Для смартфонов на Snapdragon 8 Gen 3 компании Micron и SK hynix выпустили чипы LPDDR5-9600

Компания Micron сообщила, что приступила к поставкам образцов энергоэффективной оперативной памяти LPDDR5X-9600, производящейся с использованием её самого передового технологического процесса 1β (1-бета).

В Micron отмечают, что оперативная память LPDDR5X на техпроцессе 1β предлагает скорость до 9,6 Гбит/с на контакт (LPDDR5X-9600). Пропускная способность памяти более чем на 12 % выше, чем у LPDDR5X-8533 (8,533 Гбит/с на контакт).

Компания также сообщает, что оперативная память LPDDR5X на техпроцессе 1β почти на 30 % энергоэффективнее чипов памяти LPDDR5X на техпроцессе 1α. Micron будет выпускать память LPDDR5X на техпроцессе 1β микросхемами объёмом до 16 Гбайт.

В свою очередь южнокорейская SK hynix будет поставлять микросхемы памяти LPDDR5T-9600 («T» от «Turbo») объёмом 16 Гбайт, которые работают с напряжением VDD от 1,01 до 1,12 и VDDQ 0,5 В. Для сравнения, максимальное напряжение VDD для памяти LPDDR5X, согласно спецификациям, составляет 1,1 В. Таким образом память LPDDR5T немного выходит за эти рамки.

Микросхемы памяти Micron LPDDR5X-9600 и SK hynix LPDDR5T-9600 совместимы с новейшими флагманскими процессорами Qualcomm Snapdragon 8 Gen 3 с поддержкой генеративного ИИ и будут применяться в смартфонах на их основе. Micron уже приступила к поставкам чипов LPDDR5X-9600 объёмом 16 Гбайт с пиковой пропускной способностью 76,8 Гбайт/с. SK Hynix рассказала, что её микросхемы прошли проверку компанией Qualcomm, поэтому южнокорейский производитель, вероятно, начнёт поставки этих чипов в ближайшее время.