Компания G.Skill сообщила о новом рекорде разгона оперативной памяти DDR5. Его установил оверклокер Seby, заставивший планку ОЗУ G.Skill Trident Z5 DDR5 (F5-8000J3848F24GX2-TZ5K) с номинальным режимом DDR5-8000 и объёмом 24 Гбайт работать на скорости 12 772 МТ/с.

Источник изображений: G.Skill

Новый рекорд был установлен на материнской плате Asus ROG Maximus Z890 Apex для энтузиастов в сочетании с флагманским процессором Intel Core Ultra 9 285K.

Для охлаждения CPU применялся жидкий азот. При эксперименте температура составила 4,0 градуса Цельсия.

Согласно данным CPU-Z Validator и базе данных HWBOT, разогнанный до 12 772 МТ/с модуль памяти G.Skill работал с таймингами 68-127-127-127. Эффективная частота модуля ОЗУ составила 6386,2 МГц.

Компания отмечает, что в составе модулей ОЗУ G.Skill Trident Z5 DDR5 (F5-8000J3848F24GX2-TZ5K) используются чипы памяти SK hynix.

Прошло 16 лет с момента банкротства немецкой компании Qimonda, уходящей корнями в DRAM-бизнес компании Infineon. Тогда, в 2009 году, производство немецкой памяти пытались приобрести и Россия, и Китай. Однако компанию обанкротили, а её активы распродали с молотка. Тем не менее часть её разработок дала всходы, плодами которых надеются воспользоваться как Германия, так и Европа — субъекты, стремящиеся к независимости в производстве полупроводников.

Источник изображения: ИИ-генерация Grok 3/3DNews

Компания Qimonda выпускала традиционную DRAM для оперативной памяти и видеокарт. Будущая память с рабочим названием DRAM+ будет энергонезависимой, сочетая скорость DRAM и преимущества SSD-хранилищ, сохраняющих данные без подачи питания. Очевидно, что это будет — или должна стать — наиболее востребованной памятью будущего, позволяющей экономить энергию без ущерба для производительности.

Для задач ИИ лучшего решения не придумать. Европа сможет вырваться вперёд и стать независимой в производстве компьютерной памяти. По крайней мере, так утверждают разработчики каждый раз перед объявлением нового раунда инвестиций в разработку памяти DRAM+ — и на нехватку средств они пока не жалуются.

Тем временем дело приближается к этапу производства новой памяти. Развивать его будут совместно немецкие компании Ferroelectric Memory Co (FMC) и Neumonda. Название последней прозрачно намекает на связь с компанией Qimonda, хотя прямых подтверждений преемственности между обанкротившимся и перспективным бизнесом нет. Можно лишь предположить, что Neumonda унаследовала часть технологий, оборудования, инфраструктуры и персонала Qimonda, оставшихся без дела после банкротства.

С компанией Ferroelectric Memory Co (FMC) история иная. Это стартап, основанный в 2016 году для разработки перспективной энергонезависимой памяти на основе сегнетоэлектриков (FeRAM). Эту технологию в своё время разработали в Qimonda. После банкротства компании патенты на неё были переданы Дрезденскому техническому университету. В 2016 году сотрудники университета основали FMC и добились передачи ей двух ключевых патентов на технологию.

Следует сказать, что до разработок Qimonda память FeRAM опиралась на использование цирконат-титаната свинца (PZT).

Это соединение обладает выдающимися пьезоэлектрическими свойствами, но плохо совместимо с классическими КМОП-техпроцессами. Поэтому память FeRAM так и не смогла вытеснить массовую флеш-память: она была дорогой и не отличалась высокой плотностью, несмотря на заметное преимущество в скорости по сравнению с NAND-флеш.

Инженеры Qimonda обнаружили, что в качестве материала для ячейки памяти FeRAM хорошо подходит оксид гафния (HfO₂). Это аморфное вещество, которому можно придать кристаллическую структуру, заставляющую его работать как конденсатор. Поскольку оксид гафния широко используется в подложках чипов, он без проблем совместим с КМОП-техпроцессами. Так появилась память FeFET. Она исчезла из поля зрения в 2009 году, но усилиями FMC вновь вернулась в виде готового к производству техпроцесса.

«Компания FMC была основана для реализации революционного изобретения – сегнетоэлектрического эффекта HfO₂ для полупроводниковой памяти. Применительно к DRAM он превращает конденсатор в энергонезависимое запоминающее устройство с низким энергопотреблением, сохраняя при этом высокую производительность DRAM. Это позволяет создать революционную энергонезависимую память, идеально подходящую для ИИ-вычислений, — объяснил Томас Рюкке (Thomas Rueckes), генеральный директор FMC. — Поскольку наша технология уникальна на рынке, экономически эффективное тестирование продукции имеет большое значение для наших предложений. Благодаря Neumonda и её радикально новому подходу к тестированию мы нашли партнёра, который поможет ускорить разработку продуктов. Мы также рады сотрудничеству, поскольку разделяем общее стремление вернуть производство памяти в Европу».

Источник изображения: FMC

Компания Neumonda поддержит усилия FMC, предоставив консультации и доступ к своим передовым тестовым платформам: Rhinoe, Octopus и Raptor. Эти системы предназначены для недорогого, энергоэффективного и независимого тестирования памяти. Они обеспечивают детальный анализ, невозможный при использовании традиционного оборудования, и работают по значительно более низкой цене.

Вместе эти две компании разрабатывают новый продукт для хранения данных и закладывают фундамент для более широкого возрождения европейской полупроводниковой индустрии. Их совместные усилия направлены на восстановление локальной экосистемы разработки и тестирования передовых технологий хранения данных.

Компания G.Skill представила двухканальный комплект оперативной памяти DDR5-8000 большого объёма — 128 Гбайт (2 × 64 Гбайт). Производитель называет его первым на рынке комплектом ОЗУ с такой скоростью и ёмкостью. Ещё совсем недавно максимальный доступный объём одного модуля DDR5 потребительской памяти составлял 48 Гбайт.

Источник изображений: G.Skill

Для нового комплекта памяти заявлены тайминги CL44-58-58-128. Память успешно протестирована на материнской плате Asus ROG Crosshair X870E Apex в сочетании с процессором AMD Ryzen 9 9950X.

G.Skill также продемонстрировала работу двухканального комплекта памяти DDR5-9000 объёмом 64 Гбайт (2 × 32 Гбайт) с таймингами CL48-64-64-144 на другой платформе. Для тестов использовалась материнская плата Asus ROG Maximus Z890 Apex в сочетании с процессором Intel Core Ultra 7 265K.

Представленные модули ОЗУ будут выпускаться в рамках фирменных серий производителя Trident Z5 и Trident Z5 Royal NEO. О стоимости анонсированных новинок компания ничего не сообщила. Также неизвестно, когда именно они поступят в продажу.

Компания Micron официально заявила о повышении цен на память, ссылаясь на растущий спрос на DRAM и NAND-флеш. По прогнозам, тенденция к удорожанию сохранится до 2026 года. Причина проста — искусственный интеллект (ИИ), дата-центры и потребительская электроника требуют всё больше высокопроизводительных решений, однако предложение пока не успевает за спросом.

Источник изображения: Micron, tomshardware.com

Решение Micron, как отмечает Tom's Hardware, основано на недавнем периоде перепроизводства и падения доходов рынка памяти. Однако в последнее время цены начали постепенно восстанавливаться благодаря сокращению производства крупными игроками и росту интереса к ИИ и высокопроизводительным вычислениям. Теперь, когда Micron открыто заявила о повышении цен, ожидается, что за ней последуют и другие производители, такие как Samsung и SK Hynix, продолжая тенденцию удорожания.

В своём обращении к партнёрам Micron подчеркнула, что ключевым фактором пересмотра ценовой политики стал «непредсказуемый спрос в различных сегментах». В частности, компания отмечает, что ИИ-приложения стремительно развиваются, а значит, необходимо поддерживать конкурентоспособность продуктовой линейки. Micron также рекомендовала партнёрам заранее планировать закупки, чтобы избежать дефицита и перебоев с поставками.

Одним из главных драйверов роста цен является растущий спрос на высокоскоростную память HBM (High Bandwidth Memory), критически важную для ИИ-ускорителей и графических процессоров нового поколения. По мере того как Nvidia, AMD и Intel развивают свои ИИ-технологии, потребность в быстрой и энергоэффективной памяти только увеличивается. Несмотря на усилия Micron и её конкурентов по наращиванию объёмов производства, предложение всё ещё отстаёт от спроса, что дополнительно подогревает рост цен.

Чтобы справиться с этим вызовом, Micron недавно объявила о строительстве нового завода в Сингапуре, где будет производиться HBM-память. Инвестиции в проект составят $7 млрд, а запуск намечен на 2026 год. В планах также значится выпуск передовых решений, таких как HBM3E, HBM4 и HBM4E, что, по мнению экспертов, позволит компании укрепить позиции в стремительно растущем сегменте.

Влияние на рынок потребительской электроники
Помимо ИИ и дата-центров, оживление наблюдается и в сегменте потребительской электроники. Производители ПК и смартфонов начали увеличивать заказы на память, готовясь к новым продуктовым релизам в конце 2025 и начале 2026 года. Это является ещё одним аргументом в пользу повышения цен — спрос остаётся стабильно высоким, и, судя по всему, тенденция продолжится.

Поскольку Micron первой объявила о росте цен, теперь остаётся ждать реакции конкурентов и клиентов. Если текущий уровень спроса сохранится, отрасль может столкнуться с продолжительным повышением цен, что повлияет не только на корпоративные дата-центры, но и на бытовые устройства — от игровых компьютеров до смартфонов.

Intel и SK hynix на этой неделе завершили сделку на общую сумму около $8,85 млрд по продаже бизнеса по производству флеш-памяти NAND американской компанией южнокорейской. Таким образом завершился двухэтапный процесс продажи бизнеса Intel по выпуску NAND, начатый в 2020 году.

Источник изображения: SK hynix

В четверг Intel получила от SK hynix последний платёж в размере $1,9 млрд. В свою очередь, под управление SK hynix официально перешли интеллектуальная собственность Intel в сфере разработки флеш-памяти NAND, а также сотрудники предприятий Intel, занятые в этом направлении. Это позволит командам Solidigm более тесно сотрудничать с SK hynix над будущими продуктами, отмечает DigiTimes.

«27 марта 2025 года произошло второе закрытие сделки. Сумма трансфера, полученного Intel при втором закрытии, составила приблизительно 1,9 млрд долларов за вычетом определённых корректировок», — говорится в заявлении Intel, направленном в Комиссию по ценным бумагам и биржам США.

Приобретение бизнеса Intel NAND компанией SK hynix проходило в два этапа. В 2021 году SK hynix приобрела бизнес Intel по производству SSD и завод по выпуску памяти NAND в Даляне (Китай) за $6,61 млрд. После этого SK hynix переименовала корпоративное подразделение Intel по производству SSD в Solidigm и продолжила его деятельность под новым брендом. Однако на этом этапе были переданы только физические активы и операции, связанные с SSD, за исключением интеллектуальной собственности Intel, инфраструктуры R&D и ключевого персонала, занятого в разработке и производстве NAND.

Сделка полностью завершилась в этом месяце, когда SK hynix выплатила оставшиеся $1,9 млрд (изначально предполагалось $2,24 млрд) для получения прав на интеллектуальную собственность Intel, а также инфраструктуру R&D и персонал. После этого Solidigm взяла на себя полный операционный контроль. Представитель Intel сообщил Tom's Hardware, что эта сделка «ещё больше укрепит баланс компании и повысит её финансовую гибкость».

Tom's Hardware отмечает, что между технологиями SK hynix и приобретёнными технологиями Intel по производству флеш-памяти NAND имеются фундаментальные различия. Intel исторически использовала технологию флеш-памяти с плавающим затвором, тогда как SK hynix в основном полагалась на технологию с ловушкой заряда (CTF). Поскольку Solidigm унаследовала линейки NAND-продуктов Intel, материнская компания SK hynix продолжила выпуск памяти NAND с плавающим затвором. Некоторые флагманские накопители Solidigm, основанные на высоконадёжной памяти 3D QLC, используют именно этот тип NAND.

В перспективе SK hynix, возможно, потребуется решить проблемы, связанные с двойными технологиями NAND. Первоначально компания может поддерживать отдельные производственные линии, предлагая специализированные продукты, использующие сильные стороны каждой технологии. Однако в долгосрочной перспективе стратегия может включать постепенную консолидацию вокруг единого технологического процесса для снижения сложности и производственных накладных расходов.

Solidigm, бывшее подразделение Intel по производству корпоративных SSD, значительно расширило присутствие SK hynix на рынке корпоративных систем хранения данных. Несмотря на технические различия в производстве NAND, SK hynix явно намерена стратегически использовать это приобретение для дальнейшего укрепления позиций в сегменте корпоративных SSD.

Также сообщается, что с завершением второй фазы сделки прекращено действие соглашения, позволявшего Intel производить пластины NAND на предприятии SK hynix в Даляне.

«В связи со вторым закрытием сделки соглашение о производстве и продаже пластин NAND, заключённое при первом этапе сделки между Intel, SK hynix и аффилированными лицами, в рамках которого Intel производила пластины NAND на предприятии SK hynix в Даляне, прекратило своё действие», — говорится в заявлении компании.

По данным TrendForce, поставщики флеш-памяти NAND начали сокращать объёмы производства в IV квартале 2024 года, и теперь эти меры начинают приносить эффект. В ожидании повышения пошлин в США производители потребительской электроники нарастили объёмы выпуска, что дополнительно усилило спрос. Одновременно в сегментах ПК, смартфонов и дата-центров происходит восстановление складских запасов. В результате во II квартале 2025 года ожидается стабилизация цен на флеш-память NAND и рост контрактных цен на кремниевые пластины и клиентские твердотельные накопители (SSD).

Источник изображения: Samsung

После трёх кварталов снижения объёмов запасов спрос на клиентские SSD начал восстанавливаться, поскольку OEM-производители досрочно возобновили выпуск продукции. Ожидается, что завершение поддержки Windows 10 и выпуск процессоров нового поколения вызовут волну обновления ПК. Эффект от внедрения передовой ИИ-модели DeepSeek ускоряет развитие ИИ и дополнительно стимулирует спрос на клиентские SSD. С учётом сокращения производства и корректировки объёмов поставок, контрактные цены на клиентские SSD, по прогнозу, вырастут на 3–8 % по сравнению с предыдущим кварталом.

В Китае ИИ-технологии, такие как DeepSeek, значительно снизили издержки на обучение ИИ-моделей, что вызвало рост спроса на высокопроизводительные решения в сфере хранения данных. В Северной Америке спрос остаётся поляризованным: заказы от серверных брендов оказались ниже ожиданий, тогда как облачные провайдеры увеличивают объёмы закупок в связи с началом поставок графических ускорителей с архитектурой Blackwell компании Nvidia.

В I квартале 2025 года некоторые поставщики снизили цены на PCIe 4.0 SSD более чем на 20 % с целью ликвидации избыточных запасов. Производители скорректировали производственные мощности, чтобы стабилизировать рынок. Отдельные компании, закупающие серверное оборудование, разместили заказы раньше запланированного срока, что поддержало рыночную активность. В совокупности все эти факторы обеспечат умеренный рост объёмов заказов на корпоративные SSD во II квартале 2025 года.

Источник изображения: TrendForce

TrendForce отмечает, что во II квартале 2025 года ожидается рост поставок смарт-ТВ, планшетов и ноутбуков класса Chromebook. Одновременно фиксируется увеличение заказов на чипы eMMC благодаря устойчивому спросу на смартфоны среднего и бюджетного сегмента в развивающихся странах, а также государственным субсидиям в Китае. Ранее наблюдавшийся переизбыток флеш-памяти NAND и падение цен привели к убыткам, что вынудило поставщиков сократить объёмы производства.

С целью выхода из убытков производители повысили цены на пластины NAND, реализуемые сборщикам модулей. В результате модульные производители оказались не в состоянии удерживать низкий уровень цен, что ослабило ценовую конкуренцию и снизило давление на исходных поставщиков. Это способствовало стабилизации рынка, и, согласно прогнозу, контрактные цены на eMMC во II квартале 2025 года останутся без изменений.

Спрос на флеш-память стандарта UFS остаётся стабильным, чему способствуют продажи флагманских смартфонов и рост требований к памяти в автомобильных системах. На фоне сокращения производственных мощностей общее предложение флеш-памяти UFS снизилось, и, по оценке TrendForce, контрактные цены останутся без изменений по сравнению с предыдущим кварталом.

Цены на пластины флеш-памяти NAND достигли нижней точки. Модульные производители и OEM-компании увеличивают объёмы закупок. Одновременно рост интереса к корпоративным SSD усиливает спрос на продукцию верхнего ценового сегмента. Сокращение поставок пластин и пересмотр ценовой политики на многослойную флеш-память NAND обусловили рост контрактных цен. По прогнозу TrendForce, во II квартале 2025 года цены на кремниевые пластины вырастут на 10–15 %.

Компания G.Skill расширила ассортимент высокоскоростной памяти DDR5-6000 с низкими задержками, разработанной специально для платформы AMD Socket AM5, представив новый двухканальный комплект объёмом 96 Гбайт (2 × 48 Гбайт). Ранее производитель анонсировал двухканальные комплекты высокоскоростной ОЗУ DDR5-6000 и DDR5-8000 объёмом 48 и 192 Гбайт для той же платформы.

Источник изображений: G.Skill

Для нового комплекта памяти DDR5-6000 объёмом 96 Гбайт G.Skill заявляет тайминги CL26-36-36-96. Модули ОЗУ поддерживают профили разгона AMD EXPO. Производитель отмечает, что память тестировалась на материнской плате Asus ROG Crosshair X870E Hero в сочетании с процессором Ryzen 9 9950X3D, а также на плате MSI MPG X870E Carbon WIFI в паре с процессором Ryzen 9 9900X. Ниже представлены результаты тестов в утилите Memtest.

G.Skill также обновила спецификации ранее представленного комплекта памяти DDR5-6000 CL26-39-39-96 общим объёмом 48 Гбайт (2 × 24 Гбайт). Производителю удалось снизить задержки этой памяти до CL26-36-36-96. Указанный комплект был протестирован на материнской плате Asus ROG Crosshair X870E Hero в паре с процессором Ryzen 9 9900X.

Анонсированные комплекты памяти будут предлагаться компанией G.Skill в рамках её фирменных серий ОЗУ Trident Z5 Royal Neo, Trident Z5 Neo RGB и Ripjaws M5 Neo RGB. Старт продаж новинок ожидается в мае.

Компания Biwin пополнила ассортимент модулей оперативной памяти Black Opal OC Lab Gold Edition DW100 RGB двумя четырёхканальными комплектами общим объёмом 192 Гбайт (4×48 Гбайт) со скоростью 6000 и 6400 МТ/с. Стоимость комплектов составляет от $849.

Источник изображений: Biwin

Для комплекта DDR5-6400 производитель заявляет тайминги CL30-39-39-108, а для DDR5-6000 — CL28-36-36-102. Оба имеют рабочее напряжение 1,4 В и поддерживают профили разгона AMD EXPO. Модули памяти оснащены радиаторами с RGB-подсветкой.

Компания заявляет, что комплект DDR5-6000 проходил тестирование утилитой MemtestPro на платформе AMD Socket AM5 в сочетании с процессором Ryzen 9 (модель чипа не указана, предположительно это 16-ядерный Ryzen 9 9950X3D) в течение 7 часов, продемонстрировав стабильность работы и отсутствие ошибок. В свою очередь, тестирование комплекта DDR5-6400 проводилось в TestMem5 всего в течение часа, но память также работала полностью стабильно и без ошибок.

Скриншот теста комплекта памяти DDR5-6400 также показывает, что напряжение CPU SoC составляло 1,26 В (1,3 В считается пределом напряжения для SoC-чипов Ryzen платформы AM5). Новые комплекты памяти тестировались на материнских платах MSI и Gigabyte с чипсетами AMD X870.

Компания G.Skill представила самые скоростные модули ОЗУ DDR5 с поддержкой профилей разгона AMD EXPO. Среди представленных новинок оказались двухканальные комплекты DDR5-8000 с таймингами CL36, DDR5-6000 с таймингами CL26, а также четырёхканальные комплекты DDR5-6000 с таймингами CL28.

Источник изображений: G.Skill

Для двухканального комплекта DDR5-8000 объёмом 48 Гбайт (2×24 Гбайт) производитель заявляет тайминги CL36-48-48. Память была протестирована на материнской плате Asus ROG Crosshair X870E Hero в сочетании с процессором Ryzen 9 9900X.

Для комплекта DDR5-6000 того же объёма заявлены тайминги CL26-39-39. Эти комплекты компания протестировала на плате MSI MPG X870E Carbon WIFI в сочетании с тем же процессором Ryzen.

Для четырёхканального комплекта DDR5-6000 объёмом 192 Гбайт (4×48 Гбайт) производитель заявил тайминги CL28-36-36. Память тестировалась на плате MSI MPG X870E Carbon WIFI в сочетании с процессором Ryzen 7 9800X3D.

Анонсированные комплекты памяти будут предлагаться компанией G.Skill в рамках её фирменных серий ОЗУ Trident Z5 Royal Neo, Trident Z5 Neo RGB и Ripjaws M5 Neo RGB. Старт продаж новинок ожидается в апреле.

Компания SanDisk увеличит стоимость флеш-памяти NAND более чем на 10 % с 1 апреля. Об этом производитель сообщил в письме своим ключевым клиентам. Американская компания объясняет предстоящий рост цен изменяющейся динамикой на рынке, ожидаемым восстановлением спроса на флеш-память NAND, а также повышением экспортных тарифов.

Источник изображений: SanDisk

По данным аналитического агентства TrendForce, с начала года крупнейшие поставщики флеш-памяти NAND, южнокорейские компании Samsung и SK hynix, начали снижать объёмы выпуска данного вида продукции. Отчёты аналитиков показывают, что объёмы производства флеш-памяти NAND у обоих производителей окажутся в первом квартале этого года более чем на 10 % ниже по сравнению со второй половиной прошлого года.

Производители пошли на снижение объёмов выпуска памяти NAND, чтобы стимулировать восстановление баланса спроса и предложения на рынке и заложить основу для восстановления цен. Согласно оценкам TrendForce, восстановление этого баланса ожидается во второй половине 2025 года.

Компания SanDisk в свою очередь в письме своим клиентам отметила, что её возможности для ответа на незапланированный рост спроса ограничены.

В четвёртом квартале прошлого года, по данным TrendForce, рынок памяти типа NAND находился под давлением из-за продолжающихся попыток производителей ПК и смартфонов оптимизировать свои складские остатки. Средние цены на флеш-память в прошлом квартале последовательно снизились на 4 %, а объёмы поставок упали на 2 %. Это привело к снижению выручки участников рынка на 6,2 % до $16,52 млрд.

Источник изображения: Micron Technology

Первый квартал традиционно является низким сезоном для рынка твердотельной памяти, и текущий год не является исключением даже с учётом усиленных попыток производителей сократить объёмы поставок своей продукции. Пополнение складских запасов замедлилось на большинстве ключевых рынков, включая серверный сегмент. По итогам первого квартала выручка поставщиков флеш-памяти может последовательно упасть на 20 %. О восстановлении рынка памяти типа NAND можно будет говорить только по итогам второй половины текущего года, если всё пойдёт по плану.

Лидером рынка NAND остаётся компания Samsung Electronics, которая последовательно сократила выручку по итогам прошлого квартала на 9,7 % до $5,6 млрд, в основном из-за сегмента бытовой электроники. В дальнейшем компания планирует сосредоточиться на продвижении твердотельных накопителей в корпоративном секторе. В любом случае, Samsung до сих пор контролирует 33,9 % мирового рынка NAND.

На втором месте расположилась SK Group, которая объединяет классический бизнес SK hynix и доставшиеся от Intel активы, которые теперь присутствуют на рынке под маркой Solidigm. Надежды на рост поставок в прошлом квартале у этого производителя не оправдались, в результате чего выручка последовательно упала на 6,6 % до $3,39 млрд. Для этого южнокорейского поставщика приоритетом является обслуживание потребностей сегмента ИИ-инфраструктуры.

Бизнес занимающей третье место компании Kioxia продемонстрировал относительную стабильность по итогам четвёртого квартала, поскольку неудачи в сегменте ПК и смартфонов были компенсированы высоким спросом на корпоративные SSD. Выручка компании по итогам периода сократилась последовательно всего на 0,2 % до $2,66 млрд. Доля рынка Kioxia при этом вообще выросла с 15,1 до 16,1 %.

В случае с Micron Technology высокий спрос на корпоративные SSD не позволил уравновесить спад на потребительском направлении, выручка этой компании последовательно сократилась на 9,3 % до $2,28 млрд. При этом по доле рынка Micron отстаёт от Kioxia не столь значительно: 13,8 против 16,1 %. В текущем году Micron намеревается сократить капитальные затраты в сегменте NAND и сосредоточиться на выпуске твердотельных накопителей объёмом более 60 Тбайт для корпоративных клиентов.

Western Digital со своей маркой SanDisk удалось сохранить выручку примерно на уровне третьего квартала прошлого года, поскольку твердотельная память для потребительских SSD продавалась лучше ожиданий в четвёртом квартале. Даже в условиях падения цен выручку удалось сократить всего на 0,4 % до $1,9 млрд. В этом году SanDisk может укрепить свои позиции на рынке SSD для ПК, пока сообща с Western Digital данный поставщик занимает 11,4 % рынка NAND. На долю прочих производителей твердотельной памяти за пределами первой пятёрки приходится не более 4,4 % мирового рынка в показателях выручки.

Глобальный доход отрасли DRAM по всему миру в IV квартале 2024 года превысил $28 млрд, что соответствует квартальному росту на 9,9 %. Положительная динамика обусловлена в первую очередь ростом контрактных цен на серверную DDR5 и поставками HBM, благодаря которым три ведущих поставщика DRAM в очередной раз нарастили выручку, отмечают аналитики TrendForce.

Источник изображения: samsung.com

Контрактные цены на продукцию развернулись преимущественно в сторону понижения, но только не в серверном сегменте, где американские облачные провайдеры увеличили закупки DDR5, тем самым поддержав рост цен на серверную DRAM. По итогам текущего квартала, как ожидается, будет отмечено замедление: производители DRAM снизят общие объёмы поставок в битах. Производители ПК и смартфонов будут избавляться от запасов, из-за чего производители DRAM переведут мощности с DDR4 и HBM на серверную DDR5. Спрос у облачных провайдеров снизится, спровоцировав падение контрактных цен как на DRAM, так и на HBM.

Источник изображения: trendforce.com

Ведущим поставщиком DRAM осталась Samsung с выручкой $11,25 млрд и ростом на 5,1 % квартал к кварталу. Однако её доля на рынке немного снизилась: из-за сокращения спроса на LPDDR4 и DDR4 компания уменьшила поставки в битах, поскольку OEM-производители ПК и смартфонов начали избавляться от запасов. Выручка второй в рейтинге, SK hynix, составила $10,46 млрд, что соответствует квартальному росту на 16,9 %; доля рынка компании увеличилась до 36,6 %. SK hynix нарастила поставки HBM3e и общие поставки в битах, компенсировав просадку в сегментах LPDDR4 и DDR4. Micron заняла третье место с выручкой $6,4 млрд, что на 10,8 % больше, чем кварталом ранее. Американский производитель также увеличил поставки в битах за счёт роста отгрузок серверной DRAM и HBM3e, благодаря чему его доля рынка за квартал не изменилась.

Выручка тайваньских производителей DRAM сократилась из-за ослабления спроса в потребительском сегменте и усиления конкуренции на рынке DDR4 со стороны китайских поставщиков. Доход Nanya Technology составил $203 млн, что на 19,3 % меньше, чем кварталом ранее; у Winbond выручка оказалась $119 млн, что на 22,4 % меньше, чем в предшествующем квартале. Доход PSMC в сегменте DRAM, в первую очередь потребительской, упал на 37,9 % в квартальном исчислении до $11 млн из-за сокращения объёмов производства пластин. Даже с учётом выручки от полупроводникового производства общий доход компании снизился на 10 % за квартал — это значит, что полупроводниковое производство для PSMC остаётся стабильно востребованным.

Компания Biwin представила OC Lab Gold Edition DW100 RGB DDR5 — первые в мире модули оперативной памяти DDR5 с поддержкой двух профилей разгона AMD EXPO. Новинки разработаны в коллаборации с экспертами OC Lab.

Источник изображений: Biwin

Модули памяти OC Lab Gold Edition DW100 RGB DDR5 поставляются в виде двухканальных комплектов общим объёмом 32 Гбайт (2 × 16 Гбайт). Первый профиль разгона AMD EXPO соответствует DDR5-8000 CL34/CL36, а второй — DDR5-6400 CL28. Таким образом, пользователи могут выбирать между повышенной частотой или пониженными задержками.

Компания заявляет, что новые модули ОЗУ поддерживают дополнительный ручной разгон до 8400 МТ/с при сохранении низких таймингов CAS на уровне CL34. Это возможно при использовании материнских плат Asus, MSI, Gigabyte и ASRock. Biwin предоставила скриншоты из программы Memtest, демонстрирующие работу новых модулей ОЗУ на материнских платах с чипсетами AMD X870, B850 и B840 в сочетании с процессорами серии Ryzen 9000.

Производитель отмечает, что модули памяти могут работать при таймингах CL28. Однако с помощью дополнительной ручной оптимизации можно понизить задержки до CL26. Компания также добавляет, что новинки были протестированы при рабочих напряжениях 1,45 и 1,50 В, при этом их средняя рабочая температура составляла менее 50 градусов Цельсия.

В продаже модули памяти Biwin OC Lab Gold Edition DW100 RGB DDR5 должны появиться в конце марта. Их стоимость будет начинаться от $169.

Компания G.Skill представила усовершенствованные модули памяти DDR5 R-DIMM для рабочих станций и серверных систем, соответствующие последней версии стандарта DDR5 R-DIMM от JEDEC. Новые модули производятся с использованием 16-слойных печатных плат для улучшенной целостности сигнала.

Источник изображения: G.Skill

Производитель заявляет, что новые модули DDR5 R-DIMM используют усовершенствованную 16-слойную печатную плату, что является значительным обновлением по сравнению с предыдущими 8- или 10-слойными конструкциями. Увеличение количества слоёв печатной платы повышает целостность сигнала, надёжность и стабильность передачи данных даже при высокопроизводительных рабочих нагрузках и в условиях разгона в составе рабочих станций и серверов.

Для защиты от перепадов напряжения новые модули DDR5 R-DIMM оснащены двумя двунаправленными TVS-диодами и предохранителем, что обеспечивает стабильный уровень напряжения и защищает память от скачков мощности.

Компания сообщает, что новые модули ОЗУ DDR5 R-DIMM поступят в продажу через партнёров-дистрибьюторов G.Skill по всему миру в середине 2025 года.

Kioxia в партнёрстве с SanDisk представила 3D NAND 10-го поколения (BiSC 10) — первую в мире флеш-память с 332 слоями. Она обеспечит более высокую скорость и плотность упаковки, а также лучшую энергоэффективность по сравнению со своими предшественниками предыдущими поколениями.

Источник изображения: Kioxia

Новая 3D флеш-память использует технологию CBA (CMOS directly Bonded to Array) и протокол SCA (Separate Command Address), а также технологию Power Isolated Low-Tapped Termination (PI-LTT), которая дополнительно снижает энергопотребление на 10 % при записи и на 34 % при чтении. Но наиболее важным достижением является использование нового интерфейса Toggle DDR6.0, который обеспечивает скорость до 4,8 Гбайт/с.

Kioxia отмечает, что возросшая по сравнению с актуальной 3D NAND 8-го поколения (BiSC 8) на 33 % скорость отчасти связана с увеличением количества слоёв памяти с 218 до 322, то есть на 38 %. Хотя 332 слоя и близко не достигают цели компании по созданию 1000-слойной 3D NAND к 2027 году, это всё равно является впечатляющим результатом. Kioxia утверждает, что применение 332-слойной флеш-памяти также повышает плотность записи данных на 59 % по сравнению с 218-слойной.

Источник изображения: Tom's Hardware

Также Kioxia акцентирует внимание на энергоэффективности, поскольку это является важным аспектом для современной флеш-памяти на фоне растущих требований систем ИИ к энергопотреблению. «С распространением технологий ИИ, объем генерируемых данных, как ожидается, значительно увеличится, а также потребность в повышении энергоэффективности в современных центрах обработки данных», — заявил главный технический директор Kioxia Хидеши Миядзима (Hideshi Miyajima). По его мнению, спрос на продукты с низким энергопотреблением заложит основу для разработки ИИ.

Нужно отметить, что Kioxia и SanDisk также напомнили о разработке флеш-памяти 3D NAND 9-го поколения, но не раскрыли информации о её характеристиках и возможностях. На данный момент нет данных о начале массового производства флеш-памяти нового стандарта. Учитывая тот факт, что поставки продуктов 9-го поколения даже не начинались, можно с уверенностью предположить, что выпуск флеш-памяти 10-го поколения — дело довольно отдалённого будущего. Пока компания даже не показала новую флеш-память.