Компания ASRock сообщила, что её новая материнская плата Taichi OCF, оснащённая чипсетом Intel Z890, может работать с оперативной памятью DDR5 со скоростью выше 10 000 МТ/с. Эта плата для процессоров Intel Core Ultra 200S разработана специально для оверклокеров, оснащена усиленной подсистемой питания и получила только два слота для установки ОЗУ.

Источник изображений: ASRock

Согласно ASRock, обычная версия Taichi Z890 поддерживает оперативную память со скоростью до 9200 МТ/с посредством разгона. Однако версия OCF (OC Formula) разработана с учётом поддержки памяти до 10 133 МТ/с. Однако, конечно, никто не гарантирует, что такая скорость памяти действительно будет достигнута. Даже в официальных характеристиках Taichi Z890 OCF указано, что она поддерживает ОЗУ до 9600 МТ/с. Иными словами, речь идёт не об официальной поддержке модулей памяти со скоростью выше 10 000 МГц (планок памяти с такой заявленной скорости пока просто нет в продаже), а о том, что пользователи могут самостоятельно экспериментировать с разгоном, пытаясь достичь заявленной скорости.

Какими-либо примерами достижений разгона с использованием новой платы Taichi Z890 OCF компания ASRock не делилась, поскольку оглашение такой информации пока находится под запретом. Однако производитель опубликовал фотографии платы из своей лаборатории оверклокинга. Очевидно, что Taichi Z890 OCF сможет продемонстрировать все свои возможности разгона компонентов лишь при использовании экстремального охлаждения, например, в виде жидкого азота, поэтому скорость 10 133 МТ/с для памяти может быть вообще недостижима при использовании обычного воздушного охлаждения.

Новая серия материнских плат ASRock Z890 оснащена запатентованной технологией Memory OC Shield, которая, как говорит производитель, снижает электромагнитные помехи в передаче сигналов между модулями ОЗУ и CPU, которые могут помешать в раскрытии полного потенциала разгона. ASRock изменила дизайн своих плат, чтобы ограничить эти помехи. Кроме того, новые платы производителя поддерживают профили разгона ОЗУ Intel XMP и AMD EXPO.

Стоит отметить, что Intel действительно улучшила поддержку памяти DDR5 у новой платформы Arrow Lake-S, добавив ей в том числе поддержку модулей CUDIMM, которые оснащаются собственными тактовыми генераторами для стабильной работы ОЗУ на более высоких частотах. Однако официально платформа Intel Arrow Lake-S поддерживает без разгона память до DDR5-6400.

Источник изображения: Intel

ASRock Z890 OCF, как и другие ранее представленные платы на чипсете Intel Z890, не только от ASRock, но и от других производителей, появятся в продаже позже в этом месяце. Согласно данным крупного западного ретейлера Newegg, стоимость модели ASRock Z890 OCF составит $599.

Компания Adata сообщила, что ведёт разработку модулей оперативной памяти нового типа CUDIMM на основе технологии DDR5. Новые модули ОЗУ будут предназначены для работы с новейшими процессорами Intel Core Ultra 200S. Производитель ничего не сказал о возможности работы такой памяти на актуальных платформах компании AMD.

Источник изображения: Adata

Память DDR5 CUDIMM отличается от обычной DDR5 DIMM наличием встроенного тактового генератора. Он эффективно стабилизирует передачу сигналов между центральным процессором и памятью, позволяя последней стабильно работать на более высоких частотах.

Согласно пресс-релизу производителя, модули памяти Adata DDR5 CUDIMM смогут работать на материнских платах с чипсетом Intel Z890 со скоростью выше 9000 МТ/с. Однако первые решения предложат более скромную скорость работы. Первые комплекты памяти DDR5 CUDIMM от Adata будут работать со скоростью 6400 МТ/с. Однако производитель подтвердил, что в перспективе выпустит модули ОЗУ с более высокими скоростями — 8400, 8600, 8800, 9066 и 9200 МТ/с. Adata предложит модули объёмом 16 и 24 Гбайт.

Производитель также подтвердил, что модули памяти DDR5 CUDIMM будут выпускаться в его фирменной серии XPG Lancer RGB DDR5 и оснащаться радиаторами серебряного цвета с RGB-подсветкой. Версии без радиатора также запланированы к выпуску.

Adata сообщила, что её первые модули памяти DDR5 CUDIMM должны появиться в продаже в четвёртом квартале этого года. Однако точную дату старта продаж, а также стоимость модулей памяти компания не уточнила.

Компания TeamGroup представила комплект оперативной памяти CUDIMM T-Force Xtreem CKD DDR5-8800 общим объёмом 48 Гбайт (2×24 Гбайт). Особенность памяти CUDIMM — встроенный тактовый генератор, обеспечивающий стабильную работу модулей на высоких частотах.

Источник изображений: TeamGroup

Производитель заявляет, что комплект памяти T-Force Xtreem CKD DDR5-8800 может работать в режиме Gear 2 со скоростью от 8200 до 9000 МГц, а в режиме Gear 4 — со скоростью до 9600 МГц. Память поддерживает соответствующие профили разгона Intel XMP.

Стабильность работы памяти на таких высоких частотах производитель подтвердил скриншотами с результатами внутренних тестов. Компания отмечает, что тесты проводились на новой платформе LGA 1851 с одной из моделей процессоров из серии Intel Core Ultra 200S в режиме DDR5-9000 (Gear 2) и DDR5-9600 (Gear 4).

TeamGroup не сообщила, когда новые модули памяти появятся в продаже.

Компания Asus в рамках презентации материнских плат на чипсете Intel Z890 для процессоров Arrow Lake-S, официальный анонс состоится через несколько часов, рассылает СМИ специальные комплекты для тестирования новых чипов. Помимо прочего эти комплекты включают планки оперативной памяти DDR5 CU-DIMM Trident Z5 CK от компании G.Skill. Сама G.Skill пока не анонсировала такую ОЗУ.

Источник изображения: YouTube / Xtian C

Память CU-DIMM характеризуется наличием встроенного тактового генератора, расположенного непосредственно на самом модуле. Благодаря этому обеспечивается более стабильный разгон до более высоких частот. Некоторые компании уже представили свои варианты памяти CU-DIMM, работающие на скорости свыше 9000 МТ/с и подтвердили, что в перспективе будут выпущены комплекты со скоростью 10 000 МТ/с.

Согласно YouTube-блогеру Xtian C, входящий в набор Asus комплект модулей памяти памяти G.Skill CU-DIMM Trident Z общим объёмом 48 Гбайт (2x24 Гбайт) работает со скоростью 8200 МТ/с. Остальные характеристики новинки пока остаются неизвестными.

Судя по всему, сама G.Skill собирается представить данный комплект оперативной памяти уже совсем скоро.

Добавим, что в комплект Asus для обозревателей помимо модулей ОЗУ включены флагманская материнская плата ROG Maximus Z890 HERO и система жидкостного охлаждения ROG Ryujin III 360 aRGB Extreme.

Группа учёных из США смогла соединить квантово-механическую теорию и цифровую запись, проложив путь к потенциально сверхплотной оптической памяти. Запись осуществляется излучателями атомарного размера, встроенными в саму память, а ячейками для хранения информации выступают множественные дефекты в атомарной структуре памяти. Всё это замешано на управляемом изменении квантовых состояний дефектов, явив собой смесь классической и квантовой физики.

Источник изображения: Giulia Galli

Исследование и разработку моделей изучаемых явлений осуществили физики из Аргоннской национальной лаборатории министерства энергетики США и Притцкеровской школы молекулярной инженерии Чикагского университета. Сначала они провели моделирование и предсказали возможные результаты и лишь потом провели эксперименты. Проделанная учёными работа во многом новаторская. Ещё никто не изучал вопрос, как поведут себя дефекты в атомарной структуре твёрдых материалов, если по соседству с ними в нанометровой доступности расположатся излучатели энергии (фотонов). Фактически это физика в ближнем поле, которая непросто поддаётся изучению и, прежде всего, из-за возникновения разного рода квантовых эффектов.

«Мы разработали фундаментальные физические основы того, как передача энергии между дефектами может лежать в основе невероятно эффективного оптического метода хранения, — сказала Джулия Галли (Giulia Galli), профессор Чикагского университета и старший научный сотрудник Аргоннской национальной лаборатории. — Это исследование иллюстрирует важность изучения основных принципов и квантовомеханических теорий для освещения новых, зарождающихся технологий».

Если мы будет рассматривать, например, оптические диски, то минимально допустимое пятно для записи будет ограничено дифракционным пределом оптической системы и не сможет быть меньше длины волны записывающего лазера. Учёные предложили насытить материал атомами редкоземельных элементов, которые отличаются тем, что способны переизлучать падающий на них свет в более узком диапазоне и на других длинах волн. Тем самым можно создать материал с мириадами записывающих «лазеров» внутри, каждый из которых был бы размером с атом.

Точно также материал можно насытить ячейками для записи, в роли которых выступали бы дефекты в кристаллической структуре. При достаточном количестве атомов редкоземельных элементов и дефектов большинство из них находились бы в нанометровой доступности друг от друга. Суть открытия в том, что редкоземельные излучатели (точнее — переизлучатели) необратимо или на очень длительное время меняют квантовые состояния находящихся по соседству дефектов (переводят их из синглетного в триплетное состояние). А это память, работающая в оптическом диапазоне. И очень плотная память — на уровне атомарной структуры.

Учёные предупреждают, что они пока слабо представляют многие механизмы работы такой памяти, но не сомневаются, что это интересный и перспективный путь для удовлетворения нужд человечества в сохранении цифровых архивов.

Компания MSI подтвердила, что новые материнские платы на чипсетах AMD X870 и X870E поддерживают модули оперативной памяти нового типа CUDIMM. Такие модули отличаются от обычных наличием встроенного тактового генератора, который позволяет ОЗУ работать стабильнее на высоких частотах. Несколько производителей оперативной памяти уже представили модули CUDIMM с заявленной скоростью от 9200 до 9600 МТ/с.

Источник изображений: MSI/TOPPC

Ранее стало известно, что новая платформа Intel Arrow Lake-S будет поддерживать память CUDIMM через режим Gear 2. Это породило множество вопросов о том, будет ли платформа Socket AM5 компании AMD тоже поддерживать такую память. Благодаря MSI теперь известно, что да, будет. Однако совместимость компонентов зависит от используемой ОЗУ, материнской платы и процессора.

Память CUDIMM со скоростью 8600 МТ/с, работающая в паре с Ryzen 5 8500G

Информацией о поддержке памяти CUDIMM на своих материнских платах X870 компания MSI поделилась на недавнем мероприятии для прессы. В частности, производитель сообщил о косметических изменениях в слотах для оперативной памяти её новых материнских плат для лучшей передачи сигнала (физические размеры и схема контактов CUDIMM идентичны обычным DDR5 DIMM) и подтвердил поддержку CUDIMM процессорами Ryzen 8000 и Ryzen 9000. Причина изменения дизайна слота для ОЗУ, как сообщил штатный оверклокер MSI с псевдонимом TOPPC в рамках стрима MSI, связана с желанием производителя улучшить целостность сигнала на высоких частотах.

По его словам, проблемы несовместимости пока не позволяют реализовать поддержку CUDIMM у процессоров Ryzen 7000. Однако оверклокер считает, что поддержка таких модулей в Ryzen 7000 может быть добавлена в будущем. Тем не менее это пока никак не подтверждается.

Он также сообщил, что материнские платы с установленной памятью CUDIMM могут при первом старте запускать память на меньшей, чем заявлено, частоте. Однако настройки заявленной частоты памяти можно выставить вручную или автоматически (видимо, через профили разгона) через BIOS платы. Более подробной информации о поддержке нового типа памяти пока нет, поскольку сами модули CUDIMM в продаже пока не появились.

Следом за V-Color и Asgard оперативную память CUDIMM DDR5 представила китайская компания Biwin. Особенность памяти CUDIMM заключается в оснащение таких модулей тактовым генератором, который позволяет модулям стабильно работать на более высокой частоте.

Источник изображений: Biwin

Biwin представила двухканальный комплект памяти DW100 CUDIMM DDR5 общим объёмом 48 (2×24) Гбайт. Новинки обладают низкими задержками CL42 и высокой скоростью работы 9200 МТ/с.

Модули памяти построены на 10-слойном текстолите и оснащены асимметричным радиатором охлаждения из алюминиевого сплава с электрофоретическим покрытием (краска на радиаторы нанесена с использованием тока).

К сожалению, в пресс-релизе производителя не сообщается ни цена новых модулей памяти, ни дата их поступления в продажу. Производитель заявляет, что новинки станут доступны в четвёртом квартале этого года, а их цена будет соответствовать «средней по рынку на то время».

Компания Asgard представила комплект модулей памяти Thor DDR5 CUDIMM с беспрецедентно высокой скоростью работы. Новый набор памяти способен работать на скорости до 9600 МТ/с и значительно превосходит возможности предыдущих высокоскоростных модулей DDR5.

Источник изображения: mp.weixin.qq.com

Секрет высокой производительности Thor DDR5 кроется в том, что это модули CUDIMM (Clocked Unbuffered Dual In-Line Memory Module). В отличие от обычных планок DIMM, новейшие CUDIMM оснащены собственным тактовым генератором, который регенерирует тактовый сигнал, повышая стабильность работы на высокой частоте, что и позволяет модулям памяти достигать более высокой скорости. «Тактовый генератор на модулях памяти Thor DDR5 устраняет узкие места, улучшая передачу сигнала между процессором и DRAM», — говорится в сообщении компании. Именно это и делает Thor DDR5 самым быстрым комплектом оперативной памяти DDR5 на данный момент.

Демонстрация показала, что комплект памяти Asgard Thor работает на скорости 4800 МТ/с, что с учётом работы процессоров Intel в режиме 2:1, соответствует эффективной скорости 9600 МТ/с. В окне утилиты CPU-z можно увидеть всю необходимую информацию о памяти Asgard Thor, включая производителя DRAM (SK hynix) и значение CAS Latency — CL44.

Источник изображения: mp.weixin.qq.com

Важно отметить, что производительность DDR5 9600 МТ/с при таймингах CL44 примерно эквивалентно производительности DDR5-6400 с задержками CL30. Это впечатляющий результат, который обеспечивает как высокую скорость, так и большую пропускную способность. Asgard заявляет, что новая память совместима с новейшими платформами AMD и Intel, способными поддерживать гораздо более высокие частоты, чем их предшественники. Интересно, что во время демонстрации комплект памяти работал в режиме Gear 2, однако не уточняется, какая именно материнская плата и процессор использовались.

Благодаря поддержке Intel XMP, память Asgard Thor сможет автоматически применять оптимизированные настройки и работать при напряжении всего 1,5 В. В компании также подчёркивают, что используют чипы третьего поколения, соответствующие стандартам JEDEC, гарантируя лучшую совместимость и надёжность на новых платформах. Thor DDR5 будет доступна в двух цветовых вариантах: «Полярная ночь» (чёрный) и «Серебряная молния».

Данные берутся из публикации Плесните терабит в квадратный миллиметр

Компания Adata представила модули ОЗУ XPG Lancer Neon RGB DDR5 со скоростью работы 6000, 6400, 7200 и 8000 МТ/с. Компания заявляет, что в новинках используется радиатор охлаждения увеличенной площади, который эффективнее справляется с рассеиванием тепла при разгоне памяти.

Источник изображений: Adata

Другой особенностью модулей памяти XPG Lancer Neon RGB DDR5 является то, что 60 % площади их радиатора охлаждения оснащено RGB-подсветкой. Производитель также отмечает высокую экологичность новых модулей памяти (углеродный след при их производстве снижен на 72 %). Входящие в состав радиатора пластиковые элементы на 50 % состоят из переработанного материала. Пластиковые элементы упаковки также на 30 % состоят из переработанного пластика.

По словам производителя, новый радиатор охлаждения ОЗУ XPG Lancer Neon RGB DDR5 до 10 % эффективнее рассеивает тепло. На практике снижение температуры памяти в среднем составляет 8,5 °C по сравнению с другими модулями ОЗУ с поддержкой разгона.

Модули памяти XPG Lancer Neon RGB DDR5 поддерживают профили разгона Intel XMP 3.0 и AMD EXPO. Объём модулей составляет 16 или 24 Гбайт. Они будут доступны как в виде одиночных модулей, так и в составе двухканальных комплектов.

Рабочее напряжение новинок варьируется от 1,35 до 1,45 В, а тайминги, в зависимости от скорости самого модуля, от CL30 до CL40.

С более подробными характеристиками модулей ОЗУ XPG Lancer Neon RGB DDR5 можно ознакомиться в таблице выше.

Компания V-Color представила первые в мире оверклокерские модули оперативной памяти нового стандарта CUDIMM (Clocked Unbuffered Dual Inline Memory Module). Данный стандарт предполагает оснащение модулей дополнительными компонентами, которые обеспечивают более чистый сигнал и более высокую стабильность и надежность работы памяти на высоких частотах. Для новинок заявлена скорость в 9200 МТ/с.

Источник изображений: V-Color

Модули CUDIMM отличаются от традиционных UDIMM наличием встроенного тактового генератора (Client Clock Driver — CKD), который помогает синхронизировать сигналы между чипами и шиной памяти, что позволяет поднять частоту работы всей подсистемы памяти. Именно благодаря этому модули CUDIMM способны обеспечивать частоты, недостижимые для обычных DDR5 DIMM. По сути CUDIMM — это регистровая память, только без буферизации. При этом CUDIMM совместимы со слотами для обычных DIMM по контактам и протоколам. Это значит, что их можно устанавливать на любую материнскую плату с поддержкой модулей DDR5 DIMM. Главное чтобы контроллер памяти у процессора был в состоянии сохранять стабильность на столь высоких частотах.

V-Color представила в серии RGB DDR5 O CUDIMM двухканальные комплекты модулей DDR5 CUDIMM общим объёмом 32 (2×16) и 48 (2×24) Гбайт. Их стандартная скорость работы составляет 6400 МТ/с. Однако благодаря поддержке профилей разгона Intel XMP 3.0 они могут работать со скоростью до 9200 МТ/с с таймингами CL44-56-56-134.

Новинки оснащены радиаторами запатентованной конструкции с RGB-подсветкой. Радиатор имеет конструкцию с выступами толщиной 0,8 мм, которые позволяют им плотнее прилегать к микросхемам памяти. Поверх выступов установлены термопрокладки толщиной 0,2 мм с теплопроводностью 2,5 Вт/м‧К. При прижиме толщина термопрокладок сокращается до 0,1 мм. По словам производителя, такая конструкция радиатора обеспечивает охлаждение примерно на 2–5 % эффективнее по сравнению с обычными плоскими радиаторами ОЗУ.

Представленные компанией V-Color модули ОЗУ RGB DDR5 O CUDIMM станут частью её фирменной серии оперативной памяти Xfinity. Компания не сообщила ни стоимости новых модулей памяти, ни информации о том, когда они поступят в продажу.

Компания SK hynix объявила о разработке первого в отрасли чипа DDR5 ёмкостью 16 Гбит, который будет выпускаться по технологическому процессу 1c — это самое передовое, шестое поколение технологии производства 10-нм класса.

Источник изображения: news.skhynix.com

Со сменой поколений технологий 10-нм класса конструкция компонентов DRAM усложняется, а плотность памяти растёт — теперь SK hynix сообщила, что ей первой на рынке удалось преодолеть технологические ограничения и обозначить переход на производственные нормы нового поколения. Новая технология 1c обещает повышение производительности и ценовой конкурентоспособности. Будучи реализованной для DDR5, она в перспективе будет адаптирована и для других продуктов, в том числе HBM, LPDDR6 и GDDR7. «Мы продолжим работать над закреплением лидерства в области DRAM и позиции самого надёжного поставщика решений памяти для ИИ», — заявил глава отдела разработки DRAM Ким Чжонхван (Kim Jonghwan).

Массовое производство чипов DDR5 с использованием технологии 1c будет готово к запуску в течение года, а уже в 2025-м SK hynix намеревается начать массовые поставки этой продукции. Компания внедрила новые материалы при работе оборудования со сверхжёстким ультрафиолетовым излучением (EUV) и добилась повышения производительности на 30 %, изменив конструкционное исполнение компонентов.

Чипы DDR5 нового поколения 1c будут работать на скорости до 8 Гбит/с — на 11 % быстрее компонентов предыдущего, а их энергоэффективность удалось повысить более чем на 9 %. Развёртывание памяти нового образца в центрах обработки данных поможет предприятиям снизить расходы на электроэнергию на 30 %, подсчитали в SK hynix — это важно, потому что в эпоху активного использования оборудования для систем искусственного интеллекта потребление энергии преимущественно растёт.

В рамках стратегии по переходу на экологически чистые материалы компания TeamGroup представила оперативную память T-Force Delta RGB ECO DDR5 для настольных ПК, а также внешний твердотельный накопитель Team Group PD20 ECO Mini, большая часть компонентов которых изготовлена из переработанных материалов.

Источник изображений: TeamGroup

У модулей оперативной памяти радиатор на 80 % состоит из переработанного алюминия, а для изготовления световодов RGB-подсветки модулей используется 100 % переработанного PCR-пластика. По словам производителя, благодаря этому углеродный след от производства каждого модуля сокращён до 73 %.

В свою очередь, пластиковый корпус накопителей Team Group PD20 ECO Mini на 75 % выполнен из пластика, подлежащего переработке по стандарту FSC. Компания поясняет, что при производстве каждых 100 тыс. корпусов этих внешних SSD используется пластик около 42,2 тыс. переработанных пластиковых бутылок.

Сами модули памяти T-Force Delta RGB ECO DDR5 будут предлагаться в виде двухканальных комплектов общим объёмом 32 (2x16) или 64 (2x32) Гбайт, со скоростью 5600 и 6000 МГц и таймингами CL32, CL38 и CL40. Они поддерживают профили разгона Intel XMP 3.0 и AMD EXPO.

Внешний накопитель Team Group PD20 ECO Mini обеспечивает скорость передачи данных до 1000 Мбайт/с, оснащён интерфейсом USB 3.2 Gen2 Type-C и будет предлагаться в объёмах до 4 Тбайт. Размеры SSD составляют 75 × 34 × 15,2 мм, а вес равен всего 22 г.

О стоимости новинок производитель ничего не сообщил.

Бренд Mastero представил оперативную память DDR4 с рабочей частотой 3600 МГц и латентностью CL18. Такие параметры позволяют использовать её в игровых компьютерах и производительных рабочих станциях. Модули поставляются в комплектах по 16 (2×8) и 32 Гбайт (2×16).

В памяти Mastero используются чипы A-класса Hynix и Micron с нулевым процентом брака. Они обеспечивают стабильную работу ОЗУ и увеличивают вероятность её успешного разгона. Модули оснащены штатными радиаторами для улучшения отвода тепла от микросхем при высоких нагрузках. Ещё одна особенность — встроенный XMP-профиль, для быстрого запуска ОЗУ с заявленными параметрами.

Модули памяти Mastero производятся по контракту на заводе T-CREATION TECHNOLOGY COMPANY, входящим в десятку крупнейших производителей SSD и ОЗУ в Китае. На память Mastero действует гарантия 10 лет, что говорит о её высокой надёжности и сопоставимо с гарантийным сроком от A-брендов. Подробнее о памяти рассказано в обзоре комплекта Mastero DDR4 16 ГБ (2x8 ГБ) 3600 МГц.

Цены на ОЗУ Mastero:

• Комплект памяти DDR4 DIMM 16 Гбайт (2x8 Гбайт), 3600 МГц Mastero (MS-OP-16G-3600-CL18-K2). Цена — 5000 руб.

• Комплект памяти DDR4 DIMM 32 Гбайт (2x16 Гбайт), 3600 МГц Mastero (MS-OP-32G-3600-CL18-K2). Цена — 7900 руб.

Бренд Mastero предлагает компьютерные комплектующие и периферию, готовые системные блоки и серверные решения, а также другие товары для IT-инфраструктуры. Продукты разработаны для задач разной сложности — от базовых офисных до профессиональных: обработки видео, инженерных и конструкторских расчётов, математического моделирования и компьютерных игр.

Google планирует повысить производительность устройство под управлением Android, обеспечив им поддержку страниц памяти размером 16 Кбайт. Сейчас это нововведение активно тестируется.

Источник изображений: android-developers.googleblog.com

«В большинстве процессоров есть выделенный аппаратный модуль, называемый блоком управления памятью (MMU) и преобразующий адреса из используемых программой в физическое расположение в памяти. Преобразование исходит из размера страницы. Каждый раз, когда программе требуется больше памяти, операционной системе приходится вмешиваться и производить запись в „таблице страниц“, назначая этот фрагмент памяти процессу. То есть система может тратить больше времени на то, чтобы видео смотрелись отлично, игры работали хорошо, а приложения — плавно, и меньше времени на заполнение низкоуровневых документов операционной системы», — пояснили в Google.

Сейчас Android «создана и оптимизирована для работы с размером страницы 4 Кбайт». В Google подсчитали, что переход на более крупный размер страниц обещает «общий рост производительности на 5–10 %», но при этом общий расход памяти вырастет примерно на 9 %. В частности, если ресурсы памяти ограничены, время запуска приложений в среднем сокращается на 3,16 %, а в некоторых случаях и на 30 %; потребление энергии во время запуска при запуске приложения в среднем уменьшается на 4,56 %; «горячий» запуск камеры ускоряется в среднем на 4,48 %, «холодный» — на 6,60 %; время загрузки системы сокращается в среднем на 1,5 % или на 0,8 с, гласят подсчёты Google.

В Android 15 компания перестроила ОС «с нуля для поддержки работы с различными размерами страниц, что сделало её безразличной к размеру страницы». Разработчикам приходится перекомпилировать приложения для поддержки устройств с размером страницы 16 Кбайт, и теперь «один и тот же двоичный файл приложения может работать на устройствах со страницами памяти как 4, так и 16 Кбайт». Развёртывание нововведения может начаться с Android 15 QPR1 Beta 1 на Pixel 8 и 8 Pro. Доступная разработчикам опция «Загрузка с размером страницы 16 Кбайт» потребует разблокировки загрузчика и очистки устройства, поэтому рядовым пользователям она не подойдёт. Сейчас Google сотрудничает с «партнёрами по SoC и OEM, чтобы вскоре включить эту опцию на новых устройствах», но пока основной рабочий вариант — эмулятор x86_64.

Для рядовых пользователей компания пообещала развернуть нововведение в «ближайшем будущем», хотя на текущий момент «нет ни доступных, ни ожидаемых Android-устройств к выпуску Android 15, которые поддерживают размер страницы 16 Кбайт». Предполагается, что на практике переход будет производиться по мере увеличения объёмов оперативной памяти на конечных устройствах.