Опрос
|
реклама
Быстрый переход
Samsung закрыла приём заказов на LPDDR4/4X и направит освободившиеся мощности на выпуск 1c DRAM
19.04.2026 [08:11],
Дмитрий Федоров
Samsung Electronics официально прекратила приём новых заказов на мобильную DRAM стандартов LPDDR4 и LPDDR4X: оба продукта, находившиеся в массовом производстве более десяти лет, подошли к концу своего жизненного цикла (EOL). Переоснащение соответствующих производственных линий ожидается в I квартале 2027 года — это ускорит переход Samsung к более современным технологиям. 
Источник изображения: semiconductor.samsung.com Решение затрагивает собственное мобильное подразделение Samsung MX и чипмейкеров — в частности, Qualcomm, — часть решений которых работает на LPDDR4/4X. Клиентам, успевшим сформировать складские запасы, предстоит пересмотреть долгосрочные планы закупок. Остановка производства LPDDR4/4X задержалась из-за стабильно высокого спроса со стороны клиентов. LPDDR4 и LPDDR4X выпускались восемь–десять лет и стали базовыми решениями для большинства смартфонов, планшетов и ноутбуков. Серия LPDDR отличалась низковольтным дизайном и превосходила стандартную DRAM по энергоэффективности. Переход на LPDDR5 обусловлен разрывом в производительности: максимальная скорость передачи данных нового стандарта — 6,4 Гбит/с, что на 50 % выше потолка LPDDR4X в 4,3 Гбит/с. По мере исчерпания запасов LPDDR4X Samsung намерена полностью перейти на LPDDR5. Разрыв уже проявляется на уровне устройств: процессор Exynos 1330 поддерживает оба стандарта, и разные партии смартфонов Galaxy A17 могут выйти с разными спецификациями памяти. Часть клиентов форсирует разработку чипов следующего поколения, чтобы успеть к исчерпанию запасов LPDDR4/4X. Производитель автомобильных чипов Telechips, который специализируется на полупроводниках для систем ADAS и IVI, переориентировал разработку с LPDDR4/4X на LPDDR5/LPDDR5X по запросу клиентов. Samsung параллельно переоснащает остановленные производственные линии на которых выпускалась память 2D NAND-флеш и перепрофилирует их под выпуск 1c DRAM, которая остаётся главным узким местом мощностей компании. Перевод LPDDR4/4X в статус конца жизненного цикла вписывается в стратегию концентрации ресурсов на передовых технологических нормах, которые станут ключевыми индикаторами конкурентоспособности Samsung в сегменте памяти. Samsung, SK Hynix и Micron покроют лишь 60 % мирового спроса на DRAM, а дефицит продлится до 2027 года
19.04.2026 [06:54],
Дмитрий Федоров
Дефицит памяти затронет производителей смартфонов и автопром. Samsung Electronics, SK Hynix и Micron Technology наращивают производство DRAM в темпе, который покроет лишь 60 % спроса. Новые фабрики вводятся в эксплуатацию с задержками, а все три компании сосредоточились на производстве HBM для ИИ-чипов. Дефицит памяти начался осенью 2025 года, а цены на неё за I квартал 2026 года выросли примерно на 90 %. 
Источник изображения: Laura Ockel / unsplash.com На три компании приходится около 90 % мирового рынка памяти DRAM, и только они производят HBM. Samsung запустит четвёртый завод в Пхёнтхэке в 2026 году, но серийное производство начнётся не раньше 2027 года: часть мощностей займут логические чипы. Пятый завод там же строится под HBM и заработает не раньше 2028 года. Глава подразделения памяти Ким Чжэ Чжун (Kim Jae-june) в январе признал, что прирост предложения в 2026–2027 годах будет незначительным. SK Hynix в феврале открыла HBM-завод в Чхонджу — пока единственный ввод мощностей среди трёх лидеров, способный увеличить предложение в 2026 году. Строительство второго предприятия в Йонъине под Сеулом ускорено: завершение перенесено на февраль 2027 года, на 3 месяца раньше графика. Председатель SK Group Чхэ Тхэ Вон (Chey Tae-won) в середине марта допустил, что дефицит ИИ-памяти затянется до 2030 года из-за нехватки пластин и физических ограничений на быстрое наращивание производства. 
Мировой рынок DRAM почти полностью сосредоточен в руках Samsung Electronics, SK Hynix и Micron Technology, которые вместе контролируют около 90% рынка. Источник изображения: trendforce.com Micron запустит производство HBM в Айдахо и Сингапуре в 2027 году, в мае приступит к строительству завода в японской префектуре Хиросима — серийный выпуск там намечен на 2028 год. В январе компания договорилась о покупке предприятия на северо-западе Тайваня у Powerchip Semiconductor Manufacturing Corp — продукция поступит на рынок во II полугодии 2027 года. По расчётам Counterpoint Research, для преодоления дефицита отрасль должна ежегодно наращивать производство на 12 % до 2027 года, тогда как текущие планы дают лишь 7,5 %. Достижение баланса директор по исследованиям Counterpoint МС Хван (MS Hwang) прогнозирует не раньше 2028 года. Нестабильность на Ближнем Востоке дополнительно давит на себестоимость памяти — растут цены на электроэнергию и сырьё. Дефицит сказывается и на смежных отраслях. Память формирует около 20 % себестоимости бюджетных смартфонов; к середине 2026 года эта доля может вырасти почти до 40 %. Продажи смартфонов в 2026 году сократятся на 13 %, прогнозирует IDC, производители автокомпонентов уже испытывают трудности с поставками. В условиях избытка предложения цены на обычную память способны резко упасть — именно это произошло в 2023 году после угасания постпандемийного спроса. Kioxia зафиксировала рекордный убыток, Micron и SK Hynix завершили год в минусе. Kioxia рассматривает строительство третьего завода, но сроков пока не называет. Asus подтвердила, что её платы способны работать с половинчатыми DDR5 HUDIMM
19.04.2026 [01:03],
Николай Хижняк
Компания Asus экспериментирует с памятью DDR5 HUDIMM с одним 32-битным субканалом на своих материнских Intel 600-й, 700-й и 800-й серий. Об этом рассказал член научно-исследовательской группы Asus ROG Бинг Лин (Bing Lin). Он показал, как эта концепция работает на материнской плате ROG Maximus Z890 Apex. Ранее концепт памяти DDR5 HUDIMM представила компания ASRock. 
Источник изображений: Asus ROG / Bing Lin Со слов Лина, в демонстрации участвовали два модифицированных модуля памяти DDR5 по 24 Гбайт, каждый из которых был ограничен одним субканалом, из-за чего система показывала общий объём памяти 24 Гбайт вместо 48 Гбайт. Лин также показал модуль TeamGroup ёмкостью 8 байт с одним субканалом, работающий на той же платформе Z890 Apex. По словам Лина, ранее он уже тестировал аналогичную идею, маскируя часть модуля и отключая половину каналов в BIOS, но на этот раз компания протестировала специально разработанный модуль DIMM с одним 32-битным субканалом.  Стандартный модуль памяти DDR5 разделён на два независимых 32-битных субканала. В свою очередь запатентованная технология HUDIMM от ASRock предлагает использовать только один 32-битный субканал. По словам представителей ASRock, это позволяет вдвое сократить количество микросхем в модуле, что вместе с производительностью снизит производственные затраты и конечную цену таких модулей для потребителей. Партнёром по разработке памяти выступила компания TeamGroup, а в пресс-релизе ASRock приводится цитата вице-президента и генерального менеджера по техническому маркетингу клиентского сегмента Intel Роберта Хэллока (Robert Hallock), который поддерживает эту концепцию для платформ Intel серий 600-й, 700-й и 800-й серий.  В сообщении Бинг Лина из Asus следует обратить внимание на два момента. В отличие от ASRock, компания Asus лишь подтверждает, что работает над поддержкой этого типа памяти. Неизвестно, будет ли Asus сотрудничать с производителями памяти и внедрять поддержку на актуальной платформе LGA 1851.  Кроме того, для демонстрации Asus выбрала дорогую оверклокерскую плату ROG Maximus Z890 Apex. Возможно, это связано с тем, что последняя рассчитана на установку только двух модулей ОЗУ, что делает её более подходящей для демонстрации такого типа памяти и того, на что ещё способна эта платформа. ASRock вместе с TeamGroup придумали новый тип модулей памяти DDR5 — HUDIMM для дешёвых ПК
18.04.2026 [11:13],
Павел Котов
Материнские платы ASRock на чипсетах Intel 600/700/800 получили поддержку памяти DDR5 HUDIMM с одним 32-битным субканалом, сообщила компания. Это позволит удешевить модули оперативной памяти нового поколения, хотя и снизит их производительность. 
Источник изображений: asrock.com Производитель обратил внимание, что на рынке сформировался высокий спрос на недорогие модули памяти DDR5, и новая технология HUDIMM обеспечит гибкость и невысокую стоимость для производителей готовой продукции, сообщили в ASRock. Компания уже заручилась поддержкой производителей модулей памяти, которые помогут в массовом выводе на рынок компонентов HUDIMM с одним субканалом.  В Intel инициативу восприняли положительно, указав, что она поможет нарастить продажи DDR5, что актуально в условиях мирового дефицита чипов памяти и сопутствующего ему роста стоимости готовых компонентов. Технология оперативной памяти с одним субканалом поможет вдвое сократить число чипов на модуле, что благотворно скажется на его цене и будет способствовать удовлетворению спроса, добавили в TeamGroup.  Стандартная реализация оперативной памяти DDR5 предусматривает архитектуру с двумя 32-битными субканалами, что помогает раскрыть производительность модулей большого объёма, и это неактуально в сложившихся условиях на рынке ПК, отметили в ASRock. Поддержка модулей с одним субканалом в некоторых конфигурациях будет способствовать и росту производительности систем: на материнской плате ASRock H610M COMBOII пропускная способность с модулем на 8 Гбайт с одним субканалом и модулем на 16 Гбайт с двумя субканалами будет выше, чем у одного модуля на 24 Гбайт с теми же двумя субканалами. Наконец, в сегменте DeskMini компания ASRock также реализовала поддержку модулей с одним субканалом — это уже формат HSODIMM DDR5. Apple не успевает за ИИ-бумом: компьютеры Mac стали дефицитным товаром, а некоторые версии и вовсе пропали с прилавков
18.04.2026 [10:04],
Дмитрий Федоров
Mac Mini и Mac Studio с большим объёмом оперативной памяти исчезли из продажи на Apple.com и в розничных сетях, а доставка остальных комплектаций растянулась до 12 недель. Дефицит вызван всплеском спроса со стороны пользователей ИИ-агентов, которые превратили самый компактный настольный компьютер Apple в платформу для локального запуска больших языковых моделей. 
Источник изображений: apple.com На Apple.com базовый Mac Mini на процессоре M4 с 32 Гбайт оперативной памяти от $999 и версии на M4 Pro с 64 Гбайт от $1999 отмечены как currently unavailable. Остальные комплектации отгружаются через месяц, а отдельные — через 12 недель. У Mac Studio та же картина: модели с большим объёмом памяти от $3499 недоступны, бюджетные варианты задерживаются до 12 недель. В прошлом месяце Apple убрала максимальную комплектацию Mac Studio с 512 Гбайт, ранее представленную как рекордную для персонального компьютера. При этом MacBook Pro с 128 Гбайт от $5099 доставляется в начале мая, а большинство остальных Mac — через несколько дней после заказа. По данным Consumer Intelligence Research Partners (CIRP), Mac Mini занимал около 3 % продаж Mac в штучном выражении на рынке США в прошлом году, Mac Studio — менее 1 %. За полгода Mac Mini стал платформой для постоянно работающих ИИ-агентов вроде OpenClaw. Он оказался дешёвым способом запускать большие языковые модели, потребляющие десятки гигабайт оперативной памяти, и обходить квоты облачных сервисов.  Вице-президент компании International Data Corporation (IDC) Франсиско Херонимо (Francisco Jeronimo) считает, что Apple застигло врасплох число покупателей Mini для OpenClaw, и предсказать это несколько месяцев назад было невозможно. Сооснователь компании Consumer Intelligence Research Partners (CIRP) Майкл Левин (Michael Levin) добавил, что сроки поставок Mac Mini длиннее, чем принято думать, а наращивать запасы нишевого устройства Apple не станет, потому что есть риск остаться с нераспроданным товаром на год и дольше. Версию с подготовкой к обновлению поддерживает старший аналитик компании Counterpoint Минсу Кан (Minsoo Kang). Текущая модель Mac Mini на M4 вышла в октябре 2024 года, Mac Studio обновился в марте 2025-го, а настольные Mac на процессорах M5, уже применяемых в MacBook, пока не были представлены. Ведущий аналитик Omdia Кирен Джессоп (Kieren Jessop) возражает, что перед запуском новых устройств доступность обычно снижается по всем комплектациям, а не только по топовым, что скорее подтверждает версию о непредвиденном спросе. По данным IDC нехватка чипов памяти уже негативно сказалась на продажах персональных компьютеров (ПК) и смартфонов. Однако Джессоп считает причину дефицита памяти для Apple маловероятной, потому что компания встраивает оперативную память в собственные процессорные сборки и закупает её не из того же пула, что заказчики из ИИ-сферы. Если бы Apple испытывала дефицит, перебои затронули бы гораздо более широкий сегмент её модельного ряда, подчёркивает он. По мнению Херонимо, если даже Apple не может получить память, тогда её не получит никто. Вероятнее всего, дефицит Mac Mini и Mac Studio с большим объёмом оперативной памяти объясняется совокупностью всех факторов, а сроки отгрузки в 10–12 недель могут указывать на скорый выход обновлённых моделей. AMD объявила, когда её процессоры получат поддержку памяти LPDDR5X SOCAMM2
16.04.2026 [17:56],
Николай Хижняк
Компания AMD сообщила, что поддержка оперативной памяти стандарта LPDDR5X SOCAMM2 линейкой серверных процессоров EPYC начнётся с серии Verano, которая будет выпущена в 2027 году, а не с Venice, ожидаемой в 2026 году. 
Источник изображений: AMD В сообщении в своём блоге от 6 апреля компания написала, что семейство процессоров EPYC 6-го поколения будет поддерживать память DDR5 RDIMM и MRDIMM, а Verano станет первым серверным процессором AMD, который добавит в линейку EPYC поддержку LPDDR5X SOCAMM2. AMD позиционирует Venice в качестве своей следующей основной платформы EPYC в 2026 году, но переход на SOCAMM2 на базе LPDDR5X запланирован на более поздний срок. AMD также заявляет, что чипы Verano будут использоваться в её серверных стойках для ИИ вместе с графическими процессорами Instinct нового поколения. «Семейство серверных процессоров AMD EPYC 6-го поколения будет поддерживать память DDR5 RDIMM и MRDIMM, соответствующую отраслевым стандартам. Кроме того, будут выпущены процессоры с поддержкой новой памяти на базе LPDDR5x SOCAMM2. На рынке серверов AMD планирует впервые поддержать память LPDDR5X SOCAMM2 в процессорах AMD EPYC 6-го поколения под кодовым названием Verano, которые выйдут в 2027 году. Verano станет оптимизированным хост-процессором для будущих поколений графических процессоров AMD Instinct и будет использовать память LPDDR5X SOCAMM2 для обеспечения оптимального соотношения производительности и энергопотребления в стоечных решениях для искусственного интеллекта от AMD. Ожидается, что такое сочетание пропускной способности, энергоэффективности и ремонтопригодности сделает компоненты LPDDR5X SOCAMM2 ценным дополнением к инфраструктуре искусственного интеллекта и центров обработки данных следующего поколения», — AMD.  SOCAMM2 представляет собой модульный формат серверной памяти на базе технологии энергоэффективной памяти LPDDR5X. Он предназначен для систем искусственного интеллекта и центров обработки данных, где пропускная способность, плотность размещения и энергопотребление влияют на конструкцию серверной стойки. По словам представителей компании Micron, одного из крупнейших производителей памяти, их новейший модуль SOCAMM2 имеет ёмкость 256 Гбайт и предлагает на 33 % более высокую плотность размещения при сохранении тех же размеров по сравнению с памятью предыдущего поколения. SOCAMM2 представляет собой модульный формат серверной памяти на базе технологии энергоэффективной памяти LPDDR5X. Он предназначен для систем искусственного интеллекта и центров обработки данных, где пропускная способность, плотность размещения и энергопотребление влияют на конструкцию серверной стойки. По словам представителей компании Micron, одного из крупнейших производителей памяти, их новейший модуль SOCAMM2 имеет ёмкость 256 Гбайт и предлагает на 33 % более высокую плотность размещения при сохранении тех же размеров по сравнению с памятью предыдущего поколения. Lexar: геймеры готовы жертвовать объёмом оперативной памяти, но не SSD
15.04.2026 [17:12],
Павел Котов
Из-за бума искусственного интеллекта в мире установился дефицит чипов памяти DRAM и NAND, который оказал влияние на рынок комплектующих для игровых систем. Чтобы уложиться в бюджет, геймеры иногда соглашаются откладывать покупки или производить сборку с более скромными техническими характеристиками. Но, как выяснили в компании Lexar, покупатели охотнее идут на компромиссы в отношении одних параметров, чем других.  Об этом рассказала генеральный менеджер Lexar Europe Грейс Су (Grace Su). В условиях дефицита компания усилила производство карт памяти, планок оперативной памяти и твердотельных накопителей меньшего объёма, чтобы предложить потребителям продукцию в соответствии с бюджетом. Но впоследствии производитель с удивлением обнаружил, что если комплекты оперативной памяти и карты памяти стали продаваться в соответствии с прогнозами, то спрос на SSD ёмкости 256 и 512 Гбайт оказался ниже ожидаемого. Конечные покупатели просто отказываются приобретать SSD объёмом менее 1 Тбайт — в отдельных случаях они даже изъявляют готовность вернуться к жёстким дискам, но не сокращать объём накопителя. Объясняется это, видимо, психологическим барьером — новой приставкой в единицах измерения информации при переходе от 512 Гбайт к 1 Тбайт, хотя у многих покупателей в обоих случаях SSD будет занят одной «вечной игрой», например, Call of Duty: Warzone. В сегменте карт памяти покупатели свободно идут на компромиссы — спрос на модели с 32 и 64 Гбайт вырос, хотя в начале минувшего года в продажах лидировали варианты на 128 и 256 Гбайт. Примечательно также, что SSD поколения PCIe 5.0 считаются слишком дорогими, и на них приходятся менее 10 % продаж; покупатели чаще всего выбирают модели с PCIe 4.0, а старые с PCIe 3.0 вообще почти не рассматриваются — хотя на практике время загрузки игр практически не отличается для SSD вариантов NVMe и SATA. Установившийся дефицит, похоже, в ближайшее время не закончится — госпожа Су заявила, что в Lexar ожидают сохранения рыночных условий в долгосрочной перспективе, а в сегменте хранения данных вообще настала «новая эра». Физик из Албании разработал флеш-память в 100 000 раз более плотную, чем лучшие современные решения
14.04.2026 [10:21],
Геннадий Детинич
Независимый исследователь Илия Толи (Ilia Toli) опубликовал на Zenodo препринт работы, в котором рассказал о создании модели и прототипа сверхплотной энергонезависимой памяти. Разработка также призвана решить проблему узкого места, которое память занимает в современных вычислительных архитектурах: скорость процессоров растёт, а пропускная способность памяти отстаёт. Учёный продвигает новую память самостоятельно, надеясь на интерес производителей. 
Источник изображения: ИИ-генерация Grok 4/3DNews В основе технологии лежит однослойный флюорографан (CF) — полностью фторированный графен, где каждый атом фтора выступает в роли переключателя бита, способного условно бесконечно оставаться в одном из двух стабильных состояний по отношению к углеродному каркасу, в который он помещён. Моделирование показало, что переключение требует энергии около 4,6–4,8 эВ (электронвольт). Это ниже энергии разрушения связи углерод—фтор (5,6 эВ), что делает связь C–F стабильной в процессе работы (циклов переключения) ячейки памяти. На одной плоскости структуры флюорографана (в научной литературе принято писать «флюорографен», но автор ввёл новый термин) можно будет записать 447 Тбайт данных на 1 см2 без последующих затрат энергии на удержание бита. В случае объёмной структуры плотность записи может достигать 0,4–9 зеттабайта на 1 см3. Собственно, автор представил многоуровневую архитектуру чтения/записи. В прототипе реализован одноуровневый подход на основе сканирующего зонда. В случае многоуровневой структуры разрабатывается беспроводной интерфейс на базе инфракрасного излучения среднего диапазона в ближнем поле. Модель контроллера обещает обеспечить совокупную пропускную способность до 25 Пбайт/с. Прототип, по словам автора, уже демонстрирует работоспособность и по плотности превосходит существующие технологии записи более чем на пять порядков. Препринт пока не прошёл рецензирование и публикуется на независимом ресурсе, однако уже вызвал активное обсуждение на таких технических площадках, как Hacker News, Reddit и других. Технология позиционируется как «посттранзисторная», способная радикально изменить индустрию хранения данных. Дальнейшая судьба идеи зависит от перспектив масштабирования производства больших листов флюорографана и интеграции в промышленные процессы, но уже сейчас она на уровне теории демонстрирует прорыв в плотности энергонезависимой памяти, а это всегда интересно. Sandisk намерена начать опытный выпуск передовой памяти HBF до конца года
13.04.2026 [08:07],
Алексей Разин
Производители совершенствуют технологии выпуска не только оперативной, но и твердотельной памяти. Sandisk, которая является одним из ключевых разработчиков HBF, намерена до конца текущего года построить в Японии пилотную линию по производству памяти этого типа, а в промышленных масштабах начать выпуск уже в 2027 году. 
Источник изображения: Sandisk Как сообщает ETNews, компания уже приступила к поиску материалов, компонентов и оборудования, которое будет использовать при производстве HBF — нового типа NAND, который подразумевает вертикальную компоновку по примеру HBM. Экспериментальная линия в Японии может быть установлена в следующем полугодии, а первые образцы HBF с её помощью Sandisk рассчитывает получить до конца текущего года. Если всё пойдёт по плану, Sandisk может освоить массовый выпуск HBF примерно на полгода быстрее обещанного ранее. При производстве HBF будет использоваться часть оборудования, подходящего для выпуска HBM, равно как и некоторые технологии. В этом смысле с поиском поставщиков материалов и оборудования для производства HBF проблем возникнуть не должно. Китайские производители памяти также готовятся начать выпуск HBF, поэтому конкуренция на рынке обещает быть острой. В сфере стандартизации HBF поддержку Sandisk оказывает конкурирующая SK hynix. Пик спроса на HBF, как ожидается, придётся на 2030 год. Интерес к производству HBF проявляет и Samsung Electronics, которая над разработкой такой памяти трудится с начала текущего десятилетия. Впрочем, в отличие от SK hynix, этот южнокорейский производитель пока не спешит делать громкие заявления касательно сроков появления HBF на рынке. Принято считать, что HBF позволит размещать большие объёмы данных в непосредственной близости от GPU, ускоряя работу с ИИ-моделями в задачах инференса. Если по уровню быстродействия HBF уступает HBM, то по ёмкости она превосходит её до 16 раз. По сути, в 16-ярусном стеке HBF можно хранить до 512 Гбайт информации. Если окружить GPU восемью такими стеками, то объём памяти вырастет до 4 Тбайт. Спрос на подобные решения будет расти по мере того, как сфера искусственного интеллекта переходит от обучения больших языковых моделей к инференсу. Исследователи объяснили, что алгоритм Google TurboQuant не снизит спрос на память, а наоборот, усилит его
12.04.2026 [14:09],
Дмитрий Федоров
Сильная предварительная оценка прибыли Samsung Electronics за I квартал 2026 года ослабила опасения инвесторов, что алгоритм Google TurboQuant ударит по спросу на южнокорейские микросхемы памяти для ИИ. Компания ждёт, что прибыль за 3 месяца превысит результат всего прошлого года. 
Источник изображения: Berin Holy / unsplash.com Samsung объяснила прогноз «беспрецедентным суперциклом» на рынке чипов памяти и не увидела признаков того, что память перестаёт быть ограничивающим фактором для компаний, работающих с ИИ. Прогноз почти поднял акции Samsung к историческим максимумам и ослабил напряжение, державшееся 2 недели после публикации Google Research в конце марта. Запись в блоге Google описывала TurboQuant как технологию, способную резко сократить объём памяти, необходимой ИИ-системам. После публикации в прошлом месяце акции Samsung и SK Hynix резко снизились. Спор сосредоточился на будущем спроса на память с высокой пропускной способностью, которую обе компании выпускают для ИИ-серверов. Часть инвесторов считает, что подъём на рынке памяти сменится спадом. Другие ждут ограниченного эффекта. Третьи исходят из обратного сценария: если TurboQuant удешевит использование ИИ, это расширит спрос на такие системы и поддержит спрос на микросхемы. 
После снижения в конце марта на фоне публикации Google о TurboQuant акции Samsung восстановились в начале апреля после прогноза рекордной прибыли за I квартал. Источник изображения: Bloomberg Профессор сеульского Университета Сонгюнгван Квон Сок Чжун (Kwon Seok-joon) оценил возможное снижение затрат памяти на использование больших языковых ИИ-моделей при применении TurboQuant в 4-8 раз. На первый взгляд, по его словам, это угрожает спросу на память с высокой пропускной способностью. Но одновременно удешевление вывода делает экономически оправданными вычислительные нагрузки, которые раньше были слишком дорогими, включая помощников по программированию и одновременную работу нескольких ИИ-агентов. Это повысит спрос на вычислительные ресурсы. Аналитики и исследователи всё чаще связывают возможный эффект TurboQuant с парадоксом Джевонса: рост эффективности увеличивает общее потребление ресурса. Экономист Уильям Стэнли Джевонс (William Stanley Jevons) писал в книге «Угольный вопрос», вышедшей в 1865 году, что более совершенная паровая машина Джеймса Уатта увеличила потребление угля, поскольку сделала такие технологии экономически оправданными в гораздо большем числе областей. Один из исследователей, чьи работы легли в основу TurboQuant, Хан Ин Су (Han In-su) сказал Financial Times, что алгоритм может открыть путь к задачам, которые раньше оставались недостижимыми: обработке гораздо более длинных контекстов при ограниченной памяти без потери точности и созданию высокопроизводительных ИИ-систем на более компактных устройствах. 
Источник изображения: Steve A Johnson / unsplash.com Аналитик Mirae Asset Securities Ким Ён Гон (Kim Young-gun) сравнил ситуацию с распространением Kubernetes — разработанной Google технологии контейнеризации, позволившей запускать несколько приложений на одном сервере и заметно повысившей эффективность вычислительного оборудования. Когда технология широко распространилась в конце 2010-х годов, рынок тоже опасался падения спроса на серверы и память. На практике снижение затрат привело к более широкому использованию инфраструктуры. Рэй Ван (Ray Wang) из SemiAnalysis заявил, что рынок во многом неверно понял значение TurboQuant. По его оценке, по мере развития ИИ-моделей и технологий спрос на память будет расти и при обучении, и при выводе. Возможный удар по южнокорейским производителям микросхем, по его словам, смягчит растущая роль долгосрочных договоров, поскольку поставщики ИИ-услуг стремятся заранее закрепить за собой объёмы поставок. Из-за этого цены по таким договорам становятся важнее цен по разовым сделкам. На ежегодном собрании Samsung в прошлом месяце один из двух генеральных директоров компании Чун Ён Хён (Jun Young-hyun) сказал, что компания добивается трёх— и пятилетних договоров с крупными клиентами вместо квартальных и годовых. Пока TurboQuant остаётся концепцией из записи в блоге. Практический эффект технологии станет яснее после её представления в конце апреля в Бразилии на Международной конференции, где её смогут проверить специалисты вне Google. Хан признал, что исследователи не ожидали столь сильного общественного и экономического отклика на работу, начавшуюся с академического вопроса о том, как ещё точнее сжимать данные. За первые пять лет ИИ-бума спрос на память вырастет в 625 раз, как считает глава Dell
11.04.2026 [07:07],
Алексей Разин
Обычно участники рынка компьютерного оборудования дают прогнозы относительно динамики цен на память и сроков сохранения её дефицита, но основатель компании Dell Майкл Делл (Michael Dell) решил оценить прирост рынка памяти в течение первых пяти лет с момента появления ChatGPT. Он считает, что спрос на память с 2022 по 2028 годы вырастет в 625 раз. 
Источник изображения: Dell Technologies Напомним, ChatGPT вышел на рынок осенью 2022 года, поэтому отсчёт влияния бума ИИ на рынок компонентов можно упрощённо начинать с 2023 года. Соответствующие высказывания, по данным PC Gamer, прозвучали из уст основателя Dell на конференции Bank of America. Он пояснил, что спрос на память генерируется не только в сегменте оперативной памяти для центральных процессоров, но и на направлении ускорителей на базе GPU. В совокупности, за первые пять или шесть лет ИИ-бума потребности отрасли в скоростной памяти вырастут в 625 раз. По крайней мере, если в 2022 году ускоритель Nvidia H100 оснащался 80 Гбайт памяти типа HBM3, то его преемник к 2028 году должен нести на борту уже 2 Тбайт памяти, как ожидает Майкл Делл. Это соответствует 25-кратному увеличению объёма памяти. Кроме того, сама по себе ёмкость рынка таких ускорителей на указанном интервале тоже вырастет в 25 раз. Перемножая оба значения, получим увеличение потребности рынка в скоростной памяти для GPU в те самые 625 раз. Впрочем, если опираться на более консервативный вариант характеристик ускорителей Vera Rubin, которые подразумевают наличие только 576 Гбайт памяти типа HBM4, то аналогичные арифметические действия приведут к росту спроса на память в 180 раз. Впрочем, оба варианта прогноза равноценно приводят к осознанию неизбежности дефицита памяти, поскольку объёмы её производства за это время не смогут пропорционально увеличиться. Спотовые цены на DDR4 упали на 5 % — впервые за год
10.04.2026 [17:55],
Павел Котов
Спотовая цена на 16-гигабитный чип DDR5 за последний месяц сократилась примерно на 5 % до $74,10, и это первое месячное снижение с февраля 2025 года — годом ранее этот чип стоил $3,20, то есть к настоящему моменту он подорожал на 2200 %, обращает внимание DigiTimes.  16-гигабитные чипы DDR5 за тот же период подешевели на сопоставимую величину; наиболее резкое падение обозначилось в китайских каталогах и на Amazon, где некоторые комплекты 32-гигабайтных DDR5 подешевели сразу на 30 %. Контрактного рынка, на котором закупаются производители и сборщики ПК, это пока не коснулось — только во II квартале аналитики предсказывают подорожание контрактной DRAM на 58–63 %, а NAND прибавит в цене 70–75 %. Для сравнения, в I квартале DRAM подорожала на рекордные 90–95 %. Ни три мировых лидера на рынке памяти — Samsung, SK hynix и Micron — ни китайские CXMT и YMTC цен пока не снизили, и клиенты по-прежнему подписывают долгосрочные соглашения о поставках. Спотовые продажи составляют незначительную долю от общего объёма поставок памяти, поэтому и влияние их на рынок в целом невелико. Тем временем на китайском рынке комплекты DDR5 на 32 Гбайт подешевели на 27 % за месяц, модули DDR4 на 8 и 16 Гбайт за неделю сбросили 25 %. Такую динамику обусловливают два фактора. Дистрибьюторы, накопившие запасы на пике роста, начали их распродавать, как только мелкие поставщики модулей исчерпали возможности переложить издержки на потребителей. С конца 2025 года наблюдается падение потребительского спроса — тогда Samsung подписала не подлежащее расторжению соглашение о поставках DDR4, но оно не распространялось на потребителей. Второй фактор — представленный Google алгоритм сжатия KV-кеша TurboQuant, позволяющий существенно сократить использование памяти системами искусственного интеллекта. Это побудило некоторых инвесторов распродать свои активы в опасении, что спрос на память со стороны крупных поставщиков может снизиться, если технология начнёт применяться повсеместно. Наконец, цены на устаревшую память DDR3 и MLC NAND продолжают расти, несмотря на общие тенденции спотового рынка. Некоторые поставщики решили отказаться от этих решений, чем спровоцировали сокращение предложения в этих сегментах. Framework попросила не радоваться раньше времени по поводу стабилизации цен на память
07.04.2026 [14:47],
Павел Котов
Производитель модульных ноутбуков Framework опубликовал в корпоративном блоге пост, в котором предостерёг потребителей от преждевременной радости из-за замерших цен на память. Это временное явление, заявил гендиректор компании — цены, по его мнению, скоро продолжат рост. 
Источник изображения: frame.work «В некоторых областях наблюдаем стабилизацию цен, но всё указывает, что это временная передышка; до конца 2026 года мы и дальше увидим волатильность и рост цен», — заявил глава Framework Нирав Патель (Nirav Patel). Рынок дал игрокам небольшую паузу, благодаря которой компания в ближайшие перспективе обойдётся без очередного повышения цен на память — компания пока сохранила ценники на DDR5. Производитель успел закупиться твердотельными накопителями, поэтому продолжает реализовывать их недорого, но скоро запасы исчерпаются, и в следующих партиях SSD будут дороже. Первым, отметил господин Патель, подорожает 4-Тбайт WD SN850x. В модели Framework Desktop используется оперативная память LPDDR5x, которая продолжает дорожать, и компании пришлось повысить цены на 128-Гбайт модель. «Даже с учётом этого Framework Desktop остаётся одним из наиболее дешёвых способов получить доступ к 128 Гбайт для локального запуска моделей искусственного интеллекта», — предупредил гендиректор Framework. Несколько лучше у производителя обстоит дело в сегменте ноутбуков, добавил он: «Что касается Framework Laptop 16, у нас есть редкие [теперь] хорошие новости. Нам удалось зафиксировать более низкие цены на процессоры и вернуть стоимости некоторых конфигураций на первоначальный уровень. В то же время, из-за роста цен на память нам пришлось повысить цену на конфигурацию с 64 Гбайт DDR5». Apple скупает память даже втридорога, чтобы расширить долю рынка iPhone
03.04.2026 [17:14],
Алексей Разин
Многие аналитики уже отмечали ранее, что в текущем году на фоне дорожающей памяти будет происходить консолидация рынка смартфонов. Известный эксперт Мин-Чи Куо (Ming-Chi Kuo) тоже придерживается этого мнения, причём применительно к рыночной стратегии отдельно взятой компании Apple. Сейчас она скупает память для смартфонов по завышенным ценам, что позволит ей в дальнейшем в условиях сохраняющегося дефицита увеличить долю рынка. 
Источник изображения: Micron Technology Доводы Мин-Чи Куо опубликованы на страницах ресурса Techspot. Формальным основанием для подобных рассуждений стала публикация южнокорейскими источниками информация об усилившейся активности Apple по скупке всей доступной на рынке мобильной памяти. Поскольку цены сейчас задраны, такая деятельность Apple скажется на норме прибыли компании, но в случае сохранения дефицита памяти в дальнейшем позволит ей увеличить свою долю рынка. Когда смартфонов прочих марок в продаже станет меньше, часть потребителей просто отдаст предпочтение iPhone. Как уже отмечалось недавно, разработчики мобильных процессоров Qualcomm и MediaTek были вынуждены сократить объём заказываемых в производство подрядчикам изделий, поскольку не рассчитывают в полной мере удовлетворить спрос из-за нехватки микросхем памяти. Данные кризисные явления больше всего заметны именно в нижнем и среднем ценовом диапазоне, на который ориентирована продукция той же MediaTek. В верхнем ценовом диапазоне, как тоже отмечалось недавно, Samsung приступила к повышению цен на свои старшие модели смартфонов, оснащаемые большим объёмом памяти. В случае с Apple руководство компании уже ссылалось на подорожание памяти и нехватку мощностей TSMC по выпуску чипов в качестве основных факторов риска. Располагая внушительными суммами свободных денежных средств, Apple имеет возможность создавать себе более выгодные условия работы на рынке, и подобным преимуществом в этом году смогут похвастать не все её конкуренты. Xiaomi рассказала, насколько на самом деле смартфоны стали дороже из-за кризиса памяти
03.04.2026 [17:11],
Николай Хижняк
Компания Xiaomi впервые прокомментировала конкретное влияние кризиса на рынке памяти DRAM, раскрыв масштабы воздействия роста стоимости оперативной и флеш-памяти на себестоимость производства смартфонов. 
Источник изображения: Xiaomi Лу Вэйбин (Lu Weibing), президент подразделения смартфонов Xiaomi, сделал неожиданно конкретное заявление в китайской социальной сети Weibo о последствиях кризиса DRAM. Согласно этому заявлению, производство смартфонов с 12 Гбайт оперативной и 512 Гбайт флеш-памяти обходится компании на 1500 юаней ($220) дороже, чем в первом квартале 2025 года, а это значит, что такие смартфоны, как Xiaomi Redmi Note 15 Pro+, компании приходится продавать по значительно более высокой цене. Ещё более резким оказалось повышение цен на модели с 16 Гбайт оперативной и 1 Тбайт постоянной памяти, хотя Лу Вэйбин не привёл точных цифр для этой конфигурации. По его словам, цены на флеш-память выросли даже больше, чем ожидал технологический гигант, поэтому компания повысит рекомендованную розничную цену смартфонов Redmi K90 Pro Max, Redmi Turbo 5 и Redmi Turbo 5 Max в Китае с 11 апреля на 200 юаней (около $30). Заявлений об аналогичном повышении цен на мировом рынке от компании пока не было, но большинство моделей смартфонов Xiaomi и так продаются значительно дороже на международном рынке, поэтому у компании будет больше возможностей для смягчения последствий кризиса DRAM. Лу Вэйбин подчеркнул, что цены на смартфоны снова снизятся, как только цены на память начнут падать. В настоящее время невозможно предсказать, когда закончится кризис памяти DRAM. Некоторые аналитики ожидают снижения цен с 2028 года, некоторые поставщики опасаются, что дефицит памяти продлится до 2030 года. Дальнейшая динамика цен на DRAM и NAND в ближайшие месяцы будет зависеть, с одной стороны, от расширения производственных мощностей, а с другой — от спроса со стороны таких гигантов в области искусственного интеллекта, как OpenAI, которые в значительной степени ответственны за кризис памяти. |
© 1997—2026 Электронное периодическое издание "3ДНьюс" | Свидетельство о регистрации СМИ Эл ФС 77-22224
выдано Федеральной Службой по надзору за соблюдением законодательства в сфере массовых коммуникаций и охране культурного наследия
При цитировании документа ссылка на сайт с указанием автора обязательна. Полное заимствование документа является
нарушением
российского и международного законодательства и возможно только с согласия редакции 3DNews.
MWC 2018
2018
Computex
IFA 2018
