Ассоциация JEDEC Solid State Technology объявила о публикации стандарта памяти LPDDR6 (JESD209-6). По словам представителей ассоциации, стандарт JESD209-6 LPDDR6 представляет собой значительный шаг вперёд в технологиях памяти, обеспечивая повышенную производительность, энергоэффективность и безопасность.

Источник изображения: VideoCardz / JEDEC

Для поддержки приложений искусственного интеллекта и других высокопроизводительных рабочих нагрузок LPDDR6 использует архитектуру с двумя подканалами, которая обеспечивает гибкую работу при сохранении малой гранулярности доступа — 32 байта. Кроме того, ключевыми особенностями LPDDR6 являются:

• два подканала на кристалл, 12 линий передачи данных (DQ) на каждый подканал для оптимизации пропускной способности;
• четыре сигнала команд/адресов (CA) на подканал, что позволяет уменьшить количество контактов на подложке чипа и повысить скорость доступа к данным;
• режим статической эффективности, разработанный для поддержки конфигураций с большой ёмкостью и максимального использования ресурсов банков памяти;
• гибкий доступ к данным и управление длиной пакета «на лету» с поддержкой обращения к 32 и 64 байтам;
• динамическая запись NT-ODT (нецелевое терминирование на кристалле), позволяющая памяти адаптировать параметры терминатора в зависимости от нагрузки и тем самым повышать целостность сигнала.

Для удовлетворения постоянно растущих требований к энергоэффективности LPDDR6 работает с источником питания VDD2 с пониженным напряжением и сниженным энергопотреблением по сравнению с LPDDR5, а также требует использования двух источников питания для VDD2. Дополнительные функции энергосбережения включают:

• использование переменных входов команд тактовой частоты для повышения производительности и эффективности;
• динамическое масштабирование напряжения и частоты (DVFSL) для снижения напряжения VDD2 и энергопотребления при работе на низких частотах;
• поддержку динамически изменяемого показателя эффективности с одноканальным интерфейсом для маломощных и низкоскоростных режимов;
• поддержку как частичного, так и активного обновления памяти для снижения энергопотребления.

Улучшения безопасности и надёжности LPDDR6 по сравнению с LPDDR5 включают:

• подсчёт активаций по строкам (PRAC) для обеспечения целостности данных в DRAM;
• режим Carve-out Meta✴, предназначенный для повышения надёжности системы за счёт выделения отдельных областей памяти под критически важные задачи;
• поддержку программируемой схемы защиты каналов и встроенного кода коррекции ошибок (ECC);
• поддержку контроля чётности команд/адресов (CA), функции очистки ошибок и встроенной самодиагностики памяти (MBIST) для более эффективного обнаружения ошибок и повышения надёжности.

JEDEC отмечает, что интерес к производству и применению памяти LPDDR6 уже выразили такие компании, как MediaTek, Micron, Qualcomm Technologies, Samsung, SK hynix, Synopsys, Cadence, Advantest Corporation и Keysight Technologies.

Kioxia объявила о начале испытаний флеш-накопителей Universal Flash Storage (UFS) версии 4.1. Память предназначена для работы на мобильных устройствах нового поколения, в том числе современных смартфонах с искусственным интеллектом — компоненты предлагают высокие производительность и энергоэффективность в упаковке BGA.

Источник изображения: Kioxia

Модули Kioxia UFS 4.1 объединяют инновационную флеш-память BiCS FLASH 3D и контроллер в упаковке, соответствующей стандарту JEDEC. Здесь используется память Kioxia BiCS FLASH 3D восьмого поколения, в которой реализована технология CBA (CMOS direct bonded to Array), предполагающая прямое подключение CMOS-схемы к массиву ячеек памяти. Это обеспечивает значительный прирост энергоэффективности, производительности и плотности.

Память Kioxia UFS 4.1 доступна в вариантах ёмкостью 256 и 512 Гбайт и 1 Тбайт. Скорость случайной записи для чипов на 512 Гбайт и 1 Тбайт выросла на 30 %; случайной записи для чипов на 512 Гбайт — на 45 %, 1 Тбайт — на 35 %. Энергоэффективность при чтении данных для чипов на 512 Гбайт и 1 Тбайт выросла на 15 %; при записи для тех же чипов — на 20 %.

Добавлены также два решения, оптимизирующие работу встроенных накопителей: очистка от мусора может инициироваться хост-системой, а не компонентом памяти, чтобы в процессе работа устройства в целом не замедлялась; есть возможность изменять размер буфера WriteBooster, благодаря чему можно добиться лучшей производительности. Наконец, производителю удалось уменьшить толщину чипа ёмкостью 1 Тбайт.

Компания G.Skill сообщила о доступности комплектов разогнанной оперативной памяти большой ёмкости: DDR5-6000 объёмом 256 Гбайт (4 × 64 Гбайт) и DDR5-6400 объёмом 128 Гбайт (2 × 64 Гбайт). Новые комплекты разработаны для высокопроизводительных вычислений, создания контента, приложений искусственного интеллекта и профессиональных рабочих станций. Однако ничто не мешает использовать их и в составе мощных игровых ПК.

Источник изображений: G.Skill

Комплекты памяти G.Skill DDR5-6000 объёмом 128 и 256 Гбайт доступны с таймингами CL32-44-44, CL34-44-44 и CL36-44-44. В свою очередь комплект памяти DDR5-6400 объёмом 128 Гбайт предлагает тайминги CL36-44-44. Комплекты G.Skill DDR5-6000 поддерживают профили разгона AMD EXPO и будут предлагаться в виде модулей памяти серий Trident Z5 Neo RGB и Flare X5.

В свою очередь комплект DDR5-6400 объёмом 128 Гбайт прошёл проверку совместимости с платформами Intel и поддерживает профили разгона XMP 3.0.

Поддержка подобных комплектов оперативной памяти большой ёмкости потребует обновления BIOS материнских плат до последних версий, в которых реализована поддержка модулей ОЗУ объёмом 64 Гбайт.

Новые комплекты в ближайшее время поступят в продажу. Их стоимость компания G.Skill не раскрывает.

Компания G.Skill продолжает изучать разгонный потенциал нового формата оперативной памяти CAMM2 DDR5 и сообщила об успешном проведении тестов модуля CAMM2 объёмом 64 Гбайт в режиме DDR5-10000. Тестирование проводилось на модифицированной материнской плате Asus ROG Maximus Z890 Hero в сочетании с процессором Intel Core Ultra 7 265K.

Источник изображений: G.Skill

Производитель отмечает, что разогнанный модуль памяти CAMM2 DDR5-10000 успешно прошёл тест в программе Memtest. Память работала с задержками CL52-70-70-160 при напряжении 1,45 В.

Модули памяти формата CAMM2 обладают рядом преимуществ перед обычными модулями DIMM. Они занимают меньше места на материнской плате, поддерживают широкую шину памяти на одном модуле (один модуль может работать в двухканальном режиме, обеспечивая высокую пропускную способность), отличаются улучшенной целостностью сигналов, более высоким разгонным потенциалом и упрощённым охлаждением.

К сожалению, производители материнских плат пока не спешат переходить на новый формат ОЗУ. Платы с поддержкой модулей CAMM2 демонстрируются на различных выставках электроники, но в продаже практически не встречаются. Тем не менее, некоторые производители уже выпускают ноутбуки с поддержкой нового формата памяти.

Компания Kioxia опубликовала обновлённый вариант своей «дорожной карты», из которой стало известно, что грядущая 332-слойная флеш-память BiCS 10-го поколения сможет предложить ёмкость всего 2 Тбит. Хотя этот показатель выглядит не слишком впечатляющим — такая же ёмкость у актуальных 218-слойных чипов, — производитель намекнул на возможность выпуска в рамках 10-го поколения чипов флэш-памяти большей ёмкости без использования технологии Penta-Level Cell (PLC).

Источник изображений: Kioxia

В настоящее время 332-слойная память NAND находится на этапе разработки. Он является частью того, что Kioxia называет «двухосевой стратегией» развития направления. Эта стратегия разделяет разработку на два направления: увеличение количества слоёв для повышения ёмкости и повышение производительности за счёт архитектуры Charge-Based Architecture (CBA), которая позволяет повысить пропускную способность, уменьшить задержки и снизить энергопотребление. По данным Kioxia, такой подход позволяет увеличивать ёмкость без ущерба для долговечности.

В дорожной карте Kioxia не говорится о планах компании в отношении PLC-решений, хотя другие вендоры уже работают в этом направлении. Вместо этого Kioxia, похоже, для удовлетворения потребностей рынка планирует удвоить усилия по совершенствованию процессов и разработке новых контроллеров.

В последнее время Kioxia сосредоточилась на двух семействах SSD: серии CM9, в которой особое внимание уделяется высокой производительности для ИИ-приложений, и серии LC9, которая ориентирована на большую ёмкость. Оба продукта построены на чипах BiCS FLASH 8-го поколения, в котором реализована технология CBA и поддержка энергоэффективных и высокопроизводительных рабочих нагрузок.

Kioxia также рассказала, что готовит SSD с использованием SLC-памяти XL-Flash с высоким показателем IOPS. Ожидается, что производительность этого накопителя превысит 10 млн операций ввода-вывода в секунду. Его должны представить официально во второй половине следующего года.

Micron объявила о значительном прогрессе в архитектуре HBM4: чипы 12-Hi объединяют 12 кристаллов, обеспечивая 36 Гбайт ёмкости на чип. Первые инженерные образцы таких компонентов памяти компания намерена направить ключевым партнёрам в ближайшие недели; запуск полномасштабного производства намечен на начало 2026 года.

Источник изображения: micron.com

Для производства чипов HBM4 нового образца используется устоявшаяся технология плиток DRAM 1β, применяемая с 2022 года; в конце этого года она намеревается перейти на 1γ на основе литографии EUV для производства DDR5. Увеличив разрядность интерфейса с 1024 до 2048 бит, Micron добилась пропускной способности 2 Тбайт/с на чип, что на 20 % больше, чем предусматривает стандарт HBM3E.

Первыми заказчиками чипов HBM4 от Micron, как ожидается, станут Nvidia и AMD. Nvidia планирует интегрировать эти модули памяти в ускорители искусственного интеллекта Rubin-Vera во второй половине 2026 года. AMD будет использовать память HBM4 в ускорителях Instinct MI400; подробнее об этом компания расскажет на своей конференции Advancing AI 2025.

Рост ёмкости и пропускной способности HBM4 отвечают растущим требованиям к оборудованию для систем генеративного ИИ, высокопроизводительных вычислений и других систем с интенсивным использованием данных. Большая высота стека и увеличенная ширина интерфейса обеспечат более эффективный обмен данными, что важно в многочиповых конфигурациях. Micron ещё предстоит подтвердить, что память нового образца предлагает адекватные тепловые характеристики, и провести тесты, которые на практике определят пригодность HBM4 к работе с самыми требовательными нагрузками ИИ.

Компания Micron сообщила о начале поставок тестовых образцов первых в мире энергоэффективных чипов памяти LPDDR5X, произведённых по передовому техпроцессу 10-нм класса 1γ (гамма). Эти микросхемы ориентированы на повышение ИИ-производительности флагманских смартфонов.

Источник изображения: ZDNet

По данным южнокорейского издания ZDNet, техпроцесс 1γ знаменует собой шестое поколение памяти DRAM 10-нм класса, массовое производство которой, как ожидается, будет наращиваться к концу этого года. Узел имеет ширину линии порядка 11–12 нанометров и в полупроводниковой промышленности Южной Кореи обычно обозначается как 1c DRAM. LPDDR5X — это наиболее передовое поколение энергоэффективной DRAM, доступное на сегодняшний день на рынке. Основное применение данной памяти — мобильные устройства и ноутбуки.

Согласно пресс-релизу Micron, компания в настоящее время проводит испытания 16-гигабитных чипов LPDDR5X на базе техпроцесса 1γ с избранными партнёрами и планирует предложить полный спектр ёмкостей — от 8 до 32 Гбайт — для использования во флагманских смартфонах 2026 года.

В пресс-релизе также говорится, что данная память LPDDR5X обеспечивает самую высокую в отрасли скорость для LPDDR5X — 10,7 Гбит/с — и демонстрирует до 20 % более высокую энергоэффективность по сравнению с другими аналогичными решениями. Память упакована в самый тонкий для LPDDR5X корпус толщиной всего 0,61 мм. По словам Micron, это на 6 % тоньше, чем у конкурирующих продуктов, и на 14 % тоньше по сравнению с её собственной памятью LPDDR5X предыдущего поколения. Компания также подчёркивает, что LPDDR5X на базе техпроцесса 1γ является её первым решением в сегменте мобильной памяти, при производстве которого применяется передовая EUV-литография.

В феврале этого года Micron объявила о первых поставках образцов памяти DDR5 на основе техпроцесса 1γ таким клиентам, как Intel и AMD. Согласно пресс-релизу, Micron также остаётся единственной компанией, поставляющей чипы памяти HBM3E и SOCAMM для ИИ-серверов. Производитель отмечает, что его память SOCAMM LPDDR5X, разработанная при поддержке Nvidia, поддерживает специализированный ИИ-чип GB300 Grace Blackwell Ultra.

Южнокорейские конкуренты Micron — компании Samsung и SK hynix — также разрабатывают собственные чипы памяти 1c DRAM. В августе прошлого года SK hynix объявила о создании первых в индустрии 16-гигабитных чипов памяти DDR5 на основе узла 1c — шестого поколения 10-нм техпроцесса. По данным MoneyToday от января 2025 года, компания завершила подготовку к массовому производству чипов 1c DDR5. Компания Samsung, в свою очередь, отложила развитие шестого поколения 10-нм техпроцесса DRAM (1c) до июня 2025 года.

Средние рыночные цены на чипы памяти DRAM и NAND снова выросли. Особенно рост цен отразился на чипах DDR4 объёмом 8 Гбит — они подорожали в мае на 27 % с $1,65 до $2,10. Учитывая, что в марте эти чипы стоили $1,37, это уже второй подряд скачок цен более чем на 20 %. Аналитики уверены, что рост цен связан с созданием товарных запасов производителями устройств, которые пытаются максимально использовать 90-дневный льготный период для импортных пошлин.

Источник изображения: unsplash.com

Осенью 2024 года наблюдалось ожидаемое снижение цен на микросхемы памяти — на 17 % в сентябре и на 20 % в ноябре. Затем цены стабилизировались до апреля 2025 года, когда американская компания Micron — третий по величине производитель DRAM — объявила о планах повысить цены, сославшись на повышение пошлин в США.

Правительство США приостановило повышение пошлин на 90 дней, но полностью от своих планов не отказалось. Из-за этого компании начали в срочном порядке наращивать складские запасы. Особенно востребованными оказались устаревшие и сравнительно недорогие чипы DDR4, предназначенные для доступных продуктов, в цене которых важен каждый цент.

Другой причиной повышения спроса и, соответственно, цен именно на DDR4 стали сообщения о том, что ведущие производители DRAM Samsung, Micron и SK hynix отказываются от производства DDR4 из-за возросшей конкуренции со стороны Китая. Такие компании, как CXMT и Fujian Jinhua, снижают цены до такой степени, что их совершенно новые продукты DDR4 обходятся дешевле, чем восстановленная память «большой тройки». Тем более, CXMT также решила прекратить производство DDR4.

Столь масштабное снижение поставок, усугублённое ростом спроса, означает, что компаниям придётся платить больше за чипы DRAM и NAND. Аналитики уверены — если глобальная тарифная ситуация и производство памяти не стабилизируются, стоимость чипов продолжит расти в ближайшие месяцы, что в конечном итоге отразится на потребителях.

Бренд Mastero представил оперативную память DDR5 объёмом до 32 Гбайт, работающую на частотах до 6400 МГц. В числе особенностей — брендовые чипы, штатные радиаторы, ARGB-подсветка и гарантия 10 лет.

Новинки — одиночные планки и комплекты ОЗУ DDR5 для игровых ПК и рабочих станций:

Память DDR5 DIMM 16Gb, 5600MHz, CL46 Mastero — 3500 руб.*

Комплект памяти DDR5 DIMM 32Gb (2x16Gb), 5600MHz, CL46 Mastero — 7050 руб.*

Комплект памяти DDR5 DIMM 32Gb (2x16Gb), 6200MHz, CL36 Mastero — 7350 руб.*

Комплект памяти DDR5 DIMM 32Gb (2x16Gb), 6400MHz, CL40 Mastero — 8300 руб.*

Комплект памяти DDR5 DIMM 32Gb (2x16Gb), 6000MHz, CL38 Mastero ARGB — 7800 руб.*

Комплект памяти DDR5 DIMM 32Gb (2x16Gb), 6400MHz, CL38 Mastero ARGB — 8400 руб.*

* Указаны базовые оптовые цены. Зарегистрированным участникам программы дисти предусмотрены скидки. Физические лица могут приобрести товар на маркетплейсах.

Флагман линейки — комплект памяти Mastero DDR5 на 32 Гбайт с частотой 6400 МГц. Его пропускная способность обеспечивает прирост FPS от 10 до 20 % в Cyberpunk 2077, Spider-Man и Horizon Zero Dawn по сравнению с ОЗУ на частоте 4800 МГц. Отличный выбор для геймеров, которые хотят прокачать свой ПК.

В скоростных модулях памяти Mastero используются чипы Samsung, известные высокой производительностью и стабильностью. В ОЗУ используются встроенные профили XMP 3.0 для установки рабочих параметров памяти в BIOS.

Модули памяти оснащены чёрными матовыми радиаторами с серебристыми вставками. Низкое рабочее напряжение в размере 1,25 В дополнительно помогает снизить нагрев чипов памяти.

Оперативная память DDR5 Mastero с ARGB-подсветкой представлена комплектами по 32 Гбайт (2×16 Гбайт), работающими на частоте 6000 и 6400 МГц с задержкой CL38.

В памяти с подсветкой используются чипы Micron, стабильно работающие на современных платформах AMD Ryzen и Intel. ARGB-подсветка синхронизируется через RGB-экосистемы: ASRock Polychrome RGB, ASUS Aura Sync, MSI Mystic Light и другие. Если материнская плата не поддерживает ARGB, цвета подсветки меняются автоматически.

Mastero — торговая марка компании Comepart, российского дистрибьютора компьютерной техники, который занимается оптовыми поставками компьютерных комплектующих. Comepart работает с проверенными поставщиками из топ-20 крупных производственных площадок Китая, предлагая высокое качество при конкурентной цене.

Компания Silicon Power продемонстрировала на выставке Computex 2025 свои новейшие разработки, в том числе новое семейство твердотельных накопителей Endura на флеш-памяти 3D TLC NAND, включающее модели Endura E55, E60, ED90 и ES75. Кроме того, производитель показал скоростные модули оперативной памяти, новейшие карты памяти и даже промышленные решения.

Базовая модель серии — 2,5-дюймовый накопитель Endura E55 с интерфейсом SATA III — предназначена для массового пользователя. Устройство поддерживает скорость последовательного чтения до 500 Мбайт/с, записи — до 450 Мбайт/с. Доступны версии Endura E55 ёмкостью от 512 Гбайт до 2 Тбайт.

В свою очередь, накопитель Endura E60 с интерфейсом PCIe 3.0 x4, поддержкой скорости последовательного чтения до 2200 Мбайт/с и записи до 1600 Мбайт/с, создан для использования в производительных системах для работы и игр. Накопитель совместим со спецификациями NVMe 1.3 и поддерживает технологию коррекции ошибок LDPC ECC. Накопитель Endura E60 доступен в вариантах ёмкостью от 512 Гбайт до 2 Тбайт.

Высокопроизводительный накопитель SP Endura ED90 с интерфейсом PCIe 4.0, соответствующий стандарту NVMe 2.0, позиционируется компанией как решение для компьютерных систем с интенсивной передачей данных, которые могут использоваться создателями контента и пользователями других творческих профессий. SSD поддерживает скорость чтения до 5000 Мбайт/с и записи до 4800 Мбайт/с, выпускается в вариантах ёмкостью от 500 Гбайт до 4 Тбайт.

Флагманская модель линейки SP Endura ES75 с интерфейсом PCIe 4.0, а также поддержкой скорости последовательного чтения до 7000 Мбайт/с и записи до 6500 Мбайт/с, предназначена для использования профессионалами, создания контента и для мощных игровых компьютеров. SP Endura ES75 поставляется в версиях объёмом от 1 до 4 Тбайт.

Добавим, что накопители семейства Endura уже продаются в России, например, в DNS и «Ситилинк».

Базовая линейка DDR5 CKD компании включает модули CUDIMM и CSODIMM с частотой DDR5-6400, ёмкостью 16 Гбайт, задержкой CL52 и поддержкой напряжения 1,1 В.

Также на экспозиции демонстрировался высокопроизводительный NVMe-накопитель Silicon Power XPower XS90 M.2 Gen 5 для энтузиастов, обеспечивающий скорость последовательного чтения до 14 Гбайт/с, ёмкостью до 4 Тбайт и основанный на 6-нм контроллере (вероятно, Maxiotek DRAMless).

На стенде Silicon Power также была представлена модель US75 с интерфейсом PCIe 4.0 x4, которая выпускается ёмкостью от 500 Гбайт до 4 Тбайт, обеспечивает скорость последовательного чтения до 7000 Мбайт/с и последовательную запись со скоростью до 6000 Мбайт/с.

В свою очередь твердотельный накопитель US85 с интерфейсом PCIe 5.0 x4 и поддержкой спецификации NVMe 2.0, предназначенный для использования геймерами, создателями контента и профессионалами, обеспечивает скорость последовательного чтения до 10 300 Мбайт/с и последовательную запись со скоростью до 8600 Мбайт/с. US85 доступен в вариантах ёмкостью 1 и 2 Тбайт.

Посетители стенда также могли увидеть серию премиальной памяти XPower Storm DDR5 RGB с поддержкой XMP и EXPO для игровых ПК, которая поставляется в виде модулей ёмкостью 16 и 32 Гбайт, а также наборов ёмкостью 32 Гбайт (2× 16 Гбайт) и 64 Гбайт (2× 32 Гбайт). Заявленный диапазон скорости передачи данных — от 6000 до 8000 МТ/с, задержка — от CL28 до CL38 при напряжении до 1,45 В.

Кроме того, на стенде демонстрировалась серия флеш-памяти среднего уровня XPower Zenith DDR5 с поддержкой скорости от 5200 до 6000 МТ/с при напряжении 1,25–1,35 В. Память выпускается в виде модулей емкостью 16 и 32 Гбайт, а также наборов ёмкостью 32 Гбайт (2× 16 Гбайт) и 64 Гбайт (2× 32 Гбайт).

XPower Cyclone — память DDR5 OC для энтузиастов. Вариант без CKD (UDIMM) имеет частоту до DDR5-8000, а варианты CKD (CUDIMM) — вплоть до DDR5-9200 с задержкой CL44-56-56-134 и напряжением 1,35 В. Обе версии поддерживают динамическую RGB-подсветку. Усовершенствованный алюминиевый радиатор толщиной 2 мм позволяет снизить нагрев до 10 °С. XPower Cyclone найдёт применение при запуске требовательных игр, работе в режиме многозадачности и при создании различного видеоконтента.

Также экспозиция компании включала память XPOWER Pulse DDR5 для игровых ПК со скоростью до 6400 MT/с с таймингами CL40, CL38, CL36, CL32 или CL30, выпускаемая в версиях 16 и 32 Гбайт.

В числе новинок Silicon Power в категории памяти на стенде демонстрировались карты Inspire microSDXC на базе флеш-памяти 3D TLC NAND, соответствующие классу скорости UHS-I U3 и V30 для записи видео с высоким разрешением 4K. Карты Inspire с поддержкой скорости последовательного чтения до 170 Мбайт/с и скорости записи до 160 Мбайт/с позиционируются производителем как решение, которое идеально подходит для приложений, требующих высокоскоростной обработки данных — от захвата видео сверхвысокой чёткости с разрешением 4K на дронах и экшн-камерах до поддержки мобильных игр и создания профессионального контента на портативных игровых консолях. Карты памяти Silicon Power Inspire microSDXC доступны в вариантах объёмом 128, 256, 512 Гбайт и 1 Тбайт

Наконец, Silicon Power продемонстрировал на Computex 2025 свои продвинутые решения SP Industrial, предназначенные для хранения и обработки данных для периферийных вычислений и автоматизации промышленности, обеспечивающие эффективность, надежность и быстродействие в реальном времени для индустрии 4.0.

По данным южнокорейского ресурса The Elec, компания Samsung Electronics со следующего месяца прекратит поставки твердотельной памяти типа MLC, сосредоточившись на более современных TLC и QLC. Впрочем, некоторые источники предполагают, что для нужд рынка автомобильной электроники Samsung продолжит поставлять MLC из накопленных запасов.

Источник изображения: Samsung Electronics

В любом случае, отпускные цены на память этого типа вырастут, о чём клиентов Samsung тоже уведомили. Для некоторых из них данные шаги станут серьёзной проблемой. Например, LG Display в поставках MLC для нужд выпуска крупноформатных OLED-панелей на две трети зависит от Samsung. Если последняя свернёт отгрузку микросхем памяти этого типа, единственным поставщиком MLC для LG Display останется компания Kioxia. Пусть и не самая современная, память типа MLC обладает приличным ресурсом долговечности, и в некоторых сферах применения она до сих пор востребована.

Впрочем, по данным исследования Mordor Intelligence, в прошлом году на рынке твердотельной памяти доминировала TLC с долей более 62 %, а MLC от силы могла довольствоваться несколькими процентами рынка. Доля Samsung в сегменте MLC вообще была минимальной, поэтому её отказ от выпуска данной продукции является предсказуемым шагом, особенно с учётом усилий руководства по оптимизации операционной деятельности.

На выставке Computex 2025 производители материнских плат подтвердили, что платформы AMD Socket AM5 уже способны запускать модули оперативной памяти CUDIMM, однако пока лишь в так называемом обходном режиме (bypass mode). Полноценная поддержка этих модулей станет возможной только с выходом новых процессоров, сообщает ComputerBase.

Источник изображений: ComputerBase.de

Модули памяти CUDIMM отличаются от обычных наличием встроенного тактового генератора (CKD), который позволяет ОЗУ работать стабильнее на высоких частотах. Самыми быстрыми модулями памяти DDR5 являются именно модули CUDIMM. Если речь идёт о модуле памяти со скоростью 9000 МТ/с и выше, то CUDIMM становится единственным выбором. (Если не брать в расчёт новый формат памяти CAMM2, который также позволяет производить более скоростные модули памяти, но требует изменения конструкции материнских плат).

В настоящий момент модули памяти CUDIMM DDR5 сертифицированы и официально поддерживаются только платформой Intel Arrow Lake. В ней реализована поддержка DDR5-6400 CUDIMM без разгона, чего не позволяет добиться обычная UDIMM-память (она ограничена режимом DDR5-5600).

В платформе AMD ситуация иная. В составе процессоров AMD Ryzen 9000 используется чиплет ввода-вывода (I/O Die) со старым контроллером памяти, который применялся ещё в составе чипов предыдущего поколения Ryzen 7000. Именно это накладывает ограничение на использование памяти CUDIMM с платформой Socket AM5. Поддержки таких модулей памяти в актуальной версии контроллера попросту не предусмотрено изначально. При этом демонстрации работы модулей CUDIMM с высокой частотой на платформе AMD проводятся только с процессорами Ryzen 8000, которые имеют монолитную конструкцию и стабильнее работают со скоростной памятью.

Загрузка модулей CUDIMM на платформе AMD

Многие производители материнских плат выпустили свежие прошивки BIOS, которые позволяют использовать модули CUDIMM на платформе AMD Socket AM5, но лишь в так называемом обходном режиме. Эти прошивки позволяют отключить встроенный тактовый генератор модулей CUDIMM и взаимодействовать с ОЗУ, как с обычными модулями UDIMM. Однако следующее поколение процессоров AMD, вероятно, получит новый чиплет ввода-вывода и, соответственно, новый контроллер памяти, который позволит полноценно использовать память CUDIMM.

Производители плат пока не готовы говорить о том, какую скорость модулей CUDIMM будут поддерживать будущие процессоры AMD. Однако намёк на это может скрываться в анонсе новых высокопроизводительных процессоров Ryzen Threadripper Pro 9000 — они поддерживают память RDIMM DDR5-6400 ECC, которая как и CUDIMM, имеет встроенный тактовый генератор.

Согласно новому отчёту TrendForce, устойчивые инвестиции в ИИ со стороны ведущих североамериканских облачных провайдеров (CSP) должны привести к значительному росту спроса на корпоративные твердотельные накопители (SSD) в III квартале 2025 года. На рынке SSD ожидается переход к дефициту: уровень складских запасов остаётся низким, что создаёт предпосылки для возможного роста цен в том числе и в потребительском сегменте — до 10 % в квартальном исчислении.

Источник изображения: Marc PEZIN / Unsplash

TrendForce отмечает, что в начале 2025 года поставщики NAND придерживались осторожной стратегии производства, стремясь постепенно восстановить баланс между спросом и предложением. Однако введение в США новых тарифов в начале апреля этого года нарушило рыночную динамику II квартала и вызвало колебания цен. Несмотря на то что некоторые производители персональных компьютеров (ПК) ускорили отгрузки во II квартале, это не привело к существенному увеличению совокупного спроса на потребительскую продукцию на основе NAND-памяти. Одновременно продолжающееся снижение активности в розничном сегменте побудило поставщиков ужесточить контроль над производственными мощностями.

Рост цен на NAND-память во II–III кварталах 2025 года на 3–10 % из-за увеличения спроса на SSD. Источник изображения: TrendForce

Однако в последнее время наблюдается рост совокупного спроса на устройства хранения данных. Этот подъём частично обусловлен поставками высокопроизводительных ИИ-серверов, таких как NVIDIA GB200, а также увеличением заказов на жёсткие диски (HDD) с начала текущего года. Всё это свидетельствует о более широком тренде на расширение корпоративной IT-инфраструктуры. Как SSD, так и HDD, вероятно, выиграют от роста капитальных расходов предприятий: облачные провайдеры продолжают активно внедрять серверные решения, что приводит к росту объёмов заказов.

Компания V-Color привезла на Computex 2025 ряд интересных новинок. Одними из них являются модули памяти XFinity Manta DDR5 со встроенными ЖК-дисплеями размером около 1 дюйма. На эти экраны выводится информация о модуле: рабочее напряжение, температура, частота, тайминги, информация о ёмкости модуля и т.д.

Источник изображений: TechPowerUp

Насколько это всё практично — вопрос. Обычно пользователь видит лишь верхний торец модуля памяти, установленного в ПК, а не его боковую сторону, на которой, собственно, и расположен экран.

Производитель представил несколько модулей памяти с ЖК-экраном: DDR5-7800 CL38 с рабочим напряжением 1,4 В, DDR5-8000 CL38 с напряжением 1,35 В (оба ёмкостью 24 Гбайт), а также DDR5-6400 CL32 объёмом 32 Гбайт, DDR5-6000 CL28 объёмом 48 Гбайт и DDR5-7200 CL36 на 48 Гбайт— все с рабочим напряжением 1,4 В. Планки на 32 и 48 Гбайт, скорее всего, двухранговые.

Также на выставке показали двухканальный комплект DDR5-8000 CL44 объёмом 64 Гбайт (2 × 32 Гбайт, 1,4 В). Учитывая высокую скорость указанного комплекта, в нём, вероятно, используются одноранговые модули памяти или же они оснащены собственным тактовым генератором CKD.

Ещё примерами модулей высокой плотности являются XPrism DDR5-9600 CL48 с напряжением 1,45 В и объёмом 32 Гбайт, а также XSky ROG DDR5-8800 CL42 с напряжением 1,45 В и объёмом 24 Гбайт.

Производитель также показал разгоняемые модули памяти R-DIMM с RGB-подсветкой. Они оснащены хромированными радиаторами и пластиковыми ARGB-рассеивателями. V-Color позиционирует эти модули для рабочих станций и высокопроизводительных ПК на платформах Ryzen Threadripper или Xeon W.

Компания показала в качестве примера рабочую станцию, оснащённую памятью DDR5-6000 OC R-DIMM общим объёмом 128 Гбайт (8 × 16 Гбайт), процессором Threadripper PRO 7965WX, СЖО V-color XFution с поддержкой процессорного разъёма AMD Socket TR5, а также материнской платой Gigabyte TRX50 AI TOP в корпусе Cooler Master MasterFrame 600.

SK hynix объявила о разработке модулей памяти UFS 4.1 на основе самых высоких в мире 321-слойных ячеек памяти 3D NAND (или 4D NAND в терминологии самой компании). Эти модули предназначены для использования во встроенных накопителях мобильных устройств.

Источник изображения: skhynix.com

Для обеспечения стабильной работы систем искусственного интеллекта на мобильных устройствах требования к высокой производительности и низкому энергопотреблению памяти NAND постоянно возрастают, отметили в компании. Оптимизированные под ИИ-нагрузки компоненты UFS 4.1 должны помочь SK hynix укрепить позиции на рынке памяти для флагманских смартфонов.

Модули нового поколения обеспечивают прирост энергоэффективности на 7 % по сравнению с предыдущей версией, основанной на 238-слойных чипах NAND. Кроме того, их толщина уменьшена с 1 до 0,85 мм, что соответствует актуальному тренду на сверхтонкие смартфоны. Скорость передачи данных для новых модулей SK hynix UFS 4.1 достигает 4300 Мбайт/с — это самый высокий показатель последовательного чтения среди компонентов четвёртого поколения UFS. Показатели случайного чтения и записи, критически важные для многозадачности, увеличились на 15 % и 40 % соответственно.

Массовые поставки модулей UFS 4.1 нового образца SK hynix планирует начать в первом квартале следующего года. Они будут доступны в вариантах объёмом 512 Гбайт и 1 Тбайт.