Противостояние двух американских компаний — Apple и Micron Technology — ставит президента США перед непростым выбором. В то время Apple намерена снизить растущие затраты за счёт использования китайских микросхем памяти, Micron, единственный крупный американский производитель памяти, выступает против этого шага, пишет The Wall Street Journal.

Репортаж с IEM Cologne Major 2026: Жаб Жабыч, триумф NiKo и главные сенсации мейджора по CS2

Умные помощники: обзор ИИ-сервисов для обработки изображений. Часть 2, актуализированная

Обзор Infinix GT 50 Pro: геймерский смартфон со встроенной СЖО

Обзор Ryzen 9 9950X3D2: правильный 16-ядерник с 3D-кешем

Выбираем лучший игровой ноутбук до 100 000 рублей: сравнительное тестирование 7 интересных моделей

Источник изображения: Micron

По данным источников WSJ, в последние недели Apple предлагала Дональду Трампу (Donald Trump) и правительству одобрить план по использованию в своей продукции, реализуемой за пределами США, микросхем памяти китайских компаний ChangXin Memory Technologies (CXMT) и Yangtze Memory Technologies (YMTC), чтобы сократить дефицит памяти и в конечном итоге снизить стоимость продукции для американских покупателей. В свою очередь, руководство Micron предупредило, что выдача разрешения китайским компаниям поставлять свою продукцию американским независимо от региона продажи, может разрушить отечественную промышленность так же, как это произошло с американскими сталелитейными и производственными предприятиями по вине всё того же Китая.

Трампу придётся выбирать между двумя своими главными экономическими приоритетами: поддержать стремление Apple к снижению цен для американских потребителей или выступить за увеличение внутреннего производства полупроводников для снижения зависимости от других стран.

На фоне продолжающихся переговоров с Пекином Трамп избегает жёстких мер в отношении китайских компаний. При этом он оценил инвестиции Apple и Micron в США.

Micron заявила, что сможет решить проблему нехватки памяти, увеличивая инвестиции в наращивание отечественных производственных мощностей. По её словам, увеличение стоимости потребительской техники вызвано не только ростом цен на память. В свою очередь, Apple обвинила Micron в завышении цен и недостаточных инвестициях в увеличение производства.

Разработчик систем искусственного интеллекта Anthropic официально направил SK hynix запрос на поставку чипов памяти для собственных ускорителей. Это подтверждает, что лаборатория всерьёз занялась созданием чипов для своих нужд.

Обзор Infinix GT 50 Pro: геймерский смартфон со встроенной СЖО

Репортаж с IEM Cologne Major 2026: Жаб Жабыч, триумф NiKo и главные сенсации мейджора по CS2

Обзор Ryzen 9 9950X3D2: правильный 16-ядерник с 3D-кешем

Умные помощники: обзор ИИ-сервисов для обработки изображений. Часть 2, актуализированная

Выбираем лучший игровой ноутбук до 100 000 рублей: сравнительное тестирование 7 интересных моделей

Источник изображения: anthropic.com

Об этом сообщил председатель совета директоров SK Group Чей Тэ Вон (Chey Tae-won), выступая вместе с главой Anthropic Дарио Амодеи (Dario Amodei) на мероприятии, посвящённом ИИ. «Для разрабатывающей ИИ компании стремление к самостоятельной разработке чипов имеет чрезвычайное значение», — отметил господин Чей. Прямой контакт Anthropic с поставщиками полупроводниковых компонентов свидетельствует, что её план по созданию собственных микросхем значительно продвинулся от стадии проектирования к реализации.

Anthropic объявила о стратегии по обеспечению вычислительной самодостаточности в ноябре 2025 года. В проект будут вложены $50 млрд, а партнёром выступает Fluidstack — он займётся строительством центров обработки данных для ИИ в Техасе и Нью-Йорке. В апреле стало известно, что планы Anthropic охватывают разработку специализированных интегральных схем (ASIC) и графических процессоров — стартап стремится снизить зависимость от сторонних поставщиков чипов. Собственные ускорители уже есть у Google и Amazon, скоро они появятся и у Meta✴✴. Разработчики моделей ИИ трансформируются из поставщиков ПО и сервисов в предприятия полного цикла с собственным оборудованием.

В последние годы фокус SK Group смещается в сторону инфраструктуры ИИ, а также исследований и разработки в области полупроводников. Её дочерняя компания SK hynix является мировым лидером в области высокоскоростной памяти (HBM), критически важной для обучения ИИ. SK hynix также выступает инвестором Anthropic наряду с двумя другими крупнейшими производителями чипов памяти — Samsung и Micron.

SK hynix активизировала разработку DRAM с 3D-компоновкой поверх логического кристалла (3D-Stacked DRAM-on-Logic), предназначенной для работы на оборудовании нового поколения для систем искусственного интеллекта, в том числе мобильных. Компания начала набор специализирующихся на этой технологии инженеров через свой американский филиал в Сан-Хосе. SK hynix уже заключила соглашение с конкретным клиентом на разработку решений на основе этой технологии, передаёт ZDNet.

Репортаж с IEM Cologne Major 2026: Жаб Жабыч, триумф NiKo и главные сенсации мейджора по CS2

Обзор Infinix GT 50 Pro: геймерский смартфон со встроенной СЖО

Обзор Ryzen 9 9950X3D2: правильный 16-ядерник с 3D-кешем

Умные помощники: обзор ИИ-сервисов для обработки изображений. Часть 2, актуализированная

Выбираем лучший игровой ноутбук до 100 000 рублей: сравнительное тестирование 7 интересных моделей

Источник изображения: skhynix.com

SK hynix впервые начала нанимать специалистов по DRAM с 3D-компоновкой — она будет использоваться на ИИ-оборудовании нового поколения; этот шаг рассматривается как начало подготовки к выводу решения на рынок. В объявлении о вакансии уточняется, что работа будет вестись в тесном сотрудничестве с американским заказчиком в целях совместного создания кристаллов 3D-Stacked DRAM-on-Logic, то есть с вертикальной интеграцией DRAM непосредственно поверх системы на кристалле. В отличие от компоновки упакованных чипов (Package-on-Package — PoP) этот метод предполагает более короткие межсоединения и большее число каналов ввода-вывода на той же площади. Снижается задержка передачи данных, повышаются энергоэффективность и эффективнее используется пространство.

Технология разрабатывается для систем ИИ — они требуют высокой пропускной способности памяти и низкого потребления энергии, и возможностей традиционных схем PoP уже не хватает. Одним из наиболее перспективных областей применения технологии считаются мобильные процессоры — в этом сегменте часто используются передовые техпроцессы и технологии упаковки. Ведущими разработчиками таких систем являются Apple и Qualcomm.

Информация о работе над проектом соответствует дорожной карте SK hynix, которую корейская компания представила на технологическом симпозиуме TSMC в этом году. Президент и директор по развитию SK hynix Хён Ан (Hyun Ahn) заявил, что развитию ИИ-оборудования мешают несовершенства технологий памяти — требуются новые архитектуры, выход за рамки постепенных улучшений. Корейская компания, заявил он, совместно с TSMC намеревается применить передовые логические процессы к базовым кристаллам HBM4, расширить решение на высокоскоростную флеш-память (HBF), а также на схему 3D-компоновки DRAM поверх логического кристалла: дальнейшая интеграция памяти с логикой будет способствовать росту производительности и энергоэффективности.

Samsung параллельно тоже ведёт исследования в области 3D DRAM нового поколения. Недавно компания опубликовала совместную статью с imec, KU Leuven и Lam Research — материал посвящён архитектуре монолитной 3D DRAM с использованием каналов на оксидах полупроводников. Исследование пока остаётся на стадии моделирования, о планах выводить технологию на рынок пока не сообщается.

Компания Gigabyte вслед за MSI подтвердила поддержку модулей ОЗУ DDR5 на базе чипов памяти китайской компании CXMT её материнскими платами AMD 800-й и 600-й серий, а также Intel 800-й и 700-й серий.

Обзор Ryzen 9 9950X3D2: правильный 16-ядерник с 3D-кешем

Репортаж с IEM Cologne Major 2026: Жаб Жабыч, триумф NiKo и главные сенсации мейджора по CS2

Выбираем лучший игровой ноутбук до 100 000 рублей: сравнительное тестирование 7 интересных моделей

Обзор Infinix GT 50 Pro: геймерский смартфон со встроенной СЖО

Умные помощники: обзор ИИ-сервисов для обработки изображений. Часть 2, актуализированная

Источник изображений: Gigabyte

По словам компании, модули ОЗУ DDR5 на базе 16- и 24-гигабитных чипов памяти китайской компании CXMT проверены на стабильную работу со скоростью до 8200 МТ/с.

Gigabyte отмечает, что для материнских плат AMD AM5 800-й и 600-й серий требуется обновление BIOS, новые версии которого уже доступны на официальном сайте компании. В свою очередь, платы Intel 800-й и 700-й серий уже поддерживают память CXMT без необходимости дополнительного обновления прошивки.

Gigabyte добавляет, что в последние месяцы рынок памяти DDR5 столкнулся с дефицитом предложения и ростом цен. ОЗУ на базе чипов CXMT предлагает потребителям долгожданный дополнительный источник поставок, обеспечивая большую гибкость при выборе подходящего комплекта памяти для своих систем.

Учёные Фуданьского университета (Fudan University) в Шанхае создали экспериментальную энергонезависимую память, в которой для хранения одного бита достаточно единственного электрона — минимально возможного носителя электрического заряда. Для коммерциализации этой разработки будет создана компания, которая намерена вывести продукт на рынок в течение трёх–пяти лет.

Репортаж с IEM Cologne Major 2026: Жаб Жабыч, триумф NiKo и главные сенсации мейджора по CS2

Обзор Infinix GT 50 Pro: геймерский смартфон со встроенной СЖО

Умные помощники: обзор ИИ-сервисов для обработки изображений. Часть 2, актуализированная

Обзор Ryzen 9 9950X3D2: правильный 16-ядерник с 3D-кешем

Выбираем лучший игровой ноутбук до 100 000 рублей: сравнительное тестирование 7 интересных моделей

Источник изображения: Fudan University

Разработка получила название Guiyi («Гуйи»), что означает буддийское понятие «Единства» — необъятного множества в чём-то предельно малом. Публикация по проекту вышла 16 июля в журнале Science. Предложенная учёными память несоизмеримо плотнее современных вариантов флеш-памяти. Сегодня каждый бит данных сохраняется в заряде, формируемом из сотен тысяч электронов.

Главной помехой на пути к одноэлектронной памяти оставалась так называемая паразитная краевая ёмкость. Электромагнитное поле между двумя электродами не может быть идеальным и всегда ведёт к накоплению паразитного заряда, в шумах которого легко теряется заряд от одного электрона. Чтобы подавить паразитные явления учёные использовали атомарно тонкие двумерные материалы и разработали самовыравнивающуюся планарную архитектуру, в которой сток, канал и исток размещены в одной плоскости. Такая «объединённая» архитектура подавила краевые ёмкостные эффекты, а слой графена послужил барьером, не дающим захваченному электрону покинуть область хранения.

Добавление или удаление всего одного электрона в ячейке памяти изменяло пороговое напряжение транзистора сразу на 0,5 В, благодаря чему два состояния ячейки можно было уверенно различать обычными средствами современной электроники. Это почти на порядок больше, чем в известном эксперименте 1997 года, где одноэлектронный сигнал составлял около 55 мВ и сохранялся менее пяти секунд. При этом новая ячейка удерживала состояние без питания при комнатной температуре. Авторы также обнаружили дискретные зависимости от напряжения программирования и пообещали разработать вариант многоуровневой записи с использованием одного электрона.

Одноэлектронная запись обещает резко увеличить плотность энергонезависимой памяти и уменьшить энергию, расходуемую на переключение ячеек. Разработчики связывают технологию с будущими вычислительными системами, в которых крупные модели искусственного интеллекта смогут хранить больше данных рядом с вычислительными блоками, сокращая энергозатратную пересылку данных.

В настоящий момент продемонстрировано только отдельное лабораторное устройство. Для создания полноценного массива памяти ещё предстоит подтвердить ресурс перезаписи, скорость, процент выхода годных ячеек и стабильность параметров при массовом производстве. Для коммерческого продвижения разработки осенью этого года будет создана отдельная компания, которая будет намереваться вывести новый продукт на рынок в течение трёх–пяти лет.

Амбиции возглавляющего SpaceX и Tesla Илона Маска (Elon Musk) начинают всё сильнее смещаться в сторону развития технологий искусственного интеллекта, поэтому дефицит памяти актуален и для этих компаний. На вчерашней квартальной отчётной конференции Tesla миллиардер признался, что этому автопроизводителю удалось получить крупную партию памяти производства Micron на довольно разумных условиях.

Обзор Infinix GT 50 Pro: геймерский смартфон со встроенной СЖО

Выбираем лучший игровой ноутбук до 100 000 рублей: сравнительное тестирование 7 интересных моделей

Умные помощники: обзор ИИ-сервисов для обработки изображений. Часть 2, актуализированная

Репортаж с IEM Cologne Major 2026: Жаб Жабыч, триумф NiKo и главные сенсации мейджора по CS2

Обзор Ryzen 9 9950X3D2: правильный 16-ядерник с 3D-кешем

Источник изображения: Micron Technology

Как отмечает Bloomberg, глава Tesla обмолвился о «существенной квоте» на поставку микросхем памяти Micron для нужд первой из компаний. Ассортимент поставляемой Micron для Tesla памяти не уточняется, но он предсказуемо может охватывать как компоненты для бортовых систем электромобилей этой марки, так и человекоподобных роботов, равно как и серверную инфраструктуру. Последнюю Tesla исторически развивала для фирменных нейронных сетей, которые отвечают за автопилот и другие системы активной помощи водителю. На этой неделе Маск также подчеркнул, что деятельность Tesla и SpaceX всё больше пересекается, и компании совместными силами будут выпускать в США передовые чипы на строящемся предприятии Terafab. Именно SpaceXAI отвечает за разработку ИИ-модели для человекоподобных роботов Optimus, как пояснил Маск накануне.

Учитывая, что миллиардер довольно свободно перераспределяет ресурсы между возглавляемыми ими компаниями, предназначенная для Tesla память Micron вполне может достаться той же SpaceX или вошедшей в её состав xAI. Особые условия поставок памяти Micron для компаний Илона Маска были получены с учётом его личного влияния в американском бизнесе и политической сфере, как можно предположить, поскольку чисто технически ни Tesla, ни SpaceX не входят в число десяти крупнейших клиентов этого производителя памяти.

Аналитики TrendForce прогнозируют восстановление цепочек поставок флеш-памяти в 2027 году, что сделает её единственным сегментом рынка памяти, которая стабилизируется в краткосрочной перспективе.

Обзор Ryzen 9 9950X3D2: правильный 16-ядерник с 3D-кешем

Репортаж с IEM Cologne Major 2026: Жаб Жабыч, триумф NiKo и главные сенсации мейджора по CS2

Обзор Infinix GT 50 Pro: геймерский смартфон со встроенной СЖО

Умные помощники: обзор ИИ-сервисов для обработки изображений. Часть 2, актуализированная

Выбираем лучший игровой ноутбук до 100 000 рублей: сравнительное тестирование 7 интересных моделей

Источник изображения: SK hynix

Хотя спрос на флеш-память NAND и все решения для хранения данных на базе SSD, как ожидается, останутся дефицитными до конца 2026 года, TrendForce считает, что ситуация нормализуется в 2027 году. Согласно оценке экспертов, дефицит предложения в первой половине будущего года составит около 4–6 % по сравнению с уровнем спроса до конца текущего года. Однако ожидается, что во второй половине будущего года на рынке будет восстановлен баланс спроса и предложения в цепочке поставок, а через год с текущего момента дефицит на чипы флеш-памяти NAND будет полностью побеждён.

Достижение баланса спроса предложения обусловлено несколькими факторами. Во-первых, крайне важно увеличение производственных мощностей поставщиков памяти NAND Flash, таких как SK hynix, Micron, Samsung, YMTC и другие. Увеличение количества производимых ежемесячно кремниевых пластин, наряду с модернизацией технологических процессов, значительно повысит предложение, стабилизировав ситуацию на этом рынке после длительного периода неопределённости. Вторым фактором является постоянно слабый спрос со стороны потребителей, поскольку цены на потребительскую электронику так сильно выросли из-за дефицита DRAM и NAND Flash, что многие потребители предпочитают не покупать новое оборудование, избегая высоких наценок по сравнению с прошлым годом. В корпоративном секторе спрос на серверы будет продолжать расти, потребляя большую часть предложения NAND Flash. На серверы приходится около 40 % потребления чипов флеш-памяти, а на смартфоны и ноутбуки вместе взятые — более 40 %.

Источник изображения: TrendForce

Производители устройств хранения данных в США, Японии и Южной Корее модернизируют свои заводы умеренными темпами, избегая быстрого расширения. Значительная часть мирового производства NAND Flash будет обеспечиваться Китаем и компанией YMTC. Ожидается, что в этом году Китай увеличит свою глобальную долю производства NAND Flash почти до 19 %. Хотя это кажется значительным в глобальном масштабе, большая часть чипов китайского производства будет удовлетворять только внутренний спрос материкового Китая, и лишь малая часть продукции будет поставляться внешним поставщикам оборудования, например, компании Lenovo, чьи ноутбуки поставляются в Европу.

Пандемия ударила по автомобильному производству неожиданным образом, когда поставщикам транспортных средств перестало хватать простейших полупроводниковых чипов. Сейчас все мощности полупроводниковой отрасли работают на сферу ИИ, интересы рынков ПК и смартфонов обслуживаются в последнюю очередь, а тем же автомобилям в современных условиях требуется довольно много памяти.

Обзор Ryzen 9 9950X3D2: правильный 16-ядерник с 3D-кешем

Репортаж с IEM Cologne Major 2026: Жаб Жабыч, триумф NiKo и главные сенсации мейджора по CS2

Умные помощники: обзор ИИ-сервисов для обработки изображений. Часть 2, актуализированная

Обзор Infinix GT 50 Pro: геймерский смартфон со встроенной СЖО

Выбираем лучший игровой ноутбук до 100 000 рублей: сравнительное тестирование 7 интересных моделей

Источник изображения: BYD

По данным TechNews, оборудование автопилота Tesla четвёртого поколения подразумевало использование 32 Гбайт памяти GDDR6/LPDDR, но выходящая в этом году версия 4+ уже удваивает этот объём до 64 Гбайт. Популярная среди автопроизводителей платформа Nvidia Orin также использует 32 или 64 Гбайт оперативной памяти. Казалось бы, это не так много, но только лишь DRAM потребности бортовой электроники автомобилей не ограничиваются.

Если в начальных конфигурациях бортовые системы машины, включая развлекательную и отвечающие за помощь водителю в управлении, требуют до 40 Гбайт оперативной памяти, то в старших конфигурациях её объём может превышать 100 Гбайт. В случае с твердотельной памятью NAND, используемой для долговременного хранения информации, разбег требований ещё больше. Обновления ПО, которые поступают «по воздуху», для своего временного хранения требуют до 10 Гбайт дискового пространства в минимальном случае, а с учётом резерва можно говорить о всех 50 Гбайт.

Для хранения большого количества изображений, используемых в работе систем автопилота, требуется от 100 до 300 Гбайт памяти. Попутно прогрессируют и мультимедийные системы автомобилей, некоторые из них берут на вооружение ИИ-ассистентов, что также поднимает требования к доступному дисковому пространству. Твердотельный накопитель современного автомобиля в этом случае должен обладать объёмом от 500 Гбайт до 1,5 Тбайт, и в будущем требования будут расти практически ежегодно.

Согласно прогнозу аналитиков Citrini Research, мировой дефицит чипов памяти сохранится до 2030 года, даже с учётом увеличения поставок микросхем из Китая. Спрос на DRAM по-прежнему будет превышать предложение, и ожидается, что этот дисбаланс окажется весьма значительным.

Репортаж с IEM Cologne Major 2026: Жаб Жабыч, триумф NiKo и главные сенсации мейджора по CS2

Обзор Infinix GT 50 Pro: геймерский смартфон со встроенной СЖО

Выбираем лучший игровой ноутбук до 100 000 рублей: сравнительное тестирование 7 интересных моделей

Обзор Ryzen 9 9950X3D2: правильный 16-ядерник с 3D-кешем

Умные помощники: обзор ИИ-сервисов для обработки изображений. Часть 2, актуализированная

Источник изображения: Laura Ockel / unsplash.com

По оценкам Citrini Research, к 2030 году прогнозируется дефицит памяти в объёме 28,7 эксабайт (Эбайт) при общем мировом спросе в 157,5 Эбайт. Таким образом, рынок недополучит около 25 % необходимого объёма памяти, считают эксперты. Эта цифра включает в себя как высокопроизводительную память HBM, так и традиционную DRAM, однако «основным узким местом остаётся DRAM общего назначения», говорится в отчёте. Согласно тем же оценкам, текущий уровень дефицита составляет около 18 %.

Источник изображений здесь и ниже: X / Zephyr

Примечательно, что оценка на 2030 год не охватывает спрос на память для физического ИИ (например, для роботов и беспилотных автомобилей). «Даже если мои оценки спроса со стороны дата-центров и сферы ИИ завышены (а это не так), они будут компенсированы спросом со стороны физического ИИ», — сообщил автор исследования из Citrini Research на своей странице в соцсети X.

Согласно текущим оценкам, в этом году глобальная производственная мощность DRAM составит 40 Эбайт. Это ненамного больше прогнозируемого объёма дефицита в 2030 году. «Я ожидаю дефицит на уровне 25 % на общем рынке DRAM. Отрасль сможет предложить только 91 Эбайт в год при спросе 120 Эбайт в год. Средняя цена продажи DRAM останется завышенной и, вероятно, будет держаться в диапазоне от 1,5 до 2,0 долларов за 1 Гбайт», — говорит автор исследования.

Как пишет портал PC Gamer, не исключено, что за это время на рынке могут появиться инновационные решения, связанные с повышением эффективности ИИ, которые помогут улучшить ситуацию и снизить спрос на память. Например, недавно разработанный Google алгоритм TurboQuant обещает шестикратное снижение потребления памяти ИИ-моделями. Правда, вопрос о том, действительно ли такие разработки снижают спрос или просто открывают возможности для ещё более широкого использования ИИ, также остаётся открытым.

Организация JEDEC, отвечающая за определение спецификаций стандартных типов памяти, опубликовала документ JESD330-4, описывающий окончательную спецификацию стандарта памяти SPHBM4 (Standard Package High Bandwidth Memory). Новый стандарт памяти предназначен для обеспечения такой же суммарной пропускной способности, как у памяти HBM4, большей ёмкости и более низких затрат на интеграцию за счёт совместимости с традиционными текстолитовыми (органическими) подложками.

Умные помощники: обзор ИИ-сервисов для обработки изображений. Часть 2, актуализированная

Обзор Ryzen 9 9950X3D2: правильный 16-ядерник с 3D-кешем

Обзор Infinix GT 50 Pro: геймерский смартфон со встроенной СЖО

Репортаж с IEM Cologne Major 2026: Жаб Жабыч, триумф NiKo и главные сенсации мейджора по CS2

Выбираем лучший игровой ноутбук до 100 000 рублей: сравнительное тестирование 7 интересных моделей

Источник изображения: VideoCardz

О работе над окончательной спецификацией стандарта SPHBM4 JEDEC сообщала в декабре 2025 года. В окончательном варианте спецификации стандарта SPHBM4 сохранены те же кристаллы памяти HBM4 DRAM и базовые слои памяти, но представлен другой интерфейс базового кристалла. Если обычный интерфейс HBM4 использует 2048 сигналов данных, то SPHBM4 сокращает это число до 512 сигналов, компенсируя более узкое соединение более высокими частотами интерфейса и последовательностью передачи 4:1.

«Память JESD330-4 SPHBM спроектирована таким образом, чтобы работать с той же совокупной пропускной способностью, что и HBM4, используя меньшее количество контактов, при этом оперировать на более высокой частоте. Если интерфейс HBM4 содержит 2048 сигналов данных, то SPHBM4 будет определять 512 сигналов данных с последовательностью 4:1 для достижения той же полосы пропускания. Это изменение позволяет уменьшить высоту неровностей, необходимую для подключения к органическим подложкам», — заявили в JEDEC.

В JEDEC пояснили, что последовательность 4:1 означает, что каждое соединение для передачи данных у памяти SPHBM4 со временем передаёт в четыре раза больше данных. Это позволяет интерфейсу поддерживать общую пропускную способность на уровне HBM4, используя при этом большее расстояние между центрами двух соседних соединительных микроконтактов при объединении с органическими подложками.

Объём памяти, доступный для каждого стека, остаётся неизменным, поскольку в SPHBM4 используются стандартные слои памяти HBM4. Маршрутизация на органической подложке также поддерживает более длинные соединения между процессором и памятью, что может позволить разработчикам ускорителей размещать больше стеков памяти вокруг SoC.

Память SPHBM4 не предназначена для замены стандартной HBM4. Она лишь меняет способ взаимодействия стеков высокопроизводительной памяти с процессором, а также способ их интеграции в единую упаковку. JEDEC ничего не сообщила о продуктах, в которых будет использоваться память SPHBM4, или о сроках внедрения стандарта JESD330-4.

Компания MSI сообщила об успешном тестировании новых версий BIOS для материнских плат Intel 800-й серии с полной оптимизацией для модулей памяти DDR5 на базе чипов китайского производителя CXMT (ChangXin Memory Technologies). Ранее в этом месяце компания также сообщила о совместимости памяти CXMT DDR5-8000+ с материнскими платами AMD AM5.

Обзор Ryzen 9 9950X3D2: правильный 16-ядерник с 3D-кешем

Репортаж с IEM Cologne Major 2026: Жаб Жабыч, триумф NiKo и главные сенсации мейджора по CS2

Умные помощники: обзор ИИ-сервисов для обработки изображений. Часть 2, актуализированная

Обзор Infinix GT 50 Pro: геймерский смартфон со встроенной СЖО

Выбираем лучший игровой ноутбук до 100 000 рублей: сравнительное тестирование 7 интересных моделей

Источник изображений: MSI

Тесты совместимости для плат Intel 800-й серии проводились на материнской плате MEG Z890 Unify-X с двумя слотами DIMM и модели Pro Z890-S WIFI с четырьмя слотами DIMM. На модели MEG Z890 Unify-X проверялся двухканальный комплект памяти на чипах CXMT общей ёмкостью 48 Гбайт (2 × 24 Гбайт). Память работала в режиме DDR5-8600 с таймингами CL46-56-56-134. На плату также был установлен процессор Intel Core Ultra 5 245K. Память успешно прошла проверку MemTest с охватом более 100 %.

Проверка памяти на материнской плате Pro Z890-S WIFI также проводилась в двухканальном режиме. Для этого производитель использовал комплект памяти общей ёмкостью 32 Гбайт (2 × 16 Гбайт). Память работала в режиме DDR5-8200 с таймингами CL44-56-56-132. В тестировании также использовался процессор Intel Core Ultra 5 250K Plus. Память успешно прошла проверку MemTest с охватом более 100 %.

MSI отмечает, что благодаря оптимизации, реализованной как на платформах Intel, так и AMD, пользователи могут рассчитывать на стабильную поддержку памяти CXMT на её материнских платах. Оптимизации для памяти CXMT также интегрированы в фирменную функцию быстрого разгона ОЗУ MSI Memory Try It!.

Как бы иронично это ни звучало в разгар кризиса доступности оперативной памяти, компания Apple в рамках подготовки к выпуску флагманского процессора M7 Ultra предусмотрит для него поддержку 1,5 Тбайт оперативной памяти. Системы на его основе, тем самым, поравняются с компьютером Mac Pro на основе процессоров Intel образца 2019 года.

Выбираем лучший игровой ноутбук до 100 000 рублей: сравнительное тестирование 7 интересных моделей

Умные помощники: обзор ИИ-сервисов для обработки изображений. Часть 2, актуализированная

Обзор Infinix GT 50 Pro: геймерский смартфон со встроенной СЖО

Обзор Ryzen 9 9950X3D2: правильный 16-ядерник с 3D-кешем

Репортаж с IEM Cologne Major 2026: Жаб Жабыч, триумф NiKo и главные сенсации мейджора по CS2

Источник изображения: Apple

Компоновка процессоров Apple собственной разработки создавала определённые ограничения в части объёма поддерживаемой памяти, поскольку микросхемы DRAM интегрировались с процессором на одну подложку. Это поднимало скорость обмена, но не обеспечивало гибкости в выборе объёма памяти. Будущий процессор M7 Ultra, если верить Марку Гурману (Mark Gurman) из Bloomberg, обеспечит поддержку до 1,5 Тбайт оперативной памяти, что в два раза превышает возможности актуального M5 Ultra. Другой вопрос, как скоро подобные конфигурации станет возможным купить после анонса M7 Ultra, но его следует адресовать общей ситуации на рынке памяти, а не самой Apple. В нынешних ценах поддержка 1,5 Тбайт памяти обойдётся покупателю в $35 000, если рассматривать переход от 128 Гбайт.

Нынешнее поколение Mac Studio невольно сталкивается с сокращением объёма доступной оперативной памяти, как отмечает 9to5Mac. Система на базе M3 Ultra в этом году утратила модификацию с 512 Гбайт памяти, а затем и вариант с 256 Гбайт памяти. В итоге Mac Studio остался доступен лишь с 96 Гбайт оперативной памяти. Чтобы поднять планку до 128 Гбайт, необходимо выбирать версию Mac Studio на базе M4 Max. Дебютирующий в этом году M5 Ultra получит поддержку до 768 Гбайт памяти, и это будет рекордом для современного поколения продукции Apple.

Прибывшие в США для празднования размещения депозитарных расписок на бирже Nasdaq руководители SK Group вскоре после церемонии начали активно раздавать интервью, и крупные деловые издания разродились самыми разными цитатами. В интервью Bloomberg, например, председатель совета директоров SK Group пообещал рассмотреть возможность предоставления клиентам памяти в аренду.

Обзор Infinix GT 50 Pro: геймерский смартфон со встроенной СЖО

Выбираем лучший игровой ноутбук до 100 000 рублей: сравнительное тестирование 7 интересных моделей

Репортаж с IEM Cologne Major 2026: Жаб Жабыч, триумф NiKo и главные сенсации мейджора по CS2

Умные помощники: обзор ИИ-сервисов для обработки изображений. Часть 2, актуализированная

Обзор Ryzen 9 9950X3D2: правильный 16-ядерник с 3D-кешем

Источник изображения: SK hynix

Невольно подыгрывая заявлениям министра торговли США, глава SK Group Чхэ Тхэ Вон (Chey Tae-won) подчеркнул, что южнокорейский конгломерат готов вкладывать в экономику США гораздо больше денег, чем происходило до этого. При этом он отметил, что мало кто осознаёт масштаб уже имевших место инвестиций, ведь сейчас SK Group в общей сложности готова направить на реализацию проектов на территории США более $35 млрд. Помимо производства тяговых батарей, она организовывает в Индиане тестирование и упаковку чипов памяти по передовым технологиям. В интервью Bloomberg председатель совета директоров SK Group заявил, что в его планы входят значительно более крупные инвестиции в экономику США по сравнению с упоминаемыми $35 млрд.

По мнению главы SK Group, баланс спроса и предложения на рынке памяти не будет достигнут до тех пор, пока не появится так называемый «сильный искусственный интеллект», по своим когнитивным способностям не уступающий человеческому. Долгосрочные соглашения с клиентами, по словам Чхэ Тхэ Вона, позволяют исключить цикличный характер колебаний цен на память. Эти контракты на длительный срок определяют как объёмы поставок памяти, так и цены, поэтому влияние цикличности отходит на второй план.

SK Group, как добавил глава компании, рассматривает возможность внедрения инновационных методов работы с клиентами. Помимо классической продажи микросхем памяти, она готова предложить им их аренду. В будущем компания как раз может сфокусироваться на предоставлении подобной услуги. Клиенты смогут арендовать память, когда им это нужно, и возвращать её, когда потребность сократится. Кроме того, в случае возникновения благоприятных условий на американском фондовом рынке SK hynix может разместить в США дополнительный объём своих депозитарных расписок, но сначала нужно убедиться, что их курсовая стоимость достаточно стабильна.

Поскольку ради участия в церемонии, посвящённой выпуску американских депозитарных расписок, в США был направлен десант руководителей SK hynix, ведущие американские деловые издания не упустили возможности взять у них интервью. Генеральный директор Квак Но Чжун (Kwak Noh-jung) пообещал Reuters достижение пика дефицита памяти в следующем году и его сохранение за пределами 2030 года.

Выбираем лучший игровой ноутбук до 100 000 рублей: сравнительное тестирование 7 интересных моделей

Обзор Infinix GT 50 Pro: геймерский смартфон со встроенной СЖО

Умные помощники: обзор ИИ-сервисов для обработки изображений. Часть 2, актуализированная

Обзор Ryzen 9 9950X3D2: правильный 16-ядерник с 3D-кешем

Репортаж с IEM Cologne Major 2026: Жаб Жабыч, триумф NiKo и главные сенсации мейджора по CS2

Источник изображения: SK hynix

Даже агрессивное расширение производственных мощностей, по его мнению, не позволит полностью насытить рынок памятью в ближайшие годы. «Мы прогнозируем, что следующий год будет худшим в истории с точки зрения предложения на рынке памяти», — признался глава компании. Он добавил, что хотя SK hynix и делает всё возможное для решения проблемы, внутренние прогнозы компании говорят о вероятности превышения спроса на память над предложением и после 2030 года. Спрос растёт быстрее, чем компания способна наращивать объёмы выпуска памяти.

SK hynix не исключает вероятности строительства новых предприятий по выпуску памяти в США, но для этого должен выполняться ряд условий. На территории должны иметься достаточно крупные и удобные участки земли под строительство, энергетическая инфраструктура и водные ресурсы, а также квалифицированная рабочая сила. При прочих равных, SK hynix рассматривает для экспансии своих предприятий США, Японию и Юго-Восточную Азию. Компания сейчас выбирает, какой из регионов мира в этом смысле способен предоставить наилучшие условия для ведения бизнеса, помимо самой Южной Кореи. Там SK hynix готова в ближайшие несколько лет потратить около $266 млрд на строительство новых фабрик по выпуску памяти.

В США компания уже собралась построить предприятие по упаковке памяти за $4 млрд в штате Индиана, а ещё $10 млрд будет направлено на разработку ИИ-решений на территории США. Конкурирующая Micron Technology, тем временем, решила увеличить сумму расходов на родной для себя американской земле на ближайшие девять лет с $200 до $250 млрд, подогнав число под «юбилейную дату» независимости, которую в этом году праздновали в США.

На этой неделе акции SK hynix в опосредованной форме через депозитарные расписки вышли на биржу Nasdaq в Нью-Йорке, первая торговая сессия после размещения завершилась ростом их курсовой стоимости на 13 % до $168, а председатель SK Group поспешил заявить CNBC, что росту спроса на память он не видит особых пределов в ближайшей перспективе.

Умные помощники: обзор ИИ-сервисов для обработки изображений. Часть 2, актуализированная

Обзор Infinix GT 50 Pro: геймерский смартфон со встроенной СЖО

Обзор Ryzen 9 9950X3D2: правильный 16-ядерник с 3D-кешем

Выбираем лучший игровой ноутбук до 100 000 рублей: сравнительное тестирование 7 интересных моделей

Репортаж с IEM Cologne Major 2026: Жаб Жабыч, триумф NiKo и главные сенсации мейджора по CS2

Источник изображения: SK hynix

В интервью одноимённому телеканалу Чхэ Тхэ Вон (Chey Tae-won) признался, что «всё это похоже на сон, который стал явью». По его словам, встречи с клиентами SK hynix оставляют у него ощущение, что всем им нужно ещё больше памяти. Даже обещания производителя удвоить объёмы её выпуска за пять лет не могут удовлетворить покупателей, поскольку они уже сейчас утверждают, что этого будет недостаточно.

За прошлый год капитализация SK hynix выросла более чем в семь раз, и на этапе размещения в США количество желающих приобрести её депозитарные расписки превышало их выпускаемое количество примерно в такой же пропорции. «Спрос невероятно высок, он растёт экспоненциально, я не вижу признаков снижения спроса на HBM», — признался глава SK Group. Он убеждён, что нынешняя ситуация далека по своей сути от прежних циклических колебаний спроса на рынке памяти. ИИ-агенты, роботы потребуют большого количества памяти, а потому спрос не обвалится. У себя на родине SK hynix собирается потратить до $390 млрд на строительство комплекса по производству памяти, а в США планирует построить предприятие по упаковке памяти в Индиане за $4 млрд, но американские власти настроены к привлечению южнокорейских производителей к развитию инфраструктуры в США в значительно больших масштабах.