Опрос
|
реклама
Быстрый переход
Китайцы создали идеальную память: для хранения бита ей нужен всего один электрон
23.07.2026 [16:34],
Геннадий Детинич
Учёные Фуданьского университета (Fudan University) в Шанхае создали экспериментальную энергонезависимую память, в которой для хранения одного бита достаточно единственного электрона — минимально возможного носителя электрического заряда. Для коммерциализации этой разработки будет создана компания, которая намерена вывести продукт на рынок в течение трёх–пяти лет. 
Источник изображения: Fudan University Разработка получила название Guiyi («Гуйи»), что означает буддийское понятие «Единства» — необъятного множества в чём-то предельно малом. Публикация по проекту вышла 16 июля в журнале Science. Предложенная учёными память несоизмеримо плотнее современных вариантов флеш-памяти. Сегодня каждый бит данных сохраняется в заряде, формируемом из сотен тысяч электронов. Главной помехой на пути к одноэлектронной памяти оставалась так называемая паразитная краевая ёмкость. Электромагнитное поле между двумя электродами не может быть идеальным и всегда ведёт к накоплению паразитного заряда, в шумах которого легко теряется заряд от одного электрона. Чтобы подавить паразитные явления учёные использовали атомарно тонкие двумерные материалы и разработали самовыравнивающуюся планарную архитектуру, в которой сток, канал и исток размещены в одной плоскости. Такая «объединённая» архитектура подавила краевые ёмкостные эффекты, а слой графена послужил барьером, не дающим захваченному электрону покинуть область хранения. Добавление или удаление всего одного электрона в ячейке памяти изменяло пороговое напряжение транзистора сразу на 0,5 В, благодаря чему два состояния ячейки можно было уверенно различать обычными средствами современной электроники. Это почти на порядок больше, чем в известном эксперименте 1997 года, где одноэлектронный сигнал составлял около 55 мВ и сохранялся менее пяти секунд. При этом новая ячейка удерживала состояние без питания при комнатной температуре. Авторы также обнаружили дискретные зависимости от напряжения программирования и пообещали разработать вариант многоуровневой записи с использованием одного электрона. Одноэлектронная запись обещает резко увеличить плотность энергонезависимой памяти и уменьшить энергию, расходуемую на переключение ячеек. Разработчики связывают технологию с будущими вычислительными системами, в которых крупные модели искусственного интеллекта смогут хранить больше данных рядом с вычислительными блоками, сокращая энергозатратную пересылку данных. В настоящий момент продемонстрировано только отдельное лабораторное устройство. Для создания полноценного массива памяти ещё предстоит подтвердить ресурс перезаписи, скорость, процент выхода годных ячеек и стабильность параметров при массовом производстве. Для коммерческого продвижения разработки осенью этого года будет создана отдельная компания, которая будет намереваться вывести новый продукт на рынок в течение трёх–пяти лет. Илон Маск признался, что Micron выделила Tesla существенные объёмы микросхем памяти
23.07.2026 [06:57],
Алексей Разин
Амбиции возглавляющего SpaceX и Tesla Илона Маска (Elon Musk) начинают всё сильнее смещаться в сторону развития технологий искусственного интеллекта, поэтому дефицит памяти актуален и для этих компаний. На вчерашней квартальной отчётной конференции Tesla миллиардер признался, что этому автопроизводителю удалось получить крупную партию памяти производства Micron на довольно разумных условиях. 
Источник изображения: Micron Technology Как отмечает Bloomberg, глава Tesla обмолвился о «существенной квоте» на поставку микросхем памяти Micron для нужд первой из компаний. Ассортимент поставляемой Micron для Tesla памяти не уточняется, но он предсказуемо может охватывать как компоненты для бортовых систем электромобилей этой марки, так и человекоподобных роботов, равно как и серверную инфраструктуру. Последнюю Tesla исторически развивала для фирменных нейронных сетей, которые отвечают за автопилот и другие системы активной помощи водителю. На этой неделе Маск также подчеркнул, что деятельность Tesla и SpaceX всё больше пересекается, и компании совместными силами будут выпускать в США передовые чипы на строящемся предприятии Terafab. Именно SpaceXAI отвечает за разработку ИИ-модели для человекоподобных роботов Optimus, как пояснил Маск накануне. Учитывая, что миллиардер довольно свободно перераспределяет ресурсы между возглавляемыми ими компаниями, предназначенная для Tesla память Micron вполне может достаться той же SpaceX или вошедшей в её состав xAI. Особые условия поставок памяти Micron для компаний Илона Маска были получены с учётом его личного влияния в американском бизнесе и политической сфере, как можно предположить, поскольку чисто технически ни Tesla, ни SpaceX не входят в число десяти крупнейших клиентов этого производителя памяти. TrendForce предсказала конец дефицита флеш-памяти во второй половине 2027 года
21.07.2026 [16:48],
Николай Хижняк
Аналитики TrendForce прогнозируют восстановление цепочек поставок флеш-памяти в 2027 году, что сделает её единственным сегментом рынка памяти, которая стабилизируется в краткосрочной перспективе. 
Источник изображения: SK hynix Хотя спрос на флеш-память NAND и все решения для хранения данных на базе SSD, как ожидается, останутся дефицитными до конца 2026 года, TrendForce считает, что ситуация нормализуется в 2027 году. Согласно оценке экспертов, дефицит предложения в первой половине будущего года составит около 4–6 % по сравнению с уровнем спроса до конца текущего года. Однако ожидается, что во второй половине будущего года на рынке будет восстановлен баланс спроса и предложения в цепочке поставок, а через год с текущего момента дефицит на чипы флеш-памяти NAND будет полностью побеждён. Достижение баланса спроса предложения обусловлено несколькими факторами. Во-первых, крайне важно увеличение производственных мощностей поставщиков памяти NAND Flash, таких как SK hynix, Micron, Samsung, YMTC и другие. Увеличение количества производимых ежемесячно кремниевых пластин, наряду с модернизацией технологических процессов, значительно повысит предложение, стабилизировав ситуацию на этом рынке после длительного периода неопределённости. Вторым фактором является постоянно слабый спрос со стороны потребителей, поскольку цены на потребительскую электронику так сильно выросли из-за дефицита DRAM и NAND Flash, что многие потребители предпочитают не покупать новое оборудование, избегая высоких наценок по сравнению с прошлым годом. В корпоративном секторе спрос на серверы будет продолжать расти, потребляя большую часть предложения NAND Flash. На серверы приходится около 40 % потребления чипов флеш-памяти, а на смартфоны и ноутбуки вместе взятые — более 40 %. 
Источник изображения: TrendForce Производители устройств хранения данных в США, Японии и Южной Корее модернизируют свои заводы умеренными темпами, избегая быстрого расширения. Значительная часть мирового производства NAND Flash будет обеспечиваться Китаем и компанией YMTC. Ожидается, что в этом году Китай увеличит свою глобальную долю производства NAND Flash почти до 19 %. Хотя это кажется значительным в глобальном масштабе, большая часть чипов китайского производства будет удовлетворять только внутренний спрос материкового Китая, и лишь малая часть продукции будет поставляться внешним поставщикам оборудования, например, компании Lenovo, чьи ноутбуки поставляются в Европу. Автомобили становятся новыми «пожирателями» памяти — в них уже встречается до 100 Гбайт DRAM и до 1,5 Тбайт SSD
17.07.2026 [14:04],
Алексей Разин
Пандемия ударила по автомобильному производству неожиданным образом, когда поставщикам транспортных средств перестало хватать простейших полупроводниковых чипов. Сейчас все мощности полупроводниковой отрасли работают на сферу ИИ, интересы рынков ПК и смартфонов обслуживаются в последнюю очередь, а тем же автомобилям в современных условиях требуется довольно много памяти. 
Источник изображения: BYD По данным TechNews, оборудование автопилота Tesla четвёртого поколения подразумевало использование 32 Гбайт памяти GDDR6/LPDDR, но выходящая в этом году версия 4+ уже удваивает этот объём до 64 Гбайт. Популярная среди автопроизводителей платформа Nvidia Orin также использует 32 или 64 Гбайт оперативной памяти. Казалось бы, это не так много, но только лишь DRAM потребности бортовой электроники автомобилей не ограничиваются. Если в начальных конфигурациях бортовые системы машины, включая развлекательную и отвечающие за помощь водителю в управлении, требуют до 40 Гбайт оперативной памяти, то в старших конфигурациях её объём может превышать 100 Гбайт. В случае с твердотельной памятью NAND, используемой для долговременного хранения информации, разбег требований ещё больше. Обновления ПО, которые поступают «по воздуху», для своего временного хранения требуют до 10 Гбайт дискового пространства в минимальном случае, а с учётом резерва можно говорить о всех 50 Гбайт. Для хранения большого количества изображений, используемых в работе систем автопилота, требуется от 100 до 300 Гбайт памяти. Попутно прогрессируют и мультимедийные системы автомобилей, некоторые из них берут на вооружение ИИ-ассистентов, что также поднимает требования к доступному дисковому пространству. Твердотельный накопитель современного автомобиля в этом случае должен обладать объёмом от 500 Гбайт до 1,5 Тбайт, и в будущем требования будут расти практически ежегодно. Дефицит памяти вырастет к 2030 году до 28,7 Эбайт — рынку будет не хватать четверти DRAM
14.07.2026 [22:39],
Николай Хижняк
Согласно прогнозу аналитиков Citrini Research, мировой дефицит чипов памяти сохранится до 2030 года, даже с учётом увеличения поставок микросхем из Китая. Спрос на DRAM по-прежнему будет превышать предложение, и ожидается, что этот дисбаланс окажется весьма значительным. 
Источник изображения: Laura Ockel / unsplash.com По оценкам Citrini Research, к 2030 году прогнозируется дефицит памяти в объёме 28,7 эксабайт (Эбайт) при общем мировом спросе в 157,5 Эбайт. Таким образом, рынок недополучит около 25 % необходимого объёма памяти, считают эксперты. Эта цифра включает в себя как высокопроизводительную память HBM, так и традиционную DRAM, однако «основным узким местом остаётся DRAM общего назначения», говорится в отчёте. Согласно тем же оценкам, текущий уровень дефицита составляет около 18 %. 
Источник изображений здесь и ниже: X / Zephyr Примечательно, что оценка на 2030 год не охватывает спрос на память для физического ИИ (например, для роботов и беспилотных автомобилей). «Даже если мои оценки спроса со стороны дата-центров и сферы ИИ завышены (а это не так), они будут компенсированы спросом со стороны физического ИИ», — сообщил автор исследования из Citrini Research на своей странице в соцсети X.  Согласно текущим оценкам, в этом году глобальная производственная мощность DRAM составит 40 Эбайт. Это ненамного больше прогнозируемого объёма дефицита в 2030 году. «Я ожидаю дефицит на уровне 25 % на общем рынке DRAM. Отрасль сможет предложить только 91 Эбайт в год при спросе 120 Эбайт в год. Средняя цена продажи DRAM останется завышенной и, вероятно, будет держаться в диапазоне от 1,5 до 2,0 долларов за 1 Гбайт», — говорит автор исследования.  Как пишет портал PC Gamer, не исключено, что за это время на рынке могут появиться инновационные решения, связанные с повышением эффективности ИИ, которые помогут улучшить ситуацию и снизить спрос на память. Например, недавно разработанный Google алгоритм TurboQuant обещает шестикратное снижение потребления памяти ИИ-моделями. Правда, вопрос о том, действительно ли такие разработки снижают спрос или просто открывают возможности для ещё более широкого использования ИИ, также остаётся открытым. JEDEC утвердила стандарт SPHBM4 — HBM4 станет дешевле без потери скорости
14.07.2026 [21:06],
Николай Хижняк
Организация JEDEC, отвечающая за определение спецификаций стандартных типов памяти, опубликовала документ JESD330-4, описывающий окончательную спецификацию стандарта памяти SPHBM4 (Standard Package High Bandwidth Memory). Новый стандарт памяти предназначен для обеспечения такой же суммарной пропускной способности, как у памяти HBM4, большей ёмкости и более низких затрат на интеграцию за счёт совместимости с традиционными текстолитовыми (органическими) подложками. 
Источник изображения: VideoCardz О работе над окончательной спецификацией стандарта SPHBM4 JEDEC сообщала в декабре 2025 года. В окончательном варианте спецификации стандарта SPHBM4 сохранены те же кристаллы памяти HBM4 DRAM и базовые слои памяти, но представлен другой интерфейс базового кристалла. Если обычный интерфейс HBM4 использует 2048 сигналов данных, то SPHBM4 сокращает это число до 512 сигналов, компенсируя более узкое соединение более высокими частотами интерфейса и последовательностью передачи 4:1. «Память JESD330-4 SPHBM спроектирована таким образом, чтобы работать с той же совокупной пропускной способностью, что и HBM4, используя меньшее количество контактов, при этом оперировать на более высокой частоте. Если интерфейс HBM4 содержит 2048 сигналов данных, то SPHBM4 будет определять 512 сигналов данных с последовательностью 4:1 для достижения той же полосы пропускания. Это изменение позволяет уменьшить высоту неровностей, необходимую для подключения к органическим подложкам», — заявили в JEDEC. В JEDEC пояснили, что последовательность 4:1 означает, что каждое соединение для передачи данных у памяти SPHBM4 со временем передаёт в четыре раза больше данных. Это позволяет интерфейсу поддерживать общую пропускную способность на уровне HBM4, используя при этом большее расстояние между центрами двух соседних соединительных микроконтактов при объединении с органическими подложками. Объём памяти, доступный для каждого стека, остаётся неизменным, поскольку в SPHBM4 используются стандартные слои памяти HBM4. Маршрутизация на органической подложке также поддерживает более длинные соединения между процессором и памятью, что может позволить разработчикам ускорителей размещать больше стеков памяти вокруг SoC. Память SPHBM4 не предназначена для замены стандартной HBM4. Она лишь меняет способ взаимодействия стеков высокопроизводительной памяти с процессором, а также способ их интеграции в единую упаковку. JEDEC ничего не сообщила о продуктах, в которых будет использоваться память SPHBM4, или о сроках внедрения стандарта JESD330-4. MSI подтвердила совместимость китайской памяти CXMT DDR5-8000+ с платами на логике Intel 800-й серии
14.07.2026 [15:19],
Николай Хижняк
Компания MSI сообщила об успешном тестировании новых версий BIOS для материнских плат Intel 800-й серии с полной оптимизацией для модулей памяти DDR5 на базе чипов китайского производителя CXMT (ChangXin Memory Technologies). Ранее в этом месяце компания также сообщила о совместимости памяти CXMT DDR5-8000+ с материнскими платами AMD AM5. 
Источник изображений: MSI Тесты совместимости для плат Intel 800-й серии проводились на материнской плате MEG Z890 Unify-X с двумя слотами DIMM и модели Pro Z890-S WIFI с четырьмя слотами DIMM. На модели MEG Z890 Unify-X проверялся двухканальный комплект памяти на чипах CXMT общей ёмкостью 48 Гбайт (2 × 24 Гбайт). Память работала в режиме DDR5-8600 с таймингами CL46-56-56-134. На плату также был установлен процессор Intel Core Ultra 5 245K. Память успешно прошла проверку MemTest с охватом более 100 %.  Проверка памяти на материнской плате Pro Z890-S WIFI также проводилась в двухканальном режиме. Для этого производитель использовал комплект памяти общей ёмкостью 32 Гбайт (2 × 16 Гбайт). Память работала в режиме DDR5-8200 с таймингами CL44-56-56-132. В тестировании также использовался процессор Intel Core Ultra 5 250K Plus. Память успешно прошла проверку MemTest с охватом более 100 %.  MSI отмечает, что благодаря оптимизации, реализованной как на платформах Intel, так и AMD, пользователи могут рассчитывать на стабильную поддержку памяти CXMT на её материнских платах. Оптимизации для памяти CXMT также интегрированы в фирменную функцию быстрого разгона ОЗУ MSI Memory Try It!. Процессор Apple M7 Ultra будет поддерживать до 1,5 Тбайт памяти
13.07.2026 [04:48],
Алексей Разин
Как бы иронично это ни звучало в разгар кризиса доступности оперативной памяти, компания Apple в рамках подготовки к выпуску флагманского процессора M7 Ultra предусмотрит для него поддержку 1,5 Тбайт оперативной памяти. Системы на его основе, тем самым, поравняются с компьютером Mac Pro на основе процессоров Intel образца 2019 года. 
Источник изображения: Apple Компоновка процессоров Apple собственной разработки создавала определённые ограничения в части объёма поддерживаемой памяти, поскольку микросхемы DRAM интегрировались с процессором на одну подложку. Это поднимало скорость обмена, но не обеспечивало гибкости в выборе объёма памяти. Будущий процессор M7 Ultra, если верить Марку Гурману (Mark Gurman) из Bloomberg, обеспечит поддержку до 1,5 Тбайт оперативной памяти, что в два раза превышает возможности актуального M5 Ultra. Другой вопрос, как скоро подобные конфигурации станет возможным купить после анонса M7 Ultra, но его следует адресовать общей ситуации на рынке памяти, а не самой Apple. В нынешних ценах поддержка 1,5 Тбайт памяти обойдётся покупателю в $35 000, если рассматривать переход от 128 Гбайт. Нынешнее поколение Mac Studio невольно сталкивается с сокращением объёма доступной оперативной памяти, как отмечает 9to5Mac. Система на базе M3 Ultra в этом году утратила модификацию с 512 Гбайт памяти, а затем и вариант с 256 Гбайт памяти. В итоге Mac Studio остался доступен лишь с 96 Гбайт оперативной памяти. Чтобы поднять планку до 128 Гбайт, необходимо выбирать версию Mac Studio на базе M4 Max. Дебютирующий в этом году M5 Ultra получит поддержку до 768 Гбайт памяти, и это будет рекордом для современного поколения продукции Apple. SK hynix готова предлагать клиентам память напрокат и значительно увеличить инвестиции в США
11.07.2026 [07:51],
Алексей Разин
Прибывшие в США для празднования размещения депозитарных расписок на бирже Nasdaq руководители SK Group вскоре после церемонии начали активно раздавать интервью, и крупные деловые издания разродились самыми разными цитатами. В интервью Bloomberg, например, председатель совета директоров SK Group пообещал рассмотреть возможность предоставления клиентам памяти в аренду. 
Источник изображения: SK hynix Невольно подыгрывая заявлениям министра торговли США, глава SK Group Чхэ Тхэ Вон (Chey Tae-won) подчеркнул, что южнокорейский конгломерат готов вкладывать в экономику США гораздо больше денег, чем происходило до этого. При этом он отметил, что мало кто осознаёт масштаб уже имевших место инвестиций, ведь сейчас SK Group в общей сложности готова направить на реализацию проектов на территории США более $35 млрд. Помимо производства тяговых батарей, она организовывает в Индиане тестирование и упаковку чипов памяти по передовым технологиям. В интервью Bloomberg председатель совета директоров SK Group заявил, что в его планы входят значительно более крупные инвестиции в экономику США по сравнению с упоминаемыми $35 млрд. По мнению главы SK Group, баланс спроса и предложения на рынке памяти не будет достигнут до тех пор, пока не появится так называемый «сильный искусственный интеллект», по своим когнитивным способностям не уступающий человеческому. Долгосрочные соглашения с клиентами, по словам Чхэ Тхэ Вона, позволяют исключить цикличный характер колебаний цен на память. Эти контракты на длительный срок определяют как объёмы поставок памяти, так и цены, поэтому влияние цикличности отходит на второй план. SK Group, как добавил глава компании, рассматривает возможность внедрения инновационных методов работы с клиентами. Помимо классической продажи микросхем памяти, она готова предложить им их аренду. В будущем компания как раз может сфокусироваться на предоставлении подобной услуги. Клиенты смогут арендовать память, когда им это нужно, и возвращать её, когда потребность сократится. Кроме того, в случае возникновения благоприятных условий на американском фондовом рынке SK hynix может разместить в США дополнительный объём своих депозитарных расписок, но сначала нужно убедиться, что их курсовая стоимость достаточно стабильна. Глава SK hynix заявил, что дефицит памяти достигнет пика в 2027 году, но сохранится даже в следующем десятилетии
11.07.2026 [06:33],
Алексей Разин
Поскольку ради участия в церемонии, посвящённой выпуску американских депозитарных расписок, в США был направлен десант руководителей SK hynix, ведущие американские деловые издания не упустили возможности взять у них интервью. Генеральный директор Квак Но Чжун (Kwak Noh-jung) пообещал Reuters достижение пика дефицита памяти в следующем году и его сохранение за пределами 2030 года. 
Источник изображения: SK hynix Даже агрессивное расширение производственных мощностей, по его мнению, не позволит полностью насытить рынок памятью в ближайшие годы. «Мы прогнозируем, что следующий год будет худшим в истории с точки зрения предложения на рынке памяти», — признался глава компании. Он добавил, что хотя SK hynix и делает всё возможное для решения проблемы, внутренние прогнозы компании говорят о вероятности превышения спроса на память над предложением и после 2030 года. Спрос растёт быстрее, чем компания способна наращивать объёмы выпуска памяти. SK hynix не исключает вероятности строительства новых предприятий по выпуску памяти в США, но для этого должен выполняться ряд условий. На территории должны иметься достаточно крупные и удобные участки земли под строительство, энергетическая инфраструктура и водные ресурсы, а также квалифицированная рабочая сила. При прочих равных, SK hynix рассматривает для экспансии своих предприятий США, Японию и Юго-Восточную Азию. Компания сейчас выбирает, какой из регионов мира в этом смысле способен предоставить наилучшие условия для ведения бизнеса, помимо самой Южной Кореи. Там SK hynix готова в ближайшие несколько лет потратить около $266 млрд на строительство новых фабрик по выпуску памяти. В США компания уже собралась построить предприятие по упаковке памяти за $4 млрд в штате Индиана, а ещё $10 млрд будет направлено на разработку ИИ-решений на территории США. Конкурирующая Micron Technology, тем временем, решила увеличить сумму расходов на родной для себя американской земле на ближайшие девять лет с $200 до $250 млрд, подогнав число под «юбилейную дату» независимости, которую в этом году праздновали в США. После дебюта в США акции SK hynix выросли в цене на 13 %, глава компании говорит о высочайшем спросе на память
11.07.2026 [05:52],
Алексей Разин
На этой неделе акции SK hynix в опосредованной форме через депозитарные расписки вышли на биржу Nasdaq в Нью-Йорке, первая торговая сессия после размещения завершилась ростом их курсовой стоимости на 13 % до $168, а председатель SK Group поспешил заявить CNBC, что росту спроса на память он не видит особых пределов в ближайшей перспективе. 
Источник изображения: SK hynix В интервью одноимённому телеканалу Чхэ Тхэ Вон (Chey Tae-won) признался, что «всё это похоже на сон, который стал явью». По его словам, встречи с клиентами SK hynix оставляют у него ощущение, что всем им нужно ещё больше памяти. Даже обещания производителя удвоить объёмы её выпуска за пять лет не могут удовлетворить покупателей, поскольку они уже сейчас утверждают, что этого будет недостаточно. За прошлый год капитализация SK hynix выросла более чем в семь раз, и на этапе размещения в США количество желающих приобрести её депозитарные расписки превышало их выпускаемое количество примерно в такой же пропорции. «Спрос невероятно высок, он растёт экспоненциально, я не вижу признаков снижения спроса на HBM», — признался глава SK Group. Он убеждён, что нынешняя ситуация далека по своей сути от прежних циклических колебаний спроса на рынке памяти. ИИ-агенты, роботы потребуют большого количества памяти, а потому спрос не обвалится. У себя на родине SK hynix собирается потратить до $390 млрд на строительство комплекса по производству памяти, а в США планирует построить предприятие по упаковке памяти в Индиане за $4 млрд, но американские власти настроены к привлечению южнокорейских производителей к развитию инфраструктуры в США в значительно больших масштабах. Инженеры уложили HBM на бок — память стала быстрее, холоднее и вместительнее
09.07.2026 [12:38],
Геннадий Детинич
Инженеры предложили новый способ наращивания памяти для ускорителей ИИ и графических процессоров: вместо укладки кристаллов DRAM привычной «башней», как в HBM, их предлагается устанавливать на ребро, превращая массив памяти в объёмный блок из кремниевых пластин. Это сразу решает несколько проблем масштабирования памяти: увеличивает пропускную способность и ёмкость, а также позволяет избежать роста тепловыделения. 
Вертикальное, но не стековое размещение кристаллов памяти улучшит её характеристики. Источник изображения: University of Tokyo Проблема наращивания памяти типа HBM приобретает всё большую актуальность из-за роста больших языковых моделей: современные GPU уже окружены несколькими стеками HBM, но дальнейшее увеличение числа слоёв в каждом стеке грозит перегревом и потерей эффективности. В обычной HBM кристаллы DRAM располагаются друг над другом на базовом кристалле и соединяются сквозными TSV-соединениями. Такая структура плохо отводит тепло к радиатору, поскольку кристаллы разделены слоем диэлектрика с низкой теплопроводностью. Для решения проблемы теплоотвода от памяти ускорителей на июньском симпозиуме IEEE VLSI были представлены два варианта, оба из которых предлагают поставить условный куб HBM на ребро. По большому счёту это будет уже не память HBM, поскольку у неё не будет базовой подложки, к которой подключаются все кристаллы. Вместо этого каждый кристалл в 3D-сборке DRAM на нижнем ребре будет нести группу интерфейсных и силовых контактов для подключения к подложке с ускорителем или графическим процессором. Более того, в концепции памяти V-Die, разработанной при участии южнокорейских университетов UNIST и Hanbat National University, между кристаллами также предполагается размещать микрофлюидные каналы для циркуляции хладагента. Кроме того, отказ от достаточно толстых TSV дополнительно освобождает площадь под ячейки памяти, а собственные блоки ввода-вывода (I/O) на каждом кристалле позволяют отказаться от отдельного базового кристалла. Контакты для подключения к подложке предлагается размещать вдоль нижней кромки кристалла с шагом около 20 мкм. Расчёты показывают, что V-Die может обеспечить примерно в четыре раза больше соединений, чем HBM4, и сократить время чтения из памяти на 37 %. При моделировании системы на GPU уровня Nvidia H100 с нагрузкой, похожей на большую языковую модель масштаба GPT-3, вариант V-Die обеспечивал производительность памяти на уровне 540 токенов в секунду против 296 токенов в секунду у HBM4 при той же ёмкости памяти. Задержка до выдачи первого токена снижалась на 32 % (примерно на 24 мс), а температура за счёт микрофлюидного охлаждения удерживалась на уровне около 45 °C — заметно ниже типичных пиков HBM, которые могут превышать 80 °C. Впрочем, технология V-Die подверглась критике со стороны специалистов. По их словам, почти невозможно обеспечить такую точность производства, чтобы все контакты на рёбрах куба памяти совпали с контактами для пайки на подложке ускорителя. Однако об этой проблеме позаботилась другая группа исследователей — из Японии. Японская группа из University of Tokyo, Tohoku University и RIKEN предложила подход к монтажу «кубической» памяти, названный ими MOSAIC («мозаика»). Жёсткие контакты, по их мнению, следует оставить только для питания сборки DRAM, поскольку они крупнее и менее требовательны к точности совмещения, тогда как данные и управляющие сигналы предлагается передавать с подложки на «куб» памяти индуктивным бесконтактным способом. В частности, исследователи предложили формировать на кристаллах памяти вытянутые катушки размером около 80 × 240 мкм, а на подложке размещать ответные катушки под прямым углом. Передача данных будет осуществляться посредством магнитного поля, поэтому элементы не обязаны совпадать с микронной точностью. В одном кубе MOSAIC можно разместить 98 кристаллов и получить 294 Гбайт памяти, а при уменьшении толщины кристалла DRAM до 100 мкм авторы оценивают потенциал в 294 кристалла и 882 Гбайт памяти в том же объёме при расчётной пиковой температуре около 81,3 °C. Patriot выпустила двухканальные комплекты памяти Viper Steel 5 Infinite DDR5-8000 ёмкостью до 96 Гбайт
08.07.2026 [15:55],
Николай Хижняк
Компания Patriot Memory представила двухканальные комплекты оперативной памяти Viper Steel 5 Infinite DDR5, предлагающие скорость до 8000 МТ/с. Они будут поставляться в конфигурациях объёмом от 32 (2 × 16) до 96 (2 × 48) Гбайт, в версиях с RGB-подсветкой и без неё. 
Источник изображений: Patriot Memory Для новинок заявлена полная поддержка профилей разгона Intel XMP 3.0 и AMD EXPO (до 6400 МТ/с). Более подробную информацию о представленных новинках, в частности первичные тайминги, производитель не предоставил. Однако компания заявляет, что модули памяти производятся на базе вручную отобранных чипов памяти и других компонентов. То есть речь идёт о премиальном продукте.  Модули памяти Viper Steel 5 Infinite DDR5 оснащены металлическими радиаторами. Версии с RGB-подсветкой поддерживают управление ею через популярные утилиты от Asus, MSI, Gigabyte и ASRock. На модули ОЗУ предоставляется ограниченная пожизненная гарантия производителя. Стоимость представленных комплектов производитель не сообщил. MSI протестировала совместимость китайской памяти CXMT DDR5-8000+ с материнскими платами AMD AM5
06.07.2026 [14:46],
Николай Хижняк
Компания MSI выпустила новый тестовый BIOS для материнских плат AMD, обеспечивающий улучшенную поддержку модулей DDR5 на базе чипов памяти от китайского производителя Changxin Memory Technologies (CXMT). 
Источник изображений: VideoCardz / MSI По данным MSI, обновление прошивки снимает ограничение частоты, из-за которого многие модули CXMT DDR5 на платформах AMD работали на частотах около DDR5-6800. Компания заявляет, что последняя настройка прошивки теперь позволяет памяти работать на частотах от DDR5-8000 до DDR5-8200 в зависимости от типа памяти и конфигурации материнской платы. 
Результат проверки памяти CMXT DDR5-8000 Наиболее быстрый результат в работе памяти был достигнут на материнских платах с двумя разъёмами DIMM в паре с модулями DDR5, использующими 24-гигабитные DRAM-чипы CXMT. MSI заявляет, что эта конфигурация достигла скорости DDR5-8200 и прошла проверку MemTest с охватом более 100 %. Модули с 16-гигабитными чипами CXMT достигли скорости DDR5-8000 в рамках того же процесса проверки. 
Результат проверки памяти CMXT DDR5-8200 Компания также отмечает, что для стандартных материнских плат с четырьмя DIMM-разъёмами предел частоты для чипов памяти CXMT в составе модулей ОЗУ также был увеличен до DDR5-7200. Ранее такая память ограничивалась режимом DDR5-6800. Для проверки MSI использовала розничные комплекты памяти от таких брендов, как KingBank и Lexar. Настройка не ограничивалась специально отобранными инженерными образцами модулей памяти. Иными словами, результаты разгона такой памяти будут зависеть от контроллера памяти процессора, модели материнской платы и версии BIOS. Первые поддерживаемые тестовые BIOS теперь доступны через официальный канал сообщества MSI. Компания заявляет, что эти сборки основаны на текущих официальных версиях BIOS и содержат изменения, специфичные для разгона китайской памяти. Ожидается, что в дальнейшем список совместимых материнских плат будет расширяться. Производители памяти призвали власти США отказаться от регулирования рынка, чтобы не стало ещё хуже
04.07.2026 [15:23],
Павел Котов
Попытки правительства США решить проблему мирового дефицита чипов памяти путём влияния на цены или производственные мощности усугубят дефицит предложения, спровоцированный бумом искусственного интеллекта, предупредила Белый дом группа представителей полупроводниковой отрасли, пишет Bloomberg. 
Источник изображения: micron.com В письме высокопоставленным чиновникам администрации президента ассоциация SEMI призвала США дать компаниям возможность и дальше заключать долгосрочные соглашения с клиентами, а также продлить действие налоговых льгот, направленных на увеличение производства в США. В ассоциацию входят американская Micron, а также корейские Samsung и SK hynix. «Хотя целенаправленная политика может способствовать ускорению восстановления внутреннего предложения, вмешательства, искажающие решения о ценообразовании или производственных мощностях, рискуют продлить проблему спроса. Текущие рыночные условия преодолеваются за счёт инвестиций в американское производство и повышенное внимание к долгосрочным соглашениям о поставках», — говорится в документе. Множество отраслей, от автопрома до потребительской электроники, столкнулось с беспрецедентным дефицитом чипов памяти, спрос на которые подскочил до рекордных показателей — они необходимы в ускорителях ИИ, работающих в центрах обработки данных. Apple добивается разрешения у правительства закупать эти чипы у двух китайских компаний, включённых в чёрный список Пентагона. В письме SEMI китайские поставщики не упоминаются, но оно усиливает растущее в Вашингтоне ощущение, что дефицит памяти перерастает в политическую проблему. Инвесторов на биржах воодушевляет рост акций производителей памяти, а власти следят за влиянием кризиса на потребителей — Apple и Microsoft уже подняли цены на популярные товары. В SEMI предложили администрации президента совместно с Конгрессом выработать политику, которая поможет потребителям компенсировать рост цен на смартфоны и ноутбуки, — например, ввести налоговые вычеты или льготы. Ассоциация заявила, что мощности по производству памяти будут расширяться примерно на 19 %, но предупредила, что взрывной рост спроса со стороны инфраструктуры ИИ грозит дефицитом готовой продукции — от ноутбуков до бытовой техники и автомобилей. Все крупные производители памяти планируют расширять производство, но на это уйдут годы, а пока дисбаланс спроса и предложения привёл к росту цен. |
© 1997—2026 Электронное периодическое издание "3ДНьюс" | Свидетельство о регистрации СМИ Эл ФС 77-22224
выдано Федеральной Службой по надзору за соблюдением законодательства в сфере массовых коммуникаций и охране культурного наследия
При цитировании документа ссылка на сайт с указанием автора обязательна. Полное заимствование документа является
нарушением
российского и международного законодательства и возможно только с согласия редакции 3DNews.
MWC 2018
2018
Computex
IFA 2018
