Сегодня 27 мая 2024
18+
MWC 2018 2018 Computex IFA 2018
реклама
Теги → память
Быстрый переход

«Царь во дворца»: G.Skill представила флагманскую оперативную память Trident Z5 Royal DDR5

Компания G.Skill представила флагманскую серию оперативной памяти Trident Z5 Royal DDR5. Эти модули ОЗУ выделяются классическим премиальным дизайном, сочетающим радиаторы с зеркальным покрытием серебряного и золотого цветов, а также премиальной ARGB-подсветкой, оформленной в виде кристаллов.

 Источник изображений: G.Skill

Источник изображений: G.Skill

Производитель делает акцент на то, что каждый радиатор модуля памяти Trident Z5 Royal DDR5 вырезается из алюминия с помощью станка ЧПУ и проходит гальваническую обработку для придания знаменитого блеска, соответствующего высокому имени серии G.Skill Royal.

Память Trident Z5 Royal DDR5 разработана для разгона и будет выпускаться в виде двухканальных комплектов DDR5-8400 с таймингами CL40 общим объёмом 48 или 96 Гбайт. Соответственно наборы будут включать по два модуля на 24 и 48 Гбайт. Для новинок заявляется поддержка профилей разгона Intel XMP 3.0.

Управление ARGB-подсветкой модулей памяти Trident Z5 Royal можно осуществлять через фирменную утилиту G.Skill Trident Z Lighting Control или через популярное стороннее программное обеспечение для управления подсветкой материнской платы.

В продаже комплекты памяти G.Skill Trident Z5 Royal DDR5 появятся до конца текущего месяца. Стоимость ОЗУ не сообщается, но учитывая культовый статус серии, память будет недешёвой.

MSI захотела оснащать настольные ПК ноутбучными модулями памяти CAMM2

Для людей, не желающих видеть внутри системного блока ПК множество висящих проводов, компания MSI выпускает специальную серию материнских плат Project Zero с разъёмами на тыльной стороне, что позволяет скрыть большинство кабелей питания. Судя по всему, на этом развитие серии не остановится. MSI рассматривает возможность оснащения материнских плат Project Zero модулями памяти нового формата CAMM2, изначально разработанными для ноутбуков.

 Источник изображений: MSI

Источник изображений: MSI

Берущие начало из проприетарной разработки компании Dell модули оперативной памяти CAMM2 и LPCAMM2 были изначально созданы для использования в составе тонких и лёгких ноутбуков. Их основными преимуществами над стандартными модулями SO-DIMM и U-DIMM являются компактность, а также более высокая плотность и скорость памяти. При этом CAMM2 и LPCAMM2 сохраняют модульность, то есть возможность обновления. На рынке уже появились первые ноутбуки, которые оснащаются модулями памяти LPCAMM2, в которых используется энергоэффективная памяти LPDDR5X.

MSI рассматривает возможность использования модулей CAMM2 с настольными материнскими платами, а в перспективе также и энергоэффективных модулей LPCAMM2. Для реализации идеи она обратилась с предложением о сотрудничестве к Kingston Technology. Последняя ведёт разработку новой серии модулей ОЗУ Fury Impact CAMM2. Подробностей пока нет, но рассматривается возможность выпуска модулей памяти почти всех объёмов (32, 48, 64 и 96 Гбайт) с поддержкой большинства популярных стандартов памяти DDR5 — от DDR5-6000 до DDR5-8000.

TSMC будет выпускать основания для стеков HBM4 по 12- и 5-нм техпроцессам

Компания TSMC на конференции European Technology Symposium 2024 поделилась свежими деталями о ходе разработки чипов-оснований для высокопроизводительной памяти HBM4. Одной из ключевых особенностей новой технологии памяти станет переход с 1024-битного на 2048-битный интерфейс. Однако реализация этого потребует применения более передовых технологий упаковки, по сравнению с теми, что используются сейчас для производства и интеграции памяти HBM.

 Источник изображения: TSMC

Источник изображения: TSMC

В рамках своей презентации TSMC поделилась свежими деталями о чипах, которые лягут в основание стеков памяти HBM4. Компания собирается использовать для выпуска базовых чипов сразу два своих техпроцесса — N12FFC+ (12 нм) и N5 (5 нм). Каждый обладает своими достоинствами, но оба будут служить одной цели — интеграции высокоскоростной памяти HBM четвёртого поколения в состав будущих ИИ- и HPC-процессоров.

«Мы сотрудничаем с ключевыми партнёрами в разработке HBM-памяти (Micron, Samsung, SK Hynix) над передовыми узлами для полной интеграции стека HBM4. Базовый кристалл на основе экономичного техпроцесса N12FFC+ обеспечит прирост производительности HBM4, а базовый кристалл на основе N5 позволит размещать больше логических компонентов на чипе и снизить энергопотребление памяти», — отмечает компания.

Базовый кристалл памяти HBM4, изготовленный по технологии TSMC N12FFC+ (12-нм FinFet Compact Plus), будет использоваться для установки стеков памяти HBM4 на кремниевый переходник рядом с SoC. В TSMC отмечают, что N12FFC+ позволяет создавать стеки памяти в конфигурациях 12-Hi (двенадцать ярусов, 48 Гбайт) и 16-Hi (шестнадцать ярусов, 64 Гбайт) с пропускной способностью каждого стека более 2 Тбайт/с.

Базовые кристаллы HBM4 на техпроцессе N12FFC+ будут применяться для производства «систем в корпусе» (system-in-package, SiP) с использованием передовых технологий упаковки TSMC CoWoS-L или CoWoS-R. По данным TSMC, в настоящее время HBM4 может достигать скорости передачи данных до 6 ГТ/с при токе 14 мА.

«Мы также оптимизируем свои технологии упаковки CoWoS-L и CoWoS-R для HBM4. Они подразумевают использование более восьми уровней интерконнекта, чтобы обеспечить маршрутизацию более чем 2000 соединений в составе HBM4 с должной целостностью сигнала», — сообщила TSMC

Компания TSMC сотрудничает с EDA-партнёрами Cadence, Synopsys и Ansys над вопросами обеспечения целостности передачи сигналов, тепловой точности и снижения электромагнитных помех (EMI) в новых базовых кристаллах HBM4.

В качестве более продвинутой альтернативы TSMC сможет предложить для своих клиентов техпроцесс N5 для производства оснований для стеков памяти HBM4. Этот узел позволит размещать в составе стека HBM4 ещё больше логических компонентов, снизить энергопотребление памяти и ещё сильнее повысить её производительность. Но, возможно, самым важным преимуществом N5 является то, что он позволяет добиться очень малого шага межсоединений в составе HBM4, порядка 6–9 микрон. В свою очередь это позволит интегрировать кристаллы памяти HBM4 прямо поверх логических микросхем. Это должно увеличить производительность и пропускную способность памяти, что окажется полезным при производстве ИИ-чипов.

G.Skill представила комплекты памяти Ripjaws M5 RGB со скоростью до 6400 МТ/с и объёмом до 96 Гбайт

Компания G.Skill представила новую серию модулей оперативной памяти Ripjaws M5 RGB, которые сертифицированы для применения в системах на процессорах Intel. В неё вошли двухканальные комплекты ОЗУ общим объёмом до 96 Гбайт.

 Источник изображений: G.Skill

Источник изображений: G.Skill

На старте новой серии производитель сможет предложить комплекты памяти Ripjaws M5 RGB DDR5 со скоростью до 6400 МТ/с и таймингами CL32-39-39-102. На выбор будут доступны двухканальные комплекты общим объёмом 32 (2× 16) и 64 (2× 32), 96 (2× 48) Гбайт.

С полным списком доступных комплектов памяти G.Skill Ripjaws M5 RGB можно ознакомиться в таблице ниже. Для всех заявляется поддержка профилей разгона Intel XMP 3.0.

Новинки будут предлагаться с белыми или чёрными матовыми алюминиевыми радиаторами, оснащёнными RGB-подсветкой. Высота модулей памяти вместе с радиаторами составляет 41 мм.

В продаже модули ОЗУ Ripjaws M5 RGB появятся уже в этом месяце.

SK hynix представила флеш-память Zoned UFS (ZUFS) 4.0, оптимизированную для работы ИИ на мобильных устройствах

Компания SK hynix разработала новый тип мобильной флеш-памяти Zoned UFS (ZUFS) 4.0, предназначенный для ускорения выполнения задач, связанных с работой ИИ-алгоритмов на смартфонах и других мобильных устройствах.

 Источник изображения: SK hynix

Источник изображения: SK hynix

ZUFS 4.0 — это тип флеш-памяти NAND, которая оптимизирует управление данными на устройствах с технологиями искусственного интеллекта. Достигается это за счёт классификации и хранения данных, связанных с ИИ, в определённых зонах устройства хранения в соответствии с характеристиками смартфона. Такой метод целевого хранения данных, в отличие от обычной флеш-памяти UFS, повышает скорость и эффективность доступа к данным для операционной системы смартфона, а также для приложений искусственного интеллекта.

SK hynix заявляет, что флеш-память ZUFS 4.0 ускоряет запуск приложений на смартфонах до 45 % по сравнению с обычной флеш-памятью UFS. Кроме того, новая технология значительно снижает процесс деградации производительности операций чтения и записи, продлевая жизненный цикл устройства хранения данных на 40 %.

Компания сообщает, что приступила к разработке флеш-памяти ZUFS в 2019 году, предвидя растущий спрос на высокопроизводительные решения хранения данных для искусственного интеллекта на мобильных устройствах.

SK hynix начнёт массовое производство флеш-памяти ZUFS 4.0 в третьем квартале 2024 года.

Crucial первой начала продажи оперативной памяти LPCAMM2 LPDDR5X для ноутбуков — от $175 за 32 Гбайт

Crucial стала первой компанией, которая начала продажи моделей оперативной памяти нового формата LPCAMM2 LPDDR5X для ноутбуков. Это и не удивительно: стандарт разработала Micron, являющаяся материнской компанией для Crucial. Эти модули сочетают в себе преимущества классических планок SO-DIMM и энергоэффективной распаиваемой памяти LPDDR5X.

 Источник изображений: Crucial

Источник изображений: Crucial

До появления LPCAMM2 производителям ноутбуков приходилось делать выбор между классическими модулями оперативной памяти типа SO-DIMM и энергоэффективной, но несъёмной памятью LPDDR, которая припаивается к материнской плате.

По сравнению со стандартными модулями SO-DIMM память LPCAMM2 до 58 % энергоэффективнее и занимает на 64 % меньше пространства для установки. Кроме того, модули LPCAMM2 на чипах LPDDR5X поддерживают скорость до 9600 МТ/с, тогда как существующие планки SO-DIMM DDR5 работают со скоростью до 5600 МТ/с.

Crucial заявляет для своих первых модулей памяти LPCAMM2 LPDDR5X скорость работы 7500 МТ/с, что в 1,3 раза быстрее того, что может обеспечить память SO-DIMM DDR5. Производитель предлагает модули ёмкостью 32 и 64 Гбайт на базе 16-гигабитных чипов LPDDR5X от Micron. Для памяти заявляется рабочее напряжение 1,05 В.

Модуль LPCAMM2 LPDDR5X- 7500 объёмом 32 Гбайт Crucial оценила в $175, а планку на 64 Гбайт — в $330. Новинки уже доступны для заказа на официальном сайте производителя. Поставки обещают в течение двух недель.

Следует добавить, что память нового формата Crucial LPCAMM2 LPDDR5X используется в недавно выпущенном ноутбуке Lenovo ThinkPad P1.

Быстрая, энергоэффективная и съёмная: вышел первый ноутбук с модулем памяти LPCAMM2

Компания Lenovo выпустила ноутбук ThinkPad P1 с инновационной технологией памяти LPCAMM2, которая энергоэффективна как распаиваемая память LPDDR, но при этом модуль можно легко заменить, открутив всего 3 винта. До сих пор производителям приходилось выбирать между съёмной и энергоэффективной оперативной памятью. LPCAMM2 пытается устранить различия.

 Источник изображения: iFixit

Источник изображений: iFixit

До появления LPCAMM2 производителям приходилось делать непростой выбор между классическими модулями оперативной памяти типа SO-DIMM, и энергоэффективной, но несъёмной памятью LPDDR, припаянной к материнской плате. Теперь же LPCAMM2 совмещает преимущества обеих технологий.

Модули LPCAMM2 крепятся к материнской плате при помощи винтов, а не припаиваются, как обычная память LPDDR в современных ноутбуках. Это делает LPCAMM2 легко заменяемой и модернизируемой. Пользователь может самостоятельно увеличить объём ОЗУ или заменить вышедший из строя модуль.

Как продемонстрировали специалисты iFixit на примере ноутбука ThinkPad P1, заменить модуль LPCAMM2 можно всего за пару минут. Для этого достаточно снять крышку корпуса, извлечь аккумулятор и открутить три винта крепления памяти отверткой. Процедура аналогична замене жёсткого диска или оперативной памяти в настольных ПК.

Помимо Micron, разработавшей стандарт LPCAMM2, к производству такой памяти уже подключились компании Samsung и ADATA, что указывает на то, что новый формат может быстро получить широкое распространение и станет де-факто отраслевым стандартом, а пользователи избавятся от проблем с недостатком объёма или выходом из строя памяти в ноутбуках.

Windows 11 будет показывать скорость оперативной памяти в МТ/с вместо мегагерц

Компания Microsoft изменила единицы измерения скорости оперативной памяти в «Диспетчере задач» операционной системы Windows 11. Если раньше скорость отображалась в мегагерцах (МГц), то теперь будет отображаться в мегатранзакциях в секунду (МТ/c).

 Источник изображений: Bleeping Computer

Источник изображений: Bleeping Computer

Исторически показатель скорости оперативной памяти обозначался мегагерцами. Этот показатель отражает количество миллионов циклов операций в секунду, которые может выполнить модуль памяти за такт. Каждый цикл представляет собой действие, выполняемое модулем памяти, будь то сохранение и извлечение данных. Например, модуль памяти со скоростью 3200 МГц может выполнять 3,2 млрд циклов в секунду. В свою очередь планка памяти со скоростью 2400 МГц может выполнять только 2,4 млрд циклов в секунду.

Новые технологии ОЗУ позволяют памяти DDR5 увеличить скорость передачи данных без увеличения тактовой частоты (МГц), что сделало старый способ измерения эффективности памяти менее точным. По этой причине производители памяти начали использовать новый показатель метрики — мегатранзакции в секунду, то есть количество передач данных в миллионах в секунду.

Новый показатель метрики производительности ОЗУ в виде «МТ/с» появился в сборке операционной системы Windows 11 версии 22635.3570, которая в настоящий момент проходит бета-тестирование. Её появление в основной версии ОС ожидается в одном из ближайших обновлений.

Учёные создали энергонезависимую память, которая не портится при нагреве до 600 градусов

Для расширения границ возможностей микроэлектроники для растущих запросов человечества нужны новые компоненты, способные работать как при экстремально низких температурах, так и при экстремально высоких. В первом случае открывается возможность сопряжения классических компьютеров и квантовых платформ. Во втором — появляется путь к работе на экстремальных глубинах, на гиперзвуке и в космосе, например, в системах управления двигателями ракет. И это важно.

 Источник изображения: University of Pennsylvania via TechXplore.com

Источник изображения: University of Pennsylvania via TechXplore.com

Группа учёных из Пенсильванского университета опубликовала в журнале Nature Electronics статью, в которой сообщила о разработке и создании прототипа сегнетоэлектрической энергонезависимой памяти (ferrodiode), способной работать при нагреве до 600 °C в течение 60 часов подряд.

Эта память важна для сочетания с электроникой на основе карбида кремния, который в теории тоже способен выдерживать рабочие температуры до 600 °C включительно. Теоретический предел работы кремниевой электроники составляет 125 °C. Логика на карбиде кремния в сочетании с только что представленной памятью на сегнетоэлектрических диодах позволит создавать относительно производительные вычислительные платформы и даже платформы с ИИ для спуска оборудования на глубину до 100 км под поверхность земли или для работы на поверхности той же Венеры.

Созданный в Университете Пенсильвании 45-нм прототип сегнетоэлектрической энергонезависимой памяти представляет собой синтезированное соединение AIScN (l0.68Sc0.32N). Экспериментальная ячейка памяти была протестирована в лаборатории при нагреве до 600 °C и оставалось работоспособной с напряжением питания ниже 15 В (сохраняла данные после снятия внешнего электрического поля). При этом элемент памяти демонстрировал «быстрое» переключение между состояниями, обещая производительную работу в составе будущих высокотемпературных микроэлектронных решений.

Китайские компании во главе с Huawei выпустят собственные чипы памяти HBM к 2026 году

Группа китайских производителей чипов во главе с Huawei Technologies при поддержке правительства Китая планирует к 2026 году начать производство микросхем памяти HBM (High Bandwidth Memory), которые являются одним из ключевых компонентов ускорителей искусственного интеллекта. Этот проект является частью усилий Китая по созданию отечественных альтернатив чипам искусственного интеллекта Nvidia.

В последние годы Китай инвестировал огромные средства в развитие отечественной полупроводниковой промышленности с целью уменьшить свою зависимость от иностранных технологий и преодолеть экспортные ограничения США. Хотя чипы HBM непосредственно не подпадают под эти ограничения, они производятся с использованием технологии, доступ к которой Huawei закрыт из-за американских санкций.

Основными участниками проекта, стартовавшего в прошлом году, стали производитель микросхем памяти Fujian Jinhua Integrated Circuit и Huawei. Обе компании находятся под санкциями США. К проекту также привлечены другие китайские производители чипов и разработчики технологий их упаковки. Они будут работать над адаптацией своих чипов памяти для процессоров искусственного интеллекта, разработанных Huawei, и предоставят вспомогательные компоненты для печатных плат.

По сообщениям осведомлённых источников, консорциум под руководством Huawei уже создал как минимум две производственные линии для изготовления памяти HBM, используя компоненты разных поставщиков и провоцируя внутреннюю конкуренцию. Сама Huawei, вероятно, станет крупнейшим покупателем HBM.

Корейские учёные создали гибрид оперативной и флеш-памяти со сверхнизким потреблением

В одном из апрельских номеров журнала Nature вышла статья учёных из Южной Кореи, в которой было рассказано об одной очень перспективной разработке. Открытие можно представить как обнаружение Святого Грааля в области памяти — ячеек, которые одновременно и быстрые как DRAM, и энергонезависимые как NAND. По самым скромным оценкам, новая память потребляет в 15 раз меньше, чем выпускаемые сегодня аналоги, а выпускать её — дешевле некуда. Не память, а мечта.

 Источник изображений: Nature

Слева современная PCM, справа — новая разработка. Источник изображений: Nature

Сразу поясним, речь идёт о памяти с фазовым переходом или PCM (phase-change memory). Ячейка PCM представляет собой некий объём вещества, которое может находиться либо в аморфном состоянии, либо в кристаллическом. В первом случае движения электронов в ячейке нет — там настоящий хаос, а во втором — это упорядоченная структура, которая способна проводить ток. От одного к другому состоянию ячейка переходит с помощью локального нагрева, что изначально сложно назвать энергоэффективным решением. Спасают только самые передовые техпроцессы, когда ячейка выходит максимально маленькой, и заказчики, которые готовы, не торгуясь, платить за устойчивую к разным влияниям среды память, например, нечувствительную к радиации.

Теоретически памятью PCM можно считать незаслуженно вычеркнутую из планов Intel память 3D XPoint (Optane), хотя её также можно отнести и к ReRAM или к резистивной памяти. В принципе, суть остаётся той же, и у неё точно те же проблемы — это дорогое производство и плохое масштабирование.

Но списывать PCM со счетов ещё рано. Учёные с Факультета электротехники университета KAIST разработали техпроцесс, в ходе которого PCM-переход образуется электрическим методом (в ходе миграции атомов вещества, по-видимому). Для такого производства не нужны дорогая литография и всё самое лучшее. С помощью нового техпроцесса размеры перехода удалось снизить до 5 нм. И это при том, что производители памяти за 20 с небольшим лет разработки и производства PCM приблизились только к 40-нм ячейкам, используя распространённые в производстве техпроцессы.

Очевидно, что 5-нм ячейка PCM будет потреблять меньше 40-нм. В ходе опытов прототип новой памяти PCM, которая «быстрая, как DRAM и энергонезависимая, как NAND-флеш», показал энергопотребление в 15 раз меньше, чем в случае современных аналогов.

«Разработанное нами устройство памяти с фазовым переходом имеет большое значение, поскольку оно предлагает новый подход к решению проблем при производстве устройства памяти при значительно повышенных производственных затратах и энергоэффективности. Мы ожидаем, что результаты нашего исследования станут основой электронной инженерии будущего, позволяя реализовывать различные продукты, включая трёхмерную вертикальную память высокой плотности и нейроморфные вычислительные системы, поскольку оно открыло возможности выбора из множества материалов», — скромно представили новинку разработчики, которая, в случае успеха, тянет на революцию в области оперативного и долговременного хранения данных.

SK Hynix построит новый полупроводниковый завод за $4 млрд ради Nvidia, чтобы ей хватало чипов HBM

Один из крупнейших в мире производителей чипов памяти, южнокорейская компания SK Hynix объявила в среду о планах инвестировать 5,3 трлн вон (около $3,86 млрд) в строительство завода по производству памяти DRAM в Южной Корее, пишет агентство Reuters. Компания отметила, что новый производственный объект будет в основном сосредоточен на выпуске микросхем памяти класса HBM.

 Источник изображения: SK Hynix

Источник изображения: SK Hynix

Являющаяся одним из основных партнёров Nvidia, SK Hynix планируют начать строительство завода под названием M15X в конце апреля с тем, чтобы начать массовое производство чипов памяти в ноябре 2025 года.

Согласно прогнозу SK Hynix, рынок HBM будет расти более чем на 60 % в год, при этом спрос на DRAM общего назначения будет постоянно увеличиваться, особенно на чипы большой ёмкости для серверов.

SK Hynix указала в заявлении, что с учётом запланированного постепенного увеличения инвестиций в оборудование общий объём вложений в новый завод в Южной Корее в долгосрочной перспективе составит более 20 трлн вон (около $14,6 млрд).

Напомним, что в прошлом году из-за спада на рынке микросхем SK Hynix сократила годовые инвестиции на 50 % и сообщила в октябре, что их рост в 2024 году будет минимальным. Несмотря на эту позицию, спрос на её чипы памяти HBM, используемые в ИИ-ускорителях, настолько высок, что существующие мощности компании полностью зарезервированы на этот год, и на большую часть следующего года, отмечено в сообщении SK Hynix.

Samsung начала выпуск TLC 3D V-NAND 9-го поколения с рекордным по скорости интерфейсом

Компания Samsung сообщила, что начала массовое производство флеш-памяти 3D V-NAND TLC 9-го поколения ёмкостью 1 Тбит. Новые чипы предлагают повышенную плотность и энергоэффективность по сравнению микросхемами памяти 3D V-NAND TLC 8-го поколения.

 Источник изображения: Samsung

Источник изображения: Samsung

Производитель не уточнил количество слоёв, использующихся в составе памяти 3D V-NAND TLC 9-го поколения ёмкостью 1 Тбит, а также техпроцесс, который используется для их производства. Однако Samsung отметила, что благодаря самому компактному в отрасли размеру ячеек битовая плотность чипов 3D V-NAND TLC 9-го поколения была улучшена примерно на 50 % по сравнению с памятью 3D V-NAND TLC предыдущего поколения. Производитель также сообщил, что в новых микросхемах памяти применяется технология предотвращения помех, у ячеек увеличен срок службы, а отказ от фиктивных отверстий в токопроводящих каналах позволил значительно уменьшить планарную площадь ячеек памяти.

Флеш-память 3D V-NAND TLC 9-го поколения оснащена интерфейсом нового поколения Toggle 5.1, который увеличил скорость ввода/вывода данных на 33 % до 3,2 Гбит/с на контакт. Наряду с этим компания сократила энергопотребление на 10 % относительно прошлого поколения.

Во второй половине года Samsung планирует начать производство 3D V-NAND девятого поколения ёмкостью 1 Тбит с ячейками QLC.

Samsung разработала самую быструю память LPDDR5X — 10,7 Гбит/с

Компания Samsung сообщила о разработке энергоэффективной оперативной памяти LPDDR5X DRAM, обладающей скоростью передачи данных до 10,7 Гбит/с на контакт, что является самым высоким показателем в индустрии. Конкуренты ничего подобного предложить пока что не могут.

 Источник изображения: Samsung

Источник изображения: Samsung

Память Samsung LPDDR5X DRAM со скоростью 10,7 Гбит/с производится с применением 12-нм техпроцесса. Компания отмечает, что ей удалось разработать самые компактные чипы LPDDR5X на рынке.

Новая память Samsung не только обеспечивает на 25 % более высокую производительность и обладает на 30 % более высокой плотностью по сравнению с предыдущим поколением памяти LPDDR5X, но также позволяет увеличить ёмкость одного комплекта мобильной DRAM до 32 Гбайт, «что делает её оптимальным решением для устройств эпохи искусственного интеллекта, которым требуется высокопроизводительная, более ёмкая и энергоэффективная оперативная память».

Производитель отмечает, что его новая память LPDDR5X сочетает специализированные технологии энергосбережения, такие как оптимизированное изменение мощности, которое регулирует мощность в соответствии с рабочей нагрузкой, а также расширенные интервалы режима пониженного энергопотребления, которые продлевают периоды энергосбережения. Эти улучшения повышают энергоэффективность памяти на 25 % по сравнению с предыдущим поколением, что позволяет мобильным устройствам с её применением обеспечивать более продолжительное время автономной работы.

Массовое производство памяти Samsung LPDDR5X со скоростью 10,7 Гбит/с начнётся во второй половине текущего года, следом за всеми необходимыми проверками со стороны производителей мобильных платформ и устройств на их основе.

Samsung начнёт выпускать 290-слойные чипы 3D NAND уже в этом месяце, а 430-слойные — в следующем году

Компания Samsung Electronics начнёт массовое производство 290-слойных чипов флеш-памяти 9-го поколения 3D V-NAND уже в этом месяце, пишет южнокорейское издание Hankyung, ссылающееся на индустриальные источники. В следующем году производитель планирует выпустить 430-слойные чипы флеш-памяти NAND.

 Источник изображений: Samsung

Источник изображений: Samsung

Чипы Samsung 3D V-NAND 9-го поколения с 290 слоями будут выпускаться с использованием технологии двойного штабелирования, которую Samsung впервые применила в 2020 году при производстве 176-слойных микросхем 3D NAND 7-го поколения. Метод подразумевает создание массива чипов 3D NAND на кремниевых пластин диаметром 300 мм, после чего две такие пластины накладываются друг на друга и спаиваются, а затем нарезаются на отдельные чипы, представляющие собой двойные стеки.

Ранее в полупроводниковой индустрии ходили разговоры, что производство чипов флеш-памяти NAND с количеством слоёв около 300 потребует укладки друг на друга трёх пластин из-за технологических ограничений метода двойного стека. Однако, как сообщается, Samsung усовершенствовала процесс двойного штабелирования и теперь будет использовать его для производства памяти NAND с 290–300 слоями.

Во второй половине следующего года компания собирается перейти к производству 10-го поколения флеш-памяти 3D V-NAND с 430 слоями. Именно здесь начнёт применяться укладка трёх пластин друг на друга, пишет южнокорейское издание, ссылающееся на данные исследовательской фирмы Tech Insights. Как отмечается, производитель собирается пропустить выпуск чипов памяти NAND с более чем 300 слоями и сразу перейти к производству 430-слойных микросхем.

Конкуренты Samsung тоже не сидят без дела. С начала следующего года SK hynix собирается начать массовый выпуск 321-слойных чипов флеш-памяти NAND, но будет для этого «спаивать» три пластины с чипами. Китайский производитель памяти YMTC, который в настоящий момент выпускает 232-слойную память NAND, планирует выйти на производство 300-слойных чипов памяти во второй половине текущего года.


window-new
Soft
Hard
Тренды 🔥