Теги → память
Быстрый переход

Доходы производителей памяти DRAM сократились и прогнозы на будущее не радужные

Согласно свежему отчёту аналитиков из TrendForce, глобальные продажи на рынке памяти DRAM в первом квартале просели на 4,0 % и составили $24,03 млрд. Эксперты объясняют это растущей инфляцией, нестабильностью геополитической обстановки, а также ослаблением спроса на эту продукцию. На будущее прогнозы также пессимистические.

 Источник изображения: Samsung

Источник изображения: Samsung

Хотя клиенты продолжают наращивать запасы чипов DRAM, вялая динамика продаж привела к снижению цен на эту продукцию в первом квартале текущего года. Это в свою очередь привело к снижению общего объёма выручки рынка DRAM по итогу отчётного периода.

Эксперты отмечают, что сохраняющийся повышенный спрос на память DRAM со стороны рынка ПК и автомобильной индустрии позволил Micron, одному из трёх крупнейших мировых производителей этого вида памяти, увеличить свою выручку на 2,4 % по итогам первого квартала. Южнокорейским производителям Samsung и SK hynix повезло меньше — их выручка упала на 1,1 и 11,8 % соответственно. На две этих компании приходится 70,8 % мирового производства памяти DRAM.

Из-за уменьшения контрактных цен прогнозы прибыли для Samsung и SK hynix и Micron были снижены на 48, 39 и 40,1 % соответственно. С учётом текущего перехода рынка на производство памяти DDR5 и высокий спрос на эти продукты новые прогнозы прибыли этих производителей могут быть пересмотрены, но уже в положительную сторону. И, скорее всего, так и будет, если этому не помешают какие-либо другие факторы, отмечают аналитики.

 Источник изображения: TrendForce

Источник изображения: TrendForce

Samsung придерживается плана по расширению мощностей для производства памяти DRAM в этом году. К середине 2023 года производитель собирается открыть новый завод. Во второй половине текущего года компания нацелена увеличить объёмы поставок памяти DDR5 на рынок ПК и серверов. SK hynix начала постепенно увеличивать выпуск продукции на своих корейских и китайских заводах. К концу года компания планирует достичь определённой экономии в производстве памяти согласно техпроцессу 10-нм класса 1α. Micron расширять объёмы обработки кремниевых пластин для выпуска чипов DRAM пока не планирует. Компания представила продукты, выполненные по техпроцессу 1α во второй половине 2021 года, а начать производство согласно техпроцессу 1β (более продвинутая технология 10-нм класса) планирует в первой половине 2023 года, что ознаменует самый быстрый прогресс среди трёх крупнейших производителей DRAM.

Тайваньский производитель Nanya сосредоточен на выпуске чипов DRAM для потребительского рынка, но поскольку цены на продукцию для рынка ПК снизились, общая выручка компании упала на 7,4 %. Производитель планирует переход на массовый выпуск чипов согласно техпроцессу 1α к концу текущего года, однако уровень расширения мощностей компании будет зависеть от строительства нового завода Fab5A, который планируется запустить не ранее 2025 года.

Выручка компании PSMC от выпуска DRAM без учёта контрактного производства в первом квартале текущего года снизилась примерно на 23 %. В основном из-за снижения спроса на продукты PSMC со стороны её основных клиентов. Однако с учётом контрактных заказов её выручка выросла на 3 %. Доходы компании Winbond снизились на 4,6 %. Часть своих мощностей производитель перевёл на производство памяти NOR Flash. В результате объёмы выпуска пластин для чипов DRAM у него снизились. Однако компания уже занимается оснащением нового завода в Лучжу, поэтому во второй половине года планирует увеличить объёмы выпуска памяти DRAM.

GeIL представила первые в мире модули памяти DDR5 с двумя встроенными RGB-вентиляторами

Компания GeIL анонсировала модули оперативной памяти EVO V DDR5 RGB Hardcore Gaming Memory, предназначенные для высокопроизводительных игровых компьютеров и систем для оверклокеров.

 Источник изображений: GeIL

Источник изображений: GeIL

Представленные изделия — это первые в мире модули памяти, оборудованные алюминиевым радиатором, в который интегрированы два небольших вентилятора для дополнительного охлаждения. Такое исполнение существенно повышает эффективность отвода тепла при высоких нагрузках. Реализована многоцветная подсветка RGB.

В продажу поступят версии с частотой от 4800 до 6600 МГц, работающие при напряжении питания от 1,10 до 1,35 В. Покупателям будут предлагаться комплекты суммарным объёмом 32 и 64 Гбайт.

Модули имеют встроенную интегральную схему управления питанием (PMIC) для точной передачи данных и повышения энергоэффективности. Функция ECC (On-Die Error Correction Code) самостоятельно исправляет ошибки ячеек памяти. Поддерживаются профили Intel XMP 3.0.

В продажу новинки поступят в июле. Информации об ориентировочной цене на данный момент нет.

Lexar анонсировала память Ares DDR5 OC с частотой 5200 МГц

Компания Lexar анонсировала модули оперативной памяти Ares DDR5 OC, рассчитанные на игровые настольные компьютеры и производительные рабочие станции.

 Источник изображений: Lexar

Источник изображений: Lexar

Изделия функционируют на частоте 5200 МГц при напряжении питания 1,25 В. Заявленные тайминги — CL38-38-38-74. Реализована поддержка оверклокерских профилей Intel XMP 3.0.

Отмечается, что модули проходят тщательное тестирование. Они оснащены алюминиевым радиатором охлаждения, а диапазон рабочих температур простирается от 0 до плюс 85 градусов Цельсия.

Изделия имеют встроенную интегральную схему управления питанием (PMIC) для повышения энергоэффективности. Функция ECC (On-Die Error Correction Code) самостоятельно исправляет ошибки ячеек памяти.

Ёмкость модулей составляет 16 Гбайт. Они будут предлагаться в комплекте из двух штук суммарным объёмом 32 Гбайт. Ориентировочная цена набора составит 370 долларов США.

Sabrent представила модули памяти DDR5 для настольных ПК ёмкостью до 32 Гбайт

Компания Sabrent анонсировала модули оперативной памяти Rocket DDR5-UDIMM, предназначенные для использования в игровых настольных компьютерах и системах для создания контента. В семейство вошли изделия с частотой 4800 МГц.

 Источник изображений: TechPowerUp

Источник изображений: TechPowerUp

Серия представлена моделями ёмкостью 8, 16 и 32 Гбайт. Они будут предлагаться в комплектах из двух штук суммарным объёмом до 64 Гбайт. Напряжение питания составляет 1,1 В, задержка — CL40.

Предусмотрена встроенная интегральная схема управления питанием (PMIC) для повышения энергоэффективности. Функция ECC (On-Die Error Correction Code) помогает повысить надёжность и стабильность за счёт автоматического исправления ошибок ячеек памяти.

Модули имеют размеры 133,35 × 31,25 × 2,27 мм. Приём предварительных заказов на новинки начнётся в ближайшее время. Цену разработчик пока не указывает.

Addlink представила память AddGame Spider S5 DDR5 с частотой до 6000 МГц

Компания Addlink Technology анонсировала модули оперативной памяти AddGame Spider S5 стандарта DDR5, предназначенные для высокопроизводительных игровых компьютеров.

 Источник изображений: Addlink

Источник изображений: Addlink

В серию вошли изделия на 8, 16 и 32 Гбайт. Они будут предлагаться в комплектах из двух штук суммарным объёмом соответственно 16, 32 и 64 Гбайт. Покупатели смогут выбирать между модификациями с частотой 4800, 5600 и 6000 МГц.

Модули имеют встроенную интегральную схему управления питанием (PMIC) для точной передачи данных и повышения энергоэффективности. Кроме того, предусмотрены средства устранения ошибок on-die ECC (Error-Correcting Code).

Решения оснащены радиатором охлаждения. Говорится о полной совместимости с процессорами Intel Core двенадцатого поколения. Упомянута поддержка оверклокерских профилей Intel XMP 3.0.

Память проходит всестороннее тестирование и обеспечивается пожизненной гарантией. Продажи начнутся в июне, но информации об ориентировочной цене на данный момент нет.

«Почта России» не нашла поставщика памяти и накопителей для компьютеров

«Почта России» не смогла закупить комплектующие для автоматизированных рабочих мест своих сотрудников. Речь идёт об оперативной памяти и твердотельных накопителях для персональных компьютеров. Как сообщает CNews, 30 декабря 2021 года «Почта России» объявила тендер на закупку свыше ста тысяч модулей памяти и SSD в формате аукциона. На эти изделия предполагалось выделить 486,8 млн рублей.

 Источник изображений: «Почта России»

Источник изображений: «Почта России»

Комплектующие требовались компании для модернизации автоматизированных рабочих мест сотрудников в отделениях компании. Увы, закупить необходимые изделия не удалось.

«Почта России» планировала приобрести около 33,3 тыс. модулей памяти DDR3 на 8 Гбайт, 5,8 тыс. модулей DDR4 ёмкостью 8 Гбайт и 6,5 тыс. модулей DDR4 на 16 Гбайт. Плюс к этому компания намеревалась закупить 42,2 тыс. твердотельных накопителей вместимостью не менее 250 Гбайт и 33,1 тыс. SSD объёмом не менее 500 Гбайт.

Отмечается, что победитель тендера уклонился от подписания договора. Подписывать договор отказался и участник, занявший второе место. «Участники аукциона указывали на дефицит компонентов и отсутствие возможности поставить их, если бы речь шла только об одном производителе», — говорится в сообщении.

Silicon Power выпустила модули памяти DDR5 SO-DIMM для ноутбуков

Компания Silicon Power (SP) анонсировала новые модули оперативной памяти стандарта DDR5, предназначенные для использования в портативных компьютерах. Изделия выполнены в форм-факторе SO-DIMM с размерами 30,0 × 69,6 мм.

 Источник изображений: Silicon Power

Источник изображений: Silicon Power

Представленные решения работают на частоте 4800 МГц при напряжении питания 1,1 В. Задержка — CL40. Производитель предоставляет на память пожизненную гарантию.

В серию включены модули ёмкостью 8, 16 и 32 Гбайт. Они будут доступны в комплектах из двух штук суммарным объёмом 16, 32 и 64 Гбайт.

Изделия имеют встроенную интегральную схему управления питанием (PMIC) для точной передачи энергии и повышения энергоэффективности. Кроме того, решения оснащены функцией ECC (On-Die Error Correction Code), которая самостоятельно исправляет ошибки ячеек памяти.

Говорится о полной совместимости с процессорами Intel Core двенадцатого поколения. Информации об ориентировочной цене на данный момент нет.

Adata выпустит модули DDR5-6400 и NVMe-накопители PCIe 4.0 в необычном оформлении по случаю 21-летия

Тайваньской компании Adata отмечает в этом месяце своё 21-летие. По этому случаю производитель запланировал ряд онлайн-мероприятий с играми, призами и анонсами новых продуктов. Новыми продуктами в ассортименте компании станут модули оперативной памяти DDR5 серии Ace, а также твердотельные NVMe-накопители серий Legend 960 и Legend 850.

 Источник изображения: Adata

Источник изображения: Adata

К сожалению, Adata не стала вдаваться в подробности о технических характеристиках новинок. Однако производитель сообщил, что по случаю своего 21-летия выпустит специальные версии NVMe-накопителей Legend 850 Limited Edition объёмом 512 Гбайт и комплектов оперативной памяти из двух модулей ОЗУ Ace DDR5-6400 Limited Edition общим объёмом 32 Гбайт.

Отличает праздничные версии комплектующих необычная цветочная тема оформления. Её автором является немецкий иллюстратор, дизайнер и художник Mister Fred. Накопитель и модули памяти версий Limited Edition будут выпущены ограниченным тиражом в 500 экземпляров.

Компания отмечает, что накопители серии Legend 960 и Legend 850 смогут предложить поддержку интерфейса PCIe 4.0, а также скорости последовательного чтения и записи до 7400 и 5000 Мбайт/с соответственно. Полноценный анонс новинок ожидается в рамках запланированного летнего мероприятия.

Информацию о доступности новинок и их стоимость Adata не сообщила.

G.Skill представила память DDR5-5600 с низкими задержками

Компания G.Skill International Enterprise анонсировала новые комплекты оперативной памяти DDR5, рассчитанные на использование в игровых компьютерах и мощных рабочих станциях.

 Источник изображений: G.Skill

Источник изображений: G.Skill

Не так давно был представлен набор памяти G.Skill Trident Z5 RGB DDR5-6600 с таймингами, пониженными до CL34-40-40-105. В него входят два модуля по 16 Гбайт каждый, что в сумме даёт 32 Гбайт.

Новые комплекты имеют ещё более низкие задержки. В частности, дебютировали изделия DDR5 с частотой 5600 и 5200 МГц. В первом случае тайминги составляют CL28-34-34-89, во втором — CL28-34-34-83.

В продажу поступят наборы из двух модулей ёмкостью 16 и 32 Гбайт каждый. Таким образом, суммарный объём составит 32 и 64 Гбайт.

Модули DDR5-5600 CL28 войдут в семейства Trident Z5 RGB, Trident Z5 и Ripjaws S5. Память предназначена для использования в компьютерах с процессорами Intel Core двенадцатого поколения и материнскими платами на наборе системной логики Intel Z690.

Samsung представила флеш-память UFS 4.0 для смартфонов — объём до 1 Тбайт и скорость до 4200 Мбайт/с

Компания Samsung Electronics сообщила о разработке модулей флеш-памяти стандарта Universal Flash Storage (UFS) 4.0, которые предназначены для использования в мощных смартфонах с поддержкой мобильной связи пятого поколения (5G). Новинки обладают очень высокой пропускной способностью и соответственно скоростью передачи данных.

 Источник изображений: Samsung

Источник изображений: Samsung

Изделия Samsung UFS 4.0 обеспечивают пропускную способность до 23,2 Гбит/с на линию. Это в два раза больше по сравнению с чипами стандарта UFS 3.1.

Новые флеш-модули построены на основе памяти Samsung V-NAND седьмого поколения и проприетарного контроллера. Заявленная скорость последовательного чтения информации достигает 4200 Мбайт/с, скорость последовательной записи — 2800 Мбайт/с. Достигается двукратный рост по сравнению с решениями UFS 3.1 при чтении и 1,6-кратный рост при записи.

Кроме того, улучшены показатели энергетической эффективности. В частности, по сравнению с UFS 3.1 энергозатраты при чтении данных сократились на 46 %. За счёт этого увеличится время автономной работы смартфонов от аккумулятора.

Samsung приступит к массовому производству модулей UFS 4.0 в третьем квартале нынешнего года. Изделия будут выпускаться в разных вариантах ёмкости — вплоть до 1 Тбайт.

G.Skill представила модули памяти Ripjaws DDR5 SO-DIMM — до 5200 МГц, низкие тайминги и объём до 64 Гбайт

Компания G.Skill представила модули оперативной памяти Ripjaws DDR5 SO-DIMM с эффективной частотой 4800 и 5200 МГц для игровых ноутбуков и компактных ПК.

 Источник изображений: G.Skill

Источник изображений: G.Skill

Новинки представлены как в виде одинарных модулей ОЗУ объёмом 16 Гбайт, так и в виде комплектов общим объём до 64 Гбайт. Производитель заявляет для одинарных модулей оперативной памяти Ripjaws DDR5-4800 SO-DIMM тайминги CL34-34-34-76, CL38-38-38-83, а также CL40-39-39-76.

Для одинарных модулей и комплектов Ripjaws DDR5-4800 SO-DIMM заявляются тайминги CL38-38-38-83. В продаже оперативная память G.Skill Ripjaws DDR5-4800 SO-DIMM и G.Skill Ripjaws DDR5-5200 SO-DIMM должна появиться в этом месяце. Их стоимость производитель не указал.

Специалисты Gigabyte установили новый рекорд разгона памяти DDR5 — 10 022 МГц

Рекорд разгона оперативной памяти DDR5 компанией MSI до эффективной частоты 10 004 МГц, о котором сообщалось в начале этой недели, продержался недолго. Штатная команда оверклокеров компании Gigabyte под руководством Чи Хуа Ке (Chi-Hua Ke), более известного под псевдонимом HiCookie, сообщила о разгоне модуля DDR5 до частоты 10 022 МГц.

 Источник изображения: Gigabyte

Источник изображения: Gigabyte

Очевидно, что такой уровень разгона потребовал использования экстремальной системы охлаждения с применением жидкого азота, огромного опыта, терпения и удачи. Для эксперимента HiCookie использовал процессор Intel Core i9-12900K, у которого из активных оставил только два физических ядра. Их частоту работы энтузиаст снизил до 2,1 ГГц.

 Источник изображения: HWBOT

Источник изображения: HWBOT

В качестве платформы использовалась специализированная материнская плата для оверклокинга Gigabyte Z690 Aorus Tachyon. Она оснащена всего двумя разъёмами для ОЗУ. Однако в этом случае использовался только один, в который установили модуль DDR5 Aorus RGB. Его скорость удалось поднять до 10 022 МТ/с, то есть до частоты 5011 МГц. При этом память смогла заработать на относительно низких таймингах 46-58-58-46-104-2 (tCAS-tRCD-tRP-tRAS-tRC-tCR). Для сравнения, в случае эксперимента MSI с разгоном DDR5 до эффективной частоты 10 004 МГц тоже использовался один модуль ОЗУ, но при этом он смог заработать только с более высокими таймингами: CL72-126-126-126-127-2.

 Источник изображения: Valid X86

Источник изображения: Valid X86

Самые быстрые из доступных в продаже модулей ОЗУ DDR5 предлагают скорость ниже 7000 МТ/с. Производители памяти ранее заявили, что в будущем модули DDR5 смогут обеспечивать скорость передачи данных до 12 000 МТ/с. К сожалению, пока новый стандарт ОЗУ чаще всего оказывается в два раза дороже памяти DDR4. Хотелось бы надеяться, что выпуск новых платформ Intel Raptor Lake и AMD Ryzen 7000, а также прогнозируемый вместе с ними массовый переход на новый стандарт памяти исправят эту ситуацию, и модули ОЗУ DDR5 можно будут приобретать по более разумным ценам.

Colorful представила память CVN Guardian DDR5 с частотой до 6000 МГц и ценой от $169 за модуль

Компания Colorful анонсировала модули оперативной памяти CVN Guardian стандарта DDR5, предназначенные для игровых настольных компьютеров. Изделия будут предлагаться в нескольких вариантах.

 Источник изображений: Colorful

Источник изображений: Colorful

Решения выполнены на основе микросхем SK hynix. Память проходит всестороннее тестирование, что гарантирует стабильность и долговечность. Имеется встроенная интегральная схема управления питанием (PMIC) для точной подачи питания и повышения энергоэффективности.

В семейство CVN Guardian DDR5 вошли модули с частотой 4800, 5600 и 6000 МГц. Напряжение питания составляет соответственно 1,1; 1,25 и 1,35 В. Ёмкость всех новинок равна 16 Гбайт.

Память рассчитана на компьютеры с процессорами Intel Core двенадцатого поколения и с чипами AMD Ryzen 7000 Series. Модули снабжены радиатором охлаждения из алюминиевого сплава и многоцветной подсветкой RGB, контролировать работу которой можно через приложение iGame Center.

Изделия CVN Guardian DDR5 будут предлагаться по цене от 169 до 279 долларов США за модуль.

SK hynix отчиталась о рекордной прибыли и рассчитывает на рост спроса на память во втором полугодии

Южнокорейская компания SK hynix опубликовала на этой неделе квартальную отчётность, сообщив о получении рекордной с 2018 года чистой прибыли в размере $2,3 млрд, которая в годовом сравнении выросла в два с лишним раза. Выручка вообще выросла на 43 % до $9,7 млрд. В текущем году локомотивом спроса на память будет серверный сегмент, как считают в SK hynix, а смартфоны и ПК в первом полугодии будут продаваться вяло.

 Источник изображения: SK hynix

Источник изображения: SK hynix

Главным вопросом на данный момент, по мнению представителей компании, остаётся продолжительность локдаунов в Китае, которая ограничивает возможности местных производителей электроники закупать микросхемы памяти. Сама SK hynix располагает предприятиями в Уси и Даляне — последнее ей досталось недавно от Intel, и пока находится под оперативным управлением.

Примечательно, что даже после обновления рекорда четырёхлетней давности операционная прибыль SK hynix за первый квартал не смогла оправдать ожиданий аналитиков. К этому разочарованию добавилась общая распродажа активов в технологическом секторе, в результате курс акций SK hynix на торгах в Сеуле снизился на 3,2 %.

В чём в компании не сомневаются, так это в высоком спросе на память со стороны серверного сегмента. В текущем году динамика спроса будет напоминать 2018 год, по мнению представителей SK hynix, когда наблюдался бум облачных технологий. По прогнозам компании, в этом году объёмы поставок твердотельной памяти данной марки вырастут на 30 %, а объёмы поставок оперативной памяти увеличатся на 18‒19 %. В потребительском секторе, как ожидают руководители SK hynix, спрос на память для смартфонов и ПК вырастет только во втором полугодии. Интенсивность восстановления этого рынка будет во многом зависеть от продолжительности локдаунов в Китае.

SK hynix в настоящий момент страдает от нехватки технологического оборудования, но увеличивать объёмы производства памяти даже в таких условиях собирается за счёт повышения уровня выхода годной продукции. С точки зрения финансовых показателей для компании приоритетом является сохранение уровня прибыльности. Поскольку такие убеждения разделяют и другие участники рынка, это должно способствовать снижению колебаний цен на микросхемы памяти.

Dell представила проприетарные модули памяти DDR5 CAMM для ноутбуков — до 128 Гбайт в нестандартной компактной упаковке

Компания Dell представила собственный проприетарный форм-фактор модулей оперативной памяти DDR5 под именем CAMM (Compression Attached Memory Module). Модули этого формата будут использоваться в анонсированных компанией профессиональных ноутбуках Precision 7770 и Precision 7670, которые поступят в продажу во втором квартале этого года.

 Источник изображений: Dell

Источник изображений: Dell

По словам Dell, модули CAMM до 57 % тоньше, чем четыре планки памяти SO-DIMM, установленные в стандартные слота. Они будут предлагаться как в виде одноранговых (чипы памяти с одной стороны), так и в виде двухранговых (чипы памяти с двух сторон) вариантов. Двухранговые модули предложат объём до 128 Гбайт.

Вместо использования четырёх планок ОЗУ формата SO-DIMM объёмом 32 Гбайт каждый покупатель лэптопов Precision 7770 и Precision 7670 сможет сделать выбор в пользу одного модуля CAMM объёмом 128 Гбайт. Каждый модуль CAMM оснащён встроенной интегральной схемой управления питанием (PMIC), как и обычные модули памяти DDR5.

Двухсторонние модули памяти DDR5 формата CAMM будут предлагаться только в объёмах 64 и 128 Гбайт. Любопытно, что изделия объёмом 128 Гбайт имеют стандарт DDR5-3600, то есть ниже заявленных спецификаций JEDEC для памяти DDR5. Модули CAMM объёмом 16 и 32 Гбайт будут использовать одностороннюю схему расположения чипов памяти. Они предлагают стандарт DDR5-4800. Ниже представлены фотографии модулей памяти Dell DDR5 CAMM различного объёма.

 Модуль DDR5 Dell CAMM 128 Гбайт

Модуль DDR5 Dell CAMM 128 Гбайт

 Модуль DDR5 Dell CAMM 64 Гбайт

Модуль DDR5 Dell CAMM 64 Гбайт

 Модуль DDR5 Dell CAMM 32 Гбайт

Модуль DDR5 Dell CAMM 32 Гбайт

 Модуль DDR5 Dell CAMM 16 Гбайт

Модуль DDR5 Dell CAMM 16 Гбайт

 Вид модуля DDR5 Dell CAMM 128 Гбайт с обратной стороны

Вид модуля DDR5 Dell CAMM 128 Гбайт с обратной стороны

Модуль памяти CAMM устанавливается в разработанный Dell специальный разъём CAMM Compression Connector, расположенный на материнской плате ноутбука. Разъём также поддерживает установку двух обычных модулей памяти DDR5 формата SO-DIMM через специальный переходник.

 Переходник SO-DIMM–CAMM

Переходник SO-DIMM–CAMM

window-new
Soft
Hard
Тренды 🔥
Новая статья: Songs of Conquest — песнь больших надежд. Предварительный обзор 7 ч.
У российской «дочки» Google уже арестовано 2 млрд рублей по искам СМИ 7 ч.
Новая статья: Gamesblender № 571: перенос Starfield, новая Arma, дата выхода ремейка Dead Space и много слухов о Silent Hill 7 ч.
«Игры — это искусство!»: авторы Atomic Heart подсчитали, что уже на разработку потратили сотни тысяч часов 9 ч.
Выяснились подробности о Warhammer 40,000: Darktide — псайкеры, глубокий сюжет и поддержка в будущем 13 ч.
В Twitter обновился API — возможности сторонних приложений расширятся 14 ч.
Electronic Arts, вероятно, хочет себя продать или пойти на слияние с другой компанией 18 ч.
Google разрешила Tinder использовать сторонние платёжные системы 19 ч.
Microsoft обновила тестовую Windows Subsystem for Android с Android 12.1 и другими улучшениями 19 ч.
Ижевский суд не признал отключение Apple Pay в России нарушением прав потребителей 19 ч.