По мере того, как борьба за лидерство в сфере HBM обостряется, конкуренция на рынке NAND также возрастает. Компания SK hynix приступила к разработке 400-слойной флеш-памяти NAND для обеспечения более высокой плотности хранения данных, планируя запустить технологию в массовое производство к концу 2025 года.

Источник изображения: SK hynix

Согласно сообщению аналитического издания TrendForce со ссылкой на отчёт корейского издания etnews, SK hynix в настоящее время уже сотрудничает с партнёрами и поставщиками оборудования, связи с которыми необходимы для разработки технологических процессов для производства NAND с более чем 400 слоями с помощью гибридной технологии соединения «пластина-к-пластине» (W2W). Увеличение числа слоёв должно улучшить производительность и энергоэффективность NAND-памяти, что, по мнению специалистов, положительно скажется на характеристиках устройств, её использующих.

Ранее компания использовала метод Peripheral Under Cell (PUC) и помещала управляющую логику под ячейки NAND, но с увеличением числа слоёв возникли проблемы с повреждением периферийных схем из-за высокого тепла и давления. Новый же метод предполагает изготовление ячеек и управляющих схем на отдельных пластинах с последующим их соединением, что должно привести к беспроблемному увеличению числа слоёв NAND.

Но не только SK hynix занимается исследованиями и разработкой в области наращивания количества слоёв NAND-памяти. Ранее Samsung подтвердила, что начала серийный выпуск 1-терабитной трёхуровневой ячейки (TLC) 9-го поколения NAND (V-NAND), с числом слоёв, достигающим 290, поставив цель увеличения количества уровней V-NAND до 1000 к 2030 году. В свою очередь американская компания Micron Technology анонсировала клиентский SSD 2650, который стал первым продуктом, построенным на 276-уровневой 3D NAND. А японский производитель микросхем памяти Kioxia после успешного увеличения количества уровней 3D NAND до 218 в 2023 году заявил о возможности достижения 1000 уровней к 2027 году.

Компания Micron представила 276-слойные чипы флеш-памяти 3D TLC NAND девятого поколения (Micron G9 NAND), а также серию твердотельных накопителей Micron 2650 стандарта PCIe 4.0 на их основе. Последние будут выпускаться в форматах M.2 2230, 2242 и 2280, предлагая объёмы 256 и 512 Гбайт, а также 1 Тбайт.

Источник изображений: Micron

По словам Micron, запросы её клиентов стали основной причиной разработки новых чипов флеш-памяти. Цель состояла в том, чтобы создать 1-Тбит кристалл, который поместится в упаковку BGA размером 11,5 × 13,5 мм, при этом будет обладать пропускной способностью 3,6 Гбит/с и иметь на 44 % более высокую битовую плотностью по сравнению с её решениями предыдущих поколений.

Источник изображения: Blocks and Files

Micron заявляет, что новые накопители на базе её 276-слойных чипов флеш-памяти со скоростью 3,6 Гбит/с на канал обеспечивают лучшую производительность в классе. Micron G9 NAND обладает до 99 % более высокой пропускной способностью записи и на 88 % более высокой пропускной способностью чтения на кристалл, чем доступные в настоящее время конкурирующие решения NAND от SK hynix, Solidigm, Kioxia, Western Digital и Samsung. Кроме того, плотность Micron G9 NAND до 73 % выше, а их размер на 28 % меньше, чем решения конкурентов.

Для накопителя Micron 2650 объёмом 256 Гбайт компания заявляет скорость последовательного чтения на уровне 5000 Мбайт/с и последовательной записи в 2500 Мбайт/с, а также производительность в операциях случайного чтения и записи на уровне 370 тыс. и 500 IOPS. Для модели объёмом 512 Гбайт указываются скорости последовательного чтения и записи на уровне 7000 и 4800 Мбайт/с и производительность в случайных операциях чтения и записи на уровне 740 тыс. и 1 млн IOPS. Для версии SSD объёмом 1 Тбайт заявлены скорости последовательного чтения и записи соответственно на уровне 7000 и 6000 Мбайт/с, а также производительность в операциях случайного чтения и записи на уровне 1 млн IOPS.

По словам Micron, её новинки обеспечивают до 38 % более высокую производительность в тесте PCMark 10, в среднем на 36 % более высокую пропускную способность и на 40 % быстрее обращаются к данным.

Компания отмечает, что новые чипы 276-слойные чипы флеш-памяти 3D TLC NAND уже доступны в накопителях Micron 2650 для OEM-партнёров, а также проходят тестирование для потребительских SSD и продуктов её собственного бренда Crucial.

Компания G.Skill представила двухканальные комплекты высокоскоростных модулей оперативной памяти Trident Z5 Royal Neo с низкими задержками. Новинки выделяются поддержкой профилей разгона AMD EXPO, которые упрощают повышение частоты оперативной памяти в системах с процессорами AMD Ryzen.

Источник изображений: G.Skill

Производитель анонсировал комплекты оперативной памяти DDR5-6000 общим объёмом 32 Гбайт, 48 Гбайт, 64 Гбайт и 96 Гбайт, каждый из которых состоит из пары модулей соответственно объёмом 16, 24, 32 и 48 Гбайт. Все они обладают таймингами CL28-36-36-96 и полностью совместимы с платформой AMD Socket AM5. К сожалению, на момент публикации данной заметки производитель не указал напряжение, при котором работают новые комплекты оперативной памяти.

Модули памяти Trident Z5 Royal Neo оснащены блестящими радиаторами в золотом или серебряном исполнении, а также продвинутой RGB-подсветкой с оформлением в стиле кристаллов.

Стоимость новинок компания не сообщила. В продаже двухканальные комплекты высокоскоростной оперативной памяти Trident Z5 Royal Neo с низкими задержками появятся в августе.

Согласно последнему отчёту аналитической компании TrendForce, глобальная выручка от продаж компьютерной памяти DRAM и NAND в 2024 году вырастут на 75 % и 77 % соответственно. Этот рост будет обусловлен несколькими факторами, включая увеличение спроса и популярности высокопроизводительной памяти HBM.

Источник изображения: Micron

Кроме того, ожидается, что продажи в этих сферах будут продолжать расти и в 2025 году. При этом DRAM вырастет на 51 %, а NAND — на 29 %, достигнув рекордных показателей. Рост будут стимулировать увеличение капитальных расходов и повышенный спрос на первичные сырьевые материалы для Upstream-производства, такие как кремниевые пластины и химические вещества, одновременно увеличив ценовое давление на покупателей памяти.

По оценкам TrendForce, благодаря увеличению средних цен на DRAM на 53 % в 2024 году выручка от продаж DRAM достигнет 90,7 млрд долларов США в 2024 году, что на 75 % больше по сравнению с предыдущим годом. В следующем году средняя цена вырастет ещё на 35 %, а выручка достинет 136,5 млрд долларов США, что на 51 % больше по сравнению с 2024 годом. Ожидается также, что в 2024 году на долю HBM придётся 5 % от общего объёма поставок DRAM и 20 % от выручки.

Источник изображения: TrendForce

Кроме того, популярность таких типов памяти, как DDR5 и LPDDR5/5X, также будет способствовать увеличению средней цены на рынке. Ожидается, что к 2025 году доля DDR5 на рынке серверной памяти достигнет 60-65 %, а LPDDR5/5X займёт 60 % рынка мобильных устройств.

В сегменте флеш-памяти NAND рост будет стимулироваться внедрением 3D QLC — технологии, которая позволяет хранить больше данных на одном чипе. По прогнозам, в 2024 году на долю QLC будет приходиться 20 % от общего объёма поставок NAND, а в 2025 году этот показатель должен увеличится. При этом внедрение QLC на смартфонах и серверах станет ключевым фактором роста этого сегмента.

Источник изображения: TrendForce

Ситуация повлияет и на рынок, и на потребителей. Рекордная выручка позволит производителям памяти увеличить инвестиции в исследования и разработки, а также расширить производство. Прогнозируется рост капитальных затрат в индустрии DRAM и NAND на 25 % и 10 % соответственно в 2025 году.

Однако рост цен на память неизбежно приведёт к удорожанию электроники для конечных потребителей. При этом производителям электроники будет сложно переложить все расходы на покупателей, что может привести к снижению прибыли и, не исключено, что к снижению спроса.

Комитет стандартизации полупроводниковой продукции (JEDEC) сегодня раскрыл ключевые подробности о будущих стандартах модулей памяти DDR5 MRDIMM (Multiplexed Rank Dual Inline Memory Module) и LPDDR6 CAMM (Compression-Attached Memory Module). Ожидается, что новые модули произведут революцию в отрасли благодаря беспрецедентной пропускной способности и объёму памяти.

Источник изображения: Micron

Стандарт JEDEC MRDIMM обеспечивает вдвое большую пиковую пропускную способность по сравнению со стандартной DRAM, позволяя приложениям достигать новых уровней производительности. Он поддерживает те же функции ёмкости, надёжности, доступности и удобства обслуживания, что и JEDEC RDIMM. Пропускная способность памяти возрастёт до 12,8 Гбит/с. Предполагается, что MRDIMM будет поддерживать более двух рангов с использованием стандартных компонентов DIMM DDR5, обеспечивающих совместимость с обычными системами RDIMM.

Модули DDR5 MRDIMM представляют собой инновационную и эффективную конструкцию, позволяющую повысить скорость передачи данных и общую производительность системы. Мультиплексирование позволяет объединять и передавать несколько сигналов данных по одному каналу, эффективно увеличивая полосу пропускания без необходимости дополнительных физических соединений. Другие запланированные функции включают в себя:

• Совместимость платформы с RDIMM для гибкой настройки пропускной способности конечного пользователя.
• Использование стандартных компонентов DIMM DDR5, включая DRAM, форм-фактор и распиновку DIMM, SPD, PMIC и TS для простоты внедрения.
• Эффективное масштабирование ввода-вывода с использованием возможностей логического процесса RCD/DB.
• Использование существующей экосистемы LRDIMM для проектирования и тестирования инфраструктуры.
• Поддержка масштабирования нескольких поколений модулей.

Сообщается о планах по созданию модулей памяти формфактора Tall MRDIMM, который обеспечит более высокую пропускную способность и ёмкость без изменений в упаковке DRAM. Этот более высокий формфактор позволит установить в два раза больше однокристальных корпусов DRAM без необходимости использования корпуса формата 3DS.

В качестве развития стандарта JESD318 CAMM2 разрабатывается стандарт модуля следующего поколения LPDDR6 CAMM, рассчитанный на максимальную скорость более 14,4 ГТ/с. Модуль будет использовать 48-битный канал, состоящий из двух 24-битных подканалов и оснащаться разъёмом, что исключит необходимость распайки на материнской плате. Память LPDDR характеризуется сниженным энергопотреблением по сравнению с обычными модулями ОЗУ и, как правило, применяется в компактных и тонких ноутбуках, а также в смартфонах и планшетах.

Источник изображения: JEDEC

Эти проекты в настоящее время находятся в разработке в Комитете JC-45 JEDEC по модулям DRAM. JEDEC призывает компании присоединиться и помочь сформировать будущее стандартов JEDEC. Членство предоставляет доступ к предварительным публикациям предложений и даёт раннюю информацию об активных проектах. Всего в JEDEC зарегистрировано 332 компании, которые в том или ином виде используют принятые организацией спецификации различных видов оперативной памяти.

Британская компания QuInAs сообщила о получении средств на подготовку к производству нового типа энергонезависимой памяти UltraRAM. Деньги в размере £1,1 млн ($1,42 млн) сроком на один год предоставил государственный инвестиционный фонд страны. Эти средства станут первым серьёзным вкладом в подготовку к производству новой памяти на пластинах большого диаметра. Британская компания станет на шаг ближе к революции в мире хранения и обработки данных.

Строение ячейки памяти UltraRAM. Источник изображения: QuInAs

Память UltraRAM ворвалась в сферу энергонезависимого хранения данных около пяти лет назад. Как и все другие типы инновационной «флеш-памяти» — ReRAM, SST-MRAM, 3D XPoint и прочих — она обещает скорость работы на уровне оперативной памяти DRAM и беспрецедентную устойчивость к перезаписи на фоне способности сотни лет хранить информацию в ячейках без подачи питания. Для Великобритании создание подобной памяти означает вхождение в клуб передовых разработчиков полупроводниковых решений, аналогов которым нет.

Основную научную работу по проектированию UltraRAM провели исследователи из британских университетов Ланкастера и Уорвика. Отцом памяти называют профессора физики Ланкастерского университета Мануса Хейна (Manus Hayne). Зимой 2023 года Хейн создал компанию QuInAs для коммерциализации UltraRAM. В названии компании отражены термины «квантовый» и «арсенид индия». Память UltraRAM работает на эффекте квантового туннелирования электронов через энергетический барьер в ячейку. Барьер создаётся чередованием тонкоплёночных слоёв антимонида галлия (GaSb) и антимонида алюминия (AlSb).

По словам разработчиков, UltraRAM при переключении на единицу площади будет потреблять в 100 раз меньше энергии, чем DRAM, в 1000 раз меньше, чем NAND-флеш и в 10 000 раз меньше, чем «другие типы инновационной памяти». При этом ячейка UltraRAM может быть перезаписана не менее 10 млн раз, а также сможет удерживать информацию 1000 лет.

Прототипы ячеек UltraRAM изобретатели создавали на университетском производстве. Оно ограничено пластинами диаметром 75 мм. Также университетский комплекс не располагает передовыми установками для наращивания слоёв (кристаллов) на пластинах. Поэтому технологию необходимо адаптировать для воспроизведения в заводских условиях. Для этого британский производитель полупроводников — компания IQE — получит большинство из выделяемых компании QuInAs на этот год средств. На эти деньги она сможет подготовиться к производству тонкоплёночных покрытий GaSb и AlSb на 150-мм пластинах.

Первоначально компания QuInAs будет создавать затравки для роста кристаллических слоёв на университетских мощностях. В дальнейшем IQE должна найти возможность выращивать слои на собственном оборудовании. Параллельно в QuInAs будет совершенствовать память UltraRAM и работать над её масштабированием в сторону уменьшения площади ячеек, а также трудиться над переносом производства памяти на 200-мм пластины. Со стороны объём работ представляется огромным и не одну пятилетку. Но путь UltraRAM начался всего лишь пять лет назад с рядовой научной статьи в Nature, а она уже шагнула в сферу производства.

Компания G.Skill представила комплекты модулей оперативной памяти DDR5 Trident Z5 Royal Neo, разработанные специально для платформы AMD Socket AM5. Новинки получили поддержку профилей разгона EXPO (Extended Profiles for Overclocking).

Источник изображений: G.Skill

Производитель выпустит двухканальные комплекты объёмом 32 и 48 Гбайт, состоящие из пар модулей на 16 и 24 Гбайт соответственно. Будут предложены модули со скоростью до 8000 МТ/c и латентностью до CL38-48-48-127.

Как и подобает серии G.Skill Royal, модули памяти оснащены блестящими радиаторами в золотом или серебряном исполнении, а также продвинутой RGB-подсветкой с оформлением в стиле кристаллов.

G.Skill отмечает, что память DDR5 Trident Z5 Royal Neo полностью совместима с новейшими процессорами AMD Ryzen 9000 и работает в режиме DDR5-8000 со схемой делителя частоты 1:2, выставленной в BIOS материнской платы.

В продаже модули памяти G.Skill DDR5 Trident Z5 Royal Neo появятся в августе. Их стоимость компания не сообщила.

Компания Micron представила модули оперативной память DDR5 типа MRDIMM (Multiplexed Rank Dual Inline Memory Module), которые предназначены специально для серверных систем на базе процессоров Intel Xeon 6-го поколения (Granite Rapids). Новинки предлагают очень высокую скорость работы.

Источник изображений: Micron

В отличие от обычных серверных модулей памяти RDIMM, новые планки MRDIMM от Micron обладают на 39 % более высокой пропускной способностью, на 15 % более высокой энергоэффективностью и обеспечивают до 40 % более низкую задержку.

Micron выпустит модули MRDIMM объёмом на 32, 64, 96, 128 и 256 Гбайт. Все они будут доступны в виде модулей стандартной высотой, а планки на 128 и 256 Гбайт также будут выпускаться в увеличенном формате TFF высотой 56,9 мм. Все новинки будут работать со скоростью 8800 МТ/с.

Micron отмечает, что её модули ОЗУ DDR5 MRDIMM будут производиться с использованием 16-, 24- и 32-Гбит микросхем памяти DDR5 DRAM, выполненных с применением фирменного и зарекомендовавшего себя техпроцесса 1β. Высокие планки памяти обладают большей площадью поверхности. Как следствие, производитель обещает для них рабочую температуру на 24 % ниже, чем у обычных модулей ОЗУ.

По словам производителя, благодаря повышенной пропускной способности памяти MRDIMM серверные процессоры Intel Xeon следующего поколения получат значительный прирост производительности, что сделает серверы для систем искусственного интеллекта гораздо эффективнее.

В настоящий момент Micron рассылает образцы памяти DDR5 MRDIMM для тестирования заинтересованным клиентам. Начало массовых поставок новой оперативной памяти ожидается во второй половине этого года.

Компания AMD не только раскрыл дату начала продаж Ryzen 9000, но поделилась свежими деталями о грядущих настольных процессорах. Производитель сообщил, что новейшие чипы на архитектуре Zen 5 для платформы Socket AM5 получили поддержку более скоростных модулей оперативной памяти. Кроме того, была представлена новая функция Curve Shaper для более эффективного разгона и даунвольта.

Источник изображений: AMD

Для поддержки новых функций разгона оперативной памяти AMD выпустила свежие библиотеки AGESA, на базе которых производители материнских плат выпустят свежие BIOS для плат с Socket AM5. Платформа с новыми библиотеками AGESA будет поддерживать модули ОЗУ DDR5-8000 и позволит разгонять оперативною память «на лету».

В дополнение к этому новые процессоры Ryzen 9000 изначально поддерживают более скоростную спецификацию JEDEC без разгона — DDR5-5600. Напомним, что Ryzen 7000 без разгона поддерживали память DDR5-5200. Улучшенная поддержка разгона оперативной памяти будет обеспечиваться всеми потребительскими чипсетами платформы AM5. Это означает, что речь идёт не только материнских платах на новых чипсетах AMD 800-й серии.

Процессоры Ryzen 9000 также получили поддержку новой функции Curve Shaper, которая будет доступна в BIOS материнских плат. Curve Shaper, по сути, является улучшенной версией Curve Optimizer, которая поставлялась с серией Ryzen 7000. Новая функция позволяет точно настраивать кривые напряжения в 15 различных частотных и температурных диапазонах — три параметра температуры и пять значений тактовой частоты.

Это должно дать пользователям более детальный контроль над мощностью, напряжением на ядре и частотой, сохраняя при этом стабильность системы. Возможность регулировки различных диапазонов частоты/напряжения позволит пользователям снижать напряжение в стабильных диапазонах и повышать его там, где это необходимо. Заметим, что звучит это несколько сложно, и скорее всего функцию оценят лишь энтузиасты.

По сути, новая функция AMD Curve Shaper позволяет пользователям довести процессоры Ryzen 9000 до предела, сохраняя при этом стабильность, а в придачу обеспечивая более высокую энергоэффективность, ведь получится добиться работы чипа при более низком напряжении на всех диапазонах частот.

Стоимость чипов оперативной памяти типа DDR4 заметно выросла в последнее время, несмотря на высокий уровень запасов и распространение памяти DDR5. Покупатели по-прежнему предпочитают DDR4 более новой DDR5 из-за того, что последняя продаётся по значительно более высокой цене, сообщает TrendForce в последнем отчёте о тенденциях цен на компьютерную память.

По данным аналитиков, средняя спотовая цена на популярные чипы DDR4 1Gx8 2666MT/s выросла на 2,92 % — с $1,918 на прошлой неделе до $1,974 на этой неделе. Поставщики чипов оперативной памяти намерены стабилизировать спотовые цены на продукцию DDR4. Тем не менее, эксперты отмечают, что для определения наметившегося роста необходим дальнейший мониторинг уровня запасов.

Источник изображениq: Trendforce

В то же время, спотовый рынок флеш-памяти NAND остаётся вялым, а цены на различные продукты начали снижаться после того, как цена на 512-гигабитные TLC-чипы в пластинах упала ниже порога в 3 доллара за штуку на прошлой неделе. При этом покупатели осторожно относятся к ценовым запросам, несмотря на замедление снижения спотовых цен, что не оставляет поводов для оптимизма в отношении сделок.

Грядущие процессоры семейства Intel Lunar Lake не будут поддерживать расширение или замену оперативной памяти пользователем. То есть при покупке ноутбука на таком чипе объём памяти лучше выбрать сразу — увеличить её уже не получится, сообщает PCWorld.

Источник изображения: Rubaitul Azad / unsplash.com

Это значительное отступление от привычных правил игры на платформе Intel x86, которая всегда предлагала гибкость. На первый взгляд новый подход, конечно, шокирует, но всё не так плохо, как могло показаться. Многие современные ноутбуки и так лишены возможности апгрейда ОЗУ, так как поставляются с распаянными на материнской плате чипами оперативной памяти. У этого решения есть свои преимущества. Например, маломощная LPDDR5X предлагает повышенную энергоэффективность и продолжительное время работы от аккумулятора, но её необходимо распаять на материнской плате, и как можно ближе к процессору. Такая оперативная память занимает меньше места, что способствует улучшению тепловых характеристик ноутбука, а эффективность охлаждения растёт.

С другой стороны, раньше у пользователей был выбор, и можно было легко найти ноутбук с возможность апгрейда ОЗУ. Но в случае с Lunar Lake таких компьютеров просто не будет существовать, так что придётся либо выбирать иную платформу, либо соглашаться на фиксированный объём оперативной памяти.

Большинство владельцев ноутбуков не вскрывает их и не расширяет оперативную память, даже если такая возможность имеется. Зачастую можно сэкономить, купив на распродаже игровой ноутбук в базовой конфигурации и самостоятельно улучшив его технические характеристики; возможность апгрейда также является важной особенностью моделей бизнес-класса. Но большинство пользователей этой возможностью всё же не пользуется. Intel решила изменить правила игры в Lunar Lake, потому что эта платформа является прямым конкурентом чипам Qualcomm Snapdragon X Elite и предназначается для энергоэффективных устройств.

Производитель решил разместить память непосредственно на чипе — этот шаг, по оценкам самой Intel, поможет ей сократить энергопотребление на 40 %. К счастью, революции на платформе x86 не ожидается — процессоры будущих семейств снова смогут работать с расширяемой оперативной памятью. «Мы предложим эти варианты в будущем», — пообещал старший вице-президент Intel Джим Джонсон (Jim Johnson), подчеркнув, что «следующий этап дорожных карт предложит более традиционные варианты».

Пока же придётся подготовиться к одной вероятной проблеме: конфигурации Lunar Lake предложат ноутбуки только с 16 или 32 Гбайт оперативной памяти. И пользователи, которым нужно больше, ничего поделать с этим не смогут — придётся дождаться процессоров последующих поколений. Если чипы Lunar Lake предназначаются для ориентированных на энергоэффективность устройств, то у грядущих Arrow Lake и Panther Lake будут другие приоритеты. Возможно, компромиссным решением станет новый стандарт CAMM2, который предлагает более компактные и энергоэффективные модули памяти, чем распространённые сегодня SO-DIMM.

Производители твердотельной памяти увеличивают плотность хранения информации как за счёт увеличения количества бит на одну ячейку, так и за счёт увеличения количества слоёв в микросхеме. Kioxia в этом отношении продвинулась до 218 слоёв, начав массовое производство соответствующей памяти 3D NAND на своём предприятии в Японии в этом месяце.

Источник изображения: Kioxia

Данную новость опубликовало агентство Nikkei, сообщив о способности Kioxia тем самым увеличить ёмкость микросхем памяти примерно на 50 % и снизить энергопотребление на 30 % по сравнению с существующей продукцией этой марки. Этот же источник сообщает, что помимо спроса со стороны систем искусственного интеллекта, общее оживление рынка твердотельной памяти привело к тому, что в июне степень загрузки предприятий Kioxia вернулась к 100 %. До этого с октября 2022 года компании приходилось планомерно снижать объёмы выпуска памяти из-за перенасыщения рынка, и самые значительные сокращения достигали 30 %.

Компания Kioxia, унаследовавшая бизнес по производству твердотельной памяти от Toshiba Memory Corporation, до конца октября рассчитывает выйти на фондовый рынок. Именно восстановление спроса на 3D NAND подтолкнуло Kioxia к более активным действиям на этом направлении, поскольку благоприятная ситуация на рынке памяти должна привлечь к акциям компании большее количество инвесторов. Впрочем, если в указанные сроки компании не удастся провести IPO, оно может быть отложено до декабря текущего года.

К 2027 году Kioxia рассчитывает увеличить количество слоёв памяти до 1000 штук, но некоторые участники рынка считают, что подобные темпы экспансии не будут экономически себя оправдывать. Недавно компания также объявила о начале поставок микросхем 3D QLC NAND, построенных на кристаллах BiCS восьмого поколения ёмкостью 2 терабита. Одна микросхема такой памяти может хранить до 4 Тбайт информации.

Kioxia объявила о начале поставок образцов чипов памяти 3D QLC NAND, построенных на 2-терабитных кристаллах BiCS 8-го поколения. Производитель уверяет, что эти кристаллы предлагают самую высокую ёмкость в отрасли, способствуя росту в различных прикладных сегментах, включая ИИ.

Источник изображения: kioxia.com

Технология BiCS, так в Kioxia называют чипы 3D NAND, помогла Kioxia добиться вертикального и горизонтального масштабирования кристаллов памяти, подчеркнул производитель. Также в новинках использовано решение CBA (CMOS direct Bonded to Array), которое помогло поднять скорость интерфейса до 3,6 Гбит/с.

Представленные микросхемы на 2-Тбит кристаллах с четырёхбитовыми ячейками (QLC) предлагает плотность хранения информации в 2,3 раза выше, а эффективность записи — на 70 % выше по сравнению с актуальными компонентами пятого поколения от Kioxia. Образец микросхемы имеет габариты 11,5 × 13,5 × 1,5 мм — в её корпусе уместились 16 кристаллов, обеспечив суммарную ёмкость в 4 Тбайт.

В дополнение к памяти QLC на кристаллах объёмом 2 Тбит Kioxia представила обновлённый вариант QLC-кристаллов на 1 Тбит: по сравнению с первым, который «оптимизирован по ёмкости», второй «оптимизирован по скорости» — он предлагает увеличенную на 30 % скорость последовательной записи и сниженную на 15 % задержку при чтении. Обновлённые кристаллы QLC на 1 Тбит будут использоваться в высокопроизводительной продукции, включая потребительские SSD и накопители для мобильных устройств.

Компания Micron заявила, что переход на новую видеопамять GDDR7 обеспечит 30-процентную прибавку производительности в играх как с растровой графикой, так и с трассировкой лучей по сравнению с памятью поколения GDDR6 (включая GDDR6X).

Источник изображений: Micron

Производитель, в частности, отметил, что столь значительная прибавка в производительности ожидается от будущих чипов памяти GDDR7 со скоростью 32 Гбит/с на контакт. Это на 12 Гбит/с быстрее обычной GDDR6, обеспечивающей скорость на уровне 20 Гбит/с. Micron не поделилась информацией о том, какие тесты были проведены для определения прибавки производительности в 30 %. Тем не менее, заявленные цифры впечатляют, особенно если принять на веру то, что рост достигается только за счёт памяти.

Micron сообщает, что GDDR7 обладает на 60 % более высоким показателем пропускной способности по сравнению с GDDR6, а также она на 50 % энергоэффективнее памяти предыдущего поколения. Также новая память обладает на 20 % более низкими задержками, что должно помочь в таких чувствительных к отзывчивости памяти задачах, как машинное обучение и ИИ-генерация изображений.

По словам Micron, тестовая платформа с 12 чипами GDDR7, подключенными по 384-битной шине, демонстрирует пропускную способность более 1,5 Тбайт/с. Для сравнения, видеокарта GeForce RTX 4090 с микросхемами GDDR6X со скоростью 21 Гбит/с на контакт предлагает пропускную способность на уровне 1,08 Тбайт/с.

Производство памяти GDDR7 начнётся с микросхем со скоростью передачи данных 28 и 32 ГТ/с. Однако в будущих планах ведущих производителей памяти (Micron, Samsung и SK hynix) уже значатся разработка и выпуск ещё более скоростных чипов с показателем до 40 ГТ/с.

Согласно слухам и утечкам, Nvidia станет первой компанией, которая перейдёт на использование памяти GDDR7. AMD, как ожидается, продолжит использовать память GDDR6 в своих будущих видеокартах и, возможно, не будет менять стандарт вплоть до выпуска условных Radeon RX 9000. Что касается Intel, то компания может либо перейти к использованию GDDR7 в своих будущих дискретных видеокартах нового поколения (Battlemage), либо продолжит использовать GDDR6 и подождёт с переходом на GDDR7 до выхода третьего поколения видеокарт Arc на архитектуре Celestial.

Аналитики TrendForce считают, что в третьем квартале цены на флеш-память NAND будут расти медленнее, чем ожидалось ранее. Это связано с тем, что производители активно наращивают производство, а спрос на рынке потребительской электроники остаётся слабым.

Источник изображения: Copilot

Согласно последнему отчёту аналитической компании TrendForce, корпоративный сектор продолжает инвестировать в серверную инфраструктуру, особенно на фоне растущего внедрения искусственного интеллекта (ИИ), что стимулирует спрос на корпоративные SSD. Однако рынок потребительской электроники остаётся вялым. Это, в сочетании с агрессивным наращиванием производства флеш-память поставщиками во второй половине года, с одной стороны может привести к увеличению коэффициента достаточности (CAR) на продукты NAND — до 2,3 % в третьем квартале, с другой стороны ограничит рост цен на 5-10 %.

Несмотря на то, что в этом году цены на флеш-память NAND показали заметное восстановление, поскольку производители усилено работали над тем, чтобы вернуть прибыльность, резкий рост производства и низкий спрос на розничном рынке привели к снижению цен.

В отношении клиентских SSD, даже несмотря на то, что продажи ноутбуков входят в традиционный сезон пикового спроса, настроение клиентов по закупкам остаётся умеренным. Цены на конечные продукты для ПК ещё не полностью отразили подорожание прошлого года, а объёмы закупок во второй половине года не показал значительного роста.

Источник изображения: Trendforce.com

В корпоративном сегменте, расширение внедрения серверов для ИИ стимулирует значительные инвестиции в ИТ-инфраструктуру и, как ожидается, приведёт к увеличению заказов серверных OEM (оригинальных производителей оборудования) в третьем квартале.

Для встраиваемых энергонезависимых систем памяти (eMMC) третий квартал не показал значительного спроса, однако производители настроены добиться повышения цен. Но это решимость может привести лишь к минимальному росту цен и оставить контрактные цены практически такими же.

В сегменте UFS (универсальный флеш-накопитель), высокие уровни запасов и медленная их реализация со стороны производителей, создают более широкий ценовой выбор для покупателей. Хотя производители и стремятся к значительному повышению цен в третьем квартале, но по мнению аналитиков, можно ожидать сопротивления со стороны покупателей. А в связи с избыточными запасами и слабым спросом на рынке, цены на UFS в третьем квартале могут увеличиться всего на 3-8 %.