Опрос
|
реклама
Быстрый переход
PlayStation 6 и новый Xbox могут выйти позже, чем ожидалось — виноват будет дефицит памяти, устроенный ИИ
30.12.2025 [00:09],
Николай Хижняк
Продолжающийся рост цен на оперативную память на фоне бума ИИ может привести к задержке выпуска игровых приставок PlayStation и Xbox следующего поколения, пишет Insider Gaming. По его информации, на высоком уровне уже ведутся переговоры о том, что проблемы с доступностью оперативной памяти на рынке могут означать для следующего поколения игровых приставок. 
Источник изображения: Insider Gaming Индустрия в целом обеспокоена доступностью оперативной памяти и тем, что это будет означать для массового производства консолей по конкурентоспособной цене. Дефицит памяти может привести не только к очередному повышению цен на консоли текущего поколения в 2026 году, но и к задержке выпуска будущих приставок. За последние несколько месяцев цены на модули оперативной памяти выросли на несколько сотен процентов из-за непомерного спроса на чипы памяти для ИИ. Поскольку замедления роста ИИ-инфраструктуры в ближайшей перспективе не предвидится, на рынке прогнозируется дефицит потребительской памяти, который будет сопровождаться продолжающимся ростом цен. Производители игровых приставок также этим обеспокоены. Хотя в прошлом консоли традиционно субсидировались в определённой степени, дефицит поставок оперативной памяти и рост цен приведут к тому, что приставки следующего поколения могут стать непомерно дорогими. Insider Gaming утверждает, что эта ситуация заставила производителей приставок обсуждать вопрос о том, следует ли отложить выпуск консолей следующего поколения с запланированного на 2027–2028 годы периода на более поздний срок — в надежде на то, что производители оперативной памяти смогут расширить свои мощности и нарастить объёмы выпуска ОЗУ, что позволит снизить цены. Однако, независимо от того, что произойдёт, похоже, что в ближайшие пару лет цены на консоли текущего поколения могут вырасти ещё больше. Руководители Microsoft и Google «разбили лагерь» в Южной Корее, умоляя производителей памяти о поставках чипов
28.12.2025 [21:48],
Николай Хижняк
Руководители закупочных подразделений Microsoft, посетившие Южную Корею в начале этого месяца, провели переговоры о ценах и контрактах на поставку чипов памяти с компанией SK hynix. SK hynix выразила позицию, что «будет сложно обеспечить поставки на условиях, которые требует Microsoft». По данным одного из источников отрасли, близкого к этому вопросу, услышав это, топ-менеджер Microsoft не смог сдержать гнева и покинул встречу, пишет Seul Economic Daily. 
Источник изображения: Google По данным издания, на фоне усиления глобального дефицита чипов памяти, руководители закупочных подразделений крупнейших мировых технологических компаний, включая Microsoft, Google и Meta✴✴ съезжаются в Южную Корею, чтобы подписать контракты на поставку памяти с Samsung Electronics и SK hynix. Они ведут полномасштабную борьбу за обеспечение поставок чипов памяти HBM, DRAM и NAND. Чипы необходимы для производства ускорителей искусственного ИИ, а также для оснащения строящихся новых центров обработки данных с ИИ. Руководители отделов закупок крупных технологических компаний обратились к SK hynix и Samsung Electronics с просьбой о поставках, поскольку они не смогут получить конкурентное преимущество в индустрии ИИ без высокопроизводительных и энергоэффективных микросхем памяти. Возможности вычислений и вывода в рамках ИИ зависят от графических процессоров (GPU), тензорных процессоров (TPU) и общей производительности центров обработки данных. GPU и TPU требуют память HBM, центрам обработки данных для ИИ необходима память LPDDR для достижения высокой производительности. Только три компании в мире могут производить высокопроизводительные чипы памяти HBM и LPDDR: SK hynix, Samsung Electronics и Micron. SK hynix и Samsung Electronics, конкурирующие за лидерство в отрасли, по сообщениям, уже подписали контракты на продажу всей продукции HBM и DRAM до конца следующего года. Компания Google, которая занимается внешними продажами своих фирменных TPU-ускорителей для ИИ, по сообщениям, уволила ответственного руководителя после возникших проблем с обеспечением поставок памяти. В настоящее время Google закупает около 60 % HBM-памяти, используемой в её TPU-ускорителях, у Samsung Electronics. Когда спрос на TPU недавно превысил ожидания, Google обратилась к SK hynix и Micron с просьбой обеспечить дополнительные поставки. Ответ был: «невозможно». Сообщается, что руководство Google после этого уволило ряд сотрудников отдела закупок, возложив на них ответственность за риски, возникшие в цепочке поставок, вызванные несоблюдением условий долгосрочных соглашений. Это было дисциплинарное взыскание в отношении сотрудников, не обеспечивших своевременную поставку. Крупные технологические компании не только заказывают огромные объёмы памяти, но и меняют свои стратегии в найме новых сотрудников, делая ставку на набор персонала для управления цепочками поставок в Азии. Если раньше менеджеры по закупкам памяти работали в штаб-квартирах в Кремниевой долине или в Сиэтле, то сейчас наблюдается тенденция нанимать сотрудников непосредственно на месте, где производятся чипы памяти — в Южной Корее, Тайване, Сингапуре и других регионах Азии. Вполне очевидно, что таким образом компании хотят более тщательно и надёжно контролировать цепочки поставок на местном уровне в Азии, где расположены крупные производители полупроводников, включая Samsung Electronics, SK hynix и TSMC. Сообщается, что компания Google недавно разместила вакансию глобального менеджера по закупкам памяти. Компания ищет эксперта в области стратегии закупок памяти для центров обработки данных, включая DRAM и флеш-памяти NAND. Компания Meta✴✴ также набирает сотрудников на должности глобальных менеджеров по закупкам микросхем памяти. Она ищет специалистов, имеющих, в частности, опыт в разработке технологической дорожной карты. Компания хочет привлечь новых экспертов с инженерными знаниями на местах как для решения технических вопросов, так и для организации крупных закупок. «В настоящее время крупные технологические компании размещают бессрочные заказы у трёх компаний-производителей памяти, запрашивая весь доступный объём независимо от цены. Но Samsung, и SK hynix уже запустили свои передовые технологические линии для HBM и других продуктов на полную мощность, поэтому им физически сложно удовлетворить все потребности клиентов», — сказал источник в отрасли. SK hynix начнёт производство чипов памяти HBM4 на новом заводе M15X на 4 месяца раньше запланированного срока
28.12.2025 [11:47],
Николай Хижняк
Компания SK hynix рассчитывает приступить к коммерческому производству чипов памяти на своём новейшем заводе M15X на четыре месяца раньше запланированного срока, пишет The Elec. По словам источников издания, производитель чипов планирует начать выпуск кристаллов 1b DRAM (10 нм), которые будут использоваться в стеках памяти HBM4 в феврале будущего года. 
Источник изображений: SK hynix Первоначально SK hynix планировала начать выпуск пластин для производства памяти на заводе в июне. Ожидается, что начальная мощность завода составит около 10 000 пластин в месяц, но к концу 2026 года она будет увеличена в несколько раз. По словам источников, производитель чипов активно устанавливает оборудование на заводе для быстрого расширения производственных мощностей. Этот шаг предпринят для удовлетворения спроса на высокопроизводительную память со стороны Nvidia.  Завод SK hynix M15X полностью предназначен для производства памяти HBM4, которая может использоваться в паре с ускорителем искусственного интеллекта нового поколения Nvidia Rubin. Отмечается, что образцы памяти от SK hynix уже прошли клиентскую проверку. В частности, компания изготовила образцы памяти в сентябре и затем поставила их Nvidia. Для компоновки графических процессоров для ИИ Nvidiа будет использовать передовой метод упаковки CoWoS от TSMC. CoWoS позволяет размещать на одной подложке чипа различные элементы, такие как графический процессор и стеки памяти HBM для обеспечения повышенной скорости передачи данных, рассчитывающейся в терабайтах в секунду. Процесс верификации CoWoS также называется оптимизацией. Для стабильной работы графического процессора и HBM в одном корпусе необходимо установить оптимальные параметры синхронизации сигналов, питания и распределения тепла. Ошибка в этом процессе может привести к снижению производительности продукта или проблем с перегревом. Источники The Elec сообщили, что SK hynix и Nvidia находятся на заключительном этапе оптимизации и что этот процесс проходит гладко. Издание также сообщает, что компания Samsung тоже отправила Nvidia образцы памяти HBM4, но их тестирование и оптимизация находятся на более ранней стадии. В свою очередь компания Micron заявила, что её мощности по производству HBM4 уже полностью зарезервированы клиентами. Ожидается, что Nvidia окончательно определится с поставщиками памяти HBM4 для своих ИИ-ускорителей в начале следующего года. А Samsung тем временем пытается увеличить объёмы выпуска годных чипов. Одна видеокарта в руки: в Японии начали ограничивать продажи GeForce RTX 5000 и Radeon RX 9000 из-за дефицита памяти
27.12.2025 [20:14],
Николай Хижняк
Глобальный дефицит оперативной и флеш-памяти неуклонно расширяется и затрагивает отрасли, выходящие за рамки производства непосредственно модулей памяти и SSD. По сообщениям ITmedia, Nvidia больше не поставляет видеопамять своим партнёрам по производству видеокарт, и некоторые японские розничные продавцы ПК начинают ощущать последствия. 
Источник изображений: ITmedia Хотя издание пока не зафиксировало резкого повышения цен на видеокарт (по сравнению с памятью и накопителями), как и дефицита видеокарт, один магазин заявил, что это лишь вопрос времени, когда покупатели начнут видеть пустые полки в соответствующем отделе. Tsukumo eX., один из самых популярных магазинов ПК в Акихабаре, установил ограничение на покупку в одни руки одной видеокарты GeForce RTX 50-й серии (модели RTX 5060 Ti и выше), а также Radeon RX 9000-й серии с 16 Гбайт памяти. В магазине говорят: «Достать карты с большим объёмом памяти стало очень сложно. На данный момент у нас ещё есть запасы, но мы не знаем, когда прибудет следующая партия — или прибудет ли она вообще». Другие магазины также обеспокоены, поскольку пополнение запасов видеокарт с 8 Гбайт видеопамяти и более становится всё сложнее.  Весь мир переживает дефицит чипов памяти из-за беспрецедентного спроса со стороны центров обработки данных, ориентированных на искусственный интеллект, что приводит к неудержимому росту цен на потребительском рынке. Многие аналитики и лидеры отрасли говорят, что в 2026 году ситуация не улучшится, главным образом потому, что производители памяти перестраховываются и не расширяют производство, поскольку не уверены в том, что будет с ИИ-пузырём дальше. Первым от кризиса пострадало производство комплектов оперативной памяти и твердотельных накопителей. Цены на модули ОЗУ выросли более чем на 246 % только в 2025 году. Это сильно ударило по производителям ПК на заказ. Например, компания Framework, производитель модульных ноутбуков и компактных ПК, больше не продаёт отдельные модули оперативной памяти; некоторые сборщики ПК предлагают покупателям отправлять им свои модули ОЗУ, чтобы они могли установить их в готовую сборку. А некоторые японские магазины вовсе приостановили приём заказов на настольные ПК до 2026 года. Рынок видеокарт тоже начинает ощущать последствия кризиса на рынке памяти. Графические ускорители оснащаются памятью GDDR. Она отличается от чипов памяти DRAM, использующихся в составе модулей ОЗУ, но по-прежнему основана на той же полупроводниковой технологии типа DRAM. Когда три крупнейших производителя чипов памяти сократили производство DRAM, объём поставок GDDR7 тоже сократился, что, вероятно, вынудило подразделения потребительских видеокарт AMD, Intel и Nvidia сократить свои объёмы производства. Поскольку производители микросхем памяти сосредоточили своё производство на прибыльном рынке искусственного интеллекта, у потребителей нет другого выбора, кроме как продолжать использовать свои существующие устройства или переплачивать неадекватную цену за все товары, в которых используются чипы памяти. Даже если производители памяти решат расширить мощности и начать строительство новых производственных линий и заводов уже сегодня, потребуется несколько лет, чтобы новые фабрики заработали и вышли на те объёмы производства, которые позволят преодолеть дефицит и нормализовать цены на рынке. Framework ещё раз повысила цены на DDR5 для своих ноутбуков — всё равно дешевле, чем у Apple
25.12.2025 [15:46],
Павел Котов
Framework объявила об очередном повышении цен на DDR5 и рекомендовала покупателям устанавливать на компьютеры «свою собственную оперативную память». Причина непопулярной меры прежняя — рост цен. 
Источник изображения: frame.work Введя очередные корректировки цен на модули DDR5, Framework сослалась на то, что расходы на продукцию от поставщиков выросли на величину от 3 до 5 раз по сравнению с прошлым годом. В большинстве случаев цены теперь составляют около $10 за 1 Гбайт. Это уже второе повышение в декабре — недавно Framework объявила о подорожании DDR5 для систем DIY Edition примерно на 50 % и предупредила, что если расходы будут расти и дальше, возможны дальнейшие корректировки. Компания описывает затраты, обновляет цены поэтапно и подчёркивает, что это вынужденная мера, а не попытка использовать скачок цен, чтобы нарастить собственные прибыли. В пример приводится Apple с её $25 за 1 Гбайт. Framework делает ставку на сегмент «сделай сам» и рекомендует клиентам устанавливать другие планки памяти, если их удастся купить дешевле. В свой конфигуратор она пообещала добавить прямые ссылки на позиции DDR5 на агрегаторе PCPartPicker. Приводится ссылка на раздел базы знаний, в котором говорится о совместимости компонентов. Будущий год обещает быть не лучшим для тех, кто в ближайшее время планирует обновление компьютера. Framework отметила, что её поставщики ожидают дальнейшего роста цен в начале 2026-го, поэтому в ближайшие недели цены на десктопы и готовые конфигурации могут вырасти дополнительно. Samsung передумала сворачивать производство памяти DDR4, но потребители от этого не выиграют
24.12.2025 [19:55],
Сергей Сурабекянц
Samsung откладывает запланированное прекращение выпуска памяти DDR4 из-за подписания долгосрочного «не подлежащего расторжению и возврату» контракта с ключевым клиентом. Это соглашение не решит проблему потребительского дефицита памяти, поскольку поставки предназначены для корпоративных клиентов. Сделка очень выгодна для компании — она позволит Samsung «выжать последние соки» из своей устаревающей производственной линии DDR4. 
Источник изображения: unsplash.com 16-гигабайтные модули DDR4 достигли на спотовом рынке рекордной цены в $60. Это сделало рынок DDR4 достаточно прибыльным, чтобы Samsung отложила закрытие своей существующей производственной линии DDR4. Однако компания не планирует создавать новые линии для удовлетворения растущего потребительского спроса. Осведомлённые источники сообщают, что один клиент уже подписал с компанией контракт «не подлежащий расторжению и возврату» (Non-Cancellable, Non-Returnable, NCNR) на поставки DDR4. Такие контракты подразумевают, что клиент гарантированно получит фиксированное количество модулей памяти по фиксированной цене, и цена или объем не могут быть изменены в будущем. Контракт NCNR обязывает клиента приобрести продукт независимо от любых других факторов. Этот тип соглашения обеспечивает стабильность как объёма, так и стоимости для клиента, так что он не пострадает от текущей волатильности на рынке памяти, вызванной бумом ИИ. С другой стороны, это помогает Samsung защитить себя от неопределённости на рынке памяти. Даже если пузырь ИИ лопнет и возникнет избыток модулей памяти HBM и DDR5, что приведёт к падению цен, это гарантирует прибыльность производственной линии DDR4. По данным инсайдеров, контрактная цена превысит $20 за 16-гигабайтный модуль DDR4, но Samsung все ещё оценивает рынок и может дополнительно её повысить. Тем не менее, это всего лишь треть от текущих спотовых цен, заложенных в краткосрочных контрактах. Сообщается, что клиент, подписавший контракт с Samsung, специализируется на серверных приложениях, и ни одна компания, работающая на потребительском рынке, не заявила о намерении заключить подобный контракт на поставку DDR4. Изначально Samsung планировала прекратить производство DDR4, чтобы сосредоточиться на HBM и DDR5, но бурный рост спроса на HBM привёл к резкому росту цен на память DDR5, что вызвало увеличение спроса и цен на более старую память DDR4. Это заставило трёх крупнейших производителей памяти отложить запланированное закрытие производственных линий DDR4. Однако ожидается, что эти линии будут обслуживать корпоративных отраслевых клиентов, а не потребителей, поэтому потребителям не стоит ожидать улучшения ситуации с дефицитом оперативной памяти в 2026 году. Десять экс-сотрудников Samsung арестованы за кражу технологий DRAM 10-нм класса для Китая
23.12.2025 [22:44],
Николай Хижняк
Правоохранительные органы Южной Кореи арестовали 10 бывших сотрудников компании Samsung, которые, как утверждается, передали технологии производства памяти DRAM на основе некоего техпроцесса 10-нм класса китайской компании ChangXin Memory Technologies (CXMT). Бывшие сотрудники Samsung обвиняются в нарушении «Закона о предотвращении разглашения и защите промышленных технологий», более известного как «Закон о защите промышленных технологий». 
Источник изображения: Samsung Из десяти арестованных пятеро являлись ключевыми сотрудниками подразделения разработок Samsung Electronics, включая бывшего руководителя. Остальные — бывшие руководители подразделений, отвечавших за новые разработки и исследования. По данным Asia Business Daily, после основания CXMT в 2016 году китайская компания переманила руководителей и ключевых сотрудников из Samsung Electronics, которая на тот момент была единственным предприятием, занимавшимся массовым производством DRAM 10-нм класса. Утверждается, что утечка позволила CXMT произвести первую в Китае DRAM 10-нм уровня в 2023 году, и, по мнению прокуратуры Южной Кореи, похищенные технологии также заложили основу для прогресса китайской компании в области памяти HBM. Компания CXMT начала массовое производство памяти HBM2 в 2024 году. Ожидается, что она займёт до 15 % глобального рынка данного вида памяти, что приведёт к триллионным убыткам в корейских вонах как для Samsung, так и для национальной экономики Южной Кореи. Сообщается, что некий «г-н А», бывший руководитель Samsung, отвечал за разработку технологии выпуска DRAM 10-нм класса для CXMT, в то время как «г-н Б», ключевой сотрудник, участвовавший в исследованиях этой технологии, предположительно скопировал информацию о производстве DRAM на одном из предприятий Samsung. Издание Chosun Daily сообщает, что «г-н Б» вручную переписал 12 страниц информации о технологии 10-нм уровня, чтобы избежать обнаружения, поскольку компании-производители полупроводников очень внимательно относятся к своей информации, поэтому копирование файлов с компьютера или их фотографирование с помощью смартфона могло бы привести к его немедленному задержанию. Это не первый случай ареста сотрудников южнокорейских технологических компаний за кражу информации в интересах китайских компаний. В начале этого года бывший сотрудник SK hynix был задержан перед посадкой на рейс в Китай, а другой инженер был приговорён к 18 месяцам тюремного заключения за попытку продажи информации компании Huawei. В прошлом году также были арестованы два бывших руководителя Samsung по обвинению в краже конфиденциальной информации и использовании её для создания собственного завода по производству микросхем в Китае. Однако в последнем деле фигурирует больше людей, чем в предыдущих случаях. Сообщается, что группа использовала подставные компании для передачи информации и постоянно меняла местоположение своих офисов, чтобы избежать обнаружения. Южнокорейская прокуратура также заявила, что группа старалась действовать крайне скрытно, «предполагая, что за ними может следить Национальная разведывательная служба», и даже использовала криптографию для экстренной связи. Память HBM4 от Samsung получила высшие оценки в тестах Nvidia
21.12.2025 [21:57],
Николай Хижняк
В ходе испытаний высокоскоростной памяти HBM4, которая будет использоваться в следующем поколении ускорителей искусственного интеллекта Nvidia серии Vera Rubin, запуск которых запланирован на следующий год, компания Samsung Electronics получила наивысшие оценки. Об этом пишет корейская пресса. 
Источник изображений: Samsung Сообщается, что на прошлой неделе представители Nvidia посетили Samsung Electronics для оценки хода тестирования памяти HBM4 в корпусе System in a Package (SiP). В ходе встречи было отмечено, что Samsung Electronics достигла лучших в отрасли результатов по скорости работы и энергоэффективности. В результате Samsung Electronics получила убедительный сигнал о прохождении квалификации Nvidia для HBM4 и о поставках в первой половине следующего года. Объём поставок HBM4, запрошенный Nvidia на следующий год, как отмечается, значительно превышает внутренние оценки Samsung, что, как ожидается, существенно повысит загрузку производственных линий компании. Учитывая темпы расширения и производственные мощности линии Samsung P4 в Пхёнтеке, ожидается, что компания официально подпишет контракты на поставку памяти HBM4 в первом квартале следующего года. А полномасштабные поставки, как ожидается, начнутся во втором квартале. Samsung Electronics заявила, что не может официально подтвердить информацию, касающуюся оценок Nvidia. Один из инсайдеров отрасли в комментарии Maeil Business Newspaper отметил: «В отличие от HBM3E, Samsung Electronics лидирует в разработке HBM4, и это общее мнение в команде разработчиков компании».  Другой южнокорейский гигант по производству памяти, SK hynix, завершил подготовку к массовому производству чипов памяти HBM4 в конце сентября, опередив Samsung Electronics примерно на три месяца. Примечательно, что SK hynix уже начала поставлять платные образцы Nvidia, тем самым фактически подтвердив начало производство этой памяти. Отмечается, что Samsung тем не менее может быстро сократить это отставание. Поскольку полномасштабное серийное производство памяти HBM4 ожидается во втором квартале следующего года, Samsung Electronics, получившая высокие оценки в области SiP, может увеличить объёмы поставок. Технология «система в корпусе» (SiP) подразумевает интеграцию нескольких полупроводниковых чипов в один корпус. Для HBM4 это означает, что такие компоненты, как графический процессор (GPU), память, межсоединительная плата и микросхема питания, находятся в составе одного корпуса чипа. Тестирование SiP считается заключительным этапом проверки того, находятся ли скорость, тепловыделение и показатели питания в пределах контролируемых уровней. Проверка также представляет собой последний шаг для подтверждения готовности к серийному производству. Samsung обогнала Micron и вернула себе второе место на рынке памяти HBM
21.12.2025 [21:55],
Николай Хижняк
В третьем квартале этого года Samsung Electronics обошла Micron Technology и вернула себе второе место на рынке высокоскоростной памяти (HBM). После падения на третье место в первом и втором кварталах компания продемонстрировала тенденцию к восстановлению, расширив поставки продуктов HBM3E (5-го поколения). 
Источник изображения: Counterpoint Research По данным исследовательской компании Counterpoint Research от 19 декабря, глобальная доля Samsung Electronics на рынке HBM (по выручке) в третьем квартале составила 22 %. По сравнению с предыдущим кварталом рост составил 7 процентных пунктов (с 15 %). За тот же период Micron заняла 21 % рынка, тем самым уступив второе место Samsung Electronics. SK hynix сохранила первую позицию с долей в 57 %. Хотя она по-прежнему является лидером рынка, её доминирование несколько ослабло по сравнению с предыдущим кварталом, когда её доля составляла 64 %. Согласно оценкам аналитиков, Samsung Electronics заложила основу для восстановления, преодолев негативный фактор сокращения экспорта в Китай и начав полномасштабные поставки продукции HBM3E с третьего квартала. Samsung также демонстрирует серьёзную конкуренцию на общем рынке DRAM. По доле рынка DRAM в третьем квартале, рассчитанной на основе выручки, SK hynix сохранила первое место с 34 %, в то время как доля Samsung Electronics достигла 33 % (рост на 1 п.п). Разрыв между Samsung и SK hynix составляет всего 1 процентный пункт. В отчёте говорится, что SK hynix сотворила настоящую сенсацию, впервые в истории обогнав Samsung Electronics и заняв первое место по выручке от DRAM в первом квартале этого года. Падение Samsung Electronics на второе место после 33-летнего удержания позиции «полупроводникового императора» с 1992 года стало беспрецедентным событием в истории полупроводниковой промышленности. Micron же заняла третье место с долей рынка в 26 % за тот же отчётный период. Рынок DRAM в этом квартале в целом вырос на 26 % по сравнению с предыдущим кварталом благодаря рекордному росту цен и увеличению объёмов поставок. Поскольку три ведущих производителя памяти сократили производство устаревшей DRAM, возник дефицит предложения, что привело к росту цен. Аналитики отрасли ожидают дальнейшего усиления конкуренции за лидерство на рынке HBM4 в следующем году. Samsung Electronics расширяет производственные мощности HBM3E во второй половине года и ускоряет разработку продуктов следующего поколения (HBM4). Ожидается, что SK hynix тоже сосредоточит все усилия на сохранении своего лидерства в сегменте HBM. Samsung представила SOCAMM2 LPDDR5X для ИИ-дата-центров — быстрее и энергоэффективнее DDR5 RDIMM
20.12.2025 [01:53],
Николай Хижняк
Компания Samsung анонсировала модуль памяти SOCAMM2 на базе чипов LPDDR5X, разработанный специально для платформ центров обработки данных с поддержкой ИИ. Новый формат памяти призван обеспечить преимущества LPDDR5X в плане энергоэффективности и пропускной способности для серверов без необходимости постоянной пайки чипов памяти на несущую материнскую плату. 
Источник изображений: Samsung Память SOCAMM2 ориентирована на определённый и растущий класс систем, где процессоры или суперчипы CPU–GPU работают в паре с большими пулами системной памяти, которые должны обеспечивать высокую пропускную способность при меньшем энергопотреблении, чем могут предложить обычные серверные модули DIMM, — и всё это в более компактном форм-факторе. По мере расширения рабочих нагрузок в области вывода данных и перехода ИИ-серверов к непрерывной работе в режиме постоянной доступности энергоэффективность памяти больше не может рассматриваться как второстепенная оптимизация, поскольку она вносит существенный вклад в эксплуатационные расходы на уровне стойки. SOCAMM2 является ответом на эти вызовы.  Samsung отмечает, что, хотя серверные модули на базе чипов DRAM, такие как RDIMM (Registered Dual Inline Memory Module), по-прежнему служат основой для высокопроизводительных серверов общего назначения, SOCAMM2 предлагает дополнительную альтернативу, оптимизированную для серверов следующего поколения с ускорением ИИ, которым требуются как высокая скорость отклика, так и энергоэффективность. Память SOCAMM2 обеспечивает более чем в два раза большую пропускную способность по сравнению с традиционными модулями RDIMM, при этом потребляя более чем на 55 % меньше энергии и поддерживая стабильную высокую производительность при интенсивных ИИ-нагрузках, что делает это решение идеальным для энергоэффективных серверов ИИ, ориентированных на производительность. Кроме того, повышенная энергоэффективность SOCAMM2 упрощает задачу организации и управления охлаждением ИИ-систем, что является критически важным фактором для сред с высокой плотностью размещения вычислительных ИИ-мощностей.  Samsung заявляет, что уже сотрудничает с компанией Nvidia по развитию инфраструктурных решений с использованием подобных модулей памяти, и позиционирует формат SOCAMM2 как естественный ответ на растущие затраты на электроэнергию, ограничения по плотности размещения и проблемы с ремонтопригодностью в крупномасштабных инстансах. Samsung также отмечает, что по мере роста масштабов и сложности рабочих нагрузок ИИ компания будет и дальше развивать свой портфель серверной памяти на основе LPDDR. «В течение 2026 года и дальше» — Micron напугала, насколько затянется дефицит памяти
18.12.2025 [21:57],
Николай Хижняк
Компания Micron, один из трёх крупнейших поставщиков памяти в мире, прогнозирует сложные месяцы для мирового рынка оперативной памяти. В рамках квартального финансового отчёта генеральный директор Micron Санджай Мехротра (Sanjay Mehrotra) заявил, что «жёсткие отраслевые условия» на рынке DRAM и NAND, как ожидается, сохранятся «в течение 2026 года и дальше», поскольку искусственный интеллект стимулирует рост спроса. 
Источник изображения: Micron Technology В разгар бума ИИ Micron зарабатывает больше, чем когда-либо, поскольку такие компании, как OpenAI, Meta✴✴, Microsoft и Google, оснащают свои центры обработки данных мощными ИИ-чипами, поставляемыми в комплекте с высокоскоростной памятью HBM. Компания в очередной раз отчиталась о рекордной выручке в размере $13,64 млрд за прошедший квартал, что является значительным скачком по сравнению с $8,71 млрд, полученными за тот же период прошлого года. Micron недавно сообщила о закрытии своего бизнеса по производству потребительской продукции Crucial и смещении фокуса на гораздо более прибыльное производство памяти HBM, для выпуска которой используется в три раза больше кремниевых пластин по сравнению со стандартной DRAM. Это приводит к сокращению ресурсов, доступных для производства чипов памяти DRAM, применяемых в потребительских ПК, смартфонах, смарт-телевизорах и даже автомобилях. Дисбаланс в доступности памяти DRAM уже начал приводить к росту цен на комплекты оперативной памяти DDR5, и ожидается, что вскоре это повлияет и на другие устройства. «За последние несколько месяцев планы наших клиентов по созданию центров обработки данных для ИИ привели к резкому увеличению прогнозируемого спроса на память и хранилища», — сказал Мехротра во время конференции по итогам квартала, добавив, что «объём предложения будет существенно отставать от спроса в обозримом будущем». Micron также заявила в своём отчёте, что эти «ограничения предложения в сегменте чипов памяти» могут повлиять на поставки ПК в следующем году. Компания стремится нарастить производство и ожидает увеличения поставок DRAM и NAND-памяти на 20 % в следующем году, однако этого всё ещё недостаточно, чтобы полностью удовлетворить спрос. G.Skill объяснила, почему оперативная память резко подорожала — без сюрпризов
18.12.2025 [18:50],
Николай Хижняк
Компания G.Skill опубликовала короткий комментарий относительно резкого повышения цен на память DRAM в четвёртом квартале этого года. По словам производителя ОЗУ, в настоящее время на рынке DRAM наблюдается дефицит предложения по всей отрасли, а спрос со стороны производителей ИИ подталкивает цены вверх. 
Источник изображения: G.Skill Компания также отмечает рост собственных затрат на закупку, поэтому её цены следуют за ростом стоимости микросхем DRAM у поставщиков и могут продолжать меняться в зависимости от рыночной конъюнктуры. Комплекты ОЗУ от G.Skill часто приводят в качестве наглядного примера того, насколько сильно изменились розничные цены на DDR5 в последнее время, поэтому реакция компании не является неожиданностью. В то же время заявление G.Skill не раскрывает ничего нового для тех, кто следит за рынком памяти. «Цены на DRAM демонстрируют значительную волатильность в масштабах всей отрасли из-за серьезных глобальных ограничений и дефицита поставок, вызванных беспрецедентно высоким спросом со стороны индустрии искусственного интеллекта. В результате этого затраты G.Skill на закупку и снабжение существенно возросли. Цены на модули памяти G.Skill отражают общеотраслевое увеличение стоимости компонентов от поставщиков микросхем и могут изменяться без предварительного уведомления в зависимости от рыночных условий. Покупателям следует учитывать цены перед покупкой. Спасибо», — заявил производитель ОЗУ. В своём сообщении компания не отвечает на самый важный для покупателей вопрос: неизвестно, когда цены могут стабилизироваться или снизиться. Впрочем, G.Skill вряд ли сама знает ответ на этот вопрос, как и другие производители модулей памяти. Его следует адресовать в первую очередь производителям чипов DRAM. К сожалению, G.Skill также не разъясняет свою текущую ситуацию с закупками DRAM. В частности, неясно, обеспечивает ли компания достаточные поставки на ближайшие месяцы и в какой степени ценообразование находится под её контролем по сравнению с поведением розничных продавцов в условиях дефицита. Xiaomi и Honor подняли цены на планшеты из-за подорожавшей памяти
18.12.2025 [16:09],
Алексей Разин
Возможно, рынок планшетов существует в тени смартфонов, но это не значит, что его не касаются общие тенденции ценообразования. Китайские компании Xiaomi и Honor были вынуждены поднять цены на свои планшеты из-за роста стоимости памяти, которая используется при их производстве. Рекомендованные розничные цены на эти планшеты в Китае уже выросли на величину от 5 до 20 %. 
Источник изображения: Xiaomi Компания Xiaomi увеличила стоимость своих популярных планшетов на сумму от $14 до $42, как сообщает South China Morning Post. Подорожали как модели начального уровня, входящие в семейство Redmi Pad 2, так и более дорогие Xiaomi Pad 8. Чем дешевле был изначальный планшет, тем более заметным оказалось повышение цены. Например, с июня Redmi Pad 2 вырос в цене на 20 %, если говорить о начальной конфигурации планшета. Премиальный Xiaomi Pad 8 теперь стартует с отметки $582 в пересчёте по курсу, что на 5 % выше прежней цены, установленной на старте продаж в сентябре. Представителям Honor также пришлось заявить на страницах китайской социальной сети Weibo, что компания вынуждена повысить рекомендованные розничные цены на свои планшеты. Они пояснили, что все зависящие от памяти DRAM и NAND отрасли чувствуют ценовое давление. Резко возросший спрос на память в сегменте инфраструктуры ИИ способствовал возникновению дефицита и кратному росту цен на неё в целом по рынку. Смартфоны и планшеты не могли остаться в стороне от этой тенденции. Руководство Micron сегодня заявило, что 2026 годом дефицит памяти не ограничится. JEDEC почти завершила разработку SPHBM4 — «бюджетной» альтернативы HBM4
14.12.2025 [17:43],
Николай Хижняк
Организация JEDEC, отвечающая за определение спецификаций стандартных типов памяти, завершает разработку SPHBM4 (Standard Package High Bandwidth Memory) — нового стандарта памяти, предназначенного для обеспечения полной пропускной способности уровня HBM4 с «узким» 512-битным интерфейсом, большей ёмкостью и более низкими затратами на интеграцию за счёт совместимости с традиционными текстолитовыми подложками. Если эта технология получит широкое распространение, она заполнит многие пробелы на рынках, которые могла бы обслуживать HBM. 
Источник изображения: Micron Хотя чипы HBM с 1024-битным или 2048-битным интерфейсом обеспечивают непревзойдённую производительность и энергоэффективность, для интеграции они требуют много ценного кремниевого пространства внутри высокопроизводительных процессоров, что ограничивает количество стеков HBM на чипе и, следовательно, ёмкость памяти, поддерживаемую ИИ-ускорителями, влияя как на производительность отдельных ускорителей, так и на возможности больших кластеров, использующих их. В стандартном корпусе SPHBM4 эта проблема решается за счёт уменьшения ширины интерфейса с 2048 бит до 512 бит с сериализацией 4:1 для сохранения той же пропускной способности. JEDEC не уточняет, означает ли «сериализация 4:1» учетверение скорости передачи данных с 8 ГТ/с в HBM4 или введение новой схемы кодирования с более высокими тактовыми частотами. Тем не менее, цель очевидна: сохранить суммарную пропускную способность HBM4, но в условиях 512-битного интерфейса. Внутри корпусов SPHBM4 будет использоваться стандартный базовый кристалл HBM4, что упростит разработку контроллера (по крайней мере, на логическом уровне) и гарантирует, что ёмкость на стек останется на уровне HBM4 и HBM4E (64 Гбайт на стек HBM4E), интерфейс которого будет конвертирован в более узкую шину. На бумаге это означает возможность четырёхкратного увеличения ёмкости памяти SPHBM4 по сравнению с HBM4, но на практике разработчики чипов для ИИ, вероятно, будут балансировать между ёмкостью памяти с более высокими вычислительными возможностями и универсальностью, поскольку площадь кремниевых кристаллов становится дороже с каждой новым процессом технологической обработки.  Почему не использовать память SPHBM4 в составе игровых видеокарт, обеспечив тем самым для последних более высокую пропускную способность при умеренном увеличении стоимости по сравнению с GDDR7 или потенциальной GDDR7X с кодированием PAM4? Разработанная для обеспечения пропускной способности уровня HBM4, память SPHBM4 принципиально спроектирована таким образом, чтобы отдавать приоритет производительности и ёмкости перед другими соображениями, такими как энергопотребление и стоимость. Хотя SPHBM4 дешевле, чем HBM4 или HBM4E, она всё ещё требует многослойной компоновки кристаллов, которые физически больше и, следовательно, дороже, чем стандартные микросхемы DRAM, базового кристалла интерфейса, обработки TSV, проверенных технологических процессов изготовления кристаллов и усовершенствованной сборки в корпусе. Эти этапы доминируют в стоимости и плохо масштабируются с увеличением объёма производства по сравнению со стандартной GDDR7, которая выигрывает от огромных объёмов потребительского и игрового рынка, простых корпусов и отработанной сборки печатных плат. Замена множества чипов GDDR7 на один усовершенствованный SPHBM4 может не снизить затраты, а, наоборот, увеличить их. Хотя 512-битная шина памяти остаётся сложным интерфейсом, JEDEC утверждает, что SPHBM4 обеспечивает 2.5D интеграцию на обычных текстолитовых подложках и не требует дорогостоящих межсоединений, что значительно снижает затраты на интеграцию и потенциально расширяет гибкость проектирования. Между тем, благодаря стандартному 512-битному интерфейсу, SPHBM4 может предложить более низкую стоимость (благодаря объёму производства, обеспечиваемому стандартизацией) по сравнению с решениями C-HBM4E, которые используют интерфейсы UCIe или собственные разработки. По сравнению с решениями на основе кремния, трассировка на тектолитовой подложке позволяет использовать более длинные электрические каналы между SoC и стеками памяти, что потенциально снижает ограничения по компоновке в больших корпусах и позволяет разместить большую ёмкость памяти вблизи корпуса, чем это возможно в настоящее время. SK hynix планирует, что дефицит потребительской памяти продлится до 2028 года
14.12.2025 [16:29],
Николай Хижняк
Внутренний прогноз компании SK hynix, главные выдержки из которого опубликовал пользователь BullsLab Jay, предполагает, что рост поставок чипов памяти DRAM останется ограниченным до 2028 года. Это не касается памяти HBM и SOCAMM. Также сообщается, что запасы поставщиков сокращаются до минимального уровня, в то время как рост производственных мощностей остаётся ограниченным. 
Источник изображения: VideoCardz Что касается потребительского сегмента ПК, SK hynix ожидает, что рост производства DRAM для ПК будет отставать от спроса до 2028 года. Это связано с длительными сроками строительства новых заводов и замедлением расширения мощностей во время технологических переходов. Также предполагается, что поставки ПК в 2026 году могут остаться близкими к уровню 2025 года, но объём памяти на систему может увеличиться по мере роста доли ПК с ИИ. По оценкам компании, доля ПК с ИИ может составить 55 % от общего объёма поставок ПК в 2026 году. 
Источник изображения: BullsLab Jay / SK hynix В сегменте оборудования для хранения данных компания не ожидает значительного роста для потребительского рынка, но указывает на увеличение количества продуктов на базе чипов флеш-памяти QLC. Также прогнозируется усиливающееся давление на цены, если объёмы предложений для данного сегмента останутся ограниченными, а запасы уже произведённой продукции продолжат сокращаться. 
Источник изображения: Amazon Прогноз SK hynix перекликается с необычным примером на торговой площадке Amazon, где модуль оперативной памяти Lexar 8GB DDR5-5600 UDIMM предлагается для предзаказа с прогнозируемой датой отгрузки 31 августа 2027 года. Стоимость модуля составляет €43,98. В качестве продавца и поставщика указана сама площадка Amazon. Обозначенная дата отгрузки может быть просто ожидаемой самой площадкой (временной или предполагаемой), она всё равно показывает, насколько откладываются некоторые заказы, пока сохраняется дефицит памяти. |
|
✴ Входит в перечень общественных объединений и религиозных организаций, в отношении которых судом принято вступившее в законную силу решение о ликвидации или запрете деятельности по основаниям, предусмотренным Федеральным законом от 25.07.2002 № 114-ФЗ «О противодействии экстремистской деятельности»; |
© 1997—2025 Электронное периодическое издание "3ДНьюс" | Свидетельство о регистрации СМИ Эл ФС 77-22224
выдано Федеральной Службой по надзору за соблюдением законодательства в сфере массовых коммуникаций и охране культурного наследия
При цитировании документа ссылка на сайт с указанием автора обязательна. Полное заимствование документа является
нарушением
российского и международного законодательства и возможно только с согласия редакции 3DNews.
MWC 2018
2018
Computex
IFA 2018
![Российские итоги HUAWEI XMAGE 2025 и выставка «Фото[графическое] путешествие»](https://cdn.3dnews.ru/assets/external/illustrations/2025/11/21/1132762/02.jpg?resize=w400)
