше места для всего остального. AAA-игры также предполагают наличие дискретной видеокарты, собственный объём памяти которой у последних моделей составляет от 8 до 12 Гбайт. В итоге, когда Microsoft рекомендует устанавливать 32 Гбайт оперативной памяти, она предлагает не выжимать из компьютера дополнительные кадры в секунду, а говорит о комфортной работе с минимальными заиканиями, предотвращении помех от сторонних приложений и снижении нагрузки на память при длительных игровых сессиях. Гендиректор Microsoft Сатья Наделла (Satya Nadella) уже заговорил о необходимости вернуть доверие пользователей Windows. Но сделать это не получится, если каждый год просить людей увеличивать объёмы оперативной памяти на компьютере — компании предстоит сделать Windows 11 быстрее, легче и эффективнее. Возможно, работа над этим уже началась. Apple готовится к резкому росту расходов на память во втором квартале и далее
01.05.2026 [11:26],
Дмитрий Федоров
Apple предупредила о резком росте расходов на чипы памяти во II квартале и в последующие периоды. Генеральный директор компании Тим Кук (Tim Cook) заявил, что к концу года удорожание комплектующих будет только нарастать. В I квартале компания уже столкнулась с ростом затрат на чипы памяти, но частично покрыла его за счёт накопленных запасов, но по мере их сокращения расходы Apple продолжат расти. 
Источник изображения: apple.com Кук уточнил, что во II квартале компания ожидает значительного роста расходов на память, а после июня эти затраты будут всё сильнее сказываться на бизнесе компании. Руководство Apple рассматривает «ряд вариантов» и продолжает следить за ситуацией, но Кук отказался уточнить, как именно компания намерена решать проблему. Мировые цены на микросхемы памяти стремительно растут из-за глобального дефицита, вызванного развитием ИИ. Производители чипов отдают приоритет памяти для серверов, а не для потребительских устройств, что в совокупности с невозможностью быстро нарастить выпуск чипов толкает цены вверх. Бум ИИ сделал микросхемы памяти одним из самых прибыльных продуктов в мире
30.04.2026 [19:38],
Сергей Сурабекянц
Во второй половине прошлого года ажиотажные мировые инвестиции в ИИ сделали индустрию микросхем памяти сверхприбыльной. Ожидается, что Samsung превзойдёт по доходам Apple, Microsoft и Alphabet, а SK hynix и Micron — два других гиганта в сфере производства микросхем памяти — войдут в этом году в десятку самых прибыльных компаний мира. С начала этого года акции Samsung выросли на 72 %, SK hynix — на 90 %, а Micron — на 65 %. 
Источник изображения: unsplash.com В то время как сомнения в перспективности ИИ продолжают нарастать, компании, участвующие в создании соответствующей инфраструктуры, получают огромную прибыль, а доходность бизнеса производителей микросхем памяти побила все рекорды. Ожидалось, что цены в первые три месяца 2026 года вырастут ещё на 50 % по сравнению с предыдущим кварталом, но реальность превзошла даже эти смелые ожидания — по данным исследовательской компании Trendforce, рост составил 100 %. 
Производители микросхем, входящие в топ-20 компаний по чистой прибыли / Источник изображения: wsj.com В четверг Samsung Electronics сообщила о чистой прибыли за первый квартал, эквивалентной более чем $30 млрд. Это не только побило предыдущий квартальный рекорд, но и почти превзошло годовой максимум южнокорейской компании. Около 94 % операционной прибыли Samsung за первый квартал пришлось на полупроводниковый бизнес. Главные конкуренты Samsung на рынке памяти — южнокорейская SK hynix и американская Micron Technology недавно продемонстрировали столь же впечатляющие результаты. Эти три компании продолжают доминировать на рынке памяти. 
Годовая чистая прибыль компаний-производителей полупроводников / Источник изображения: FactSet В последние годы производители памяти отдавали приоритет производству специализированной памяти c высокой пропускной способностью HBM, необходимой для ИИ, что ограничивало выпуск традиционных микросхем памяти, используемых в смартфонах, персональных компьютерах и обычных серверах и предопределило её дефицит. Стремительно выросший спрос на инференс потребовал огромных объёмов традиционной DRAM и вывел прибыль Samsung, SK hynix и Micron на новый уровень. 
Доли рынка производителей DRAM / Источник изображения: Trendforce По оценкам FactSet, в совокупности чистая прибыль этих трёх компаний в 2026 году составит примерно $350 млрд. По прогнозам, каждая из этих компаний войдёт в десятку самых прибыльных компаний мира, хотя год назад ни один аналитик не предполагал подобного развития событий. По данным аналитической компании Counterpoint, операционная прибыль от производства ОЗУ достигла 80 %, а от производства флеш-памяти — 60 %. 
Доли рынка производителей NAND flash / Источник изображения: Trendforce Заказчики и производители микросхем памяти долгое время полагались на устные договорённости для обеспечения долгосрочных поставок, но теперь в некоторых случаях переходят к обязывающим контрактам. Некоторые контракты заключаются на срок до пяти лет и предусматривают предварительную оплату клиентами около 30 % стоимости или участие в инвестиционных затратах на новые заводы по производству микросхем памяти. «Идея заключается в том, что тот, кто доминирует на рынке памяти, может доминировать и в сфере искусственного интеллекта», — пояснил представитель Counterpoint. 
Рейтинг компаний-производителей микросхем по чистой прибыли / Источник изображения: FactSet/WSJ Строительство одного завода по производству микросхем может стоить более $20 млрд и занять годы. Samsung, SK hynix и Micron строят новые предприятия, но, по мнению отраслевых аналитиков, производство вряд ли выйдет на полную мощность до конца 2027 или 2028 года. Поэтому ожидать улучшения ситуации в ближайшее время трудно. Судя по предварительным заказам Samsung, ожидается, что дефицит ещё усугубится в следующем году. «Исходя только из текущего спроса на 2027 год, разрыв между предложением и спросом в 2027 году увеличится ещё больше, чем в 2026 году», — заявил руководитель подразделения по производству микросхем памяти Samsung Ким Чжэджун (Kim Jaejune). Intel рассказала о памяти HB3DM — «убийце» HBM с более высокой пропускной способностью
30.04.2026 [00:28],
Николай Хижняк
Стартап Saimemory, созданный компаниями Intel, SoftBank и Токийским университетом, разрабатывает альтернативу популярной технологии памяти с высокой пропускной способностью (HBM), призванную обеспечить более высокие значения пропускной способности стеков памяти, используемых в составе мощных ИИ-ускорителей. 
Источник изображений: Intel В июне на выставке VLSI 2026 компания Saimemory планирует представить доклад о недавно разработанной памяти HB3DM. Она основана на технологии Z-Angle Memory (ZAM). «Z» в названии указывает на вертикальное расположение (по оси Z) кристаллов памяти, аналогичное традиционной памяти HBM. Для сборки модулей планируется использовать самые современные технологии стекирования Intel.  Первое поколение HB3DM будет состоять в общей сложности из девяти слоёв, соединённых с использованием гибридной технологии для вертикального размещения кристаллов. Основой стека памяти HB3DM будет служить логический слой, который управляет перемещением данных внутри чипа. Поверх него будут располагаться восемь слоёв памяти DRAM для хранения данных. Каждый слой будет содержать около 13 700 сквозных межсоединений (TSV) для гибридной спайки.  Ожидается, что память HB3DM обеспечит ёмкость около 1,125 Гбайт на слой, что соответствует 10 Гбайт на стек. Технология позволяет достичь примерно 0,25 Тбайт/с пропускной способности памяти на мм2, поэтому для модуля на 10 Гбайт с площадью кристалла 171 мм2 можно ожидать около 5,3 Тбайт/с пропускной способности. Согласно озвученным характеристикам, HB3DM предложит более чем двое более высокую пропускную способность, чем HBM4. Последняя обеспечивает пропускную способность около 2 Тбайт/с на стек.  Однако у HB3DM есть ограничения. В частности, на её основе можно создавать только стеки ёмкостью до 10 Гбайт, в то время как HBM4 позволяет создавать стеки ёмкостью до 48 Гбайт. Intel может увеличить количество слоёв по мере развития HB3DM, но на данный момент разработка сосредоточена на пропускной способности. На данный момент неизвестно, когда Saimemory собирается выпустить HB3DM и кто будет производить для неё базовые кристаллы DRAM — возможно, сама Intel. Ближе к выставке VLSI 2026 компании, вероятно, предоставят больше подробностей о достигнутом прогрессе в разработке. AMD выпустила систему разгона памяти EXPO 1.2 — потенциал она раскроет на Zen 6
25.04.2026 [16:19],
Павел Котов
Долгожданное обновление технологии разгона памяти AMD EXPO 1.2 стало доступным для материнских плат на платформе AM5. Появилась поддержка продукции трёх известных в Китае брендов. Есть мнение, что наиболее существенный эффект проявится только с процессорами следующего поколения AMD Zen 6.  Одним из нововведений стала поддержка «геометрии модулей» — по неподтверждённым данным, подразумевается память HUDIMM с одним 32-битным субканалом DDR5, выступающая компромиссом в условиях дефицита. Заявлена поддержка модулей MRDIMM (Multiplexed Rank Dual In-line Memory Modules) с высокими пропускной способностью и ёмкостью. Но эти модули предназначены для работы в корпоративных серверах и центрах обработки данных, а не на потребительской платформе AM5. Лишь частично реализована поддержка CUDIMM (Clocked Unbuffered Dual In-line Memory Modules) и CSODIMM (Clocked Small Outline Dual In-line Memory Modules). В этих модулях используется чип CKD (Client Clock Driver), который стабилизирует работу памяти на высоких частотах, но EXPO 1.2 обрабатывает их как стандартные модули памяти, то есть преимущества CKD используются не в полной мере. Полноценной поддержки CUDIMM нет даже в AGESA 1.3.0.1, то есть AMD, вероятно, закладывает основу для того, чтобы работать с такими модулями могли грядущие процессоры Ryzen 10000 на архитектуре Zen 6. Из хороших новостей — появился новый режим ULL (Ultra Low Latency), который позволяет снизить задержку на 5–7 нс на типичном комплекте DDR5-6000. Для любителей тонкой настройки EXPO 1.2 предлагает поддержку новых таймингов tREFI, tRRDS и tWR и опции для установки VDDP. Добавлена поддержка китайских производителей памяти RAMXEED Limited Conexant, Rui Xuan (ранее называлась Rei Zuan) и Fujitsu Synaptics. Asus уже начала развёртывать бета-версии прошивок с предварительной поддержкой AMD EXPO 1.2 на всей линейке материнских плат серии 800. Обновления доступны для многих моделей X870E и X870, скоро к ним присоединятся и B850. Другие производители, вероятно, также реализуют поддержку EXPO 1.2 в ближайшее время. JEDEC раскрыла планы по LPDDR6: модули до 512 Гбайт и ориентация на ИИ
23.04.2026 [06:06],
Дмитрий Федоров
JEDEC анонсировала план развития стандарта памяти LPDDR6, в который входит повышение плотности до 512 Гбайт на модуль, и раскрыла детали сразу двух стандартов в разработке — модульного SOCAMM2 и технологии вычислений в памяти PIM. Новый стандарт расширяет применение LPDDR6 за пределы мобильных платформ и нацелен на ЦОД и вычисления для задач ИИ. 
Источник изображения: jedec.org Организация строит следующую версию стандарта JESD209‑6 на базе спецификации, опубликованной в июле 2025 года. Ключевое архитектурное изменение — переход к небинарной ширине интерфейса на кристалл: вместо прежнего x16 стандарт вводит режимы x24, x12 и x6. Более узкий субканальный режим x6 позволяет разместить больше кристаллов в одном корпусе и тем самым нарастить ёмкость памяти на компонент и на канал — что критично для масштабирования под нагрузки ИИ. Параллельно стандарт получит механизм гибкого резервирования метаданных с минимальным влиянием на пиковую пропускную способность. Клиенты из сектора ЦОД смогут самостоятельно регулировать баланс между пользовательской ёмкостью и объёмом метаданных в зависимости от требований к надёжности конкретной системы. Ожидаемый потолок плотности LPDDR6 превысит нынешний максимум LPDDR5/5X и достигнет 512 Гбайт на модуль. JEDEC называет это достижение ответом на растущие запросы к объёму памяти при обучении и инференсе ИИ-моделей. Подкомитет JC‑42.6 ведёт разработку двух сопутствующих стандартов. Первый — модульный стандарт LPDDR6 SOCAMM2, который сохранит компактный и заменяемый формфактор и обеспечит чёткий путь обновления с нынешних модулей LPDDR5X SOCAMM2. Второй — стандарт вычислений в памяти LPDDR6 PIM (Processing-in-Memory): его разработка близится к завершению. Стандарт ориентирован на инференс на периферии и в ЦОД, где требования к производительности и энергоэффективности быстро растут. Технология встраивает вычислительные блоки непосредственно в память LPDDR6, сокращает перемещение данных между памятью и вычислительными блоками и за счёт этого повышает производительность инференса при меньшем энергопотреблении — не жертвуя энергоэффективностью платформы LPDDR. Kioxia представила быстрый твердотельный накопитель EG7 на основе 218-слойной 3D QLC NAND
21.04.2026 [19:42],
Сергей Сурабекянц
Образец накопителя Kioxia BG7 на основе 218-слойной памяти 3D NAND TLC был представлен в январе. Устройства ёмкостью от 256 до 2028 Гбайт обеспечивали скорости чтения до 7 Гбайт/с и записи до 6 Гбайт/с, а также производительность до 1 млн IOPS. Представленный сегодня EG7 предлагает практически идентичную ёмкость и производительность, но использует 218-слойную флеш-память QLC. 
Источник изображения: Kioxia BG7 и EG7 — это накопители стандарта PCIe 4.0, выпускаемые в форматах M.2 2230, 2242 и 2280. Они используют архитектуру без выделенного DRAM-буфера. По сути, EG7 — это версия BG7 с QLC-памятью. Официальные данные о ресурсе EG7 пока не опубликованы. Kioxia заявляет о поддержке SED (самошифрования) в соответствии со спецификацией TGC Opal v2.02. В настоящее время накопитель проходит тестирование у некоторых OEM-производителей ПК. Поставки EG7 должны начаться в этом квартале. «Технология QLC продолжает расширять возможности клиентских накопителей, обеспечивая привлекательную ценность без ущерба для пользовательского опыта. С серией EG7 мы позволяем производителям ПК предлагать производительные и энергоэффективные накопители для более широкого спектра систем по более доступной цене», — прокомментировал анонс накопителя директор по продажам и генеральный менеджер подразделения SSD компании Kioxia America Невилл Ичхапория (Neville Ichhaporia). Компания SK hynix недавно анонсировала свой похожий накопитель PQC21 с 321-слойной 3D NAND-памятью QLC и интерфейсом PCIe 4.0. Он доступен только в формате M.2230, с ёмкостью 1 и 2 Тбайт, и предназначен для ПК с искусственным интеллектом. SK hHynix оснастила его SLC-кэшем для увеличения скорости записи. Фактические данные о производительности пока не опубликованы, поэтому прямое сравнение с EG7 невозможно. Samsung закрыла приём заказов на LPDDR4/4X и направит освободившиеся мощности на выпуск 1c DRAM
19.04.2026 [08:11],
Дмитрий Федоров
Samsung Electronics официально прекратила приём новых заказов на мобильную DRAM стандартов LPDDR4 и LPDDR4X: оба продукта, находившиеся в массовом производстве более десяти лет, подошли к концу своего жизненного цикла (EOL). Переоснащение соответствующих производственных линий ожидается в I квартале 2027 года — это ускорит переход Samsung к более современным технологиям. 
Источник изображения: semiconductor.samsung.com Решение затрагивает собственное мобильное подразделение Samsung MX и чипмейкеров — в частности, Qualcomm, — часть решений которых работает на LPDDR4/4X. Клиентам, успевшим сформировать складские запасы, предстоит пересмотреть долгосрочные планы закупок. Остановка производства LPDDR4/4X задержалась из-за стабильно высокого спроса со стороны клиентов. LPDDR4 и LPDDR4X выпускались восемь–десять лет и стали базовыми решениями для большинства смартфонов, планшетов и ноутбуков. Серия LPDDR отличалась низковольтным дизайном и превосходила стандартную DRAM по энергоэффективности. Переход на LPDDR5 обусловлен разрывом в производительности: максимальная скорость передачи данных нового стандарта — 6,4 Гбит/с, что на 50 % выше потолка LPDDR4X в 4,3 Гбит/с. По мере исчерпания запасов LPDDR4X Samsung намерена полностью перейти на LPDDR5. Разрыв уже проявляется на уровне устройств: процессор Exynos 1330 поддерживает оба стандарта, и разные партии смартфонов Galaxy A17 могут выйти с разными спецификациями памяти. Часть клиентов форсирует разработку чипов следующего поколения, чтобы успеть к исчерпанию запасов LPDDR4/4X. Производитель автомобильных чипов Telechips, который специализируется на полупроводниках для систем ADAS и IVI, переориентировал разработку с LPDDR4/4X на LPDDR5/LPDDR5X по запросу клиентов. Samsung параллельно переоснащает остановленные производственные линии на которых выпускалась память 2D NAND-флеш и перепрофилирует их под выпуск 1c DRAM, которая остаётся главным узким местом мощностей компании. Перевод LPDDR4/4X в статус конца жизненного цикла вписывается в стратегию концентрации ресурсов на передовых технологических нормах, которые станут ключевыми индикаторами конкурентоспособности Samsung в сегменте памяти. Samsung, SK Hynix и Micron покроют лишь 60 % мирового спроса на DRAM, а дефицит продлится до 2027 года
19.04.2026 [06:54],
Дмитрий Федоров
Дефицит памяти затронет производителей смартфонов и автопром. Samsung Electronics, SK Hynix и Micron Technology наращивают производство DRAM в темпе, который покроет лишь 60 % спроса. Новые фабрики вводятся в эксплуатацию с задержками, а все три компании сосредоточились на производстве HBM для ИИ-чипов. Дефицит памяти начался осенью 2025 года, а цены на неё за I квартал 2026 года выросли примерно на 90 %. 
Источник изображения: Laura Ockel / unsplash.com На три компании приходится около 90 % мирового рынка памяти DRAM, и только они производят HBM. Samsung запустит четвёртый завод в Пхёнтхэке в 2026 году, но серийное производство начнётся не раньше 2027 года: часть мощностей займут логические чипы. Пятый завод там же строится под HBM и заработает не раньше 2028 года. Глава подразделения памяти Ким Чжэ Чжун (Kim Jae-june) в январе признал, что прирост предложения в 2026–2027 годах будет незначительным. SK Hynix в феврале открыла HBM-завод в Чхонджу — пока единственный ввод мощностей среди трёх лидеров, способный увеличить предложение в 2026 году. Строительство второго предприятия в Йонъине под Сеулом ускорено: завершение перенесено на февраль 2027 года, на 3 месяца раньше графика. Председатель SK Group Чхэ Тхэ Вон (Chey Tae-won) в середине марта допустил, что дефицит ИИ-памяти затянется до 2030 года из-за нехватки пластин и физических ограничений на быстрое наращивание производства. 
Мировой рынок DRAM почти полностью сосредоточен в руках Samsung Electronics, SK Hynix и Micron Technology, которые вместе контролируют около 90% рынка. Источник изображения: trendforce.com Micron запустит производство HBM в Айдахо и Сингапуре в 2027 году, в мае приступит к строительству завода в японской префектуре Хиросима — серийный выпуск там намечен на 2028 год. В январе компания договорилась о покупке предприятия на северо-западе Тайваня у Powerchip Semiconductor Manufacturing Corp — продукция поступит на рынок во II полугодии 2027 года. По расчётам Counterpoint Research, для преодоления дефицита отрасль должна ежегодно наращивать производство на 12 % до 2027 года, тогда как текущие планы дают лишь 7,5 %. Достижение баланса директор по исследованиям Counterpoint МС Хван (MS Hwang) прогнозирует не раньше 2028 года. Нестабильность на Ближнем Востоке дополнительно давит на себестоимость памяти — растут цены на электроэнергию и сырьё. Дефицит сказывается и на смежных отраслях. Память формирует около 20 % себестоимости бюджетных смартфонов; к середине 2026 года эта доля может вырасти почти до 40 %. Продажи смартфонов в 2026 году сократятся на 13 %, прогнозирует IDC, производители автокомпонентов уже испытывают трудности с поставками. В условиях избытка предложения цены на обычную память способны резко упасть — именно это произошло в 2023 году после угасания постпандемийного спроса. Kioxia зафиксировала рекордный убыток, Micron и SK Hynix завершили год в минусе. Kioxia рассматривает строительство третьего завода, но сроков пока не называет. |
© 1997—2026 Электронное периодическое издание "3ДНьюс" | Свидетельство о регистрации СМИ Эл ФС 77-22224
выдано Федеральной Службой по надзору за соблюдением законодательства в сфере массовых коммуникаций и охране культурного наследия
При цитировании документа ссылка на сайт с указанием автора обязательна. Полное заимствование документа является
нарушением
российского и международного законодательства и возможно только с согласия редакции 3DNews.
MWC 2018
2018
Computex
IFA 2018
