Компания SK hynix сообщила о подготовке к выпуску чипов памяти GDDR7 большой ёмкости к концу текущего года. На недавней пресс-конференции, посвящённой финансовым результатам, компания заявила об увеличении максимальной ёмкости стека памяти GDDR7 с 16 Гбайт (2 Гбайт на чип) до 24 Гбайт (3 Гбайт на чип). Хотя заявление производителя касалось графических ускорителей для ИИ, также имеется потенциал использования таких чипов в видеокартах потребительского уровня.

Источник изображения: SK hynix

Больший объём видеопамяти не обязательно означает более высокую производительность. Однако в последние годы стало ясно, что наличие всего 8 или даже 12 Гбайт памяти в видеокарте потребительского уровня недостаточно для многих современных игр, особенно при использовании более высоких разрешений и новых технологий вроде трассировки лучей. Кроме того, инструменты генеративного ИИ становятся всё более распространёнными в творческих и офисных рабочих процессах и значительно выигрывают от увеличения объёма видеопамяти.

С практической точки зрения, использование чипов памяти ёмкостью 3 Гбайт также может снизить стоимость производства видеокарт в целом — и не только решений флагманского уровня, но и моделей среднего ценового сегмента. Более ёмкие чипы памяти GDDR7 способны потенциально упростить сборку видеокарт с общим объёмом памяти 24 Гбайт, ведь для этого потребуется всего 8 чипов памяти вместо 12. В свою очередь это также должно снизить энергопотребление видеокарт, их нагрев и конечную стоимость.

Планы SK hynix по выпуску модулей памяти GDDR7 большей ёмкости совпадают с давно циркулирующими слухами о потенциальном релизе потребительских видеокарт Nvidia GeForce RTX 50 Super. Согласно последним сообщениям различных источников, карты серии RTX 50 Super получат 18 Гбайт (RTX 5070 Super) и 24 Гбайт (RTX 5080 Super) видеопамяти. Новые микросхемы GDDR7 от SK hynix ёмкостью 3 Гбайт могли бы оказаться весьма уместными, особенно если Nvidia захочет избежать установки дополнительных чипов памяти на обратной стороне печатных плат. Примечательно, что память GDDR7 от SK hynix Nvidia начала использовать лишь недавно — в текущем поколении видеокарт серии RTX 50.

Конечно, ничто из описанного выше, за исключением заявления самой SK hynix, не является официальной информацией. Nvidia пока не анонсировала карты Super в рамках поколения потребительских видеокарт серии Blackwell. И даже если это произойдёт, нет гарантии, что компания действительно решит использовать во всех обновлённых моделях чипы памяти большей ёмкости.

Помимо новостей о GDDR7, SK hynix также сообщила о расширении своего портфолио памяти в ответ на растущие требования в области ИИ. Компания готовит чипы LPDDR следующего поколения для серверов, которые обеспечат энергоэффективную передачу данных в ИИ-сценариях и центрах обработки данных. Производитель также продолжает лидировать в сфере выпуска памяти с высокой пропускной способностью (HBM) и недавно наладил массовое производство 12-слойной памяти HBM3E. До конца года SK hynix планирует представить память HBM4. Кроме того, компания собирается во второй половине этого года выпустить новые твердотельные накопители корпоративного класса на базе 321-слойных чипов флеш-памяти NAND.

Компания Kioxia объявила о начале поставок образцов чипов флеш-памяти с трёхбитовыми ячейками (TLC) объёмом 512 Гбит, в которых используется технология BiCS Flash 9-го поколения. Массовое производство этих чипов памяти планируется начать в 2025 финансовом году.

Источник изображения: Kioxia

Компания отмечает, что её новое решение предназначено для приложений, требующих высокой производительности и исключительной энергоэффективности в системах хранения данных низкого и среднего уровня. Новые чипы памяти также будут использоваться в составе корпоративных твердотельных накопителей Kioxia, в частности, в тех, которые предназначены использования в составе систем искусственного интеллекта.

Новые чипы памяти BiCS Flash 512 Gb TLC 9-го поколения, как и 8 поколение, имеют 218 слоёв и производятся стекированием 120-слойных кристаллов на основе технологии BiCS Flash 5-го поколения. Однако в них в логическом слое реализации интерфейса используется новая технология производства. За счёт этого они демонстрируют значительное повышение производительности по сравнению с существующими продуктами BiCS Flash 6-го поколения той же ёмкости 512 Гбит. Новые чипы:

• обеспечивают на 61 % более высокую производительность записи;
• на 12 % более высокую производительность чтения;
• на 36 % энергоэффективнее в рабочих нагрузках записи и на 27 % — в операциях чтения.

Использующаяся в них технология Toggle DDR 6.0 обеспечивает производительность интерфейса NAND на уровне 3,6 Гбит/с на контакт. А благодаря планарному масштабированию плотность чипов удалось увеличить на 8 % по сравнению с продуктами предыдущего поколения.

Дополнительно Kioxia сообщает, что в рамках демонстрационных испытаний от чипов BiCS Flash 512 Gb TLC 9-го поколения удалось добиться скорости интерфейса NAND в 4,8 Гбит/с. Продуктовая линейка на основе таких решений будет определяться рыночным спросом.

Компания TeamGroup представила комплект оперативной памяти T-Force Delta RGB DDR5-6000 объёмом 256 Гбайт, состоящий из четырёх модулей ОЗУ ёмкостью 64 Гбайт каждый.

Источник изображений: TeamGroup

В отличие от ранее представленного компанией G.Skill комплекта памяти DDR5-6400 объёмом 512 Гбайт (8 модулей по 64 Гбайт), предназначенного для процессоров Ryzen Threadripper Pro 9000 для рабочих станций, комплект TeamGroup прошёл проверку на потребительской платформе AMD X870.

Производитель заявляет для модулей памяти T-Force Delta RGB DDR5-6000 тайминги CL32-44-44-96. Память протестирована утилитой RunMemTestPro на материнской плате Asus ROG Strix X870-F Gaming WiFi в сочетании с процессором Ryzen 7 9800X3D.

TeamGroup также сообщила о выпуске комплекта памяти T-Create Expert DDR5-5600 объёмом 256 Гбайт (4 модуля по 64 Гбайт). По словам производителя, он предназначен для создателей цифрового контента, которым требуется большой объём ОЗУ для монтажа и редактирования 4K/8K-видео, профессионального 3D-рендеринга и интенсивной многозадачности.

Комплекты памяти T-Force DDR5-6000 и T-Create DDR5-5600 объёмом 256 Гбайт поступят в продажу в начале сентября этого года. Производитель не уточнил стоимость представленных решений.

Компания G.Skill представила комплект оперативной памяти T5 Neo DDR5-6400 RDIMM объёмом 512 Гбайт, состоящий из восьми модулей по 64 Гбайт каждый. По заявлению производителя, комплект специально оптимизирован для новых процессоров AMD Ryzen Threadripper Pro 9000 и материнских плат с чипсетом AMD WRX90.

Источник изображений: G.Skill

В основе модулей памяти T5 Neo DDR5-6400 RDIMM используется 16-слойный текстолит, что повышает надёжность передачи сигнала в условиях высоких нагрузок. Модули поддерживают профили разгона AMD EXPO.

Каждый модуль серии G.Skill T5 Neo DDR5 RDIMM оснащён двумя двунаправленными TVS-диодами и предохранителем, которые обеспечивают стабильное напряжение и защищают устройство от перепадов.

Для представленных модулей заявлены тайминги CL38-48-48-102. Комплект успешно прошёл проверку в приложении Memtest на материнской плате ASUS Pro WS WRX90E-SAGE SE в сочетании с процессором Ryzen Threadripper Pro 9945WX.

В продажу комплект G.Skill T5 Neo DDR5-6400 RDIMM объёмом 512 Гбайт поступит в августе. Стоимость производитель пока не раскрыл.

Компания Micron сообщила о выпуске первых в индустрии 256-гигабитных чипов SLC NAND для работы в условиях космоса. Эти микросхемы устойчивы к радиации, низким температурам и вакууму. Подобную память никто в мире больше не производит. По крайней мере, в промышленных масштабах. Новые чипы имеют высочайшую в своём классе плотность и позже будут дополнены «космическими» чипами памяти NAND, NOR и DRAM.

Источник изображений: Micron

Как справедливо отмечают в Micron, космическая экономика стремительно растет, чему способствует быстрый рост числа коммерческих и государственных миссий. Параллельно по мере развития вычислительной техники и искусственного интеллекта растет спрос на высокопроизводительные технологии обработки данных, способные работать непосредственно на орбите. Это поможет преобразовать космические операции: датчики космического корабля смогут анализировать данные, обнаруживать аномалии и принимать решения автономно, снижая зависимость от наземных систем и экономя на трафике для связи с Землёй.

«Поскольку мы расширяем границы вычислительной техники в космосе, для хранения и обработки данных необходима радиационно-устойчивая память Micron, — сказал Крис Бакстер (Kris Baxter), вице-президент и корпоративный генеральный менеджер подразделения Micron по встраиваемым устройствам и автомобилестроению. — По мере расширения операций с искусственным интеллектом в космосе — от автономной навигации до анализа в режиме реального времени — Micron уделяет всё большее внимание предоставлению решений, обеспечивающих устойчивость и интеллект, необходимые для аэрокосмических миссий следующего поколения».

Для подтверждения соответствия новой памяти требованиям аэрокосмической отрасли, представленные Micron чипы были испытаны по протоколам NASA PEM-INST-001 Level 2 flow и военному стандарту США MIL-STD-883 TM1019 condition D. В первом случае была проведена годичная проверка компонентов, включая циклирование при экстремальных температурах, 590 часов проверок дефектов и динамическую проверку надёжности для обеспечения возможности космических полетов.

Военный стандарт проверял память Micron на устойчивость к дозам ионизирующего излучения. Стандарт измеряет совокупное количество гамма-излучения, которое изделие может поглощать и оставаться функциональным в стандартных условиях эксплуатации на орбите. Это измерение является критически важным для определения жизненного цикла памяти.

Наконец, «космическая» NAND-память Micron прошла испытание на воздействие единичного события (SEE), что соответствует стандартам ASTM F1192 Американского общества по испытаниям и материалам и спецификациям JESD57 Совета по разработке электронных устройств (JEDEC). Тестирование SEE оценивает воздействие высокоэнергетических частиц на полупроводники и подтверждает, что компоненты могут безопасно и надёжно работать в суровых радиационных условиях, снижая риск сбоя миссии.

Расширение линейки чипов памяти SLC NAND и поставка иных видов памяти, включая оперативную, произойдёт в следующем году и в дальнейшем портфель этой продукции продолжит расширяться, чтобы удовлетворить любой спрос.

Южнокорейские производители микросхем памяти SK hynix и Samsung Electronics приостановили свои планы по постепенному отказу от производства чипов DDR4. Компании будут продолжать поставки этого вида микросхем до тех пор, пока закупочные цены на них не станут существенно ниже цен на DDR5, передаёт издание DigiTimes.

Источник изображения: SK hynix

В конце прошлого месяца сообщалось о резком росте спотовых цен на чипы памяти DDR4 DRAM. На фоне увеличившегося спроса из-за опасений, связанных с американскими таможенными тарифами, цены на DDR4 почти вдвое превысили стоимость чипов DDR5. Всё это сопровождалось заявлениями ведущих производителей микросхем на Тайване и в Южной Корее о планах поэтапного отказа от этого стандарта и стремлении реализовать накопленные запасы для удовлетворения остаточного спроса.

Почти десятилетнее присутствие стандарта DDR4 на рынке, начавшееся с выходом процессоров Intel Core 6-го поколения (Skylake) в 2013 году и продолжавшееся до появления процессоров Core 14-го поколения (Raptor Lake Refresh), а также процессоров AMD Ryzen под сокет AM4, привело к тому, что на рынке оказалось слишком много устройств с памятью DDR4 и пользователей, желающих её обновить.

По данным Digitimes, хотя SK hynix и Samsung Electronics намерены продолжить выпуск чипов DDR4, объёмы производства будут «балансировать на грани срыва поставок», чтобы избежать повторного переполнения складов.

Компания G.Skill похвасталась установкой нового мирового рекорда разгона оперативной памяти. Его автором стал французский оверклокер под псевдонимом bl4ckdot. Он разогнал модуль памяти G.Skill Trident Z5 DDR5 объёмом 24 Гбайт до скорости 12 872 МТ/с.

Источник изображений: G.Skill

Компания отмечает, что в составе разогнанного модуля используются высокопроизводительные чипы памяти SK hynix DDR5. Разгон проводился на материнской плате ASUS ROG Maximus Z890 Apex с процессором Intel Core Ultra 9 285K. Для охлаждения использовался жидкий азот.

Результат разгона модуля ОЗУ до DDR5-12872 был зафиксирован платформами валидации HWBOT и CPU-Z.

Добавим, что предыдущий рекорд разгона оперативной памяти составлял 12 842 МТ/с, и был установлен с помощью модулей Corsair Vengeance.

Источник изображения: HWBOT

С каждым новым рекордом скорость памяти DDR5 становится ближе к психологической отметке 13 000 МТ/с.

Ассоциация JEDEC Solid State Technology объявила о публикации стандарта памяти LPDDR6 (JESD209-6). По словам представителей ассоциации, стандарт JESD209-6 LPDDR6 представляет собой значительный шаг вперёд в технологиях памяти, обеспечивая повышенную производительность, энергоэффективность и безопасность.

Источник изображения: VideoCardz / JEDEC

Для поддержки приложений искусственного интеллекта и других высокопроизводительных рабочих нагрузок LPDDR6 использует архитектуру с двумя подканалами, которая обеспечивает гибкую работу при сохранении малой гранулярности доступа — 32 байта. Кроме того, ключевыми особенностями LPDDR6 являются:

• два подканала на кристалл, 12 линий передачи данных (DQ) на каждый подканал для оптимизации пропускной способности;
• четыре сигнала команд/адресов (CA) на подканал, что позволяет уменьшить количество контактов на подложке чипа и повысить скорость доступа к данным;
• режим статической эффективности, разработанный для поддержки конфигураций с большой ёмкостью и максимального использования ресурсов банков памяти;
• гибкий доступ к данным и управление длиной пакета «на лету» с поддержкой обращения к 32 и 64 байтам;
• динамическая запись NT-ODT (нецелевое терминирование на кристалле), позволяющая памяти адаптировать параметры терминатора в зависимости от нагрузки и тем самым повышать целостность сигнала.

Для удовлетворения постоянно растущих требований к энергоэффективности LPDDR6 работает с источником питания VDD2 с пониженным напряжением и сниженным энергопотреблением по сравнению с LPDDR5, а также требует использования двух источников питания для VDD2. Дополнительные функции энергосбережения включают:

• использование переменных входов команд тактовой частоты для повышения производительности и эффективности;
• динамическое масштабирование напряжения и частоты (DVFSL) для снижения напряжения VDD2 и энергопотребления при работе на низких частотах;
• поддержку динамически изменяемого показателя эффективности с одноканальным интерфейсом для маломощных и низкоскоростных режимов;
• поддержку как частичного, так и активного обновления памяти для снижения энергопотребления.

Улучшения безопасности и надёжности LPDDR6 по сравнению с LPDDR5 включают:

• подсчёт активаций по строкам (PRAC) для обеспечения целостности данных в DRAM;
• режим Carve-out Meta✴, предназначенный для повышения надёжности системы за счёт выделения отдельных областей памяти под критически важные задачи;
• поддержку программируемой схемы защиты каналов и встроенного кода коррекции ошибок (ECC);
• поддержку контроля чётности команд/адресов (CA), функции очистки ошибок и встроенной самодиагностики памяти (MBIST) для более эффективного обнаружения ошибок и повышения надёжности.

JEDEC отмечает, что интерес к производству и применению памяти LPDDR6 уже выразили такие компании, как MediaTek, Micron, Qualcomm Technologies, Samsung, SK hynix, Synopsys, Cadence, Advantest Corporation и Keysight Technologies.

Kioxia объявила о начале испытаний флеш-накопителей Universal Flash Storage (UFS) версии 4.1. Память предназначена для работы на мобильных устройствах нового поколения, в том числе современных смартфонах с искусственным интеллектом — компоненты предлагают высокие производительность и энергоэффективность в упаковке BGA.

Источник изображения: Kioxia

Модули Kioxia UFS 4.1 объединяют инновационную флеш-память BiCS FLASH 3D и контроллер в упаковке, соответствующей стандарту JEDEC. Здесь используется память Kioxia BiCS FLASH 3D восьмого поколения, в которой реализована технология CBA (CMOS direct bonded to Array), предполагающая прямое подключение CMOS-схемы к массиву ячеек памяти. Это обеспечивает значительный прирост энергоэффективности, производительности и плотности.

Память Kioxia UFS 4.1 доступна в вариантах ёмкостью 256 и 512 Гбайт и 1 Тбайт. Скорость случайной записи для чипов на 512 Гбайт и 1 Тбайт выросла на 30 %; случайной записи для чипов на 512 Гбайт — на 45 %, 1 Тбайт — на 35 %. Энергоэффективность при чтении данных для чипов на 512 Гбайт и 1 Тбайт выросла на 15 %; при записи для тех же чипов — на 20 %.

Добавлены также два решения, оптимизирующие работу встроенных накопителей: очистка от мусора может инициироваться хост-системой, а не компонентом памяти, чтобы в процессе работа устройства в целом не замедлялась; есть возможность изменять размер буфера WriteBooster, благодаря чему можно добиться лучшей производительности. Наконец, производителю удалось уменьшить толщину чипа ёмкостью 1 Тбайт.

Компания G.Skill сообщила о доступности комплектов разогнанной оперативной памяти большой ёмкости: DDR5-6000 объёмом 256 Гбайт (4 × 64 Гбайт) и DDR5-6400 объёмом 128 Гбайт (2 × 64 Гбайт). Новые комплекты разработаны для высокопроизводительных вычислений, создания контента, приложений искусственного интеллекта и профессиональных рабочих станций. Однако ничто не мешает использовать их и в составе мощных игровых ПК.

Источник изображений: G.Skill

Комплекты памяти G.Skill DDR5-6000 объёмом 128 и 256 Гбайт доступны с таймингами CL32-44-44, CL34-44-44 и CL36-44-44. В свою очередь комплект памяти DDR5-6400 объёмом 128 Гбайт предлагает тайминги CL36-44-44. Комплекты G.Skill DDR5-6000 поддерживают профили разгона AMD EXPO и будут предлагаться в виде модулей памяти серий Trident Z5 Neo RGB и Flare X5.

В свою очередь комплект DDR5-6400 объёмом 128 Гбайт прошёл проверку совместимости с платформами Intel и поддерживает профили разгона XMP 3.0.

Поддержка подобных комплектов оперативной памяти большой ёмкости потребует обновления BIOS материнских плат до последних версий, в которых реализована поддержка модулей ОЗУ объёмом 64 Гбайт.

Новые комплекты в ближайшее время поступят в продажу. Их стоимость компания G.Skill не раскрывает.

Компания G.Skill продолжает изучать разгонный потенциал нового формата оперативной памяти CAMM2 DDR5 и сообщила об успешном проведении тестов модуля CAMM2 объёмом 64 Гбайт в режиме DDR5-10000. Тестирование проводилось на модифицированной материнской плате Asus ROG Maximus Z890 Hero в сочетании с процессором Intel Core Ultra 7 265K.

Источник изображений: G.Skill

Производитель отмечает, что разогнанный модуль памяти CAMM2 DDR5-10000 успешно прошёл тест в программе Memtest. Память работала с задержками CL52-70-70-160 при напряжении 1,45 В.

Модули памяти формата CAMM2 обладают рядом преимуществ перед обычными модулями DIMM. Они занимают меньше места на материнской плате, поддерживают широкую шину памяти на одном модуле (один модуль может работать в двухканальном режиме, обеспечивая высокую пропускную способность), отличаются улучшенной целостностью сигналов, более высоким разгонным потенциалом и упрощённым охлаждением.

К сожалению, производители материнских плат пока не спешат переходить на новый формат ОЗУ. Платы с поддержкой модулей CAMM2 демонстрируются на различных выставках электроники, но в продаже практически не встречаются. Тем не менее, некоторые производители уже выпускают ноутбуки с поддержкой нового формата памяти.

Компания Kioxia опубликовала обновлённый вариант своей «дорожной карты», из которой стало известно, что грядущая 332-слойная флеш-память BiCS 10-го поколения сможет предложить ёмкость всего 2 Тбит. Хотя этот показатель выглядит не слишком впечатляющим — такая же ёмкость у актуальных 218-слойных чипов, — производитель намекнул на возможность выпуска в рамках 10-го поколения чипов флэш-памяти большей ёмкости без использования технологии Penta-Level Cell (PLC).

Источник изображений: Kioxia

В настоящее время 332-слойная память NAND находится на этапе разработки. Он является частью того, что Kioxia называет «двухосевой стратегией» развития направления. Эта стратегия разделяет разработку на два направления: увеличение количества слоёв для повышения ёмкости и повышение производительности за счёт архитектуры Charge-Based Architecture (CBA), которая позволяет повысить пропускную способность, уменьшить задержки и снизить энергопотребление. По данным Kioxia, такой подход позволяет увеличивать ёмкость без ущерба для долговечности.

В дорожной карте Kioxia не говорится о планах компании в отношении PLC-решений, хотя другие вендоры уже работают в этом направлении. Вместо этого Kioxia, похоже, для удовлетворения потребностей рынка планирует удвоить усилия по совершенствованию процессов и разработке новых контроллеров.

В последнее время Kioxia сосредоточилась на двух семействах SSD: серии CM9, в которой особое внимание уделяется высокой производительности для ИИ-приложений, и серии LC9, которая ориентирована на большую ёмкость. Оба продукта построены на чипах BiCS FLASH 8-го поколения, в котором реализована технология CBA и поддержка энергоэффективных и высокопроизводительных рабочих нагрузок.

Kioxia также рассказала, что готовит SSD с использованием SLC-памяти XL-Flash с высоким показателем IOPS. Ожидается, что производительность этого накопителя превысит 10 млн операций ввода-вывода в секунду. Его должны представить официально во второй половине следующего года.

Micron объявила о значительном прогрессе в архитектуре HBM4: чипы 12-Hi объединяют 12 кристаллов, обеспечивая 36 Гбайт ёмкости на чип. Первые инженерные образцы таких компонентов памяти компания намерена направить ключевым партнёрам в ближайшие недели; запуск полномасштабного производства намечен на начало 2026 года.

Источник изображения: micron.com

Для производства чипов HBM4 нового образца используется устоявшаяся технология плиток DRAM 1β, применяемая с 2022 года; в конце этого года она намеревается перейти на 1γ на основе литографии EUV для производства DDR5. Увеличив разрядность интерфейса с 1024 до 2048 бит, Micron добилась пропускной способности 2 Тбайт/с на чип, что на 20 % больше, чем предусматривает стандарт HBM3E.

Первыми заказчиками чипов HBM4 от Micron, как ожидается, станут Nvidia и AMD. Nvidia планирует интегрировать эти модули памяти в ускорители искусственного интеллекта Rubin-Vera во второй половине 2026 года. AMD будет использовать память HBM4 в ускорителях Instinct MI400; подробнее об этом компания расскажет на своей конференции Advancing AI 2025.

Рост ёмкости и пропускной способности HBM4 отвечают растущим требованиям к оборудованию для систем генеративного ИИ, высокопроизводительных вычислений и других систем с интенсивным использованием данных. Большая высота стека и увеличенная ширина интерфейса обеспечат более эффективный обмен данными, что важно в многочиповых конфигурациях. Micron ещё предстоит подтвердить, что память нового образца предлагает адекватные тепловые характеристики, и провести тесты, которые на практике определят пригодность HBM4 к работе с самыми требовательными нагрузками ИИ.

Компания Micron сообщила о начале поставок тестовых образцов первых в мире энергоэффективных чипов памяти LPDDR5X, произведённых по передовому техпроцессу 10-нм класса 1γ (гамма). Эти микросхемы ориентированы на повышение ИИ-производительности флагманских смартфонов.

Источник изображения: ZDNet

По данным южнокорейского издания ZDNet, техпроцесс 1γ знаменует собой шестое поколение памяти DRAM 10-нм класса, массовое производство которой, как ожидается, будет наращиваться к концу этого года. Узел имеет ширину линии порядка 11–12 нанометров и в полупроводниковой промышленности Южной Кореи обычно обозначается как 1c DRAM. LPDDR5X — это наиболее передовое поколение энергоэффективной DRAM, доступное на сегодняшний день на рынке. Основное применение данной памяти — мобильные устройства и ноутбуки.

Согласно пресс-релизу Micron, компания в настоящее время проводит испытания 16-гигабитных чипов LPDDR5X на базе техпроцесса 1γ с избранными партнёрами и планирует предложить полный спектр ёмкостей — от 8 до 32 Гбайт — для использования во флагманских смартфонах 2026 года.

В пресс-релизе также говорится, что данная память LPDDR5X обеспечивает самую высокую в отрасли скорость для LPDDR5X — 10,7 Гбит/с — и демонстрирует до 20 % более высокую энергоэффективность по сравнению с другими аналогичными решениями. Память упакована в самый тонкий для LPDDR5X корпус толщиной всего 0,61 мм. По словам Micron, это на 6 % тоньше, чем у конкурирующих продуктов, и на 14 % тоньше по сравнению с её собственной памятью LPDDR5X предыдущего поколения. Компания также подчёркивает, что LPDDR5X на базе техпроцесса 1γ является её первым решением в сегменте мобильной памяти, при производстве которого применяется передовая EUV-литография.

В феврале этого года Micron объявила о первых поставках образцов памяти DDR5 на основе техпроцесса 1γ таким клиентам, как Intel и AMD. Согласно пресс-релизу, Micron также остаётся единственной компанией, поставляющей чипы памяти HBM3E и SOCAMM для ИИ-серверов. Производитель отмечает, что его память SOCAMM LPDDR5X, разработанная при поддержке Nvidia, поддерживает специализированный ИИ-чип GB300 Grace Blackwell Ultra.

Южнокорейские конкуренты Micron — компании Samsung и SK hynix — также разрабатывают собственные чипы памяти 1c DRAM. В августе прошлого года SK hynix объявила о создании первых в индустрии 16-гигабитных чипов памяти DDR5 на основе узла 1c — шестого поколения 10-нм техпроцесса. По данным MoneyToday от января 2025 года, компания завершила подготовку к массовому производству чипов 1c DDR5. Компания Samsung, в свою очередь, отложила развитие шестого поколения 10-нм техпроцесса DRAM (1c) до июня 2025 года.

Средние рыночные цены на чипы памяти DRAM и NAND снова выросли. Особенно рост цен отразился на чипах DDR4 объёмом 8 Гбит — они подорожали в мае на 27 % с $1,65 до $2,10. Учитывая, что в марте эти чипы стоили $1,37, это уже второй подряд скачок цен более чем на 20 %. Аналитики уверены, что рост цен связан с созданием товарных запасов производителями устройств, которые пытаются максимально использовать 90-дневный льготный период для импортных пошлин.

Источник изображения: unsplash.com

Осенью 2024 года наблюдалось ожидаемое снижение цен на микросхемы памяти — на 17 % в сентябре и на 20 % в ноябре. Затем цены стабилизировались до апреля 2025 года, когда американская компания Micron — третий по величине производитель DRAM — объявила о планах повысить цены, сославшись на повышение пошлин в США.

Правительство США приостановило повышение пошлин на 90 дней, но полностью от своих планов не отказалось. Из-за этого компании начали в срочном порядке наращивать складские запасы. Особенно востребованными оказались устаревшие и сравнительно недорогие чипы DDR4, предназначенные для доступных продуктов, в цене которых важен каждый цент.

Другой причиной повышения спроса и, соответственно, цен именно на DDR4 стали сообщения о том, что ведущие производители DRAM Samsung, Micron и SK hynix отказываются от производства DDR4 из-за возросшей конкуренции со стороны Китая. Такие компании, как CXMT и Fujian Jinhua, снижают цены до такой степени, что их совершенно новые продукты DDR4 обходятся дешевле, чем восстановленная память «большой тройки». Тем более, CXMT также решила прекратить производство DDR4.

Столь масштабное снижение поставок, усугублённое ростом спроса, означает, что компаниям придётся платить больше за чипы DRAM и NAND. Аналитики уверены — если глобальная тарифная ситуация и производство памяти не стабилизируются, стоимость чипов продолжит расти в ближайшие месяцы, что в конечном итоге отразится на потребителях.