Сегодня 19 марта 2024
18+
MWC 2018 2018 Computex IFA 2018
реклама
Теги → память
Быстрый переход

WD создала SSD на памяти QLC, которые оказались быстрее SSD на базе TLC

Western Digital представила твердотельные накопители PC SN5000S на базе чипов флеш-памяти QLC, которые демонстрируют более высокую производительность по показателям скорости чтения и записи, чем предшественники на базе заведомо более скоростной памяти TLC.

 Источник изображений: Western Digital

Источник изображений: Western Digital

PC SN5000S — новейшая серия потребительских твердотельных накопителей объёмом до 2 Тбайт, выпускающихся компанией в полноразмерном формате M.2 2280 и компактном формате M.2 2230. Серия пришла на замену накопителям PC SN740, предлагающимся в тех же объёмах и разъёмах.

Модель Western Digital PC SN5000S объёмом 2 Тбайт с памятью QLC по скорости записи до 16,5 %, а по скорости чтения до 15,5 % быстрее по сравнению с моделью SN740 того же объёма, но с памятью TLC. Модель SN740 объёмом 1 Тбайт по-прежнему чуть быстрее по записи, чем SN5000S, но по скорости чтения отстаёт от новинки на 14,3 %. Преимуществом накопителя SN5000S объёмом 2 Тбайт над предшественником также является на 100 TBW (терабайт перезаписанной информации) более высокий запас ресурса работы. Однако ресурс нового SSD объёмом 1 Тбайт на 100 TBW ниже (300 TBW против 400 TBW у SN740 того же объёма). Недостатком новой серии SSD также можно считать чуть более высокий показатель энергопотребления.

 Источник изображения: Tom's Hardware

Источник изображения: Tom's Hardware

Как правило, накопители на базе флеш-памяти NAND QLC отстают от SSD на базе других типов флеш-памяти. Объясняется это тем, что память QLC хранит четыре бита информации в одной ячейке, что сказывается на итоговой производительности не в лучшую сторону. Напомним, что флеш-память SLC хранит один бит информации на ячейку, MLC-память — два бита информации, а TLC — три бита. Чем меньше битов хранится в ячейке, тем она быстрее и долговечнее. Хотя возможность хранения большего количества битов на ячейку увеличивает плотность памяти, необходимость чтения и записи большего количества битов приводит к снижению производительности и в целом повышает износ памяти NAND.

Для улучшения производительности накопителей на базе памяти QLC и других многоразрядных типов памяти NAND существует несколько способов. Пожалуй, самым очевидным является использование кеш-памяти SLC в составе накопителя. Хотя QLC, как уже говорилось выше, хранит четыре бита информации в ячейке, накопителю при наличии кеш-памяти SLC необязательно заполнять все четыре бита информации при записи. SSD будут работать гораздо лучше, если обозначить часть ячеек памяти в качестве псевдо-SLC. Правда, для этого занимаются пустые ячейки, что в конечном итоге сокращает доступный объём самого SSD.

Несмотря на недостатки памяти QLC и других многоразрядных типов флеш-памяти NAND некоторые производители, например, Samsung, заинтересованы в дальнейшем развитии этой технологии. Так как обычным потребителям не всегда нужна лучшая производительность и надёжность, а при выборе SSD предпочтение чаще отдаётся исходя из цены и объёма накопителя, модели SSD на базе памяти QLC обычно являются наиболее экономичным выбором покупателя. В свою очередь, накопители на памяти SLC с низкой плотностью лучше подходят для серверов, где высокая производительность и надёжность оказываются гораздо полезнее.

Crucial выпустит модули памяти SO-DIMM DDR5 объёмом 12 Гбайт для ноутбуков

Компания Crucial выпустит для ноутбуков модули памяти SO-DIMM DDR5 нестандартного объёма — 12 Гбайт. Информация о необычной новинке была обнаружена в базе данных торговой площадки Amazon.

 Источник изображений: Crucial

Источник изображений: Crucial

Изначально модули ОЗУ стандарта DDR5 выпускались в объёмах 8, 16 и 32 Гбайт. Спустя год с момента релиза Intel и AMD добавили для своих актуальных платформ поддержку модулей памяти объёмом 24 и 48 Гбайт. Недавно производители начали выпускать модули ОЗУ большого объёма 64 Гбайт для энтузиастов. Таким образом, в обычной домашней системе теперь можно использовать до 256 Гбайт оперативной памяти. Скоро на рынке появится ещё один вариант — модули памяти на 12 Гбайт. Правда, речь идёт только модулях SO-DIMM для ноутбуков и компактных ПК с поддержкой такого формата ОЗУ.

Первые модули необычного объёма собирается выпустить компания Crucial. Производитель предложит планки памяти объёмом 12 Гбайт с частотой от 4800 и 5200 МГц. Новинки будут продаваться как по одному модулю, так и в составе двухканальных комплектов.

Согласно данным британского подразделения Amazon, одиночный модуль памяти Crucial 12 Гбайт DDR5-5600 (CT12G56C46S5) будет предлагаться за 45 британских фунтов. Комплект на 24 Гбайт из двух 12-Гбайт модулей DDR5-5600 (CT2K12G56C46S5) оценивается в 88 британских фунтов.

По данным Amazon, поставки модулей памяти Crucial объёмом 12 Гбайт начнутся с 31 марта.

Western Digital заявила, что успешно идёт к отделению бизнеса по выпуску флеш-памяти

Условия ведения бизнеса порой меняются так, что компании вынуждены пересматривать ранее принятые решения и менять их на противоположные. Купив в 2016 году за $19 млрд компанию SanDisk, сейчас Western Digital готовится отделить бизнес по выпуску флеш-памяти от бизнеса по выпуску жёстких дисков. Подготовка к завершению реструктуризации идёт полным ходом и завершится разделением компании во второй половине этого года.

 Источник изображения: Western Digital

Источник изображения: Western Digital

Об этом на страницах официального сайта Western Digital сообщил генеральный директор Дэвид Геклер (David Goeckeler). Соответствующее решение было принято в конце октября прошлого года — как считается, в результате провала инициативы Western Digital по покупке активов компании Kioxia, выпускающей твердотельную память. Сейчас, по словам Геклера, его компания успешно разделяет документооборот с клиентами между будущими независимыми компаниями, на которые Western Digital поделится во втором полугодии. Во всех 18 странах присутствия ведётся реформирование организационной структуры и бизнес-процессов. Компания также готовится к подаче необходимых документов государственным регуляторам в регионах присутствия, включая США.

Выбран уже и кандидат на пост генерального директора компании, которая после разделения бизнеса Western Digital продолжит выпускать жёсткие диски. Её возглавит действующий исполнительный вице-президент по глобальным операциям Ирвинг Тан (Irving Tan), занимающий эту должность с февраля 2020 года. Прочие кадровые назначения будут сделаны ближе к моменту завершения реструктуризации компании.

JEDEC принял стандарт памяти GDDR7 для видеокарт следующего поколения — вдвое быстрее GDDR6

Комитет стандартизации полупроводниковой продукции (JEDEC) принял новый стандарт памяти JESD239 Graphics Double Data Rate (GDDR7) SGRAM. Микросхемы памяти GDDR7 обеспечат вдвое большую пропускную способность по сравнению с GDDR6 —до 192 Гбайт/с на чип, что должно удовлетворить спрос на скоростную память не только в игровом сегменте, но и на рынке высокопроизводительных вычислений и ИИ.

 Источник изображения: Samsung

Источник изображения: Samsung

Стандарт JESD239 GDDR7 является первым стандартом JEDEC для памяти DRAM, в котором используется технология интерфейса импульсно-амплитудной модуляции (PAM) для высокочастотных операций. В GDDR7 используется версия PAM3, которая улучшает соотношение сигнал/шум (SNR) для работы на высоких частотах, одновременно повышая энергоэффективность модулей памяти. Благодаря использованию трёх уровней (+1, 0, -1) для передачи трёх битов за два цикла по сравнению с традиционным интерфейсом NRZ (без возврата к нулю), где реализована передача двух битов за два цикла, PAM3 обеспечивает более высокую скорость передачи данных за один цикл, что приводит к улучшению производительности.

Другими особенностями памяти GDDR7 являются:

  • независимые от ядра шаблоны тренировки LFSR (регистр сдвига с линейной обратной связью) и счетчики ошибок для повышения точности и сокращения времени тренировки;
  • удвоение числа независимых каналов с двух до четырёх по сравнению с GDDR6;
  • поддержка плотности чипов от 16 до 32 Гбит, включая поддержку двухканального режима для удвоения пропускной способности системы;
  • удовлетворение потребности рынка в надёжном, доступном и удобном в обслуживании решения за счёт внедрения новейших функций обеспечения целостности данных, включая ECC на кристалле (ODECC) с отчётами об ошибках в реальном времени, проверкой данных, проверкой ошибок и очисткой, а также чётности адресов команд с блокировкой команд (CAPARBLK).

В пресс-релизе JEDEC отмечается, что ведущие производители памяти, включая Micron, Samsung и SK hynix, а также компании AMD и NVIDIA, выпускающие продукты на основе их решений, выразили интерес к новому стандарту памяти GDDR7.

V-Color представила комплекты памяти DDR5 до 768 Гбайт с поддержкой разгона для Ryzen Threadripper 7000

Компания V-Color анонсировала новый комплект оперативной памяти OC R-DIMM Octo-Kit DDR5 для платформы AMD WRX90, предназначенной для процессоров Ryzen Threadripper 7000 для высокопроизводительных настольных компьютеров (HEDT), а также Ryzen Threadripper PRO 7000 для рабочих станций. Примечательной особенностью нового комплекта является его объём в 768 Гбайт.

 Источник изображений: V-Color

Источник изображений: V-Color

В рамках комплекта OC R-DIMM Octo-Kit DDR5 компания V-Color готова предложить 8 модулей ОЗУ объёмом от 16 Гбайт до 96 Гбайт. Таким образом, общий объём одного комплекта памяти может составлять от 128 до 768 Гбайт. Производитель предлагает модули памяти со скоростью от 5600 до 7200 МГц. Все поддерживают профили разгона AMD EXPO, поскольку платформа AMD WRX90 рассчитана на разгон.

Память не оснащается радиаторами охлаждения. Однако для компонентов элементов питания RCD & PMIC производитель предусмотрел наличие компактного теплового щита.

Производитель отмечает, что комплекты OC R-DIMM Octo-Kit DDR5 протестированы на материнских платах ASRock WRX90 WS EVO, ASUS Pro WS WRX90E-SAGE SE и решениях компании Supermicro, где показали свою высокую эффективность. Новый комплект ОЗУ разработан специально для использования с процессорами AMD Ryzen Threadripper PRO 7000.

Предзаказы на комплект памяти OC R-DIMM Octo-Kit DDR5 начнут принимать с 5 марта на официальном сайте V-Color. Полноценный старт продаж состоится в середине текущего месяца. Цены варьируются от $1049,99 за комплект памяти DDR5-5600 общим объёмом 128 Гбайт (8x16 Гбайт) и до $4919,99 за набор из восьми модулей DDR5-6000 общим объёмом 768 Гбайт (8x96 Гбайт).

Micron представила самые компактные микросхемы флеш-памяти UFS 4.0 для смартфонов

Компания Micron представила на выставке MWC 2024 самые компактные микросхемы флеш-памяти стандарта UFS 4.0, предназначенные для смартфонов, планшетов и других мобильных устройств. Размеры упаковки чипа составляет всего 9 × 13 мм. Они будут выпускаться в объёмах до 1 Тбайт и предложат скорости последовательного чтения и записи до 4300 и 4000 Мбайт/с соответственно.

 Источник изображений: Micron

Источник изображений: Micron

Новые микросхемы памяти Micron UFS 4.0 построены на базе 232-слойных чипов 3D TLC NAND. Сокращение размеров микросхем компания объясняет потребностью производителей смартфонов и других мобильных устройств в оснащении своих продуктов более крупными батареями. Новые микросхемы памяти стандарта UFS 4.0 от компании Micron являются результатом совместных усилий специалистов компании из лабораторий в США, Китае и Южной Корее.

Площадь новых микросхем сократилась на 20 % по сравнению с чипами UFS производителя, выпущенных в июне прошлого года. Компания заявляет, что сокращение размера микросхем также привело к снижению их энергопотребления, но без потери в общей производительности. В новых чипах памяти Micron используется новая проприетарная технология HPM (High-Performance Mode), которая оптимизирует производительность памяти при интенсивном использовании смартфона и повышает её скорость работы на 25 %.

Micron сообщила, что уже начала поставки образцов памяти UFS 4.0 OEM-производителям устройств. Компания предлагает микросхемы ёмкостью 256 и 512 Гбайт, а также объёмом 1 Тбайт.

Micron начала массовое производство чипов HBM3E ёмкостью 24 Гбайт для ИИ-ускорителей NVIDIA H200

Компания Micron сообщила о старте массового производства высокопроизводительной памяти HBM3E в формате 8-этажных стеков объёмом 24 Гбайт. Такие микросхемы будут использоваться в составе специализированных ИИ-ускорителей NVIDIA H200, массовые поставки которых начнутся во втором календарном квартале 2024 года.

 Источник изображения: Microsoft

Источник изображения: Microsoft

В Micron заявляют, что растущий спрос на ИИ-вычисления требует новых высокопроизводительных решений в вопросе памяти. Новые микросхемы HBM3E от Micron полностью отвечают этим требованиям.

Для своих 8-слойных стеков памяти HBM3E объёмом 24 Гбайт компания Micron заявляет скорость передачи данных в 9,2 Гбит/с на контакт и пропускную способность более 1,2 Тбайт/с. По словам Micron, её чипы памяти HBM3E до 30 % энергоэффективнее аналогичных решений от других производителей.

Компания также отмечает, что большая ёмкость в 24 Гбайт чипов памяти HBM3E позволяет центрам обработки данных беспрепятственно масштабировать свои задачи, связанные с ИИ, будь то обучение массивных нейронных сетей или ускорение инференса.

Компания Micron производит чипы памяти HBM3E с использованием своего самого передового технологического процесса 1β (1-beta), а также передовой технологии сквозных соединений TSV (Through-silicon via) и других инновационных решений, связанных с упаковкой микросхем. Micron будет производить свои чипы памяти HBM3E на мощностях компании TSMC.

Производитель также сообщил, что в марте этого года начнёт рассылать производителям образы передовых 12-слойных чипов памяти HBM3E ёмкостью 36 Гбайт, которые обеспечат пропускную способность выше 1,2 Тбайт/с.

Micron представила самый быстрый в мире SSD Crucial T705 и оперативную память Crucial DDR5 Pro: Overclocking Edition

Компания Micron Technology представила два новых продукта из серии Crucial Pro — семейство модулей оперативной памяти Crucial DDR5 Pro: Overclocking Edition и твердотельный накопитель Crucial T705 стандарта PCIe 5.0. Первые обзоры говорят, что это самый быстрый потребительский SSD в мире.

Источник изображений: Micron

Твердотельные накопители Crucial T705 стандарта PCIe 5.0 будут выпускаться в виде моделей объёмом 1, 2 и 4 Тбайт. Производитель заявляет для новинок скорость последовательного чтения до 14 500 Мбайт/с и последовательной записи до 12 700 Мбайт/с. В операциях случайного чтения и записи производительность новинок достигает 1,55 млн и 1,8 млн IOPS соответственно. Причём самыми быстрыми являются версии на 2 Тбайт.

Производитель отмечает, что в составе накопителей Crucial T705 используются 232-слойные чипы флеш-памяти TLC NAND от самой Micron со скоростью 2400 МТ/с. Новый SSD построен на контроллере Phison E26. Имеется и кеш из памяти LPDDR4. На все модели SSD компания предоставляет пятилетнюю гарантию.

Твердотельные накопители Crucial T705 будут выпускаться как с комплектным алюминиевым радиатором охлаждения чёрного цвета, так и без него. Кроме того, компания предложит специальную версию Crucial T705 объёмом 2 Тбайт с белым радиатором.

Предварительные продажи новинок начнутся 12 марта. Стоимость начинается от $239,99 за версию на 1 Тбайт без радиатора и доходит до $729,99 за 4-Тбайт накопитель в модификации с радиатором.

 Источник изображений: Micron

Оперативная память Crucial DDR5 Pro: Overclocking Edition выделяется задержками CL36-38-38-80, которые на 25 % ниже, чем у ранее выпущенных модулей ОЗУ Crucial DDR5 Pro Memory Plug and Play Edition. Рабочее напряжение новых модулей памяти составляет 1,35 В. Эффективная частота модулей памяти Crucial DDR5 Pro: Overclocking Edition составляет 6000 МГц. Они совместимы с профилями разгона Intel XMP 3.0 и AMD EXPO.

Оперативная память Crucial DDR5 Pro: Overclocking Edition будет выпускаться в виде двухканальных комплектов, состоящих из двух модулей DDR5-6000 объёмом по 16 Гбайт (общий объём 32 Гбайт), а также двухканальных комплектов из двух модулей по 24 Гбайт (общий объём 48 Гбайт). Первые появятся в продаже с 27 февраля, вторые компания выпустит позже в этом году.

Ryzen 7 8700G оказался хорош в разгоне оперативной памяти — DDR5-10600 покорился без экстремального охлаждения

Серия настольных гибридных процессоров Ryzen 8000G привлекла внимание энтузиастов поддержкой высокоскоростной оперативной памяти и хорошими возможностями для её разгона. Недавно оверклокерам удалось разогнать память DDR5 до 10 600 МГц и даже выше на системах с Ryzen 7 8700G, причём для этого не пришлось прибегать к экстремальному охлаждению.

 Источник изображения: VideoCardz

Источник изображения: VideoCardz

Различные команды оверклокеров последние несколько дней активно экспериментируют с разгоном оперативной памяти на системах с Ryzen 7 8700G. Например, энтузиаст SafeDisk поделился деталями разгона двухканального комплекта ОЗУ на материнской плате ROG Crosshair X670E Gene до скорости 10 600 МТ/с.

 Источник изображения: SafeDisk

Источник изображения: SafeDisk

Для эксперимента был выбран комплект памяти G.Skill Trident Z5, изначально рассчитанный на работу со скоростью 7800 МТ/с при таймингах CL36.

 Источник изображения: SafeDisk

Источник изображения: SafeDisk

В рамках разгона скорость памяти была увеличена до 10 600 МГц. Но вместе с тем выросли и тайминги. Память заработала при задержках CL50-62-62-127-127 и напряжении 1,4 В. Примечательно, что для разгона ОЗУ энтузиаст не использовал какого-либо экзотического охлаждения, вроде жидкого азота. Сам процессор Ryzen 7 8700G также работал под обычной СЖО.

В базе данных CPU-Z Validator уже успели появиться и более впечатляющие результаты разгона. Например, оверклокер с псевдонимом MSIMAX разогнал память TeamGroup с заявленным профилем разгона 8200 МТ/с до частоты 10 950 МГц на материнской плате Gigabyte B650I Aorus Ultra.

 Источник изображения: MSIMAX

Источник изображения: MSIMAX

Спустя несколько часов другой оверклокер зарегистрировал результат разгона памяти Patriot с профилем 8200 МТ/с до 11 298 МГц на материнской плате Gigabyte Aorus B650E Tachyon.

 Источник изображения: CPU-Z Validator

Источник изображения: CPU-Z Validator

Согласно информации в среде энтузиастов, в новой библиотеке AGESA, на базе которой выпускаются BIOS для материнских плат AMD, обнаружен баг, который приводит к тому, что в результатах разгона могут отображаться более высокие значения частоты памяти, чем есть на самом деле. Тот же оверклокер SafeDisk предоставил фотографию осциллографа, подтверждающую его результат разгона, чего нельзя сказать о двух других экспериментаторах.

 Источник изображения:  SafeDisk

Источник изображения: SafeDisk

Хотя результат SafeDisk, согласно данным HWBOT, является не таким высоким, как разгон памяти на платформах Intel, следует отметить, что энтузиасты разгоняют ОЗУ DDR5 с процессорами Ryzen 8000G в двухканальном режиме, а не в одноканальном, как у Intel.

Специалисты по восстановлению данных пожаловались на серьёзное падение качества USB-флешек

Компания CBL, занимающаяся восстановлением данных, заявила, что в новейших картах памяти microSD и USB-накопителях зачастую обнаруживаются ненадёжные чипы памяти. Специалисты всё чаще сталкиваются с устройствами с урезанными чипами памяти, с которых удалена информация о производителе, а также с USB-накопителями, в которых задействованы переделанные карты памяти microSD, припаянные к плате. На этом фоне CBL пришла к выводу, что качество портативных флэш-накопителей становится всё более низким.

 Источник изображения: Skitterphoto / Pixabay

Источник изображения: Skitterphoto / Pixabay

«Когда в прошлом году мы вскрывали вышедшие из строя USB-накопители, мы обнаружили тревожно большое количество некачественных чипов памяти с уменьшенной ёмкостью и удалённым логотипом производителя. Бракованные карты памяти microSD также припаиваются к USB-накопителю и управляются внешним контроллером на плате USB-накопителя вместо внутреннего контроллера самой карты microSD», — рассказал Конрад Хайнике (Conrad Heinicke), управляющий директор CBL Datenrettung GmbH.

 Источник изображений: CBL Datenrettung

Источник изображений: CBL Datenrettung

По данным CBL, речь идёт о не прошедших контроль качества чипах памяти NAND, которые, скорее всего, были изготовлены крупными производителями, такими как SanDisk и Samsung. Вместо того, чтобы пойти на утилизацию эти чипы каким-то образом попадают на рынок. Изучая некачественные накопители, специалисты CBL в ряде случаев обнаружили на чипах памяти замазанное название производителя, но их всё же можно было идентифицировать как продукцию SanDisk. В других случаях название и логотип производителя чипов памяти было полностью удалено. Чаще низкокачественные USB-накопители выявлялись среди «рекламных подарков», но в ряде случаев такие носители встречались среди «фирменной продукции», хотя CBL и не уточнила, какие конкретно фирмы занимаются поставками низкокачественных флешек.

Ещё одним недугом, которым страдают современные флешки, CBL называет технологию QLC, позволяющую хранить больше данных в одном чипе флеш-памяти. Чипы QLC стали встречаться в дешевых накопителях слишком часто. В CBL заявляют, что сочетание некачественных флэш-чипов и QLC усугубляет существующие проблемы с качеством, поэтому компания заявляет: «Не следует слишком полагаться на надежность флешек».

CBL в своём отчёте не стала затрагивать проблему «обманных» USB-накопителей, которые якобы имеют емкость в несколько сотен гигабайт, но на самом деле содержат всего лишь 16 Гбайт или даже 8 Гбайт памяти. Однако такие устройства тоже широко распространены и сконструированы с использованием методов, аналогичных USB-накопителям, о которых предупреждает CBL, например, с применением microSD-карт.

SK hynix запустит массовое производство памяти HBM4 в 2026 году

Южнокорейская компания SK hynix объявила, что приступит к массовому производству оперативной памяти с высокой пропускной способностью следующего поколения — HBM4 — к 2026 году. Ранее компания сообщила, что начнёт разработку HBM4 уже в этом году.

 Источник изображения: Wccftech

Источник изображения: Wccftech

До этого момента о планах по разработке и внедрению памяти HBM4 высказывались только компании Micron и Samsung. Оба производителя планируют выпустить новое поколение памяти где-то в 2025–2026 годах. Теперь и SK hynix более точно определилась с планом по своему будущему продукту. Со стремительным развитием ИИ-технологий на рынке возрастает спрос на более высокопроизводительные решения, необходимые для решения этих задач. Память типа HBM сыграла значительную роль в развитии этой сферы и является важным компонентом в производстве передовых специализированных ускорителей ИИ-вычислений. И на данный момент SK hynix является главным поставщиком самой скоростной HBM — памяти HBM3E — для ИИ-ускорителей.

На мероприятии SEMICON Korea 2024 вице-президент SK hynix Ким Чун Хван (Kim Chun-hwan) сообщил о намерении компании начать массовое производство памяти HBM4 к 2026 году. Он добавил, что новое поколение памяти будет способствовать стремительному росту рынка устройств для искусственного интеллекта. В то же время он отметил, что индустрия производства памяти HBM сталкивается с огромным спросом. Поэтому компании очень важно создать решения, которые позволили бы обеспечить бесперебойную поставку такого типа памяти. По мнению топ-менеджера SK hynix, к 2025 году рынок памяти HBM вырастет до 40 %, поэтому компании необходимо заранее подготовился к тому, чтобы извлечь из этого максимальную выгоду.

 Источник изображения: TrendForce

Источник изображения: TrendForce

Согласно недавно опубликованной аналитиками TrendForce сборной диаграммы с планами по выпуску продуктов различных производителей, организация JEDEC планирует принять окончательные характеристики памяти HBM4 во второй половине 2024 или начале 2025 года. Пока известно, что новая память будет выпускаться в стеках объёмом до 36 Гбайт, а первые образцы ожидаются в 2026 году.

На данный момент неизвестно, какие именно ИИ-ускорители будут использовать новый тип памяти. Предполагается, что одними из первых таких продуктов могут стать решения NVIDIA, которые компания выпустит после специализированных ИИ-ускорителей Blackwell, поскольку последние будут использовать память HBM3E.

Выпуск чипов в Южной Корее резко пошёл вверх в декабре после затяжного падения

Квартальная статистика южнокорейских производителей памяти указывала на то, что спрос на их продукцию начинает расти после затяжного кризиса прошлого года, который стал самым глубоким для рынка. Официальные органы статистики Южной Кореи подтверждают эту тенденцию своими данными, упоминая о значительном росте как объёма производства чипов, так и их поставок в декабре.

 Источник изображения: Samsung Electronics

Источник изображения: Samsung Electronics

По информации Bloomberg, в прошлом месяце объёмы поставок полупроводниковых компонентов южнокорейскими производителями выросли на 113,7 % в годовом сравнении, на максимальное значение за период с 1997 года. При этом складские запасы чипов выросли на 11,6 %, что является минимальным значением с конца 2022 года, а объёмы производства выросли на 53,3 % по сравнению с аналогичным месяцем 2022 года, и это стало максимальным приростом с середины 2016 года.

Другими словами, всё указывает на то, что южнокорейская полупроводниковая промышленность переварила накопившиеся запасы продукции и приступает к наращиванию новых поставок и производству соответствующих изделий. Специфика местной отрасли такова, что основной экспортной продукции Южной Кореи является как раз память, поскольку страна обеспечивает две трети поставок данного вида товаров на мировой рынок. Аналитики Bloomberg предполагают, что в складывающихся условиях Южная Корея по итогам 2024 года сможет увеличить ВВП на 2,2 %.

Немцы придумали процессор, работающий на электрических полях, а не на токах

Масштабирование вычислительных ресурсов для задач искусственного интеллекта сопряжено с внушительным ростом потребления и затрат на оборудование. Немецкий стартап Semron предлагает снизить зависимость от обоих факторов. Основатели компании представили новый управляющий элемент нейронной сети, который они назвали «мемконденсатор» (memcapacitors). Он работает на электрических полях, а не на токах.

 ИИ-генерация «китайский квантовый компьютер», стиль «аниме». Источник изображения: ИИ-генерация Кандинский 3.0/3DNews

Источник изображения: ИИ-генерация Кандинский 3.0/3DNews

Основателями компании Semron стали выпускники Дрезденского технологического университета Кай-Уве Демасиус (Kai-Uwe Demasius) и Арон Киршен (Aron Kirschen). Ещё в 2016 году они получили патент на управляющий элемент «мемконденсатор». Согласно их представлениям, отказ от запуска нейронных сетей на классических чипах с транзисторами, управляемыми электрическими токами, позволит создавать малопотребляющие и недорогие нейронные процессоры.

«Из-за ожидаемого дефицита вычислительных ресурсов [для работы] искусственного интеллекта многие компании с бизнес-моделью, которая полагается на доступ к таким ресурсам, рискуют своим существованием. Например, это крупные стартапы, которые обучают свои собственные модели, — сообщил Киршен в интервью одному из авторов сайта TechCrunch. — Уникальные особенности нашей технологии позволят нам достичь уровня цен на современные чипы для устройств бытовой электроники, даже несмотря на то, что наши чипы способны работать с продвинутым искусственным интеллектом, чего нет у других».

Проще говоря, Semron говорит о способности выпускать дешёвые чипы, сродни тем, что используются в смартфонах, гарнитурах и тому подобном носимом оборудовании, которые тем не менее смогу запускать мощные нейросети.

 Источник изображения: Nature

Концептуальное строение мемконденсатора. Источник изображения: Nature

Чипы Semron предполагают многослойную организацию, что позволит значительно масштабировать решения. Элементарная ячейка памяти или вычислительного элемента на базе мемконденсатора должна содержать диэлектрик с эффектом памяти (заряда или ёмкости). Например, это может быть сегнетоэлектрик. В зависимости от величины заряда в ячейку будет записан тот или иной весовой коэффициент, который будет использоваться в расчетах. В свою очередь, этот диэлектрик с памятью разделяет два электрода, наводящих друг на друга электрические поля. «Сцепка» этих полей будет зависеть от записанного в ячейку коэффициента — насколько промежуточный слой будет экранировать электромагнитное поле, что послужит величиной для расчётов.

Будем надеяться увидеть разработку в кремнии. Основатели компании опубликовали ряд работ в престижных научных журналах и обещают вскоре показать работу мемконденсаторов на практике.

Micron первой в мире выпустила модули памяти LPCAMM2 на LPDDR5X — они быстрее, экономичнее и компактнее SO-DIMM

Компания Micron сообщила, что первой на рынке выпустила модули оперативной памяти нового стандарта LPCAMM2 (Low-Power Compression Attached Memory Module), доступные в вариантах от 16 до 64 Гбайт. Они предлагают более высокую производительность и энергоэффективность, обеспечивают экономию места и сохраняют модульность, то есть возможность апгрейда ПК.

 Источник изображений: micron.com

Источник изображений: micron.com

Массовое производство модулей LPCAMM2 компания Micron запустит в первой половине 2024 года — это новый революционный формфактор с момента выхода стандарта SODIMM в 1997 году. LPCAMM2 базируется на чипах LPDDR5X, но по сравнению с традиционным форматом предлагает снижение энергопотребления на 61 % и рост производительности на 71 % при выполнении основных рабочих нагрузок в тесте PCMark 10, таких как просмотр веб-страниц и видеоконференции. Экономия пространства относительно SO-DIMM составляет 64 %.

Модули памяти LPCAMM2 на чипах LPDDR5X достигают скорости 9600 Мбит/с, тогда как существующие планки SO-DIMM DDR5 демонстрируют 5600 Мбит/с. В режиме ожидания экономия энергии достигает 80 %, что способствует увеличению автономной работы мобильных компьютеров; в задачах, связанных с производством цифрового контента, прирост производительности составляет 7 %.

Micron будет реализовывать память LPCAMM2 под брендом Crucial не только производителям компьютеров, но и конечным пользователям — геймеры и профессионалы смогут самостоятельно заменять модули памяти. Продукция нового формата выйдет на рынок в первой половине 2024 года.

Micron втайне создала 32-Гбит чип FeRAM — неубиваемую энергонезависимую память со скоростью как у DRAM

Как стало известно источнику, на прошедшей в декабре конференции IEDM 2023 компания Micron за закрытыми дверями сообщила о разработке и применении кристалла памяти FeRAM огромной ёмкости. Память FeRAM производится около 20 лет, но это традиционно чипы малой ёмкости от 8 до 128 Мбит. Разработка Micron на этом фоне поражает воображение ёмкостью кристалла 32 Гбит, что можно сравнить с восходом новой энергонезависимой памяти.

 Фрагмент документа Micron с презентации двухслойной памяти FeRAM. Источник изображения: https://blocksandfiles.com

Фрагмент документа Micron с презентации двухслойной памяти FeRAM. Источник изображения: https://blocksandfiles.com

Память FeRAM работает быстрее памяти NAND. По этому показателю она приближается к оперативной памяти DRAM. При этом чипы FeRAM сохраняют заряд в ячейках даже без подачи питания на них, как и прочая энергонезависимая память. Также память FeRAM более устойчива к износу, что снова делает её предпочтительнее для использования в устройствах для хранения данных. Наконец, FeRAM не боится радиации, магнитных полей и скачков температуры, что предопределило её судьбу оказаться в станках, приборах и в бортовом оборудовании аэрокосмической отрасли.

Несмотря на большой набор преимуществ, память FeRAM не стала массовым явлением. Плотность размещения ячеек у неё очень и очень низкая, и массовая память NAND с её кристаллами колоссальной ёмкости не дала FeRAM никакого шанса проникнуть в область хранения данных. Впрочем, это не удалось даже памяти 3D XPoint (торговая марка Intel Optane), которую Micron разработала вместе с Intel. Доступность и дешевизна NAND сыграла свою негативную роль в печальной судьбе и этой, казалось бы, перспективной энергонезависимой памяти.

Нетрудно представить, что неформальный анонс 32-Гбит кристалла FeRAM компанией Micron может считаться знаменательным событием. Сайт Blocks & Files приводит фрагмент изображения документа с презентации чипа памяти, который недоступен для публичного просмотра.

По словам Micron, чипы FeRAM большой ёмкости подтолкнут развитие генеративных моделей искусственного интеллекта. Они работают быстрее NAND и обладают колоссальной износостойкостью. Опытный чип Micron выдерживает до 1015 циклов перезаписи. Это на несколько порядков больше, чем у конкурирующих чипов FeRAM компаний Fujitsu, Infineon, SK Hynix и Toshiba, не говоря о жалких тысячах циклов, если мы говорим об устойчивости к износу чипов NAND. Кстати, новую память компания называет NVDRAM (non-volatile dynamic random access memory). Назвать её NVRAM, очевидно, она не решилась, чтобы её FeRAM не путали с другими типами энергонезависимой памяти.

Заявленная компанией скорость записи чипов FeRAM составляет 70–120 нс, тогда как цикл записи NAND приближается к 300 мкс. Время удержания данных в памяти FeRAM (заряда в ячейке) достигает 10 лет.

Можно предположить, что компания Micron получила доступ к патентам и технологиям FeRAM после приобретения активов японской компании Elpida в 2013 году. Сама Elpida этот тип памяти не развивала, но принадлежащие ей на тот момент заводы тайваньских Inotera Memories и Nanya Technology были раньше в собственности компании Infineon и выпускали чипы памяти FeRAM.

Переключающий элемент FeRAM обычно выполнен из пьезокерамики в виде цирконат-титаната свинца (PZT). Этот материал сохраняет поляризацию даже после снятия внешнего управляющего сигнала — электромагнитного поля. Грубо можно сказать, что каждая ячейка FeRAM состоит из управляющего транзистора и пьезокерамического конденсатора. Именно вкрапление пьезокерамического элемента делает ячейку очень большой. Как эту проблему решила Micron, не сообщается.


window-new
Soft
Hard
Тренды 🔥
На смену Family Sharing в Steam придут «Семейные группы» с общей библиотекой, контролем за детьми и привязкой к региону 45 мин.
Nvidia запустила Quantum Cloud — облачный симулятор квантового компьютера для исследований 2 ч.
Telegram выгодно для себя привлёк $330 млн через продажу облигаций 2 ч.
Более 500 российских программистов приняли участие в совместном хакатоне Хоум Банка и «Сколково» 2 ч.
Всё своё ношу с собой: Nvidia представила контейнеры NIM для быстрого развёртывания оптимизированных ИИ-моделей 9 ч.
Nvidia AI Enterprise 5.0 предложит ИИ-микросервисы, которые ускорят развёртывание ИИ 10 ч.
NVIDIA запустила облачную платформу Quantum Cloud для квантово-классического моделирования 11 ч.
NVIDIA и Siemens внедрят генеративный ИИ в промышленное проектирование и производство 11 ч.
SAP и NVIDIA ускорят внедрение генеративного ИИ в корпоративные приложения 11 ч.
Microsoft проведёт в мае презентацию, которая положит начало году ИИ-компьютеров 12 ч.
«Мерлион» выпустит SSD, блоки питания и другие комплектующие под собственным брендом 19 мин.
Смарт-часы Xiaomi Watch S3 и Redmi Watch 4 для любителей активного образа жизни и ТВ-приставка Mi Box S 2 Gen для развлечений 2 ч.
SK hynix запустила массовое производство стеков памяти HBM3E — первой её получит Nvidia 2 ч.
Смартфоны Redmi Note 13 и 13 Pro+ 5G, планшет Xiaomi Pad 6 расширят возможности для работы и развлечений 3 ч.
Зарубежные поставщики Intel и TSMC не спешат строить свои предприятия в Аризоне 4 ч.
Nvidia и Synopsys внедрили искусственный интеллект в сфере литографической подготовки производства чипов 4 ч.
NVIDIA представила облачную платформу для исследований в сфере 6G 11 ч.
Ускорители NVIDIA H100 лягут в основу японского суперкомпьютера ABCI-Q для квантовых вычислений 11 ч.
NVIDIA показала цифрового двойника нового дата-центра с ИИ-ускорителями Blackwell 11 ч.
NVIDIA B200, GB200 и GB200 NVL72 — новые ускорители на базе архитектуры Blackwell 11 ч.