Опрос
|
реклама
Быстрый переход
Учёные создали невозможный в природе материал для сверхэкономичной памяти
27.09.2025 [11:28],
Геннадий Детинич
В эпоху экспоненциального роста цифровых данных вскоре только на хранение информации может уходить до 30 % глобального энергопотребления, что ставит во главу угла разработку энергоэффективных технологий хранения. Для этого учёные из Технологического университета Чалмерса (Chalmers University of Technology) в Швеции совершили прорыв в материаловедении, создав атомарно тонкий магнитный материал, сочетающий буквально несочетаемое в природе. 
Источник изображения: Chalmers University of Technology Вокруг нас магнетизм (ферромагнетизм) и «антимагнетизм» (антиферромагнетизм) всегда встречаются в разных материалах: первые явно проявляют намагниченность, что выражается в упорядочивании спинов электронов, а вторые её не проявляют, поскольку спины в них разнонаправленные и компенсируют друг друга. Объединив такие материалы, например, в виде многослойной структуры, можно создать ячейку магнитной памяти, управляемую внешним магнитным полем или током. Наведение поля и его снятие сопровождается искомым эффектом памяти. На спины электронов можно воздействовать напрямую, что заметно снижает энергопотребление магнитной памяти по сравнению с обычной, работающей на токе и заряде, как DRAM. Учёные из Швеции поставили перед собой задачу создать магнитную память из однослойного условно двумерного материала, что открыло бы путь к более простой архитектуре и относительно простому производству. Оставалось совместить несовместимое — два разных магнитных свойства в одной кристаллической решётке. У природы такого фокуса не вышло, но у исследователей всё получилось. Используя сплав кобальта, железа, германия и теллура, а также задействовав силы Ван-дер-Ваальса, учёные собрали материал из молекул ферромагнетика и антиферромагнетика. Силы Ван-дер-Ваальса выступили своеобразным «цементом», скрепив кристаллическую решётку из разнородных материалов. В результате получился гибрид с «искривлённым» магнитным полем: упорядоченные и антиупорядоченные спины электронов в материале сплелись в единое магнитное поле, отклонившееся от условно перпендикулярной ориентации. Тем самым для переключения магнитного состояния ячейки памяти из такого вещества требуется значительно более слабое внешнее магнитное поле, что сулит серьёзную экономию энергии. По словам учёных, потребление можно снизить в десять раз. В масштабах глобального дата-центра это обеспечит колоссальную экономию электричества. Китайская YMTC расширит производство 267-слойной флеш-памяти 3D NAND
26.09.2025 [13:11],
Алексей Разин
Даже в условиях усиливающихся санкций китайская компания YMTC сохраняет способность совершенствовать технологии производства твердотельной памяти типа 3D NAND. Ещё в январе независимыми экспертами было установлено, что YMTC начала выпускать память с почти 270 активными слоями. Теперь компания готова расширить производство таких чипов 3D NAND. 
Источник изображения: YMTC Об этом со ссылкой на DigiTimes сообщает ComputeBase.de. В прошлом месяце YMTC получила на отраслевом мероприятии FMS 2025 премию за свою технологию изготовления памяти 3D NAND, именуемую Xtacking 4.0. Последняя позволила компании создавать не только высокопроизводительную, но и экономичную, и при этом ёмкую твердотельную память. Накопители на основе этой памяти применяются как в серверном, так и в потребительском сегментах. Технологию Xtacking 4.0 уже используют накопители X4-9070 на основе 1-терабитных чипов памяти типа TLC, а также X4-6080 на базе 2-терабитной памяти типа QLC. Они обеспечивают высокое быстродействие и впечатляющую ёмкость хранения данных. Надо сказать, что YMTC в числе первых производителей твердотельной памяти начала сращивать кремниевые пластины друг с другом, ещё в 2018 году, но делала это во многом из-за отсутствия доступа к передовым технологиям, позволяющим увеличить количество слоёв в пределах одной пластины. В дальнейшем такой подход взяли на вооружение Kioxia и SanDisk, поскольку он показал себя с лучшей стороны. Заметим, что ранее в этом году SK hynix объявила о запуске массового производства 321-слойной флеш-памяти. Samsung сейчас выпускает 3D NAND с 286 слоями и разрабатывает чипы с более чем 400 слоями. В свою очередь Kioxia анонсировала 332-слойную память 3D NAND, а Micron сейчас выпускает 276-слойные чипы. Сейчас YMTC контролирует около 8 % мирового рынка NAND, но к концу следующего года рассчитывает увеличить эту долю до 15 %. В принципе, это легко будет сделать исключительно за счёт рынка Китая, поскольку он достаточно велик для пропорционального влияния на мировую статистику. Micron похвасталась разработкой GDDR7 со скоростью выше 40 Гбит/с для видеокарт будущего и ИИ-систем
25.09.2025 [22:01],
Николай Хижняк
Компания Micron разработала память GDDR7, обеспечивающую скорость свыше 40 Гбит/с на контакт. Об этом компания сообщила в рамках своей последней конференции, посвящённой финансовым результатам. Новая память более чем на 25 % быстрее, чем GDDR7, которая в настоящий момент поставляется в составе видеокарт. 
Источник изображений: Micron Более скоростные модули памяти обеспечивают новый скачок в производительности графических процессоров и систем искусственного интеллекта. Хотя игровых видеокарт, в составе которых применяются чипы памяти GDDR7 со скоростью 40 Гбит/с, в ближайшее время ожидать не стоит, никто не исключает, что они появятся в будущем. Возможно, мы увидим более быстрые чипы GDDR7 в графических ускорителях Nvidia RTX 60-й серии или в видеокартах AMD Radeon на архитектуре RDNA 5. «В тесном сотрудничестве с Nvidia компания Micron стала пионером в использовании LPDRAM для серверов. С момента запуска Nvidia LPDRAM в линейке гигабайтных продуктов Micron является единственным поставщиком LPDRAM для центров обработки данных. Помимо лидерства в сегментах памяти HBM и LP5, Micron также занимает выгодные позиции благодаря своим продуктам GDDR7, которые обеспечивают сверхвысокую производительность со скоростью передачи данных более 40 Гбит/с, а также лучшую в своём классе энергоэффективность для удовлетворения потребностей некоторых будущих систем искусственного интеллекта», — говорится в заявлении Micron.  Если верить последним утечкам, видеокарты Nvidia RTX 50 Super предложат увеличенный объём видеопамяти по сравнению с оригинальными моделями ускорителей RTX 50-й серии. Также, согласно слухам, Nvidia может использовать в модели RTX 5080 Super память GDDR7 со скоростью передачи данных 36 Гбит/с. Производители графических процессоров часто избегают использования более быстрой памяти из-за ценовых соображений, а также из-за ограниченной доступности. Это ещё одна причина, по которой не стоит ожидать появления 40-гигабитной GDDR7 в составе игровых видеокарт в ближайшем будущем. Грядёт подорожание SSD: цены на память NAND вырастут на 5–10 % в четвёртом квартале
25.09.2025 [15:04],
Алексей Разин
По данным TrendForce, на рынке флеш-памяти основная покупательская активность сконцентрировалась в первом полугодии, поэтому от второго аналитики ожидали некоторого спада, но резко возросший спрос на QLC для SSD корпоративного класса нарушил наметившийся тренд. В результате в следующем квартале цены на NAND могут вырасти на 5–10 %. 
Источник изображения: Samsung Electronics Как отмечают авторы исследования, к всплеску интереса облачных провайдеров к памяти типа QLC привёл возникший дефицит жёстких дисков, и теперь в качестве альтернативы HDD они готовы временно рассматривать твердотельные накопители большой ёмкости на основе QLC NAND. Компания SanDisk сразу же подняла цены на 10 %, а Micron прекратила принимать заказы для пересмотра условий поставок. Контрактные цены на NAND в четвёртом квартале могут в результате увеличиться на 5–10 %, причём не только на QLC. По итогам третьего квартала они выросли только на 3–8 %. Расширение производственных мощностей большинством участников рынка на этом направлении не предусматривается, поскольку они сосредоточены на миграции в сторону более совершенных технологий производства с целью снижения издержек. Это значит, что предложение будет отставать от спроса на NAND, и цены вернутся к росту после наметившейся было ранее стабилизации. Если расширение производства в сегменте и будет наблюдаться, то главным образом в сфере QLC. За пределами облачного рынка спрос на твердотельную память продолжит оставаться вялым. Тем более, что облачные провайдеры и OEM-производители основную часть своих товарных запасов успели сформировать в первом полугодии. По мере экспансии ускорителей семейства Blackwell спрос на твердотельные накопители серверного класса продолжит расти в этом полугодии, поскольку предпосылок для снижения дефицита жёстких дисков не наблюдается. В клиентском секторе спрос и предложение на SSD приблизились к равновесию по итогам первого полугодия, поэтому во втором покупательский интерес будет проявляться только к моделям большой ёмкости на основе QLC. В корпоративном сегменте спрос сконцентрирован на моделях SSD объёмом более 120 Тбайт. Здесь возможно сохранение дефицита на протяжении следующего года, цены начнут расти уже в четвёртом квартале текущего. В сегменте eMMC и UFS давление на цены оказывает не только слабый спрос в клиентском секторе, но и высокая конкуренция со стороны китайских поставщиков. В таких условиях если цены на память такого типа и будут повышены в четвёртом квартале, то главным образом с целью покрытия убытков на стороне производителей. Цены на кремниевые пластины для изготовления NAND в четвёртом квартале тоже наверняка вырастут, поскольку в сфере производства серверных накопителей будет сохраняться высокий спрос на них. Представлены наборы памяти DDR5 объёмом до 256 Гбайт со штатным кулером на три вентилятора
23.09.2025 [16:20],
Николай Хижняк
Компания Origin Code анонсировала высокоскоростные комплекты оперативной памяти Vortex DDR5, которые оборудованы системами охлаждения с тремя небольшими вентиляторами. 
Источник изображений: Origin Code Производитель анонсировал комплекты памяти DDR5-6200 CL26 объёмом 32 Гбайт (2 × 16 Гбайт), DDR5-6000 CL26 объёмом 192 Гбайт (4 × 48 Гбайт), DDR5-6000 CL30 объёмом 256 Гбайт (4 × 64 Гбайт), а также комплект DDR5 объёмом 48 Гбайт (2 × 24 Гбайт) с поддержкой профилей разгона AMD EXPO до 6000 и 8000 МТ/с.  Модули ОЗУ оснащены RGB-подсветкой. Также подсветку имеет комплектная система охлаждения. Размеры последней составляют 40 × 40 × 20 мм. В её состав входят три вентилятора, создающие воздушный поток до 22,5 CFM. По словам производителя, данная система охлаждения улучшает рассеивания тепла до 39,8 %. Производитель заверяет, что она обладает низким уровнем шума.  Дополнительной информацией об анонсированных новинках компания обещает поделиться к середине октября. Стоимость представленных комплектов памяти неизвестна. Также Origin Code не сообщила, когда они поступят в продажу. Российский специалист по ремонту ПК-оборудования VIK-on выпустил DDR5-тестер для ноутбуков
17.09.2025 [23:00],
Николай Хижняк
Российский специалист по ремонту компьютерного оборудования, моддер и видеоблогер VIK-on разработал тестер оперативной памяти DDR5 для ноутбуков. Почему для ноутбуков? Потому что многие настольные материнские платы имеют встроенный индикатор POST-кодов. 
Источник изображений: YouTube / VIK-on Тестер, разработанный VIK-on, выполнен в виде платы размером с модуль ОЗУ SO-DIMM, оснащённой дисплеем для отображения ключевых параметров слота ОЗУ. Устройство способно отслеживать напряжение памяти и активность шины SPD, что позволяет понять — видит ли система установленные модули ОЗУ. Данная функция присутствовала в тестерах, ранее выпущенных для проверки модулей памяти DDR3 и DDR4, и стала одной из главных причин, по которой VIK-on решил вывести на рынок версию тестера для DDR5.  Также устройство оснащено специальной кнопкой, которая позволяет вывести на экран 5 последних POST-кодов, однако в настоящий момент эта функция доступна только на ноутбуках Asus на базе плат Quanta.  Из-за более сложного стандарта DDR5 место для микросхем памяти на тестовом модуле отсутствует. Вместо этого пространство используется для дополнительных функций тестера. VIK-on отмечает, что ноутбуки на базе платформы AMD могут не отображать сигналы сброса. Платформы Intel предоставляют общий сигнал сброса и работают корректно с тестером. Данный тестер оперативной памяти DDR5 предназначен для энтузиастов и специалистов по ремонту. Сервис VIK-on уже начал продавать их по цене 3800 рублей за штуку. Вместе с этим было объявлено об окончании продаж аналогичных тестеров для памяти DDR3 и DDR4 в связи со снижением спроса на эти продукты. SanDisk нагнетает: дефицит флеш-памяти продлится как минимум до 2026 года, и SSD будут дорожать
17.09.2025 [13:50],
Анжелла Марина
Генеральный директор SanDisk Дэвид Геккелер (David Goeckeler) заявил, что мировой рынок чипов NAND-памяти столкнётся с дефицитом вплоть до 2026 года. Такой прогноз был озвучен на недавно прошедшей конференции Goldman Sachs Communacopia + Technology Conference. 
Источник изображений: SanDisk Причиной нехватки поставок, как пишет TrendForce, стал взрывной рост спроса со стороны центров обработки данных, которые переходят от обучения искусственного интеллекта (ИИ) к инференсу — процессу применения уже обученной модели к новым, ранее не встречавшимся данным для получения выводов и результатов, что требует огромных объёмов памяти. Эта тенденция уже спровоцировала волну повышения цен всеми крупными игроками рынка, включая SanDisk, Micron и Western Digital. Геккелер подчеркнул, что компания видит в дата-центрах основной драйвер роста и придерживается стратегии сбалансированного подхода к расширению мощностей, чтобы контролировать соответствие спроса и предложения. Он отметил, что не ожидает стабилизации рынка до 2026 года, и условия дефицита, вероятно, сохранятся на протяжении всего этого периода. Согласно информации от TechPowerUp, SanDisk уже повысил цены на 10 % для всех каналов сбыта и потребительских продуктов (изменения касаются заказов, сделанных после 5 сентября). Компания объяснила это ростом спроса со стороны ИИ-приложений, дата-центров и мобильных устройств. Главный финансовый директор SanDisk Луис Висосо (Luis Visoso) сообщил, что компания видит дальнейшие возможности для повышения цен в сегменте клиентских устройств, дата-центров и облачных решений, поскольку условия по ценам и объёмам согласовываются ежеквартально с каждым клиентом индивидуально. Параллельно SanDisk активно ускоряет переход на новые производственные технологии. Ожидается, что в этом году доля памяти BICS 8 в портфеле компании увеличится с текущих значений до 40–50% к концу финансового года. При этом компания ускорила дорожную карту: после перехода с BICS 5 на BICS 6 для QLC-памяти теперь планируется полное развёртывание BICS 8 в течение ближайших нескольких лет. Ранее в этом году SanDisk раскрыла информацию о разработке технологии High Bandwidth Flash (HBF) и подписании меморандума о взаимопонимании с южнокорейской SK hynix для совместного определения спецификаций. Как поясняет Sisa Journal, если HBM увеличивает пропускную способность за счёт стекирования чипов DRAM, то HBF достигает резкого роста параллельных операций ввода-вывода путём стекирования массивов 3D NAND. На той же конференции в Goldman Sachs компания сообщила, что HBF будет готова к внедрению к концу 2026 года, а полноценные системы, включая контроллеры и ASIC, поступят в продажу в начале 2027 года. Первое поколение HBF будет использовать 16-слойную структуру памяти, обеспечивая до 512 Гбайт на один стек при пропускной способности, сопоставимой с HBM, и ёмкости, превышающей её в 8–16 раз. Производители флеш-памяти готовятся резко задрать цены — грядёт подорожание SSD
15.09.2025 [13:54],
Алексей Разин
Наибольшую выгоду от бума ИИ до сих пор получали преимущественно производители ускорителей вычислений и компонентов для них, включая поставщиков памяти типа HBM, а вот прочая отрасль по выпуску памяти оставалась в стороне от этих тенденций. В следующем году всё может измениться, как считают участники рынка, — многие из них уже начали готовиться к резкому росту цен. 
Источник изображения: Micron Technology О настроениях поставщиков памяти и их ближайших партнёров поведало тайваньское издание DigiTimes. Компания SanDisk в этой сфере, как отмечается, выступила в роли инициатора неприятных для покупателей изменений, объявив о повышении цен на NAND на 10 %. Компания Micron Technology, как отмечают источники, на этой неделе перестала раскрывать цены на DRAM и NAND своим клиентам, желающим заключить контракты на поставку такой продукции. По некоторым оценкам, Micron готовится повысить цены на твердотельную память сразу на 30 % уже по итогам четвёртого квартала текущего года. Некоторые производители твердотельных накопителей ожидают, что цены вырастут на 10 или 15 %. Micron в этой сфере, как предполагается, пока «прощупывает почву». В следующем году, по мнению экспертов, облачные гиганты начнут остро нуждаться в твердотельных накопителях большой ёмкости — в силу сохранения так называемого бума систем искусственного интеллекта. Потребительский рынок сам по себе дополнительной потребности в твердотельных накопителях испытывать не должен, но концентрация производителей на удовлетворении спроса в серверном сегменте неизбежно приведёт к повышению цен на всём рынке. В этом году до 30 % всех проданных SSD могут оказаться в серверных системах. Больше всего вырастет спрос на QLC NAND, поскольку этот тип памяти позволяет создавать наиболее доступные твердотельные накопители большой ёмкости, востребованные в инфраструктуре ИИ. Во второй половине следующего года на рынке может образоваться дефицит флеш-памяти NAND. Разработчик контроллеров для SSD — тайваньская компания Phison Electronics, по данным DigiTimes, пока также перестала информировать клиентов о ценах на свою продукцию, ожидая соответствующих сигналов от поставщиков твердотельной памяти. В четвёртом квартале начнут формироваться новые долгосрочные контракты на поставку микросхем NAND и DRAM, поэтому цены скоро вырастут достаточно серьёзно, если производители будут уверены, что столкнутся с дефицитом в следующем году. Оперативная память DRAM также может подорожать по сопоставимым причинам. По крайней мере, всё та же Micron Technology перестала предоставлять клиентам информацию и о текущих ценах на DDR4, DDR5, LPDDR4 и LPDDR5. Не исключено, что в ближайшие месяцы цены вырастут на 10 %, а по некоторым позициям типа памяти для автомобильной электроники будет наблюдаться рост на все 70 %. Собственно говоря, дефицит DDR4 из-за снятия этой памяти с производства крупными поставщиками уже подогревает цены, и дорожать начала даже DDR5. Corsair выплатит пользователям компенсацию в $5,5 млн за «неправильные» скорости DDR4 и DDR5
14.09.2025 [05:36],
Анжелла Марина
Компания Corsair, известный производитель высокопроизводительного оборудования для геймеров и энтузиастов, достигла соглашения по коллективному иску, связанному с некорректной рекламой скоростей оперативной памяти в профилях XMP (Extreme Memory Profile). По сообщению Tom's Hardware, пользователи, которые приобрели модули памяти с 2018 по 2025 год, смогут претендовать на денежную компенсацию в рамках урегулирования спора. 
Источник изображения: Corsair В 2022 году против Corsair был подан иск «МакКинни и другие против Corsair Gaming», в котором утверждалось, что модули памяти Vengeance и Dominator DDR4/DDR5 рекламировались с указанием высоких скоростей, таких как DDR4-3600 или DDR5-6400, без явного указания, что эти показатели достигаются только при ручной настройке в BIOS через профили разгона XMP. По умолчанию модули работают на стандартных скоростях JEDEC (DDR4-2133 для DDR4 и DDR5-4800 для DDR5), а достижение заявленных скоростей зависит от процессора, материнской платы и качества чипов. Corsair не признала вину, но согласилась на урегулирование спора на сумму $5,5 млн. Компания также обязалась добавить на упаковку и сайты уточнения, включая формулировку «up to» для скоростей передачи данных и информацию о необходимости разгона. Соглашение распространяется на американских покупателей наборов памяти DDR4 и DDR5. Можно подать до пяти заявок на компенсацию без предоставления чеков для небольших сумм. Размер выплат зависит от числа поданных заявок. Заявки принимаются на сайте производителя до 28 октября 2025 года, а окончательное слушание по урегулированию назначено на 4 декабря 2025 года. Примечательно, что проблема рекламы скоростей XMP не уникальна для Corsair — большинство производителей памяти указывают в рекламе скоростные профили разгона, а не базовые стандарты JEDEC. V-Color представила модули памяти XFinity+ DDR5 с встроенным OLED-экраном
12.09.2025 [22:27],
Николай Хижняк
Компания V-Color представила модули оперативной памяти XFinity+ DDR5. Новинки выделяются тем, что оснащены встроенным OLED-экраном. Указанные модели ОЗУ производитель впервые показывал на выставке Computex летом этого года. Модули ОЗУ разработаны в коллаборации с компанией Gigabyte. Решение направлено на энтузиастов и оверклокеров. 
Источник изображений: V-Color Дисплей, установленный в радиатор модулей памяти XFinity+ DDR5, работает непосредственно от слота DIMM материнской платы и не требует дополнительного питания. Он может отображать в реальном времени информацию о выбранном профиле разгона (Intel XMP или AMD EXPO), ёмкости модуля, его скорости, таймингах, напряжении и температуре. 
 V-Color запатентовала данное решение. Модули памяти XFinity+ могут отображать информацию на дисплее даже во время загрузки ПК, до входа в операционную систему. Помимо OLED-экрана память XFinity+ оснащена ARGB-подсветкой с настраиваемыми эффектами. Настройки доступны через фирменную утилиту Gigabyte для управления подсветкой материнских плат.  Для платформы Intel будут предлагаться комплекты DDR5-8000, DDR5-8200 и DDR5-9066 объёмом 32, 48 и 64 Гбайт и таймингами CL38, CL40 и CL42. Для платформы AMD будут доступны комплекты DDR5-6000, DDR5-8000 и DDR5-9000 на 32, 48 и 64 Гбайт с таймингами CL26, CL28, CL30, CL40 и CL42.  В первых комплектах один модуль ОЗУ с OLED-дисплеем будет сочетаться с соответствующим стандартным модулем без OLED-экрана. Планки будут доступны в белом и чёрном исполнении. Позже планируется выпуск комплекта 2+2 SCC (с двумя модулями памяти и двумя пустышками с RGB-подсветкой), что позволит расширить возможности кастомизации.  V-Color отмечает, что модули памяти XFinity+ DDR5 поступят в продажу в третьем квартале этого года. Первые парти будут доступны в американском онлайн-магазине компьютерных комплектующих Newegg. Затем последует выпуск на торговой площадке Amazon, а после — по всему миру. SK hynix начала массовое производство флеш-памяти ZUFS 4.1 для смартфонов с ИИ
11.09.2025 [21:27],
Анжелла Марина
Компания SK hynix объявила о начале поставок мобильной NAND-памяти ZUFS 4.1, которая значительно повышает производительность по сравнению со стандартными накопителями UFS, сокращая время запуска приложений на 45 %. Технология оптимизирована для устройств с искусственным интеллектом (ИИ) и обработки больших объёмов данных. 
Источник изображения: SK hynix ZUFS 4.1, или Zoned UFS, представляет собой расширенную спецификацию стандарта UFS, в которой применяется технология зонированного хранения, когда данные распределяются по разным зонам в зависимости от их типа и частоты использования. По сообщению компании, в июне завершён процесс сертификации продукта в тесном сотрудничестве с клиентами, а уже в июле запущено массовое производство и поставки клиентам. При интеграции в смартфон технология ZUFS 4.1 перекладывает часть работы по управлению данными на ОС, которая стремится перезаписывать данные в пределах выделенных для них зон последовательно, минимизируя необходимость в «сборке мусора» и снижая «коэффициент усиления записи». Благодаря этому смартфон сохраняет высокую скорость даже после длительного использования. По словам SK hynix, это позволяет сократить время запуска обычных приложений на 45 %, а приложений на основе ИИ — на 47 %. Эти характеристики делают ZUFS 4.1 оптимальным решением для современной мобильной среды, где критически важна обработка данных на устройстве и работа встроенных ИИ-моделей. Кроме того, по сравнению с версией 4.0, представленной в мае 2024 года, в ZUFS 4.1 значительно улучшены механизмы обработки ошибок: система теперь точнее выявляет их и чётко сообщает центральному процессору, какие действия требуются для исправления. По словам Джастин Кима (Justin Kim), президента и руководителя направления ИИ-инфраструктуры SK hynix, ZUFS 4.1 является первым продуктом, разработанным и запущенным в массовое производство для оптимизации операционной системы Android и устройств хранения данных. В перспективе область его применения будет расширяться. При этом компания намерена и впредь своевременно поставлять NAND-продукты, отвечающие запросам клиентов, одновременно укрепляя партнёрство с глобальными компаниями для усиления своих позиций в секторе памяти для искусственного интеллекта. Kioxia вместе с Nvidia разрабатывают PCIe 7.0 SSD в 100 раз быстрее нынешних — его представят в 2027 году
11.09.2025 [17:43],
Сергей Сурабекянц
Японская Kioxia в партнёрстве с Nvidia планирует к 2027 году вывести на рынок твердотельные накопители с почти 100-кратным увеличением производительности по сравнению с текущими моделями. Эти SSD будут в первую очередь предназначены для серверов с ИИ и призваны частично компенсировать недостаток HBM на борту графических процессоров. По прогнозам Kioxia, к 2029 году почти половина спроса на флеш-память будет связана с ИИ. 
Источник изображения: Kioxia Главный инженер Kioxia по применению SSD Коити Фукуда (Koichi Fukuda) сообщил, что в настоящее время компания занята разработкой SSD, отвечающего требованиям и запросам Nvidia. Главным их отличием станет возможность прямого обмена данными между графическим процессором и твердотельным накопителем, минуя центральный процессор. Поставки тестовых образцов должны начаться во второй половине 2026 года. Предполагается, что новые SSD повысят производительность случайного чтения почти в 100 раз — примерно до 100 миллионов операций ввода-вывода в секунду (IOPS), что значительно ускорит обработку данных на графических процессорах. Тем не менее, в идеале Nvidia хотела бы получить накопители с производительностью 200 млн IOPS. Инженеры Kioxia планируют достичь такой скорости с помощью массива из двух SSD-накопителей. Ожидается, что накопители будут поддерживать PCIe 7.0 — стандарт интерфейса SSD следующего поколения. Другие перспективные продукты на базе памяти NAND, включая Nearline SSD, также могут получить признание по мере сокращения поставок жёстких дисков в конце 2026 – начале 2027 года, в то время как флеш-память с высокой пропускной способностью (HBF) может помочь устранить узкие места в памяти кластеров ИИ. Аналитики отмечают тенденцию к увеличению инвестиций в память NAND после почти двухлетнего перерыва. Этому способствует растущий спрос на технологии вывода данных для ИИ и потребность в высокоскоростных хранилищах большой ёмкости с произвольным доступом ввода-вывода. Эксперты полагают, что к 2029 году на долю памяти NAND, предназначенной для ИИ, будет приходиться 34 % (около $29 млрд) мирового рынка флеш-памяти. Растущий спрос на NAND может в 2026 году привести к её дефициту в размере 2 %. Если сбудутся прогнозы о перехвате твердотельными накопителями 5-процентной доли рынка у жёстких дисков, общий дефицит NAND может возрасти до 8 %. Lexar выпустила комплекты памяти Thor RGB DDR5 2nd Gen — до 128 Гбайт и до 6400 МТ/с
03.09.2025 [21:02],
Николай Хижняк
Компания Lexar сообщила о выпуске новых комплектов оперативной памяти Thor RGB DDR5 второго поколения со скоростью до 6400 МТ/с. Первое поколение этих комплектов ОЗУ производитель выпустил в 2023 году. 
Источник изображений: Lexar Размеры новых модулей Thor RGB DDR5 2nd Gen составляют 135,4 × 45 × 7,4 мм. Они отличаются тонким лаконичным дизайном и обновлённым цельным алюминиевым радиатором с пескоструйной обработкой. RGB-подсветка модулей памяти дополнена восемью светодиодами с тринадцатью различными режимами.  Модули ОЗУ предлагают скорость 6000 и 6400 МТ/с. В серию Thor RGB DDR5 2nd Gen вошли три комплекта памяти: на 32 Гбайт (2 × 16 Гбайт), 64 Гбайт (2 × 32 Гбайт) и 128 Гбайт (2 × 64 Гбайт). Все поддерживают профили Intel XMP 3.0 и AMD EXPO для упрощённого разгона. Тайминги зависят от скорости и объёма комплекта.
Lexar предоставляет на комплекты памяти Thor RGB DDR5 2nd Gen пожизненную гарантию. Но только в тех странах, где признаются такие гарантийные условия. Например, в Германии срок гарантии составляет 10 лет.  Представленные комплекты памяти Lexar будут предлагаться под двумя названиями: Thor RGB DDR5 2nd Gen для европейских розничных каналов и Thor Z RGB через Amazon. Стоимость модулей ОЗУ пока не сообщается. Первую в мире 321-слойную флеш-память 3D QLC NAND начала массово выпускать SK hynix
25.08.2025 [09:55],
Алексей Разин
В сфере производства памяти типа 3D NAND индикатором прогресса остаётся увеличение количества слоёв, и южнокорейская компания SK hynix недавно заявила о завершении разработки и начале серийного выпуска 321-слойных чипов QLC в 2-терабитном исполнении. Это первый в мире случай использования более чем 300 слоёв при выпуске микросхем памяти типа QLC. На рынок новые чипы выйдут в следующем полугодии. 
Источник изображения: SK hynix Как отмечает SK hynix, ёмкость новых чипов в два раза превышает имеющиеся аналоги. Увеличив количество рабочих плоскостей в составе ячеек с 4 до 6, компания надеется не только обеспечить рост быстродействия на операциях чтения, но и обеспечить длительное сохранение заявленных на старте показателей скорости в процессе эксплуатации. Скорости передачи информации по сравнению с изделиями предыдущего поколения удвоились, скорость записи выросла на величину до 56 %, скорость чтения на величину до 18 %. Энергоэффективность на операциях записи увеличилась более чем на 23 %, что позволяет рекомендовать новую 321-слойную память для использования в системах с искусственным интеллектом, где энергопотребление является серьёзным сдерживающим развитие инфраструктуры фактором. При этом SK hynix в первую очередь начнёт поставлять 321-слойные чипы QLC для производства накопителей для ПК, и только потом они пропишутся в серверном сегменте и смартфонах. В одной упаковке могут объединяться 32 кристалла NAND, поэтому данная память с лучшей стороны проявит себя на рынке серверных накопителей. На рынке соответствующая память появится в первой половине следующего года. Kioxia разогнала флеш-память до 64 Гбайт/с в прототипе SSD будущего
21.08.2025 [15:47],
Павел Котов
Марка Kioxia, возможно, не относится к разряду самых известных в мире ПК, но в сегменте серверов и центров обработки данных это признанный лидер по части быстрых накопителей. Она в очередной раз подтвердила свой статус, изготовив прототип накопителя на базе флеш-памяти (своего рода SSD), сочетающего высокие скорость и ёмкость. 
Источник изображений: kioxia.com Разработанное устройство с объёмом хранилища 5 Тбайт теоретически может передавать данные со скоростью до 64 Гбайт/с — и это показатель только для одного модуля, а их можно объединить в массив. Прототип работает с интерфейсом PCIe 6.0 и потребляет до 40 Вт, что важно для ЦОД, где ценится высокая эффективность.  Для поддержания высоких скоростей инженеры Kioxia подключили по контроллеру к каждому модулю памяти и объединили эти пары (память + контроллер) в каскадную конфигурацию — это позволяет масштабировать хранилище, подключая к нему новые накопители без ущерба для пропускной способности системы. Отказ от параллельной передачи сигналов между контроллерами позволил снизить потребление энергии и защитил целостность сигнала, используя модуляцию PAM4, предполагающую четыре уровня напряжения на два бита данных за такт — в результате удалось добиться пропускной способности между контроллерами в 128 Гбит/с.  На каждом контроллере также удалось уменьшить задержку при чтении данных за счёт кеширования. Усовершенствованные механизмы обработки сигналов помогли выйти на скорость передачи данных в 4 Гбит/с между контроллером и его флеш-памятью внутри модуля. Kioxia заявила о готовности развернуть такие накопители в системах любого назначения, но первыми клиентами, видимо, станут крупные ЦОД для систем искусственного интеллекта. |
© 1997—2025 Электронное периодическое издание "3ДНьюс" | Свидетельство о регистрации СМИ Эл ФС 77-22224
выдано Федеральной Службой по надзору за соблюдением законодательства в сфере массовых коммуникаций и охране культурного наследия
При цитировании документа ссылка на сайт с указанием автора обязательна. Полное заимствование документа является
нарушением
российского и международного законодательства и возможно только с согласия редакции 3DNews.
MWC 2018
2018
Computex
IFA 2018
