Как стало известно источнику, на прошедшей в декабре конференции IEDM 2023 компания Micron за закрытыми дверями сообщила о разработке и применении кристалла памяти FeRAM огромной ёмкости. Память FeRAM производится около 20 лет, но это традиционно чипы малой ёмкости от 8 до 128 Мбит. Разработка Micron на этом фоне поражает воображение ёмкостью кристалла 32 Гбит, что можно сравнить с восходом новой энергонезависимой памяти.

Фрагмент документа Micron с презентации двухслойной памяти FeRAM. Источник изображения: https://blocksandfiles.com

Память FeRAM работает быстрее памяти NAND. По этому показателю она приближается к оперативной памяти DRAM. При этом чипы FeRAM сохраняют заряд в ячейках даже без подачи питания на них, как и прочая энергонезависимая память. Также память FeRAM более устойчива к износу, что снова делает её предпочтительнее для использования в устройствах для хранения данных. Наконец, FeRAM не боится радиации, магнитных полей и скачков температуры, что предопределило её судьбу оказаться в станках, приборах и в бортовом оборудовании аэрокосмической отрасли.

Несмотря на большой набор преимуществ, память FeRAM не стала массовым явлением. Плотность размещения ячеек у неё очень и очень низкая, и массовая память NAND с её кристаллами колоссальной ёмкости не дала FeRAM никакого шанса проникнуть в область хранения данных. Впрочем, это не удалось даже памяти 3D XPoint (торговая марка Intel Optane), которую Micron разработала вместе с Intel. Доступность и дешевизна NAND сыграла свою негативную роль в печальной судьбе и этой, казалось бы, перспективной энергонезависимой памяти.

Нетрудно представить, что неформальный анонс 32-Гбит кристалла FeRAM компанией Micron может считаться знаменательным событием. Сайт Blocks & Files приводит фрагмент изображения документа с презентации чипа памяти, который недоступен для публичного просмотра.

По словам Micron, чипы FeRAM большой ёмкости подтолкнут развитие генеративных моделей искусственного интеллекта. Они работают быстрее NAND и обладают колоссальной износостойкостью. Опытный чип Micron выдерживает до 10¹⁵ циклов перезаписи. Это на несколько порядков больше, чем у конкурирующих чипов FeRAM компаний Fujitsu, Infineon, SK Hynix и Toshiba, не говоря о жалких тысячах циклов, если мы говорим об устойчивости к износу чипов NAND. Кстати, новую память компания называет NVDRAM (non-volatile dynamic random access memory). Назвать её NVRAM, очевидно, она не решилась, чтобы её FeRAM не путали с другими типами энергонезависимой памяти.

Заявленная компанией скорость записи чипов FeRAM составляет 70–120 нс, тогда как цикл записи NAND приближается к 300 мкс. Время удержания данных в памяти FeRAM (заряда в ячейке) достигает 10 лет.

Можно предположить, что компания Micron получила доступ к патентам и технологиям FeRAM после приобретения активов японской компании Elpida в 2013 году. Сама Elpida этот тип памяти не развивала, но принадлежащие ей на тот момент заводы тайваньских Inotera Memories и Nanya Technology были раньше в собственности компании Infineon и выпускали чипы памяти FeRAM.

Переключающий элемент FeRAM обычно выполнен из пьезокерамики в виде цирконат-титаната свинца (PZT). Этот материал сохраняет поляризацию даже после снятия внешнего управляющего сигнала — электромагнитного поля. Грубо можно сказать, что каждая ячейка FeRAM состоит из управляющего транзистора и пьезокерамического конденсатора. Именно вкрапление пьезокерамического элемента делает ячейку очень большой. Как эту проблему решила Micron, не сообщается.

В последние месяцы цены на флеш-память NAND росли после затяжного падения, но эксперты TrendForce поясняют, что текущий уровень ещё далёк от того, который обеспечит участникам рынка возврат к прибыльности. В результате в ближайшее время поставщики флеш-памяти будут вынуждены поднять цены как минимум на 40 %, чтобы уйти от убытков.

Источник изображения: Samsung Electronics

Если же рассчитывать на получение прибыли, то производителям памяти нужно будет поднять цены на 50 % или даже выше, как убеждены представители TrendForce. По итогам прошлого квартала южнокорейская компания Samsung Electronics занимала первое место на рынке памяти типа NAND в показателях выручки с долей 31,4 %. На втором месте располагалась SK Group, в состав которой входят SK hynix и Solidigm (бывший бизнес Intel), с долей 20,2 %. Замыкает тройку лидеров американская Western Digital с долей рынка 16,9 %, а её партнёр Kioxia, с которой в этом году не состоялась сделка по объединению, довольствуется четвёртым местом и 14,5 % рынка.

Источник изображения: TrendForce

Крупные игроки рынка продолжают сокращать объёмы производства памяти типа NAND, поскольку этот вид продукции обеспечивает меньшую прибыль по сравнению с DRAM. Та же Samsung, например, с сентября текущего года сократила объёмы выпуска микросхем типа NAND на 50 % от максимально возможных. Предпочтение сейчас отдаётся выпуску 128-слойной памяти типа 3D NAND. В целом на рынке твердотельной памяти в некоторых сегментах уже наблюдается дефицит продукции, и это позволяет участникам двигать цены вверх. При этом точка окупаемости ещё не достигнута, и для её достижения поставщики микросхем NAND должны повысить цены ещё минимум на 40 %. В ближайшие кварталы цены будут только расти, как резюмируют специалисты TrendForce.

Южнокорейская компания SK hynix в своём онлайн-блоге подтвердила, что приступит к разработке оперативной памяти с высокой пропускной способностью HBM4 уже в 2024 году. До этого момента о планах по разработке и внедрению памяти HBM4 высказывались только компании Micron и Samsung. Оба производителя планируют выпустить новое поколение памяти где-то в 2025–2026 годах.

Источник изображения: Wccftech

Говоря о памяти типа HBM, старший менеджер SK hynix Ким Ван Су (Kim Wang-soo) подчеркнул, что компания начнёт массовое производство памяти HBM3E — усовершенствованного варианта существующей памяти HBM3 — в 2024 году. Новая память будет предлагать повышенные скорости и ёмкость по сравнению с HBM3. Он добавил, что в следующем году SK hynix также планирует начать разработку своей памяти HBM4, что станет важным шагом в дальнейшей эволюции стека продуктов HBM производителя.

«Благодаря запланированному на следующий год массовому производству и продажам HBM3E наше доминирование на рынке снова усилится. Так как начало серьёзных работ по созданию нашего следующего продукта, HBM4, тоже запланировано на следующий год, SK hynix фактически вступит в новую эру продуктов HBM», — написал Ван Су.

С учётом того, что разработка HBM4 начнётся в 2024 году, первые продукты с данным типом памяти появятся на рынке не ранее 2025 или 2026 года. Согласно недавно опубликованной аналитиками TrendForce сборной карты дорожных продуктов от различных производителей, организация JEDEC планирует принять окончательные характеристики памяти HBM4 во второй половине 2024 или начале 2025 года. Пока известно, что она будет выпускаться в стеках объёмом до 36 Гбайт, а первые потребительские образцы ожидаются в 2026 году.

Источник изображения: TrendForce

На базе стеков памяти HBM4 объёмом 36 Гбайт можно будет создавать продукты, в частности, ускорители вычислений, оснащённые до 288 Гбайт ОЗУ. В перспективе планируются ещё более ёмкие чипы HBM4. Известно, что память HBM3E обладает скоростью до 9,8 Гбит/с на контакт, поэтому от HBM4 следует ожидать скорость выше 10 Гбит/с на контакт.

Будущие специализированные графические ускорители NVIDIA Blackwell, скорее всего, будут использовать память HBM3E, поэтому памятью HBM4 можно будет увидеть в ускорителях, которые NVIDIA представит уже после них. Также не исключено, что HBM4 может появиться в неких обновлённых ускорителях Blackwell, как это было в случае с текущим поколением ИИ-ускорителей Hopper H200, которые получили память HBM3E.

Данные берутся из публикации Компьютер месяца, спецвыпуск. Рассвет эпохи: время переходить на платформы, поддерживающие DDR5-память?

TrendForce прогнозирует значительный сезонный рост цен в пределах 18–23 % на мобильную оперативной память (DRAM) и флеш-память (eMMC и UFS) в первом квартале 2024 года. Панические настроения среди клиентов, вызванные этим ростом, могут привести к дальнейшему повышению цен на рынке памяти, который контролируют несколько крупных игроков.

Источник изображения: unsplash.com

TrendForce отмечает, что рынок смартфонов часто является ранним индикатором экономического спада, поскольку покупатели и продавцы постоянно корректируют свои запасы в цепочке поставок. Тем не менее, поскольку запасы достигают минимального уровня, а последствия сокращения производства сохраняются, начинается устойчивый рост цен на память для смартфонов.

Наблюдения за рынком и прогноз на первый квартал 2024 года указывают на устойчивое планирование производства китайскими производителями смартфонов. Явный рост цен на память заставляет покупателей активно увеличивать свои закупочные усилия, поскольку они стремятся установить безопасный и конкурентоспособный уровень запасов.

Источник изображения: TrendForce

В целом, в первом квартале 2024 года цены на память, скорее всего, вырастут выше, чем в других секторах. Ожидается, что эта эскалация, вызванная устойчивым спросом со стороны клиентов и медленным расширением операций со стороны производителей, увеличит разрыв между спросом и предложением. Аналитики уверены, что цены на память станут ведущим фактором этой восходящей тенденции.

Массовые настольные компьютеры в скором времени получат поддержку до 256 Гбайт оперативной памяти — ещё не так давно пределом были 128 Гбайт. Производители памяти уже готовят модули объёмом 64 Гбайт, а производители материнских плат готовятся обеспечить их поддержку.

Источник изображений: MSI

Долгое время максимальный поддерживаемый объём ОЗУ для настольных ПК составлял 128 Гбайт, а объём одного модуля не превышал 32 Гбайт, так как они строились на 16-гигабитных чипах памяти DRAM. Это изменилось с выпуском модулей памяти на 24 и 48 Гбайт, в которых используются 32-гигабитные микросхемы памяти. Благодаря этому современные материнские платы для платформ Intel и AMD поддерживают установку до 192 Гбайт ОЗУ.

Но вскоре настольные ПК получат поддержку ещё большего объёма оперативной памяти. Компания MSI была одним из первых производителей материнских плат, который стал предлагать поддержку 192 Гбайт памяти для своих решений. Теперь компания стремиться стать первой, кто предложит поддержку 256 Гбайт памяти на настольные ПК.

Источник изображения: Kingston

Компания Kingston в ближайшее время собирается выпустить комплект оперативной памяти Fury Renegade DDR5 на базе новейших 32-гигагибтных чипов памяти Micron на техпроцессе 1-бета. Комплект состоит из четырёх планок памяти объёмом по 64 Гбайт каждая. Таким образом объём всего комплекта составит 256 Гбайт.

Поддержка 256 Гбайт памяти материнскими платами значительно упростит выбор нужного комплекта ОЗУ, поскольку для установки тех же 128 Гбайт памяти теперь потребуется приобрести только две планки, а не четыре как раньше. MSI показала работоспособность комплекта ОЗУ общим объёмом 256 Гбайт на своей материнской плате PRO X670-P WIFI. В тесте также участвовал процессор AMD Ryzen 9 7900X. Также поддержку 256 Гбайт памяти добавят платам на Intel Z790.

Для поддержки 256 Гбайт памяти и модулей объёмом 64 Гбайт потребуется обновление BIOS материнской платы. Та же MSI пока не говорит, когда выпустит нужную прошивку для своих плат.

В свою очередь компания ASRock показала X670E-Taichi и Z790 Nova WiFi с поддержкой 64-Гбайт модулей DDR5.

Исследователи из Университета Рочестера разработали новый тип энергонезависимой памяти, взяв за основу хорошо известную память ReRAM (резистивную) и память PRAM (с фазовым переходом). Гибрид оказался настолько хорош, что со временем может стать наследником популярной флеш-памяти.

Двумерный материал с переключением между двумя состояниями кристаллической структуры в представлении художника. Источник изображения: University of Rochester illustration / Michael Osadciw

Как отмечают учёные, каждой памяти по отдельности — резистивной (её иногда называют мемристором) и с фазовым переходом — присущи как свои достоинства, так и недостатки. Резистивная память мало потребляет, но запись данных в виде нитевидной обратимой ионной проводимости бывает очень ненадёжной. Память с фазовым переходом без нареканий хранит информацию, но операции записи и стирания, которые переводят ячейку в кристаллическое состояние из аморфного и обратно, очень и очень энергозатратные.

Предложенный учёными гибрид создаёт такое состояние вещества, при котором оно оказывается на грани устойчивости с точки зрения кристаллической структуры. Малейший сдвиг в одну из сторон переводит ячейку памяти в кристаллическое состояние с низким или высоким удельным сопротивлением. Этот сдвиг инициируется электромагнитным полем таким же, как при переключении транзистора.

«Мы создали его, по сути, просто растягивая материал в одном направлении и сжимая его в другом, — говорят авторы работы. — Это позволяет увеличить производительность на порядки. Мы видим путь, на котором это может оказаться в домашних компьютерах в качестве сверхбыстрой и сверхэффективной формы памяти. Это может иметь большое значение для вычислительной техники в целом».

Фактически новая память представляет собой такой деформированный двумерный материал, как дителлурид молибдена (MoTe₂). Напряженные металлические тонкие плёнки MoTe₂ формируются в контакты, которые вызывают управляемый деформацией фазовый переход полуметалла в полупроводник. Фазовый переход, в свою очередь, формирует вертикальный транспортный канал (мемристор) с полупроводниковым MoTe₂ в качестве активной области.

Благодаря деформации канал переключается при напряжении всего 90 мВ. Время переключения составляет 5 нс, время удержания свыше 10⁵ с, а ожидаемое число циклов переключения свыше 10⁸. Напряжение переключения и число циклов регулируется как механически (при производстве), так и электрически в процессе регулировки прибора. Эксперименты с прототипами оказались многообещающими, что позволит учёным со временем развить успех.

В третьем квартале 2023 года на рынке флеш-памяти NAND произошли кардинальные изменения, вызванные преимущественно волевым решением Samsung о сокращении производства. Вслед за корейским гигантом на эту меру пошли и другие лидеры рынка, а клиенты в ожидании сокращения предложения переключились на агрессивную стратегию закупок. Поставки чипов памяти в пересчёте на совокупный объём (в битовом выражении) увеличились на 3 % по сравнению с прошлым кварталом, а общая выручка выросла на 2,9 % до $9,229 млрд, подсчитали аналитики TrendForce.

Источник изображения: samsung.com

Samsung, несмотря на слабый спрос в серверном сегменте, смогла восстановить позитивные показатели за счёт сегмента потребительской электроники, который пошёл в рост, — в основном благодаря чипам высокой ёмкости для ПК и смартфонов. В III квартале Samsung вышла из кризиса за счёт тенденции среди клиентов к пополнению стратегических запасов, а также за счёт смещения операционного фокуса в сторону максимизации прибыли — компания сократила производство. В битовом выражении объёмы отгрузок уменьшились на 1–3 %, средняя цена продажи (ASP) увеличилась на те же 1–3 %, а выручка компании в сегменте NAND составила $2,9 млрд.

Источник изображения: trendforce.com

Kioxia удалось в III квартале поднять ASP на 3 % за счёт восстановления контрактных цен на пластины и переходу производителей ноутбуков к стратегическому накоплению запасов. Мощным негативным фактором оказалась задержка заказов от американских производителей смартфонов — отгрузки в битовом выражении рухнули на 10–15 %, в результате чего выручка компании в сегменте NAND упала на 8,6 % в квартальном исчислении до $1,34 млрд.

В Micron ситуация прямо противоположная, но результат тот же: производитель сохранил стабильные заказы в секторах ПК и мобильных устройств, а клиенты сегмента корпоративных SSD переключились на пополнение запасов. Компания удержала поставки в битовом выражении на уровне II квартала, но ASP снизилась на 15 % — в результате выручка просела на 5,2 % до $1,15 млрд. В IV квартале прогнозируется восстановление контрактных цен, что позволит Micron нарастить выручку на 20 %.

SK Group (SK hynix и Solidigm) и WDC (Western Digital Corporation) оседлали волну восстановления спроса на бытовую электронику. Факторами роста SK Group стали продукты высокой ёмкости для ПК и смартфонов — это обеспечило устойчивый рост поставок в битовом выражении и квартальный рост на 11,9 % до $1,86 млрд. Финансовые показатели WDC за III квартал превзошли прогноз за счёт сегментов ПК, мобильных устройств и игрового оборудования: выручка выросла на 13 % в квартальном выражении до $1,556 млрд.

Согласно исследованиям TrendForce, в третьем квартале 2023 года произошёл значительный подъём рынка оперативной памяти DRAM: общая выручка выросла до 13,48 миллиардов долларов. Это соответствует 18-процентному росту относительно предыдущего квартала.

Источник изображения: pixabay.com

Значительный рост выручки объясняется постепенным восстановлением спроса, что побуждает производителей активизировать закупки. В перспективе четвёртого квартала поставщики DRAM твёрдо намерены повышать цены, так как ожидается, что контрактные цены на чипы памяти вырастут примерно на 13–18 %. Вместе с тем, восстановление спроса будет не таким ярким, как в предыдущие пиковые сезоны. В целом, несмотря на спрос для поддержания запасов, закупки в серверном сегменте остаются ограниченными из-за высокого уровня запасов с прошлых кварталов, что предполагает ограниченный рост поставок DRAM в четвёртом квартале.

Следует отметить, что три основных производителя оперативной памяти отметили рост выручки в третьем квартале. Выручка Samsung выросла на 15,9 % до 5,25 миллиардов долларов США благодаря стабильному спросу на чипы большой ёмкости, который стимулируется развитием систем искусственного интеллекта и выходом на рынок чипов DDR5, выполненных по нормам 1α. SK hynix продемонстрировала самый заметный рост среди производителей, достигнув величины в 34,4 % при объёмах продаж в 4,626 миллиардов долларов США. Компания при этом значительно сократила разрыв в доле рынка с Samsung до менее чем 5 %. Выручка Micron выросла примерно на 4,2 % до 3,075 миллиардов долларов, несмотря на небольшое снижение ASP (Average Selling Price — средняя цена продажи), чему способствовал рост спроса и объёмов поставок.

Samsung, вместе с тем, форсировала сокращение производства к концу третьего квартала, в основном нацелившись на продукты DDR4 с одновременным увеличением уровней запасов. По прогнозам, в четвёртом квартале сокращение производства может усилиться до 30 %, что приведёт к снижению объёма выпускаемых пластин памяти. При этом, рассчитывая на постепенное восстановление спроса, Samsung планирует увеличить объёмы выпуска чипов памяти не раньше второго квартала 2024-го года. SK hynix выиграла на росте поставок памяти HBM и DDR5, и ожидает небольшого увеличения объёмов производства пластин к концу текущего года, а в следующем году — стабильного ежеквартального роста в соответствии с растущим проникновением DDR5 на рынок.

Micron, ранее сократившая производство, в настоящее время поддерживает относительно здоровый уровень запасов. В четвёртом квартале 2023-го года компания уже начала увеличивать объёмы выпуска пластин, в первую очередь уделяя особое внимание передовому техпроцессу 1β. По некоторым оценкам, объём обработки кремниевых пластин в 2024-м году продолжит незначительно расти, при этом основное внимание будет уделяться переходу на более современные производственные процессы.

В то же время, на Тайване поставки компании Nanya выросли до 17–19 % благодаря заказам от клиентов рынка персональных компьютеров и динамикой спотового рынка. Однако низкий спрос на основные продукты компании — память DDR3 и DDR4, — а также снижение цен ограничили рост выручки, которая в итоге составила скромные 244 миллиона долларов США. Агрессивная ценовая стратегия компании Winbond, направленная на расширение бизнеса по выпуску DDR3 и освоение новых производственных мощностей, способствовала росту отгрузок и увеличению выручки компании в третьем квартале до 112 миллионов долларов США.

Источник изображения: TrendForce

PSMC (Powerchip Semiconductor Manufacturing Corporation) рассчитывает свою выручку в основном от потребительских продуктов DRAM, за исключением, собственно, услуг фотолитографического производства пластин. Благодаря росту спотовых цен, наблюдалось небольшое увеличение спроса, что привело к росту квартальной выручки от DRAM на 4,4 %. Однако, если учесть доходы от фотолитографического производства чипов, то в этом квартале следует констатировать снижение на 5,5 %.

Компания G.Skill представила комплекты модулей оперативной памяти R-DIMM DDR5 Zeta R5 Neo, которые сертифицированы для использования с новейшими высокопроизводительными процессорами AMD Ryzen Threadripper 7000 и Ryzen Threadripper PRO 7000 на материнских платах с чипсетом AMD TRX50. Новинки поддерживают разгон.

Источник изображений: G.Skill

Память G.Skill Zeta R5 Neo R-DIMM DDR5 доступна в комплектах из четырёх модулей DDR5-6400 объёмом по 16 или 32 Гбайт каждый. Таким образом, общий объём комплектов составляет 64 и 128 Гбайт.

Для обоих наборов модулей оперативной памяти Zeta R5 Neo R-DIMM DDR5-6400 заявляются тайминги CL32-39-39-102 и рабочее напряжение 1,4 В. Новинки поддерживают профили разгона AMD EXPO.

Следует добавить, что указанные модули ОЗУ уже активно используются различными оверклокерами для установки рекордов разгона процессоров Ryzen Threadripper PRO 7000.

О стоимости модулей ОЗУ Zeta R5 Neo R-DIMM DDR5-6400 производитель не сообщил, однако добавил, что в продаже они появятся в этом месяце.

Компания TeamGroup представила двухканальные комплекты модулей оперативной памяти T-Force Vulcan ECO DDR5 общим объёмом 32 Гбайт (2 × 16 Гбайт). Как заявляет производитель, это первые на рынке модули ОЗУ, оснащённые радиаторами из алюминия, полученного из вторичного сырья.

Источник изображений: TeamGroup

TeamGroup поясняет, что для каждых 10 тыс. радиаторов T-Force Vulcan ECO DDR5, изготовленных из переработанного алюминия, выбросы углекислого газа сокращаются на 73 % или примерно на 1665 кг по сравнению с применением нового алюминия. Это эквивалентно углеродному следу, который оставляют 550 тыс. салфеток для рук, 310 тыс. пластиковых трубочек, 30 тыс. пластиковых пакетов и 10 тыс. ПЭТ-бутылок. Сами модули при этом поставляются в экоупаковке, что ещё больше способствует сокращению материальных и электронных отходов.

Оперативная память TeamGroup T-Force Vulcan ECO DDR5 предлагается в вариантах DDR5-5600 и DDR5-6000. Для первого заявляются тайминги CL40 и рабочее напряжение в 1,2 В. Модули DDR5-6000 будут выпускаться в версиях с таймингами CL30 и рабочим напряжением 1,35 В, а также CL38 и рабочим напряжением 1,25 В.

Модули ОЗУ T-Force Vulcan ECO DDR5 поддерживают профили разгона Intel XMP 3.0 и AMD EXPO. Новинки оснащены низкопрофильными радиаторами охлаждения без подсветки. Размеры модулей составляют 32,7 × 140 × 7,5 мм. Производитель предоставляет для них пожизненную гарантию.

В продаже модули ОЗУ T-Force Vulcan ECO DDR5 от TeamGroup появятся в середине декабря. О стоимости новинок компания не уточняет.

Японская компания Kioxia сообщила об операционных убытках в размере 100,8 млрд иен ($664,5 млн) по итогам второго квартала текущего финансового года, который у неё закончился 30 сентября. Такой результат обусловлен снижением спроса на флеш-память, используемую в смартфонах и персональных компьютерах. Тремя месяцами ранее компания сообщала об убытках в размере 130,8 млрд иен, так что второй квартал оказался удачнее.

Источник изображения: kioxia.com

Kioxia и другие производители памяти столкнулись с падением спроса после пандемии коронавируса из-за перепроизводства чипов NAND. В Kioxia отмечают, что отпускные цены на память достигли низшей точки, а в следующем году компания ожидает возобновления роста за счёт увеличения поставок смартфонов. При этом более высокая средняя цена реализуемой продукции в минувшем квартале помогла Kioxia сократить операционные убытки по сравнению с предыдущим трёхмесячным отрезком.

Хотя инвестиции в технологии на основе искусственного интеллекта, как ожидается, будут стимулировать полупроводниковую индустрию, восстановление спроса на флеш-память NAND, используемую для хранения данных, не так очевидно. Тем не менее, производители памяти смогли справиться с дисбалансом спроса и предложения, и теперь цены на чипы 3D NAND будут расти.

Переговоры о слиянии Kioxia и бизнеса флеш-памяти Western Digital окончательно зашли в тупик на фоне противодействия со стороны SK hynix, которая является одним из инвесторов Kioxia с 2018 года. Доля образованной в результате слияния Kioxia и Western Digital компании на глобальном рынке памяти могла составить более 30 %, что сопоставимо с долей Samsung. Такое положение дел могло навредить бизнесу SK hynix.

Компания Thermaltake представила модули оперативной памяти Toughram XG RGB D5 с эффективной частотой 7600 и 8000 МГц. Они будут предлагаться в виде двухканальных комплектов общим объёмом 32 Гбайт (2 × 16 Гбайт). Производитель ориентирует новинки на использование с процессорами Intel Core 14-го поколения (Raptor Lake Refresh) и заявляет для них поддержку профилей разгона Intel XMP 3.0.

Источник изображений: Thermaltake

Для модулей памяти Toughram XG RGB D5 DDR5-8000 производитель заявляет тайминги CL38-48-48-128 и работу при напряжении 1,5 В. В свою очередь, для комплекта памяти Toughram XG RGB D5 DDR5-7600 заявляются тайминги CL38-48-48-84 и рабочее напряжение 1,45 В.

Модули ОЗУ Toughram XG RGB D5 оснащены радиаторами охлаждения, выполненными в бело-сером и чёрно-сером цветах и разделёнными на две части, одна из которых имеет сетчатый узор.

В верхней части предусмотрена многоцветная адресуемая подсветка на основе 16 ярких светодиодов. Она совместима с программным обеспечением TT RGB Plus и NeonMaker Light Editing. Контролировать эффекты и синхронизировать цвета можно с подсветкой других компонентов ПК.

На модули оперативной памяти Thermaltake Toughram XG RGB D5 предоставляется пожизненная гарантия.

Южнокорейская компания SK hynix сообщила о старте массовых поставок микросхем энергоэффективной памяти LPDDR5T, где буква «T» означает Turbo. Чипы обладают скоростью 9600 МГц и объёмом 16 Гбайт. Они предназначены для использования в смартфонах и работают при низком диапазоне напряжений от 1,01 до 1,12 В согласно сертификации JEDEC.

Источник изображений: SK hynix

Производитель отмечает, что её микросхемы памяти обладают пиковой пропускной способностью в 77 Гбайт/с, что эквивалентно передаче 15 видеофайлов формата Full HD за одну секунду.

SK hynix поясняет, что начала поставки чипов памяти LPDDR5T-9600 производителю смартфонов Vivo, который подтвердил, что указанные микросхемы будут использоваться в её новых флагманских смартфонах X100 и X100 Pro. Эти устройства также будут оснащаться новым флагманским процессором MediaTek Dimensity 9300.

Компания добавила, что её микросхемы памяти LPDDR5T-9600 прошли проверку на совместимость с процессорами Dimensity 9300 в августе. К слову, в октябре производитель отчитался, что его новые чипы памяти прошли проверку компанией Qualcomm на совместимость с новейшим флагманским процессором Snapdragon 8 Gen 3 с поддержкой генеративного ИИ и будут применяться в смартфонах на их основе.

Компания Micron представила модули регистровой оперативной памяти (RDIMM) для серверов ёмкостью 128 Гбайт, способные работать со скоростью до 8000 МТ/с. В их составе используются 32-гигабитные монолитные чипы DDR5, производящиеся с использованием технологического процесса 1β (1-бета), являющегося самым продвинутым у производителя. Массовое производство этих модулей ОЗУ начнётся в следующем году. Ещё компания поделилась планами на будущее.

Источник изображений: Micron

По словам компании, задействованная технология для производства 32-гигабитных монолитных кристаллов памяти DDR5 обеспечивает ряд преимуществ перед конкурирующей технологией 3DS TSV (Through-Silicon Via). Так, для новых чипов заявлены повышение битовой плотности более чем на 45 %, увеличение энергоэффективности до 24 %, снижение задержек до 16 % и повышение эффективности в задачах обучения ИИ до 28 %. Отказ от 3DS TSV позволил Micron лучше оптимизировать буферы ввода данных и критические схемы ввода-вывода, а также уменьшить ёмкость выводов на линиях данных.

Micron в прошлом удваивала плотность монолитных кристаллов памяти примерно каждые три года. С дальнейшим развитием технологий производитель планирует перейти к выпуску 48-гигабитных и 64-гигабитных монолитных кристаллов памяти, которые откроют перспективу создания модулей ОЗУ объёмом 1 Тбайт.

В дополнение к анонсу модулей памяти RDMIMM DDR5-8000 на 32-гигабитных чипах памяти на техпроцессе 1β, компания также опубликовала обновлённые планы по выпуску будущих продуктов. С середины 2024 года планируется начать массовое производство 16-гигабитных и 24-гигабитных чипов памяти GDDR7 со скоростью передачи данных 32 ГТ/с (гигатрансферов в секунду).

С 2024 года компания также планирует начать выпуск памяти RDIMM, MCRDIMM и решений CXL ёмкостью 128–256 Гбайт, а в 2026 году — объёмом более 256 Гбайт. С 2026 года производитель также начнёт выпуск энергоэффективных модулей памяти LPCAMM2 объёмом до 192 Гбайт и скоростью до 9600 МТ/с. Кроме того, планируется выпуск памяти HBM4 и HBM4E. Это новое поколение высокопроизводительной памяти должно обеспечить полосу пропускания от 1,5 Тбайт/с до более чем 2 Тбайт/с на стек при ёмкости от 36 до 64 Гбайт.