Опрос
|
реклама
Быстрый переход
Во втором квартале после обретения независимости SanDisk показала рост выручки и прибыли
15.08.2025 [11:13],
Алексей Разин
Отделение от Western Digital, как можно помнить, принесло SanDisk вместе с независимостью и убыток в размере $103 млн, который был вызван переоценкой так называемой деловой репутации (goodwill). Во втором квартале на финансовые результаты деятельности SanDisk этот фактор уже не влиял, и она выступила более удачно с точки зрения динамики выручки и прибыли.  В частности, совокупная выручка компании во втором квартале выросла на 8 % в годовом сравнении до $1,9 млрд, а последовательно она увеличилась на 12 %. Операционные расходы хоть и выросли на несколько процентов до $402 млн, сильно навредить норме прибыли не смогли, и так последовательно выросла на 3,7 процентных пункта до 26,4 %. Впрочем, за год до этого данный показатель достигал более приличных 36,4 %, так что простор для улучшения есть. Операционная прибыль компании в прошлом квартале, который стал заключительным в 2025 фискальном году, сократилась год к году на 61 % до $100 млн, но выросла в пятьдесят раз последовательно.  Структура выручки SanDisk такова, что компания более чем на половину зависит от клиентского сегмента, где она в минувшем квартале выручила $1,1 млрд, однако на этом направлении выручка выросла последовательно сразу на 19 %. Этому во многом способствовала подготовка рынка ПК к завершению поддержки Windows 10 и сопутствующий рост спроса. Впрочем, рынок смартфонов и рост популярности ПК с поддержкой локального ускорения ИИ тоже сделали свой вклад в положительную динамику выручки. В сегменте потребительской электроники выручка последовательно увеличилась на 2 % до $585 млн. Наконец, в облачном сегменте выручка компании последовательно выросла на 8 % до $213 млн, но доля этого направления в натуральном выражении достигла 12 %, поэтому значение серверного сегмента для бизнеса компании продолжит расти в ближайшее время. Тем более, что серверные системы с ускорителями Nvidia GB300 в своём составе, например, оснащаются твердотельными накопителями SanDisk. В целом по компании средняя цена реализации продукции увеличилась по итогам прошлого квартала примерно на 5 %, таким же оказался и прирост объёмов поставок в ёмкостном выражении. Сверхскоростная флеш-память вместо HBM: SanDisk и SK hynix объединились для революции в ИИ-ускорителях
07.08.2025 [10:19],
Геннадий Детинич
Один из вариантов будущей революции в мире ускорителей вычислений и искусственного интеллекта сегодня обрёл ясные очертания. Переворот начнётся осенью 2026 года, а взрывное расширение возможностей ИИ последует за ним в 2027 году. Двигателем революции названа компания SanDisk, которая теперь начнёт работать над планами будущей экспансии в тесной кооперации с компанией SK hynix. 
Источник изображений: SanDisk Ломать устоявшиеся правила на рынке ИИ-ускорителей SanDisk намерена с помощью нового типа флеш-памяти — HBF (High Bandwidth Flash). Анонс технологии состоялся в феврале 2025 года. Основная идея заключается в многократном увеличении объёма памяти ускорителей по сравнительно доступной цене. Не секрет, что плотность записи чипов NAND-флеш растёт кратно быстрее ёмкости чипов DRAM и HBM, как одной из её разновидностей. Этому способствует запись нескольких бит в каждую ячейку и многослойная (стековая) структура NAND. Память HBM пока не производится с подобной архитектурой. Вся её многослойность — это простое нагромождение довольно крупных кристаллов. Поэтому замена в ускорителях памяти HBM на память HBF позволит настолько сильно увеличить бортовую память ИИ-модулей, что в каждый из них можно будет загружать полноценную большую языковую модель, не используя для этого оперативную память, SSD, HDD и шины данных ускорителя. Также можно ожидать, что переход с оперативной памяти на флеш-память в ИИ-ускорителях позволит снизить энергопотребление соответствующих дата-центров: флеш-памяти не требуется питание для удержания данных и энергия для регенерации ячеек.  В компании SanDisk уже решили, как будут преодолевать главное ограничение флеш-памяти в качестве замены оперативных блоков DRAM — высокие задержки (с пропускной способностью, как раз, всё хорошо). Для этого массив HBF будет разбит на множество небольших областей, что, по сути, будет означать ввод в обиход очень широкой шины данных. Например, шириной 32 768 бит, как предлагает другая компания с такими же революционными амбициями — NEO Semiconductor. Ранее в качестве примера SanDisk приводила сравнение современного объёма HBM в GPU в случае замены на HBF: это приведёт к 8–16-кратному увеличению объёма бортовой памяти ускорителей при тех же затратах на производство. Например, в случае HBF произойдёт замена каждого стека HBM объёмом 24 Гбайт на стек HBF ёмкостью 512 Гбайт. Таким образом, при полной замене HBM ускоритель сможет нести на борту 4 Тбайт памяти, что позволит полностью загрузить большую языковую модель Frontier с 1,8 трлн параметров размером 3,6 Тбайт. Партнёрство с SK hynix, о котором компании сообщили вчера, ускорит вывод новой разработки на рынок и позволит распространить её среди разработчиков ИИ-ускорителей. Также в этом помогут авторитетные лидеры в мире IT, в частности, Раджа Кодури (Raja Koduri), который около двух недель назад согласился войти в технический совет по продвижению памяти HBF в отрасли.  По словам SanDisk, первые образцы памяти HBF будут доступны для получения осенью 2026 года, а первые продукты с ней выйдут в начале 2027 года. Это перевернёт мир ИИ-ускорителей, уверены в SanDisk. «Продажи HBM от Samsung достигли дна»: SK hynix стала крупнейшим производителем памяти в мире
31.07.2025 [14:29],
Анжелла Марина
SK hynix впервые обошла Samsung Electronics по объёму выручки от производства памяти, став крупнейшим в мире поставщиком, сообщает Bloomberg. Это произошло на фоне роста спроса на компоненты для систем искусственного интеллекта, где позиции SK hynix оказались более сильными. 
Источник изображения: SK hynix Выручка Samsung от продаж компьютерной памяти, включая DRAM и NAND, за период с апреля по июнь составила 21,2 триллиона вон (около $15,2 млрд), что ниже, чем 21,8 триллиона вон, зафиксированных у SK hynix неделей ранее. Основной вклад в успех компании, базирующейся в Ичхоне (Южная Корея) внесла высокопроизводительная память HBM (High-Bandwidth Memory), используемая в ИИ-чипах. По данным аналитической компании Counterpoint Research, доля SK hynix на рынке HBM достигла 62 %, в то время как Samsung контролирует лишь 17 % этого сегмента и до сих пор не получила одобрения от Nvidia на поставку своей самой передовой версии HBM. 
Источник изображения: Bloomberg МС Хван (MS Hwang), директор по исследованиям в Counterpoint, отметил, что траектории роста двух южнокорейских производителей начали расходиться в первой половине 2024 года на фоне повышенного спроса на продукцию Nvidia и связанную с ней память HBM. Он также указал, что падение продаж HBM у Samsung, вероятно, замедлилось. «Новость заключается в том, что продажи HBM-памяти Samsung, похоже, достигли своего дна», — сказал Хван. Для справки: HBM — это технология вертикального объединения нескольких слоёв DRAM, обеспечивающая высокую пропускную способность. Сегодня HBM рассматривается как критически важная составляющая для производительности современных компьютеров и серверов. V-Color представила комплекты памяти DDR5 для Ryzen Threadripper Pro 9000 — до 2 Тбайт и до 8200 МТ/с
29.07.2025 [16:27],
Николай Хижняк
Компания V-Color представила комплекты оперативной памяти DDR5 RDIMM большой ёмкости, сертифицированные специально для новой платформы AMD Ryzen Threadripper Pro 9000, предназначенной для построения высокопроизводительных рабочих станций. Новые комплекты памяти V-Color поддерживают скорость до 8200 МТ/с и представлены модулями объёмом от 16 до 256 Гбайт. 
Источник изображений: V-Color Производитель анонсировал как четырёхканальные комплекты памяти общим объёмом 64 Гбайт (четыре планки по 16 Гбайт), 96 Гбайт (4 × 24), 128 Гбайт (4 × 32), 192 Гбайт (4 × 48), 256 Гбайт (4 × 64), 384 Гбайт (4 × 96), 512 Гбайт (4 × 128) и 1 Тбайт (4 × 256), так и восьмиканальные комплекты объёмом до 2 Тбайт. Все комплекты обеспечивают скорость от 6400 до 8200 МТ/с. Подробнее — в таблице ниже.  Компания уточняет, что новинки будут доступны как с RGB-подсветкой, так и без неё. Все комплекты поддерживают разгон. В качестве примера V-Color привела результаты тестирования комплекта DDR5-8200 объёмом 192 Гбайт в сочетании с 64-ядерным процессором Ryzen Threadripper Pro 9985WX. Память работала при таймингах CL38-52-52-126. 
 Комплекты оперативной памяти V-Color DDR5 RDIMM объёмом до 2 Тбайт для процессоров Ryzen Threadripper Pro 9000 WX поступят в продажу в третьем квартале этого года. Стоимость производитель не уточняет. SK Hynix запустит производство чипов GDDR7 ёмкостью 3 Гбайт — идеально для GeForce RTX 50 Super
26.07.2025 [00:28],
Николай Хижняк
Компания SK hynix сообщила о подготовке к выпуску чипов памяти GDDR7 большой ёмкости к концу текущего года. На недавней пресс-конференции, посвящённой финансовым результатам, компания заявила об увеличении максимальной ёмкости стека памяти GDDR7 с 16 Гбайт (2 Гбайт на чип) до 24 Гбайт (3 Гбайт на чип). Хотя заявление производителя касалось графических ускорителей для ИИ, также имеется потенциал использования таких чипов в видеокартах потребительского уровня. 
Источник изображения: SK hynix Больший объём видеопамяти не обязательно означает более высокую производительность. Однако в последние годы стало ясно, что наличие всего 8 или даже 12 Гбайт памяти в видеокарте потребительского уровня недостаточно для многих современных игр, особенно при использовании более высоких разрешений и новых технологий вроде трассировки лучей. Кроме того, инструменты генеративного ИИ становятся всё более распространёнными в творческих и офисных рабочих процессах и значительно выигрывают от увеличения объёма видеопамяти. С практической точки зрения, использование чипов памяти ёмкостью 3 Гбайт также может снизить стоимость производства видеокарт в целом — и не только решений флагманского уровня, но и моделей среднего ценового сегмента. Более ёмкие чипы памяти GDDR7 способны потенциально упростить сборку видеокарт с общим объёмом памяти 24 Гбайт, ведь для этого потребуется всего 8 чипов памяти вместо 12. В свою очередь это также должно снизить энергопотребление видеокарт, их нагрев и конечную стоимость. Планы SK hynix по выпуску модулей памяти GDDR7 большей ёмкости совпадают с давно циркулирующими слухами о потенциальном релизе потребительских видеокарт Nvidia GeForce RTX 50 Super. Согласно последним сообщениям различных источников, карты серии RTX 50 Super получат 18 Гбайт (RTX 5070 Super) и 24 Гбайт (RTX 5080 Super) видеопамяти. Новые микросхемы GDDR7 от SK hynix ёмкостью 3 Гбайт могли бы оказаться весьма уместными, особенно если Nvidia захочет избежать установки дополнительных чипов памяти на обратной стороне печатных плат. Примечательно, что память GDDR7 от SK hynix Nvidia начала использовать лишь недавно — в текущем поколении видеокарт серии RTX 50. Конечно, ничто из описанного выше, за исключением заявления самой SK hynix, не является официальной информацией. Nvidia пока не анонсировала карты Super в рамках поколения потребительских видеокарт серии Blackwell. И даже если это произойдёт, нет гарантии, что компания действительно решит использовать во всех обновлённых моделях чипы памяти большей ёмкости. Помимо новостей о GDDR7, SK hynix также сообщила о расширении своего портфолио памяти в ответ на растущие требования в области ИИ. Компания готовит чипы LPDDR следующего поколения для серверов, которые обеспечат энергоэффективную передачу данных в ИИ-сценариях и центрах обработки данных. Производитель также продолжает лидировать в сфере выпуска памяти с высокой пропускной способностью (HBM) и недавно наладил массовое производство 12-слойной памяти HBM3E. До конца года SK hynix планирует представить память HBM4. Кроме того, компания собирается во второй половине этого года выпустить новые твердотельные накопители корпоративного класса на базе 321-слойных чипов флеш-памяти NAND. Kioxia начала поставки образцов более быстрых 218-слойных чипов TLC-флеш-памяти BiCS 9
25.07.2025 [19:22],
Николай Хижняк
Компания Kioxia объявила о начале поставок образцов чипов флеш-памяти с трёхбитовыми ячейками (TLC) объёмом 512 Гбит, в которых используется технология BiCS Flash 9-го поколения. Массовое производство этих чипов памяти планируется начать в 2025 финансовом году. 
Источник изображения: Kioxia Компания отмечает, что её новое решение предназначено для приложений, требующих высокой производительности и исключительной энергоэффективности в системах хранения данных низкого и среднего уровня. Новые чипы памяти также будут использоваться в составе корпоративных твердотельных накопителей Kioxia, в частности, в тех, которые предназначены использования в составе систем искусственного интеллекта. Новые чипы памяти BiCS Flash 512 Gb TLC 9-го поколения, как и 8 поколение, имеют 218 слоёв и производятся стекированием 120-слойных кристаллов на основе технологии BiCS Flash 5-го поколения. Однако в них в логическом слое реализации интерфейса используется новая технология производства. За счёт этого они демонстрируют значительное повышение производительности по сравнению с существующими продуктами BiCS Flash 6-го поколения той же ёмкости 512 Гбит. Новые чипы:
Использующаяся в них технология Toggle DDR 6.0 обеспечивает производительность интерфейса NAND на уровне 3,6 Гбит/с на контакт. А благодаря планарному масштабированию плотность чипов удалось увеличить на 8 % по сравнению с продуктами предыдущего поколения. Дополнительно Kioxia сообщает, что в рамках демонстрационных испытаний от чипов BiCS Flash 512 Gb TLC 9-го поколения удалось добиться скорости интерфейса NAND в 4,8 Гбит/с. Продуктовая линейка на основе таких решений будет определяться рыночным спросом. TeamGroup представила предназначенные для Ryzen комплекты DDR5 объёмом 256 Гбайт
25.07.2025 [18:41],
Николай Хижняк
Компания TeamGroup представила комплект оперативной памяти T-Force Delta RGB DDR5-6000 объёмом 256 Гбайт, состоящий из четырёх модулей ОЗУ ёмкостью 64 Гбайт каждый. 
Источник изображений: TeamGroup В отличие от ранее представленного компанией G.Skill комплекта памяти DDR5-6400 объёмом 512 Гбайт (8 модулей по 64 Гбайт), предназначенного для процессоров Ryzen Threadripper Pro 9000 для рабочих станций, комплект TeamGroup прошёл проверку на потребительской платформе AMD X870.  Производитель заявляет для модулей памяти T-Force Delta RGB DDR5-6000 тайминги CL32-44-44-96. Память протестирована утилитой RunMemTestPro на материнской плате Asus ROG Strix X870-F Gaming WiFi в сочетании с процессором Ryzen 7 9800X3D.  TeamGroup также сообщила о выпуске комплекта памяти T-Create Expert DDR5-5600 объёмом 256 Гбайт (4 модуля по 64 Гбайт). По словам производителя, он предназначен для создателей цифрового контента, которым требуется большой объём ОЗУ для монтажа и редактирования 4K/8K-видео, профессионального 3D-рендеринга и интенсивной многозадачности.  Комплекты памяти T-Force DDR5-6000 и T-Create DDR5-5600 объёмом 256 Гбайт поступят в продажу в начале сентября этого года. Производитель не уточнил стоимость представленных решений. G.Skill представила 512-Гбайт комплект оперативной памяти DDR5-6400 для самых мощных Ryzen
24.07.2025 [12:15],
Николай Хижняк
Компания G.Skill представила комплект оперативной памяти T5 Neo DDR5-6400 RDIMM объёмом 512 Гбайт, состоящий из восьми модулей по 64 Гбайт каждый. По заявлению производителя, комплект специально оптимизирован для новых процессоров AMD Ryzen Threadripper Pro 9000 и материнских плат с чипсетом AMD WRX90. 
Источник изображений: G.Skill В основе модулей памяти T5 Neo DDR5-6400 RDIMM используется 16-слойный текстолит, что повышает надёжность передачи сигнала в условиях высоких нагрузок. Модули поддерживают профили разгона AMD EXPO. Каждый модуль серии G.Skill T5 Neo DDR5 RDIMM оснащён двумя двунаправленными TVS-диодами и предохранителем, которые обеспечивают стабильное напряжение и защищают устройство от перепадов.  Для представленных модулей заявлены тайминги CL38-48-48-102. Комплект успешно прошёл проверку в приложении Memtest на материнской плате ASUS Pro WS WRX90E-SAGE SE в сочетании с процессором Ryzen Threadripper Pro 9945WX.  В продажу комплект G.Skill T5 Neo DDR5-6400 RDIMM объёмом 512 Гбайт поступит в августе. Стоимость производитель пока не раскрыл. Micron выпустила первую в мире флеш-память SLC NAND для космических ЦОД — она не боится радиации, вакуума и мороза
23.07.2025 [17:47],
Геннадий Детинич
Компания Micron сообщила о выпуске первых в индустрии 256-гигабитных чипов SLC NAND для работы в условиях космоса. Эти микросхемы устойчивы к радиации, низким температурам и вакууму. Подобную память никто в мире больше не производит. По крайней мере, в промышленных масштабах. Новые чипы имеют высочайшую в своём классе плотность и позже будут дополнены «космическими» чипами памяти NAND, NOR и DRAM. 
Источник изображений: Micron Как справедливо отмечают в Micron, космическая экономика стремительно растет, чему способствует быстрый рост числа коммерческих и государственных миссий. Параллельно по мере развития вычислительной техники и искусственного интеллекта растет спрос на высокопроизводительные технологии обработки данных, способные работать непосредственно на орбите. Это поможет преобразовать космические операции: датчики космического корабля смогут анализировать данные, обнаруживать аномалии и принимать решения автономно, снижая зависимость от наземных систем и экономя на трафике для связи с Землёй. «Поскольку мы расширяем границы вычислительной техники в космосе, для хранения и обработки данных необходима радиационно-устойчивая память Micron, — сказал Крис Бакстер (Kris Baxter), вице-президент и корпоративный генеральный менеджер подразделения Micron по встраиваемым устройствам и автомобилестроению. — По мере расширения операций с искусственным интеллектом в космосе — от автономной навигации до анализа в режиме реального времени — Micron уделяет всё большее внимание предоставлению решений, обеспечивающих устойчивость и интеллект, необходимые для аэрокосмических миссий следующего поколения». Для подтверждения соответствия новой памяти требованиям аэрокосмической отрасли, представленные Micron чипы были испытаны по протоколам NASA PEM-INST-001 Level 2 flow и военному стандарту США MIL-STD-883 TM1019 condition D. В первом случае была проведена годичная проверка компонентов, включая циклирование при экстремальных температурах, 590 часов проверок дефектов и динамическую проверку надёжности для обеспечения возможности космических полетов. Военный стандарт проверял память Micron на устойчивость к дозам ионизирующего излучения. Стандарт измеряет совокупное количество гамма-излучения, которое изделие может поглощать и оставаться функциональным в стандартных условиях эксплуатации на орбите. Это измерение является критически важным для определения жизненного цикла памяти.  Наконец, «космическая» NAND-память Micron прошла испытание на воздействие единичного события (SEE), что соответствует стандартам ASTM F1192 Американского общества по испытаниям и материалам и спецификациям JESD57 Совета по разработке электронных устройств (JEDEC). Тестирование SEE оценивает воздействие высокоэнергетических частиц на полупроводники и подтверждает, что компоненты могут безопасно и надёжно работать в суровых радиационных условиях, снижая риск сбоя миссии. Расширение линейки чипов памяти SLC NAND и поставка иных видов памяти, включая оперативную, произойдёт в следующем году и в дальнейшем портфель этой продукции продолжит расширяться, чтобы удовлетворить любой спрос. SK hynix и Samsung передумали останавливать выпуск резко подорожавшей памяти DDR4
17.07.2025 [13:05],
Николай Хижняк
Южнокорейские производители микросхем памяти SK hynix и Samsung Electronics приостановили свои планы по постепенному отказу от производства чипов DDR4. Компании будут продолжать поставки этого вида микросхем до тех пор, пока закупочные цены на них не станут существенно ниже цен на DDR5, передаёт издание DigiTimes. 
Источник изображения: SK hynix В конце прошлого месяца сообщалось о резком росте спотовых цен на чипы памяти DDR4 DRAM. На фоне увеличившегося спроса из-за опасений, связанных с американскими таможенными тарифами, цены на DDR4 почти вдвое превысили стоимость чипов DDR5. Всё это сопровождалось заявлениями ведущих производителей микросхем на Тайване и в Южной Корее о планах поэтапного отказа от этого стандарта и стремлении реализовать накопленные запасы для удовлетворения остаточного спроса. Почти десятилетнее присутствие стандарта DDR4 на рынке, начавшееся с выходом процессоров Intel Core 6-го поколения (Skylake) в 2013 году и продолжавшееся до появления процессоров Core 14-го поколения (Raptor Lake Refresh), а также процессоров AMD Ryzen под сокет AM4, привело к тому, что на рынке оказалось слишком много устройств с памятью DDR4 и пользователей, желающих её обновить. По данным Digitimes, хотя SK hynix и Samsung Electronics намерены продолжить выпуск чипов DDR4, объёмы производства будут «балансировать на грани срыва поставок», чтобы избежать повторного переполнения складов. Установлен новый рекорд разгона оперативной памяти — 12 872 МТ/с
15.07.2025 [11:12],
Николай Хижняк
Компания G.Skill похвасталась установкой нового мирового рекорда разгона оперативной памяти. Его автором стал французский оверклокер под псевдонимом bl4ckdot. Он разогнал модуль памяти G.Skill Trident Z5 DDR5 объёмом 24 Гбайт до скорости 12 872 МТ/с. 
Источник изображений: G.Skill Компания отмечает, что в составе разогнанного модуля используются высокопроизводительные чипы памяти SK hynix DDR5. Разгон проводился на материнской плате ASUS ROG Maximus Z890 Apex с процессором Intel Core Ultra 9 285K. Для охлаждения использовался жидкий азот.  Результат разгона модуля ОЗУ до DDR5-12872 был зафиксирован платформами валидации HWBOT и CPU-Z. Добавим, что предыдущий рекорд разгона оперативной памяти составлял 12 842 МТ/с, и был установлен с помощью модулей Corsair Vengeance. 
Источник изображения: HWBOT  С каждым новым рекордом скорость памяти DDR5 становится ближе к психологической отметке 13 000 МТ/с. JEDEC утвердила стандарт LPDDR6 — быстрее, эффективнее и с улучшениями для ИИ
09.07.2025 [19:57],
Николай Хижняк
Ассоциация JEDEC Solid State Technology объявила о публикации стандарта памяти LPDDR6 (JESD209-6). По словам представителей ассоциации, стандарт JESD209-6 LPDDR6 представляет собой значительный шаг вперёд в технологиях памяти, обеспечивая повышенную производительность, энергоэффективность и безопасность. 
Источник изображения: VideoCardz / JEDEC Для поддержки приложений искусственного интеллекта и других высокопроизводительных рабочих нагрузок LPDDR6 использует архитектуру с двумя подканалами, которая обеспечивает гибкую работу при сохранении малой гранулярности доступа — 32 байта. Кроме того, ключевыми особенностями LPDDR6 являются:
Для удовлетворения постоянно растущих требований к энергоэффективности LPDDR6 работает с источником питания VDD2 с пониженным напряжением и сниженным энергопотреблением по сравнению с LPDDR5, а также требует использования двух источников питания для VDD2. Дополнительные функции энергосбережения включают:
Улучшения безопасности и надёжности LPDDR6 по сравнению с LPDDR5 включают:
JEDEC отмечает, что интерес к производству и применению памяти LPDDR6 уже выразили такие компании, как MediaTek, Micron, Qualcomm Technologies, Samsung, SK hynix, Synopsys, Cadence, Advantest Corporation и Keysight Technologies. Kioxia начала тестировать быструю и эффективную память UFS 4.1 для смартфонов будущего
09.07.2025 [12:47],
Павел Котов
Kioxia объявила о начале испытаний флеш-накопителей Universal Flash Storage (UFS) версии 4.1. Память предназначена для работы на мобильных устройствах нового поколения, в том числе современных смартфонах с искусственным интеллектом — компоненты предлагают высокие производительность и энергоэффективность в упаковке BGA. 
Источник изображения: Kioxia Модули Kioxia UFS 4.1 объединяют инновационную флеш-память BiCS FLASH 3D и контроллер в упаковке, соответствующей стандарту JEDEC. Здесь используется память Kioxia BiCS FLASH 3D восьмого поколения, в которой реализована технология CBA (CMOS direct bonded to Array), предполагающая прямое подключение CMOS-схемы к массиву ячеек памяти. Это обеспечивает значительный прирост энергоэффективности, производительности и плотности. Память Kioxia UFS 4.1 доступна в вариантах ёмкостью 256 и 512 Гбайт и 1 Тбайт. Скорость случайной записи для чипов на 512 Гбайт и 1 Тбайт выросла на 30 %; случайной записи для чипов на 512 Гбайт — на 45 %, 1 Тбайт — на 35 %. Энергоэффективность при чтении данных для чипов на 512 Гбайт и 1 Тбайт выросла на 15 %; при записи для тех же чипов — на 20 %. Добавлены также два решения, оптимизирующие работу встроенных накопителей: очистка от мусора может инициироваться хост-системой, а не компонентом памяти, чтобы в процессе работа устройства в целом не замедлялась; есть возможность изменять размер буфера WriteBooster, благодаря чему можно добиться лучшей производительности. Наконец, производителю удалось уменьшить толщину чипа ёмкостью 1 Тбайт. G.Skill начала продажи комплектов DDR5-6000 256 Гбайт и DDR5-6400 128 Гбайт с низкими задержками для платформ AMD и Intel
09.07.2025 [10:48],
Николай Хижняк
Компания G.Skill сообщила о доступности комплектов разогнанной оперативной памяти большой ёмкости: DDR5-6000 объёмом 256 Гбайт (4 × 64 Гбайт) и DDR5-6400 объёмом 128 Гбайт (2 × 64 Гбайт). Новые комплекты разработаны для высокопроизводительных вычислений, создания контента, приложений искусственного интеллекта и профессиональных рабочих станций. Однако ничто не мешает использовать их и в составе мощных игровых ПК. 
Источник изображений: G.Skill Комплекты памяти G.Skill DDR5-6000 объёмом 128 и 256 Гбайт доступны с таймингами CL32-44-44, CL34-44-44 и CL36-44-44. В свою очередь комплект памяти DDR5-6400 объёмом 128 Гбайт предлагает тайминги CL36-44-44. Комплекты G.Skill DDR5-6000 поддерживают профили разгона AMD EXPO и будут предлагаться в виде модулей памяти серий Trident Z5 Neo RGB и Flare X5.  В свою очередь комплект DDR5-6400 объёмом 128 Гбайт прошёл проверку совместимости с платформами Intel и поддерживает профили разгона XMP 3.0.  Поддержка подобных комплектов оперативной памяти большой ёмкости потребует обновления BIOS материнских плат до последних версий, в которых реализована поддержка модулей ОЗУ объёмом 64 Гбайт.  Новые комплекты в ближайшее время поступят в продажу. Их стоимость компания G.Skill не раскрывает. G.Skill продемонстрировала в деле модуль памяти CAMM2 DDR5-10000
02.07.2025 [14:52],
Николай Хижняк
Компания G.Skill продолжает изучать разгонный потенциал нового формата оперативной памяти CAMM2 DDR5 и сообщила об успешном проведении тестов модуля CAMM2 объёмом 64 Гбайт в режиме DDR5-10000. Тестирование проводилось на модифицированной материнской плате Asus ROG Maximus Z890 Hero в сочетании с процессором Intel Core Ultra 7 265K. 
Источник изображений: G.Skill Производитель отмечает, что разогнанный модуль памяти CAMM2 DDR5-10000 успешно прошёл тест в программе Memtest. Память работала с задержками CL52-70-70-160 при напряжении 1,45 В.  Модули памяти формата CAMM2 обладают рядом преимуществ перед обычными модулями DIMM. Они занимают меньше места на материнской плате, поддерживают широкую шину памяти на одном модуле (один модуль может работать в двухканальном режиме, обеспечивая высокую пропускную способность), отличаются улучшенной целостностью сигналов, более высоким разгонным потенциалом и упрощённым охлаждением.  К сожалению, производители материнских плат пока не спешат переходить на новый формат ОЗУ. Платы с поддержкой модулей CAMM2 демонстрируются на различных выставках электроники, но в продаже практически не встречаются. Тем не менее, некоторые производители уже выпускают ноутбуки с поддержкой нового формата памяти. |
|
✴ Входит в перечень общественных объединений и религиозных организаций, в отношении которых судом принято вступившее в законную силу решение о ликвидации или запрете деятельности по основаниям, предусмотренным Федеральным законом от 25.07.2002 № 114-ФЗ «О противодействии экстремистской деятельности»; |
© 1997—2025 Электронное периодическое издание "3ДНьюс" | Свидетельство о регистрации СМИ Эл ФС 77-22224
выдано Федеральной Службой по надзору за соблюдением законодательства в сфере массовых коммуникаций и охране культурного наследия
При цитировании документа ссылка на сайт с указанием автора обязательна. Полное заимствование документа является
нарушением
российского и международного законодательства и возможно только с согласия редакции 3DNews.
MWC 2018
2018
Computex
IFA 2018
