Тайваньская Nanya намерена заработать на ИИ, вложив $10,7 млрд в передовую фабрику DRAM с EUV

Тайваньский производитель памяти Nanya утвердил инвестиции в размере 346,6 млрд тайваньских долларов (около $10,7 млрд) для завершения строительства фабрики Fab 5A и перехода на передовые техпроцессы. Предприятие, которое уже находится на этапе строительства, должно начать выпуск DRAM с использованием EUV-литографии во второй половине 2027 года, сообщает OC3D.

На новом заводе компания планирует выпускать память 10-нм класса, включая поколения 1C, 1D и 1E. При этом пилотное производство чипов поколения 1C уже началось, тогда как более современные 1D и 1E пока находятся в разработке. Согласно плану, после запуска мощность будут наращивать поэтапно: сначала до 30 тысяч пластин в месяц в 2028 году и до 35,9 тысяч в 2029 году. Проектная мощность предприятия составит 45 тысяч пластин ежемесячно.

Общий объём капитальных затрат на Fab 5A оценивается примерно в $16 млрд. Внедрение EUV-литографии в рамках 10-нм класса позволит компании расширить выпуск более современных видов памяти, а не дублировать уже освоенные узлы. Одновременно производитель готовится завершить квалификацию чипов LPDDR5 у своих заказчиков до конца текущего года.

Несмотря на сравнительно небольшую долю мирового рынка DRAM — около 1,6 %, Nanya в последние кварталы смогла заметно увеличить финансовые показатели благодаря росту цен на DDR3 и DDR4. По данным TrendForce, сейчас на DDR5 приходится лишь около 10 % выручки компании, поэтому запуск Fab 5A должен существенно увеличить её производственные возможности в этом сегменте. Кроме того, ещё один тайваньский производитель памяти Winbond ранее объявил о планах удвоить общий объём выпуска DRAM в битовом исчислении.