Опрос
|
реклама
Быстрый переход
256 Гбайт памяти в Mini-ITX — ASRock наделила поддержкой CQDIMM DDR5-7400 плату Z890I Nova WiFi R2.0
06.03.2026 [16:49],
Николай Хижняк
Компания ASRock сообщила, что её материнская плата Z890I Nova WiFi R2.0 теперь поддерживает память CQDIMM, что позволяет системе использовать до 256 Гбайт ОЗУ DDR5 со скоростью 7400 МТ/с. Проверку совместимости плата прошла с двумя модулями Kingston объёмом 128 Гбайт каждый. 
Источник изображений: ASRock Память CQDIMM основана на CUDIMM (Clocked Unbuffered DIMM — небуферизованный модуль с тактовым генератором), но использует четырёхранговую схему для увеличения ёмкости. Проще говоря, это тип модулей DDR5, разработанный для обеспечения как больших объёмов памяти, так и относительно высоких скоростей. CQDIMM позволяет реализовать до 128 Гбайт памяти в рамках одного модуля, что даёт возможность установить до 256 Гбайт ОЗУ, используя при этом всего два слота DIMM на материнской плате.  По данным ASRock, поддержка этой памяти стала возможной благодаря изменениям в конструкции материнской платы, а также аппаратной и программной оптимизации. В результате удалось добиться работы памяти DDR5-7400 общим объёмом 256 Гбайт, что нечасто встречается на современных потребительских платформах. Подобная конфигурация памяти ориентирована в первую очередь на пользователей, которым требуется как высокая ёмкость оперативной памяти, так и высокая пропускная способность, например для задач искусственного интеллекта, создания контента и других ресурсоёмких профессиональных задач. Однако, учитывая текущую ситуацию на рынке и цены на модули памяти высокой ёмкости, вряд ли покупка двух планок объёмом по 128 Гбайт будет выглядеть экономически целесообразной. Для большинства сценариев использования ИИ, вероятно, будет дешевле и проще установить четыре модуля памяти, даже если они не будут обеспечивать такую высокую скорость работы. Цены на память теперь меняются каждый час — мелких производителей фактически отрезали от закупок
04.03.2026 [12:37],
Алексей Разин
Рынок спотовых сделок в сегменте микросхем памяти, как отмечает Tom’s Hardware со ссылкой на DigiTimes, перешёл к пересмотру цен буквально каждый час, и мелким производителям электроники просто не остаётся на нём места. Ограниченный объём памяти распределяется неравномерно между примерно 100 крупными покупателями и более чем 190 000 небольшими компаниями, которые в таких условиях просто не могут приобретать её. 
Источник изображения: Micron Technology Как поясняют тайваньские источники, облачные гиганты, крупные автопроизводители и игроки рынка смартфонов вроде Apple или Samsung менее чувствительны к росту цен на память, а поставщики к тому же больше дорожат отношениями с такими клиентами. Поэтому мелкие заказчики гораздо сильнее страдают от подорожания памяти и её дефицита. Делать предоплату за поставку памяти по нынешним ценам способны не все производители электроники, поэтому небольшие компании буквально вымываются с рынка. Пережить повышение цен на память многие компании пытаются со второй половины прошлого года. По текущим ценам покупать память могут не все участники рынка, поэтому они сокращают объёмы производства собственной продукции и переводят бизнес в режим выживания. Формально уход с рынка мелких покупателей снижает общий спрос на память, но пока ситуация далека от перевеса в сторону избытка предложения. Как ожидает TrendForce, в текущем квартале контрактные цены на DRAM последовательно вырастут почти вдвое, а NAND подорожает минимум в полтора раза. Во втором квартале цены на DRAM увеличатся ещё на 70 %, а специалисты IDC ожидают, что дефицит памяти сохранится до 2027 года включительно. Затраты производителей ПК и смартфонов на закупку памяти также растут: эксперты прогнозируют, что рынок смартфонов по итогам текущего года сократится на 13–31 %. На рынке ПК сложнее всего придётся небольшим производителям, которые не смогут закупать память на более выгодных по сравнению с крупными конкурентами условиях. В самый раз для ИИ: Micron выпустила первый в мире модуль памяти LPDRAM SOCAMM2 на 256 Гбайт
04.03.2026 [11:28],
Павел Котов
Компания Micron представила первый в мире высокопроизводительный модуль оперативной памяти LPDRAM SOCAMM2 объёмом 256 Гбайт — он разработан специально для работы в центрах обработки данных и рабочих нагрузок в области искусственного интеллекта. 
Источник изображений: micron.com Оперативная память нового типа потребляет втрое меньше мощности и отличается компактными габаритами модуля — сам модуль построен на монолитных кристаллах объёмом 32 Гбит. При наличии 8-канального центрального процессора в системе с 2 Тбайт памяти скорость при рабочей нагрузке инференса (запуска) ИИ увеличивается в 2,3 раза по важнейшему показателю — времени до выдачи первого токена.  Новый модуль памяти Micron ориентирован на задачи вывода больших языковых моделей и прочие рабочие нагрузки, в которых объёмы памяти, пропускная способность, эффективность и величина задержки определяют производительность и масштабируемость. Формфактор SOCAMM2 представляет собой идеальное решение с более компактными размерами модулей и сниженным потреблением энергии в сравнении с традиционным форматом RDIMM. Разработку компонента компания Micron вела совместно с Nvidia. В рабочих нагрузках ИИ видеопамять на графическом процессора имеет решающее значение, но при больших объёмах KV-кеша его можно частично выгружать в более дешёвую общую системную память, если та достаточно быстрая — и эту возможность предлагает LPDRAM SOCAMM2 от Micron. Свежий прогноз: продажи смартфонов в этом году рухнут на треть, но Apple и Samsung это не касается
03.03.2026 [12:48],
Алексей Разин
Ведущие аналитические компании типа IDC, Gartner и Counterpoint Research предрекают снижение объёмов поставок смартфонов в текущем году на величину не более 13 %, но эксперты Jefferies готовы переставить в этом числе цифры местами, предсказывая падение объёмов поставок смартфонов по итогам текущего года до 867 млн штук. 
Источник изображения: Apple Ранее они также ориентировались на 12-процентное снижение, как и многие отраслевые коллеги, но теперь уверены в падении мирового рынка смартфонов сразу на 31 %. Стоимость памяти в составе смартфонов под управлением Android в текущем году вырастет в 3,6 раза, в случае с продукцией Apple рост достигнет 4,2 раза. До этого эксперты Jefferies ожидали, что цены на память вырастут только на 80 %. Но по итогам первого квартала текущего года цены на LPDDR5 выросли в годовом сравнении на 151 %, память типа NAND подорожала на 360 %. А во втором квартале цены на память наверняка последовательно вырастут ещё более чем на 50 %. Как считают представители Jefferies, небольшим производителям смартфонов в таких условиях будет сложнее выжить, поэтому Samsung и Apple смогут укрепить свои рыночные позиции. Первая благодаря наличию собственного производства памяти увеличит свою долю рынка на 7 процентных пунктов, а вторая ограничится приростом на 5 п.п., главным образом из-за более высокой устойчивости целевой потребительской аудитории к возможному росту цен. Из китайских производителей сильнее всего пострадает марка Xiaomi, которая из-за концентрации на недорогих моделях почувствует снижение объёмов поставок смартфонов на 55 % по итогам всего текущего года. Отчасти это будет компенсировано ростом средней цены реализации на 31 %, поэтому на выручке компании указанное выше падение поставок отразится не в пропорциональном выражении. Прочие китайские марки типа Oppo, Vivo и Transsion столкнутся со снижением объёмов поставок смартфонов на величину от 45 до 52 %. На охоту за недорогими модулями DDR5 вышли боты, управляемые спекулянтами
03.03.2026 [08:20],
Алексей Разин
Апокалиптические сценарии по порабощению человека искусственным интеллектом, возможно, останутся в фантазиях голливудских сценаристов, но в реальной жизни человеку уже приходится бороться за ресурсы с ИИ. По крайней мере, он уже используется для скупки модулей памяти, необходимых для развития собственной вычислительной инфраструктуры. 
Источник изображения: Micron Technology Исследователи Galileo, на которых ссылается TechRadar, установили, что программные боты в шесть раз чаще людей обращаются к страницам интернет-магазинов, на которых можно заказать модули памяти типа DDR5. Подобная активность редко приветствуется продавцами, в ходе одной из кампаний было заблокировано более 10 млн запросов, исходящих от ботов. Контрольная выборка показала, что за один час боты сделали 50 000 обращений к 91 страницам интернет-магазинов с предложениями купить DDR5. Каждая страница опрашивалась ими в течение часа в среднем 551 раз, что соответствует одному запросу каждые 6,5 секунд. Ассортимент предложений, охватываемых ботами, простирается от оснащаемых красочными радиаторами и RGB-подсветкой модулей DDR5 до планок памяти промышленного назначения. Фактически, боты используются даже для мониторинга отдельных компонентов, предназначенных для производителей материнских плат — например, самих разъёмов DIMM. Опросы осуществляются круглосуточно с небольшими перерывами, вызываемыми техническими сбоями. В таких условиях у живых покупателей остаётся меньше шансов приобрести желаемые модули памяти по адекватной цене. Samsung и SK Hynix снова повысят контрактные цены на память во втором квартале — спрос не ослабевает
01.03.2026 [16:31],
Владимир Мироненко
Samsung Electronics и SK Hynix, два крупнейших в мире производителя DRAM, известили клиентов о повышении цен на память во втором квартале и уже ведут переговоры с ними по этому поводу, сообщил ресурс Seoul Economic Daily со ссылкой на источники в отрасли. 
Источник изображения: Seoul Economic Daily Масштабы повышения цен варьируются в зависимости от клиента, и, как сообщают источники, небольшим компаниям придётся согласиться на существенное повышение цен, чтобы зарезервировать поставки DRAM. «Текущие производственные мощности Samsung Electronics позволяют удовлетворить лишь около 60 % постоянно растущего спроса на DRAM», — говорит представитель отрасли, поэтому, в стремлении обеспечить себе необходимые объёмы поставок, клиенты не решатся выступить против значительного роста цен, даже если они в некоторых случаях вдвое превысят стоимость согласно предыдущим контрактам. Крупные компании, такие как Nvidia и Apple, обычно заключают контракты на квартал или полугодие. Более мелкие компании традиционно заключали контракты на основе ежемесячных рыночных цен. Сообщается, что с IV квартала 2025 года, когда цены на DRAM начали резко расти, средние и мелкие компании перешли на квартальные контракты, устанавливающие объёмы поставок, выгодные для Samsung и SK hynix. Аналитики ожидают, что цены на DRAM могут более чем удвоиться в этом году. Например, согласно прогнозу исследовательской компании Gartner, цены на память, включая DRAM и твердотельные накопители, вырастут к концу года на 130 %. По данным исследовательской компании DRAMeXchange, цена чипа DDR4 8 ёмкостью 8 Гбит в марте прошлого года составляла около $1,30, к концу года она подскочила до $9,30, а к февралю этого года — ещё на 40 % до $13. Эксперты рассматривают резкий рост цен на память не как временный дисбаланс спроса и предложения, а как структурную проблему, когда предложение не может угнаться за долгосрочным спросом. Это связано с переходом индустрии ИИ к агентному ИИ, по мере внедрения которого спрос на DRAM, поддерживающую инференс и вычисления, продолжает стремительно расти. Ситуация вряд ли улучшится в ближайшем будущем, поскольку производственные мощности трёх крупнейших производителей памяти DRAM в этом году останутся почти на прежнем уровне — лишь у SK hynix ожидается рост год к году на 7 %. «Поскольку компании внедряют не один, а два или три ИИ для разных целей, спрос на DRAM продолжает расти, — отметил представитель отрасли. — Так как объёмы поставок на следующий год уже распроданы, ожидается, что тенденция к росту цен сохранится». JEDEC опубликовала спецификации флеш-памяти UFS 5.0 — до 10,8 Гбайт/с для самых быстрых смартфонов
28.02.2026 [18:40],
Николай Хижняк
Организация JEDEC, отвечающая за определение спецификаций стандартных типов памяти, опубликовала спецификации флеш-памяти UFS 5.0. Новый стандарт обеспечивает пропускную способность до 10,8 Гбайт/с при последовательном чтении и записи. Это почти в два раза больше, чем обычно указываемые для устройств класса UFS 4.0 показатели в 5,8 Гбайт/с, а также превышает заявленный предел однонаправленной пропускной способности в 8,0 Гбайт/с для интерфейса PCIe 4.0 x4. 
Источник изображений: VideoCardz Увеличение скорости связано с обновлением физического интерфейса. Ранее в своём заявлении компания Kioxia отмечала использование в новой памяти интерфейса MIPI M-PHY v6.0 с режимом HS-GEAR6 (до 46,6 Гбит/с на линию). Благодаря этому двухполосная конфигурация достигает эффективной производительности около 10,8 Гбайт/с. Особенности UFS 5.0 также включают улучшенную целостность сигнала, повышенную стабильность питания и новые функции защиты данных.  Даже с учётом заявленной пропускной способности сравнение с NVMe требует контекста. Максимальная скорость передачи данных по интерфейсу PCIe 4.0 x4 составляет 8 Гбайт/с в одном направлении, однако реальная производительность SSD зависит от контроллера, глубины очереди, температурного режима, прошивки и характера рабочей нагрузки. В свою очередь компоненты UFS по-прежнему оптимизированы для встраиваемых систем с учётом ограничений по энергопотреблению и занимаемому пространству. Накопители PCIe 5.0 по-прежнему лидируют по пиковой пропускной способности, достигая 16 Гбайт/с в одном направлении по каналу PCIe 5.0 x4. Для появления потребительских устройств на базе UFS 5.0 потребуется время. Что касается поставок, Kioxia заявила, что уже предоставляет клиентам тестовые чипы UFS 5.0 объёмом 512 Гбайт и 1 Тбайт в корпусе размером 7,5 × 13 мм, предназначенные для мобильных устройств следующего поколения. Samsung подтвердила — в подорожании смартфонов Galaxy S26 виновата память
27.02.2026 [12:21],
Владимир Мироненко
Анонсированные на этой неделе смартфоны Galaxy S26 и S26+ стоят в среднем на $100 дороже своих предшественников. Один лишь дефицит памяти внёс «значительный вклад» в формирование цены, сообщил ресурсу The Verge Вон-Джун Чой (Won-Joon Choi), операционный директор мобильного подразделения Samsung, добавив, что на повышении стоимости также сказался рост пошлин.  Galaxy S26 получил вдвое больший объём встроенной памяти по более высокой цене — 256 Гбайт вместо 128 Гбайт у предшественника. При этом его стоимость составляет $899, что на $40 дороже, чем Galaxy S25 с 256 Гбайт памяти на момент выхода. И хотя ввозные пошлины тоже могли внести вклад в подорожание, Samsung повысила цену модели и в других регионах, а не только в США. Вместе с тем более дорогая модель Galaxy S26 Ultra получила ряд улучшений по сравнению с предшественником, включая встроенный экран для защиты конфиденциальности и увеличенную систему охлаждения с испарительной камерой. Поставщик чипов для смартфонов Samsung, компания Qualcomm, в феврале предупредила в отчёте о квартальных результатах о значительном падении бизнеса по производству процессоров для мобильных телефонов, который, по её словам, сократился «на 100 %» из-за дефицита памяти. Также Qualcomm сообщила инвесторам, что в этом году спрос на компоненты со стороны ИИ-индустрии, по всей видимости, будет напрямую определять масштабы всей отрасли производства смартфонов. Подтверждая это заявление, IDC прогнозирует в 2026 году самое большое падение глобальных поставок смартфонов за всю историю — на 12,9 %. «Мы наблюдаем не временное сокращение, а цунамиобразный шок, начинающийся в цепочке поставок памяти и распространяющийся волновым эффектом по всей индустрии потребительской электроники», — отметили в IDC. SK hynix и SanDisk запустили стандартизацию High Bandwidth Flash — новой памяти между HBM и SSD
26.02.2026 [17:24],
Николай Хижняк
Компании SK hynix и SanDisk сообщили о запуске в рамках программы Open Compute Project проекта по глобальной стандартизации высокоскоростной флеш-памяти High Bandwidth Flash (HBF). 
Источник изображений: SanDisk Компании описывают HBF как новый уровень памяти, располагающийся между сверхбыстрой памятью HBM и SSD. Технология HBF может заполнить пробел между высокой скоростью HBM и большой ёмкостью SSD, обеспечивая как расширение ёмкости, так и энергоэффективность, необходимые для выполнения задач искусственного интеллекта. В то время как HBM обеспечивает высокую пропускную способность, HBF выступает вспомогательным уровнем в архитектуре. SanDisk опубликовала информацию о том, как, по её мнению, будет выглядеть этот уровень HBF в составе аппаратного стека. Компания позиционирует HBF как память на основе NAND и утверждает, что она может обеспечить в 8–16 раз большую ёмкость, чем HBM, при аналогичной пропускной способности и сопоставимой стоимости в предполагаемой системной конфигурации.  Для аппаратных решений первого поколения HBF SanDisk заявляет пропускную способность чтения до 1,6 Тбайт/с, 256 Гбит/с на кристалл и до 512 Гбайт общей ёмкости в рамках 16-кристального стека. Компания также утверждает, что стек разработан таким образом, чтобы максимально соответствовать HBM4 по физическим размерам, энергопотреблению и высоте, что подразумевает модель интеграции, аналогичную современным стекам HBM на ускорителях ИИ.  SanDisk заявляет, что HBF обеспечивает производительность, отличающуюся всего на 2,2 % от «HBM с неограниченной ёмкостью» в ходе внутренних тестов и моделирования с использованием модели рабочей нагрузки для вывода данных, основанной на предварительно обученной 8-битной конфигурации параметров Llama 3.1 405B. В сноске к презентации отмечается, что сравнение предполагает неограниченную ёмкость HBM в целях моделирования, поэтому оно не измеряет преимущество в ёмкости напрямую. На фундаментальном технологическом уровне SanDisk связывает HBF со своей дорожной картой чипов BiCS NAND и технологией CBA (CMOS Direct Bonded to Array), а также с запатентованной технологией 3D-стекирования, предназначенной для 16-кристальных стеков с уменьшенной деформацией и лучшей теплопроводностью. В информационном листке также подчёркивается энергонезависимый характер HBF — она не требует питания для обновления данных, в отличие от памяти на основе DRAM.  В дорожной карте SanDisk также указаны предварительные целевые показатели пропускной способности чтения HBF второго (Gen2) и третьего (Gen3) поколений — свыше 2 Тбайт/с и 3,2 Тбайт/с соответственно — с ёмкостью стека до 1 Тбайт и 1,5 Тбайт, а также более низкие целевые показатели энергопотребления по сравнению с Gen1 — 0,8× и 0,64×. SK hynix и SanDisk не сообщили о графике внедрения HBF, но уже обозначили стандартизацию как следующий шаг в рамках программы Open Compute Project. Kioxia начала поставки тестовых чипов флеш-памяти UFS 5.0 для будущих флагманских смартфонов
26.02.2026 [13:48],
Николай Хижняк
Компания Kioxia объявила о начале поставок оценочных образцов встраиваемой флеш-памяти UFS 5.0 заинтересованным клиентам. UFS 5.0 — это новый стандарт для встроенных флеш-накопителей, разработанный JEDEC для удовлетворения требований к производительности мобильных устройств следующего поколения, таких как высококлассные смартфоны, оснащённые встроенными функциями искусственного интеллекта. 
Источник изображения: Kioxia Стандарт UFS 5.0 использует протокол MIPI M-PHY версии 6.0 для физического уровня и UniPro версии 3.0. M-PHY версии 6.0 представляет новый режим HS-GEAR6, теоретически поддерживающий скорость интерфейса до 46,6 Гбит/с на линию. При использовании двух линий UFS 5.0 может обеспечить эффективную скорость чтения/записи примерно на уровне 10,8 Гбайт/с. Образцы для оценки включают в себя новый контроллер собственной разработки для UFS 5.0 и флеш-память BiCS FLASH 8-го поколения от Kioxia, доступная в вариантах ёмкости 512 Гбайт и 1 Тбайт. Корпус чипов UFS 5.0 имеет новые габариты 7,5 × 13 мм, что способствует экономии места на плате и гибкости проектирования. Образцы предоставляются клиентам, разрабатывающим хост-системы, совместимые с UFS 5.0, что позволяет им оценить производительность и провести тестирование совместимости. Micron представила 3-Гбайт чипы памяти GDDR7 со скоростью до 36 Гбит/с
25.02.2026 [23:20],
Николай Хижняк
Компания Micron представила чипы графической памяти GDDR7 плотностью 24 Гбит (3 Гбайт). По словам производителя, эти микросхемы обеспечивают скорость передачи данных до 36 Гбит/с на контакт. В настоящий момент они не используются ни в одном коммерческом продукте, представленном на рынке. 
Источник изображения: Micron При заявленной скорости 36 Гбит/с на контакт и использовании 512-битного интерфейса общая пропускная способность подсистемы памяти на базе новой GDDR7 может достигать 2 Тбайт/с, если отсутствуют какие-либо другие искусственные ограничения. «Память Micron GDDR7 — это не просто повышение производительности, это фундаментальная технология для следующего десятилетия визуальных и ИИ-вычислений. Благодаря скорости 36 Гбит/с, плотности 24 Гбит и улучшенной энергоэффективности GDDR7 позволяет производителям графических процессоров и ПК с поддержкой ИИ обеспечивать более насыщенные, динамичные и интеллектуальные вычислительные возможности», — пишет производитель в своём блоге. Micron не первая компания, предлагающая чипы памяти GDDR7 ёмкостью 3 Гбайт. Samsung проводила тестирование подобных чипов для партнёров ещё в ноябре прошлого года. Чипы 3-Гбайт микросхемы GDDR7 от Samsung обеспечивают скорость передачи данных 36 Гбит/с, поэтому Micron здесь также не выделяется. Возможно, именно поэтому компания раскрыла подробности о новом продукте в блоге, а не в отдельном пресс-релизе. На сегодняшний день наибольшую ёмкость памяти GDDR7 для настольных компьютеров предлагает профессиональная видеокарта Nvidia RTX Pro 6000 Blackwell, которая оснащается 96 Гбайт GDDR7, распределённой по 24 чипам ёмкостью 4 Гбайт каждый. Эти чипы работают на скорости 28 Гбит/с, а общая пропускная способность подсистемы памяти составляет 1,8 Тбайт/с. При скорости 36 Гбит/с пропускная способность достигла бы 2,3 Тбайт/с, однако ёмкость осталась бы прежней. Китайская CXMT обрушила цены на DDR4 — вдвое дешевле Samsung и SK hynix
23.02.2026 [13:58],
Алексей Разин
Китайским производителям микросхем памяти пока не удаётся наладить выпуск передовых видов продукции, но в тех сегментах рынка, где они уже догнали зарубежных конкурентов, они не стесняются демпинговать. В частности, китайская CXMT предлагает чипы DDR4 в два раза дешевле по сравнению с южнокорейскими конкурентами. 
Источник изображения: CXMT Взлетевшие цены на оперативную память, как отмечает The Korea Herald, открыли перед CXMT возможность увеличить свою долю рынка, предлагая не самую передовую продукцию в сегменте мобильных устройств и ПК по привлекательной стоимости. Всего лишь за месяц контрактные цены на 8-гигабитные микросхемы DDR4 выросли на 23,7 %, а на годовом интервале они вообще увеличились в восемь раз. По данным DRAMeXchange, цены на оперативную память растут уже десять месяцев подряд. Американские производители ПК типа HP Inc. и Dell уже испытывают память производства CXMT с целью дальнейшего использования в своей продукции. Дело даже не столько в более низких ценах — китайские компании в отдельных случаях остаются одними из немногих поставщиков оперативной памяти для рынка ПК. Тайваньские Acer и Asus готовятся последовать примеру своих американских конкурентов в части сотрудничества с китайскими поставщиками микросхем памяти. Заинтересованность Samsung и SK hynix в увеличении поставок HBM не отменяет того факта, что более половины их производственных мощностей до сих пор ориентировано на выпуск классических типов DRAM. Соответственно, и доля подобной продукции в выручке указанных компаний достаточно велика. Если корейские поставщики потеряют хотя бы часть этого рынка, уступив китайским конкурентам, они неизбежно почувствуют негативные последствия такого изменения в расстановке сил. Китайская CXMT при этом готова повторить путь зарубежных конкурентов, переведя часть мощностей по выпуску DRAM на производство более современной HBM3. На своём предприятии в Шанхае компания готова пожертвовать для этих целей до 20 % доступных мощностей. Рассматривается и возможность организации выпуска более продвинутой HBM3E. Компания YMTC, которая специализируется на выпуске NAND, также оказалась в выгодном положении в условиях бума ИИ. В прошлом году её удалось занять 10 % мирового рынка NAND, что произошло впервые в истории этого китайского производителя твердотельной памяти. Своё третье предприятие в Ухане компания достроит и введёт в эксплуатацию в следующем году. Половину площади на этой фабрике YMTC отведёт под выпуск DRAM, причём если сперва это будет что-то классическое, то позже здесь может быть освоен выпуск HBM. В будущем китайские компании, как считают представители отрасли, смогут быстрее сокращать технологическое отставание от своих зарубежных конкурентов. Сооснователи Kingston Technology в этом году стали богаче на 44 % из-за бума ИИ
23.02.2026 [07:47],
Алексей Разин
Квартальные отчёты производителей микросхем памяти позволяют судить, насколько динамично растёт выручка и прибыль в этом виде бизнеса, но в цепочке между ними и конечными потребителями, если не считать поставщиков, находятся ещё и производители модулей памяти. Благосостояние двух основателей Kingston Technology только в этом году выросло на 44 % или $14 млрд. 
Источник изображения: Kingston Technology Как поясняет Business Insider Africa, по динамике роста личного благосостояния в этом году лучше себя показали разве что Илон Маск (Elon Musk) и мексиканский магнат Карлос Слим (Carlos Slim). Компания Kingston Technology была основана Дэвидом Сунем (David Sun) и Джоном Ту (John Tu), и если с продукцией этой марки знакомы многие пользователи ПК, то её основателей мало кто знает по имени, а тем более в лицо. Их текущее благосостояние достигает $45 млрд у каждого, что позволяет им занять 45-е и 46-е места в списке богатейших людей мира. Японский предприниматель Масаёси Сон (Masayoshi Son), чья корпорация SoftBank остаётся главным акционером Arm и вливает десятки миллиардов долларов США в инфраструктуру ИИ, уступает основателям Kinston Technology по величине благосостояния. Что характерно, история развития Kingston Technology перекликается с SoftBank, поскольку последняя владела ею в период с 1996 по 1999 годы. Основатели этого производителя модулей памяти продали 80 % своего детища Сону за $1,5 млрд, чтобы четырьмя годами позже выкупить долю уже за $450 млн. Связанные с производством памяти компании в условиях бума ИИ стремительно наращивают свою капитализацию. Например, в случае с Micron Technology она увеличилась более чем в четыре раза за 12 месяцев. Глава SK Group заявил, что из-за дефицита памяти некоторые производители ПК и смартфонов могут не выжить
23.02.2026 [06:26],
Алексей Разин
Председатель правления SK Group Чхэ Тхэ Вон (Chey Tae-won) на деловом форуме в Вашингтоне заявил, что дефицит памяти меняет мировую полупроводниковую отрасль коренным образом. За пределами сегмента ИИ, по его словам, производители ПК и смартфонов не могут выпускать необходимое количество продукции, и некоторые из них будут вынуждены прекратить работу. 
Источник изображения: SK hynix Определённое представление о происходящем в сфере производства памяти председатель правления SK Group имеет, поскольку входящая в этот промышленный конгломерат южнокорейская компания SK hynix в прошлом году обошла по величине операционной прибыли Samsung Electronics — многолетнего лидера в сегменте. Как подчеркнул глава SK Group, при выпуске HBM норма прибыли превышает 60 %, но это не значит, что прочие виды памяти производить менее выгодно — напротив, из-за перекосов на рынке на других направлениях доходность может достигать 80 %. Чхэ Тхэ Вон пояснил, что ещё в декабре руководство SK hynix рассчитывало получить операционную прибыль в размере $50 млрд по итогам 2026 года, но в январе прогноз подняли до $70 млрд, а теперь он и вовсе превышает $100 млрд. «Это может показаться хорошей новостью, но в то же время, всё может обернуться убытками в размере $100 млрд. Волатильность очень высока, новая технология может стать выгодным решением, но из-за неё одновременно можно и всё потерять», — охарактеризовал специфику бизнеса в сегменте выпуска памяти представитель компании. Память для инфраструктуры ИИ остаётся в дефиците, его величина в этом году может превысить 30 %, сегмент буквально высасывает всё предложение на рынке. Инфраструктуре требуются и новые генерирующие мощности для энергоснабжения, и всё это провоцирует резкий рост расходов на строительство ЦОД. В США, например, для строительства вычислительных центров мощностью около 100 ГВт придётся потратить около $5 трлн, и это не считая расходов на развитие энергетической инфраструктуры. Развитие ИИ, по словам председателя правления SK Group, никому не удастся остановить, и обладающие ресурсами и капиталами компании окажутся в числе лидеров в этой гонке. Проходящий ежегодно форум TPD в Вашингтоне глава SK Group использовал для встречи с руководством крупнейших американских клиентов: Nvidia, Broadcom, Microsoft, Meta✴✴ Platforms и Google. С основателем первой из компаний Дженсеном Хуангом (Jensen Huang), например, он провёл встречу в одном из заведений корейского общепита в Калифорнии. Возможность встретиться с американскими клиентами Чхэ Тхэ Вон использовал для принесения извинений по поводу отсутствия у SK hynix способности удовлетворить спрос на память в полной мере. Цена модулей DDR5 в Европе откатилась на 10-15 %, несмотря на продолжающийся дефицит
22.02.2026 [20:53],
Владимир Фетисов
Цены на комплекты памяти DDR5 в США продолжают бить рекорды, но в Европе наблюдаются признаки снижения розничной стоимости на продукцию этого типа. Во всяком случае, на это указывает график цен на DDR5, опубликованный в известном сообществе энтузиастов на форуме Reddit. На ресурсе Tom’s Hardware также проанализировали цены на несколько комплектов DDR5 в Германии и подтвердили, что сейчас они стоят дешевле, чем несколько недель назад. 
Источник изображения: G.Skill На опубликованном графике, предположительно, изображена агрегированная стоимость «среднего» комплекта модулей памяти DDR5 ёмкостью 32 Гбайт по Евросоюзу в период с конца июля 2025 года по февраль 2026 года. Цены колебались от €95 (минимальная цена, зеленая кривая) до €100 (средняя цена, синяя кривая) до начала осени, а затем в октябре начали резко расти. В ноябре рост стоимости ускорился, а пиковые значения в диапазоне от €430 до €470 были достигнуты к началу февраля. Ближе к концу периода обе кривые ползут вниз, что может указывать либо на умеренную коррекцию после скачка, либо на фактическое падение цен, обусловленное определёнными факторами. 
Источник изображения: Reddit Хотя этот график заслуживает внимания, ему не хватает ясности и деталей. Его автор не указал, о каких именно комплектах идёт речь, в каких странах они продаются, у каких ретейлеров, включает ли цена НДС и др. Поэтому на портале Tom’s Hardware провели собственное исследование ценовых тенденций на пять наборов двухканальной памяти DDR5-6000/6400 на 32 Гбайт от известных производителей, таких как Crucial, Corsair, G.Skill, Kingston и Patriot, доступных на Amazon в Германии. 
Источник изображения: CamelCamelCamel Среди участвовавших в исследовании комплектов только две модели от Corsair и Kingston существенно подешевели за последнее время. В случае комплекта от Corsair цена снизилась с €480 в начале февраля до €425 к настоящему моменту, а цена комплекта от Kingston снизилась с €550 в начале января до €463 к настоящему времени. Все участвовавшие в исследование комплекты памяти DDR5 сейчас стоят дешевле, чем несколько недель назад, когда были достигнуты пиковые значения. Отмечается, что все розничные цены в Европе включают НДС, в отличие от цен в США. 
Источник изображения: CamelCamelCamel В дополнение к этому были проанализированы ценовые тенденции для тех же комплектов памяти DDR5 ёмкостью 32 Гбайт в США. Цены далеки от сентябрьских, но стоимость некоторых комплектов, например, от G.Skill и Patriot, за последнее время несколько скорректировалась. Однако на данный момент нельзя уверенно сказать, что их стоимость движется в сторону снижения. 
Источник изображения: CamelCamelCamel Хотя $400, безусловно, слишком высокая цена за комплект памяти DDR5-6000 ёмкостью 32 Гбайт, ждать скорого снижения розничных цен не стоит из-за продолжающегося глобального дефицита чипов памяти. Цены могут снизиться, когда упадёт чрезмерный спрос на все виды памяти, когда в эксплуатацию будут введены новые производственные мощности по выпуску DRAM или когда вендоры перейдут на более эффективные технологические процессы. |
|
✴ Входит в перечень общественных объединений и религиозных организаций, в отношении которых судом принято вступившее в законную силу решение о ликвидации или запрете деятельности по основаниям, предусмотренным Федеральным законом от 25.07.2002 № 114-ФЗ «О противодействии экстремистской деятельности»; |
© 1997—2026 Электронное периодическое издание "3ДНьюс" | Свидетельство о регистрации СМИ Эл ФС 77-22224
выдано Федеральной Службой по надзору за соблюдением законодательства в сфере массовых коммуникаций и охране культурного наследия
При цитировании документа ссылка на сайт с указанием автора обязательна. Полное заимствование документа является
нарушением
российского и международного законодательства и возможно только с согласия редакции 3DNews.
MWC 2018
2018
Computex
IFA 2018
