Опрос
|
реклама
Быстрый переход
Ноутбуки массово возвращаются к 8 Гбайт оперативной памяти в базовых комплектациях
05.06.2026 [14:22],
Павел Котов
В 2024 и 2025 годах начало создаваться ощущение, что 16 Гбайт оперативной памяти стали базовым минимумом для ноутбуков среднего класса: Microsoft зафиксировала 16 Гбайт как стандарт для Copilot+ PC, и Apple перестала комплектовать свои ноутбуки меньшим объёмом памяти. Но реальная жизнь вносит свои коррективы, пишет Tom’s Hardware, и в этом году 8-Гбайт модели вернулись.  Та же Apple выпустила MacBook Neo — он выглядит как компьютер премиум-класса, но работает на чипе A18 Pro от iPhone 16 Pro и имеет 8 Гбайт оперативной памяти. И большинство авторов обзоров пришло к выводу, что и 8 Гбайт достаточно для комфортной работы macOS. В случае MacBook Air и Pro объём в 16 Гбайт всё-таки остался как минимальный. Дальше открылась выставка Computex 2026, на которой множество производителей представило свои ответы на MacBook Neo: Dell XPS 13 и Acer Swift Air 14 предложили чипы семейства Wildcat Lake и от 8 Гбайт памяти по цене от $699; самым дешёвым стал Chuwi UniBook с теми же 8 Гбайт памяти и ценником «около $449». В мае появился и ориентированный на бизнес-клиентов 13-дюймовый Surface Laptop с 8 Гбайт памяти при ценнике уже $1299,99, так что небольшой объём ОЗУ перестал быть прерогативой бюджетного сегмента. Некоторые ноутбуки на Wildcat Lake по-прежнему комплектуются 16 Гбайт памяти — например, Lenovo IdeaPad Slim 3i за $899,99. При этом модели с 8 Гбайт оснащаются клавишами Copilot на клавиатуре, хотя и не относятся к классу Copilot+ PC. В посвящённом Wildcat Lake разделе сайта Intel представлен длинный список партнёров, и многие из них, вероятно, выпустят ноутбуки с 8 Гбайт памяти. А компьютер Acer Aspire Go 15 на бюджетом Arm-чипе Qualcomm Snapdragon C вообще получит «до» 8 Гбайт, то есть, возможно, и меньше. На практике для базовых задач объёма в 8 Гбайт оперативной памяти, возможно, хватает, если ограничиваться лёгкими приложениями и не открывать десятки вкладок в браузере. К тому же Windows 11, у которой в системных требованиях указаны 4 Гбайт, получила первое из обновлений серии K2, которое обещает повысить её производительность. Но, вероятно, когда дефицит чипов памяти сойдёт на нет, и цены снова придут в норму, 16 Гбайт снова станут стандартом — даже для компьютеров начального уровня. Репортаж со стенда G.Skill на Computex 2026: модули DDR5 будущего с очень низкими задержками, высокой скоростью и объёмом до 512 Гбайт
05.06.2026 [11:43],
Андрей Созинов
В отличие от большинства производителей памяти, G.Skill редко привозит на Computex новые линейки продуктов в привычном понимании этого слова. Вместо этого она использует выставку как площадку для демонстрации того, чего удалось добиться на текущем этапе развития памяти. Нынешняя экспозиция тоже оказалась не столько рассказом о новых сериях модулей, сколько взглядом в будущее.  Одной из интересных частей экспозиции стали демонстрации памяти в рамках инициативы AMD EXPO Ultra Low Latency. Если прежде производители памяти в первую очередь стремились поднять частоту, то сегодня всё больше внимания уделяется задержкам.  На нескольких демонстрационных системах G.Skill показывала комплекты DDR5-6000 объёмом 32 Гбайт с таймингами CL26, CL28 и CL30. Особенно выделялся вариант DDR5-6000 CL26-36-36-32 на чипах SK hynix. Для платформы Socket AM5 такие задержки выглядят весьма агрессивно и позволяют получить дополнительную производительность без необходимости переходить на более высокие частоты.   Рядом были представлены комплекты на микросхемах Samsung и Micron. Все они работали на одинаковой частоте DDR5-6000, что позволяло наглядно сравнить потенциал разных типов памяти. Такие демонстрации хорошо показывают, насколько сильно характеристики модулей зависят от используемых чипов.   Впрочем, полностью отказываться от традиционной гонки скоростей индустрия явно не собирается. Значительная часть стенда G.Skill была посвящена различным демонстрациям высокоскоростной памяти CUDIMM со встроенным тактовым генератором. Этот формат памяти сегодня рассматривается как следующий этап развития настольной DDR5, поскольку позволяет преодолеть ограничения обычных UDIMM и добиться существенно более высоких частот.  Одной из наиболее интересных демонстраций стала система с памятью DDR5-9200 объёмом 32 Гбайт, работавшей при стандартном напряжении 1,1 В. Обычно для достижения подобной скорости памяти требуется заметное повышение напряжения питания, что ведёт к увеличению энергопотребления и тепловыделения.  По соседству работала ещё более впечатляющая конфигурация с комплектом DDR5-10933 объёмом 48 Гбайт в составе двух модулей по 24 Гбайт. Подобные системы пока остаются демонстрацией возможностей современных платформ Intel, однако именно такие стенды позволяют оценить пределы развития памяти нынешнего поколения.    Также на стенде G.Skill демонстрировались комплекты CUDIMM DDR5-8000 объёмом 128 и 256 Гбайт. Особенно интересным выглядел набор из двух четырёхранговых модулей CUDIMM DDR5-8000 по 128 Гбайт каждый.  Также был показан комплект традиционной памяти UDIMM DDR5-8000 объёмом 128 Гбайт. Ещё недавно подобные объёмы были характерны исключительно для серверов, тогда как сегодня они начинают появляться и в настольных платформах.  Большие объёмы памяти — это не всё, что нужно рабочей станции. Для систем, в которых важна не только производительность, но и надёжность работы памяти, G.Skill показала комплект DDR5-6400 ECC CUDIMM объёмом 256 Гбайт. Это память со встроенным механизмом коррекции ошибок. G.Skill также показала россыпь комплектов регистровой памяти RDIMM, которые ориентированы на рабочие станции, системы моделирования и локальные ИИ-комплексы, требующие больших объёмов оперативной памяти.  Наиболее необычной выглядела совместная демонстрация G.Skill и ElmorLabs. В системе на базе Intel Xeon использовались восемь модулей DDR5 RDIMM по 64 Гбайт каждый, что обеспечивало общий объём памяти 512 Гбайт. При этом память работала на эффективной частоте DDR5-10000. Для регистровой памяти такие показатели особенно примечательны, поскольку традиционно RDIMM ориентирована прежде всего на стабильность и масштабируемость, а не на скорость.   Наконец, отдельный раздел экспозиции был посвящён платформам AMD Threadripper. Компания демонстрировала систему на базе Ryzen Threadripper Pro 9995WX с 512 Гбайт памяти DDR5-7200, а также конфигурацию с Ryzen Threadripper 9980X и 256 Гбайт DDR5-8000. Эти стенды показывали, насколько далеко продвинулись современные HEDT-платформы по сравнению с предыдущими поколениями.  Помимо новых скоростных комплектов, G.Skill привезла на выставку и необычный проект MasterDIMM, разработанный совместно с Cooler Master. Это модули памяти с довольно крупным радиатором, внутри которого установлен компактный вентилятор, обеспечивающий дополнительный обдув микросхем памяти. По данным разработчиков, это позволяет снизить температуру модулей примерно на 15 градусов по сравнению с традиционными конструкциями. Решение выглядит нишевым, но хорошо отражает растущие требования к охлаждению высокоскоростной DDR5.  Традиционно важной частью стенда G.Skill оставались соревнования по экстремальному разгону. На выставке вновь проходили OC World Cup 2026 и площадка OC World Record Stage, где оверклокеры демонстрировали возможности новейших платформ Intel и AMD с использованием жидкого азота. Стенд G.Skill на Computex 2026 оказался интересен прежде всего тем, что отражает вектор развития рынка памяти. Производители продолжают увеличивать частоты и устанавливать новые рекорды производительности, однако всё больше внимания уделяется снижению задержек, энергоэффективности и наращиванию объёмов. Именно сочетание этих факторов будет определять развитие DDR5 в ближайшие годы. Silicon Motion нарастила продажи SSD-контроллеров на фоне дефицита NAND — нехватка памяти усугубится в 2027 году
04.06.2026 [18:03],
Сергей Сурабекянц
Цены на SSD достигли рекордных максимумов в первом квартале 2026 года на фоне высокого спроса и дефицита памяти 3D NAND для устройств потребительского класса. В то же время Silicon Motion отчиталась о росте выручки от производства контроллеров SSD благодаря высоким продажам корпоративных устройств. Компания уверена в спросе со стороны сектора ЦОД, но ожидает усиление дисбаланса между спросом и предложением для потребительских SSD. 
Источник изображения: Silicon Motion Продажи Silicon Motion в первом квартале составили $342,1 млн, что на 23 % больше, чем в предыдущем квартале, и на 105 % больше, чем годом ранее, при этом продажи контроллеров SSD выросли на 40-45 % в годовом исчислении. По всей видимости, компании удалось увеличить продажи как потребительских, так и корпоративных контроллеров. В последнем случае компания нарастила поставки своих контроллеров SSD PCIe 5.0, поскольку спрос со стороны сегмента ЦОД был особенно высок. Спрос со стороны секторов ИИ и облачных вычислений будет продолжать расти, что позволит компании продать рекордное количество контроллеров SSD корпоративного класса. Однако в секторе потребительских решений ситуация заметно сложнее. «Во второй половине этого года я ожидаю, что ситуация останется в основном неизменной; предложение будет по-прежнему очень ограниченным, — заявил старший вице-президент подразделения клиентского бизнеса Silicon Motion Нельсон Дуанн (Nelson Duann). — 2027 год будет худшим. Производители NAND настроены очень пессимистично. […] Условия поставок станут ещё хуже, потому что операторы связи и ЦОД продолжают увеличивать спрос. В результате у поставщиков NAND практически нет выбора, кроме как сосредоточить свои ресурсы на рынке ЦОД». Это не означает, что крупные производители памяти NAND вообще не будут поставлять флэш-память для потребительских приложений. Однако дисбаланс спроса и предложения в этом секторе существенно ухудшится в 2027 году. «Они [производители флеш-памяти] по-прежнему хотят поддерживать некоторые поставки для потребительских товаров, таких как клиентские устройства, и меньшую долю для автомобильных приложений, но этих объёмов недостаточно, чтобы изменить общую ситуацию», — полагает Дуанн. Хотя для потребителей эта ситуация крайне неблагоприятна, таким компаниям, как Silicon Motion, она может сыграть на руку. Производители твердотельных накопителей могут сократить ёмкость своих накопителей, чтобы удовлетворить спрос, но потребность в контроллерах для SSD не снизится, а в некоторых случаях даже возрастёт. AMD раскрыла детали EXPO ULL — бесплатный прирост FPS оказался проще, чем ожидалось
03.06.2026 [17:12],
Николай Хижняк
С анонсом EXPO Ultra Low Latency (EXPO ULL) на выставке Computex 2026 компания AMD предоставила очень мало деталей о том, как работает эта технология. Согласно заявлению, новые профили разгона ОЗУ DDR5 обеспечивают в среднем прирост производительности на 13 % по сравнению со стандартами JEDEC и на 4 % по сравнению с актуальными профилями EXPO. Топ-менеджер AMD Дэвид Макафи (David McAfee) пролил чуть больше света на то, что собой представляет данная технология. 
Источник изображений: AMD «[Профили] EXPO эволюционировали. Мы работали над ними со всеми вендорами модулей памяти. Мы увидели возможность добавить больше субтаймингов в профиль SPD и просто немного снизить задержку», — заявил Макафи в разговоре с Tom’s Hardware. Помимо информации о возможностях EXPO ULL, AMD сообщила о совместимости новых профилей разгона ОЗУ с существующими чипсетами и материнскими платами. Однако Макафи уточнил, что не уверен, потребуется ли обновление BIOS (что, скорее всего, так). Тем не менее он всё же отметил следующее: «Мой совет всем вашим читателям и зрителям: обновите BIOS». Модули памяти с поддержкой профилей EXPO ULL будут поставляться в новых товарных упаковках, на которых будет отмечена данная поддержка. «Будет заметно, что эти комплекты памяти другие», — уточнил Макафи. Он также заявил, что, хотя его компания не контролирует цены на память или модули, «AMD поняла со слов партнёров, что они рассчитывают выпустить их по тем же ценам, что и текущие комплекты». На данный момент цены на модули ОЗУ завышены из-за продолжающегося дефицита чипов памяти. Но Макафи отмечает, что не видит причин для дополнительного повышения цен. Топ-менеджер AMD заявляет, что технология EXPO ULL «просто позволяет изменить субтайминги и выжать максимум производительности из этих модулей DIMM», поэтому в технологии ULL нет ничего такого, что могло бы значительно повысить стоимость подобных модулей. Согласно внутренним тестам AMD, в 30 играх на ПК с Ryzen 7 9700X EXPO ULL обеспечивает прирост производительности до 4 % по сравнению с обычными профилями EXPO для памяти DDR5-6000 и прибавку до 13 % по сравнению с модулями памяти стандарта JEDEC DDR5-5600. Также до 15 % повышается минимальное значение FPS в играх (1 % low) по сравнению с памятью JEDEC и на те же 4 % — по сравнению со стандартными профилями EXPO. AMD обещает, что EXPO ULL «появится скоро», однако не называет никаких конкретных дат. Новые модули памяти с поддержкой указанных профилей разгона предложат компании G.Skill, Kingston, Lexar, XPG, TeamGroup и другие. G.Skill показала самую быструю память для рабочих станций — восьмиканальный комплект DDR5-10000 ECC RDIMM
03.06.2026 [13:44],
Николай Хижняк
Компания G.Skill показала на выставке Computex 2026 впечатляющие конфигурации оперативной памяти для рабочих станций. Одной из них стал восьмиканальный комплект DDR5-10000 ECC RDIMM общим объёмом 512 Гбайт. 
Источник изображений: TechPowerUp В составе комплекта DDR5-10000 ECC RDIMM используются восемь модулей памяти G.Skill DDR5-10000 RDIMM ёмкостью по 64 Гбайт каждый. Память установлена в систему с материнской платой Asus Pro WS W890E-SAGE SE и 24-ядерным 48-поточным процессором Intel Xeon 658X (Granite Rapids).  Согласно тестам, система обеспечивает скорость чтения памяти 602,34 Гбайт/с, скорость записи 487,45 Гбайт/с и скорость копирования 537,33 Гбайт/с при задержке 86 нс. G.Skill также показала аналогичную систему, но с 768 Гбайт (8 × 96 Гбайт) оперативной памяти DDR5-8800 RDIMM.  Для платформы AMD Ryzen Threadripper компания продемонстрировала комплект памяти DDR5-7200 RDIMM ёмкостью 512 Гбайт (8 × 64 Гбайт). Он работал на материнской плате ASRock WRX90 WS EVO в тандеме с 64-ядерным 128-поточным процессором Ryzen Threadripper PRO 9985WX. Для памяти заявлены относительно низкие тайминги CL46-56-56-115.  Возможно, наиболее интересной конфигурацией с точки зрения рядовых потребителей оказалась система с процессором Intel Core Ultra 7 270K Plus, материнской платой Asus Pro WS W880-ACE SE и 256 Гбайт (4 × 64 Гбайт) оперативной памяти DDR5-6400 ECC CUDIMM.  Функция коррекции ошибок (ECC) поддерживается процессорами Arrow Lake Plus, но для этого необходимо использовать материнские платы на чипсете Intel W880. ИИ пожирает всю память: аналитики прогнозируют подорожание DRAM ещё на 60 %
02.06.2026 [22:17],
Николай Хижняк
Из-за продолжающегося дефицита памяти на фоне бума ИИ цены на DRAM в первом календарном квартале выросли практически вдвое. Не исключено, что в текущем квартале они снова увеличатся более чем на 50 %, сообщает издание The Register со ссылкой на прогноз аналитиков TrendForce. 
Источник изображения: Samsung Electronics По данным экспертов, отслеживающих ситуацию на рынке, в первом квартале контрактные цены на обычную DRAM выросли на 98 %. Это хорошо для производителей микросхем памяти, чьи доходы за тот же период увеличились на 81 % и составили $97 млрд, но не очень хорошо для покупателей, пишет The Register. По прогнозам TrendForce, ситуация в ближайшее время не улучшится, поскольку запасы DRAM у поставщиков остаются крайне низкими, а все дополнительные мощности направляются в первую очередь на производство высокопроизводительных модулей RDIMM для серверов с искусственным интеллектом. Этот фактор ограничивает доступность памяти для производителей потребительских ПК и смартфонов. На этом фоне ожидается, что рост поставок обычной DRAM по-прежнему будет сдерживаться. По прогнозам TrendForce, в этом квартале контрактные цены на память вырастут ещё на 58–63 %. Согласно TrendForce, гиперскейлеры стали более сговорчивыми в вопросе повышения цен со стороны производителей памяти, что вынудило других клиентов последовать их примеру, чтобы обеспечить себе доступ к поставкам. В результате в проигрыше оказался обычный потребитель. Аналитики считают, что давление на цены снизится только в том случае, если будут расширены производственные мощности по выпуску чипов для потребительских продуктов или снизится спрос на высокомаржинальные чипы памяти с высокой пропускной способностью, которые используются в ИИ-серверах. Однако, как отмечает TrendForce, три крупнейших поставщика памяти — Samsung, SK hynix и Micron — по-прежнему отдают приоритет производству и поставкам высокопроизводительной памяти HBM. На этой неделе председатель правления SK hynix Чхве Тэ Вон (Chey Tae-won) заявил журналистам в Тайбэе, что компания намерена удвоить объём производства кремниевых пластин для чипов памяти, но делать это будет постепенно в течение следующих пяти лет. Таким образом, дефицит может сохраняться до 2030 года, предупредил он. Однако другие аналитики считают, что ситуация может стабилизироваться уже к концу следующего года. В прошлом месяце компания Micron сообщила, что начала производство DRAM на своём заводе в Манассасе, штат Вирджиния, США. Компания также ожидает, что её первый завод в Айдахо начнёт выпуск кремниевых пластин «в середине 2027 календарного года». По прогнозам Micron, новые производственные мощности будут полностью введены в эксплуатацию в 2027 и 2028 годах. В конце мая профсоюз сотрудников Samsung Electronics объявил о приостановке масштабной забастовки после того, как компания согласилась создать фонд, который будет распределять прибыль между работниками. Забастовка могла привести к перебоям в производстве памяти, что усугубило бы глобальный дефицит. Стремясь заполнить ниши, образовавшиеся из-за перехода поставщиков первого эшелона на передовые технологические процессы, тайваньские компании Nanya, Winbond и PSMC продолжают выпускать DRAM на зрелых технологических узлах, сообщает TrendForce. Ожидается, что PSMC будет особенно активно наращивать производственные мощности. 256 Гбайт оперативки для ПК в двух модулях: Origin Code представила комплект 4R CUDIMM DDR5-8000
01.06.2026 [21:20],
Николай Хижняк
Компания Origin Code анонсировала комплект четырёхранговой (4R) памяти CUDIMM DDR5 для настольных платформ Intel. Производитель совместно с Gigabyte и Intel представил конфигурацию памяти объёмом 256 Гбайт, в которой используются только два модуля ОЗУ. 
Источник изображений: VideoCardz / Origin Code По словам Origin Code, в составе четырёхранговых модулей ёмкостью 128 Гбайт каждый используется тактовый генератор (CKD) для улучшения целостности сигнала при более высоких скоростях работы памяти. Это позволяет увеличить ёмкость каждого модуля при сохранении конфигурации с двумя DIMM, которой нередко оснащаются флагманские материнские платы Intel Z890.  Origin Code заявляет для комплекта ОЗУ 4R CUDIMM DDR5-8000 тайминги CL64 и рабочее напряжение 1,1 В. У компании также имеется уже настроенный комплект ОЗУ DDR5-8000, работающий с таймингами CL42 и напряжением 1,4 В. Данная флагманская конфигурация памяти будет показана на выставке Computex 2026.  По словам производителя, память была протестирована в системе с чипом Intel Core Ultra 7 270K Plus и материнской платой Gigabyte Z890 Aorus Elite Duo X. Указанная модель материнской платы оснащена двумя слотами для памяти DDR5 и предлагает официальную поддержку до 256 Гбайт ОЗУ. Gigabyte также заявляет для этой платы поддержку четырёхранговых модулей небуферизованной памяти UDIMM, а также памяти CUDIMM со скоростью до DDR5-8000.  Это не первая конфигурация памяти CUDIMM с двумя модулями по 128 Гбайт, показанная в этом году. Компании Adata и MSI ранее представили четырёхранговые модули CUDIMM на 128 Гбайт для Intel Z890, а Gigabyte ранее демонстрировала работу 256 Гбайт памяти CUDIMM DDR5-7200 на своей плате Z890 Aorus Tachyon ICE. Теперь свой вариант памяти 4R CUDIMM со скоростью DDR5-8000, предназначенный для розничной продажи, показала Origin Code. Стоимость представленных модулей памяти Origin Code не сообщает. Также неизвестно, когда они поступят в продажу. AMD научилась выжимать из DDR5 максимум — представлена технология разгона EXPO ULL
01.06.2026 [14:00],
Николай Хижняк
Компания AMD готовит новое расширение для своих профилей разгона оперативной памяти EXPO под названием EXPO Ultra Low Latency или EXPO ULL. Новый режим предназначен для комплектов памяти DDR5 для платформ Ryzen. Дебют функции ожидается с выпуском новых модулей памяти в июне. 
Источник изображений: AMD Режим EXPO ULL станет частью обновления EXPO 1.2. Функция добавляет режим памяти с низкой задержкой, автоматическим разгоном памяти и более точной настройкой для поддерживаемых комплектов ОЗУ DDR5. AMD утверждает, что EXPO ULL может улучшить как средний показатель кадров в секунду, так и его минимальное значение (1 % low) в играх.  Согласно внутренним тестам компании, EXPO ULL обеспечивает до 13 % более высокий средний FPS по сравнению с памятью стандарта JEDEC DDR5 и до 4 % более высокий средний FPS по сравнению с текущими профилями разгона EXPO. Что касается минимального значения FPS, то EXPO ULL обещает прирост до 15 % по сравнению со стандартными профилями JEDEC и до 4 % по сравнению с текущими профилями памяти EXPO. Компания заявляет, что эти данные основаны на тестировании более чем в 30 играх на системе с Ryzen 7 9700X. EXPO ULL также нацелен на снижение задержки памяти на 5–7 нс по сравнению с обычным комплектом DDR5-6000 за счёт настройки дополнительных параметров tREFI, tRRDS, tWR, ULL Enable и VDDP. AMD перечислила несколько партнёров по производству памяти с поддержкой EXPO ULL. В их число входят G.Skill, Kingston Fury, Klevv, Lexar, TeamGroup, V-Color, XPG от Adata и Origin Code. Новые комплекты памяти от этих производителей ожидаются в июне, хотя полная поддержка функции EXPO ULL будет зависеть от производителей материнских плат и соответствующих версий BIOS. В последних релизах библиотек AGESA 1.3.0.1 и 1.3.0.1b уже добавлены дополнительные параметры настройки DDR5 для плат AM5. G.Skill показала модули DDR5-9200 без экстремального напряжения и перегрева
29.05.2026 [17:35],
Николай Хижняк
Компания G.Skill показала работу нового высокоскоростного двухканального комплекта оперативной памяти Trident Z5 CK CUDIMM DDR5 общим объёмом 32 Гбайт (2 × 16 Гбайт). Он работает в режиме DDR5-9200 с таймингами CL74-74-74-148, но при этом сохраняет очень низкое напряжение в 1,1 В, что в свою очередь позволяет избегать перегрева. 
Источник изображений: G.Skill По словам производителя, память проходила тестирование на флагманской материнской плате MSI MEG Z890 Godlike. Модули ОЗУ прошли стресс-тест в сочетании с процессором Intel Core Ultra 7 270K Plus, продемонстрировав высокую оптимизацию разгона на новейшей платформе.  Компания отмечает, что такая высокая скорость оперативной памяти обычно достигается на специализированных оверклокерских материнских платах, оснащённых только двумя разъёмами DIMM для ОЗУ, что обеспечивает более высокую целостность сигнала между процессором и слотами памяти. MSI MEG Z890 Godlike хоть и является флагманской моделью, но в эту категорию не входит, поскольку оснащена четырьмя слотами DIMM.  G.Skill не сообщила, когда указанные модули памяти появятся в продаже. Cooler Master и G.Skill представили толстый модуль DDR5 со встроенным активным охлаждением
29.05.2026 [13:26],
Павел Котов
Cooler Master и G.Skill анонсировали модули памяти MasterDimm AC поколения DDR5 — их отличает встроенный в конструкцию модуля вентилятор и радиатор для лучшего охлаждения. Продукт продемонстрируют в рамках выставки Computex 2026 в штаб-квартире Cooler Master в Тайбэе.  Идея проекта — обеспечить стабильную работу модулей DDR5 большой ёмкости и высокой частоты при длительных нагрузках, а не только в коротких тестах на производительность. Модули памяти предлагают до 6000 МТ/с и сверхнизкие задержки CL26 при работе с AMD EXPO; а также сверхвысокие скорости до 8400 МТ/с в исполнении CU-DIMM для Intel XMP 3.0. Активное охлаждение MasterDimm AC помогает снизить температуру на величину до 15 °C; при этом уровень шума составляет менее 35 дБ. Поддерживаются комплекты до двух планок по 64 Гбайт.  Идея проекта поднимает очевидный вопрос: помимо блоков питания, процессоров и видеокарт, вентиляторы охлаждения теперь устанавливаются на SSD и вот уже на модули оперативной памяти. Вероятно, на очереди — материнские платы. К слову, это уже не первые модули памяти со встроенными вентиляторами — ранее подобные представила Origin Code. В Sandisk уверены: главным компонентом ИИ-инфраструктуры станет память, а не процессоры
28.05.2026 [13:22],
Алексей Разин
Сегмент ИИ молод в контексте истории всей полупроводниковой отрасли, но его эволюционные изменения уже оказывают на неё весьма сильное влияние. В последнее время всё больше разговоров ведётся о растущей роли центральных процессоров в операциях инференса, но руководство Sandisk полностью уверено, что решающую роль в инфраструктуре ИИ будет играть память. 
Источник изображения: SK hynix Данную точку зрения выразил в своём интервью Nikkei Asian Review технический директор и исполнительный вице-президент Sandisk Алпер Илкбахар (Alper Ilkbahar). По его словам, в развитии инфраструктуры ИИ нельзя целиком полагаться только на GPU и CPU, поскольку даже принципы работы человеческого мозга указывают на важную роль памяти в подобных системах. «Нас определяют наши воспоминания. Каждый раз, изучая что-то новое, вы становитесь другим человеком. Буквально, ваш мозг изменяется на физическом уровне, и вы следуете этому правилу. По сути, мы являемся совокупностью наших воспоминаний», — пояснил представитель Sandisk. Значимость памяти возрастает сразу по нескольким причинам, как он считает. Во-первых, большие языковые модели становятся всё более сложными, и для работы с ними требуется всё больше памяти. Во-вторых, ИИ-системы популярных разработчиков всё больше полагаются на кеш «ключ — значение», который выступает в роли краткосрочной памяти, позволяя помнить предыдущие запросы пользователя, а не обрабатывать весь запрос с самого начала при появлении уточняющих вопросов. Скорость и эффективность работы моделей растут благодаря применению такого подхода, но, поскольку контекст постоянно увеличивается в объёме, для работы с ним требуется всё больше памяти. Отрасль при этом движется в сторону использования подхода «смесь экспертов», когда внутри одной крупной ИИ-модели содержится несколько более мелких, каждая из которых может вызываться для обработки строго специфических запросов. Упор делается на работу с более крупными объёмами данных, а вычисления прогрессируют не так заметно, по словам вице-президента Sandisk. Спрос на продукцию компании в таких условиях весьма высок. Клиенты сами готовы заключать долгосрочные контракты и делать авансовые платежи, получая взамен уверенность в способности получить нужный объём памяти к конкретному периоду. Только за последнее время Sandisk заключила долгосрочные контракты на поставку памяти сроком до пяти лет на общую сумму около $42 млрд. Ранее о такой структуре контрактов Sandisk не могла и мечтать. Руководство компании верит в перспективы HBF — нового типа твердотельной памяти, которая имеет вертикальную компоновку, как HBM, и при этом предлагает сопоставимую пропускную способность. В условиях развития инференса именно такая память будет оптимальным образом обслуживать потребности ИИ-инфраструктуры. В разработке стандартов HBF компания сотрудничает с южнокорейской SK hynix. Прототип кристалла HBF будет готов к концу текущего года, а полноценная память HBF с контроллером будет представлена в следующем году. Соглашение с Kioxia позволяет Sandisk совместно использовать японские производственные мощности этой компании до 2032 года, как минимум. Silicon Power анонсировала модули памяти Xpower Cyclone R DDR5-6000 с сертификацией Asus ROG
26.05.2026 [22:52],
Николай Хижняк
Компания Silicon Power (SP) представила модули памяти Xpower Cyclone R DDR5, сертифицированные в рамках программы совместимости с материнскими платами Asus ROG. В серию вошли двухканальные комплекты ОЗУ общим объёмом 32 (2 × 16 Гбайт) и 64 (2 × 32 Гбайт) Гбайт. 
Источник изображений: Silicon Power Все представленные новинки предлагают скорость работы 6000 МТ/с. Для модулей ёмкостью 16 Гбайт заявлены тайминги CL28-36-36-96 и рабочее напряжение 1,4 В. Модули ёмкостью 32 Гбайт обладают таймингами CL30-38-38-96 и работают при напряжении 1,35 В. Все новинки поддерживают профили разгона AMD EXPO.  Модули ОЗУ оснащены радиаторами с RGB-подсветкой, которую можно синхронизировать с подсветкой остальных компонентов ПК с помощью утилиты Asus Aura Sync.  Стоимость представленных модулей ОЗУ производитель не сообщил. Corsair представила модули памяти Shugo DDR5 с премиум-дизайном с японскими мотивами
26.05.2026 [22:37],
Николай Хижняк
Компания Corsair представила коллекционную серию оперативной памяти Shugo DDR5 с узорами по японским мотивам. Изображения на радиаторах памяти выполнены с использованием специальной технологии микросверления, позволяющей RGB-подсветке просвечивать сквозь боковые стороны модуля и становиться частью самого рисунка. 
Источник изображений: Corsair Компания поясняет, что название Shugo символизирует прочность, стабильность и надежность, отражая роль памяти как основы высокопроизводительных ПК. Основной целевой аудиторией продукта производитель называет геймеров, оверклокеров, создателей контента и коллекционеров.  На старте будут доступны два дизайна — Onyx Blade и Sakura Noa. Оба разработаны в сотрудничестве с сообществом художников. По словам Corsair, модули Shugo собраны из тщательно отобранных микросхем DDR5 с высоким качеством изготовления и установлены на изготовленные на заказ высококачественные печатные платы, разработанные для обеспечения высокой целостности сигнала и возможности разгона. Память оптимизирована как для платформ Intel, так и для AMD.  Модули Shugo DDR5 оснащены индивидуально адресуемыми RGB-светодиодами и полностью поддерживаются программным обеспечением Corsair iCUE.  Для сборщиков, желающих получить полностью заполненную и симметричную конфигурацию памяти в составе ПК, Shugo DDR5 также будет доступна в виде комплекта Corsair Light Enhancement Kit (LEK), который заполняет пустые слоты DDR5 соответствующими RGB-модулями. Модули LEK не содержат памяти и предназначены только для эстетического использования.  Память Corsair Shugo DDR5 будет выпущена в виде двухканальных комплектов объёмом 32 Гбайт (2 × 16 Гбайт) со скоростью до 6000 МТ/с и таймингами CL28-36-36-96 при рабочем напряжении 1,4 В. Выпуск будет ограниченным. Модель контролируемого запуска призвана сохранить для Shugo DDR5 статус коллекционной памяти. Цена комплекта на 32 Гбайт составляет $599,99 в США и €662.99 в Европе Samsung разработала первый в мире прототип флеш-чипа 3D NAND с 900 слоями
26.05.2026 [09:52],
Павел Котов
Крупнейший в мире производитель чипов памяти Samsung разработал первый в мире прототип 900-слойного чипа памяти, сообщает ETNews — проект призван закрепить лидерство корейского технологического гиганта в данном сегменте. 
Источник изображения: Samsung В прототипе использована технология Cell Multi-Bonding (CMB), которая помогла установить две 450-слойные пластины ячеек на одном чипе. Многослойная структура флеш-памяти повышает плотность хранения данных и способствует снижению потребления энергии. Такие конфигурации считаются преимуществом в рабочих нагрузках искусственного интеллекта. По направлению многослойных чипов NAND мировым лидером считается SK hynix, у которой есть 321-слойные микросхемы. Но Samsung, очевидно, переходит в более сильную позицию: она готовится к массовому выпуску 400-слойных чипов NAND, а на этапе исследований достигла рубежа в 900 слоёв. Samsung первая в мире ещё в 2013 году выпустила на рынок чипы 3D V-NAND. Поначалу она использовала производственный процесс, предусматривающий сверление и укладку компонентов за один этап. Но по мере увеличения высоты укладки столкнулась с такими проблемами как деформация пластин и смещение слоёв. Их она решила за счёт усовершенствованной конструкции верхнего зажима и технологии коррекции наложения. Отставание от Samsung и SK hynix быстро сокращает китайская Yangtze Memory Technologies Co. (YMTC) — она уже наладила массовое производство 294-слойных чипов NAND. Этому способствовали значительные госинвестиции и расширенная локализация производственного оборудования. Рост конкуренции побудил Samsung ускорить разработку технологии 900-слойной памяти, чтобы сохранить своё преимущество в долгосрочной перспективе. Дефицит меняет рынок: китайская DDR5 от CXMT просочилась в модули Corsair Vengeance
22.05.2026 [13:42],
Павел Котов
Corsair начала выпускать модули оперативной памяти Vengeance DDR5 на чипах от китайской ChangXin Memory Technologies (CXMT). Соответствующие скриншоты опубликовал пользователь соцсети X: модуль Corsair DDR5-6000 был идентифицирован утилитой CPU-Z как использующий память ChangXin. 
Источник изображений: x.com/wxnod Речь идёт о планке DDR5-6000 объёмом 16 Гбайт; на этикетке значатся тайминги 36-44-44-96 при 1,35 В, номер компонента — CMK5X16G3E60C36A2-CN. Он, предположительно, поддерживает профили Intel XMP и AMD EXPO. Это уже не первый случай появления памяти CXMT DDR5, но теперешний пример знаменателен тем, что в нём фигурирует Corsair, которая для потребительских комплектов DDR5 обычно закупает DRAM у Samsung, SK hynix и Micron.  Ранее стало известно о комплекте KingBank DDR5-6000 CL36 на чипах CXMT — он тестировался на платформе AMD Zen 5 и не демонстрировал очевидных проблем с производительностью в играх по сравнению с другими моделями DDR5-6000. Китайский производитель публиковал собственную дорожную карту DDR5 — чипы линейки достигают скорости до 8000 Мбит/с и строятся на кристаллах 16 и 24 Гбит. В ассортименте значится продукция форматов UDIMM, SODIMM, CUDIMM, CSODIMM, RDIMM, MRDIMM и TFF MRDIMM. Это согласуется с непростым положением дел на рынке памяти, где спрос со стороны отрасли искусственного интеллекта оказался слишком высоким. Если этот модуль Corsair попадёт в широкую розницу, это будет означать, что китайская память больше не огранивается региональными или малоизвестными брендами. Официально Corsair пока не подтвердила намерения выпускать на мировой рынок модули DDR5 на чипах CXMT. Буквы «CN» в названии продукта могут указывать, что компания запустила пробное производство для китайского рынка. |
© 1997—2026 Электронное периодическое издание "3ДНьюс" | Свидетельство о регистрации СМИ Эл ФС 77-22224
выдано Федеральной Службой по надзору за соблюдением законодательства в сфере массовых коммуникаций и охране культурного наследия
При цитировании документа ссылка на сайт с указанием автора обязательна. Полное заимствование документа является
нарушением
российского и международного законодательства и возможно только с согласия редакции 3DNews.
MWC 2018
2018
Computex
IFA 2018
