По мере роста цен на флеш-память её производители воспряли духом и начали рассказывать о дальнейших планах по совершенствованию технологий её выпуска. SK hynix на этой неделе сообщила, что приступает к массовому производству первой в мире 321-слойной памяти 3D NAND (сама компания называет её 4D NAND), которую начнёт поставлять клиентам в следующем полугодии.

Источник изображения: SK hynix

Являясь лидером в сегменте HBM, востребованной ускорителями вычислений для ИИ, компания SK hynix теперь претендует на статус «поставщика полного цикла» памяти для систем искусственного интеллекта. Она напоминает, что в июне прошлого года стала первым в мире поставщиком 238-слойной памяти NAND, а теперь за счёт применения передовых технологий монтажа стеков внутри микросхемы первой преодолела рубеж в 300 слоёв. Терабитные микросхемы 321-слойной памяти 3D NAND её клиенты начнут получать в первой половине 2025 года.

Прогресс в увеличении количества слоёв памяти был достигнут за счёт совершенствования технологии создания вертикальных каналов и применения материала с большей механической стабильностью. При этом 321-слойная память была разработана на той же платформе, что и 238-слойная. Переход на выпуск нового поколения при этом повысит производительность производства на 59 % с минимальными рисками.

Кроме того, новое поколение памяти повышает скорость передачи информации на 12 % и повышает скорость чтения на 13 %, при этом энергетическая эффективность данных операций увеличивается более чем на 10 %. Такие микросхемы станут хорошей основой для современных скоростных твердотельных накопителей, применяемых в системах искусственного интеллекта.

Компания Colorful представила две серии модулей оперативной памяти — iGame Shadow DDR5 и iGame Shadow DDR5 CKD. Вторая предназначена специально для платформы Intel LGA 1851 (Arrow Lake-S) и отличаются наличием встроенного тактового генератора, который позволяет памяти стабильно работать на более высоких частотах.

Источник изображений: Colorful

Серия памяти Colorful iGame Shadow DDR5 предлагается в виде двухканальных комплектов общим объёмом 32 (2 × 16) и 48 (2 × 24) Гбайт, работающих в режимах DDR5-6000, DDR5-6800, DDR5-8000 и DDR5-8400 с таймингами от CL28 до CL42. Для модулей памяти DDR5-6000 и DDR5-6800 заявляется поддержка профилей разгона Intel XMP 3.0 и AMD EXPO. Для модулей DDR5-8000 и DDR5-8400 указана только поддержка профилей XMP 3.0. Производитель заявляет для новинок рабочее напряжение от 1,35 до 1,4 В.

Модули памяти iGame Shadow DDR5 CKD нового типа CUDIMM предлагают режимы работы DDR5-8800 и DDR5-9600. Новинки будут выпускаться в виде двухканальных комплектов общим объёмом 48 (2 × 24) Гбайт и поддерживают профили разгона XMP 3.0. Рабочее напряжение для этих модулей ОЗУ производитель не сообщает.

Colorful отмечает, что во всех новинках используются чипы памяти SK hynix M-Die. Все представленные модули памяти оснащены радиаторами с RGB-подсветкой.

По данным VideoCardz, в продаже с сегодняшнего дня доступен комплект памяти Colorful iGame Shadow DDR5-8000 объёмом 48 Гбайт. Его можно приобрести за 1349 юаней (около $186).

Компания Apacer выпустила серию модулей оперативной памяти NOX RGB DDR5. Новинки будут предлагаться как в виде отдельных планок объёмом 16 и 32 Гбайт, так и в составе двухканальных комплектов общим объёмом 32 и 64 Гбайт. В серии будут представлены планки и комплекты со скоростью до 8000 МТ/с.

Источник изображений: Apacer

Память NOX RGB DDR5 со скоростью 5200, 5600 и 6000 МТ/с обладает таймингами CL40-40-40-80 или CL38-48-48-96 и рабочим напряжением 1,25 В. Память со скоростью 6200, 6400, 6800, 7200, 7600 и 8000 МТ/с обладает таймингами от 32-39-39-84 до 40-40-40-76 и работает с напряжением 1,35 или 1,45 В. Все поддерживают профили разгона Intel XMP 3.0 и AMD EXPO.

Модули ОЗУ Apacer NOX RGB DDR5 оснащены радиаторами чёрного или серебряного цвета с RGB-подсветкой. Высота планок не превышает 44 мм, так что они не должны мешать установки большинства современных кулеров.

В продаже память Apacer NOX RGB DDR5 доступна с 14 ноября. О стоимости новинок производитель ничего не сообщил.

Компания V-Color похвасталась рекордным разгоном модуля оперативной памяти Manta DDR5 CUDIMM. Если ещё вчера производитель сообщал о рекорде разгона до 12 264 МТ/с, то сегодня компания озвучила цифру 12 350 МТ/с. Оба рекорда были установлены на материнской плате ASRock Z890 Taichi OCF.

Источник изображения: Wccftech

Для эксперимента использовался модуль оперативной памяти V-Color Manta XFinity RGB CUDIMM DDR5 объёмом 24 Гбайт, который сначала был разогнан американским оверклокером AKM до эффективной частоты 6131,9 МГц (или 12 264 МТ/с). Память заработала при таймингах CL 52-92-92-127.

Источник изображения: HWBOT

Позже результатами разгона такого же модуля памяти и на той же материнской плате поделился канадский оверклокер saltycroissant. Он разогнал модуль памяти до эффективной частоты 6175,4 МГц (12 350,8 МТ/с). В обоих случаях для охлаждения компонентов использовался жидкий азот.

В эксперименте также принимал участие флагманский процессор Core Ultra 9 285K.

Ранее в этом месяце начались продажи обновлённого компактного компьютера Apple Mac mini, аппаратной основой которого стали фирменные процессоры Apple M4. Вполне логично, что некоторые блогеры поспешили разобрать новинку, чтобы продемонстрировать внутреннюю компоновку и оценить ремонтопригодность. В процессе было установлено, что в Mac mini можно расширить объём хранилища данных, но для этого потребуются определённые навыки.

Источник изображения: Apple

Автор канала Snazzy Labs опубликовал очень информативное видео, в котором наглядно демонстрируется разборка Mac mini и даётся наиболее полная оценка нового мини-компьютера Apple. В Mac mini разработчики задействовали съёмный твердотельный накопитель — в базовой версии это 256 Гбайт памяти, сформированные из пары чипов флеш-памяти NAND по 128 Гбайт каждый. Однако Apple использует проприетарный интерфейс, так что стандартные M.2 SSD в качестве замены не подойдут. Но всё же имея определённые технические навыки увеличить объём памяти с Mac mini можно.

Энтузиастам с YouTube-канала dosdude1 удалось расширить объём дискового пространства базовой модели мини-компьютера с 256 Гбайт до 1 Тбайт. Для этого они удалили с платы оригинальные чипы флеш-памяти NAND с помощью тепловой пушки, подготовили к установке чипы большей ёмкости, после чего припаяли их к плате и выполнили процесс восстановления Mac mini в режиме DFU.

Хотя обычные пользователи вряд ли смогут воспользоваться данным способом расширения дискового пространства, видео наглядно демонстрирует наличие технической возможности увеличения места для хранения данных. Однако сделать это без определённых навыков работы с аппаратным обеспечение не удастся.

Международная группа учёных обнаружила удивительный эффект в таком полупроводнике, как селенид индия (In₂Se₃). Под действием тока материал переходил из кристаллической формы в аморфную, затрачивая на это в миллион раз меньше энергии, чем в случае обычной импульсной записи памяти с фазовым переходом (полупроводниковой или на перезаписываемых оптических дисках типа DVD). Открытие обещает обернуться созданием невероятно эффективной компьютерной памяти.

Лавинообразный процесс аморфизации в селениде индия в представлении художника. Источник изображения: Akanksha Jain

Память с фазовым переходом, будь то полупроводниковая или в виде оптических дисков, остаётся достаточно энергоёмкой в моменты записи и стирания, хотя хранить данные она может без потребления энергии. Запись и стирание происходят импульсами, которые буквально плавят материал в ячейке или в слое диска — нагрев в локальной области может достигать 800 °C. Быстрое остывание расплава не позволяет ему восстановить кристаллическую структуру. Аморфное состояние ведёт к высокому сопротивлению току, а кристаллическое — к низкому, что определяет состояние ячейки 0 или 1. С оптическими накопителями всё работает по-другому, но принцип тот же.

Проводя опыты в Университете Пенсильвании (UPenn) с проволокой из селенида индия, учёные обнаружили, что материал полностью перешёл в аморфное состояние без воздействия импульсом. По проволоке пропускался небольшой ток, и в один момент он перестал проходить. Анализ показал, что материал приобрёл аморфную структуру. К изучению вопроса подключились учёные из Массачусетского технологического института (MIT), а на анализ образцы были отправлены в Индийский институт науки (IISc).

В IISc учёные разработали методологию наблюдения за процессом аморфизации селенида индия буквально по шагам в нанометровом масштабе и в более крупном масштабе. Оказалось, что вступают в работу два свойства селенида индия — пьезоэлектрика и сегнетоэлектрика. Небольшой ток создаёт домен аморфизации в материале, а возникающие напряжения в кристаллической решётке провоцируют что-то вроде эффекта землетрясения на соседних участках, и процесс приобретает лавинообразный характер. Процесс остановится только тогда, когда весь материал станет аморфным.

Сделанное открытие может привести к созданию невероятно энергоэффективной памяти с фазовым переходом (). По словам учёных, на аморфизацию ячейки памяти из селенида индия требуется одна миллионная от типичного потребления современной памяти PCM, что преобразит все системы хранения и вычислений.

Компания Klevv представила новую серию модулей оперативной памяти Urbane V RGB DDR5. В неё вошли двухканальные комплекты общим объёмом 32, 48 и 64 Гбайт, которые состоят соответственно из пар модулей объёмом 16, 24 и 32 Гбайт.

Источник изображений: Klevv

Новинки оснащены алюминиевыми радиаторами толщиной 2 мм. Высота модулей памяти составляет 42,5 мм. Производитель заявляет, что их установка не помешает использованию самых производительных систем охлаждения CPU.

Радиаторы памяти оснащены RGB-подсветкой с поддержкой 16 млн цветов.

В серию Urbane V RGB DDR5 вошли модули памяти, поддерживающие режимы работы DDR5-6000, DDR5-6400, DDR5-7200, DDR5-7600, DDR5-8000, DDR5-8200 и DDR5-8400, работающие при напряжении от 1,1 до 1,45 В. С заявленными таймингами памяти можно ознакомиться ниже.

Все новинки поддерживают профили разгона Intel XMP 3.0 и AMD EXPO. На представленные модули ОЗУ предоставляется ограниченная пожизненная гарантия.

В продаже модули памяти Klevv Urbane V RGB DDR5 ожидаются в ноябре. Стоимость комплектов ОЗУ производитель не сообщил.

Компании MSI и Kingston похвастались обновлением мирового рекорда разгона оперативной памяти. Используя материнскую плату MSI MEG Z890 UNIFY-X, тайваньский оверклокер Кован Янг (Kovan Yang) разогнал модуль памяти Kingston Fury Renegade DDR5 CUDIMM объёмом 24 Гбайт до 12 196 МТ/с.

Источник изображения: VideoCardz

Энтузиаст превзошёл свой предыдущий рекорд разгона того же модуля памяти на 88 МТ/с. В прошлый раз модуль ОЗУ был разогнан до скорости 12 108 МТ/с. Согласно подтверждённым данным, модуль памяти заработал на эффективной частоте 6097,6 МГц (12 196 МТ/с), при таймингах CL48-120-120-127-2.

Источник изображения: CPU-Z Validator

В эксперименте также использовался процессор Core Ultra 7 265KF из новой серии Arrow Lake-S. Чипу замедлили скорость до 400 МГц и отключили почти все ядра, кроме двух.

Источник изображения: HWBOT

Для охлаждения памяти в рамках экстремального разгона применялся жидкий азот.

Компания Acer представила модули оперативной памяти Predator Hera CUDIMM DDR5 Special Edition, радиаторы которых покрыты настоящим золотом. По словам производителя, новинки могут работать со скоростью свыше 10 000 МТ/с.

Источник изображений: Acer

Acer сообщила, что в новых модулях памяти Predator Hera DDR5 Special Edition используются чипы памяти от южнокорейского производителя SK hynix. Объём одного модуля составляет 24 Гбайт. Память поддерживает профили разгона Intel XMP. Стандартный профиль обеспечивает скорость 9200 МТ/с и задержки CL46-56-46-134. Второй профиль XMP позволяет увеличить скорость до 9466 МТ/с, а тайминги при этом составят CL48-57-57-134.

Компания заявляет, что в рамках эксперимента вручную разогнала память до скорости 10 270 МТ/с при использовании обычного воздушного охлаждения. Однако Predator Hera CUDIMM DDR5 Special Edition выделяется не только потенциалом разгона, но и своим внешним видом. Радиаторы модулей памяти покрыты 24-каратным золотом. Металл нанесён в несколько слоёв, создавая эффект зеркальной поверхности.

Когда модули памяти появятся в продаже и сколько будут стоить — неизвестно. Однако с учётом их возможностей, а также дизайнерского оформления, цена у них будет соответствующей.

SK hynix представила первые в мире стеки памяти HBM3E ёмкостью 48 Гбайт из 16 кристаллов — это новый рекорд для архитектуры 16-Hi. На SK AI Summit 2024 в Сеуле генеральный директор компании Квак Но Чун (Kwak Noh-Jung) объявил о стратегии SK hynix, направленной на превращение компании в поставщика полного ассортимента решений на базе памяти DRAM и NAND для ИИ.

Источник изображений: SK hynix

Квак Но-Чжун отметил, что роль памяти за последние десятилетия претерпела значительные изменения: от хранения данных на персональных компьютерах (ПК) и смартфонах до поддержки функционирования облачных сервисов и социальных сетей. В будущем, с развитием ИИ, память будет играть ещё более важную роль, способствуя созданию новых форм взаимодействия и творчества для пользователей. Концепция «Креативной памяти», разработанная SK hynix, строится на применении полупроводников нового поколения, обеспечивающих мощные вычислительные возможности, необходимые для выполнения сложных задач.

SK hynix активно стремится к инновациям, создавая уникальные решения, не имеющие аналогов. В качестве основы выбраны продукты категории Beyond Best, отличающиеся высокой конкурентоспособностью и оптимальными инновациями, ориентированными на потребности ИИ-систем. В начале следующего года компания планирует представить тестовые образцы памяти HBM3E объёмом 48 Гбайт, подчёркивая свою готовность к внедрению передовых достижений в области памяти для ИИ.

HBM3E с архитектурой 16-Hi обеспечивает повышение производительности до 18 % в процессах обучения ИИ-моделей и до 32 % — при обработке данных по сравнению с решениями на основе 12-Hi, заявляет SK hynix. С ростом спроса на ИИ-ускорители для обработки данных это решение поможет SK hynix упрочить своё положение на рынке памяти для ИИ. Для массового производства 16-слойной HBM3E будет использована усовершенствованная технология Advanced MR-MUF, ранее успешно применявшаяся для 12-Hi решений.

Кроме HBM3E, SK hynix разрабатывает решения для других секторов, включая модули LPCAMM2 для ПК и дата-центров, а также энергоэффективную память LPDDR5 и LPDDR6, выполненную по техпроцессу 1c.

Компания также планирует интегрировать логику в базовый кристалл в памяти HBM4, что станет возможным благодаря партнёрству с одним из ведущих производителей логических полупроводников. Это позволит SK hynix разрабатывать кастомизированные HBM-решения, адаптированные к специфическим запросам клиентов по объёму, пропускной способности и функциональным характеристикам.

Память HBM3E обеспечивает скорость передачи данных на контакт 9,2 Гбит/с, что даёт пропускную способность выше 1,2 Тбайт/с

В ответ на растущие потребности ИИ-систем в увеличении объёма памяти SK hynix разрабатывает решения на основе CXL-сетей, которые обеспечат интеграцию различных типов памяти в массивы высокой ёмкости. Параллельно компания разрабатывает eSSD с ультравысокой ёмкостью, что позволит эффективно хранить большие объёмы данных на ограниченном пространстве и с оптимальным энергопотреблением.

Стремясь преодолеть так называемый «барьер памяти», SK hynix разрабатывает технологии с встроенными вычислительными возможностями. Такие решения, как Processing near Memory (PNM), Processing in Memory (PIM) и Computational Storage, позволят обрабатывать колоссальные объёмы данных, минимизируя задержки и увеличивая пропускную способность. Эти инновации откроют новые перспективы для ИИ-систем нового поколения, позволяя выполнять ресурсоёмкие задачи с минимальными задержками.

Компания TeamGroup представила свои первые модули памяти нового формата CAMM2 (Compression Attached Memory Module 2) — потребительского класса CAMM2 DDR5 7200 МГц и промышленного класса CAMM2 DDR5 6400 МГц. Новинки стали частью фирменной серии ОЗУ T-Create.

Источник изображений: TeamGroup

Для модулей памяти CAMM2 DDR5 7200 МГц производитель заявляет тайминги CL34-42-42-84. Разогнанная память обеспечивает скорость записи, копирования и чтения на уровне 108 000 Мбайт/с, 106 000 Мбайт/с и 117 000 Мбайт/с, при этом сохраняя весьма низкую для памяти DDR5 задержку на уровне 55 нс. Указанные модули памяти направлены на потребительский и игровой сегменты покупателей. Однако доступность на рынке материнских плат с поддержкой памяти формата CAMM2 пока вызывает большие вопросы.

В пресс-релизе производитель отмечает, что для тестирования модулей использовалась материнская плата MSI Z790 Project Zero, оснащённая соответствующим слотом для памяти CAMM2. Производители плат пока не говорили о готовности к выпуску решений с поддержкой памяти в новом формфакторе. Однако ранее интерес к использованию нового типа памяти в настольных ПК выражали MSI, Asus и ASRock.

В перспективе TeamGroup планирует выпуск модулей памяти CAMM2 с поддержкой скорости 8000 и 9000 МТ/с.

«По сравнению с традиционными модулями памяти SO-DIMM, U-DIMM и R-DIMM память CAMM2 предлагает революционный дизайн с несколькими очевидными преимуществами. Она поддерживает работу в двухканальном режиме в рамках одного модуля ОЗУ, что упрощает архитектуру системы и значительно сокращает потребление энергии ПК. Модули CAMM2 оснащены встроенным тактовым генератором (Client Clock Driver, CKD), обеспечивающим более надёжную передачу сигнала. Сами модули памяти CAMM2 при этом компактные и идеально подходят для использования в составе тонких и лёгких ноутбуков. Улучшенная тепловая конструкция модулей CAMM2 обеспечивает большую эффективность рассеивания тепла, раскрывая больше потенциала в компактном пространстве. Память CAMM2 превосходит предыдущие стандарты по разгону, скорости чтения и задержке, обеспечивая исключительно плавный пользовательский опыт», — описывает новый формат памяти TeamGroup.

Компания заявляет, что модули памяти CAMM2 появятся в продаже в первом квартале 2025 года. Вероятно, именно тогда производители материнских плат больше расскажут о своих решениях с поддержкой данного типа памяти.

Компания Apple объявила, что минимальный объём оперативной памяти у ноутбуков MacBook Air с процессорами M2 и M3 теперь составляет 16 Гбайт. При этом цена самой доступной конфигурации ноутбука по-прежнему составляет $999. То есть Apple теперь предлагает вдвое больше ОЗУ за те же деньги.

Источник изображения: Apple

До этого Apple просила $200 за увеличение объёма оперативной памяти с минимальных 8 Гбайт до 16 Гбайт. Увеличение минимального объёма оперативной памяти делает MacBook Air более конкурентным на фоне других решений. Наиболее вероятной причиной увеличения объёма ОЗУ является внедрение новых ИИ-функций Apple Intelligence, которым требуется для работы больше оперативной памяти.

В последний раз Apple увеличивала минимальный объём оперативной памяти у MacBook Air в 2016 году. Тогда компания анонсировала 13-дюймовую версию с 8 Гбайт, пришедшую на замену 11-дюймовой модели с 4 Гбайт памяти в базовой конфигурации.

Все представленные Apple на этой неделе компьютеры, то есть обновлённые iMac, Mac Mini и MacBook Pro, предлагают не менее 16 Гбайт оперативной памяти.

Компания Micron представила комплект модулей оперативной памяти Crucial Pro DDR5-6400 объёмом 32 Гбайт (2 × 16 Гбайт). Для ОЗУ заявляется поддержка профилей разгона Intel XMP 3.0 и AMD EXPO.

Источник изображений: Crucial

Память Crucial Pro DDR5-6400 поддерживает профили разгона Intel XMP 3.0 и AMD EXPO с скоростью 6400 МТ/с и таймингами CL 38-40-40-84, а также 6000 МТ/с и CL36-38-38-80. Заявленное рабочее напряжение модулей памяти составляет 1,35 В.

Новинки оснащены радиаторами охлаждения белого или чёрного цвета без RGB-подсветки. Производитель отмечает, что чипы памяти DDR5 в составе указанных модулей производятся с использованием фирменного техпроцесса Micron 1ß (1-beta).

На память Crucial Pro DDR5-6400 предоставляется пожизненная гарантия производителя. В продаже комплекты памяти уже появились. Производитель оценил их в $118,99.

Компания G.Skill сообщила об очередном рекордном разгоне своей оперативной памяти. Южнокорейскому энтузиасту Safedisk удалось заставить работать модуль оперативной памяти Trident Z5 RGB DDR5 на скорости 12 112 МТ/с в одноканальном режиме.

Источник изображения: G.Skill

Новый рекорд всего на 4 МГц выше предыдущего, установленного тайваньским оверклокером Кованом Янгом (Kovan Yang). Ему удалось разогнать память Fury Renegade DDR5 CUDIMM до скорости 12 108 МТ/с.

Для разгона ОЗУ G.Skill использовался жидкий азот. Эксперимент проводился на флагманской материнской плате Asus ROG Maximus Z890 Apex с участием флагманского процессора Core Ultra 9 285K. Чип работал на частоте 3000 МГц. Модуль памяти Trident Z5 RGB DDR5 с базовой скоростью 5600 МТ/с запустила на скорости 12 112 МТ/с при таймингах CL52-92-92-127-2.

Результаты разгона были проверены в HWBOT и CPU-Z Validator.

Сразу несколько производителей оперативной памяти сообщили о разгоне модулей памяти DDR5 до рекордной скорости выше 12 000 МТ/с. Использовались новейшие модули CUDIMM в сочетании с материнскими платами с чипсетом Intel Z890 и процессорами Core Ultra 200S.

Источник изображения: VideoCardz

Компания Kingston отчиталась о разгоне своей памяти Fury Renegade DDR5 CUDIMM до скорости 12 108 МТ/с, что является самым высоким результатом в истории на данный момент. Рекорд установил оверклокер Кован Янг (Kovan Yang), который добился эффективной частоты 6053,7 МГц (12 108 МТ/с) на материнской плате MSI MEG Z890 UNIFY-X.

Источник изображения: Kingston

Согласно данным HWBOT, охлаждение компонентов осуществлялось с помощью жидкого азота. Память «завелась» с таймингами CL45-120-120-127-2 в сочетании с процессором Core Ultra 7 265KF, у которого были отключены энергоэффективные E-ядра. На больших P-ядрах чип работал на частоте 400 МГц.

Источник изображения: CPU-Z Validator

Компания G.Skill, в свою очередь, сообщила о чуть более скромных результатах разгона памяти — 12 042, 12 046 и 12 066 МТ/с. Разгон проводили оверклокеры BenchMarc, OGS, Dreadzone и CENS. Эксперимент проводился с использованием материнской платы Asus ROG Maximus Z890 Apex и процессора Core Ultra 9 285K. Для охлаждения также использовался жидкий азот. В режиме DDR5-12066 память работала с таймингами CL52-92-92-127-2.