Ожидание ввода в действие новых таможенных тарифов США заставило производителей устройств увеличивать свои складские запасы полупроводниковых компонентов. Повышенный спрос вызвал ответную реакцию со стороны Samsung. Компания увеличила цены на память DRAM. Это изменение в недалёком будущем выразится в росте цен на конечные продукты, причём не только на модули оперативной памяти, но также на различную электронику.

Источник изображения: Samsung

Согласно отчёту аналитической компании ETNews, Samsung значительно повысила цены на DDR5 и DDR4 DRAM. Эти изменения нашли отражения в тексте новых контрактов с клиентами. DDR4 DRAM подорожала на 20 %, а DDR5 DRAM — на 5 %. Поскольку компоненты производства Samsung используются многими другими производителями устройств, логично ожидать роста цен на них в ближайшем будущем.

Samsung — один из ведущих производителей и поставщиков полупроводниковой отрасли, поэтому повышение цен компанией обязательно повлияет на уровень отпускных цен других участников рынка. В конечном итоге, любое подобное повышение цен оплатит конечный потребитель.

Источник, знакомый с ситуацией, отметил: «Samsung заключила контракты по новым, более высоким ценам, что говорит о том, что рост цен на DRAM становится отраслевым трендом». Вице-президент подразделения по производству памяти Ким Джэ Чжун (Kim Jae-joon) отметил, что «из-за глобальных тарифных рисков клиенты активнее закупают комплектующие, и их запасы исчерпываются быстрее, чем предполагалось».

Ситуация на рынке оперативной памяти начала меняться в апреле, когда американская компания Micron — третий по величине производитель DRAM — объявила о планах повысить цены, сославшись на повышение пошлин в США. Данные аналитической компании DRAMeXchange подтверждают: в апреле средняя цена на наиболее распространённый чип DDR4 — 8 Гбит с частотой 2133 МГц — выросла на 22,22 % по сравнению с мартом. Это первый рост с апреля прошлого года.

Компания SanDisk, недавно отделившаяся от Western Digital, опубликовала первые финансовые результаты в качестве самостоятельного бизнеса — и они оказались неутешительными. Выручка за квартал, завершившийся 28 марта, составила $1,7 млрд, что на 0,6 % меньше, чем годом ранее, и на 10 % ниже предыдущего квартала.

Источник изображения: sandisk.com

Главной причиной, как отмечает издание Blocks and Files, стало списание деловой репутации (goodwill) на $1,83 млрд, после чего был зафиксирован убыток по GAAP в размере $103 млн. Для сравнения, год назад компания получила прибыль в размере $27 млн. Финансовый директор Луис Висосо (Luis Visoso) пояснил: «Мы провели оценку нематериальных активов в соответствии с учётными стандартами и пришли к выводу, что их балансовая стоимость превышает реальную. В результате был зафиксирован неденежный убыток». После списания стоимость goodwill SanDisk сократилась до $5 млрд.

Источник изображения: blocksandfiles.com

Ещё одним вызовом остаются торговые пошлины США. Однако Висосо отмечает, что сейчас пошлины действуют только для поставок из Китая в США (27,5 %), а более 95 % продукции SanDisk в Штаты поступает из других стран. Одновременно генеральный директор Дэвид Гёкелер (David Goeckeler) отметил, что, несмотря на сложности, компания смогла превысить прогнозы по выручке. «Я доволен тем, как команда справилась с задачами в первом квартале. Мы начали активный запуск технологии BiCS 8, которая обеспечивает высокую производительность, энергоэффективность и плотность хранения», — сказал он.

В отчёте также отмечается, что NAND-память продолжает испытывать избыток предложения, что затронуло и SanDisk. Сильнее всего просели продажи в облачном сегменте, здесь выручка упала на 21 % в квартальном выражении, до $197 млн. Выручка от клиентских решений (ПК и ноутбуки) снизилась на 10 %, до $927 млн, а потребительский рынок потерял 5 %, опустившись до $571 млн. При этом SanDisk увеличила долю на рынке центров обработки данных (hyper-scalers), на которые пришлось 12 % поставок против 8 % годом ранее. Чтобы сбалансировать спрос и предложение, компания планирует сократить объёмы производства и повысить цены.

Источник изображения: blocksandfiles.com

При этом, несмотря на ожидаемый рост спроса из-за окончания поддержки Windows 10 и обновления парка ПК, продажи SSD для клиентских устройств не оправдали надежд. Тем не менее, SanDisk уверена в новых технологиях, включая BiCS 8 с 218 слоями и контроллер Stargate. Как отмечает Гёкелер, компания уже сейчас производит QLC-чипы ёмкостью 2 Тбит, которые тестируются ведущими облачными провайдерами для твердотельных накопителей на 128 ТБ и 256 ТБ.

Завершая отчёт, Гёкелер выразил уверенность в долгосрочных перспективах NAND-памяти: «По нашим оценкам, индустрия NAND готова к устойчивому долгосрочному росту, и ожидается, что к концу десятилетия спрос достигнет $100 млрд». По его мнению, рост будет обусловлен экспоненциальным расширением данных, отчасти подпитываемым внедрением искусственного интеллекта, а также циклами обновления ПК и мобильных устройств.

Относительно текущих трудностей компании, SanDisk ожидает восстановления спроса во второй половине года, прогнозируя выручку на следующий квартал в $1,8 млрд (±$5 млн), что на 2,2 % больше, чем год назад.

V-Color представила первые в отрасли модули памяти DDR5 OC RDIMM RGB, предназначенные для рабочих станций и профессиональных задач. Максимальная ёмкость комплекта составляет 512 Гбайт.

Источник изображений: V-Color

Комплекты V-Color DDR5 OC RDIMM RGB включают планки от 16 до 64 Гбайт, что даёт до 512 Гбайт в версии из восьми единиц. Предлагаются скорость до 8000 МТ/с и сверхнизкий тайминг RDIMM до CL26 — память оптимизирована для работы с процессорами AMD Ryzen Threadripper и Intel Xeon. Эстетическое оформление с использованием RGB-светодиодов дополняет технические возможности комплектов, предназначенных для разработки в области искусственного интеллекта, многозадачных профессиональных рабочих нагрузок, аналитики данных и творческой работы — вдобавок к высокой скорости производитель обещает надёжность и эффективность.

V-Color обеспечила соответствие строгим профессиональным и корпоративным нормам: модули DDR5 OC RDIMM RGB способны работать со стандартными скоростями JEDEC от 4800 до 5600 МТ/с. Продемонстрированы возможности разгона в конфигурации 128 Гбайт (4 × 32 Гбайт) с 8000 МТ/с, CL40 при 1,35 В — с процессорами AMD Ryzen Threadripper на материнской плате Gigabyte TRX50 AI TOP для высокопроизводительных вычислений и задач ИИ. Ещё одна демонстрация — стабильная скорость в конфигурации 96 Гбайт (4 × 24 Гбайт) с 6000 МТ/с, CL28 и процессорами Intel Xeon на плате ASUS PRO WS w790-SAGE SE.

Комплекты памяти V-Color DDR5 OC RDIMM RGB с чёрным и серебристым радиаторами поступят в продажу по всему миру 20 мая после их презентации на выставке Computex 2025. О ценах производитель пока умолчал.

Американская компания NEO Semiconductor сообщила о скорой демонстрации трёх новых технологий производства самой лучшей в мире оперативной памяти DRAM — сверхплотной, сверхбыстрой и даже немного энергонезависимой. Впервые новое решение в виде 3D DRAM было представлено в августе 2023 года и с тех пор превратилось в три разных версии технологии, хотя производители памяти мирового уровня всё ещё игнорируют эту революционную разработку.

Источник изображения: NEO Semiconductor

Компания NEO Semiconductor сделала ставку на вертикальное размещение ячеек памяти DRAM, что было реализовано при производстве памяти 3D NAND. Очевидно, что это позволит значительно увеличить плотность хранения данных в оперативной памяти. Разработчик говорит о чипах DRAM плотностью 512 Гбит — более чем в 10 раз больше, чем у современных массовых чипов памяти. Также увеличение плотности памяти ведёт к относительному снижению энергопотребления, что в условиях дефицита энергии так же важно, как и наращивание банков памяти.

На выставке IEEE с 18 по 21 мая 2025 года в Монтерее, штат Калифорния, США, компания NEO Semiconductor покажет три новые архитектуры ячеек DRAM, оптимизированных для выпуска стековым методом — это ячейки 1T1C, 3T0C и 1T0C. Причём все они или часть из них используют для транзисторных каналов материал IGZO, известный нам по производству тонкоплёночных транзисторов для дисплеев с высоким разрешением и низким потреблением.

Материалы IGZO или соединения оксидов индия-галлия-цинка — это конёк компании Sharp. В этом материале электроны обладают повышенной мобильностью без увеличения рабочих токов. По логике, оперативная память с IGZO-транзисторами унаследует эти качества, явив миру память с лучшими характеристиками по быстродействию и потреблению. В комплекте с многоуровневой архитектурой это может привести к революции в мире оперативной памяти, если технологией, наконец-то, заинтересуются Samsung, SK Hynix или кто-то подобный.

Добавим, как следует из обозначения архитектуры ячеек, ячейка 1T1C — это классическая DRAM с одним транзистором и одним конденсатором; ячейка 1T0C состоит из одного транзистора без конденсатора; а ячейка 3T0C — это три транзистора без конденсатора. Ячейки 1T1C и 3T0C, по признанию компании, способны сохранять данные без подачи питания в течение 450 с, что снизит потребление при регенерации. Скорость доступа достигает 10 нс. Но это всё расчётные данные, а экземпляры новой памяти должны быть впервые выпущены только в 2026 году. Ждём. Мир как никогда нуждается в высокоплотной и экономичной DRAM.

Канадский оверклокер saltycroissant первым в мире преодолел барьер 12 800 МТ/с для оперативной памяти DDR5, установив новый рекорд скорости передачи информации в 12 806 МТ/с. Рекорд был достигнут на материнской плате ASRock Z890 Taichi OCF с использованием модулей Corsair Vengeance и экстремальным охлаждением жидким азотом.

Источник изображения: wccftech.com

Ещё несколько часов назад мировой рекорд принадлежал другому оверклокеру с никнеймом bl4ckdot, который разогнал DDR5 до 12 774 МТ/с. Однако, как пишет издание Wccftech, saltycroissant не только побил это достижение, но и стал первым, кто перешагнул отметку в 12 800 МТ/с. При этом он сохранил прежние тайминги (CL68-127-127-127-2), что делает результат ещё более впечатляющим.

Источник изображения: wccftech.com

Сообщается, что для достижения этих цифр использовался процессор Intel Core Ultra 7 265K и материнская плата ASRock Z890 Taichi OCF, которая уже не раз помогала другим энтузиастам устанавливать рекорды. Результат был проверен в CPU-Z и загружен на платформу HWBot для официального подтверждения. Компания ASRock также опубликовала новость о достижении в своём официальном канале в X, подчеркнув, что их продукт остаётся флагманским выбором среди профессиональных оверклокеров.

Источник изображения: wccftech.com

Эксперты ожидают, что новые рекорды будут появляться один за другим, и вскоре может быть достигнут рубеж в 13 000 MT/s. На данный момент лидерами в производстве высокочастотной DDR5-памяти остаются такие бренды, как Corsair, G.Skill и V-Color. Их модули чаще всего становятся основой для новых рекордов, поскольку они отличаются высоким заводским потенциалом для разгона. Тем не менее, переход от 12 800 к 13 000 MT/s может занять некоторое время, так как разница в 200 MT/s требует не только технических инноваций, но и определённых условий тестирования.

Компания G.Skill показала новое достижение в мире оперативной памяти — комплект DDR5-8400 CL44 объёмом 128 Гбайт (2×64 Гбайт). Работа этого набора была продемонстрирована на материнской плате Asus ROG Crosshair X870E APEX в паре с процессором AMD Ryzen 9 9950X3D, доказав, что можно получить одновременно высокую скорость и большой объём памяти.

Источник изображения: G.Skill

Раньше память с такой частотой обычно ограничивалась меньшими объёмами, но теперь, похоже, эта проблема решена. Как подчёркивают в компании, комплект идеально подходит для задач искусственного интеллекта, машинного обучения, рендеринга и других ресурсоёмких процессов, где важны и быстрый доступ к данным, и большой объём памяти.

Тестирование на платформе AMD подтвердило стабильность работы памяти даже на предельных для текущего поколения DDR5 частотах. На скриншоте видно, как комплект прошёл проверку утилитой MemtestPro без ошибок. Это показывает, что инженерам G.Skill удалось не только разогнать память до 8400 МГц, но и обеспечить надёжность при высокой нагрузке. «Наш новый модуль DDR5 объёмом 64 Гбайт позволяет собирать конфигурации 128 Гбайт без потери скорости, — говорят в G.Skill. — И это открывает новые возможности для профессионалов, которым нужна максимальная производительность».

Источник изображения: G.Skill

Компания G.Skill, основанная в 1989 году, продолжает удерживать лидерство в сегменте высокоскоростной памяти. Благодаря собственной лаборатории тестирования и сильной команде разработчиков, компания регулярно выпускает инновационные решения для геймеров, оверклокеров и IT-специалистов. Новый рекорд DDR5-8400 128 Гбайт — очередное подтверждение её успеха.

Ожидается, что такие модули появятся в продаже в ближайшие месяцы. Пока неизвестно, какова будет их итоговая цена, но очевидно, что это решение ориентировано на верхний сегмент.

На Североамериканском технологическом симпозиуме, который проводит TSMC, компания SK hynix представила образцы памяти нового поколения HBM4 и новые продукты на основе актуальной HBM3E.

Источник изображений: skhynix.com

С 12-слойными стеками памяти HBM4 производитель достиг скорости 2 Тбайт/с, что значительно превышает возможности HBM3E, у которой этот показатель составляет 1,2 Тбайт/с. SK hynix также показала образцы 16-слойной HBM3E. В марте корейская компания объявила, что первой в мире начала рассылать образцы HBM4 крупным клиентам, а подготовка к массовому производству памяти на основе новой технологии завершится во второй половине 2025 года. Под крупными клиентами, вероятно, подразумеваются Nvidia и AMD.

Если провести сравнение с игровым оборудованием, только один стек памяти HBM4 способен обеспечить более высокую пропускную способность, чем вся память видеокарты Nvidia GeForce RTX 5090, у которой 32 Гбайт GDDR7 с 1792 Гбайт/с или почти 1,8 Тбайт/с. Один стек HBM4 предлагает 2 Тбайт/с при ёмкости до 48 Гбайт. Но ускорители искусственного интеллекта обычно подключаются к нескольким стекам HBM одновременно, что позволяет им достигать скоростей, недоступных игровой графике. Так, один чип Nvidia B200 подключается к восьми HBM3E.

Компания Silicon Power представила семейство твердотельных накопителей под названием Endura. Линейка включает четыре устройства с различными характеристиками, предназначенные для разных сценариев использования — от бытового до профессионального.

Все накопители новой серии базируются на флеш-памяти TLC 3D NAND, обеспечивающей высокую скорость работы и надежность благодаря многослойному расположению ячеек памяти. Производитель позиционирует новинки в качестве универсальных накопителей с оптимальным сочетанием производительности и надёжности при повседневном использовании. Все новинки покрывает пятилетняя гарантия производителя, что указывает на их высокую надёжность.

В состав линейки вошли следующие модели:

SP Endura E55 —2,5-дюймовый накопитель с интерфейсом SATA III. Это доступное устройство для массового пользователя обеспечивает скорость последовательного чтения до 500 Мбайт/с и записи до 450 Мбайт/с, что в 15 раз быстрее стандартных жестких дисков. Доступны варианты емкостью от 512 Гбайт до 2 Тбайт.

SP Endura E60 — накопитель с интерфейсом PCIe 3.0 x4, обеспечивающий скорость чтения до 2200 Мбайт/с и записи до 1600 Мбайт/с. Устройство совместимо с NVMe 1.3 и поддерживает технологии LDPC и ECC для защиты данных. Производитель позиционирует этот SSD в качестве решения для производительных систем для работы и игр. Этот SSD также доступен в версиях объёмом от 512 Гбайт до 2 Тбайт.

SP Endura ED90 — высокопроизводительный SSD с интерфейсом PCIe 4.0, соответствующий стандарту NVMe 2.0. Он подойдёт для компьютеров для людей творческих профессий, создателей контента, а также систем, которые подразумевают интенсивную передачу данных. SSD обеспечивает скорость чтения до 5000 Мбайт/с и записи до 4800 Мбайт/с. Доступны варианты емкостью от 500 Гбайт до 4 Тбайт.

SP Endura ES75 — самая производительная модель новой линейки с интерфейсом PCIe 4.0, демонстрирующая скорость чтения до 7000 Мбайт/с и записи до 6500 Мбайт/с. Устройство позиционируется как решение для профессионального использования, создания контента и мощных игровых компьютеров. Эти SSD доступны в версиях объёмом от 1 до 4 Тбайт.

Накопители серии ED90 уже поступили в продажу в магазины торговой сети DNS. Информация о поступлении других моделей будет публиковаться в официальном Telegram-канале «Сила кремния».

Компания G.Skill представила комплект оперативной памяти DDR5-6000 большого объёма — 256 Гбайт, состоящий из четырёх модулей ОЗУ по 64 Гбайт каждый. Производитель отмечает, что в основе продукта используются чипы памяти DDR5 компании SK hynix.

Источник изображений: G.Skill

Работу комплекта памяти DDR5-6000 объёмом 256 Гбайт компания проверила на материнских платах Asus ROG Crosshair X870E Hero и MSI MPG X870E Carbon WIFI в сочетании с процессорами AMD Ryzen 7 9800X3D и Ryzen 9 9900X соответственно. Память показала стабильную работу с таймингами CL32-44-44-96, а также CL32-45-45-126.

Кроме того, указанный комплект памяти показал способность к эффективному разгону до DDR5-7000 при таймингах CL38-50-50-126 в сочетании с процессором Ryzen 7 9800X3D и материнской платой MSI MEG X870E Godlike.

В дополнение к этому G.Skill показала работу комплекта памяти DDR5-6400 объёмом 256 Гбайт с низкими задержками CL32-44-44-102. Тестирование проводилось на плате Asus ROG Crosshair X870E Hero с процессором Ryzen 9 9900X3D, а также на плате MSI MAG B850M Mortar WIFI с процессором Ryzen 7 9800X3D.

Явление магнетизма широко используется в электронике и запоминающих устройствах. Оба направления привлекают внимание большого круга учёных своей высочайшей практической ценностью. Очевидно, что границы возможностей и применяемых материалов постоянно нуждаются в расширении. Прорыв смогли совершить японские учёные, обнаружив уникальные магнитные свойства у материалов, которые, как считалось, не должны были их проявлять.

Поиск взаимодействия между антиферромагнетизмом, зонной топологией и сильными электронными взаимодействиями. Источник изображения: Ray et al 2025

Магнитные материалы в лице ферромагнетиков с упорядоченными спинами электронов способны демонстрировать аномальный эффект Холла. Обычный эффект Холла возникает во внешнем магнитном поле при пропускании тока через магнитный образец. В случае аномального эффекта Холла поле в образце (разность потенциалов на его концах или напряжение) возникает в магнитном материале даже без внешнего магнитного поля.

Подобного явления никто не ожидал в случае антиферромагнетиков. Спины в таких материалах неупорядочены и компенсируют друг друга при противоположной ориентации. Однако даже в антиферромагнетиках были обнаружены признаки аномального эффекта Холла. Это означает, что в качестве магнитной памяти может использоваться новый класс материалов со своими уникальными свойствами, что потенциально обещает улучшение характеристик запоминающих устройств. Теперь необходимо тщательно разобраться в этом явлении и подвести фундаментальную научную базу — именно этим и занялись учёные из Японии.

«Ранее уже сообщалось об аномальном эффекте Холла, возникающем в определённом классе коллинеарных антиферромагнетиков, — говорят исследователи. — Однако наблюдаемые сигналы были чрезвычайно слабыми. Выявление аномального эффекта Холла без намагниченности представляло большой научный и технологический интерес».

«Одной из главных задач нашего исследовательского проекта было создание последовательной научной картины на основе наших наблюдений, — заявляют авторы новой работы. — Каждый шаг требовал тщательной интерпретации, особенно из-за структурных нарушений, характерных для систем дихалькогенидов переходных металлов (TMD)».

Учёные использовали семейство материалов под названием дихалькогениды переходных металлов в качестве двумерных строительных блоков. Вставляя магнитные ионы между атомными слоями, исследователи могли управлять движением и взаимодействием электронов. Модифицированная до трёхмерного состояния структура продемонстрировала новое поведение, невозможное в двумерной форме. Только после этого исследователям удалось измерить аномальный эффект Холла в широком диапазоне температур и магнитных полей.

Кроме того, учёные из США предоставили доказательства в виде микроскопических изображений образцов, подтверждающих коллинеарную антиферромагнитную структуру материала. Затем результаты были сопоставлены с теоретическим анализом и расчётами, выполненными группой учёных из Токийского университета.

Полученные результаты стали первым убедительным экспериментальным доказательством аномального эффекта Холла, наблюдаемого в коллинеарных антиферромагнетиках. Поскольку традиционно считается, что аномальный эффект Холла связан с намагниченностью, его обнаружение в подобных материалах указывает на явления, выходящие за рамки стандартного понимания. Исследователи предполагают, что это связано с уникальной структурой электронных зон материала, которая вызывает появление так называемого «виртуального магнитного поля» и усиливает аномальный эффект Холла в отсутствие намагниченности. Работа будет продолжена, поскольку полного понимания физики этого процесса пока не достигнуто.

В журнале Nature вышла статья, в которой учёные из Университета Фудань сообщили о разработке самой быстрой в истории флеш-памяти. Прототип работает на скорости 400 пикосекунд как при записи, так и при чтении. Новая память получила поэтическое название «Рассвет» (Poxiao). Опытный экземпляр отличается скромной ёмкостью. Покорение объёмов начнётся на следующем этапе разработки.

Источник изображения: Nature

Разработкой нового типа памяти учёные из Китая занимаются с 2015 года. В 2021 году они предложили базовую теоретическую модель, а в 2024 году разработали сверхбыстрое устройство флеш-памяти с длиной канала 8 нм, что превысило физический предел размера флеш-памяти на основе кремния, составлявший около 15 нм. Но размеры — не главное. Главное — это невообразимая скорость работы новой энергонезависимой ячейки, которая оказалась в 100 000 раз выше скорости ячейки SRAM.

Учёные отметили, что классическая память на основе управления транзисторным каналом электромагнитным полем имеет фундаментальные ограничения для наращивания скорости записи и чтения. Электроны нужно «разогнать», чтобы заставить их перейти в ячейку памяти или покинуть её. Традиционные полупроводниковые материалы и воздействие на электроны полем делают всё это медленным по современным меркам. По большому счёту, мало что изменилось после изобретения полевого транзистора около 60 лет назад. Для ускорения буквально нужна другая физика.

Китайские учёные предложили использовать в качестве канала графен или условно двумерный полупроводник — диселенид вольфрама (WSe₂). Оба материала ведут себя схожим образом, хотя и имеют отличия. Распределение управляющего электромагнитного поля вдоль каналов таково, что электроны поступают в ячейку «сильно перегретыми» — с крайне высокой для них энергией.

В общем случае графен считается так называемым дираковским материалом, в котором электроны подчиняются квантовым уравнениям Дирака. Использование графена позволяет ускорить перемещение «горячих» электронов и дырок в ячейку памяти, минимизируя потери энергии. Фактически, в созданных условиях электрон как бы становится безмассовой частицей, что позволяет резко увеличить скорости записи и чтения. Работу о субнаносекундной флеш-памяти с 2D-улучшенной инжекцией горячих носителей (Subnanosecond flash memory enabled by 2D-enhanced hot-carrier injection) можно найти по этой ссылке. Она свободно доступна для прочтения.

В составе новой памяти тонкий 2D-канал оптимизирует распределение горизонтального электрического поля, повышая эффективность инжекции. Ток инжекции достигает 60,4 пА/мкм при напряжении 3,7 В. Новая память выдерживает более 5,5 млн циклов записи и стирания. Скорости записи и чтения одинаковы — по 0,4 нс для каждого режима. Объём прототипа составляет около 1 килобайта. В течение пяти лет команда обещает увеличить ёмкость до десятков мегабайт, получить лицензию и начать выпуск коммерческих экземпляров.

Компания G.Skill сообщила о новом рекорде разгона оперативной памяти DDR5. Его установил оверклокер Seby, заставивший планку ОЗУ G.Skill Trident Z5 DDR5 (F5-8000J3848F24GX2-TZ5K) с номинальным режимом DDR5-8000 и объёмом 24 Гбайт работать на скорости 12 772 МТ/с.

Источник изображений: G.Skill

Новый рекорд был установлен на материнской плате Asus ROG Maximus Z890 Apex для энтузиастов в сочетании с флагманским процессором Intel Core Ultra 9 285K.

Для охлаждения CPU применялся жидкий азот. При эксперименте температура составила 4,0 градуса Цельсия.

Согласно данным CPU-Z Validator и базе данных HWBOT, разогнанный до 12 772 МТ/с модуль памяти G.Skill работал с таймингами 68-127-127-127. Эффективная частота модуля ОЗУ составила 6386,2 МГц.

Компания отмечает, что в составе модулей ОЗУ G.Skill Trident Z5 DDR5 (F5-8000J3848F24GX2-TZ5K) используются чипы памяти SK hynix.

Прошло 16 лет с момента банкротства немецкой компании Qimonda, уходящей корнями в DRAM-бизнес компании Infineon. Тогда, в 2009 году, производство немецкой памяти пытались приобрести и Россия, и Китай. Однако компанию обанкротили, а её активы распродали с молотка. Тем не менее часть её разработок дала всходы, плодами которых надеются воспользоваться как Германия, так и Европа — субъекты, стремящиеся к независимости в производстве полупроводников.

Источник изображения: ИИ-генерация Grok 3/3DNews

Компания Qimonda выпускала традиционную DRAM для оперативной памяти и видеокарт. Будущая память с рабочим названием DRAM+ будет энергонезависимой, сочетая скорость DRAM и преимущества SSD-хранилищ, сохраняющих данные без подачи питания. Очевидно, что это будет — или должна стать — наиболее востребованной памятью будущего, позволяющей экономить энергию без ущерба для производительности.

Для задач ИИ лучшего решения не придумать. Европа сможет вырваться вперёд и стать независимой в производстве компьютерной памяти. По крайней мере, так утверждают разработчики каждый раз перед объявлением нового раунда инвестиций в разработку памяти DRAM+ — и на нехватку средств они пока не жалуются.

Тем временем дело приближается к этапу производства новой памяти. Развивать его будут совместно немецкие компании Ferroelectric Memory Co (FMC) и Neumonda. Название последней прозрачно намекает на связь с компанией Qimonda, хотя прямых подтверждений преемственности между обанкротившимся и перспективным бизнесом нет. Можно лишь предположить, что Neumonda унаследовала часть технологий, оборудования, инфраструктуры и персонала Qimonda, оставшихся без дела после банкротства.

С компанией Ferroelectric Memory Co (FMC) история иная. Это стартап, основанный в 2016 году для разработки перспективной энергонезависимой памяти на основе сегнетоэлектриков (FeRAM). Эту технологию в своё время разработали в Qimonda. После банкротства компании патенты на неё были переданы Дрезденскому техническому университету. В 2016 году сотрудники университета основали FMC и добились передачи ей двух ключевых патентов на технологию.

Следует сказать, что до разработок Qimonda память FeRAM опиралась на использование цирконат-титаната свинца (PZT).

Это соединение обладает выдающимися пьезоэлектрическими свойствами, но плохо совместимо с классическими КМОП-техпроцессами. Поэтому память FeRAM так и не смогла вытеснить массовую флеш-память: она была дорогой и не отличалась высокой плотностью, несмотря на заметное преимущество в скорости по сравнению с NAND-флеш.

Инженеры Qimonda обнаружили, что в качестве материала для ячейки памяти FeRAM хорошо подходит оксид гафния (HfO₂). Это аморфное вещество, которому можно придать кристаллическую структуру, заставляющую его работать как конденсатор. Поскольку оксид гафния широко используется в подложках чипов, он без проблем совместим с КМОП-техпроцессами. Так появилась память FeFET. Она исчезла из поля зрения в 2009 году, но усилиями FMC вновь вернулась в виде готового к производству техпроцесса.

«Компания FMC была основана для реализации революционного изобретения – сегнетоэлектрического эффекта HfO₂ для полупроводниковой памяти. Применительно к DRAM он превращает конденсатор в энергонезависимое запоминающее устройство с низким энергопотреблением, сохраняя при этом высокую производительность DRAM. Это позволяет создать революционную энергонезависимую память, идеально подходящую для ИИ-вычислений, — объяснил Томас Рюкке (Thomas Rueckes), генеральный директор FMC. — Поскольку наша технология уникальна на рынке, экономически эффективное тестирование продукции имеет большое значение для наших предложений. Благодаря Neumonda и её радикально новому подходу к тестированию мы нашли партнёра, который поможет ускорить разработку продуктов. Мы также рады сотрудничеству, поскольку разделяем общее стремление вернуть производство памяти в Европу».

Источник изображения: FMC

Компания Neumonda поддержит усилия FMC, предоставив консультации и доступ к своим передовым тестовым платформам: Rhinoe, Octopus и Raptor. Эти системы предназначены для недорогого, энергоэффективного и независимого тестирования памяти. Они обеспечивают детальный анализ, невозможный при использовании традиционного оборудования, и работают по значительно более низкой цене.

Вместе эти две компании разрабатывают новый продукт для хранения данных и закладывают фундамент для более широкого возрождения европейской полупроводниковой индустрии. Их совместные усилия направлены на восстановление локальной экосистемы разработки и тестирования передовых технологий хранения данных.

Компания G.Skill представила двухканальный комплект оперативной памяти DDR5-8000 большого объёма — 128 Гбайт (2 × 64 Гбайт). Производитель называет его первым на рынке комплектом ОЗУ с такой скоростью и ёмкостью. Ещё совсем недавно максимальный доступный объём одного модуля DDR5 потребительской памяти составлял 48 Гбайт.

Источник изображений: G.Skill

Для нового комплекта памяти заявлены тайминги CL44-58-58-128. Память успешно протестирована на материнской плате Asus ROG Crosshair X870E Apex в сочетании с процессором AMD Ryzen 9 9950X.

G.Skill также продемонстрировала работу двухканального комплекта памяти DDR5-9000 объёмом 64 Гбайт (2 × 32 Гбайт) с таймингами CL48-64-64-144 на другой платформе. Для тестов использовалась материнская плата Asus ROG Maximus Z890 Apex в сочетании с процессором Intel Core Ultra 7 265K.

Представленные модули ОЗУ будут выпускаться в рамках фирменных серий производителя Trident Z5 и Trident Z5 Royal NEO. О стоимости анонсированных новинок компания ничего не сообщила. Также неизвестно, когда именно они поступят в продажу.

Компания Micron официально заявила о повышении цен на память, ссылаясь на растущий спрос на DRAM и NAND-флеш. По прогнозам, тенденция к удорожанию сохранится до 2026 года. Причина проста — искусственный интеллект (ИИ), дата-центры и потребительская электроника требуют всё больше высокопроизводительных решений, однако предложение пока не успевает за спросом.

Источник изображения: Micron, tomshardware.com

Решение Micron, как отмечает Tom's Hardware, основано на недавнем периоде перепроизводства и падения доходов рынка памяти. Однако в последнее время цены начали постепенно восстанавливаться благодаря сокращению производства крупными игроками и росту интереса к ИИ и высокопроизводительным вычислениям. Теперь, когда Micron открыто заявила о повышении цен, ожидается, что за ней последуют и другие производители, такие как Samsung и SK Hynix, продолжая тенденцию удорожания.

В своём обращении к партнёрам Micron подчеркнула, что ключевым фактором пересмотра ценовой политики стал «непредсказуемый спрос в различных сегментах». В частности, компания отмечает, что ИИ-приложения стремительно развиваются, а значит, необходимо поддерживать конкурентоспособность продуктовой линейки. Micron также рекомендовала партнёрам заранее планировать закупки, чтобы избежать дефицита и перебоев с поставками.

Одним из главных драйверов роста цен является растущий спрос на высокоскоростную память HBM (High Bandwidth Memory), критически важную для ИИ-ускорителей и графических процессоров нового поколения. По мере того как Nvidia, AMD и Intel развивают свои ИИ-технологии, потребность в быстрой и энергоэффективной памяти только увеличивается. Несмотря на усилия Micron и её конкурентов по наращиванию объёмов производства, предложение всё ещё отстаёт от спроса, что дополнительно подогревает рост цен.

Чтобы справиться с этим вызовом, Micron недавно объявила о строительстве нового завода в Сингапуре, где будет производиться HBM-память. Инвестиции в проект составят $7 млрд, а запуск намечен на 2026 год. В планах также значится выпуск передовых решений, таких как HBM3E, HBM4 и HBM4E, что, по мнению экспертов, позволит компании укрепить позиции в стремительно растущем сегменте.

Влияние на рынок потребительской электроники
Помимо ИИ и дата-центров, оживление наблюдается и в сегменте потребительской электроники. Производители ПК и смартфонов начали увеличивать заказы на память, готовясь к новым продуктовым релизам в конце 2025 и начале 2026 года. Это является ещё одним аргументом в пользу повышения цен — спрос остаётся стабильно высоким, и, судя по всему, тенденция продолжится.

Поскольку Micron первой объявила о росте цен, теперь остаётся ждать реакции конкурентов и клиентов. Если текущий уровень спроса сохранится, отрасль может столкнуться с продолжительным повышением цен, что повлияет не только на корпоративные дата-центры, но и на бытовые устройства — от игровых компьютеров до смартфонов.