Опрос
|
реклама
Быстрый переход
V-Color выпустит антикризисные комплекты DDR5 — с настоящей памятью и RGB-муляжами
12.03.2026 [21:40],
Николай Хижняк
Компания V-Color выпустит одноканальные комплекты оперативной памяти Manta DDR5 XSky и Manta DDR5 Xfinity, в состав которых будут входить один настоящий модуль ОЗУ и один муляж. При этом оба компонента будут оснащены RGB-подсветкой. Компания позиционирует эту идею для игровых сборок на базе AMD Ryzen, где пользователи могут захотеть перейти на DDR5 сейчас и добавить больше памяти позже, когда она подешевеет. 
Источник изображений: V-Color Очевидно, что такой способ оснащения ПК не является оптимальным. Если процессор поддерживает двуканальный режим памяти, но при этом в системе используется одноканальная память, то только из-за этого можно терять до 20 % производительности. Однако в условиях дефицита памяти и значительно выросших на этом фоне цен на модули ОЗУ такие предложения от V-Color могут найти спрос.  V-Color выпустит одноканальные модули памяти Manta DDR5 XSky DDR5-6400 объёмом 16 Гбайт и Manta DDR5 Xfinity DDR5-6400 объёмом 24 Гбайт. Оба комплекта будут содержать один настоящий модуль памяти и один муляж.  Компания также демонстрирует более экстремальные варианты этой идеи, включая конфигурации с одним реальным модулем памяти и тремя модулями-муляжами. Другими словами, таким комплектом можно заполнить все четыре слота DIMM, но работать будет только один модуль.  V-Color описывает свой продукт как более гибкий способ перехода на платформу DDR5, особенно для пользователей Ryzen, желающих снизить первоначальные затраты и упростить процесс апгрейда. Компания особо упоминает такие чипы, как Ryzen 7 7800X3D и более новые модели X3D, утверждая, что использование одного модуля в качестве отправной точки «может быть целесообразным для игровых систем». Память может не подешеветь ещё несколько лет, предупредили участники рынка
12.03.2026 [08:40],
Алексей Разин
Исторически цены на память изменялись циклично, и после этапа их роста следовал этап снижения. В условиях бума искусственного интеллекта, как предупреждают участники рынка, ожидать нового снижения цен на память придётся ещё несколько лет, причём никто не может гарантировать, что память по итогу вообще сможет подешеветь. 
Источник изображения: Micron Technology Как поясняет CNBC, специфика ситуации заключается ещё и в том, что облачные гиганты, которые стали основными потребителями микросхем и модулей памяти, заключают многолетние контракты на их поставку, поэтому их поведение как раз и будет определять положение дел на рынке памяти в ближайшие несколько лет. Производители ПК, которые с точки зрения обеспечения памятью оказались во вторых рядах, теперь в один голос утверждают, что будут вынуждены поднимать цены на свою продукцию по мере роста стоимости памяти. Представители производящей жёсткие диски Seagate Technology на этой неделе призвали готовиться к многолетнему тренду роста цен на память и принимать его в качестве новой нормы. SK hynix пояснила CNBC, что в последнее время облачные гиганты и прочие клиенты этого производителя памяти предпочитают заключать многолетние контракты, тогда как ранее они обычно заключались сроком на один год. Подобное мнение высказывают и представители конкурирующей Micron Technology. Руководство Broadcom недавно также пояснило, что по некоторым видам продукции компания обеспечена заказами вплоть до 2028 года, и всё это стало возможным благодаря буму ИИ. Представившая на этой неделе свои новые ИИ-ускорители Meta✴✴ призналась, что обеспокоена ситуацией с доступностью памяти типа HBM, но для собственных нужд собирается получить её в достаточных количествах. Framework повысила цены на память и SSD для своих ноутбуков и ПК — в третий раз за четыре месяца
11.03.2026 [21:07],
Николай Хижняк
Производитель модульных ноутбуков Framework снова сообщил о повышении цен на оперативную память и накопители из-за продолжающегося дефицита и перебоев с поставками. Это уже третье повышение цен за четыре месяца. 
Источник изображения: Framework В своём официальном блоге Framework во вторник сообщила, что оперативная память DDR5 теперь будет отпускаться из расчёта от $13 до $18 за гигабайт. Ещё в феврале гигабайт памяти компания оценивала в $12–16. Разброс цен частично связан с распродажей компанией старых, более дешёвых запасов. Ситуация на рынке вынудила Framework также «пересмотреть цены на некоторые объёмы» накопителей. Из-за изменившейся стоимости оперативной памяти и накопителей также подорожал настольный компьютер Framework. Базовая конфигурация настольного ПК Framework Desktop (AMD Ryzen AI Max 385, 32 Гбайт встроенной ОЗУ LPDDR5X) теперь стоит $1269. Для сравнения, в январе та же конфигурация оценивалась в $1139. Некоторые конфигурации ноутбука Framework Laptop 16 также подорожают. В «ближайшие месяцы» Framework планирует внести аналогичные изменения в цены на другие свои готовые модели ноутбуков. В обновлении во вторник Framework заявила, что «повышение цен в этом месяце меньше, чем в предыдущие месяцы», хотя о стабилизации цен говорить пока не приходится. Компания также предупредила клиентов, что начинает наблюдать дефицит поставок процессоров, в частности модели Intel Core i5-1334U, которая используется в ноутбуке Framework Laptop 12. Память заняла до 43 % себестоимости бюджетных смартфонов — роста цен не избежать
11.03.2026 [11:29],
Алексей Разин
Закономерно, что по бюджетным устройствам рост цен на память ударит сильнее всего. Эксперты уже предрекают трудности производителям недорогих смартфонов и хромбуков. Специалисты Counterpoint Research определили, что по итогам текущего квартала расходы производителей недорогих смартфонов на закупку памяти вырастут на 25 % и достигнут 43 % от общих затрат на материалы. 
Источник изображения: Samsung Electronics Данный расчёт приводится для типовой для доступных смартфонов конфигурации из 6 Гбайт памяти LPDDR4X и 128 Гбайт eMMC. На фоне общей стоимости недорогих смартфонов, которая ранее укладывалась в диапазон до $200, подобный рост затрат может оказаться весьма заметным. В случае со смартфонами стоимостью от $400 до $600 предусмотренные для установки в них 8 Гбайт LPDDR5X и 256 Гбайт UFS 4.0 могут вырасти в цене по итогам первого квартала на 14 и 11 % соответственно, а по итогам второго — увеличиться ещё на 20 и 16 %. Если говорить о флагманских смартфонах, чья оптовая стоимость превышает $800, то к подорожанию памяти добавится ещё и фактор использования передового 2-нм техпроцесса для изготовления непосредственно мобильных процессоров. По итогам второго квартала связка из 16 Гбайт LPDDR5X и 512 Гбайт UFS 4.1 подорожает на $100–150. Доля затрат на DRAM в структуре себестоимости компонентов таких смартфонов вырастет до 23 %, а NAND будет отвечать за 18 %. Совокупная доля в 41 % таким образом не будет особо отличать дорогие смартфоны от бюджетных по критерию влияния роста цен на память на себестоимость. В дорогих смартфонах этой памяти используется больше, и она более современная, поэтому в абсолютном выражении такие модели подорожают сильнее бюджетных. 
Источник изображения: Counterpoint Research По итогам первого квартала мобильная DRAM последовательно вырастет в цене более чем на 50 %, а NAND подорожает более чем на 90 %, как ожидают представители Counterpoint Research. Поскольку сегмент недорогих смартфонов более чувствителен к росту цен, он пострадает сильнее — тем более что производители в условиях дефицита предпочтут выпускать больше дорогих смартфонов, а не дешёвых. Аналитики ожидают, что в этом году производителям смартфонов будет сложно балансировать между затратами, нормой прибыли и планами поставок. Не исключено, что в сегменте бюджетных моделей многие понесут убытки. Чтобы лучше отвечать вызовам времени, производители смартфонов могут использовать разные стратегии. Например, сократить планы по количеству поставляемых на рынок недорогих моделей. Либо экономить на технических характеристиках устройств, используя более дешёвые компоненты (меньше памяти) и ухудшая второстепенные потребительские качества смартфонов. Но наиболее разумной выглядит идея повышения цен на смартфоны, которое позволит хотя бы частично перекрыть рост затрат на закупку микросхем памяти. Если в бюджетном сегменте стоимость смартфонов вырастет на $30, то в верхнем ценовом диапазоне она подрастёт на $150–200. Память для флагманов нового поколения: SK hynix готовит 16-гигабитные чипы LPDDR6 со скоростью 10,7 Гбит/c
10.03.2026 [17:20],
Николай Хижняк
SK hynix объявила о разработке 16-гигабитных чипов оперативной памяти LPDDR6 на основе техпроцесса 10-нм класса шестого поколения (1c). По словам производителя, он недавно завершил первую в отрасли проверку 1c LPDDR6, впервые продемонстрировав продукт на выставке CES 2026. 
Источник изображений: SK hynix Новая память предназначена для смартфонов и планшетов, способных выполнять задачи, связанные с технологиями искусственного интеллекта непосредственно на устройстве. По данным SK hynix, новая память LPDDR6 обеспечивает увеличение скорости обработки данных на 33 % по сравнению с LPDDR5X, и обладает базовой рабочей скоростью более 10,7 Гбит/с, что превышает максимальную скорость LPDDR5X текущего поколения. SK hynix также заявляет, что новая память обладает на 20 % более высокой энергоэффективностью по сравнению с предыдущим поколением. Компания объясняет это субканальной структурой и динамическим масштабированием напряжения и частоты (DVFS). Конструкция с субканалами позволяет работать только необходимым каналам передачи данных, в то время как DVFS регулирует напряжение и частоту в зависимости от рабочей нагрузки и условий работы устройства.  По словам SK hynix, эти изменения призваны улучшить время автономной работы и производительность многозадачности мобильных устройств. При более высоких нагрузках, таких как игры, память может повысить уровень производительности для увеличения пропускной способности. При более низком уровне использования она может снизить частоту и напряжение для уменьшения энергопотребления. SK hynix планирует завершить подготовку к серийному производству 1c LPDDR6 в первой половине 2026 года и начать поставки во второй половине года. По словам компании, этот продукт расширит линейку DRAM для мобильных устройств, ориентированных на искусственный интеллект, поскольку производители продолжают внедрять всё больше вычислений ИИ непосредственно в телефоны и планшеты. Оперативка продолжит дорожать, а дефицит может затянуться до 2028 года, предупредил четвёртый крупнейший производитель DRAM
09.03.2026 [07:40],
Алексей Разин
Тайваньский производитель микросхем памяти Nanya Technology, являющийся четвёртым крупнейшим в мире производителем микросхем DRAM, на ситуацию на рынке оперативной памяти смотрит не особо оптимистично с точки зрения покупателей, поскольку в текущем квартале, по словам руководства компании, цены будут расти ежемесячно, в следующем заметно подскочат, а с дефицитом чипов удастся покончить не ранее второй половины 2028 года.  Издание ET News, на которое ссылается TrendForce, сообщает о готовности Samsung Electronics поднять цены на память более чем на 100 % по итогам первого квартала. Конкурирующие SK hynix и Micron также готовы предлагать DRAM по сопоставимым с Samsung ценам. Если ранее контрактные цены на поставку памяти оговаривались на год вперёд, то теперь интервал сократился до одного квартала, а в отдельных случаях — до месяца. По некоторым данным, Samsung своими поставками покрывает не более 60 % спроса на память. Уже сейчас формируются цены на второй квартал, и в среднем для тройки крупнейших производителей памяти они вырастут на 40 %. В случае с мелкими производителями памяти типа Nanya цены растут с отставанием от лидеров рынка, поэтому своего пика они как раз достигнут во втором квартале. По прогнозам TrendForce, контрактные цены на DRAM в первом квартале вырастут последовательно на 90–95 %, а с учётом HBM средний прирост достигнет 80–85 %. Руководство Nanya Technology отмечает, что влияние конфликта на Ближнем Востоке на бизнес компании будет минимальным, поскольку европейские клиенты формируют 5 % выручки этого производителя памяти, а доля стран Ближнего Востока вообще не превышает 1 %. Китайские производители памяти, как отмечает TrendForce, пока сосредоточились на выпуске чипов для смартфонов и прочих сегментов домашнего рынка КНР. Переход с DDR4 на более современные виды продукции потребовал бы существенных затрат времени и средств, поэтому основная часть китайских производителей от него наверняка пока воздержится. 256 Гбайт памяти в Mini-ITX — ASRock наделила поддержкой CQDIMM DDR5-7400 плату Z890I Nova WiFi R2.0
06.03.2026 [16:49],
Николай Хижняк
Компания ASRock сообщила, что её материнская плата Z890I Nova WiFi R2.0 теперь поддерживает память CQDIMM, что позволяет системе использовать до 256 Гбайт ОЗУ DDR5 со скоростью 7400 МТ/с. Проверку совместимости плата прошла с двумя модулями Kingston объёмом 128 Гбайт каждый. 
Источник изображений: ASRock Память CQDIMM основана на CUDIMM (Clocked Unbuffered DIMM — небуферизованный модуль с тактовым генератором), но использует четырёхранговую схему для увеличения ёмкости. Проще говоря, это тип модулей DDR5, разработанный для обеспечения как больших объёмов памяти, так и относительно высоких скоростей. CQDIMM позволяет реализовать до 128 Гбайт памяти в рамках одного модуля, что даёт возможность установить до 256 Гбайт ОЗУ, используя при этом всего два слота DIMM на материнской плате.  По данным ASRock, поддержка этой памяти стала возможной благодаря изменениям в конструкции материнской платы, а также аппаратной и программной оптимизации. В результате удалось добиться работы памяти DDR5-7400 общим объёмом 256 Гбайт, что нечасто встречается на современных потребительских платформах. Подобная конфигурация памяти ориентирована в первую очередь на пользователей, которым требуется как высокая ёмкость оперативной памяти, так и высокая пропускная способность, например для задач искусственного интеллекта, создания контента и других ресурсоёмких профессиональных задач. Однако, учитывая текущую ситуацию на рынке и цены на модули памяти высокой ёмкости, вряд ли покупка двух планок объёмом по 128 Гбайт будет выглядеть экономически целесообразной. Для большинства сценариев использования ИИ, вероятно, будет дешевле и проще установить четыре модуля памяти, даже если они не будут обеспечивать такую высокую скорость работы. Цены на память теперь меняются каждый час — мелких производителей фактически отрезали от закупок
04.03.2026 [12:37],
Алексей Разин
Рынок спотовых сделок в сегменте микросхем памяти, как отмечает Tom’s Hardware со ссылкой на DigiTimes, перешёл к пересмотру цен буквально каждый час, и мелким производителям электроники просто не остаётся на нём места. Ограниченный объём памяти распределяется неравномерно между примерно 100 крупными покупателями и более чем 190 000 небольшими компаниями, которые в таких условиях просто не могут приобретать её. 
Источник изображения: Micron Technology Как поясняют тайваньские источники, облачные гиганты, крупные автопроизводители и игроки рынка смартфонов вроде Apple или Samsung менее чувствительны к росту цен на память, а поставщики к тому же больше дорожат отношениями с такими клиентами. Поэтому мелкие заказчики гораздо сильнее страдают от подорожания памяти и её дефицита. Делать предоплату за поставку памяти по нынешним ценам способны не все производители электроники, поэтому небольшие компании буквально вымываются с рынка. Пережить повышение цен на память многие компании пытаются со второй половины прошлого года. По текущим ценам покупать память могут не все участники рынка, поэтому они сокращают объёмы производства собственной продукции и переводят бизнес в режим выживания. Формально уход с рынка мелких покупателей снижает общий спрос на память, но пока ситуация далека от перевеса в сторону избытка предложения. Как ожидает TrendForce, в текущем квартале контрактные цены на DRAM последовательно вырастут почти вдвое, а NAND подорожает минимум в полтора раза. Во втором квартале цены на DRAM увеличатся ещё на 70 %, а специалисты IDC ожидают, что дефицит памяти сохранится до 2027 года включительно. Затраты производителей ПК и смартфонов на закупку памяти также растут: эксперты прогнозируют, что рынок смартфонов по итогам текущего года сократится на 13–31 %. На рынке ПК сложнее всего придётся небольшим производителям, которые не смогут закупать память на более выгодных по сравнению с крупными конкурентами условиях. В самый раз для ИИ: Micron выпустила первый в мире модуль памяти LPDRAM SOCAMM2 на 256 Гбайт
04.03.2026 [11:28],
Павел Котов
Компания Micron представила первый в мире высокопроизводительный модуль оперативной памяти LPDRAM SOCAMM2 объёмом 256 Гбайт — он разработан специально для работы в центрах обработки данных и рабочих нагрузок в области искусственного интеллекта. 
Источник изображений: micron.com Оперативная память нового типа потребляет втрое меньше мощности и отличается компактными габаритами модуля — сам модуль построен на монолитных кристаллах объёмом 32 Гбит. При наличии 8-канального центрального процессора в системе с 2 Тбайт памяти скорость при рабочей нагрузке инференса (запуска) ИИ увеличивается в 2,3 раза по важнейшему показателю — времени до выдачи первого токена.  Новый модуль памяти Micron ориентирован на задачи вывода больших языковых моделей и прочие рабочие нагрузки, в которых объёмы памяти, пропускная способность, эффективность и величина задержки определяют производительность и масштабируемость. Формфактор SOCAMM2 представляет собой идеальное решение с более компактными размерами модулей и сниженным потреблением энергии в сравнении с традиционным форматом RDIMM. Разработку компонента компания Micron вела совместно с Nvidia. В рабочих нагрузках ИИ видеопамять на графическом процессора имеет решающее значение, но при больших объёмах KV-кеша его можно частично выгружать в более дешёвую общую системную память, если та достаточно быстрая — и эту возможность предлагает LPDRAM SOCAMM2 от Micron. Свежий прогноз: продажи смартфонов в этом году рухнут на треть, но Apple и Samsung это не касается
03.03.2026 [12:48],
Алексей Разин
Ведущие аналитические компании типа IDC, Gartner и Counterpoint Research предрекают снижение объёмов поставок смартфонов в текущем году на величину не более 13 %, но эксперты Jefferies готовы переставить в этом числе цифры местами, предсказывая падение объёмов поставок смартфонов по итогам текущего года до 867 млн штук. 
Источник изображения: Apple Ранее они также ориентировались на 12-процентное снижение, как и многие отраслевые коллеги, но теперь уверены в падении мирового рынка смартфонов сразу на 31 %. Стоимость памяти в составе смартфонов под управлением Android в текущем году вырастет в 3,6 раза, в случае с продукцией Apple рост достигнет 4,2 раза. До этого эксперты Jefferies ожидали, что цены на память вырастут только на 80 %. Но по итогам первого квартала текущего года цены на LPDDR5 выросли в годовом сравнении на 151 %, память типа NAND подорожала на 360 %. А во втором квартале цены на память наверняка последовательно вырастут ещё более чем на 50 %. Как считают представители Jefferies, небольшим производителям смартфонов в таких условиях будет сложнее выжить, поэтому Samsung и Apple смогут укрепить свои рыночные позиции. Первая благодаря наличию собственного производства памяти увеличит свою долю рынка на 7 процентных пунктов, а вторая ограничится приростом на 5 п.п., главным образом из-за более высокой устойчивости целевой потребительской аудитории к возможному росту цен. Из китайских производителей сильнее всего пострадает марка Xiaomi, которая из-за концентрации на недорогих моделях почувствует снижение объёмов поставок смартфонов на 55 % по итогам всего текущего года. Отчасти это будет компенсировано ростом средней цены реализации на 31 %, поэтому на выручке компании указанное выше падение поставок отразится не в пропорциональном выражении. Прочие китайские марки типа Oppo, Vivo и Transsion столкнутся со снижением объёмов поставок смартфонов на величину от 45 до 52 %. На охоту за недорогими модулями DDR5 вышли боты, управляемые спекулянтами
03.03.2026 [08:20],
Алексей Разин
Апокалиптические сценарии по порабощению человека искусственным интеллектом, возможно, останутся в фантазиях голливудских сценаристов, но в реальной жизни человеку уже приходится бороться за ресурсы с ИИ. По крайней мере, он уже используется для скупки модулей памяти, необходимых для развития собственной вычислительной инфраструктуры. 
Источник изображения: Micron Technology Исследователи Galileo, на которых ссылается TechRadar, установили, что программные боты в шесть раз чаще людей обращаются к страницам интернет-магазинов, на которых можно заказать модули памяти типа DDR5. Подобная активность редко приветствуется продавцами, в ходе одной из кампаний было заблокировано более 10 млн запросов, исходящих от ботов. Контрольная выборка показала, что за один час боты сделали 50 000 обращений к 91 страницам интернет-магазинов с предложениями купить DDR5. Каждая страница опрашивалась ими в течение часа в среднем 551 раз, что соответствует одному запросу каждые 6,5 секунд. Ассортимент предложений, охватываемых ботами, простирается от оснащаемых красочными радиаторами и RGB-подсветкой модулей DDR5 до планок памяти промышленного назначения. Фактически, боты используются даже для мониторинга отдельных компонентов, предназначенных для производителей материнских плат — например, самих разъёмов DIMM. Опросы осуществляются круглосуточно с небольшими перерывами, вызываемыми техническими сбоями. В таких условиях у живых покупателей остаётся меньше шансов приобрести желаемые модули памяти по адекватной цене. Samsung и SK Hynix снова повысят контрактные цены на память во втором квартале — спрос не ослабевает
01.03.2026 [16:31],
Владимир Мироненко
Samsung Electronics и SK Hynix, два крупнейших в мире производителя DRAM, известили клиентов о повышении цен на память во втором квартале и уже ведут переговоры с ними по этому поводу, сообщил ресурс Seoul Economic Daily со ссылкой на источники в отрасли. 
Источник изображения: Seoul Economic Daily Масштабы повышения цен варьируются в зависимости от клиента, и, как сообщают источники, небольшим компаниям придётся согласиться на существенное повышение цен, чтобы зарезервировать поставки DRAM. «Текущие производственные мощности Samsung Electronics позволяют удовлетворить лишь около 60 % постоянно растущего спроса на DRAM», — говорит представитель отрасли, поэтому, в стремлении обеспечить себе необходимые объёмы поставок, клиенты не решатся выступить против значительного роста цен, даже если они в некоторых случаях вдвое превысят стоимость согласно предыдущим контрактам. Крупные компании, такие как Nvidia и Apple, обычно заключают контракты на квартал или полугодие. Более мелкие компании традиционно заключали контракты на основе ежемесячных рыночных цен. Сообщается, что с IV квартала 2025 года, когда цены на DRAM начали резко расти, средние и мелкие компании перешли на квартальные контракты, устанавливающие объёмы поставок, выгодные для Samsung и SK hynix. Аналитики ожидают, что цены на DRAM могут более чем удвоиться в этом году. Например, согласно прогнозу исследовательской компании Gartner, цены на память, включая DRAM и твердотельные накопители, вырастут к концу года на 130 %. По данным исследовательской компании DRAMeXchange, цена чипа DDR4 8 ёмкостью 8 Гбит в марте прошлого года составляла около $1,30, к концу года она подскочила до $9,30, а к февралю этого года — ещё на 40 % до $13. Эксперты рассматривают резкий рост цен на память не как временный дисбаланс спроса и предложения, а как структурную проблему, когда предложение не может угнаться за долгосрочным спросом. Это связано с переходом индустрии ИИ к агентному ИИ, по мере внедрения которого спрос на DRAM, поддерживающую инференс и вычисления, продолжает стремительно расти. Ситуация вряд ли улучшится в ближайшем будущем, поскольку производственные мощности трёх крупнейших производителей памяти DRAM в этом году останутся почти на прежнем уровне — лишь у SK hynix ожидается рост год к году на 7 %. «Поскольку компании внедряют не один, а два или три ИИ для разных целей, спрос на DRAM продолжает расти, — отметил представитель отрасли. — Так как объёмы поставок на следующий год уже распроданы, ожидается, что тенденция к росту цен сохранится». JEDEC опубликовала спецификации флеш-памяти UFS 5.0 — до 10,8 Гбайт/с для самых быстрых смартфонов
28.02.2026 [18:40],
Николай Хижняк
Организация JEDEC, отвечающая за определение спецификаций стандартных типов памяти, опубликовала спецификации флеш-памяти UFS 5.0. Новый стандарт обеспечивает пропускную способность до 10,8 Гбайт/с при последовательном чтении и записи. Это почти в два раза больше, чем обычно указываемые для устройств класса UFS 4.0 показатели в 5,8 Гбайт/с, а также превышает заявленный предел однонаправленной пропускной способности в 8,0 Гбайт/с для интерфейса PCIe 4.0 x4. 
Источник изображений: VideoCardz Увеличение скорости связано с обновлением физического интерфейса. Ранее в своём заявлении компания Kioxia отмечала использование в новой памяти интерфейса MIPI M-PHY v6.0 с режимом HS-GEAR6 (до 46,6 Гбит/с на линию). Благодаря этому двухполосная конфигурация достигает эффективной производительности около 10,8 Гбайт/с. Особенности UFS 5.0 также включают улучшенную целостность сигнала, повышенную стабильность питания и новые функции защиты данных.  Даже с учётом заявленной пропускной способности сравнение с NVMe требует контекста. Максимальная скорость передачи данных по интерфейсу PCIe 4.0 x4 составляет 8 Гбайт/с в одном направлении, однако реальная производительность SSD зависит от контроллера, глубины очереди, температурного режима, прошивки и характера рабочей нагрузки. В свою очередь компоненты UFS по-прежнему оптимизированы для встраиваемых систем с учётом ограничений по энергопотреблению и занимаемому пространству. Накопители PCIe 5.0 по-прежнему лидируют по пиковой пропускной способности, достигая 16 Гбайт/с в одном направлении по каналу PCIe 5.0 x4. Для появления потребительских устройств на базе UFS 5.0 потребуется время. Что касается поставок, Kioxia заявила, что уже предоставляет клиентам тестовые чипы UFS 5.0 объёмом 512 Гбайт и 1 Тбайт в корпусе размером 7,5 × 13 мм, предназначенные для мобильных устройств следующего поколения. Samsung подтвердила — в подорожании смартфонов Galaxy S26 виновата память
27.02.2026 [12:21],
Владимир Мироненко
Анонсированные на этой неделе смартфоны Galaxy S26 и S26+ стоят в среднем на $100 дороже своих предшественников. Один лишь дефицит памяти внёс «значительный вклад» в формирование цены, сообщил ресурсу The Verge Вон-Джун Чой (Won-Joon Choi), операционный директор мобильного подразделения Samsung, добавив, что на повышении стоимости также сказался рост пошлин.  Galaxy S26 получил вдвое больший объём встроенной памяти по более высокой цене — 256 Гбайт вместо 128 Гбайт у предшественника. При этом его стоимость составляет $899, что на $40 дороже, чем Galaxy S25 с 256 Гбайт памяти на момент выхода. И хотя ввозные пошлины тоже могли внести вклад в подорожание, Samsung повысила цену модели и в других регионах, а не только в США. Вместе с тем более дорогая модель Galaxy S26 Ultra получила ряд улучшений по сравнению с предшественником, включая встроенный экран для защиты конфиденциальности и увеличенную систему охлаждения с испарительной камерой. Поставщик чипов для смартфонов Samsung, компания Qualcomm, в феврале предупредила в отчёте о квартальных результатах о значительном падении бизнеса по производству процессоров для мобильных телефонов, который, по её словам, сократился «на 100 %» из-за дефицита памяти. Также Qualcomm сообщила инвесторам, что в этом году спрос на компоненты со стороны ИИ-индустрии, по всей видимости, будет напрямую определять масштабы всей отрасли производства смартфонов. Подтверждая это заявление, IDC прогнозирует в 2026 году самое большое падение глобальных поставок смартфонов за всю историю — на 12,9 %. «Мы наблюдаем не временное сокращение, а цунамиобразный шок, начинающийся в цепочке поставок памяти и распространяющийся волновым эффектом по всей индустрии потребительской электроники», — отметили в IDC. SK hynix и SanDisk запустили стандартизацию High Bandwidth Flash — новой памяти между HBM и SSD
26.02.2026 [17:24],
Николай Хижняк
Компании SK hynix и SanDisk сообщили о запуске в рамках программы Open Compute Project проекта по глобальной стандартизации высокоскоростной флеш-памяти High Bandwidth Flash (HBF). 
Источник изображений: SanDisk Компании описывают HBF как новый уровень памяти, располагающийся между сверхбыстрой памятью HBM и SSD. Технология HBF может заполнить пробел между высокой скоростью HBM и большой ёмкостью SSD, обеспечивая как расширение ёмкости, так и энергоэффективность, необходимые для выполнения задач искусственного интеллекта. В то время как HBM обеспечивает высокую пропускную способность, HBF выступает вспомогательным уровнем в архитектуре. SanDisk опубликовала информацию о том, как, по её мнению, будет выглядеть этот уровень HBF в составе аппаратного стека. Компания позиционирует HBF как память на основе NAND и утверждает, что она может обеспечить в 8–16 раз большую ёмкость, чем HBM, при аналогичной пропускной способности и сопоставимой стоимости в предполагаемой системной конфигурации.  Для аппаратных решений первого поколения HBF SanDisk заявляет пропускную способность чтения до 1,6 Тбайт/с, 256 Гбит/с на кристалл и до 512 Гбайт общей ёмкости в рамках 16-кристального стека. Компания также утверждает, что стек разработан таким образом, чтобы максимально соответствовать HBM4 по физическим размерам, энергопотреблению и высоте, что подразумевает модель интеграции, аналогичную современным стекам HBM на ускорителях ИИ.  SanDisk заявляет, что HBF обеспечивает производительность, отличающуюся всего на 2,2 % от «HBM с неограниченной ёмкостью» в ходе внутренних тестов и моделирования с использованием модели рабочей нагрузки для вывода данных, основанной на предварительно обученной 8-битной конфигурации параметров Llama 3.1 405B. В сноске к презентации отмечается, что сравнение предполагает неограниченную ёмкость HBM в целях моделирования, поэтому оно не измеряет преимущество в ёмкости напрямую. На фундаментальном технологическом уровне SanDisk связывает HBF со своей дорожной картой чипов BiCS NAND и технологией CBA (CMOS Direct Bonded to Array), а также с запатентованной технологией 3D-стекирования, предназначенной для 16-кристальных стеков с уменьшенной деформацией и лучшей теплопроводностью. В информационном листке также подчёркивается энергонезависимый характер HBF — она не требует питания для обновления данных, в отличие от памяти на основе DRAM.  В дорожной карте SanDisk также указаны предварительные целевые показатели пропускной способности чтения HBF второго (Gen2) и третьего (Gen3) поколений — свыше 2 Тбайт/с и 3,2 Тбайт/с соответственно — с ёмкостью стека до 1 Тбайт и 1,5 Тбайт, а также более низкие целевые показатели энергопотребления по сравнению с Gen1 — 0,8× и 0,64×. SK hynix и SanDisk не сообщили о графике внедрения HBF, но уже обозначили стандартизацию как следующий шаг в рамках программы Open Compute Project. |
|
✴ Входит в перечень общественных объединений и религиозных организаций, в отношении которых судом принято вступившее в законную силу решение о ликвидации или запрете деятельности по основаниям, предусмотренным Федеральным законом от 25.07.2002 № 114-ФЗ «О противодействии экстремистской деятельности»; |
© 1997—2026 Электронное периодическое издание "3ДНьюс" | Свидетельство о регистрации СМИ Эл ФС 77-22224
выдано Федеральной Службой по надзору за соблюдением законодательства в сфере массовых коммуникаций и охране культурного наследия
При цитировании документа ссылка на сайт с указанием автора обязательна. Полное заимствование документа является
нарушением
российского и международного законодательства и возможно только с согласия редакции 3DNews.
MWC 2018
2018
Computex
IFA 2018
