1,4-нм появятся раньше, чем ожидалось — TSMC ускорила подготовку к запуску производства

Читать в полной версии

Компания TSMC в этом году приступает к массовому производству 2-нм чипов, но существующие в отрасли закономерности вынуждают её заранее формировать основу для выпуска более передовых полупроводниковых компонентов. Подготовка к строительству кластера предприятий в центральной части Тайваня, на котором будут выпускаться 1,4-нм чипы, уже началась.

Источник изображения: ASML

Как отмечает UDN, по соседству с технопарком в Тайчжуне в центральной части Тайваня будут построены четыре предприятия, которые будут специализироваться на выпуске 1,4-нм продукции и получат общее обозначение «Fab 25». Опытное производство на первом из этих предприятий должно начаться к концу 2027 года, массовое будет развёрнуто во второй половине 2028 года. К тому времени свои 1,4-нм чипы начнут получать от TSMC компании Apple, Nvidia, AMD и некоторые другие. Как поясняет источник, поставщики оборудования и материалов были уведомлены TSMC о необходимости ускориться, что говорит о смещении сроков «влево».

Предполагается, что 1,4-нм техпроцесс в исполнении TSMC позволит увеличить быстродействие чипов более чем на 15 %, а уровень энергопотребления снизить на величину до 30 %. Скорее всего, стоимость услуг TSMC при переходе на выпуск 1,4-нм чипов значительно увеличится, но для самой компании это позволит решить часть финансовых проблем. Она не только вынуждена будет вкладывать деньги в строительство предприятий в США, но и совершенствовать инженерную инфраструктуру на Тайване. Например, проблему нехватки пресной воды для технологических нужд TSMC будет решать за счёт введения в строй недешёвых опреснительных установок.

Чтобы снизить зависимость от темпов строительства в Тайчжуне, TSMC рассчитывает заблаговременно осваивать выпуск 1,4-нм чипов на юге острова в Синьчжу — под опытные линии выделяется часть мощностей на уже существующих в регионе предприятиях компании. Здесь же планируется в дальнейшем начинать освоение и более совершенных литографических технологий.