Аналитики TrendForce считают, что в третьем квартале цены на флеш-память NAND будут расти медленнее, чем ожидалось ранее. Это связано с тем, что производители активно наращивают производство, а спрос на рынке потребительской электроники остаётся слабым.

Источник изображения: Copilot

Согласно последнему отчёту аналитической компании TrendForce, корпоративный сектор продолжает инвестировать в серверную инфраструктуру, особенно на фоне растущего внедрения искусственного интеллекта (ИИ), что стимулирует спрос на корпоративные SSD. Однако рынок потребительской электроники остаётся вялым. Это, в сочетании с агрессивным наращиванием производства флеш-память поставщиками во второй половине года, с одной стороны может привести к увеличению коэффициента достаточности (CAR) на продукты NAND — до 2,3 % в третьем квартале, с другой стороны ограничит рост цен на 5-10 %.

Несмотря на то, что в этом году цены на флеш-память NAND показали заметное восстановление, поскольку производители усилено работали над тем, чтобы вернуть прибыльность, резкий рост производства и низкий спрос на розничном рынке привели к снижению цен.

В отношении клиентских SSD, даже несмотря на то, что продажи ноутбуков входят в традиционный сезон пикового спроса, настроение клиентов по закупкам остаётся умеренным. Цены на конечные продукты для ПК ещё не полностью отразили подорожание прошлого года, а объёмы закупок во второй половине года не показал значительного роста.

Источник изображения: Trendforce.com

В корпоративном сегменте, расширение внедрения серверов для ИИ стимулирует значительные инвестиции в ИТ-инфраструктуру и, как ожидается, приведёт к увеличению заказов серверных OEM (оригинальных производителей оборудования) в третьем квартале.

Для встраиваемых энергонезависимых систем памяти (eMMC) третий квартал не показал значительного спроса, однако производители настроены добиться повышения цен. Но это решимость может привести лишь к минимальному росту цен и оставить контрактные цены практически такими же.

В сегменте UFS (универсальный флеш-накопитель), высокие уровни запасов и медленная их реализация со стороны производителей, создают более широкий ценовой выбор для покупателей. Хотя производители и стремятся к значительному повышению цен в третьем квартале, но по мнению аналитиков, можно ожидать сопротивления со стороны покупателей. А в связи с избыточными запасами и слабым спросом на рынке, цены на UFS в третьем квартале могут увеличиться всего на 3-8 %.

Компания Kingston выпустила комплект оперативной памяти Fury Renegade RGB Limited Edition стандарта DDR5. Дизайн модулей памяти вдохновлён внешним видом спорткаров. Память оснащена трёхцветными радиаторами с RGB-подсветкой на основе 12 светодиодов с поддержкой 18 различных эффектов.

Источник изображений: Kingston

Оперативная память Fury Renegade RGB Limited Edition предлагается только в виде одного комплекта, состоящего из двух модулей ОЗУ по 24 Гбайт каждый.

Для оперативной памяти заявляется поддержка трёх профилей автоматического разгона XMP 3.0: DDR5-6400 с таймингами CL32-39-39 при напряжении 1,4 В, DDR5-7200 с таймингами CL38-44-44 при напряжении 1,45 В и DDR5-8000 с таймингами CL36-48-48 при рабочем напряжении 1,45 В. Также доступен базовый профиль JEDEC DDR5-4800 с таймингами CL40-39-39 и рабочим напряжением 1,1 В.

Компания отмечает, что ОЗУ Fury Renegade RGB Limited Edition разработана специально для процессоров Intel Core 14-го поколения (Raptor Lake Refresh), а потому можно объяснить отсутствие у данного комплекта памяти профилей разгона AMD EXPO.

О стоимости комплекта оперативной памяти Fury Renegade RGB Limited Edition производитель не сообщил.

На технологической конференции в Сеуле, по данным PC Watch, компания Kioxia продемонстрировала намерения к 2027 году наладить выпуск микросхем 3D NAND с увеличенным до 1000 штук количеством слоёв. Плотность хранения информации в данном случае вырастет до 100 Гбит/мм². Для сравнения, ещё в 2022 году наличие 238 слоёв у микросхем 3D NAND считалось хорошим результатом.

Источник изображения: Kioxia

При этом в 2014 году память 3D NAND вообще довольствовалась 24 слоями, поэтому за последующие восемь лет их количество увеличилось в десять раз. Если подобные темпы роста (1,33 в год) сохранятся и дальше, то Kioxia рассчитывает на увеличение количества слоёв 3D NAND до 1000 штук к 2027 году. Плотность хранения данных в 3D NAND достигается не только увеличением количества слоёв. Вертикальные и поперечные размеры ячейки памяти также уменьшаются, а количество хранимых в них битов информации увеличивается. Например, QLC предлагает хранить в одной ячейке четыре бита информации, тогда как TLC обеспечивала только три бита на ячейку.

По мере увеличения количества слоёв 3D NAND возникают проблемы с травлением отверстий, необходимых для межслойного соединения чипов друг с другом. Более глубокие каналы обладают более высоким сопротивлением, и для формирования межслойных соединений требуются новые материалы со специфическими свойствами, а также новые методы их обработки. Например, на смену поликристаллическому кремнию приходит монокристаллический. Kioxia также рассчитывает заменять проводники внутри каждого слоя 3D NAND с вольфрамовых на молибденовые для снижения сопротивления и уменьшения задержек.

Производственный партнёр Kioxia в лице корпорации Western Digital попутно говорит о проблеме роста капитальных затрат по мере увеличения количества слоёв в памяти 3D NAND, а также снижении экономической эффективности подобной миграции. Себестоимость производства памяти по мере увеличения количества слоёв снижается всё меньше и меньше. Скорее всего, именно экономические причины вынудят производителей 3D NAND замедлить темпы «гонки за увеличением количества слоёв».

Сейчас Kioxia и Western Digital выпускают память поколения BiCS 8 в 218-слойном исполнении. Поколения BiCS 9 и BiCS 10 обеспечат увеличение количества слоёв до 300 и 400 штук. Американский производитель не хотел бы по экономическим соображениям поддерживать существующие темпы увеличения количества слоёв памяти 3D NAND.

Интересы Intel на технологической конференции Mizuho на этой неделе представлял старший вице-президент и директор по стратегическому развитию Саф Йебоа-Аманква (Saf Yeboah-Amankwah). По словам представителя Intel, нужно больше внимания уделять «узким местам» в серверных системах, используемым для работы с искусственным интеллектом: памяти, сетевым интерфейсам и охлаждению.

Эту должность в Intel Саф Йебоа-Аманква занял незадолго до назначения генеральным директором корпорации Патрика Гелсингера (Patrick Gelsinger) в феврале 2021 года, а до этого он 24 года проработал в консалтинговом бизнесе, поэтому нового старшего вице-президента и главного стратега сразу привлекли к поиску сильных и слабых сторон в бизнесе корпорации.

Отвечая на вопрос ведущего мероприятия о перспективах, которые он видит для развития бизнеса Intel в сфере искусственного интеллекта, представитель руководства компании отметил, что она уже на протяжении примерно 15 лет инвестирует в сферу искусственного интеллекта. С инфраструктурной точки зрения, по его словам, нужно вкладывать средства не только в разработку новых центральных процессоров и ускорителей вычислений, но и в устранение «узких мест» современных серверных систем, коими являются медленная память, ограниченная пропускная способность сетевых интерфейсов и недостаточная эффективность охлаждения. Компания Intel всем этим сферам готова уделять самое пристальное внимание, проводя профильные разработки внутри своих лабораторий. Кроме того, фотоника имеет определённые перспективы с этой точки зрения, как добавил директор Intel по стратегическому развитию.

Источник изображения: Intel

В потребительском же сегменте на передний план сейчас выходит экспансия так называемых AI PC — персональных компьютеров с функцией локального ускорения работы искусственного интеллекта за счёт ресурсов центральных процессоров. Отрасль, с точки зрения Intel, сейчас находится на нулевом цикле развития данного вида компьютеров. В дальнейшем им предстоит научиться эффективно обрабатывать не только текстовую информацию, но и аудио, а также видео — словом, научиться взаимодействовать с живыми людьми через привычные им образы и ощущения.

По мнению представителя Intel, в свете появления AI PC компании необходимо решить как минимум две проблемы. Во-первых, оно способствует сокращению цикла между обновлениями парка ПК. Если ранее его продолжительность составляла от двух до трёх лет, то в последнее время увеличилась до пяти или семи лет. Новые возможности центральных процессоров будут способствовать более быстрому обновлению парка ПК. Во-вторых, как уже отмечалось выше, соответствующие центральные процессоры должны эволюционировать в своём развитии и получать новые возможности в сфере обработки информации. Внедрять их нужно в чутком взаимодействии с независимыми разработчиками программного обеспечения, как считает руководство Intel.

В отличие от оперативной памяти, флеш-память не так востребована в сегменте систем искусственного интеллекта, поэтому соответствующий сегмент рынка дольше восстанавливается от кризиса перепроизводства, вызванного пандемией. Японской компании Kioxia впервые за 20 месяцев удалось воздержаться от сокращения объёмов выпуска памяти типа NAND, а также получить согласие кредиторов на рефинансирование своих долговых обязательств.

Источник изображения: Kioxia

Как сообщает Nikkei Asian Review, на двух предприятиях Kioxia в префектурах Миэ и Иватэ в июне была достигнута 100-процентная загрузка линий по выпуску памяти типа NAND. Улучшение условий ведения бизнеса способствовало росту благосклонности кредиторов Kioxia, которые согласились рефинансировать кредиты на сумму $3,43 млрд, которые подлежали выплате в июне. Была открыта дополнительная линия кредитования на сумму $1,33 млрд. Кроме того, синдикат кредиторов Kioxia поможет компании с покупкой нового оборудования для производства памяти, которое заменит собой устаревшее. Кредиторам удалось получить и подробности о планах Kioxia по выходу на фондовый рынок, что также способствовало смягчению их позиции.

Производство памяти NAND на предприятиях Kioxia сокращалось с октября 2022 года, в отдельных случаях величина сокращений достигала 30 %. Запуск нового предприятия в Китаками был отложен с 2023 до 2025 года как минимум. В прошлом квартале Kioxia впервые за шесть предыдущих кварталов отчиталась о чистой прибыли, которая достигла $654 млн. Спрос на микросхемы памяти, используемые в смартфонах и ПК, достиг своего минимума, а в серверном сегменте он вернулся к росту. По прогнозам TrendForce, в текущем квартале цены на память типа NAND последовательно вырастут на величину от 13 до 18 %. Компания Kioxia в сотрудничестве с Western Digital собирается потратить на развитие производства передовых типов памяти около $4,6 млрд, власти Японии обещают предоставить партнёрам $1,54 млрд в форме субсидий.

Сегодня даже самая передовая энергонезависимая память имеет ограничения на количество циклов перезаписи. Для домашнего использования это не критично, тогда как во множестве отраслей скорость износа памяти имеет решающее влияние на безопасность и бюджет. Группа учёных из Китая начала поиск материалов для энергонезависимой памяти с нулевым износом. Это многое изменило бы в отрасли и в мире. На днях появилась информация о прорыве.

Источник изображения: ИИ-генерация Кандинский 3.0/3DNews

Как сообщили в своей статье в журнале Science исследователи из Нинбоского института материаловедения и инженерии Китайской академии наук (CAS), Университета электронных наук и технологий Китая в Чэнду и Университета Фудань в Шанхае, созданный ими материал для энергонезависимой памяти после миллиона циклов перезаписи в лабораторных условиях показал нулевой износ. Это прорыв, заявили исследователи. Потенциально память на основе нового материала может работать едва ли не вечно.

Следует сказать, что учёные использовали популярный среди исследователей сегнетоэлектриков материал — дисульфид молибдена. Точнее, его модификацию под названием 3R-MoS₂. Сегнетоэлектрики действительно меньше подвержены износу в процессе записи и хранения данных. Эффект гистерезиса (памяти) в таких материалах проявляется в изменении поляризации кристаллической ячейки, чем можно управлять с помощью внешнего электромагнитного поля. Физическое воздействие на материал минимальное, но, всё же, оно есть. Сегнетоэлектрическая память также со временем ухудшает свои свойства и с этим нужно работать.

Как выяснили китайские учёные, в ухудшении характеристик сегнетоэлектрической памяти — в проявлениях так называемой сегнетоэлектрической усталости — виноваты дефекты, вернее, процесс накопления дефектов. Они, как мелкая галька в морской волне, собираются в кучки, которые увеличиваются в размерах. Поэтому все силы учёных в новом исследовании были направлены на поиск решения замедлить или предотвратить накопление этих дефектов.

В результате поиска с привлечением машинных алгоритмов (ИИ), исследователи создали с использованием 3R-MoS₂ слоистый «скользящий» материал, который не накапливал дефектов в процессе перезаписи. По крайней мере, после миллиона циклов материал не проявил ухудшения характеристик. Более того, материал оказался очень тонким — порядка одного нанометра. Это означает, что ячейки памяти могут быть очень и очень маленькими. Современная сегнетоэлектрическая память не может похвастаться маленькими ячейками и поэтому страдает от низкой плотности.

Нетрудно представить, как преобразится отрасль, например, искусственного интеллекта и супервычислений, если память в компьютерах не будет иметь износа. В свете начавшейся технологической войны США и Китая — это такой фактор, который невозможно переоценить.

Western Digital на конференции инвесторов предварительно представила первый в мире кристалл памяти 3D QLC NAND ёмкостью 2 Тбит (256 Гбайт). Новая флэш-память потенциально может изменить рынок твердотельных накопителей, позволяя создавать гораздо более быстрые и энергоэффективные SSD большой ёмкости. Кристалл производится по отработанному 218-слойному производственному процессу BiCS8 и имеет настолько крошечные размеры, что легко помещается на кончике пальца.

Источник изображений: Western Digital

«Я очень рад поделиться с вами предварительным обзором кристалла BiCS8 2Tb 3D QLC, — заявил генеральный менеджер подразделения флэш-памяти Western Digital Роберт Содербери (Robert Soderbery). — Мы разработали этот кристалл для удовлетворения потребностей центров обработки данных и систем хранения данных искусственного интеллекта. Вскоре мы собираемся анонсировать этот продукт, но я хочу поделиться им с вами сегодня. Это кристалл памяти с самой высокой ёмкостью в мире».

«Обычно мы показываем вам пластину, но мне показалось, что вид пластины не совсем передаёт то, чего мы достигли, — сказал Содербери. — Итак, я хочу показать вам кристалл. Пожалуйста, увеличьте масштаб того, что я держу здесь на пальце. Это размер кристалла, намного меньше чем кончик моего пальца».

Микросхема 3D QLC NAND ёмкостью 2 Тбит является огромным достижением по сравнению с «базовым» продуктом 3D TLC ёмкостью 1 Тбит, изготовленном на основе той же 218-слойной производственной технологии BiCS8. На данный момент компания не предоставила информации об архитектуре нового чипа и скоростных характеристиках, но поделилась сравнительными показателями производительности и энергопотребления.

3D QLC NAND ёмкостью 2 Тбит (256 Гбайт) позволит производителям создавать SSD ёмкостью 1 Тбайт, используя всего четыре кристалла памяти. В производители уже научились упаковывать до 16 кристаллов в один корпус — с новыми кристаллами WD можно получить ёмкость 4 Тбайт в одном чипе. Таким образом, если Western Digital и её партнёр Kioxia смогут наладить массовое производство 3D QLC NAND ёмкостью 2 Тбит, новинка может существенно повлиять на стоимость твердотельных накопителей большой ёмкости.

Western Digital заявляет, что плотность её кристаллов QLC на 15–19 % выше, чем у конкурентов. По утверждению компании, новинка на 50 % быстрее и требует на 13 % меньше энергии на 1 Гбайт хранимой информации, чем конкуренты.

Официальный анонс 3D QLC NAND ёмкостью 2 Тбит ожидается в ближайшее время.

Рынок памяти DDR3 переживает серьёзный дисбаланс спроса и предложения, поскольку ведущие мировые производители, такие как Samsung, SK hynix и Micron, постепенно сворачивают производство этого типа памяти. Согласно отчёту Economic Daily News, сокращение выпуска DDR3 крупнейшими игроками на фоне продолжающегося высокого спроса со стороны устройств искусственного интеллекта и периферийных вычислений привело к значительному дефициту и росту цен.

Источник изображения: trendforce.com

Samsung уже сообщила своим клиентам о планах полностью прекратить производство DDR3 к концу второго квартала. SK hynix ещё в конце прошлого года перевела свои мощности по выпуску DDR3 на заводе в Уси (Китай) на производство DDR4. Micron также существенно сократила поставки DDR3, чтобы расширить выпуск более современных типов памяти, таких как DDR5 и HBM.

Samsung уже сообщила своим клиентам о планах полностью прекратить производство DDR3 к концу второго квартала. SK hynix ещё в конце прошлого года перевела свои мощности по выпуску DDR3 на заводе в Уси (Китай) на производство DDR4. Micron также существенно сократила поставки DDR3, чтобы расширить выпуск более современных типов памяти, таких как DDR5 и HBM.

Эксперты отрасли, в свою очередь, отмечают, что сокращение производства DDR3 ведущими производителями уже привело к росту цен на этот тип памяти, начиная со второй половины этого года, причём ожидается дальнейшее повышение. По прогнозам аналитической компании TrendForce, к концу 2024 года разрыв между спросом и предложением на рынке DDR3 может превысить 20-30 %, что приведёт к скачку цен на 50-100 % относительно текущего уровня, который и так уже находится ниже себестоимости.

Однако сложившаяся ситуация открывает определённые возможности для тайваньских производителей, специализирующихся на выпуске DDR3, таких как Winbond, Elite Semiconductor Microelectronics Technology (ESMT) и Etron. Эти компании смогут воспользоваться дефицитом и ростом цен, чтобы укрепить свои позиции на рынке и улучшить финансовые показатели. Ожидается, что преимущества от повышения цен на DDR3 станут очевидными для тайваньских производителей уже в ближайшие кварталы.

Несмотря на постепенный переход отрасли к новым стандартам памяти, спрос на DDR3 остаётся высоким благодаря широкому применению в различных устройствах. Например, большинство точек доступа WiFi 6 и даже готовящиеся к выпуску устройства следующего поколения WiFi 7 по-прежнему используют преимущественно DDR3 и DDR4. Кроме того, DDR3 продолжает активно применяться в периферийных вычислительных системах.

Таким образом, сочетание сокращения предложения и стабильно высокого спроса создаёт предпосылки для дальнейшего повышения цен на DDR3 в обозримом будущем. Хотя в долгосрочной перспективе рынок неизбежно будет смещаться в сторону более современных типов памяти, текущая ситуация благоприятна для производителей DDR3 и позволяет им укрепить своё финансовое положение.

Основные игроки рынка полупроводниковой памяти объявили о планах массового производства GDDR7, являющийся новым стандартом JEDEC для памяти, применяемой с графическими процессорами. Потребители с нетерпением ждут выхода GDDR7, которая обещает резкий скачок производительности графических систем, необходимый для игр и ресурсоёмких приложений.

Источник изображения: anandtech.com

SK hynix продемонстрировала свою линейку продуктов GDDR7 на недавно прошедшей выставке Computex 2024. По заявлению представителей компании, массовое производство запланировано только на первый квартал 2025 года, сообщает ресурс AnandTech. Это делает SK hynix последним из «большой тройки» производителей памяти в плане старта промышленного выпуска чипов нового стандарта.

Конкуренты опережают южнокорейского гиганта. Компания Samsung уже приступила к тестовому производству GDDR7 с целью начать поставки до конца 2024 года. А Micron нацелена не только запустить конвейер в этом году, но и поставить первые партии чипов партнёрам для установки в готовые устройства.

Таким образом, SK hynix рискует отстать от лидеров рынка почти на год. Однако стоит отметить, что при использовании отраслевых стандартов памяти время старта массового производства не так критично. Главное, чтобы чипы поступали партнёрам для тестирования и интеграции в продукты.

На Computex 2024 компания SK hynix продемонстрировала рабочие образцы GDDR7, а также раскрыла планы по выпуску чипов ёмкостью 16 Гбит и 24 Гбит со скоростью передачи данных до 40 Гбит/с. Пока неизвестно, когда будут готовы более производительные, а значит и более дорогостоящие конфигурации. Тем временем Samsung и Micron начнут производство с 16-Гбит со скоростью 32 Гбит/с. Выход на рынок с более быстрыми микросхемами стал бы серьёзным конкурентным преимуществом для SK hynix.

Источник изображения: anandtech.com

В целом рынок ожидает появления GDDR7 с большим интересом. Новый стандарт обещает существенный рост производительности и пропускной способности по сравнению с предшественником. Это позволит создавать более мощные видеокарты и графические процессоры для самых ресурсоёмких приложений, таких как облачный гейминг, метавселенные и промышленная визуализация. Ближайшие год-два станут временем активной конкурентной борьбы за рынок этого многообещающего продукта.

Компания TeamGroup представила на выставке Computex 2024 свои новейшие разработки, объединённые темой «Эволюция игр с революционными возможностями ИИ». Компания показала широкий ассортимент hi-end продуктов, включая быструю оперативную память, скоростные накопители большой ёмкости и другие устройства. Здесь мы подробнее расскажем о самых интересных новинках.

Принадлежащий TeamGroup бренд T-Create представил на Computex оперативную память T-FORCE XTREEM DDR5, которая способна предложить разгон до 10 000 МТ/с. Также на стенде были представлены высокоскоростные модули памяти T-FORCE XTREEM ARGB DDR5 со скоростью до 8200 МТ/с, которые отличаются наличием яркой настраиваемой RGB-подсветки.

Модули памяти изготовлены на основе 10-слойного текстолита с повышенной степенью защиты от помех и оснащены алюминиевыми радиаторами с толщиной стенок 2 мм. Также отмечается применение силиконового термогеля с высокой теплопроводностью. Модули T-FORCE XTREEM DDR5 предлагаются теперь в белом и розовом вариантах, тогда как версии с подсветкой предлагаются в чёрном и белом цветах.

Ещё производитель представил память T-CREATE EXPERT Ai CKD DDR5 с алюминиевыми радиаторами и ноутбучные модули T-CREATE EXPERT Ai CAMM2. Здесь используется используется запатентованная технология отбора чипов памяти от TeamGroup, за счёт чего модули обеспечивают высокую скорость и пропускную способность. Модули T-CREATE EXPERT Ai CKD DDR5 предлагают скорость до 7200 МТ/с, общую ёмкость до 48 Гбайт (2×24 Гбайт) и задержки CL58. В свою очередь, мобильная память T-CREATE EXPERT Ai CAMM2 предлагает скорость до 7500 МТ/с с таймингами CL28 или 6400 МТ/с с CL24, а ёмкость одного модуля составляет 32 или 64 Гбайт. Здесь для отвода тепла задействованы ультратонкие тепловодные пластины из графена.

В рамках реализации стратегии по переходу на экологически чистые материалы, TeamGroup представит оперативную память T-FORCE DELTA RGB ECO DDR5 для десктопов, в состав которой входит радиатор, на 80 % изготовленный из переработанного алюминия, а для изготовления световодов используется 100 % переработанного (PCR) пластика.

Также в экспозиции TeamGroup демонстрировался модуль серверной памяти нового поколения INDUSTRIAL CXL 2.0 на базе чипов DDR5, выполненный в форм-факторе E3.S и оснащённый запатентованной технологией охлаждения с использованием графена.

Ещё одна новинка для ПК — твердотельный накопитель T-FORCE GE PRO Gen5 M.2 PCIe с кулером T-FORCE DARK AirFlow 5 SSD. Скорость последовательного чтения твердотельного накопителя составляет 14 000 Мбайт/с, а последовательной записи — 11 800 Мбайт/с. Имеется также функция интеллектуального теплорегулирования вместе с крупным и эффективным башенным кулером обеспечивают высокую производительность SSD, делая его одним из самых быстрых в потребительском сегменте.

Башенный кулер T-FORCE DARK AirFlow 5 SSD производитель показал в шести вариантах разного размера и дизайна. Он сочетает испарительную камеру из чистой меди, массив алюминиевых рёбер и высокоэффективные вентиляторы, обеспечивая оптимальное активное охлаждение для твердотельных накопителей PCIe 5.0, решая проблемы отвода тепла, возникающие при работе «на полных оборотах».

T-FORCE DARK AirFlow 5 SSD

Твердотельные накопители T-FORCE M.2 PCIe 5.0 поддерживают запатентованное TeamGroup программное обеспечение для интеллектуального мониторинга S.M.A.R.T. Технологически продвинутое оборудование в сочетании с высококлассным программным обеспечением позволяют T-FORCE в полной мере отразить тему эволюции гейминга, выражая свой новаторский подход к разработке электроники.

T-CREATE CinemaPr P31

Также TeamGroup представила множество внешних твердотельных накопителей, которые ориентированы в первую очередь на любителей и профессионалов фото- и видеосъёмки. T-CREATE CinemaPr P31 — внешний твердотельный накопитель, идеально подходящий для профессиональных видеокамер, цифровых зеркальных фотоаппаратов и смартфонов. Кроме того, его удобно установить на профессиональный каркас (Cage), причём сделать это можно с различных сторон. Накопитель оснащен интерфейсом USB 3.2 Gen 2x2 с пропускной способностью 20 Гбит/с и обеспечивает скорость передачи данных до 2000 МБ/с, достаточную для захвата необработанных изображений в формате 4K или 8K.

T-CREATE CinemaPr P33 Mag

В свою очередь, внешний накопитель T-CREATE CinemaPr P33 Mag предназначен для использования с iPhone и поддерживает магнитное крепление MagSafe, что очень удобно. Устройство вмещает 2 Тбайт данных и поддерживает iPhone Pro Max через USB-C или Lightning, с помощью интерфейса USB 3.2 Gen 1 (5 Гбит/с). Пропускной способности и свободного места достаточно для записи 4K@60 в течение 144 часов в формате ProRes.

Компания TeamGroup также показала T-CREATE CinemaPr R41 — устройство для чтения карт памяти Cfexpress 4.0 Type B, созданное специально для профессиональных фотографов и создателей видеоконтента.

T-CREATE CinemaPr R41 CFexpress 4.0 Type B

Были показаны и другие внешние SSD, включая классические модели Classic P51 и Expert P32, защищённые T-CREATE P35, компактные T-CREATE З4А со встроенным Bluetooth-трекером.

В ассортименте TeamGroup представлены решения для использования в широком диапазоне температур, такие как твердотельные накопители PCIe 3.0 M.2, способные выдерживать рабочие температуры до 105 ℃, модули памяти DDR4 и DDR5 типов U-DIMM и SO-DIMM, а также карты памяти microSD. В сочетании с передовыми запатентованными технологиями охлаждения компании они обеспечивают высокую производительность, надёжность и долговечность.

Ещё на стенде TeamGroup можно было увидеть необслуживаемые системы жидкостного охлаждения, включая представителей новой серии T-FORCE SIREN. Предлагаются версии с 240- и 360-мм радиаторами. В зависимости от модели крышка помпы может быть украшена яркой подсветкой или оснащаться дисплеем, на котором могут отображаться либо изображения, либо полезная информация о состоянии ПК. Что интересно, модуль с экраном и модуль с подсветкой съёмные, с магнитным креплением, и при желании один можно заменить на другой.

Компания Silicon Power продемонстрировала на выставке Computex 2024 свои новые продукты, созданные в рамках концепции Storage Beyond Limits («Хранение данных без границ»). Компания представила свежие твердотельные накопители, скоростные модули памяти и другие новинки.

Silicon Power выделила в экспозиции четыре основных передовых решения. В их числе модули оперативной памяти XPOWER Storm DDR5 RGB с поддержкой скорости передачи данных от 6000 до 8000 МТ/с и низкими таймингами от CL40 до CL38. Более того, производитель заявляет, что новинки поддерживают ручной разгон, так что из этих модулей получится «выжать» ещё больше.

Оперативная память XPOWER Storm DDR5 RGB отличается сравнительно низким рабочим напряжением в пределах от 1,35 до 1,45 В, что позволяет снизить энергопотребление без ущерба для игровой производительности. Благодаря поддержке профилей Intel XMP обеспечивается плавный и простой для пользователя разгон, что позволяет легко оптимизировать производительность для требовательных приложений.

При выборе дизайна для модулей XPOWER Storm DDR5 RGB специалисты Silicon Power вдохновлялись изящными формами акулы. Изогнутая линия верхней части модуля в форме спинного плавника и симметричные изображения жаберных щелей морского хищника в сочетании с RGB-подсветкой создают ощущение драйва.

Модули оперативной памяти XPOWER Storm DDR5 RGB доступны в версиях с объёмом 16 и 32 Гбайт с эффективной частотой 6000, 6400, 6800, 7200 и 7600 МГц.

Также на стенде Silicon Power был представлен ориентированный на использование со смартфонами Apple iPhone внешний портативный твердотельный накопитель MX10 с магнитным креплением MagSafe. Лёгкий и удобный внешний SSD позволяет реализовать при подключении к iPhone 15 Pro и iPhone 15 Pro Max возможность видеосъёмки в формате ProRes с разрешением 4K на скорости 60 кадров/с. Без внешнего SSD эти смартфоны предлагают съёмку 4К ProRes с частотой до 30 кадров/с.

Конечно, Silicon Power MX10 можно использовать не только с iPhone. Он совместим с мобильными устройствами под управлением Android 6 и выше, iOS 13 и выше, а также компьютерами на Windows 7, Mac OS X 10.3, Linux 2.6 и выше, и игровыми консолями.

Внешний накопитель поддерживает скорость последовательного чтения и записи до 1000 Мбайт/с, обеспечивая быстрый доступ к данным и бесперебойную передачу файлов. Устройство обладает повышенной прочностью, а также защищённостью от влаги и пыли согласно стандарту IP54, и от падений и ударов согласно MIL-STD 810H. Допускается эксплуатация накопителя при температуре от 0 до 70 °С. Таким образом новинку можно использовать даже в самых экстремальных условиях, не опасаясь за сохранность данных.

Ещё был показан более традиционный внешний SSD размером с флешку — Silicon Power PX10. Он подключается через USB Type-C и совместим со смартфонами, цифровыми камерами, компьютерами и консолями. Он обеспечивает скорость передачи данных в обоих направлениях до 1050 Мбайт/с. Максимальный объём — 4 Тбайт. Накопитель выполнен в устойчивом к падениям и ударам корпусе и весит всего 33 грамма.

Ещё одна новинка от Silicon Power — NVMe-накопитель US85 в формфакторе M.2 2280 с интерфейсом PCI Express 5.0, построенный на флеш-памяти 3D TLC NAND. У данного SSD не буфера DRAM, но за счёт этого накопитель US85 не имеет проблем с перегревом, демонстрируя при этом высокую производительность. Накопитель поддерживает скорость последовательного чтения и записи в 12 000 и 10 000 Мбайт/с соответственно.

Как сообщает производитель, конструкция SSD гарантирует, что даже при интенсивных рабочих нагрузках US85 будет обеспечивать стабильную производительность без ущерба для долговечности. Более того, благодаря компактным размерам US85 может использоваться в ноутбуках, обеспечивая высокую скорость PCIe 5.0 без ущерба для функциональности.

Экспозиция Silicon Power также включала систему охлаждения для твердотельных накопителей M.2 SSD Heatsink with Cooling Fan HS30. Он включает алюминиевый радиатор с двумя медными тепловыми трубками, а также вентилятор, который по утверждению производителя, работает практически бесшумно. HS30 обеспечивает эффективный отвод тепла, гарантируя высокопроизводительную работу даже «горячего» накопителя.

Silicon Power продемонстрировала на выставке ещё целый ряд новинок, среди которых следует отметить карту памяти StudioPro CFexpress Type B, которая благодаря высокой скорости чтения и записи обеспечивает возможность не только записывать видео в 8K с высоким битрейтом, но также быстро передавать большие файлы, включая 4K и 8K-видеоролики. StudioPro CFexpress Type B поддерживает скорость последовательного чтения до 1800 Мбат/с и скорость последовательной записи до 1650 Мбайт/с, позволяя производить серийную съёмку с захватом нескольких кадров в секунду, а также съёмку изображений с высоким разрешением. Карта StudioPro CFexpress Type B будет выпускаться в нескольких версиях объёмом до 1,6 Тбайт.

Помимо этих продуктов, демонстрирующих основную концепцию дизайна «Хранение данных без границ», Silicon Power показала на Computex 2024 множество устройств, ориентированных на геймеров, создателей контента, вычислений на базе искусственного интеллекта и других приложений.

Компания Patriot Memory представила на своём стенде на выставке Computex 2024 множество интересных и даже уникальных новинок. Здесь и одни из самых быстрых модулей оперативной памяти, и очень быстрые твердотельные накопители, и многое другое. Обо всех свежих решениях расскажем подробнее здесь.

Patriot привезла на тайваньскую выставку пару своих самых быстрых твердотельных накопителей для настольных ПК — нынешний флагман Viper PV553 M.2 2280 PCIe Gen5 x4 и его преемника в лице Viper PV573 M.2 2280 PCIe Gen5 x4, который предложит ещё более высокую скорость передачи данных. Оба выполнены в формфакторе M.2 2280 и полагаются на интерфейс PCIe 5.0 x4, как нетрудно догадаться по их названиям.

Твердотельный накопитель Viper PV553 построен на контроллере Phison PS5026-E26 и микросхемах памяти 3D TLC NAND от компании Micron. Данный SSD предлагает скорость последовательного чтения до 12 400 Мбайт/с и скорость последовательной записи до 11 800 Мбайт/с. Накопитель предлагается в версиях объёмом 1, 2 и 4 Тбайт.

В свою очередь, твердотельный накопитель Viper PV573 M.2 2280 PCIe Gen5 x4 предложит скорость последовательного чтения до 14 000 Мбайт/с и скорость последовательной записи до 12 000 Мбайт/с. Повышение скорости стало возможным благодаря применению новых чипов памяти с пропускной способностью до 2400 МТ/с.

Оба SSD роднит система охлаждения — для защиты от перегрева Patriot применила в каждом низкопрофильный радиатор высотой 16,5 мм с крошечным вентилятором, который рассчитан на 25 000 часов непрерывной работы. В результате температура SSD не превышает 45 °С, что гарантирует стабильную работу.

Ещё Patriot Memory продемонстрировала компактный твердотельный накопитель Viper VP4000 Mini, который выполнен в формате M.2 2230 и ориентирован на использование в современных портативных игровых консолях вроде Asus ROG Ally и Steam Deck. Подобных SSD на рынке пока представлено не так много, так что появление нового варианта можно лишь поприветствовать. Накопитель обладает интерфейсом PCIe 4.0 x4 и предлагает скорость последовательного чтения до 5000 Мбайт/с и последовательной записи до 3500 Мбайт/с. Доступны версии на 500 Гбайт, 1 и 2 Тбайт.

Помимо SSD компания Patriot представила множество самых разных модулей оперативной памяти. В частности, представители серии Viper Xtreme 5 DDR5 предоставят высокий разгонный потенциал и обеспечат высочайшую производительность. Производитель предлагает наборы на 32 и 48 Гбайт со скоростью 7600 и 8200 МТ/с (с профилями XMP), но это не предел, и в будущем производитель намерен предложить и более быструю память.

В свою очередь, модули Viper Xtreme 5 RGB DDR5 также предлагают высокий разгонный потенциал и высокую скорость, но вместе с тем они оснащены настраиваемой RGB-подсветкой. Здесь производитель предлагает решения со скоростью до 8000 МТ/с и объёмом набора до 48 Гбайт.

В сотрудничестве с MSI компания Patriot представила серию модулей оперативной памяти Viper Xtreme 5 RGB DDR5 MPower. С точки зрения характеристик данные планки копируют описанные абзацем выше, а отличие заключается во внешнем оформлении — они лучше впишутся в систему на компонентах MSI.

К слову, в арсенале Patriot есть и модули памяти Viper Elite 5 RGB TUF Gaming Alliance, разработанные в партнёрстве с Asus и оформленные в соответствующем стиле с белоснежными радиаторами. Эти модули обладают высотой всего 4,4 см, что позволит установить их практически под любой кулер. В этой серии предлагаются одиночные модули на 16 и 32 Гбайт, а также комплекты от 32 до 96 Гбайт. Максимальная скорость — 7000 МТ/с.

Помимо этого, Patriot Memory продемонстрировала и другие модули памяти. Серия Viper AMD TR5 OC RDIMM предназначена для систем на процессорах AMD Ryzen Threadripper 7000 и предлагает объём до 128 Гбайт. Модули Viper Venom DDR5 предлагают высокую скорость (до 7400 МТ/с) и низкопрофильные радиаторы с RGB-подсветкой и без неё. В серии Signature Line представлены модули с компактными радиаторами или вовсе без них для игровых и рабочих систем, а также в этом семействе Patriot предлагает модули SO-DIMM для ноутбуков и мини-ПК.

На текущей выставке электроники Computex 2024 многие производители ОЗУ демонстрируют новые высокоскоростные модули оперативной памяти. Компания G.Skill показала работу своих самых быстрых двухканальных модулей памяти DDR5-10600 на системе с довольно неожиданным процессором — AMD Ryzen 5 8500G.

Источник изображений: AnandTech

G.Skill почти всегда демонстрирует свои самые передовые модули оперативной памяти на платформах Intel, которые исторически славятся поддержкой более скоростной памяти. AMD в этом вопросе всегда отставала. Но с выходом архитектуры Zen 4 всё изменилось. В демонстрационной системе G.Skill на базе AMD компания показывает работу двухканального комплекта Trident Z5 RGB DDR5-10600 общим объёмом 32 Гбайт, с таймингами CL56-62-62-126 и рабочим напряжением, гораздо выше, обозначенного для стандарта DDR5. В демонстрируемой системе также используется материнская плата Asus ROG Crosshair X670E Gene.

Никто в здравом уме не станет использовать безусловно сверхдорогую ОЗУ в связке с весьма недорогим APU. Но тем любопытнее наблюдать, насколько меняется ситуация в противостоянии между платформами Intel и AMD. К слову, на выставке Computex 2024 память G.Skill Trident Z5 RGB DDR5-10600 не самая быстрая — компания Patriot показала модули DDR5 со скоростью 8000 МТ/с, поддерживающие разгон до 11 500 МТ/с.

Что касается памяти DDR5-10600, то компания G.Skill пока не говорит о том, когда она поступит в продажу. В текущем ассортименте производителя самыми быстрыми модулями памяти являются DDR5-8400. Поэтому компании, вероятно, потребуется ещё некоторое время для тестов новых скоростных комплектов памяти с различными процессорами, чтобы убедиться в их стабильности.

Компания TeamGroup представила серию модулей оперативной памяти T-Create Expert AI в новом формфакторе LPDDR5X CAMM2. В серию вошли модели со скоростью передачи данных 7200 и 6400 МТ/с. Новинки работают с низкими таймингами — CL28 и CL24 соответственно.

Источник изображений: TeamGroup

Модули памяти T-Create Expert AI LPDDR5X CAMM2 будут предлагаться в версиях объёмом 32 и 64 Гбайт. Компания TeamGroup формально стала лишь третьим после Crucial (принадлежит Micron) и Kingston производителем ОЗУ, представившим модули оперативной памяти в новом формфакторе.

Модули памяти T-Create Expert AI LPDDR5X-7500 CAMM2 и LPDDR5X-6400 CAMM2 обеспечивают пропускную способность в 60 и 51,2 Гбайт/с соответственно. Новинки оснащены тонкими графеновыми пластинами, служащими в качестве радиаторов.

О стоимости своих модулей памяти T-Create Expert AI LPDDR5X CAMM2 производитель ничего не сообщил. Однако ранее выпущенные модули ОЗУ того же формата от Crucial на 32 и 64 Гбайт оцениваются в $179,99 и $329,99 соответственно. Очевидно, что стоимость сейчас в большей степени формируется новизной стандарта. В перспективе модули ОЗУ нового формата должны стать дешевле, их объём — больше, а тайминги — ещё ниже.

Формат CAMM2 рассматривается некоторыми в индустрии в качестве эволюционного звена в развитии оперативной памяти. Новый формфактор занимает меньше места в составе ноутбука, чем ОЗУ привычных форматов SO-DIMM. Кроме того, новый формат поддерживает более быструю память и обладает повышенной энергоэффективностью. Ранее Lenovo стала первой компанией, выпустившей ноутбук с поддержкой модулей памяти CAMM2. Не удивимся, если на выставке Computex 2024 другие производители ноутбуков представят аналогичные решения.

Выручка отрасли производства флеш-памяти NAND в первом квартале текущего года достигла более $14,7 млрд — это самый высокий квартальный показатель за последние годы. При этом Micron обогнала одного из лидеров рынка в лице Western Digital благодаря наращиванию поставок SSD для ИИ-серверов. Флэш-память остаётся одним из самых быстрорастущих сегментов рынка полупроводников.

Источник изображения: Wikipedia

Согласно отчету аналитической компании TrendForce, в первом квартале 2024 года наблюдался значительный рост на рынке флэш-памяти NAND. Выручка отрасли увеличилась на 28,1 % по сравнению с предыдущим кварталом и достигла $14,71 млрд.

Основными драйверами роста стал высокий спрос на твердотельные накопители (SSD) для корпоративных серверов, нацеленных на задачи искусственного интеллекта. Также запасы флэш-памяти наращивали производители ПК и смартфонов, а также операторы дата-центров. Последние постоянно стремятся компенсировать ожидаемый дальнейший рост цен.

Источник изображений: TrendForce

Лидером рынка остается Samsung с долей 37 %, выручка компании от продаж NAND выросла на 28,6 % до $5,4 млрд. На втором месте оказалась SK Group (SK Hynix + Solidigm) с долей 22 % и ростом выручки на 31,9 % до $3,27 млрд. Третье и четвертое место занимают Kioxia и Micron с долями 12 % и 13 % соответственно.

Micron смогла обогнать Western Digital благодаря более низким ценам и активному наращиванию поставок SSD для дата-центров. Выручка Micron выросла на 51,2 %, что является самым высоким показателем среди лидеров отрасли.

Эксперты TrendForce прогнозируют сохранение положительной динамики и во втором квартале — ожидается рост выручки отрасли почти на 10 %. Отмечается, что этому будут способствовать дальнейшее увеличение контрактных цен на флэш-память (+15 %) и расширение использования SSD корпоративным сегментом.