На Североамериканском технологическом симпозиуме, который проводит TSMC, компания SK hynix представила образцы памяти нового поколения HBM4 и новые продукты на основе актуальной HBM3E.

Источник изображений: skhynix.com

С 12-слойными стеками памяти HBM4 производитель достиг скорости 2 Тбайт/с, что значительно превышает возможности HBM3E, у которой этот показатель составляет 1,2 Тбайт/с. SK hynix также показала образцы 16-слойной HBM3E. В марте корейская компания объявила, что первой в мире начала рассылать образцы HBM4 крупным клиентам, а подготовка к массовому производству памяти на основе новой технологии завершится во второй половине 2025 года. Под крупными клиентами, вероятно, подразумеваются Nvidia и AMD.

Если провести сравнение с игровым оборудованием, только один стек памяти HBM4 способен обеспечить более высокую пропускную способность, чем вся память видеокарты Nvidia GeForce RTX 5090, у которой 32 Гбайт GDDR7 с 1792 Гбайт/с или почти 1,8 Тбайт/с. Один стек HBM4 предлагает 2 Тбайт/с при ёмкости до 48 Гбайт. Но ускорители искусственного интеллекта обычно подключаются к нескольким стекам HBM одновременно, что позволяет им достигать скоростей, недоступных игровой графике. Так, один чип Nvidia B200 подключается к восьми HBM3E.

Компания Silicon Power представила семейство твердотельных накопителей под названием Endura. Линейка включает четыре устройства с различными характеристиками, предназначенные для разных сценариев использования — от бытового до профессионального.

Все накопители новой серии базируются на флеш-памяти TLC 3D NAND, обеспечивающей высокую скорость работы и надежность благодаря многослойному расположению ячеек памяти. Производитель позиционирует новинки в качестве универсальных накопителей с оптимальным сочетанием производительности и надёжности при повседневном использовании. Все новинки покрывает пятилетняя гарантия производителя, что указывает на их высокую надёжность.

В состав линейки вошли следующие модели:

SP Endura E55 —2,5-дюймовый накопитель с интерфейсом SATA III. Это доступное устройство для массового пользователя обеспечивает скорость последовательного чтения до 500 Мбайт/с и записи до 450 Мбайт/с, что в 15 раз быстрее стандартных жестких дисков. Доступны варианты емкостью от 512 Гбайт до 2 Тбайт.

SP Endura E60 — накопитель с интерфейсом PCIe 3.0 x4, обеспечивающий скорость чтения до 2200 Мбайт/с и записи до 1600 Мбайт/с. Устройство совместимо с NVMe 1.3 и поддерживает технологии LDPC и ECC для защиты данных. Производитель позиционирует этот SSD в качестве решения для производительных систем для работы и игр. Этот SSD также доступен в версиях объёмом от 512 Гбайт до 2 Тбайт.

SP Endura ED90 — высокопроизводительный SSD с интерфейсом PCIe 4.0, соответствующий стандарту NVMe 2.0. Он подойдёт для компьютеров для людей творческих профессий, создателей контента, а также систем, которые подразумевают интенсивную передачу данных. SSD обеспечивает скорость чтения до 5000 Мбайт/с и записи до 4800 Мбайт/с. Доступны варианты емкостью от 500 Гбайт до 4 Тбайт.

SP Endura ES75 — самая производительная модель новой линейки с интерфейсом PCIe 4.0, демонстрирующая скорость чтения до 7000 Мбайт/с и записи до 6500 Мбайт/с. Устройство позиционируется как решение для профессионального использования, создания контента и мощных игровых компьютеров. Эти SSD доступны в версиях объёмом от 1 до 4 Тбайт.

Накопители серии ED90 уже поступили в продажу в магазины торговой сети DNS. Информация о поступлении других моделей будет публиковаться в официальном Telegram-канале «Сила кремния».

Компания G.Skill представила комплект оперативной памяти DDR5-6000 большого объёма — 256 Гбайт, состоящий из четырёх модулей ОЗУ по 64 Гбайт каждый. Производитель отмечает, что в основе продукта используются чипы памяти DDR5 компании SK hynix.

Источник изображений: G.Skill

Работу комплекта памяти DDR5-6000 объёмом 256 Гбайт компания проверила на материнских платах Asus ROG Crosshair X870E Hero и MSI MPG X870E Carbon WIFI в сочетании с процессорами AMD Ryzen 7 9800X3D и Ryzen 9 9900X соответственно. Память показала стабильную работу с таймингами CL32-44-44-96, а также CL32-45-45-126.

Кроме того, указанный комплект памяти показал способность к эффективному разгону до DDR5-7000 при таймингах CL38-50-50-126 в сочетании с процессором Ryzen 7 9800X3D и материнской платой MSI MEG X870E Godlike.

В дополнение к этому G.Skill показала работу комплекта памяти DDR5-6400 объёмом 256 Гбайт с низкими задержками CL32-44-44-102. Тестирование проводилось на плате Asus ROG Crosshair X870E Hero с процессором Ryzen 9 9900X3D, а также на плате MSI MAG B850M Mortar WIFI с процессором Ryzen 7 9800X3D.

Явление магнетизма широко используется в электронике и запоминающих устройствах. Оба направления привлекают внимание большого круга учёных своей высочайшей практической ценностью. Очевидно, что границы возможностей и применяемых материалов постоянно нуждаются в расширении. Прорыв смогли совершить японские учёные, обнаружив уникальные магнитные свойства у материалов, которые, как считалось, не должны были их проявлять.

Поиск взаимодействия между антиферромагнетизмом, зонной топологией и сильными электронными взаимодействиями. Источник изображения: Ray et al 2025

Магнитные материалы в лице ферромагнетиков с упорядоченными спинами электронов способны демонстрировать аномальный эффект Холла. Обычный эффект Холла возникает во внешнем магнитном поле при пропускании тока через магнитный образец. В случае аномального эффекта Холла поле в образце (разность потенциалов на его концах или напряжение) возникает в магнитном материале даже без внешнего магнитного поля.

Подобного явления никто не ожидал в случае антиферромагнетиков. Спины в таких материалах неупорядочены и компенсируют друг друга при противоположной ориентации. Однако даже в антиферромагнетиках были обнаружены признаки аномального эффекта Холла. Это означает, что в качестве магнитной памяти может использоваться новый класс материалов со своими уникальными свойствами, что потенциально обещает улучшение характеристик запоминающих устройств. Теперь необходимо тщательно разобраться в этом явлении и подвести фундаментальную научную базу — именно этим и занялись учёные из Японии.

«Ранее уже сообщалось об аномальном эффекте Холла, возникающем в определённом классе коллинеарных антиферромагнетиков, — говорят исследователи. — Однако наблюдаемые сигналы были чрезвычайно слабыми. Выявление аномального эффекта Холла без намагниченности представляло большой научный и технологический интерес».

«Одной из главных задач нашего исследовательского проекта было создание последовательной научной картины на основе наших наблюдений, — заявляют авторы новой работы. — Каждый шаг требовал тщательной интерпретации, особенно из-за структурных нарушений, характерных для систем дихалькогенидов переходных металлов (TMD)».

Учёные использовали семейство материалов под названием дихалькогениды переходных металлов в качестве двумерных строительных блоков. Вставляя магнитные ионы между атомными слоями, исследователи могли управлять движением и взаимодействием электронов. Модифицированная до трёхмерного состояния структура продемонстрировала новое поведение, невозможное в двумерной форме. Только после этого исследователям удалось измерить аномальный эффект Холла в широком диапазоне температур и магнитных полей.

Кроме того, учёные из США предоставили доказательства в виде микроскопических изображений образцов, подтверждающих коллинеарную антиферромагнитную структуру материала. Затем результаты были сопоставлены с теоретическим анализом и расчётами, выполненными группой учёных из Токийского университета.

Полученные результаты стали первым убедительным экспериментальным доказательством аномального эффекта Холла, наблюдаемого в коллинеарных антиферромагнетиках. Поскольку традиционно считается, что аномальный эффект Холла связан с намагниченностью, его обнаружение в подобных материалах указывает на явления, выходящие за рамки стандартного понимания. Исследователи предполагают, что это связано с уникальной структурой электронных зон материала, которая вызывает появление так называемого «виртуального магнитного поля» и усиливает аномальный эффект Холла в отсутствие намагниченности. Работа будет продолжена, поскольку полного понимания физики этого процесса пока не достигнуто.

В журнале Nature вышла статья, в которой учёные из Университета Фудань сообщили о разработке самой быстрой в истории флеш-памяти. Прототип работает на скорости 400 пикосекунд как при записи, так и при чтении. Новая память получила поэтическое название «Рассвет» (Poxiao). Опытный экземпляр отличается скромной ёмкостью. Покорение объёмов начнётся на следующем этапе разработки.

Источник изображения: Nature

Разработкой нового типа памяти учёные из Китая занимаются с 2015 года. В 2021 году они предложили базовую теоретическую модель, а в 2024 году разработали сверхбыстрое устройство флеш-памяти с длиной канала 8 нм, что превысило физический предел размера флеш-памяти на основе кремния, составлявший около 15 нм. Но размеры — не главное. Главное — это невообразимая скорость работы новой энергонезависимой ячейки, которая оказалась в 100 000 раз выше скорости ячейки SRAM.

Учёные отметили, что классическая память на основе управления транзисторным каналом электромагнитным полем имеет фундаментальные ограничения для наращивания скорости записи и чтения. Электроны нужно «разогнать», чтобы заставить их перейти в ячейку памяти или покинуть её. Традиционные полупроводниковые материалы и воздействие на электроны полем делают всё это медленным по современным меркам. По большому счёту, мало что изменилось после изобретения полевого транзистора около 60 лет назад. Для ускорения буквально нужна другая физика.

Китайские учёные предложили использовать в качестве канала графен или условно двумерный полупроводник — диселенид вольфрама (WSe₂). Оба материала ведут себя схожим образом, хотя и имеют отличия. Распределение управляющего электромагнитного поля вдоль каналов таково, что электроны поступают в ячейку «сильно перегретыми» — с крайне высокой для них энергией.

В общем случае графен считается так называемым дираковским материалом, в котором электроны подчиняются квантовым уравнениям Дирака. Использование графена позволяет ускорить перемещение «горячих» электронов и дырок в ячейку памяти, минимизируя потери энергии. Фактически, в созданных условиях электрон как бы становится безмассовой частицей, что позволяет резко увеличить скорости записи и чтения. Работу о субнаносекундной флеш-памяти с 2D-улучшенной инжекцией горячих носителей (Subnanosecond flash memory enabled by 2D-enhanced hot-carrier injection) можно найти по этой ссылке. Она свободно доступна для прочтения.

В составе новой памяти тонкий 2D-канал оптимизирует распределение горизонтального электрического поля, повышая эффективность инжекции. Ток инжекции достигает 60,4 пА/мкм при напряжении 3,7 В. Новая память выдерживает более 5,5 млн циклов записи и стирания. Скорости записи и чтения одинаковы — по 0,4 нс для каждого режима. Объём прототипа составляет около 1 килобайта. В течение пяти лет команда обещает увеличить ёмкость до десятков мегабайт, получить лицензию и начать выпуск коммерческих экземпляров.

Компания G.Skill сообщила о новом рекорде разгона оперативной памяти DDR5. Его установил оверклокер Seby, заставивший планку ОЗУ G.Skill Trident Z5 DDR5 (F5-8000J3848F24GX2-TZ5K) с номинальным режимом DDR5-8000 и объёмом 24 Гбайт работать на скорости 12 772 МТ/с.

Источник изображений: G.Skill

Новый рекорд был установлен на материнской плате Asus ROG Maximus Z890 Apex для энтузиастов в сочетании с флагманским процессором Intel Core Ultra 9 285K.

Для охлаждения CPU применялся жидкий азот. При эксперименте температура составила 4,0 градуса Цельсия.

Согласно данным CPU-Z Validator и базе данных HWBOT, разогнанный до 12 772 МТ/с модуль памяти G.Skill работал с таймингами 68-127-127-127. Эффективная частота модуля ОЗУ составила 6386,2 МГц.

Компания отмечает, что в составе модулей ОЗУ G.Skill Trident Z5 DDR5 (F5-8000J3848F24GX2-TZ5K) используются чипы памяти SK hynix.

Прошло 16 лет с момента банкротства немецкой компании Qimonda, уходящей корнями в DRAM-бизнес компании Infineon. Тогда, в 2009 году, производство немецкой памяти пытались приобрести и Россия, и Китай. Однако компанию обанкротили, а её активы распродали с молотка. Тем не менее часть её разработок дала всходы, плодами которых надеются воспользоваться как Германия, так и Европа — субъекты, стремящиеся к независимости в производстве полупроводников.

Источник изображения: ИИ-генерация Grok 3/3DNews

Компания Qimonda выпускала традиционную DRAM для оперативной памяти и видеокарт. Будущая память с рабочим названием DRAM+ будет энергонезависимой, сочетая скорость DRAM и преимущества SSD-хранилищ, сохраняющих данные без подачи питания. Очевидно, что это будет — или должна стать — наиболее востребованной памятью будущего, позволяющей экономить энергию без ущерба для производительности.

Для задач ИИ лучшего решения не придумать. Европа сможет вырваться вперёд и стать независимой в производстве компьютерной памяти. По крайней мере, так утверждают разработчики каждый раз перед объявлением нового раунда инвестиций в разработку памяти DRAM+ — и на нехватку средств они пока не жалуются.

Тем временем дело приближается к этапу производства новой памяти. Развивать его будут совместно немецкие компании Ferroelectric Memory Co (FMC) и Neumonda. Название последней прозрачно намекает на связь с компанией Qimonda, хотя прямых подтверждений преемственности между обанкротившимся и перспективным бизнесом нет. Можно лишь предположить, что Neumonda унаследовала часть технологий, оборудования, инфраструктуры и персонала Qimonda, оставшихся без дела после банкротства.

С компанией Ferroelectric Memory Co (FMC) история иная. Это стартап, основанный в 2016 году для разработки перспективной энергонезависимой памяти на основе сегнетоэлектриков (FeRAM). Эту технологию в своё время разработали в Qimonda. После банкротства компании патенты на неё были переданы Дрезденскому техническому университету. В 2016 году сотрудники университета основали FMC и добились передачи ей двух ключевых патентов на технологию.

Следует сказать, что до разработок Qimonda память FeRAM опиралась на использование цирконат-титаната свинца (PZT).

Это соединение обладает выдающимися пьезоэлектрическими свойствами, но плохо совместимо с классическими КМОП-техпроцессами. Поэтому память FeRAM так и не смогла вытеснить массовую флеш-память: она была дорогой и не отличалась высокой плотностью, несмотря на заметное преимущество в скорости по сравнению с NAND-флеш.

Инженеры Qimonda обнаружили, что в качестве материала для ячейки памяти FeRAM хорошо подходит оксид гафния (HfO₂). Это аморфное вещество, которому можно придать кристаллическую структуру, заставляющую его работать как конденсатор. Поскольку оксид гафния широко используется в подложках чипов, он без проблем совместим с КМОП-техпроцессами. Так появилась память FeFET. Она исчезла из поля зрения в 2009 году, но усилиями FMC вновь вернулась в виде готового к производству техпроцесса.

«Компания FMC была основана для реализации революционного изобретения – сегнетоэлектрического эффекта HfO₂ для полупроводниковой памяти. Применительно к DRAM он превращает конденсатор в энергонезависимое запоминающее устройство с низким энергопотреблением, сохраняя при этом высокую производительность DRAM. Это позволяет создать революционную энергонезависимую память, идеально подходящую для ИИ-вычислений, — объяснил Томас Рюкке (Thomas Rueckes), генеральный директор FMC. — Поскольку наша технология уникальна на рынке, экономически эффективное тестирование продукции имеет большое значение для наших предложений. Благодаря Neumonda и её радикально новому подходу к тестированию мы нашли партнёра, который поможет ускорить разработку продуктов. Мы также рады сотрудничеству, поскольку разделяем общее стремление вернуть производство памяти в Европу».

Источник изображения: FMC

Компания Neumonda поддержит усилия FMC, предоставив консультации и доступ к своим передовым тестовым платформам: Rhinoe, Octopus и Raptor. Эти системы предназначены для недорогого, энергоэффективного и независимого тестирования памяти. Они обеспечивают детальный анализ, невозможный при использовании традиционного оборудования, и работают по значительно более низкой цене.

Вместе эти две компании разрабатывают новый продукт для хранения данных и закладывают фундамент для более широкого возрождения европейской полупроводниковой индустрии. Их совместные усилия направлены на восстановление локальной экосистемы разработки и тестирования передовых технологий хранения данных.

Компания G.Skill представила двухканальный комплект оперативной памяти DDR5-8000 большого объёма — 128 Гбайт (2 × 64 Гбайт). Производитель называет его первым на рынке комплектом ОЗУ с такой скоростью и ёмкостью. Ещё совсем недавно максимальный доступный объём одного модуля DDR5 потребительской памяти составлял 48 Гбайт.

Источник изображений: G.Skill

Для нового комплекта памяти заявлены тайминги CL44-58-58-128. Память успешно протестирована на материнской плате Asus ROG Crosshair X870E Apex в сочетании с процессором AMD Ryzen 9 9950X.

G.Skill также продемонстрировала работу двухканального комплекта памяти DDR5-9000 объёмом 64 Гбайт (2 × 32 Гбайт) с таймингами CL48-64-64-144 на другой платформе. Для тестов использовалась материнская плата Asus ROG Maximus Z890 Apex в сочетании с процессором Intel Core Ultra 7 265K.

Представленные модули ОЗУ будут выпускаться в рамках фирменных серий производителя Trident Z5 и Trident Z5 Royal NEO. О стоимости анонсированных новинок компания ничего не сообщила. Также неизвестно, когда именно они поступят в продажу.

Компания Micron официально заявила о повышении цен на память, ссылаясь на растущий спрос на DRAM и NAND-флеш. По прогнозам, тенденция к удорожанию сохранится до 2026 года. Причина проста — искусственный интеллект (ИИ), дата-центры и потребительская электроника требуют всё больше высокопроизводительных решений, однако предложение пока не успевает за спросом.

Источник изображения: Micron, tomshardware.com

Решение Micron, как отмечает Tom's Hardware, основано на недавнем периоде перепроизводства и падения доходов рынка памяти. Однако в последнее время цены начали постепенно восстанавливаться благодаря сокращению производства крупными игроками и росту интереса к ИИ и высокопроизводительным вычислениям. Теперь, когда Micron открыто заявила о повышении цен, ожидается, что за ней последуют и другие производители, такие как Samsung и SK Hynix, продолжая тенденцию удорожания.

В своём обращении к партнёрам Micron подчеркнула, что ключевым фактором пересмотра ценовой политики стал «непредсказуемый спрос в различных сегментах». В частности, компания отмечает, что ИИ-приложения стремительно развиваются, а значит, необходимо поддерживать конкурентоспособность продуктовой линейки. Micron также рекомендовала партнёрам заранее планировать закупки, чтобы избежать дефицита и перебоев с поставками.

Одним из главных драйверов роста цен является растущий спрос на высокоскоростную память HBM (High Bandwidth Memory), критически важную для ИИ-ускорителей и графических процессоров нового поколения. По мере того как Nvidia, AMD и Intel развивают свои ИИ-технологии, потребность в быстрой и энергоэффективной памяти только увеличивается. Несмотря на усилия Micron и её конкурентов по наращиванию объёмов производства, предложение всё ещё отстаёт от спроса, что дополнительно подогревает рост цен.

Чтобы справиться с этим вызовом, Micron недавно объявила о строительстве нового завода в Сингапуре, где будет производиться HBM-память. Инвестиции в проект составят $7 млрд, а запуск намечен на 2026 год. В планах также значится выпуск передовых решений, таких как HBM3E, HBM4 и HBM4E, что, по мнению экспертов, позволит компании укрепить позиции в стремительно растущем сегменте.

Влияние на рынок потребительской электроники
Помимо ИИ и дата-центров, оживление наблюдается и в сегменте потребительской электроники. Производители ПК и смартфонов начали увеличивать заказы на память, готовясь к новым продуктовым релизам в конце 2025 и начале 2026 года. Это является ещё одним аргументом в пользу повышения цен — спрос остаётся стабильно высоким, и, судя по всему, тенденция продолжится.

Поскольку Micron первой объявила о росте цен, теперь остаётся ждать реакции конкурентов и клиентов. Если текущий уровень спроса сохранится, отрасль может столкнуться с продолжительным повышением цен, что повлияет не только на корпоративные дата-центры, но и на бытовые устройства — от игровых компьютеров до смартфонов.

Intel и SK hynix на этой неделе завершили сделку на общую сумму около $8,85 млрд по продаже бизнеса по производству флеш-памяти NAND американской компанией южнокорейской. Таким образом завершился двухэтапный процесс продажи бизнеса Intel по выпуску NAND, начатый в 2020 году.

Источник изображения: SK hynix

В четверг Intel получила от SK hynix последний платёж в размере $1,9 млрд. В свою очередь, под управление SK hynix официально перешли интеллектуальная собственность Intel в сфере разработки флеш-памяти NAND, а также сотрудники предприятий Intel, занятые в этом направлении. Это позволит командам Solidigm более тесно сотрудничать с SK hynix над будущими продуктами, отмечает DigiTimes.

«27 марта 2025 года произошло второе закрытие сделки. Сумма трансфера, полученного Intel при втором закрытии, составила приблизительно 1,9 млрд долларов за вычетом определённых корректировок», — говорится в заявлении Intel, направленном в Комиссию по ценным бумагам и биржам США.

Приобретение бизнеса Intel NAND компанией SK hynix проходило в два этапа. В 2021 году SK hynix приобрела бизнес Intel по производству SSD и завод по выпуску памяти NAND в Даляне (Китай) за $6,61 млрд. После этого SK hynix переименовала корпоративное подразделение Intel по производству SSD в Solidigm и продолжила его деятельность под новым брендом. Однако на этом этапе были переданы только физические активы и операции, связанные с SSD, за исключением интеллектуальной собственности Intel, инфраструктуры R&D и ключевого персонала, занятого в разработке и производстве NAND.

Сделка полностью завершилась в этом месяце, когда SK hynix выплатила оставшиеся $1,9 млрд (изначально предполагалось $2,24 млрд) для получения прав на интеллектуальную собственность Intel, а также инфраструктуру R&D и персонал. После этого Solidigm взяла на себя полный операционный контроль. Представитель Intel сообщил Tom's Hardware, что эта сделка «ещё больше укрепит баланс компании и повысит её финансовую гибкость».

Tom's Hardware отмечает, что между технологиями SK hynix и приобретёнными технологиями Intel по производству флеш-памяти NAND имеются фундаментальные различия. Intel исторически использовала технологию флеш-памяти с плавающим затвором, тогда как SK hynix в основном полагалась на технологию с ловушкой заряда (CTF). Поскольку Solidigm унаследовала линейки NAND-продуктов Intel, материнская компания SK hynix продолжила выпуск памяти NAND с плавающим затвором. Некоторые флагманские накопители Solidigm, основанные на высоконадёжной памяти 3D QLC, используют именно этот тип NAND.

В перспективе SK hynix, возможно, потребуется решить проблемы, связанные с двойными технологиями NAND. Первоначально компания может поддерживать отдельные производственные линии, предлагая специализированные продукты, использующие сильные стороны каждой технологии. Однако в долгосрочной перспективе стратегия может включать постепенную консолидацию вокруг единого технологического процесса для снижения сложности и производственных накладных расходов.

Solidigm, бывшее подразделение Intel по производству корпоративных SSD, значительно расширило присутствие SK hynix на рынке корпоративных систем хранения данных. Несмотря на технические различия в производстве NAND, SK hynix явно намерена стратегически использовать это приобретение для дальнейшего укрепления позиций в сегменте корпоративных SSD.

Также сообщается, что с завершением второй фазы сделки прекращено действие соглашения, позволявшего Intel производить пластины NAND на предприятии SK hynix в Даляне.

«В связи со вторым закрытием сделки соглашение о производстве и продаже пластин NAND, заключённое при первом этапе сделки между Intel, SK hynix и аффилированными лицами, в рамках которого Intel производила пластины NAND на предприятии SK hynix в Даляне, прекратило своё действие», — говорится в заявлении компании.

По данным TrendForce, поставщики флеш-памяти NAND начали сокращать объёмы производства в IV квартале 2024 года, и теперь эти меры начинают приносить эффект. В ожидании повышения пошлин в США производители потребительской электроники нарастили объёмы выпуска, что дополнительно усилило спрос. Одновременно в сегментах ПК, смартфонов и дата-центров происходит восстановление складских запасов. В результате во II квартале 2025 года ожидается стабилизация цен на флеш-память NAND и рост контрактных цен на кремниевые пластины и клиентские твердотельные накопители (SSD).

Источник изображения: Samsung

После трёх кварталов снижения объёмов запасов спрос на клиентские SSD начал восстанавливаться, поскольку OEM-производители досрочно возобновили выпуск продукции. Ожидается, что завершение поддержки Windows 10 и выпуск процессоров нового поколения вызовут волну обновления ПК. Эффект от внедрения передовой ИИ-модели DeepSeek ускоряет развитие ИИ и дополнительно стимулирует спрос на клиентские SSD. С учётом сокращения производства и корректировки объёмов поставок, контрактные цены на клиентские SSD, по прогнозу, вырастут на 3–8 % по сравнению с предыдущим кварталом.

В Китае ИИ-технологии, такие как DeepSeek, значительно снизили издержки на обучение ИИ-моделей, что вызвало рост спроса на высокопроизводительные решения в сфере хранения данных. В Северной Америке спрос остаётся поляризованным: заказы от серверных брендов оказались ниже ожиданий, тогда как облачные провайдеры увеличивают объёмы закупок в связи с началом поставок графических ускорителей с архитектурой Blackwell компании Nvidia.

В I квартале 2025 года некоторые поставщики снизили цены на PCIe 4.0 SSD более чем на 20 % с целью ликвидации избыточных запасов. Производители скорректировали производственные мощности, чтобы стабилизировать рынок. Отдельные компании, закупающие серверное оборудование, разместили заказы раньше запланированного срока, что поддержало рыночную активность. В совокупности все эти факторы обеспечат умеренный рост объёмов заказов на корпоративные SSD во II квартале 2025 года.

Источник изображения: TrendForce

TrendForce отмечает, что во II квартале 2025 года ожидается рост поставок смарт-ТВ, планшетов и ноутбуков класса Chromebook. Одновременно фиксируется увеличение заказов на чипы eMMC благодаря устойчивому спросу на смартфоны среднего и бюджетного сегмента в развивающихся странах, а также государственным субсидиям в Китае. Ранее наблюдавшийся переизбыток флеш-памяти NAND и падение цен привели к убыткам, что вынудило поставщиков сократить объёмы производства.

С целью выхода из убытков производители повысили цены на пластины NAND, реализуемые сборщикам модулей. В результате модульные производители оказались не в состоянии удерживать низкий уровень цен, что ослабило ценовую конкуренцию и снизило давление на исходных поставщиков. Это способствовало стабилизации рынка, и, согласно прогнозу, контрактные цены на eMMC во II квартале 2025 года останутся без изменений.

Спрос на флеш-память стандарта UFS остаётся стабильным, чему способствуют продажи флагманских смартфонов и рост требований к памяти в автомобильных системах. На фоне сокращения производственных мощностей общее предложение флеш-памяти UFS снизилось, и, по оценке TrendForce, контрактные цены останутся без изменений по сравнению с предыдущим кварталом.

Цены на пластины флеш-памяти NAND достигли нижней точки. Модульные производители и OEM-компании увеличивают объёмы закупок. Одновременно рост интереса к корпоративным SSD усиливает спрос на продукцию верхнего ценового сегмента. Сокращение поставок пластин и пересмотр ценовой политики на многослойную флеш-память NAND обусловили рост контрактных цен. По прогнозу TrendForce, во II квартале 2025 года цены на кремниевые пластины вырастут на 10–15 %.

Компания G.Skill расширила ассортимент высокоскоростной памяти DDR5-6000 с низкими задержками, разработанной специально для платформы AMD Socket AM5, представив новый двухканальный комплект объёмом 96 Гбайт (2 × 48 Гбайт). Ранее производитель анонсировал двухканальные комплекты высокоскоростной ОЗУ DDR5-6000 и DDR5-8000 объёмом 48 и 192 Гбайт для той же платформы.

Источник изображений: G.Skill

Для нового комплекта памяти DDR5-6000 объёмом 96 Гбайт G.Skill заявляет тайминги CL26-36-36-96. Модули ОЗУ поддерживают профили разгона AMD EXPO. Производитель отмечает, что память тестировалась на материнской плате Asus ROG Crosshair X870E Hero в сочетании с процессором Ryzen 9 9950X3D, а также на плате MSI MPG X870E Carbon WIFI в паре с процессором Ryzen 9 9900X. Ниже представлены результаты тестов в утилите Memtest.

G.Skill также обновила спецификации ранее представленного комплекта памяти DDR5-6000 CL26-39-39-96 общим объёмом 48 Гбайт (2 × 24 Гбайт). Производителю удалось снизить задержки этой памяти до CL26-36-36-96. Указанный комплект был протестирован на материнской плате Asus ROG Crosshair X870E Hero в паре с процессором Ryzen 9 9900X.

Анонсированные комплекты памяти будут предлагаться компанией G.Skill в рамках её фирменных серий ОЗУ Trident Z5 Royal Neo, Trident Z5 Neo RGB и Ripjaws M5 Neo RGB. Старт продаж новинок ожидается в мае.

Компания Biwin пополнила ассортимент модулей оперативной памяти Black Opal OC Lab Gold Edition DW100 RGB двумя четырёхканальными комплектами общим объёмом 192 Гбайт (4×48 Гбайт) со скоростью 6000 и 6400 МТ/с. Стоимость комплектов составляет от $849.

Источник изображений: Biwin

Для комплекта DDR5-6400 производитель заявляет тайминги CL30-39-39-108, а для DDR5-6000 — CL28-36-36-102. Оба имеют рабочее напряжение 1,4 В и поддерживают профили разгона AMD EXPO. Модули памяти оснащены радиаторами с RGB-подсветкой.

Компания заявляет, что комплект DDR5-6000 проходил тестирование утилитой MemtestPro на платформе AMD Socket AM5 в сочетании с процессором Ryzen 9 (модель чипа не указана, предположительно это 16-ядерный Ryzen 9 9950X3D) в течение 7 часов, продемонстрировав стабильность работы и отсутствие ошибок. В свою очередь, тестирование комплекта DDR5-6400 проводилось в TestMem5 всего в течение часа, но память также работала полностью стабильно и без ошибок.

Скриншот теста комплекта памяти DDR5-6400 также показывает, что напряжение CPU SoC составляло 1,26 В (1,3 В считается пределом напряжения для SoC-чипов Ryzen платформы AM5). Новые комплекты памяти тестировались на материнских платах MSI и Gigabyte с чипсетами AMD X870.

Компания G.Skill представила самые скоростные модули ОЗУ DDR5 с поддержкой профилей разгона AMD EXPO. Среди представленных новинок оказались двухканальные комплекты DDR5-8000 с таймингами CL36, DDR5-6000 с таймингами CL26, а также четырёхканальные комплекты DDR5-6000 с таймингами CL28.

Источник изображений: G.Skill

Для двухканального комплекта DDR5-8000 объёмом 48 Гбайт (2×24 Гбайт) производитель заявляет тайминги CL36-48-48. Память была протестирована на материнской плате Asus ROG Crosshair X870E Hero в сочетании с процессором Ryzen 9 9900X.

Для комплекта DDR5-6000 того же объёма заявлены тайминги CL26-39-39. Эти комплекты компания протестировала на плате MSI MPG X870E Carbon WIFI в сочетании с тем же процессором Ryzen.

Для четырёхканального комплекта DDR5-6000 объёмом 192 Гбайт (4×48 Гбайт) производитель заявил тайминги CL28-36-36. Память тестировалась на плате MSI MPG X870E Carbon WIFI в сочетании с процессором Ryzen 7 9800X3D.

Анонсированные комплекты памяти будут предлагаться компанией G.Skill в рамках её фирменных серий ОЗУ Trident Z5 Royal Neo, Trident Z5 Neo RGB и Ripjaws M5 Neo RGB. Старт продаж новинок ожидается в апреле.

Компания SanDisk увеличит стоимость флеш-памяти NAND более чем на 10 % с 1 апреля. Об этом производитель сообщил в письме своим ключевым клиентам. Американская компания объясняет предстоящий рост цен изменяющейся динамикой на рынке, ожидаемым восстановлением спроса на флеш-память NAND, а также повышением экспортных тарифов.

Источник изображений: SanDisk

По данным аналитического агентства TrendForce, с начала года крупнейшие поставщики флеш-памяти NAND, южнокорейские компании Samsung и SK hynix, начали снижать объёмы выпуска данного вида продукции. Отчёты аналитиков показывают, что объёмы производства флеш-памяти NAND у обоих производителей окажутся в первом квартале этого года более чем на 10 % ниже по сравнению со второй половиной прошлого года.

Производители пошли на снижение объёмов выпуска памяти NAND, чтобы стимулировать восстановление баланса спроса и предложения на рынке и заложить основу для восстановления цен. Согласно оценкам TrendForce, восстановление этого баланса ожидается во второй половине 2025 года.

Компания SanDisk в свою очередь в письме своим клиентам отметила, что её возможности для ответа на незапланированный рост спроса ограничены.