TSMC может задержать массовое производство 2-нм чипов до 2026 года

Тайваньская компания TSMC готовит под выпуск 2-нм компонентов сразу три площадки в разных частях острова, но свежие слухи упоминают о возможности замедления реализации соответствующих проектов. По меньшей мере одно из предприятий, на которых должен быть освоен массовый выпуск 2-нм изделий, займётся профильной деятельностью не ранее 2026 года, как сообщают источники.

Данным информационным поводом неожиданно заинтересовался вполне авторитетный ресурс TrendForce, который ссылается на публикации тайваньских СМИ. Как поясняет издание, TSMC рассчитывает освоить выпуск 2-нм продукции на трёх предприятиях в разных частях Тайваня: в Баошане (Синьчжу) на севере, Тайчжуне в центральной части острова, а также в Гаосюне на юге.

Первоначально, как отмечают источники, TSMC намеревалась построить предприятие Fab 20 в Баошане, чтобы оно уже во второй половине следующего года приступило к опытному производству 2-нм продукции, а в 2025 году освоило серийный выпуск 2-нм изделий. Сейчас муниципальные власти силами подрядных организаций приступили к формированию инженерной и дорожной инфраструктуры, которая понадобится будущему предприятию TSMC на севере острова. По слухам, строительство самого предприятия несколько задержится, поскольку спрос на полупроводниковые компоненты восстанавливается медленно, и производитель просто не уверен, что наращивать будущие мощности нужно прежними темпами. Вместо второй половины 2025 года, массовое производство 2-нм чипов на этой площадке TSMC может быть налажено только в 2026 году.

К слову, представители TSMC, по данным TrendForce, все эти слухи сопроводили только заявлением о сохранении намеченных темпов ввода в строй новых предприятий. В Гаосюне строительство предприятия для выпуска 2-нм чипов уже началось, а монтаж оборудования должен был начаться через месяц после предприятия в Баошане. В центральной части Тайваня предприятие в Тайчжуне начнёт возводиться только в следующем году, поэтому на сроки освоения 2-нм техпроцесса в масштабах всего бизнеса TSMC оно повлияет в наименьшей степени. По некоторым данным, местное предприятие TSMC может сразу перейти к освоению 1,4-нм или 1 нм техпроцесса, пропустив фазу 2 нм.

Как ожидается, при выпуске 2-нм изделий TSMC будет применять структуру транзисторов с окружающим затвором (GAA), которую Samsung Electronics уже взяла на вооружение в рамках своего 3-нм техпроцесса. Сложность данной технологии для TSMC закладывает определённые риски в части сроков освоения производства 2-нм чипов, а также уровня брака. В свою очередь, Intel к 2025 году уже планирует освоить техпроцесс 18A с различными компоновочными новшествами типа аналога GAA по имени RibbonFET и технологии PowerVia, которая предусматривает подачу питания с оборотной стороны подложки. Таким образом, TSMC в случае возникновения задержек с освоением 2-нм техпроцесса рискует отстать не только от Samsung, но и от Intel.