Следом за V-Color и Asgard оперативную память CUDIMM DDR5 представила китайская компания Biwin. Особенность памяти CUDIMM заключается в оснащение таких модулей тактовым генератором, который позволяет модулям стабильно работать на более высокой частоте.

Источник изображений: Biwin

Biwin представила двухканальный комплект памяти DW100 CUDIMM DDR5 общим объёмом 48 (2×24) Гбайт. Новинки обладают низкими задержками CL42 и высокой скоростью работы 9200 МТ/с.

Модули памяти построены на 10-слойном текстолите и оснащены асимметричным радиатором охлаждения из алюминиевого сплава с электрофоретическим покрытием (краска на радиаторы нанесена с использованием тока).

К сожалению, в пресс-релизе производителя не сообщается ни цена новых модулей памяти, ни дата их поступления в продажу. Производитель заявляет, что новинки станут доступны в четвёртом квартале этого года, а их цена будет соответствовать «средней по рынку на то время».

Компания Asgard представила комплект модулей памяти Thor DDR5 CUDIMM с беспрецедентно высокой скоростью работы. Новый набор памяти способен работать на скорости до 9600 МТ/с и значительно превосходит возможности предыдущих высокоскоростных модулей DDR5.

Источник изображения: mp.weixin.qq.com

Секрет высокой производительности Thor DDR5 кроется в том, что это модули CUDIMM (Clocked Unbuffered Dual In-Line Memory Module). В отличие от обычных планок DIMM, новейшие CUDIMM оснащены собственным тактовым генератором, который регенерирует тактовый сигнал, повышая стабильность работы на высокой частоте, что и позволяет модулям памяти достигать более высокой скорости. «Тактовый генератор на модулях памяти Thor DDR5 устраняет узкие места, улучшая передачу сигнала между процессором и DRAM», — говорится в сообщении компании. Именно это и делает Thor DDR5 самым быстрым комплектом оперативной памяти DDR5 на данный момент.

Демонстрация показала, что комплект памяти Asgard Thor работает на скорости 4800 МТ/с, что с учётом работы процессоров Intel в режиме 2:1, соответствует эффективной скорости 9600 МТ/с. В окне утилиты CPU-z можно увидеть всю необходимую информацию о памяти Asgard Thor, включая производителя DRAM (SK hynix) и значение CAS Latency — CL44.

Источник изображения: mp.weixin.qq.com

Важно отметить, что производительность DDR5 9600 МТ/с при таймингах CL44 примерно эквивалентно производительности DDR5-6400 с задержками CL30. Это впечатляющий результат, который обеспечивает как высокую скорость, так и большую пропускную способность. Asgard заявляет, что новая память совместима с новейшими платформами AMD и Intel, способными поддерживать гораздо более высокие частоты, чем их предшественники. Интересно, что во время демонстрации комплект памяти работал в режиме Gear 2, однако не уточняется, какая именно материнская плата и процессор использовались.

Благодаря поддержке Intel XMP, память Asgard Thor сможет автоматически применять оптимизированные настройки и работать при напряжении всего 1,5 В. В компании также подчёркивают, что используют чипы третьего поколения, соответствующие стандартам JEDEC, гарантируя лучшую совместимость и надёжность на новых платформах. Thor DDR5 будет доступна в двух цветовых вариантах: «Полярная ночь» (чёрный) и «Серебряная молния».

Данные берутся из публикации Плесните терабит в квадратный миллиметр

Компания Adata представила модули ОЗУ XPG Lancer Neon RGB DDR5 со скоростью работы 6000, 6400, 7200 и 8000 МТ/с. Компания заявляет, что в новинках используется радиатор охлаждения увеличенной площади, который эффективнее справляется с рассеиванием тепла при разгоне памяти.

Источник изображений: Adata

Другой особенностью модулей памяти XPG Lancer Neon RGB DDR5 является то, что 60 % площади их радиатора охлаждения оснащено RGB-подсветкой. Производитель также отмечает высокую экологичность новых модулей памяти (углеродный след при их производстве снижен на 72 %). Входящие в состав радиатора пластиковые элементы на 50 % состоят из переработанного материала. Пластиковые элементы упаковки также на 30 % состоят из переработанного пластика.

По словам производителя, новый радиатор охлаждения ОЗУ XPG Lancer Neon RGB DDR5 до 10 % эффективнее рассеивает тепло. На практике снижение температуры памяти в среднем составляет 8,5 °C по сравнению с другими модулями ОЗУ с поддержкой разгона.

Модули памяти XPG Lancer Neon RGB DDR5 поддерживают профили разгона Intel XMP 3.0 и AMD EXPO. Объём модулей составляет 16 или 24 Гбайт. Они будут доступны как в виде одиночных модулей, так и в составе двухканальных комплектов.

Рабочее напряжение новинок варьируется от 1,35 до 1,45 В, а тайминги, в зависимости от скорости самого модуля, от CL30 до CL40.

С более подробными характеристиками модулей ОЗУ XPG Lancer Neon RGB DDR5 можно ознакомиться в таблице выше.

Компания V-Color представила первые в мире оверклокерские модули оперативной памяти нового стандарта CUDIMM (Clocked Unbuffered Dual Inline Memory Module). Данный стандарт предполагает оснащение модулей дополнительными компонентами, которые обеспечивают более чистый сигнал и более высокую стабильность и надежность работы памяти на высоких частотах. Для новинок заявлена скорость в 9200 МТ/с.

Источник изображений: V-Color

Модули CUDIMM отличаются от традиционных UDIMM наличием встроенного тактового генератора (Client Clock Driver — CKD), который помогает синхронизировать сигналы между чипами и шиной памяти, что позволяет поднять частоту работы всей подсистемы памяти. Именно благодаря этому модули CUDIMM способны обеспечивать частоты, недостижимые для обычных DDR5 DIMM. По сути CUDIMM — это регистровая память, только без буферизации. При этом CUDIMM совместимы со слотами для обычных DIMM по контактам и протоколам. Это значит, что их можно устанавливать на любую материнскую плату с поддержкой модулей DDR5 DIMM. Главное чтобы контроллер памяти у процессора был в состоянии сохранять стабильность на столь высоких частотах.

V-Color представила в серии RGB DDR5 O CUDIMM двухканальные комплекты модулей DDR5 CUDIMM общим объёмом 32 (2×16) и 48 (2×24) Гбайт. Их стандартная скорость работы составляет 6400 МТ/с. Однако благодаря поддержке профилей разгона Intel XMP 3.0 они могут работать со скоростью до 9200 МТ/с с таймингами CL44-56-56-134.

Новинки оснащены радиаторами запатентованной конструкции с RGB-подсветкой. Радиатор имеет конструкцию с выступами толщиной 0,8 мм, которые позволяют им плотнее прилегать к микросхемам памяти. Поверх выступов установлены термопрокладки толщиной 0,2 мм с теплопроводностью 2,5 Вт/м‧К. При прижиме толщина термопрокладок сокращается до 0,1 мм. По словам производителя, такая конструкция радиатора обеспечивает охлаждение примерно на 2–5 % эффективнее по сравнению с обычными плоскими радиаторами ОЗУ.

Представленные компанией V-Color модули ОЗУ RGB DDR5 O CUDIMM станут частью её фирменной серии оперативной памяти Xfinity. Компания не сообщила ни стоимости новых модулей памяти, ни информации о том, когда они поступят в продажу.

Компания SK hynix объявила о разработке первого в отрасли чипа DDR5 ёмкостью 16 Гбит, который будет выпускаться по технологическому процессу 1c — это самое передовое, шестое поколение технологии производства 10-нм класса.

Источник изображения: news.skhynix.com

Со сменой поколений технологий 10-нм класса конструкция компонентов DRAM усложняется, а плотность памяти растёт — теперь SK hynix сообщила, что ей первой на рынке удалось преодолеть технологические ограничения и обозначить переход на производственные нормы нового поколения. Новая технология 1c обещает повышение производительности и ценовой конкурентоспособности. Будучи реализованной для DDR5, она в перспективе будет адаптирована и для других продуктов, в том числе HBM, LPDDR6 и GDDR7. «Мы продолжим работать над закреплением лидерства в области DRAM и позиции самого надёжного поставщика решений памяти для ИИ», — заявил глава отдела разработки DRAM Ким Чжонхван (Kim Jonghwan).

Массовое производство чипов DDR5 с использованием технологии 1c будет готово к запуску в течение года, а уже в 2025-м SK hynix намеревается начать массовые поставки этой продукции. Компания внедрила новые материалы при работе оборудования со сверхжёстким ультрафиолетовым излучением (EUV) и добилась повышения производительности на 30 %, изменив конструкционное исполнение компонентов.

Чипы DDR5 нового поколения 1c будут работать на скорости до 8 Гбит/с — на 11 % быстрее компонентов предыдущего, а их энергоэффективность удалось повысить более чем на 9 %. Развёртывание памяти нового образца в центрах обработки данных поможет предприятиям снизить расходы на электроэнергию на 30 %, подсчитали в SK hynix — это важно, потому что в эпоху активного использования оборудования для систем искусственного интеллекта потребление энергии преимущественно растёт.

В рамках стратегии по переходу на экологически чистые материалы компания TeamGroup представила оперативную память T-Force Delta RGB ECO DDR5 для настольных ПК, а также внешний твердотельный накопитель Team Group PD20 ECO Mini, большая часть компонентов которых изготовлена из переработанных материалов.

Источник изображений: TeamGroup

У модулей оперативной памяти радиатор на 80 % состоит из переработанного алюминия, а для изготовления световодов RGB-подсветки модулей используется 100 % переработанного PCR-пластика. По словам производителя, благодаря этому углеродный след от производства каждого модуля сокращён до 73 %.

В свою очередь, пластиковый корпус накопителей Team Group PD20 ECO Mini на 75 % выполнен из пластика, подлежащего переработке по стандарту FSC. Компания поясняет, что при производстве каждых 100 тыс. корпусов этих внешних SSD используется пластик около 42,2 тыс. переработанных пластиковых бутылок.

Сами модули памяти T-Force Delta RGB ECO DDR5 будут предлагаться в виде двухканальных комплектов общим объёмом 32 (2x16) или 64 (2x32) Гбайт, со скоростью 5600 и 6000 МГц и таймингами CL32, CL38 и CL40. Они поддерживают профили разгона Intel XMP 3.0 и AMD EXPO.

Внешний накопитель Team Group PD20 ECO Mini обеспечивает скорость передачи данных до 1000 Мбайт/с, оснащён интерфейсом USB 3.2 Gen2 Type-C и будет предлагаться в объёмах до 4 Тбайт. Размеры SSD составляют 75 × 34 × 15,2 мм, а вес равен всего 22 г.

О стоимости новинок производитель ничего не сообщил.

Бренд Mastero представил оперативную память DDR4 с рабочей частотой 3600 МГц и латентностью CL18. Такие параметры позволяют использовать её в игровых компьютерах и производительных рабочих станциях. Модули поставляются в комплектах по 16 (2×8) и 32 Гбайт (2×16).

В памяти Mastero используются чипы A-класса Hynix и Micron с нулевым процентом брака. Они обеспечивают стабильную работу ОЗУ и увеличивают вероятность её успешного разгона. Модули оснащены штатными радиаторами для улучшения отвода тепла от микросхем при высоких нагрузках. Ещё одна особенность — встроенный XMP-профиль, для быстрого запуска ОЗУ с заявленными параметрами.

Модули памяти Mastero производятся по контракту на заводе T-CREATION TECHNOLOGY COMPANY, входящим в десятку крупнейших производителей SSD и ОЗУ в Китае. На память Mastero действует гарантия 10 лет, что говорит о её высокой надёжности и сопоставимо с гарантийным сроком от A-брендов. Подробнее о памяти рассказано в обзоре комплекта Mastero DDR4 16 ГБ (2x8 ГБ) 3600 МГц.

Цены на ОЗУ Mastero:

• Комплект памяти DDR4 DIMM 16 Гбайт (2x8 Гбайт), 3600 МГц Mastero (MS-OP-16G-3600-CL18-K2). Цена — 5000 руб.

• Комплект памяти DDR4 DIMM 32 Гбайт (2x16 Гбайт), 3600 МГц Mastero (MS-OP-32G-3600-CL18-K2). Цена — 7900 руб.

Бренд Mastero предлагает компьютерные комплектующие и периферию, готовые системные блоки и серверные решения, а также другие товары для IT-инфраструктуры. Продукты разработаны для задач разной сложности — от базовых офисных до профессиональных: обработки видео, инженерных и конструкторских расчётов, математического моделирования и компьютерных игр.

Google планирует повысить производительность устройство под управлением Android, обеспечив им поддержку страниц памяти размером 16 Кбайт. Сейчас это нововведение активно тестируется.

Источник изображений: android-developers.googleblog.com

«В большинстве процессоров есть выделенный аппаратный модуль, называемый блоком управления памятью (MMU) и преобразующий адреса из используемых программой в физическое расположение в памяти. Преобразование исходит из размера страницы. Каждый раз, когда программе требуется больше памяти, операционной системе приходится вмешиваться и производить запись в „таблице страниц“, назначая этот фрагмент памяти процессу. То есть система может тратить больше времени на то, чтобы видео смотрелись отлично, игры работали хорошо, а приложения — плавно, и меньше времени на заполнение низкоуровневых документов операционной системы», — пояснили в Google.

Сейчас Android «создана и оптимизирована для работы с размером страницы 4 Кбайт». В Google подсчитали, что переход на более крупный размер страниц обещает «общий рост производительности на 5–10 %», но при этом общий расход памяти вырастет примерно на 9 %. В частности, если ресурсы памяти ограничены, время запуска приложений в среднем сокращается на 3,16 %, а в некоторых случаях и на 30 %; потребление энергии во время запуска при запуске приложения в среднем уменьшается на 4,56 %; «горячий» запуск камеры ускоряется в среднем на 4,48 %, «холодный» — на 6,60 %; время загрузки системы сокращается в среднем на 1,5 % или на 0,8 с, гласят подсчёты Google.

В Android 15 компания перестроила ОС «с нуля для поддержки работы с различными размерами страниц, что сделало её безразличной к размеру страницы». Разработчикам приходится перекомпилировать приложения для поддержки устройств с размером страницы 16 Кбайт, и теперь «один и тот же двоичный файл приложения может работать на устройствах со страницами памяти как 4, так и 16 Кбайт». Развёртывание нововведения может начаться с Android 15 QPR1 Beta 1 на Pixel 8 и 8 Pro. Доступная разработчикам опция «Загрузка с размером страницы 16 Кбайт» потребует разблокировки загрузчика и очистки устройства, поэтому рядовым пользователям она не подойдёт. Сейчас Google сотрудничает с «партнёрами по SoC и OEM, чтобы вскоре включить эту опцию на новых устройствах», но пока основной рабочий вариант — эмулятор x86_64.

Для рядовых пользователей компания пообещала развернуть нововведение в «ближайшем будущем», хотя на текущий момент «нет ни доступных, ни ожидаемых Android-устройств к выпуску Android 15, которые поддерживают размер страницы 16 Кбайт». Предполагается, что на практике переход будет производиться по мере увеличения объёмов оперативной памяти на конечных устройствах.

Изначально стандарт CAMM продвигался компанией Dell, чтобы заменить модули SO-DIMM для ноутбуков, но в своём втором поколении такая память готовится прописаться и в настольных системах, что и доказала MSI в своей недавней трансляции. Представители тайваньской марки показали прототипы модулей памяти типа CAMM2 для настольных систем.

Источник изображений: MSI, ExtremeTech

Использование модулей CAMM2 в настольной системе (на фото слева) вынуждает производителя серьёзно переработать компоновку материнской платы. Особенность CAMM2 заключается в том, что такой модуль памяти устанавливается «плашмя» на материнскую плату, и ему нужно чуть больше пространства на её поверхности, чем паре модулей DIMM. Зато единственный модуль CAMM2 обеспечивает работу памяти в двухканальном режиме, и с этой точки зрения наблюдается некоторая экономия. Для установки CAMM2 на материнскую плату необходимо воспользоваться отвёрткой, поскольку он прикручивается к ней винтами через резьбовые стойки.

При желании модули памяти CAMM2 можно оснастить теплораспределителем, и даже снабдить его регулируемой подсветкой, но для этого придётся тянуть к памяти отдельный кабель. Такой вариант расположения модуля памяти в какой-то мере улучшает условия циркуляции воздуха в районе процессорного разъёма, но вот крупный 24-контактный разъём питания материнской платы из-за него приходится переносить в другое место. MSI расположила его над процессорным разъёмом, в «северной» части материнской платы. Представители MSI также подчеркнули, что модули CAMM2 устраняют недостаток модулей DIMM, который с ростом ёмкости теряли в номинальной производительности. Модули CAMM2 дешевле в производстве и обеспечивают более высокое быстродействие. Правда, это справедливо лишь для условий массового выпуска, а пока настольные CAMM2 будут оставаться дефицитным товаром, на низкие цены рассчитывать не придётся. Такая память может прописаться в настольных системах к концу года, когда производители предложат материнские платы очередного поколения.

Компания G.Skill анонсировала выпуск модулей оперативной памяти серий Trident Z5 RGB и Trident Z5 Royal со скоростью 6400 МТ/с и низкими таймингами CL30-39-39-102. Новинки будут предлагаться в виде двухканальных комплектов общим объёмом 32 (2x16) Гбайт.

Источник изображений: G.Skill

Для представленных модулей ОЗУ производитель заявляет поддержку профилей разгона Intel XMP 3.0 и AMD EXPO. Планки памяти Trident Z5 RGB оснащаются белыми и чёрно-белыми радиаторами охлаждения с RGB-подсветкой.

Более премиальные модули памяти Trident Z5 Royal оснащены зеркальными радиаторами серебристого и золотого цветов, также имеющими RGB-подсветку.

Для всех представленных модулей ОЗУ Trident Z5 RGB и Trident Z5 Royal DDR5-6400 CL30-39-39-102 заявляется рабочее напряжение в 1,40 В.

Производитель не сообщил стоимость новинок, но отметил, что в продаже они появятся в этом месяце.

Компания Klevv представила модули оперативной памяти CRAS V RGB ROG Certified DDR5, сертифицированные Asus ROG и поддерживающие профиль разгона DDR5-7400. Новинки будут предлагаться в виде двухканальных комплектов общим объёмом 32 (2 × 16) и 48 (2 × 24) Гбайт.

Источник изображений: Klevv

Базовая скорость модулей ОЗУ Klevv CRAS V RGB ROG Certified DDR5 составляет 7200 МТ/с. Они работают с таймингами CL34-44-44-84. При установке в материнские платы Asus ROG указанные модули ОЗУ смогут работать на скорости 7400 МТ/с с таймингами CL36-46-46-86. Рабочее напряжение новинок составляет 1.4 В. Они поддерживают профили разгона Intel XPM 3.0 и AMD EXPO.

Модули оперативной памяти Klevv CRAS V RGB ROG Certified DDR5 имеют размеры 133.3 × 44 × 8 мм. Они оснащены радиаторами охлаждения с толщиной 2 мм, которые быстро рассеивают тепло от нагревающихся элементов планок ОЗУ. Также новинки имеют ARGB-подсветку с поддержкой самых популярных приложений для управления RGB-подсветкой, включая Asus Aura Sync, Gigabyte RGB Fusion 2.0, MSI Mystic Light и ASRock Polychrome Sync.

На модули памяти Klevv CRAS V RGB ROG Certified DDR5 предоставляется пожизненная гарантия производителя. Стоимость новинок не сообщается. В продаже они появятся в этом месяце.

Компания Samsung объявила о запуске массового производства самых тонких в мире модулей памяти LPDDR5X ёмкостью 12 и 16 Гбайт. Их толщина составляет около 0,65 мм, что на 0,06 мм меньше стандартных решений. Новинки найдут применение в производительных мобильных устройствах, ориентированных на работу с ИИ.

Источник изображений: news.samsung.com

Этого результата удалось достичь за счёт формирования 4-слойных модулей на оптимизированной печатной плате с обработкой на обратной стороне пластины и применения эпоксидного формовочного компаунда (EMC). Благодаря этому улучшается циркуляция воздуха внутри смартфона и оптимизируется управление температурой на устройстве в целом — это важно для высокопроизводительных моделей. Новые 0,65-мм модули памяти LPDDR5X на 9 % тоньше аналогичных, а их термостойкость выше на 21,2 %, подсчитала Samsung.

Трудно сказать, какой вклад в снижение толщины смартфонов окажет память толщиной 0,65 вместо традиционных 0,71 мм. Производители гаджетов используют разные подходы для того, чтобы сделать их тоньше, и, очевидно, они готовы приветствовать оптимизацию любых компонентов: более тонкие защитные стекла, печатные платы и, конечно, аккумуляторы. В случае с новыми модулями памяти от Samsung выигрыш, вероятно будет выражаться не в геометрии устройства, а в улучшенной циркуляции воздуха, что благотворно скажется на его производительности.

Samsung намерена и далее совершенствовать компоненты LPDDR5X. На очереди 6-слойные модули ёмкостью 24 Гбайт и 8-слойные на 36 Гбайт, хотя значение их толщины компания пока не указала.

Данные берутся из публикации Ускоряем Ryzen 7 7800X3D двухранговыми модулями Acer Predator Hermes RGB DDR5-6400 2×32 Гбайт

По мере того, как борьба за лидерство в сфере HBM обостряется, конкуренция на рынке NAND также возрастает. Компания SK hynix приступила к разработке 400-слойной флеш-памяти NAND для обеспечения более высокой плотности хранения данных, планируя запустить технологию в массовое производство к концу 2025 года.

Источник изображения: SK hynix

Согласно сообщению аналитического издания TrendForce со ссылкой на отчёт корейского издания etnews, SK hynix в настоящее время уже сотрудничает с партнёрами и поставщиками оборудования, связи с которыми необходимы для разработки технологических процессов для производства NAND с более чем 400 слоями с помощью гибридной технологии соединения «пластина-к-пластине» (W2W). Увеличение числа слоёв должно улучшить производительность и энергоэффективность NAND-памяти, что, по мнению специалистов, положительно скажется на характеристиках устройств, её использующих.

Ранее компания использовала метод Peripheral Under Cell (PUC) и помещала управляющую логику под ячейки NAND, но с увеличением числа слоёв возникли проблемы с повреждением периферийных схем из-за высокого тепла и давления. Новый же метод предполагает изготовление ячеек и управляющих схем на отдельных пластинах с последующим их соединением, что должно привести к беспроблемному увеличению числа слоёв NAND.

Но не только SK hynix занимается исследованиями и разработкой в области наращивания количества слоёв NAND-памяти. Ранее Samsung подтвердила, что начала серийный выпуск 1-терабитной трёхуровневой ячейки (TLC) 9-го поколения NAND (V-NAND), с числом слоёв, достигающим 290, поставив цель увеличения количества уровней V-NAND до 1000 к 2030 году. В свою очередь американская компания Micron Technology анонсировала клиентский SSD 2650, который стал первым продуктом, построенным на 276-уровневой 3D NAND. А японский производитель микросхем памяти Kioxia после успешного увеличения количества уровней 3D NAND до 218 в 2023 году заявил о возможности достижения 1000 уровней к 2027 году.