По подсчётам аналитиков TrendForce, в первом квартале 2021 года спрос на оперативную память оказался неожиданно высоким. Ведущие компании существенно нарастили поставки памяти, что не помешало также поднять цены на эту продукцию. Как результат, выручка производителей памяти в первом квартале выросла без малого на 10 %. Но на этом процесс не остановился. Во втором квартале и выручка, и объёмы совершат ещё один рывок вверх.

Как мы не раз сообщали, и аналитики снова об этом говорят, росту памяти способствовали четыре основных фактора: удалённая работа, дистанционное образование, передел рынка смартфонов после внесения компании Huawei в «чёрный» список США и рост серверных услуг. Всё это в совокупности позволило производителям повышать среднюю цену продаж памяти и продуктов на её основе даже на фоне определённого наращивания объёмов производства. В целом выручка производителей памяти за квартал выросла на 8,7 % по сравнению с четвёртым кварталом прошлого года и достигла $19,2 млрд.

Аналитики предупреждают, что во втором квартале 2021 года все эти тенденции будут расширяться, а также усугубятся тем, что складские запасы памяти быстро исчерпываются. Тем самым они прогнозируют, что выручка производителей памяти во втором квартале поднимется ещё на 20 % за квартал. Это будет происходить как за счёт наращивания объёмов поставок, так и за счёт увеличения отпускных цен на продукцию.

Возвращаясь к первому кварталу 2021 года, отметим, что выручка Samsung последовательно увеличилась на 8,5 %, выручка SK Hynix выросла на 6,9 %, а выручка Micron поднялась на 9,6 %. Нетрудно заметить, что Micron выросла сильнее остальных, хотя в принципе распределение долей рынка не изменилось.

Самым прибыльным производство памяти остаётся у Samsung. Рентабельность выпуска чипов DRAM Samsung в первом квартале была на уровне 34 %, что немного меньше, чем в предыдущем квартале (36 %). У компании SK Hynix рентабельность за квартал выросла с 26 % до 29 % (за счёт перехода на новые техпроцессы). Рентабельность производства Micron также выросла: с 21 % до 26 %.

Источник изображения: TrendForce

Все три ведущих производителя чипов DRAM, отмечают аналитики, планируют наращивать объёмы производства как за счёт разворачивания новых мощностей, так и за счёт отмены перехода на выпуск другой продукции. Ряд линий Samsung и SK Hynix, напомним, переделывали на производство датчиков изображения. Теперь этот процесс будет приостановлен, поскольку память снова стало очень выгодно выпускать. Впрочем, новые мощности начнут выпускать продукцию через год или чуть позже, так что на них не стоит пока рассчитывать.

Что касается тайваньских производителей памяти, то они от повышения спроса и цен выиграли даже сильнее ведущих компаний, поскольку во многом выпускают специализированные микросхемы, цены на которые начали расти в первую очередь.

Бренд HyperX, специализирующийся на выпуске продуктов для игровых компьютеров и киберспортивных систем, анонсировал новые модули оперативной памяти Predator стандарта DDR4.

Представлены решения с частотой 5000, 5133 и 5333 МГц. Ёмкость составляет 8 Гбайт; модули будут предлагаться в комплектах из двух штук суммарным объёмом 16 Гбайт.

Изделия получили радиатор охлаждения с агрессивным дизайном. Сообщается, что все модули проходят всестороннее тестирование; на них предоставляется пожизненная гарантия.

Предусмотрена поддержка оверклокерских профилей Intel XMP, что облегчит подбор настроек подсистемы оперативной памяти в UEFI.

В целом, как отмечается, семейство HyperX Predator DDR4 включает модули с частотой от 2666 до 5333 МГц. В зависимости от модификации ёмкость может составлять 8, 16 и 32 Гбайт. Доступны комплекты из двух, четырёх и восьми штук суммарным объёмом до 256 Гбайт.

Стоимость новых наборов на 16 Гбайт с частотой 5000, 5133 и 5333 МГц равна соответственно 870, 995 и 1245 долларам США. 

Компания Kingston Technology сообщила о том, что ещё на один шаг приблизилась к выводу на коммерческий рынок модулей оперативной памяти стандарта DDR5 (Double-Data-Rate Five), обеспечивающих возможность разгона.

DigiTimes

Отмечается, что Kingston предоставила образцы новых изделий партнёрам в среде разработчиков материнских плат для всестороннего тестирования. Название этих компаний не приводятся, но подчёркивается, что речь идёт о ведущих игроках рынка. Можно предположить, что образцы модулей DDR5 получили ASUS, ASRock, MSI и GIGABYTE.

Говорится, что в изделиях реализована поддержка оверклокерских профилей XMP. При этом разработчики материнских плат смогут самостоятельно изменять напряжение, устанавливая значения, отличающиеся от стандартных 1,1 В. Это обеспечит максимальную гибкость в плане разгона и оценки потенциала модулей.

Организовать поставки решений DDR5 с разгоном на коммерческий рынок компания Kingston Technology рассчитывает уже в следующем квартале. Память будет обеспечиваться пожизненной гарантией.

Отметим, что изделия DDR5, обладающие возможностью разгона, создают и другие компании. В их число, к примеру, входит Team Group. 

На фоне глобального дефицита полупроводников резко выросла стоимость чипов оперативной памяти, говорится в последнем отчёте аналитической компании TrendForce. Контрактная цена 8-гигабитных микросхем DDR4 DRAM, широко использующихся для производства модулей ОЗУ для ПК и ноутбуков, в этом месяце выросла до $3,80. Это на 26,67 % выше, чем было в прошлом месяце.

В отчёте говорится, что это самый большой ежемесячный рост контрактной цены, который наблюдался с января 2017 года, когда стоимость чипов резко выросла на 35,8 процентов. В январе текущего года контрактные цены на память выросли на 5 %, но затем стабилизировались. Однако в апреле они показали резкий рост после обсуждений ведущими производителями своих дальнейших ценовых политик на второй квартал текущего года.

«На фоне возросших объёмов производства ноутбуков можно ожидать, что цены на модули ОЗУ для ПК во втором квартале 2021 года вырастут 23–28 %. Мировая вакцинация проходит медленно. Поэтому есть предпосылки считать, что многие по-прежнему будут работать и учиться из дома, что создаст повышение спроса на лэптопы», — говорится в отчёте TrendForce, который цитирует южнокорейское информационное агентство Yonhap.

Аналитики также прогнозируют рост стоимости серверной оперативной памяти на 20–25 процентов в апреле–июне, поскольку многие компании наращивают инвестиции в IT-сектор и облачные технологии.

«В первом квартале 2021 года наблюдалось снижение поставок, поэтому компании захотят восполнить пробелы во втором. Поставщики находятся в более выгодном положении в вопросах обсуждения цен, потому что рынок памяти DRAM — это олигополия», — отмечают эксперты.

Контрактные цены на микросхемы флеш-памяти NAND тоже начали ползти вверх. Например, стоимость 128-гбитных (16 Гбайт) чипов флеш-памяти MLC NAND выросла на 8,57 % и составила $4,56 в апреле. До этого в течение шести предыдущих месяцев она снизилась до $4,20. Согласно более ранним прогнозам TrendForce, контрактная стоимость чипов NAND должна была вырасти на 3–8 процентов во втором квартале этого года, поскольку с её поставками нет проблем.

Больше всего от роста цен на чипы DRAM и флеш-память NAND выиграют южнокорейские компании, поскольку двумя крупнейшими поставщиками этих типов памяти являются местные Samsung Electronics и SK Hynix. По данным TrendForce, по итогу 2020 года на обе компании пришлись 71,6 % поставок чипов DRAM, а также 44,5 % чипов флеш-память NAND. Оба производителя уже поделились оптимистичными прогнозами в рамках своих последних финансовых отчётов. По их мнению, спрос на чипы DRAM и флеш-память NAND вырастет по итогам года примерно 20, а также на более 30 процентов соответственно.

По данным издания IT Home, китайская компания Asgard приступила к разработке комплектов оперативной памяти DRR5 с частотой 5600 МГц и общим объёмом 64 и 128 Гбайт.

Asgard является игровым брендом китайской компании Jiahe Jinwei, которая в свою очередь принадлежит  Longsys. Производитель ранее получил первые поставки чипов памяти DDR5 от Micron для пробного выпуска модулей ОЗУ нового стандарта. Компания подтвердила, что испытания прошли успешно, и поэтому она приступает к массовому производству комплектов DDR5 для платформ Intel Alder Lake и AMD Raphael, запуск которых ожидается в конце года.

Однако в прошлый раз речь шла о комплектах памяти общим объёмом 16 и 32 Гбайт, работающих на частоте 4800 МГц. Для нового стандарта DDR5 подобная скорость является базовой. Спецификации DDR5 позволяют в теории создавать модули оперативной памяти с частотой до 8400 МГц. Некоторые производители ОЗУ уже заявили о желании разработать сверхпроизводительные комплекты ОЗУ с частотой до 10 ГГц, однако подобные решения мы увидим явно не в самом ближайшем будущем. Кроме того, их появление полностью зависит от таких компаний, как Micron, Samsung, SK hynix и прочих производителей самих чипов памяти DDR5.

Согласно дорожной карте Asgard, в настоящий момент компания сосредоточилась на разработке комплектов памяти с частотой 5600 МГц и таймингами CL 46. Их выпуск планируется к 2022 году. Производитель пока официально не объявил о планах по выпуску наборов памяти DDR5 с частотой 6400 МГц, но ожидаются они не раньше 2022–2023 годов, как пишет IT Home. Любопытно, что несмотря на значительный прирост частоты, ОЗУ по-прежнему сможет работать при низком напряжении 1,1 В.

Оверклокер, скрывающийся под псевдонимом Toppc, поставил новый рекорд разгона оперативной памяти стандарта DDR4: информация о достижении уже обнародована на сайте HWBOT.

Напомним, что предыдущий рекорд разгона DDR4 был установлен в конце марта: тогда оверклокерам покорилась частота в 7156 МГц. В ходе эксперимента использовались материнская плата MSI MEG Z590I UNIFY и модуль HyperX Predator DDR4-2400 ёмкостью 8 Гбайт.

Новый рекорд достигнут с использованием платы MSI MEG Z590 UNIFY-X и модуля HyperX Predator на 8 Гбайт. В систему был установлен восьмиядерный процессор Intel Core i9-11900KF (Rocket Lake) с поддержкой многопоточности. У этого чипа базовая тактовая частота составляет 3,5 ГГц, максимальная — 5,3 ГГц.

В ходе эксперимента у центрального процессора были задействованы только два ядра (без использования многопоточности). Тактовую частоту оверклокер понизил до 1,5 ГГц. Для охлаждения традиционно применялся жидкий азот.

В результате, удалось взять рубеж в 7200 МГц, тайминги памяти при этом составили 58-63-63-63-2. 

Компания BIWIN объявила о заключении соглашения с Acer, предусматривающего поставки модулей оперативной памяти и твердотельных накопителей в разных форматах под брендами Acer и Predator.

BIWIN уже отгружает модули ОЗУ и SSD для целого ряда крупных поставщиков оборудования, в частности, HP. Теперь список заказчиков BIWIN пополнила Acer.

В частности, в ассортимент Acer вошёл 2,5-дюймовый твердотельный накопитель SA100 начального уровня. Вместимость таких изделий составит от 120 Гбайт до 1,92 Тбайт.

Ещё одна новинка — накопитель RE100 с интерфейсом SATA: он доступен в виде 2,5-дюймового решения, а также в форм-факторе M.2. Имея ёмкость от 128 Гбайт до 1 Тбайт (M.2) и 4 Тбайт (SATA), изделия обеспечивают скорость чтения и записи до 560 Мбайт/с и 520 Мбайт/с соответственно.

Накопитель Acer FA100, в свою очередь, относится к изделиям M.2 PCIe Gen3 NVMe. Он доступен с ёмкостью от 128 Гбайт до 2 Тбайт, обеспечивая скорость чтения до 3300 Мбайт/с и скорость записи до 2700 Мбайт/с.

Семейство модулей DRAM под брендом Acer включает стандартные изделия SO и UDIMM с частотой в диапазоне от 2666 МГц до 3200 МГц и ёмкостью от 4 Гбайт до 32 Гбайт на один модуль.

Для энтузиастов высокопроизводительных вычислений BIWIN предложит модуль HT100 марки Acer с теплоотводом и уникальным дизайном. Ёмкость составляет от 8 до 32 Гбайт, частоты — от 2666 до 3600 МГц.

Под брендом Acer Predator представлена новая серия модулей памяти Apollo с агрессивным дизайном. Эти решения, построенные из лучших компонентов, оснащены 10-слойной печатной платой, алюминиевым радиатором и многоцветной подсветкой.

Наконец, анонсированы накопители Predator GM3500 в виде модулей М.2 PCIe 3.0 x4 (NVMe 1.3). Они обеспечивает скорости чтения/записи до 3400/3000 Мбайт/с, а встроенная функция Advanced LDPC (Low Density Parity Check) повышает производительность за счёт использования алгоритмов кода исправления ошибок. 

Специалисты TrendForce выявили начало быстрого роста оптовых закупочных цен на оперативную память. Исходя из мониторинга транзакций торговой площадки DRAMeXchange, выяснилось, что договорные цены на модули памяти за квартал выросли до 25 %. Это превышает данный ранее прогноз по ценам на память во втором квартале 2021 года, что вынуждает аналитиков корректировать предсказание в сторону ухудшения ситуации с памятью.

В настоящий момент, заявляют в TrendForce, продавцы и покупатели памяти находятся в критической стадии переговоров по заключению контрактов на поставку модулей памяти во втором квартале. Эти переговоры проходят в условиях, когда цена на 8-Гбайт модули DDR4, к примеру, за квартал выросла на 25 %, хотя ранее ожидалось, что квартальный рост цен на память едва ли превысит 18%. Поэтому предыдущий прогноз о среднем росте цен на память во втором квартале в пределах 13–18 % можно благополучно забыть. Новый прогноз предполагает, что во втором квартале средние цены на память увеличатся на 18–23 %.

В TrendForce подчёркивают, что на рынке памяти сложилась устойчивая олигополия — монополия немногих производителей. Это позволяет им диктовать цены на дефицитную продукцию. Дефицит же возник в условиях роста спроса на ноутбуки в условиях пандемии коронавируса COVID-19, когда учёба и работа переместились из аудиторий и офисов в домашние условия.

Скорректированный прогноз по росту цен на оперативную память во втором квартале 2021 года. Источник изображения: TrendForce

Поскольку возможности для производства памяти ограниченные, например, линии необходимо перестраивать на выпуск тех или иных чипов — DDR3/4, графической памяти, мобильной или специальной — кто-то всегда рискует недополучить свой вид продукции. Это рождает опасения и не позволяет смело торговаться с поставщиками. Это отчётливо будет заметно в сфере памяти для персональных компьютеров, где аналитики во втором квартале ожидают самый большой рост цен — на уровне 23–28 %. Ежеквартальное производство ноутбуков во втором квартале обещает вырасти на 7,9 % по сравнению с первым кварталом этого года и это потянет за собой спрос на оперативную память, которой всем может не хватить.

На рынке серверной памяти специалисты ожидают квартального роста цен на 20–25 %. Память в этом сегменте будет расти не так стремительно, но всё равно опережающими предыдущие прогнозы темпами. Миграция в облака, COVID-19, дефицит и прочее заставит покупателей быть сговорчивее при заключении квартальных контрактов на закупку памяти серверного назначения.

Глобальный дефицит на рынке полупроводников привёл к закономерному результату — крупнейшие на рынке компании начали планировать строительство новых заводов. Ранее о впечатляющих планах сообщили Samsung, Intel и TSMC, а за ними потянулись компании второго эшелона. В частности, сегодня компания Nanya Technology — крупнейший на Тайване производитель чипов оперативной памяти — сообщила о намерении построить новый завод стоимостью свыше $10 млрд.

Источник изображения: Nanya Technology

Строительство нового предприятия Nanya для выпуска микросхем DRAM начнётся ближе к концу текущего года. Завершение работ планируется в 2023 году с запуском мощностей в работу в 2024 году. На предприятии будет внедрён техпроцесс класса 10 нм. Общая стоимость работ составит не менее 300 млрд новых тайваньских долларов ($10,69 млрд). Новых заводов Nanya Technology не строила более десяти лет. Поэтому новое предприятие станет определённым прорывом компании, которая занимает хоть и четвёртое место на мировом рынке DRAM, но имеет на нём долю порядка 5 %.

Также можно предполагать, что тайваньский производитель вынужден ускоряться на фоне становления национального производства памяти DRAM в Китае. Напомним, китайский производитель ChangXin Semiconductor Technologies стремится в ближайшей перспективе догнать и перегнать Nanya, что вынуждает тайваньскую компанию не сидеть сложа руки.

В то же время надо отметить, что на Тайване сложилась критическая ситуация с водными и энергетическими ресурсами для жизни, промышленности и экономики. Это начало прямо влиять на отрасль по производству полупроводников. Без решения этих проблем Тайвань и производители на острове крайне уязвимы ко многим случайным факторам, что может свести на нет все усилия по наращиванию производства чипов и не только.

Корейская компания Samsung Electronics уже 29 лет удерживает статус крупнейшего в показателях выручки производителя оперативной (DRAM) и твердотельной (NAND) памяти. В последнее время ей становится всё сложнее удерживать этот статус, поскольку позиции ослабевают под натиском конкурентов, да и высокая зависимость от рынка памяти не устраивает руководство корейского гиганта.

Источник изображения: Business Korea

Именно бизнес по выпуску памяти позволяет Samsung Electronics время от времени меняться с Intel лидирующей позицией в рейтинге крупнейших поставщиков полупроводниковой продукции. Рынок памяти характеризуется цикличностью цен и спроса, поэтому финансовые взлёты следуют на нём за падениями и наоборот. Руководство Samsung в последнее время предпринимает усилия для расширения бизнеса по контрактному производству компонентов, но пока к числу крупных завоеваний можно отнести разве что контракты с NVIDIA и Qualcomm.

Как отмечает Business Korea, если в 2016 году Samsung Electronics удавалось контролировать 48 % рынка оперативной памяти, то к 2020 году её доля сократилась до 43,1 %, а в четвёртом квартале прошлого года упала ещё на один процентный пункт, согласно данным TrendForce. Не менее заметное падение доли Samsung произошло на рынке твердотельной памяти: с 40 % в 2017 году до 33,4 % в четвёртом квартале 2020 года.

Micron Technology уже опередила Samsung по срокам вывода на рынок памяти типа 3D NAND седьмого поколения, поскольку сделала это в ноябре прошлого года, а корейский соперник пока собирается сделать это в следующем полугодии. Micron также удалось освоить выпуск микросхем DRAM по 10-нм технологии, но не продвинуться при этом в подготовке к переходу на использование EUV-литографии.

Если слухи о намерениях Micron приобрести японскую компанию Kioxia материализуются, то американский соперник достигнет равного положения с Samsung Electronics на рынке NAND. Даже тайваньская компания Nanya готовится начать выпуск оперативной памяти с использованием EUV-литографии, так что в технологическом плане Samsung теснят не только крупные конкуренты. SK hynix в этом году освоит как выпуск микросхем DRAM с применением EUV, так и серийное производство седьмого поколения твердотельной памяти 3D NAND. Не торопится Samsung разрабатывать и процессоры для систем искусственного интеллекта, а также экспериментировать с новыми материалами для производства компонентов. Всё это ослабляет её конкурентное положение.

Ещё в 2014 году выяснилось, что компьютерная память уязвима для особого вида атак, получивших название Rowhammer. Для устранения новой угрозы разработчики памяти изменили ряд механизмов обновления ячеек и стали считать, что защитили модули DRAM от атак. В марте прошлого года стало известно, что память DDR4 по-прежнему уязвима к Rowhammer, хотя стратегия взлома была довольно сложной. Новое исследование показало, что взлом DDR4 легко провести прямо в браузере.

Группа специалистов по безопасности из Амстердамского свободного университета и Высшей технической школы в Цюрихе (ETH Zurich) сообщила, что выявила новую опаснейшую разновидность атаки Rowhammer. Новый метод получил название SMASH (Synchronized MAny-Sided Hammering), инициировать который можно с помощью JavaScript. Исследователи констатируют, что многолетние усилия разработчиков оперативной памяти фактически провалились. Память в поколении DDR4 всё так же уязвима к атакам Rowhammer.

Напомним, атака Rowhammer заключается в том, что ячейки памяти подвергаются серии быстрых и многократных циклов перезаписи. Физически в микросхемах DRAM происходит заряд и разряд конденсаторов, которые и являются ячейками памяти. Поскольку плотность размещения ячеек (конденсаторов) в современных чипах памяти очень велика, между соседними ячейками происходит электромагнитное взаимодействие. Проще говоря, если интенсивно «стучать» по определённой области памяти, соседствующие с ней ячейки также изменяют заряд — происходит принудительная запись в защищённые или недоступные области памяти.

Новый метод обхода защиты Target Row Refresh (TRR) от Rowhammer опирается на тщательное планирование попаданий и промахов для замены кеша. Для этого запросы к памяти синхронизируются с командами обновления DRAM. Для облегчения процесса на JavaScript был создан эксплоит, который на практике доказал свою работоспособность. Так, браузер Firefox в среднем удавалось скомпрометировать за 15 минут. По сути метод SMASH — это открытые ворота для сложной атаки TRRespass, выявленной в марте прошлого года. Теперь эту уязвимость сможет эксплуатировать даже дилетант. Для этого достаточно создать сайт с вредоносным кодом или запустить эксплоит через вредоносную рекламу. Оба эти пути позволяют злоумышленнику взять под контроль браузер жертвы для запуска эксплоита.

«Текущая версия SMASH полагается на [прозрачные огромные страницы] для построения эффективных шаблонов самовыгрузки, — говорят исследователи. — Отключение THP при некотором увеличении производительности остановит текущую версию SMASH». Но кто мешает создать другие версии?

Компания G.Skill расширила серию оперативной памяти Trident Z Royal новыми комплектами ОЗУ Trident Z Royal Elite. Как и другие модели «королевской семьи», новые модули оснащены необычными кожухами охлаждения, сохраняющими роскошную эстетику. Память доступна в серебряном и золотом исполнении. Внешнее оформление новинок дополняет RGB-подсветка, оформленная в виде кристаллов.

Печатные платы модулей Trident Z Royal Elite выполнены на 10-слойном текстолите и оснащены вручную отобранными чипами памяти, обеспечивающими наилучшую производительность. Всё представленное семейство ОЗУ Trident Z Royal Elite состоит только из высокоскоростных модулей памяти. Самым «медленным» в серии является комплект из DDR4-3600 МГц, с таймингами 16-19-19-39 и рабочим напряжением 1,35 В. Данная память предлагается в комплектах из двух модулей по 8 и 16 Гбайт, а также в комплекте из четырёх модулей по 16 Гбайт.

Флагманом серии является Trident Z Royal Elite DDR4-5333. Несмотря на высокую частоту работы, память обладает относительно низкими таймингами 22-32-32-52 и работает при напряжении 1,6 В. Данный вариант представлен только одним комплектом из двух модулей объёмом по 16 Гбайт.

Источник изображения: Tom's Hardware

Оперативная память Trident Z Royal Elite поддерживает профили XMP 2.0, что позволяет выбрать в настройках BIOS материнской платы заявленный производителем уровень производительности ОЗУ.

Как и все продукты G.Skill, память Trident Z Royal Elite получила пожизненную гарантию производителя. К сожалению, компания не называет цен на комплекты памяти Trident Z Royal Elite. Однако в продаже новинки появятся в следующем месяце.

Компания Silicon Power анонсировала модули оперативной памяти Xpower Zenith стандарта DDR4, подходящие для использования в настольных компьютерах игрового уровня.

Изделия будут предлагаться в версиях с многоцветной подсветкой RGB и без. В первом случае возможна синхронизация с подсветкой других компонентов игровой станции через материнскую плату. Говорится о совместимости с технологиями ASUS Aura Sync, GIGABYTE RGB Fusion, ASRock PolyChrome Sync и MSI Mystic Light Sync.

Покупатели смогут выбирать между модификациями с частотой 3200, 3600 и 4133 МГц. Тайминги — CL16 (3200), CL18 (3600) и CL19 (4133). Напряжение питания составляет 1,35 В у версий с частотой 3200 и 3600 МГц, 1,4 В у решений с частотой 4133 МГц.

Ёмкость модулей равна 8, 16 и 32 Гбайт. Они будут предлагаться в комплектах их двух штук суммарным объёмом 16, 32 и 64 Гбайт.

Реализована поддержка оверклокерских профилей Intel XMP, что облегчит подбор настроек подсистемы оперативной памяти в UEFI. Производитель обеспечивает память пожизненной гарантией.

Сведений об ориентировочной цене модулей Silicon Power Xpower Zenith DDR4 на данный момент нет. 

Бренд GALAX через социальную сеть Facebook распространил сообщение о разработке модулей оперативной памяти DDR5 (Double-Data-Rate Five), рассчитанных на применение в системах с возможностью разгона.

Интернет-источники сообщают, что новые изделия войдут в семейство HOF (Hall of Fame). Информации о характеристиках модулей на данный момент, к сожалению, нет. Вместе с тем GALAX приводит изображения чипов памяти: они изготовлены компанией Micron Technology.

Память DDR5 обеспечит меньшее энергопотребление и увеличенную пропускную способность по сравнению с DDR4. Изделия GALAX должны обеспечить значительный разгонный потенциал, что должно заинтересовать оверклокеров.

Ожидается, что оперативная память стандарта DDR5 будет поддерживаться аппаратной платформой Intel Alder Lake-S, в которую войдут процессоры Core двенадцатого поколения. Выход этих чипов ожидается в конце текущего года.

Нужно также отметить, что не так давно о создании модулей DDR5 с возможностью разгона заявила компания Team Group. Образцы таких изделий уже предоставлены для тестирования ведущим производителям материнских плат — компаниям ASUS, ASRock, MSI и GIGABYTE. 

Последние несколько месяцев регулярно появляются сообщения о том, что в этом году ожидается значительный рост стоимости модулей памяти DRAM. Похоже, что это время неуклонно приближается, считает ресурс PCWorld, сотрудники которого проанализировали, как изменялась стоимость 10 наиболее популярных модулей памяти, продающихся на платформе Amazon. Оказалось, что цена каждого из них имеет тенденцию к росту.

В качестве примера приводится график изменения стоимости пары модулей памяти G.Skill TridentZ DDR4 3200 объёмом 16 Гбайт каждый. Они появились на Amazon в 2017 году и стоили более $400. Минимальная цена этих модулей была зафиксирована осенью прошлого года, когда их можно было купить менее чем за $200. Однако за последнее время цена вновь начала расти и достигла отметки в $290.

Популярный среди покупателей Amazon комплект из двух модулей Corsair Vengeance LPX DDR4 3200 объёмом 8 Гбайт каждый на старте продаж в 2015 году стоил около $170, а в 2016 году их цена резко упала до $75. В 2018 году их цена взлетела до $220, но в течение большей части прошлого года она не превышала $80. Однако за последние месяцы стоимость выросла почти на 30 % до $103 за пару модулей.

Тот же комплект из двух 8-Гбайт модулей Corsair Vengeance LPX DDR4 3200 в России по данным «Яндекс.Маркета» последние полгода лишь прибавлял в цене и набрал почти 50 % к своей ноябрьской стоимости.

Источник отмечает, что многие люди склонны покупать оперативную память сейчас, пока её цена не выросла ещё больше. Причём покупателям вряд ли стоит ожидать стабилизации цен на модули памяти DRR4 в ближайшее время. В первую очередь это связано с тем, что спрос на оперативную память будет сохраняться на высоком уровне в течение всего года, из-за чего её нехватка продолжит сказываться на цене.