Компания G.Skill представила усовершенствованные модули памяти DDR5 R-DIMM для рабочих станций и серверных систем, соответствующие последней версии стандарта DDR5 R-DIMM от JEDEC. Новые модули производятся с использованием 16-слойных печатных плат для улучшенной целостности сигнала.

Источник изображения: G.Skill

Производитель заявляет, что новые модули DDR5 R-DIMM используют усовершенствованную 16-слойную печатную плату, что является значительным обновлением по сравнению с предыдущими 8- или 10-слойными конструкциями. Увеличение количества слоёв печатной платы повышает целостность сигнала, надёжность и стабильность передачи данных даже при высокопроизводительных рабочих нагрузках и в условиях разгона в составе рабочих станций и серверов.

Для защиты от перепадов напряжения новые модули DDR5 R-DIMM оснащены двумя двунаправленными TVS-диодами и предохранителем, что обеспечивает стабильный уровень напряжения и защищает память от скачков мощности.

Компания сообщает, что новые модули ОЗУ DDR5 R-DIMM поступят в продажу через партнёров-дистрибьюторов G.Skill по всему миру в середине 2025 года.

Kioxia в партнёрстве с SanDisk представила 3D NAND 10-го поколения (BiSC 10) — первую в мире флеш-память с 332 слоями. Она обеспечит более высокую скорость и плотность упаковки, а также лучшую энергоэффективность по сравнению со своими предшественниками предыдущими поколениями.

Источник изображения: Kioxia

Новая 3D флеш-память использует технологию CBA (CMOS directly Bonded to Array) и протокол SCA (Separate Command Address), а также технологию Power Isolated Low-Tapped Termination (PI-LTT), которая дополнительно снижает энергопотребление на 10 % при записи и на 34 % при чтении. Но наиболее важным достижением является использование нового интерфейса Toggle DDR6.0, который обеспечивает скорость до 4,8 Гбайт/с.

Kioxia отмечает, что возросшая по сравнению с актуальной 3D NAND 8-го поколения (BiSC 8) на 33 % скорость отчасти связана с увеличением количества слоёв памяти с 218 до 322, то есть на 38 %. Хотя 332 слоя и близко не достигают цели компании по созданию 1000-слойной 3D NAND к 2027 году, это всё равно является впечатляющим результатом. Kioxia утверждает, что применение 332-слойной флеш-памяти также повышает плотность записи данных на 59 % по сравнению с 218-слойной.

Источник изображения: Tom's Hardware

Также Kioxia акцентирует внимание на энергоэффективности, поскольку это является важным аспектом для современной флеш-памяти на фоне растущих требований систем ИИ к энергопотреблению. «С распространением технологий ИИ, объем генерируемых данных, как ожидается, значительно увеличится, а также потребность в повышении энергоэффективности в современных центрах обработки данных», — заявил главный технический директор Kioxia Хидеши Миядзима (Hideshi Miyajima). По его мнению, спрос на продукты с низким энергопотреблением заложит основу для разработки ИИ.

Нужно отметить, что Kioxia и SanDisk также напомнили о разработке флеш-памяти 3D NAND 9-го поколения, но не раскрыли информации о её характеристиках и возможностях. На данный момент нет данных о начале массового производства флеш-памяти нового стандарта. Учитывая тот факт, что поставки продуктов 9-го поколения даже не начинались, можно с уверенностью предположить, что выпуск флеш-памяти 10-го поколения — дело довольно отдалённого будущего. Пока компания даже не показала новую флеш-память.

Компания Silicon Power предлагает широкий ассортимент карт памяти для самых разнообразных задач. Например, карты High Endurance microSDXC UHS-I отличаются повышенной надёжностью и долговечностью, благодаря чему получили признание пользователей и стали бестселлером.

Источник изображений: Silicon Power

При разработке карт памяти High Endurance инженеры Silicon Power поставили перед собой задачу создать максимально надёжное решение, способное выдерживать продолжительную непрерывную запись видео, а также стабильно работать на улице в любую погоду. Кроме того, продукт должен функционировать без сбоев, что особенно важно для систем видеонаблюдения.

В результате карты High Endurance способны выдерживать перезапись десятков тысяч часов видео. Например, версия на 256 Гбайт обеспечит до 49 000 часов перезаписи видео в Full HD (1920 × 1080 точек) и 26 400 часов в 4K Ultra HD (3840 × 2160 точек). Также отмечается устойчивость к высокой влажности и способность работать при температурах от –25 °C до +85 °C. Карты защищены от ударов, падений, вибраций, рентгеновского излучения и воды. Всё это делает карты High Endurance подходящими для систем видеонаблюдения, видеорегистраторов, дронов, фотоаппаратов и различного профессионального оборудования и потребительских устройств.

Помимо высокой надёжности, карты памяти Silicon Power High Endurance полюбились пользователям за высокую производительность. Они соответствуют требованиям стандартов Class 10, UHS-I U3, A1 и V30, что обеспечивает стабильную непрерывную запись качественного видео в 4K. В основе Silicon Power High Endurance лежат отборные чипы памяти 3D TLC NAND.

Скорость последовательного чтения достигает 100 Мбайт/с, что позволяет быстро передавать данные с карты на компьютер, а скорость последовательной записи — 80 Мбайт/с. Также отмечается высокая скорость случайного чтения (более 1500 IOPS) и случайной записи (более 500 IOPS), что позволяет использовать эти карты памяти в мобильных устройствах и запускать с них различные приложения.

В российских магазинах карты памяти Silicon Power High Endurance предлагаются в версиях объёмом 64, 128 и 256 Гбайт по цене 990, 1490 и 2690 рублей соответственно. На карты предоставляется гарантия производителя сроком на 2 года.

Реклама | ИП Павлова А.Н. ИНН 770901175835 erid: F7NfYUJCUneRGyXHGFja

Рынок памяти DRAM ожидают перемены, поскольку падение цен на фоне слабого спроса заставляет крупнейших производителей, таких как Samsung Electronics, SK Hynix и Micron, корректировать свои стратегии. Эти компании увеличивают производство DDR5, а также памяти с высокой пропускной способностью (HBM) и к концу текущего года могут полностью отказаться от выпуска памяти DDR3 и DDR4.

Источник изображения: unsplash.com

Как пишет Digitimes, со ссылкой на издание Nikkei и индустриальные источники, три основных производителя памяти DRAM могут прекратить производство DDR3 и DDR4 к концу 2025 года. Это может привести к возможному дефициту поставок указанных типов памяти уже к осени. Оставшиеся предложения на рынке в значительной степени будут зависеть от тайваньских поставщиков, которые постараются заполнить освободившуюся нишу. По словам одного из ключевых дистрибьюторов компонентов, ожидаемая остановка производства памяти DDR3 и DDR4 может привести к значительным ограничениям поставок, усложнить динамику рынка и повлиять на стратегии ценообразования.

Согласно прогнозам тайваньского производителя памяти Nanya Technology, рынок DRAM достигнет нижней точки в первой половине 2025 года. Однако постепенное восстановление начнётся уже во втором квартале, чему будут способствовать рост спроса, более грамотное управление запасами, а также глобальные экономические стимулы. Спрос на облачные вычисления с использованием искусственного интеллекта останется высоким и будет стимулировать развитие сегмента периферийных вычислений. В то же время потребительский спрос вырастет незначительно, несмотря на региональные стимулы.

Эксперты рынка прогнозируют, что значительная часть новых производственных мощностей будет направлена на развитие технологий HBM и DDR5. Текущий спад цен и спроса на DDR3 и DDR4 сигнализирует о стратегическом сдвиге, поскольку ведущие производители памяти концентрируют свои ресурсы на масштабировании производственных возможностей HBM.

Столкнувшись со слабым спросом на устаревшие модели памяти DDR, компания Winbond Electronics модернизирует своё производство и собирается перейти на 16-нм техпроцесс во второй половине 2025 года. Сейчас компания использует 20-нм техпроцесс, в основном выпуская на его базе 4-гигабитную память DDR3 и DDR4. Переход на 16-нм техпроцесс позволит Winbond выпускать 8-гигабитную память DDR.

По данным inSpectrum, спотовые цены на DDR5 продолжают расти даже на фоне относительно вялого спроса, тогда как цены на DDR4 остаются стабильными. В свою очередь, спотовые цены на DDR3 в последние годы демонстрируют тенденцию к снижению.

Nvidia совместно с ведущими производителями SK Hynix, Samsung и Micron разрабатывает новый стандарт памяти, ориентированный на высокую производительность и компактные размеры. Стандарт получил название System On Chip Advanced Memory Module (SOCAMM) и уже проходит тестирование.

Источник изображения: Nvidia

Модуль может стать основой для следующего поколения компьютеров на базе искусственного интеллекта (ИИ) Nvidia Project Digits, анонсированных на CES 2025. Как пишет Tom's Hardware, новый стандарт обещает превзойти существующий модуль памяти Low-Power Compression Attached Memory Modules (LPCAMM) и традиционные DRAM-решения благодаря ряду преимуществ.

Во-первых, SOCAMM будет более экономически эффективным по сравнению с DRAM в формате SO-DIMM, так как технология позволяет разместить LPDDR5X-память непосредственно на подложке. Во-вторых, SOCAMM получит больше интерфейсов ввода/вывода — до 694 портов против 644 у LPCAMM и 260 у традиционной DRAM, что должно значительно увеличить пропускную способность и скорость обмена данными.

Кроме того, так как модуль отсоединяемый, это упростит модернизацию оборудования в дальнейшем. При этом, компактные размеры также помогут повысить общую ёмкость памяти.

Технические детали SOCAMM пока держатся в секрете, поскольку стандарт разрабатывается без участия совета JEDEC. Согласно имеющимся данным, Nvidia и партнёры в настоящее время обмениваются прототипами модуля для проведения тестов производительности.

В настоящий момент рынок флеш-памяти (NAND) страдает от избыточного предложения, что приводит к снижению цен и финансовым затруднениям поставщиков. Тем не менее аналитическая компания TrendForce ожидает значительного улучшения баланса спроса и предложения во второй половине года. Ключевыми факторами, по мнению TrendForce, являются сокращение производства микросхем NAND, снижение складских запасов в секторе смартфонов и растущий спрос, вызванный развитием ИИ.

Источник изображения: unsplash.com

Производители флеш-памяти за последние два года осознали серьёзное влияние избыточного предложения на отрасль, особенно с учётом того, что годовые темпы роста спроса на флеш-память были пересмотрены с 30 % до 10–15 %. В результате они были вынуждены скорректировать свои производственные стратегии, чтобы смягчить столь длительное снижение цен.

На рубеже 2025 года производители NAND приняли более решительные меры по сокращению производства, которые призваны оперативно снизить рыночный дисбаланс и заложить основу для восстановления цен. Кроме того, продолжающаяся политика субсидирования замены смартфонов в Китае эффективно стимулирует их продажи и ускоряет истощение запасов памяти NAND.

Источник изображения: TrendForce

Nvidia намерена нарастить поставки своей продукции серии Blackwell во второй половине года, что значительно увеличит спрос на корпоративные SSD. Кроме того, достижения DeepSeek в снижении затрат на развёртывание серверов ИИ позволят предприятиям малого и среднего бизнеса активнее интегрировать ИИ, повышая свою конкурентоспособность. Ожидается, что SSD-накопители ёмкостью более 30 Тбайт станут предпочтительным решением для хранения данных благодаря их высокой производительности и низкой совокупной стоимости владения.

Дополнительно появление ПК и рабочих станций с поддержкой ИИ будет способствовать более широкой интеграции искусственного интеллекта в повседневные приложения, что потенциально приведёт к долгосрочному росту ёмкости клиентских SSD для ПК. Снижение требований к вычислительной мощности, вероятно, ускорит проникновение на рынок бюджетных смартфонов с поддержкой ИИ, что дополнительно оживит спрос на флеш-память.

Компания G.Skill представила новые двухканальные комплекты оперативной памяти DDR5. Один из них предлагает объём 32 Гбайт (2 × 16 Гбайт), скорость 6400 МТ/с и низкие тайминги CL28. Второй — объём 96 Гбайт (2 × 48 Гбайт), скорость 6800 МТ/с и тайминги CL32. Оба варианта будут выпускаться в фирменных сериях Trident Z5 Royal, Trident Z5 RGB и Ripjaws M5 RGB.

Источник изображений: G.Skill

Все представленные новинки получили поддержку профилей разгона Intel XMP 3.0. О поддержке профилей разгона AMD EXPO производитель не сообщил. Помимо комплекта DDR5-6800 CL32, компания в перспективе также выпустит двухканальные комплекты объёмом 32 Гбайт (2 × 16 Гбайт), 48 Гбайт (2 × 24 Гбайт) и 64 Гбайт (2 × 32 Гбайт). Однако сверхнизкие задержки предложат только комплекты на 32 Гбайт (2 × 16 Гбайт). Новинки появятся в продаже в марте.

G.Skill провела тестирование комплектов DDR5-6800 CL32-42-42 объёмом до 96 Гбайт (2 × 48 Гбайт) на материнских платах Asus ROG Maximus Z790 Dark Hero в сочетании с процессором Intel Core i9-14900K, а также на Asus ROG Maximus Z890 Hero в паре с процессором Core Ultra 7 265K.

Комплект DDR5-6400 CL28-39-39 объёмом 32 Гбайт (2 × 16 Гбайт) компания протестировала на материнской плате Asus ROG Maximus Z790 Dark Hero в сочетании с процессором Intel Core i9-14900K.

Аналитики TrendForce ко второй половине января оказались готовы делать прогнозы относительно динамики рынка флеш-памяти в текущем году. По их мнению, сегмент продолжит испытывать давление из-за низкого спроса и перепроизводства. Крупнейшие игроки рынка на этом фоне начнут сокращать объёмы выпуска продукции и создадут благоприятные для дальнейшей консолидации условия.

Источник изображения: Samsung Electronics

Технически, данные меры будут выражаться в снижении уровня загрузки имеющихся производственных линий и отсрочке перехода на более современные техпроцессы. Спрос на новые смартфоны и ноутбуки не так высок, а в корпоративном сегменте также наблюдается охлаждение спроса на твердотельные накопители. Во-вторых, цены на микросхемы NAND снижаются с третьего квартала прошлого года, и поставщики придерживаются пессимистичных взглядов на их динамику в первой половине 2025 года. Низкие цены, сохраняющиеся на рынке, сокращают прибыль производителей, вынуждая их уменьшать объёмы выпуска продукции.

Добавляют проблем глобальному рынку и активность китайских производителей памяти, которые стремительно наращивают объёмы выпуска продукции на фоне национальной политики импортозамещения. Продукция китайских производителей NAND оказывается дешевле зарубежной, это также сбивает цены на глобальном рынке.

Многие производители флеш-памяти мирового масштаба готовятся снижать объёмы выпуска продукции. Micron соответствующее решение уже приняла, Kioxia и Western Digital (SanDisk) вот-вот последуют её примеру. Долго сопротивлявшаяся снижению объёмов выпуска Samsung под нажимом китайских конкурентов также будет вынуждена пойти на соответствующий шаг в текущем году. SK hynix и родственная компания Solidigm неплохо противостояли кризисным явлениям в прошлом году за счёт корпоративного сегмента, но в этом им тоже придётся пересмотреть производственные планы.

Эксперты TrendForce считают, что подобные явления будут увеличивать риски ухода с рынка определённых поставщиков. Ради выживания производителям NAND придётся осваивать более выгодные технологии выпуска памяти и дифференцировать продуктовую линейку, пытаясь найти специфические ниши с меньшим уровнем конкуренции.

Компания G.Skill представила высокопроизводительные двухканальные комплекты оперативной памяти DDR5-6400 объёмом 96 Гбайт (2 × 48 Гбайт). Новинки будут выпускаться в рамках серий Trident Z5 RGB и Trident Z5 Royal, предлагая поддержку профилей разгона Intel XMP 3.0.

Источник изображений: G.Skill

Производитель сообщил о проведении успешных тестов комплектов памяти объёмом 96 Гбайт в версии DDR5-6400 CL30-39-39-102 на материнской плате Asus ROG Maximus Z890 Hero в паре с процессором Intel Core Ultra 7 265K.

Для тестирования работы памяти на платформе AMD использовалась материнская плата Asus ROG Crosshair X870E Hero в сочетании с процессором Ryzen 7 9800X3D.

G.Skill сообщает, что в рамках серий Trident Z5 RGB и Trident Z5 Royal также будут доступны двухканальные комплекты памяти объёмом 64 и 48 Гбайт соответственно из пар модулей на 32 и 24 Гбайт. Эти решения появятся в продаже в первом квартале текущего года.

Рынок памяти подвержен цикличным колебаниям цен, которые определяют политику производителей. Крупнейшим из них остаётся южнокорейская Samsung Electronics, а её крупнейшей базой по производству микросхем памяти NAND является предприятие в китайском Сиане. Из-за неблагоприятной конъюнктуры рынка оно в этом году вынуждено будет сократить объёмы выпуска флеш-памяти примерно на 15 %.

Источник изображения: Samsung Electronics

Об этом сообщают южнокорейские СМИ, знакомые с планами компании. На рынке NAND, как уточняют они, в этом году назревает очередной кризис перепроизводства, поэтому цены на соответствующие микросхемы будут падать. Чтобы не увеличивать убытки, Samsung предпочитает сократить объёмы выпуска NAND. Если в прошлом году компания выпускала в месяц на предприятии в Сиане около 200 000 кремниевых пластин с чипами NAND, то в этом объёмы выпуска могут быть снижены до 170 000 штук в месяц. Более того, предприятия Samsung в корейском Хвасоне также сократят объёмы выпуска NAND.

До этого в подобных условиях Samsung приходилось снижать объёмы выпуска памяти в 2023 году, причём почти двукратно. После нормализации ситуации с ценами на микросхемы NAND, компания увеличила объёмы её выпуска до 450 000 кремниевых пластин в месяц, если учитывать все имеющиеся у неё площадки. В четвёртом квартале прошлого года наметилась было тенденция роста цен на твердотельные накопители серверного класса на волне бума ИИ на величину до 5 %, но в текущем квартале они должны пропорционально снизиться, как считают аналитики TrendForce.

Интересно, что SK hynix в таких условиях готовится нарастить объёмы выпуска NAND. Если учесть, что Samsung предпочтёт сокращать объёмы поставок памяти, то у более мелкого конкурента появится возможность укрепить свои рыночные позиции, пусть и в ущерб прибыльности. Высокие доходы в сфере поставок HBM позволяют SK hynix пойти на риск в сегменте NAND.

В честь своего 40-летия компания Patriot Memory представила на CES 2025 ряд новинок, включая оперативную память Viper Xtreme 5 DDR5-9600 со встроенным тактовым генератором (CKD), юбилейную серию модулей оперативной памяти, а также флеш-накопитель для устройств Apple.

Источник изображения: Patriot

В числе новинок, представленных Patriot на CES, особое внимание привлекает расширение линейки оперативной памяти Viper Xtreme 5. Компания анонсировала юбилейную версию, посвящённую 40-летию, и вариант с интегрированным CKD (Client Clock Driver). Юбилейная версия, выполненная в синем цвете с надписью «40 Years», имеет скорость передачи информации до 8000 MT/s и оснащена RGB-подсветкой. Точные характеристики, как отмечает Tom's Hardware, включая тайминги и объём, пока не раскрываются, но, вероятно, они будут схожи со стандартной версией, предлагающей тайминги CL38.

Версия Viper Xtreme 5 с CKD способна достигать скорости DDR5-9600. Этот комплект выполнен в серебристых тонах, отличается профессиональным дизайном, но лишён RGB-подсветки. CKD-чип выступает в роли буфера, усиливая тактовый сигнал, обеспечивая повышенную стабильность и позволяя достигать более высоких частот.

Помимо памяти для ПК, компания представила накопитель iLuxe Stick C для устройств Apple, решая проблему недостатка памяти на мобильных устройствах. Этот компактный накопитель, напоминающий флешку, предназначен для резервного копирования данных с iPhone и iPad и предлагает ёмкость до 2 Тбайт. iLuxe Stick C, как и iLuxe Cube, будет иметь удобную систему управления, позволяющую назначать отдельные папки для каждого Apple ID в домохозяйстве.

В рамках выставки CES компания Patriot представила множество других продуктов, включая модули CAMM2, LPCAMM2, карты CFExpress 2.0 и несколько новых твердотельных накопителей, включая первый SSD PCIe 5.0 без DRAM. Информация о розничных ценах и доступности многих продуктов пока ограничена, но Patriot обещает в скором времени предоставить более подробную информацию.

Компания G.Skill представила новые комплекты модулей оперативной памяти DDR5 с минимальными таймингами. Планки серий Trident Z5 Neo RGB, M5 RGB Neo и Z5 Royal Neo теперь доступны в версиях DDR5-6000 CL26-36-36-96 в случае с комплектами на 32 и 64 Гбайт, а также CL28-36-36-96 для наборов на 48 и 96 Гбайт.

Источник изображений: gskill.com

CL26-36-36-96 — это минимальные тайминги среди всех доступных у G.Skill комплектов памяти. Более того, комплект на 64 Гбайт (2 × 32 Гбайт), как утверждает производитель, впервые на рынке предлагает такие тайминги для такого объёма памяти. Компания продемонстрировала стабильную работу комплекта с MemtestPro 4.0 на машине с процессором AMD Ryzen 9 9900X и материнской платой Asus Crosshair X870E Hero. Тот же тест G.Skill успешно провела и с комплектом на 96 Гбайт в конфигурации CL-28-36-36-96 с теми же процессором и материнской платой.

Комплекты адресованы любителям игр и опытным пользователям, которым нужны лучшие тайминги при частоте 6000 МТ/с для DDR5. Они раскрываются на «избранных» платах на чипсете X870E с процессорами AMD Ryzen 9000 — требуются идеальные соотношения тактовой частоты Infinity Fabric, частоты памяти и контроллера памяти. Такой комплект можно установить и на систему с процессором Intel, но профиль памяти придётся задавать самостоятельно: комплекты предположительно поддерживают только AMD EXPO и не имеют профиля Intel XMP.

Формально ничего не мешает установить комплект на систему с процессором AMD Ryzen 7000 на плате серий 800 или 600, но потребуется проконтролировать стабильность системы. Цены на новые планки G.Skill пока не уточняются, но они обещают быть одними из самых дорогих комплектов DDR5-6000 из-за жёстких таймингов: так, комплект DDR5-6000 CL28 на 2 × 16 Гбайт может стоить от $120 до $130, а та же конфигурация с CL30 обойдётся уже менее $80.

Отрасль компонентов памяти отличается консервативным подходом: революционным изменениям производители предпочитают постепенные улучшения. Но к концу десятилетия миру может быть представлена монолитная 3D DRAM, правда, пока нет ясности, какую форму примет это решение, и когда такая память будет готова к массовому производству.

Источник изображения: samsung.com

В области флеш-памяти производителям удалось добиться значительных успехов — ёмкость компонентов повышается за счёт монолитной 3D-архитектуры. Но в области DRAM использовать это решение не получается, потому что существует потребность в достаточно крупных элементах для хранения заряда — как правило, это конденсаторы. Самый простой подход к увеличению объёма данных на однослойном чипе DRAM — уменьшение размера ячейки. Из-за вертикальных конденсаторов слои DRAM оказываются слишком толстыми, что затрудняет их размещение друг на друге. Чтобы решить эту проблему, одни производители пытаются размещать конденсаторы горизонтально, другие — вообще их исключить.

3D DRAM может иметь различные реализации. Одна из них уже используется в производстве — это память с высокой пропускной способностью (HBM), но в данном случае речь идёт о многослойном кристалле, а не монолитном, как в случае 3D NAND. Появление монолитного чипа 3D DRAM придаст импульс развитию направления HBM и окажет влияние на всю отрасль. Оптимизировать ячейки DRAM можно, уменьшив размеры элементов с помощью передовых методов литографии, например, создавать заготовки в два или четыре прохода. Samsung разрабатывает новую архитектуру ячеек 4F2, более компактную, чем актуальная 6F2, но для её создания потребуются новые материалы, в том числе сегнетоэлектрики.

Ещё одним перспективным направлением представляется укладка конденсатора на бок, что поможет снизить толщину слоёв, чтобы располагать эти слои вертикально. Производитель оборудования для выпуска чипов Lam Research предложил несколько способов достичь этой цели: перевернуть ячейку, сдвинуть линию битов и применять транзисторы с окружающим затвором (GAA). Рассматриваются конструкции DRAM вообще без конденсаторов; предлагается технология Floating Body DRAM (FB-DRAM) по аналогии флеш-памяти с плавающим затвором. Компания Neo Semiconductor предложила коммерческую технологию на основе ячейки Floating Body с двойным затвором. Моделирование показало, что «этот механизм способен повысить запас чувствительности и сохранение данных», заявил гендиректор компании Энди Сю (Andy Hsu). Таким образом, появление монолитной 3D DRAM действительно может быть не за горами, но производителям потребуются ещё несколько лет, прежде чем на поддержку одного из решений будут выделены средства.

Цены на обычную память DRAM снизятся на 8–13 %, а с учётом продукции HBM ожидаемое снижение цен составит 0–5 %. С таким прогнозом на первый квартал 2025 года выступила аналитическая компания TrendForce. Ключевыми причинами снижения цен на память эксперты называют уменьшение спроса на рынке и изменения ценовых тенденций в четвёртом квартале 2024 года.

Источник изображения: unsplash.com

Вялый покупательский спрос, ожидаемое увеличение производства DDR4 китайскими поставщиками и дешёвые чипы DRAM, наводнившие спотовый рынок, приведут к более резкому снижению цен на DDR4 по сравнению с DDR5. На этом фоне ожидается, что цены на DRAM для ПК продолжат снижаться быстрее, чем в предыдущем квартале.

Что касается серверной памяти DRAM, прогнозируется снижение контрактных цен как на DDR5, так и на DDR4 из-за слабого сезонного спроса в начале следующего года. Перепрофилирование значительных объёмов мощностей по выпуску памяти DDR4 производителями, а также в меньшей степени HBM для производства памяти DDR5 ещё больше увеличило объёмы предложений DDR5 на рынке, отмечают эксперты. В то же время внушительные складские запасы памяти DDR4 и планы китайских производителей по увеличению объёмов её выпуска в 2025 году приведут к ускорению снижения цен на этот вид продукции, считают аналитики.

TrendForce отмечает, что запасы чипов DRAM у производителей смартфонов вернулись к нормальному уровню. Ожидается, что в начале следующего года производители мобильных устройств продолжат придерживаться пассивной стратегии закупок новых чипов памяти, чтобы добиться более выгодных контрактных цен. В то же время поставки новых продуктов для первого квартала 2025 года начнутся уже к концу текущего года. В совокупности эта стратегия, как ожидается, приведёт к падению контрактных цен на память LPDDR4X и LPDDR5X на 8–13 % и 3–8 % соответственно.

Спрос на графическую память DRAM будет сдержанным в начале 2025 года. Ключевым драйвером роста станут поставки памяти нового поколения GDDR7. Однако на фоне общего снижения спроса на DRAM TrendForce прогнозирует, что средняя закупочная цена на графическую память DRAM в первом квартале снизится на 5–10 %. Хотя часть производственных мощностей постепенно перенаправляется на выпуск HBM, цены на графическую память DRAM вряд ли сохранят краткосрочную стабильность из-за её уязвимости к динамике внешнего рынка и возросшим запасам у покупателей.

Цены на потребительскую DRAM начали снижаться в четвёртом квартале 2024 года. Покупатели будут ожидать продолжения этого тренда в первом квартале 2025 года, что станет сильным рычагом воздействия при ведении переговоров с поставщиками.

Слабые продажи потребительских продуктов, ограниченный рост объёма памяти в составе техники, а также накопление запасов памяти со второго квартала 2024 года усилили давление на цены. Кроме того, ожидается, что избыточное предложение на спотовом рынке и продажи со скидками приведут к более резкому снижению контрактных цен на память в первом квартале 2025 года. Впоследствии прогнозируется, что цены на DDR3 и DDR4 снизятся на 3–8 % и 10–15 % соответственно.

Учёные из Массачусетского технологического института обнаружили материал, который под действием света на время переходит в новое метастабильное состояние. Такое свойство открывает путь к новому типу записи и хранения данных, что востребовано при поиске более ёмких и плотных носителей для будущего. Такие носители необходимы всегда, и эта нужда будет вечно сопровождать человека.

Источник изображения: MIT

Исследователи подчёркивают, что они не стали первооткрывателями фотоиндуцированных фаз в тех или иных материалах. Такие открытия давно сделаны для сегнетоэлектриков, магнитных материалов и даже для сверхпроводящих. Однако во всех предыдущих работах вновь приобретённые чудесные свойства исчезали, как только выключали источник света. В новой работе, которая исследует свойства соединения железа, фосфора и серы, FePS₃, показано, что магнитные свойства можно изменять по команде, и в новом состоянии материал будет оставаться стабильным без внешнего воздействия на протяжении 2,5 мс.

Может показаться, что это очень небольшой промежуток времени. Но для квантового мира, отмечают исследователи, это бездна времени, что способно привести к новым технологиям как в сфере квантовых вычислений, так и для классических вычислений. Например, сегодня становится всё труднее уменьшить размер области намагничивания на пластине жёсткого диска, для чего уже используется нагрев лазером или микроволновое излучение. Обычные магнитные материалы для этого уже не годятся. Необходимы антиферромагнетики, которые не боятся случайных магнитных наводок и намагниченности соседних участков. Материал FePS₃ из таких. А в определённых условиях он превращается в парамагнетик и приобретает на время совсем иные магнитные свойства.

Учёные из MIT обнаружили, что при охлаждении FePS₃ до температуры Нееля (-155 ℃ для данного соединения) его облучение импульсом терагерцового лазера вызывает возбуждение атомов в материале и переводит его в состояние парамагнетика. Это состояние остаётся метастабильным и продолжается 2,5 мс после прекращения действия импульса света. Очевидно, что этим свойством будет разумно воспользоваться для поиска ему места в будущих системах хранения данных, чем команда физиков займётся на следующих этапах работы. Не факт, что это будет самый лучший путь к памяти будущего, но чем больше таких путей, тем вернее результат.