Опрос
|
реклама
Быстрый переход
Corsair готовит модули памяти Vengeance CUDIMM DDR5 со скоростью до 10 000 МТ/с
25.10.2024 [16:05],
Николай Хижняк
Компания Corsair сообщила о подготовке к выпуску модулей памяти Vengeance CUDIMM DDR5, работающих со скоростью до 10 000 МТ/с. Информацией производитель поделился в своих социальных сетях. Corsair показала работу новых модулей памяти в режиме DDR5-10000, который был установлен через встроенный профиль разгона XMP. Память работала с таймингами CL48-60-60-157-217в системе с процессором Intel Core Ultra 7 265K и материнской платой для оверклокеров ASRock Z890 Taichi OCF. По словам Corsair, новинки будут выпущены к концу ноября. Информации о ценах, а также подробные технические характеристики модулей памяти производитель не сообщил. Известно лишь, что планки имеют объём 24 Гбайт. Kingston в ноябре выпустит модули памяти Fury Renegade CUDIMM DDR5-8400 для Core Ultra 200S
25.10.2024 [14:37],
Николай Хижняк
Компания Kingston сообщила о расширении серии оперативной памяти Fury Renegade модулями ОЗУ CUDIMM DDR5, предназначенными для работы на материнских платах с чипсетами Intel 800-й серии с процессорами Intel Core Ultra 200S. Оперативная память Kingston Fury Renegade CUDIMM DDR5 будет выпускаться в виде одиночных модулей объёмом 24 Гбайт, а также в виде двухканальных комплектов общим объёмом 48 Гбайт (2×24 Гбайт). Новинки оснащены радиаторами с RGB-подсветкой, так и без неё. Для новинок заявляется скорость работы 8400 МТ/с. Полные характеристики новых модулей ОЗУ компания не приводит. Производитель отмечает, что поскольку модули памяти CUDIMM и UDIMM используют одинаковый 288-контактный DIMM-интерфейс, память Kingston Fury UDIMM с поддержкой профилей разгона Intel XMP и AMD EXPO также совместима с материнскими платами Intel 800-й серии. Однако компания рекомендует проверить совместимость с помощью списка QVL того или иного производителя материнской платы или с помощью конфигуратора Kingston для проверки поддерживаемых скоростей и ёмкостей модулей. Поставки модулей памяти Kingston Fury Renegade CUDIMM DDR5 начнутся с 18 ноября. G.Skill выпустила модули CUDIMM DDR5 с частотами до 9600 МГц для новых процессоров Intel Core Ultra 200
25.10.2024 [00:33],
Николай Хижняк
Компания G.Skill официально представила комплекты модулей оперативной памяти CUDIMM DRR5 Trident Z5 CK и CUDIMM DRR5 Trident Z5 CK RGB, оснащённые встроенным тактовым генератором. Последний позволяет модулям CUDIMM стабильно работать на более высоких тактовых частотах по сравнению с обычными UDIMM. Новые двуканальные комплекты ОЗУ CUDIMM DRR5 Trident Z5 CK и CUDIMM DRR5 Trident Z5 CK RGB общим объёмом 48 Гбайт (2×24 Гбайт) предлагают поддержку скоростей от 8000 МТ/с до 9600 МТ/с и работают с таймингами от CL40-48-48 до CL46-58-58. Новинки предназначены специально для использования с материнскими платами Intel 800-й серии и новейшими процессорами Core Ultra 200S. Производитель сообщает, что специально для оверклокеров подготовил комплект ОЗУ CUDIMM DDR5-9000 общим объёмом 48 Гбайт (2×24 Гбайт), работающий с таймингами CL42-56-56-144 в режиме Gear 2. Эффективность работы этого комплекта памяти была продемонстрирована в паре с новым флагманским процессором Core Ultra 9 285K и материнской платой Asus ROG Maximus Z890 Apex. Двухканальный комплект памяти CUDIMM DDR5 со скоростью до 9600 МТ/с того же объёма и таймингами CL46-58-58 в режиме Gear 4 был протестирован на совместимость и стабильность работы с процессором Core Ultra 7 265K и материнской платой ASRock Z890 Taichi OCF. Компания G.Skill также продемонстрировала потенциал разгона комплекта памяти CUDIMM DDR5 Trident Z5 CK до скорости 10 000 МТ/с при использовании обычного воздушного охлаждения. Тесты проводились на материнских платах Asus ROG Maximus Z890 Apex и ASRock Z890 Taichi OCF. Производитель опубликовал скриншоты тестирования ОЗУ на такой скорости в стресс-тестах AIDA64 и Memtest. G.Skill отмечает, что комплекты памяти Trident Z5 CK CUDIMM DDR5-9600 в версиях без RGB-подсветки и с подсветкой уже появились в продаже. Вариант без подсветки оценивается в $389,99, а светящийся — на $10 дороже. Новинки доступны у ретейлера Newegg. В ближайшее время география продаж будет расширена. V-Color выпустила комплекты памяти CUDIMM DDR5 Manta Xfinity со скоростью 8800 МТ/с
24.10.2024 [14:13],
Николай Хижняк
Компания V-Color представила комплект оперативной памяти CUDIMM DDR5 Manta Xfinity со скоростью работы 8800 МТ/с. Напомним, память CUDIMM отличается от обычной UDIMM наличием встроенного тактового генератора, позволяющего модулям ОЗУ стабильно работать на более высоких частотах. В рамках серии ОЗУ CUDIMM DDR5 Manta Xfinity производитель выпустил только один двуканальный комплект памяти общим объёмом 48 Гбайт (2×24 Гбайт). Он работает с таймингами CL42-56-56-134 при напряжении 1,45 В. Размеры модулей ОЗУ составляют 133 × 43 × 7,7 мм. Новинки будут выпускаться в чёрно-серебряном или чёрно-золотом оформлении и будут доступны как с RGB-подсветкой, так и без неё. Согласно пресс-релизу производителя, комплекты памяти CUDIMM DDR5-8800 Manta Xfinity доступны в продаже с сегодняшнего дня. Однако о стоимости новинок компания не сообщила. TeamGroup представила розовые модули памяти T-Force Xtreem DDR5 со скоростью до 7600 МТ/с
18.10.2024 [13:57],
Николай Хижняк
Компания TeamGroup представила два новых цветовых решения для своих модулей оперативной памяти T-Force Xtreem DDR5 и T-Force Xtreem ARGB DDR5. Первые теперь доступны, в том числе, в розовом варианте исполнения, а вторые — в белом. Ранее производитель предлагал эти модули в чёрном исполнении. Модули памяти T-Force Xtreem DDR5 предлагаются в виде двухканальных комплектов ОЗУ общим объёмом 32 (2×16) Гбайт и 48 (2×24) Гбайт с частотой от 6000 до 7600 МГц и таймингами CL30 (DDR5-6000) и CL36 (DDR5-7600). Они оснащены алюминиевыми радиаторами охлаждения без RGB-подсветки. Для них заявлено рабочее напряжение от 1,25 до 1,4 В в зависимости от комплекта. В свою очередь модули T-Force Xtreem ARGB DDR5 имеют RGB-подсветку и предлагаются в виде двухканальных комплектов общим объёмом 32 (2×16) Гбайт со скоростью от 6000 до 8000 МТ/с, 48 (2×24) Гбайт со скоростью от 6800 до 8200 МТ/c, 64 (2×32) Гбайт со скоростью 6000 и 6800 МТ/с, а также 96 (2×48) Гбайт со скоростью 6800 МТ/с. Указанные комплекты памяти работают с таймингами CL30, CL32, CL34, CL36 и CL38, обладая рабочим напряжением от 1,35 до 1,4 В. Все модули памяти серии T-Force Xtreem поддерживают профили разгона Intel XMP 3.0 и AMD EXPO. Samsung представила память для GeForce RTX 5090 — 24-гигабитную GDDR7 с рекордной скоростью
17.10.2024 [11:06],
Дмитрий Федоров
Samsung объявила о выпуске первых в мире 24-гигабитных микросхем памяти GDDR7. Эта память отличается самой высокой на сегодняшний день ёмкостью и скоростью, превышающей 40 Гбит/с, что делает её идеальным решением для высокопроизводительных ускорителей будущего. Тестирование новинки основными заказчиками начнётся в этом году, а массовое производство запланировано на начало 2025 года. Весьма вероятно, эта память пропишется в GeForce RTX 5090 и других видеокартах нового поколения. Новое решение от Samsung найдёт применение не только в традиционных областях — видеокартах, игровых консолях и системах автономного вождения, но также в дата-центрах и рабочих станциях для ИИ. Благодаря высокой скорости передачи данных и увеличенной ёмкости новая GDDR7 станет ключевым компонентом для инфраструктуры, требующей быстрого доступа к большим объёмам информации. «Разработав в прошлом году первую в отрасли 16-гигабитную GDDR7, Samsung укрепила своё технологическое лидерство на рынке графической DRAM этим последним достижением», — заявил ЁнЧхоль Бэ (YongCheol Bae), исполнительный вице-президент по планированию продуктов памяти Samsung. Он также отметил, что компания продолжит выпускать инновационные продукты, отвечающие растущим потребностям индустрии ИИ и высокопроизводительных вычислений. Новая 24-гигабитная GDDR7 использует DRAM пятого поколения, изготовленную по техпроцессу 10-нм класса, что позволило увеличить плотность ячеек на 50 % без изменения размеров упаковки. Это значительное технологическое достижение обеспечивает более высокую ёмкость и производительность по сравнению с предыдущими решениями. Одним из ключевых технологических достижений Samsung является применение трёхуровневой амплитудно-импульсной модуляции PAM3, которая позволяет достигать скорости свыше 40 Гбит/с, что на 25 % быстрее по сравнению с предыдущим поколением GDDR6. В зависимости от условий эксплуатации производительность может увеличиваться до 42,5 Гбит/с. Энергоэффективность новинки была значительно улучшена за счёт внедрения технологий, ранее использовавшихся в мобильных устройствах, теперь впервые применённых в графической памяти. Внедрение методов управления тактовой частотой и двухуровневого дизайна питания (VDD) позволило существенно сократить потребление энергии, что привело к повышению энергоэффективности более чем на 30 %. Это особенно критично для систем с высокой вычислительной нагрузкой, где каждый процент энергоэффективности приводит к ощутимым выгодам. Для обеспечения стабильной работы GDDR7 при высоких скоростях обработки данных была минимизирована утечка тока за счёт использования новых методов управления питанием. Это позволяет значительно снизить энергопотери и повысить надёжность системы даже при максимальных нагрузках. Micron представила 64-Гбайт модули DDR5-6400 для систем на Intel Core Ultra, с которыми можно получить 256 Гбайт памяти
15.10.2024 [19:36],
Николай Хижняк
Компания Crucial представила модули оперативной памяти DDR5 CUDIMM для новейших настольных компьютеров и DDR5 CSODIMM компактного формата для ноутбуков и мини-ПК со скоростью 6400 МТ/с. Компания предложит для настольных и мобильных ПК модули объёмом до 64 Гбайт — прежде такие были только в серверном сегменте. Модули памяти CUDIMM и CSODIMM отличаются от обычных модулей DIMM и SO-DIMM соответственно наличием встроенного тактового генератора (Clock Driver, CKD), который повышает общую стабильность работы модулей памяти и позволяет им стабильно функционировать на более высоких частотах. Некоторые производители уже анонсировали выпуск модулей памяти DDR5 CUDIMM со скоростью свыше 9000 МТ/с. Crucial к таким скоростям пока не стремится и хочет начать с малого. Первые модули CUDIMM и CSODIMM производителя будут работать на скорости 6400 МТ/с с задержками CL52-52-52-103. По словам Crucial, её первые модули памяти CUDIMM уже прошли проверку совместимости с новейшими процессорами Intel Core Ultra 200S. Компания отмечает, что первой в мире завершила проверку на совместимость с Core Ultra 200S модулей памяти CUDIMM ёмкостью 64 Гбайт на базе 32-Гбит микросхем памяти. Однако в продажу производитель сначала выпустит двухканальные комплекты DDR5-6400 общим объёмом 32 Гбайт (2×16 Гбайт), а также отдельные модули DDR5-6400 объёмом 16 Гбайт. А вот модули объёмом 64 Гбайт, которые позволят оснастить настольный ПК сразу 256 Гбайт оперативной памяти, появятся в продаже в первой половине 2025 года. Производитель уже озвучил цены на модули памяти DDR5 CUDIMM объёмом 16 Гбайт. Одиночный модуль оценивается $84,99, а комплект из двух — в $169,99. ASRock рекламирует разгон оперативной памяти DDR5 до 10 133 МТ/с на новой плате Taichi Z890 OCF
14.10.2024 [14:19],
Николай Хижняк
Компания ASRock сообщила, что её новая материнская плата Taichi OCF, оснащённая чипсетом Intel Z890, может работать с оперативной памятью DDR5 со скоростью выше 10 000 МТ/с. Эта плата для процессоров Intel Core Ultra 200S разработана специально для оверклокеров, оснащена усиленной подсистемой питания и получила только два слота для установки ОЗУ. Согласно ASRock, обычная версия Taichi Z890 поддерживает оперативную память со скоростью до 9200 МТ/с посредством разгона. Однако версия OCF (OC Formula) разработана с учётом поддержки памяти до 10 133 МТ/с. Однако, конечно, никто не гарантирует, что такая скорость памяти действительно будет достигнута. Даже в официальных характеристиках Taichi Z890 OCF указано, что она поддерживает ОЗУ до 9600 МТ/с. Иными словами, речь идёт не об официальной поддержке модулей памяти со скоростью выше 10 000 МГц (планок памяти с такой заявленной скорости пока просто нет в продаже), а о том, что пользователи могут самостоятельно экспериментировать с разгоном, пытаясь достичь заявленной скорости. Какими-либо примерами достижений разгона с использованием новой платы Taichi Z890 OCF компания ASRock не делилась, поскольку оглашение такой информации пока находится под запретом. Однако производитель опубликовал фотографии платы из своей лаборатории оверклокинга. Очевидно, что Taichi Z890 OCF сможет продемонстрировать все свои возможности разгона компонентов лишь при использовании экстремального охлаждения, например, в виде жидкого азота, поэтому скорость 10 133 МТ/с для памяти может быть вообще недостижима при использовании обычного воздушного охлаждения. Новая серия материнских плат ASRock Z890 оснащена запатентованной технологией Memory OC Shield, которая, как говорит производитель, снижает электромагнитные помехи в передаче сигналов между модулями ОЗУ и CPU, которые могут помешать в раскрытии полного потенциала разгона. ASRock изменила дизайн своих плат, чтобы ограничить эти помехи. Кроме того, новые платы производителя поддерживают профили разгона ОЗУ Intel XMP и AMD EXPO. Стоит отметить, что Intel действительно улучшила поддержку памяти DDR5 у новой платформы Arrow Lake-S, добавив ей в том числе поддержку модулей CUDIMM, которые оснащаются собственными тактовыми генераторами для стабильной работы ОЗУ на более высоких частотах. Однако официально платформа Intel Arrow Lake-S поддерживает без разгона память до DDR5-6400. ASRock Z890 OCF, как и другие ранее представленные платы на чипсете Intel Z890, не только от ASRock, но и от других производителей, появятся в продаже позже в этом месяце. Согласно данным крупного западного ретейлера Newegg, стоимость модели ASRock Z890 OCF составит $599. Adata готовит модули памяти DDR5 CUDIMM со скоростью до 9200 МТ/с
11.10.2024 [15:53],
Николай Хижняк
Компания Adata сообщила, что ведёт разработку модулей оперативной памяти нового типа CUDIMM на основе технологии DDR5. Новые модули ОЗУ будут предназначены для работы с новейшими процессорами Intel Core Ultra 200S. Производитель ничего не сказал о возможности работы такой памяти на актуальных платформах компании AMD. Память DDR5 CUDIMM отличается от обычной DDR5 DIMM наличием встроенного тактового генератора. Он эффективно стабилизирует передачу сигналов между центральным процессором и памятью, позволяя последней стабильно работать на более высоких частотах. Согласно пресс-релизу производителя, модули памяти Adata DDR5 CUDIMM смогут работать на материнских платах с чипсетом Intel Z890 со скоростью выше 9000 МТ/с. Однако первые решения предложат более скромную скорость работы. Первые комплекты памяти DDR5 CUDIMM от Adata будут работать со скоростью 6400 МТ/с. Однако производитель подтвердил, что в перспективе выпустит модули ОЗУ с более высокими скоростями — 8400, 8600, 8800, 9066 и 9200 МТ/с. Adata предложит модули объёмом 16 и 24 Гбайт. Производитель также подтвердил, что модули памяти DDR5 CUDIMM будут выпускаться в его фирменной серии XPG Lancer RGB DDR5 и оснащаться радиаторами серебряного цвета с RGB-подсветкой. Версии без радиатора также запланированы к выпуску. Adata сообщила, что её первые модули памяти DDR5 CUDIMM должны появиться в продаже в четвёртом квартале этого года. Однако точную дату старта продаж, а также стоимость модулей памяти компания не уточнила. TeamGroup представила CUDIMM-память T-Force Xtreem CKD DDR5-8800 с разгоном до 9600 МГц
11.10.2024 [15:31],
Николай Хижняк
Компания TeamGroup представила комплект оперативной памяти CUDIMM T-Force Xtreem CKD DDR5-8800 общим объёмом 48 Гбайт (2×24 Гбайт). Особенность памяти CUDIMM — встроенный тактовый генератор, обеспечивающий стабильную работу модулей на высоких частотах. Производитель заявляет, что комплект памяти T-Force Xtreem CKD DDR5-8800 может работать в режиме Gear 2 со скоростью от 8200 до 9000 МГц, а в режиме Gear 4 — со скоростью до 9600 МГц. Память поддерживает соответствующие профили разгона Intel XMP. Стабильность работы памяти на таких высоких частотах производитель подтвердил скриншотами с результатами внутренних тестов. Компания отмечает, что тесты проводились на новой платформе LGA 1851 с одной из моделей процессоров из серии Intel Core Ultra 200S в режиме DDR5-9000 (Gear 2) и DDR5-9600 (Gear 4). TeamGroup не сообщила, когда новые модули памяти появятся в продаже. G.Skill выпустит комплект памяти DDR5 CU-DIMM на 48 Гбайт со встроенным тактовым генератором
10.10.2024 [17:20],
Николай Хижняк
Компания Asus в рамках презентации материнских плат на чипсете Intel Z890 для процессоров Arrow Lake-S, официальный анонс состоится через несколько часов, рассылает СМИ специальные комплекты для тестирования новых чипов. Помимо прочего эти комплекты включают планки оперативной памяти DDR5 CU-DIMM Trident Z5 CK от компании G.Skill. Сама G.Skill пока не анонсировала такую ОЗУ. Память CU-DIMM характеризуется наличием встроенного тактового генератора, расположенного непосредственно на самом модуле. Благодаря этому обеспечивается более стабильный разгон до более высоких частот. Некоторые компании уже представили свои варианты памяти CU-DIMM, работающие на скорости свыше 9000 МТ/с и подтвердили, что в перспективе будут выпущены комплекты со скоростью 10 000 МТ/с. Согласно YouTube-блогеру Xtian C, входящий в набор Asus комплект модулей памяти памяти G.Skill CU-DIMM Trident Z общим объёмом 48 Гбайт (2x24 Гбайт) работает со скоростью 8200 МТ/с. Остальные характеристики новинки пока остаются неизвестными. Судя по всему, сама G.Skill собирается представить данный комплект оперативной памяти уже совсем скоро. Добавим, что в комплект Asus для обозревателей помимо модулей ОЗУ включены флагманская материнская плата ROG Maximus Z890 HERO и система жидкостного охлаждения ROG Ryujin III 360 aRGB Extreme. Квантовая механика помогла придумать оптическую память невообразимой плотности
04.10.2024 [23:06],
Геннадий Детинич
Группа учёных из США смогла соединить квантово-механическую теорию и цифровую запись, проложив путь к потенциально сверхплотной оптической памяти. Запись осуществляется излучателями атомарного размера, встроенными в саму память, а ячейками для хранения информации выступают множественные дефекты в атомарной структуре памяти. Всё это замешано на управляемом изменении квантовых состояний дефектов, явив собой смесь классической и квантовой физики. Исследование и разработку моделей изучаемых явлений осуществили физики из Аргоннской национальной лаборатории министерства энергетики США и Притцкеровской школы молекулярной инженерии Чикагского университета. Сначала они провели моделирование и предсказали возможные результаты и лишь потом провели эксперименты. Проделанная учёными работа во многом новаторская. Ещё никто не изучал вопрос, как поведут себя дефекты в атомарной структуре твёрдых материалов, если по соседству с ними в нанометровой доступности расположатся излучатели энергии (фотонов). Фактически это физика в ближнем поле, которая непросто поддаётся изучению и, прежде всего, из-за возникновения разного рода квантовых эффектов. «Мы разработали фундаментальные физические основы того, как передача энергии между дефектами может лежать в основе невероятно эффективного оптического метода хранения, — сказала Джулия Галли (Giulia Galli), профессор Чикагского университета и старший научный сотрудник Аргоннской национальной лаборатории. — Это исследование иллюстрирует важность изучения основных принципов и квантовомеханических теорий для освещения новых, зарождающихся технологий». Если мы будет рассматривать, например, оптические диски, то минимально допустимое пятно для записи будет ограничено дифракционным пределом оптической системы и не сможет быть меньше длины волны записывающего лазера. Учёные предложили насытить материал атомами редкоземельных элементов, которые отличаются тем, что способны переизлучать падающий на них свет в более узком диапазоне и на других длинах волн. Тем самым можно создать материал с мириадами записывающих «лазеров» внутри, каждый из которых был бы размером с атом. Точно также материал можно насытить ячейками для записи, в роли которых выступали бы дефекты в кристаллической структуре. При достаточном количестве атомов редкоземельных элементов и дефектов большинство из них находились бы в нанометровой доступности друг от друга. Суть открытия в том, что редкоземельные излучатели (точнее — переизлучатели) необратимо или на очень длительное время меняют квантовые состояния находящихся по соседству дефектов (переводят их из синглетного в триплетное состояние). А это память, работающая в оптическом диапазоне. И очень плотная память — на уровне атомарной структуры. Учёные предупреждают, что они пока слабо представляют многие механизмы работы такой памяти, но не сомневаются, что это интересный и перспективный путь для удовлетворения нужд человечества в сохранении цифровых архивов. Высокоскоростная память CUDIMM совместима с Ryzen 9000, но нужна плата на AMD X870 или X870E
01.10.2024 [00:34],
Николай Хижняк
Компания MSI подтвердила, что новые материнские платы на чипсетах AMD X870 и X870E поддерживают модули оперативной памяти нового типа CUDIMM. Такие модули отличаются от обычных наличием встроенного тактового генератора, который позволяет ОЗУ работать стабильнее на высоких частотах. Несколько производителей оперативной памяти уже представили модули CUDIMM с заявленной скоростью от 9200 до 9600 МТ/с. Ранее стало известно, что новая платформа Intel Arrow Lake-S будет поддерживать память CUDIMM через режим Gear 2. Это породило множество вопросов о том, будет ли платформа Socket AM5 компании AMD тоже поддерживать такую память. Благодаря MSI теперь известно, что да, будет. Однако совместимость компонентов зависит от используемой ОЗУ, материнской платы и процессора. Информацией о поддержке памяти CUDIMM на своих материнских платах X870 компания MSI поделилась на недавнем мероприятии для прессы. В частности, производитель сообщил о косметических изменениях в слотах для оперативной памяти её новых материнских плат для лучшей передачи сигнала (физические размеры и схема контактов CUDIMM идентичны обычным DDR5 DIMM) и подтвердил поддержку CUDIMM процессорами Ryzen 8000 и Ryzen 9000. Причина изменения дизайна слота для ОЗУ, как сообщил штатный оверклокер MSI с псевдонимом TOPPC в рамках стрима MSI, связана с желанием производителя улучшить целостность сигнала на высоких частотах. По его словам, проблемы несовместимости пока не позволяют реализовать поддержку CUDIMM у процессоров Ryzen 7000. Однако оверклокер считает, что поддержка таких модулей в Ryzen 7000 может быть добавлена в будущем. Тем не менее это пока никак не подтверждается. Он также сообщил, что материнские платы с установленной памятью CUDIMM могут при первом старте запускать память на меньшей, чем заявлено, частоте. Однако настройки заявленной частоты памяти можно выставить вручную или автоматически (видимо, через профили разгона) через BIOS платы. Более подробной информации о поддержке нового типа памяти пока нет, поскольку сами модули CUDIMM в продаже пока не появились. Biwin представила модули памяти CUDIMM DDR5 со стабильным разгоном до 9200 МТ/с
17.09.2024 [17:33],
Николай Хижняк
Следом за V-Color и Asgard оперативную память CUDIMM DDR5 представила китайская компания Biwin. Особенность памяти CUDIMM заключается в оснащение таких модулей тактовым генератором, который позволяет модулям стабильно работать на более высокой частоте. Biwin представила двухканальный комплект памяти DW100 CUDIMM DDR5 общим объёмом 48 (2×24) Гбайт. Новинки обладают низкими задержками CL42 и высокой скоростью работы 9200 МТ/с. Модули памяти построены на 10-слойном текстолите и оснащены асимметричным радиатором охлаждения из алюминиевого сплава с электрофоретическим покрытием (краска на радиаторы нанесена с использованием тока). К сожалению, в пресс-релизе производителя не сообщается ни цена новых модулей памяти, ни дата их поступления в продажу. Производитель заявляет, что новинки станут доступны в четвёртом квартале этого года, а их цена будет соответствовать «средней по рынку на то время». Asgard представила память DDR5 CUDIMM со стабильным разгоном до 9600 МТ/с
14.09.2024 [22:44],
Анжелла Марина
Компания Asgard представила комплект модулей памяти Thor DDR5 CUDIMM с беспрецедентно высокой скоростью работы. Новый набор памяти способен работать на скорости до 9600 МТ/с и значительно превосходит возможности предыдущих высокоскоростных модулей DDR5. Секрет высокой производительности Thor DDR5 кроется в том, что это модули CUDIMM (Clocked Unbuffered Dual In-Line Memory Module). В отличие от обычных планок DIMM, новейшие CUDIMM оснащены собственным тактовым генератором, который регенерирует тактовый сигнал, повышая стабильность работы на высокой частоте, что и позволяет модулям памяти достигать более высокой скорости. «Тактовый генератор на модулях памяти Thor DDR5 устраняет узкие места, улучшая передачу сигнала между процессором и DRAM», — говорится в сообщении компании. Именно это и делает Thor DDR5 самым быстрым комплектом оперативной памяти DDR5 на данный момент. Демонстрация показала, что комплект памяти Asgard Thor работает на скорости 4800 МТ/с, что с учётом работы процессоров Intel в режиме 2:1, соответствует эффективной скорости 9600 МТ/с. В окне утилиты CPU-z можно увидеть всю необходимую информацию о памяти Asgard Thor, включая производителя DRAM (SK hynix) и значение CAS Latency — CL44. Важно отметить, что производительность DDR5 9600 МТ/с при таймингах CL44 примерно эквивалентно производительности DDR5-6400 с задержками CL30. Это впечатляющий результат, который обеспечивает как высокую скорость, так и большую пропускную способность. Asgard заявляет, что новая память совместима с новейшими платформами AMD и Intel, способными поддерживать гораздо более высокие частоты, чем их предшественники. Интересно, что во время демонстрации комплект памяти работал в режиме Gear 2, однако не уточняется, какая именно материнская плата и процессор использовались. Благодаря поддержке Intel XMP, память Asgard Thor сможет автоматически применять оптимизированные настройки и работать при напряжении всего 1,5 В. В компании также подчёркивают, что используют чипы третьего поколения, соответствующие стандартам JEDEC, гарантируя лучшую совместимость и надёжность на новых платформах. Thor DDR5 будет доступна в двух цветовых вариантах: «Полярная ночь» (чёрный) и «Серебряная молния». |