Прибывшие в США для празднования размещения депозитарных расписок на бирже Nasdaq руководители SK Group вскоре после церемонии начали активно раздавать интервью, и крупные деловые издания разродились самыми разными цитатами. В интервью Bloomberg, например, председатель совета директоров SK Group пообещал рассмотреть возможность предоставления клиентам памяти в аренду.

Обзор Ryzen 9 9950X3D2: правильный 16-ядерник с 3D-кешем

Выбираем лучший игровой ноутбук до 100 000 рублей: сравнительное тестирование 7 интересных моделей

Умные помощники: обзор ИИ-сервисов для обработки изображений. Часть 2, актуализированная

Репортаж с IEM Cologne Major 2026: Жаб Жабыч, триумф NiKo и главные сенсации мейджора по CS2

Обзор Infinix GT 50 Pro: геймерский смартфон со встроенной СЖО

Источник изображения: SK hynix

Невольно подыгрывая заявлениям министра торговли США, глава SK Group Чхэ Тхэ Вон (Chey Tae-won) подчеркнул, что южнокорейский конгломерат готов вкладывать в экономику США гораздо больше денег, чем происходило до этого. При этом он отметил, что мало кто осознаёт масштаб уже имевших место инвестиций, ведь сейчас SK Group в общей сложности готова направить на реализацию проектов на территории США более $35 млрд. Помимо производства тяговых батарей, она организовывает в Индиане тестирование и упаковку чипов памяти по передовым технологиям. В интервью Bloomberg председатель совета директоров SK Group заявил, что в его планы входят значительно более крупные инвестиции в экономику США по сравнению с упоминаемыми $35 млрд.

По мнению главы SK Group, баланс спроса и предложения на рынке памяти не будет достигнут до тех пор, пока не появится так называемый «сильный искусственный интеллект», по своим когнитивным способностям не уступающий человеческому. Долгосрочные соглашения с клиентами, по словам Чхэ Тхэ Вона, позволяют исключить цикличный характер колебаний цен на память. Эти контракты на длительный срок определяют как объёмы поставок памяти, так и цены, поэтому влияние цикличности отходит на второй план.

SK Group, как добавил глава компании, рассматривает возможность внедрения инновационных методов работы с клиентами. Помимо классической продажи микросхем памяти, она готова предложить им их аренду. В будущем компания как раз может сфокусироваться на предоставлении подобной услуги. Клиенты смогут арендовать память, когда им это нужно, и возвращать её, когда потребность сократится. Кроме того, в случае возникновения благоприятных условий на американском фондовом рынке SK hynix может разместить в США дополнительный объём своих депозитарных расписок, но сначала нужно убедиться, что их курсовая стоимость достаточно стабильна.

Поскольку ради участия в церемонии, посвящённой выпуску американских депозитарных расписок, в США был направлен десант руководителей SK hynix, ведущие американские деловые издания не упустили возможности взять у них интервью. Генеральный директор Квак Но Чжун (Kwak Noh-jung) пообещал Reuters достижение пика дефицита памяти в следующем году и его сохранение за пределами 2030 года.

Обзор Infinix GT 50 Pro: геймерский смартфон со встроенной СЖО

Обзор Ryzen 9 9950X3D2: правильный 16-ядерник с 3D-кешем

Репортаж с IEM Cologne Major 2026: Жаб Жабыч, триумф NiKo и главные сенсации мейджора по CS2

Выбираем лучший игровой ноутбук до 100 000 рублей: сравнительное тестирование 7 интересных моделей

Умные помощники: обзор ИИ-сервисов для обработки изображений. Часть 2, актуализированная

Источник изображения: SK hynix

Даже агрессивное расширение производственных мощностей, по его мнению, не позволит полностью насытить рынок памятью в ближайшие годы. «Мы прогнозируем, что следующий год будет худшим в истории с точки зрения предложения на рынке памяти», — признался глава компании. Он добавил, что хотя SK hynix и делает всё возможное для решения проблемы, внутренние прогнозы компании говорят о вероятности превышения спроса на память над предложением и после 2030 года. Спрос растёт быстрее, чем компания способна наращивать объёмы выпуска памяти.

SK hynix не исключает вероятности строительства новых предприятий по выпуску памяти в США, но для этого должен выполняться ряд условий. На территории должны иметься достаточно крупные и удобные участки земли под строительство, энергетическая инфраструктура и водные ресурсы, а также квалифицированная рабочая сила. При прочих равных, SK hynix рассматривает для экспансии своих предприятий США, Японию и Юго-Восточную Азию. Компания сейчас выбирает, какой из регионов мира в этом смысле способен предоставить наилучшие условия для ведения бизнеса, помимо самой Южной Кореи. Там SK hynix готова в ближайшие несколько лет потратить около $266 млрд на строительство новых фабрик по выпуску памяти.

В США компания уже собралась построить предприятие по упаковке памяти за $4 млрд в штате Индиана, а ещё $10 млрд будет направлено на разработку ИИ-решений на территории США. Конкурирующая Micron Technology, тем временем, решила увеличить сумму расходов на родной для себя американской земле на ближайшие девять лет с $200 до $250 млрд, подогнав число под «юбилейную дату» независимости, которую в этом году праздновали в США.

На этой неделе акции SK hynix в опосредованной форме через депозитарные расписки вышли на биржу Nasdaq в Нью-Йорке, первая торговая сессия после размещения завершилась ростом их курсовой стоимости на 13 % до $168, а председатель SK Group поспешил заявить CNBC, что росту спроса на память он не видит особых пределов в ближайшей перспективе.

Обзор Infinix GT 50 Pro: геймерский смартфон со встроенной СЖО

Обзор Ryzen 9 9950X3D2: правильный 16-ядерник с 3D-кешем

Умные помощники: обзор ИИ-сервисов для обработки изображений. Часть 2, актуализированная

Выбираем лучший игровой ноутбук до 100 000 рублей: сравнительное тестирование 7 интересных моделей

Репортаж с IEM Cologne Major 2026: Жаб Жабыч, триумф NiKo и главные сенсации мейджора по CS2

Источник изображения: SK hynix

В интервью одноимённому телеканалу Чхэ Тхэ Вон (Chey Tae-won) признался, что «всё это похоже на сон, который стал явью». По его словам, встречи с клиентами SK hynix оставляют у него ощущение, что всем им нужно ещё больше памяти. Даже обещания производителя удвоить объёмы её выпуска за пять лет не могут удовлетворить покупателей, поскольку они уже сейчас утверждают, что этого будет недостаточно.

За прошлый год капитализация SK hynix выросла более чем в семь раз, и на этапе размещения в США количество желающих приобрести её депозитарные расписки превышало их выпускаемое количество примерно в такой же пропорции. «Спрос невероятно высок, он растёт экспоненциально, я не вижу признаков снижения спроса на HBM», — признался глава SK Group. Он убеждён, что нынешняя ситуация далека по своей сути от прежних циклических колебаний спроса на рынке памяти. ИИ-агенты, роботы потребуют большого количества памяти, а потому спрос не обвалится. У себя на родине SK hynix собирается потратить до $390 млрд на строительство комплекса по производству памяти, а в США планирует построить предприятие по упаковке памяти в Индиане за $4 млрд, но американские власти настроены к привлечению южнокорейских производителей к развитию инфраструктуры в США в значительно больших масштабах.

Инженеры предложили новый способ наращивания памяти для ускорителей ИИ и графических процессоров: вместо укладки кристаллов DRAM привычной «башней», как в HBM, их предлагается устанавливать на ребро, превращая массив памяти в объёмный блок из кремниевых пластин. Это сразу решает несколько проблем масштабирования памяти: увеличивает пропускную способность и ёмкость, а также позволяет избежать роста тепловыделения.

Выбираем лучший игровой ноутбук до 100 000 рублей: сравнительное тестирование 7 интересных моделей

Обзор Ryzen 9 9950X3D2: правильный 16-ядерник с 3D-кешем

Репортаж с IEM Cologne Major 2026: Жаб Жабыч, триумф NiKo и главные сенсации мейджора по CS2

Умные помощники: обзор ИИ-сервисов для обработки изображений. Часть 2, актуализированная

Обзор Infinix GT 50 Pro: геймерский смартфон со встроенной СЖО

Вертикальное, но не стековое размещение кристаллов памяти улучшит её характеристики. Источник изображения: University of Tokyo

Проблема наращивания памяти типа HBM приобретает всё большую актуальность из-за роста больших языковых моделей: современные GPU уже окружены несколькими стеками HBM, но дальнейшее увеличение числа слоёв в каждом стеке грозит перегревом и потерей эффективности. В обычной HBM кристаллы DRAM располагаются друг над другом на базовом кристалле и соединяются сквозными TSV-соединениями. Такая структура плохо отводит тепло к радиатору, поскольку кристаллы разделены слоем диэлектрика с низкой теплопроводностью.

Для решения проблемы теплоотвода от памяти ускорителей на июньском симпозиуме IEEE VLSI были представлены два варианта, оба из которых предлагают поставить условный куб HBM на ребро. По большому счёту это будет уже не память HBM, поскольку у неё не будет базовой подложки, к которой подключаются все кристаллы. Вместо этого каждый кристалл в 3D-сборке DRAM на нижнем ребре будет нести группу интерфейсных и силовых контактов для подключения к подложке с ускорителем или графическим процессором.

Более того, в концепции памяти V-Die, разработанной при участии южнокорейских университетов UNIST и Hanbat National University, между кристаллами также предполагается размещать микрофлюидные каналы для циркуляции хладагента. Кроме того, отказ от достаточно толстых TSV дополнительно освобождает площадь под ячейки памяти, а собственные блоки ввода-вывода (I/O) на каждом кристалле позволяют отказаться от отдельного базового кристалла. Контакты для подключения к подложке предлагается размещать вдоль нижней кромки кристалла с шагом около 20 мкм.

Расчёты показывают, что V-Die может обеспечить примерно в четыре раза больше соединений, чем HBM4, и сократить время чтения из памяти на 37 %. При моделировании системы на GPU уровня Nvidia H100 с нагрузкой, похожей на большую языковую модель масштаба GPT-3, вариант V-Die обеспечивал производительность памяти на уровне 540 токенов в секунду против 296 токенов в секунду у HBM4 при той же ёмкости памяти. Задержка до выдачи первого токена снижалась на 32 % (примерно на 24 мс), а температура за счёт микрофлюидного охлаждения удерживалась на уровне около 45 °C — заметно ниже типичных пиков HBM, которые могут превышать 80 °C.

Впрочем, технология V-Die подверглась критике со стороны специалистов. По их словам, почти невозможно обеспечить такую точность производства, чтобы все контакты на рёбрах куба памяти совпали с контактами для пайки на подложке ускорителя. Однако об этой проблеме позаботилась другая группа исследователей — из Японии.

Японская группа из University of Tokyo, Tohoku University и RIKEN предложила подход к монтажу «кубической» памяти, названный ими MOSAIC («мозаика»). Жёсткие контакты, по их мнению, следует оставить только для питания сборки DRAM, поскольку они крупнее и менее требовательны к точности совмещения, тогда как данные и управляющие сигналы предлагается передавать с подложки на «куб» памяти индуктивным бесконтактным способом.

В частности, исследователи предложили формировать на кристаллах памяти вытянутые катушки размером около 80 × 240 мкм, а на подложке размещать ответные катушки под прямым углом. Передача данных будет осуществляться посредством магнитного поля, поэтому элементы не обязаны совпадать с микронной точностью. В одном кубе MOSAIC можно разместить 98 кристаллов и получить 294 Гбайт памяти, а при уменьшении толщины кристалла DRAM до 100 мкм авторы оценивают потенциал в 294 кристалла и 882 Гбайт памяти в том же объёме при расчётной пиковой температуре около 81,3 °C.

Компания Patriot Memory представила двухканальные комплекты оперативной памяти Viper Steel 5 Infinite DDR5, предлагающие скорость до 8000 МТ/с. Они будут поставляться в конфигурациях объёмом от 32 (2 × 16) до 96 (2 × 48) Гбайт, в версиях с RGB-подсветкой и без неё.

Умные помощники: обзор ИИ-сервисов для обработки изображений. Часть 2, актуализированная

Репортаж с IEM Cologne Major 2026: Жаб Жабыч, триумф NiKo и главные сенсации мейджора по CS2

Выбираем лучший игровой ноутбук до 100 000 рублей: сравнительное тестирование 7 интересных моделей

Обзор Infinix GT 50 Pro: геймерский смартфон со встроенной СЖО

Обзор Ryzen 9 9950X3D2: правильный 16-ядерник с 3D-кешем

Источник изображений: Patriot Memory

Для новинок заявлена полная поддержка профилей разгона Intel XMP 3.0 и AMD EXPO (до 6400 МТ/с). Более подробную информацию о представленных новинках, в частности первичные тайминги, производитель не предоставил. Однако компания заявляет, что модули памяти производятся на базе вручную отобранных чипов памяти и других компонентов. То есть речь идёт о премиальном продукте.

Модули памяти Viper Steel 5 Infinite DDR5 оснащены металлическими радиаторами. Версии с RGB-подсветкой поддерживают управление ею через популярные утилиты от Asus, MSI, Gigabyte и ASRock.

На модули ОЗУ предоставляется ограниченная пожизненная гарантия производителя. Стоимость представленных комплектов производитель не сообщил.

Компания MSI выпустила новый тестовый BIOS для материнских плат AMD, обеспечивающий улучшенную поддержку модулей DDR5 на базе чипов памяти от китайского производителя Changxin Memory Technologies (CXMT).

Обзор Infinix GT 50 Pro: геймерский смартфон со встроенной СЖО

Умные помощники: обзор ИИ-сервисов для обработки изображений. Часть 2, актуализированная

Репортаж с IEM Cologne Major 2026: Жаб Жабыч, триумф NiKo и главные сенсации мейджора по CS2

Обзор Ryzen 9 9950X3D2: правильный 16-ядерник с 3D-кешем

Выбираем лучший игровой ноутбук до 100 000 рублей: сравнительное тестирование 7 интересных моделей

Источник изображений: VideoCardz / MSI

По данным MSI, обновление прошивки снимает ограничение частоты, из-за которого многие модули CXMT DDR5 на платформах AMD работали на частотах около DDR5-6800. Компания заявляет, что последняя настройка прошивки теперь позволяет памяти работать на частотах от DDR5-8000 до DDR5-8200 в зависимости от типа памяти и конфигурации материнской платы.

Результат проверки памяти CMXT DDR5-8000

Наиболее быстрый результат в работе памяти был достигнут на материнских платах с двумя разъёмами DIMM в паре с модулями DDR5, использующими 24-гигабитные DRAM-чипы CXMT. MSI заявляет, что эта конфигурация достигла скорости DDR5-8200 и прошла проверку MemTest с охватом более 100 %. Модули с 16-гигабитными чипами CXMT достигли скорости DDR5-8000 в рамках того же процесса проверки.

Результат проверки памяти CMXT DDR5-8200

Компания также отмечает, что для стандартных материнских плат с четырьмя DIMM-разъёмами предел частоты для чипов памяти CXMT в составе модулей ОЗУ также был увеличен до DDR5-7200. Ранее такая память ограничивалась режимом DDR5-6800.

Для проверки MSI использовала розничные комплекты памяти от таких брендов, как KingBank и Lexar. Настройка не ограничивалась специально отобранными инженерными образцами модулей памяти. Иными словами, результаты разгона такой памяти будут зависеть от контроллера памяти процессора, модели материнской платы и версии BIOS.

Первые поддерживаемые тестовые BIOS теперь доступны через официальный канал сообщества MSI. Компания заявляет, что эти сборки основаны на текущих официальных версиях BIOS и содержат изменения, специфичные для разгона китайской памяти. Ожидается, что в дальнейшем список совместимых материнских плат будет расширяться.

Попытки правительства США решить проблему мирового дефицита чипов памяти путём влияния на цены или производственные мощности усугубят дефицит предложения, спровоцированный бумом искусственного интеллекта, предупредила Белый дом группа представителей полупроводниковой отрасли, пишет Bloomberg.

Выбираем лучший игровой ноутбук до 100 000 рублей: сравнительное тестирование 7 интересных моделей

Умные помощники: обзор ИИ-сервисов для обработки изображений. Часть 2, актуализированная

Репортаж с IEM Cologne Major 2026: Жаб Жабыч, триумф NiKo и главные сенсации мейджора по CS2

Обзор Ryzen 9 9950X3D2: правильный 16-ядерник с 3D-кешем

Обзор Infinix GT 50 Pro: геймерский смартфон со встроенной СЖО

Источник изображения: micron.com

В письме высокопоставленным чиновникам администрации президента ассоциация SEMI призвала США дать компаниям возможность и дальше заключать долгосрочные соглашения с клиентами, а также продлить действие налоговых льгот, направленных на увеличение производства в США. В ассоциацию входят американская Micron, а также корейские Samsung и SK hynix. «Хотя целенаправленная политика может способствовать ускорению восстановления внутреннего предложения, вмешательства, искажающие решения о ценообразовании или производственных мощностях, рискуют продлить проблему спроса. Текущие рыночные условия преодолеваются за счёт инвестиций в американское производство и повышенное внимание к долгосрочным соглашениям о поставках», — говорится в документе.

Множество отраслей, от автопрома до потребительской электроники, столкнулось с беспрецедентным дефицитом чипов памяти, спрос на которые подскочил до рекордных показателей — они необходимы в ускорителях ИИ, работающих в центрах обработки данных. Apple добивается разрешения у правительства закупать эти чипы у двух китайских компаний, включённых в чёрный список Пентагона. В письме SEMI китайские поставщики не упоминаются, но оно усиливает растущее в Вашингтоне ощущение, что дефицит памяти перерастает в политическую проблему. Инвесторов на биржах воодушевляет рост акций производителей памяти, а власти следят за влиянием кризиса на потребителей — Apple и Microsoft уже подняли цены на популярные товары.

В SEMI предложили администрации президента совместно с Конгрессом выработать политику, которая поможет потребителям компенсировать рост цен на смартфоны и ноутбуки, — например, ввести налоговые вычеты или льготы. Ассоциация заявила, что мощности по производству памяти будут расширяться примерно на 19 %, но предупредила, что взрывной рост спроса со стороны инфраструктуры ИИ грозит дефицитом готовой продукции — от ноутбуков до бытовой техники и автомобилей. Все крупные производители памяти планируют расширять производство, но на это уйдут годы, а пока дисбаланс спроса и предложения привёл к росту цен.

В III квартале на рынке чипов DRAM сохранится напряжённость, предсказывают аналитики TrendForce, но из-за ослабления спроса в потребительском сегменте и эффекта высокой базы сравнения рост контрактных цен на память замедлится до показателя в диапазоне от 13 % до 18 %.

Умные помощники: обзор ИИ-сервисов для обработки изображений. Часть 2, актуализированная

Обзор Infinix GT 50 Pro: геймерский смартфон со встроенной СЖО

Выбираем лучший игровой ноутбук до 100 000 рублей: сравнительное тестирование 7 интересных моделей

Обзор Ryzen 9 9950X3D2: правильный 16-ядерник с 3D-кешем

Репортаж с IEM Cologne Major 2026: Жаб Жабыч, триумф NiKo и главные сенсации мейджора по CS2

Источник изображения: samsung.com

Спрос на чипы NAND по-прежнему будет преимущественно обусловлен системами инференса искусственного интеллекта и развёртыванием крупных центров обработки данных. Но поскольку контрактные цены уже находятся на рекордно высоком уровне, а потребительский спрос замедляется, толерантность потребителей к ценам уже достигла своего предела. В результате цены на NAND за отчётный период вырастут на 10–15 % в квартальном исчислении, и это заметно ниже, чем в предшествующие кварталы.

На рынке DRAM для ПК производители готовой продукции продолжат закупочную деятельность и будут пополнять запасы. Но из-за того, что на склады теперь поступают более дорогие компоненты, ожидается рост розничных цен на ноутбуки, и это повлияет на объёмы поставок по итогам года. Поставщики памяти продолжат отгружать согласованные с производителями ПК и модулей объёмы продукции, но из-за перераспределения мощностей в сторону серверной продукции предложение DRAM для ПК останется невысоким. Что же касается серверной DRAM, то основной платформой для рабочих нагрузок агентного ИИ останутся серверы общего назначения на x86-процессорах с памятью RDIMM благодаря их возможностям многозадачности.

До 2027 года поставки серверов обещают остаться высокими: улучшается ситуация с наличием процессоров, что будет способствовать дальнейшему потреблению RDIMM и накоплению запасов во II половине 2026 года. В III квартале дефицит серверной DRAM сохранится, но рост цен замедлится, потому что часть закупок теперь регулируется долгосрочными соглашениями о поставках.

В III квартале повысят цены и производители смартфонов, чтобы компенсировать высокие затраты на LPDRAM, и из-за этого сократятся продажи готовой продукции. В условиях снижения потребительского спроса производители смартфонов становятся всё более консервативными в планировании производства и закупках, в результате чего спрос на LPDRAM снизится. Поставщики чипов памяти при распределении производственных мощностей продолжают отдавать приоритет сегменту ИИ, что приводит к дефициту LPDRAM и способствует дальнейшему росту контрактных цен.

Источник изображения: trendforce.com

В сегменте графической DRAM профессиональная видеокарта Nvidia RTX PRO 6000 Blackwell не вызвала ожидаемого всплеска спроса на GDDR7, спрос на GDDR6 и GDDR7 сократился из-за снижения поставок ноутбуков. Поставщики памяти гибко перераспределяют производственные мощности на другие основные продукты, в результате чего предложение графической DRAM сокращается, и цены на GDDR6/7 растут в соответствии с общими тенденциями ценообразования на DRAM.

Слабым остаётся спрос на потребительскую DRAM, которая используется в телевизорах, телеприставках и другой традиционной бытовой электронике. А вот нишевые предложения, в том числе автопром, серверные SSD и сетевое оборудование, продолжают демонстрировать относительно хорошие результаты. Миграция заказов, вызванная уходом крупных поставщиков с рынка потребительской DRAM, продолжается, предотвращая существенное снижение базового спроса. Ещё один фактор роста цен — согласованные действия ведущих производителей памяти и неспособность тайваньских брендов компенсировать сокращение предложения за счёт расширения мощностей DDR4.

На рынке потребительских SSD производители ПК в первой половине года активно наращивали запасы, а спрос на рынке готовой продукции в основном поддерживается коммерческими моделями ноутбуков. Высокие запасы OEM-производителей значительно снизили готовность покупателей к очередному повышению цен, вынуждая поставщиков применять более гибкую стратегию в сегменте клиентских SSD, чтобы поддерживать темпы поставок. Это привело к затяжным переговорам, которые, как ожидается, замедлят рост контрактных цен. Тем временем производители чипов NAND выделяют больше мощностей на корпоративные SSD, чему способствует развёртывание платформы Nvidia Vera Rubin и снижение потребительского спроса. Но дефицит DRAM собственного производства продолжает выступать сдерживающим фактором в сегменте малоёмких высокопроизводительных SSD, поддерживая общую тенденцию роста цен.

В первой половине 2026 года большинство производителей смартфонов завершило основную часть выпуска новых продуктов и закупок компонентов; во втором полугодии значительный спрос на обновление до накопителей стандарта UFS 4.0 будут генерировать только флагманские модели; активность закупок для смартфонов нижнего и среднего уровня остаётся низкой. По мере ослабления общего спроса предложение продуктов eMMC и UFS, которое ранее было стабильно ограничено, в III квартале относительно расширится. OEM-производители не готовы поглощать более высокие затраты, и с учётом ослабления спроса на рынке готовой продукции ценовая власть поставщиков ослабилась, в результате чего контрактные цены на eMMC и UFS выросли умеренно.

На рынке NAND спрос со стороны розничных производителей накопителей, USB-флешек и карт памяти, остаётся невысоким. Производители модулей оперативной памяти тоже поддерживают закупки на низком уровне, потому что высокие издержки на этапе производства не получится в полной мере переложить на конечные рынки. Поставщики памяти продолжают отдавать приоритет распределению мощностей для высокорентабельных продуктов в области ИИ и серверов, ограничивая объём выпускаемых на открытый рынок пластин. Но спрос на пластину ослаб настолько, что в III квартале ожидается существенное снижение роста контрактных цен.

На выставке Computex 2026 компания AMD представила EXPO Ultra Low Latency — обновлённые профили разгона ОЗУ для систем на базе Ryzen. Компания заявила, что новые профили могут улучшить игровую производительность в среднем на 4 % по сравнению со стандартными профилями EXPO. AMD также предположила, что модули памяти с поддержкой EXPO ULL не должны стоить значительно дороже существующих модулей EXPO. Однако первые розничные предложения G.Skill показывают другую картину.

Репортаж с IEM Cologne Major 2026: Жаб Жабыч, триумф NiKo и главные сенсации мейджора по CS2

Выбираем лучший игровой ноутбук до 100 000 рублей: сравнительное тестирование 7 интересных моделей

Обзор Infinix GT 50 Pro: геймерский смартфон со встроенной СЖО

Обзор Ryzen 9 9950X3D2: правильный 16-ядерник с 3D-кешем

Умные помощники: обзор ИИ-сервисов для обработки изображений. Часть 2, актуализированная

Источник изображения: AMD

«AMD поняла со слов партнёров, что они рассчитывают выпустить их по тем же ценам, что и текущие комплекты», — Дэвид Макафи (David McAfee), генеральный менеджер подразделений Radeon и Ryzen в AMD.

Как сообщается, новые двухканальные комплекты памяти G.Skill Trident Z5 NeoX RGB в конфигурации 32 Гбайт DDR5-6000 с поддержкой EXPO ULL появились у ретейлера Newegg. Новинки предлагаются с таймингами CL26, CL28, CL30 и CL36. Вариант DDR5-6000 CL26 оценивается в $1099,99. Для сравнения комплект Trident Z5 Neo DDR5-6000 CL26 со стандартными профилями AMD EXPO там же предлагается за $699,99, что делает вариант NeoX на 57 % дороже.

Самая значительная разница в цене наблюдается у варианта Trident Z5 NeoX DDR5-6000 CL28, который оценивается в $999,99, тогда как комплект Neo со стандартными профилями EXPO — в $559,99. Разница в цене составляет 79 %.

Различия в ценах меньше у комплектов с более высокими задержками. Так, комплект Trident Z5 NeoX DDR5-6000 CL30 стоит $619,99, а вариант с обычными профилями EXPO — $544,44. Комплект Trident Z5 NeoX DDR5-6000 CL36 оценивается в $549,99, а вариант с обычными профилями EXPO — в $499,99.

Источник изображения: Newegg

Модули NeoX обеспечивают более низкие субтайминги. Если у обычных модулей с латентностью CL26, CL28 и CL30 значение tRAS составляет 96 циклов, то у NeoX — 32 цикла. У комплекта с первичными таймингами CL36 значение tRAS снижено с 96 до 76 циклов. Модули CL26 и CL28 в исполнении NeoX работают при напряжении 1,35 В, а соответствующие комплекты памяти с обычными профилями EXPO — при напряжении 1,45 и 1,40 В соответственно. У комплектов CL30 и CL36 рабочее напряжение осталось прежним — 1,35 В.

G.Skill заявила, что модули Trident Z5 NeoX используют AMD EXPO ULL с дополнительными настройками таймингов памяти. Компания также сообщила, что для включения этого профиля пользователям необходимы совместимая материнская плата и поддерживаемая версия BIOS.

Идея AMD была хорошей, но появилась в самое неподходящее время. Технология EXPO ULL может улучшить задержки, однако ценовые ожидания AMD оказались слишком оптимистичными. Производители памяти и розничные продавцы превратили её ещё в один премиальный сегмент.

В условиях дефицита чипы памяти превращаются из товара массового потребления в стратегически важный актив — клиенты стремятся заключать с производителями долгосрочные соглашения о поставках (LTA) компонентов NAND и DRAM. Американский производитель Micron объявил, что заключил 16 стратегических соглашений с клиентами (SCA), из которых 14 в сумме оцениваются в $100 млрд.

Обзор Ryzen 9 9950X3D2: правильный 16-ядерник с 3D-кешем

Умные помощники: обзор ИИ-сервисов для обработки изображений. Часть 2, актуализированная

Выбираем лучший игровой ноутбук до 100 000 рублей: сравнительное тестирование 7 интересных моделей

Репортаж с IEM Cologne Major 2026: Жаб Жабыч, триумф NiKo и главные сенсации мейджора по CS2

Обзор Infinix GT 50 Pro: геймерский смартфон со встроенной СЖО

Источник изображений: micron.com

«По 14 из 16 подписанных нами SCA совокупный доход при минимальной цене в соответствии с нашими контрактами в течение оставшегося срока действия соглашений составит приблизительно $100 млрд. В рамках подписанных нами на данный момент SCA мы прогнозируем получить денежные депозиты и связанные с ними финансовые обязательства на сумму $22 млрд», — заявили (PDF) в компании.

Другими словами, $100 млрд — это перспективная, но гарантированная выручка при условии, что клиенты выкупят минимально гарантированные объёмы продукции по минимальной цене. В действительности компания может заработать больше, если клиенты повысят объёмы закупок и/или будут платить более высокие цены. Micron ожидает, что подписавшие эти соглашения клиенты внесут предоплату или возьмут на себя эквивалентные финансовые обязательства, чтобы забронировать будущие поставки памяти.

Компания также уточнила, что подписала стратегические соглашения с четырьмя «очень крупными клиентами» и тремя «клиентами среднего размера» — то есть ранее эти клиенты не брали на себя обязательств по долгосрочным соглашениям. Контракты заключаются на пятилетний срок (если это не автопром, где стандартный срок составляет три года), с 2026 по 2030 календарный год.

В 2027 году предложение памяти на рынке останется недостаточным, отметила Micron, и только в 2028 году ситуация может начать постепенно улучшаться. Поэтому неудивительно, что клиенты компании готовы заключать долгосрочные соглашения по DRAM и NAND, чтобы гарантированно получить достаточные объёмы чипов памяти для своей продукции.

«Что касается поставок, наши клиенты понимают, что для устранения дефицита памяти и накопителей потребуется значительное время. Даже несмотря на то, что мы ожидаем постепенного улучшения отрасли в 2028 году, в настоящее время у нас нет чёткого представления, когда предложение памяти сможет догнать растущий спрос», — признался гендиректор компании Санджей Мехротра (Sanjay Mehrotra).

Обычно Micron и другие производители чипов памяти заключали долгосрочные соглашения только с крупнейшими клиентами, такими как Apple и Nvidia, и 16 стратегических соглашений — это очень много, что свидетельствует о смене бизнес-модели компании. Указанные 16 подписанных контрактов охватывают примерно 20 % объёма производства DRAM у Micron и 33 % объёма производства NAND в период до 2030 года. Компания может заключить и большее число подобных соглашений.

Спрос на ИИ-технологии повлёк за собой дефицит микросхем памяти, что в итоге привело к значительному подорожанию как оперативной памяти, так и твердотельных накопителей. Это в свою очередь привело к росту цен на потребительские электронные устройства, а в будущем может спровоцировать их дефицит.

Обзор Ryzen 9 9950X3D2: правильный 16-ядерник с 3D-кешем

Выбираем лучший игровой ноутбук до 100 000 рублей: сравнительное тестирование 7 интересных моделей

Умные помощники: обзор ИИ-сервисов для обработки изображений. Часть 2, актуализированная

Обзор Infinix GT 50 Pro: геймерский смартфон со встроенной СЖО

Репортаж с IEM Cologne Major 2026: Жаб Жабыч, триумф NiKo и главные сенсации мейджора по CS2

На этой неделе Apple объявила о повышении цен на MacBook и iPad, перекладывая на потребителей растущие затраты на память, сообщив при этом, что дефицит памяти представляет собой «беспрецедентную проблему».

Генеральный директор ретейлера Best Buy Джейсон Бонфиг (Jason Bonfig) заявил журналистам, что, как ожидается, больше всего пострадает от повышения цен его подразделение по продаже компьютеров.

Согласно прогнозу Ранджита Атвала (Ranjit Atwal), старшего директора-аналитика Gartner, резкий рост цен на память приведёт к сокращению в 2026 году мировых поставок персональных компьютеров на 10,4 % и смартфонов на 8,4 %. Gartner также прогнозирует рост цен на ПК год к году на 17 %, на смартфоны — на 13 %. Он отметил, что в отличие от предыдущих случаев роста цен на память, в этот раз наблюдается разница в масштабах роста, добавив, что компания прогнозирует, что цены останутся высокими в течение длительного времени.

Аналитик сообщил, что поначалу потребители могут даже не замечать повышение цен, поскольку большинство из них обновляет свои ноутбуки через четыре-пять лет и могут даже не помнить, сколько они заплатили раньше. Но в конечном итоге это обязательно скажется на них в ближайшее время.

Пока, по словам Бонфига, в Best Buy не заметили никаких признаков того, что потребители откладывают покупки из-за роста стоимости памяти или что он повлиял на их бюджеты.

Вместе с тем, в Gartner считают, что из-за роста цен потребители могут дольше пользоваться своими устройствами, что приведёт к изменениям в циклах обновления таких продуктов как смартфоны.

Ранее в этом месяце коалиция организаций, включая Национальную федерацию розничной торговли США (NRF), направила письмо в Министерство финансов и Министерство торговли США с просьбой изучить «срочный дисбаланс» микросхем памяти и потенциал «значительного и устойчивого повышения цен в краткосрочной перспективе» для потребителей, а также принять меры к защите «потребителей, работников и предприятия всех размеров» от влияния этого фактора.

Джон Голд (Jon Gold), вице-президент NRF, допустил, что нехватка микросхем памяти может также привести к дефициту потребительской электроники.

Компания Goodram возродила производство модулей памяти DDR4 объёмом 4 Гбайт, которые дополнят уже предлагаемую линейку с планками на 8, 16 и 32 Гбайт. Возвращение к выпуску столь малоёмких модулей обусловлено ажиотажным спросом на память со стороны поставщиков ИИ-серверов, который вызвал глобальный дефицит и рост цен.

Обзор Infinix GT 50 Pro: геймерский смартфон со встроенной СЖО

Репортаж с IEM Cologne Major 2026: Жаб Жабыч, триумф NiKo и главные сенсации мейджора по CS2

Умные помощники: обзор ИИ-сервисов для обработки изображений. Часть 2, актуализированная

Обзор Ryzen 9 9950X3D2: правильный 16-ядерник с 3D-кешем

Выбираем лучший игровой ноутбук до 100 000 рублей: сравнительное тестирование 7 интересных моделей

Источник изображения: IT Home

То, что раньше считалось минимальным объёмом, стало стандартной конфигурацией оперативной памяти в компьютерах. Многие модели ноутбуков и готовых ПК теперь поставляются с 8 Гбайт оперативной памяти в базовых конфигурациях.

Поскольку серверы для ИИ требуют большой объём памяти DRAM, у производителей, ориентированных на клиентский сегмент, выбор небольшой. На рынке, конечно же, предлагаются модули DDR5 объёмом 16, 32 Гбайт и более, но ценник на них исчисляется сотнями и даже тысячами долларов. Именно поэтому польский производитель памяти Goodram представивший линейку памяти Rival DDR4 Radiant, включил в неё модули объемом от 4 Гбайт в дополнение к версиям на 8, 16 и 32 Гбайт.

Согласно спецификациям, предоставленным IT Home, модуль оперативной памяти Goodram на 4 Гбайт будет работать на частоте 3200 МТ/с с задержкой CL16 или CL18, в зависимости от модели, при рабочем напряжении 1,2-1,35 В.

Как отметил IT Home, возобновление выпуска модулей ОЗУ на 4 Гбайт вовсе не отражает возросший спрос на память малой ёмкости, а связано с текущим состоянием рынка DRAM, из-за которого пользователи вынуждены довольствоваться памятью с меньшим объёмом.

Цены на чипы постоянной и оперативной памяти ещё долго не вернутся к прежним уровням, предупредила Lenovo на мероприятии ISC 2026, сообщает ComputerBase. Даже после значительного увеличения производственных мощностей они, вероятно, уже «никогда» не опустятся на уровень прошлого года, считает производитель.

Умные помощники: обзор ИИ-сервисов для обработки изображений. Часть 2, актуализированная

Обзор Infinix GT 50 Pro: геймерский смартфон со встроенной СЖО

Репортаж с IEM Cologne Major 2026: Жаб Жабыч, триумф NiKo и главные сенсации мейджора по CS2

Выбираем лучший игровой ноутбук до 100 000 рублей: сравнительное тестирование 7 интересных моделей

Обзор Ryzen 9 9950X3D2: правильный 16-ядерник с 3D-кешем

Источник изображений: computerbase.de

Слово «никогда» представитель компании произнёс с улыбкой и долей гротеска — оно относится к последующим пяти годам и, возможно, немного более позднему сроку, и это не жёсткий прогноз. В 2030 году может установиться «новая норма», предположили в Lenovo, и цены всё-таки будут значительно выше, чем в 2024 и 2025 годах. В этом прогнозе уже учтён масштабный ввод в эксплуатацию новых производственных мощностей, который начнётся в 2028 году. Прогноз Lenovo, однако, может оказаться точным, если учесть ситуацию у производителей памяти. SK hynix, например, хочет утроить производственные мощности к 2034 году — речь уже не идёт о повторении кризиса с низкими ценами в 2028 или 2030 году, каким он был в 2025 году. Корейским производителем движет убеждение, что спрос сохранится на высоком уровне.

Чтобы пережить кризис с дефицитом памяти, отмечает Lenovo, требуется тщательнее учитывать её объём при закупке систем. До прошлого года производители серверов часто указывали большие объёмы памяти, но сейчас это не всегда возможно; во многих случаях лучшим вариантом могут оказаться системы с ускорителями на графических процессорах, указывает производитель, — они могут потреблять и системную память, но чаще в меньших объёмах, чем центральные процессоры. А вот для двухпроцессорной системы с 32 слотами памяти едва ли получится обойтись объёмом менее 1 Тбайт.

В качестве предпочтительной модели Lenovo демонстрирует решения Nvidia GB200 на базе NVL4 — у них суммарный объём памяти составляет около 1 Тбайт, и это сочетание LPDDR5 на двух центральных процессорах и по 186 Гбайт HBM3e на каждом из четырёх графических. То есть двум процессорам выделяются всего около 240 Гбайт оперативной памяти или по 120 Гбайт на каждый, хотя Nvidia всё ещё говорит о 480 Гбайт LPDDR5X на двухъядерных конфигурациях Grace. Это относительно немного и почти неслыханно для новых современных серверов. Раньше Nvidia хотела устанавливать максимум памяти на системы с процессорами Vera, но теперь они поставляются с уменьшенным вдвое объёмом — 768 Гбайт вместо 1,5 Тбайт. В зависимости от объёма возникает возможность сэкономить значительные суммы денег, сократив в стоечном NVL72 ёмкость SOCAMM с 55 до 28 Тбайт.

Президент США Дональд Трамп (Donald Trump), который уже многое успел сделать на своём посту, едва ли захочет нанести ещё один удар по кошелькам потребителей. Но у политических сил почти нет рычагов воздействия, которые помогли бы решить проблему дефицита памяти — из-за неё повысить цены решила даже Apple, напоминает Wall Street Journal.

Выбираем лучший игровой ноутбук до 100 000 рублей: сравнительное тестирование 7 интересных моделей

Обзор Ryzen 9 9950X3D2: правильный 16-ядерник с 3D-кешем

Обзор Infinix GT 50 Pro: геймерский смартфон со встроенной СЖО

Репортаж с IEM Cologne Major 2026: Жаб Жабыч, триумф NiKo и главные сенсации мейджора по CS2

Умные помощники: обзор ИИ-сервисов для обработки изображений. Часть 2, актуализированная

Источник изображений: samsung.com

Чипы постоянной и оперативной памяти производят не так много компаний, и на строительство новых заводов уходят годы. Доминируют в отрасли корейские Samsung и SK hynix, а также американская Micron. Значительная часть их мощностей зарезервирована для обслуживания отрасли искусственного интеллекта в ущерб производителям потребительской электроники. Американские власти решили выделить несколько десятков миллиардов долларов на поддержку расширения полупроводникового производства в США — в программу вошли субсидии на строительство двух заводов Micron, но первый из них откроется лишь в середине следующего года, а второй начнёт выпускать продукцию в 2030 году.

Наученные предшествующими циклами подъёма и спада крупные производители чипов памяти стали осторожными в отношении нового избытка предложения, поэтому и на расширение производства они направляют не так много средств. Это касается не только производителей оперативной памяти, но и тех, кто выпускает постоянную флеш-память — в частности, Kioxia и Sandisk. Компании сохраняют осторожность даже при наличии успешных финансовых показателей — у Micron валовая прибыль взлетела до 80 %. Сейчас рыночная капитализация SK hynix составляет более $1 трлн, но ещё в 2023 году она наряду с Samsung и Micron теряла миллиарды долларов и сокращала производство — тогда в отрасли был спад. Micron тогда же сократила 15 % своих работников.

Вскоре после этого случился бум ИИ, которому сопутствовал взрывной рост спроса на чипы памяти, подходящие для работы в обучающем ИИ оборудовании. Американские власти приложили немалые усилия, чтобы создать стимулы для развития полупроводниковой отрасли в стране. Президент Трамп мог бы обязать производителей чипов памяти выделять определённый процент продукции на потребительские технологические продукты. Но, считают руководители отрасли и аналитики, это будет непросто обеспечить, и такое распоряжение может спровоцировать дефицит в других сегментах рынка.

Тем временем активно развиваются китайские конкуренты: CXMT, которая выпускает DRAM; и YMTC, которая производит NAND. Обе стремятся расширить свою глобальную клиентуру. Китай смог бы частично решить проблему дефицита чипов. YMTC уже строит три новых завода в Китае, и к концу 2027 года её мощности вырастут вдвое. CXMT тоже строит новые заводы и намеревается привлечь $4 млрд с выходом на биржу в Шанхае. По итогам I квартала 2026 года её выручка подскочила на 700 % год к году. Нормы национальной безопасности США затрудняют сотрудничество американских компаний с китайскими производителями памяти — мера направлена на защиту американских технологических секретов, а также на поддержку Micron, Samsung и SK hynix.

Micron выступает за дальнейшее ужесточение этих норм. Но из-за дефицита памяти некоторые крупные бренды потребительской электроники уже стали обращаться к американским властям с просьбами ослабить ограничения на сотрудничество с Китаем, а также хотят, чтобы США упростили Samsung и SK hynix наращивание производства в Китае.

Глава Apple Тим Кук (Tim Cook) недавно выразил мнение, что «следует рассмотреть все варианты политики». Ещё в 2022 году компания хотела сделать YMTC своим поставщиком памяти, но была вынуждена отказаться от инициативы из-за давления со стороны законодателей. А крупные производители ПК, в том числе HP, уже ведут переговоры с партнёрами на предмет закупки памяти на чипах CXMT для продукции, которая будет поставляться в Азию.

Исследователи из Университета штата Орегон разработали цифровое запоминающее устройство, которое объединяет датчики, память и обработку сигналов внутри одного фототранзистора, потенциально снижая энергопотребление будущего оборудования ИИ. Устройство способно имитировать важнейшую способность человеческого мозга: сохранять важные воспоминания и со временем избавляться от ненужной информации.

Обзор Ryzen 9 9950X3D2: правильный 16-ядерник с 3D-кешем

Обзор Infinix GT 50 Pro: геймерский смартфон со встроенной СЖО

Репортаж с IEM Cologne Major 2026: Жаб Жабыч, триумф NiKo и главные сенсации мейджора по CS2

Умные помощники: обзор ИИ-сервисов для обработки изображений. Часть 2, актуализированная

Выбираем лучший игровой ноутбук до 100 000 рублей: сравнительное тестирование 7 интересных моделей

Источник изображения: unsplash.com

Современное оборудование для ИИ разделяет функции восприятия, памяти и обработки — ключевые задачи машинного восприятия — между отдельными компонентами, поэтому данные должны постоянно передаваться между ними. Эта передача потребляет энергию и снижает эффективность. Новое устройство решает эту проблему и переносит некоторые функции памяти и обработки непосредственно в датчик света. Это достигается с помощью фототранзистора, изготовленного из двух разных материалов.

Оксидный полупроводник образует канал транзистора, по которому протекает ток. Сверху находится фоточувствительный органический слой, поглощающий свет и генерирующий электрические заряды. Когда свет попадает на устройство, часть зарядов захватывается фоточувствительным слоем. Даже после исчезновения света захваченные заряды продолжают влиять на ток, протекающий через полупроводниковый канал. По сути, устройство сохраняет память об оптическом сигнале, который оно ранее обнаружило.

Авторы особо отмечают, что разработанная ими память не статична. Подавая электрическое напряжение на затвор, исследователи могут изменять положение захваченных зарядов относительно канала транзистора. Когда заряды перемещаются ближе к каналу, их эффект усиливается, и память сохраняется дольше. Когда они перемещаются дальше, эффект ослабевает, и память быстрее исчезает.

Такое поведение отдалённо напоминает то, как биологический мозг регулирует память. В мозге химические сигналы влияют на то, будет ли память подкрепляться или ей будет позволено исчезнуть. В представленном устройстве электрический сигнал выполняет аналогичную роль, обеспечивая аппаратному обеспечению программируемый срок службы памяти. Такая память может быть особенно полезна для нейроморфных вычислений, смоделированных на основе биологических нейронных сетей.

В системах машинного зрения такой тип памяти позволит фильтровать, взвешивать и временно сохранять визуальную информацию до того, как она достигнет обычного процессора. Роботу, дрону, камере видеонаблюдения или автономной системе не требуется сохранять каждый визуальный сигнал навсегда. Изменяя срок хранения той или иной информации можно существенно повысить эффективность использования устройств.

По словам разработчиков, их «оптоэлектронное устройство представляет собой новую аппаратную возможность, которая может обеспечить более эффективную обработку информации непосредственно на уровне датчика».