Сегодня 01 августа 2026
18+
MWC 2018 2018 Computex IFA 2018
реклама
Теги → память
Быстрый переход

Apple устала от дефицита памяти — Тим Кук заговорил о поиске новых поставщиков, намекая на китайцев

Разговоры о заинтересованности Apple в закупке памяти китайских поставщиков CXMT и YMTC ходят уже на протяжении целого месяца, но только квартальное отчётное мероприятие дало возможность руководству американской компании высказаться на эту тему. По словам генерального директора Тима Кука (Tim Cook), рассмотреть кандидатуры за пределами тройки крупнейших поставщиков памяти компания действительно готова.

 Источник изображения: Apple

Источник изображения: Apple

В первом квартале текущего года, как напомнил Кук, Apple потратила на закупку памяти больше средств, чем в четвёртой четверти прошлого. Во втором квартале компания, как и ожидалось, потратила больше денег на эти нужды, чем в первом. В текущем квартале расходы на закупку памяти будут ещё выше, как добавил Кук, но в чём-то удалось и сэкономить. Прежде всего, это произошло благодаря переходящим запасам с прошлых отчётных периодов, которые были закуплены по более низким ценам. В последующих периодах данный эффект будет снижаться, как пояснил Кук.

Во-вторых, Apple удалось снизить затраты на прочие компоненты, которые влияют на себестоимость устройств этой марки. Это отчасти позволило компенсировать рост цен на память. В четвёртом календарном квартале и более поздние периоды, как ожидает глава компании, цены на память продолжат расти.

На рынке оперативной памяти, как пояснил Кук, основные объёмы поставок контролируются тремя поставщиками (Samsung, SK hynix и Micron). «Очевидно, если бы было больше поставщиков, это было бы хорошо, и помогло бы нам с точки зрения поставок и, возможно, с ценами. Сложно сказать именно про цены, но с поставками бы действительно помогло. Мы рассматриваем все возможности», — признался Тим Кук.

WhatsApp тестирует инструмент для простой очистки памяти каналов

Команда разработчиков WhatsApp запустила тестирование нового инструмента для очистки истории каналов, который обеспечивает пользователям Android-гаджетов возможность освобождения места в памяти устройства без необходимости просматривать все файлы по одному, пишет Digital Trends.

 Источник изображения: Dima Solomin/unsplash.com

Источник изображения: Dima Solomin/unsplash.com

Ранее пользователи могли удалять медиафайлы каналов из настроек хранилища WhatsApp, но при этом каждый файл нужно было просматривать и выбирать вручную. Новый инструмент позволяет упростить этот процесс благодаря двум специальным способам управления загруженными медиафайлами каналов.

Первый обеспечивает возможность управления медиа со страницы информации о канале, где пользователи могут просмотреть все файлы, хранящиеся на устройстве конкретного канала, и отфильтровать их по категориям перед удалением.

 Источник изображения: WABetaInfo/Digital Trends

Источник изображения: WABetaInfo/Digital Trends

Более того, обеспечивается возможность оставить избранные публикации в памяти телефона, пока всё остальное удаляется, снижая риск случайного удаления ценной для пользователя информации.

Разработчики WhatsApp также добавили второй ярлык, который может оказаться полезным для подписанных на множество каналов. На вкладке «Обновления» пользователи смогут указывать один или несколько каналов и выбрать новую опцию «Очистить медиафайлы» из меню. Это позволит удалить медиафайлы сразу из нескольких каналов.

Компания пока не сообщила, когда инструмент очистки памяти появится в стабильной версии приложения. В настоящий момент функция доступна для ограниченного числа тестировщиков, использующих последнюю бета-версию WhatsApp из Google Play Store.

ИИ-бум начал выдыхаться? Kioxia разочаровала прогнозом и встревожила инвесторов

Японская Kioxia опубликовала разочаровывающий прогноз по прибыли после того, как квартальные результаты не оправдали ожиданий. Это может свидетельствовать о том, что спровоцированный бумом искусственного интеллекта беспрецедентный рост цен на флеш-память замедляется, пишет Bloomberg.

 Источник изображения: kioxia.com

Источник изображения: kioxia.com

Японский производитель чипов памяти спрогнозировал операционную прибыль в размере 3,16 трлн иен ($19,9 млрд) за первую половину финансового года, что соответствует прогнозу в 1,89 трлн иен ($11,9 млрд) за текущий квартал. Операционная прибыль за II квартал составила 1,27 трлн иен ($7,9 млрд), не оправдав ожиданий аналитиков. Компания также объявила о дроблении акций в соотношении 3:1 и выкупе ценных бумаг на сумму до 800 млрд иен ($5 млрд) — эти меры призваны расширить базу акционеров и сократить волатильность.

Инвесторы возлагали на Kioxia большие надежды как на одного из главных бенефициаров развития центров обработки данных для ИИ. Однако неутешительный прогноз усилил опасения аналитиков, что темпы инвестиций крупнейших мировых операторов ЦОД не сохранятся из-за растущей конкуренции и высокого уровня задолженности. Kioxia действует осторожно: она планирует наращивать мощности лишь немногим быстрее темпов роста отрасли, чтобы избежать перенасыщения рынка. Но это грозит потерей доли рынка в пользу более крупных и богатых конкурентов: в следующем году Samsung и SK hynix представят чипы NAND нового поколения, и задача Kioxia — догнать корейских конкурентов по объёмам производства.

Акции Kioxia пережили резкие колебания. В какой-то момент она стала самой дорогой компанией Японии, обогнав Toyota и SoftBank; затем резкое падение за месяц свело на нет две трети этого роста — инвесторов озадачили вопросы о хрупкости вложений в ИИ и о перспективах Kioxia. Сейчас компания решила выкупить собственные акции на небывалую для себя сумму, но нет гарантий, что это поможет компенсировать неудовлетворительные результаты по прибыли, говорят инвесторы. Компании приходится прилагать усилия, чтобы привлечь американских гиперскейлеров, у которых налажены прочные связи с корейскими поставщиками. Сейчас эти операторы ЦОД стремятся заключать многолетние контракты на поставку, что даёт их партнёрам высокую прозрачность в отношении спроса.

Kioxia начала тестовые поставки 230-слойной флеш-памяти BiCS 9-го поколения со скоростью до 4,8 Гбит/с

Компания Kioxia объявила о начале поставок заинтересованным клиентам образцов памяти Triple-Level Cell (TLC) ёмкостью 1 Тбит (терабит), изготовленной с использованием технологии флеш-памяти BiCS FLASH 3D девятого поколения.

 Источник изображения: Kioxia

Источник изображения: Kioxia

Данные чипы предназначены для использования в составе твердотельных накопителей для ПК и ноутбуков, а также смартфонов с поддержкой искусственного интеллекта, оснащённых накопителями малого и среднего объёма, где требуется высокая производительность.

При производстве чипов памяти Kioxia использует технологии CMOS Direct Bonded to Array (CBA) и On-Pitch Select Gate Drain (OPS), одновременно развивая две отдельные линейки продуктов: память NAND девятого поколения, обеспечивающую высокую производительность при относительно низких инвестиционных затратах, и NAND десятого поколения, использующую передовые технологии многослойной компоновки для достижения высокой ёмкости и очень высокой производительности.

Чипы памяти BiCS FLASH 3D TLC девятого поколения обладают 230 слоями и сочетают технологии BiCS FLASH восьмого поколения с передовой технологией CMOS, что позволяет им обеспечивать скорость интерфейса NAND на уровне 4,8 Гбит/с. Это на 33 % выше, чем у памяти NAND восьмого поколения, и соответствует производительности чипов памяти NAND десятого поколения.

Samsung: дефицит памяти сохранится не только в следующем, но и в 2028 году

Дефицит чипов памяти будет усугубляться и продлится до 2028 года, заявила Samsung Electronics в ходе квартального финансового отчёта. Это подтвердило опасения инвесторов, что лихорадочные инвестиции крупных технологических компаний в искусственный интеллект могут замедлить и ограничить рост.

 Источник изображения: Rubaitul Azad / unsplash.com

Источник изображения: Rubaitul Azad / unsplash.com

Акции крупнейшего в мире производителя чипов памяти подскочили на 8 %, а затем снизились на 1,1 %. «Ожидается, что дефицит поставок в 2027 году усугубится по сравнению с текущим годом и сохранится в 2028 году», — заявил исполнительный вице-президент подразделения по производству памяти Samsung Чжэ Джун Ким (Jaejune Kim). Компания подписала долгосрочные соглашения о поставках с пятью крупнейшими мировыми компаниями в области центров обработки данных и подошла к заключению соглашения с пятью другими крупными компаниями, не раскрывая их названий. Долгосрочные соглашения будут действовать не менее пяти лет и сформируют от 60 % до 70 % от общей мощности компании в долгосрочной перспективе; они предусматривают авансовые платежи и минимальные цены, что поможет хеджировать риски капитальных инвестиций.

Оптимистический прогноз Samsung последовал за резким падением акций производителей чипов в последние месяцы — негативную динамику спровоцировали опасения инвесторов по поводу конкуренции и финансирования развития инфраструктуры искусственного интеллекта. Подразделение Samsung по производству полупроводников сообщило об операционной прибыли в размере 89,2 трлн вон ($61,7 млрд), что более чем в 250 раз превышает показатель прошлого года. Однако резкий рост цен на чипы памяти оказал отрицательное влияние на мобильное подразделение компании — оно сообщило об убытке в 700 млрд вон, и для него это первый убыточный квартал. Бизнес Samsung по производству полупроводников, в котором компания конкурирует с TSMC и Intel, как ожидается, «в ближайшем будущем» улучшится за счёт роста коэффициента загрузки заводов и роста цен на чипы. В этом году компания намерена запустить свой завод в техасском Тейлоре и начать строительство второго, который запустит массовое производство в 2030 году.

ИИ оставил ПК без памяти: производители готовятся к усугублению дефицита в 2027 году

Стремительный рост ИИ-индустрии вызвал значительное увеличение цен на оперативную память и твердотельные накопители, которые, продолжат свой рост и в следующем году. Однако, как сообщает ресурс PC Gamer, производители ещё больше обеспокоены обеспечением поставок памяти в целом.

 Источник изображения: Apacer

Источник изображения: Apacer

Генеральный директор Apacer Си Кей Чанг (C.K. Chang) недавно сообщил, что дефицит памяти, как ожидается, сохранится на протяжении всего 2026 года. Он добавил, что обеспечение поставок сейчас представляет собой больший операционный риск для Apacer, чем высокие затраты, поскольку он ожидает, что в 2027 году производители памяти выпустят около 30 % объёма поставок текущего года.

Чанг уточнил, что ограниченное предложение в следующем году не будет связано с фундаментальным изменением структуры рынка. Тем не менее в рамках подготовки к такому негативному сценарию событий, Apacer попытается обеспечить максимально возможный запас продукции. К концу первого полугодия 2026 года у компании были накоплены запасы памяти на сумму около $383 млн.

Многие производители потребительской электроники стремятся подстраховаться от дефицита полупроводников, заключая многолетние контракты. В этой ситуации прогноз гендиректора Phison о том, что многие производители потребительской электроники «обанкротятся или прекратят выпуск своей продукции» к концу этого года, видится всё более реальным.

По данным DigiTimes, около 60 % всех мощностей по производству DRAM сейчас ориентированы на серверные приложения, то есть ЦОД. Чанг сообщил, что на модули DDR5 RDIMM для серверов, в частности, был отмечен наиболее значительный рост цен и, по всей видимости, этот процесс получит продолжение.

Apple и Micron заставляют администрацию Трампа выбирать: дешёвые iPhone или американские чипы

Противостояние двух американских компаний — Apple и Micron Technology — ставит президента США перед непростым выбором. В то время Apple намерена снизить растущие затраты за счёт использования китайских микросхем памяти, Micron, единственный крупный американский производитель памяти, выступает против этого шага, пишет The Wall Street Journal.

 Источник изображения: Micron

Источник изображения: Micron

По данным источников WSJ, в последние недели Apple предлагала Дональду Трампу (Donald Trump) и правительству одобрить план по использованию в своей продукции, реализуемой за пределами США, микросхем памяти китайских компаний ChangXin Memory Technologies (CXMT) и Yangtze Memory Technologies (YMTC), чтобы сократить дефицит памяти и в конечном итоге снизить стоимость продукции для американских покупателей. В свою очередь, руководство Micron предупредило, что выдача разрешения китайским компаниям поставлять свою продукцию американским независимо от региона продажи, может разрушить отечественную промышленность так же, как это произошло с американскими сталелитейными и производственными предприятиями по вине всё того же Китая.

Трампу придётся выбирать между двумя своими главными экономическими приоритетами: поддержать стремление Apple к снижению цен для американских потребителей или выступить за увеличение внутреннего производства полупроводников для снижения зависимости от других стран.

На фоне продолжающихся переговоров с Пекином Трамп избегает жёстких мер в отношении китайских компаний. При этом он оценил инвестиции Apple и Micron в США.

Micron заявила, что сможет решить проблему нехватки памяти, увеличивая инвестиции в наращивание отечественных производственных мощностей. По её словам, увеличение стоимости потребительской техники вызвано не только ростом цен на память. В свою очередь, Apple обвинила Micron в завышении цен и недостаточных инвестициях в увеличение производства.

Anthropic запросила у SK hynix чипы памяти для собственных ИИ-ускорителей

Разработчик систем искусственного интеллекта Anthropic официально направил SK hynix запрос на поставку чипов памяти для собственных ускорителей. Это подтверждает, что лаборатория всерьёз занялась созданием чипов для своих нужд.

 Источник изображения: anthropic.com

Источник изображения: anthropic.com

Об этом сообщил председатель совета директоров SK Group Чей Тэ Вон (Chey Tae-won), выступая вместе с главой Anthropic Дарио Амодеи (Dario Amodei) на мероприятии, посвящённом ИИ. «Для разрабатывающей ИИ компании стремление к самостоятельной разработке чипов имеет чрезвычайное значение», — отметил господин Чей. Прямой контакт Anthropic с поставщиками полупроводниковых компонентов свидетельствует, что её план по созданию собственных микросхем значительно продвинулся от стадии проектирования к реализации.

Anthropic объявила о стратегии по обеспечению вычислительной самодостаточности в ноябре 2025 года. В проект будут вложены $50 млрд, а партнёром выступает Fluidstack — он займётся строительством центров обработки данных для ИИ в Техасе и Нью-Йорке. В апреле стало известно, что планы Anthropic охватывают разработку специализированных интегральных схем (ASIC) и графических процессоров — стартап стремится снизить зависимость от сторонних поставщиков чипов. Собственные ускорители уже есть у Google и Amazon, скоро они появятся и у Meta✴. Разработчики моделей ИИ трансформируются из поставщиков ПО и сервисов в предприятия полного цикла с собственным оборудованием.

В последние годы фокус SK Group смещается в сторону инфраструктуры ИИ, а также исследований и разработки в области полупроводников. Её дочерняя компания SK hynix является мировым лидером в области высокоскоростной памяти (HBM), критически важной для обучения ИИ. SK hynix также выступает инвестором Anthropic наряду с двумя другими крупнейшими производителями чипов памяти — Samsung и Micron.

SK hynix ускоряет разработку 3D-стекированной DRAM — технологии, аналогичной 3D V-Cache, но для памяти

SK hynix активизировала разработку DRAM с 3D-компоновкой поверх логического кристалла (3D-Stacked DRAM-on-Logic), предназначенной для работы на оборудовании нового поколения для систем искусственного интеллекта, в том числе мобильных. Компания начала набор специализирующихся на этой технологии инженеров через свой американский филиал в Сан-Хосе. SK hynix уже заключила соглашение с конкретным клиентом на разработку решений на основе этой технологии, передаёт ZDNet.

 Источник изображения: skhynix.com

Источник изображения: skhynix.com

SK hynix впервые начала нанимать специалистов по DRAM с 3D-компоновкой — она будет использоваться на ИИ-оборудовании нового поколения; этот шаг рассматривается как начало подготовки к выводу решения на рынок. В объявлении о вакансии уточняется, что работа будет вестись в тесном сотрудничестве с американским заказчиком в целях совместного создания кристаллов 3D-Stacked DRAM-on-Logic, то есть с вертикальной интеграцией DRAM непосредственно поверх системы на кристалле. В отличие от компоновки упакованных чипов (Package-on-Package — PoP) этот метод предполагает более короткие межсоединения и большее число каналов ввода-вывода на той же площади. Снижается задержка передачи данных, повышаются энергоэффективность и эффективнее используется пространство.

Технология разрабатывается для систем ИИ — они требуют высокой пропускной способности памяти и низкого потребления энергии, и возможностей традиционных схем PoP уже не хватает. Одним из наиболее перспективных областей применения технологии считаются мобильные процессоры — в этом сегменте часто используются передовые техпроцессы и технологии упаковки. Ведущими разработчиками таких систем являются Apple и Qualcomm.

Информация о работе над проектом соответствует дорожной карте SK hynix, которую корейская компания представила на технологическом симпозиуме TSMC в этом году. Президент и директор по развитию SK hynix Хён Ан (Hyun Ahn) заявил, что развитию ИИ-оборудования мешают несовершенства технологий памяти — требуются новые архитектуры, выход за рамки постепенных улучшений. Корейская компания, заявил он, совместно с TSMC намеревается применить передовые логические процессы к базовым кристаллам HBM4, расширить решение на высокоскоростную флеш-память (HBF), а также на схему 3D-компоновки DRAM поверх логического кристалла: дальнейшая интеграция памяти с логикой будет способствовать росту производительности и энергоэффективности.

Samsung параллельно тоже ведёт исследования в области 3D DRAM нового поколения. Недавно компания опубликовала совместную статью с imec, KU Leuven и Lam Research — материал посвящён архитектуре монолитной 3D DRAM с использованием каналов на оксидах полупроводников. Исследование пока остаётся на стадии моделирования, о планах выводить технологию на рынок пока не сообщается.

Gigabyte тоже наделила свои материнские платы поддержкой китайской памяти CXMT DDR5

Компания Gigabyte вслед за MSI подтвердила поддержку модулей ОЗУ DDR5 на базе чипов памяти китайской компании CXMT её материнскими платами AMD 800-й и 600-й серий, а также Intel 800-й и 700-й серий.

 Источник изображений: Gigabyte

Источник изображений: Gigabyte

По словам компании, модули ОЗУ DDR5 на базе 16- и 24-гигабитных чипов памяти китайской компании CXMT проверены на стабильную работу со скоростью до 8200 МТ/с.

Gigabyte отмечает, что для материнских плат AMD AM5 800-й и 600-й серий требуется обновление BIOS, новые версии которого уже доступны на официальном сайте компании. В свою очередь, платы Intel 800-й и 700-й серий уже поддерживают память CXMT без необходимости дополнительного обновления прошивки.

Gigabyte добавляет, что в последние месяцы рынок памяти DDR5 столкнулся с дефицитом предложения и ростом цен. ОЗУ на базе чипов CXMT предлагает потребителям долгожданный дополнительный источник поставок, обеспечивая большую гибкость при выборе подходящего комплекта памяти для своих систем.

Китайцы создали идеальную память: для хранения бита ей нужен всего один электрон

Учёные Фуданьского университета (Fudan University) в Шанхае создали экспериментальную энергонезависимую память, в которой для хранения одного бита достаточно единственного электрона — минимально возможного носителя электрического заряда. Для коммерциализации этой разработки будет создана компания, которая намерена вывести продукт на рынок в течение трёх–пяти лет.

 Источник изображения: Fudan University

Источник изображения: Fudan University

Разработка получила название Guiyi («Гуйи»), что означает буддийское понятие «Единства» — необъятного множества в чём-то предельно малом. Публикация по проекту вышла 16 июля в журнале Science. Предложенная учёными память несоизмеримо плотнее современных вариантов флеш-памяти. Сегодня каждый бит данных сохраняется в заряде, формируемом из сотен тысяч электронов.

Главной помехой на пути к одноэлектронной памяти оставалась так называемая паразитная краевая ёмкость. Электромагнитное поле между двумя электродами не может быть идеальным и всегда ведёт к накоплению паразитного заряда, в шумах которого легко теряется заряд от одного электрона. Чтобы подавить паразитные явления учёные использовали атомарно тонкие двумерные материалы и разработали самовыравнивающуюся планарную архитектуру, в которой сток, канал и исток размещены в одной плоскости. Такая «объединённая» архитектура подавила краевые ёмкостные эффекты, а слой графена послужил барьером, не дающим захваченному электрону покинуть область хранения.

Добавление или удаление всего одного электрона в ячейке памяти изменяло пороговое напряжение транзистора сразу на 0,5 В, благодаря чему два состояния ячейки можно было уверенно различать обычными средствами современной электроники. Это почти на порядок больше, чем в известном эксперименте 1997 года, где одноэлектронный сигнал составлял около 55 мВ и сохранялся менее пяти секунд. При этом новая ячейка удерживала состояние без питания при комнатной температуре. Авторы также обнаружили дискретные зависимости от напряжения программирования и пообещали разработать вариант многоуровневой записи с использованием одного электрона.

Одноэлектронная запись обещает резко увеличить плотность энергонезависимой памяти и уменьшить энергию, расходуемую на переключение ячеек. Разработчики связывают технологию с будущими вычислительными системами, в которых крупные модели искусственного интеллекта смогут хранить больше данных рядом с вычислительными блоками, сокращая энергозатратную пересылку данных.

В настоящий момент продемонстрировано только отдельное лабораторное устройство. Для создания полноценного массива памяти ещё предстоит подтвердить ресурс перезаписи, скорость, процент выхода годных ячеек и стабильность параметров при массовом производстве. Для коммерческого продвижения разработки осенью этого года будет создана отдельная компания, которая будет намереваться вывести новый продукт на рынок в течение трёх–пяти лет.

Илон Маск признался, что Micron выделила Tesla существенные объёмы микросхем памяти

Амбиции возглавляющего SpaceX и Tesla Илона Маска (Elon Musk) начинают всё сильнее смещаться в сторону развития технологий искусственного интеллекта, поэтому дефицит памяти актуален и для этих компаний. На вчерашней квартальной отчётной конференции Tesla миллиардер признался, что этому автопроизводителю удалось получить крупную партию памяти производства Micron на довольно разумных условиях.

 Источник изображения: Micron Technology

Источник изображения: Micron Technology

Как отмечает Bloomberg, глава Tesla обмолвился о «существенной квоте» на поставку микросхем памяти Micron для нужд первой из компаний. Ассортимент поставляемой Micron для Tesla памяти не уточняется, но он предсказуемо может охватывать как компоненты для бортовых систем электромобилей этой марки, так и человекоподобных роботов, равно как и серверную инфраструктуру. Последнюю Tesla исторически развивала для фирменных нейронных сетей, которые отвечают за автопилот и другие системы активной помощи водителю. На этой неделе Маск также подчеркнул, что деятельность Tesla и SpaceX всё больше пересекается, и компании совместными силами будут выпускать в США передовые чипы на строящемся предприятии Terafab. Именно SpaceXAI отвечает за разработку ИИ-модели для человекоподобных роботов Optimus, как пояснил Маск накануне.

Учитывая, что миллиардер довольно свободно перераспределяет ресурсы между возглавляемыми ими компаниями, предназначенная для Tesla память Micron вполне может достаться той же SpaceX или вошедшей в её состав xAI. Особые условия поставок памяти Micron для компаний Илона Маска были получены с учётом его личного влияния в американском бизнесе и политической сфере, как можно предположить, поскольку чисто технически ни Tesla, ни SpaceX не входят в число десяти крупнейших клиентов этого производителя памяти.

TrendForce предсказала конец дефицита флеш-памяти во второй половине 2027 года

Аналитики TrendForce прогнозируют восстановление цепочек поставок флеш-памяти в 2027 году, что сделает её единственным сегментом рынка памяти, которая стабилизируется в краткосрочной перспективе.

 Источник изображения: SK hynix

Источник изображения: SK hynix

Хотя спрос на флеш-память NAND и все решения для хранения данных на базе SSD, как ожидается, останутся дефицитными до конца 2026 года, TrendForce считает, что ситуация нормализуется в 2027 году. Согласно оценке экспертов, дефицит предложения в первой половине будущего года составит около 4–6 % по сравнению с уровнем спроса до конца текущего года. Однако ожидается, что во второй половине будущего года на рынке будет восстановлен баланс спроса и предложения в цепочке поставок, а через год с текущего момента дефицит на чипы флеш-памяти NAND будет полностью побеждён.

Достижение баланса спроса предложения обусловлено несколькими факторами. Во-первых, крайне важно увеличение производственных мощностей поставщиков памяти NAND Flash, таких как SK hynix, Micron, Samsung, YMTC и другие. Увеличение количества производимых ежемесячно кремниевых пластин, наряду с модернизацией технологических процессов, значительно повысит предложение, стабилизировав ситуацию на этом рынке после длительного периода неопределённости. Вторым фактором является постоянно слабый спрос со стороны потребителей, поскольку цены на потребительскую электронику так сильно выросли из-за дефицита DRAM и NAND Flash, что многие потребители предпочитают не покупать новое оборудование, избегая высоких наценок по сравнению с прошлым годом. В корпоративном секторе спрос на серверы будет продолжать расти, потребляя большую часть предложения NAND Flash. На серверы приходится около 40 % потребления чипов флеш-памяти, а на смартфоны и ноутбуки вместе взятые — более 40 %.

 Источник изображения: TrendForce

Источник изображения: TrendForce

Производители устройств хранения данных в США, Японии и Южной Корее модернизируют свои заводы умеренными темпами, избегая быстрого расширения. Значительная часть мирового производства NAND Flash будет обеспечиваться Китаем и компанией YMTC. Ожидается, что в этом году Китай увеличит свою глобальную долю производства NAND Flash почти до 19 %. Хотя это кажется значительным в глобальном масштабе, большая часть чипов китайского производства будет удовлетворять только внутренний спрос материкового Китая, и лишь малая часть продукции будет поставляться внешним поставщикам оборудования, например, компании Lenovo, чьи ноутбуки поставляются в Европу.

Автомобили становятся новыми «пожирателями» памяти — в них уже встречается до 100 Гбайт DRAM и до 1,5 Тбайт SSD

Пандемия ударила по автомобильному производству неожиданным образом, когда поставщикам транспортных средств перестало хватать простейших полупроводниковых чипов. Сейчас все мощности полупроводниковой отрасли работают на сферу ИИ, интересы рынков ПК и смартфонов обслуживаются в последнюю очередь, а тем же автомобилям в современных условиях требуется довольно много памяти.

 Источник изображения: BYD

Источник изображения: BYD

По данным TechNews, оборудование автопилота Tesla четвёртого поколения подразумевало использование 32 Гбайт памяти GDDR6/LPDDR, но выходящая в этом году версия 4+ уже удваивает этот объём до 64 Гбайт. Популярная среди автопроизводителей платформа Nvidia Orin также использует 32 или 64 Гбайт оперативной памяти. Казалось бы, это не так много, но только лишь DRAM потребности бортовой электроники автомобилей не ограничиваются.

Если в начальных конфигурациях бортовые системы машины, включая развлекательную и отвечающие за помощь водителю в управлении, требуют до 40 Гбайт оперативной памяти, то в старших конфигурациях её объём может превышать 100 Гбайт. В случае с твердотельной памятью NAND, используемой для долговременного хранения информации, разбег требований ещё больше. Обновления ПО, которые поступают «по воздуху», для своего временного хранения требуют до 10 Гбайт дискового пространства в минимальном случае, а с учётом резерва можно говорить о всех 50 Гбайт.

Для хранения большого количества изображений, используемых в работе систем автопилота, требуется от 100 до 300 Гбайт памяти. Попутно прогрессируют и мультимедийные системы автомобилей, некоторые из них берут на вооружение ИИ-ассистентов, что также поднимает требования к доступному дисковому пространству. Твердотельный накопитель современного автомобиля в этом случае должен обладать объёмом от 500 Гбайт до 1,5 Тбайт, и в будущем требования будут расти практически ежегодно.

Дефицит памяти вырастет к 2030 году до 28,7 Эбайт — рынку будет не хватать четверти DRAM

Согласно прогнозу аналитиков Citrini Research, мировой дефицит чипов памяти сохранится до 2030 года, даже с учётом увеличения поставок микросхем из Китая. Спрос на DRAM по-прежнему будет превышать предложение, и ожидается, что этот дисбаланс окажется весьма значительным.

 Источник изображения: Laura Ockel / unsplash.com

Источник изображения: Laura Ockel / unsplash.com

По оценкам Citrini Research, к 2030 году прогнозируется дефицит памяти в объёме 28,7 эксабайт (Эбайт) при общем мировом спросе в 157,5 Эбайт. Таким образом, рынок недополучит около 25 % необходимого объёма памяти, считают эксперты. Эта цифра включает в себя как высокопроизводительную память HBM, так и традиционную DRAM, однако «основным узким местом остаётся DRAM общего назначения», говорится в отчёте. Согласно тем же оценкам, текущий уровень дефицита составляет около 18 %.

 Источник изображений здесь и ниже: X /  Zephyr

Источник изображений здесь и ниже: X / Zephyr

Примечательно, что оценка на 2030 год не охватывает спрос на память для физического ИИ (например, для роботов и беспилотных автомобилей). «Даже если мои оценки спроса со стороны дата-центров и сферы ИИ завышены (а это не так), они будут компенсированы спросом со стороны физического ИИ», — сообщил автор исследования из Citrini Research на своей странице в соцсети X.

Согласно текущим оценкам, в этом году глобальная производственная мощность DRAM составит 40 Эбайт. Это ненамного больше прогнозируемого объёма дефицита в 2030 году. «Я ожидаю дефицит на уровне 25 % на общем рынке DRAM. Отрасль сможет предложить только 91 Эбайт в год при спросе 120 Эбайт в год. Средняя цена продажи DRAM останется завышенной и, вероятно, будет держаться в диапазоне от 1,5 до 2,0 долларов за 1 Гбайт», — говорит автор исследования.

Как пишет портал PC Gamer, не исключено, что за это время на рынке могут появиться инновационные решения, связанные с повышением эффективности ИИ, которые помогут улучшить ситуацию и снизить спрос на память. Например, недавно разработанный Google алгоритм TurboQuant обещает шестикратное снижение потребления памяти ИИ-моделями. Правда, вопрос о том, действительно ли такие разработки снижают спрос или просто открывают возможности для ещё более широкого использования ИИ, также остаётся открытым.


window-new
Soft
Hard
Тренды 🔥
Tencent потратила шесть лет и сотни миллионов долларов на создание конкурента GTA VI, но потерпела неудачу — что случилось с Last Sentinel 41 мин.
Издатель апокалиптического вестерна Guns of Eschaton показал последнее предсмертное интервью арт-директора Half-Life 2 Виктора Антонова 5 ч.
Вредоносное ПО научилось использовать ИИ прямо во время атаки — ESET предупредила о новых угрозах 5 ч.
«Худшее, что можно было сделать с игрой»: создатели Stellar Blade: Blood Rain возмутили фанатов сгенерированным ИИ музыкальным клипом с главной героиней 6 ч.
Многие игры на физических носителях не защищены от цифрового будущего — половина дисков для Xbox Series X не будет полноценно работать без интернета 7 ч.
Тим Кук намекнул на платную подписку Apple для активных пользователей ИИ 8 ч.
Китайская MiniMax выпустила генератор видео H3 8 ч.
ИИ упростил разработку приложений Meta — их станет больше 9 ч.
WhatsApp тестирует инструмент для простой очистки памяти каналов 9 ч.
Объём российского рынка IaaS к 2030 году более чем удвоится и достигнет 241 млрд рублей 10 ч.
Слухи о неуёмной прожорливости чёрных дыр оказались слишком преувеличенными 2 ч.
Sony продала в прошлом квартале на 36 % меньше игровых консолей PlayStation 5, чем годом ранее 2 ч.
Asus и XFX выпустили свои варианты Radeon RX 9050 — Asus разогнала свою до 2,77 ГГц 2 ч.
Новейшие китайские электромобили способны зарядиться на 70 % менее чем за пять минут 2 ч.
С 2023 года техногиганты потратили на инфраструктуру более $1 трлн 2 ч.
Квартальная выручка Sony выросла почти на треть — помогли сенсоры для камер и фильм про Майкла Джексона 5 ч.
Microsoft за год запустила 88 дата-центров и снижать инвестици в инфраструктуру не намерена. 5 ч.
Seatrium намерена построить 30-МВт прибрежный ЦОД, свои проекты продвигают Atomarine и Mocean Energy 6 ч.
MediaTek выделит $5 млрд на разработку серверных процессоров и другие долгосрочные цели 6 ч.
Рекордный рост: капитализация Microsoft за день взлетела почти на $450 млрд 6 ч.