Компания Biwin пополнила ассортимент модулей оперативной памяти Black Opal OC Lab Gold Edition DW100 RGB двумя четырёхканальными комплектами общим объёмом 192 Гбайт (4×48 Гбайт) со скоростью 6000 и 6400 МТ/с. Стоимость комплектов составляет от $849.

Источник изображений: Biwin

Для комплекта DDR5-6400 производитель заявляет тайминги CL30-39-39-108, а для DDR5-6000 — CL28-36-36-102. Оба имеют рабочее напряжение 1,4 В и поддерживают профили разгона AMD EXPO. Модули памяти оснащены радиаторами с RGB-подсветкой.

Компания заявляет, что комплект DDR5-6000 проходил тестирование утилитой MemtestPro на платформе AMD Socket AM5 в сочетании с процессором Ryzen 9 (модель чипа не указана, предположительно это 16-ядерный Ryzen 9 9950X3D) в течение 7 часов, продемонстрировав стабильность работы и отсутствие ошибок. В свою очередь, тестирование комплекта DDR5-6400 проводилось в TestMem5 всего в течение часа, но память также работала полностью стабильно и без ошибок.

Скриншот теста комплекта памяти DDR5-6400 также показывает, что напряжение CPU SoC составляло 1,26 В (1,3 В считается пределом напряжения для SoC-чипов Ryzen платформы AM5). Новые комплекты памяти тестировались на материнских платах MSI и Gigabyte с чипсетами AMD X870.

Компания G.Skill представила самые скоростные модули ОЗУ DDR5 с поддержкой профилей разгона AMD EXPO. Среди представленных новинок оказались двухканальные комплекты DDR5-8000 с таймингами CL36, DDR5-6000 с таймингами CL26, а также четырёхканальные комплекты DDR5-6000 с таймингами CL28.

Источник изображений: G.Skill

Для двухканального комплекта DDR5-8000 объёмом 48 Гбайт (2×24 Гбайт) производитель заявляет тайминги CL36-48-48. Память была протестирована на материнской плате Asus ROG Crosshair X870E Hero в сочетании с процессором Ryzen 9 9900X.

Для комплекта DDR5-6000 того же объёма заявлены тайминги CL26-39-39. Эти комплекты компания протестировала на плате MSI MPG X870E Carbon WIFI в сочетании с тем же процессором Ryzen.

Для четырёхканального комплекта DDR5-6000 объёмом 192 Гбайт (4×48 Гбайт) производитель заявил тайминги CL28-36-36. Память тестировалась на плате MSI MPG X870E Carbon WIFI в сочетании с процессором Ryzen 7 9800X3D.

Анонсированные комплекты памяти будут предлагаться компанией G.Skill в рамках её фирменных серий ОЗУ Trident Z5 Royal Neo, Trident Z5 Neo RGB и Ripjaws M5 Neo RGB. Старт продаж новинок ожидается в апреле.

Компания SanDisk увеличит стоимость флеш-памяти NAND более чем на 10 % с 1 апреля. Об этом производитель сообщил в письме своим ключевым клиентам. Американская компания объясняет предстоящий рост цен изменяющейся динамикой на рынке, ожидаемым восстановлением спроса на флеш-память NAND, а также повышением экспортных тарифов.

Источник изображений: SanDisk

По данным аналитического агентства TrendForce, с начала года крупнейшие поставщики флеш-памяти NAND, южнокорейские компании Samsung и SK hynix, начали снижать объёмы выпуска данного вида продукции. Отчёты аналитиков показывают, что объёмы производства флеш-памяти NAND у обоих производителей окажутся в первом квартале этого года более чем на 10 % ниже по сравнению со второй половиной прошлого года.

Производители пошли на снижение объёмов выпуска памяти NAND, чтобы стимулировать восстановление баланса спроса и предложения на рынке и заложить основу для восстановления цен. Согласно оценкам TrendForce, восстановление этого баланса ожидается во второй половине 2025 года.

Компания SanDisk в свою очередь в письме своим клиентам отметила, что её возможности для ответа на незапланированный рост спроса ограничены.

В четвёртом квартале прошлого года, по данным TrendForce, рынок памяти типа NAND находился под давлением из-за продолжающихся попыток производителей ПК и смартфонов оптимизировать свои складские остатки. Средние цены на флеш-память в прошлом квартале последовательно снизились на 4 %, а объёмы поставок упали на 2 %. Это привело к снижению выручки участников рынка на 6,2 % до $16,52 млрд.

Источник изображения: Micron Technology

Первый квартал традиционно является низким сезоном для рынка твердотельной памяти, и текущий год не является исключением даже с учётом усиленных попыток производителей сократить объёмы поставок своей продукции. Пополнение складских запасов замедлилось на большинстве ключевых рынков, включая серверный сегмент. По итогам первого квартала выручка поставщиков флеш-памяти может последовательно упасть на 20 %. О восстановлении рынка памяти типа NAND можно будет говорить только по итогам второй половины текущего года, если всё пойдёт по плану.

Лидером рынка NAND остаётся компания Samsung Electronics, которая последовательно сократила выручку по итогам прошлого квартала на 9,7 % до $5,6 млрд, в основном из-за сегмента бытовой электроники. В дальнейшем компания планирует сосредоточиться на продвижении твердотельных накопителей в корпоративном секторе. В любом случае, Samsung до сих пор контролирует 33,9 % мирового рынка NAND.

На втором месте расположилась SK Group, которая объединяет классический бизнес SK hynix и доставшиеся от Intel активы, которые теперь присутствуют на рынке под маркой Solidigm. Надежды на рост поставок в прошлом квартале у этого производителя не оправдались, в результате чего выручка последовательно упала на 6,6 % до $3,39 млрд. Для этого южнокорейского поставщика приоритетом является обслуживание потребностей сегмента ИИ-инфраструктуры.

Бизнес занимающей третье место компании Kioxia продемонстрировал относительную стабильность по итогам четвёртого квартала, поскольку неудачи в сегменте ПК и смартфонов были компенсированы высоким спросом на корпоративные SSD. Выручка компании по итогам периода сократилась последовательно всего на 0,2 % до $2,66 млрд. Доля рынка Kioxia при этом вообще выросла с 15,1 до 16,1 %.

В случае с Micron Technology высокий спрос на корпоративные SSD не позволил уравновесить спад на потребительском направлении, выручка этой компании последовательно сократилась на 9,3 % до $2,28 млрд. При этом по доле рынка Micron отстаёт от Kioxia не столь значительно: 13,8 против 16,1 %. В текущем году Micron намеревается сократить капитальные затраты в сегменте NAND и сосредоточиться на выпуске твердотельных накопителей объёмом более 60 Тбайт для корпоративных клиентов.

Western Digital со своей маркой SanDisk удалось сохранить выручку примерно на уровне третьего квартала прошлого года, поскольку твердотельная память для потребительских SSD продавалась лучше ожиданий в четвёртом квартале. Даже в условиях падения цен выручку удалось сократить всего на 0,4 % до $1,9 млрд. В этом году SanDisk может укрепить свои позиции на рынке SSD для ПК, пока сообща с Western Digital данный поставщик занимает 11,4 % рынка NAND. На долю прочих производителей твердотельной памяти за пределами первой пятёрки приходится не более 4,4 % мирового рынка в показателях выручки.

Глобальный доход отрасли DRAM по всему миру в IV квартале 2024 года превысил $28 млрд, что соответствует квартальному росту на 9,9 %. Положительная динамика обусловлена в первую очередь ростом контрактных цен на серверную DDR5 и поставками HBM, благодаря которым три ведущих поставщика DRAM в очередной раз нарастили выручку, отмечают аналитики TrendForce.

Источник изображения: samsung.com

Контрактные цены на продукцию развернулись преимущественно в сторону понижения, но только не в серверном сегменте, где американские облачные провайдеры увеличили закупки DDR5, тем самым поддержав рост цен на серверную DRAM. По итогам текущего квартала, как ожидается, будет отмечено замедление: производители DRAM снизят общие объёмы поставок в битах. Производители ПК и смартфонов будут избавляться от запасов, из-за чего производители DRAM переведут мощности с DDR4 и HBM на серверную DDR5. Спрос у облачных провайдеров снизится, спровоцировав падение контрактных цен как на DRAM, так и на HBM.

Источник изображения: trendforce.com

Ведущим поставщиком DRAM осталась Samsung с выручкой $11,25 млрд и ростом на 5,1 % квартал к кварталу. Однако её доля на рынке немного снизилась: из-за сокращения спроса на LPDDR4 и DDR4 компания уменьшила поставки в битах, поскольку OEM-производители ПК и смартфонов начали избавляться от запасов. Выручка второй в рейтинге, SK hynix, составила $10,46 млрд, что соответствует квартальному росту на 16,9 %; доля рынка компании увеличилась до 36,6 %. SK hynix нарастила поставки HBM3e и общие поставки в битах, компенсировав просадку в сегментах LPDDR4 и DDR4. Micron заняла третье место с выручкой $6,4 млрд, что на 10,8 % больше, чем кварталом ранее. Американский производитель также увеличил поставки в битах за счёт роста отгрузок серверной DRAM и HBM3e, благодаря чему его доля рынка за квартал не изменилась.

Выручка тайваньских производителей DRAM сократилась из-за ослабления спроса в потребительском сегменте и усиления конкуренции на рынке DDR4 со стороны китайских поставщиков. Доход Nanya Technology составил $203 млн, что на 19,3 % меньше, чем кварталом ранее; у Winbond выручка оказалась $119 млн, что на 22,4 % меньше, чем в предшествующем квартале. Доход PSMC в сегменте DRAM, в первую очередь потребительской, упал на 37,9 % в квартальном исчислении до $11 млн из-за сокращения объёмов производства пластин. Даже с учётом выручки от полупроводникового производства общий доход компании снизился на 10 % за квартал — это значит, что полупроводниковое производство для PSMC остаётся стабильно востребованным.

Компания Biwin представила OC Lab Gold Edition DW100 RGB DDR5 — первые в мире модули оперативной памяти DDR5 с поддержкой двух профилей разгона AMD EXPO. Новинки разработаны в коллаборации с экспертами OC Lab.

Источник изображений: Biwin

Модули памяти OC Lab Gold Edition DW100 RGB DDR5 поставляются в виде двухканальных комплектов общим объёмом 32 Гбайт (2 × 16 Гбайт). Первый профиль разгона AMD EXPO соответствует DDR5-8000 CL34/CL36, а второй — DDR5-6400 CL28. Таким образом, пользователи могут выбирать между повышенной частотой или пониженными задержками.

Компания заявляет, что новые модули ОЗУ поддерживают дополнительный ручной разгон до 8400 МТ/с при сохранении низких таймингов CAS на уровне CL34. Это возможно при использовании материнских плат Asus, MSI, Gigabyte и ASRock. Biwin предоставила скриншоты из программы Memtest, демонстрирующие работу новых модулей ОЗУ на материнских платах с чипсетами AMD X870, B850 и B840 в сочетании с процессорами серии Ryzen 9000.

Производитель отмечает, что модули памяти могут работать при таймингах CL28. Однако с помощью дополнительной ручной оптимизации можно понизить задержки до CL26. Компания также добавляет, что новинки были протестированы при рабочих напряжениях 1,45 и 1,50 В, при этом их средняя рабочая температура составляла менее 50 градусов Цельсия.

В продаже модули памяти Biwin OC Lab Gold Edition DW100 RGB DDR5 должны появиться в конце марта. Их стоимость будет начинаться от $169.

Компания G.Skill представила усовершенствованные модули памяти DDR5 R-DIMM для рабочих станций и серверных систем, соответствующие последней версии стандарта DDR5 R-DIMM от JEDEC. Новые модули производятся с использованием 16-слойных печатных плат для улучшенной целостности сигнала.

Источник изображения: G.Skill

Производитель заявляет, что новые модули DDR5 R-DIMM используют усовершенствованную 16-слойную печатную плату, что является значительным обновлением по сравнению с предыдущими 8- или 10-слойными конструкциями. Увеличение количества слоёв печатной платы повышает целостность сигнала, надёжность и стабильность передачи данных даже при высокопроизводительных рабочих нагрузках и в условиях разгона в составе рабочих станций и серверов.

Для защиты от перепадов напряжения новые модули DDR5 R-DIMM оснащены двумя двунаправленными TVS-диодами и предохранителем, что обеспечивает стабильный уровень напряжения и защищает память от скачков мощности.

Компания сообщает, что новые модули ОЗУ DDR5 R-DIMM поступят в продажу через партнёров-дистрибьюторов G.Skill по всему миру в середине 2025 года.

Kioxia в партнёрстве с SanDisk представила 3D NAND 10-го поколения (BiSC 10) — первую в мире флеш-память с 332 слоями. Она обеспечит более высокую скорость и плотность упаковки, а также лучшую энергоэффективность по сравнению со своими предшественниками предыдущими поколениями.

Источник изображения: Kioxia

Новая 3D флеш-память использует технологию CBA (CMOS directly Bonded to Array) и протокол SCA (Separate Command Address), а также технологию Power Isolated Low-Tapped Termination (PI-LTT), которая дополнительно снижает энергопотребление на 10 % при записи и на 34 % при чтении. Но наиболее важным достижением является использование нового интерфейса Toggle DDR6.0, который обеспечивает скорость до 4,8 Гбайт/с.

Kioxia отмечает, что возросшая по сравнению с актуальной 3D NAND 8-го поколения (BiSC 8) на 33 % скорость отчасти связана с увеличением количества слоёв памяти с 218 до 322, то есть на 38 %. Хотя 332 слоя и близко не достигают цели компании по созданию 1000-слойной 3D NAND к 2027 году, это всё равно является впечатляющим результатом. Kioxia утверждает, что применение 332-слойной флеш-памяти также повышает плотность записи данных на 59 % по сравнению с 218-слойной.

Источник изображения: Tom's Hardware

Также Kioxia акцентирует внимание на энергоэффективности, поскольку это является важным аспектом для современной флеш-памяти на фоне растущих требований систем ИИ к энергопотреблению. «С распространением технологий ИИ, объем генерируемых данных, как ожидается, значительно увеличится, а также потребность в повышении энергоэффективности в современных центрах обработки данных», — заявил главный технический директор Kioxia Хидеши Миядзима (Hideshi Miyajima). По его мнению, спрос на продукты с низким энергопотреблением заложит основу для разработки ИИ.

Нужно отметить, что Kioxia и SanDisk также напомнили о разработке флеш-памяти 3D NAND 9-го поколения, но не раскрыли информации о её характеристиках и возможностях. На данный момент нет данных о начале массового производства флеш-памяти нового стандарта. Учитывая тот факт, что поставки продуктов 9-го поколения даже не начинались, можно с уверенностью предположить, что выпуск флеш-памяти 10-го поколения — дело довольно отдалённого будущего. Пока компания даже не показала новую флеш-память.

Компания Silicon Power предлагает широкий ассортимент карт памяти для самых разнообразных задач. Например, карты High Endurance microSDXC UHS-I отличаются повышенной надёжностью и долговечностью, благодаря чему получили признание пользователей и стали бестселлером.

Источник изображений: Silicon Power

При разработке карт памяти High Endurance инженеры Silicon Power поставили перед собой задачу создать максимально надёжное решение, способное выдерживать продолжительную непрерывную запись видео, а также стабильно работать на улице в любую погоду. Кроме того, продукт должен функционировать без сбоев, что особенно важно для систем видеонаблюдения.

В результате карты High Endurance способны выдерживать перезапись десятков тысяч часов видео. Например, версия на 256 Гбайт обеспечит до 49 000 часов перезаписи видео в Full HD (1920 × 1080 точек) и 26 400 часов в 4K Ultra HD (3840 × 2160 точек). Также отмечается устойчивость к высокой влажности и способность работать при температурах от –25 °C до +85 °C. Карты защищены от ударов, падений, вибраций, рентгеновского излучения и воды. Всё это делает карты High Endurance подходящими для систем видеонаблюдения, видеорегистраторов, дронов, фотоаппаратов и различного профессионального оборудования и потребительских устройств.

Помимо высокой надёжности, карты памяти Silicon Power High Endurance полюбились пользователям за высокую производительность. Они соответствуют требованиям стандартов Class 10, UHS-I U3, A1 и V30, что обеспечивает стабильную непрерывную запись качественного видео в 4K. В основе Silicon Power High Endurance лежат отборные чипы памяти 3D TLC NAND.

Скорость последовательного чтения достигает 100 Мбайт/с, что позволяет быстро передавать данные с карты на компьютер, а скорость последовательной записи — 80 Мбайт/с. Также отмечается высокая скорость случайного чтения (более 1500 IOPS) и случайной записи (более 500 IOPS), что позволяет использовать эти карты памяти в мобильных устройствах и запускать с них различные приложения.

В российских магазинах карты памяти Silicon Power High Endurance предлагаются в версиях объёмом 64, 128 и 256 Гбайт по цене 990, 1490 и 2690 рублей соответственно. На карты предоставляется гарантия производителя сроком на 2 года.

Реклама | ИП Павлова А.Н. ИНН 770901175835 erid: F7NfYUJCUneRGyXHGFja

Рынок памяти DRAM ожидают перемены, поскольку падение цен на фоне слабого спроса заставляет крупнейших производителей, таких как Samsung Electronics, SK Hynix и Micron, корректировать свои стратегии. Эти компании увеличивают производство DDR5, а также памяти с высокой пропускной способностью (HBM) и к концу текущего года могут полностью отказаться от выпуска памяти DDR3 и DDR4.

Источник изображения: unsplash.com

Как пишет Digitimes, со ссылкой на издание Nikkei и индустриальные источники, три основных производителя памяти DRAM могут прекратить производство DDR3 и DDR4 к концу 2025 года. Это может привести к возможному дефициту поставок указанных типов памяти уже к осени. Оставшиеся предложения на рынке в значительной степени будут зависеть от тайваньских поставщиков, которые постараются заполнить освободившуюся нишу. По словам одного из ключевых дистрибьюторов компонентов, ожидаемая остановка производства памяти DDR3 и DDR4 может привести к значительным ограничениям поставок, усложнить динамику рынка и повлиять на стратегии ценообразования.

Согласно прогнозам тайваньского производителя памяти Nanya Technology, рынок DRAM достигнет нижней точки в первой половине 2025 года. Однако постепенное восстановление начнётся уже во втором квартале, чему будут способствовать рост спроса, более грамотное управление запасами, а также глобальные экономические стимулы. Спрос на облачные вычисления с использованием искусственного интеллекта останется высоким и будет стимулировать развитие сегмента периферийных вычислений. В то же время потребительский спрос вырастет незначительно, несмотря на региональные стимулы.

Эксперты рынка прогнозируют, что значительная часть новых производственных мощностей будет направлена на развитие технологий HBM и DDR5. Текущий спад цен и спроса на DDR3 и DDR4 сигнализирует о стратегическом сдвиге, поскольку ведущие производители памяти концентрируют свои ресурсы на масштабировании производственных возможностей HBM.

Столкнувшись со слабым спросом на устаревшие модели памяти DDR, компания Winbond Electronics модернизирует своё производство и собирается перейти на 16-нм техпроцесс во второй половине 2025 года. Сейчас компания использует 20-нм техпроцесс, в основном выпуская на его базе 4-гигабитную память DDR3 и DDR4. Переход на 16-нм техпроцесс позволит Winbond выпускать 8-гигабитную память DDR.

По данным inSpectrum, спотовые цены на DDR5 продолжают расти даже на фоне относительно вялого спроса, тогда как цены на DDR4 остаются стабильными. В свою очередь, спотовые цены на DDR3 в последние годы демонстрируют тенденцию к снижению.

Nvidia совместно с ведущими производителями SK Hynix, Samsung и Micron разрабатывает новый стандарт памяти, ориентированный на высокую производительность и компактные размеры. Стандарт получил название System On Chip Advanced Memory Module (SOCAMM) и уже проходит тестирование.

Источник изображения: Nvidia

Модуль может стать основой для следующего поколения компьютеров на базе искусственного интеллекта (ИИ) Nvidia Project Digits, анонсированных на CES 2025. Как пишет Tom's Hardware, новый стандарт обещает превзойти существующий модуль памяти Low-Power Compression Attached Memory Modules (LPCAMM) и традиционные DRAM-решения благодаря ряду преимуществ.

Во-первых, SOCAMM будет более экономически эффективным по сравнению с DRAM в формате SO-DIMM, так как технология позволяет разместить LPDDR5X-память непосредственно на подложке. Во-вторых, SOCAMM получит больше интерфейсов ввода/вывода — до 694 портов против 644 у LPCAMM и 260 у традиционной DRAM, что должно значительно увеличить пропускную способность и скорость обмена данными.

Кроме того, так как модуль отсоединяемый, это упростит модернизацию оборудования в дальнейшем. При этом, компактные размеры также помогут повысить общую ёмкость памяти.

Технические детали SOCAMM пока держатся в секрете, поскольку стандарт разрабатывается без участия совета JEDEC. Согласно имеющимся данным, Nvidia и партнёры в настоящее время обмениваются прототипами модуля для проведения тестов производительности.

В настоящий момент рынок флеш-памяти (NAND) страдает от избыточного предложения, что приводит к снижению цен и финансовым затруднениям поставщиков. Тем не менее аналитическая компания TrendForce ожидает значительного улучшения баланса спроса и предложения во второй половине года. Ключевыми факторами, по мнению TrendForce, являются сокращение производства микросхем NAND, снижение складских запасов в секторе смартфонов и растущий спрос, вызванный развитием ИИ.

Источник изображения: unsplash.com

Производители флеш-памяти за последние два года осознали серьёзное влияние избыточного предложения на отрасль, особенно с учётом того, что годовые темпы роста спроса на флеш-память были пересмотрены с 30 % до 10–15 %. В результате они были вынуждены скорректировать свои производственные стратегии, чтобы смягчить столь длительное снижение цен.

На рубеже 2025 года производители NAND приняли более решительные меры по сокращению производства, которые призваны оперативно снизить рыночный дисбаланс и заложить основу для восстановления цен. Кроме того, продолжающаяся политика субсидирования замены смартфонов в Китае эффективно стимулирует их продажи и ускоряет истощение запасов памяти NAND.

Источник изображения: TrendForce

Nvidia намерена нарастить поставки своей продукции серии Blackwell во второй половине года, что значительно увеличит спрос на корпоративные SSD. Кроме того, достижения DeepSeek в снижении затрат на развёртывание серверов ИИ позволят предприятиям малого и среднего бизнеса активнее интегрировать ИИ, повышая свою конкурентоспособность. Ожидается, что SSD-накопители ёмкостью более 30 Тбайт станут предпочтительным решением для хранения данных благодаря их высокой производительности и низкой совокупной стоимости владения.

Дополнительно появление ПК и рабочих станций с поддержкой ИИ будет способствовать более широкой интеграции искусственного интеллекта в повседневные приложения, что потенциально приведёт к долгосрочному росту ёмкости клиентских SSD для ПК. Снижение требований к вычислительной мощности, вероятно, ускорит проникновение на рынок бюджетных смартфонов с поддержкой ИИ, что дополнительно оживит спрос на флеш-память.

Компания G.Skill представила новые двухканальные комплекты оперативной памяти DDR5. Один из них предлагает объём 32 Гбайт (2 × 16 Гбайт), скорость 6400 МТ/с и низкие тайминги CL28. Второй — объём 96 Гбайт (2 × 48 Гбайт), скорость 6800 МТ/с и тайминги CL32. Оба варианта будут выпускаться в фирменных сериях Trident Z5 Royal, Trident Z5 RGB и Ripjaws M5 RGB.

Источник изображений: G.Skill

Все представленные новинки получили поддержку профилей разгона Intel XMP 3.0. О поддержке профилей разгона AMD EXPO производитель не сообщил. Помимо комплекта DDR5-6800 CL32, компания в перспективе также выпустит двухканальные комплекты объёмом 32 Гбайт (2 × 16 Гбайт), 48 Гбайт (2 × 24 Гбайт) и 64 Гбайт (2 × 32 Гбайт). Однако сверхнизкие задержки предложат только комплекты на 32 Гбайт (2 × 16 Гбайт). Новинки появятся в продаже в марте.

G.Skill провела тестирование комплектов DDR5-6800 CL32-42-42 объёмом до 96 Гбайт (2 × 48 Гбайт) на материнских платах Asus ROG Maximus Z790 Dark Hero в сочетании с процессором Intel Core i9-14900K, а также на Asus ROG Maximus Z890 Hero в паре с процессором Core Ultra 7 265K.

Комплект DDR5-6400 CL28-39-39 объёмом 32 Гбайт (2 × 16 Гбайт) компания протестировала на материнской плате Asus ROG Maximus Z790 Dark Hero в сочетании с процессором Intel Core i9-14900K.

Аналитики TrendForce ко второй половине января оказались готовы делать прогнозы относительно динамики рынка флеш-памяти в текущем году. По их мнению, сегмент продолжит испытывать давление из-за низкого спроса и перепроизводства. Крупнейшие игроки рынка на этом фоне начнут сокращать объёмы выпуска продукции и создадут благоприятные для дальнейшей консолидации условия.

Источник изображения: Samsung Electronics

Технически, данные меры будут выражаться в снижении уровня загрузки имеющихся производственных линий и отсрочке перехода на более современные техпроцессы. Спрос на новые смартфоны и ноутбуки не так высок, а в корпоративном сегменте также наблюдается охлаждение спроса на твердотельные накопители. Во-вторых, цены на микросхемы NAND снижаются с третьего квартала прошлого года, и поставщики придерживаются пессимистичных взглядов на их динамику в первой половине 2025 года. Низкие цены, сохраняющиеся на рынке, сокращают прибыль производителей, вынуждая их уменьшать объёмы выпуска продукции.

Добавляют проблем глобальному рынку и активность китайских производителей памяти, которые стремительно наращивают объёмы выпуска продукции на фоне национальной политики импортозамещения. Продукция китайских производителей NAND оказывается дешевле зарубежной, это также сбивает цены на глобальном рынке.

Многие производители флеш-памяти мирового масштаба готовятся снижать объёмы выпуска продукции. Micron соответствующее решение уже приняла, Kioxia и Western Digital (SanDisk) вот-вот последуют её примеру. Долго сопротивлявшаяся снижению объёмов выпуска Samsung под нажимом китайских конкурентов также будет вынуждена пойти на соответствующий шаг в текущем году. SK hynix и родственная компания Solidigm неплохо противостояли кризисным явлениям в прошлом году за счёт корпоративного сегмента, но в этом им тоже придётся пересмотреть производственные планы.

Эксперты TrendForce считают, что подобные явления будут увеличивать риски ухода с рынка определённых поставщиков. Ради выживания производителям NAND придётся осваивать более выгодные технологии выпуска памяти и дифференцировать продуктовую линейку, пытаясь найти специфические ниши с меньшим уровнем конкуренции.

Компания G.Skill представила высокопроизводительные двухканальные комплекты оперативной памяти DDR5-6400 объёмом 96 Гбайт (2 × 48 Гбайт). Новинки будут выпускаться в рамках серий Trident Z5 RGB и Trident Z5 Royal, предлагая поддержку профилей разгона Intel XMP 3.0.

Источник изображений: G.Skill

Производитель сообщил о проведении успешных тестов комплектов памяти объёмом 96 Гбайт в версии DDR5-6400 CL30-39-39-102 на материнской плате Asus ROG Maximus Z890 Hero в паре с процессором Intel Core Ultra 7 265K.

Для тестирования работы памяти на платформе AMD использовалась материнская плата Asus ROG Crosshair X870E Hero в сочетании с процессором Ryzen 7 9800X3D.

G.Skill сообщает, что в рамках серий Trident Z5 RGB и Trident Z5 Royal также будут доступны двухканальные комплекты памяти объёмом 64 и 48 Гбайт соответственно из пар модулей на 32 и 24 Гбайт. Эти решения появятся в продаже в первом квартале текущего года.