Теги → movinand

CES 2012: SanDisk анонсировала 19-нм чипы iNAND Ultra

Одновременно с анонсом новых 128-Гбайт карт памяти компания SanDisk Corporation в рамках выставки CES 2012 заявила о скором переводе встраиваемой флеш-памяти линейки iNAND Ultra на 19-нм проектные нормы. Согласно данным производителя, это первые продукты такого типа в отрасли, которые будут выпускаться по столь тонкому техпроцессу.

 

 

Комбинация передового техпроцесса и современной технологии упаковки позволит создавать ещё более тонкие и компактные чипы памяти для мобильных устройств. В корпусах с габаритными размерами 11,5 х 13 х 1 мм можно разместить микросхемы общей ёмкостью 64 Гбайт. Новые чипы характеризуются высокой производительностью – до 20 Мбайт/с в операциях последовательной записи и до 80 Мбайт/с в операциях последовательного чтения.

Массовое производство 19-нм продуктов iNAND Ultra стартует во втором квартале текущего года.

Материалы по теме:

Источник:

Анонс 64-Гб moviNAND и 32-Гб microSDHC от Samsung

Учитывая рост потребностей в емкости памяти со стороны пользователей мобильных устройств, южнокорейская компания Samsung Electronics разработала новые решения – 64-Гб модуль moviNAND и 32-Гб карту microSDHC.
Samsung microSD
Новые устройства спроектированы на базе передовых 32-гигабитных NAND-микросхем собственного производства. 64-Гб модуль moviNAND включает шестнадцать 32-Гбит MLC NAND-чипов, выпущенных с использованием проектных норм “30-нм класса”, и контроллер памяти. Толщина решения составляет всего 1,4 мм, что удалось достичь благодаря передовой технологии упаковки. Помимо 64-Гб устройства, Samsung предлагает также модули moviNAND с емкостью 32, 16, 8 и 4 Гб. 32-Гб карта microSDHC включает восемь 32-Гбит NAND-компонентов и контроллер памяти. Толщина новинки составляет всего 1 мм. Карты предыдущего поколения обладали максимальной емкостью 16 Гб. Новые модули moviNAND уже запущены в массовое производство с декабря прошлого года, тогда как 32-Гб карты памяти начнут выпускаться в следующем месяце. Материалы по теме: - Samsung выпустила 32-Гб память "30-нм класса";
- Intel и Micron начали выпуск 32-нм флэш-памяти;
- Toshiba открывает эру 32-нм флэш-памяти.

Samsung выпустила 32-Гб память "30-нм класса"

В ответ на анонс компанией Toshiba 32-нм флэш-микросхем южнокорейский производитель Samsung Electronics гордо заявил о начале поставок 32-Гб карт памяти moviNAND, которые являются лидерами по плотности в отрасли благодаря применению чипов, выпущенных по 30-нм техпроцессу. Новинки ориентированы на использование в телефонах высокого класса и другой мобильной потребительской технике. По утверждению Samsung, это первые в отрасли 32-Гб устройства, использующие 30-нм NAND-микросхемы. Новинки вдвое превосходят по плотности карты памяти предыдущего поколения, которые используют 40-нм чипы. Новые устройства moviNAND включают восемь 32-Гбит 30-нм чипов и контроллер MMC. Помимо 32-Гб моделей, доступны также карты “30-нм класса” емкостью 4, 8 и 16 Гб. Отметим, многие отраслевые аналитики оптимистично смотрят на перспективы карт памяти высокой емкости. Согласно прогнозу iSuppli, ожидается существенное увеличение объемов поставок NAND-чипов, используемых в картах памяти емкостью 32 Гб и выше. В период с 2009 по 2013 год отгрузки таких устройств увеличатся примерно в 8 раз. Материалы по теме: - Intel и Micron начали выпуск 32-нм флэш-памяти;
- Toshiba открывает эру 32-нм флэш-памяти.

Samsung анонсировала 40-нм 8 Гбит память Flex-OneNAND

Компания Samsung Electronics анонсировала начало производства гибридных чипов флэш-памяти Flex-OneNAND объемом 8 Гбит по 40-нм техпроцессу. По сути фирменная разработка Flex-OneNAND является объединением в одной микросхеме флэш-памяти с ячейками двух типов – одноуровневыми (single level cell, SLC) и многоуровневыми (multi-level cell, MLC). Как известно, основным преимуществом первого типа является большее быстродействие, тогда как второй характеризуется меньшей себестоимостью. По мнению Samsung, объединение флэш-памяти на базе SLC и MLC в одном устройстве представляет собой эффективное решение, позволяющее дизайнерам выбирать подсистему хранения с оптимальными характеристиками в каждом конкретном случае. По данным производителя, переход на 40-нм технологию позволил улучшить производительность на 180% относительно предыдущего поколения Flex-OneNAND – 4 Гбит чипов, произведенных на базе 60-нм техпроцесса. Сравнивая свои чипы с «обычной MLC NAND флэш-памятью», Samsung говорит о трехкратном преимуществе в производительности в режиме чтения MLC-участка и четырехкратном – SLC-участка. В режиме записи MLC-участок показывает сопоставимую производительность, а SLC-участок втрое быстрее средних показателей MLC NAND. Для упрощения интеграции чипов в систему Samsung поддерживает интерфейс встраиваемой памяти системного уровня, moviNAND (или eMMC). Это избавляет от необходимости применения дополнительного программного обеспечения от сторонних производителей. Компания отмечает также, что применение гибридной флэш-памяти позволяет сократить площадь, занимаемую на печатной плате, что особенно ценно для портативного мобильного оборудования. Samsung заявила, что расширила свое сотрудничество с разработчиками чипсетов, с тем чтобы совместно продвигать инновационные решения подсистем памяти. Материалы по теме: - Samsung и Toshiba обменялись флэш-идеями;
- 60-нм OneNAND-память Samsung емкостью 2 Гб.

SSD-диск на основе флэш-памяти от Samsung

Компания Samsung Electronics объявила на Mobile Solution Forum о начале производства 32-гигабайтного массива на базе NAND флэш-памяти. Новый SSD-диск, выполняющий те же функции, что и обычный «винчестер», был создан специально для использования в ноутбуках и миниатюрных компьютерах. Вместо обычных вращающихся дисков, здесь используются мгновенно доступная статичная NAND флэш-память, что обеспечивает более быстрое взаимодействие с информацией при минимальных затратах энергии. При всех своих плюсах SSD-новинка весит в половину меньше, чем обычных жёсткий диск, и остаётся практически бесшумной (не используются механические комплектующие). Samsung надеется, что к 2010 году общий SSD-рынок достигнет капитализации в 4,5 миллиарда долларов США.
Samsung Electronics
Кроме этого представители компании также готовят к выходу карточку памяти на основе OneNAND (микросхема, включающая буферную память, контроллер и NAND флэш-память). Новые устройства доступны в 32-мегабайтном и 256-мегабайтном вариантах. Скорее всего, OneNAND-карты найдут широкое применение в мобильных телефонах и цифровых камерах. Отдельно Samsung анонсировала ещё одну высокопроизводительную карту moviNAND (MMC-контроллер и 4 Гб NAND). Передавать данные новинка умеет на скорости 52 мегабита в секунду.

window-new
Soft
Hard
Тренды 🔥