Компания Silicon Power продемонстрировала на выставке Computex 2025 свои новейшие разработки, в том числе новое семейство твердотельных накопителей Endura на флеш-памяти 3D TLC NAND, включающее модели Endura E55, E60, ED90 и ES75. Кроме того, производитель показал скоростные модули оперативной памяти, новейшие карты памяти и даже промышленные решения.

Базовая модель серии — 2,5-дюймовый накопитель Endura E55 с интерфейсом SATA III — предназначена для массового пользователя. Устройство поддерживает скорость последовательного чтения до 500 Мбайт/с, записи — до 450 Мбайт/с. Доступны версии Endura E55 ёмкостью от 512 Гбайт до 2 Тбайт.

В свою очередь, накопитель Endura E60 с интерфейсом PCIe 3.0 x4, поддержкой скорости последовательного чтения до 2200 Мбайт/с и записи до 1600 Мбайт/с, создан для использования в производительных системах для работы и игр. Накопитель совместим со спецификациями NVMe 1.3 и поддерживает технологию коррекции ошибок LDPC ECC. Накопитель Endura E60 доступен в вариантах ёмкостью от 512 Гбайт до 2 Тбайт.

Высокопроизводительный накопитель SP Endura ED90 с интерфейсом PCIe 4.0, соответствующий стандарту NVMe 2.0, позиционируется компанией как решение для компьютерных систем с интенсивной передачей данных, которые могут использоваться создателями контента и пользователями других творческих профессий. SSD поддерживает скорость чтения до 5000 Мбайт/с и записи до 4800 Мбайт/с, выпускается в вариантах ёмкостью от 500 Гбайт до 4 Тбайт.

Флагманская модель линейки SP Endura ES75 с интерфейсом PCIe 4.0, а также поддержкой скорости последовательного чтения до 7000 Мбайт/с и записи до 6500 Мбайт/с, предназначена для использования профессионалами, создания контента и для мощных игровых компьютеров. SP Endura ES75 поставляется в версиях объёмом от 1 до 4 Тбайт.

Добавим, что накопители семейства Endura уже продаются в России, например, в DNS и «Ситилинк».

Базовая линейка DDR5 CKD компании включает модули CUDIMM и CSODIMM с частотой DDR5-6400, ёмкостью 16 Гбайт, задержкой CL52 и поддержкой напряжения 1,1 В.

Также на экспозиции демонстрировался высокопроизводительный NVMe-накопитель Silicon Power XPower XS90 M.2 Gen 5 для энтузиастов, обеспечивающий скорость последовательного чтения до 14 Гбайт/с, ёмкостью до 4 Тбайт и основанный на 6-нм контроллере (вероятно, Maxiotek DRAMless).

На стенде Silicon Power также была представлена модель US75 с интерфейсом PCIe 4.0 x4, которая выпускается ёмкостью от 500 Гбайт до 4 Тбайт, обеспечивает скорость последовательного чтения до 7000 Мбайт/с и последовательную запись со скоростью до 6000 Мбайт/с.

В свою очередь твердотельный накопитель US85 с интерфейсом PCIe 5.0 x4 и поддержкой спецификации NVMe 2.0, предназначенный для использования геймерами, создателями контента и профессионалами, обеспечивает скорость последовательного чтения до 10 300 Мбайт/с и последовательную запись со скоростью до 8600 Мбайт/с. US85 доступен в вариантах ёмкостью 1 и 2 Тбайт.

Посетители стенда также могли увидеть серию премиальной памяти XPower Storm DDR5 RGB с поддержкой XMP и EXPO для игровых ПК, которая поставляется в виде модулей ёмкостью 16 и 32 Гбайт, а также наборов ёмкостью 32 Гбайт (2× 16 Гбайт) и 64 Гбайт (2× 32 Гбайт). Заявленный диапазон скорости передачи данных — от 6000 до 8000 МТ/с, задержка — от CL28 до CL38 при напряжении до 1,45 В.

Кроме того, на стенде демонстрировалась серия флеш-памяти среднего уровня XPower Zenith DDR5 с поддержкой скорости от 5200 до 6000 МТ/с при напряжении 1,25–1,35 В. Память выпускается в виде модулей емкостью 16 и 32 Гбайт, а также наборов ёмкостью 32 Гбайт (2× 16 Гбайт) и 64 Гбайт (2× 32 Гбайт).

XPower Cyclone — память DDR5 OC для энтузиастов. Вариант без CKD (UDIMM) имеет частоту до DDR5-8000, а варианты CKD (CUDIMM) — вплоть до DDR5-9200 с задержкой CL44-56-56-134 и напряжением 1,35 В. Обе версии поддерживают динамическую RGB-подсветку. Усовершенствованный алюминиевый радиатор толщиной 2 мм позволяет снизить нагрев до 10 °С. XPower Cyclone найдёт применение при запуске требовательных игр, работе в режиме многозадачности и при создании различного видеоконтента.

Также экспозиция компании включала память XPOWER Pulse DDR5 для игровых ПК со скоростью до 6400 MT/с с таймингами CL40, CL38, CL36, CL32 или CL30, выпускаемая в версиях 16 и 32 Гбайт.

В числе новинок Silicon Power в категории памяти на стенде демонстрировались карты Inspire microSDXC на базе флеш-памяти 3D TLC NAND, соответствующие классу скорости UHS-I U3 и V30 для записи видео с высоким разрешением 4K. Карты Inspire с поддержкой скорости последовательного чтения до 170 Мбайт/с и скорости записи до 160 Мбайт/с позиционируются производителем как решение, которое идеально подходит для приложений, требующих высокоскоростной обработки данных — от захвата видео сверхвысокой чёткости с разрешением 4K на дронах и экшн-камерах до поддержки мобильных игр и создания профессионального контента на портативных игровых консолях. Карты памяти Silicon Power Inspire microSDXC доступны в вариантах объёмом 128, 256, 512 Гбайт и 1 Тбайт

Наконец, Silicon Power продемонстрировал на Computex 2025 свои продвинутые решения SP Industrial, предназначенные для хранения и обработки данных для периферийных вычислений и автоматизации промышленности, обеспечивающие эффективность, надежность и быстродействие в реальном времени для индустрии 4.0.

По данным южнокорейского ресурса The Elec, компания Samsung Electronics со следующего месяца прекратит поставки твердотельной памяти типа MLC, сосредоточившись на более современных TLC и QLC. Впрочем, некоторые источники предполагают, что для нужд рынка автомобильной электроники Samsung продолжит поставлять MLC из накопленных запасов.

Источник изображения: Samsung Electronics

В любом случае, отпускные цены на память этого типа вырастут, о чём клиентов Samsung тоже уведомили. Для некоторых из них данные шаги станут серьёзной проблемой. Например, LG Display в поставках MLC для нужд выпуска крупноформатных OLED-панелей на две трети зависит от Samsung. Если последняя свернёт отгрузку микросхем памяти этого типа, единственным поставщиком MLC для LG Display останется компания Kioxia. Пусть и не самая современная, память типа MLC обладает приличным ресурсом долговечности, и в некоторых сферах применения она до сих пор востребована.

Впрочем, по данным исследования Mordor Intelligence, в прошлом году на рынке твердотельной памяти доминировала TLC с долей более 62 %, а MLC от силы могла довольствоваться несколькими процентами рынка. Доля Samsung в сегменте MLC вообще была минимальной, поэтому её отказ от выпуска данной продукции является предсказуемым шагом, особенно с учётом усилий руководства по оптимизации операционной деятельности.

На выставке Computex 2025 производители материнских плат подтвердили, что платформы AMD Socket AM5 уже способны запускать модули оперативной памяти CUDIMM, однако пока лишь в так называемом обходном режиме (bypass mode). Полноценная поддержка этих модулей станет возможной только с выходом новых процессоров, сообщает ComputerBase.

Источник изображений: ComputerBase.de

Модули памяти CUDIMM отличаются от обычных наличием встроенного тактового генератора (CKD), который позволяет ОЗУ работать стабильнее на высоких частотах. Самыми быстрыми модулями памяти DDR5 являются именно модули CUDIMM. Если речь идёт о модуле памяти со скоростью 9000 МТ/с и выше, то CUDIMM становится единственным выбором. (Если не брать в расчёт новый формат памяти CAMM2, который также позволяет производить более скоростные модули памяти, но требует изменения конструкции материнских плат).

В настоящий момент модули памяти CUDIMM DDR5 сертифицированы и официально поддерживаются только платформой Intel Arrow Lake. В ней реализована поддержка DDR5-6400 CUDIMM без разгона, чего не позволяет добиться обычная UDIMM-память (она ограничена режимом DDR5-5600).

В платформе AMD ситуация иная. В составе процессоров AMD Ryzen 9000 используется чиплет ввода-вывода (I/O Die) со старым контроллером памяти, который применялся ещё в составе чипов предыдущего поколения Ryzen 7000. Именно это накладывает ограничение на использование памяти CUDIMM с платформой Socket AM5. Поддержки таких модулей памяти в актуальной версии контроллера попросту не предусмотрено изначально. При этом демонстрации работы модулей CUDIMM с высокой частотой на платформе AMD проводятся только с процессорами Ryzen 8000, которые имеют монолитную конструкцию и стабильнее работают со скоростной памятью.

Загрузка модулей CUDIMM на платформе AMD

Многие производители материнских плат выпустили свежие прошивки BIOS, которые позволяют использовать модули CUDIMM на платформе AMD Socket AM5, но лишь в так называемом обходном режиме. Эти прошивки позволяют отключить встроенный тактовый генератор модулей CUDIMM и взаимодействовать с ОЗУ, как с обычными модулями UDIMM. Однако следующее поколение процессоров AMD, вероятно, получит новый чиплет ввода-вывода и, соответственно, новый контроллер памяти, который позволит полноценно использовать память CUDIMM.

Производители плат пока не готовы говорить о том, какую скорость модулей CUDIMM будут поддерживать будущие процессоры AMD. Однако намёк на это может скрываться в анонсе новых высокопроизводительных процессоров Ryzen Threadripper Pro 9000 — они поддерживают память RDIMM DDR5-6400 ECC, которая как и CUDIMM, имеет встроенный тактовый генератор.

Согласно новому отчёту TrendForce, устойчивые инвестиции в ИИ со стороны ведущих североамериканских облачных провайдеров (CSP) должны привести к значительному росту спроса на корпоративные твердотельные накопители (SSD) в III квартале 2025 года. На рынке SSD ожидается переход к дефициту: уровень складских запасов остаётся низким, что создаёт предпосылки для возможного роста цен в том числе и в потребительском сегменте — до 10 % в квартальном исчислении.

Источник изображения: Marc PEZIN / Unsplash

TrendForce отмечает, что в начале 2025 года поставщики NAND придерживались осторожной стратегии производства, стремясь постепенно восстановить баланс между спросом и предложением. Однако введение в США новых тарифов в начале апреля этого года нарушило рыночную динамику II квартала и вызвало колебания цен. Несмотря на то что некоторые производители персональных компьютеров (ПК) ускорили отгрузки во II квартале, это не привело к существенному увеличению совокупного спроса на потребительскую продукцию на основе NAND-памяти. Одновременно продолжающееся снижение активности в розничном сегменте побудило поставщиков ужесточить контроль над производственными мощностями.

Рост цен на NAND-память во II–III кварталах 2025 года на 3–10 % из-за увеличения спроса на SSD. Источник изображения: TrendForce

Однако в последнее время наблюдается рост совокупного спроса на устройства хранения данных. Этот подъём частично обусловлен поставками высокопроизводительных ИИ-серверов, таких как NVIDIA GB200, а также увеличением заказов на жёсткие диски (HDD) с начала текущего года. Всё это свидетельствует о более широком тренде на расширение корпоративной IT-инфраструктуры. Как SSD, так и HDD, вероятно, выиграют от роста капитальных расходов предприятий: облачные провайдеры продолжают активно внедрять серверные решения, что приводит к росту объёмов заказов.

Компания V-Color привезла на Computex 2025 ряд интересных новинок. Одними из них являются модули памяти XFinity Manta DDR5 со встроенными ЖК-дисплеями размером около 1 дюйма. На эти экраны выводится информация о модуле: рабочее напряжение, температура, частота, тайминги, информация о ёмкости модуля и т.д.

Источник изображений: TechPowerUp

Насколько это всё практично — вопрос. Обычно пользователь видит лишь верхний торец модуля памяти, установленного в ПК, а не его боковую сторону, на которой, собственно, и расположен экран.

Производитель представил несколько модулей памяти с ЖК-экраном: DDR5-7800 CL38 с рабочим напряжением 1,4 В, DDR5-8000 CL38 с напряжением 1,35 В (оба ёмкостью 24 Гбайт), а также DDR5-6400 CL32 объёмом 32 Гбайт, DDR5-6000 CL28 объёмом 48 Гбайт и DDR5-7200 CL36 на 48 Гбайт— все с рабочим напряжением 1,4 В. Планки на 32 и 48 Гбайт, скорее всего, двухранговые.

Также на выставке показали двухканальный комплект DDR5-8000 CL44 объёмом 64 Гбайт (2 × 32 Гбайт, 1,4 В). Учитывая высокую скорость указанного комплекта, в нём, вероятно, используются одноранговые модули памяти или же они оснащены собственным тактовым генератором CKD.

Ещё примерами модулей высокой плотности являются XPrism DDR5-9600 CL48 с напряжением 1,45 В и объёмом 32 Гбайт, а также XSky ROG DDR5-8800 CL42 с напряжением 1,45 В и объёмом 24 Гбайт.

Производитель также показал разгоняемые модули памяти R-DIMM с RGB-подсветкой. Они оснащены хромированными радиаторами и пластиковыми ARGB-рассеивателями. V-Color позиционирует эти модули для рабочих станций и высокопроизводительных ПК на платформах Ryzen Threadripper или Xeon W.

Компания показала в качестве примера рабочую станцию, оснащённую памятью DDR5-6000 OC R-DIMM общим объёмом 128 Гбайт (8 × 16 Гбайт), процессором Threadripper PRO 7965WX, СЖО V-color XFution с поддержкой процессорного разъёма AMD Socket TR5, а также материнской платой Gigabyte TRX50 AI TOP в корпусе Cooler Master MasterFrame 600.

SK hynix объявила о разработке модулей памяти UFS 4.1 на основе самых высоких в мире 321-слойных ячеек памяти 3D NAND (или 4D NAND в терминологии самой компании). Эти модули предназначены для использования во встроенных накопителях мобильных устройств.

Источник изображения: skhynix.com

Для обеспечения стабильной работы систем искусственного интеллекта на мобильных устройствах требования к высокой производительности и низкому энергопотреблению памяти NAND постоянно возрастают, отметили в компании. Оптимизированные под ИИ-нагрузки компоненты UFS 4.1 должны помочь SK hynix укрепить позиции на рынке памяти для флагманских смартфонов.

Модули нового поколения обеспечивают прирост энергоэффективности на 7 % по сравнению с предыдущей версией, основанной на 238-слойных чипах NAND. Кроме того, их толщина уменьшена с 1 до 0,85 мм, что соответствует актуальному тренду на сверхтонкие смартфоны. Скорость передачи данных для новых модулей SK hynix UFS 4.1 достигает 4300 Мбайт/с — это самый высокий показатель последовательного чтения среди компонентов четвёртого поколения UFS. Показатели случайного чтения и записи, критически важные для многозадачности, увеличились на 15 % и 40 % соответственно.

Массовые поставки модулей UFS 4.1 нового образца SK hynix планирует начать в первом квартале следующего года. Они будут доступны в вариантах объёмом 512 Гбайт и 1 Тбайт.

Компания G.Skill анонсировала на выставке Computex 2025 высокоскоростные модули оперативной памяти DDR5 и CAMM2. В числе первых — двухканальный комплект памяти Trident Z5 NeoX RGB общим объёмом 48 Гбайт (2 × 24 Гбайт) с заявленной скоростью 10 600 МТ/с и таймингами CL58-63-63.

Источник изображений: TechPowerUp

Модули памяти серии G.Skill Neo поддерживают профили разгона AMD EXPO. В качестве демонстрации производитель показал систему на базе Ryzen 5 8500G (Phoenix 2), оснащённую ОЗУ с эффективной скоростью 5300 МГц (DDR5-10600) и таймингами 62-63-63-126, работающей при напряжении 1,4 В. Это весьма впечатляющий показатель для платформы AMD.

Производитель также представил новый модуль памяти CAMM2 объёмом 64 Гбайт, работающий на скорости DDR5-10000, что делает его, возможно, самым быстрым модулем ОЗУ в таком форм-факторе. Память функционирует с таймингами CL56-70-70.

Следует напомнить, что память CAMM2 — двухканальная. Благодаря этому в систему можно установить всего один такой модуль, и он будет сразу работать в двухканальном режиме. Для этого материнская плата должна поддерживать формат CAMM2, но это позволяет существенно сэкономить пространство на самой плате. Работа модуля CAMM2 DDR5-10000 была протестирована на системе с Intel Core Ultra 9 285K.

Также G.Skill продемонстрировала память Trident Z5 NeoX RGB, работающую в режиме DDR5-10747 с таймингами CL68-128-128. Модули были протестированы на ПК с Core Ultra 9 285K. Готовящиеся к выпуску планки памяти Trident Z5 NeoX RGB будут доступны в белом, оранжевом и флуоресцентно-зелёном вариантах исполнения.

Крупнейшие разработчики сервисов искусственного интеллекта, в том числе OpenAI, Google, Meta✴ и Microsoft, в последнее время стали уделять больше внимания объёмам памяти у платформ. С новыми обновлениями чат-боты научились хранить больше данных для персонализации ответов.

Источник изображения: Igor Omilaev / unsplash.com

Эта мера рассматривается как важный шаг, который поможет привлекать пользователей на конкурентном рынке чат-ботов и агентов с ИИ и, соответственно, это способ нарастить доходы от передовой технологии. В руках недобросовестного лица данные решения, однако, могут использоваться для злоупотребления доверием пользователей и усугублять проблемы с конфиденциальностью. У таких чат-ботов как Google Gemini и OpenAI ChatGPT расширяется контекстное окно — объем данных, определяющий, какой фрагмент разговора система может запомнить за один раз. Всё чаще применяется также метод генерации с дополненной выборкой (Retrieval-Augmented Generation — RAG), при котором контекст определяют и данные из внешних источников.

Вдобавок разработчики ИИ усилили долговременную память моделей ИИ, сохраняя профили и предпочтения пользователей, чтобы давать им более полезные и персонализированные ответы. Чат-бот может, например, помнить, является ли пользователь вегетарианцем и соответствующим образом реагировать на его запросы, предлагая определённые точки общепита и рецепты. В марте Google открыла Gemini доступ к истории поиска пользователя — при условии, что он сам даёт на это разрешение, — а вскоре подключит к этому набору данные из большинства остальных сервисов. OpenAI ChatGPT, а также чат-бот Meta✴ в WhatsApp и Facebook✴ Messenger могут ссылаться на прошлые сеансы переписки, а не только текущий чат. Пользователи могут удалять из настроек отдельные воспоминания и получать уведомления, когда модель создаёт новые.

Источник изображения: Steve Johnson / unsplash.com

Microsoft открыла службам ИИ для корпоративных клиентов данные компаний: электронные письма, календари и данные из хранилищ файлов. В апреле компания начала развёртывать на некоторых устройствах функцию Recall — запись всех действий пользователя на основе регулярных снимков экрана его компьютера. Пользователь может приостановить сохранение снимков экрана или вообще отключить функцию. Microsoft анонсировала Recall в мае прошлого года, и она встревожила общественность, из-за чего компания несколько раз переносила её запуск.

Ещё одна причина наращивать объёмы памяти ИИ — монетизация за счёт партнёрского маркетинга и рекламы. В будущем чат-бот Meta✴ AI начнёт давать пользователям некоторые рекомендации или напрямую рекламировать различные продукты, рассказал ранее гендиректор компании Марк Цукерберг (Mark Zuckerberg). OpenAI в апреле улучшила механизм вывода предложений в ChatGPT, оптимизировав показ товаров и обзоров, но заверила Financial Times, что «на данный момент» на платформе партнёрские ссылки отсутствуют.

Расширение памяти больших языковых моделей ИИ — дополнительный повод задуматься о вопросах конфиденциальности; регулирующие органы по всему миру стали следить за тем, как ИИ может манипулировать потребителями ради прибыли. Увеличенная память может привести и к тому, что ИИ начнёт излишне стараться подгонять свои ответы под предпочтения пользователей, усиливая предубеждения и заблуждения. В апреле OpenAI пришлось извиняться за то, что модель GPT-4o стала чрезмерно льстить пользователям. Применительно к памяти проблема галлюцинаций встаёт особенно остро: из-за неё ИИ, генерируя не соответствующие действительности или бессмысленные ответы, может создавать эффект «дрейфа памяти», когда воспоминания устаревают или противоречат друг другу, что будет влиять на точность ответов.

Компания Silicon Power (SP) представила свои первые комплекты оперативной памяти DDR5 CUDIMM, а также новые комплекты памяти UDIMM DDR5 под новой серией Xpower. Объём комплектов составляет 48 Гбайт (2 × 24 Гбайт).

Источник изображений: Silicon Power

Память CUDIMM отличается от обычной наличием собственного встроенного генератора частоты, который позволяет модулям ОЗУ работать на более высокой скорости по сравнению с обычными модулями DDR5. Благодаря этому комплекты памяти Xpower Cyclone DDR5 RGB CUDIMM работают на скоростях от 8200 до 9200 МТ/с.

Для памяти Xpower Cyclone DDR5 RGB CUDIMM производитель заявляет тайминги, CL40 (DDR5-8200 и DDR5-8400), а также CL42 (DDR5-8800 и DDR5-9200). Модули работают при напряжении 1,4 и 1,45 В. Следует добавить, что на текущий момент поддержка модулей памяти CUDIMM обеспечивается только на материнских платах Intel Z890 для процессоров Arrow Lake-S.

Модули памяти Xpower Cyclone DDR5 RGB UDIMM более универсальны и могут работать в том числе с платформой AMD Socket AM5. Для этих модулей производитель заявляет тайминги CL36 (DDR5-7200) и CL36 (DDR5-8000). Рабочее напряжение — 1,35 В.

Производитель заявляет, что все новинки оснащены эффективными радиаторами охлаждения толщиной 2 мм, которые снижают рабочую температуру памяти более чем на 10 градусов. Все представленные модули ОЗУ также поддерживают профили разгона Intel XMP 3.0 и оснащены RGB-подсветкой.

Ожидание ввода в действие новых таможенных тарифов США заставило производителей устройств увеличивать свои складские запасы полупроводниковых компонентов. Повышенный спрос вызвал ответную реакцию со стороны Samsung. Компания увеличила цены на память DRAM. Это изменение в недалёком будущем выразится в росте цен на конечные продукты, причём не только на модули оперативной памяти, но также на различную электронику.

Источник изображения: Samsung

Согласно отчёту аналитической компании ETNews, Samsung значительно повысила цены на DDR5 и DDR4 DRAM. Эти изменения нашли отражения в тексте новых контрактов с клиентами. DDR4 DRAM подорожала на 20 %, а DDR5 DRAM — на 5 %. Поскольку компоненты производства Samsung используются многими другими производителями устройств, логично ожидать роста цен на них в ближайшем будущем.

Samsung — один из ведущих производителей и поставщиков полупроводниковой отрасли, поэтому повышение цен компанией обязательно повлияет на уровень отпускных цен других участников рынка. В конечном итоге, любое подобное повышение цен оплатит конечный потребитель.

Источник, знакомый с ситуацией, отметил: «Samsung заключила контракты по новым, более высоким ценам, что говорит о том, что рост цен на DRAM становится отраслевым трендом». Вице-президент подразделения по производству памяти Ким Джэ Чжун (Kim Jae-joon) отметил, что «из-за глобальных тарифных рисков клиенты активнее закупают комплектующие, и их запасы исчерпываются быстрее, чем предполагалось».

Ситуация на рынке оперативной памяти начала меняться в апреле, когда американская компания Micron — третий по величине производитель DRAM — объявила о планах повысить цены, сославшись на повышение пошлин в США. Данные аналитической компании DRAMeXchange подтверждают: в апреле средняя цена на наиболее распространённый чип DDR4 — 8 Гбит с частотой 2133 МГц — выросла на 22,22 % по сравнению с мартом. Это первый рост с апреля прошлого года.

Компания SanDisk, недавно отделившаяся от Western Digital, опубликовала первые финансовые результаты в качестве самостоятельного бизнеса — и они оказались неутешительными. Выручка за квартал, завершившийся 28 марта, составила $1,7 млрд, что на 0,6 % меньше, чем годом ранее, и на 10 % ниже предыдущего квартала.

Источник изображения: sandisk.com

Главной причиной, как отмечает издание Blocks and Files, стало списание деловой репутации (goodwill) на $1,83 млрд, после чего был зафиксирован убыток по GAAP в размере $103 млн. Для сравнения, год назад компания получила прибыль в размере $27 млн. Финансовый директор Луис Висосо (Luis Visoso) пояснил: «Мы провели оценку нематериальных активов в соответствии с учётными стандартами и пришли к выводу, что их балансовая стоимость превышает реальную. В результате был зафиксирован неденежный убыток». После списания стоимость goodwill SanDisk сократилась до $5 млрд.

Источник изображения: blocksandfiles.com

Ещё одним вызовом остаются торговые пошлины США. Однако Висосо отмечает, что сейчас пошлины действуют только для поставок из Китая в США (27,5 %), а более 95 % продукции SanDisk в Штаты поступает из других стран. Одновременно генеральный директор Дэвид Гёкелер (David Goeckeler) отметил, что, несмотря на сложности, компания смогла превысить прогнозы по выручке. «Я доволен тем, как команда справилась с задачами в первом квартале. Мы начали активный запуск технологии BiCS 8, которая обеспечивает высокую производительность, энергоэффективность и плотность хранения», — сказал он.

В отчёте также отмечается, что NAND-память продолжает испытывать избыток предложения, что затронуло и SanDisk. Сильнее всего просели продажи в облачном сегменте, здесь выручка упала на 21 % в квартальном выражении, до $197 млн. Выручка от клиентских решений (ПК и ноутбуки) снизилась на 10 %, до $927 млн, а потребительский рынок потерял 5 %, опустившись до $571 млн. При этом SanDisk увеличила долю на рынке центров обработки данных (hyper-scalers), на которые пришлось 12 % поставок против 8 % годом ранее. Чтобы сбалансировать спрос и предложение, компания планирует сократить объёмы производства и повысить цены.

Источник изображения: blocksandfiles.com

При этом, несмотря на ожидаемый рост спроса из-за окончания поддержки Windows 10 и обновления парка ПК, продажи SSD для клиентских устройств не оправдали надежд. Тем не менее, SanDisk уверена в новых технологиях, включая BiCS 8 с 218 слоями и контроллер Stargate. Как отмечает Гёкелер, компания уже сейчас производит QLC-чипы ёмкостью 2 Тбит, которые тестируются ведущими облачными провайдерами для твердотельных накопителей на 128 ТБ и 256 ТБ.

Завершая отчёт, Гёкелер выразил уверенность в долгосрочных перспективах NAND-памяти: «По нашим оценкам, индустрия NAND готова к устойчивому долгосрочному росту, и ожидается, что к концу десятилетия спрос достигнет $100 млрд». По его мнению, рост будет обусловлен экспоненциальным расширением данных, отчасти подпитываемым внедрением искусственного интеллекта, а также циклами обновления ПК и мобильных устройств.

Относительно текущих трудностей компании, SanDisk ожидает восстановления спроса во второй половине года, прогнозируя выручку на следующий квартал в $1,8 млрд (±$5 млн), что на 2,2 % больше, чем год назад.

V-Color представила первые в отрасли модули памяти DDR5 OC RDIMM RGB, предназначенные для рабочих станций и профессиональных задач. Максимальная ёмкость комплекта составляет 512 Гбайт.

Источник изображений: V-Color

Комплекты V-Color DDR5 OC RDIMM RGB включают планки от 16 до 64 Гбайт, что даёт до 512 Гбайт в версии из восьми единиц. Предлагаются скорость до 8000 МТ/с и сверхнизкий тайминг RDIMM до CL26 — память оптимизирована для работы с процессорами AMD Ryzen Threadripper и Intel Xeon. Эстетическое оформление с использованием RGB-светодиодов дополняет технические возможности комплектов, предназначенных для разработки в области искусственного интеллекта, многозадачных профессиональных рабочих нагрузок, аналитики данных и творческой работы — вдобавок к высокой скорости производитель обещает надёжность и эффективность.

V-Color обеспечила соответствие строгим профессиональным и корпоративным нормам: модули DDR5 OC RDIMM RGB способны работать со стандартными скоростями JEDEC от 4800 до 5600 МТ/с. Продемонстрированы возможности разгона в конфигурации 128 Гбайт (4 × 32 Гбайт) с 8000 МТ/с, CL40 при 1,35 В — с процессорами AMD Ryzen Threadripper на материнской плате Gigabyte TRX50 AI TOP для высокопроизводительных вычислений и задач ИИ. Ещё одна демонстрация — стабильная скорость в конфигурации 96 Гбайт (4 × 24 Гбайт) с 6000 МТ/с, CL28 и процессорами Intel Xeon на плате ASUS PRO WS w790-SAGE SE.

Комплекты памяти V-Color DDR5 OC RDIMM RGB с чёрным и серебристым радиаторами поступят в продажу по всему миру 20 мая после их презентации на выставке Computex 2025. О ценах производитель пока умолчал.

Американская компания NEO Semiconductor сообщила о скорой демонстрации трёх новых технологий производства самой лучшей в мире оперативной памяти DRAM — сверхплотной, сверхбыстрой и даже немного энергонезависимой. Впервые новое решение в виде 3D DRAM было представлено в августе 2023 года и с тех пор превратилось в три разных версии технологии, хотя производители памяти мирового уровня всё ещё игнорируют эту революционную разработку.

Источник изображения: NEO Semiconductor

Компания NEO Semiconductor сделала ставку на вертикальное размещение ячеек памяти DRAM, что было реализовано при производстве памяти 3D NAND. Очевидно, что это позволит значительно увеличить плотность хранения данных в оперативной памяти. Разработчик говорит о чипах DRAM плотностью 512 Гбит — более чем в 10 раз больше, чем у современных массовых чипов памяти. Также увеличение плотности памяти ведёт к относительному снижению энергопотребления, что в условиях дефицита энергии так же важно, как и наращивание банков памяти.

На выставке IEEE с 18 по 21 мая 2025 года в Монтерее, штат Калифорния, США, компания NEO Semiconductor покажет три новые архитектуры ячеек DRAM, оптимизированных для выпуска стековым методом — это ячейки 1T1C, 3T0C и 1T0C. Причём все они или часть из них используют для транзисторных каналов материал IGZO, известный нам по производству тонкоплёночных транзисторов для дисплеев с высоким разрешением и низким потреблением.

Материалы IGZO или соединения оксидов индия-галлия-цинка — это конёк компании Sharp. В этом материале электроны обладают повышенной мобильностью без увеличения рабочих токов. По логике, оперативная память с IGZO-транзисторами унаследует эти качества, явив миру память с лучшими характеристиками по быстродействию и потреблению. В комплекте с многоуровневой архитектурой это может привести к революции в мире оперативной памяти, если технологией, наконец-то, заинтересуются Samsung, SK Hynix или кто-то подобный.

Добавим, как следует из обозначения архитектуры ячеек, ячейка 1T1C — это классическая DRAM с одним транзистором и одним конденсатором; ячейка 1T0C состоит из одного транзистора без конденсатора; а ячейка 3T0C — это три транзистора без конденсатора. Ячейки 1T1C и 3T0C, по признанию компании, способны сохранять данные без подачи питания в течение 450 с, что снизит потребление при регенерации. Скорость доступа достигает 10 нс. Но это всё расчётные данные, а экземпляры новой памяти должны быть впервые выпущены только в 2026 году. Ждём. Мир как никогда нуждается в высокоплотной и экономичной DRAM.

Канадский оверклокер saltycroissant первым в мире преодолел барьер 12 800 МТ/с для оперативной памяти DDR5, установив новый рекорд скорости передачи информации в 12 806 МТ/с. Рекорд был достигнут на материнской плате ASRock Z890 Taichi OCF с использованием модулей Corsair Vengeance и экстремальным охлаждением жидким азотом.

Источник изображения: wccftech.com

Ещё несколько часов назад мировой рекорд принадлежал другому оверклокеру с никнеймом bl4ckdot, который разогнал DDR5 до 12 774 МТ/с. Однако, как пишет издание Wccftech, saltycroissant не только побил это достижение, но и стал первым, кто перешагнул отметку в 12 800 МТ/с. При этом он сохранил прежние тайминги (CL68-127-127-127-2), что делает результат ещё более впечатляющим.

Источник изображения: wccftech.com

Сообщается, что для достижения этих цифр использовался процессор Intel Core Ultra 7 265K и материнская плата ASRock Z890 Taichi OCF, которая уже не раз помогала другим энтузиастам устанавливать рекорды. Результат был проверен в CPU-Z и загружен на платформу HWBot для официального подтверждения. Компания ASRock также опубликовала новость о достижении в своём официальном канале в X, подчеркнув, что их продукт остаётся флагманским выбором среди профессиональных оверклокеров.

Источник изображения: wccftech.com

Эксперты ожидают, что новые рекорды будут появляться один за другим, и вскоре может быть достигнут рубеж в 13 000 MT/s. На данный момент лидерами в производстве высокочастотной DDR5-памяти остаются такие бренды, как Corsair, G.Skill и V-Color. Их модули чаще всего становятся основой для новых рекордов, поскольку они отличаются высоким заводским потенциалом для разгона. Тем не менее, переход от 12 800 к 13 000 MT/s может занять некоторое время, так как разница в 200 MT/s требует не только технических инноваций, но и определённых условий тестирования.

Компания G.Skill показала новое достижение в мире оперативной памяти — комплект DDR5-8400 CL44 объёмом 128 Гбайт (2×64 Гбайт). Работа этого набора была продемонстрирована на материнской плате Asus ROG Crosshair X870E APEX в паре с процессором AMD Ryzen 9 9950X3D, доказав, что можно получить одновременно высокую скорость и большой объём памяти.

Источник изображения: G.Skill

Раньше память с такой частотой обычно ограничивалась меньшими объёмами, но теперь, похоже, эта проблема решена. Как подчёркивают в компании, комплект идеально подходит для задач искусственного интеллекта, машинного обучения, рендеринга и других ресурсоёмких процессов, где важны и быстрый доступ к данным, и большой объём памяти.

Тестирование на платформе AMD подтвердило стабильность работы памяти даже на предельных для текущего поколения DDR5 частотах. На скриншоте видно, как комплект прошёл проверку утилитой MemtestPro без ошибок. Это показывает, что инженерам G.Skill удалось не только разогнать память до 8400 МГц, но и обеспечить надёжность при высокой нагрузке. «Наш новый модуль DDR5 объёмом 64 Гбайт позволяет собирать конфигурации 128 Гбайт без потери скорости, — говорят в G.Skill. — И это открывает новые возможности для профессионалов, которым нужна максимальная производительность».

Источник изображения: G.Skill

Компания G.Skill, основанная в 1989 году, продолжает удерживать лидерство в сегменте высокоскоростной памяти. Благодаря собственной лаборатории тестирования и сильной команде разработчиков, компания регулярно выпускает инновационные решения для геймеров, оверклокеров и IT-специалистов. Новый рекорд DDR5-8400 128 Гбайт — очередное подтверждение её успеха.

Ожидается, что такие модули появятся в продаже в ближайшие месяцы. Пока неизвестно, какова будет их итоговая цена, но очевидно, что это решение ориентировано на верхний сегмент.