Согласно исследованиям TrendForce, в третьем квартале 2023 года произошёл значительный подъём рынка оперативной памяти DRAM: общая выручка выросла до 13,48 миллиардов долларов. Это соответствует 18-процентному росту относительно предыдущего квартала.

Источник изображения: pixabay.com

Значительный рост выручки объясняется постепенным восстановлением спроса, что побуждает производителей активизировать закупки. В перспективе четвёртого квартала поставщики DRAM твёрдо намерены повышать цены, так как ожидается, что контрактные цены на чипы памяти вырастут примерно на 13–18 %. Вместе с тем, восстановление спроса будет не таким ярким, как в предыдущие пиковые сезоны. В целом, несмотря на спрос для поддержания запасов, закупки в серверном сегменте остаются ограниченными из-за высокого уровня запасов с прошлых кварталов, что предполагает ограниченный рост поставок DRAM в четвёртом квартале.

Следует отметить, что три основных производителя оперативной памяти отметили рост выручки в третьем квартале. Выручка Samsung выросла на 15,9 % до 5,25 миллиардов долларов США благодаря стабильному спросу на чипы большой ёмкости, который стимулируется развитием систем искусственного интеллекта и выходом на рынок чипов DDR5, выполненных по нормам 1α. SK hynix продемонстрировала самый заметный рост среди производителей, достигнув величины в 34,4 % при объёмах продаж в 4,626 миллиардов долларов США. Компания при этом значительно сократила разрыв в доле рынка с Samsung до менее чем 5 %. Выручка Micron выросла примерно на 4,2 % до 3,075 миллиардов долларов, несмотря на небольшое снижение ASP (Average Selling Price — средняя цена продажи), чему способствовал рост спроса и объёмов поставок.

Samsung, вместе с тем, форсировала сокращение производства к концу третьего квартала, в основном нацелившись на продукты DDR4 с одновременным увеличением уровней запасов. По прогнозам, в четвёртом квартале сокращение производства может усилиться до 30 %, что приведёт к снижению объёма выпускаемых пластин памяти. При этом, рассчитывая на постепенное восстановление спроса, Samsung планирует увеличить объёмы выпуска чипов памяти не раньше второго квартала 2024-го года. SK hynix выиграла на росте поставок памяти HBM и DDR5, и ожидает небольшого увеличения объёмов производства пластин к концу текущего года, а в следующем году — стабильного ежеквартального роста в соответствии с растущим проникновением DDR5 на рынок.

Micron, ранее сократившая производство, в настоящее время поддерживает относительно здоровый уровень запасов. В четвёртом квартале 2023-го года компания уже начала увеличивать объёмы выпуска пластин, в первую очередь уделяя особое внимание передовому техпроцессу 1β. По некоторым оценкам, объём обработки кремниевых пластин в 2024-м году продолжит незначительно расти, при этом основное внимание будет уделяться переходу на более современные производственные процессы.

В то же время, на Тайване поставки компании Nanya выросли до 17–19 % благодаря заказам от клиентов рынка персональных компьютеров и динамикой спотового рынка. Однако низкий спрос на основные продукты компании — память DDR3 и DDR4, — а также снижение цен ограничили рост выручки, которая в итоге составила скромные 244 миллиона долларов США. Агрессивная ценовая стратегия компании Winbond, направленная на расширение бизнеса по выпуску DDR3 и освоение новых производственных мощностей, способствовала росту отгрузок и увеличению выручки компании в третьем квартале до 112 миллионов долларов США.

Источник изображения: TrendForce

PSMC (Powerchip Semiconductor Manufacturing Corporation) рассчитывает свою выручку в основном от потребительских продуктов DRAM, за исключением, собственно, услуг фотолитографического производства пластин. Благодаря росту спотовых цен, наблюдалось небольшое увеличение спроса, что привело к росту квартальной выручки от DRAM на 4,4 %. Однако, если учесть доходы от фотолитографического производства чипов, то в этом квартале следует констатировать снижение на 5,5 %.

Компания G.Skill представила комплекты модулей оперативной памяти R-DIMM DDR5 Zeta R5 Neo, которые сертифицированы для использования с новейшими высокопроизводительными процессорами AMD Ryzen Threadripper 7000 и Ryzen Threadripper PRO 7000 на материнских платах с чипсетом AMD TRX50. Новинки поддерживают разгон.

Источник изображений: G.Skill

Память G.Skill Zeta R5 Neo R-DIMM DDR5 доступна в комплектах из четырёх модулей DDR5-6400 объёмом по 16 или 32 Гбайт каждый. Таким образом, общий объём комплектов составляет 64 и 128 Гбайт.

Для обоих наборов модулей оперативной памяти Zeta R5 Neo R-DIMM DDR5-6400 заявляются тайминги CL32-39-39-102 и рабочее напряжение 1,4 В. Новинки поддерживают профили разгона AMD EXPO.

Следует добавить, что указанные модули ОЗУ уже активно используются различными оверклокерами для установки рекордов разгона процессоров Ryzen Threadripper PRO 7000.

О стоимости модулей ОЗУ Zeta R5 Neo R-DIMM DDR5-6400 производитель не сообщил, однако добавил, что в продаже они появятся в этом месяце.

Компания TeamGroup представила двухканальные комплекты модулей оперативной памяти T-Force Vulcan ECO DDR5 общим объёмом 32 Гбайт (2 × 16 Гбайт). Как заявляет производитель, это первые на рынке модули ОЗУ, оснащённые радиаторами из алюминия, полученного из вторичного сырья.

Источник изображений: TeamGroup

TeamGroup поясняет, что для каждых 10 тыс. радиаторов T-Force Vulcan ECO DDR5, изготовленных из переработанного алюминия, выбросы углекислого газа сокращаются на 73 % или примерно на 1665 кг по сравнению с применением нового алюминия. Это эквивалентно углеродному следу, который оставляют 550 тыс. салфеток для рук, 310 тыс. пластиковых трубочек, 30 тыс. пластиковых пакетов и 10 тыс. ПЭТ-бутылок. Сами модули при этом поставляются в экоупаковке, что ещё больше способствует сокращению материальных и электронных отходов.

Оперативная память TeamGroup T-Force Vulcan ECO DDR5 предлагается в вариантах DDR5-5600 и DDR5-6000. Для первого заявляются тайминги CL40 и рабочее напряжение в 1,2 В. Модули DDR5-6000 будут выпускаться в версиях с таймингами CL30 и рабочим напряжением 1,35 В, а также CL38 и рабочим напряжением 1,25 В.

Модули ОЗУ T-Force Vulcan ECO DDR5 поддерживают профили разгона Intel XMP 3.0 и AMD EXPO. Новинки оснащены низкопрофильными радиаторами охлаждения без подсветки. Размеры модулей составляют 32,7 × 140 × 7,5 мм. Производитель предоставляет для них пожизненную гарантию.

В продаже модули ОЗУ T-Force Vulcan ECO DDR5 от TeamGroup появятся в середине декабря. О стоимости новинок компания не уточняет.

Японская компания Kioxia сообщила об операционных убытках в размере 100,8 млрд иен ($664,5 млн) по итогам второго квартала текущего финансового года, который у неё закончился 30 сентября. Такой результат обусловлен снижением спроса на флеш-память, используемую в смартфонах и персональных компьютерах. Тремя месяцами ранее компания сообщала об убытках в размере 130,8 млрд иен, так что второй квартал оказался удачнее.

Источник изображения: kioxia.com

Kioxia и другие производители памяти столкнулись с падением спроса после пандемии коронавируса из-за перепроизводства чипов NAND. В Kioxia отмечают, что отпускные цены на память достигли низшей точки, а в следующем году компания ожидает возобновления роста за счёт увеличения поставок смартфонов. При этом более высокая средняя цена реализуемой продукции в минувшем квартале помогла Kioxia сократить операционные убытки по сравнению с предыдущим трёхмесячным отрезком.

Хотя инвестиции в технологии на основе искусственного интеллекта, как ожидается, будут стимулировать полупроводниковую индустрию, восстановление спроса на флеш-память NAND, используемую для хранения данных, не так очевидно. Тем не менее, производители памяти смогли справиться с дисбалансом спроса и предложения, и теперь цены на чипы 3D NAND будут расти.

Переговоры о слиянии Kioxia и бизнеса флеш-памяти Western Digital окончательно зашли в тупик на фоне противодействия со стороны SK hynix, которая является одним из инвесторов Kioxia с 2018 года. Доля образованной в результате слияния Kioxia и Western Digital компании на глобальном рынке памяти могла составить более 30 %, что сопоставимо с долей Samsung. Такое положение дел могло навредить бизнесу SK hynix.

Компания Thermaltake представила модули оперативной памяти Toughram XG RGB D5 с эффективной частотой 7600 и 8000 МГц. Они будут предлагаться в виде двухканальных комплектов общим объёмом 32 Гбайт (2 × 16 Гбайт). Производитель ориентирует новинки на использование с процессорами Intel Core 14-го поколения (Raptor Lake Refresh) и заявляет для них поддержку профилей разгона Intel XMP 3.0.

Источник изображений: Thermaltake

Для модулей памяти Toughram XG RGB D5 DDR5-8000 производитель заявляет тайминги CL38-48-48-128 и работу при напряжении 1,5 В. В свою очередь, для комплекта памяти Toughram XG RGB D5 DDR5-7600 заявляются тайминги CL38-48-48-84 и рабочее напряжение 1,45 В.

Модули ОЗУ Toughram XG RGB D5 оснащены радиаторами охлаждения, выполненными в бело-сером и чёрно-сером цветах и разделёнными на две части, одна из которых имеет сетчатый узор.

В верхней части предусмотрена многоцветная адресуемая подсветка на основе 16 ярких светодиодов. Она совместима с программным обеспечением TT RGB Plus и NeonMaker Light Editing. Контролировать эффекты и синхронизировать цвета можно с подсветкой других компонентов ПК.

На модули оперативной памяти Thermaltake Toughram XG RGB D5 предоставляется пожизненная гарантия.

Южнокорейская компания SK hynix сообщила о старте массовых поставок микросхем энергоэффективной памяти LPDDR5T, где буква «T» означает Turbo. Чипы обладают скоростью 9600 МГц и объёмом 16 Гбайт. Они предназначены для использования в смартфонах и работают при низком диапазоне напряжений от 1,01 до 1,12 В согласно сертификации JEDEC.

Источник изображений: SK hynix

Производитель отмечает, что её микросхемы памяти обладают пиковой пропускной способностью в 77 Гбайт/с, что эквивалентно передаче 15 видеофайлов формата Full HD за одну секунду.

SK hynix поясняет, что начала поставки чипов памяти LPDDR5T-9600 производителю смартфонов Vivo, который подтвердил, что указанные микросхемы будут использоваться в её новых флагманских смартфонах X100 и X100 Pro. Эти устройства также будут оснащаться новым флагманским процессором MediaTek Dimensity 9300.

Компания добавила, что её микросхемы памяти LPDDR5T-9600 прошли проверку на совместимость с процессорами Dimensity 9300 в августе. К слову, в октябре производитель отчитался, что его новые чипы памяти прошли проверку компанией Qualcomm на совместимость с новейшим флагманским процессором Snapdragon 8 Gen 3 с поддержкой генеративного ИИ и будут применяться в смартфонах на их основе.

Компания Micron представила модули регистровой оперативной памяти (RDIMM) для серверов ёмкостью 128 Гбайт, способные работать со скоростью до 8000 МТ/с. В их составе используются 32-гигабитные монолитные чипы DDR5, производящиеся с использованием технологического процесса 1β (1-бета), являющегося самым продвинутым у производителя. Массовое производство этих модулей ОЗУ начнётся в следующем году. Ещё компания поделилась планами на будущее.

Источник изображений: Micron

По словам компании, задействованная технология для производства 32-гигабитных монолитных кристаллов памяти DDR5 обеспечивает ряд преимуществ перед конкурирующей технологией 3DS TSV (Through-Silicon Via). Так, для новых чипов заявлены повышение битовой плотности более чем на 45 %, увеличение энергоэффективности до 24 %, снижение задержек до 16 % и повышение эффективности в задачах обучения ИИ до 28 %. Отказ от 3DS TSV позволил Micron лучше оптимизировать буферы ввода данных и критические схемы ввода-вывода, а также уменьшить ёмкость выводов на линиях данных.

Micron в прошлом удваивала плотность монолитных кристаллов памяти примерно каждые три года. С дальнейшим развитием технологий производитель планирует перейти к выпуску 48-гигабитных и 64-гигабитных монолитных кристаллов памяти, которые откроют перспективу создания модулей ОЗУ объёмом 1 Тбайт.

В дополнение к анонсу модулей памяти RDMIMM DDR5-8000 на 32-гигабитных чипах памяти на техпроцессе 1β, компания также опубликовала обновлённые планы по выпуску будущих продуктов. С середины 2024 года планируется начать массовое производство 16-гигабитных и 24-гигабитных чипов памяти GDDR7 со скоростью передачи данных 32 ГТ/с (гигатрансферов в секунду).

С 2024 года компания также планирует начать выпуск памяти RDIMM, MCRDIMM и решений CXL ёмкостью 128–256 Гбайт, а в 2026 году — объёмом более 256 Гбайт. С 2026 года производитель также начнёт выпуск энергоэффективных модулей памяти LPCAMM2 объёмом до 192 Гбайт и скоростью до 9600 МТ/с. Кроме того, планируется выпуск памяти HBM4 и HBM4E. Это новое поколение высокопроизводительной памяти должно обеспечить полосу пропускания от 1,5 Тбайт/с до более чем 2 Тбайт/с на стек при ёмкости от 36 до 64 Гбайт.

Ещё в октябре прошлого года стало известно, что Apple планировала использовать в своих смартфонах iPhone твердотельную память производства китайской компании YMTC, но изменения в правилах экспортного контроля лишили её такой возможности. Зато теперь южнокорейские источники сообщают, что 232-слойной памяти типа 3D NAND марки YMTC удалось прописаться в смартфонах Xiaomi 14, представленных в конце октября.

Источник изображения: Xiaomi

Напомним, что год назад в планах Apple упоминалась 128-слойная память 3D NAND марки YMTC, но даже в условиях усиливающихся санкционных ограничений США крупнейший китайский производитель твердотельной памяти за это время смог добиться существенного технического прогресса, поэтому смартфонам Xiaomi 14 уже достанется 232-слойная память YMTC. Если учесть, что компании Huawei при выпуске своих флагманских смартфонов Mate 60 в конце августа пришлось полагаться на микросхемы памяти SK hynix и Micron, то сотрудничество с Xiaomi станет для YMTC определённым прогрессом.

Конкуренты YMTC не стали перепрыгивать через этап выпуска 176-слойной памяти, и она получила довольно широкое распространение при производстве смартфонов. С июля этого года 232-слойная память YMTC используется в твердотельных накопителях ZhiTai Ti600 объёмом 1 Тбайт, и соответствующие микросхемы обладают самой высокой плотностью хранения данных на рынке.

Если в сфере выпуска микросхем памяти типа NAND китайская YMTC отстаёт от мировых лидеров всего на пару лет, то в сегменте микросхем оперативной памяти типа DRAM отставание измеряется примерно пятью годами, поскольку китайская компания CXMT свою передовую память этого типа производит по 22-нм техпроцессу, а зарубежные конкуренты уже применяют 12-нм технологию.

В течение последнего года стоимость твердотельных накопителей на мировом рынке находилась на предельно низком уровне. В некоторых случаях SSD объёмом 1 Тбайт можно было приобрести дешевле жёсткого диска такого же объёма. Однако времена дешёвой флеш-памяти NAND, кажется, подходят к концу. Производитель контроллеров памяти Phison сигнализировал о грядущей нехватке чипов флеш-памяти NAND, сообщает издание Digitimes.

Источник изображения: Samsung

Компания Phison вернулась к практике внесения предоплаты своим поставщикам за заказы больших объёмов чипов флеш-памяти NAND на фоне их прогнозируемой нехватки. Такое решение столь крупного игрока на рынке SSD, по-видимому, само по себе может всколыхнуть сегмент и привести к увеличению стоимости чипов NAND, а их прогнозируемый дефицит приведёт к дальнейшему повышению цен. В конечном итоге всё это выльется в рост стоимости твердотельных накопителей в будущем, ведь многие производители твердотельных накопителей закупают микросхемы как раз у Phison в комплекте с контроллерами. С другой стороны, ситуация вряд ли сильно отразится на Samsung и WD, которые выпускают SSD на собственных чипах памяти не не зависят от сторонних поставщиков, как другие производители.

Падение спроса на твердотельные накопители наблюдалось со времён пандемии COVID-19, однако в 2023 году произошло, возможно, самое резкое падение цен на SSD за всю историю. Причиной тому послужили объёмы производства, которые в течение продолжительного времени находились значительно выше уровня спроса. Для поставщиков единственным реальным способом поднять интерес к данному виду продукции оказалось ежеквартальное снижение цен. Некоторые производители также снизили объёмы выпуска SSD, однако прогнозируемая нехватка материалов для их выпуска может привести к дальнейшему сокращению предложений на рынке.

По данным аналитиков DRAMeXchange, за последние несколько месяцев наблюдается рост спотовых цен на кремниевые пластины для производства 512-гигабитных чипов-флеш памяти TLC объёмом 64 Гбайт. Текущая цена составляет $2,304 за микросхему, что на 63,3 % выше, чем было в июне, когда цена таких чипов составляла $1,411. На прошлой неделе спотовая цена таких микросхем выросла сразу на 12,7 %. Таким образом, стоимость 1 Тбайт флеш-памяти TLC выросла примерно с $22 до $36. Насколько это наблюдение отражает ситуацию с последними действиями компании Phison — не уточняется.

За последний год производители памяти NAND потеряли значительную долю выручки на фоне необходимости поддерживать на них спрос с помощью снижения цен. Однако ещё в мае Phison предупредила, что дальнейшее снижение цен на чипы флеш-памяти NAND может привести к банкротству некоторых поставщиков, так как даже крупнейшие производители памяти уже потеряли из-за этого миллиарды долларов.

На минувшей неделе Apple представила обновлённое семейство ноутбуков MacBook Pro на свежих процессорах серии M3. Среди новинок оказалась относительно недорогая 14-дюймовая модель на базовом чипе M3 — она пришла на смену 13-дюймовому MacBook Pro с M2. И несмотря на ценник в $1599 новинка обладает всего 8 Гбайт унифицированной (оперативной) памяти, что снова вызвало горячие споры в Сети. Представитель Apple пояснил, что у их компьютеров память лучше, чем у ПК.

Источник изображения: apple.com

Модель Apple MacBook Pro начального уровня поставляется с 8 Гбайт унифицированной памяти при цене от $1599, что на $300 дороже предшествующей модели. Покупатель может выбрать вариант с 16 или 24 Гбайт памяти, доплатив соответственно $200 или $400, а расширить оперативную память самостоятельно не получится из-за архитектуры процессоров Apple. В результате компанию подвергли критике, потому что 8 Гбайт оперативной памяти в 2023 году — недостаточно для работы, и модель серии Pro должна иметь на борту хотя бы 16 Гбайт.

На эту критику недавно ответил вице-президент Apple по международному маркетингу Боб Борчерс (Bob Borchers) в ходе интервью китайскому видеоблогеру Линь Ил И (Lin YilYi). «Сравнение нашей памяти с памятью другой системы на самом деле не эквивалентно, потому что мы используем память очень эффективно, используем сжатие памяти, и у нас унифицированная архитектура памяти. На самом деле 8 Гбайт на MacBook Pro M3, вероятно, аналогичны 16 Гбайт на других системах. Мы просто сумели использовать её более эффективно. Так что я бы сказал, что людям лучше попробовать то, что они хотели бы сделать на своих системах, и думаю, что они увидят невероятную производительность. Если вы посмотрите на исходные данные и возможности этих систем, это действительно феноменально. И именно туда людям лучше смотреть за пределы спецификаций, за пределы возможностей, прислушиваться к заслуживающим доверия людям, которые на самом деле испытали системы. Людям лучше смотреть выше спецификаций и понять, как используется эта технология. Вот настоящий тест», — заявил топ-менеджер Apple.

Помимо процессора Apple M3 с 8 Гбайт памяти, обновлённый и подорожавший на $300 новый MacBook Pro по сравнению с предшественником получил более крупный и яркий дисплей Liquid Retina XDR с подсветкой mini-LED и частотой 120 Гц (ProMotion), улучшенную камеру FaceTime 1080p, шесть динамиков, поддержку Wi-Fi 6E и Bluetooth 5.3.

Данные берутся из публикации Правда ли, что 64-Гбайт комплекты DDR5 быстрее 32-Гбайт? Проверяем на примере Patriot Viper Venom DDR5-6400 2×32 Гбайт

Южнокорейская компания Samsung Electronics является крупнейшим в мире производителем памяти, и она одной из последних приступила к сокращению объёмов выпуска микросхем типа NAND, чтобы спровоцировать рост цен после затяжного падения. В этом квартале она решилась на прямое повышение цен на величину до 20 %, и продолжит предпринимать аналогичные меры вплоть до середины следующего года.

Источник изображения: Micron Technology

Об этом, как сообщает TrendForce, стало известно на этой неделе с подачи южнокорейских СМИ. В текущем квартале контрактные цены на кремниевые пластины с микросхемами NAND компания повысила на величину от 10 до 20 %, но сразу же решила, что будет повышать их на 20 % как в первом квартале следующего года, так и во втором. Цены на флеш-память повышаются с августа этого года, как отмечает TrendForce, и это уже привело к тому, что в текущем квартале контрактные цены на твердотельные накопители корпоративного класса выросли на 5–10 %. Для поставщиков наступают выгодные времена, поскольку у них появляется возможность настаивать на собственных ценах в переговорах с покупателями. Контрактные цены на SSD в сегменте ПК в текущем квартале должны вырасти на 8–13 %, по мнению аналитиков TrendForce.

В текущем квартале вырастут цены и на другие виды памяти. Например, мобильная DRAM подорожает на контрактном рынке на 13–18 %, а используемая в картах памяти NAND вырастет в цене на 10–15 %. В прочих сегментах рынка цены на микросхемы DRAM будут расти не так заметно. В случае с Samsung память типа NAND и DRAM различного назначения формирует около половины выручки от реализации компанией полупроводниковой продукции. Наращивать объёмы выпуска памяти Samsung в текущих условиях не торопится, но выручка может вернуться к росту после повышения цен уже в этом квартале. Переизбыток памяти сейчас больше ощущается в сегменте NAND, как дали понять представители южнокорейского гиганта на отчётном мероприятии в прошлом месяце.

Представители Phison тоже убеждены, что коррекция складских запасов на рынке памяти подходит к концу. Руководство ADATA убеждено, что цены на память будут расти с этого квартала и до конца следующего полугодия. В последующие два года нехватка микросхем памяти на рынке будет способствовать процветанию производителей, пока очередной цикл не сменится. Считается, что заданная Samsung тенденция к повышению цен на память типа NAND будет в ближайшие месяцы подхвачена всем остальным рынком.

В линейке комплектующих бренда Mastero появилась оперативная память DDR4 для ПК. Компания предлагает планки объёмом 8 и 16 Гбайт, а также комплекты на 16 (2×8) и 32 Гбайт (2×16). Модули рассчитаны на рабочую частоту 3200 МГц и укомплектованы штатными радиаторами, что позволяет использовать их в игровых компьютерах и производительных рабочих станциях.

Источник изображений: e2e4

Память Mastero производится по контракту на технологической площадке в Китае. На модули действует гарантия 10 лет, что сравнимо с гарантийным сроком от мировых брендов.

В ОЗУ используются чипы A-класса Hynix и Micron с нулевым процентом брака. Встроенный XMP-профиль при активации позволяет автоматически установить рабочую частоту 3200 МГц и тайминги 16-20-20-38. Память Mastero обладает хорошим разгонным потенциалом и стабильностью, что проверено в обзоре комплекта памяти Mastero DDR4 16 Гбайт (2×8 Гбайт).

Mastero предлагает одиночные модули ОЗУ и комплекты:

• Память DDR4 DIMM 8 Гбайт, 3200 МГц Mastero (MS-OP-8G-3200-CL16). Цена — 2300 руб.
• Память DDR4 DIMM 16 Гбайт, 3200 МГц Mastero (MS-OP-16G-3200-CL16). Цена — 3600 руб.
• Комплект памяти DDR4 DIMM 16 Гбайт (2 × 8 Гбайт), 3200 МГц Mastero (MS-OP-16G-3200-CL16-K2). Цена — 4300 руб.
• Комплект памяти DDR4 DIMM 32 Гбайт (2 × 16 Гбайт), 3200 МГц Mastero (MS-OP-32G-3200-CL16-K2). Цена — 7400 руб.
  

Модули памяти Mastero оснащены радиаторами чёрного матового цвета с серебристыми вставками. Радиаторы улучшают охлаждение электронных компонентов и придают сборке стильный вид.

На Российском рынке Mastero представлен в категориях: системные блоки, комплектующие для ПК и периферия. Бренд предлагает продукты для широкого круга пользователей и для узких специалистов: инженеров, архитекторов, видеографов, дизайнеров. Техническую поддержку в России предоставляет официальный дистрибьютор — компания е2е4.

Компания Essencore, которой принадлежит торговая марка Klevv, сообщила о расширении своего ассортимента модулей оперативной памяти DDR5 двуканальными комплектами ОЗУ серий CRAS V RGB, CRAS XR5 RGB и BOLT V общим объёмом 48 и 64 Гбайт.

Источник изображений: Klevv

Двухканальные комплекты памяти CRAS V RGB DDR5 объёмом 48 и 64 Гбайт предлагают скорость от 6000 до 8000 МТ/с, имеют тайминги CL30-36-36-76 (DDR5-6000), CL32-38-38-78 (DDR5-6400), CL34-44-44-84 (DDR5-7200), CL36-46-46-86 (DDR5-7400) и CL38-48-48-128 (DDR5-8000). Модули ОЗУ обладают рабочим напряжением от 1,35 до 1,45 В. Память Klevv CRAS V RGB DDR5 оснащена радиаторами охлаждения с RGB-подсветкой. Высота модулей составляет 44 мм.

Двухканальные комплекты CRAS XR5 RGB DDR5 объёмом 48 и 64 Гбайт также предлагают скорость от 6000 до 8000 МТ/с. Для них заявляются тайминги CL40-40-40-76 и CL32-38-38-78 (DDR5-6000); CL40-42-42-78 и CL32-38-38-78 (DDR5-6200); CL36-46-46-82 (DDR5-7000), CL 36-46-46-84 (DDR5-7200) и CL38-48-48-128 (DDR5-8000). Для данных комплектов ОЗУ указывается рабочее напряжение от 1,3 до 1,55 В. Модули памяти CRAS XR5 RGB DDR5 оснащены алюминиевыми радиаторами охлаждения с RGB-подсветкой и имеют высоту 42,5 мм.

Двухканальные комплекты BOLT V DDR5 объёмом 48 и 64 Гбайт предлагают скорость от 6000 до 6800 МТ/с. Они обладают таймингами CL30-36-36-76 (DDR5-6000), CL32-38-38-78 (DDR5-6400) и CL34-40-40-80 (DDR5-6800). Для всех указанных модулей заявляется рабочее напряжение 1,35 В. Новинки оснащены низкопрофильными радиаторами охлаждения без RGB-подсветки. Высота модулей составляет 34 мм.

Все представленные модули памяти Klevv имеют поддержку профилей разгона AMD EXPO и Intel XMP 3.0. На все модули ОЗУ предоставляется пожизненная гарантия производителя.

Ещё в ноябре прошлого года китайская компания YMTC объявила о начале массового производства 232-слойной памяти типа QLC 3D NAND, опередив конкурентов типа Kioxia и SK hynix. Даже Micron Technology со своей 232-слойной памятью типа TLC 3D NAND чуть отстаёт от китайского соперника, который давно находится под санкциями США. На этой неделе появились доказательства, что передовая память YMTC уже используется в серийных твердотельных накопителях.

Источник изображения: TechInsights

Та самая компания TechInsights, которая в конце лета добыла доказательства наличия 7-нм процессоров HiSilicon Kirin в составе смартфонов Huawei семейства Mate 60, на уходящей неделе опубликовала отчёт об изучении выпущенного в июле без особой огласки твердотельного накопителя ZhiTai Ti600 объёмом 1 Тбайт. Данный накопитель как раз использует 232-слойную память YMTC типа QLC 3D NAND. По словам экспертов TechInsights, данные микросхемы памяти обеспечивают высочайшую плотность хранения информации среди всех чипов, поставляемых на рынок в коммерческих партиях, а именно — 19,8 Гбит/мм².

Как известно, прогресса в этой сфере YMTC смогла добиться за счёт использования технологии Xtacking 3.0, позволяющей формировать микросхемы памяти 3D NAND с таким количеством слоёв. Конкурирующие компании Micron и Solidigm (Intel) только разрабатывают 232-слойную память типа QLC 3D NAND, а у первой в арсенале уже имеется 232-слойная TLC 3D NAND, но она уступает решению YMTC по плотности хранения данных из-за использования трёх бит на ячейку вместо четырёх.

Являющаяся крупнейшим производителем памяти Samsung Electronics отказалась от разработки 236-слойной памяти типа QLC 3D NAND в восьмом поколении, вместо этого сосредоточившись на микросхемах QLC и TLC девятого поколения. SK hynix специализируется на памяти типа TLC 3D NAND, которая тоже уступает продукции YMTC по плотности хранения данных на конкретном этапе. Получается, что китайской компании удалось в условиях санкций наладить выпуск передовой памяти QLC 3D NAND, обогнав всех соперников по плотности хранения информации.