Опрос
|
реклама
Быстрый переход
256 Гбайт оперативки для ПК в двух модулях: Origin Code представила комплект 4R CUDIMM DDR5-8000
01.06.2026 [21:20],
Николай Хижняк
Компания Origin Code анонсировала комплект четырёхранговой (4R) памяти CUDIMM DDR5 для настольных платформ Intel. Производитель совместно с Gigabyte и Intel представил конфигурацию памяти объёмом 256 Гбайт, в которой используются только два модуля ОЗУ. 
Источник изображений: VideoCardz / Origin Code По словам Origin Code, в составе четырёхранговых модулей ёмкостью 128 Гбайт каждый используется тактовый генератор (CKD) для улучшения целостности сигнала при более высоких скоростях работы памяти. Это позволяет увеличить ёмкость каждого модуля при сохранении конфигурации с двумя DIMM, которой нередко оснащаются флагманские материнские платы Intel Z890.  Origin Code заявляет для комплекта ОЗУ 4R CUDIMM DDR5-8000 тайминги CL64 и рабочее напряжение 1,1 В. У компании также имеется уже настроенный комплект ОЗУ DDR5-8000, работающий с таймингами CL42 и напряжением 1,4 В. Данная флагманская конфигурация памяти будет показана на выставке Computex 2026.  По словам производителя, память была протестирована в системе с чипом Intel Core Ultra 7 270K Plus и материнской платой Gigabyte Z890 Aorus Elite Duo X. Указанная модель материнской платы оснащена двумя слотами для памяти DDR5 и предлагает официальную поддержку до 256 Гбайт ОЗУ. Gigabyte также заявляет для этой платы поддержку четырёхранговых модулей небуферизованной памяти UDIMM, а также памяти CUDIMM со скоростью до DDR5-8000.  Это не первая конфигурация памяти CUDIMM с двумя модулями по 128 Гбайт, показанная в этом году. Компании Adata и MSI ранее представили четырёхранговые модули CUDIMM на 128 Гбайт для Intel Z890, а Gigabyte ранее демонстрировала работу 256 Гбайт памяти CUDIMM DDR5-7200 на своей плате Z890 Aorus Tachyon ICE. Теперь свой вариант памяти 4R CUDIMM со скоростью DDR5-8000, предназначенный для розничной продажи, показала Origin Code. Стоимость представленных модулей памяти Origin Code не сообщает. Также неизвестно, когда они поступят в продажу. AMD научилась выжимать из DDR5 максимум — представлена технология разгона EXPO ULL
01.06.2026 [14:00],
Николай Хижняк
Компания AMD готовит новое расширение для своих профилей разгона оперативной памяти EXPO под названием EXPO Ultra Low Latency или EXPO ULL. Новый режим предназначен для комплектов памяти DDR5 для платформ Ryzen. Дебют функции ожидается с выпуском новых модулей памяти в июне. 
Источник изображений: AMD Режим EXPO ULL станет частью обновления EXPO 1.2. Функция добавляет режим памяти с низкой задержкой, автоматическим разгоном памяти и более точной настройкой для поддерживаемых комплектов ОЗУ DDR5. AMD утверждает, что EXPO ULL может улучшить как средний показатель кадров в секунду, так и его минимальное значение (1 % low) в играх.  Согласно внутренним тестам компании, EXPO ULL обеспечивает до 13 % более высокий средний FPS по сравнению с памятью стандарта JEDEC DDR5 и до 4 % более высокий средний FPS по сравнению с текущими профилями разгона EXPO. Что касается минимального значения FPS, то EXPO ULL обещает прирост до 15 % по сравнению со стандартными профилями JEDEC и до 4 % по сравнению с текущими профилями памяти EXPO. Компания заявляет, что эти данные основаны на тестировании более чем в 30 играх на системе с Ryzen 7 9700X. EXPO ULL также нацелен на снижение задержки памяти на 5–7 нс по сравнению с обычным комплектом DDR5-6000 за счёт настройки дополнительных параметров tREFI, tRRDS, tWR, ULL Enable и VDDP. AMD перечислила несколько партнёров по производству памяти с поддержкой EXPO ULL. В их число входят G.Skill, Kingston Fury, Klevv, Lexar, TeamGroup, V-Color, XPG от Adata и Origin Code. Новые комплекты памяти от этих производителей ожидаются в июне, хотя полная поддержка функции EXPO ULL будет зависеть от производителей материнских плат и соответствующих версий BIOS. В последних релизах библиотек AGESA 1.3.0.1 и 1.3.0.1b уже добавлены дополнительные параметры настройки DDR5 для плат AM5. G.Skill показала модули DDR5-9200 без экстремального напряжения и перегрева
29.05.2026 [17:35],
Николай Хижняк
Компания G.Skill показала работу нового высокоскоростного двухканального комплекта оперативной памяти Trident Z5 CK CUDIMM DDR5 общим объёмом 32 Гбайт (2 × 16 Гбайт). Он работает в режиме DDR5-9200 с таймингами CL74-74-74-148, но при этом сохраняет очень низкое напряжение в 1,1 В, что в свою очередь позволяет избегать перегрева. 
Источник изображений: G.Skill По словам производителя, память проходила тестирование на флагманской материнской плате MSI MEG Z890 Godlike. Модули ОЗУ прошли стресс-тест в сочетании с процессором Intel Core Ultra 7 270K Plus, продемонстрировав высокую оптимизацию разгона на новейшей платформе.  Компания отмечает, что такая высокая скорость оперативной памяти обычно достигается на специализированных оверклокерских материнских платах, оснащённых только двумя разъёмами DIMM для ОЗУ, что обеспечивает более высокую целостность сигнала между процессором и слотами памяти. MSI MEG Z890 Godlike хоть и является флагманской моделью, но в эту категорию не входит, поскольку оснащена четырьмя слотами DIMM.  G.Skill не сообщила, когда указанные модули памяти появятся в продаже. Cooler Master и G.Skill представили толстый модуль DDR5 со встроенным активным охлаждением
29.05.2026 [13:26],
Павел Котов
Cooler Master и G.Skill анонсировали модули памяти MasterDimm AC поколения DDR5 — их отличает встроенный в конструкцию модуля вентилятор и радиатор для лучшего охлаждения. Продукт продемонстрируют в рамках выставки Computex 2026 в штаб-квартире Cooler Master в Тайбэе.  Идея проекта — обеспечить стабильную работу модулей DDR5 большой ёмкости и высокой частоты при длительных нагрузках, а не только в коротких тестах на производительность. Модули памяти предлагают до 6000 МТ/с и сверхнизкие задержки CL26 при работе с AMD EXPO; а также сверхвысокие скорости до 8400 МТ/с в исполнении CU-DIMM для Intel XMP 3.0. Активное охлаждение MasterDimm AC помогает снизить температуру на величину до 15 °C; при этом уровень шума составляет менее 35 дБ. Поддерживаются комплекты до двух планок по 64 Гбайт.  Идея проекта поднимает очевидный вопрос: помимо блоков питания, процессоров и видеокарт, вентиляторы охлаждения теперь устанавливаются на SSD и вот уже на модули оперативной памяти. Вероятно, на очереди — материнские платы. К слову, это уже не первые модули памяти со встроенными вентиляторами — ранее подобные представила Origin Code. В Sandisk уверены: главным компонентом ИИ-инфраструктуры станет память, а не процессоры
28.05.2026 [13:22],
Алексей Разин
Сегмент ИИ молод в контексте истории всей полупроводниковой отрасли, но его эволюционные изменения уже оказывают на неё весьма сильное влияние. В последнее время всё больше разговоров ведётся о растущей роли центральных процессоров в операциях инференса, но руководство Sandisk полностью уверено, что решающую роль в инфраструктуре ИИ будет играть память. 
Источник изображения: SK hynix Данную точку зрения выразил в своём интервью Nikkei Asian Review технический директор и исполнительный вице-президент Sandisk Алпер Илкбахар (Alper Ilkbahar). По его словам, в развитии инфраструктуры ИИ нельзя целиком полагаться только на GPU и CPU, поскольку даже принципы работы человеческого мозга указывают на важную роль памяти в подобных системах. «Нас определяют наши воспоминания. Каждый раз, изучая что-то новое, вы становитесь другим человеком. Буквально, ваш мозг изменяется на физическом уровне, и вы следуете этому правилу. По сути, мы являемся совокупностью наших воспоминаний», — пояснил представитель Sandisk. Значимость памяти возрастает сразу по нескольким причинам, как он считает. Во-первых, большие языковые модели становятся всё более сложными, и для работы с ними требуется всё больше памяти. Во-вторых, ИИ-системы популярных разработчиков всё больше полагаются на кеш «ключ — значение», который выступает в роли краткосрочной памяти, позволяя помнить предыдущие запросы пользователя, а не обрабатывать весь запрос с самого начала при появлении уточняющих вопросов. Скорость и эффективность работы моделей растут благодаря применению такого подхода, но, поскольку контекст постоянно увеличивается в объёме, для работы с ним требуется всё больше памяти. Отрасль при этом движется в сторону использования подхода «смесь экспертов», когда внутри одной крупной ИИ-модели содержится несколько более мелких, каждая из которых может вызываться для обработки строго специфических запросов. Упор делается на работу с более крупными объёмами данных, а вычисления прогрессируют не так заметно, по словам вице-президента Sandisk. Спрос на продукцию компании в таких условиях весьма высок. Клиенты сами готовы заключать долгосрочные контракты и делать авансовые платежи, получая взамен уверенность в способности получить нужный объём памяти к конкретному периоду. Только за последнее время Sandisk заключила долгосрочные контракты на поставку памяти сроком до пяти лет на общую сумму около $42 млрд. Ранее о такой структуре контрактов Sandisk не могла и мечтать. Руководство компании верит в перспективы HBF — нового типа твердотельной памяти, которая имеет вертикальную компоновку, как HBM, и при этом предлагает сопоставимую пропускную способность. В условиях развития инференса именно такая память будет оптимальным образом обслуживать потребности ИИ-инфраструктуры. В разработке стандартов HBF компания сотрудничает с южнокорейской SK hynix. Прототип кристалла HBF будет готов к концу текущего года, а полноценная память HBF с контроллером будет представлена в следующем году. Соглашение с Kioxia позволяет Sandisk совместно использовать японские производственные мощности этой компании до 2032 года, как минимум. Silicon Power анонсировала модули памяти Xpower Cyclone R DDR5-6000 с сертификацией Asus ROG
26.05.2026 [22:52],
Николай Хижняк
Компания Silicon Power (SP) представила модули памяти Xpower Cyclone R DDR5, сертифицированные в рамках программы совместимости с материнскими платами Asus ROG. В серию вошли двухканальные комплекты ОЗУ общим объёмом 32 (2 × 16 Гбайт) и 64 (2 × 32 Гбайт) Гбайт. 
Источник изображений: Silicon Power Все представленные новинки предлагают скорость работы 6000 МТ/с. Для модулей ёмкостью 16 Гбайт заявлены тайминги CL28-36-36-96 и рабочее напряжение 1,4 В. Модули ёмкостью 32 Гбайт обладают таймингами CL30-38-38-96 и работают при напряжении 1,35 В. Все новинки поддерживают профили разгона AMD EXPO.  Модули ОЗУ оснащены радиаторами с RGB-подсветкой, которую можно синхронизировать с подсветкой остальных компонентов ПК с помощью утилиты Asus Aura Sync.  Стоимость представленных модулей ОЗУ производитель не сообщил. Corsair представила модули памяти Shugo DDR5 с премиум-дизайном с японскими мотивами
26.05.2026 [22:37],
Николай Хижняк
Компания Corsair представила коллекционную серию оперативной памяти Shugo DDR5 с узорами по японским мотивам. Изображения на радиаторах памяти выполнены с использованием специальной технологии микросверления, позволяющей RGB-подсветке просвечивать сквозь боковые стороны модуля и становиться частью самого рисунка. 
Источник изображений: Corsair Компания поясняет, что название Shugo символизирует прочность, стабильность и надежность, отражая роль памяти как основы высокопроизводительных ПК. Основной целевой аудиторией продукта производитель называет геймеров, оверклокеров, создателей контента и коллекционеров.  На старте будут доступны два дизайна — Onyx Blade и Sakura Noa. Оба разработаны в сотрудничестве с сообществом художников. По словам Corsair, модули Shugo собраны из тщательно отобранных микросхем DDR5 с высоким качеством изготовления и установлены на изготовленные на заказ высококачественные печатные платы, разработанные для обеспечения высокой целостности сигнала и возможности разгона. Память оптимизирована как для платформ Intel, так и для AMD.  Модули Shugo DDR5 оснащены индивидуально адресуемыми RGB-светодиодами и полностью поддерживаются программным обеспечением Corsair iCUE.  Для сборщиков, желающих получить полностью заполненную и симметричную конфигурацию памяти в составе ПК, Shugo DDR5 также будет доступна в виде комплекта Corsair Light Enhancement Kit (LEK), который заполняет пустые слоты DDR5 соответствующими RGB-модулями. Модули LEK не содержат памяти и предназначены только для эстетического использования.  Память Corsair Shugo DDR5 будет выпущена в виде двухканальных комплектов объёмом 32 Гбайт (2 × 16 Гбайт) со скоростью до 6000 МТ/с и таймингами CL28-36-36-96 при рабочем напряжении 1,4 В. Выпуск будет ограниченным. Модель контролируемого запуска призвана сохранить для Shugo DDR5 статус коллекционной памяти. Цена комплекта на 32 Гбайт составляет $599,99 в США и €662.99 в Европе Samsung разработала первый в мире прототип флеш-чипа 3D NAND с 900 слоями
26.05.2026 [09:52],
Павел Котов
Крупнейший в мире производитель чипов памяти Samsung разработал первый в мире прототип 900-слойного чипа памяти, сообщает ETNews — проект призван закрепить лидерство корейского технологического гиганта в данном сегменте. 
Источник изображения: Samsung В прототипе использована технология Cell Multi-Bonding (CMB), которая помогла установить две 450-слойные пластины ячеек на одном чипе. Многослойная структура флеш-памяти повышает плотность хранения данных и способствует снижению потребления энергии. Такие конфигурации считаются преимуществом в рабочих нагрузках искусственного интеллекта. По направлению многослойных чипов NAND мировым лидером считается SK hynix, у которой есть 321-слойные микросхемы. Но Samsung, очевидно, переходит в более сильную позицию: она готовится к массовому выпуску 400-слойных чипов NAND, а на этапе исследований достигла рубежа в 900 слоёв. Samsung первая в мире ещё в 2013 году выпустила на рынок чипы 3D V-NAND. Поначалу она использовала производственный процесс, предусматривающий сверление и укладку компонентов за один этап. Но по мере увеличения высоты укладки столкнулась с такими проблемами как деформация пластин и смещение слоёв. Их она решила за счёт усовершенствованной конструкции верхнего зажима и технологии коррекции наложения. Отставание от Samsung и SK hynix быстро сокращает китайская Yangtze Memory Technologies Co. (YMTC) — она уже наладила массовое производство 294-слойных чипов NAND. Этому способствовали значительные госинвестиции и расширенная локализация производственного оборудования. Рост конкуренции побудил Samsung ускорить разработку технологии 900-слойной памяти, чтобы сохранить своё преимущество в долгосрочной перспективе. Дефицит меняет рынок: китайская DDR5 от CXMT просочилась в модули Corsair Vengeance
22.05.2026 [13:42],
Павел Котов
Corsair начала выпускать модули оперативной памяти Vengeance DDR5 на чипах от китайской ChangXin Memory Technologies (CXMT). Соответствующие скриншоты опубликовал пользователь соцсети X: модуль Corsair DDR5-6000 был идентифицирован утилитой CPU-Z как использующий память ChangXin. 
Источник изображений: x.com/wxnod Речь идёт о планке DDR5-6000 объёмом 16 Гбайт; на этикетке значатся тайминги 36-44-44-96 при 1,35 В, номер компонента — CMK5X16G3E60C36A2-CN. Он, предположительно, поддерживает профили Intel XMP и AMD EXPO. Это уже не первый случай появления памяти CXMT DDR5, но теперешний пример знаменателен тем, что в нём фигурирует Corsair, которая для потребительских комплектов DDR5 обычно закупает DRAM у Samsung, SK hynix и Micron.  Ранее стало известно о комплекте KingBank DDR5-6000 CL36 на чипах CXMT — он тестировался на платформе AMD Zen 5 и не демонстрировал очевидных проблем с производительностью в играх по сравнению с другими моделями DDR5-6000. Китайский производитель публиковал собственную дорожную карту DDR5 — чипы линейки достигают скорости до 8000 Мбит/с и строятся на кристаллах 16 и 24 Гбит. В ассортименте значится продукция форматов UDIMM, SODIMM, CUDIMM, CSODIMM, RDIMM, MRDIMM и TFF MRDIMM. Это согласуется с непростым положением дел на рынке памяти, где спрос со стороны отрасли искусственного интеллекта оказался слишком высоким. Если этот модуль Corsair попадёт в широкую розницу, это будет означать, что китайская память больше не огранивается региональными или малоизвестными брендами. Официально Corsair пока не подтвердила намерения выпускать на мировой рынок модули DDR5 на чипах CXMT. Буквы «CN» в названии продукта могут указывать, что компания запустила пробное производство для китайского рынка. Память Team Group не выдавала заявленные скорости без ручной настройки BIOS — покупатели получат $1,1 млн компенсации
21.05.2026 [13:27],
Дмитрий Федоров
Производитель модулей оперативной памяти Team Group согласился выплатить $1,1 млн по коллективному иску в США. Покупатели модулей DDR3, DDR4 и DDR5 утверждали, что заявленные на упаковке скорости работы невозможно получить без дополнительных настроек, хотя реклама создавала впечатление, что память работает на заявленных частотах сразу после установки. 
Источник изображения: teamgroupinc.com Чтобы добиться обещанной производительности, пользователю нужно было вручную активировать в BIOS материнской платы специальные профили разгона — XMP или EXPO, которые повышают частоту памяти сверх заводских значений. Иск охватывает модули Team Group, купленные частными лицами на территории США с 3 мая 2020 года по 8 апреля 2026 года. Team Group отвергла все обвинения и заявила, что её продукция была надлежащим образом промаркирована и работала в соответствии с заявленными характеристиками. Фиксированной суммы для каждого участника нет — общий фонд в $1,1 млн разделят между всеми подавшими обоснованную заявку пропорционально числу заявленных модулей. Один участник может указать до пяти модулей без чека, но сверх этого лимита потребуются документы о покупке. Заявки принимаются через сайт Claim Hub, крайний срок — 7 июля 2026 года. Компенсация положена только физическим лицам. При этом потребитель, купивший память как частное лицо и позже использовавший её в рабочих целях, сохраняет право на компенсацию. Ранее в этом году другой производитель памяти, G.Skill, урегулировал аналогичный иск на $2,4 млн — истцы предъявляли те же претензии к модулям DDR4 и DDR5. Большинство современных комплектов памяти поставляются с консервативными частотами, установленными по отраслевому стандарту JEDEC, а более высокие скорости — DDR5-6000 или DDR5-7200 — требуют ручной активации профилей разгона, о чём рядовые покупатели могут не знать. По условиям соглашения G.Skill обязали яснее указывать на упаковке необходимость дополнительных настроек. У Team Group таких условий нет — мировое соглашение предусматривает только денежную выплату. Asus сертифицировала 17 модулей DDR5 — они точно совместимы с платами ROG
17.05.2026 [17:44],
Николай Хижняк
Компания Asus назвала 17 модулей ОЗУ DDR5 от 14 производителей памяти, прошедших сертификацию в рамках программы совместимости с материнскими платами Asus ROG, о которой было объявлено несколько дней назад. Список включает модули памяти от Adata, Apacer, Asgard, Biwin, Corsair, G.Skill, GeIL, Kingston, Klevv, Lexar, Silicon Power, TeamGroup, V-Color и Viper Gaming. 
Источник изображений: Asus Компания Asus заявляет, что программа ROG Certified распространяется на отдельные продукты DRAM, протестированные и подтверждённые инженерами ROG. Цель программы — подтвердить совместимость с материнскими платами ROG и гарантировать соответствие продукции требованиям Asus в отношении совместимости, стабильности и производительности.  Нужно ли использовать на материнских платах ROG исключительно модули памяти, прошедшие сертификацию ROG? Конечно нет. Каждый производитель следует стандартной отраслевой программе совместимости QVL, в рамках которой производители плат тестируют совместимость модулей памяти от той или иной компании на своих материнских платах. Asus в этом плане не является исключением.  Asus заявляет, что программа ориентирована на геймеров и сборщиков ПК, которые «хотят быть уверены в корректной работе комплектов памяти с системами ROG». Компания также утверждает, что работает напрямую с партнёрами по производству DRAM и отраслевыми экспертами для повышения производительности и совместимости DRAM с сертифицированными продуктами.  Cертифицированные ROG-продукты продаются в онлайн- и розничных магазинах по всему миру, но их доступность может варьироваться в зависимости от региона. Компания также сообщает, что на сертифицированных продуктах и упаковке присутствует логотип ROG Certified. Некоторые продукты могут также иметь логотип Aura Sync, если Asus подтвердила у них поддержку синхронизации RGB-подсветки. Производители смартфонов столкнулись с резким ростом цен на память во втором квартале
17.05.2026 [10:25],
Дмитрий Федоров
Контрактные цены на мобильную DRAM во втором квартале 2026 года продолжили стремительно расти, усиливая давление на производителей смартфонов. Об этом сообщила аналитическая компания TrendForce.  Два крупнейших поставщика памяти из Южной Кореи — Samsung Electronics и SK hynix — выбрали разные подходы к повышению цен. Samsung предпочла резко поднять стоимость за один этап, тогда как SK hynix увеличивает цены постепенно. Окончательные расценки компании, как ожидается, будут утверждены к концу мая. По оценкам TrendForce, средняя цена памяти LPDDR4X, которая широко используется в смартфонах среднего класса, во втором квартале вырастет на 70–75 % по сравнению с предыдущим кварталом. Более современная LPDDR5X для флагманских устройств подорожает ещё сильнее — на 78–83 %. Несколько кварталов подряд столь резкого роста цен серьёзно ударили по себестоимости смартфонов. На этом фоне производители могут сократить общий выпуск устройств в 2026 году, а некоторые — даже не выполнить объёмы закупок, зафиксированные в долгосрочных соглашениях с поставщиками памяти в конце прошлого года. Рост цен уже заставляет бренды пересматривать объёмы памяти в новых моделях. Во флагманском сегменте стандартом становятся 12 Гбайт ОЗУ, тогда как версии с 16 Гбайт встречаются реже. В смартфонах среднего класса производители возвращаются к конфигурациям с 8 Гбайт памяти, а в бюджетных моделях закрепляются варианты с 4 Гбайт.  При этом средний объём оперативной памяти в смартфонах всё равно продолжит расти. TrendForce прогнозирует, что в 2026 году он достигнет 8,5 Гбайт, что примерно на 10 % больше по сравнению с прошлым годом. Главная причина — постепенное исчезновение с рынка устройств с 2 и 3 Гбайт памяти. Аналитики предупреждают, что давление на отрасль сохранится и в ближайшие кварталы. Производителям смартфонов придётся активнее оптимизировать программное обеспечение, снижать потребление памяти приложениями и переносить часть сервисов в облако, чтобы компенсировать рост затрат на комплектующие. Asus выпустила свою первую оперативную память — и сразу за $880
15.05.2026 [15:01],
Николай Хижняк
Компания Asus представила свой первый комплект оперативной памяти — ROG DDR5 RGB Edition 20. Продукт был анонсирован на мероприятии ROG DAY 2026 в Китае. 
Источник изображений: VideoCardz / Asus Комплект ОЗУ выполнен в дизайне, посвящённом 20-летию бренда ROG. В оформлении модулей памяти сочетаются чёрный, золотой и красный цвета. Модули были разработаны совместно с компанией Biwin, которая входит в число сертифицированных партнёров Asus по производству оперативной памяти ROG.  Первый комплект ОЗУ от Asus состоит из двух модулей ёмкостью по 24 Гбайт каждый (общий объём — 48 Гбайт). Для новинки производитель заявляет поддержку режима DDR5-6000 при таймингах CL26-36-36-76. В составе модулей используются чипы памяти SK hynix M-die с высоким потенциалом разгона. Память ROG DDR5 RGB Edition 20 поддерживает профили разгона Intel XMP и AMD EXPO. Компания также заявляет поддержку отдельного режима разгона ROG для владельцев материнских плат ROG. Модули ОЗУ оснащены RGB-подсветкой с поддержкой синхронизации Aura Sync.  На мероприятии в Китае Asus также сообщила о запуске программы сертифицированных партнёров по производству памяти ROG Certified Memory Program. В первоначальный список партнёров вошли компании Adata, Apacer, Asgard, Biwin, Corsair, G.Skill, GeIL, Kingston, Klevv, Lexar, Silicon Power, TeamGroup, V-Color и Viper Gaming.  В Китае стоимость комплекта памяти ROG DDR5 RGB Edition 20 объёмом 48 Гбайт составляет 5999 юаней (около $880). Старт продаж ожидается в конце июня. Asus пока не подтвердила планы по глобальному запуску своих модулей ОЗУ. ИИ-бум превратил Kioxia в одну из самых дорогих компаний Японии — прибыль взлетела на 93 %
15.05.2026 [13:57],
Павел Котов
Японский производитель чипов памяти Kioxia заявил, что, согласно его прогнозам, операционная прибыль по итогам текущего квартала достигнет 1,3 трлн иен или $8,20 млрд. Этот показатель в компании объяснили высоким спросом на её продукцию из-за бума технологий искусственного интеллекта. 
Источник изображения: kioxia.com По итогам I квартала 2026 года операционная прибыль Kioxia выросла на 92,7 % и достигла 870,4 млрд иен ($5,49 млрд), и это выше прогнозов, сообщили в компании. Для расширения своей базы инвесторов японский производитель намерен разместить на американской бирже американские депозитарные акции. С начала текущего года ценные бумаги Kioxia подорожали более чем в четыре раза, обеспечив ей более высокую рыночную капитализацию, чем у Sony и Fast Retailing — владельца японского бренда одежды Uniqlo. Стремительную положительную динамику демонстрируют и другие производители чипов памяти, которым оказался выгоден высокий спрос со стороны отрасли ИИ. Недавно рыночная капитализация Samsung Electronics превысила $1 трлн — вплотную к этой отметке подобрались ценные бумаги её основного конкурента в лице SK hynix. Японский производитель памяти пережил несколько лет потрясений, в том числе непростую процедуру отделения от Toshiba; в декабре 2024 года компания успешно вышла на Токийскую биржу. У производителей памяти традиционно большие потребности в капитале; они подвержены волатильным ценовым циклам. Framework сообщила о стабилизации цен на оперативную память — теперь дорожают SSD
13.05.2026 [14:51],
Павел Котов
Производитель модульных ноутбуков Framework сообщил аудитории хорошую и плохую новости. Хорошая состоит в том, что в последние месяцы цены на оперативную память стабилизировались; плохая же гласит, что подорожали твердотельные накопители. 
Источник изображения: frame.work «Отмечаем, что в последние несколько месяцев стоимость памяти у поставщиков DDR5 остаётся достаточно стабильной. Мы исчерпали запасы [модулей на] 8 Гбайт, которые закупили ранее по более низкой цене, и нам пришлось скорректировать цены в сторону повышения, чтобы отразить стоимость новых модулей. Из-за дефицита памяти мы корректируем цены ровно настолько, насколько это необходимо для покрытия роста затрат. Что касается модулей большего объёма, нам удалось сохранить цены на уровне прошлого месяца», — сообщила Framework. К сожалению, это нивелировал рост цен на накопители. Компания призналась, что почти полностью исчерпала старые запасы SSD большинства объёмов и сейчас закупает новые накопители. Поскольку поставщики продают их дороже из-за высокого спроса, Framework также намеревается повысить цены. «Что касается SSD, то, к сожалению, ситуация с ценообразованием не столь позитивна. В последние месяцы нам удавалось удерживать цены на накопители значительно ниже рыночных, продавая модули, которые были у нас на складах с 2025 года. Сейчас мы исчерпали значительную часть запасов по ряду различных объёмов модулей и начинаем закупать новые по ценам в несколько раз выше», — признался производитель. На сегодняшний день это означает, что цены представляют собой средневзвешенное значение новых и старых запасов, то есть повышение будет незначительным, — но со следующего месяца компания будет продавать накопители уже по полной цене. Framework также начала закупать комплектующие у новых поставщиков. Ранее она приобретала SSD только у Sandisk, но теперь добавила к ним продукцию Adata и Phison — эта продукция, как утверждает производитель, проходит «тщательную проверку» на соответствие заявленным характеристикам, хотя в зависимости от модели будут наблюдаться некоторые различия, связанные с контроллерами и чипами NAND. |
© 1997—2026 Электронное периодическое издание "3ДНьюс" | Свидетельство о регистрации СМИ Эл ФС 77-22224
выдано Федеральной Службой по надзору за соблюдением законодательства в сфере массовых коммуникаций и охране культурного наследия
При цитировании документа ссылка на сайт с указанием автора обязательна. Полное заимствование документа является
нарушением
российского и международного законодательства и возможно только с согласия редакции 3DNews.
MWC 2018
2018
Computex
IFA 2018
